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TWI584175B - 觸控模組及其製造方法 - Google Patents

觸控模組及其製造方法 Download PDF

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TWI584175B
TWI584175B TW105112696A TW105112696A TWI584175B TW I584175 B TWI584175 B TW I584175B TW 105112696 A TW105112696 A TW 105112696A TW 105112696 A TW105112696 A TW 105112696A TW I584175 B TWI584175 B TW I584175B
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TW
Taiwan
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touch electrode
conductive material
touch
material layer
substrate
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TW105112696A
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TW201729053A (zh
Inventor
劉振宇
李祿興
張恩嘉
邵泓翔
Original Assignee
宸鴻光電科技股份有限公司
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Description

觸控模組及其製造方法
本案是有關於一種電子裝置及其製造方法。特別是有關於一種觸控模組及其製造方法。
隨著電子科技的快速進展,觸控模組已被廣泛地應用在各式電子裝置中,如行動電話、平板電腦等。
典型的觸控模組例如可設置於顯示螢幕上,包括複數個觸控電極。在物體(手指或觸碰筆等)接近或觸碰顯示螢幕時,相應的觸控電極產生電訊號,藉此達成觸控感測。
在製造過程中,一般係利用蝕刻方式將觸控電極之間的導電物質移除,以圖案化觸控電極,並使觸控電極間彼此絕緣。然而,將部份導電物質移除的做法,以及僅移除部分導電物質所形成的結構,將導致觸控模組的光折射率不均勻,而影響觸控模組外觀的光學一致性。
是以,為避免觸控模組的光折射率不均勻,本案的一態樣提供一種觸控模組。根據本案一實施例,觸控模組包括一基板、至少一第一觸控電極、至少一第二觸控電極、以及絕緣區塊。第一觸控電極形成於基板上。第二觸控電極形成於基板上,平行於第一觸控電極。絕緣區塊嵌入 形成於基板中,並位於第一觸控電極以及第二觸控電極之間。第一觸控電極電性絕緣於第二觸控電極。
根據本案一實施例,其中該第一觸控電極、該第二觸控電極與該絕緣區塊係由同一導電材料層所形成而具有相同的導電物質,並且該絕緣區塊係經一分散導電物質的絕緣化處理而具有分離的導電物質。
根據本案一實施例,該絕緣區塊更位於該第一觸控電極以及該第二觸控電極的周圍。
根據本案一實施例,該絕緣區塊在該基板的該表面上的正投影位於該第一觸控電極與該第二觸控電極在該基板的一表面上的正投影之間。
根據本案一實施例,該第一觸控電極、該第二觸控電極與該絕緣區塊在該基板的一表面上的正投影之間不重疊。
根據本案一實施例,該觸控模組更包括複數條導線電性連接該第一觸控電極以及該第二觸控電極。
根據本案一實施例,該觸控模組更包括複數條輔助導線,分別位於該些導線之下,並分別電性連接該些導線。
根據本案一實施例,該觸控模組更包括複數接觸墊,分別設置於該第一觸控電極以及該第二觸控電極之上;以及複數條導線,分別電性連接該些接觸墊。
根據本案一實施例,該第一觸控電極與該第二觸控電極為魚骨狀。
本案的另一實施例揭露一種觸控模組的製造方法。該製造方 法包括:提供一基板;以及形成至少一第一觸控電極以及至少一第一觸控電極於該基板上,並同步嵌入形成一絕緣區塊於該基板中,其中絕緣區塊位於第一觸控電極以及第二觸控電極之間,且第一觸控電極電性絕緣於第二觸控電極。
根據本案一實施例,形成該第一觸控電極、該第一觸控電極於該基板上,並同步嵌入形成該絕緣區塊於該基板中的步驟包括:提供一導電材料層於該基板上;提供複數個遮罩及複數條導線於該導電材料層上;以及絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊。
根據本案一實施例,該製造方法更包括:在絕緣化該導電材料層的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊之前,提供複數條導線於該導電材料層上。
根據本案一實施例,絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊的步驟包括:分散該導電材料層中暴露在該些遮罩以及該些導線之外的一第一部份中的導電物質,以絕緣化該導電材料層的該第一部份,以形成該絕緣區塊,並使該導電材料層中位於該些遮罩之下的複數個第二部份分別形成該第一觸控電極以及該第二觸控電極。
根據本案一實施例,絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊的步驟更包括:使該導電材料層中位於該些導線之下的複數個第三部份形成複數條輔助導線。
根據本案一實施例,分散該導電材料層中暴露在該些遮罩以及該些導線之外的一第一部份中的導電物質的步驟包括:提供一嵌入液於該導電材料層中暴露在該些遮罩之外以及該些導線之外的該第一部份上,以分散該導電材料層中的該第一部份中的導電物質。
根據本案一實施例,該製造方法更包括:在絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊之前,提供複數個接觸墊於該導電材料層上。
根據本案一實施例,絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊的步驟包括:分散該導電材料層中暴露在該些遮罩以及該些接觸墊之外的一第一部份中的導電物質,以絕緣化該導電材料層的該第一部份,以形成該絕緣區塊,並使該導電材料層中位於該些遮罩之下的複數個第二部份分別形成該第一觸控電極以及該第二觸控電極,並使該導電材料層中位於該些接觸之下的複數個第三部份形成複數條輔助導線。
根據本案一實施例,該製造方法更包括:提供複數條導線於該導電材料層上,並分別電性連接該些接觸墊。
根據本案一實施例,其中該絕緣區塊在該基板的一表面上的正投影位於該第一觸控電極與該第二觸控電極在該基板的該表面上的正投影之間。
根據本案一實施例,其中該第一觸控電極、該第二觸控電極與該絕緣區塊在該基板的一表面上的正投影之間不重疊。
綜上所述,透過應用上述一實施例,可實現一種觸控模組。 藉由於基板中形成絕緣區塊,可使觸控電極間彼此絕緣。如此一來,即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極,並避免造成觸控模組的光折射率不均勻,而影響觸控模組外觀的光學一致性。
100‧‧‧觸控模組
110‧‧‧基板
120‧‧‧導電材料層
122‧‧‧第二部份
124‧‧‧第一部份
126‧‧‧第三部份
SF1‧‧‧表面
E1‧‧‧第一觸控電極
INS‧‧‧絕緣區塊
MT‧‧‧金屬導線
TR‧‧‧透明導線
PD‧‧‧接觸墊
MSK1‧‧‧遮罩
MSK2‧‧‧遮罩
AUX‧‧‧輔助導線
SNW‧‧‧奈米銀線
200‧‧‧製造方法
S1-S2‧‧‧步驟
圖1A-3A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖;圖1B-3B為圖1A-3A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;圖4為根據本案比較例所繪示的形成觸控電極與絕緣區塊的剖面圖;圖5A-7A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖;圖5B-7B為圖5A-7A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;圖8A-11A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖;圖8B-11B為圖8A-11A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;圖12A為根據本案一變化的實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的一個步驟的示意圖;圖12B為圖12A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;圖13A-14A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖;圖13B-14B為圖13A-14A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;圖15A-16A為根據本案一變化的實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的一個步驟的示意圖;圖15B-16B為圖15A-16A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;圖17A-20A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意 圖;圖17B-20B為圖17A-20A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;圖21A為根據本案一變化的實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的一個步驟的示意圖;圖21B為圖21A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;圖22A-25A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖;圖22B-25B為圖22A-25A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;圖26A為根據本案一變化的實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的一個步驟的示意圖;圖26B為圖26A中的觸控模組沿線段A-a方向所繪示的剖面圖;以及圖27為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的流程圖。
以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本揭示內容之精神,任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭示內容之較佳實施例後,當可由本揭示內容所教示之技術,加以改變及修飾,其並不脫離本揭示內容之精神與範圍。
關於本文中所使用之『第一』、『第二』、…等,並非特別指稱次序或順位的意思,亦非用以限定本案,其僅為了區別以相同技術用語描述的元件或操作。
關於本文中所使用之方向用語,例如:上、下、左、右、前或後等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用來說明並 非用來限制本創作。
關於本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等,均為開放性的用語,即意指包含但不限於。
關於本文中所使用之『及/或』,係包括所述事物的任一或全部組合。
關於本文中所使用之用詞(terms),除有特別註明外,通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論,以提供本領域技術人員在有關本揭露之描述上額外的引導。
本案的一實施態樣為一種觸控模組的製造方法。在以下段落中,本案將用以下第一實施例至第六實施例為例說明本案細節,然而本案不以下述實施例中的細節為限,其它的實施方式亦在本案範圍之中。
第一實施例
圖1A-3A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組100的製造方法的示意圖。圖1B-3B為圖1A-3A中的觸控模組100沿線段A-a方向所繪示的剖面圖。
首先,特別參照圖1A及圖1B,在一第一步驟中,提供導電材料層120於基板110的上表面SF1上。接著,在一第二步驟中,提供複數條金屬導線MT於導電材料層120上。
在一實施例中,是藉由提供含導電添加物(conducting additive)的嵌入液(embedding solvent)於基板110的上表面SF1上,以令導電添加物部份嵌入基板110中,形成導電材料層120。亦即,導電材料層120是部 份嵌入於基板110的上表面SF1上。
在一實施例中,基板110例如是由聚酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、環狀烯烴單體共聚合物(cyclo olefin polymer,COP)等適當高分子材料實現。在一實施例中,含導電添加物的嵌入液例如是藉由將導電添加物溶解於特定溶劑中所實現,其中所述之特定溶劑的溶解參數(solubility parameter)接近於基板110之材料的溶解參數,以使溶解於所述之特定溶劑中的導電添加物滲透進入基板110之中,以達成嵌入的效果。在一實施例中,上述導電添加物例如是奈米碳管、奈米金屬線、導電膠、導電高分子、石墨稀、奈米金屬等適當導電物質。
藉由提供含導電添加物的嵌入液於以高分子材料形成的基板110的上表面SF1上,可使基板110中鄰近上表面SF1的部份膨脹,以使部份導電添加物滲透到基板110之中,以達到部份嵌入的效果。
為使敘述清楚,在以下的段落中,前述導電添加物將以奈米銀線為例進行說明,然而本案不以此為限。
接著,特別參照圖2A及圖2B,在一第三步驟中,提供複數個第一遮罩MSK1與第二遮罩MSK2於導電材料層120與部分的金屬導線MT上。在一實施例中,第一遮罩MSK1係用以在而後的步驟中圖形化第一觸控電極E1,第二遮罩MSK2係用以在而後的步驟中圖形化第二觸控電極E2。
此時,導電材料層120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2及金屬導線MT之外的第一部份124、位在遮罩MSK1、MSK2下的第二部份122、以及位在金屬導線MT下並接觸金屬導線MT的第三部份126。
在一實施例中,係先形成一透明材料層於導電材料層120與金屬導線MT上,而後再以移除此一透明材料層中的一部份,以形成第一遮罩MSK1與第二遮罩MSK2。在一實施例中,此一移除程序可用黃光蝕刻或乾式蝕刻實現,然本案不以此為限。
在一實施例中,第一遮罩MSK1與第二遮罩MSK2例如可用光阻材料或其它透明的導電、非導電材料實現,然本案不以此為限。
接著,特別參照圖3A及圖3B,在一第四步驟中,絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS。
進一步來說,在第四步驟中,係分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及金屬導線MT之外的一第一部份124中的導電物質(如奈米銀線),並使此些導電物質進一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區塊INS,並使導電材料層120中位於第一遮罩MSK1之下並接觸第一遮罩MSK1的第二部份122形成第一觸控電極E1、使導電材料層120中位於第二遮罩MSK2之下並接觸第二遮罩MSK2的第二部份122形成第二觸控電極E2,並使導電材料層120中位於金屬導線MT下並接觸金屬導線MT的第三部份126形成輔助導線AUX。
在一實施例中,係藉由提供不含導電添加物的嵌入液於導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2及金屬導線MT之外的第一部份124上,以分散導電材料層120中的第一部份124中的導電物質,並使此些導電物質進一步下沉及分散至基板110之中,以在基板110中形成嵌入的絕緣區塊INS。
舉例而言,特別參照第4圖。如第4圖所示,在第一遮罩MSK1下的複數奈米銀線SNW係彼此連接,以形成具導電性的第一觸控電極E1,此外,暴露在第一遮罩MSK1與金屬導線MT外的奈米銀線SNW,因被不含導電添加物的嵌入液分散,故彼此不連接,以形成不具導電性的絕緣區塊INS。換言之,觸控電極E1、E2與輔助導線AUX具有彼此電性連接的導電物質,絕緣區塊INS具有彼此分散且電性隔離的導電物質。
在一實施例中,不含導電添加物的嵌入液例如是由前述的具有特定溶解參數的特定溶劑所實現。
在一實施例中,絕緣區塊INS係形成於觸控電極E1、E2之間,以使觸控電極E1、E2彼此絕緣。在一實施例中,絕緣區塊INS亦形成於觸控電極E1、E2的周圍。在一實施例中,絕緣區塊INS係暴露於基板110的上表面SF1。
透過上述的製造方法,即可實現觸控模組100。於基板110中形成絕緣區塊INS,可使觸控電極E1、E2間彼此絕緣。如此一來,即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極E1、E2,並避免造成觸控模組100的光折射率不均勻,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
換言之,藉由前述分散導電材料層120的導電物質以於基板110中形成絕緣區塊INS的方法,可使觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即,觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來,即可避免因折射率不均,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
當注意到,在本案中的用語「大致」,係用以修飾可些微變化的數量以及因製造過程所造成的些微誤差,但這種些微變化及些微誤差並不會改變其本質。舉例而言,在形成絕緣區塊INS的過程中,可能產生誤差,使得觸控電極E1、E2、金屬導線MT以及絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影之間存在些微間隙或些微重疊。然而,此些因製造過程所造成的些微誤差,亦在本案範圍之中。
在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影之間。在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影的周圍。
在一實施例中,觸控電極E1、E2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,觸控電極E1位於遮罩MSK1下,且觸控電極E2位於遮罩MSK2下。
在一實施例中,觸控電極E1、E2皆為魚骨狀。亦即,每一觸控電極E1、E2皆包括一主幹以及複數與主幹電性連接的分枝。此些分枝設置於主幹的相對兩側。應注意到,上述實施例僅為例示,其它形狀的觸控電極E1、E2亦在本案範疇之中,故本案並不以此為限。
在一實施例中,觸控電極E1、E2彼此物理上及電性上分離。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2皆為魚骨狀。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2彼此分離。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2在基板100的上表面SF1上的正投影之間彼此不重疊。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2可在形成觸控電極E1、E2後選擇性移除,以進一步提升觸控模組100外觀的一致性,故本案不以上述實施例為限。
在一實施例中,輔助導線AUX位於金屬導線MT之下。在一實施例中,輔助導線AUX電性連接金屬導線MT,並分別電性連接觸控電極E1、E2。在一實施例中,輔助導線AUX可協助金屬導線MT傳遞觸控訊號。
在一實施例中,輔助導線AUX、絕緣區塊INS、與觸控電極E1、E2具有相同的導電物質。
另一方面,應注意到,在本案的一變化的實施例中,基板110可包括活化層(未繪示)以及底層(未繪示)。活化層設置於底層之上,且前述的觸控電極E1、E2、及輔助導線AUX皆部份嵌入於基板110的活化層上,且前述的絕緣區塊INS是形成於基板110的活化層之中。
在一實施例中,底層可以是剛性或軟性材質,例如可用玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)及/或聚碳酸酯(polycarbonate,PC)所製作。活化層例如可用聚酸甲酯、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)及/或聚苯乙烯(polystyrene)等適當高分子材料實現。
在一實施例中,由於第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與絕緣區塊INS係由同一導電材料層120所形成,故具有相同的導電物質。絕緣區塊INS係經一分散導電材料層120中的導電物質的絕緣化處理(即前述之嵌入處理)而具有從導電材料層120中分離出的導電物質。
第二實施例
以下將透過第二實施例,提供另一種觸控模組100的製造方 法。此一製造方法與第一實施例中的製造方法大致相同,差異之處僅在遮罩MSK1、MSK2與金屬導線MT的提供順序。故在以下說明中,重覆的部份將不贅述。
圖5A-7A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組100的製造方法的示意圖。圖5B-7B為圖5A-7A中的觸控模組100沿線段A-a方向所繪示的剖面圖。
首先,特別參照圖5A及圖5B,在一第一步驟中,提供導電材料層120於基板110的上表面SF1上。接著,在一第二步驟中,提供複數個第一遮罩MSK1與第二遮罩MSK2於導電材料層120上。
在本實施例中,導電材料層120與遮罩MSK1、MSK2的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖6A及圖6B,在一第三步驟中,提供複數條金屬導線MT於導電材料層120、第一遮罩MSK1、與第二遮罩MSK2上。
此時,導電材料層120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2及金屬導線MT之外的第一部份124、位在遮罩MSK1、MSK2下的第二部份122、以及位在金屬導線MT下並接觸金屬導線MT的第三部份126。
在本實施例中,金屬導線MT的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖7A及圖7B,在一第四步驟中,絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS。
進一步來說,在第四步驟中,係分散導電材料層120中暴露 在遮罩MSK1、MSK2以及金屬導線MT之外的一第一部份124中的導電物質(如奈米銀線),並使此些導電物質進一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區塊INS,並使導電材料層120中位於第一遮罩MSK1之下並接觸第一遮罩MSK1的第二部份122形成第一觸控電極E1、使導電材料層120中位於第二遮罩MSK2之下並接觸第二遮罩MSK2的第二部份122形成第二觸控電極E2,並使導電材料層120中位於金屬導線MT下並接觸金屬導線MT的第三部份126形成輔助導線AUX。
在本實施例中,分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及金屬導線MT之外的一第一部份124中的導電物質的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
在一實施例中,絕緣區塊INS係形成於觸控電極E1、E2之間,以使觸控電極E1、E2彼此絕緣。在一實施例中,絕緣區塊INS亦形成於觸控電極E1、E2的周圍。在一實施例中,絕緣區塊INS係暴露於基板110的上表面SF1。
透過上述的製造方法,即可實現觸控模組100。於基板110中形成絕緣區塊INS,可使觸控電極E1、E2間彼此絕緣。如此一來,即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極E1、E2,並避免造成觸控模組100的光折射率不均勻,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
換言之,藉由前述分散導電材料層120的導電物質以於基板110中形成絕緣區塊INS的方法,可使觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即,觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的 上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來,即可避免因折射率不均,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影之間。在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影的周圍。
在一實施例中,觸控電極E1、E2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,觸控電極E1位於遮罩MSK1下,且觸控電極E2位於遮罩MSK2下。
在一實施例中,觸控電極E1、E2皆為魚骨狀。亦即,每一觸控電極E1、E2皆包括一主幹以及複數與主幹電性連接的分枝。此些分枝設置於主幹的相對兩側。應注意到,上述實施例僅為例示,其它形狀的觸控電極E1、E2亦在本案範疇之中,故本案並不以此為限。
在一實施例中,觸控電極E1、E2彼此物理上及電性上分離。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2皆為魚骨狀。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2彼此分離。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2在基板100的上表面SF1上的正投影之間彼此不重疊。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2可在形成觸控電極E1、E2後選擇性移除,以進一步提升觸控模組100外觀的一致性,故本案不以上述實施例為限。
在一實施例中,輔助導線AUX位於金屬導線MT之下。在一 實施例中,輔助導線AUX電性連接金屬導線MT,並分別電性連接觸控電極E1、E2。在一實施例中,輔助導線AUX可協助金屬導線MT傳遞觸控訊號。
在一實施例中,輔助導線AUX、絕緣區塊INS、與觸控電極E1、E2具有相同的導電物質。
另一方面,在本實施例中,基板110亦可包括活化層(未繪示)以及底層(未繪示),相關細節在此不贅述。
第三實施例
以下將透過第三實施例,提供另一種觸控模組100的製造方法。此一製造方法與第二實施例中的製造方法大致相同,差異之處僅在於本實施例更提供透明導線TR。故在以下說明中,重覆的部份將不贅述。
圖8A-11A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組100的製造方法的示意圖。圖8B-11B為圖8A-11A中的觸控模組100沿線段A-a方向所繪示的剖面圖。
首先,特別參照圖8A及圖8B,在一第一步驟中,提供導電材料層120於基板110的上表面SF1上。接著,在一第二步驟中,提供複數條透明導線TR於導電材料層120上。
在一實施例中,透明導線TR可用透明導電材料所形成。
在本實施例中,導電材料層120的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖9A及圖9B,在一第三步驟中,提供複數個第一遮罩MSK1與第二遮罩MSK2於導電材料層120與部分的透明導線TR上。
此時,導電材料層120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2及透明導線TR之外的第一部份124、位在遮罩MSK1、MSK2下的第二部份122、以及位在透明導線TR下並接觸透明導線TR的第三部份126。
在本實施例中,遮罩MSK1、MSK2的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖10A及圖10B,在一第四步驟中,絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS。
進一步來說,在第四步驟中,係分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及透明導線TR之外的一第一部份124中的導電物質(如奈米銀線),並使此些導電物質進一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區塊INS,並使導電材料層120中位於第一遮罩MSK1之下並接觸第一遮罩MSK1的第二部份122形成第一觸控電極E1、使導電材料層120中位於第二遮罩MSK2之下並接觸第二遮罩MSK2的第二部份122形成第二觸控電極E2,並使導電材料層120中位於透明導線TR下並接觸透明導線TR的第三部份126形成輔助導線AUX。
在本實施例中,分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及透明導線TR之外的一第一部份124中的導電物質的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖11A及圖11B,在一第五步驟中,提供金屬導線MT於透明導線TR與遮罩MSK1、MSK2之上。
在本實施例中,金屬導線MT的細節可參照前述段落,故在 此不贅述。
透過上述的製造方法,即可實現觸控模組100。於基板110中形成絕緣區塊INS,可使觸控電極E1、E2間彼此絕緣。如此一來,即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極E1、E2,並避免造成觸控模組100的光折射率不均勻,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
換言之,藉由前述分散導電材料層120的導電物質以於基板110中形成絕緣區塊INS的方法,可使觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即,觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來,即可避免因折射率不均,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影之間。在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影的周圍。
在一實施例中,觸控電極E1、E2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,觸控電極E1位於遮罩MSK1下,且觸控電極E2位於遮罩MSK2下。
在一實施例中,觸控電極E1、E2皆為魚骨狀。亦即,每一觸控電極E1、E2皆包括一主幹以及複數與主幹電性連接的分枝。此些分枝設置於主幹的相對兩側。應注意到,上述實施例僅為例示,其它形狀的觸控電極E1、E2亦在本案範疇之中,故本案並不以此為限。
在一實施例中,觸控電極E1、E2彼此物理上及電性上分離。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2皆為魚骨狀。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2彼此分離。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2在基板100的上表面SF1上的正投影之間彼此不重疊。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2可在形成觸控電極E1、E2後選擇性移除,以進一步提升觸控模組100外觀的一致性,故本案不以上述實施例為限。
在一實施例中,輔助導線AUX位於透明導線TR之下。在一實施例中,輔助導線AUX電性連接透明導線TR與金屬導線MT,並分別電性連接觸控電極E1、E2。在一實施例中,輔助導線AUX可協助透明導線TR與金屬導線MT傳遞觸控訊號。
在一實施例中,輔助導線AUX、絕緣區塊INS、與觸控電極E1、E2具有相同的導電物質。
在一實施例中,金屬導線MT可協助透明導線TR傳遞觸控訊號。
另一方面,在本實施例中,基板110亦可包括活化層(未繪示)以及底層(未繪示),相關細節在此不贅述。
當注意到,形成金屬導線MT與形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS的順序可依實際需求進行變換,而不以上述實施例中所述為限。
舉例而言,參照圖12A以及12B,在前述對應圖9A以及9B的 第三步驟後(即是於形成遮罩MSK1、MSK2後),可在第四步驟中先提供金屬導線MT於透明導線TR與遮罩MSK1、MSK2之上,而後再於對應圖11A以及11B的第五步驟中絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS。
應注意到,此些步驟的具體細節可參照前述段落,故在此不贅述。
第四實施例
以下將透過第四實施例,提供另一種觸控模組100的製造方法。此一製造方法與第一實施例中的製造方法大致相同,差異之處僅在於本實施例中的透明導線TR與遮罩MSK1、MSK2係用同一材料形成,且形成透明導線TR與形成遮罩MSK1、MSK2的步驟係整合在同一道製程中。故在以下說明中,重覆的部份將不贅述。
圖13A-14A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組100的製造方法的示意圖。圖13B-14B為圖13A-14A中的觸控模組100沿線段A-a方向所繪示的剖面圖。
首先,特別參照圖13A及圖13B,在一第一步驟中,提供導電材料層120於基板110的上表面SF1上。接著,在一第二步驟中,提供複數條透明導線TR與遮罩MSK1、MSK2於導電材料層120上。
在一實施例中,透明導線TR與遮罩MSK1、MSK2皆可用透明導電材料所形成。在一實施例中,透明導線TR與遮罩MSK1、MSK2係用同一材料所形成。藉此,即可將形成透明導線TR與形成遮罩MSK1、MSK2的步驟整合在同一道製程中。
此時,導電材料層120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2及透明導線TR之外的第一部份124、位在遮罩MSK1、MSK2下的第二部份122、以及位在透明導線TR下並接觸透明導線TR的第三部份126。
接著,特別參照圖14A及圖14B,在一第三步驟中,絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS。
進一步來說,在第三步驟中,係分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及透明導線TR之外的一第一部份124中的導電物質(如奈米銀線),並使此些導電物質進一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區塊INS,並使導電材料層120中位於第一遮罩MSK1之下並接觸第一遮罩MSK1的第二部份122形成第一觸控電極E1、使導電材料層120中位於第一遮罩MSK2之下並接觸第二遮罩MSK2的第二部份122形成第二觸控電極E2,並使導電材料層120中位於透明導線TR下並接觸透明導線TR的第三部份126形成輔助導線AUX。
在本實施例中,分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及透明導線TR之外的一第一部份124中的導電物質的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
透過上述的製造方法,即可實現觸控模組100。於基板110中形成絕緣區塊INS,可使觸控電極E1、E2間彼此絕緣。如此一來,即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極E1、E2,並避免造成觸控模組100的光折射率不均勻,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
換言之,藉由前述分散導電材料層120的導電物質以於基板 110中形成絕緣區塊INS的方法,可使觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即,觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來,即可避免因折射率不均,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影之間。在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影的周圍。
在一實施例中,觸控電極E1、E2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,觸控電極E1位於遮罩MSK1下,且觸控電極E2位於遮罩MSK2下。
在一實施例中,觸控電極E1、E2皆為魚骨狀。亦即,每一觸控電極E1、E2皆包括一主幹以及複數與主幹電性連接的分枝。此些分枝設置於主幹的相對兩側。應注意到,上述實施例僅為例示,其它形狀的觸控電極E1、E2亦在本案範疇之中,故本案並不以此為限。
在一實施例中,觸控電極E1、E2彼此物理上及電性上分離。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2皆為魚骨狀。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2彼此分離。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2在基板100的上表面SF1上的正投影之間彼此不重疊。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2可在形成觸控電極E1、 E2後選擇性移除,以進一步提升觸控模組100外觀的一致性,故本案不以上述實施例為限。
在一實施例中,輔助導線AUX位於透明導線TR之下。在一實施例中,輔助導線AUX電性連接透明導線TR,並分別電性連接觸控電極E1、E2。在一實施例中,輔助導線AUX可協助透明導線TR傳遞觸控訊號。
在一實施例中,輔助導線AUX、絕緣區塊INS、與觸控電極E1、E2具有相同的導電物質。
另一方面,在本實施例中,基板110亦可包括活化層(未繪示)以及底層(未繪示),相關細節在此不贅述。
當注意到,在一些變化的實施例中,亦可提供金屬導線MT於透明導線TR上,以協助透明導線TR傳遞觸控訊號。
舉例而言,特別參照圖15A-16A以及15B-16B,在前述的第二步驟後(即是於形成遮罩MSK1、MSK2與透明導線TR後),可在對應圖13A以及13B的第三步驟之後先提供金屬導線MT於透明導線TR之上(如圖15A、15B所示),而後再於第四步驟中絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS(如圖16A、16B所示)。
應注意到,此些步驟的具體細節可參照前述段落,故在此不贅述。
第五實施例
以下將透過第五實施例,提供另一種觸控模組100的製造方法。此一製造方法與第三實施例中的製造方法大致相同,差異之處僅在於 本實施例提供接觸墊PD,而非透明導線TR。故在以下說明中,重覆的部份將不贅述。
圖17A-20A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組100的製造方法的示意圖。圖17B-20B為圖17A-20A中的觸控模組100沿線段A-a方向所繪示的剖面圖。
首先,特別參照圖17A及圖17B,在一第一步驟中,提供導電材料層120於基板110的上表面SF1上。接著,在一第二步驟中,提供複數個接觸墊PD於導電材料層120上。
在一實施例中,接觸墊PD可用透明導電材料所形成。
在本實施例中,導電材料層120的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖18A及圖18B,在一第三步驟中,提供複數個第一遮罩MSK1與第二遮罩MSK2於導電材料層120與部分的接觸墊PD上。
此時,導電材料層120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2及接觸墊PD之外的第一部份124、位在遮罩MSK1、MSK2下的第二部份122、以及位在接觸墊PD下並接觸接觸墊PD的第三部份126。
在本實施例中,遮罩MSK1、MSK2的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖19A及圖19B,在一第四步驟中,絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS。
進一步來說,在第四步驟中,係分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及接觸墊PD之外的一第一部份124中的導電物質(如奈米銀線),並使此些導電物質進一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區塊INS,並使導電材料層120中位於第一遮罩MSK1之下並接觸第一遮罩MSK1的第二部份122形成第一觸控電極E1、使導電材料層120中位於第二遮罩MSK2之下並接觸第二遮罩MSK2的第二部份122形成第二觸控電極E2,並使導電材料層120中位於接觸墊PD下並接觸接觸墊PD的第三部份126形成輔助導線AUX。
在本實施例中,分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及接觸墊PD之外的一第一部份124中的導電物質的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖20A及圖20B,在一第五步驟中,提供金屬導線MT於接觸墊PD與絕緣區塊INS之上。
在本實施例中,金屬導線MT的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
透過上述的製造方法,即可實現觸控模組100。於基板110中形成絕緣區塊INS,可使觸控電極E1、E2間彼此絕緣。如此一來,即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極E1、E2,並避免造成觸控模組100的光折射率不均勻,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
換言之,藉由前述分散導電材料層120的導電物質以於基板110中形成絕緣區塊INS的方法,可使觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影之間大致不具間隙或大致不 重疊。亦即,觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來,即可避免因折射率不均,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
此外,透過上述的製造方法,可避免金屬導線MT因接觸基板110中的導電物質而造成短路。
在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影之間。在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影的周圍。
在一實施例中,觸控電極E1、E2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,觸控電極E1位於遮罩MSK1下,且觸控電極E2位於遮罩MSK2下。
在一實施例中,觸控電極E1、E2皆為魚骨狀。亦即,每一觸控電極E1、E2皆包括一主幹以及複數與主幹電性連接的分枝。此些分枝設置於主幹的相對兩側。應注意到,上述實施例僅為例示,其它形狀的觸控電極E1、E2亦在本案範疇之中,故本案並不以此為限。
在一實施例中,觸控電極E1、E2彼此物理上及電性上分離。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2皆為魚骨狀。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2彼此分離。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2在基板100的上表面SF1上的正投影之間彼此不重疊。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2可在形成觸控電極E1、 E2後選擇性移除,以進一步提升觸控模組100外觀的一致性,故本案不以上述實施例為限。
在一實施例中,輔助導線AUX位於接觸墊PD之下。在一實施例中,輔助導線AUX電性連接接觸墊PD與金屬導線MT,並分別電性連接觸控電極E1、E2。在一實施例中,輔助導線AUX可協助觸控電極E1、E2與金屬導線MT傳遞觸控訊號。
在一實施例中,輔助導線AUX、絕緣區塊INS、與觸控電極E1、E2具有相同的導電物質。
另一方面,在本實施例中,基板110亦可包括活化層(未繪示)以及底層(未繪示),相關細節在此不贅述。
當注意到,形成金屬導線MT與形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS的順序可依實際需求進行變換,而不以上述實施例中所述為限。
舉例而言,參照圖21A以及21B,在前述對應圖18A以及18B的第三步驟後(即是於形成遮罩MSK1、MSK2後),可在第四步驟中先提供金屬導線MT於接觸墊PD之上,而後再於第五步驟中絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS。
應注意到,此些步驟的具體細節可參照前述段落,故在此不贅述。
第六實施例
以下將透過第六實施例,提供另一種觸控模組100的製造方 法。此一製造方法與第五實施例中的製造方法大致相同,差異之處僅在於本實施例中的形成接觸墊PD與形成遮罩MSK1、MSK2之順序不同。故在以下說明中,重覆的部份將不贅述。
圖22A-25A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組100的製造方法的示意圖。圖22B-25B為圖22A-25A中的觸控模組100沿線段A-a方向所繪示的剖面圖。
首先,特別參照圖22A及圖22B,在一第一步驟中,提供導電材料層120於基板110的上表面SF1上。接著,在一第二步驟中,提供複數個第一遮罩MSK1與第二遮罩MSK2於導電材料層120上。
在本實施例中,導電材料層120的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
在本實施例中,遮罩MSK1、MSK2的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖23A及圖23B,在一第三步驟中,提供複數個接觸墊PD於導電材料層120與遮罩MSK1、MSK2上。
在本實施例中,接觸墊PD的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
此時,導電材料層120包括暴露在遮罩MSK1、MSK2及接觸墊PD之外的第一部份124、位在遮罩MSK1、MSK2下的第二部份122、以及位在接觸墊PD下並接觸接觸墊PD的第三部份126。
接著,特別參照圖24A及圖24B,在一第四步驟中,絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、 輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS。
進一步來說,在第四步驟中,係分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及接觸墊PD之外的一第一部份124中的導電物質(如奈米銀線),並使此些導電物質進一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區塊INS,並使導電材料層120中位於第一遮罩MSK1之下並接觸第一遮罩MSK1的第二部份122形成第一觸控電極E1、使導電材料層120中位於第二遮罩MSK2之下並接觸第一遮罩MSK1的第二部份122形成第二觸控電極E2,並使導電材料層120中位於接觸墊PD下並接觸接觸墊PD的第三部份126形成輔助導線AUX。
在本實施例中,分散導電材料層120中暴露在遮罩MSK1、MSK2以及接觸墊PD之外的一第一部份124中的導電物質的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
接著,特別參照圖25A及圖25B,在一第五步驟中,提供金屬導線MT於接觸墊PD與絕緣區塊INS之上。
在本實施例中,金屬導線MT的細節可參照前述段落,故在此不贅述。
透過上述的製造方法,即可實現觸控模組100。於基板110中形成絕緣區塊INS,可使觸控電極E1、E2間彼此絕緣。如此一來,即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極E1、E2,並避免造成觸控模組100的光折射率不均勻,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
換言之,藉由前述分散導電材料層120的導電物質以於基板110中形成絕緣區塊INS的方法,可使觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕 緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即,觸控電極E1、E2、輔助導線AUX與絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來,即可避免因折射率不均,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
此外,透過上述的製造方法,可避免金屬導線MT因接觸基板110中的導電物質而造成短路。
在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影之間。在一實施例中,絕緣區塊INS在基板110的上表面SF1上的正投影位於觸控電極E1、E2在基板100的上表面SF1上的正投影的周圍。
在一實施例中,觸控電極E1、E2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,觸控電極E1位於遮罩MSK1下,且觸控電極E2位於遮罩MSK2下。
在一實施例中,觸控電極E1、E2皆為魚骨狀。亦即,每一觸控電極E1、E2皆包括一主幹以及複數與主幹電性連接的分枝。此些分枝設置於主幹的相對兩側。應注意到,上述實施例僅為例示,其它形狀的觸控電極E1、E2亦在本案範疇之中,故本案並不以此為限。
在一實施例中,觸控電極E1、E2彼此物理上及電性上分離。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2係沿著一第一方向交替排列。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2皆為魚骨狀。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2彼此分離。在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2在基板100的上表面SF1上的正投影之間彼此不重疊。
在一實施例中,遮罩MSK1、MSK2可在形成觸控電極E1、E2後選擇性移除,以進一步提升觸控模組100外觀的一致性,故本案不以上述實施例為限。
在一實施例中,輔助導線AUX位於接觸墊PD之下。在一實施例中,輔助導線AUX電性連接接觸墊PD與金屬導線MT,並分別電性連接觸控電極E1、E2。在一實施例中,輔助導線AUX可協助觸控電極E1、E2與金屬導線MT傳遞觸控訊號。
在一實施例中,輔助導線AUX、絕緣區塊INS、與觸控電極E1、E2具有相同的導電物質。
另一方面,在本實施例中,基板110亦可包括活化層(未繪示)以及底層(未繪示),相關細節在此不贅述。
當注意到,形成金屬導線MT與形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS的順序可依實際需求進行變換,而不以上述實施例中所述為限。
舉例而言,參照圖26A以及26B,在前述圖23A以及23B對應的第三步驟後(即是於形成接觸墊PD後),可在第四步驟中先提供金屬導線MT於接觸墊PD之上,而後再於第五步驟中絕緣化導電材料層120的第一部份124,以形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、輔助導線AUX、以及絕緣區塊INS。
應注意到,此些步驟的具體細節可參照前述段落,故在此不贅述。
圖27為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法 200的流程圖。製造方法200可用以製作上述第一實施例至第六實施例中的觸控模組100,然不以此為限。在以下段落,將用第一實施例中的觸控模組100為例進行製造方法200的說明,然本案不以此為限。製造方法200包括以下步驟。
在步驟S1中,提供基板110。
在步驟S2中,形成至少一第一觸控電極E1以及至少一第一觸控電極E2於一基板110上,並同步嵌入形成一絕緣區塊INS於基板110中,其中絕緣區塊INS位於第一觸控電極E以及第二觸控電極E2之間,且第一觸控電極E1電性絕緣於第二觸控電極E2。
透過上述的製造方法,即可實現觸控模組100。於基板110中形成絕緣區塊INS,可使觸控電極E1、E2間彼此絕緣。如此一來,即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極E1、E2,並避免造成觸控模組100的光折射率不均勻,而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
綜上所述,本案的一實施例揭露一種觸控模組。觸控模組包括一基板、至少一第一觸控電極、至少一第二觸控電極、以及絕緣區塊。第一觸控電極形成於基板上。第二觸控電極形成於基板上,平行於第一觸控電極。絕緣區塊嵌入形成於基板中,並位於第一觸控電極以及第二觸控電極之間。第一觸控電極電性絕緣於第二觸控電極。
本案的另一實施例揭露一種觸控模組的製造方法。製造方法包括:形成至少一第一觸控電極以及至少一第一觸控電極於一基板上,並嵌入形成一絕緣區塊於該基板中,其中絕緣區塊位於第一觸控電極以及第二觸控電極之間,且第一觸控電極電性絕緣於第二觸控電極。
透過應用上述的實施例,即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極,並避免造成觸控模組的光折射率不均勻,而影響觸控模組外觀的光學一致性。
雖然本案已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本案,任何熟習此技藝者,在不脫離本案之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧觸控模組
110‧‧‧基板
SF1‧‧‧表面
E1‧‧‧第一觸控電極
INS‧‧‧絕緣區塊
MT‧‧‧金屬導線
MSK1‧‧‧遮罩
AUX‧‧‧輔助導線

Claims (18)

  1. 一種觸控模組,包括:一基板;至少一第一觸控電極,形成於該基板上;至少一第二觸控電極,形成於該基板上,平行於該第一觸控電極;以及一絕緣區塊,嵌入形成於該基板中,並位於該第一觸控電極以及該第二觸控電極之間;其中該第一觸控電極電性絕緣於該第二觸控電極,並且該第一觸控電極、該第二觸控電極與該絕緣區塊在該基板的一表面上的正投影之間不重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控模組,其中該第一觸控電極、該第二觸控電極與該絕緣區塊係由同一導電材料層所形成而具有相同的導電物質,並且該絕緣區塊係經一分散導電物質的絕緣化處理而具有分離的導電物質。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控模組,其中該絕緣區塊更位於該第一觸控電極以及該第二觸控電極的周圍。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控模組,其中該絕緣區塊在該基板的一表面上的正投影位於該第一觸控電極與該第二觸控電極在該基板的該表面上的正投影之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控模組,更包括:複數條導線,電性連接該第一觸控電極以及該第二觸控電極。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之觸控模組,更包括: 複數條輔助導線,分別位於該些導線之下,並分別電性連接該些導線。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控模組,更包括:複數接觸墊,分別設置於該第一觸控電極以及該第二觸控電極之上;以及複數條導線,分別電性連接該些接觸墊。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控模組,其中該第一觸控電極與該第二觸控電極為魚骨狀。
  9. 一種觸控模組的製造方法,包括:提供一基板;以及形成至少一第一觸控電極以及至少一第二觸控電極於該基板上,並同步嵌入形成一絕緣區塊於該基板中,其中該絕緣區塊位於該第一觸控電極以及該第二觸控電極之間,且該第一觸控電極電性絕緣於該第二觸控電極;其中該第一觸控電極、該第二觸控電極與該絕緣區塊在該基板的一表面上的正投影之間不重疊。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控模組的製造方法,其中形成該第一觸控電極、該第二觸控電極於該基板上,並同步嵌入形成該絕緣區塊於該基板中的步驟包括:提供一導電材料層於該基板上;提供複數個遮罩及複數條導線於該導電材料層上;以及絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之觸控模組的製造方法,更包括:在絕緣化該導電材料層的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊之前,提供複數條導線於該導電材料層上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之觸控模組的製造方法,其中絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊的步驟包括:分散該導電材料層中暴露在該些遮罩以及該些導線之外的一第一部份中的導電物質,以絕緣化該導電材料層的該第一部份,以形成該絕緣區塊,並使該導電材料層中位於該些遮罩之下的複數個第二部份分別形成該第一觸控電極以及該第二觸控電極。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之觸控模組的製造方法,其中絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊的步驟更包括:使該導電材料層中位於該些導線之下的複數個第三部份形成複數條輔助導線。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之觸控模組的製造方法,其中分散該導電材料層中暴露在該些遮罩以及該些導線之外的一第一部份中的導電物質的步驟包括:提供一嵌入液於該導電材料層中暴露在該些遮罩之外以及該些導線之外的該第一部份上,以分散該導電材料層中的該第一部份中的導電物質。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之觸控模組的製造方法,更包括: 在絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊之前,提供複數個接觸墊於該導電材料層上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之觸控模組的製造方法,其中絕緣化該導電材料層暴露在該些遮罩之外的一部份,以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、以及該絕緣區塊的步驟包括:分散該導電材料層中暴露在該些遮罩以及該些接觸墊之外的一第一部份中的導電物質,以絕緣化該導電材料層的該第一部份,以形成該絕緣區塊,並使該導電材料層中位於該些遮罩之下的複數個第二部份分別形成該第一觸控電極以及該第二觸控電極,並使該導電材料層中位於該些接觸之下的複數個第三部份形成複數條輔助導線。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之觸控模組的製造方法,更包括:提供複數條導線於該導電材料層上,並分別電性連接該些接觸墊。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之觸控模組的製造方法,其中該絕緣區塊在該基板的一表面上的正投影位於該第一觸控電極與該第二觸控電極在該基板的該表面上的正投影之間。
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