1285565 九、發明說明： • 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種旋轉塗佈裝置，尤指旋轉塗佈裝置 具有一環形或多邊开> 辅助構件和欲塗佈基材距一適當空間 -距離和誤差高度，為了能夠消除或減少一「滑躍現象（也可 •說為一凸塊，一凸起部份，一隆起，一突出，一珠或其他類似 物）」該現象發生於當塗佈完成時該塗佈基材塗佈結束部份 φ 。如此可有效的完成一旋轉塗佈動作，和一該動作製成之 塗佈基材。 t 【先前技術】 圖-描繪-例子’ 一塗佈液使用一傳統方法被旋轉塗 佈於-欲塗佈基材上。—傳統旋轉塗佈方法展示如下。一 塗佈液滴於欲塗佈基材中心，該欲塗縣材以—低速轉動 ，之後該欲㈣基㈣—高速轉動H該塗佈液因離 心力作用由該欲塗佈基材中心向外制至覆蓋整個基材。 然而，當-高黏滯性塗佈液使用一傳統旋轉塗佈方法塗佈 於該基材上時’該塗佈液之黏著性、伸縮性和表面張力合 造成-塗純11塊於該基材塗佈結束部份（第—圖2 〇 / ’之後’為了修復此—現象，會造成H 一 ifif 。it 一 取後形成一 /月躍現“成均勻塗佈整個基材的。 =塗錢”性愈高，所造成輯觀象將愈明顯。 在衣造不同種類材料如光碟、半導 、 等類似物，經常使用二基材、音響配合層等 节便用阿黏卬性塗佈液旋轉塗佈該基材因 -1285565 滑躍現象的產生不可能得到一均勻之塗佈膜。以下 .多個傳統塗佈基材發生的滑躍現象相關問題將會被詳細^ 述’本發明之制並不限於此’ ^可 :田 現象問題之旋轉塗佈程序之上。 在任〜遇滑躍 • 1.光碟 . 一般來說，光碟可廣泛使用於資訊儲存媒介具一 以非接觸方式紀錄/重製資訊之光學存取器。隨著其= 籲容量由多媒體光碟（CDs)的6 0 0到8〇〇百萬位元植子 到數位化多功能光碟的4到1 〇十億位元組，光碟已發展 可儲存大量資料。最近，為了能夠提供高色調品質和^圖 :像品質’藍光光碟（BD)已發展成熟，其光碟儲存容量可 :超過2 0十億位元組且使用一藍光雷射存取該資料。 =統！^光光碟可重覆讀寫格式’-在該基板上紀錄 一貝毅項出區定義為半徑58 . 5厘米的範圍内 ， ·==?證最小半徑58 ‘ 5厘米内資料紀錄 •的了罪紗.117厘米的直徑。舉例而言，一1〇〇 微米厚覆蓋層必需在超過半 / 100 0 0微米的均勻厚度，且里切乾圍内有1 發生之滑躍現象在高度上1、/緣面積1 . 5厘米處 】、於1 0微米，然而，告一开以 紫外光修復樹脂層以傳統塗佈方法兮二 厚度為1 0 0微米之樹雁層會 二光碟均，一 滑躍現象，該厚度报大 # 1超過4 5微米的 為了解決滑躍現象相闕門題滿二上述指稱之說明。 —〇〇〇4541揭露了關=國專利編號 衣^光碟之法包含準備一基底 口g5565 具士車:最後兀成光碟直杈為大之直徑，塗佈一可紫外光修 後：月其上士形士一具一既定厚度之塗佈層，照射紫外 光土 生：及设盍層周緣部分之突出，以修復該樹脂且 ==出：然而，此法需要另-步驟以移去於光碟 :=二:、生二1起’但這步驟會增加製造設備的成本且 口此會降低製造效率，且在削去該 _會有碎裂、破裂和折青的問題。 =i 編號 2 0 0 1、0 0 5 5 0 4 4 終置器内（如第：圖含放置一碟盤於一碟 ㈣直徑和該碟片外2幻0)’該碟盤容置器具一 虞和該碟片厚度翻 相同’且具—碟盤容置溝槽厚 >。然而，在此例中二轉塗佈可紫外光修復樹脂在其 由該碟盤容置器取^❹缺闕如在塗佈完成後難 雜由碟片和碟碟片背面有污染風險因為樹 片嚴重的污染:為心著碟片邊流入，且會造成碟 造成塗佈液的累積 I且難以排除塗佈液而在夾具 法相比有較小的滑觀hi ’雖然此法和傳統旋轉塗佈 脂層在超出半徑58 、但仍然難以得到一均勻樹 厚的滑躍現象。·厘米之外且會發生超過2 0微米 二X導:二:成二電路’為了要歸何 我在其上形成—薄膜声在_:¥體晶圓上預先選定的區域 、、曰’先蝕刻製程使用一光阻薄膜常 .1285565 被應用。該絲刻製程藉由在半導體晶圓上 阻薄膜’使用-遮罩使該塗佈光阻層曝光。薄的光 一光阻薄膜的開口作雜質摻入，或在一 °、這步驟是經由 該光阻薄膜。該光阻薄膜的形成經常經由旌成後移除 包含有施加-預定4之光阻於該半導體，塗饰法實現 分且旋轉該半導體晶圓，如此可形成一;曰:=央部 均勾厚度在該半導體晶圓整個上表面。在二Γ'Γ 質摻入或該薄膜層的形成，其並 二， 幾十個微米的厚度。這是 7 録賴具 .曰、疋囚馮忒光阻本身，形成該光阻薄 ^k的㈣且在完成旋轉塗佈之後有—厚的光阻 ==22&曰_緣°事實上，當該具一6 〇微 ” 潯膜涇由旋轉塗佈於該半導體晶圓上時，約7厘 2和120微米厚之滑躍現象會發生在半導體晶圓周緣 為了要克，這些問題，韓國專利編號2 0 〇 1 - 0 〇 ^4 5揭路方法用以形成厚光阻薄膜包含形成一第 二光阻薄膜在該半導體晶®上表面至欲形成光阻薄膜的；[ /2倍厚度’經由塗佈和輕微修復過程，使用—稀釋劑移 除^成於該半導體晶圓周緣部分之第—光阻薄膜周緣起泡 (π躍現象），且最後形成—第二光阻薄膜經由塗佈和輕微 過程’如此可形成—既定厚度之光阻薄膜。此法需要 同成一塗佈程序和一輕微修復過程兩次且同時也造 成一問題關於増加的成本以處理為移除第—光阻薄膜造成 的周緣起泡現象而浪費的溶劑。 • 1285565 . 3·多層内通訊電路 ， 積體電路有許多型態使用於多種不同的電子設備如 電腦。此外，目勤趨勢為電子設備的微小化和南效能，存 在增加製造具高精密度和高效能的高可靠度電路需求。如 • 此，為了要增加傳統半導體積體電路密度的一個等級，一 • 多層内通訊電路，如第三圖所示，被實現。簡單描述該半 導體基底的製造程序，一第絕緣薄膜3 2和一氧化薄膜形 鲁成於一基底3 1上，和一第一内通訊層3 3由一鋁薄膜或 類似物製作形成於第一絕緣薄膜32之表面。接著，一内 介電層（interlayer dielectric ;几〇)3 4如矽薄膜或一氮 化矽薄膜經由化學氣相沉積設備或離子增強化學氣相沉積 設備施加其上。為了使平坦，一矽絕緣薄膜（一平坦薄膜） 3 5形成於一内介電層3 4上，且若有需要，一第二絕緣 薄膜3 6亦形成於其上。接著，一第二絕緣層（沒表示出 來）形成且若必要的話，一第二内通訊層、内介電層、平 •坦薄膜和絕緣薄膜亦形成。此一多層内通訊結構被用於高 密度積體電路。 —形成該内介電層的範例包含如下步驟^ ) 一形成 二氧化矽薄膜於該基底表面之法經由化學氣相沉積使用化 學氣體如石夕甲燒(卿）’ 2) -形成二氧化石夕薄膜之法經 由四乙氧基矽烷（tetraethoxysi〗ane ; te〇s)，和3 ) 一形 成二^化矽薄膜之法由施加一塗佈液以形成—主成分為石夕 ，之绝緣薄膜，其為—塗箱經由凝轉塗㈣形成一主成 刀為聚二f基矽氧烷(sij〇xalie)絕緣薄膜至該基底表面 • 1285565 • 。在這些步驟中，第三步驟用以形成該内介電層被認為一 w 具有高進行效率和形成一平面薄膜能力。然而’經由旋轉 塗佈該塗佈液，缺戈在於該凸起部分（滑躍現象），如第一 圖所示，形成在一石夕晶圓外緣上。如此該石夕晶圓周緣和其 他結構元件接觸而受污染，或當運送該晶圓時，在該絕緣 . 薄膜周緣和其他裝置接觸之結束部分的凸起部分，如此造 成斷裂。當鬆動發生時，大量外來材料會發生此現象，如 此減小生產率。 為了要解決此一問題，曰本專利編號1996—31 6 1 8 6揭露一方法包含清洗和移除成形在碎晶圓外緣之 : 凸起部分藉由在旋轉突布之後排出一溶劑在該凸起部分上 . 。在此法中，不同清洗溶劑必需使用在不同的絕緣薄膜上， 形成塗佈液（種類、濃度、包含絕緣成分的溶液），和另外 一凸起（凸出物）會經由清洗和移除程序形成。該凸起能 為一外部材料凸起部分之起因。 φ 4.超音波變換器 一超音波内診器提供一超音波局部X光片藉由超音波 震盪束掃描，由一超音波變換器產生，經由一預選路徑， 再次接受超音波由内部器官之内壁反射和引起疾病的器官 損害經由該超音波變換器且準備一建立在已得資訊上之影 ' 像。該超音波變換器由壓電陶器材料組成，在壓電陶器和 : 活體器官之間的聲學阻抗有很大差異且超音波衰減會發生 在該兩者之間的介面。為了要吸收該差異且減少聲學衰減 ，一聲學匹配層安裝於該壓電陶器一聲學發射邊，既然該 Ϊ285565 超音波内診器之超音波變換器具一振動頻率範圍由幾個百 萬赫茲至幾十個百萬赫茲，該聲學匹配層具一厚度為一超 音波波長的四分之一，是製造為具一幾十個微米的厚度使 得在一傳統樹脂聲速為2 5 0 0至3 0〇〇公尺/秒。當 該聲學匹配層由旋轉塗佈製造，該樹脂黏度必需夠高且可 使厚度不穩定部分（滑躍現象)發生在聲學匹配層周緣。 為了要解決此一目的，日本發明專利編號i 9 9 3 一 φ 1 〇 3 3 9 6提供一法以製造一聲學匹配層包含放置一可 紫外光修復樹脂在一基底上，轉動該基底以使該可紫外光 修復樹腊擴散’在穩態下’即藉由旋轉該基底施予向心力 且使物理性質如該樹脂的黏度和表面張力達到平衡，此時 照射紫外光以修復該樹鹿，且切除和移除該厚度不均勻部 分。在此法中，因紫外光由一旋轉塗佈機照射出，該停留 在旋轉塗佈機之可紫外光修復樹脂同時被修復，如此使移 除該剩餘樹脂變得困難，且需要一外加步驟以削去該厚度 修不均勻部分，造成生產力的減少。 以此而論，一旋轉塗佈技術廣泛使用於不同領威’但 一直存在著關於滑躍現象的根本問題。因此，有需要發展 一方法能夠解決滑躍現象的問題而不會造成該基底的污染 或在塗佈基底的製造過程中減少工作效率。 【發明内容】 因此，本發明用以解決上述問題，和其他尚未解決的 技術問題。 1285565 如上描述在廣泛且深入地研究和實驗 後，本發明之發明人發現了 解、本問碭之 j 法，將描述如下， 裝一欲塗佈基底，在介於靠近基底邊之_==， 和該基底周緣之距離範圍由〇.03至〇 二^ 下施行一旋轉塗佈。且介於其中的誤差高度在0= 或縮小一基底結束部分之滑躍現象是可行的，2 有效率也麵仃旋轉塗佈時，且發展一旋轉塗佈 : 定結=Γ目的。本發明完成建立在這些發現上:、、 夠減少該滑躍現象當有效率地施加-旋轉塗佈摔 當準備一欲藉由旋轉塗姊完成之塗佈基底=佈知料和 之旋目的在於提供一塗佈基底使用上述指稱 提供-it觀點一致的’上述和其他目的能夠達成藉由 構件安Πΐ:裝置包含一環形或多邊形辅助構件其中該 再仟女衣在彝近欲塗佈基底之一邊， 提俾2發明—致之觀點，上述和其他目的能夠完成藉由 構件=轉ΐ佈裝置包含一環形或多邊形輔助構件其中該 介於:結在*近—欲塗佈基底之—側，安裝該基底時，一 0 、助構件内部上端和該基底周緣之_距離在範圍 —3到0 · 8厘米間，且該辅助構件上端和該基底之 円又一致或定位在誤差範圍0·1厘米之内。 如此處使用的，「欲塗佈基底」指—未塗佈板狀基底需 12 :1285565 、、工由佈如丨碟、一半導體晶圓和一超音波内視鏡壓電 •陶器板和、「塗佈基底」指—基底已塗佈完成。 當該欲塗佈基底安裝於該裝置上時，環形或多邊形辅 助構件為衣置的部分構件具一内表面外型對應該欲塗佈 基底周緣外5L且詳細内容揭露於韓國發明專利編號2 〇 04-0065148中，該揭露和參考相符合。 本毛月此夠更有效率地展現預防和移除一滑躍現象藉 ♦由定位一介於該辅助構件内部上端和欲塗佈基底周緣之間 p 1離和該構件上端高度在-指定範圍内，且其調 :该空間距離和助構件相對於欲塗佈基底之高度極為 重要。 為了要更有效率實現該高度難、安裝該欲塗佈基 除該滑躍現象和修復該㈣基底，該旋轉塗佈裝眉 靜止件和—移動件且移動件製造成具—可調高肩 =構使特動件可相對於靜止件向上或向下移動。該靜a =動件疋相對概念。目此，—欲塗佈基底安裝之轉盘 件向上:=動，盤為移動件。相對的’若-輔助損 和餘I·—下移動，該轉盤為靜止件。一可調高度移動钭 結構較2結構能如多種不同形式的結構實現。雖然此 其他施㈣被描述如下’需被了解的是不同種類的 可：的且依然在本發明的範圍内。 侔士第一不範結構為一結構其螺紋形成於移動件和靜止 件而4的區域，且該辅助構件的高度可藉由旋轉該移動 13 I285565 一第二不範結構為—結 動件和靜止件接合在一起、""由一可調高度螺旋使該移 旋調整，溝槽形^於該移動助構件可藉由旋轉該螺 能夠插入溝_，能_成於對應止的^，和斜切突出物， -第二示範結構為和 或移動件上。 區域内介於移料和靜止 ^朴件包含於一接合 構件更 在高度可_:3移動穩， 移動件和靜ah件之間的接合區域/ ° ^含在-介於 和本發明一致之另一觀點，由 -塗佈基底’其中該塗佈基底具一厚::= = 滑躍現象區域前小於±2%，且在該基底結 一典 躍現象小於10%。 、tn 在-較佳實施例’該塗佈基底能夠為—光碟包含一美 底和-覆蓋層’具-厚度誤差小於±2%在—資料紀錄區土 範圍由該基底中心至半徑58.5厘米處且具—滑躍現象 小於10%在該部分周緣處。 和本發明一致之旋轉塗佈裝置能夠使用於製造一單寫 多讀（WORM)光碟具一紀錄層和可抹寫先碟，同時一唯 讀記憶體(ROM)光碟只用於複製該紀錄資訊。另外和本發 明一致之旋轉塗伟裝置能夠用於任何光碟具一覆苗層和— 間隔層，其由旋轉塗佈形成且可避免一特別限制。更進一 步地，和本發明一致之旋轉塗佈裝置能夠施加一半導體製 1285565 程包含旋轉塗佈一高黏度塗佈液同時製造一聲學匹配層用 •於/超音波變換器。本發明並不限於這些應用且能用於在 製造階段使用旋轉塗佈遭遇關於滑躍現象問題之任何領 域。 【實施方式】 以下’參照相關附圖本發明將被詳細描述，但並不限 籲定於此。第四圖說明一和本發明一致之旋轉塗佈裝置實施 例。 參照第四圖，本發明之旋轉塗佈裝置包含一轉盤4 〇 : 可使一欲塗佈基底10安裝於其上，和一環形或多邊形辅 : 助構件41裝設於該欲塗佈基底10周緣鄰近處在該欲 塗佈基底1 〇已被安裝之條件下。 一輔助構件4 1内部上端和該欲塗佈基底1 〇周緣 部分被分離一距離X範圍由〇 · 〇 3到〇 · 8厘米，且最 鲁佳的是〇·1到0.6厘米。該分離距離X小於〇·〇3 厘米，由轉盤4 0安裝或取出該欲塗佈基底1 〇是困難的 ’且在塗佈一樹脂後取出該塗佈基底，該塗佈於輔助構件 4 1上的树脂會影響一滑躍現象的形成。相反的，該分離 距離不小於〇 · 8厘米，該輔助構件4 1和該基底1 〇設 有更大之分離距離，和未設有輔助構件4 i之情形比較 ’可有效減少滑躍現象之效應。 如同上方描述，本發明之旋轉塗佈裝置能更包含一裝 置，其能夠調整該輔助構件相對於該欲塗佈基底的高度夢 15 1285565 ' 由分開該轉盤至兩部分且移動該輔助構件向上和向下，以 • 一旋轉方法（表示如第四圖元件符號編號4 2，且亦表示 如第五圖元件符號編號5 2)或一滑動方法（表示如第六 圖元件編號6 2 )。藉由調整該輔助構件的高度往上或往 • 下，容易控制一高度誤差是可行的，或一滑動方法（如第 六圖表示）。藉由調整該輔助構件的高度往上或往下，容 易控制一高度誤差在上述所指稱的範圍中，此高度誤差係 I 因為該欲塗佈基底的彎曲或厚度誤差所造成。該結構的範 例表現於第四圖到第六圖。 首先，參照第四圖，元件A連接至一旋轉馬達軸（圖 ： 未示），且藉由螺紋連接至元件B，當固定元件A時，可 ： 藉由轉動元件B以調整輔助構件4 1的高度。在調整基底 1 0和輔助構件4 1的高度後，使用一固定螺旋4 3以固 定元件A和元件B。 參照第五圖，元件D連接至一旋轉馬達轴（圖未示）， _且元件C連接至元件D，其連接方式為利用一滑動突出物 5 4裝設於元件D之對應構槽中。因元件C可藉由可藉由 高度調整螺旋5 2向上或向下移動，在調整基底1 0和輔 助構件5 1的高度之後，可藉由一固定螺旋5 3固定元件 C在元件D上。 ' 參照第六圖，該輔助構件6 1具一三角形斜切突出物 6 2可配合元件E的溝槽，該介於欲塗佈基底和輔助構件 6 1之間高度，可藉由元件F沿著一溝槽朝上或朝下傾斜 移動來調整。更進一步地，在調整該高度後，元件F能夠 1285565 藉由一固定螺旋6 3固定在元件E上。 • 舉例而言，該基底1 0和輔助構件5 1的上端高度最 佳的是可位在相同高度，或至少該高度誤差γ需定位在 0 · 1厘米之内。該輔助構件5 1之高度較上述誤差範圍 為大，例如，高過該基底1 〇，該輔助構件5 1内部上端 如同一障礙物’而使得一塗佈樹脂無法平順地移至該輔助 構件5 1，以致於可能發生滑躍現象。相對的，該輔助構 _件5 1之尚度較上述誤差範圍為低，塗佈樹脂施加於該欲 塗佈基底1 0 —邊特定區域，且移向輔助構件，如此造 成该基底邊的污染，且一些樹脂因重力作用滑落，因此填 滿该介於欲塗佈基底1 q和輔助構件5 1之間的空間，導 致在旋轉塗佈完成後難以移除該欲塗佈基底^ 〇。 如同上述舉例’一可調整高度往上和往下方向之轉盤 ’能夠有多樣的型式，且其詳細描述和範例能夠在韓國公 開專利編號2004 — 0065148，該揭露以此和參 • 照結合。 一 4知此技藝人士能夠藉由上述討論結構，輕易準備 該旋轉塗佈裝置，且用於一詳細描述方法以製造_旋轉塗 佈裝置，參照韓國發明專利編號2 〇〇4 — 006514 8 ’該揭露和該參考一致。 範例： 本發明將被詳細描述經由一些實驗文獻和數據，但需 被了解的是本發明之範圍不應被這些實施例所限定。經由 範例1到7和對照範例1到3描述當使用本發明旋轉塗佈 17 ，1285565 裝置塗佈光碟時之結果。 - 範例1 : 一轉盤，如第四圖所示，以鋁材製造。一距離介於一 欲塗佈基材周緣部分和-環形辅助構件内部上端之間被調 整至0· 5厘米。同時，一聚碳酸酯基材具一玉·丄厘米 厚度，一1 20厘米外直徑和一1 5厘米内直徑（一中央 孔直徑）由喷射鑄模製造，和一四層結構包含有銀合金/ 鲁硫化鋅-二氧化矽/碲化銻鍺（SbGeTe)/硫化鋅_二氧化矽由 一喷濺製程製造，如此可完備一基材。完成後基材放置在 该轉盤上且該環形輔助構件旋轉調整至和上端距一高度誤 差範圍在0 · 0 5厘米，接著藉由一固定螺絲固定高度。 接下來，EB 8402(SKUCB製造），羥基環己基苯酮（Irgacure 184) (Ciba SC 製造），基二曱醛縮苯乙酮(lrgacure 651) (Ciba sc製造)和一可紫外光修復樹脂包含甲基乙基酮被塗佈於 其上使用-旋轉塗佈裝置，如此可形成一具一 i 0 0微米 _厚度之覆盍層。之後’以一紫外光源照射以修復該可紫外 光修復樹脂。如此可完成一塗佈基材。 範例2 : 一塗佈基材以和範例1相同的方法製造，除了一轉盤 被製成一介於-欲塗佈基材外緣和一輔助構件内部上端距 離為0 · 1厘米。 範例3 : 一塗佈基材以和範例丄相同的方法製造除了一以喷 射鑄模製造之聚碳酸酯基材具厚度i 2厘米。
Cs' 18 :1285565 - 範例4 : • 一塗佈基材以和範例1相同的方法製造，除了一以喷 射鑄模製造之聚碳酸酯基材具厚度0·6厘米。 範例5 : 一塗佈基材以和範例1相同的方法製造，除了形成一 .具2 5微米厚之覆蓋層。 範例6 : I 一塗佈基材以和範例1相同的方法製造，除了一轉盤 製造如第五圖所示。 範例7 : 一塗佈基材以和範例1相同的方法製造，除了一轉盤 製造如第六圖所示。 對照範例1 : 一塗佈基材以和範例1相同的方法製造，除了一轉盤 被製成一介於一欲塗佈基材外緣和一輔助構件内部上端距 _離為0 · 0 1厘米。 對照範例2 : 一塗佈基材以和範例1相同的方法製造，除了一轉盤 被製成一介於一欲塗佈基材外緣和一輔助構件内部上端距 離為1·0厘米。 對照範例3: 一塗佈基材以和範例1相同的方法製造，除了一環形 輔助構件上端調整較一轉盤高0·12厘米。 對照範例4: 19 ^1285565 一塗佈基材以和範例l相同的方法製造，除了一環形 輔助構件上端調整較一轉盤低0·12厘米。 對照範例5: 一塗佈基材以和範例1相同的方法製造，除了 一轉盤 以如第四圖所示之製造方式製造，但是以一靜止和整體的 轉盤之形式以致於最佳化一環形構件上部高度，當一1 · 1厘米厚基材具有相對於徑向小於0 · 3度之斜度，一具 一0·6厘米厚度之聚碳酸酯基材以喷射鑄模製造作為一 欲塗佈基材，及相對於徑向具有0 · 7度之斜度。 實驗範例1: 範例1到7所製造的塗佈基材整體區域之平均厚度和 標準誤差，除了發生在結束區域之滑躍現象區域，和該塗 佈基材結束區域之滑躍現象區域最大厚度均被量測。結果 如下表1所示。 平均厚度 標準誤差 滑躍現象區 域最大厚度 範例1 99.5微米 ±0.7微米 102.7微米 範例2 100.2微米 ±0.6微米 104.2微米 範例3 98.9微米 ±0.6微米 101.4微米 範例4 101.0微米 ±0.5微米 105.1微米 範例5 25微米 ±0.3微米 26.1微米 範例6 99.5微米 ±0.8微米 101.6微米 範例7 99.9微米 土0.7微米 106.3微米 20 1285565 9 實驗蓺你I 9 : 對照範例1到5所製造的塗佈基材整體區域之平均严 度和心準#差，除了發生在結束區域之滑躍現象區域，和 該塗佈基材結束區域之滑觀象區域最大厚度均被量 結果如下表2所彔。 表2 平均厚度 標準誤差 滑躍現象區 域最大厚 對照範例1 98.7微米 士〇·9微米 】16.2微来 對照範例2 99.2微米 土〇·8微米 --------— 士0.8微米 U<S.4微来 對照範例3 97.2微米 對照範例4 98.0微米 土〇·9微米 1^.4微米 128.9微米 對照範例5 100.1微米 ±1·〇微米 如表1和表2所見的，和對照範例和5相比， 本發明範例1到7顯現出來具-小尺寸的滑躍現象。雖然 對照範例4也表現出小滑躍現象的形成，但是基底之一周、 緣些部分上之修復樹脂會和一聚碳酸酯基底分離，當由 該環形輔助構件移除一欲塗佈基底時。 田 由之前描述顯而易見的，本發明之一旋轉塗佈裝置消 =或有效地減少在旋轉塗佈完成後在塗佈基底結束部分 滑躍現象的發生，無論厚度的變化或一欲塗佈基底的傾斜 ’如此在該基底上造成一塗佈液的均勻塗佈，且也有效地 減少因剩餘塗佈液的流入或停留而造成該欲塗佈基底的汙 染。
21 .1285565 雖然本發明的一些實施例已揭露以作為說明，然而熟 — 悉本項技藝者均會認為在不超出本發明申請專利範圍所 揭路之範圍和精神的情況下，多種不同的修改、增加和替 換是可行的。 【圖式簡單說明】 描述於其上和本發明其他物件，特徵和優點將被更清 修楚理解藉由下方配合相關附圖之詳細描述。 第一圖說明當旋轉塗佈於一欲塗佈基底所造成之“滑躍 現象”於一基底結束部分； :第二圖說明一碟盤容置器用於-光碟之傳統旋轉塗佈 ; 裝置； 第三圖說明一半導體基底之側剖面； 第四圖說明本發明旋轉塗佈裴置杏 只方也例， 第五圖說明本發明旋轉塗佈裝置之另一實施例； • 第六圖說明本發明旋轉塗佈桊罢—I ^ ’ 衣直之再一實施例。 【主要元件符號說明】 10 欲塗佈基底 2 0 塗伟液 2 0a 基材塗佈結束部 3 0 光碟容置器 3 1 基底 3 2 第一絕緣薄膜 22