TWI843891B - 研磨用組成物及研磨方法 - Google Patents

Abstract

本發明的課題為提供一種適合在將研磨對象物以CMP法進行研磨，而形成上述包含矽材料而成之配線圖型的用途(前述研磨對象物係於包含絕緣膜而成之圖型上，形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之膜)，且亦可抑制研磨速度的顯著降低之研磨用組成物。 本發明的解決手段為本發明之研磨用組成物，其係包含：研磨粒、與包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量未滿30萬之第一水溶性高分子、與包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量較第一水溶性高分子更小之第二水溶性高分子、與鹼性化合物、與水。

Description

研磨用組成物及研磨方法

本發明係關於研磨用組成物及研磨方法。

近年來，伴隨半導體基板表面之多層配線化，利用有於製造裝置時，研磨半導體基板進行平坦化，即所謂化學的機械性研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)技術。CMP係使用包含二氧化矽或氧化鋁、氧化鈰等之研磨粒、防腐蝕劑、界面活性劑等之研磨用組成物(漿料)，平坦化半導體基板等之研磨對象物(被研磨物)的表面之方法，研磨對象物(被研磨物)係包含矽、聚矽、矽氧化膜(氧化矽)、矽氮化物或金屬等而成之配線、插頭等。 針對將半導體基板藉由CMP進行研磨時所使用之研磨用組成物，目前為止已有各式各樣的提案。

例如，專利文獻1中記載有用以改善對於聚矽之研磨特性，尤其是段差消除效率的研磨用組成物。該研磨用組成物係包含研磨粒(膠體二氧化矽)及氧化劑，pH為6以上。記載有根據此研磨用組成物，由於在氧化劑為pH6以上之組成物中，對於研磨對象物即聚矽的表面，給予化學性作用，進行化學性研磨，提昇對於具有段差之研磨對象物的段差消除特性。 又，專利文獻1中，作為為了進一步提昇段差消除效率而摻合之添加劑即水溶性高分子的一例，記載有包含500ppm重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物。此研磨用組成物係pH為9，含有0.1質量%過氧化氧。

專利文獻2中記載有包含具有乙炔鍵之有機化合物、水溶性之乙烯基聚合物及水，pH為4～9，並藉由與半導體用氧化鈰漿料組合，可研磨半導體用無機絕緣膜之CMP研磨劑用添加劑。並記載有藉由摻合此添加劑，可提昇晶圓面內全面的研磨均一性，可提昇晶圓面內全面之平坦化特性。又，作為水溶性之乙烯基聚合物，並未例示聚乙烯基吡咯烷酮。

於專利文獻3中，記載有作為粗研磨矽晶圓之用途的研磨用組成物，係包含：研磨粒、與包含重量平均分子量不同之二種的同一構造體(第一含氮水溶性高分子及第二含氮水溶性高分子)而成之含氮水溶性高分子(聚乙烯基吡咯烷酮、含有率為0.005質量%以下)、與鹼性化合物、與水之研磨用組成物。又，記載有作為二種類之含氮水溶性高分子的摻合比，係第一含氮水溶性高分子(重量平均分子量為30萬以上)：第二含氮水溶性高分子(重量平均分子量未滿30萬)=5：1～1：20。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2015-86355號公報 [專利文獻2]日本特開2008-85058號公報 [專利文獻3]WO2019/116833小冊子

[發明欲解決之課題]

在半導體裝置之製造步驟，進行有例如將研磨對象物以CMP法進行研磨，而形成包含聚矽膜而成之配線圖型，該研磨對象物係於包含矽氮化膜(絕緣膜)而成之圖型上，形成聚矽膜(包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之膜)。作為此研磨時所產生之問題點，可列舉包含聚矽膜而成之配線圖型的上面產生如盤子般陷入之凹陷(dishing)、刮掉配線間之矽氮化膜的上面，產生侵蝕、殘存應刮掉之聚矽膜，成為配線圖型間之矽氮化膜未露出的狀態。

專利文獻1所記載之研磨用組成物雖為以抑制凹陷作為目的者，但藉由包含有氧化劑，顯著降低聚矽膜的研磨速度。專利文獻2所記載之CMP用研磨劑係包含氧化鈰作為研磨粒。氧化鈰由於一般為高價，並且容易沉降，故為保存安定性劣化者。 專利文獻3所記載之研磨用組成物由於包含分子量為30萬以上之水溶性高分子，故不適合在「將研磨對象物以CMP法進行研磨，而形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之配線圖型的用途，該研磨對象物係於包含絕緣膜而成之圖型上，形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之膜」。

本發明之課題係提供一種適合在將研磨對象物以CMP法進行研磨，而形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之配線圖型的用途(抑制上述問題點)，該研磨對象物係於包含絕緣膜而成之圖型上，形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之膜，並且亦可抑制研磨速度的顯著降低的研磨用組成物。 [用以解決課題之手段]

為了解決上述課題，本發明之一態樣的研磨用組成物係包含：研磨粒、與包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量未滿30萬之第一水溶性高分子、與包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量較第一水溶性高分子更小之第二水溶性高分子、與鹼性化合物、與水。 [發明效果]

根據本發明，可提供一種適合在將研磨對象物以CMP法進行研磨，而形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之配線圖型的用途，該研磨對象物係於包含絕緣膜而成之圖型上，形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之膜，並且亦可抑制研磨速度的顯著降低的研磨用組成物。

[本發明之一態樣]

如上述，本發明之一態樣的研磨用組成物係包含：二氧化矽研磨粒、與包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量未滿30萬之第一水溶性高分子、與包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量較第一水溶性高分子更小之第二水溶性高分子、與鹼性化合物、與水。 根據本發明之一態樣的研磨用組成物，藉由包含上述之第一水溶性高分子及第二水溶性高分子雙方，與未包含或僅包含上述之第一水溶性高分子及第二水溶性高分子雙方之任一者的研磨用組成物進行比較，提昇進行包含膜之研磨對象物的研磨時的研磨特性，該膜係包含具有矽-矽鍵之矽材料而成。

第一水溶性高分子及第二水溶性高分子，皆為包含含內醯胺環之高分子化合物而成，皆為重量平均分子量未滿30萬。第二水溶性高分子的重量平均分子量係較第一水溶性高分子的重量平均分子量更小。藉由包含這般的第一水溶性高分子及第二水溶性高分子雙方(重量平均分子量未滿30萬)，與未包含此等之雙方或僅包含一者的研磨用組成物進行比較，實施「將研磨對象物以CMP法進行研磨，而形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之配線圖型的用途，該研磨對象物係於包含絕緣膜而成之圖型上，形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之膜的」研磨方法時，抑制了配線圖型的凹陷，並抑制了絕緣膜的侵蝕，並且抑制了成為配線圖型間之絕緣膜未露出的狀態。

即使為包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且包含重量平均分子量不同之二個水溶性高分子的情況，一者之水溶性高分子的重量平均分子量為30萬以上時，實施上述研磨方法時，容易成為配線圖型間之絕緣膜未露出的狀態。 本發明之一態樣的研磨用組成物藉由包含上述之第一水溶性高分子及第二水溶性高分子雙方，由於為得到上述作用、效果者，不需要包含氧化劑，故不會產生如包含氧化劑之專利文獻1的研磨用組成物般之研磨速度的顯著降低。

[針對本發明之一態樣的詳細說明] 以下，針對本發明之一態樣進行詳細說明。 ＜研磨對象物＞ 作為本發明之一態樣的研磨用組成物的用途，可列舉包含膜之研磨對象物的研磨，該膜係包含具有矽-矽鍵之矽材料而成。 作為具有矽-矽鍵之矽材料，例如可列舉聚矽(Poly-Si)、非晶矽、單晶矽、n型摻雜單晶矽、p型摻雜單晶矽、SiGe等之Si系合金等。特別適合在研磨包含膜者的用途，該膜係包含聚矽而成。 包含膜的研磨對象物，該膜係包含具有矽-矽鍵之矽材料而成，作為具有矽-矽鍵之矽材料以外的材料，例如包含氧化矽、氮化矽、碳氮化矽(SiCN)、金屬等。

＜研磨粒＞ 本發明之一態樣的研磨用組成物，係包含二氧化矽研磨粒(包含二氧化矽粒子而成之研磨粒)。使用氧化鈰作為研磨粒時，由於在研磨後的研磨對象物上容易殘留氧化鈰之殘渣，故使用氧化鈰並不佳。 作為二氧化矽粒子的種類，並未特別限制，雖可列舉燻製二氧化矽、膠體二氧化矽等，但較佳為膠體二氧化矽。作為膠體二氧化矽之製造方法，可列舉矽酸蘇打法、溶膠凝膠法，即使為任一製造方法所製造之膠體二氧化矽，亦適合作為構成本發明之一態樣的研磨用組成物的二氧化矽粒子使用。

然而，從減低金屬雜質的觀點來看，較佳為藉由溶膠凝膠法所製造之膠體二氧化矽。藉由溶膠凝膠法所製造之膠體二氧化矽，由於具有在半導體中擴散之性質的金屬雜質或氯化物離子等之腐蝕性離子的含量少故較佳。藉由溶膠凝膠法之膠體二氧化矽的製造，可使用以往公知之手法進行，具體而言，藉由將可水解之矽化合物(例如烷氧基矽烷或其衍生物)作為原料，進行水解･縮合反應，可得到膠體二氧化矽。

二氧化矽粒子可具有陽離子性基。亦即，二氧化矽粒子可為陽離子改質二氧化矽粒子，亦可為陽離子改質膠體二氧化矽。作為具有陽離子性基之膠體二氧化矽(陽離子改質膠體二氧化矽)，可優選列舉胺基固定化在表面之膠體二氧化矽。作為具有這般的陽離子性基之膠體二氧化矽之製造方法，可列舉如日本特開2005-162533號公報所記載，將胺基乙基三甲氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、胺基乙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基二甲基乙氧基矽烷、胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、胺基丁基三乙氧基矽烷等之具有胺基之矽烷偶合劑固定化在二氧化矽粒子的表面之方法。藉此，可得到胺基固定化在表面之膠體二氧化矽(胺基修飾膠體二氧化矽)。

膠體二氧化矽可具有陰離子性基。亦即，二氧化矽粒子可為陰離子改質二氧化矽粒子，亦可為陰離子改質膠體二氧化矽。作為具有陰離子性基之膠體二氧化矽(陰離子改質膠體二氧化矽)，可優選列舉羧酸基、磺酸基、膦酸基、鋁酸基等之陰離子性基固定化在表面之膠體二氧化矽。作為具有這般的陰離子性基之膠體二氧化矽之製造方法，並未特別限制，例如可列舉使於末端具有陰離子性基之矽烷偶合劑與膠體二氧化矽進行反應之方法。

作為具體例，若將磺酸基固定化在膠體二氧化矽，例如可用“Sulfonic acid-functionalized silica through of thiol groups”,Chem.Commun.246-247(2003)所記載之方法進行。具體而言，藉由將3-巰基丙基三甲氧基矽烷等之具有硫醇基之矽烷偶合劑偶合在膠體二氧化矽後，以過氧化氫氧化硫醇基，可得到磺酸基固定化在表面之膠體二氧化矽(磺酸修飾膠體二氧化矽)。

若將羧酸基固定化在膠體二氧化矽，例如可用“Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”,Chemistry Letters,3,228-229(2000)所記載之方法進行。具體而言，藉由將包含光反應性2-硝基苄基酯之矽烷偶合劑偶合在膠體二氧化矽後，進行光照射，可得到羧酸基固定化在表面之膠體二氧化矽(羧酸修飾膠體二氧化矽)。

二氧化矽粒子的形狀並未特別限制，可為球形狀，亦可為非球形狀。作為非球形狀之具體例，可列舉三角柱或四角柱等之多角柱狀、圓柱狀、圓柱之中央部較端部更膨脹之俵狀、貫通圓盤之中央部的甜甜圈狀、板狀、於中央部具有收縮之所謂繭型形狀、一體化複數個粒子而成之所謂會合型球形狀、於表面具有複數個突起之所謂金平糖形狀、橄欖球形狀等各種形狀，並未特別限制。

二氧化矽粒子的大小並未特別限制。然而，二氧化矽粒子的平均一次粒徑較佳為20nm以上，更佳為40nm以上，再更佳為50nm以上，特佳為60nm以上。又，二氧化矽粒子之平均一次粒徑較佳為250nm以下，更佳為200nm以下，再更佳為150nm以下，特佳為100nm以下。若為這般的範圍，可於使用研磨用組成物進行研磨後的研磨對象物的表面，抑制刮傷等之缺陷。亦即，二氧化矽粒子之平均一次粒徑較佳為20nm以上250nm以下，更佳為40nm以上200nm以下，再更佳為50nm以上150nm以下，特佳為60nm以上100nm以下。尚，二氧化矽粒子之平均一次粒徑，係例如根據以BET法測定之二氧化矽粒子的比表面積算出。

二氧化矽粒子之平均二次粒徑較佳為50nm以上，更佳為80nm以上，再更佳為100nm以上，特佳為120nm。又，二氧化矽粒子之平均二次粒徑較佳為500nm以下，更佳為400nm以下，再更佳為300nm以下，特佳為250nm以下。若為這般的範圍，可於使用研磨用組成物進行研磨後之研磨對象物的表面，抑制刮傷等之缺陷。亦即，二氧化矽粒子之平均二次粒徑較佳為50nm以上500nm以下，更佳為80nm以上400nm以下，再更佳為100nm以上300nm以下，特佳為120nm以上250nm以下。尚，二氧化矽粒子之平均二次粒徑，可藉由例如雷射繞射散射法所代表之動態光散射法測定。

二氧化矽粒子之平均會合度較佳為5.0以下，更佳為3.0以下，再更佳為2.5以下。隨著二氧化矽粒子之平均會合度縮小，可更加減低研磨對象物表面的缺陷發生。又，二氧化矽粒子之平均會合度較佳為1.0以上，更佳為1.2以上。隨著二氧化矽粒子之平均會合度增大，有提昇藉由研磨用組成物之研磨速度的優點。尚，二氧化矽粒子之平均會合度係藉由將二氧化矽粒子之平均二次粒徑之值除以平均一次粒徑之值而獲得。

二氧化矽粒子之長寬比雖並未特別限制，較佳為未滿2.0，更佳為1.8以下，再更佳為1.5以下。若為這般的範圍，可更加減低研磨對象物表面的缺陷。尚，長寬比係藉由掃描型電子顯微鏡，取得與二氧化矽粒子的圖像外接之最小的長方形，並藉由將該長方形之長邊的長度除以相同長方形之短邊的長度所得之值的平均，可使用一般的圖像解析軟體求出。二氧化矽粒子的長寬比雖並未特別限制，但較佳為1.0以上。

在藉由二氧化矽粒子之雷射繞射散射法所求出之粒度分布，從微粒子側，積算粒子重量到達全粒子重量的90%時之粒子的直徑(D90)與到達全粒子之全粒子重量的10%時之粒子的直徑(D10)之比即D90/D10雖並未特別限制，但較佳為1.1以上，更佳為1.2以上，再更佳為1.3以上。又，在研磨用組成物中之二氧化矽粒子中，藉由雷射繞射散射法所求出之粒度分布，從微粒子側，積算粒子重量到達全粒子重量的90%時之粒子的直徑(D90)與到達全粒子之全粒子重量的10%時之粒子的直徑(D10)之比即D90/D10雖並未特別限制，但較佳為2.04以下。若為這般的範圍，可更加減低研磨對象物表面的缺陷。 二氧化矽粒子的大小(平均一次粒徑、平均二次粒徑、長寬比、D90/D10等)，可藉由二氧化矽粒子之製造方法的選擇等適當控制。

本發明之一態樣的研磨用組成物中之二氧化矽粒子的含量(濃度)，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.05質量%以上，再更佳為0.1質量%以上，特佳為0.5質量%以上。又，研磨用組成物中之二氧化矽粒子的含量較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下，再更佳為5質量%以下，特佳為3質量%以下。二氧化矽粒子的含量若為這般的範圍，可更加抑制於使用研磨用組成物進行研磨後之研磨對象物的表面，產生表面缺陷。尚，研磨用組成物包含2種以上之二氧化矽粒子的情況下，二氧化矽粒子的含量意指此等之合計量。 本發明之一態樣的研磨用組成物除了二氧化矽粒子，亦可包含其他研磨粒。作為其他研磨粒之例，例如可列舉氧化鋁粒子、氧化鋯粒子、二氧化鈦粒子等之金屬氧化物粒子。

＜第一水溶性高分子、第二水溶性高分子＞ 本發明之一態樣的研磨用組成物係包含：包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量未滿30萬之第一水溶性高分子、與包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量較第一水溶性高分子更小之第二水溶性高分子。 第一水溶性高分子的重量平均分子量較佳為25,000以上且未滿30萬，更佳為30,000以上200,000以下，再更佳為35,000以上150,000以下。 第二水溶性高分子的重量平均分子量較佳為1,000以上且未滿25,000，更佳為3,000以上20,000以下，再更佳為5,000以上15,000以下。

作為第一水溶性高分子的重量平均分子量與第二水溶性高分子的重量平均分子量的組合，較佳為第一水溶性高分子的重量平均分子量為25,000以上且未滿30萬，且第二水溶性高分子的重量平均分子量為1,000以上且未滿25,000，更佳為第一水溶性高分子的重量平均分子量為30,000以上200,000以下，且第二水溶性高分子的重量平均分子量為3,000以上20,000以下，可列舉第一水溶性高分子的重量平均分子量為35,000以上150,000以下，且第二水溶性高分子的重量平均分子量為5,000以上15,000以下。

作為第一水溶性高分子及第二水溶性高分子，可列舉以包含含內醯胺環之高分子化合物而成之單體所構成之均聚物，或是以包含含內醯胺環之高分子化合物而成之單體與包含未含內醯胺環之化合物而成之單體所構成之共聚物。 作為包含含內醯胺環之高分子化合物而成之單體，可列舉乙烯基吡咯烷酮、乙烯基己內醯胺、乙烯基戊內醯胺、乙烯基月桂內醯胺、乙烯基哌啶酮。

作為以包含含內醯胺環之高分子化合物而成之單體所構成之均聚物，可列舉選自由聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯基己內醯胺、聚乙烯基戊內醯胺、聚乙烯基月桂內醯胺、及聚乙烯基哌啶酮所成之群組中之至少一種。 第一水溶性高分子及第二水溶性高分子，特佳為聚乙烯基吡咯烷酮。

在本發明之一態樣的研磨用組成物，第一水溶性高分子及第二水溶性高分子的合計含有率較佳為0.05質量%以下。若為這般的範圍內，對維持聚矽之高研磨速度是有利。 在本發明之一態樣的研磨用組成物，第一水溶性高分子的含有率(W1)與第二水溶性高分子的含有率(W2)之比率(W1/W2)，較佳為1/15以上15/1以下，更佳為1/10以上10/1以下，特佳為1。

＜鹼性化合物＞ 本發明之一態樣的研磨用組成物係包含鹼性化合物。 作為本發明之一態樣的研磨用組成物所包含之鹼性化合物，例如可列舉選自由鹼金屬之氫氧化物、無機酸之鹼金屬鹽、無機酸之銨鹽、有機酸之鹼金屬鹽、有機酸之銨鹽及氨所成之群組中之至少1種的鹼化合物。藉由使用此等鹼化合物，不僅可於容易溶解研磨對象物所包含之矽的鹼區域調整pH，並且鹼化合物由於在研磨中，不會對研磨粒表面或研磨對象物表面進行吸附，而是大半溶解在分散媒中，故不會阻礙矽之去除，且可實現有效率的研磨。

作為鹼金屬的氫氧化物之例，可列舉氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀等。 作為無機酸之鹼金屬鹽之例，可列舉亞硝酸鈉、亞硝酸鉀等之亞硝酸之鹼金屬鹽；硝酸鈉、硝酸鉀等之硝酸之鹼金屬鹽；鉬酸鈉、鉬酸鉀等之鉬酸之鹼金屬鹽；次氯酸鈉、次氯酸鉀等之次氯酸之鹼金屬鹽；硫酸鈉、硫酸鉀等之硫酸之鹼金屬鹽；碳酸鈉、碳酸鉀等之碳酸之鹼金屬鹽；氯化鈉、氯化鉀等之鹽酸之鹼金屬鹽；磷酸鈉、磷酸鉀等之磷酸之鹼金屬鹽；矽酸鈉、矽酸鉀等之矽酸之鹼金屬鹽；硼酸鈉、硼酸鉀等之硼酸之鹼金屬鹽等。 作為無機酸之銨鹽之例，可列舉氯化銨、硫酸銨、醯胺硫酸銨、硝酸銨、磷酸二氫一銨、磷酸氫二銨、磷酸三銨、二亞磷酸銨、碳酸銨、碳酸氫銨、硫化銨、硼酸銨、硼氟化銨等。

作為有機酸之鹼金屬鹽之例，可列舉乙酸鈉、乙酸鉀、丙酸鈉、丙酸鉀、甘油酸鈉、甘油酸鉀、蘋果酸鈉、蘋果酸鉀、檸檬酸鈉、檸檬酸鉀、乳酸鈉、乳酸鉀、酒石酸鈉、酒石酸鉀、水楊酸鈉、水楊酸鉀、丙二酸鈉、丙二酸鉀、琥珀酸鈉、琥珀酸鉀、馬來酸鈉、馬來酸鉀、苯二甲酸鈉、苯二甲酸鉀、草酸鈉、草酸鉀、戊二酸鈉、戊二酸鉀、樅酸鈉、樅酸鉀、山梨酸鈉、山梨酸鉀、2,4,6-辛三烯-1-羧酸鈉、2,4,6-辛三烯-1-羧酸鉀、油硬脂酸鈉、油硬脂酸鉀、2,4,6,8-癸四烯-1-羧酸鈉、2,4,6,8-癸四烯-1-羧酸鉀、維生素A酸鈉、維生素A酸鉀、醯亞胺基二乙酸鉀等。

作為有機酸之銨鹽之例，可列舉蟻酸銨、乙酸銨、草酸二銨、草酸氫銨、苯甲酸銨、檸檬酸一銨、檸檬酸二銨、檸檬酸三銨、乳酸銨、苯二甲酸銨、琥珀酸銨、酒石酸一銨、酒石酸二銨、天冬胺酸銨等。 此等鹼化合物當中，從防止研磨所得之半導體裝置的動作不良的目的來看，較佳為使用選自氫氧化鉀、無機酸之鉀鹽、無機酸之銨鹽、有機酸之鉀鹽、有機酸之銨鹽及氨中之至少1種。

＜水＞ 本發明之一態樣的研磨用組成物係包含水作為分散媒。 從抑制阻礙研磨對象物的污染或其他成分的作用的觀點來看，作為分散媒，較佳為包含儘可能不含有雜質之水。作為這般的水，較佳為過渡金屬離子的合計含量為100ppb以下之水。於此，水的純度可藉由例如使用離子交換樹脂之雜質離子的去除、藉由過濾器之異物的去除、蒸餾等之操作提高。具體而言，作為水，較佳為使用脫離子水(離子交換水)、純水、超純水、蒸餾水等。 通常較佳為研磨用組成物所包含之分散媒的90體積%以上為水，更佳為95體積%以上為水，再更佳為99體積%以上為水，特佳為100體積%為水。

＜侵蝕抑制劑＞ 本發明之一態樣的研磨用組成物，較佳為進一步包含:由界面活性劑或包含具有胍基之化合物所構成之侵蝕抑制劑。 作為包含界面活性劑而成之侵蝕抑制劑，陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、非離子系界面活性劑、兩性界面活性劑皆可使用，但較佳為使用陰離子系界面活性劑。

作為包含陰離子系界面活性劑而成之侵蝕抑制劑，可列舉烷基硫酸(鹽)、烷基磷酸(鹽)、烷基萘磺酸(鹽)、烷基苯磺酸(鹽)、聚氧化烯烷基硫酸(鹽)、聚氧化烯苯乙烯化苯基硫酸(鹽)、聚氧化烯烷基磺基琥珀酸(鹽)、聚氧化烯烯丙基苯基醚磷酸(鹽)、聚氧化烯烷基磷酸(鹽)、聚氧化烯烷基乙酸(鹽)、聚氧化烯烷基磺基琥珀酸(鹽)、烷基磺基琥珀酸(鹽)、烷基萘磺酸(鹽)、烷基二苯基醚二磺酸(鹽)等。其中，較佳為使用分枝烷基苯磺酸鈉(C9-17)、十二烷基苯磺酸鈉，或聚氧乙烯(n=45-55)烯丙基苯基醚磷酸胺鹽。

作為包含具有胍基之化合物而成之侵蝕抑制劑，可列舉肌酸酐、精胺酸、胍基乙酸(Glycocyamine)。其中，較佳為使用肌酸酐或精胺酸。 本發明之一態樣的研磨用組成物包含侵蝕抑制劑時，該侵蝕抑制劑係包含界面活性劑而成，其含有率較佳為0.00001質量%以上，更佳為0.00005質量%以上，再更佳為0.0001質量%以上。又，研磨用組成物包含侵蝕抑制劑時，該侵蝕抑制劑係包含界面活性劑而成，其含有率較佳為0.01質量%以下，更佳為0.005質量%以下，再更佳為0.001質量%以下。未滿0.00001質量%時，實質上得不到侵蝕抑制作用，超過0.01質量%時，降低聚矽膜的研磨速度。

本發明之一態樣的研磨用組成物包含侵蝕抑制劑時，該侵蝕抑制劑係包含具有胍基之化合物而成，其含有率較佳為0.001質量%以上，更佳為0.01質量%以上，再更佳為0.05質量%以上。又，研磨用組成物包含侵蝕抑制劑時，該侵蝕抑制劑係包含具有胍基之化合物而成，其含有率較佳為5質量%以下，更佳為2質量%以下，再更佳為1質量%以下。未滿0.001質量%時，實質上得不到侵蝕抑制作用，超過5質量%時，降低聚矽膜的研磨速度。

＜其他添加劑＞ 本發明之一態樣的研磨用組成物較佳為不包含氧化劑。 本發明之一態樣的研磨用組成物在不損害本發明之效果的範圍，可進一步含有螯合劑、增黏劑、分散劑、表面保護劑、潤濕劑、界面活性劑(與作為侵蝕抑制劑包含者為不同者)、溶解助劑等之公知的添加劑。上述添加劑的含量因應其添加目的適當設定即可。

＜研磨用組成物之pH＞ 本發明之一態樣的研磨用組成物之pH較佳為8以上。若pH為8以上，較pH未滿8的情況更提昇研磨速度。此pH更佳為8.5以上，再更佳為9.0以上，特佳為9.5以上。另一方面，從安全性的觀點來看，研磨用組成物之pH較佳為13.0以下，更佳為12.0以下，再更佳為11.5以下。 亦即，本發明之一態樣的研磨用組成物的較佳之pH的範圍為8.0以上13.0以下，更佳為8.5以上12.0以下，再更佳為9.0以上11.5以下，特佳為9.5以上11.5以下。因此，鹼性化合物的摻合量較佳為以成為上述pH的範圍的方式進行調整。

＜研磨用組成物之製造方法＞ 本發明之一態樣的研磨用組成物之製造方法並未特別限制，可藉由例如將二氧化矽粒子、第一水溶性高分子、第二水溶性高分子、鹼性化合物，及如有必要之其他添加劑，於分散媒即水當中進行攪拌混合獲得。各成分的細節係如上述。 混合各成分時之溫度雖並未特別限制，但較佳為10℃以上40℃以下，但為了提昇溶解速度可進行加熱。又，混合時間若可均一混合，則並未特別限制。

＜研磨方法＞ 針對使用本發明之一態樣的研磨用組成物，研磨包含膜的研磨對象物之研磨方法，該膜係包含具有矽-矽鍵之矽材料而成，於以下進行說明。 作為研磨裝置，係安裝保持具有研磨對象物之基板等的支架、與可變更回轉數之馬達等，可使用具有可貼合研磨墊(研磨布)之研磨定盤的一般的研磨裝置。 作為研磨墊，並未特別限制可使用一般的不織布、聚胺基甲酸酯及多孔質氟樹脂等。研磨墊中較佳為實施如滯留研磨液的溝加工。

針對研磨條件，例如研磨定盤的回轉速度較佳為10rpm(0.17s^-1 )以上500rpm(8.3s^-1 )。施加在具有研磨對象物之基板的壓力(研磨壓力)較佳為0.5psi(3.4kPa)以上10psi(68.9kPa)以下。於研磨墊供給研磨用組成物之方法亦並未特別限制，採用以泵等連續性供給之方法。於此供給量雖並未限制，但較佳為研磨墊的表面通常以本發明之一態樣的研磨用組成物被覆。 研磨結束後，藉由將基板於流水中洗淨，並藉由旋轉乾燥器等甩落附著在基板上之水滴並使其乾燥，而得到具有包含金屬之層的基板。

本發明之一態樣的研磨用組成物可為一液型，亦可為一開始為二液型之多液型。又，本發明之一態樣的研磨用組成物可藉由將研磨用組成物之原液使用水等之稀釋液，例如稀釋成10倍以上來調製。 [實施例1]

以下，針對本發明之實施例及比較例進行說明，但本發明並非被限定於以下所示之實施例。尚，於以下所示之實施例，為了實施本發明，儘管在技術上有更好的限定，但此限定並非本發明之必須要件。又，以下之實施例可加上各種變更或改良，加上這樣變更或改良的形態亦可包含在本發明。

＜研磨用組成物的調製＞ (實施例1) 將平均一次粒徑為90nm之膠體二氧化矽以相對於研磨用組成物的總量，成為1.5質量%的添加量的方式，將作為第一水溶性高分子之重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮，以相對於研磨用組成物的總量，成為0.00300質量%的添加量的方式，將作為第二水溶性高分子之重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮，以相對於研磨用組成物的總量，成為0.00300質量%的添加量的方式，加入分散媒之水，而得到混合液。 然後，於所得之混合液，將氨以pH成為10.4的方式添加，再於室溫(25℃)攪拌混合30分鐘，來調製研磨用組成物。在研磨用組成物，第一水溶性高分子的含有率(W1)與第二水溶性高分子的含有率(W2)之比率(W1/W2)為1。 研磨用組成物(液溫：25℃)之pH係藉由pH計(堀場製作所股份有限公司製 型號：LAQUA)確認。

(實施例2) 將相對於重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮，及重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，分別以成為0.00200質量%的方式進行。除此之外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。

(實施例3) 取代平均一次粒徑為90nm之膠體二氧化矽，改使用平均一次粒徑為70nm之膠體二氧化矽。將相對於重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮，及重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，分別以成為0.00025質量%的方式進行。又，取代氨，將氫氧化鉀以pH成為10.7的方式添加。此等之點以外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。

(實施例4) 取代重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮，改使用重量平均分子量為100000之聚乙烯基吡咯烷酮。除此之外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。

(實施例5) 取代平均一次粒徑為90nm之膠體二氧化矽，改使用平均一次粒徑為70nm之膠體二氧化矽。將相對於重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，以成為0.00050質量%的方式進行。將相對於重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，以成為0.00005質量%的方式進行。比率(W1/W2)為10。此等之點以外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。

(實施例6) 取代平均一次粒徑為90nm之膠體二氧化矽，改使用平均一次粒徑為70nm之膠體二氧化矽。將相對於重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，以成為0.00005質量%的方式進行。將相對於重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，以成為0.00050質量%的方式進行。比率(W1/W2)為1/10。此等之點以外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。

(實施例7) 取代平均一次粒徑為90nm之膠體二氧化矽，改使用平均一次粒徑為70nm之膠體二氧化矽。將相對於重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，以成為0.00005質量%的方式進行。將相對於重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，以成為0.00005質量%的方式進行。比率(W1/W2)為1。又，將氨僅以相對於研磨用組成物的總量，成為0.194質量%的量添加。確認所得之研磨用組成物之pH時為10.3。此等之點以外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。

(實施例8) 取代氨改添加氫氧化鉀。此等之點以外，其他與實施例7同樣進行，來調製研磨用組成物。確認所得之研磨用組成物之pH時為10.7。

(實施例9) 將平均一次粒徑為70nm之膠體二氧化矽，以相對於研磨用組成物的總量，成為1.5質量%的添加量的方式，將作為第一水溶性高分子之重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮，以相對於研磨用組成物的總量，成為0.00005質量%的添加量的方式，將作為第二水溶性高分子之重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮，以相對於研磨用組成物的總量，成為0.00005質量%的添加量的方式，將作為侵蝕抑制劑之分枝烷基苯磺酸鈉(C9-17)，以相對於研磨用組成物的總量，成為0.0005質量%的添加量的方式，加入分散媒之水，而得到混合液。 然後，於所得之混合液，將氫氧化鉀僅以相對於研磨用組成物的總量，成為0.194質量%的量添加，再於室溫(25℃)攪拌混合30分鐘，來調製研磨用組成物。確認所得之研磨用組成物之pH時為10.7。在研磨用組成物，第一水溶性高分子的含有率(W1)與第二水溶性高分子的含有率(W2)之比率(W1/W2)為1。

(實施例10) 使用十二烷基苯磺酸鈉作為侵蝕抑制劑。此點以外，其他與實施例9同樣進行，來調製研磨用組成物。確認所得之研磨用組成物之pH時為10.7。 (實施例11) 使用聚氧乙烯(n=45-55)烯丙基苯基醚磷酸胺鹽作為侵蝕抑制劑。此點以外，其他與實施例9同樣進行，來調製研磨用組成物。確認所得之研磨用組成物之pH時為10.7。

(實施例12) 使用聚氧乙烯(n=8)苯乙烯化苯基醚硫酸銨作為侵蝕抑制劑。此點以外，其他與實施例9同樣進行，來調製研磨用組成物。確認所得之研磨用組成物之pH時為10.7。 (實施例13) 作為侵蝕抑制劑，係將肌酸酐以相對於研磨用組成物的總量，成為0.1質量%的添加量的方式加入。此點以外，其他與實施例9同樣進行，來調製研磨用組成物。確認所得之研磨用組成物之pH時為10.7。 (實施例14) 作為侵蝕抑制劑，係將精胺酸以相對於研磨用組成物的總量，成為0.1質量%的添加量的方式加入。此等之點以外，其他與實施例9同樣進行，來調製研磨用組成物。確認所得之研磨用組成物之pH時為10.8。

(比較例1) 任何聚乙烯基吡咯烷酮皆未添加。取代氨，將氫氧化鉀以pH成為10.7的方式添加。此等之點以外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。 (比較例2) 任何聚乙烯基吡咯烷酮皆未添加。除此之外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。

(比較例3) 將相對於重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，以成為0.01000質量%的方式進行。又，並未添加重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮。此等之點以外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。 (比較例4) 將相對於重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，以成為0.00250質量%的方式進行。又，並未添加重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮。此等之點以外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。

(比較例5) 將相對於重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮的研磨用組成物的總量之添加量，以成為0.00250質量%的方式進行。又，並未添加重量平均分子量為10000之聚乙烯基吡咯烷酮。此等之點以外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。 (比較例6) 取代重量平均分子量為40000之聚乙烯基吡咯烷酮，改添加重量平均分子量為300000之聚乙烯基吡咯烷酮。除此之外，其他與實施例1同樣進行，來調製研磨用組成物。

＜研磨速度的測定＞ 使用所得之各研磨用組成物，進行對於任何皆未摻雜之聚矽膜(以下，稱為「Non-Doped poly-Si膜」)、包含藉由摻雜磷之聚矽膜的圖型之膜(以下，稱為「Doped poly-PTW膜」)、矽氧化膜、氮化矽膜之CMP研磨，調查研磨速度。

(研磨速度測定用晶圓) 各膜的研磨速度的測定係使用以下所示之CMP評估用晶圓進行。 Non-Doped poly-Si膜的研磨用：於矽晶圓的表面形成厚度5,000Å之聚矽膜的空白晶圓(300mm)、Advanced material technology股份有限公司製。 Doped poly-PTW膜的研磨用：854遮罩圖型、於矽晶圓上形成厚度1000Å之氮化矽膜，並挖出深度800Å之溝後，形成摻雜磷之(磷濃度0.1質量%)厚度2000Å之Poly-Si膜，填補凹凸之晶圓(300mm)、研華股份有限公司製。

矽氧化膜的研磨用：於矽晶圓的表面形成厚度10,000Å之矽氧化膜(TEOS膜)的空白晶圓(300mm)、研華股份有限公司製。 氮化矽膜的研磨用：於矽晶圓的表面形成厚度3,500Å之氮化矽膜(SiN膜)的空白晶圓(300mm)、Advanced material technology股份有限公司製。

(研磨裝置及研磨條件) 使用之研磨裝置及研磨條件係如以下。 研磨裝置：應用材料製、300mm用CMP單面研磨裝置 Reflexion LK 墊：NITTA HAAS股份有限公司製 硬質聚胺基甲酸酯墊 IC1010 研磨壓力：2.2psi 研磨定盤回轉數：73rpm 載體回轉數：67rpm 研磨用組成物的供給：溢流 研磨用組成物供給量：200ml/分鐘 研磨時間：60秒 將從研磨前之各膜的膜厚(Å)減去研磨後之各膜的膜厚(Å)之值以研磨時間(min)除算，並將所得之算出值定為研磨速度(Removal Rate；RR)。 研磨前後之各膜的膜厚(Å)係藉由光干涉式膜厚測定裝置(KLA-Tencor股份有限公司製 型號：ASET-f5x)求出。

＜研磨試驗＞ 使用所得之各研磨用組成物，於矽晶圓上透過氧化膜形成包含矽氮化膜而成之圖型，並於其上將形成聚矽膜之研磨對象物以CMP法進行研磨，進行形成包含聚矽膜而成之配線圖型的研磨試驗。 如圖1所示，研磨對象物10係於矽晶圓1上透過氧化膜2形成包含矽氮化膜而成之圖型3，並於其上形成聚矽膜4者。包含矽氮化膜而成之圖型3的厚度T1為1000Å，線寬H1為10μm或0.25μm，間隔H2為10μm或0.25μm。又，聚矽膜4的厚度T2為2000Å。 對於研磨對象物10進行理想的研磨時，於包含矽氮化膜而成之圖型3上未殘存聚矽膜4，成為圖型3的上面全部露出的狀態，形成包含聚矽膜而成之配線圖型41，變成於相鄰之配線圖型41之間存在包含矽氮化膜而成之線狀圖型31的狀態。圖2係表示此狀態的平面圖。

(研磨裝置及研磨條件) 使用之研磨裝置及研磨條件係如以下。 研磨裝置：應用材料製、300mm用CMP單面研磨裝置 Reflexion LK 墊：NITTA HAAS股份有限公司製 硬質聚胺基甲酸酯墊 IC1010 研磨壓力：2.2psi 研磨定盤回轉數：73rpm 載體回轉數：67rpm 研磨用組成物的供給：溢流 研磨用組成物供給量：200ml/分鐘 研磨時間：15秒

(性能評估) 將研磨試驗後的研磨對象物的表面狀態以原子力顯微鏡(商品名WA-1300、日立建機Fintech股份有限公司製)觀察，調查應刮掉之聚矽膜4之殘存狀態，並且測定10μm寬之配線圖型41的凹陷量及0.25μm寬之線狀圖型31的侵蝕量。 針對應刮掉之聚矽膜4的殘存狀態，如以下進行評估。 ◎：於研磨對象物無聚矽膜之殘存的狀態(例如圖2的狀態) ○：於研磨對象物，聚矽膜的殘存雖有一部分，但為無問題的狀態(例如圖3的狀態) ×：於研磨對象物聚矽膜的殘存多且有問題的狀態(例如圖4的狀態) 將所得之研磨速度的測定值及研磨試驗結果與各研磨用組成物的構成一起示於表1。

使用實施例1～4、6、8～10、12～14之各研磨用組成物的研磨時，並無應刮掉之聚矽膜4之殘存，成為圖2所示的狀態(於表1表示為「◎」)。又，配線圖型41的凹陷量較比較例1之173Å更低為161Å以下，線狀圖型31的侵蝕量較比較例1之132Å更低為88Å以下。

使用實施例5、7、11的研磨用組成物的研磨時，應刮掉之聚矽膜4的一部分雖殘存，但有配線圖型41間之包含矽氮化膜而成之圖型31幾乎露出的狀態(例如圖3的狀態)，為無問題的狀態(於表1表示為「○」)。又，配線圖型41的凹陷量較比較例1之173Å更低為157Å，線狀圖型31的侵蝕量較比較例1之132Å更低為87Å以下。

使用比較例1、2、4、5之各研磨用組成物的研磨時，並無應刮掉之聚矽膜4之殘存，成為圖2所示的狀態(於表1表示為「◎」)，但於比較例1，配線圖型41的凹陷量高至173Å，線狀圖型31的侵蝕量亦高至1132Å。於比較例2，線狀圖型31的侵蝕量高至133Å。於比較例4，線狀圖型31的侵蝕量高至98Å。於比較例5，線狀圖型31的侵蝕量高至127Å。

使用比較例3與比較例6之各研磨用組成物的研磨時，應刮掉之聚矽膜4的多數殘存，例如如圖4所示，配線圖型41間之包含矽氮化膜而成之圖型31成為於配線之長度方向全體全部未露出的狀態的部分亦多(於表1表示為「×」)。

由以上之結果，瞭解到於實施例1～14的研磨用組成物，可減低應刮掉之聚矽膜殘存的效果，並且得到凹陷及侵蝕的抑制效果。對此，於比較例1～6的研磨用組成物，並未得到任何的效果。又，於實施例1～14的研磨用組成物，聚矽膜的研磨速度為2256～2903Å/min，係與藉由未含有聚乙烯基吡咯烷酮之比較例1、2的研磨用組成物之聚矽膜的研磨速度(2432～2646Å/min)為同等程度。

又，比較僅包含之鹼性化合物的種類不同之實施例7與實施例8的研磨用組成物時，使用包含氫氧化鉀之實施例8的研磨用組成物的研磨者，較使用包含氨之實施例7的研磨用組成物的研磨，應刮掉之聚矽膜4之殘存減低效果較高，配線圖型41的凹陷量及線狀圖型31的侵蝕量亦較少。由此結果瞭解到作為鹼性化合物，相較氨，較佳為使用氫氧化鉀者。

進而，瞭解到比較僅包含或未包含侵蝕抑制劑不同之實施例8與實施例9～14的研磨用組成物時，使用包含侵蝕抑制劑之實施例9～14的研磨用組成物進行研磨者，較使用未包含侵蝕抑制劑之實施例8的研磨用組成物進行研磨的情況，可更一層減低侵蝕量。

1:矽晶圓 2:氧化膜 3:包含矽氮化膜而成之圖型 4:聚矽膜 10:研磨對象物 31:包含矽氮化膜而成之線狀圖型 41:包含聚矽膜而成之配線圖型

[圖1]係表示於實施例進行研磨試驗之研磨對象物、與此研磨對象物之理想的研磨狀態之剖面圖。 [圖2]係表示於實施例進行研磨試驗後的研磨對象物，並無聚矽膜之殘存的狀態(◎)之平面圖。 [圖3]係表示於實施例進行研磨試驗後的研磨對象物，聚矽膜的殘存雖有一部分，但無問題的狀態(○)之平面圖。 [圖4]係表示於實施例進行研磨試驗後的研磨對象物，聚矽膜的殘存多且有問題的狀態(×)之平面圖。

1:矽晶圓

2:氧化膜

3:包含矽氮化膜而成之圖型

4:聚矽膜

10:研磨對象物

31:包含矽氮化膜而成之線狀圖型

41:包含聚矽膜而成之配線圖型

Claims (11)

1. 一種研磨用組成物，其係包含：二氧化矽研磨粒、與包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量為25,000以上且未滿30萬之第一水溶性高分子、與包含含內醯胺環之高分子化合物而成，且重量平均分子量為1,000以上且未滿25,000之第二水溶性高分子、與鹼性化合物、與水；前述第一水溶性高分子的含有率(W1)與前述第二水溶性高分子的含有率(W2)之比率(W1/W2)為1/15以上且15/1以下。
2. 如請求項1之研磨用組成物，其中，前述第一水溶性高分子及前述第二水溶性高分子，係以包含含內醯胺環之化合物而成之單體所構成之均聚物，或是以包含含內醯胺環之化合物而成之單體與包含未含內醯胺環之化合物而成之單體所構成之共聚物。
3. 如請求項2之研磨用組成物，其中，作為前述包含含內醯胺環之化合物而成之單體，係包含選自由乙烯基吡咯烷酮、乙烯基己內醯胺、乙烯基戊內醯胺、乙烯基月桂內醯胺、乙烯基哌啶酮所成之群組中之至少一種。
4. 如請求項2之研磨用組成物，其中，作為前述均聚物，係包含選自由聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯基 己內醯胺、聚乙烯基戊內醯胺、聚乙烯基月桂內醯胺、及聚乙烯基哌啶酮所成之群組中之至少一種。
5. 如請求項1之研磨用組成物，其中，前述第一水溶性高分子及前述第二水溶性高分子為聚乙烯基吡咯烷酮。
6. 如請求項1~5中任一項之研磨用組成物，其中，前述第一水溶性高分子及前述第二水溶性高分子的合計含有率為0.05質量%以下。
7. 如請求項1~5中任一項之研磨用組成物，其係進一步包含：由界面活性劑或具有胍基之化合物所構成之侵蝕抑制劑。
8. 如請求項7之研磨用組成物，其中，前述界面活性劑為陰離子系界面活性劑。
9. 如請求項7之研磨用組成物，其中，前述具有胍基之化合物為肌酸酐或精胺酸。
10. 一種研磨方法，其係包含使用如請求項1~9中任一項之研磨用組成物，研磨包含膜的研磨對象物之步驟，該膜係包含具有矽-矽鍵之矽材料而成。
11. 一種研磨方法，其係包含使用如請求項1~9中任一項之研磨用組成物，將研磨對象物以CMP法進行研磨，而形成包含矽材料而成之配線圖型的步驟，該研磨對象物係於包含絕緣膜而成之圖型上，形成包含具有矽-矽鍵之矽材料而成之膜。

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