TWI438511B - 光電模組 - Google Patents
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Description
本發明係關於光電模組，特別係一種整合導光結構與矽穿孔結構之光電模組。
電子裝置中通常會配設一連接器藉此與一其他元件電性連接，以使電子裝置與他裝置溝通或傳輸訊號。然而，隨著科技的進步，電子裝置朝向輕薄化之趨勢發展，以傳統模具所製作之連接器塑膠本體以及應用沖壓技術所製作之導電端子即不易裝設於輕薄化之電子裝置中。
以光電耦合元件作為光電轉換與電信號傳輸上的基本設計，在目前的各種電路構造、電子裝置或相關系統中係已得到了廣泛的應用。在光電耦合元件的相關單元的尺寸設計均較小的條件之下，將光纖組裝或植入至耦光裝置內以將光信號導出或導入耦光裝置以進行傳輸，便具有相當的難度與不便，甚至會產生誤差，進而使光信號無法準確傳遞至光纖中而影響傳輸。再者，光纖係需在耦光裝置內作固定式之組裝或植入，使得除了無法提供反覆的插拔與組裝外，所外露的光纖後端亦會形成線狀之延伸而造成使用上的不便。
另外，一種矽基微光學平台之光學連結技術係可以作為板對板或USB 3.0之光學連結技術的一個應用平台。在架構上，此矽基微光學平台之光學連結收發模組包含有：單石積體化之45°微反射面、置放光纖陣列之V型凹槽、具2.5 GHz之高頻傳輸線與錫金焊料等，並可經由適當之光學對位而將面射型雷射與光偵測器封裝至該微光學平台上。
此外，目前已發展將晶片與光雷射整合於矽基微光學平台之上；惟其晶片與光雷射元件之間通常係透過焊線(wire)而作電性連接，因而影響了元件之間的傳輸速度。
因此，基於上面所述之缺點得知上述光電連接器之效能尚有待進一步提升之處。
本發明之一實施例提供一種光電模組，包含一基板、一光電元件及一控制單元。基板具有一上表面、一下表面、一凹槽結構、一穿孔結構及一導電材料，其中上表面與下表面相對，凹槽結構設置於上表面且具有兩相對之第一反射面及第二反射面，穿孔結構由上表面穿過基板至下表面，穿孔結構中填滿導電材料；光電元件設置於基板上，適於提供或接收一光訊號，第一反射面與第二反射面皆位於光訊號之光路徑上；控制單元設置於上表面上，且電性連接導電材料及光電元件，以控制光電元件。
本發明之一實施例之光電模組包括一基板、一光電元件、一導光結構及一控制單元。基板具有一上表面、一下表面、一第一凹槽結構、一第一穿孔結構及一第一導電材料，其中上表面與下表面相對，第一凹槽結構設置於上表面，第一穿孔結構由第一凹槽結構之底面穿過基板至下表面，第一穿孔結構中填滿第一導電材料；光電元件設置於基板上，其中光電元件適於提供或接收一光訊號；導光結構設置於基板上，且導光結構係位於光訊號之光路徑上；控制單元設置於第一凹槽結構中，且電性連接第一導電材料及光電元件，以控制光電元件。
本發明之一實施例之光電模組包括一第一基板、一光電元件、一導光結構、一上層結構、一第一穿孔結構、一第一導電材料及一控制單元。第一基板具有一上表面、一下表面、一凹槽結構，其中上表面與下表面相對，凹槽結構設置於上表面；光電元件設置於凹槽結構中，其中光電元件適於提供或接收一光訊號；導光結構設置於第一基板之上表面上，且導光結構位於光訊號之光路徑上；上層結構設置於第一基板之上方，用以搭配第一基板固定導光結構，其中上層結構具有一位於光訊號之光路徑上的反射面，用以於光電元件與導光結構之間傳遞光訊號；第一導電材料填入第一穿孔結構中；控制單元電性連接第一導電材料及光電元件，以控制光電元件。
綜合上述，本發明之實施例提出一種新的光電模組結構，將基板與導光結構及穿孔結構進行整合，使得控制單元與光電元件整合至單一基板上。
在另一實施例中，基板整合穿孔結構、導光結構與反射面，可以將電訊號經由穿孔結構中之導電材料而傳送至控制單元，進而驅動光電元件發光。光訊號進入導光結構之後，經過兩次45度面的反射之後，可以將光束轉折至正向(上)出光，且導光結構可以做高效率的光束導引。
在另一實施例中，由於穿孔結構及其中之導電材料，因此對於控制單元與光電元件無須打線(Wire)製程便可完成模組的構裝，在高頻特性、高速傳輸、元件組裝速度上獲得提升。
本發明將配合實施例與隨附之圖式詳述於下。應可理解者為本發明中所有之實施例僅為例示之用，並非用以限制。因此除文中之實施例外，本發明亦可廣泛地應用在其他實施例中。且本發明並不受限於任何實施例，應以隨附之申請專利範圍及其同等領域而定。
第一圖顯示為根據本發明之一實施例之光電模組之示意圖。在本實施例中，光電模組10可以作為微型化被動式光連結發射端或接收端，其包含例如為半導體材料的基板100、擴散式導電圖案(fan-out condcutive pattern)102、上導電凸塊(solder bumps)103a/103b、下導電凸塊104、控制晶片105、光電元件106與導光結構107。基板100具有一上表面、一下表面、一凹槽結構108、一第一穿孔結構及一第一導電材料，其中上表面與下表面相對，凹槽結構108設置於上表面且具有兩相對之第一反射面108a及第二反射面108b，第一穿孔結構由上表面穿過基板100至下表面，第一穿孔結構中例如填滿第一導電材料以形成矽穿孔101(TSV: through silicon via)，矽穿孔101並且電性連接擴散式導電圖案102，其中擴散式導電圖案102係形成於基板100之上表面。上導電凸塊103a/103b分別可直接電性連接控制晶片105、光電元件106及擴散式導電圖案102或透過擴散式導電圖案102電性連接控制晶片105及光電元件106。換言之，控制晶片105係透過擴散式導電圖案102而電性連接光電元件106，且控制晶片105係透過上導電凸塊103a並經由擴散式導電圖案102、矽穿孔101而電性連接其下的層板(laminate)111。在此實施例中，上導電凸塊103a電性連接擴散式導電圖案102。
上述之擴散式導電圖案102可以使得控制晶片105之下表面接腳(例如導電凸塊)被擴散式散出至控制晶片105所覆蓋面積之外，以提供其他裝置與之有較好之連接，並可以減低接腳間之電磁干擾。
基板100例如為一矽中介層100(Silicon Interposer)。導光結構107為一波導結構(waveguide)，設置於凹槽結構108中並位於第一反射面108a與第二反射面108b之間。基板100之設置有凹槽結構108的部分構成一矽基微光學平台(Silicon Optical Bench)108，位於凹槽結構108之相對二側面的第一反射面108a及第二反射面108b分別具有45度角，以作為各式光電元件中所需之光學反射面。上述光電元件106可配置於接近凹槽結構108之一側，例如第一反射面108a。舉例而言，光電元件106設置於基板100上，其中光電元件106適於提供或接收一光訊號，且第一反射面108a與第二反射面108b皆位於光訊號之光路徑上。導光結構107例如包含折射率約1.4~1.6的高分子材料，其可以利用薄膜沉積製程來製作以達到波導的效應。導光結構107可以選擇填滿或不填滿於對應的凹槽結構108之中，端視實際應用而定。
舉一實施例而言，基板100除了可以作為驅動積體電路/轉阻放大器(Driver IC/TIA)或垂直共振腔表面放射雷射/光檢測器(VCSEL/PD)的次封裝平台(sub-mount)之外，還可整合其他邏輯元件(logic device)、記憶體(memory)或整合被動元件(Integrated Passive Devices,IPD)等元件於其上。在另一實施例中，可以整合處理晶片、中央處理單元晶片、影像晶片、音效晶片或資料晶片。
光電模組10更包括一層板111，層板111配置於基板100之下，下導電凸塊104電性耦合層板111及矽穿孔101。在另一實施例中，一第二擴散式導電圖案(圖未示)可選擇配置於基板100之下表面並連接下導電凸塊104。上述之第二擴散式導電圖案102a可以使得基板100之下表面接腳被擴散式散出，以提供其他裝置與之有較好之連接，並可以減低接腳間之電磁干擾。層板111例如為一印刷電路板，其係透過其下的導電凸塊112以電性耦合外部元件。另外，光電模組更包括一具有一調光部件109之外殼110。其中調光部件109之位置對應第二反射面108b之位置並位於光訊號之光路徑上；其中調光部件109為一透鏡。在一例子中，外殼110係密封整體基板100於層板111之上。控制晶片105為一控制單元，設置於基板100之上表面上，且電性連接矽穿孔101及光電元件106，以控制光電元件106。
在一實施例中，基板100作為矽中介層材料，若要與位於底面之層板111電性耦合，需要滿足層板111中的導線(trace)之精度；而若層板111為印刷電路板(PCB)，則基板100之下的下導電凸塊104需要滿足印刷電路板111的製程精度。換言之，為了要使得控制晶片105與底下的印刷電路板111電性耦合，下導電凸塊104係藉由第二擴散式導電圖案將其電性向外擴散式分佈，而下導電凸塊104之間距設定會依據印刷電路板111的精度要求而定。倘若層板111為氧化鋁基板，則基板100之下的下導電凸塊104之間距可以較小。
矽穿孔101之深度取決於通孔種類(先形成通孔或後形成通孔)及其應用。矽穿孔101之通孔深度係自20微米至500微米，通常介於約50微米至約250微米。矽穿孔101之通孔開口具有一入口大小(via size)，諸如在介於約20微米至約200微米等級之直徑，通常介於約25微米至約75微米。矽穿孔101之深寬比(aspect ratio)係自0.3：1至大於20：1，例如係介於約4：1至約15：1。
舉一實施例而言，矽穿孔101之通孔，即第一穿孔結構，包含一在基板上表面之開口、從基板上表面延伸之側壁、及一底部，形成矽穿孔101之方法包含：將基板100浸入一電解金屬(例如：銅)沉積組成物，其中電解金屬(例如：銅)沉積組成物包含：金屬(例如：銅)離子源、酸(選自無機酸、有機磺酸、及/或其混合物)、一或多種有機化合物(促使通孔底部之銅沉積速度比通孔開口處之金屬沉積速度快)、以及氯化物離子；及將電流供應至電解沉積組成物使銅金屬沉積在底部及側壁上以供由下至上填充，因而產生銅填充之矽穿孔101。
控制晶片105例如為一驅動電路晶片、控制晶片或轉阻放大器(Trans-impedance Amplifier：TIA)晶片，其中驅動電路晶片可以用以驅動光電元件106使其發光。控制晶片105與光電元件106係透過擴散式導電圖案102連接上導電凸塊103a/103b，而彼此電性溝通。控制晶片105與層板111係透過控制晶片105下之上導電凸塊103a、擴散式導電圖案102、矽穿孔101、下導電凸塊104而彼此電性溝通。矽穿孔101電性連接擴散式導電圖案102與下導電凸塊104。光電元件106可為光發射或接收元件，例如為雷射、垂直共振腔表面放射雷射(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)、光檢測器(Photo-Detector)或發光二極體。以光發射元件舉例而言，光電元件106主要之功能係根據控制晶片105所傳遞之電信號來產生或發射出對應轉換後的光束或光信號以進行傳輸。光電元件106所發射之雷射光束經由第一反射面108a而反射，經由導光結構107而在其內傳輸，之後經由第二反射面108b而將雷射光束垂直導引出基板100。舉例而言，光電元件106之發射光的光路徑包含：光電元件106之出光口→導光結構107→45度反射面108a→導光結構107中傳輸→45度反射面108b→導光結構107→出光→經由調光部件109而與外界光電元件耦合。光電元件106之接收的光路徑為與上述相反之，其中光電元件106則為接收端。
舉一實施例而言，經由導光結構107出光之雷射光束可以經由調光部件109以進一步進行光型的調整，然後加以耦合至外部光纖或另一導光結構。舉一實施例而言，調光部件109之結構誤差容忍度(Tolerance)為±10微米，調光部件109之對準誤差容忍度為±20微米。調光部件109可為光學透鏡或準直透鏡(collimation lens)。光學透鏡例如為塑膠光學透鏡。
第二圖顯示為根據本發明之另一實施例之光電模組之示意圖。在本實施例中，基板100a包含二個凹槽結構(第一凹槽結構108d、第二凹槽結構108c)形成於基板100a上。其中導光結構107a配置於第二凹槽結構108c內，此導光結構107a例如為光纖。上述光電元件106可配置於接近第二凹槽結構108c之一側面，控制晶片105則配置於第一凹槽結構108d內。另，第二凹槽結構108c之靠近光電元件106之側面可以製作為45度反射面。本發明之實施例藉由形成第一凹槽結構108d將可降低矽穿孔101的深度，使得矽穿孔101之製作變得容易。第一凹槽結構108d之製作可以彈性地選擇濕式蝕刻、乾式蝕刻或者是濕式及乾式蝕刻。此外，利用高頻的導線(trace)102b形成於第一凹槽結構108d之底面及側面上與基板100a之部分上表面，並且透過上導電凸塊103a與103b而電性連接控制晶片105與光電元件106。此外，在本實施例中，球格陣列(BGA)型態的封裝結構可以用於連接印刷電路版111，而無需焊接線(wire-bonding)。
第三圖顯示為根據本發明之一實施例之光電模組之示意圖。在本實施例中，第二凹槽結構108e與第二圖之第二凹槽結構108c之深度具有差異。舉例而言，第二凹槽結構108e與第一凹槽結構108d係利用相同的蝕刻製程或步驟所形成，因此其深度約略相等，並且其深度大於第二圖之第二凹槽結構108c之深度。
在本實施例中，第一穿孔結構係形成於基板100a中，由第一凹槽結構108d之底面延伸至基板100a之下表面，並填入第一導電材料以形成矽穿孔101。第二穿孔結構係形成於基板100a中，由基板100a之上表面延伸至基板100a之下表面，第二導電材料係填入第二穿孔結構中以形成矽穿孔101b，矽穿孔101b並電性連接光電元件106。
矽穿孔101b係直接穿透基板100a之位於光電元件106之下的部分，透過導電凸塊103b、104而電性耦接光電元件106與印刷電路版111。因此，本實施例可以直接於光電元件106位置之下製作矽穿孔101b而取代前述高頻導線102b之例子，並且透過矽穿孔101、矽穿孔101b將光電元件106與控制晶片105作整合。光電元件106與控制晶片105也可以透過矽穿孔101、印刷電路版111與矽穿孔101b而彼此電性連接。
第四圖顯示為根據本發明之一實施例之光電模組之示意圖。在本實施例中，對於光電積體電路型態(OE IC type)、球格陣列(BGA)型態的封裝結構可以用於連接陶瓷基板結構111。此外，上蓋(case)110b覆蓋並保護整體光電模組以免受外在環境汙染。舉例而言，導電凸塊112外露於上蓋110b之外以利於連接外部元件。在另一實施例中，上蓋(case)110b僅覆蓋基板100a上的光電元件106、控制晶片105與導光結構107a，如第五圖所示。
第六圖顯示為根據本發明之再一實施例之光電模組之示意圖。在本實施例中，基板100b具有一凹槽結構108f，而光電元件106與控制晶片105係整合於基板100b之凹槽結構108f中。其中光電元件106與控制晶片105係分別透過矽穿孔101與矽穿孔101b而電性耦合印刷電路版111。導光結構107b係配置於基板100b上。基板100b置於印刷電路版111之上。舉例而言，光電元件106之主動區與接觸墊位於同一側。本實施例中，光電模組更包括一上層結構(top structure)110c，配置於導光結構107b之上，並搭配基板100b而固定導光結構107b。此上層結構110c具有45度反射面，以利於光電元件106之垂直出光得以經由此45度反射面之反射而以水平方向前進至導光結構107b而傳輸至外部。在此實施例中，光電元件106與控制晶片105係透過矽穿孔101、印刷電路版111與矽穿孔101b而彼此電性連接。
第一穿孔結構係形成於基板100b中，由凹槽結構108f之底面延伸至基板100b之下表面，第一穿孔結構中並填入第一導電材料以形成矽穿孔101，並電性連接控制晶片105。第二穿孔結構係形成於基板100b中，由凹槽結構100b之底面延伸至基板100b之下表面，第二導電材料係填入第二穿孔結構中以形成矽穿孔101b，並電性連接光電元件106。
此外，如第七圖所示，在另一實施例中，僅有光電元件106配置於基板100b之凹槽結構108f內，而控制晶片105係配置於另一基板上，例如陶瓷基板(Ceramics sub-mount)111上導電凸塊103a設置於陶瓷基板111上，矽穿孔101設置於陶瓷基板111中並電性連接上導電凸塊103a及導電凸塊112，控制晶片105係透過上導電凸塊103a而電性耦接矽穿孔101，且透過矽穿孔101而電性耦接陶瓷基板111下之導電凸塊112；焊接線(wire-bonding)122電性連接光電元件106與矽穿孔101。基於陶瓷基板結構，本實施例可以整合至球格陣列(BGA)型態或平面閘格陣列(Land Grid Array；LGA)型態光電積體電路上。在此實施例中，可以包含另一控制晶片105a，透過擴散式導電圖案102c而電性連接其他元件；控制晶片105a可以透過矽穿孔101而電性耦接陶瓷基板111上之導線電路；光電元件106與控制晶片105及/或控制晶片105a係透過矽穿孔101及陶瓷基板111之上或下之導線電路與焊接線122電性連接。
光電模組可連接一光纖連接器(fiber connector)以用於傳遞光訊號予外部元件。
綜合上述，本發明之實施例提出一種新的光電模組結構，整合導光結構與矽穿孔結構，使得IC與VCSEL/PD整合至單一基板上。
基板整合矽穿孔結構、導光結構(例如光波導)與45度反射面，可以將電訊號經由矽穿孔而傳送至一特定功能之晶片(IC)，進而驅動VCSEL主動元件發光。光訊號進入導光結構之後，經過兩次45度面的反射之後，可以將光束轉折至正向(上)出光，且導光結構可以做高效率的光束導引。
本發明實施例之光電模組由於矽穿孔結構對於IC與VCSEL/PD無須打線(Wire)製程便可完成模組的構裝，在高頻特性、高速傳輸、元件組裝速度上獲得提升。導光結構可以利用折射率約1.4~1.6的高分子材料，或者利用薄膜沉積製程製作以達到波導的效應。
對熟悉此領域技藝者，本發明雖以實例闡明如上，然其並非用以限定本發明之精神。在不脫離本發明之精神與範圍內所作之修改與類似的配置，均應包含在下述之申請專利範圍內，此範圍應覆蓋所有類似修改與類似結構，且應做最寬廣的詮釋。
10．．．光電模組
100、100a、100b．．．基板
101、101b．．．矽穿孔
102、102a、102c．．．擴散式導電圖案
102b．．．導線
103a、103b．．．上導電凸塊
104．．．下導電凸塊
105、105a．．．控制晶片
106．．．光電元件
107、107a、107b．．．導光結構
108、108c、108d、108e、108f．．．凹槽結構
108a．．．第一反射面
108b．．．第二反射面
109．．．調光部件
110．．．外殼
110b．．．上蓋
110c．．．上層結構
111．．．層板、印刷電路板、陶瓷基板
112．．．導電凸塊
122．．．焊接線
第一圖顯示根據本發明之一實施例之光電模組之示意圖。
第二圖顯示根據本發明之又一實施例之光電模組之示意圖。
第三圖顯示根據本發明之再一實施例之光電模組之示意圖。
第四圖顯示根據本發明之另一實施例之光電模組之示意圖。
第五圖顯示根據本發明之又一實施例之光電模組之示意圖。
第六圖顯示根據本發明之再一實施例之光電模組之示意圖。
第七圖顯示根據本發明之一實施例之光電模組之上視示意圖與截面示意圖。
10．．．光電模組
100．．．基板
101．．．矽穿孔
102．．．擴散式導電圖案
103a、103b．．．上導電凸塊
104．．．下導電凸塊
105．．．控制晶片
106．．．光電元件
107．．．導光結構
108．．．凹槽結構
108a．．．第一反射面
108b．．．第二反射面
109．．．調光部件
110．．．外殼
111．．．層板
112．．．導電凸塊
Claims (22)
- 一種光電模組，包含：一基板，具有一上表面、一下表面、一凹槽結構、一穿孔結構及一導電材料，其中該上表面與該下表面相對，該凹槽結構設置於該上表面且具有兩相對之第一反射面及第二反射面，該穿孔結構由該上表面穿過該基板至該下表面，該穿孔結構中填滿該導電材料，該穿孔結構之深寬比的範圍係自0.3：1至大於20：1；一光電元件，設置於該基板上，其中該光電元件適於提供或接收一光訊號，且該第一反射面與該第二反射面皆位於該光訊號之光路徑上；以及一控制單元，設置於該基板之該上表面上，且電性連接該導電材料及該光電元件，以控制該光電元件。
- 如請求項1所述之光電模組，更包括一導光結構，設置於該凹槽結構中並位於該第一反射面與該第二反射面之間，其中該導光結構位於該光訊號之該光路徑上。
- 如請求項1所述之光電模組，更包括一擴散式導電圖案，形成於該基板之該上表面，其中該控制單元透過該擴散式導電圖案電性連接該光電元件，該擴散式導電圖案使得該控制單元之下表面接腳被擴散式散出至該控制單元所覆蓋面積之外。
- 如請求項1所述之光電模組，更包括一具有一調光元件之外殼，設置於該基板之上，其中該調光元件之位置對應該第二反射面之位置並位於該光訊號之該光路徑上，該外殼係密封整體該基板於一層板之上。
- 如請求項4所述之光電模組，其中該調光元件為一透鏡。
- 一種光電模組，包含：一基板，具有一上表面、一下表面、一第一凹槽結構、一第一穿孔結構及一第一導電材料，其中該上表面與該下表面相對，該第一凹槽結構設置於該上表面，該第一穿孔結構由該第一凹槽結構之底面穿過該基板至該下表面，該第一穿孔結構中填滿該第一導電材料；一光電元件，設置於該基板上，其中該光電元件適於提供或接收一光訊號；一導光結構，設置於該基板上，且該導光結構係位於該光訊號之光路徑上；以及一控制單元，設置於該第一凹槽結構中，且電性連接該第一導電材料及該光電元件，以控制該光電元件。
- 如請求項6所述之光電模組，更包括一第二凹槽結構，形成於該基板之該上表面且具有一反射面，其中該反射面係位於該光訊號之該光路徑上且用以於該光電元件 與該導光結構之間傳遞該光訊號。
- 如請求項6所述之光電模組，更包括一擴散式導電圖案，形成於該基板之該上表面，並電性連接該光電元件與該控制單元，該擴散式導電圖案使得該控制單元之下表面接腳被擴散式散出至該控制單元所覆蓋面積之外。
- 如請求項8所述之光電模組，更包括複數個第一導電塊，形成於該控制單元與該基板之間，其中該控制單元透過該複數個第一導電塊電性連結該第一導電材料及該擴散式導電圖案。
- 如請求項8所述之光電模組，更包括至少一第二導電塊，形成於該光電元件與該基板之間，其中該光電元件透過該至少一第二導電塊電性連接該擴散式導電圖案。
- 如請求項6所述之光電模組，其中該基板更包括一第二穿孔結構及一第二導電材料，其中該第二穿孔結構由該上表面穿過該基板至該下表面，且該第二穿孔結構中填滿該第二導電材料，該第二導電材料連接該光電元件。
- 如請求項11所述之光電模組，更包括一印刷電路板，位於該基板之下方並電性連接該第一導電材料及該第二導電材料。
- 一種光電模組，包含：一第一基板，具有一上表面、一下表面、一凹槽結構，其中該上表面與該下表面相對，該凹槽結構設置於該上表面；一光電元件，設置於該凹槽結構中，其中該光電元件適於提供或接收一光訊號；一導光結構，設置於該第一基板之該上表面上，且該導光結構係位於該光訊號之光路徑上；一上層結構，設置於該第一基板之上方，用以搭配該第一基板固定該導光結構，其中該上層結構具有一位於該光訊號之光路徑上的反射面，用以於該光電元件與該導光結構之間傳遞該光訊號；一第一穿孔結構，該第一穿孔結構之深寬比的範圍係自0.3：1至大於20：1；一第一導電材料，填入該第一穿孔結構中；以及一控制單元，電性連接該第一導電材料及該光電元件，以控制該光電元件。
- 如請求項13所述之光電模組，其中該第一穿孔結構係形成於第一基板中，由該凹槽結構之底面延伸至該第一基板之該下表面。
- 如請求項13所述之光電模組，更包括一第二穿孔結構 及一第二導電材料，其中該第二穿孔結構係形成於該第一基板中，由該凹槽結構之底面延伸至該第一基板之該下表面，該第二導電材料係填入該第二穿孔結構中並電性連接該光電元件。
- 如請求項15所述之光電模組，更包括一印刷電路板，位於該基板之下方並電性連接該第一導電材料及該第二導電材料。
- 如請求項13所述之光電模組，更包括一第二基板，位於該第一基板之下方，其中該第一穿孔結構係形成於該第二基板中，由該第二基板之上表面延伸至該第二基板之下表面。
- 如請求項17所述之光電模組，更包括一導電元件，電性連接該光電元件與該第一穿孔結構。
- 如請求項17所述之光電模組，其中該第二基板為一陶瓷基板。
- 如請求項1所述之光電模組，其中該穿孔結構之深寬比係介於4：1至15：1。
- 如請求項1所述之光電模組，其中該穿孔結構之通孔深 度係自20微米至500微米。
- 如請求項1所述之光電模組，其中該穿孔結構之通孔開口具有一入口大小介於20微米至200微米之直徑。
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