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TWI272631B - Method for forming microstructures on a substrate using a mold - Google Patents

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Publication number
TWI272631B
TWI272631B TW091120041A TW91120041A TWI272631B TW I272631 B TWI272631 B TW I272631B TW 091120041 A TW091120041 A TW 091120041A TW 91120041 A TW91120041 A TW 91120041A TW I272631 B TWI272631 B TW I272631B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mold
coating
substrate
hardenable material
base layer
Prior art date
Application number
TW091120041A
Other languages
English (en)
Inventor
Raymond Chi-Hing Chiu
Kenneth Robert Dillon
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
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Description

玖、發明説明 (發明說明應救明·發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 本發明關於利用一模具在一基層上形成一微結構之方 法,以及利用該方法之裝置及物件。本發明特別是關於模 製陶瓷微結構之較佳方法,陶瓷微結構在加熱製程後仍保 有所需之輪廓。本發明亦關於在顯示應用之圖樣基層上模 製陶瓷構造,以及關於具有模製屏障肋部之顯示器。 包含電漿顯示板(PDPS)及電漿定址液晶(PALC)顯示器發 展2顯示器技一藝已朝向在玻璃基層上形成絕緣陶資屏障 肋研%,陶《屏障肋部將氣室分隔開,其中鈍氣藉由 相反包極(間所施加之電場加以激發,且氣室中氣髀之排
=出紫外線(难射。在PDPS中,氣室内侧被覆a著勞 、,當UV輻射激發時呈現紅、綠或藍色可見光。氣室 =尺二決定顯示器中圖形元素(圖素)之尺寸,PDPS及PALC 頬π為可做為高鮮明度電視(HDTV)或其他數位電子式顯 不裝置之顯示器。 ^坡璃基層上形成陶资屏障肋部之—方法為直接模製 公、包括在一基層上薄層壓製一平坦堅硬之模具,其間具 :璃或陶瓷之合成物。最後1障肋部以約55〇至 二:之燒烤加以熱融或燒結。玻璃或陶瓷合成物之玻璃 訂:合物微米粒子分佈在有機黏合劑中,有機黏合劑允 :二早肋部在形成初期即固化,故燒烤使坡璃粒子在基層 尸:融。然而,在PDP基層之應用中,高精度及均勻之 屏IV肋部係必要的。
、 :又而言,本發明關於製造一基声μj 孓方法 ㈢上微、、、吉構物件及裝置 仙 ’及利用該方法所形成之物件及裝w π 他_示Μ 卞夂衮置。PDP,S及其 方法」:置為此物件及裝置之範例,在製造微結構總成之 上,ιΓ體實施例中,可硬化材料之均句塗層位於-基層 具隹简m —前端邊緣。塗層自前端邊緣開始與一模 地區域:::在可硬化材料中形成複數個由介於中間之台 _斤連接之屏障區域。可硬化 移開。 4种已硬化,且模具已 衾層可選擇性的包含黏合劑,戋撰蔣从乂 此外,。 剑及選擇性的可分解。 在孩塗層1 里過燒烤後能夠形成陶资微結構。 , 1 k极結構總成之方法另一且骨#余说 枓位於目> /、⑤她例中,可硬化材 <具有第一端之基層上,且可硬 以%勻、4 更化材枓自第一端開始 d孓速度與一模具接觸,並施加均勺 材料利 7刁爻壓力。可硬化 以介:模具形為複數個屏障區域,該等屏障區域彼此 心厚A "k台地區域所連接,且台地區域具有均句之中 。此:。塗層可選擇性的包含黏合劑,或選擇性的可分解 ,該塗層經過燒烤後能夠形成陶资微結構。 k微結構總成另一方法々另 « ^ 化材料、 万忐乏另一具體實施例中,可硬 针孓均勻塗層位於一基層上,涂 及〜塗Θ上且坌層界疋一前端邊緣 复層區域,該區域小於基層之 緣開始與-模具接觸,模具使可硬化材料=層“端邊 地區均k 材料形為複數個由台 u域所連接之屏障區域,且未 材料p 丨又玉尽谢和變大。可硬仆 已硬化,且模具已移開。 在製造微顯示器之方法另一且# /、缸貝她例中,可硬化材料
1¾愈檫F 乜年r月^曰1(3) 之均勻塗層位於顯示器基層,且塗層界定一前端邊緣。塗 層自前端邊緣開始與一模具接觸,以便在可硬化材料中形 成複數個由台地區域所連接之屏障肋部。可硬化材料已硬 化,且模具已移開。 另一具體實施例包含利用上述任一方法所形成之裝置 及物件。 本發明上述概述並未企圖涵蓋本發明每個已揭示之具 體實施例或每個實施方法,其圖式及詳述係這些具體實施 例之範例說明。 圖式概述 ~ 配合附圖及參見後述本發明之不同具體實施例能夠完 全的瞭解本發明,其中: 圖1為電漿顯示板總成之三度空間概要視圖; 圖 2為在一基層上製造微結構之方法一具體實施例中 加工站之概要視圖, 圖3為圖2 —加工站中基層上塗層一具體實施例之橫向 概要剖視圖; 圖4為圖2 —加工站中基層上模具及塗層一具體實施例 之橫向概要剖視圖; 圖5為根據本發明基層上塗層一具體實施例之概要頂 視圖; 圖6為根據本發明基層上塗層另一具體實施例之概要 頂視圖;與 圖7為根據本發明基層上塗層另一具體實施例之概要
日4) 頂視圖。 雖然本發明可配合不同之改良及變更,其將以圖式範例 揭示於後,惟本發明未限定於所示特定具體實施例,相反 的,本發明精神及範疇内全部之改良、變更及同等物皆為 本發明所涵蓋。 較佳實例詳述 本發明適用於利用一模具在一基層上製造微結構之方 法,及藉由該方法所製造之物件及裝置,本發明特別是關 於利用一模具在一基層上製造陶瓷微結構。該方法可形成 電漿顯示板(P©Ps),本文將有效的加以說明,其他裝置及 物件亦可利用該方法加以製造,包括具有毛細管道及照明 應用之電滲板。這些方法所形成之裝置及物件將特別在本 文中揭示,其利用模製陶瓷微結構,惟本發明未限定於此 ,且本發明不同之概念將以範例揭示於後。 電蒙顯不板 電漿顯示板(PDPs)具有圖1所示之不同基層元件,背面 基層元件遠離觀視者指向具有一背面基層 2 1,背面基層 2 1具有獨立定址式平行電極2 3。背面基層2 1由多種之材 質所形成,例如玻璃。陶瓷微結構2 5位於背面基層 21 上且包含屏障肋部3 2,屏障肋部3 2位於電極2 3及分離 區域之間,該分離區域中含有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B) 之螢光體。前端基層元件包括一玻璃基層51及一組獨立 定址式平行電極53,這些又稱為支撐電極之前端電極53 垂直於背面電極2 3,背面電極2 3做為定址電極。在一製 页
沿年 >月曰(5)
好之顯示器中,前端及背面基層元件之間填充有鈍氣,為 了照亮圖素,一電場施加於交錯之支撐電極5 3與定址電 極23之間,且具有足夠之強度激發其間之鈍氣原子,所 激發之純氣原子放射出u v (紫外線)輻射使螢光體射出紅 、綠或藍色可見光。
背面基層21宜為透明之玻璃基層,一般對PDP應用而 言,背面基層21之材質為鈉#5玻璃,其選擇性的無驗金 屬。製程中之溫度使電極材料因基層中鹼金屬之存在而遷 移,此遷移在電極之間形成導電通路,故相鄰電極之間漏 電或在電極之-間形成不必要之電性干擾,所謂的“串音” 。前端基層5 1通常為透明之玻璃基層,其熱膨脹係數與 背面基層2 1之熱膨脹係數相同或近乎相同。
電極2 3及5 3為條狀導電性材料,電極2 3之材料包括 銅、鋁或含銀之玻璃陶瓷原料。電極亦可為透明之導電性 材料,例如銦錫氧化物,其特別適合需要有透明之顯示板 。電極模製在背面基層2 1及前端基層5 1上,例如電極為 約1 2 0至3 6 0 /z m間隔開之平行條狀物,寬度約為5 0至 75/zm,厚度約為2至15gm,長度跨距為整個有效之顯 示區域,其範圍由數公分至數十公分。在某些例子中,電 極2 3及5 3之寬度小於5 0 // m或大於7 5 μ m,其取決於 微結構2 5之構造。 PDPs中屏障肋部32之高度約為120至140/zm,寬度約 為20至75 μ m,節距(每單位長度之數目)宜配合電極之 節距。在其他具體實施例中,模具内屏障肋部之節距可大 -10- 1 I ! 於或小於電極之節距 其揭示於後。 且模具可拉伸
以配合電極之節距
當利用本發明方法在某s 基層上製造微結構時(例 PDP之屏障肋部),形成微社\傚〜構 < 塗層材料宜 土,其包含至少三種成分之混合物。第—種成分為匕 料(通常繼粉末)’泥衆或黏土之陶资材料最後 燒烤加以熱容或燒結,以便形成具有所需物理特性 至模製基層之微結構。第二種成分為黏合劑(即不 黏合劑),其可塑形及藉由處理或冷卻而硬化,且 漿或黏土之形’成為半堅硬之綠色微結構,微結構 至基層。第三種成分為稀釋液,其可在對準及^合 硬化後協助自模具處釋放’並可在微結構陶資材料 前及分解過程中促使黏合劑快速及完全的燃燒。稀黏合劑硬化後仍為液體,使稀釋液在黏合劑硬化過 黏合劑之狀態不同。 如用於 漿或黏 陶瓷材 將藉由 且黏接 固定之 允許泥 係黏接 劑材料 燒烤之 釋液在 程中與
、 一〜# <题用以及微Ϊ' 欲黏接之基層特性,其一考量Α基> Θ 里马A層材枓之熱膨脹4 (CTE)。當燒烤時’泥聚陶資材料之CTE與基層材料之
差異小於10 %,若基層材料之CTE遠小 構陶瓷材料之CTE,微結構在加工或使用 碎裂、裂開、移位或完全自基層處分離。 於或遠大於微結 過程中將重疊、 此外,基層因與 陶瓷微結構之間CTE顯著的差異而 基層應可承受對泥聚或黏土陶資 ,適合用於泥漿或黏土之玻璃或陶 重疊。 材料加工所需之溫度 毫材料軟化溫度約為 -11 - KLjJ(7) 6 00°C 或更低,it、、w ώ > “ _度乾圍約為400至6〇()。 ^ ^ ^ 質之較佳選擇為坡璁 C ,故基層材 氓蟑、陶瓷、金屬或其他堅 化溫度約高於泥漿ρέ| 太硬材枓,其軟 匕水陶瓷材料之軟化溫度。其 、 宜高於微結構欲燒烤、、、 土 θ之軟化溫度 質可為塑膠。適合用於泥漿或黏土之 考…材 約為5><10-6/它至13x1()-6 、枓熱膨脹係數 較佳。 土曰< CTE約在此範圍 選擇較低軟化溫度之 你、A s η £ #科允許使用軟化溫度相當 低之基層’右為玻璃其爲 土 3,低庠人化溫度之鈉鈣浮凸玻璃成 本低於咼軟化1度之& & ,, ^ ^ 低軟化溫度陶瓷材料允許使 用較便罝炙玻璃基層卜 卜尼農或黏土中低軟化溫度之 陶瓷材料較易產生高精度士 破、、、口構,例如當在玻璃基層上 製造屏障肋部時,屏障肋却 ,、β、 早肋邵相對於基層上電極之對準及定 位精度及準確性在加工過 ^ ^ ^ ^ 甲保持不變。屏障肋部在較低 >皿度燒烤至未加工狀態之能 ^ ^ ^ ^ 、 降低了加熱過程中熱膨脹 及所為釋放之應力,故可、 去田π。、、 兄不*<基層變形、屏障肋部 重$及屏障肋邵反向層壓。 車父低軟化溫度陶瓷材料之、生 、 可於材料中加入一定量 之驗金屬、船或麵,然而對 Pβ υρ屏障肋部而言,微結構 屏陣中之鹼金屬使來自電極 日q k 心材枓在高溫加工過程中離 開越過基層。電極材料之擴 ^ 4 u k h ^ 坆成干擾,或“串音”,及相 鄰電極(間的短路,其不利 、装置爻性能,故對PDP應 用而,泥漿陶瓷粉末宜遠鉻 ^ 離鹼金屬。此外,泥漿陶瓷材 枓中加入鉛或鉍使問題材斜 不6對環境造成影響,若無需 -12-
加入鉛或鉍時,磷酸鹽或含B2 03之合成物形成低軟化溫 度之陶瓷材料,該合成物範例包括為ZnO與B203,其他 範例包括 ZnO’ BaO 與 B2〇3 或 La2〇3 與 B2O3 或 Al2〇3 與 ZnO 與 P2O5 0
其他完全溶解,不溶解或部分溶解之成分可加入泥漿陶 瓷材料中,以得到或改良各種特性,例如添加 Al2 03或 La203將提昇合成物之化學耐久性及降低腐蝕性。添加 MgO可升高玻璃之轉換溫度或合成物之CTE,添加Ti02所 產生之陶瓷材料具有較高程度之不透光性、潔淨度及反射 率,添加其他成Γ分及金屬氧化物可改良及調整陶瓷材料之 特性,例如CTE、軟化溫度、光學特性、脆度等物理特性
形成相當低溫度燒烤合成物之其他方法係以一層低溫 熱融材料包覆著合成物核心粒子,適當之核心粒子範例包 含Zr02、Al2〇3、Zr02-Si02及Ti02,適當之低熱融溫度包覆 材料範例包含B2〇3、P205、含一或多個B2〇3、P205及Si02 之玻璃。多種方法可施加這些包覆材料,一較佳之方法為 溶膠-凝膠製程,其中核心粒子分佈在包覆材料之濕化學 母質中,之後混合物烘乾及成為粉末(必要時)以分離所包 覆之粒子,這些粒子分佈在泥漿或黏土之陶瓷粉末或玻璃 中,且本身可配合泥漿或黏土之玻璃粉末加以利用。 泥漿或黏土之陶瓷材料宜為顆粒狀形式,其可分佈在泥 漿或黏土中,且顆粒之較佳尺寸取決於基層上所欲製造及 對準之微結構尺寸。泥漿或黏土陶瓷材料中顆粒之平均尺 -13-
寸或直徑小於所欲製 i。至15%,例如PDP屏::…結構最小特徵尺寸約 小之特徵尺寸,對該二邵之寬度約為20,’其為最 料Φ卓寸< PDP屏障肋部而言,陶瓷妯 枓中千均顆粒尺寸小於 』是材 之顆粒,微Up 4 Μ"1。藉由該尺寸或較小 微結構之I以所^之完整性加以複製,且陶資 ^ A衣面相當的平、、典斗 ^ 尺寸,含有顆#之^ _ ^右平均顆粒尺寸接近微結構之 外,最大之表面粗糙/ : 配“鼓結構之輪廓。此 故利用較小之顆粒易於…口陶是…尺寸而不同, 万、形成較平滑之構造。 泥永或黏土·^之黏合劑 包括黏人T將4 為有機黏合劑,其選取考量之因夸 匕栝黏5泥漿或黏土 素 樣之此七, 惫材枓足能力,硬化形成模製微^ 構…’黏接至模製微結構之能力與 械結 燒烤未加工狀態微紝槿 又土 y 低於 化時可將陶究材料粒子黏入六^ 刀黏口 ^在硬 工狀態微結構黏接至二“ 一起,故移開模具後之未加 構黏接土或與模製基層對準。必要時 為非固足之黏合劑,’’其原因係在微結構中 : 融或燒結之前高溫時黏合劑已燒爐。燒烤動作宜將不固 之黏合劑完全燒燼,故基層模製表面上之微:=固- 璃或陶瓷微結構,其未本# 、、',、、、融玻 禾^妷殘留物。在微結構 :障:應用中’例如在咖之應用中,屏障之材;I: -度土 >略低於燒烤所需之溫度,該溫度不會餘 礙而不利於微結構屏障之電介體特徵,例如本有一〜之 _脂材料之芳香族烴之黏合劑在分解過程中= 墨碳,丨需要較高之溫度才能完全移除。 /成石 -14- =劑宜為有機材科,其為 包含丙埽酸及環氧樹脂。黏合:了硬化,且材質 熱成為液態以配合模具,之後=了4熱塑型材科,其加 微結構。若微結構須 ^硬化形成黏接至基層之 宜可輕射硬化,以便在確的定位及對準,黏合劑 (溫度固定)模具及其 將下加以硬化。等溫條件下
過程中相對於基層上之圖樣保持固、在黏“彳材料硬化 或基層之移位或膨脹風險,特疋:置,其降低了模具 脹特性差異所造成,故可=模具與基層之間熱膨 正確定位及對1。 永或黏土硬化時維持模具之 當黏合劑為輻射可硬化時,並^ 一 激發劑,且輻射可穿透過爲/、且,用輻射可驅動之硬化 露而硬化,例如當基層為:::使:槳或黏土因基層之曝 以硬化。藉由基層對黏合。合劑苴利用可加光加 至基層,硬化過程中黏合 ^更化,泥漿或黏土先黏接 分離及朝向基層之表面,龙竹任何之乾縮將驅使與模具 持微結構在基層圖樣上定:有利於微結構離開模具’且保 位及準確性。 此外,硬化激發劑之選用 ,例如在欲形成不透明 义泥漿或黏土之陶瓷材料 泥聚或黏土之陶毫材料中t意反射之陶讓構應用中, 。雖然二氧化㈣增加微量之:氧化鈥(Tl〇2) 光加以硬化,其原因為泥射率,惟不利於可見 可見光避免硬化激發劑心光中二氧化鈇所反射之 。然而,藉由選取一硬化、& 而有效的硬化黏合劑 /敫發劑能有效的使黏合劑硬化 -15-
知年r月乙丨d11) ,能夠驅動硬化激發劑之輻射係同時傳導經過基層及二 氧化鈦粒子。此一硬化激發劑範例為 bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphineoxide,光激發劑 可自紐約州 Hawthrone 市之 Ciba Specialty Chemicals 公司 購得,其註冊商標為I r g a c u r e τ M 8 1 9。另一範例為三光激 發劑系統,其揭示於U.S.第5,545,670號專利,包含ethyl
dimethyl aminobenzo ate, camphor。quinone 及 diphenyl iodonium hexafluorophosphate之混合物。這些範例在相 當狹窄區域内靠近紫外線邊緣可見光譜藍色區域中為活 性的,輻射在諸·區域可穿透泥漿或黏土中玻璃基層及二氧 化鈦。其他硬化系統可選用於本發明製程,其考量因素為 黏合劑’泥漿或黏土中陶瓷材料之成分以及發生硬化之模 具或基層材料。 泥漿或黏土稀釋液之材質選用考量因素為非固定之黏 合劑硬化後加強泥漿模具釋放之能力,以及強化利用泥漿 或黏土所製造未加工狀態結構分解特性之能力。稀釋液之 材、罝在硬化前可落於黏合劑,且在黏合劑硬化後仍為液 體。關於此有兩個優點,第—個優點是黏合劑硬化時仍為 液體’稀釋液降低了已硬化之黏合劑黏接至模具之風險。 第二個優點是黏合劑硬化時仍為液體,稀釋液與黏合劑材 料分離,故形成稀釋液微小顆粒或凹孔之相互貫穿網狀物 ,且稀釋液分佈在已硬化黏合劑陣列中。稀釋液相位分離 之優點詳述於後。 對許多應用而言’例如PDP屏障肋部,其須使未加工 -16-
構之分解在燒烤之前已完成。此外’在加熱過程 狀態微結 中分解通 相當低的 雖然欲 關過程之 解之黏合 移之多孔 之樹脂黏 /或損壞, 留高度含 化氣體無 剖面積相 形成表層 常為最久及最高溫之步驟,故泥漿或黏土應可再 溫度時快速且完全的分解。
不受到任何理論之限制’惟分解仍受到兩溫度有 動力及熱力限制,即擴散及揮發。揮發過程為分 劑分子自未加工狀態結構表面處蒸發,故形成外 網狀物,以便在較少障礙之情況下執行。在單相 合劑中’内部i集之a體劣π產物使結構發泡及 其將普遍存在於黏合劑系統中,且在表面上餘 碳之一劣化產物,形成無法滲透之表層使黏合劑劣 法離開。在某些情況下單相黏合劑係適當的,其 當的小且黏合劑劣化加熱率耗時甚久,其可避免
揮發之速率取決於溫度、揮發所需之動能以及頻率或抽 樣速率。由於揮發主要發生在表面或表面附近,抽樣速率 與結構總表面積呈一疋比率。擴散為黏合劑分子自結構體 處移至表面之過程’由於黏合劑材料自表面之揮發,其2 在一濃度梯度驅使黏合劑材料朝向低濃度之表面。擴散速 率取決於溫度、擴散所需之動能以及濃度。 由於揮發受到表面積之限制,若表面積相對於微結構體 積為較小時,過快之加熱使揮發之形式受到限制。當内部 壓力足夠大時,結構將膨脹、損壞或裂開,為降低此效應 ,其藉由溫度缓慢增加而芫成分解。缺乏分解之開啟管道 或分解太快將導致殘留碳之高度可能性,其需較高之分解 -17- 爰1¾贵德, _. hi (13) 溫度以確保元全分解。當分解完成時,溫度可快速上升至 燒烤温度’且維持固足直到燒烤結束,之後再將物件冷卻 加表面積而強化 稀釋液精由挺供較短之擴教路捏及辦 並相位與黏合 分解,當黏合劑硬化時稀釋液宜仍為液體 構造中之稀釋液凹孔 大量之稀釋液微粒分 劑分離’這點形成分佈在硬化黏合劑 相互貫穿網狀物。在黏合劑硬化後,
佈在未加工結構網狀物中。分解過程中,低分子量之稀釋
液在其他高分子量有機成分分解之前可在相當低之溫度 快速蒸發’稀譯液蒸發後留下略微多孔之結構,故表面$ 增加使餘留之黏合劑材料揮發,且黏合劑材料擴散至這= 表面之平均路徑長度降低。因此,稀釋液使黏合劑在分解 過程中因有效表面積增加而揮發速率變快,其提升相同溫 度之揮發速率,另由於有限之擴散速率所形成之壓力較不 易存在。此外,多孔性結構允許所形成之壓力較易釋放, 其結果使分解發生在上升速率較快之溫度,且降低微結構 抽壞 < 機率。另由於表面積增加及擴散長度變短,分解可 在較低之溫度完成。 稀釋液對黏合劑而言不僅是溶解合成物,稀釋液宜可完 全的溶解在未硬化之黏合劑中。當泥漿或黏土之黏合劑硬 化時’稀釋液之相位在交鏈過程中應與單體及/或齊聚物 刀離。稀釋液相位分離在硬化之黏合劑連續結構中形成液 骨,材料 " 竹不連續之凹孔,且硬化之黏合劑將泥漿或黏土陶資 斗或破璃原料混合物粒子黏合,此方式下當使用相當高 -18- |ΐί7馳頁
程度之稀釋液時(即稀釋液對樹脂之比率. 硬化《未加工微結構完整性万、、'、、1 . 3), 滌Μ、、、4 ”,、肩頭耆的妥協。 履黏合泥漿或黏土陶瓷材料之 瓷材料之親和力,當硬化時,黏人、力小於黏合陶 合,其加強未加工处槿之-敕° f應與陶瓷材料粒子黏 禾加工〜構之元整性,膝 η
。稀釋液之其他特性取決於所選取之陶:稀釋硬蒸發後 料、硬化激發劑(必要時)、基層及^料、黏合劑材 較佳等級之稀釋…乙二醇及其::力广、要時), butanedioU、己二醇及其他辛二醇广…其範例為
除陶資粉末,黏合劑及稀釋液外,泥衆或黏土可選擇性 的包含其他材料,例如泥漿或黏土包含黏接促進劑,以利 黏接至基層。對玻璃基層而言,或對具有氧化矽或金屬氧 化物表面纟其他基層&言,甲烷接合❹做為一黏接促 進劑。㈣切τ燒接合劑具有三個㉟氧基彡H甲 烷可先行水解以利黏接至玻璃基層,特定之珍甲烷接合劑 範例為明尼蘇達州St.Paul市ManUfacturing c〇 (3M)公司所販 售之珍甲燒觸發劑(silano primer),其註冊商標為 ScotchbondW。其他選擇性之添加劑材料包括擴散劑,其 在混合陶资材料與其他泥漿或黏土成分時加入,選擇性之 添加劑亦包含表面活化劑、催化劑、抗老化成分、釋放補 強劑等。 本發明方法通常利用一模具形成微結構,其利用能夠在 至少一方向中拉伸之模具,使模具之構造與已模製基層之 預先設定部位對準。模具之材質宜為彈性聚合物薄層,其 -19- 1¾½ 擻 ¥] ,_ %年t月乙丨日(15) 具有平滑表面及相對之微結構表面。模具係利用熱塑型材 料之壓縮模製加以製造,其使用之主要工具具有微結構圖 樣。模具亦可藉由可硬化材料加以製造,其鑄造及硬化在 一彈性聚合物薄層上。關於使用硬化表面連接屏障區域與 台地區域或其他模具/微結構構造之討論揭示於u · s ·第 __________號專利中請案中,名稱為“利用模具在一基層 上形成陶t:微結構之方法及其所形成之物件’’(Method for Forming Ceramic Microstructures on a Substrate Using a Mold and
Articled Formed by the Method),檔案號碼為 56391US002,與 本案同時錄案一。 微結構模具可根據U.S·第5,1 75,030號專利(劉(Lu)等) 及U.S·第5,183,597號專利(劉)所揭示之類似製程加以製 造,其包括下列步驟··(a)準備一齊聚物樹脂合成物;(b) 將齊聚物樹脂合成物配置在主要之負微結構加工表面上 ’其數量不足以充滿主要工具之凹孔;(c)藉由移動合成 物微粒至預製基層與主要工具之間而充滿凹孔,且預製基 層與主要工具中至少一項具有彈性;與(d)將齊聚物合成 物硬化。 步驟(a)之齊聚物樹脂合成物宜為單一成分、無溶劑、 可無射聚合、可交鏈及有機齊聚物之合成物,惟其他適當 之材料亦可加以使用,且齊聚物合成物宜可硬化形成具有 彈性及尺寸穩定之硬化聚合物。齊聚物樹脂合成物之硬化 伴隨著少量之收縮,一適合之齊聚物合成物範例為脂肪脈 酷丙烯酸醋,例如賓西法尼亞州 Ambler市 Henkel -20-
Corporation公司所販售之一喱屋品,且y 汪冊商卢基
Ph〇t〇merTM6010。其他供應商亦提供類似之合成物。不為 由於在正常硬化條件下能夠快速的聚合, 晞酸醋官能單體與齊聚物較為適當。此五 "丙 口人已可_ ^曰 夕種不同之丙烯酸醋酯。然而,丙埽酸酯、丙埽酸/^于 丙婦酸酯醯胺官能成分可在無限制情況下加以使用l $及 用丙烯酸醋時,丙烯酸酯亦適用。 用。當使
、一般之方法即可完成聚合,例如無基本促進劑時、 、適當光促進劑存在時紫外線或可見光之 2加熱 束無射。-μ之方法係利用純進劑存在 H 4l ' ^ , t •了、/「、果或可 見光 < 輻射,其濃度約為齊聚物合成物重 ,趟合士、曲、、 · 1至1 % 罕乂回〇辰度5F適用,惟通常不必得到 性。 卞和听而义硬化樹脂特 步驟(b)中配置之齊聚物合成物黏性為5〇〇至5〇〇〇厘泊 (=0〇至50〇〇X 10_3 Pascal_sec〇nds),若齊聚物合成物之黏性大
於此範圍,合成物中將含有氣泡。此外,合成物無法完全 充滿 Φ 盈 “王要工具之凹孔,故樹脂加熱後黏性降至所需之範圍 。备齊聚物合成物之黏性低於該範圍,齊聚物合成物在 硬化時將收縮,其可避免齊聚物合成物準確的複製主要工 具。 、、幾乎任何材料皆可用於已模製模具之底部(基層),只要 二材料對硬化輻射為光學清晰且具有足夠之強度以便在 ~ ^微結構過程中能夠處理即可。此外,選取用於底部之 材料使其在加工及做為模具時具有足夠之熱穩定彳生。因為 -21 -
成本較低、對硬化輻射光學透明且具有較佳之拉伸強度, 聚乙烯對苯二酸鹽或多元碳酸脂薄層宜做為步驟(…之基 層。基層之厚度為0·025至0.5毫米,較佳之厚度為〇.〇75 ρ I米彳政結構模具其他適合之基層包括醋酸丁酸 纖維素、醋酸丙酸鹽纖維素、聚醚楓、聚甲基丙埽酸甲酯 、聚氨基甲酸酯、聚醚及聚氯乙#’且基層之表面經處理 後變黏接至齊聚物合成物。 含適當之聚乙烯對苯二酸鹽材料範例包括: 乙缔對苯二…聚乙 τ :其表面係根據U•…,寧號專利所示方法 权住之主要 _另、强视α、 八,贫屬工具,若硬介 恤度及遠擇性之加熱步 、 方又1〔 …、乂 %並非取佳,王要 熱塑型材料,例如聚 艾材貝可為 永乙*布及聚丙稀薄層。 在齊聚物樹脂充湓就& 尤兩基層與主要工具之 物樹脂將硬化並自主i 間的凹孔後,齊聚 工具處移開,其可 何殘餘之應力。若模且 j精由加熱釋放任 gp _ ^ ^树脂材料硬化時收卜士、人 即所使用之樹脂具有—& 收鲕大於5%左右丨 物),所產生之微結構 a或低分子量之齊聚 计』成會變形,並 之微結構側邊或微处播、 〃、裂之證'據為凹陷 、含人 、又傾斜頂部。雖钬户办μ * 通合用於複製低縱橫、 …、巧些低黏性樹脂 仏t匕又微結構,惟並 杈比之微結構,該微姓 八不通合於相當高縱 . 如 構之侧邊斜角及頂,卓+ 、 ^ 陶定辱障肋部製造ψ * 檢比之肋部,且屏障M ,其需相當高縱 吨側邊及頂部保持 行1線甚為重要。 -22-
如前文所述,模具可藉由在主要金屬工具上壓縉模製一 適當之熱塑型塑膠加以複製。 準備陶瓷微結構之方法
前述方法可在已打樣基層上模製形成陶瓷微結構,例如 PCT第WO/0038829號專利及U.S·第09/219,803號專利申請 案,其在電子圖樣基層上模製及定位陶瓷屏障肋部微結構 。PCT第WO/0038829號專利及U.S.第09/219,803號專利申 請案揭示形成陶瓷屏障肋部微結構之方法,其特別適用於 電子顯示器,例如PDPs及PALC顯示器,其中圖素藉由相 對基層之間的一f漿加以照明。 已發展之新方法可提供正確一致的微結構參數,該方法 利用本文所示部分特徵。圖2顯示在一基層上形成微結構 之方法一具體實施例,其中一或多個基層102藉由裝置 1 04輸送經過複數個加工站,這些加工站可視為單一裝置 或複數個裝置。
在一包覆加工站1 0 6中,一含有陶瓷材料之可硬化泥聚 或黏土之塗層配置在基層丨〇2上。該塗層丨〇8 一般利用能 產生均句之塗層之塗覆方法被覆在基層上’例如刮刀塗覆 (knife coating)、網版印刷(screen printing)、擠出塗覆及反向职 相凹版塗覆。 塗層108被覆在基層1〇2 —或多個區域中,圖5範例中 塗層108被覆在整個基層1〇2上,其中箭頭175表示圖2 製程輸送之方向。此範例中邊緣無陶瓷材料,其提供處理 基層之區域,特別是PDP及其他顯示器技術,或無陶究 -23- 材料區減 接。圖6 基層1 02 基層上以 層在微結 塗層之 體實施例 施例可利 致的微結 塗層無一 及速度控 層厚度準 在一具 域(即屏轉 層(如加 故其無需 之塗層配 裳置微結 圖3 |員 面,其泥 中,基層 於電極之 再次參 11 0,其 X: 102具有電極結構103以形成電漿 不同 工站 前端板在該處密封且能夠與基廣上電極電氣連 及7顯示基層102之範例,其中塗廣ι〇8被覆在 不同區域上,其適用於微結構僅需配置在一部分 及單一基層可形成複數個裳置時。圖6及7中基 構形成後分為三個顯示板。 居度變化不超過10%、5%、2%或更少,在一具 中’塗層之厚度約為50至75/zm,其他具體實 用較厚或較薄之塗層。均句之塗層有利於形成一 構,並降低其他製程步·驟所需之精度,特別是若 致性1下列之後續模製步驟需較準確之接觸壓力 制,對這些參數而言維持該精度之困難度高於塗 確性之維持。 體實施例中,被覆區域對應至微結構蔣薄& 町復盖之區 :肋部),換言之,在圖2所示之加工過 可王中,塗 工過程所做修正)未分佈超過最初被覆; 及 < 區域,
移除最初被覆區域外之過多塗層。來自A 叫口地區域 置在屏障區域中,且包覆加工站界定最故^ 取終物件或 構所需之構造。 < 示在基層通過包覆加工站後,基層1〇2>奸 <檢向剖 良或黏土塗層1 0 8含有陶瓷材料。此具^每a 豆焉施例 示板 構造可用以形成其他產品。 見圖2,已被覆之基層輸送至模具應用加 ’模具1 1 2在塗層之前端邊緣處施加$》、如 1 層 1〇8 -24- 复1务7赫1頁 !-! ,且模具1 1 2之輪廓可形成所需之微結構。圖4顯示在施 加模具1 12後基層1 02之剖視圖,此具體實施例中模具 1 1 2之構造及配置可在電極結構 1 0 3之間形成屏障區域 1 1 4(即屏障肋部)。介於中間之台地區域1 1 6位於屏障區 域1 1 4之間,其厚度小於屏障區域1 1 4之厚度且具有a) 電極結構1 0 3上方均勻之厚度或b)電極結構上方任何之 厚度變化將重複配置,其在每個電極上方提供重複之電介 層,以便在顯示器中產生所需之圖素操作。若電介層並非 均勻,圖素無法適當的操作或需使用過電流(大於平均圖 素操作所需之流)以確保圖素照明。 在一具體實施例中,例如聚合物材料之模具1 1 2材質可 成為一捲120,當基層102通過模具應用加工站110時, 模具1 1 2可展開及施加至塗層1 0 8。滚筒1 22或其他施壓 裝置施加壓力至模具1 1 2及塗層1 0 8,驅使塗層一部位進 入模具中屏障區域,適合一具體實施例之壓力範圍係 1 至5 lb/in( 0 · 2至1 kg/cm)。若壓力足夠將塗層材料填入模具 中屏障區域且塗層為均勻時,基層1 02移動之速度及滾筒 1 2 2施加之壓力無須精確的控制即可確保台地區域具有 所需之相同厚度。另一方面,若塗層不均勻,壓力及速度 須較精確的控制以得到所需相同之台地區域厚度。 模具1 1 2可選擇性的拉伸使其至少一部分之圖樣表面 與已模製基層1 〇 2之對應部位對準,如電極1 0 3所界定之 間隙。在理想的狀況下,所製造之模具圖樣及基層圖樣係 相當的匹配,惟實際上通常並非如此。加工步驟將改變基 -25- m 層及模具之尺寸,雖然尺寸僅略微的改變,其對利用 使微結構與基層圖樣精確對準造成負面影響,例如寬 100 cm之PDP基層及200 /z m之電極節距具有5000個屏 部準確的配置在電極之間,電極節距與模具節距之 0· 1 /z m(或 0.05%)之差異即表示屏障肋部圖樣與基層 極圖樣無法對準,且基層上至少兩區域中相位差為 ,這點相當不利於顯示器裝置之功能。對此一 PDP 而言,模具節距與電極節距之誤差宜0.01%或更小。 本發明製程所運用之模具可拉伸以利模具圖樣與 圖樣精確的對,。首先,在與基層圖樣相同之方位中 模具圖樣使模具初步的對準,再註記其對應之圖樣以 模具及基層,在平行於基層平面一方向或複數個方向 伸模具直到完成所需之註記為止。若基層具有平行線 ,例如PDP基層上電極,模具宜在平行或垂直於基層 一方向中拉伸,其考量因素為模具節距是否大於或小 層圖樣節距。當模具1 1 2在平行於基層1 02平行線圖 方向中拉伸,模具圖樣之節距在拉伸過程中縮小,以 基層圖樣之節距。為擴大模具之節距,模具係在垂直 中拉伸。 吾人已知的各種技術皆可用以拉伸,例如模具邊緣 至可調整滾筒,其增加或降低模具上張力直到對準為 若需在多個方向中同時拉伸模具,模具可加熱膨脹直 準為止。在某些情況下,照相機、顯微鏡或其他觀視 可用以監控對準動作。在其他具體實施例中,電腦 模具 度為 障肋 間僅 上電 180° 基層 基層 配置 檢查 中拉 圖樣 圖樣 於基 樣之 配合 方向 附接 到對 裝置 利用 -26-
MS CCD陣列加以觀视。一般而[多種觀視裝置可用以監控 不同位置的對準動作。 在模具圖樣與基層圖樣對準之後,模具H2與基層1〇2 之間的材料在硬化加工# 124硬化形成黏接至基層1〇2表 面之微結構。材料之各種硬化方式取決於所使用之黏合劑 ’例如利用一或多個產生可見光、紫外線、電子光束輻射 或其他形式轉射之硬化裝置126加以硬化,或藉由加熱硬 化’或由熱融狀態冷卻硬化。當利用輻射硬化日寺,輻射經 由基層1〇2模具1 12或基層102及模具1 12傳導,且所 選用 < 硬化系—藏宜便於硬化之材料黏接至基層丨〇2。因此 :右所使用 < 材料在硬化及輻射硬化過程中將收縮時,材 料宜經由基層102之輻射加以硬化。若材料僅藉由模具 112加以硬化,材料在硬化過程中因收縮與基層ι〇2分離 ,故不利於黏接至基層102。在本文應用中,可硬化之材 料以前文所述方式硬化。 在材料硬化形成黏接至基層1 〇2並與基層i 圖樣對準 之微結構25後,模具112在模移除加工站128移開(即模 具纏繞至滾筒130)。提供一可拉伸且具有彈性之模具ιΐ2 可助模具U2移開,因模具112可向後剝開’故移開模具 义作用力可集中在較小之表面積上。當模製具有屏障區域 114之微結構時,模具112宜沿著平行於屏障區域ιΐ4及 模具112圖樣之方向向後剝開而移開,其在模具移開過程 中使垂直施加至屏障區域114之壓力最小’故降低屏障區 域受損之可能性。模具釋出成為模具112圖樣表面102 -27- 上之塗層,或材料本身硬化形成微結構。模具釋出之材料 在製造較高縱橫比結構時相當重要,較高縱橫比之結構使 模具不易移開,且將損及微結構。如前文所述,基層1 02 材料之硬化不僅改良了硬化後微結構黏接至基層1 02,亦 允許微結構在硬化過程中朝向基層1 02收縮,故拉離模具 1 1 2使其易於移開。 在移開模具11 2後,其所餘留下之圖樣表面1 02上具有 複數個已硬化之微結構,並與基層1 02圖樣對準。視其應 用之要求,其可為最終產品。在其他運用中,例如具有複 數個陶瓷微結一構之基層1 02,含有黏合劑之硬化材料宜在 分解/燒烤加工站1 3 2處以較高之溫度分解而移開,且在 分解或黏合劑燒儘後,未加工狀態陶瓷微結構之燒烤將熱 融玻璃顆粒或燒結微結構材料中之陶瓷顆粒,其增強微結 構之強度及硬度,微結構在燒烤過程中亦可能收縮。燒烤 後之微結構根據基層1 02之圖樣保持其位置及節距。 對PDP顯示器應用而言,螢光體材料施加於微結構屏 障區域之間,之後基層1 02安裝在顯示器總成中,此動作 將具有支撐電極53之前端基層51與具有定址式電極23 、微結構及螢光體之後端基層 2 1對準,故支撐電極 5 3 垂直於定址式電極2 3,如圖1所示。相對電極交錯之區 域界定顯示器之圖素,當基層黏合在一起且在邊緣密封時 ,基層之間的空間騰空充滿著鈍氣。 微結構之台地區域 1 1 6之完整性與一致的電界體厚度 為電漿顯示板重要之特徵,且台地區域1 1 6之厚度對電漿 -28-
煞辨頁 I 4f) _示板之性能甚為重要。因台地區域1 1 6不均句之厚度對 電界體中實際的變化將產生吾人所不欲見到的光線射出 圖樣(即不一致的螢光體放射),其原因為電漿顯示板操作 過程中切換電壓之壓差。本發明之方法便於形成均勻之台 地區域。 吾人知悉其他物件之製造亦可利用一具有模製微結構 之基層,例如模製微結構可用以產生毛細管道以便於電滲 板之應用。此外,模製微結構可用於電漿或其他產生光線 之應用。 範例1至1 〇 屏障區域利用模具及光硬化玻璃原料泥漿形成於基層 上,玻璃原料泥漿已準備好,且其用於這些範例之配方含 有 80%重量之RFW030玻璃粉末(日本東京市 Asahi Glass Co.,公司所生產),其包含之鉛硼矽酸鹽具有耐火填充劑, 例如Ti02及A1203。玻璃粉末中添加8.034%重量之則3〇]^八 (bisphenol-a diglycidyl ether dimethacrylate),其由賓西法尼亞州 Exton市SartomerCompany,Inc.公司所販售,以及4.326%重量之 TEGDMA(triethylene glycol dimethacrylate),其由曰本 Kyoeisha Chemical Co.,公司所販售,以形成可硬化之不固定黏合劑。 做為稀釋液,其利用 7%重量之 l,3butanediol(威斯康辛州 Milwaukee 市 Aldrich Chemical Co·,公司所生產)。此夕卜,0.12% 重量之 POCAII(phosphate polyoxyalkyl polyol)添加做為擴散劑 ,其由明尼蘇達州St.Paul市3M公司所販售亦可使用其他 •29- 1§M3举 i] _ 製造商製造的其他phosphate polyoxyalkyl polyol,0.16%重量之 A174 石夕甲燒(威斯康辛州 Milwaukee 市 Aldrich Chemical Co., 公司所生產)添加做為矽甲烷接合劑,0.1 6%重量之 IrgacurTM8 19 (瑞士 Basel 市 Ciba Specialty Chemicals 公司所生 產)添加做為硬化激發劑。另外,0.20%重量之 BYK A555 添加做為除氣劑,其由康乃狄格州Wallingford市BYK Chemie USA公司所生產。 所有液體成分及光激發劑皆在不鏽鋼混合容器中混合 ,且成分利用氣動馬達所驅動之罩板輪葉(賓西法尼亞州 West Chester 市 VWR Scientific Products 公司所生產)加以攪:伴, 藉由混合輪葉之轉動,緩慢的添加固體成分。在加入全部 的成分後,混合物多攪拌五分鐘。泥漿輸送至高密度聚乙 婦容器,其含有1 /2英吋圓柱狀高密度氧化鋁粉介質,且 利用塗料調節器研磨三十分鐘(紐澤西州Union公司所生 產之Red Devil Model 5100),之後泥漿自球形研磨器處 排出。最後’利用三捲式研磨器(紐約州Haupauge市Charles
Ross & Son Company 公司所生產之 Model 2.5x5 TRM)在 60°C 條 件下研磨泥漿。 刀片被覆器用以將泥漿塗在厚度為 2.3毫米之鈉鈣玻 璃基層上(西維吉尼亞州Charleston市Libbey Owen Ford Glass Co·公司所生產),對全部之樣品而言,刀片之間隙設定為 75毫米。 具有屏障肋部之模具在被覆後層壓在已塗裝之基層上 ,層壓之壓力通常為0.68 kg/cm,速度一般為3 cm/sec,且 -30-
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所使用之模具材質為多元碳酸脂或光可硬化之丙烯酸醋 ,其模鑄硬化在高硬度襯裡材料上,例如厚度為125 # m 之 PET(德拉維爾州 Wilmington 市 E.I.Du Pont De Nemours and
Company公司所生產)。模具之製造係藉由丙婦酸酷樹脂模 禱硬化在一金屬工具上,且模具具有不同型式之屏障肋部 微結構。
在模鑄後,已塗裝之基層曝露在藍色光源下使玻璃原料 泥漿硬化,該藍色光源位於樣品表面1 · 5英吋(約3 · 8公 分)位置。光源構造包括1 〇個間距為2英吋(約5 · 1公分) 之超級光化榮ϋ燈(荷蘭Einhoven市Philips Electronics N.V.公 司所生產之Model TLDK 30W/03),這些超級光化燈所產生之 波長範圍係400至500 nm,且硬化時間為3 0秒。 將模具移開且樣品根據下列熱循環加以燒結:3 /min 至300°C ’ 5°C/min至560°C,浸泡20分鐘,且在週遭環境下 冷卻 2-3°C/min。
下表之資訊為各範例之產品,全部之尺寸皆為燒結前未 加工狀態下,其中牽引角(draft angle)為屏障肋部側邊相對 於垂直之角度,肋部底部之曲率半徑表示屏障肋部接觸台 地區域之曲率半徑。 -31 - 奐頁 為年t月: 範例 肋部節距 (// m) 肋部高度 (// m) 頂部寬度 (// m) 牽引角 肋部底部 曲率半徑 攪拌品質 1 360 202 68 8° <0Λ μ m N/a 2 220 185 75 8° 斜角 N/a 3 360 213 37 8° 50 差 4 360 213 37 8° 50 佳 5 286 202 37 8° 25 佳 6 286 202 37 8° 50 佳 7 360 202 37 8° 63 佳 8 360 "202 37 8° 75 佳 9 277 177 42 8° 50 差 10 277 177 37 8° 25 佳 範例1 1至14 範例1 1至14之製造方法與範例1至10相同,除了利 用金屬觸規調整塗層間隙之外。配合這些模具之屏障肋部 尺寸為節距360/zm,高度213/zm,肋部頂部寬度37//m, 牵引角8 °及50 // m平滑半徑攪捽。 範例 塗層厚度 (/z m) 層壓速度 (cm/sed) 層壓壓力 (kg/cm) 燒烤後台地區域 厚度(# m) 12 64 2 0.68 8 12 76 2 0.68 16 13 89 2 0.68 19 14 102 2 0.68 28 -32- 潑狭頁 啦年匕月以(¾ 表中顯示厚度之選取可控制台地區域之厚度。 本發明未限定於上述之特定範例,惟其涵蓋申請專利範 圍之全部概念。熟悉此項技藝者瞭解適用於本發明之各種 改良、同等方法及多種構造皆在本發明專利說明書範疇中 元件符號說明 2 1 背 面 基 層 23 > 53 獨 立 定 址 式 平 行電極2 5 32 屏 障 肋 部 5 1 璃 基 層 53 支 撐 電 極 102 基 層 103 電 極 結 構 104 裝 置 106 包 覆 加 工 站 108 ^ 118 塗 層 110 模 具 應 用 加 工 站 112 模 具 114 屏 障 區 域 116 台 地 區 域 120 捲 122 、130 滾 筒 124 硬 化 加 工 站 126 硬 化 裝 置 微結構
-33-
%ίιΜ^ 兔年夂月刼9) 128 模具移除加工站 132 分解/燒烤加工站 175 箭頭 -34-

Claims (1)

  1. 拾、申請專利範圍 1. 一種製造微結構總成之方法,其步騾包括: 在一基層上形成可硬化材料之大致均勻塗層,該塗層界 定一前端邊緣; 在前端邊緣處開始將塗層與一模具接觸,該模具在可硬 化材料上形成複數個屏障區域,該等屏障區域彼此以介於 中間之台地區域加以連接; 將可硬化材料在模具及基層之間硬化;與 移開模具。 2. 根據申請專範圍第1項之方法,其中該形成大致均勻塗 層之步騾包括在基層上形成可硬化材料之塗層,其厚度變 化不超過5 %。 3. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中該可硬化材料包括 陶瓷材料。 4. 根據申請專利範圍第3項之方法,其中該可硬化材料另包 括黏合劑。 5. 根據申請專利範圍第4項之方法,其步騾另包括可硬化材 料硬化後將其分離。 6. 根據申請專利範圍第3項之方法,其步騾另包括在移開模 具後燒結可硬化材料。 7. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中該接觸塗層之步騾 包括自塗層前端邊緣起接觸塗層時將模具展開。 8·根據申請專利範圍第7項之方法,其中該移開模具之方法 包括將模具展開至一承接元件上。
    9.根據申請專利範圍第1項之方法,其中該模具包括一聚合 物薄層。 10·根據申請專利範圍第1項之方法,其中該塗層與模具接觸 之步驟包括塗層與模具接觸並藉由台地區域連接形成複 數個屏障區域,且台地區域具有均勻之中心厚度。 11. 根據申請專利範圍第1項之方法,其步驟另包括將複數個 電極配置在基層上。
    12. 根據申請專利範圍第1 1項之方法,其步驟另包括將台地 區域與配置在基層上之複數個電極對準。 13. 根據申請專琍範圍第12項之方法,其中該對準台地區域 之步騾包括拉伸模具使台地區域與複數個電極對準。 14. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中該塗層界定之塗層 面積小於基層之表面積。 15. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中該塗層界定至少個 別之塗層區域。
    16. —種製造微結構總成之方法,其步驟包括: 將可硬化材料配置在具有第一端之基層上; 以一致的接觸速度及施加均勻之接觸壓力在第一端處 開始將可硬化材料與一模具接觸; 利用該模具將可硬化材料置入台地區域所連接之複數 個屏障區域中,且台地區域具有均勻之中心厚度;及 將可硬化材料在模具及基層之間硬化。 Π.根據申請專利範圍第1 6項之方法,其中該配置可硬化材 料在一基層上之步驟包括在基層上配置可硬化材料為一 -2- 頁月^日
    均勻之塗層。 18. 根據申請專利範圍第1 6項之方法,其步騾另包括將可硬 化材料硬化。 19. 根據申請專利範圍第1 6項之方法,其步驟另包括移開模 具。 20. 根據申請專利範圍第1 6項之方法,其中該可硬化材料包 括陶瓷材料。 21. 根據申請專利範圍第2 0項之方法,其中該可硬化材料另 包括黏合劑。 22. 根據申請專U範圍第2 1項之方法,其步騾另包括分離陶 瓷材料。 23. 根據申請專利範圍第2 0項之方法,其步驟另包括燒結陶 瓷材料。 24. —種製造微結構總成之方法,其步騾包括: 在一基層上形成可硬化材料之均勾塗層,該塗層界定一 前端邊緣及一塗層區域,塗層區域面積小於基層之一表面 積; 在前端邊緣處開始將塗層與一模具接觸,使該模具在大 致未擴大塗層區之情況下將可硬化材料形成多數個屏障 區域,該等屏障區域以介於中間之台地區域所連接; 將可硬化材料在模具及基層之間硬化;與 移開模具。 25. —種製造顯示器之方法,其步騾包括: 在一顯示器基層上形成大致均勾之可硬化材料塗層,該
    楚2鴨34頁 E7i 塗層界定一前端邊緣; 在前端邊緣處開始將塗層與一模具接觸,模具在可硬化 材料上形成複數個屏障肋部,該等屏障肋部由介於中間之 台地區域所連接; 將可硬化材料在模具及基層之間硬化;及 移開模具。
    26. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中可硬化材料是在等 溫條件下硬化。 27. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中可硬化材料是以輻 射硬化。 ~
    -4- 砭年Γ月z丨曰 陸、(一)、本案指定代表圖為:第_2__-圖 (二)、本代表圖之元件代表符號簡單說明: 102基層 104裝置 1 0 6包覆加工站 1 0 8塗層 1 1 0模具應用加工站
    120捲 1 2j滾筒 1 2 4硬化加工站 1 2 6硬化裝置 1 2 8模具移除加工站 1 3 0滚筒 1 3 2分解/燒烤加工站
    柒、本案若有化學式時,請揚示最能顯示發明特徵的化學式·· -4-
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6761607B2 (en) * 2000-01-11 2004-07-13 3M Innovative Properties Company Apparatus, mold and method for producing substrate for plasma display panel
US7176492B2 (en) * 2001-10-09 2007-02-13 3M Innovative Properties Company Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method
KR100450832B1 (ko) * 2002-07-15 2004-10-12 엘지전자 주식회사 모세관 몰딩법에 의한 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조방법 및 그것의 페이스트 조성물
JP3986386B2 (ja) * 2002-07-17 2007-10-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 微細構造体の製造方法
WO2005007591A1 (ja) * 2003-07-18 2005-01-27 Asahi Glass Company, Limited 無鉛ガラス、電極被覆用ガラス粉末およびプラズマディスプレイ装置
US7288013B2 (en) * 2003-10-31 2007-10-30 3M Innovative Properties Company Method of forming microstructures on a substrate and a microstructured assembly used for same
JP2005193473A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Three M Innovative Properties Co 転写用成形型及びその製造方法ならびに微細構造体の製造方法
JP2008511122A (ja) * 2004-08-26 2008-04-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多数の別個のモールドで微細構造体を形成する方法
US7670543B2 (en) * 2004-08-26 2010-03-02 3M Innovative Properties Company Method of forming microstructures with a template
WO2006026142A1 (en) * 2004-08-26 2006-03-09 3M Innovative Properties Company Method of forming microstructures with a discrete mold provided on a roller
JPWO2006068030A1 (ja) * 2004-12-21 2008-06-12 旭硝子株式会社 電極被覆用ガラス
US7478791B2 (en) 2005-04-15 2009-01-20 3M Innovative Properties Company Flexible mold comprising cured polymerizable resin composition
KR20070005126A (ko) * 2005-07-05 2007-01-10 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US20070018348A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Aligned mold comprising support
US20070018363A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Methods of aligning mold and articles
FR2893610B1 (fr) * 2005-11-23 2008-07-18 Saint Gobain Procede de structuration de surface d'un produit verrier, produit verrier a surface structuree et utilisations
US20070126158A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 3M Innovative Properties Company Method of cleaning polymeric mold
JP2007157517A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイ装置
KR101225283B1 (ko) * 2005-12-30 2013-01-22 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조 방법
US20100167017A1 (en) * 2006-09-01 2010-07-01 3M Innovative Properties Company Method of making display component with curable paste composition
US20080093776A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-24 3M Innovative Properties Company Method of molding ultraviolet cured microstructures and molds
EP2131245A3 (en) * 2008-06-02 2012-08-01 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and its focus determination method
WO2009158631A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 President And Fellows Of Harvard College Versatile high aspect ratio actuatable nanostructured materials through replication
CN104245608B (zh) * 2012-03-16 2017-02-22 吉坤日矿日石能源株式会社 使用膜状模具的具有凹凸图案的光学基板的制造方法和制造装置、以及具备该光学基板的器件的制造方法
DE102017102609A1 (de) 2016-02-09 2017-08-10 Comprisetec Gmbh Verbindung von Bauteilen mittels Oberflächenstrukturen
DE102017115704A1 (de) 2016-07-12 2018-04-12 Comprisetec Gmbh Bauteil zur reversiblen adhäsiven Anhaftung an einer glatten Fläche, Bausatz und Fertigungsverfahren
US20200212536A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-02 Texas Instruments Incorporated Wireless communication device with antenna on package
CN112599479A (zh) * 2020-12-10 2021-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN113696321B (zh) * 2021-11-01 2022-01-28 佛山市高明贝斯特陶瓷有限公司 一种基于数码布料的陶瓷制品生产系统

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US623130A (en) * 1899-04-18 Rope-clamp
GB1257621A (zh) 1967-09-15 1971-12-22
US3816043A (en) 1970-09-04 1974-06-11 Armstrong Cork Co Apparatus for making hollow tubing having an annular wall of foamed material
US3689346A (en) 1970-09-29 1972-09-05 Rowland Dev Corp Method for producing retroreflective material
US3811814A (en) 1971-07-08 1974-05-21 Johns Manville Vibration impact texturing apparatus
GB1501735A (en) 1975-09-19 1978-02-22 Ici Ltd Phosphate glass composition
US4340276A (en) 1978-11-01 1982-07-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of producing a microstructured surface and the article produced thereby
JPS5922399B2 (ja) 1981-10-14 1984-05-26 日本電気株式会社 多層セラミツク基板
US5352478A (en) 1982-02-10 1994-10-04 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Plasma display panel and method of manufacturing same
JPS6042247A (ja) 1983-08-16 1985-03-06 Asahi Glass Co Ltd 低膨張性ガラス
US4554259A (en) 1984-05-08 1985-11-19 Schott Glass Technologies, Inc. Low expansion, alkali-free borosilicate glass suitable for photomask applications
IT1177945B (it) 1984-07-31 1987-08-26 Siv Soc Italiana Vetro Procedimento per la produzione di un nastro continuo composito comprendente una pellicola a base acrilica,adatta per l'uso in lastre di vetro laminato di sicurezza e procedotto cosi' ottenuto
JPS6172652A (ja) 1984-09-14 1986-04-14 Asahi Glass Co Ltd 歯科材料用リン酸カルシウム系結晶性ガラス
US4756856A (en) 1984-12-20 1988-07-12 Polaroid Corporation Method of and apparatus for forming surface of magnetic media
US4857420A (en) 1987-10-13 1989-08-15 International Fuel Cell Corporation Method of making monolithic solid oxide fuel cell stack
JPH01137534A (ja) 1987-11-25 1989-05-30 Oki Electric Ind Co Ltd プリズマディスプレイの隔壁形成方法
US4867935A (en) 1988-02-26 1989-09-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for preparing ceramic tape compositions
JPH0743996B2 (ja) 1988-03-02 1995-05-15 ガス放電表示装置の製造方法
KR910003693B1 (en) 1988-09-14 1991-06-08 Samsung Electronic Devices Pdp barrack manufacturing method
KR910003690B1 (en) 1988-09-14 1991-06-08 Samsung Electronic Devices Pdp manufacturing method
KR910004346Y1 (ko) 1988-09-16 1991-06-29 삼성전관 주식회사 보조전극을 설치한 플라즈마 표시소자
US5209688A (en) 1988-12-19 1993-05-11 Narumi China Corporation Plasma display panel
US5175030A (en) 1989-02-10 1992-12-29 Minnesota Mining And Manufacturing Company Microstructure-bearing composite plastic articles and method of making
US5183597A (en) 1989-02-10 1993-02-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of molding microstructure bearing composite plastic articles
DE69019010T2 (de) 1989-02-10 1996-01-18 Dainippon Printing Co Ltd Plasma-Anzeigetafel und Herstellungsverfahren derselben.
KR910005090B1 (en) 1989-06-02 1991-07-22 Samsung Electronic Devices Method of making the spacer of display device
EP0405898A3 (en) 1989-06-26 1991-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for producing substrate sheet for optical recording mediums, and process for producing substrate sheet therefor making use of it
JPH0354569A (ja) 1989-07-24 1991-03-08 Dainippon Printing Co Ltd レジストパターンの形成方法
KR930000575B1 (ko) 1990-10-31 1993-01-25 삼성전관 주식회사 플라즈마 표시소자와 그 제조방법
AP387A (en) 1991-09-13 1995-07-31 Siegbert Heinrich Bissbort Therapeutical uses of L-methionine and compositions thereof.
US5601468A (en) 1991-10-14 1997-02-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Plasma display panel and method for forming fluorescent screens of the same
NO924368L (no) 1991-11-22 1993-05-24 Lubrizol Corp Fremgangsmaate for fremstilling av sintrede legemer og sammensetninger brukt i disse
US5342563A (en) 1991-11-22 1994-08-30 The Lubrizol Corporation Methods of preparing sintered shapes and green bodies used therein
US5268233A (en) 1991-11-22 1993-12-07 The Lubrizol Corporation Methods of preparing sintered shapes and green shapes used therein
US5205770A (en) 1992-03-12 1993-04-27 Micron Technology, Inc. Method to form high aspect ratio supports (spacers) for field emission display using micro-saw technology
US5424605A (en) 1992-04-10 1995-06-13 Silicon Video Corporation Self supporting flat video display
JP3264027B2 (ja) 1993-02-24 2002-03-11 ソニー株式会社 放電セル及びその製造方法
US5672460A (en) 1994-06-10 1997-09-30 Nippon Hoso Kyokai Method for forming conductive or insulating layers
US5629583A (en) 1994-07-25 1997-05-13 Fed Corporation Flat panel display assembly comprising photoformed spacer structure, and method of making the same
US5484314A (en) 1994-10-13 1996-01-16 Micron Semiconductor, Inc. Micro-pillar fabrication utilizing a stereolithographic printing process
US5658832A (en) 1994-10-17 1997-08-19 Regents Of The University Of California Method of forming a spacer for field emission flat panel displays
US5840465A (en) 1995-07-17 1998-11-24 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Compositions and method for formation of barrier ribs of plasma display panel
US5509840A (en) 1994-11-28 1996-04-23 Industrial Technology Research Institute Fabrication of high aspect ratio spacers for field emission display
US5581876A (en) 1995-01-27 1996-12-10 David Sarnoff Research Center, Inc. Method of adhering green tape to a metal support substrate with a bonding glass
US5714840A (en) 1995-03-07 1998-02-03 Asahi Glass Company Ltd. Plasma display panel
JP3589500B2 (ja) 1995-03-30 2004-11-17 大日本印刷株式会社 プラズマディスプレイパネルパネルのセル障壁製造方法
JP3591920B2 (ja) 1995-05-25 2004-11-24 大日本印刷株式会社 プラズマディスプレイパネルのセル障壁製造方法
JP3791022B2 (ja) 1995-06-26 2006-06-28 旭硝子株式会社 基板上への隔壁形成方法
JP3340004B2 (ja) 1995-11-22 2002-10-28 京セラ株式会社 プラズマ表示装置用基板の製造方法
FR2738393B1 (fr) 1995-09-06 2000-03-24 Kyocera Corp Substrat d'affichage a plasma et procede pour sa fabrication
JP3340011B2 (ja) 1995-09-06 2002-10-28 京セラ株式会社 プラズマ表示装置用基板の製造方法
JPH0992134A (ja) 1995-09-22 1997-04-04 Dainippon Printing Co Ltd ノズル塗布方法及び装置
WO1997022961A1 (en) 1995-12-18 1997-06-26 Philips Electronics N.V. Plasma addressed liquid crystal display with organic-walled plasma channels
US5747931A (en) 1996-05-24 1998-05-05 David Sarnoff Research Center, Inc. Plasma display and method of making same
US5909083A (en) 1996-02-16 1999-06-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Process for producing plasma display panel
US5725407A (en) 1996-04-08 1998-03-10 Industrial Technology Research Institute Process for manufacturing a luminescent display screen that features a sloping structure
JPH09283017A (ja) 1996-04-11 1997-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガス放電パネルおよびその製造方法並びにガス放電パネルの製造装置
EP0802170A3 (en) 1996-04-16 1997-11-05 Corning Incorporated Method and apparatus for forming glass rib structures
US5853446A (en) 1996-04-16 1998-12-29 Corning Incorporated Method for forming glass rib structures
TW375759B (en) 1996-07-10 1999-12-01 Toray Industries Plasma display and preparation thereof
TW353762B (en) 1996-10-21 1999-03-01 Dainippon Printing Co Ltd Transfer sheet, and pattern-forming method
JP3660449B2 (ja) 1996-10-29 2005-06-15 鈴木総業株式会社 微細隔壁の形成方法
US5854153A (en) 1997-01-09 1998-12-29 Corning Incorporated Glasses for display panels
US6008582A (en) 1997-01-27 1999-12-28 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Plasma display device with auxiliary partition walls, corrugated, tiered and pigmented walls
KR100499683B1 (ko) 1997-04-30 2005-09-09 교세라 가부시키가이샤 정밀 격벽을 가진 평판의 제조방법, 정밀 격벽을 가진 평판,플라즈마 디스플레이장치 기판의 제조방법 및 플라즈마 디스플레이장치 기판
JPH10326571A (ja) 1997-05-27 1998-12-08 Kyocera Corp プラズマディスプレイパネル用隔壁及びその製造方法
FR2764438A1 (fr) 1997-06-10 1998-12-11 Thomson Tubes Electroniques Procede de realisation d'une couche dielectrique comportant des motifs en relief, sur une dalle de panneau a plasma
EP0893813A3 (en) 1997-07-25 1999-02-10 E.I. Dupont De Nemours And Company Composite and method for forming plasma display apparatus barrier rib
TW396365B (en) 1997-08-27 2000-07-01 Toray Industries Plasma display decive and its method of manufacture
JP3428451B2 (ja) 1997-08-27 2003-07-22 東レ株式会社 プラズマディスプレイおよびその製造方法
JPH11339668A (ja) 1998-05-27 1999-12-10 Toray Ind Inc プラズマディスプレイおよびその製造方法
US5854152A (en) 1997-12-10 1998-12-29 Corning Incorporated Glasses for display panels
JP3866413B2 (ja) 1998-05-18 2007-01-10 スリーエム カンパニー 感光性成形材料及びそれを使用したpdp用基板の製造方法
JP2000021303A (ja) 1998-07-06 2000-01-21 Hitachi Ltd ガス放電型平面表示装置及びその製造方法
US6140759A (en) * 1998-07-17 2000-10-31 Sarnoff Corporation Embossed plasma display back panel
US6087195A (en) 1998-10-15 2000-07-11 Handy & Harman Method and system for manufacturing lamp tiles
US6247986B1 (en) 1998-12-23 2001-06-19 3M Innovative Properties Company Method for precise molding and alignment of structures on a substrate using a stretchable mold
US6352763B1 (en) 1998-12-23 2002-03-05 3M Innovative Properties Company Curable slurry for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold
JP3204319B2 (ja) * 1999-01-22 2001-09-04 日本電気株式会社 ディスプレイパネルの製造方法
US6482062B1 (en) * 1999-02-18 2002-11-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of forming barrier rib and discharge cell for plasma display panel
JP2000340106A (ja) 1999-03-25 2000-12-08 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法及びそれに用いる成形型
WO2000058990A1 (en) 1999-03-25 2000-10-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of producing substrate for plasma display panel and mold used in the method
FR2792454B1 (fr) * 1999-04-15 2001-05-25 Thomson Plasma Procede de fabrication d'un panneau a plasma
EP1216482B1 (en) 1999-09-13 2007-06-06 3M Innovative Properties Company Barrier rib formation on substrate for plasma display panels
US6306948B1 (en) 1999-10-26 2001-10-23 3M Innovative Properties Company Molding composition containing a debinding catalyst for making ceramic microstructures
JP4082545B2 (ja) 2000-01-11 2008-04-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマディスプレイパネル用基板を製造するための装置、成形型及び方法
JP3699336B2 (ja) 2000-06-08 2005-09-28 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマディスプレイパネル基板用リブの製造方法
US7176492B2 (en) 2001-10-09 2007-02-13 3M Innovative Properties Company Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method

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