TWI377331B - Manufacturing apparatus and manufacturing method for carbon nanotube heat sink - Google Patents

Description

1377331 101年08用07日修正替换頁 六、發明說明： 【發明所屬之技術領威】 [0001]本發明涉及散熱器的製備裝置及方法，尤其涉及一種奈 米碳管散熱器的製備裝置及方法。 [先前技術] [0002]自上世紀九十年代初以來，以奈米碳管為代表的奈米材 料以其獨特的結構及性質引起了人們極大的關注。奈米 碳管具有機械強度馬且密度較小的優點。近幾年來，隨 著對奈㈣管研㈣不斷深人，其廣_應用前景不斷 顯現出來。例如，由於奈米碳管具有獨特的電磁學、光 學、力學、化學等性能，大量有關其在場發射電子源、 感測器、Μ光學材料、軟鐵磁材料等領域的應用研究 不斷被報導。由於奈$碳管沿其徑向具有良好的熱傳導 性，因此奈米碳管陣列可在半導體領域用作散熱器。 請參見於2005年11月11日申請，於2〇〇7年〇5月16日公 開的第CN1 964028A號中國大陸公開專利申請所揭示的 種散熱器及其製備方法。該散熱器包括：一基底及複數 奈米碳管》所述基底具有一第一表面及一與所述第—表 面相對的第二表面。所述複數奈米碳管從基底的第一表 面穿透所述第二表®並向外延伸。所述散熱器的製備方

[0003] 法具體包括以下步驟：提供一基板；在所述基板上形成 複數奈米碳管；在所述複數奈米碳管的一末端固定一基 底，去除所述基板。該方法所製備的散熱器採用奈米碳 官可作為散熱鰭片。然而，該種方法製備的散熱器中齐 米碳官密度較大，使奈米碳管中的熱量不易傳導至办5 09_产單编號Α〇101 第4頁/共32頁 1〇13299661-〇 Γ377331 中，因此，該種散熱器的熱對流效果較差 1101年.08月0>日修正;1 [〇〇〇4]為了克服上述問題，“Chip cooling with integrated carbon nanotube microfin architectures" (K. Kordas et al. Appl. Phys.

Lett· 90· 123105(2007))中揭示了一種散熱器及其製

備方法。所述散熱器包括一矽基底，所述矽基底上呈方 陣狀生長有10x10個奈米碳管陣列，所述奈米碳管陣列的 尺寸為1. 2x10x10立方毫米。所述散熱器的製備方法包 括以下步驟：在矽基底上生長奈米碳管陣列；採用脈衝 雷射以50毫米/秒的掃描速率處理奈米碳管陣列，使被雷 射處理過的奈米碳管被去除，從而形成1〇χ1〇個奈米碳管 陣歹!"玄種散熱益令各個奈米碳管陣列之間有—定間隙 ，從而提高了散熱器的熱對流效果。 _]然而，上述散熱H的製備方法，由於其所採用的用於生 長奈米碳管陣列的基底為一平面，因此每次僅可於基底 上形成-個奈米碳管_，從而每次於基底上製借出的 奈米碳管陣列也僅可製得—個散熱器。因此，該種散熱 器的製備方法成本較高，效率較低。 【發明内容】 _6]有H於此，提供_種有效製備奈米碳管散熱器的裝置及 採用該裝置製備奈米碳管散熱器的方法實為必要。 剛-種奈米碳管散熱器的製備裝置，其包括—基板，該基 板具有-表面’其中，該基板的表面上形成有複數第— 奈米奴管及複數第二奈米碳管，所述基㈣所述表面上

設有複數凹槽，該凹槽具有—底面 _962卢單編號麵 第5頁/共32 S 1013299661-0 1377331 101年08月07日修正替換頁 生長於所述基板的所述表面上，所述第二奈米碳管生長 於所述凹槽的底面内，所述第二奈米碳管超出所述基板 的表面，所述第一及第二奈米碳管均自基板朝同一生長 方向生長，所述第一奈米碳管及第二奈米碳管的長度相 同，所述第一奈米碳管的自由端與第二奈米碳管的自由 端之間具有一高度差。

[0008] —種奈米碳管散熱器的製備方法，其包括以下步驟：提 供一基板；在所述基板的一表面開設凹槽；於所述基板 上沿同一方向生長複數第一奈米碳管及複數第二奈米碳 管，其中，於基板的所述表面上生長所述第一奈米碳管 ，於凹槽的底面内生長所述第二奈米碳管，所述第二奈 米碳管超出所述基板的表面，所述第一奈米碳管及第二 奈米碳管的長度相同，第一奈米碳管的自由端與第二奈 米碳管的自由端具有一高度差；提供一第一基底及一第 二基底，將距離基板較遠的第一奈米碳管的自由端固定 於所述第一基底中；將自由端固定於第一基底中的第一 奈米碳管從基板上去除，使其獨立地形成於所述第一基 底上從而得到一第一奈米碳管散熱器；將第二奈米碳管 的自由端固定於所述第二基底中；將自由端固定於第二 基底中的第二奈米碳管從基板上去除，使其獨·立地形成 於所述第二基底上從而得到一第二奈米碳管散熱器。 [0009] 相對於先前技術，本發明提供的用於製備奈米碳管散熱 器的裝置，其包括一基板，該基板的表面上形成有複數 第一奈米碳管及複數第二奈米碳管，且所述第一奈米碳 管的自由端與第二奈米碳管的自由端之間具有一高度差 09812962# 車編號删1 第 6 頁 / 共 32 頁 1013299661-0 Γ377331

10Γ年_08月07日修正替換頁 。採用該種製備奈米碳管散熱器的裝置可製備複數奈米 碳管散熱器，提高了奈米碳管散熱器的製備效率，降低 了生產成本》 【實施方式】 [0010] 為了對本發明作更進一步的說明，舉以下具體實施例並 配合附圖詳細描述如下。 [0011] 請參閱圖1，其為本發明具體實施例提供製備奈米碳管散 熱器的方法的流程圖。請參閱圖2至圖7為本發明具體實 施例提供的製備奈米碳管散熱器的方法的工藝流程圖。 該方法包括從S10到S60六個步驟。 [0012] 步驟S10，請參閱圖2，提供一基板12，該基板12具有一 第一表面即底表面，一第二表面即頂表面，且該第一表 面平行於第二表面。該第二表面上設有複數相互間隔的 凹槽130，從而使基板12形成有兩個不同高度且相互間隔 的第一生長表面120及第二生長表面140。所述凹槽130 於基板的第二表面呈點陣狀排列。所述第一生長表面120 及基板12的第二表面共面。凹槽130的底表面為第二生長 表面140。所述第一生長表面120的高度較每一第二生長 表面140的高度高。 [0013] 所述基板12可選用P型或N型矽基板，或選用形成有氧化 層的矽基板。本實施例中基板12採用矽基板。所述凹槽 130的形狀及層數不限。可以理解地，所述凹槽130可以 為一層凹槽、二層凹槽、三層凹槽或N層凹槽等。同一層 凹槽的底面到基板12的第一表面的距離相等，不同層的 凹槽的底面到基板12的第一表面的距離不等。所述凹槽 1013299661-0 09812062^單編號A〇101 第7頁/共32頁 1377331 101年.08月07日桉正替g頁 130可以呈階梯形亦即臺階狀，如圖8所示，也可設置成 同心狀的，如圖9所示。所述凹槽130可以為交錯排列的 點陣形成於所述基板12的表面，如圖13所示《所述凹槽 130可通過铸造或姓刻基板12的方法形成。如圖11所示， 本實施例中矽基板12上形成有6個凹槽130。所述6個凹槽 呈3x2點陣狀排列在矽基板12的表面，即所述6個凹槽排 列成2行，每行間隔設置有3個凹槽130。所述每一凹槽 130均只有一層且每一凹槽130的底面均為第二生長表面 140，且該第二生長表面14〇的形狀為矩形。 | [0014] 步驟S20，請參閱圖3，於所述基板12的第一生長表面 120及第二生長表面14〇上形成長度大致相等的奈米碳管 陣列’其中形成於基板12的第一生長表面120上的奈米碳 管陣列為第一奈米碳管陣列1 〇，形成於第二生長表面丨4 〇 上的奈米碳管陣列為第二奈米碳管陣列2〇 ^第一奈米碳 管陣列10及第二奈米碳管陣列2 〇的生長方向相同。控制 所生長的奈米碳管陣列的長度，從而使得第二奈米碳管 陣列20中的奈米碳管超出基板12的第一生長表面丨2(^由 · 於第一生長表面120高於第二生長表面14〇,且第一奈米 碳管陣列1 0及第二奈米碳管陣列2 〇的長度相同。因此， 第一奈米碳管陣列1 〇高於第二奈米碳管陣列2 〇，即第一 奈米碳管陣列1〇的自由端及第二奈米碳管陣列2〇的自由 知Ϊ具有一尚度差。 [0015] 請參閲圖10，在所述第-生長表面120及第二生長表面 140上分別形成第一奈米碳管陣列丨〇及第二奈米碳管陣列 20的方法包括以下步驟： 09812962#單编號 A0101 第8頁/共32頁 1013299661-0 Γ377331 [0016] 101年.08月07日修正替換頁 步驟S201，在所述基板12的第一生長表面120的部分區 域及第二生長表面140上均·勻形成一催化劑層。所述催化 劑層的材料可選用鐵（Fe)、鈷（Co)、鎳（Ni)或其任意組 合的合金之一。本實施例中催化劑的材料為鐵。

[0017] 在基板12的第一生長表面120形成催化劑的區域可為任意 形狀。本實施例中，請參閱圖11，圖中陰影區域為形成 有催化劑的區域，其中形成於基板12的第一生長表面120 的催化劑區域50為4x2排列的8個矩形區域，每個矩形區 域均與一凹槽130相鄰接。所述凹槽130排列成2行，所述 催化劑區域50與凹槽130同行排列、並間隔設置。所述凹 槽130及所述催化劑區域50形成相互平行的兩行。所述圖 11中形成於凹槽130中的催化劑區域為3x2排列的複數矩 形區域。 [0018] 步驟S202，將上述形成有催化劑層的基板12在700 °C 〜900 °C的空氣中退火約30分鐘〜90分鐘。 [0019] 步驟S203，將退火處理過的基板12置於反應爐中，在保 護氣體環境下加熱到500 °C〜740 °C，然後通入碳源氣體 反應約5分鐘~30分鐘，在基板12的第一生長表面120形 成有催化劑的區域50生長得到第一奈米碳管陣列10，在 第二生長表面140上生長得到第二奈来碳管陣列20。其中 ，碳源氣可選用乙炔、乙烯、曱烷等化學性質較活潑的 碳氫化合物，保護氣體為氮氣或惰性氣體。本實施例中 所述碳源氣為乙炔，保護氣體為氬氣。由於第一奈米碳 管陣列10及第二奈米碳管陣列20為一次生長奈米碳管的 過程同時製得，因此，第一奈米碳管陣列10及第二奈米 1013299661-0 09812962#單編號A〇101 第9頁/共32頁 1377331 101年08月07日楱正替換頁 碳管陣列20中的奈米碳管的生長時間及生長速度相同， 因此第一奈米碳管陣列1 0及第二奈米碳管陣列20的長度 大致相同。

[0020] 步驟S30，請參閱圖4，提供一第一基底18，將所述基板 12及生長於其上的奈米碳管陣列10、20倒置，使第一奈 米碳管陣列10的遠離基板12的自由端固定於所述第一基 底18中。可選擇地，也可以不倒置所述基板12及生長於 其上的奈米碳管陣列10、20，使第一奈米碳管陣列10的 遠離基板12的自由端固定於所述第一基底18中。 [0021] 所述第一基底18的材料可以為聚合物相變材料也可以為 低烙點金屬材料。

[0022] 所述聚合物相變材料係指在一定溫度（相變點）下能熔 融的聚合物，例如，矽橡膠、聚酯、聚氯乙烯、聚乙烯 醇、聚乙烯、聚丙烯、環氧樹脂、聚曱醛、聚縮醛或石 蠟等。可選擇地，該聚合物相變材料中添加有至少一種 添加劑。所述添加劑也可為聚合物。添加劑用於改善聚 合物材料的柔韌性及穩定性，還可調節聚合物材料的相 變溫度，如二曱基亞砜添加在石蠟基體材料中，可起到 上述作用。可選擇地，聚合物基體材料中填充有一些非 奈米碳管導熱材料微粒。所述非奈米碳管導熱材料微粒 在熱介面材料中的含量介於0. 1 wt%〜5wt%，該微粒導熱 無方向性，可提高熱介面材料的導熱性能。該非奈米碳 管導熱材料微粒包括奈米金屬粉體及奈米陶瓷粉體，如 鋁、銀、銅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼等。 09812962产單編號 A〇101 第10頁/共32頁 1013299661-0 [0023] [0023] 1377331 [0024]

101 年 08月 0>日 所述低熔點金屬包括錫、銅、銦、鉛、錄、金、銀、叙 、铭及前述各材料的合金或混合物，如錫鉛合金、銦錫 合金、錫銀銅合金、金矽合金、金鍺合金等。本實施例 中’所述第一基底18的材料為石蠟，第一基底18的厚度 為1毫米》本實施方式中，所述第一奈米碳管陣列10中的 奈米碳管的高度為3毫米，其中奈米碳管有丨毫米高的部 分位於石蠟基底中，2毫米高的奈米碳管暴露在空氣中。 其中，將所述第一奈米碳管陣列10遠離基板12的自由端 固定於一第一基底18中的方法具體包括以下步驟：步驟 S301，將第一奈米碳管陣列1〇的遠離基板12的自由端浸 入一熔融態的第一基底材料中，並且第二奈米碳管陣列 20不被&入該炫融態的第一基底材料中；步驟“ο?,固 化所述第一基底材料。 [0025] 所述第一基底18具有相對的第一表面18〇及第二表面182 。所述第一奈米碳管陣列由第一基底18的所述第一表 面180延伸至所述第二表面182並沿垂直於第二表面182 的方向向外延伸，即第一奈米碳管陣列1〇貫穿第一基底 18。所述第一基底18的厚度依據實際需要確定如所需 散熱量的大小，及所需奈米碳管的固持力的大小❶優選 地，所述第一基底18的厚度為〇. i毫米〜丨厘米。所述第二 奈米碳管陣列20的自由端與第一基底18之間形成一間隙 17，使第二奈米碳管陣列2〇與第一基底18不接觸。 [0026] 步驟S40，請參閱圖5，從基板12的第一生長表面12〇上 去除第一奈米碳管陣列1〇，使第一奈米碳管陣列1〇脫離 基板12而獨立形成於第一基底18上從而得到第一奈米碳 09812962^^^51 A0101 第 Π 頁 / 共 32 頁 1013299661-0 1377331 101年08月07日接正雜百 管散熱器100。該第一奈米碳管散熱器100包括一第一基 底18及第一奈米碳管陣列1〇，所述第一奈米碳管陣列1〇 貫穿第一基底18。本實施例中，第一奈米碳管陣列1〇為 呈4x2排列且相互間隔的8個矩形區域。由於該8個矩形區 域間隔排列’因此奈米碳管密度較小，使奈米碳管中的 熱量容易傳導至空氣中，因此’該種奈米碳管散熱器的 熱對流效果較好。 [0027]所述去除第一奈米碳管陣列10的方法有多種，如機械研 磨、化學蝕刻等。本實施例中，去除第一奈米碳管陣列 《 10的方法為直接拉拔第一基底18使第一奈米碳管陣列 從基板12的第一生長表面120脫離。由於第一奈米碳管陣 列10僅僅為生長於基板12的表面，第一奈米碳管陣列 同基板12的結合力較弱。然而第一奈米碳管陣列1 〇貫穿 第一基底18且固定於第一基底ist，第一奈米碳管陣列 10同第一基底18的結合力較強。因此，在較小的作用力 下即可使得第一奈米碳管陣列1〇及基板丨2分離從而得到 第一奈米碳管散熱器100。 4 [〇〇28]可選擇地對第一散熱器1〇〇的第一基底18的第二表面182 進行蝕刻去除部分第一基底材料，使更多的奈米碳管露 出。蝕刻第一基底材料的方法可以為氧電漿蝕刻或酸腐 蝕法。若第一基底的材料為石蠟可以用氧電漿蝕刻去除 石蠟從而使第一散熱器1〇〇漏出奈米碳管，若第一基底18 的材料為低熔點金屬，則用酸腐蝕金屬基體材料從而漏 出奈米碳管。第一奈米碳管陣列10在第—基底18的第一 表面180及第二表面182均露頭，可以使第—散熱器1〇{) 〇9812962产單编號A0101 第I2頁/共32頁 1013299661-0 Γ377331 101年08月ΟV日接正㈣頁 更好地與熱源或空氣接觸，從而使第一散熱器100的散熱 效果更好。

[0029]，步驟S50，請參閱圖6，提供一第二基底22，將所述基板 12及生長於第二生長表面140上的第二奈米碳管陣列20倒 置，將所述第二奈米碳管陣列20的遠離基板12的自由端 固定於所述第二基底22令。可選擇地，也可以不倒置所 述基板12及生長於第二生長表面140上的第二奈米碳管陣 列20，將所述第二奈米碳管陣列20的遠離基板12的自由 端固定於所述第二基板22中。步驟S50與步驟S30相似。 所述第二基底22的材料為聚合物相變材料或低熔點金屬 材料。所述第二基底22的材料同第一基底18的材料可以 相同也可以不同。本實施例中，第二基底22的材料為石 蠟。所述將第二奈米碳管陣列20的遠離基板12的自由端 固定於所述第二基底22中的方法與步驟S30中所述的將所 述第一奈米碳管陣列10遠離基板12的自由端固定於一第 一基底18中的方法相似。所述將第二奈米碳管陣列20的 遠離基板12的自由端固定於所述第二基底22中的方法包 括以下步驟：步驟S501，將第二奈米碳管陣列20的遠離 基板12的自由端浸入一熔融態的第二基底材料中；步驟 S502，固化所述第二基底材料。由於在步驟S20中，所製 備的第二奈米碳管陣列20中的奈米碳管超出基板12的第 一生長表面120，因此可實現將第二奈米碳管陣列20的自 由端固定於第二基底22中。 [0030] 步驟S60，請參閱圖7，從基板12的第二生長表面140上 去除所述第二奈米碳管陣列20使第二奈米碳管陣列20脫 09812962产單编號 Α〇101 第13頁/共32頁 1013299661-0 1377331 101年08月0>日修正替換頁 離基板12使其獨立地形成於第二基底22上從而得到第二 奈米碳管散熱器200。該第二奈米碳管散熱器20 0包括一 第二基底22及第二奈米碳管陣列20。本實施例中，去除 第二奈米碳管陣列20的方法為直接拉拔第二基底22使第 二奈米碳管陣列20從基板的第二生長表面140脫離。本實 施例中，第二奈米碳管陣列20為3x2排列且相互間隔的6 個矩形區域。由於該6個矩形區域間隔排列，因此奈米碳 管密度較小，使奈米碳管中的熱量容易傳導至空氣中， 因此，該種奈米碳管散熱器的熱對流效果較好。 胃 [0031] 可選擇地，對第二奈米碳管散熱器200形成有奈米碳管的 表面進行蝕刻，使更多的奈米碳管露出。所述蝕刻第二 奈米碳管散熱器200的方法同蝕刻第一奈米碳管散熱器 100的方法相同。

[0032] 本實施例中，利用具有一層凹槽130的基板12可在一次生 長奈米碳管陣列的過程中同時製備兩個處於不同水平面 的奈米碳管陣列即第一奈米碳管陣列1 0及第二奈米碳管 陣列20。可以理解，若所述基板12的第一生長表面120所 具有的階臺式凹槽130為二層凹槽時，則利用本發明提供 的奈米碳管散熱器的製備方法可以在一次生長奈米碳管 陣列的過程中製備三個奈米碳管散熱器。若所述基板12 上的凹槽為N層凹槽時，則利用本發明提供的奈米碳管散 熱器的製備方法可以在一次生長奈米碳管陣列的過程中 製備出N + 1個奈米碳管散熱器。請參閱圖12，為本發明提 供的具有二層凹槽的基板12上生長有三個不同高度的奈 米碳管陣列，所述奈米碳管陣列包括複數奈米碳管，利 09812962^^^^ A〇101 第14頁/共32頁 1013299661-0 Γ377331 101年.08月0>日核正替換頁 用該基板12可以一次製備出三個奈米碳管散熱器。 [0033] 本發明提供的用於製備奈米碳管散熱器的裝置，其包括 一基板，該基板的表面上形成有複數第一奈米碳管及複 數第二奈米碳管，且所述第一奈米碳管的自由端與第二 奈米碳管的自由端之間具有一高度差。採用該種製備奈 米碳管散熱器的裝置可製備複數奈米碳管散熱器，提高 了奈米碳管散熱器的製備效率，降低了生產成本。 【圖式簡單說明】 [0034] 圖1係本發明實施例奈米碳管散熱器的製備方法流程圖。 [0035] 圖2至圖7係本發明實施例奈米碳管散熱器的製備方法的 工藝流程圖。 [0036] 圖8係本發明實施例奈米碳管散熱器的製備方法中採用的 具有二層階梯狀凹槽的基板的俯視圖。 [0037] 圖9係本發明實施例奈米碳管散熱器的製備方法中採°用的 具有同心狀凹槽的基板的俯視圖。

[0038] 圖1 0係本發明實施例奈米碳管散熱器製備方法中採用的 奈米碳管陣列的製備方法流程圖。 [0039] 圖11係本發明實施例奈米碳管散熱器製備方法中於基板 表面形成催化劑的區域的示意圖。 [0040] 圖12係本發明實施例奈米碳管散熱器製備方法中採用的 具有二層凹槽的奈米碳管散熱器的製備裝置的主視圖。 [0041] 圖13係本發明實施例奈米碳管散熱器製備方法中採用的 具有交錯排列凹槽的基板的示意圖。 09812962#單編號 A〇101 第15頁/共32頁 1013299661-0 1377331 101年.08月07日修正替&頁 【主要元件符號說明】 [0042] 第一奈米碳管陣列：1 0 [0043] 基板：12 [0044] 間隙：1 7 [0045] 第一基底：18 [0046] 第二奈米碳管陣列：20 [0047] 第二基底：22 [0048] 催化劑區域：5 0 [0049] 第一奈米碳管散熱器：100 [0050] 第一生長表面：120 [0051] 凹槽：130 [0052] *第二生長表面：140 [0053] 第一基底的第一表面：180 [0054] 第一基底的第二表面：182 [0055] 第二奈米碳管散熱器：200

09812962#單编號 A〇101 第16頁/共32頁 1013299661-0

Claims (1)

101:年.08月07日修正_頁 1.377331 七、申請專利範圍： 1 . 一種奈米碳管散熱器的製備裝置，其包括一基板，該基板 具有一表面，其中，該基板的表面上形成有複數第一奈米 碳管及複數第二奈米碳管，所述基板的所述表面上設有複 數凹槽，該凹槽具有一底面，所述第一奈米碳管生長於所 述基板的所述表面上，所述第二奈米碳管生長於所述凹槽 的底面内，所述第二奈米碳管超出所述基板的表面，所述 第一及第二奈米碳管均自基板朝同一生長方向生長，所述 第一奈米碳管及第二奈米碳管的長度相同，所述第一奈米 碳管的自由端與第二奈米碳管的自由端之間具有一高度差 〇 2 .如申請專利範圍第1項所述的奈米碳管散熱器的製備裝置 ，其中，所述複數凹槽中的每一凹槽為N層凹槽，其中N大 於等於1。 3.如申請專利範圍第2項所述的奈米碳管散熱器的製備裝置 ，其中，所述N大於等於2時，所述N層凹槽呈階梯形或臺 階狀。 4 .如申請專利範圍第2項所述的奈米碳管散熱器的製備裝置 ，其中，所述N大於等於2時，所述N層凹槽呈同心狀。 5.如申請專利範圍第2項所述的奈米碳管散熱器的製備裝置 ，其中，所述複數凹槽為交錯排列的點陣形成於所述基板 表面。 6 .如申請專利範圍第2項所述的奈米碳管散熱器的製備裝置 ，其中，所述N大於等於2時，所述第二奈米碳管包括複數 高度不同的奈米碳管。 09812962^^^#u A〇101 第17頁/共32頁 1013299661-0 1377331 101年08月07日修正替換頁 7 .如申請專利範圍第2項所述的奈米碳管散熱器的製備裝置 ，其中*所述每一凹槽内同一層凹槽的底面到所述基板的 表面的距離相等。 8 . —種奈米碳管散熱器的製備方法，其包括以下步驟： 提供一基板； 在所述基板的一表面開設凹槽；

於所述基板上沿同一方向生長複數第一奈米碳管及複數第 二奈米碳管，其中，於基板的所述表面上生長所述第一奈 米碳管，於凹槽的底面内生長所述第二奈米碳管，所述第 二奈米碳管超出所述基板的表面，所述第一奈米碳管及第 二奈米碳管的長度相同，第一奈米碳管的自由端與第二奈 米碳管的自由端具有一高度差； 提供一第一基底及一第二基底，將距離基板較遠的第一奈 米碳管的自由端固定於所述第一基底中；

將自由端固定於第一基底中的第一奈米碳管從基板上去除 ，使其獨立地形成於所述第一基底上從而得到一第一奈米 碳管散熱器； 將第二奈米碳管的自由端固定於所述第二基底中； 將自由端固定於第二基底中的第二奈米碳管從基板上去除 ，使其獨立地形成於所述第二基底上從而得到一第二奈米 碳管散熱器。 9.如申請專利範圍第8項所述的奈米碳管散熱器的製備方法 ，其中，所述凹槽為N層凹槽，其中N大於等於1。 10 .如申請專利範圍第8項所述的奈米碳管散熱器的製備方法 ，其中，所述基底的厚度為0.1毫米~1厘米。 11 .如申請專利範圍第8項所述的奈米碳管散熱器的製備方法 09812962^^^^ A〇101 第18頁/共32頁 1013299661-0 Γ377331 101年.08月0>日修正 ，其中，所述將距離基板較遠的第一奈米碳管的自由端固 定於所述第一基底中的方法包括以下步驟：將第一奈米碳 管的自由端浸入一熔融態的第一基底材料中；固化該第一 基底材料；所述將距離第二基底較近的第二奈米碳管的自 由端固定於所述第二基底中的方法包括以下步驟：將第二 奈米碳管的自由端浸入一熔融態的第二基底材料中；固化 該第二基底材料。 12

如申請專利範圍第8項所述的奈米碳管散熱器的製備方法 ，其中，所述第一基底材料包括聚合物相變材料或低熔點 金屬材料；所述第二基底材料包括聚合物相變材料或低熔 點金屬材料。 13 .如申請專利範圍第8項所述的奈米碳管散熱器的製備方法 ，其中，.所述第一奈米碳管及第二奈米碳管的長度相同"

09812962^^« A〇101 第19頁/共32頁 1013299661-0