TW202445816A - 電子裝置及製造電子裝置的方法 - Google Patents

Abstract

在一個實例中，一種電子裝置包含基板，所述基板包含基板上側及導電結構，所述導電結構包括鄰近於所述基板上側的基板上部端子。垂直互連件耦合到所述基板上部端子。囊封物覆蓋所述基板及所述垂直互連件的部分。所述垂直互連件從所述囊封物的上側暴露。重分佈結構在所述囊封物之上且包含重分佈結構上側、重分佈結構下側、重分佈介電質結構及重分佈導電結構。所述重分佈結構包含鄰近於所述重分佈結構上側的重分佈上部端子及鄰近於所述重分佈下側的重分佈底部端子。所述重分佈底部端子耦合到所述垂直互連件及所述重分佈上部端子。電子組件耦合到所述重分佈上部端子。本文中還揭示其它實例及相關方法。

Description

電子裝置及製造電子裝置的方法

本揭示內容大體上涉及電子裝置，並且更具體地涉及半導體裝置及用於製造半導體裝置的方法。

先前的電子封裝及用於形成電子封裝的方法是不適當的，例如導致成本過高、可靠性降低、性能相對較低或封裝尺寸過大。通過比較此類方法與本揭示內容並參考圖式，所屬領域的技術人員將清楚常規及傳統方法的其它限制及缺點。

在實例中，電子裝置包含基底基板，所述基底基板包含基底基板頂側、與基底基板頂側相對的基底基板底側、基底基板側壁、基底介電質結構以及基底導電結構。基底導電結構包含鄰近於基底基板頂側的基板頂部端子。電子裝置包含垂直互連件，所述垂直互連件具有耦合到基板頂部端子的近端及與近端相對的遠端。基板囊封物覆蓋基底基板頂側及垂直互連件的部分且包含基板囊封物頂側。垂直互連件的遠端從基板囊封物頂側暴露。重分佈結構在基板囊封物之上，且包含重分佈結構頂側、與重分佈結構頂側相對的重分佈結構底側、包含基板囊封物的頂側之上的第一介電質且包含暴露垂直互連件的遠端的第一開口的重分佈介電質結構以及定位在重分佈介電質結構內的重分佈導電結構。重分佈導電結構包含鄰近於重分佈底側且通過第一開口耦合到垂直互連件的重分佈底部端子以及鄰近於重分佈結構頂側的重分佈頂部端子。第一電子組件在重分佈結構頂側處耦合到重分佈頂部端子。

在實例中，電子裝置包含基底基板，所述基底基板包含基底基板上側及基底導電結構，所述基底導電結構包括鄰近於基底基板上側的基板上部端子。垂直互連件耦合到基板上部端子。基板囊封物覆蓋基底基板上側及垂直互連件的部分。基板囊封物包括基板囊封物上側，且垂直互連件從基板囊封物上側暴露。重分佈結構在基板囊封物之上，且包含重分佈結構上側、與重分佈結構上側相對的重分佈結構下側、重分佈介電質結構以及重分佈導電結構。重分佈結構包含鄰近於重分佈結構上側的重分佈上部端子及鄰近於重分佈下側的重分佈底部端子。重分佈底部端子耦合到垂直互連件及重分佈上部端子。第一電子組件耦合到鄰近於重分佈結構上側的重分佈上部端子。

在實例中，製造電子裝置的方法包含提供基板組合件，所述基板組合件包含基底基板，所述基底基板包含基底基板頂側及包括鄰近於基底基板頂側的基板頂部端子的基底導電結構。基板組合件包含耦合到基板頂部端子的垂直互連件以及覆蓋基底基板頂側及垂直互連件的部分的基板囊封物。基板囊封物包含基板囊封物頂側，且垂直互連件從囊封物頂側暴露。基板組合件包含基板囊封物之上的重分佈結構。重分佈結構包含重分佈結構頂側、與重分佈結構頂側相對的重分佈結構底側、重分佈介電質結構以及定位在重分佈介電質結構內的重分佈導電結構。重分佈導電結構包含鄰近於重分佈結構頂側的重分佈頂部端子及鄰近於重分佈底側的重分佈底部端子。重分佈底部端子耦合到垂直互連件及重分佈頂部端子。方法包含將第一電子組件耦合到重分佈頂部端子。

以下論述提供電子裝置及製造電子裝置的方法的各種實例。此類實例是非限制性的，且所附申請專利範圍的範疇不應限於所揭示的特定實例。在以下論述中，術語“實例”及“例如”是非限制性的。

諸圖示出一般構造方式，且可省略熟知特徵及技術的描述及細節以免不必要地混淆本揭示內容。另外，圖式中的元件未必按比例繪製。例如，諸圖中的一些元件的尺寸可能相對於其它元件放大，以幫助改進對本揭示內容所論述的實例的理解。不同圖中的相同參考標號表示相同元件。

術語“或”意謂由“或”連接的列表中的任何一個或多個項。作爲實例，“x或y”意謂三元素集{(x), (y), (x, y)}中的任何元素。作爲另一實例，“x、y或z”意謂七元素集{(x), (y), (z), (x, y), (x, z), (y, z), (x, y, z)}中的任何元素。

術語“包括（comprises）”、包括“（comprising）”、“包含（includes）”及“包含（including）”爲“開放”術語，且指定所陳述特徵的存在，但並不排除一個或多個其它特徵的存在或添加。

術語“第一”、“第二”等可在本文中用於描述各個元件，且這些元件不應受這些術語限制。這些術語僅用於將一個元件與另一元件區分開。因此，例如，在不脫離本揭示內容的教示的情况下，可將本揭示內容所論述的第一元件稱爲第二元件。

除非另外指定，否則術語“耦合”可用於描述彼此直接接觸的兩個元件或描述通過一個或多個其它元件間接耦合的兩個元件。例如，如果元件A耦合到元件B，則元件A可直接接觸元件B或通過介入元件C間接耦合到元件B。如本文所使用，術語“耦合”可指電耦合或機械耦合。類似地，術語“在……之上”或“在……上”可用於描述彼此直接接觸的兩個元件或描述通過一個或多個其它元件間接耦合的兩個元件。

其它實例包含在本揭示內容中。在圖式、申請專利範圍或本揭示內容的說明書中可找到此類實例。

圖1展示示例電子裝置10的橫截面視圖。在圖1所示的實例中，電子裝置10可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22、囊封物26以及外部互連件28。在一些實例中，電子裝置10可包括底部填料24。

基底基板12可包括基底導電結構122及基底介電質結構124。基底導電結構122可包括基板底部端子1222及基板頂部端子1224。基底介電質結構124可包括底部基底介電質層1242及頂部基底介電質層1244。

重分佈結構18可包括導電結構182及介電質結構184。導電結構182可包括底部端子1822及頂部端子1824。介電質結構184可包括底部介電質1842及頂部介電質1844。在一些實例中，電子組件20可包括組件端子202，且電子組件22可包括組件端子222。

圖2A到2L展示用於製造示例電子裝置的示例方法的橫截面視圖。

圖2A是在早期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2A所示的實例中，提供基底基板12，且所述基底基板可包括基底導電結構122及基底介電質結構124。在一些實例中，多個基底基板12可以一個基板條帶112的形式連接。基板條帶112可包括基底基板12。在一些實例中，基板條帶112可包括或稱爲條帶、陣列、矩陣或面板。在一些實例中，基底基板12可爲一個單元。

基底導電結構122可爲一個或多個導電層，且利用例如跡線、襯墊、通孔及佈線圖案等元件限定導電路徑。基底導電結構122可包括設置在基底基板12的下側上的基板底部端子1222及設置在基底基板12的上側上的基板頂部端子1224。基板底部端子1222及基板頂部端子1224可分別設置在基底基板12的下側及上側上以在行或列方向上彼此間隔開。在一些實例中，基板底部端子1222或基板頂部端子1224可包括或稱爲導體、導電材料、基板焊盤（land）、導電焊盤、基板襯墊、佈線襯墊、連接襯墊、微型襯墊、跡線或凸塊下金屬（UBM）。在一些實例中，基底導電結構122可包括銅、鐵、鎳、金、銀、鈀或錫。在一些實例中，基板底部端子1222或基板頂部端子1224的厚度可在大致40微米（μm）到大致100 μm的範圍內。

在一些實例中，基底介電質結構124可包括或稱爲一個或多個堆疊介電質層。例如，一個或多個介電質層可包括堆疊在一起的一個或多個核心層、聚合物層、預浸料層或焊料遮罩層。基底導電結構122的一個或多個層或元件可與基底介電質結構124交錯。在一些實例中，基底介電質結構124可包括環氧樹脂、酚系樹脂、玻璃環氧樹脂、聚醯亞胺、聚酯、環氧模製化合物或陶瓷。基底介電質結構124可包括定位在基底基板12下方的底部基底介電質層1242及定位在基底基板12上方的頂部基底介電質層1244。

底部基底介電質層1242可包括從基底基板12的下部暴露基板底部端子1222的基底底部開口1243。頂部基底介電質層1244可包括從基底基板12的上部暴露基板頂部端子1224的基底頂部開口1245。在一些實例中，在提供底部基底介電質層1242以覆蓋基底基板12的下側及基板底部端子1222之後，可提供暴露基板底部端子1222的部分的基底底部開口1243。在一些實例中，在提供頂部基底介電質層1244以覆蓋基底基板12的上側及基板頂部端子1224之後，可提供暴露基板頂部端子1224的部分的基底底部開口1243。在一些實例中，分別通過基底底部開口1243及基底頂部開口1245暴露的基板底部端子1222及基板頂部端子1224的面積可在大致40 μm×40 μm到大致100 μm×100 μm的範圍內。

在一些實例中，底部基底介電質層1242或頂部基底介電質層1244可包括或稱爲鈍化層、焊料遮罩或阻焊劑。例如，底部基底介電質層1242或頂部基底介電質層1244可包括環氧樹脂或酚系樹脂。在一些實例中，基底介電質結構124的厚度可在大致15 μm到大致100 μm的範圍內。

在一些實例中，基底基板12可包括或稱爲層壓基板、陶瓷基板、剛性基板、玻璃基板、矽基板、印刷電路板、多層基板或模製引線框架。在一些實例中，基底基板12可具有大致0.2毫米（mm）到大致2.5 mm的厚度。

在一些實例中，基底基板12可爲預先形成的基板。預先形成的基板可在附接到電子裝置之前製造且可包括相應導電層之間的介電質層。導電層可包括銅，且可使用電鍍製程形成。介電質層可爲相對較厚的非光可限定層且可作爲預先形成的膜而不是作爲液體附接，且可包含具有用於剛性及/或結構支撑的例如股線、織造物及/或其它無機粒子等填料的樹脂。由於介電質層是非光可限定的，因此可通過使用鑽孔或雷射來形成例如通孔或開口等特徵。在一些實例中，介電質層可包括預浸材料或味之素堆積膜（ABF）。預先形成的基板可包含永久性核心結構或載體，例如包括雙馬來醯亞胺三嗪（BT）或FR4的介電質材料，且介電質層及導電層可形成在永久性核心結構上。在其它實例中，預先形成的基板可爲無核心基板並且省略永久性核心結構，且介電質層及導電層可形成在犧牲載體上並且在形成介電質層及導電層之後且在附接到電子裝置之前移除。預先形成的基板可稱爲印刷電路板（PCB）或層壓基板。可通過半加成製程或修改後的半加成製程形成此類預先形成的基板。如本文所描述，基板還可包括預先形成的基板。

在一些實例中，基底基板12可爲重分佈層（RDL）基板。RDL基板可包括一個或多個導電重分佈層及一個或多個介電質層，且（a）可逐層形成在RDL基板將耦合到的電子裝置之上，或（b）可逐層形成在載體之上並且可在電子裝置及RDL基板耦合在一起之後完全地移除或至少部分地移除。RDL基板可在圓形晶片上以晶片級製程逐層製造爲晶片級基板，及/或在矩形或方形面板載體上以面板級製程逐層製造爲面板級基板。RDL基板可以增材堆積製程形成，並且可包含與一個或多個導電層交替堆疊的一個或多個介電質層，且限定相應導電重分佈圖案或跡線，所述導電重分佈圖案或跡線被配置成共同地（a）將電跡線扇出電子裝置的佔據面積之外，及/或（b）將電跡線扇入電子裝置的佔據面積內。可使用例如電鍍製程或無電式鍍覆製程等鍍覆製程來形成導電圖案。導電圖案可包括導電材料，例如銅或其它可鍍覆金屬。可使用例如光微影製程的光圖案化製程及用於形成光微影遮罩的光阻材料來製作導電圖案的位置。RDL基板的介電質層可利用光圖案化製程來圖案化，且可包含光微影遮罩，光通過所述光微影遮罩暴露於光圖案所要特徵，例如介電質層中的通孔。介電質層可由例如PI、BCB或PBO等光可限定有機介電質材料製成。此類介電質材料可以液體的形式旋塗或以其它方式塗佈，而不是作爲預先形成的膜附接。爲了准許恰當地形成所要光限定特徵，此類光可限定的介電質材料可省略結構增强劑，或可爲無填料的，不具有股線、織早物或其它粒子，且可干擾來自光圖案化製程的光。在一些實例中，無填料介電質材料的此類無填料特性可准許所得介電質層的厚度减小。儘管上文所描述的光可限定的介電質材料可爲有機材料，但在一些實例中，RDL基板的介電質材料可包括一個或多個無機介電質層。無機介電質層的一些實例可包括氮化矽（Si ₃N ₄）、氧化矽（SiO ₂）及/或氮氧化矽（SiON）。可通過使用氧化或氮化製程，而不是使用光限定的有機介電質材料生長無機介電質層而形成無機介電質層。此類無機介電質層可爲無填料的，不具有股線、織造物或其它不同的無機粒子。在一些實例中，RDL基板可省略永久性核心結構或載體，例如包括雙馬來醯亞胺三嗪（BT）或FR4的介電質材料，並且這些類型的RDL基板可包括或稱爲無核心基板。如本文所公開，其它基板可包括RDL基板。

圖2B展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2B所示的實例中，垂直互連件14可設置在基底基板12上。垂直互連件14可耦合到通過基底基板12中的基底頂部開口1245暴露的基板頂部端子1224。垂直互連件14可分別接觸並電連接到基板頂部端子1224。垂直互連件14可設置到包含在基板條帶112中的基底基板12中的每一個。在一些實例中，垂直互連件14可包括或稱爲垂直線、支柱、立柱、焊球或塗佈焊料的導電核心球（CCB）。在一些實例中，垂直互連件14可包括垂直互連件142、垂直互連件144或垂直互連件146。在一些實例中，鄰近垂直互連件14之間的間距（即，距離）可在大致35 μm到150 μm、35 μm到90 μm、35 μm到70 μm、35 μm到50 μm、50 μm到150 μm、50 μm到90 μm、50 μm到70 μm或70 μm到150 μm的範圍內。在一些實例中，垂直互連件14的間距小於或等於90 μm。在一些實例中，垂直互連件14的間距小於或等於70 μm。在一些實例中，垂直互連件14的間距小於或等於50 μm。

圖3A、圖3B及圖3C展示圖2B的示例電子裝置10的部分3A、部分3B及部分3C的放大橫截面視圖。

在圖3A所示的實例中，可通過線接合件提供垂直互連件142。垂直互連件142可包括互連件頭部1422及從互連件頭部1422的中心向上延伸的互連件尾部1424。垂直互連件142可通過線接合設備將導電線接合到基板頂部端子1224。在一些實例中，互連件尾部1424爲導電線，且可由金、銅或鋁製成。在一些實例中，垂直互連件142可包含球形互連件頭部1422及作爲導電線的互連件尾部1424。互連件頭部1422可通過熱壓接合、超聲或熱超聲製程熔融以接觸並電連接到基板頂部端子1224。垂直互連件142可由導電線製成，且因此可被設置成具有窄圖案及間距。

互連件頭部1422的直徑D1可大於互連件尾部1424的直徑D2。在一些實例中，互連件頭部1422的直徑D1可在大致20 μm到大致40 μm的範圍內，互連件尾部1424的直徑D2可在大致13 μm到大致30 μm的範圍內。在一些實例中，垂直互連件142可具有在大致200 μm到大致500 μm的範圍內的總高度H1。在一些實例中，垂直互連件142的總高度H1與直徑D2的比率可在約6比1與約33比1的範圍內。

在圖3B所示的實例中，垂直互連件144可爲導電柱或導電支柱。可通過電解鍍覆、無電式鍍覆、濺鍍、物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）、金屬有機CVD（MOCVD）、原子層沉積（ALD）、低壓CVD（LPCVD）或電漿增强式CVD（PECVD）提供垂直互連件144。在一些實例中，垂直互連件144可由銅、金、銀、鈀或鎳製成。垂直互連件144可接觸並電連接到基板頂部端子1224。在一些實例中，垂直互連件144的總高度H2可與垂直互連件142的總高度H1類似，且直徑D3可在大致20 μm到大致40 μm的範圍內。在一些實例中，垂直互連件144的總高度H2比直徑D3可在約5比1與約25比1的範圍內。

在圖3C所示的實例中，垂直互連件146可爲堆疊凸塊。可通過在凸塊1462的頂部上對準凸塊1462且隨後堆疊並熔融所述凸塊而提供垂直互連件146。可通過堆疊兩個或更多個凸塊146而提供垂直互連件146。垂直互連件146可由金、銅、鋁或焊料製成。垂直互連件146可接觸並電連接到基板頂部端子1224。在一些實例中，垂直互連件146的總高度H3可與垂直互連件142的總高度H1類似，且直徑D4可在大致20 μm到大致40 μm的範圍內。在一些實例中，垂直互連件146的總高度H3比直徑D4可在約5比1與約25比1的範圍內。如圖3A、圖3B及圖3C所示，垂直互連件142、144及146中的每一個具有耦合到基板頂部端子1224的近端及與近端相對的遠端。在一些實例中，遠端與基板頂部端子1224間隔開。

圖2C展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2C所示的實例中，可通過鋸切基板條帶112的單一化切割製程將垂直互連件14及基底基板12分離成基板組合件13。基板組合件13可包括基底基板12及垂直互連件14。在一些實例中，可使用刀片、雷射或電漿分離製程將基板條帶112分離成基板組合件13。在一些實例中，每一基板組合件13的總面積可在大致8 mm×8 mm到大致150 mm×150 mm的範圍內。

圖2D展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2D所示的實例中，基板組合件13可安放在載體15的上側上且耦合到載體15的上側。基板組合件13可在載體15之上彼此間隔開。

載體15可爲基本上平面的板或晶片。在一些實例中，載體15可包括或稱爲板、單板、晶片、面板或條帶。例如，載體15可由鋼、不銹鋼、鋁、銅、陶瓷、玻璃或晶片製成。在一些實例中，載體15的厚度可在大致150 μm到大致2000 μm的範圍內，且載體15的寬度可在大致100 mm到大致300 mm的範圍內。載體15可用以在兩個或更多個基板組合件13上設置基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22以及囊封物26的製程中提供對多個組件的整合處理，如下文進一步詳細描述。

載體15可包括設置在載體15的上表面上的載體釋放層151。基板組合件13可設置在載體15的載體釋放層151的表面上。基板組合件13可具有接觸且黏合到載體釋放層151的表面的底部基底介電質層1242。載體釋放層151可通過以下方式施加到載體15的表面：塗佈方法，例如旋塗、刮漿刀、澆鑄、塗刷、噴塗、狹縫型擠壓式塗佈、簾幕式塗覆、斜板式塗佈或邊緣刀片塗佈；印刷方法，例如絲網印刷、移印、凹版印刷、彈性凸版印刷或平版印刷；噴墨印刷方法，例如在塗佈與印刷之間的技術；或黏合膜或黏合帶的直接附接。在一些實例中，載體釋放層151可稱爲臨時黏合層、臨時黏合膜、臨時黏合帶或臨時黏合塗層。例如，載體釋放層151可爲熱釋放膠帶（或膜）或光釋放膠帶（或膜），其中分別通過熱或光减弱或消除黏合强度。在一些實例中，可使用化學物質或物理力减弱或消除載體釋放層151的黏合力。

圖2E展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2E所示的實例中，基板囊封物16可設置在基板組合件13之上。基板囊封物16可覆蓋基板組合件13。例如，基板囊封物16可接觸基板組合件13的頂部及側壁，且可接觸載體15的載體釋放層151的頂側。基板囊封物16可插入在鄰近基板組合件13的側壁之間。基板囊封物16可接觸基底基板12的頂部及側壁以及垂直互連件14的頂部及側壁。

在一些實例中，基板囊封物16可包括或稱爲主體或模製件。例如，基板囊封物16可包括環氧模塑化合物、樹脂、具有有機填料的有機聚合物、固化劑、催化劑、偶合劑、著色劑或阻燃劑，且可通過壓縮模製、轉移模製、液體模製、真空層壓、膏印刷或膜輔助模製而形成。基板囊封物16可保護基底基板12及垂直互連件14免受外部元件的影響。基板囊封物16可允許兩個或更多個基板組合件13的上側共平面，由此促進在基板組合件13之上設置重分佈層18（圖2H）的製程。在一些實例中，基板囊封物16的厚度可在大致150 μm到大致1600 μm的範圍內。

圖2F展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。儘管展示一個基板組合件13以允許放大圖2F到2J中的結構，但經考慮及理解，多個基板組合件13可位於載體15上。

在圖2F所示的實例中，可移除基板囊封物16的上部以暴露垂直互連件14。通過移除基板囊封物16的上部，可從基板囊封物16的頂側161暴露垂直互連件14。在一些實例中，垂直互連件14的上側可與基板囊封物16的上側161共平面。在一些實例中，可通過研磨而移除基板囊封物16的上部。在一些實例中，基板囊封物16的厚度可在大致100 μm到大致1500 μm的範圍內。

參考圖2F-1，在一些實例中，可在暴露垂直互連件14之前停止對基板囊封物16的研磨。例如，在研磨基板囊封物16的上側之後，可選擇性地移除位於垂直互連件14之上的基板囊封物16的部分，由此將垂直互連件14暴露於基板囊封物16的上側。可通過基板囊封物16中的開口162向上暴露垂直互連件14。在一些實例中，可（例如，通過雷射）從基板囊封物16的上側移除位於垂直互連件14之上的基板囊封物16的部分，達到暴露垂直互連件14的深度。在本實例中，垂直互連件14的遠端相對於囊封物16的上側161凹入。較厚的基板囊封物16（例如，在垂直互連件14上方延伸的基板囊封物16）可减少製造問題，例如翹曲，特別是當基底基板12較薄時（例如，當基底基板12具有100 μm或更小的厚度時）。

圖2G展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2G所示的實例中，底部介電質1842可設置到基板囊封物16的上側161之上。底部介電質1842可接觸基板囊封物16的上側。底部介電質1842可被設置成均勻厚度以覆蓋基板囊封物16的上側及垂直互連件14的上側，且隨後可提供暴露垂直互連件14的底部介電質開口1843。例如，可通過在底部介電質1842的上側上形成遮罩圖案且隨後移除（例如，蝕刻）底部介電質1842的從遮罩圖案暴露的部分而提供底部介電質開口1843。在一些實例中，底部介電質開口1843可稱爲或包括孔口或孔洞。根據各種實例，底部介電質1842可包括電絕緣材料，例如聚合物、聚醯亞胺（PI）、苯並環丁烯（BCB）、聚苯並惡唑（PBO）、雙馬來醯亞胺三嗪（BT）、模製材料、酚系樹脂、環氧樹脂、矽酮或丙烯酸酯聚合物。在一些實例中，可通過旋塗、噴塗、浸塗或棒塗而提供底部介電質1842。在一些實例中，底部介電質1842的厚度可在大致5 μm到大致50 μm的範圍內。

圖2H展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2H所示的實例中，重分佈結構18可設置在底部介電質1842的上側上。重分佈結構18可包括介電質結構184及導電結構182。介電質結構184可包括定位在重分佈結構18的底側或下側上的底部介電質1842及定位在重分佈結構18的頂側或上側上的頂部介電質1844。導電結構182可定位在介電質結構184內，且可包括通過底部介電質1842的底部介電質開口1843耦合到垂直互連件14的底部端子1822。導電結構182的部分可定位在重分佈結構18的上側上，且可包括通過頂部介電質1844的頂部介電質開口1845暴露的頂部端子1824。

在重分佈結構18中，導電結構182的一個或多個層或元件可與介電質結構184交錯。導電結構182包含底部端子1822，所述底部端子可設置在底部介電質開口1843（圖2G）中且耦合到垂直互連件14。在一些實例中，底部端子1822可包括或稱爲襯墊或凸塊下金屬（UBM）。在一些實例中，底部端子1822的厚度可在大致5 μm到大致50 μm的範圍內，且底部端子1822的間距可在大致35 μm到150 μm、35 μm到90 μm、35 μm到70 μm、35 μm到50 μm、50 μm到150 μm、50 μm到90 μm、50 μm到70 μm的範圍內。

介電質結構184可包括一個或多個介電質層。當介電質結構184包括兩個或更多個介電質層時，上部介電質層可向上暴露電連接到底部端子1822的導電結構182。在一些實例中，介電質結構184可包括或稱爲一個或多個介電質層、無核心層、焊料遮罩層、絕緣層或無填料層。介電質結構184可具有與底部介電質1842的那些元件、特徵、材料或製造方法類似的元件、特徵、材料或製造方法。

導電結構182可設置在介電質結構184的上側上以便耦合到底部端子1822。在一些實例中，導電結構184可包括或稱爲一個或多個導電層、跡線、襯墊、導電通孔、重分佈層（RDL）、佈線圖案或電路圖案。可通過電解鍍覆、無電式鍍覆、濺鍍、PVD、CVD、MOCVD、ALD、LPCVD或PECVD提供導電結構184。例如，導電結構184可由銅、金、銀、鈀或鎳製成。

導電結構182的頂部端子1824及介電質結構184的頂部介電質1844位於重分佈結構18的最上側或頂側上。頂部介電質1844可通過或從頂部介電質開口1845向上暴露頂部端子1824。

重分佈結構18可包括或稱爲RDL基板、堆積基板、無核心基板或細間距基板。在一些實例中，底部端子1822的間距可大於頂部端子1824的間距。在一些實例中，頂部端子1824的間距可在2 μm與70 μm之間、在2 μm與50 μm之間、在2 μm與25 μm之間、在2 μm與10 μm之間、在2 μm與5 μm之間、在5 μm與50 μm之間、在5 μm與25 μm之間、在5 μm與10 μm之間、在15 μm與50 μm之間或在15 μm與25 μm之間。例如，頂部端子1824可具有細或窄間距（例如，小於50 μm、小於35 μm、小於25 μm、小於15 μm、小於10 μm或小於5 μm的間距），且與頂部端子1824的間距相比，底部端子1822可具有相對較寬或粗的間距（例如，35 μm到150 μm的間距、35 μm到90 μm的間距、35 μm到50 μm的間距、35 μm或更大的間距或50 μm或更大的間距）。在一些實例中，底部端子1822的間距與頂部端子1824的間距的比率可在30:1與1.5:1之間、在15:1與3:1之間、在10:1與2:1之間、或在15:1與7:1之間或在10:1與7:1之間。

導電結構182還可稱爲重分佈導電結構，且介電質結構184也可稱爲重分佈介電質結構。底部介電質1842爲第一介電質的實例，且底部介電質開口1843爲第一開口的實例。基板頂部端子1224之間、垂直互連件14之間或底部端子1822之間的間距爲第一間距的實例。導電結構182的頂部端子1824之間的間距爲第二間距的實例。

圖2I展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2I所示的實例中，電子組件20及22可設置在重分佈結構18上。在一些實例中，取放設備可分別拾取電子組件20及22，且將電子組件20及22放置在重分佈結構18的上側上。在一些實例中，電子組件20及22可通過大量回焊、熱壓縮或雷射輔助接合製程耦合到重分佈結構18的頂部端子1824。在一些實例中，電子組件20及22可包括或稱爲一個或多個半導體裸片、半導體晶片及半導體封裝。在一些實例中，電子組件20及22可包括或稱爲有源或無源裝置。

電子組件20及22可分別包括組件端子202、222。組件端子202、222可在電子組件20及22之上在行或列方向上彼此間隔開。在一些實例中，組件端子202、222可包括或稱爲襯墊、凸塊、支柱、導電柱、焊球或具有焊料蓋的金屬（例如，銅）柱。組件端子202、222可包括導電材料，例如鋁、銅、鋁合金或銅合金。在一些實例中，組件端子202、222可爲電子組件20及22的輸入/輸出端子或接地端子。在一些實例中，可在重分佈結構18的頂部端子1824與電子組件20及22的組件端子202、222之間采用直接銅-銅接合。例如，混合接合技術可用於將電子組件20及22的組件端子202、222耦合到重分佈結構18的頂部端子1824。與例如接合包括焊料凸塊或導電支柱的組件端子202、222相比，混合接合往往會允許較窄間距的組件端子202、222。

在一些實例中，組件端子202、222可包括低熔融材料，例如焊料，且可通過低熔融材料耦合到重分佈結構18的頂部端子1824。例如，低熔融材料可包括以下中的一種或多種：Sn-Pb、Sn37-Pb、Sn95-Pb、Sn-Pb-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Au、Sn-Bi及Sn-Ag-Cu。在一些實例中，組件端子202、222可在無焊料的情况下耦合到重分佈結構18的頂部端子1824。電子組件20及22的總厚度可在大致50 μm到大致800 μm的範圍內，且電子組件20及電子組件22中的每一個的面積（或佔據面積）可在大致0.5 mm×0.5 mm到大致100 mm×100 mm的範圍內。

在一些實例中，底部填料24可安置在電子組件20與重分佈結構18之間及電子組件22與重分佈結構18之間。底部填料24可包括或稱爲介電質層或非導電膏，且可不含無機填料。在一些實例中，底部填料24可包括或稱爲毛細管底部填料（CUF）、非導電膏（NCP）、非導電膜（NCF）、各向異性導電膜（ACF）或各向異性導電膏（ACP）。在一些實例中，底部填料24可爲模製底部填料（MUF），且可被視爲囊封物26的一部分（圖2J）（即，囊封物26可安置在電子組件20與重分佈結構18之間及電子組件22與重分佈結構18之間）。

在一些實例中，在電子組件20及22耦合到重分佈結構18之後，底部填料24可定位在電子組件20與重分佈結構18之間及電子組件22與重分佈結構18之間，且隨後固化。在一些實例中，在提供底部填料24以覆蓋重分佈結構18的頂部介電質1844及頂部端子1824之後，電子組件20及22的組件端子202及222可穿過底部填料24以耦合到頂部端子1824。底部填料24可防止電子組件20及22通過物理及化學影響與重分佈結構18分離或减少所述分離的發生。

儘管電子組件20及22被展示爲以面向下或“倒裝晶片”配置耦合到頂部端子1824，但可存在電子組件20及22可面向上地或以線接合配置耦合到頂部端子1824的實例。

圖2J展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2J所示的實例中，囊封物26可設置到電子組件20及22以及重分佈結構18之上。囊封物26可接觸電子組件20及22的上側及側壁，且可接觸重分佈結構18的頂部介電質1844。在一些實例中，囊封物26可接觸底部填料24的側壁。在一些實例中，囊封物26可包括或稱爲主體、模製件或封蓋。在一些實例中，囊封物26可包括有機樹脂、無機填料、固化劑、催化劑、偶合劑、著色劑或阻燃劑，且可通過壓縮模製、轉移模製、液體模製、真空層壓、膏印刷或膜輔助模製而形成。在一些實例中，囊封物26的厚度可在大致150 μm到大致1600 μm的範圍內。囊封物26可保護電子組件20及22免受外部元件的影響，且可在電子裝置10中提供結構完整性。

圖2K展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2K所示的實例中，囊封物26、重分佈結構18及基板囊封物16可通過單一化切割製程分離成個別電子裝置10。可單一化切割基板囊封物16，同時在基板組合件13之間留下介入部分。經分離個別電子裝置10可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22以及囊封物26。在一些實例中，電子裝置10可包括底部填料24。在一些實例中，可使用刀片、雷射或電漿作爲單一化切割工具來單一化切割電子裝置10。基板囊封物16、重分佈結構18及囊封物26可暴露於或可限定電子裝置10的側壁。

圖2L展示在後期製造階段的電子裝置10的橫截面視圖。在圖2L所示的實例中，載體15可與電子裝置10的下側分離。在一些實例中，在通過提供熱、光、化學溶液或物理外力而消除或减小載體釋放層151的黏合强度之後，載體15可與電子裝置10的下側分離。載體15的載體釋放層151可與電子裝置10分離，同時附接到載體15。可移除載體15，因此暴露電子裝置10的基底基板12的基板底部端子1222及底部基底介電質層1242。

根據各種實例，外部互連件28可設置在基板底部端子1222上。外部互連件28可耦合到基底基板12的基板底部端子1222。外部互連件28可通過重分佈結構18的導電結構182、垂直互連件14及基底基板12的基底導電結構122耦合到電子組件20及22。電子組件20及22可例如通過重分佈結構18彼此耦合，且可電連接到外部互連件28。

在一些實例中，外部互連件28可包括或稱爲導電球或凸塊（例如，焊球或焊料凸塊）、導電支柱或導電柱（例如，銅支柱或銅柱），或具有焊料蓋的導電柱。在一些實例中，外部互連件28可包括錫（Sn）、銀（Ag）、鉛（Pb）、銅（Cu）、Sn-Pb、Sn37-Pb、Sn95-Pb、Sn-Pb-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Au、Sn-Bi或Sn-Ag-Cu。例如，在通過球滴方法在基底基板12的基板底部端子1222上形成包含焊料的導電材料之後，可通過回焊製程形成外部互連件28。在一些實例中，外部互連件28的高度可在大致0.25 mm到大致1.5 mm的範圍內。在一些實例中，外部互連件28可稱爲電子裝置10的外部輸入/輸出端子。

根據各種實例，電子裝置10可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22、囊封物26以及外部互連件28。

圖4展示示例電子裝置210的橫截面視圖。在圖4所示的實例中，電子裝置210可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22、囊封物26以及外部互連件28。

在此實例中，電子裝置210可具有與上文所描述的電子裝置10類似的製造方法及結構。例如，電子裝置210可在基底基板12、垂直互連件14、重分佈結構18、電子組件20及22以及外部互連件28方面與電子裝置10類似。在此實例中，在電子裝置210中，基板囊封物16的側壁可與基底基板12的那些側壁共平面。在此實例中，囊封物26的上側262可與電子組件20的上側204及電子組件22的上側224共平面。

在一些實例中，在提供囊封物26之後，如圖2J中所展示，可通過例如研磨而移除囊封物26的上部，以暴露電子組件20及22的上側204、224。通過將電子組件20及22的上側204及224暴露於囊封物26的上部，可促進電子組件20及22的熱耗散，且可减小電子裝置210的高度。在一些實例中，可通過一般研磨或化學蝕刻而减薄囊封物26。

在一些實例中，在圖2K所示的單一化切割製程中，可移除覆蓋基底基板12的側壁的基板囊封物16。基板囊封物16的側壁可與基底基板12的側壁共平面。基板囊封物16的側壁可與重分佈結構18的側壁及囊封物26的側壁共平面。基板囊封物16可插入在基底基板12與重分佈結構18之間。

圖5展示示例電子裝置310的橫截面視圖。在圖5所示的實例中，電子裝置310可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22、囊封物26及38以及外部互連件28。

在此實例中，電子裝置310可與先前所描述的電子裝置10類似。例如，電子裝置310可在基底基板12、垂直互連件14、重分佈結構18、電子組件20及22、囊封物26以及外部互連件28方面與電子裝置10類似。在此實例中，在電子裝置310中，基板囊封物16的側壁可與基底基板12的側壁共平面，且囊封物38可覆蓋基底基板12的側壁。

圖6A到圖6J展示用於製造例如電子裝置310的示例電子裝置的示例方法的橫截面視圖。

圖6A展示在早期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6A所示的實例中，可提供基板條帶112。可如圖2A及圖2B中所展示而提供基板條帶112。根據各種實例，基板囊封物16可設置在基板條帶112的上側之上。基板囊封物16可接觸基底基板12的上側以及垂直互連件14的上側及側壁。基板囊封物16可具有與圖2E所示的基板囊封物16的那些元件、特徵、材料或製造方法類似的元件、特徵、材料或製造方法。

圖6B展示在後期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6B所示的實例中，基板條帶112可通過單一化切割製程分離成基板組合件313。基板組合件313中的每一個可包括基底基板12、垂直互連件14及基板囊封物16。基板囊封物16的側壁可與基底基板12的側壁共平面。在一些實例中，可同時鋸切基板條帶112及覆蓋基板條帶112的上側的基板囊封物16。基板組合件313可具有與上文所描述的基板組合件13的那些面積類似的面積。

圖6C展示在後期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6C所示的實例中，基板組合件313可耦合到載體15的上側。基板組合件313可在載體15之上按行及列彼此間隔開。載體15可包括先前所描述的載體釋放層151。

圖6D展示在後期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6D所示的實例中，囊封物38可設置到基板組合件313之上。囊封物38可接觸基板組合件313的上側及側壁以及載體15的載體釋放層151。囊封物38可插入在鄰近基板組合件313的側壁之間。囊封物38可接觸基板囊封物16的上側及側壁。囊封物38可接觸基底基板12的側壁。囊封物38可允許兩個或更多個基板組合件313的上側共平面，這可促進用於提供重分佈層18的製程。囊封物38可具有與上文所描述的基板囊封物16類似的材料或製造方法。

圖6E展示在後期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6E所示的實例中，可移除囊封物38的上部及基板囊封物16的上部以通過或從基板囊封物16的上側161暴露垂直互連件14。可移除覆蓋基板囊封物16的上側的囊封物38的部分，使得囊封物38接觸基板組合件313的側壁且插入在鄰近基板組合件313的側壁之間。囊封物38的上側可與基板囊封物16的上側161及垂直互連件14的上側共平面。基板囊封物16的上部及囊封物38的上部的移除可與圖2F所示的基板囊封物16的移除類似。在一些實例中，基板囊封物16的高度可與圖2F所示的基板囊封物16的高度類似。在一些實例中，在移除囊封物38的上部之後，與圖2F-1中的開口162類似的開口可形成在基板囊封物16中。

圖6F展示在後期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6F所示的實例中，重分佈結構18可設置到基板囊封物16的上側、垂直端子14的上側及囊封物38的上側之上。重分佈結構18的底部介電質1842可接觸基板囊封物16的上側及囊封物38的上側。重分佈結構18可具有與圖2G及圖2H所示的重分佈結構18的那些元件、特徵、材料或製造方法類似的元件、特徵、材料或製造方法。

圖6G展示在後期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6G所示的實例中，電子組件20、22可設置在重分佈結構18上。電子組件20及22可具有與圖2I所示的電子組件20及22的那些元件、特徵、材料或製造方法類似的元件、特徵、材料或製造方法。

圖6H展示在後期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6H所示的實例中，囊封物26可設置到電子組件20、22及重分佈結構18之上。囊封物26可具有與圖2J所示的囊封物26的那些元件、特徵、材料或製造方法類似的元件、特徵、材料或製造方法。

圖6I展示在後期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6I所示的實例中，囊封物26、重分佈結構18及囊封物38可通過例如單一化切割製程的移除製程分離成個別電子裝置310。經分離個別電子裝置310中的每一個可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22以及囊封物26及38。在一些實例中，電子裝置310可包括底部填料24。在電子裝置310中，重分佈結構18以及囊封物26及38可暴露於或形成電子裝置310的橫向側壁。在一些實例中，在移除製程之後，囊封物38的至少一部分保留在基板囊封物16的側壁之上。

圖6J展示在後期製造階段的電子裝置310的橫截面視圖。在圖6J所示的實例中，載體15可與電子裝置310的下側分離。載體15的移除暴露囊封物38的下側、基底基板12的基板底部端子1222及底部基底介電質層1242。電子裝置310的單一化切割製程及載體15的分離製程可與圖2K及2L所示的電子裝置10的單一化切割製程及載體15的分離製程類似。

根據各種實例，可提供外部互連件28。外部互連件28可耦合到基底基板12的基板底部端子1222。外部互連件28可具有與圖2L所示的外部互連件28的那些元件、特徵、材料或製造方法類似的元件、特徵、材料或製造方法。

電子裝置310可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22、囊封物26及38以及外部互連件28。

圖7展示示例電子裝置410的橫截面視圖。在圖7所示的實例中，電子裝置410可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22、囊封物26以及外部互連件28。

在此實例中，電子裝置410可具有與上文所描述的電子裝置310的那些結構及製造方法類似的結構及製造方法。例如，電子裝置410可在基底基板12、垂直互連件14、重分佈結構18、電子組件20及22以及外部互連件28的結構及製造方法方面與電子裝置310類似。在此實例中，電子裝置410可不含囊封物38。在此實例中，在電子裝置410中，基板囊封物16的側壁可與基底基板12的側壁共平面。在此實例中，囊封物26的上側262可與電子組件20及22的上側204及224共平面。

在一些實例中，在提供囊封物26之後，如圖6H中所展示，可通過例如研磨而移除囊封物26的上部，以暴露電子組件20及22的上側204及224。通過暴露電子組件20及22的上側204及224，可促進電子組件20及22的熱耗散，且可减小電子裝置410的高度。在一些實例中，可通過一般研磨或化學蝕刻而减薄囊封物26。

在一些實例中，在圖6I所示的單一化切割製程中，可移除覆蓋基底基板12的側壁的囊封物38、及基板囊封物16。基板囊封物16的側壁可暴露於電子裝置410的側壁。基板囊封物16的側壁可與重分佈結構18的側壁及囊封物26的側壁共平面。在此實例中，電子裝置410可在結構上與上文所描述的電子裝置210類似。

圖8展示示例電子裝置510的橫截面視圖。在圖8所示的實例中，電子裝置510可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22、覆蓋件512以及外部互連件28。

在此實例中，電子裝置510可具有與上文所描述的電子裝置210及410類似的製造方法及結構。例如，電子裝置510可在基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22以及外部互連件28的結構及製造方法方面與電子裝置210及410類似。在此實例中，電子裝置510不包括囊封物26。在此實例中，覆蓋件512可耦合到重分佈結構18的上側。覆蓋件512可覆蓋電子組件20及22。覆蓋件512可包含基本上矩形的頂板及從頂板的外邊緣或周邊向下延伸的側壁。覆蓋件512可限定其中定位有電子組件20及22的罩殼或空腔。覆蓋件512可覆蓋電子組件20及22。

在一些實例中，覆蓋件512可通過黏合劑耦合到重分佈結構18的頂部介電質1844或頂部端子1824。在一些實例中，耦合到覆蓋件152的頂部端子1824中的一個或多個可爲接地端子。在一些實例中，覆蓋件512耦合到頂部介電質1844，且黏合劑可由介電質或其它非導電材料形成。在一些實例中，覆蓋件512耦合到頂部端子1824，且黏合劑可由導電材料（例如，焊料或導電膏）形成。

覆蓋件512可由具有高熱傳導及輻射的金屬製成。在一些實例中，覆蓋件512可包括鋁或銅。在一些實例中，覆蓋件512可稱爲或包括引線、屏蔽件、散熱片、EMI屏蔽件、蓋罩、保護單元、封裝或主體。在一些實例中，覆蓋件512可保護重分佈結構18的上側以及電子組件20及22免受外部元件及/或外部照射的影響。在一些實例中，覆蓋件512可耗散由電子組件20及22産生的熱，且可防止電磁波進入。在一些實例中，熱界面材料（TIM）514可插入在覆蓋件512與電子組件20及22之間（例如，覆蓋件512的頂板的下側與電子組件20、22的上側204、224之間）。TIM 514可促進由電子組件20及22産生的熱轉移到覆蓋件512。

在一些實例中，取放設備可拾取呈金屬蓋的形狀的覆蓋件512且在設置於重分佈結構18中的覆蓋件黏合劑上對準並安放覆蓋件512。隨後，當通過使用熱、光或紫外光的固化製程而固化覆蓋件黏合劑時，覆蓋件512可黏合並固定到重分佈結構18。在一些實例中，熱界面材料514可通過固化製程黏合並固定在覆蓋件512與電子組件20及22之間。覆蓋件512的厚度可在大致0.1 mm到大致1.0 mm的範圍內。

圖9展示示例電子裝置610的橫截面視圖。在圖9所示的實例中，電子裝置610可包括基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22、囊封物26、外部互連件28、覆蓋件612以及隔室壁615。

在此實例中，電子裝置610可具有與上文所描述的電子裝置210及410類似的製造方法及結構。例如，電子裝置610可在基底基板12、垂直互連件14、基板囊封物16、重分佈結構18、電子組件20及22、囊封物26以及外部互連件28的結構及製造方法方面與電子裝置210及410類似。在此實例中，在電子裝置610中，可提供覆蓋件612以覆蓋電子裝置610的上側及側壁。

覆蓋件612可接觸囊封物26的上側及側壁、重分佈結構18的側壁、基板囊封物16的側壁以及基底基板12的側壁。在一些實例中，覆蓋件612可接觸電子組件22的上側224。在一些實例中，TIM 514可插入在電子組件20與覆蓋件612之間。TIM 514可接觸電子組件20的上側204及覆蓋件612的下側。在一些實例中，TIM 514還可位於電子組件22的上側224與覆蓋件612的下側之間，或電子組件20的上側204可接觸覆蓋件612的下側。

在一些實例中，覆蓋件612可包括或稱爲封蓋、屏蔽件、散熱片、EMI屏蔽件、保形屏蔽件、保形塗層、蓋罩、保護單元、封裝或主體。在一些實例中，覆蓋件612可包括鎳（Ni）、鈀（Pd）、銅（Cu）、不銹鋼（SUS）、金（Au）或鋁（Al）。在一些實例中，可通過濺鍍、印刷、塗佈、噴塗或鍍覆而形成覆蓋件612。在一些實例中，覆蓋件612的厚度可在大致1 μm到大致10 μm或大致3 μm到大致5 μm的範圍內。

在一些實例中，電子裝置610包含隔室壁615。隔室壁615可延伸穿過囊封物26且將覆蓋件612耦合到重分佈結構18的頂部端子1824。在一些實例中，隔室壁615可穿透於囊封物26的上側與下側之間，且插入在電子組件20與電子組件22之間。耦合到隔室壁615的頂部端子1824中的一個或多個可爲接地端子。隔室壁615可具有與垂直互連件14的那些元件、特徵、材料或製造方法類似的對應元件、特徵、材料或製造方法。在一些實例中，隔室壁615可包括或稱爲垂直線圍網。在一些實例中，可通過從囊封物26的上側向下形成暴露頂部端子1824的溝槽且隨後利用焊料填充溝槽的內部而提供隔室壁615。隔室壁615可屏蔽電子組件20與電子組件22之間的電磁波。

綜上所述，已針對具有細間距互連件的封裝式電子裝置等描述了電子裝置及製造電子裝置的方法。在一些實例中，垂直互連件耦合到基底基板且由基板囊封物覆蓋。垂直互連件的遠端從基板囊封物暴露，且重分佈結構設置在基板囊封物之上。重分佈結構包含將耦合到垂直互連件的底部端子介接到頂部端子的導電結構。電子組件耦合到頂部端子。在一些實例中，電子組件覆蓋有囊封物。在一些實例中，電子組件的部分從囊封物暴露。在一些實例中，封蓋或覆蓋件在電子組件之上，所述電子組件可耦合到重分佈結構或基底基板。在一些實例中，封蓋設置在囊封物之上。在一些實例中，在不具有囊封物的情况下使用封蓋。在一些實例中，封蓋電耦合到重分佈結構或基底基板中的一個或多個。在一些實例中，封蓋利用TIM結構耦合到電子組件。

本揭示內容包含參考某些實例；然而，所屬領域的技術人員應理解，在不脫離本揭示內容的範圍的情况下，可進行各種改變且可取代等效物。另外，在不脫離本揭示內容的範圍的情况下，可對所公開實例進行修改。因此，希望本揭示內容不限於所揭示的實例，而是本揭示內容將包含屬所附申請專利範圍的範疇內的所有實例。

142:垂直互連件 144:垂直互連件 146:垂直互連件 / 凸塊 151:載體釋放層 161:頂側 / 上側 162:開口 182:導電結構 184:介電質結構 202:組件端子 204:上側 210:電子裝置 222:組件端子 224:上側 262:上側 310:電子裝置 313:基板組合件 410:電子裝置 510:電子裝置 512:覆蓋件 514:熱界面材料 610:電子裝置 612:覆蓋件 615:隔室壁 1222:基板底部端子 1224:基板頂部端子 1242:底部基底介電質層 1243:基底底部開口 1244:頂部基底介電質層 1245:基底頂部開口 1422:互連件頭部 1424:互連件尾部 1462:凸塊 1822:底部端子 1824:頂部端子 1842:底部介電質 1843:底部介電質開口 1844:頂部介電質 1845:頂部介電質開口 D1:直徑 D2:直徑 D3:直徑 D4:直徑 H1:總高度 H2:總高度 H3:總高度

[圖1]展示示例電子裝置的橫截面視圖。

[圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、2F-1、2G、2H、2I、2J、2K及2L]展示用於製造示例電子裝置的示例方法的橫截面視圖。

[圖3A、3B及3C]展示示例電子裝置的示例垂直互連件的橫截面視圖。

[圖4]展示示例電子裝置的橫截面視圖。

[圖5]展示示例電子裝置的橫截面視圖。

[圖6A、6B、6C、6D、6E、6F、6G、6H、6I及6J]展示用於製造示例電子裝置的示例方法的橫截面視圖。

[圖7]展示示例電子裝置的橫截面視圖。

[圖8]展示示例電子裝置的橫截面視圖。

[圖9]展示示例電子裝置的橫截面視圖。

10:電子裝置

12:基底基板

14:垂直互連件

16:基板囊封物

18:重分佈結構

24:底部填料

26:囊封物

28:外部互連件

122:基底導電結構

124:介電質結構

182:導電結構

184:介電質結構

202:組件端子

222:組件端子

1222:基板底部端子

1224:基板頂部端子

1242:底部基底介電質層

1244:頂部基底介電質層

1822:底部端子

1824:頂部端子

1842:底部介電質

1844:頂部介電質

Claims (20)

1. 一種電子裝置，其包括： 基底基板，其包括： 基底基板頂側； 基底基板底側，其與所述基底基板頂側相對； 基底基板側壁； 基底介電質結構；以及 基底導電結構，其包括鄰近於所述基底基板頂側的基板頂部端子； 垂直互連件，其包括耦合到所述基板頂部端子的近端及與所述近端相對的遠端； 基板囊封物，其覆蓋所述基底基板頂側及所述垂直互連件的部分且包括基板囊封物頂側，其中所述垂直互連件的所述遠端從所述基板囊封物頂側暴露； 重分佈結構，其在所述基板囊封物之上且包括： 重分佈結構頂側； 重分佈結構底側，其與所述重分佈結構頂側相對； 重分佈介電質結構，其包括在所述基板囊封物頂側之上的第一介電質且包括暴露所述垂直互連件的所述遠端的第一開口；以及 重分佈導電結構，其定位在所述重分佈介電質結構內且包括： 重分佈底部端子，其鄰近於所述重分佈結構底側且通過所述第一開口耦合到所述垂直互連件；以及 重分佈頂部端子，其鄰近於所述重分佈結構頂側；以及 第一電子組件，其在所述重分佈結構頂側處耦合到所述重分佈頂部端子。
2. 根據請求項1所述的電子裝置，其進一步包括： 囊封物，其至少覆蓋所述第一電子組件的部分及所述重分佈結構的部分。
3. 根據請求項2所述的電子裝置，其中： 所述第一電子組件包括接近於所述重分佈結構的第一側及與所述第一側相對的第二側；並且 所述第二側從所述囊封物暴露。
4. 根據請求項3所述的電子裝置，其進一步包括： 熱界面材料（TIM），其在所述第一電子組件的所述第二側之上；以及 覆蓋件，其在所述囊封物之上且耦合到所述熱界面材料。
5. 根據請求項1所述的電子裝置，其中： 所述垂直互連件包括導電線或堆疊凸塊中的至少一個。
6. 根據請求項1所述的電子裝置，其中： 所述基板頂部端子包括鄰近基板頂部端子之間的第一間距； 所述重分佈頂部端子包括鄰近重分佈頂部端子之間的第二間距；並且 所述第二間距小於所述第一間距。
7. 根據請求項1所述的電子裝置，其中： 所述基板囊封物覆蓋所述基底基板側壁。
8. 根據請求項1所述的電子裝置，其中： 所述垂直互連件的所述遠端與所述基板囊封物頂側共平面。
9. 根據請求項1所述的電子裝置，其中： 所述垂直互連件的所述遠端在所述基板囊封物頂側下方凹入；並且 所述重分佈底部端子接觸所述基板囊封物頂側下方的所述垂直互連件的所述遠端。
10. 根據請求項1所述的電子裝置，其進一步包括： 囊封物，其覆蓋所述基底基板側壁； 其中： 所述基板囊封物包括基板囊封物側壁；並且 所述囊封物覆蓋所述基板囊封物側壁。
11. 一種電子裝置，其包括： 基底基板，其包括： 基底基板上側；以及 基底導電結構，其包括鄰近於所述基底基板上側的基板上部端子； 垂直互連件，其耦合到所述基板上部端子； 基板囊封物，其覆蓋所述基底基板上側及所述垂直互連件的部分，其中： 所述基板囊封物包括基板囊封物上側；並且 所述垂直互連件從所述基板囊封物上側暴露； 重分佈結構，其在所述基板囊封物之上且包括： 重分佈結構上側； 重分佈結構下側，其與所述重分佈結構上側相對； 重分佈介電質結構；以及 重分佈導電結構，其包括鄰近於所述重分佈結構上側的重分佈上部端子以及鄰近於所述重分佈結構下側且耦合到所述垂直互連件及所述重分佈上部端子的重分佈下部端子；以及 第一電子組件，其耦合到鄰近於所述重分佈結構上側的所述重分佈上部端子。
12. 根據請求項11所述的電子裝置，其中： 所述重分佈介電質結構包括鄰近於所述基板囊封物上側的底部介電質； 所述底部介電質包括暴露所述垂直互連件的底部介電質開口；並且 所述重分佈下部端子通過所述底部介電質開口連接到所述垂直互連件。
13. 根據請求項11所述的電子裝置，其中： 所述垂直互連件包括耦合到所述基板上部端子的導電線且包括鄰近導電線之間的第一間距；並且 所述重分佈上部端子包括鄰近重分佈上部端子之間的小於所述第一間距的第二間距。
14. 根據請求項11所述的電子裝置，其進一步包括： 覆蓋件，其在所述第一電子組件及所述重分佈結構之上。
15. 根據請求項14所述的電子裝置，其中： 所述覆蓋件電耦合到所述重分佈導電結構或所述基底導電結構中的一個或多個。
16. 根據請求項14所述的電子裝置，其進一步包括： 囊封物，其在所述覆蓋件與所述重分佈結構之間。
17. 一種製造電子裝置的方法，其包括： 提供基板組合件，所述基板組合件包括： 基底基板，其包括： 基底基板頂側；以及 基底導電結構，其包括鄰近於所述基底基板頂側的基板頂部端子； 垂直互連件，其耦合到所述基板頂部端子； 基板囊封物，其覆蓋所述基底基板頂側及所述垂直互連件的部分，其中： 所述基板囊封物包括基板囊封物頂側；並且 所述垂直互連件從所述基板囊封物頂側暴露； 重分佈結構，其在所述基板囊封物之上且包括： 重分佈結構頂側； 重分佈結構底側，其與所述重分佈結構頂側相對； 重分佈介電質結構；以及 重分佈導電結構，其定位在所述重分佈介電質結構內，且包括鄰近於所述重分佈結構頂側的重分佈頂部端子以及鄰近於所述重分佈結構底側且耦合到所述垂直互連件及所述重分佈頂部端子的重分佈底部端子；以及 將第一電子組件耦合到所述重分佈頂部端子。
18. 根據請求項17所述的方法，其中： 提供所述基板組合件包括： 提供所述基底基板作爲包括基底基板頂側及基板頂部端子的多個基底基板中的一個； 將所述垂直互連件耦合到所述基板頂部端子； 在所述基底基板頂側及所述垂直互連件之上形成所述基板囊封物；以及 移除所述基板囊封物的部分以提供所述基板囊封物頂側且從所述基板囊封物頂側暴露所述垂直互連件；以及 在所述基板囊封物之上形成所述重分佈結構； 耦合所述第一電子組件包括： 提供所述第一電子組件作爲多個電子組件中的一個；以及 將包含所述第一電子組件的所述多個電子組件耦合到所述重分佈頂部端子；並且 所述方法進一步包括通過所述重分佈結構及所述基板囊封物單一化切割所述基板組合件。
19. 根據請求項17所述的方法，其中： 提供所述基板組合件包括： 提供所述基底基板作爲多個基底基板中的一個，所述多個基底基板中的每一個包括基底基板頂側、基板頂部端子及基底基板側壁； 將所述多個基底基板耦合到載體，其中所述多個基底基板在所述載體上橫向間隔開； 將所述垂直互連件耦合到所述基板頂部端子； 在所述基底基板頂側、所述垂直互連件及所述基底基板側壁之上形成所述基板囊封物；以及 移除所述基板囊封物的部分以提供所述基板囊封物頂側且從所述基板囊封物頂側暴露所述垂直互連件；以及 在所述基板囊封物之上形成所述重分佈結構； 耦合所述第一電子組件包括： 提供所述第一電子組件作爲多個電子組件中的一個；以及 將包含所述第一電子組件的所述多個電子組件耦合到所述重分佈頂部端子；並且 所述方法進一步包括通過所述重分佈結構及所述基板囊封物單一化切割所述基板組合件。
20. 根據請求項17所述的方法，其中： 提供所述基板組合件包括： 提供所述基底基板作爲包括基底基板頂側及基板頂部端子的多個基底基板中的一個； 將所述垂直互連件耦合到所述基板頂部端子； 在所述基底基板頂側及所述垂直互連件之上形成所述基板囊封物； 單一化切割所述基板囊封物及所述多個基底基板以提供具有基板囊封物側壁的所述基板囊封物及具有基底基板側壁的每一基底基板； 在包含所述基板囊封物側壁的所述基板囊封物及所述基底基板側壁之上設置囊封物； 移除所述基板囊封物上方的所述囊封物及所述基板囊封物的一部分以提供所述基板囊封物頂側且從所述基板囊封物頂側暴露所述垂直互連件，其中所述囊封物的至少一部分保留在所述基板囊封物側壁之上；以及 在所述基板囊封物之上形成所述重分佈結構； 耦合所述第一電子組件包括： 提供所述第一電子組件作爲多個電子組件中的一個；以及 將包含所述第一電子組件的所述多個電子組件耦合到所述重分佈頂部端子；並且 所述方法進一步包括通過所述重分佈結構及所述囊封物單一化切割所述基板組合件。