TWI276019B - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1276019， (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於一種具有由薄膜電晶體（以下稱作 )組成的電路的半導體裝置及其製作方法。更具體地 相關於以液晶顯示裝置以及具有發光元件的發光裝置 表的電光裝置，也相關於包括在此範疇之內的電子裝 在該電子儀器中，把前述該些裝置作爲部件進行安裝 【先前技術】 近年來，利用在具有絕緣表面的基底上形成的半 膜（其厚度大約爲幾奈米至幾百奈米）構成薄膜電晶 技術已吸引了人們的注意力。薄膜電晶體廣泛地應用 如ICs和電光裝置之類的電子裝置中，特別是，正加 將其硏製成用於顯示裝置的開關元件。 要指出的是，顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝 已爲公衆所知。在這些顯示裝置中，可採用諸如被動 驅動（簡單矩陣類型）和主動矩陣驅動（主動矩陣類 之類的驅動方法。但是，在像素密度增加的情況下， 其內每一像素（或者一個光點）都設有一個開關的主 陣類型具有可低壓驅動的優點。 在主動矩陣液晶顯示裝置中，藉由驅動排列在矩 的像素電極可在螢幕上形成一顯示影像。具體說來， 壓施加到一所選擇的像素電極以及一與其相對的電極 ，從而對排列在該像素電極以及與其相對的電極之間 TFT 說， 爲代 備， 導體 體的 於諸 速地 置等 矩陣 型） δ忍爲 動矩 陣中 將電 之間 的液 -6- 1276019 ’ (2) 晶層進行光調製。因此，觀察者認爲光調製就是顯示影像 〇 進一步地，採用有機電致發光的主動矩陣發光裝置在 其每一像素中至少有一個作爲一開關元件使用的TFT，以 及向由夾在一對電極之間的有機化合物層形成的發光元件 提供電流的TFT，並利用藉由在有機化合物層中的載子重 新組合而獲得發光。要指出的是，由於這種發光裝置具有 諸如薄、輕、高速的性能以及直流低壓驅動等特點，因此 人們預期它會應用於下一代平面顯示器中。特別是，鑒於 這種發光裝置與習知液晶顯示裝置相比具有更寬的視角和 優良的可視性，人們認爲它將很有優勢。 在液晶顯示裝置的像素結構中，可把一閘極佈線（掃 描線）、一源極佈線（信號線）和電容器佈線這三條佈線 中的每一條佈線都被構圖爲線性形狀。在此情況下，把源 極佈線和閘極佈線中的其中一條設置在行方向上，而把另 一條佈線設置在列方向上，在這兩條佈線圍成的區域內形 成多個像素。而且，爲了使這兩條佈線在彼此交叉的部位 不會接觸，閘極佈線和源極佈線分別由形成在藉由絕緣膜 的不同層上的導電膜組成。也就是說，提供這樣的一種結 構：即該絕緣膜形成在由第一導電膜形成的源極佈線和閘 極佈線中的一個和由第二導電膜形成的源極佈線和閘極佈 線中的另一個的兩者之間。 另一方面，在發光裝置的像素結構中，將閘極佈線（ 掃描線）、源極佈線（信號線）和電流源佈線這三條線中 (3) 1276019 的每一條線都被構圖成線性形狀。在此情況下，把源極佈 線、電流源佈線和閘極佈線中的其中一條設置在行方向上 ，而把其他導線設置在列方向上，在由源極佈線、電流源 佈線和閘極佈線圍成的區域內形成多個像素。而且，爲了 使這些線在彼此交叉的部位不會接觸，閘極佈線、源極佈 線和電流源佈線分別由形成在藉由絕緣膜的不同層上的導 電膜組成。也就是說，提供這樣的一種結構：該絕緣膜是 在源極佈線、電流源佈線和閘極佈線之間形成，這三條佈 線中其中一條佈線是由第一導電膜形成，其餘佈線由第二 導電膜形成。 但是，這種主動矩陣顯示裝置（其代表爲液晶顯示裝 置和發光裝置）的應用一直在拓展著，隨著螢幕表面面積 的增加，對其高精細度、孔徑比、和高可靠性的要求也一 直增加。於是，對提高生産率、降低成本的要求也日益增 加。 【發明內容】 本發明鑒於上述問題而提出的，因此其目的之一是在 製作半導體裝置時，提供一種減少其製作步驟的數量的方 法以及用於實現該方法的結構，進而可提高産量，降低製 作成本。 爲達到上述目的，本發明的特徵在於僅由一種類型的 導電膜形成的佈線，該佈線在現有技術中採用兩種類型的 導電膜形成，從而降低了半導體裝置的製作步驟的數量。 -8 - 1276019 · (4) 具體地說，在製作一半導體裝置時，由同一導電膜形 成分別形成在一元件基底上的行方向和列方向上的佈線（ 源極佈線、汲極佈線等）。在此情況下，行方向和列方向 上的各佈線中的一條佈線就會在佈線相互交叉的部分不連 續地形成，而且在佈線上形成絕緣膜。因此，用於連接不 連續佈線的連接佈線是由與在絕緣膜上形成的電極（以下 也稱作第一電極）的相同的膜並藉由在絕緣膜中形成一開 口部分（接觸孔）而形成的。從而能夠獲得連續的佈線。 採用這種方式，僅使用一種類型的導電膜就可形成所 有佈線。因此，與採用藉由一絕緣膜層疊兩種類型的導電 膜而形成佈線相比較，可減少導電膜的膜澱積步驟的數量 ，此外，可減少構圖過程中光刻步驟的數量。 而且，用於連接不連續形成的佈線的連接佈線藉由相 同構圖步驟可由與形成電極相同的導電膜形成。因此，並 不用增加步驟數量就可形成連接佈線。 根據本發明，源極佈線是用於把一影像信號從源極側 驅動電路輸入到形成在像素部分中的T F T的源極（源極 區域）的佈線。閘極佈線是用於將選擇形成在像素部分中 的TFT的信號從閘極側驅動電路輸入到一閘電極的佈線 。進一步地，本發明的特徵在於由同一材料同時在同一表 面上形成源極佈線和閘極佈線。另外，作爲偶爾的要求， 可同時與源極佈線和閘極佈線形成一電容器佈線等。 而且，在上述佈線中，用於連接不連續地形成的佈線 的連接佈線可與電連接TFT的電極同時形成。也就是說 -9- (5) 1276019 ’不會增加現有的操作步驟的數量，就可形成Τρτ、所有 佈線和電極。 根據如上所述製作的本發明的結構，一種半導體裝置 的特徵在於包括：一半導體層，設有作爲其一部分的一源 極（源極區域）、~汲極（汲極區域）以及一通道區域（ 通道形成區域）；一在該半導體層上形成的閘極絕緣膜； —在該閘極絕緣膜上形成的源極佈線；一設置在該閘極絕 緣膜上並形成於閘電極與通道區域重疊位置的閘電極；一 在該源極佈線和閘電極上形成的絕緣膜；以及一在該絕緣 膜上形成的連接佈線和一電極；其中，連接佈線形成在一 開口部分中，該開口部分形成在絕緣膜和閘極絕緣膜中， 該連接佈線還在源極佈線和源極之間建立電連接；而且在 同一膜澱積表面上由同一材料形成連接佈線和電極。 而且，根據本發明的另一種結構，一種半導體裝置的 特徵在於包括：一半導體層，設有作爲其一部分的一源極 、一汲極以及一通道區域；——在該半導體層上形成的閘極 絕緣膜；一在該閘極絕緣膜上形成的源極佈線；一設置在 該閘極絕緣膜上並形成於閘電極與通道區域重疊位置的閘 電極；一在源極佈線和閘電極上形成的絕緣膜；以及一在 該絕緣膜上形成的連接佈線和一電極；其中，連接佈線形 成在一開口部分中，該開口部分形成在絕緣膜和閘極絕緣 膜中，該連接佈線還在源極佈線和源極之間建立電連接； 該電極與汲極電連接；而且在同一膜殿積表面上由同一材 料形成連接佈線和電極。 -10- (6) 1276019 進一步地，根據本發明，在不連續地形成的多個島狀 導電膜（聞極線）形成爲連續佈線的情況下，島狀導電膜 (閘極線）與連接佈線電連接，從而形成閘極佈線。 另一方面，在不連續地形成的多個島狀導電膜（源極 線）形成爲連續佈線的情況下，島狀導電膜（源極線）與 連接佈線電連接，從而形成源極佈線。

進一步地，在上述每一結構中，形成第一電極的材料 實例包括：爲透明導電膜的ITO和IZO ;諸如金（Au ) 、鉑（Pt )、鎳（Ni )、鎢（W )、鉻（C〇 、鐵（Fe ) 、鋁（A1 )、鉅（Ta )、鈦（Ti )之類的元素；或者上述 元素的化合物。 而且’在上述每一結構中，在與連接佈線相同的表面 上形成的電極用做第一電極，在第一電極上形成一有機化 合物層’進一步地，在該有機化合物層上形成一第二電極 。於是’可形成一包括作爲其一部分的電極的發光元件。

也就是說，根據本發明的另一種結構，一半導體裝置 的特徵在於包括··第一半導體層和第二半導體層，每一層 都設有作爲其一部分的一源極、一汲極以及一通道區域； 一在該第一和第二半導體層上形成的閘極絕緣膜；在該閘 極絕緣膜上形成的源極佈線和電流源佈線；提供在該閘極 絕緣膜上並分別形成於第一和第二閘電極與對應第一和第 二半導體層的通道區域重疊的位置上的第一和第二閘電極 ;一在該源極佈線、該電流源線、該第一閘電極和該第二 閘電極上形成的絕緣膜；在該絕緣膜上形成的多條連接佈 -11 - (7) 1276019 線和一桌一電極；在第一電極上形成的一有機化合物層； 在該有機化合物層上形成的一第二電極，在該半導體裝置 中··多條連接佈線形成在一開口部分中，該開口部分形成 在絕緣膜和閘極絕緣膜中，這些連接佈線還在源極佈線和 第一半導體層的源極之間、在第一半導體層的汲極和第二 閘電極之間、以及電流源線和第二半導體層的源極之間建 立電連接；該第一電極與第二半導體層的汲極電連接；而 且在同一膜澱積表面上由同一材料形成連接佈線和第一電 極。 進一步地，根據本發明，特別是在使用諸如ITO或 IZO之類的透明導電膜的情況下，最好採用濕法鈾刻作爲 構圖連續佈線和第一電極的方法。這是因爲在採用乾法蝕 刻的情況下，先前形成的TFT的特性不會受到電漿損壞 的影響。要指出的是，在由一種有機絕緣材料在TF T和 _接佈線和第一電極之間形成絕緣膜的情況下，採用濕法 蝕刻特別有效。 進一步地，根據本發明，提供一種製作具有上述結構 白勺半導體裝置的方法，其特徵在於包括：在一絕緣表面上 形成一半導體層；在該半導體層上形成一閘極絕緣膜；在 該閘極絕緣膜上形成一源極佈線·，在該閘極絕緣膜上、並 #該閘電極與部分半導體層重疊的位置形成一閘電極；藉 由利用閘電極作爲一掩模，向半導體層中摻雜雜質而形成 一源極和一汲極；形成一覆蓋該閘電極和源極佈線的絕緣 膜；在一絕緣膜上形成一連接佈線和一電極，該連接佈線 -12- (8) 1276019 和電極由同一種材料製成並形成在同一膜澱積表面上；以 及藉由該連接佈線將該源極佈線與該源極電連接。 進一步地，根據本發明所述的另一種結構，一種製作 一半導體裝置的方法的特徵在於包括：在一絕緣表面上形 成一半導體層；在該半導體層上形成一閘極絕緣膜；在該 聞極絕緣膜上形成一源極佈線；在該閘極絕緣膜上、並在 該閘電極與部分半導體層重疊的位置形成一閘電極；藉由 利用該閘電極作爲一掩模，向半導體層中摻雜雜質而形成 一源極和一汲極；形成一覆蓋該閘電極和源極佈線的絕緣 膜；在絕緣膜上形成一連接佈線和一電極，該連接佈線和 電極由同一種材料製成並形成在同一膜澱積表面上；以及 藉由該連接佈線將該源極佈線與該源極電連接，並將該電 極與該汲極電連接。 進一步地’在上述每一種結構中，其特徵在於採用濕 法蝕刻製成該連接佈線和該電極。 【實施方式】 下面將描述本發明所述半導體裝置的實施方式。 根據本發明所述的半導體裝置，包括：液晶顯示裝置 和發光裝置’在任何情況下，形成具有一種結構的元件基 底’在此結構中，有多個薄膜電晶體和電極提供在一基底 上。在液晶顯示裝置的情況下，把一相對的基底根據它們 之間的預先設定的間隙粘合在元件基底上，並且在該間隙 中&E供一電光物質（液晶材料等），從而形成一液晶板。 -13- (9) 1276019 在發光裝置的情況下，藉由在元件基底的一電極（第一電 極）上疊層有機化合物層和一第二電極，而形成一發光元 件，從而獲得一發光板。 根據本發明，可形成如圖1 A至1C或者2A至2(:所 示的佈線連接結構。 圖1 A至1 C所示的結構包括：形成在一基底上的一 TFT，一源極佈線，一閘極佈線（包括一閘電極），一與 TFT電連接的第一電極。本發明的特徵在於上述結構的元 件只由兩種類型的導電膜組成，而且相互連接。要指出的 是，圖1B是沿圖1A所示的俯視圖中的虛線X— X'的剖 視圖，而圖1 C爲沿圖1 A所示的俯視圖中的虛線Y — Y' 的剖視圖。 如圖1B所示，構成TFT的一源極202和一汲極203 的半導體層204形成在基底201上。之後，在半導體層 2 04上，藉由進行構圖，穿過一閘極絕緣膜2〇5形成由一 第一導電膜製成的一源極佈線2 0 6和一閘極線2 0 7。要指 出的是’源極佈線2 0 6形成爲行，從而可與在元件基底的 像素部分的列方向上形成的所有像素電連接，儘管其在圖 式中並未示出。另一方面，所形成的閘極線207呈島狀， 而且對每一像素獨立。而且，作爲一閘極線2 0 7的一部分 並與半導體層2 (Μ重疊的部分與TFT 214的閘電極212相 對應。 進一步地，藉由構圖，穿過一絕緣膜2 0 8，在源極佈 線2 06和閘極線207上形成由第二導電膜形成的連接佈線 • 14 - (10) 1276019 209、210以及第一電極211。 如圖1 B所示’連接佈線2 0 9藉由在絕緣膜2 0 8中形 成的接觸孔（圖中未示出），把源極佈線206與源極202 電連接起來，還有，如圖1C所示，連接佈線210藉由接 觸孔與形成多個島狀的閘極線207電連接。因此，島狀的 閘極線207與連接佈線2 1 0建立了電連接，從而形成一閘 極佈線2 1 3。而且，閘極佈線2 1 3與在元件基底像素部分 的列方向上形成的所有像素電連接。 進一步地，圖2A至2C表示由一第一導電膜製成並 形成島狀的源極佈線，與由第二導電膜製成的連接佈線相 連接的情況，這些與圖1A至1 C所示的情況不同。要指 出的是，圖2B是沿圖2A所示的俯視圖中的虛線X— X' 的剖視圖，而圖2 C爲沿圖2 A所示的俯視圖中的虛線Y —Y'的剖視圖。 同樣地，在一基底301上形成構成一 TFT的一源極 3 02和一汲極3 03的半導體層3 04。之後，在半導體層 3〇4上，藉由實現構圖，穿過一閘極絕緣膜3 05形成由一 第一導電膜製成的一源極線3 0 6和一閘極佈線3 0 7。而且 ’作爲一閘極佈線3 0 7的一部分、並與半導體層3 04重疊 的部分與一 TFT 3 i 4的一閘電極3〗2相對應。要指出的是 ’將閘極佈線3 0 7形成爲行，從而可與在元件基底的一像 素部分的行方向上形成的所有像素電連接，儘管圖式中並 未示出。另一方面，所形成的源極線3 06呈島狀，而且對 每一像素獨立。 -15- (11) 1276019 進一步地，藉由實現構圖，穿過一絕緣聘 極線306和閘極佈線307上形成由一第二導霄 接佈線3 0 9、3 1 0以及第一電極3 1 1。 如圖2 B所示，連接佈線3 0 9藉由在絕緣 成的接觸孔（圖中未示出），把源極線3 06與 連接起來，還有，如圖2 C所示，連接佈線3 孔與設置成多個島狀的源極線3 06建立了電3 島狀的源極線3 06與連接佈線310建立了電3 成一源極佈線3 1 3。而且，源極佈線3 1 3與S 素部分的列方向上形成的所有像素電連接。 實施方式1 在實施方式1中，將描述一種具有在一· 多個TFTS、佈線、和電極，而且最終構成一 置的元件基底結構。要指出的是，圖3表示元 像素部分的結構。 如圖3所示，實施方式1中所述的元件g 像素部分，該像素部分具有一在行方向上設濯 線1 1 7和一電容器佈線1 1 6 ; —在列方向上影 線1 09 ; —在閘極佈線與源極佈線交叉部分 TFT 110，以及一電極（第一電極）和一具； TFT和一 p通道TFT並在圖中未示出的驅動電 藉由使一在行方向上設置的島狀閘極線1 線1 1 5建立電連接可獲得圖3所示的閘極佈 ;3 0 8，在源 :膜形成的連 膜3 0 8中形 源極3 0 2電 1 〇藉由接觸 :接。因此， :接，從而形 :元件基底像 底上形成的 液晶顯示裝 件基底的一 底包括：一 的一閘極佈 置的源極佈 附近形成的 ί 一 η通道 路。 1 8與連接佈 I 1 17，而且 -16- (12) 1276019 與源極佈線109 (包括一閘電極l〇7 )和一電容器電極 1 〇 8類似，形成島狀閘極線Π 8以與一閘極絕緣膜保持接 觸。進一步地，一連接佈線Π 4和一第一電極1 1 3設置在 第一和第二絕緣膜（層間絕緣膜）上，而且連接佈線114 把源極佈線109和TFT 1 10的一源極102電連接起來。要 指出的是，第一電極113與TFT 1 10的一汲極103電連接 〇 採用上述結構，可一次在同一薄膜澱積表面上形成第 一電極1 1 3、連接佈線1 1 4和1 1 5、以及電容器佈線1 1 6 〇 而且，第一電極113的保持電容器由一與一第一電極 1 1 3連接的半導體層1 05和藉由絕緣膜（閘極絕緣膜）與 電容器佈線1 1 6電連接的電容器電極1 0 8組成，該絕緣膜 覆蓋住半導體層105，用作一電介質。 根據本發明，可以設置其數量爲5的掩模，以便形成 該元件基底，該基底包括設有如圖3所示的像素結構的像 素部分和驅動電路。也就是說，第一掩模用於構圖半導體 層105 ;第二掩模用於構圖成源極佈線109、電容器電極 1 08和島狀閘極線1 1 8 ;第三掩模用於在摻雜雜質以提供 P型導電性用以形成驅動電路的p通道TFT時覆蓋η通道 TFT，第四掩模用於形成分別到達半導體層105、島狀閘 極線1 1 8和源極佈線1 09的接觸孔；而第五掩模用於構圖 第一電極1 1 3、連接佈線1 1 4和1 1 5，以及電容器佈線 1 1 6 〇 -17- (13) 1276019 如上所述，在圖3所示的像素結構情況下，可利用很 少數量的掩模製作元件基底。 實施方式2 在實施方式2中，將描述一種元件基底的結構，該結 構與實施方式1所述結構的不同，並且最終構成一發光裝 置。要指出的是，圖8特別表示出一種該元件基底的一像 素部分的結構。 如圖8所示，元件基底包括：一像素部分，該像素部 分設有一在行方向上設置的一閘極佈線62 3 ; —在列方向 上設置的源極佈線6 1 2和一電流源佈線609 ;形成在閘極 佈線62 3與源極佈線612交叉部分附近的TFTs (開關 TFT 6 3 3和電流控制TFT 63 4 );以及一些電極和一具有 一 η通道TFT和一 p通道TFT並在圖中未示出的驅動電 路。 藉由使一在行方向上設置的島狀閘極線（1 ) 624與 連接佈線6 1 8建立電連接可獲得圖8所示的閘極佈線623 。與源極佈線612、電流源線609和一閘極線（2 ) 62 5 ( 包括一閘電極（2 ) 6 1 1 )類似，把島狀的閘極線（1 ) 6 2 4 (包括一閘電極（1 ) 6 1 0 )形成與一閘極絕緣膜保持接觸 。進一步地，與一第一電極622類似，把連接佈線614、 6 1 8、6 1 9和620形成在第一和第二絕緣膜（層間絕緣膜 )上。連接佈線614將電流控制TFT 634的一汲極與電流 源線609電連接起來。連接佈線619在開關TFT 63 3的一 -18- (14) 1276019 汲極603、電流控制TFT 63 4的閘電極（2 ) 61 1和一半導 體層（3 ) 63 0之間建立電連接。連接佈線620將源極佈 線612與開關TFT 633的源極502相互電連接。 採用上述結構，可一次在同一薄膜澱積表面上形成連 接佈線（614、618、619和620 )以及第一電極622。 而且，至於第一電極622的保持電容器，由藉由一絕 緣膜（閘極絕緣膜）與開關TFT 63 3的汲極603和部分電 流源線609連接的半導體層（3 ) 630組成一電容63 5，該 絕緣膜覆蓋住半導體層（2 ) 607，用作一電介質。

根據本發明，可以設置其數量爲5的形成該元件基底 所需的掩模，該基底包括設有如圖8所示的像素結構的像 素部分和驅動電路。也就是說，第一掩模用於構圖半導體 層（1) 606、半導體層（2) 607和半導體層（3) 630; 第二掩模用於構圖成源極佈線612、電流源線609、島狀 閘極線（1 ) 6 2 4和島狀閘極線（2 ) 6 2 5 ;第三掩模用於 在摻雜雜質以提供P型導電性用以形成驅動電路的p通道 TFT時覆蓋η通道TFT，第四掩模用以形成分別到達半導 體層（1) 606、半導體層（2) 607、島狀閘極線（1) 624 、島狀閘極線（2 ) 6 2 5和源極佈線6 1 2的接觸孔；而第 五掩模用於構圖連接佈線（6 1 4、6 1 8、6 1 9和6 2 0 )、第 一電極622。 如上所述，在圖8所示的像素結構情況下，可利用很 少數量的掩模製作元件基底。 -19- (15) 1276019 實施例 下面將描述本發明的實施例。 實施例】 在此實施例中，參照圖4至7描述一種元件基底的製 作方法，該元件基底設有圖3所示實施方式1所述的一像 素部分結構的結構，該像素部分與一 η通道TFT和一 p 通道TFT同時形成在同一基底上。另外，圖4表示圖3 所示的一像素部分結構中沿虛線A - A'的橫向剖視結構。 由於圖3至圖7所採用的符號是相同的，因此它們可適當 地相互參考。 玻璃基底、塑膠基底、陶瓷基底等都可以用做基底 100。而且，也可以採用可在基底表面上形成諸如氧化矽 膜或者氮化矽膜之類絕緣膜的以矽基底或不銹鋼基底爲代 表的金屬基底。當然，也有可能使用石英基底。 可由一氮化矽膜製成的一基底膜，和由一氧化矽膜製 成的基底膜1〇1在基底100的主表面上形成。 藉由電漿CVD或者濺射形成基底膜1〇1，以便防止 對TFTs有害的雜質從基底100擴散到半導體層。由氮化 矽膜製成的基底膜的厚度可以設置爲20至1〇〇奈米，一 般爲50奈米，另外，由氧化矽膜製成的基底膜的厚度可 以設置爲50至500奈米，一般爲150至200奈米。 當然’也可以只形成一種基底膜，即可以是由氮化矽 膜製成的基底膜’也可以是由氧化砂膜製成的基底膜。但 -20- (16) 1276019 是，考慮到TFT的可靠性，發現採用雙層式結構是較 的。 之後，採用諸如電漿CVD、低壓CVD或者濺射等 成型方法在基底膜1 〇 1上形成一非晶半導體膜。所形成 這種非晶半導體膜的厚度爲10至100奈米，一般爲50 米。 矽（S i )、鍺（G e )、矽鍺合金以及碳化矽都可用 非晶半導體膜，另外，也可使用諸如砷化鎵之類的化合 半導體材料。 進一步地，也可以採用同樣的澱積方法形成基底膜 非晶半導體膜，因此最好可連續地形成基底膜1 〇 1、另 還有非晶半導體膜。藉由確保各膜的澱積表面不與空氣 觸，可在形成各種膜之後，防止其表面污染。因此，能 消除TFT特性分散的一個原因。 下一步，藉由採用習知的結晶化技術對非晶半導體 進行結晶化，可使所形成的結晶半導體膜與基底膜1 〇 1 觸。 包含在藉由電漿CVD製成的非晶半導體膜中的氫 比例爲1 〇 %至40 %原子百分數，藉由在結晶化處理之 ，在400至5 00攝氏度下進行熱處理，最好能消除膜內 的氫，把包含在膜中的氫含量降低到5原子百分數甚至 低。而且，也可以採用諸如濺射或者蒸發之類的其他制 方法製成非晶半導體膜，最好能夠充分地減少包含在膜 的諸如氧和氮等雜質的含量。 佳 膜 的 奈 做 物 和 外 接 夠 膜 接 的 前 部 更 膜 中 -21 - (17) 1276019 對非晶半導體膜結晶化的過程，可採用諸如鐳射退火 或者熱退火之類的習知固態生長方法進行結晶。而且，還 可以使用利用一催化元素的熱退火技術製成結晶半導體膜 。另外，如果增加一除氣步驟淸除催化元素，對於使用利 用催化元素的熱退火技術製成的結晶半導體膜來說，可以 得到優良的TFT特性。

在結晶半導體膜上形成抗蝕劑並進行乾法蝕刻，可製 成一種島狀的半導體層105 (參見圖5)。 在半導體層105的表面上形成一以氧化矽或氮化矽爲 其主要成分的閘極絕緣膜106。可藉由電漿CVD或者濺 射製成閘極絕緣膜106，膜厚度爲10至200奈米，最好 爲50至150奈米。

在閘極絕緣膜106上形成一第一導電膜。由從Ta、W 、Ti、Mo、A1、和Cu組成的一組元素中選取一種元素、 或者把這些元素中的一種元素作爲其主要成分的合金材料 或者化合物材料製成第一導電膜。例如，可使用諸如 WMo、TaN、MoTa 和 WSix (其中 2·4<χ<2·7 )之類的化 合物。所製成的第一導電膜的厚度爲1〇至100奈米，.最 好在150和400奈米之間。 要指出的是，儘管在本實施例中使用了由一單層膜製 成的導電膜，但是該實施例並不局限於這種結構。也可使 用一種雙層導電膜作爲其中導電膜之一。在此情況下，由 從Ta、W、Ti、Mo、A1、和Cu組成的一組元素中選取一 種元素、或者把這些元素中的一種元素作爲其主要成分的 -22- (18) 1276019 合金材料或者化合物材料，可製成構成該雙層導電 電材料。特別是，可使用一種依次把氮化鉅膜和鎢 而製成的導電膜。而且，可把通常爲用諸如磷的雜 摻雜的多晶矽膜的半導膜、和A g P d C U合金用作第 膜和第二導電膜。 進一步地’半導體膜並不局限於這種雙層結構 ’可使用一種依次把一鎢膜、一鋁矽（Al-Si )合 一氮化鈦膜層疊而製成的三層結構。另外，如果使 層結構，也可使用氮化鎢取代鎢，使用鋁鈦（Ai. 金膜取代鋁矽（Ai-Si )合金膜，並使用鈦膜取代 膜。 要指出的是，根據導電膜材料選擇一種最優的 法和蝕刻劑的類型是非常重要的。 下一步，在第一導電膜上形成一抗蝕劑膜，並 蝕劑膜作爲一掩模進行蝕刻，之後，形成一電容 1 08、一源極佈線1 09以及一閘極線1 1 8 (參見圖6 這裏，閘極線1 1 8和半導體層1 05相互重疊的部分 閘電極1 07。而且，如果蝕刻之後殘存有殘渣，可 灰化處理。蝕刻之後，可使用脫膜劑剝離抗蝕劑膜 下一步，藉由把閘電極107作爲一掩模，向半 105中摻雜η型雜質元素，可形成一 η型雜質區域 ，衆所周知，磷（Ρ )、砷（As )、銻（Sb )可作 η型雜質元素，但是，在此實施例中可藉由離子摻 入磷（三氫化磷ΡΗ3)。因此，島狀半導體層105 膜的導 膜層疊 質元素 一導電 。例如 金膜、 用一三 Ti )合 氮化鈦 蝕刻方 把該抗 器電極 )。在 就是一 以進行 〇 導體層 。另外 爲一種 雜而摻 中的一 -23- (19) 1276019 部分處摻入磷，而且該部位不與閘電極重疊。最好把雜質 濃度設定在lxlO19至lxl〇21atoms(個原子）/ cm3’在 此實施例中，磷雜質濃度設定爲lxl02Gatmos/cm3。在 此說明書中，雜質濃度表示單位體積（cm3)內雜質原子 的數量，但是爲了方便，在此實施例中使用單位（atmos /cm3) ° 在這裏把所形成的雜質區域用做一源極1 02或者一汲 極1 〇 3。進一步地，藉由部分地減少所添加的雜質數量可 形成一低濃度的雜質區域（LDD區域）1 1 1。 在位於與閘電極107重疊的一部分半導體膜上形成一 通道區域1 〇 4。 下一步，用抗蝕劑覆蓋住半導體層105、閘電極107 和電容電極1 0 8，再另外摻雜給予p型的雜質元素，之後 ，在一驅動電路部分的一半導體層上形成一 p型雜質區域

另外，作爲一種給予P型的雜質元素，衆所周知的有 硼（B )、銘（A1 )、鎵（Ga )，但是，在此實施例中可 藉由離子摻雜而摻入硼（乙硼烷B 2 Η 6 )。在此實施例中 ，摻入硼，從而把雜質濃度設定在 2 X 102G至 2 X 1021atoms(個原子）/ cm3。 藉由去除抗蝕劑，可在設於基底上的像素部分中形成 一 η通道TFT’可分別在驅動電路中形成一 η通道TFT 和P通道TFT。 之後，在閘電極1 0 7、電容器電極1 〇 8和源極佈線 -24- 1276019 * (20) 1 0 9上形成一絕緣膜。在此實施例中，使用設有一疊層結 構的絕緣膜，該疊層結構包括一由無機材料製成的第一絕 緣膜1 1 0和一由有機材料製成的第二絕緣膜n丨。但是， 本發明並不局限於這種由一絕緣膜製成的疊層結構、也可 - 使用一單層結構或者一三層甚至更多層結構。 首先，形成由無機絕緣材料製成的第一絕緣膜〗1 〇。 另外，對於在此使用的一種無機絕緣材料，可使用包含氧 化矽、氮化矽、氮氧化矽等的絕緣材料（圖4 a ) 。 ^ 進一步地，在第一絕緣膜1 1 〇上形成由有機絕緣材料 製成的第二絕緣膜Π 1。另外，對於在此使用的一種有機 絕緣材料’可使用一種感光性或者非感光性的有機材料（ 聚 亞胺、丙烯酸（acryl )、聚胺、抗蝕劑、苯並環 丁燃(benzocyclobutene )等）。

在此實施例中，把一感光性有機絕緣膜用做第二絕緣 膜1 1 1。例如，在使用正性感光丙烯酸的情況下，最好是 僅有一個第二絕緣膜111的上端部分以某一曲率半徑彎曲 H 。對於一感光有機絕緣材料來說，既可使用取決於光束在 蝕刻劑中不能溶解的一負性材料，也可使用取決於光束在 蝕刻劑中溶解的正性材料。 下一步，藉由蝕刻第一絕緣膜1 1 〇、第二絕緣膜11 1 或者閘極絕緣膜可形成一接觸孔.1 1 2。爲了在這裏進行蝕 - 刻，可採用執行一次、或者兩個或多個步驟的乾法蝕刻或 者濕法蝕刻。爲了形成只有第二絕緣膜π 1的上端部具有 一曲率半徑，最好採用濕法蝕刻。而且，該上端部的曲率 -25- (21) 1276019 半徑最好最終設定爲0 · 2至3微米。形成了這種結構，就 能改進在第二絕緣膜111上形成的一導電膜的澱積質量。 所形成的接觸孔可到達源極線109、半導體層1〇5 ( 源極102、汲極103)(圖4B、圖7)。 · 下一步’形成一第二導電膜。爲了形成該第二導電膜 ，使用根據第一電極的形成情況而選擇的材料。特別是， 使用習知爲一種透明導電膜的氧化銦錫（IΤ Ο )，或可使 用由一種ITO和2%至20%的氧化鋅混合物製成的氧化銦 擊 鋅（IΖ Ο )，諸如金（A U )、鉑（P t )、鎳（N i )、鎢（ W)、鉻（Cr ) '鐵（Fe )、鋁（A1 )、鉅（Ta )、鈦（

Ti )之類的元素，或者包括這些元素的化合物。 另外，可藉由把這些材料層疊起來而形成第二導電膜 。例如，還可採用下列方式製成第二導電膜，即沈積一層 包括鋁（A1 ) '鈦（T i )、氮化鈦（T i N )等的膜，使其 厚度可確保其爲半透明的（最多爲10奈米），並可在其 上澱積I Τ Ο膜。這種層疊結構最好可用於降低佈線電阻和 接觸電阻。 在此實施例中，形成由ITO製成的第二導電膜，並在 第二導電膜上形成一抗蝕劑膜，之後，採用濕法鈾刻方法 把抗蝕劑膜用做一掩模而進行蝕刻，之後，形成一第一電 極1 1 3、連接佈線1 1 4以和一電容器佈線1 1 6 (圖4 )。 在這裏，利用連接佈線1 1 4使源極佈線1 09和TFT 1 1 0的 源極1 02彼此電連接，並且利用連接佈線1 1 5把一島狀閘 極線11 8電連接起來，之後，使電容器佈線1 1 6和電容器 -26- (22) 1276019 電極108電連接。 虽構Η桌一導電膜形成第一電極1 1 3、連接佈線1 1 4 、1 1 5以及電容器佈線η 6時，爲了防止它們短路，根據 用於導電膜的材料適當地選擇最佳形狀（線寬等），蝕刻 方法以及蝕刻劑的類型是很重要的。 至此’可形成具有如圖3的俯視表面示意圖所示的像 素部分結構的元件基底。

實施例2 在此實施例中，參照圖9至1 2說明一種元件基底的 製作方法，該元件基底具有實施方式2所述的一像素結構 。另外，圖9表示圖8所示像素部分結構中沿線a 一 a，的 橫向剖視結構。由於圖8至圖1 2所採用的符號是相同的 ，因此它們可適當地相互參照。

可在一基底600上形成一由氮化矽膜製成的基底膜和 一由氧化矽膜製成的基底膜601。除此之外，可使用實施 例1中所採用的相同材料。 下一步，在基底膜601上形成一半導體層（1) 606、 一半導體層（2 ) 607 (圖10 )。藉由採用習知的結晶技 術對採用實施例1所述的同樣方法形成的非晶半導體膜進 行結晶，藉由構圖該結晶半導體膜而形成這些半導體層。 一旦形成了半導體層（1) 606、半導體層（2) 607 和半導體層（3) 63 0,就藉由覆蓋這些半導體層而形成一 閘極絕緣膜6 3 9。另外，在此實施例中，形成由氧化矽製 -27- (23) 1276019 成的閘極絕緣膜6 3 9，但是，也可使用其他習知的絕緣材 在閘極絕緣膜63 9上形成一第一導電膜。由從Ta、W 、T i、Μ 〇、A1、和C u組成的一組元素中選取一種元素、 或者把這些元素中的一種元素作爲其主要成分的合金材料 或者化合物材料製成第一導電膜。例如，可使用諸如 WMo、TaN、MoTa 和 WSix (其中 2·4<χ<2·7)之類的化 合物。所製成的第一導電膜的厚度爲10至100奈米，最 好在1 5 0和4 0 0奈米之間。 在本實施例中，使用了由一單層膜製成的導電膜，但 是本發明並不局限於這種結構。換句話說，也可使用雙層 導電膜作爲其中導電膜之一。特別是，可使用用於形成實 施例1中的第一導電膜的材料。重要的是，根據導電膜的 材料適當地選擇最佳的蝕刻方法以及蝕刻劑的類型。 下一步，在第一導電膜上形成一抗蝕劑膜，並把該抗 倉虫劑膜作爲一掩模進行触刻，之後，形成一電流源線609 、一源極佈線612、一閘極線（1 ) 624以及一閘極線（2 )625 (參見圖1 1 )。閘極線（1 ) 624與閘極線（2 ) 625 重疊的部分變成一閘電極（1 ) 610，而閘極線（2 ) 625 和半導體層（2 ) 60 7重疊的部分變成一閘電極（2 ) 61 1 。而且，如果鈾刻之後殘存有殘餘物，可以進行灰化處理 。蝕刻之後，可使用脫膜劑使抗蝕劑膜剝離。 藉由使用在此形成的閘電極（1 ) 6 1 0和閘電極（2 ) 61 1，向半導體層（1 ) 606和半導體層（2 ) 60 7中摻雜給 -28- (24) 1276019 予η型的雜質元素，可形成一 η型雜質區域。另外’衆所 周知，磷（Ρ )、砷（A s )、銻（S b )可作爲一種η型雜 質元素，但是，在此實施例中可藉由離子摻雜而摻入磷（ 三氫化磷ΡΗ3)。因此，在半導體層（1)606中的一部分 處摻入磷，而且該部位不與閘電極重疊。最好把雜質濃度 設定在lxl〇19至lxl〇21atoms(個原子）/ cm3，在此實 施例中，磷雜質濃度設定爲ΐχΐ 〇2mos/cm3。

在這裏把所形成的雜質區域用做一源極或者一汲極（ 源極6 0 2、汲極6 0 3 )。進一步地，藉由部分減少所添加 的雜質數量可形成一低濃度的雜質區域（LDD區域）。 在位於與閘電極重疊的部分半導體膜上形成一通道區 域。例如，在作爲部分半導體而且不與閘極（1 ) 6 1 0重 疊的位置處形成一通道區域604。

下一步，用抗蝕劑覆蓋住半導體層（1 ) 606和閘電 極（1 ) 61 0，另外摻入給予ρ型雜質的元素，之後，可在 不與閘極（2) 611重疊的部分半導體層（2)上形成一 ρ 型雜質區域。 另外，衆所周知硼（B )、鋁（A1 )、鎵（Ga )可作 爲一種給予P型的雜質元素，但是，在此實施例中可藉由 離子摻雜而摻入硼（乙硼烷B 2 Η 6 )。在此實施例中，摻 入硼，從而把雜質濃度設定在2xl02G至2xl〇21at〇ms ( 個原子）/ cm3之間。 在這裏把所形成的雜質區域用做一源極或者一汲極（ 源極6 1 3 '汲極6 0 8 )。進一步地，藉由部分減少所添加 -29- (25) 1276019 的雜質數量可形成一低濃度的雜質區域（LDD區域 在與閘電極（2) 611重疊的部分半導體層（2) 607 成一通道區域。 藉由去除抗蝕劑，可在設於基底上的像素部分中 一由一 η通道TFT形成的開關TFT和一由—p通道 形成電流控制T F T，可分別在一驅動電路部分中形成 通道TFT和p通道TFT。另外，對於用於形成開關 和電流控制TFT的TFT來說，不一定在上述組合中 ;在其大多數合適的組合中，可適當地使用n通道 或者Ρ通道TFT。 下一步，在閘電極（1 ) 6 1 0、閘電極（2 ) 6 1 1 極佈線6 1 2上形成一絕緣膜。在此實施例中，使用一 月旲作Μ絕緣膜’該豐層膜包括一由無機絕緣材料製成 第一絕緣膜6 1 5和一由有機絕緣材料製成的一第二絕 6 1 6。但是，本發明並不局限於這種由絕緣膜製成的 結構，也可使用一單層結構或者一三層甚至更多層結; 首先，形成由無機絕緣材料製成第一絕緣膜61 5 於在此使用的一種無機絕緣材料，可使用諸如氧化矽 化矽或者氮氧化矽之類的包含矽的絕緣材料（圖9Α ) 進一步地’在第一絕緣膜615上形成由有機絕緣 製成的第二絕緣膜6 1 6。對於在此使用的一種有機絕 料，可使用一種感光性或者非感光性的有機材料（聚 胺、丙烯酸（acryl )、聚 胺、抗蝕劑、苯並環丁 benzocyclobutene)等)〇 )° 上形 形成 TFT 一 η TFT 形成 TFT 和源 疊層 的一 緣膜 疊層 m ° 。對 、氮 〇 材料 緣材 亞 烯（ (26) 1276019 在此實施例中’採用一感光性有機絕緣材料用做第二 絕緣膜6 1 6。在此情況下’例如，在使用正性有機丙嫌酸 時，最好是只有一個第二絕緣膜的上端以某一曲率半徑彎 曲。另外’對於一感光有機絕緣材料來說，既可使用取決 於光束變得在蝕刻劑中不可溶解的一負性材料，也可使用 取決於光束變得在蝕刻劑中可溶解的正性材料。 下一步’藉由鈾刻第一絕緣膜6 1 5 '第二絕緣膜6 1 6 或者閘極絕緣膜可形成一接觸孔6 1 7。爲了進行鈾刻可採 φ 用乾法蝕刻或者濕法蝕刻，可執行一次、或者兩個或多個 步驟。爲了形成只在第二絕緣膜616的上端部具有一曲率 半徑，最好採用濕法鈾刻。而且，該上端部的曲率半徑最 好最終設疋局〇. 2微米至3微米。形成了這種結構，就能 改進在第二絕緣膜616上形成的一導電膜的澱積質量。 所形成的接觸孔6 1 7可到達源極線6 1 2、半導體層（ 1) 606(源極602、汲極603)、半導體層（2) 607(源 極 613、汲極 608)(圖 9B' 圖 12)。 @ 下一步，形成一第二導電膜。爲了形成該第二導電膜 ’使用根據第一電極的形成情況而選擇的材料。特別是， 可以使用習知爲一種透明導電膜的氧化銦錫（ITO )，由 ITO和2%至20%的氧化鋅的混合物製成的氧化銦鋅（ IZO )，諸如金（An )、鉑（Pt )、鎳（Ni )、鎢（W ) · 、鉻（Cr)、鐵（Fe)、鋁（A1)、鉅（Ta)、鈦（Ti ) 之類的元素，或者包括這些元素的化合物。 另外，可藉由把這些材料層疊起來而形成第二導電膜 -31 - (27) 1276019 。例如，還可採用下列方式製成第二導電膜，即沈積一層 包括鋁（A1 )、鈦（Ti )、氮化鈦（TiN )等的膜使其厚 、 度可確保其爲半透明的（最多爲1〇奈米），並在其上澱 積ITO膜。這種層疊結構最好可用於降低佈線電阻和接觸 ' 電阻。 在此實施例中，形成由ITO製成的第二導電膜，並在 第二導電膜上形成一抗蝕劑膜，之後，把抗蝕劑膜用做一 掩模而進行蝕刻，之後，製成一第一電極622、連接佈線 φ 614、618、619和 620(圖8、9〇。在這裏，利用連接 佈線6 1 4使一電流控制TFT 6 3 4的源極6 1 3和一電流源線 6 〇 9彼此電連接，並且利用連接佈線6 1 8把一島狀閘極線 (1 ) 624電連接起來，之後，利用連接佈線61 9把開關 TFT 6 3 3的汲極603、電流控制TFT 63 4的閘電極（2 ) 611以及半導體層（3) 630電連接起來，再之後，利用連 接佈線620把源極佈線612和開關TFT 63 3的源極602電 連接起來。 βι 當構圖第二導電膜形成第一電極6 2 2、連接佈線6 1 4 、618、619和620時，爲了防止它們短路，根據用於導 電膜的材料適當地選擇採用最佳形狀（線寬等）、蝕刻方 法以及蝕刻劑的類型是很重要的。 至此’可形成具有如圖8的俯視表面示意圖所示的具 · 有像素部分的元件基底。 當在本實施例中的圖8所示的元件基底上形成一發光 兀件的情況下’該元件基底具有圖9 D所示的結構。 -32- (28) 1276019 因此，藉由在包含在該兀件基底中的第一電極622上 形成由有機化合物製成的一有機化合物層627，和藉由在 . 該有機化合物層627上形成一第二電極628，可製成一發 光元件629。最好是，用圖9D所示的一層絕緣膜63 1覆 蓋第一電極622的端部，以防止有機化合物層62 7中的有 機化合物由於第一電極6 2 2端部的電量密集而受損。採用 與先前形成的第二絕緣膜6 1 6相同的一種感光有機絕緣材 料形成絕緣膜6 3 1，藉由去除與第一電極重疊的部分可把 _ 絕緣膜631上端部的曲率半徑最佳設定爲〇.2微米至3微 米。形成了這種結構，就能改進將在下面形成的有機化合 物層62 7的澱積質量。 Μ 了形成有機化合物層627，可使用一低分子有機化 合物材料或者一高分子有機化合物材料。另外，該有機化 合物材料不但包含習知的有機化合物材料，而且包含包括 部分無機化合物的有機化合物材料。 錯由層覺一電洞傳輸材料、一發光材料、一電子傳輸 材料、一阻擋材料、以及一諸如電洞注入材料之類的函數 性材料，可潑積成該有機化合物層627。在本發明中，有 機化合物層的疊層結構可很隨意地組合任何材料。最好是 下面所述的材料。但是，本發明所使用的材料並不局限於 &些材料。而且，並不局限於上面所提及的函數性材料， ， 也可使用其他習知的函數性材料。 方族胺基化合物（即那些具有苯環氮鍵的化合物）可 適用於該電洞傳輸材料。廣泛使用的材料包括：星爆式（ -33- (29) 1276019 starburst )芳族胺化合物，例如：衍牛^

1J疋物的4,4, 一雙〔N 一（1 一蔡基）一 N-本氣基〕聯苯（以 W下稱作α - N P D ) 苯胺（以下稱作 一甲基苯基 ;4,4’，4’’ 一三（Ν，Ν -聯苯氨基）s TDATA );以及 4,4，，4” 一三〔Ν 〜」 以下稱作 methy lphenyl ) ) — N 苯胺〕— 〜本Η女 MTDATA)以及其上述TPD。 特別是，有效的發光材料是各_光顔料以及金屬絡 合物，例如：三（8 —羥基喹啉）鋁（以下稱作Aiq3 )， 三（4—甲基—8一羥基D奎啉）鋁（以下稱作ΑΜ。），二 (ίο —羥基苯〔h〕 一羥基鸣啉）（bis ( 10 — hydroxybenzoth]— quin〇linato) berylHum 鈹 以下稱作 BeBq2’ 一（2 —甲基一 8 — D奎啉醇）—（4一羥基—聯苯） 銘（bis ( 2 - methyl — 8 - quinolinolate) — ( 4 - hydroxy —biphenylyl) aluminum，以下稱作 BAlq)，二〔2— ( 2 -羥苯基）—苯並噁唑〕鋅（bis[2— ( 2 — hydr〇xyphenyl )—benZ〇Xaz〇lato]zinc 以下稱作 Zn ( B〇x) 2)、以及 一〔2 - （2 -趣苯基）一苯並噻卩坐〕鋅（bis[2 一 （2 — hydroxyphenyl) - benzothiazolato]zinc 以下稱作 Zn ( BTZ ) 2 )。另外，也可使用三重發光材料，也可使 用金屬絡合物’每一金屬絡合物都包含作爲中心金屬的鉑 或者銀。三重發光材料包括··三（2 一苯基吡啶）銥）以 下稱作 Ir(PPy) 3) ; 2,3,7,8,12，13，17，18—八乙基—2111 ’ 2 3 H 口卜琳鉑（以下稱作P t Ο E P )等。 具有用做一混合配合基的絡合物的諸如上述Alq3、 •34- (30) 1276019

Almq3以及BeBq2、BAlq之類的啉骨架或者苯並啉骨 架的金屬絡合物等，是合適的電子傳輸材料。具有諸如 Zn(BOX)2和Zn(BTZ)2的d坐基配合基或者噻D坐基配 合體的金屬絡合物也很適用。而且，除了金屬絡合物之外 ’還可使用諸如2— (4 -聯苯基）一 5一 （4 一叔—丁基 苯）—1，3,4 一噁二唑（以下稱作ρΒ〇 )和u 一二〔5 一 (P-叔—丁基苯）一 1，3,4一噁二唑一 2— yl〕苯（；[，3 -bis[5- ( P- tert- butylphenyl ) - 1 ? 3 5 4 - 〇 χ a d i a ζ ο 1 e - 2 —yUbenzene，以下稱作〇XD 一 7 )之類噁二唑衍生物， 諸如3— (4-叔丁基苯）一 4一苯一 5一（4 一聯苯基）一 -二口坐（3- (4 - tert - butylphenyl) — 4 - phenyl -5— (4 — biphenylyl) — i，2,4 — triazole，以下稱作 TAZ) 和 3— (4 —叔丁基苯）一 4— (4 一乙烷基苯）一 5 -（4 —聯本基）—1，2,4一 二 D坐（3— (4 — tert - butylphenyl) —4— ( 4 — ethylpheny 1 ) — 5 — ( 4 — biphenylyl) — 1，2,4 —triazole ’以下稱作p — EtTAZ )之類的三唑衍生物，以 及諸如紅菲繞啉（以下稱作B p h e η )和浴銅靈（以下稱作 BCP )之類的菲咯啉衍生物。 進一步地’在有機化合物的框架內，卟啉基化合物作 爲電洞注入材料也是有效的，因此可使用 菁（以下稱作 H^Pc )、銅 菁（以下稱作CuPc )等。另外，藉由對導 電聚合化合物執行化學摻雜處理獲得的一些材料也是有效 的，從而可使用摻雜有聚苯乙烯磺酸鹽（以下稱作p s s ) 的聚亞乙基一氧基噻吩（dioxythiophene)(以下稱作 -35- (31) 1276019 PEDOT)、聚苯胺’聚乙烯嘮唑（以下稱作PVK)等。 進一步地’可把上述 BAlq、OXD-7、TAZ、p-EtTAZ 、：Bphen、BCP等用做阻擋材料。 在此實施例中’由I Τ Ο和具有等於或小於4.5 e v逸出 功的陽極材料形成第一電極622，使第一電極622用做發 光元件629的陽極。因此，可使用陰極材料用做一陰極形 成藉由與第一電極622把有機化合物層627夾住的第二電 極628，該陰極具有等於或小於3.8eV的逸出功。具體地 說，可使用元素周期表的第1族或第2族中的元素，即諸 如L i和C s之類的鹼金屬，諸如M g、C a和S r之類的鹼 土金屬，包括這些元素在內的合金（Mg : Ag，A1 : Li ) 和化合物（LiF，CsF，CaF2 )、另外還有包括稀土金屬在 內的過渡金屬。也可形成帶有諸如Al、Ag或IT0 (包括 合金）之類金屬的疊層。 具體地說，除了 IT0之外，由一透明材料的氧化銦和 2 %至2 0 %的氧化鋅組成的混合物製成的氧化銦鋅（IZ 0 )，諸如金（Au )、鈾（Pt )、鎳（Ni )、鎢（W )、鉻 (Cr )、鉬（Mo)、鐵（Fe)、鈷（Co)、銅（Cu)、 鈀（Pd )之類的元素，氮化物金屬材料（TiN )等可用做 具有等於或小於4.5eV逸出功的陽極材料。 而且，由於採用半透明的ITO (具體地說，可見光下 的透射率不低於40%)形成第一電極622’採用由CaF2 和A1疊層製成的、具有遮光作用的導電膜（具體地說， 可見光下的透射率低於10%)形成第二電極。這裏，所 (32) 1276019 形成的CaF2的厚度爲2奈米，所形成的Al厚度爲200奈 米。如果不能達到足夠的遮光作用，可把A1的厚度製作 . 得更厚。因此，有機化合物層62 7中産生的光可從第一電 極發射到兀件基底一側（底部發射）。 但是’本發明並不局限於這種結構，還可形成以下結 構，即：藉由利用遮光陽極材料形成第一電極6 2 2、利用 半透明陰極材料形成第二電極628，而使有機化合物層 6 2 7中産生的光發射到元件基底的相對一側的結構（頂部 φ 發射）；或者藉由利用半透明陰極材料形成第一電極622 、利用遮光陽極材料形成第二電極628，而使有機化合物 層6 2 7中産生的光發射到元件基底的結構（底部發射）。 根據爲上述第一電極62 2所選擇的材料，可採用與第 一電極相同的材料形成連接佈線614、618、619、620。 因此’可採用與形成第一電極6 2 2和連接佈線6丨4、6 1 8 、6 19、620相同的材料形成第二導電膜。爲了形成第二 導電膜，不僅最好選擇用於形成第一電極（逸出功不小於 4.5eV的陽極材料，或者逸出功小於3.8eV的陰極材料） 的材料，而且最好選擇導電性能良好的材料。 實施例3 在此貝施例中，說明一最終形成一液晶顯示裝置的元 件基底的結構，該元件基底與實施例〗所述的元件基底相 同，但是與實施例1所述的結構不同。圖！ 3中具體表示 出一元件基底的像素部分的結構。 -37- 1276019 ^ (33) 如圖1 3所示，該元件基底包括：一佈置在一行方向 上的閘極佈線1 3 1 7 ; —佈置在列方向上的電容器佈線 1 3 1 6、源極佈線1 3 0 9 ; —設有T F T 1 3 1 0的像素部分，該 像素部分形成在閘極佈線和源極佈線相互交叉的部位附近 ' ;以及一設有一 η通道TFT和一 p通道TFT的驅動電路 (未示出）。 圖13所示的源極佈線1 3 09利用一連接佈線1315與 在行方向上佈置的一島狀源極線1 3 1 8電連接。所形成的 φ 島狀源極線1 3 1 8與閘極佈線1 3 1 7 (包括閘電極1 3 07 )和 電容器佈線1 3 1 6 —樣與閘極絕緣膜的表面接觸。另外， 連接佈線1 3 1 5與第一電極1 3 1 3 —樣形成在第一和第二絕 緣膜（層間絕緣膜）上。連接佈線1 3 1 5電連接島狀源極 線1 3 1 8，還使源極佈線1 3 09和TFT 1 3 1 0的源極1 3 02相 互電連接。第一電極1313與TFT 1310的汲極1303電連 接。 藉由形成這種結構，可同時在同一膜的澱積表面上形 成第一電極1 3 1 3和連接佈線1 3 1 5。 半導體層1305形成一第一電極1313的儲存電容器， 該半導體層藉由把一覆蓋該半導體層1305的絕緣膜（閘 極絕緣膜）作爲電介質而連接到第一電極1313和電容器 佈線1 3 1 6。 - 在此實施例中，掩模的數量爲5，需要該數量的掩模 形成具有一有一圖1 3所示的像素結構的像素部分和一驅 動電路的元件基底。也就是說’第一掩模用於構圖半導體 -38 - (34) 1276019 餍1 3 05 ;第二掩模用於構圖源極佈線1317、電容器 1 3 1 6、和島狀源極線1 3 0 8 ;第三掩模在摻雜P型雜 素以形成驅動電路的P通道TFT時用於覆蓋η通道 :第四掩模用於形成分別到達半導體層1 3 0 5、島狀 線1 3 0 8和閘極佈線1 3 1 7的接觸孔；而第五掩模用於 成第一電極1 3 1 3和連接佈線1 3 1 5。 如上所述，在形成圖1 3所示的像素結構情況下 可利用很少數量的掩模製作元件基底。 實施例4 在此實施例中，說明一形成有一發光裝置的元件 的結構，該元件基底與實施例2所述的元件基底相同 是與實施例2所述的結構不同。圖1 4中具體表示出 件基底的像素部分的結構。 如圖1 4所示，該元件基底包括··一佈置在一行 上的閘極佈線1 423 ; —佈置在列方向上的源極佈線 ;一設有TFT (—開關TFT 1 43 3和一電流控制TFT )的像素部分，該像素部分形成在一閘極佈線、一源 線和一具有一 η通道TFT和一 p通道TFT的相互交 部位附近。 圖1 4所示的源極佈線1 4 1 2表示利用一連接 1418與在列方向上佈置的一島狀源極線！ 424電連接 外’電流源線1 409表示利用一連接佈線1 426與一佈 一列方向上的島狀電源線1 425電連接。所形成的島 佈線 質元 TFT 源極 構圖 ，也 基底 ，但 一元 方向 14 12 143 4 極佈 叉的 佈線 。另 置在 狀源 (35) 1276019

極線1 4 2 4和一電源線1 4 2 5與閘極佈線1 4 2 3和一鬧極線 1 42 7 (包括閘電極（2 ) 1 4 1 1 ) —樣與絕緣膜的表面接觸 。另外，連接佈線 1414、1418、1420、1426與第一電極 1 4 1 9 一樣形成在第一和第二絕緣膜（層間絕緣膜）上。 連接佈線1414使一電流控制TFT 1 434的汲極和一電流源 線1 409相互電連接。連接佈線1 420使一開關TFT 1433 的汲極1403、電流控制TFT 1434的閘電極（2) 1411和 半導體層（3 ) 1 4 3 0電連接。連接佈線1 4 1 8使源極佈線 1412和開關TFT 1 43 3的源極1402電連接。 藉由形成這種結構。可在同一膜的澱積表面上同時形 成連接佈線（1414、 1418、 1420、 1426、 1427)和第一電 極 1 4 1 9。

第一電極1419的儲存電容器由連接到開關TFT 1433 的汲極1 403的半導體層以及形成部分電流源線1 409的電 容器1 407藉由把一覆蓋該半導體層（3 ) 1 43 0的絕緣膜 (閘極絕緣膜）作爲電介質而形成。 掩模的數量爲5，需要該數量的掩模形成具有如圖J 4 所示的一像素結構的像素部分和具有一驅動電路的元件基 底。也就是說，第一掩模用於構圖半導體層（1) 1405、 半導體層（2) 1413、半導體層（3) 1430;第二掩模用於 構圖閘極佈線1 423、島狀源極線1 424、島狀電源線142 5 和島狀閘極線（2) 1427;第三掩模在摻雜p型雜質元素 以开^成驅動電路的p通道TFT時用於覆蓋η通道tft; 第四掩模用於形成分別到達半導體層（1 ) 1 405、半導體 -40- (36) 1276019 層（2) 1413、島狀源極線1 424、島狀電源線1 425、島狀 閘極線（2 ) 1 42 7和閘極佈線1 423的接觸孔；而第五掩 模用於構圖連接佈線（1414、141 8、1 420、1 426 )和第一 電極1 429。 如上所述，在形成圖1 4所示像素結構的情況下，可 利用很少數量的掩模製作元件基底。 實施例5 該實施例參照圖1 5說明利用一具有一實施例1所示 的像素部分的結構的元件基底形成的一種液晶顯示裝置的 結構。 如圖1 5所示，在元件基底上形成一取向膜1 5 1 9，而 且對該取向膜進行打磨處理。在所需的位置設有由一種有 機樹脂製成的柱狀隔離物1 5 2 1，可保持基底有一定間隔 。同時，可顛倒隔離物1 5 2 1和取向膜1 5 1 9的形成順序。 之後，一反向基底1528設有彩色層1523(1523a、 1523b)、一平滑膜1524、以及一由一透明導電膜在一基 底1 5 2 2上形成的對向電極1 5 2 5。對於彩色層1 5 2 3來說 ，設有紅色層1523a、藍色層1523b、以及一綠色層（未 示出）。可將這些彩色層部分重疊形成一遮罩部分。對向 電極1525形成在成爲一像素部分的平滑膜1524上。取向 膜1526設置在對向電極1525上。 接下來，利用一密封劑（未示出）把元件基底1 5 〇 1 和反向基底1 5 2 8相互粘結起來。密封劑中具有混合在其 -41 - (37) 1276019 內的塡充劑，並且利用塡充劑和隔離物以均勻的間隔（最 好爲0.2微米至3.0微米）把這兩種基底粘結起來。之後 ’在這兩種基底之間注入液晶材料，並使用端部密封材料 (未示出）實現基底的完全密封。可使用一種習知的液晶 材料1 5 2 7。 在使用圖1 5所示結構的情況下，照射在反向基底 1 5 2 8的表面上的入射光由液晶材料1 5 2 7調製，並從元件 基底1 5 0 1側發出。 在本發明中，由一種具有反射性的金屬膜（具體說是 鋁（合金）膜等）形成第一電極。在此情況下，照射在反 向基底1 5 2 8側表面上的入射光由液晶材料1 5 2 7調製，並 從反向基底1 5 2 8側發出。在採用這種結構的情況下，由 於光束並不穿過第一電極的底部發射，因此可提供一記憶 元件、一電阻元件等。 當採用實施例3所述的元件基底的情況下，可實現在 此實施例中所述的液晶顯不裝置的結構。 實施例6 在本實施例中，參照圖1 6說明利用一具有一實施例 2和4所示像素部分的結構的元件基底形成的一種發光裝 置的結構。 圖16A表示發光裝置的俯視圖；圖16B表示沿圖 16A中的 A— AS線的剖視圖。參考標號 1601表示一源極 側的驅動電路，這部分用虛線表示；像素部分爲1 602 ; -42- (38) 1276019 閘極側驅動電路爲1 6 0 3 ;封裝外殻爲1 6 0 4 ;密封劑爲 1 605。由密封劑1 60 5包圍的內部爲一空腔1 607。 參考標號1 608表示用於傳輸輸入到源極側驅動電路 1 6 0 1的和閘極側驅動電路1 6 0 3的信號的佈線。佈線〗6 〇 8 從一將成爲一外部輸入端的撓性印刷電路（FPC ) 1 609接 收視頻信號或者時脈信號。儘管只表示出F P C，但是它仍 然可與一外部電源電連接。 下面參照圖1 6 B，說明一截面結構。驅動電路和像素 部分設置在基底1610上，但是圖16B中表示出作爲其中 一個驅動電路的源極側驅動電路1 6 0 1和像素部分1 6 0 2。 在源極信號線驅動電路1 6 0 1中，形成一其內包括一 η通道型的TFT 1613和一 p通道型的TFT 1614相結合的 CMOS電路。組成該驅動電路的TFT可由習知的CMOS電 路、PM0S電路或者NM0S電路構成。在此實施例中，表 示出其內的驅動電路設置在基底上的集成型驅動器，但是 並不必要採用這種集成型驅動器。可以不把驅動器設置在 基底上，而是設置在外部。 組成像素部分1 602的多個像素包括：一從源極側驅 動電路輸入視頻信號的開關TF T 1 6 1 1 ; —其函數爲控制 發光元件發光的電流控制TFT 1 6 1 2 ;以及一連接電流控 制TFT 1612的汲極的第一電極（陽極）1613。 在第一電極1 6 1 3的兩側都設有絕緣層1 6 1 4，而且一 有機化合物層1615設置在第一電極1613之上。而且，一 第二電極1616設置在有機化合物層1615上。這樣，可形 -43 - (39) 1276019 成包括第一電極（陽極）1613、有機化合物層1615和第 二電極（陰極）1616的發光元件1618。 、 一輔助電極1617設置在第二電極（陰極）1616上。 而且該輔助電極1 6 1 7藉由F P C 1 6 0 9將外部電源電連接到 一連接線1 6 1 7和連接器。 爲了密封設置在基底1 6 1 0上的發光元件1 6 1 8，封裝 外殼1 604利用密封劑1 605粘結在基底1610上。可設置 一由一種樹脂膜製成的隔離物，以在封裝外殼1 604和發 φ 光元件1 6 1 8之間保持一給定的間隔。向密封劑1 6 0 5的空 隙1 60 7內注入氮氣之類的惰性氣體。最好使用環氧樹脂 作爲密封劑1 605。密封劑1 605需要由使盡可能少的水含 量或者氧氣藉由的材料製成。在封裝外殻1604的部分中 ，在由封裝外殼1 604和一膜1 620密封的空間內設有乾燥 劑。乾燥劑可藉由膜1 6 2 0吸收空間1 6 0 7中的濕氣。 在此實施例中，封裝外殼甩於封裝基底，作爲其他封 裝方法’還可使用一玻璃基底、石英基底、或者由玻璃纖 €1 維增強塑膠（FRP )、聚氟乙烯（PVF ) 、Mylar、聚脂、 聚丙烯酸樹脂製成的塑膠基底。使用密封劑1 6 〇 5把封裝 外殼1 6 0 4粘結到基底1 6 1 0上之後，就可施加密封劑蓋住 ， 側表面（暴露的表面）。 如上所述，發光元件密封在空間1 6 0 7中，從而可從 外部完全隔離發光元件’可防止諸如濕氣或者氧氣之類的 、加速有機化合物層變質的材料從外部浸入這一層。因此 ，可製成可靠性很高的發光裝置。 -44- (40) 1276019 實施例7 利用本發明所形成的實施例丨至4中所述的元件基底 可用做實施例5或6所示的各種半導體裝置（主動矩陣液 晶顯示裝置、主動矩陣發光裝置、主動矩陣Ec裝置等） 。可錯由在其內引入這些顯示裝置而實現某些電子應用。 所給定一些電子應用的實例有：攝影機、數位照相機 、護目鏡式顯示器（頭戴式顯示器）、導航系統、音頻再 生裝置（例如汽車音響和音響部件）、筆記型電腦、遊戲 機 '可攜式資訊端點（例如行動電腦、蜂巢電話、可攜式 遊戲機以及電子書）、設有記錄媒體的影像再生裝置（特 別是設有能再生記錄媒體中的資料例如顯示資料影像的數 位化視頻光碟（DVD )的顯示裝置的裝置）。特別是，在 可攜式資訊端點的情況下，由於很可能從傾斜方向觀看的 可攜式資訊端點通常需要有很寬的視角，因此最好使用這 種發光裝置。這些電子應用的具體實例圖示在圖17A至 17H 中。 圖17A表示一顯示裝置，該顯示裝置包括一外殼 2001、一支撐底座2002、一顯示構件2003、揚聲器構件 20 04、一視頻輸入端子2005等。可藉由把根據本發明製 造的半導體裝置應用爲顯示構件2003而形成該顯示裝置 。該顯示裝置是指用於顯示資訊的所有顯示裝置’包括用 於個人電腦、用於TV廣播接收、和用於廣告的顯示裝置 -45- (41) 1276019 圖1 7 B表示一數位靜態照相機，該照相機包括一主體 2 1〇1、一顯示構件2102、一影像接收構件2103、操作鍵 2104、一外部介面2105、一快門2106等。藉由把根據本 發明製造的半導體裝置應用於顯示構件2102而形成該數 | 位靜態照相機。 圖1 7 C表示一個人筆記型電腦，該電腦包括一主體 2201、一外殼2202、一顯示構件2203、一鍵盤2204、一 外部介面2205、一指向滑鼠2206等。藉由把根據本發明 φ 製造的半導體裝置應用於顯示構件2203而形成該個人筆 記型電腦。 圖1 7 D表示一行動電腦，該電腦包括一主體2 3 0 1、 —顯示構件2302、一開關2303、一操作鍵2304、一紅外 埠2305等。藉由把根據本發明製造的半導體裝置應用於 顯示構件23 02而形成該行動電腦。 圖17Ε表示一設有一記錄媒體的可攜式影像再生裝置 (具體來說是一 DVD播放器）。該裝置包括一主體2401 、一外殻2402、一顯示構件A 2403、一顯示構件B 2404 、一記錄媒體（D V D等）讀取構件2 4 0 5、一操作鍵2 4 0 6 、揚聲器構件2 4 0 7等。顯示構件A 2 4 0 3主要顯示影像資 ， 訊，而顯示構件B 24 04主要顯示文本資訊。藉由把根據 本發明製造的半導體裝置應用於顯示構件A 2403和顯元 ' 構件B 2 4 0 4而形成該可攜式影像重放裝置。設有一記錄 媒體的影像再生裝置還包括家用視頻遊戲機。 圖1 7 F表示一護目鏡式顯示裝置（頭戴式顯示器）， •46· (42) 1276019 該護目鏡式顯示裝置包括一主體25 0 1、顯示構件2502、 懸臂構件2 5 03。藉由把根據本發明製造的半導體裝置應 用於顯示構件25 02而形成該護目鏡式顯示裝置。

圖1 7G表示一視頻照相機，該視頻照相機包括一主 體2601、一顯示構件2602、一外殼2603、一外部介面 26 04、一遙控接收構件2605、一影像接收構件2606、一 電池2607、一音頻輸入構件2 608、一操作鍵2 609、目鏡 部分2610等。藉由把根據本發明製造的半導體裝置設置 在顯示構件2602上而形成該視頻照相機。 _ 圖17H表示一蜂巢電話，該蜂巢電話包括一主機 270 1、一外殼2702、一顯示構件2703、一音頻輸入構件 2704、一音頻輸出構件270 5、操作鍵2706、一外部介面 2707、一天線2708等。藉由把根據本發明製造的半導體 裝置設置在顯示構件2703上而形成該蜂巢電話。如果顯 示構件2703在黑色背景上顯示白色字母，則蜂巢電話耗 能較低。 * 如果將來從有機材料發射的光束亮度增加了，可藉由 穿過一透鏡把包含影像資訊的輸出光束進行放大並投射該 光束，而可在正向和背向投影儀中使用該發光裝置。 如上所述，採用本發明所述的澱積裝置製造的半導體 裝置的應用範圍非常廣泛，可以應用到任何領域中的電子 應用中。可藉由自由組合實施例1至6中的任何實施例而 實現本實施例的電子應用。 根據本發明，在把各佈線（源極佈線、汲極佈線等） •47- (43) 1276019

在元件基底上以行方向和列方向形成的情況下，行方向和 列方向上的各佈線之一就會在佈線相互交叉的部分不連續 地形成，而且在佈線上形成絕緣膜。因此，該連接佈線是 由與形成電極相同的膜形成的，電極穿過絕緣膜中形成的 開口部分（接觸孔）設置在絕緣膜上。於是，將不連續的 佈線連接起來，從而能夠形成連續的佈線。因此，可形成 交叉佈線，同時避免了現有技術中所述的在不同層上由一 導電膜形成的交叉佈線。結果，減少了許多步驟，並提高 了産量，降低了製作成本。 【圖式簡單說明】 圖1 A至1 C是用於解釋根據本發明所述的佈線之間 的連接關係的示意圖； 圖2A至2C是用於解釋根據本發明所述的佈線之間 的連接關係的示意圖； 圖3是用於解釋根據本發明製作的一種元件基底的示 Φ 意圖； 圖4A至4C是用於解釋該元件基底的製作步驟的剖 視圖； 圖5是用於解釋該元件基底的製作步驟的俯視圖； 圖6是用於解釋該元件基底的製作步驟的俯視圖； · 圖7是用於解釋該元件基底的製作步驟的俯視圖； 圖8是用於解釋根據本發明製作的一種元件基底的示 意圖； -48 - (44) 1276019 圖9 A至9 D是用於解釋該元件基底的製作步驟的^ 視圖； 圖1 0是用於解釋該元件基底的製作步驟的俯視圖’ 圖1 1是用於解釋該元件基底的製作步驟的俯視圖·’ 圖12是用於解釋該元件基底的製作步驟的俯視圖； 圖1 3是用於解釋根據本發明製作的一種元件基底的 示意圖；

圖14是用於解釋根據本發明製作的一種元件基底的 示意圖； 圖1 5是用於解釋根據本發明製作的一種液晶顯示裝 置的示意圖； 圖16A和16B是用於解釋根據本發明製作的一種發 光裝置的示意圖； 圖17A至17H是表示電子設備的幾種實例的圖。 主要元件對照表 100 基底 10 1 基底膜 102 源極 103 汲極 104 通道區域 105 島狀半導體層 105 半導體層 106 閘極絕緣膜 _ -49- (45)1276019 107 閘電極 108 電容器電極 109 源極佈線 110 第一絕緣膜 110 TFT 111 第二絕緣膜 112 接觸孔 113 第一電極 1 14 連接佈線 115 連接佈線 115 半導體層 116 電容器佈線 117 閘極佈線 118 島狀閘極線 118 閘極線 201 基底 202 源極 203 汲極 204 半導體層 205 閘極絕緣膜 206 源極佈線 207 閘極線 208 絕緣膜 209 連接佈線

_ -50 (46)1276019 2 10 連接佈線 2 11 第一電極 2 12 閘電極 2 13 閘極佈線 2 14 TFT 301 基底 302 源極 3 03 汲極 304 半導體層 305 閘極絕緣膜 306 源極線 307 閘極佈線 308 絕緣膜 309 連接佈線 3 10 連接佈線 3 11 第一電極 3 12 閘電極 3 13 源極佈線 3 14 TFT 502 源極 600 基底 601 基底膜 602 源極 603 汲極 -51 (47)1276019 604 通道區域 606 半導體層 607 半導體層 608 汲極 609 電流源線 6 10 閘電極 6 11 閘電極 6 12 源極佈線 6 13 源極 6 14 連接佈線 6 15 第一絕緣膜 6 16 第二絕緣膜 6 17 接觸孔 6 18 連接佈線 6 19 連接佈線 620 連接佈線 622 第一電極 623 閘極佈線 624 閘極線 624 島狀閘極線 625 島狀閘極線 625 閘極線 627 有機化合物層 628 第二電極 -52- (48) 1276019 630 半導體層 63 1 層絕緣膜 633 開關TFT 634 電流控制 635 電容 639 閘極絕緣 1302 源極 1303 汲極 1305 半導體層 1307 閘電極 1308 島狀源極 1309 源極佈線 13 10 TFT 13 13 第一電極 13 15 連接佈線 13 16 電容器佈 13 17 閘極佈線 13 18 島狀源極 1402 源極 1405 半導體層 1407 電容器 1411 閘電極 1412 源極佈線 1413 半導體層 TFT膜 線 -53 (49)1276019 14 14 連接佈線 14 18 連接佈線 14 19 第一電極 1420 連接佈線 1423 閘極佈線 1424 島狀源極線 1425 島狀電源線 1426 連接佈線 1427 連接佈線 1429 第一電極 1430 半導體層 1433 開關TFT 1434 電流控制TFT 150 1 元件基底 15 19 取向膜 152 1 隔離物 1522 基底 1523 彩色層 1524 平滑膜 1526 取向膜 1528 反向基底 160 1 源極信號線驅動電路 1602 組成像素部分 1603 閘極側驅動電路 -54- (50)1276019 1604 封裝外殼 1605 密封劑 1607 空間 1608 佈線 1609 撓性印刷電路 16 10 基底 16 11 TFT 16 12 TFT 16 13 第一電極（陽極） 16 14 TFT 16 15 有機化合物層 16 16 第二電極 16 17 輔助電極 16 18 發光元件 1620 膜 200 1 外殼 2002 支撐底座 2003 顯示構件 2004 揚聲器構件 2005 視頻輸入端子 2101 主體 2102 顯示構件 2103 影像接收構件 2104 操作鍵

# -55- (51)1276019 2105 外部介面 2 106 快門 220 1 主體 2202 外殼 2203 顯示構件 2204 鍵盤 2205 外部介面 2206 指向滑鼠 23 0 1 主體 23 02 顯示構件 2 3 03 開關 2 3 04 操作鍵 23 05 紅外埠 240 1 主體 2402 外殻 2403 顯示構件A 2404 顯示構件B 2405 讀取構件 2406 操作鍵 2407 揚聲器構件 25 0 1 主體 2 5 02 顯示構件 2 5 03 懸臂構件 260 1 主體 •56 (52)1276019 2602 顯示構件 2603 外殼 2604 外部介面 2605 遙控接收構件 2606 影像接收構件 2607 電池 2608 音頻輸入構件 2609 操作鍵 26 10 目鏡部分 2 70 1 主機 2 702 外殻 2 7 03 顯示構件 2704 音頻輸入構件 2 70 5 音頻輸出構件 2706 操作鍵 2 7 07 外部介面 2 7 0 8 天線、 -57-

Claims (1)

1276019 拾 申請專利範圍

第92 1 1 0 1 9 8號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 5年4月26日修正 1. 一種半導體裝置，包括： 一半導體層，該半導體層包括一源極、一汲極以及一 通道區域； 一在該半導體層上的閘極絕緣膜； 一在該閘極絕緣膜上的源極佈線； 一在該閘極絕緣膜上，並藉由該閘極絕緣膜與通道區 域重疊的閘電極； 一在該源極佈線和閘電極上的絕緣膜； 以及一在該絕緣膜上的連接佈線和一電極，其中： 連接佈線設置在開口部分中，該開口部分設置在絕緣 膜和閘極絕緣膜中，該連接佈線還在源極佈線和源極之間 建立電連接；而且 在同一膜澱積表面上由同一材料形成連接佈線和電極 2. —種半導體裝置，包括： 一半導體層，該半導體層包括一源極、一汲極以及一 通道區域； 一在該半導體層上的閘極絕緣膜； 一在該閘極絕緣膜上的源極佈線； 一設置在該閘極絕緣膜上，並藉由該閘極絕緣膜與通 1276019 道區域重疊的閘電極； 一在源極佈線和閘電極上的絕緣膜； 以及在該絕緣膜上的一連接佈線和一電極，其中： 連接佈線設置在一開口部分中，該開口部分設置在該 絕緣膜和閘極絕緣膜中，該連接佈線還在源極佈線和源極 之間建立電連接； 該電極與該汲極電連接；而且 在同一膜澱積表面上由同一材料形成連接佈線和電極 〇 3. —半導體裝置，包括： 一第一薄膜電晶體和一第二薄膜電晶體，每一第一和 第二薄膜電晶體都包括： 設有一源極、一汲極以及一通道區域的半導體層； 一島狀閘電極，在一閘極絕緣膜上，且在該半導體層 上； 一在該閘極絕緣膜上，並設置在對應的第一和第二薄 膜電晶體的島狀閘電極之間的源極佈線； 一在對應的第一和第二薄膜電晶體的島狀閘電極和源 極佈線上的絕緣膜； 在該絕緣膜上的一連接佈線和一電極’ 其中，該連接佈線藉由一接觸孔形成’該接觸孔設置 在該絕緣膜內，連接佈線將該第一 TFT的島狀閘電極與 該第二TFT的島狀閘電極電連接。 4· 一種半導體裝置，包括： -2- 1276019 一包括一源極、一汲極和一通道區域的半導體層； ~耢由在該半導體層上的聞極絕緣膜與一鬧極佈線電 連接的閘電極； 在該閘極絕緣膜上’而且不藉由該閘極佈線彼此接觸 形成的一第一島狀導電膜和一第二島狀導電膜； 一在該閘極佈線、第一島狀導電膜和第二島狀導電膜 上形成的絕緣膜； 在該絕緣膜上的一連接佈線和一電極， 其中，該連接佈線藉由一接觸孔形成，該接觸孔設置 在該絕緣膜內，連接佈線將該第一島狀導電膜與該第二島 狀導電膜形成電連接。 5 ·如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其中 所形成的該連接佈線和該電極與半導體層接觸。 6 ·如申請專利範圍第2項所述的半導體裝置，其中 所形成的該連接佈線和該電極與半導體層接觸。 Ί ·如申請專利範圍第3項所述的半導體裝置，其中 所形成的該連接佈線和該電極與半導體層接觸。 8 ·如申請專利範圍第4項所述的半導體裝置，其中 所形成的該連接佈線和該電極與半導體層接觸。 9 ·如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其中 該連接佈線和該電極由透明導電膜形成。 10.如申請專利範圍第2項所述的半導體裝置，其中 該連接佈線和該電極由透明導電膜形成。 1 1 *如申請專利範圍第3項所..述的半導體裝置，其中 1276019 該連接佈線和該電極由透明導電膜形成。 12·如申請專利範圍第4項所述的半導體裝置，其中 該連接佈線和該電極由透明導電膜形成。 13· —半導體裝置，包括： 第一半導體層和第二半導體層’每一層都設有〜源極 、一汲極以及一通道區域； 一在該第一和第二半導體層上的閘極絕緣膜； 在該閘極絕緣膜上的源極佈線和電流源線； 在該閘極絕緣膜上，並分別藉由該閘極絕緣膜與第_ 和第二半導體層的通道區域重疊的第一和第二閘電極； 一在該源極佈線、該電流源線、該第一聞電極和第二 閘電極上的絕緣膜； 在該絕緣膜上的多條連接佈線和一第一電極； 在第一電極上的一有機化合物層； 在該有機化合物層上形成的一第二電極，其中： 多條連接佈線設置在開口部分中，開口部分設置在絕 緣膜和閘極絕緣膜中，這些連接佈線在源極佈線和第一半 導體層的源極之間、在第一半導體層的汲極和第二閘電極 之間、以及電流源線和第一半導體層的源極之間建立電連 接； 該第一電極與第二半導體層的汲極電連接；而且 在同一膜澱積表面上由同一材料形成連接佈線和第一 電極。 14. 一種半導體裝置，包括： -4- 1276019 包括一源極、一汲極以及一通道區域的半導體層； 一在該半導體層上形成的閘極絕緣膜； 在該閘極絕緣膜上，並藉由該閘極絕緣膜與通道區域 重疊的閘電極； 一在該閘電極上的絕緣膜； 在該絕緣膜上的一第一電極； 在該第一電極上形成的一有機化合物層； 在該有機化合物層上形成的一第二電極，其中： 馨 所形成的該第一電極與該半導體層接觸。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項所述的半導體裝置，其 中所形成的該連接佈線和該第一電極與半導體層接觸。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項所述的半導體裝置，其 中所形成的該連接佈線和該第一電極與半導體層接觸。 17·如申請專利範圍第13項所述的半導體裝置，其 中所形成的該連接佈線和該第一電極由透明導電膜形成。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4項所述的半導體裝置，其 · 中所形成的該連接佈線和該第一電極由透明導電膜形成。 1 9 · 一種製作一半導體裝置的方法，包括： 在一絕緣表面上形成一半導體層； 在該半導體層上形成一閘極絕緣膜； 在該閘極絕緣膜上形成一源極佈線； 在該閘極絕緣膜上形成一閘電極，該閘電極藉由該閘 極絕緣膜與部分半導體層重疊； 藉由利用該閘電極作爲一掩模，向半導體層中摻雜雜 1276019 質而形成一源極和一汲極； 形成一覆蓋該閘電極和源極佈線的絕緣膜； 在絕緣膜上形成一連接佈線和一電極，該連接佈，線和 電極由同一種材料製成並設置在同一膜®積表面上； 以及藉由該連接佈線將該源極佈線與該源極電連接。 2 0 · —種製作一半導體裝置的方法，包括： 在一絕緣表面上形成一半導體層； 在該半導體層上形成一閘極絕緣膜； 在該閘極絕緣膜上形成一源極佈線； 在該閘極絕緣膜上形成一閘電極，該閘電極藉由該聞 極絕緣膜與部分半導體層重疊； 藉由利用該閘電極作爲一掩模，向半導體層中摻雜雜 質而形成一源極和一汲極； 形成一覆蓋該閘電極和源極佈線的絕緣膜； 在絕緣膜上形成一連接佈線和一電極，該連接佈線和 電極由同一種材料製成並設置在同一膜澱積表面上； 藉由該連接佈線將該源極佈線與該源極電連接； 以及將該電極與該汲極電連接。 2 1 . —種如申請專利範圍第1 9項所述的製作一半導 體裝置的方法，其中採用濕法蝕刻方法構圖該連接佈線和 該電極。 22. —種如申請專利範圍第20項所述的製作一半導 體裝置的方法，其中採用濕法蝕刻方法構圖該連接佈線和 該電極。 -6 - 1276019 23. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該半 導體裝置係爲液晶顯示裝置。 24. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中該半 導體裝置係爲液晶顯示裝置。 2 5.如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其中該半 導體裝置係爲液晶顯示裝置。 26. 如申請專利範圍第4項之半導體裝置，其中該半 導體裝置係爲液晶顯示裝置。 27. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該半 導體裝置係爲有機電致發光顯示裝置。 28. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中該半 導體裝置係爲有機電致發光顯示裝置。 29. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其中該半 導體裝置係爲有機電致發光顯示裝置。 30. 如申請專利範圍第4項之半導體裝置，其中該半 導體裝置係爲有機電致發光顯示裝置。 3 1 .如申請專利範圍第1 3項之半導體裝置，其中該 半導體裝置係爲液晶顯示裝置。 32.如申請專利範圍第14項之半導體裝置，其中該 半導體裝置係爲液晶顯示裝置。 3 3 .如申請專利範圍第1 9項之製造一半導體裝置的 方法，其中該半導體裝置係爲液晶顯示裝置。 34.如申請專利範圍第20項之製造一半導體裝置的 方法，其中該半導體裝置係爲液晶顯示裝置。 1276019 · 35. 如申請專利範圍第1 3項之半導體裝置，其中該 半導體裝置係爲有機電致發光顯示裝置。 36. 如申請專利範圍第1 4項之半導體裝置，其中該 半導體裝置係爲有機電致發光顯示裝置。 3 7 .如申請專利範圍第1 9項之製造一半導體裝置的 方法，其中該半導體裝置係爲有機電致發光顯示裝置。 3 8 .如申請專利範圍第20項之製造一半導體裝置的 方法，其中該半導體裝置係爲有機電致發光顯示裝置。