TWI327341B - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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1327341 九、發明說明： 一【發明所屬之技術領域】 本發明是關於使被液體潤濕的基板表面乾燥之基板處 理裝置及基板處理方法。此外，成為乾燥處理對象之基板 •包含有半導體晶圓（wafer)、光罩（ph〇t〇mask)用玻璃基 .板、液晶顯示用玻璃基板、電漿（plasma)顯示用玻璃基板、 光碟用基板等。 $【先前技術】 以往已經提出有在進行過利用處理液之洗務處理 • (cleaning process)及利用純水等的清洗液之清洗處理 .(主process)後，為了去除附著在基板上面成液膜狀的 ‘清洗液之為數眾多的乾燥方法。其中之一已知有利用馬蘭 葛尼效應（Marangoni effect)之乾燥方法。該乾燥方法是 藉由利用表面張力差所產生的對流（馬蘭葛尼對流），使基 板乾燥之方法，特別是在枚葉式的基板處理裝置中，已知 籲有，”且。利用馬蘭葛尼效應之乾燥處理與旋轉乾燥（叩& dmng)處理之所謂的旋轉移動乾燥（_細d口⑽。 在該旋轉移動乾燥中，由旋轉的基板中心之上方，分 另J由噴嘴向基板喷附IPA(異丙醇）蒸氣與純水。而且，藉 由使，等喷嘴慢慢地移動至基板的徑向外側，由被喷附 IPA祭乱的分開始乾燥，乾燥區域由基板的中心向周緣 擴大，使整面基板乾燥。亦即，藉由伴隨著基板的旋轉之 離^力作用與因ΙΡΑ蒸氣的噴附所造成的馬蘭葛尼效應， 由基板去除基板上的純水而使其乾燥。 318679 6 1327341 、 而且，利用馬蘭葛尼效應之其他的基板乾燥方法已知 有例如專利文獻丨所記載的乾燥方法。執行該乾燥方法的 基板處理裝置為一邊藉由複數個滾子（r〇ller)搬運被施以 洗滌處理與清洗（清洗處理）的基板，一邊使該基板乾燥的 裝置。在該裝置中，沿著基板的搬運路徑串聯配置有分隔 -板與瀝水塊。因此，若附著有水滴之基板被搬運至分隔板， 則其水滴的大部分被分隔板去除。接著，基板雖被搬運至 鲁瀝水塊，但在搬運中的基板與瀝水塊之間，因形成有一點 點間隙，故穿過分隔板的水滴係藉毛細管現象擴散於瀝水 .塊的寬度方向。而且，在該瀝水塊的出口側，混合有ιρΑ 氣體的惰性氣體是朝基板表面而供給。藉由該氣體之供給 .產生馬蘭葛尼效應，使殘存水滴被蒸發乾燥。 專利文獻1:日本國特開平10 — 321587號公報（第2圖） 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） ί 可疋’形成於基板表面的圖案（pattern)之微細化在近 年來急速進展之中，伴隨著該微細化，在基板處理中也產 生新的問題。亦即有在進行乾燥處理之間，微細圖案彼此 被拉近而塌壞之問題。具體上，有伴隨著乾燥處理的進展， 液體與氣體的界面會出現在基板上，微細圖案彼此會因產 生於圖案的間隙之負壓而被拉近而塌壞之問題。產生於該 圖案的間隙之負壓的大小係依存於液體的表面張力，液= 的表面張力越大，產生於該圖案的間隙之負壓越大。因此， 使被純水潤濕的基板表面乾燥時，使用表面張力比純水還 318679 7 1327341 小的液體，例如IPA，對於防止圖案榻壞有效。 但疋，在旋轉移動乾燥中，因— 進行基板的乾燥，因此有如以下的，基板旋轉，一邊 表面供給IPA蒸氣，也因伴隨著基板對基板 響，使得IPA蒸氣立即由基板排出，^轉之乳流的影 附著於基板表面的純水。結果，：法^⑽ 液體c純水侧)的表面張力充分降:使=表面的 難發揮充分的效果。 案塌壞很 :且，在旋轉移動乾燥中’一邊藉由 =離心力與因1PA蒸氣的噴附造成的馬蘭葛尼效應，使 乾燥區域慢慢地由基板的中心擴大至一 燥。因此，著於基板的純水有兩種的二力使 〜力與因馬蘭葛尼對流而引起的力會作用。但是，在旋轉 移動乾燥中很難控制此等兩種力量的均衡，事實上無法控 制氣液固界面。因此，無法在—方向（徑向朝外）且以均^ 的速度使氣液固界面移動，會有已被乾燥的基板表面區域 再度破潤濕等，引起產生水痕（water mark)等乾燥不良之 情形。 另一方面，依照專利文獻1所記載的乾燥方法，雖然 不會引起上述伴隨著基板的旋轉之不良情況，但有發生如 以下的問題的情形。亦即在直接以分隔板撥除附著於基板 表面的水滴後’將殘存於基板表面的水滴送入瀝水塊的配 設位置。因此，由清洗處理後附著於基板表面的水滴，在 到通過分隔板與瀝水塊部分而被去除之前，會滯留於基板 8 318679 1327341 面由基板表面分離而配置， -r.i ρψ ^ n iF 相對面與基板表面所夹介的 間隙工間充滿液體以形成液密層之步驟； 板㈣2射彡成有㈣層的狀態，—邊使接近構件對基 板相對和動於預定的移動方向之步驟· 解於=Γ上游側的液密層的端部供給必須包含溶 驟而使表面張力降低的溶劑成分之溶劑氣體之步 ㈣密層的上_界面或比該上游侧界面還靠移動方 ° 、下游側，朝基板表面供給液體，將接觸於 液體置換成供給的液體之步驟。 ' i板表面的 件的(基板處理褒置及方法)中，接近構 表面分離配置，並且在該相對面與基板 t失介的間隙空間充滿有液體，而形成有液密層。而 f，一邊維持該狀態，接近構件一邊對基板相對移動於預 二移動方向「。因此，該移動方向的上游側的液密層的界 以下稱為「上游側界面」）’亦即氣液固界面的位置藉 由接近構件控制，可防止上游側界面的紊流。而且，必‘ ，含溶解於液體而使表面張力降低的溶劑成分之溶劑氣體 疋朝上述移動方向的上游側的液密層的端冑（以下稱為「上 游側端部」）而供給。據此，在該上游側端部溶劑成分溶解 於液體，在液密層的上游側界面的表面張力降低，引起馬 蘭葛尼對流。據此，構成液密層的液體被拉至移動方向的 下游側’上游側界面也移動至下游側。結果，對應該界面 移動的基板表面區域得以乾燥。 318679 10 丄斗丄 —而且b上述伴隨著上游側界面的移動，乾燥區域擴 二移動方向的下游侧’惟到全體基板表面被乾燥為止之 相對上㈣界Φ ’在移動方向的下㈣會成為液體與 2表面接觸的㈣。因此’與在基板表面的液體之滞流 、曰大致成比例’由基板溶離於液體的溶離物的量增加。 ·=此在本發明中，在㈣層的上游側界面或比該界面還靠 方向的下游侧’朝基板表面追加供給液體，由基板排 •出滯留於基板表面的液體。據此，在上游側界面或比該界 T還靠移動方向的下游側，與基板表面接觸的液體被置換 、所追加供給的新鮮液體。因此，㈣基板的—部分溶出 -於液體，該液體也會因上述置換動作而被由基板表面排 -出，在進行乾燥處理之間，可抑制包含於基板表面上的液 體之溶離物的量。結果，可確實防止水痕的產生。 而且’因如上述藉由供給溶劑氣體至附著於基板的液 f而進行乾燥，故即使在基板表面形成有微細圖案，也 I月匕-邊有效地防止圖案的塌壞，一邊使基板表面乾燥。亦 1 卜邊控制上游側界面（氣液固界面）的位置，-邊藉由馬 闌葛匕效應使基板乾燥，故上游側界面來來往往於移動方 向，構成液密層的液體不會帶給微細圖案負擔，可一邊有 效地防止圖案塌壞，一邊使基板表面乾燥。而且，因不使 基板旋轉而進行乾燥處理，故不會有起因於伴隨著基板的 ㈣之離心力而引起圖案塌壞。而且’溶劑成分對存在於 圖案的間隙之液體也會溶解，使該液體的表面張力降低。 據此’可降低在圖案的間隙產生的負壓，可有效地防止圖 318679 案的塌壞。 此處在液密層的上游你丨 述移動方向的下游側，減板=比該上游側界面還靠上 A,, κ , 朝暴板表面供給液體的具體手段， 移動方?的下游側，由第-喷嘴朝基板 茅&「J 可以。依照該構成’在除了被乾燥的基板 域U下稱為「乾燥區域」）外之基板表面直接供給 以確實置換接觸於基板表面的液體。因此，可防 ^體的”’可良好地使基板表面錢。而且，在接近 =件與基板之間可加速因毛細管現象而發生的液體的流 ，可促進來自基板的溶離物之排出。 ' 、、而且’在液密層的上游側界面或比該上游側界面還靠 迷矛夕動方向的下游側，朝基板表面供給液體之其他手段 係配設朝接近構件的相對面以外之非相對面喷出液體之第 二嘴，而沿著非相對面，朝規定相對面的邊部之中位於 移動方向的上游側之上游邊部導引由該第二嘴嘴喷出的液 籲體也可以。若如此構成，亦可藉由在乾燥區域以外的基板 表面供給液體，以防止液體的滯留，而良好地使基板表面 乾燥。又詳細内容係於「實施方式」攔中說明依照該構成， 可fx揮如以下的優良的作用功效。亦即由於沿著接近構件 (非相對面）供給液體，故與直接供給液體至基板表面的情 形比較，可使液體的流動均勻而供給液體至基板表面，可 更有效地控制在基板表面產生殘留液滴。而且，藉由朝上 游邊部導引由第二喷嘴喷出的液體，使液體直接供給至液 岔層的上游側界面，可提高在上游側界面的液體的置換效 318679 12 1327341

經由在上游側相對部位與基板表面所夹介的空間而排 移動方向上游側或相對於移動方向之側方。因此，可使溶 劑氣體的流動均勻，可防止溶劑氣體的滞留。因此，可： 制微粒（particle)的產生，可使基板表面均勻地乾燥。P - 此外，由（1)親水性材料、（2)要求潔淨度、（3)加工容 •易性等的觀點’接近構件以石英形成較佳。 而且由安王唑]貝格等的觀點，本發明所使用的溶 鲁劑氣體以使用包含IPA(異丙醇）蒸氣作為溶劑成分的氣體 較佳。此外’溶劑成分也可以使用乙醇、甲醇之各種溶劑 的蒸氣。而且，溶劑氣體為這種溶劑的蒸氣也可以，惟^ ’ 了將溶劑成分送人基板表面，以氮氣等的惰性氣體當作载 .子（carrier)使用，使溶劑成分混合至惰性氣體較佳。 [發明的功效] 依照本發明，於在由基板表面分離配置的相對面與基 板表面所夾介的間隙空間充滿液體而形成液密層的狀態土 鲁下，相對基板使接近構件相對移動於預定的移動方向，並 且朝移動方向的上游側的液密層的端部供給必須包含溶解 於液體而使表面張力降低的溶劑成分之溶劑氣體。據此， 一邊藉由接近構件控制上游側界面的位置，一邊在上游側 界面引起馬蘭葛尼對流，上游側界面移動至下游側，對應 該界面移動的基板表面區域乾燥。而且，在液密層的上游 側界面或比該上游側界面還靠移動方向的下游側，朝基板 表面供給液體’將與基板表面接觸的液體置換成所追加供 給的新鮮的液體。因此’在進行乾燥處理之間，可抑制包 318679 15 1327341 含於基板表面上的液體之溶離物的量，可防止水痕的產 生。而且’即使是在基板表面區域包含有微細圖案的情形， 由於有效地使在上游側界面的表面張力降低，故可有效地 防止圖案塌壞。 【實施方式】 .〈第一實施形態〉 第1圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的第一實 鲁施形態之圖。而且，第2圖是第1圖的基板處理裝置的部 分放大圖。詳細言之，第2圖（a)是基板處理裝置的部分側 視圖，第2圖（b)是其俯視圖。該基板處理裝置係使用於用 •以去除附著於半導體晶圓等基板W的表面Wf之污染物質的 •洗滌處理之枚葉式的基板處理裝置。更具體為在對形成有 圖案的基板表面Wf實施利用藥液的藥液處理及利用純水 或DIW(=deionized water :去離子水）等的清洗液之清洗 處理後，對已接受清洗處理的基板W進行乾燥處理的裝 •置。在該基板處理裝置中，在最終接受清洗處理的基板w 形成有清洗液附著於整體基板表面W f之所謂的積水 (pudd 1 e)狀的清洗層，在該狀態下執行乾燥處理。 該基板處理裝置包含：在使基板W其表面Wf朝上方的 狀態保持於水平並旋轉的旋轉夾盤（spin chuck)1 ; 一邊與 保持於旋轉夾盤1的基板W相對，一邊分離配置的接近塊 3;由基板W的上方喷出溶劑氣體之溶劑氣體噴嘴5;以及 朝基板表面Wf噴出與清洗液同一成分的液體之液體噴嘴 318679 16 1327341 ·. 旋轉夾盤1的旋轉支柱u係連結於包含馬達的夾盤 (chuck)旋轉驅動機構13的旋轉軸，藉由夾盤旋轉驅動機 構13的驅動’可繞垂直軸旋轉。在該旋轉支# ^的上端 部，圓盤狀的旋轉基座（spin base)15是一體地藉由螺絲 .等射f緊零件連結。因此，藉由依照來自控制整體裝置的 -控制早兀4的動作指令，使夹盤旋轉驅動機構13驅動，使 旋轉基座15繞垂直軸旋轉。 φ 在奴轉基座15的周緣部附近立設有用以握持基板w 的2緣部之複數個夾盤銷（chuck pin)17。夾盤銷Η為了 確貫保持圓料基板W，配言史3個以上的話較佳，沿著旋 -轉基座15的周緣部以等角度間隔配置。夾盤銷17的每一 個具備.由下方支撐基板w的周緣部之基板支撐部； 以及緊壓被支樓於基板支撐部17a的基板w的外周端面， 保持基板w的基板保持部17b。各夹盤銷17係可切換基板 保持部17b緊壓基板w的外周端面的緊壓狀態，及基板保 >持部17b由基板W的外周端面分離的釋放狀態之間而構成。 在對旋轉基座15收授基板w時，設複數個夾盤銷17 為解除狀態，在對基板W進行洗滌處理時，設複數個夾盤 銷π為緊壓狀態。藉由設成緊壓狀態，複數個爽盤銷17 握持基板w的周緣部’可由旋轉基座15隔著預定間隔保持 該基板W於大致水平姿勢。基板w係在其表面（圖案形成 面）Wf朝上方，背面Wb朝下方的狀態下被保持。 而且，在對基板W執行藥液處理及清洗處理時，為了 防止藥液及清洗液飛散至基板”的周邊，在旋轉基座15 318679 17 1327341 3移動之進給螺旋（feed scre幻機構 在此實施形態中，塊驅動牆M ，A D的機構。如此， 段」而發揮功能。機構41疋#作本發明的「驅動手 接近塊3的另一側面32係 且朝上方的面。詳細 A a 。的上游側（+Χ)， 邊部之令位於移動方6二、’ 2是與規定相對面31的 接…一、真 側⑽之上游邊部33連 並且邊由該上游邊部犯面對移動方— m)，-邊傾斜於離開基板表面Wf σ、存側 本發明的「延設面。卜r.真却〇 向而延设，相當於 、叹面」。上游邊部33係延伸於 正交的方向（第2圖（b)的上 、士移動方向王 ,、、 的上下方向，以下稱為「寬戶方 p」，並且以寬度方向的長度，亦即相對面ΉΓ 向的長度大致形成與基板直徑相等，或比 =度方 藉由將接近塊3移動於移動方向，而可處理全體義板：’ 面。而且，在接近塊3的上游側端部，相=表 32(延設面）係成銳角$。 與側面 :且’藉由相對面31稍微由基板表面^分 J㈣17的基板保持部m干擾而 成在積水狀態下附著於基板表面 =塊3,使構 的-部分藉由毛細管現象進入二“層2i的清洗液 Wf私+ a 見象進到由相對面31與基板表面 Μ所央介的全體間隙空間sp，而形成液密層23。=面 =種接近塊3由⑴親水性㈣、⑵要求 容易性等的觀點而言，以石英形成較佳。 (3)加工 在接近塊3的上游侧端部的上方，配 的上游側⑼的液密層23的端部，亦即朝上== 318679 1327341 “供給溶劑氣體用的溶劑氣體喷嘴5。溶劑氣體喷嘴5是與 浴劑氣體供給單元43連接，藉由依照來自控制單元4的動 作才s令’使溶劑氣體供給單元43動作，將溶劑氣體壓送至 劑氣體喷嘴5。作為溶劑氣體係使用溶解於清洗液（純水 -時’表面張力：72dyn/cm)，使表面張力降低的溶劑成分， •例如IPA(異丙醇）蒸氣（表面張力：21至23dyn/cm)混合於 .氮氣等惰性氣體。此外，溶劑成分不限定於IPA蒸氣，也 鲁可以使用乙醇、曱醇之各種溶劑的蒸氣。關鍵在於若為溶 解於清洗液，使表面張力降低的溶劑成分即可。如此，依 照本貫施形態，溶劑氣體噴嘴5及溶劑氣體供給單元43 •疋當作本發明的「溶劑氣體供給手段」而發揮功能。 • 這種/谷剑氣體喷嘴5雖然即使一個也能遍及寬度方向 使溶劑氣體擴散而供給至整體液密層23的上游側端部 231，惟藉由在寬度方向配設複數個喷嘴或在寬度方向配設 開設複數個噴出孔的噴嘴，可遍及液密層23的上游側端部 φ 231全體，均等地供給溶劑氣體。 第4圖是顯示溶劑氣體供給單元的構成的一例之圖。 該溶劑氣體供給單元43係作為溶劑成分具備貯存Μ液體 的溶劑槽5丨，溶劑槽51内的貯存空間之中貯存有ιρΑ液 體的貯存區域SR係經由配管52連通於氮氣供給部^。而 且’溶劑槽51内的貯存空間之中未貯存有ΙρΑ液體的未貯 存區域Μ係經由配管54連通於溶劑氣體喷嘴5。因此， 藉由由氮氣供給部53屢送氮氣至溶劑槽51，使ίρΑ液體 冒泡（b_Ung)，IPA溶解於氮氣而產生有溶劑氣體（氮氣 318679 20 1327341 + IPA蒸氣）’出現在未貯存區域us。在配管54介插有開關 閥55及溶劑氣體用的流量控制部56，藉由以控制單元控 制氮氣供給部53、開關閥55、流量控制部56動作，可控 制溶劑氣體之供給至溶劑氣體喷嘴5及停止供給至溶劑氣 體噴f 5。而且，為了提高ϊ PA蒸氣的溶劑氣體中的濃度， 在配管52介設調溫部57，將氮氣調温至高溫側也可以。 據此，可有效地使在液密層23的上游側端部231的表面張 灸力降低，可促進乾燥。此外，取代溫度調節氮氣，溫度調 節貯存於溶劑槽51@ IPA液體也可以。對此，將出現在未 貯存區域U S的溶劑氣體自身調溫至高溫側，因變成促進、容 離物由基板表面Wf溶離至清洗液之結果，故不佳。‘ 洛劑氣體噴嘴5是與接近塊3同步移動於移動方向 亦即溶劑氣體㈣5與接近塊3是藉由連桿（咖 結’藉由塊驅動機構41的動作使接近塊 、，β讀喷嘴5-體地移動於移動方向。_此 :接近塊3與溶劑氣體的喷出位置之間隔$ 側端呷2二刀離距離。其結果’喷附至液密層23的上3 二”3 :溶劑氣體的物理特性(流速或流量等)穩定， 嗔;Ϊ配=進行乾燥處理。此外’雖亦可於溶劑氣體 5與接手段’而構歧移動_氣體㈣ 〆、按砹槐3連動，惟藉由單一 氣體噴嘴5虚接、# μ Q 動手焱—體地使溶劑 在移動，可使驅動構成簡單化。 置配設二個：近塊3的下游侧’於基板w的上方位 有個或複數個當作本發明的「第一噴脅」而發揮 318679 21 1327341 功能的液體供給用液體喷嘴7。在該液體噴嘴7連接有液 體供給單元4 5，精由依照來自控制單元4的動作指令，使 液體供給單元45動作，將與附著於基板$的清洗液同一成 分的液體壓送至液體噴嘴7。據此，在由液體噴嘴7接觸 -於基板表面Wf的清洗層21，更由清洗層21供給液體至液 .忿層23。據此，附著於基板表面Wf的清洗液被由基板冗 排出，在比液密層23的上游側界面還靠移動方向的下游側 鲁中，接觸於基板表面Wf的清洗液被置換成由液體喷嘴7 追加供給的液體。如此，依照本實施形態，液體噴嘴7及 液體供給單元45係當作本發明的「液體供給手段」而發 -功能。 Λ 其次，參照第5圖及第6圖說明如上述構成的基 理裝置中的乾燥動作。第5圖是顯示第！圖的基板處理襄 置的動作之模式圖。而且，第6圖是顯示由接近塊的移動 所產生的乾燥動作之圖。當藉由基板搬運手段（未圖示）將 未處理的基板W搬入裝置内時，控制單元4將飛散防止杯 19配置於包圍旋轉基座15之上方位置(第}圖的實線位 置）’對基板W執行洗務處理（藥液處理+清洗處理+乾燥處 理)。首先在對基板W供給有藥液’執行有預定的藥液處理 後對基板W執仃有清洗處理。亦即如第5圖⑷所示，由 清洗噴嘴8供給清洗液至基板表面wf，並且透過藉由夹盤 旋轉驅動制13的驅動使基板w㈣，使清洗液藉由離心 力而擴大，基板表面Wf全體被清洗處理。 當結束預定時間的清洗處理時，停止基板财的旋轉。 3】8679 22 上327341 在接受過清洗處理的全體其^ I ·. 7生體基板表面Μ’於盛滿清洗液的狀 4下附者 >月洗液’形成有所謂的積水狀的清洗層叫第5 tn，在完成清洗處理後重新由清洗喷嘴8噴出 在基板表面_成積水狀的清洗層21也可以。 然後，控制單元4使飛散防止杯1 9下降到下方位置（第 1圖的虛線位置），在使旋轉基座15由飛散防结μ的上 方突出後’執行對基板表面Wf的乾燥處理。亦即，如第$ 圖（〇所示，藉由使塊驅動機構41動作，使接近塊3以一 疋速度移動於移動方向⑼，並且使溶劑氣體供給單元43 動作’由溶劑氣體喷嘴5噴出溶劑氣體。而且，由 ^供給液體至清洗層21。此外，在本實施形態中，液體 洗液同-成分，故由清洗喷嘴8供給清洗液（液 如此，在相對面31與基板表面Wf所夾介 =充滿清洗液(液體)，而形成有液密層23，例 二態至該圖⑹所示的狀態，接近塊3移動於 ^ 、 ° ( )%，移動方向的液密層23的上游側端部231 接近塊3脫落而露出。此時，朝液密層的上游側端部231 所供給的溶劑氣體溶解於構成液密層㈡的液體， ，上游側界面231a(氣液固界面）的表面張力降低，二 *蘭葛尼對流。據此，構成液密層23的液體被拉引至 下游側（―X)，上游側界面231&也移動至下游側 應該界面移動的基板表面區域即乾燥。 而且如上述，伴隨著上游側界面231a的移動，乾燥區 318679 23 1327341 域雖擴大。至移動方向的下游側（_χ)，惟在到全體基板表面 Wf被乾燥為止之間，相對於上游側界面23ia在移動方向 的下游側中，變成清洗液（液體）與基板表面呈接觸的狀 態。因此’大致與在基板表面Wf的液體滯留時間成比例， 由基板W溶離至液體的溶離物的量增加，惟藉由由液體喷 嘴7供給液體至清洗層2卜由基板w排出濟留於基板表面 wf的液冑，亦即這種滞留於基板表面的液體係盘溶離 物一起被藉由由液體嘴嘴7供給的液體播出，由除了上游 侧界面231a的清洗層21及液密層23的周緣排出到基板 外據此’在上游側界面231a或比該界面231a還靠移動 -方向的下游側（-X)’與基板表面Wf接觸的液體被置換成追 .加供給的新鮮液體。其結果，即使基板W的-部分溶離至 液體，該液體也會因上述置換動作而由基板表面”排出。 ::間因藉：這種追加供給的液體’加速在接近塊3與基板

θ 細官現象而發生的液體流動，並促進來自灵板w •的溶離物的排出。 返木自基板W 液體由—邊將與基板表面Wf接觸的液體置換成由 ㈣的新鮮液體，一邊使接近塊3及溶劑氣體 介㈣於移動方向（])’使被乾燥的基板表面區域， 大。因此，藉由對基板全面掃掠接近塊3 心d乱體噴嘴5,可使整體基板表面Wf乾燥。 板附當著:束對基板表面訂之乾燥處理時，為了由基 操處理體成分，執行對之乾 P如弟5圖（d)所示，藉由控制單元4將飛散防 318679 24 1327341 止杯19配置於上方位f，並且透過夹盤旋轉驅動機構μ 的驅動使基板w旋轉，執行附著於背自Wb❺液體成分的甩 開處理（旋乾（spin dry))。之後，控制單元4將飛散防止 杯19配置於下方位置1使旋轉基座15從飛散防止杯】9 -的上方突出。在該狀態下，基板搬運手段由裝置搬出處理 -凡的基板W，完成對一片基板评之一連串的洗務處理。 如以上依照本實施形態，在使接近塊3對基板表面Μ 籲接近而形成液㈣23的狀態下，使接近塊3移動於移動方 向’並且朝液密層23的上游側端部231供給包含溶解於構 •成液密層23的液體而使表面張力降低的溶劑成分之溶劑 .氣體。據此，藉由一邊控制上游側界面231a(氣液固界面） •的位置，一邊在上游側端部231引起馬蘭葛尼對流，使上 游側界面231a移動於下游側，使基板表面區域乾燥。如 此，可一邊藉由接近塊3防止上游側界面231a的紊流，一 邊藉由馬蘭葛尼效應使基板表面區域乾燥，可防止在該基 鲁板表面區域產生水痕等的乾燥不良。 而且在上述實施形態中，在基板表面Wf全體被乾燥為 止之間，藉由由液體噴嘴7供給液體至清洗層21，在比上 游側界面231a還靠移動方向的下游側（_χ)，將與基板表面 Wf接觸的液體置換成追加供給的新鮮液體。因此，即使基 板W的一部分溶離於液體，該液體也會因上述置換動作而 由基板表面Wf排出，在進行乾燥處理之間，可抑制包含於 基板表面Wf上的液體之溶離物的量。其結果，並確實防止 水痕的產生’並良好地使基板表面Wf乾燥。 318679 25 1327341 ， 而且，如第6圖所示，即使在基板表面區域形成有微 細圖案FP，亦因藉由一邊控制上游側界面231a(氣液固界 面）的位置，一邊藉由馬蘭葛尼效應使基板表面Wf乾燥， 故上游側界面231a來來往往於移動方向，構成液密層23 -的液體不會給微細圖案卯帶來負擔，可一邊有效地防止圖 •案塌壞，一邊使基板表面Wf乾燥。而且，因不使基板w 旋轉而對基板表面Wf進行乾燥處理，故不會有起因於伴隨 鲁著基板W的旋轉之離心力而引起圖案塌壞。而且，對存在 於微細圖案FP的間隙之液體，也藉由溶劑成分溶解使該液 體的表面張力降低，而降低在圖案的間隙產生的負壓，可 • '有效地防止圖案的塌壞。 .〈第二實施形態〉 第7圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的第二實 施形態之圖。具體上，該圖（a)是基板處理裝置的部分側視 圖，該圖（b)是其俯視圖。與本第二實施形態有關的基板處 φ理裝置與第一實施形態大不同之處在於在接近塊3裝設有 蓋（cover)構件58。此外，其他的構成及動作基本上是與 第一實施形態一樣，故在此對相同構成是附加同一符號省 略說明。 在本實施形態中，在移動方向中於接近塊3的上游側 (+X) ’蓋構件58係安裝於接近塊3，俾覆蓋液密層23的 上游側端部231的全體。據此，位於液密層23的上游側（+χ) 之上游側環境空間UA被蓋構件58包圍。在蓋構件58的上 面形成有一個或在寬度方向形成有複數個氣體供給孔 318679 26 1327341 供給孔581連通有溶劑氣體供給單元43與 ::18包圍的上游側環境空叫而且，藉由依昭 ^控制單元4的動作指令，使溶劑氣體供給單元43動 :門：谷：氣體供給單元43供給溶咖^ ::二間UA的溶劑氣體的濃度於高濃度。其結果，可促 、之在層23的上游側端部231的表面張 ==壞的功效。而且’該蓋構件58之移動方向： 向成為同—尺寸。據此，在蓋構件58的内 方向的長度在寬度方向(長邊方向)包含相等的空 間’可在寬度方向均句地保持溶劑氣體的。並， 可在寬度方向均勾地使基板表面Wf乾燥。…、。果 〈第三實施形態> ，8圖疋顯示與本發明有關的基板處理裝置的第三實 細=之圖貞本第二貫施形態有關的基板處理装置與第 籲一實⑯形恕大不同之處在於··取代在接觸於基板表面界的 清洗層21直接供給液體，在接近塊3的上面％供給液體。 具體上’在接近塊3的上方位置，係配設有一個或沿著寬 度方向配設有複數個當作本發明的「第二嗔嘴」而發揮功 能的液體供給用的液體喷嘴71。在該液體喷嘴71連接有 液體供給單it 45,伴隨著接近塊3的移動，由液體供給單 元45壓送與附著於基板w的清洗液同一成分的液體至=體 喷嘴71，由該液體喷嘴71朝接近塊3的上面34喷出。據 此，伴隨著液密層23的上游侧界面231a的移動，液體被 318679 27 1327341 供給至接近塊3的上面34 與第二實施形態一樣，故

4。此外，其他的構成及動作由於 故在此對相同構成附加同一符號省

9遭部之中位於移動方向的下游側（_χ)之下游邊部％流 下據此，朝上游邊部33流下的液體被供給至液密声 •的上游侧一，另一方面，朝下游邊部36流； 體被供給至清洗層21與液密層23的交界部分。其結果， •在上游側界面231a或比該上游側界面231a還靠移動方向 •的下游侧卜x)，與基板表面Wf接觸的液體被置換成追加供 給的新鮮液體。因此，與上述實施形態一樣，可防止接觸 於基板W的清洗液（液體）的滯留，可良好地使基板表面wf 乾燥。如此，依照本實施形態，側面32、34、35是當作本 φ發明的[非相對面]而發揮功能。 而且依照本實施形態，在由液體喷嘴71喷出的液體沿 著側面32朝上游邊部33流下之間，可使溶劑氣體溶入該 液體。據此’對接觸於基板表面的清洗液（液體）表面張 力經降低的液體被有效地送入液密層23的上游侧界面 231a。因此’可有效地降低在上游側界面231a的表面張 力’有效地引起馬蘭葛尼對流，可提高對基板表面Wf的乾 燥效率。而且，依照該實施形態，因相對面31與側面（延 設面）3 2成銳角而構成，故可經由側面（延設面）3 2慢慢地 28 318679 1327341 ，使液體流下至液密層23的上游側界面231a，在液體流下 "於側面32之間，可確實地使溶劑氣體溶入該液體。其結 果’可更k南對基板表面Wf的乾燥效率。 而且，依照本實施形態，可發揮如以下的優良的作用 .功效。亦即朝基板表面Wf經由接近塊3供給液體，更具體 -而言為由於沿著接近塊3的側面32、34、35，供給液體至 基板表面Wf’所以由液體喷嘴71噴出的液體藉由接近塊3 籲整流而被導引至基板表面Wf。因此，與直接供給液體至基 板表面Wf的情形比較，可使液體的流動均勻而供給液體至 .基板表面Wf，可抑制液體飛散等在基板表面”發生液滴 --殘留。 - 而且，因朝上游邊部33導引由液體喷嘴71噴出的液 體，故在液密層23的上游侧界面231 a直接供給有新鮮的 液體。因此，可提向在上游側界面2 31 a的液體的置換效 率，可更有效地防止水痕產生。亦即可推測為當對應上游 •侧界面231a的基板表面區域被乾燥時，在接觸於基板表面 Wf的清洗液（液體）析出由基板w溶離的溶離物係成為水痕 產生的一因。因此，若能在上游側界面231 a中將溶離物排 出到基板外’則可最有效地防止水痕的產生。因此，在本 實施形態中，藉由直接供給新鮮的液體至上游側界面 231a，可將在上游側界面231a滞留於基板表面Wf的液體 置換成新鮮的液體。因此，在對應上游側界面231a的基板 表面區域被乾燥時，可抑制包含於基板表面上的液體之溶 離物的量，可有效地防止水痕產生。 318679 29 1327341 而且’在防止基板表面Wf的乾燥不良方面，設乾燥速 •度’亦即液密層23的上游側界面231a的移動速度為一定 較佳。本實施形態在這種將乾燥速度設為一定方面也非常 有效。亦即依照本實施形態，藉由在液密層23的上游側界 .面231a供給有液體，可在上游側界面231a抑制溶劑成分 >谷解於液體的溶液（液體+溶劑成分）中的溶劑成分濃度的 變化。據此，可將在上游側界面231 a的表面張力的降低程 籲度視為大致一定，而可將由馬蘭葛尼對流造成的上游側界 面231 a(氣液固界面）的移動速度設為一定。如此，藉由將 上游側界面231a的移動速度設為一定，可一邊防止液滴殘 .留於基板表面Wf，一邊均勻地使基板表面Wf乾燥。 • 而且，液體之供給至液密層23的上游側界面231a因 會供給液體至接鄰於乾燥區域的區域，故被要求液體供給 至上游側界面231 a的供給量為微量。相對於此，依照本實 知形態，因朝上游邊部33導引由液體喷嘴71喷出的液體 φ的一部分，朝下游邊部36導引剩餘的液體而構成，故可提 咼由液體喷嘴71噴出的液體之流量控制性。 〈第四實施形態〉 第9圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的第四實 施形態之圖。與本第四實施形態有關的基板處理裝置與第 二貫施形悲大不同之處在於：追加一邊在與側面32之間將 由液體贺嘴71嘴出的液體充滿成液密狀態，一邊用以朝上 游邊部33導引之構成，以及追加用卩防止溶劑氣體的滯留 之構成。此外’其他的構成及動作基本上是與第三實施形 30 318679 !327341 m /態一樣，故在此對相同構成是附加同-符號省略說明。 在本實施形4中，接近塊3具備：在上述實施步 在相對面31與基板編所夹介的間隙空⑽ 層23之本體部1以及在移動方向令，於本體 3的上㈣⑼與該本體部如相對而配設的 = 是與本體部3a 一樣，垂直剖面形狀呈大致 ^角柱體，成為其—側面與本體部^的側面（延設 對’朝上游邊部33導引由液體噴嘴7ι嘴出的液 之V引面37。而且，由液體喷嘴71噴出的液體是一邊 :亡面34將側面(延設面)32與導引面”之間充滿成液密 狀怨、’-邊朝上游邊部33流下。因此，因可在液密層Μ 的上游側界面231a’一邊於侧面32與導引面打之間捕集 (rap)液體，一邊使其流下，故即使朝上游邊部μ導引 液體的供給量為微量’也能使液體的流動均勻。因此，可 使供給至上游側界面231a的液體量一定，能以一定速度控 制由馬蘭葛尼對流造成的上游側界面231a(氣液固界面y 的移動速度。因此，在均勻地乾燥基板表面Wf上非常有效。 而且，相對部3b的下面38(相當於本發明的「上游側 相對部位」）係成為與基板表面Wf相對的相對面，在該底 面38開設有氣體喷出口 3卜在相對部扑的内部配設^與 溶劑氣體供給單元43連通的歧管（manif〇ld)4〇，藉由溶劑 氣體供給單元43依照來自控制單元4的動作指令而動作' 使溶劑氣體由溶劑氣體供給單元43供給至歧管4〇，而且， 由歧管40經由氣體喷出口 39,使溶劑氣體朝液密層“的 318679 31 1327341 ^游側端部231喷出。因此，由氣體心α 39喷㈣ 氣體在接觸液密声、 月 錢夜山屬23的上游側端部231後，經由在相 牝的下面38與基板表面Wf所夹介的空間排出到移動方向 上游，㈤或相對移冑方向為側方，亦即寬度方向。因此， 可使溶劑氣體的流動均勻，防止溶劑氣體的滯留。因此， 可抑制微粒的產生，並且可㈣地供給溶劑氣體至上游側 界面231a，可均勻地使基板表面Wf乾燥。 〈第五實施形態> —第10圖是顯示與本發明有關的基板處理装置的第五 實施形態之圖。與本第五實施形態有關的基板處理裝置盘 第四實施形態大不同之處在於：取代—邊使接近塊3移、 動，一邊由液體喷嘴71供給液體至接近塊3,而在利用接 近塊3進行之對基板表面Wf的執行掃掠前進行液體之供給 至接近塊3。此外，其他的構成及動作是與第四實施形離。 一樣。 ' • 在本貫施形態中’於在移動方向中，接近塊3的初始 位置，亦即接近塊3相對配置於基板表面Wf，在快要執行 對基板表面wf的掃掠前，將液體供給至側面（延設面）32 =導引面37之間。而且，當接近塊3對基板表面Wf掃掠 時，亦即當由上述的初始位置移動至移動方向時，液體由 側面（延5又面）32與導引面37之間慢慢地朝上游邊部33流 下，供給至上游側界面231a。因供給至接鄰於乾燥區域的 上游側界面231a之液體的供給量為微量，故透過如此積存 在側面32與導引面37之間的液體，可充分地使全體基板 318679 32 1327341 表面Wf乾燥。而且，較佳為在乾燥處理一片基板w的全面 -之間，最佳2相對面31與侧面32之間的角度，形成接近 塊3，俾連續供給適量的液體於上游側界面a ^ 依照本實施形態，與第四實施形態一樣，可一邊在液 .密層23的上游側界面231a於側面32與導引面37之間捕 木液體邊使其流下，故即使朝上游邊部3 3導引的液體 的供給量為微量，也能使液體的流動均勻。因此，可使供 修給至上。游側界面231a的液體量一定，可均勻地使基板表面

Wf乾燥而且，因無須與接近塊3同步使液體喷嘴71移 -動，故可使裝置構成簡單化。 〈其他〉 . 本發明並非限定於上述的實施形態，只要不脫離其旨 趣，在上述實施形態以外可進行種種的變更。例如在上述 實施形態中:雖然接近塊3具有寬度方向的長度與基板w 相同或比其還長而延伸的棒狀形狀，惟接近塊3的外形形 籲狀並非限定於此，例如也可以使用具有對應基板w的外周 形狀之半圓環形狀者。而且在上述實施形態中，雖然在固 定配置基板W的狀態下使接近塊3移動，執行乾燥處理， 惟同時使基板側也相對移動而構成亦可。而且，固定配置 接近塊3,另一方面僅讓基板w移動也可以。關鍵在於： 於在由基板表面wf分離配置的相對面31與基板表面μ 所夾；I的間隙空間SP充滿清洗液而形成液密層23的狀熊 下，相對基板W使接近塊3相對移動於移動方向而= 可以。 — 318679 33 1327341 而且在上述實施形態中，雖然是設為在乾燥處理前以 f洗液積液於（puddle)全體基板表面Wf之狀態，惟並非限 定於設為在乾燥處理前以清洗液積液於全體基板表面 之狀態。例如藉由在清洗處理後，由液滴稀疏地存在於基 .板表面Wf的狀態執行乾燥處理，由液體喷嘴卜朝基板 •表面Wf供給液體’也可以藉由供給的液體置換接觸於基板 表面Wf的液體（液滴）。 φ 〇b而且，在上述第一及第二實施形態中，雖然由液體喷 嘴7對接近塊3在移動方向的下游側（_χ)朝基板表面wf '供給液體，惟液體的供給方法不限於此。例如如第u圖所 不’在接近塊3的上面34安裝一個或複數個液體供給用口 • 72’通過接近塊3的内部供給液體至液密層23也可以。液 體供給用口 72是連接於設於接近塊3的内部之供給通路 73。而且，液體供給用口 72是連通於液體供給單^ 而且，藉由依照來自控制單元4的動作指令使液體供給單 #兀45動作’由液體供給單元45經由液體供給用口 π及供 給通路73將液體供給至在接近塊3與基板表面”所夾介' 的間隙空間SP。因此，藉由在液密層23追加供給有液體， 使滯留於基板表面Wf的液體被置換成追加供給的新鮮的 液體。其結果與上述實施形態一樣，可抑制包 面上的液體之溶離物的量，可有效地防止水 ' :" 而且’就接近塊3的形狀而言，雖然如上述實施形態 對相對面31側面（延設面）32係成銳角0而構成，惟接近 塊3的形狀並非限定於此，例如對相對面μ側面犯也可 318679 34 以構成為直角。此外，在將側面32對相對面Μ設成直角 的情形下，因無法積存液體於側面32，故如第一至第四實 知形癌所示，需一邊由液體喷嘴7、71供給液體，一邊執 行乾燥處理。 >而且在上述實施形態中’雖然是對大致圓盤狀的基板 施^乾燥處理’惟本發明之基板處理裝置的適用對象並 非限疋於此，例如像液晶顯示用玻璃基板等，對使方型基 板的基板表面乾燥之基板處理裝置也能適用本發明。例二 如第12圖所示，將相當於本發明的「驅動手段」之複數個 運滾广68配置於搬運方向⑼，並且—邊藉由該搬運滾 68搬運基板W，—邊固定配置與上述實施形態同一構成 Z近塊3也可以。在該基板處理裝置中因基板w被搬運 至搬運方向⑼，故本發明的「預定的移動方向」是相當 ^搬運方向相反的方向“)，惟基本的動作與上述實： 形久、完全相同，可得到同樣的作用功效。 的其：且在上？實施形態中’雖然在對保持於旋轉夾盤1 •土 w %以藥液處理及清洗處理等的濕式處理後，原封 同一裝置内對清洗處理完的基板，使接近塊3掃 掠於和動方向而執行乾燥處理而構 理與乾燥處理分離而進行。亦即如第 =處 施以樂液處理及清洗處理之濕式處理裝置卿與接 ^ ，僅與乾燥基板W的乾燥處理農置200分離-定距 =而^置’並且藉由基板搬運裝置_將在濕式處理裝置 取、，、接受清洗處理絲板搬運至乾燥處縣置_，以 318679 35 I32/J41 •執行乾燥處理而構成也可以。 而且在上述實施形態中，雖然在應施以乾燥處理的基 板表面Wf朝上方的狀態下，對該基板w使接近塊3相對移 動於移動方向而進行乾燥處理，惟基板姿勢並非限定於此。 ' 而且在上述實施形態中’雖然是使被清洗液潤濕的基 •板表面Wf乾燥，惟對使被清洗液以外的液體潤濕的基板表 面乾燥之基板處理裝置也能適用本發明。 籲[產業上的可利用性] 本發明可適用於對包含半導體晶圓、光罩用玻璃基 板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、光碟用 -基板等之基板全體的表面施以乾燥處理之基板處理裝置及 . 基板處理方法。 【圖式簡單說明】 第1圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的第一實 施形態之圖。 # 第2圖（a)及（b)是第1圖的基板處理裝置的部分放大 圖。 第3圖是接近塊的斜視圖。 第4圖是顯示溶劑氣體供給單元的構成的一例之圖。 第5圖（a)至（d)是顯示第1圖的基板處理裝置的動作 之模式圖。 第6圖（a)及（b)是顯示由接近塊的移動所產生的乾燥 動作之圖。 第7圖（a)及（b)是顯示與本發明有關的基板處理裝置 36 318679 1327341 -的第二實施形態之圖。 第8圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的第三實 施形態之圖。 第9圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的第四實 .施形態之圖。 第10圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的第五 實施形態之圖。 ' 第11圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的其他 •實施形態之側視圖。 第12圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的別的 _·實施形態之斜視圖。 - 第13圖是顯示與本發明有關的基板處理裝置的再別 的實施形態之俯視圖。 【主要元件符號說明】 3 接近塊（接近構件） 3a 本體部 3b 相對部 4 控制單元 5 溶劑氣體噴嘴 7 液體噴嘴（第一嘴嘴 、液體供給手段） 8 清洗噴嘴 13 夾盤旋轉驅動機構 15 旋轉基座 17 夾盤銷 17a 基板支撐部 17b 基板保持部 19 飛散防止杯 21 清洗層 23 液密層 31 相對面 32 側面（非相對面、延設面） 318679 1327341 33 -36 38 39 .41 43 45 * 51 ® 53 56 ，58 71 72 200 液體供給單元（液體供給手段） 231

52、54配管 55 開關閥 57 調溫部 68 搬運滾子 、液體供給手段） 100 濕式處理裝置 上游邊部 … 34 下游邊部 37 底面（上游側相對部位） 氣體噴出口 4() 塊驅動機構（驅動手段） 溶劑氣體供給單元 溶劑槽 氮氣供給部 流量控制部 蓋構件 液體嘴嘴（第二噴嘴 液體供給用口 乾燥處理裝置 (液在、層的）上游側端部（移 密層的端部） 3 5側面（非相對面 導引面 歧管 動方向的上游側令的液 231a 581 UA W Ψί θ (液密層的）上游側界面 氣體供給孔 sp (液密層的）上游側環境空間 間隙空間 基板 基板表面 銳角 背面 x 移動方向 318679 38

Claims (1)

1327341 第95142530號專利申請索 < 9 9年4月1 5曰1 、申請專利範圍： 1. 一種基減縣i，錢魏 者’其特徵包含： 踩 斜而t構有相對於該基板表面之相對面，該相 = =板表面分離配置，並且在該相對面與該基 = : = "的間隙空間充滿有該液體而形成有液密 2 對該基板於預定的移動方向相對移動自 如， 動方=手段’使該接近構件對該基板相對移動於該移 密二::給手段’朝該移動方向的上游側的該液 隊 供給必須包含溶解於該液體而使表面張力 降低的溶劑成分之溶劑氣體；以及 \ 游侧該液密層的上游側界面或比該上 該詩，的下游側，朝該基板表面供給 體；’、觸於該基板表㈣液體置換成所供給的液 該接近構㈣形成為對前述移 二的長度與該基板的長度大致相等或比4: 2.如申請專利範圍第！項之基板處理了 : 供給手段具有相對於該接近構件 '動’該液體 側朝該基板表面嗔出該液體之第一^夕動方向的下游 3·如中請專利錢第丨項之基板處理^ ° 供給手段具有朝該接近構件 /、’該液體 耵面以外之非相對面 (修正本)3】8679 39 f7341 第95以253〇號專利夺請岽 (9 9年4月1 5日; 喷出該液體之第二喷嘴； •立該接近構件係沿著該非相對面，朝界 邊。ί5之令位於該移動方向的上游側之上游邊部導引由 ^第—噴嘴嗔出至該非相對面的該液體。 4·如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其卜該接近 構件係沿著該非相對面，朝界定該相對面的邊部之中該 上游邊部，並且位於該移動方向的下游側之下游邊部導 .引由該第二喷嘴喷出至該非相對面的該液體。 〕·如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其令，該接近 •構件復具有:延設面，作為該非相對面與該上流邊部= ；，、’並且―邊由該連接位置面對該移動方向的上游側， 邊延設於離開該基板表面方向；且經由該延設面朝該 上游邊部導引由該第二喷嘴噴出的該液體。 6.如申請專利範圍帛5項之基板處理裝置，其中，在該接 =件的上游侧端部’該相對面與該延⑽係成銳角。 ·.如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中， ，件復具有.：導引面’與該延設面相對而朝該上游邊= 導且引一邊以由該第二嘴嘴噴出的該液體將該 與該導引面之間充滿成液密狀態，一邊 邊部導引該液體。 所 δ·:申:專利範圍第丨項至第7項中任一項之基板處理裝 中，該溶劑氣體供給手段具有包圍在該移動方向 位於該液密層的上游側的上游側環境空間之 件，以供給該溶劑氣體至該上游側環境空間。義 (修正本)318679 40 " 第"^5142530號專利申請安 4^!·^換辱 9 年 4 月 1 5 B 7

如申請專利範圍第i項至第基板處理裝 置，其中，該接近構件復具有：上游側相對部位，—邊 在該相對面㈣移動方向的上游侧面對該基板表面，一 邊分離配置，並且開設有氣體噴出口； 該冷劑氣體供給手段係由該氣體噴出口朝該液密 層的該移動方向的上游側喷出該溶劑氣體。 10·如申請專利範圍第1項至第？項中任-項之基板處理裝 •置，其中，該接近構件是由石英形成。 u·-種基板處理方法，係使被液體藝、的基板表面乾燥 者’其特徵包含： —2由使具有相對於該基板表面之相對面且形成為 預疋見度方向的長度與該基板的長度大致同等或比其 還長的接近構件相對面由該基板表面分離而配置，在該 指對面與該基板表面所夹介的間隙空間充滿該液體而 形成液密層之步驟； 一邊維持形成有該液密層的狀態，一邊使該接近構 件對該基板相對移動於與該寬度方向呈正交的移動方 向之步驟； 朝該移動方向的上流側的該液密層的端部供給必 須包含溶解於該液體而使表面張力降低的溶劑成分之 ’谷劑氣體之步驟；以及 在該液密層的上游側界面或比該上游側界面還靠 該移動方向的下游側，朝該基板表面供給該液體，將接 觸於該基板表面的液體置換成供給的液體之步驟。 (修正本)3] 8679