TW201839931A - 半導體封裝結構 - Google Patents

Abstract

本揭露揭示一種半導體封裝結構。該半導體封裝結構包含：一基板，其具有一前表面及一背表面；一中介層上覆晶片結構，其安裝於該基板之該前表面上；一背側加強件，其從一背表面透視圖看，安裝於該基板之該背表面上方且圍繞該中介層上覆晶片結構之一突部；及複數個導電凸塊，其等安裝於該基板之該背表面上。

Description

半導體封裝結構

本發明實施例係有關半導體封裝結構。

在積體電路之封裝(特定言之覆晶封裝)中，歸因於不同材料及不同封裝組件之間之熱膨脹係數(CTE)之失配而產生翹曲及應力。翹曲及應力係封裝結構之可靠性之改良中之主要關注。 出於在閱讀以下詳細描述之後將變得明顯之此等原因及其他原因，存在對克服上文論述之問題之一經改良覆晶封裝的需要。

根據本發明的一實施例，一種半導體封裝結構，其包括：一基板，其具有一前表面及一背表面；一中介層上覆晶片結構，其安裝於該基板之該前表面上；一背側加強件，其從一背表面透視圖看，安裝於該基板之該背表面上方且圍繞該中介層上覆晶片結構之一突部；及複數個導電凸塊，其等安裝於該基板之該背表面上。 根據本發明的一實施例，一種半導體封裝結構，其包括：一基板，其具有一前表面及一背表面；一第一半導體結構，其安裝於該基板之該前表面上；一第二半導體結構，其安裝於該基板之該前表面上；一前側加強件，其安裝於該基板之該前表面上方且實質上沿該基板之四個邊緣安裝；一第一背側加強件，其從一背表面透視圖看，安裝於該基板之該背表面上方且圍繞該第一半導體結構之一突部；一第二背側加強件，其從該背表面透視圖看，安裝於該基板之該背表面上方且圍繞該第二半導體結構之一突部；及複數個導電凸塊，其等安裝於該基板之該背表面上。 根據本發明的一實施例，一種半導體封裝結構，其包括：一基板，其具有一前表面及一背表面；一半導體結構，其安裝於該基板之該前表面上；一背側加強件，其包含一四邊形環部分及一平板部分，該背側加強件安裝於該基板之該背表面上方；及複數個導電凸塊，其等安裝於該基板之該背表面上。

下列揭露內容提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且不旨在限制。舉例而言，在下列描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複係用於簡單及清楚之目的且本身並不指示所論述的各種實施例及/或組態之間的關係。 此外，為便於描述，可在本文中使用空間相對術語(諸如「在……下方」、「在……下」、「下」、「在……上」、「上」及類似者)以描述如圖中所繪示之一個元件或構件與另一(若干)元件或構件之關係。空間相對術語旨在涵蓋除在圖中描繪之定向以外，裝置在使用或操作中之不同定向。設備可經另外定向(旋轉90度或以其他定向)，且因此可同樣解釋本文中所使用之空間相對描述詞。 雖然闡述本揭露之廣泛範疇之數值範圍及參數為近似值，但已儘可能精確地報告特定實例中所闡述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由各自試驗測量中所發現的標準差引起之某些誤差。又，如本文中使用，術語「大約」大體上意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，當由一般技術者考慮時，術語「大約」意謂在平均值之一可接受標準誤差內。除了在操作/工作實例中外，或除非另有明確指定，否則所有數值範圍、數量、值及百分比(諸如材料數量、持續時間、溫度、操作條件、數量比及本文揭示之其等之類似物之數值範圍、數量、值及百分比)應理解為在所有例項中被術語「大約」修飾。因此，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中闡述之數值參數係可視需要變化之近似值。最起碼，應至少鑑於所報告之有效數位之個數且藉由應用普通捨位技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。除非另有指定，否則本文揭示之所有範圍包含該等端點。 在微電子行業內，承載一積體電路之一半導體裝置(諸如一單晶片、一三維(3D) IC、一結構上覆晶片(基板上覆晶片(CoS)或晶圓上覆晶片(CoW)))通常安裝於提供從半導體裝置至封裝之外部的電連接之一封裝載體(諸如一基板、一電路板或一引線框)上。在被稱為半導體裝置安裝之一個此封組裝置中，半導體裝置包含電連接至基板上之導電接觸件(稱作銲料凸塊)之相應區域陣列之導電接觸件(稱作接墊)之一區域陣列。通常，銲料凸塊與接墊配準且應用一回焊製程以產生半導體裝置與基板之間之銲料接合點形式之電連接。半導體裝置安裝之製程導致半導體裝置與基板之間之一空間或間隙。 半導體裝置及基板通常由具有失配的熱膨脹係數(CTE)之不同材料形成。因此，半導體裝置及基板在加熱時經受明顯不同尺寸改變，此產生半導體裝置與基板之間之電連接中大的熱致應力。若未補償，則熱膨脹之差異可導致半導體裝置之效能之劣化、對銲料接合點之損壞或封裝破裂。隨半導體裝置之尺寸增大，半導體裝置與基板之間之熱膨脹係數之一失配之效應變得更明顯。在堆疊晶粒封裝中，晶粒層壓板與封裝之間之熱膨脹係數之失配可甚至比單晶粒封裝中更大。堆疊晶粒封裝中之破裂機制可自銲料接合點損壞偏移至晶粒損壞。 為改良半導體裝置封裝總成中之電連接之可靠性，在微電子產業中通常使用一囊封材料或底膠填充來填充半導體裝置與基板之間之間隙。底膠填充藉由減小在熱循環(例如，溫度改變)期間或當半導體裝置及基板具有一大溫度差時由電連接經受之應力而增大封裝之疲勞壽命並改良電連接之可靠性。 為進一步提高封裝總成之剛性，通常在封裝總成中採用前側加強件。一前側加強件(有時亦稱為一「前側畫框」)係由一材料(諸如具有實質上相同於在其中心具有一窗之封裝基板之尺寸之金屬)製成之一剛性四邊形環狀結構。前側加強件附接於基板之前側上且圍繞半導體裝置來約束基板以便防止其可由封裝總成、可靠性測試或現場操作期間之熱循環引起之翹曲或相對於半導體裝置之其他移動。 圖1係根據本揭露之一項實施例之一半成品封裝結構200之一剖面圖，其展示安裝至一基板20之一背表面202之一背側加強件4。半成品封裝結構200包含透過一黏著劑3安裝至一前表面201之一前側加強件2。在例示性實施例中，半導體結構30可包含一晶圓上覆晶片(CoW)結構。CoW結構亦稱為矽基板上覆晶片結構或中介層上覆晶片結構。CoW結構經安裝至基板20 (諸如一印刷電路板(PCB)或一多層模組)之前表面201，且一同形成一基板上覆CoW (CoWoS)結構200。然而，此並非本揭露之一限制。在一些實施例中，半導體結構30可為一單晶片、一三維(3D) IC或任何其他半導體組件(諸如一被動組件)。 參考圖1，其描繪透過一晶圓上覆晶片製程而堆疊有成型晶片47之一中介層70 (諸如一晶圓)。本文中之中介層70可由(例如)矽或諸如陶瓷、玻璃、塑膠、樹脂或環氧樹脂之其他適合材料製成。成型晶片47可包含囊封於一模塑料49中之幾個晶粒10。晶粒10經選取並放在一起用於某些功能且包含(例如)微處理器裝置，該等微處理裝置具有：程式記憶體儲存器，諸如FLASH或EEPROM裝置；及微處理器，其等具有特定應用處理器，諸如用於感測器應用之基頻收發器、圖形處理器、快取記憶體裝置、記憶體管理裝置及類比-數位轉換器。各晶粒10可具有複數個終端12，該複數個終端12指代導電墊或接墊。一凸塊下金屬(UBM) 14經沈積為鄰近終端12且由一介電層13支撐。 中介層70包含自中介層70之一上表面延伸至一底表面之貫穿中介層通路(TIV) 33。一重佈層(RDL) 35可形成於中介層70之上表面上方。RDL 35包含一介電層及與TIV 33耦合之經圖案化導體以便產生一電連接。導電墊37形成於RDL 35與成型晶片47之間之一介電層38中。使用複數個導電凸塊15來透過UBM 39及導電墊37將晶粒10耦合至TIV 33。 在中介層70之底表面處，複數個導電墊51耦合至TIV 33。UBM 63與導電墊51電連接，其中UBM 63被聚合物層52圍繞並支撐。導電凸塊65經放置為鄰近於UBM 63，其中導電凸塊65可藉由受控倒疊晶片連接(C4)凸塊實施。中介層70藉由使導電凸塊65與基板20之導電墊73接觸而連接至基板20。一底膠層74填充於中介層70與基板20之間以加強封裝結構10且進一步保護半導體結構30免受撓曲損壞影響。一組焊球60經配置於基板20之背表面202處。在一些實施例中，封裝結構200進一步包含放置於半導體結構30上方並固定至前側加強件2之一頂部之一散熱器。 前側加強件2可為具有實質上相同於基板20之尺寸之一平坦結構且其中具有一開口以暴露半導體結構30。前側加強件2之一個目的係約束基板20以便防止其可由封裝總成、可靠性測試或現場操作期間之熱循環引起之翹曲或相對於半導體結構30之其他移動。此移動可由半導體結構30及基板材料之不同熱膨脹係數(CTE)引起。然而，如上文提及，甚至在封裝10中使用前側加強件2的情況下，封裝10仍可在一定程度上遭受翹曲。歸因於晶粒及基板材料之不同熱膨脹係數，基板易於翹曲，基板通常彎曲成一凸形狀。前側加強件2可在一定程度上減小此翹曲，例如可減輕約25%至約45%之翹曲。 由於甚至在封裝結構10中使用前側加強件2的情況下，封裝仍在一定程度上遭受翹曲。特定言之，前側加強件2相對於基板20作為一整體設計而非側重於半導體結構30之區域。半導體結構30之區域周圍之翹曲及應力可導致效能劣化或封裝破裂。因而，採用背側加強件4以強化封裝結構200。背側加強件4透過一黏著劑6安裝至背表面202。黏著劑6可包含相同或類似於黏著劑3之(若干)材料，而背側加強件4之(若干)材料可相同於或可不同於加強件2。背側加強件4由一剛性但撓性之材料形成。在一項例示性實施例中，背側加強件4包含諸如純銅(C1100)、黃銅或不鏽鋼之一金屬。然而，此並非本揭露之一限制。在一些實施例中，背側加強件4可包含鋁或銅鎢。在另一實施例中，背側加強件4可包含一陶瓷材料。在又另一實施例中，背側加強件4可包含一含矽材料。在又另一實施例中，背側加強件4可包含一複合物合金。在又另一實施例中，背側加強件4可包含一塑膠材料。 背側加強件4之一尺寸根據半導體結構30之一尺寸判定。為便於理解，圖2繪示圖2之封裝結構200之一頂表面透視圖及一背表面透視圖。圖2之左側展示頂表面透視圖且右側展示背表面透視圖。如自頂表面透視圖可見，前側加強件2 (頂表面透視圖中具有深色之部分)係實質上沿基板20之四個邊緣放置之一四邊形環狀結構。具體地，前側加強件2可不精確沿基板20之四個邊緣形成並與其等重疊而是自基板20之四個邊緣向內回縮達一預定距離。然而，前側加強件2之尺寸仍與如可在圖3及圖4中展示之一後續實施例中更清楚識別之基板20之尺寸相關。另一方面，背側加強件4 (背表面透視圖中具有深色之部分)具有其與半導體結構30相關之位置及尺寸。半導體結構30在背表面透視圖中依虛線繪示。根據一例示性實施例，當從背表面透視圖觀看時，背側加強件4係與半導體結構30之至少四個邊緣之一突部重疊之一四邊形環狀結構。換言之，背側加強件4之一外部或一外四邊形環(即，背側加強件4之外邊緣401與依虛線之半導體結構30之邊緣之間之深色部分)不與半導體結構30之一突部重疊；且背側加強件4之一內部或一內四邊形環(即，依虛線之半導體結構30之邊緣與背側加強件4之內邊緣402之間之深色部分)與半導體結構30之突部重疊。 相較於前側加強件2，背側加強件4具有其與半導體結構30相關之位置及尺寸，此有助於減小特定言之至半導體結構30周圍之覆晶區域之封裝翹曲。保留給背側加強件4之一較大空間允許背側加強件4具有用於減輕半導體結構30周圍之封裝翹曲之一較寬寬度及一較強架構。然而，焊球60可能被迫以不同於原始配置之方式配置且可具有基板20中之一更複雜佈線。焊球60之總數目亦可被犧牲。在例示性實施例中，背側加強件4之外四邊形環具有至少佔據用於放置焊球60之一個列或一個行之一空間之一寬度。另一方面，背側加強件4之內四邊形環亦具有至少佔據用於放置焊球60之一個列或一個行之一空間之一寬度。然而，此並非本揭露之一限制。在一些實施例中，背側加強件4之外四邊形環或內四邊形環之寬度可小於此尺寸。 在例示性實施例中，外四邊形環之寬度實質上相同於內四邊形環之寬度。即，外四邊形環之寬度實質上係背側加強件環4之寬度之50%，且內四邊形環之寬度亦實質上係背側加強件環4之寬度之50%。然而，此並非本揭露之一限制。 在例示性實施例中，背側加強件4之內邊緣402內之空間仍可用於放置焊球60。因此，本揭露可具有側重於覆晶區域之一經改良封裝翹曲而不損失太多焊球60空間。加強件4之尺寸之一需求係加強件4之一高度限於相對低於焊球60之一高度。以此方式，封裝結構200可透過焊球60組裝至另一基板而不被背側加強件4卡住。另一基板可為熟習此項技術者已知之一印刷接線板(有時亦稱為一印刷電路板)或一多層模組。 圖3係根據本揭露之一項實施例之一半成品封裝結構300之一剖面圖，其展示安裝至一基板20之一背表面202之兩個背側加強件4a及4b。圖3中類似於圖1中之類似構件之構件為簡單及清楚起見而類似地編號。背側加強件4a及4b可透過黏著劑6a及6b安裝至背表面202。背側加強件4a及4b可包含相同或類似於加強件4之(若干)材料；且黏著劑6a及6b可包含相同或類似於黏著劑6之(若干)材料。 封裝結構300包含兩個半導體結構30a及30b。半導體結構30a及30b之各者可包含一晶圓上覆晶片(CoW)結構。在一些實施例中，半導體結構30a及30b之各者可為一單晶片、一三維(3D) IC或任何其他半導體組件(諸如一被動組件)。背側加強件4a及4b分別對應於半導體結構30a及30b，且背側加強件4a及4b之一尺寸根據半導體結構30a及30b之各者之一尺寸判定。為便於理解，圖4繪示圖3之封裝結構300之一頂表面透視圖及一背表面透視圖。圖4之左側展示頂表面透視圖且右側展示背表面透視圖。如自頂表面透視圖可見，前側加強件2 (頂表面透視圖中具有深色之部分)係實質上沿基板20之四個邊緣放置之一四邊形環狀結構，該四邊形環狀結構與圖2中展示之封裝結構200之前側加強件配置無差異，儘管封裝結構300具有兩個覆晶且封裝結構200僅具有一個覆晶。此係因為前側加強件2之尺寸與基板20而非基板20上之晶片之尺寸相關。 另一方面，背側加強件4a及4b (背表面透視圖中具有深色之兩個部分)具有其分別與半導體結構30a及30b相關之位置及尺寸。半導體結構30a及30b在背表面透視圖中依虛線繪示。根據一例示性實施例，當從背表面透視圖觀看時，背側加強件4a及4b係分別與半導體結構30a及30b之各者之四個邊緣之至少一突部重疊之兩個四邊形環狀結構。換言之，背側加強件4a之一外部或一外四邊形環(即，背側加強件4a之外邊緣401a與依虛線之半導體結構30a之邊緣之間之深色部分)不與半導體結構30a之一突部重疊；且背側加強件4a之一內部或一內四邊形環(即，依虛線之半導體結構30a之邊緣與背側加強件4a之內邊緣402a之間之深色部分)與半導體結構30a之突部重疊。背側加強件4b之一外部或一外四邊形環(即，背側加強件4b之外邊緣401b與依虛線之半導體結構30b之邊緣之間之深色部分)不與半導體結構30b之一突部重疊；且背側加強件4b之一內部或一內四邊形環(即，依虛線之半導體結構30b之邊緣與背側加強件4b之內邊緣402b之間之深色部分)與半導體結構30b之突部重疊。 相較於前側加強件2，背側加強件4a具有其與半導體結構30a相關之位置及尺寸；及背側加強件4b具有其與半導體結構30b相關之位置及尺寸。減小特定言之至半導體結構30a及30b周圍之區域之封裝翹曲係有幫助的。封裝結構200之加強件4之配置之概念可用於加強件4a及4b。因此為簡潔起見此處省略進一步細節。 圖5係根據本揭露之另一實施例之一半成品封裝結構400之一剖面圖，其展示安裝至一基板20之一背表面202之一背側加強件4c。圖5中類似於圖1及圖3中之類似構件之構件為簡單及清楚起見而類似地編號。背側加強件4c可透過黏著劑6安裝至背表面202。背側加強件4c可包含相同或類似於加強件4之(若干)材料。 封裝結構400具有相同於封裝結構200之一前側配置，其中僅半導體結構30被前側加強件2圍繞。但是背側加強件4c具有不同於封裝結構200之背側加強件4之一結構。背側加強件4c經組態為自基板20之背表面202覆蓋整個半導體結構30之一突部且與其重疊之一蓋結構。背側加強件4c包含一平板部分及自該平板部分突出之一四邊形環部分，且背側加強件4c透過四邊形環部分及黏著劑6固定至基板20之背表面202。 背側加強件4c之一尺寸根據半導體結構30之一尺寸判定。為便於理解，圖6繪示圖5之封裝結構400之一頂表面透視圖及一背表面透視圖。圖6之左側展示頂表面透視圖且右側展示背表面透視圖。如自頂表面透視圖可見，前側加強件2 (頂表面透視圖中具有深色之部分)係實質上沿如上文參考圖2中展示之左側頂表面透視圖提及之基板20之四個邊緣放置之一四邊形環狀結構。背側加強件4c (背表面透視圖中具有深色之部分)具有其與半導體結構30相關之位置及尺寸。半導體結構30在背表面透視圖中依虛線繪示。根據一例示性實施例，當從背表面透視圖觀看時，背側加強件4c之四邊形環部分係介於如圖6中指示之一外環401c與一內環402c之間。平板部分覆蓋外環401c內之整個深色部分。背側加強件4c之四邊形環部分係與半導體結構30之四個邊緣之至少一突部重疊之一四邊形環狀結構。換言之，背側加強件4c之外部或四邊形環部分之外四邊形環(即，背側加強件4c之外邊緣401c與依虛線之半導體結構30之邊緣之間之深色部分)不與半導體結構30之一突部重疊；及背側加強件4c之一內部或四邊形環部分之一內四邊形環(即，依虛線之半導體結構30之邊緣與背側加強件4c之內邊緣402c之間之深色部分)與半導體結構30之突部重疊。 相較於背側加強件4，背側加強件4c進一步包含一平板部分，可透過該平板部分改良總體背側加強件4c之剛性。封裝結構200之加強件4之配置之概念可用於加強件4c之四邊形環部分。因此為簡潔起見此處省略進一步細節。但是因為內邊緣402c內之區域無法再用於容納焊球60，故進一步犧牲焊球60之總數目。因而，蓋結構與基板20之間之空間可用於包含一些被動晶片組件以根據本實施例完全利用空間。被動晶片組件指代諸如擁有一特定電特性且不易整合至半導體結構30中之電阻器、電容器或電感器。在一積體電路晶片中形成所有所需電阻器、電容器或電感器可能係不經濟的。出於此原因，如圖5及圖6中展示，被動晶片組件7與半導體結構30組合。為了繪示，被動晶片組件7經附接至內邊緣402c內之基板20之背表面202。基板20與背側4c之蓋結構之間之空間之高度應至少大於被動晶片組件7之高度。 類似於加強件4、4a及4b，加強件4c之一高度限於相對低於焊球60之一高度。以此方式，封裝結構200可透過焊球60組裝至另一基板而不被背側加強件4c卡住。另一基板可為熟習此項技術者已知之一印刷接線板(有時亦稱為一印刷電路板)或一多層模組。 本揭露之上文描述之背側加強件能夠進一步減小封裝翹曲，尤其針對覆晶定位之晶粒區域而非總體基板。背側加強件可進一步減小晶粒區域之翹曲。例如，針對已具有前側加強件之一封裝結構，可進一步藉由背側加強件減小一晶粒區域處約12.5%之翹曲。在一些實施例中，因為一些焊球空間現保留給背側加強件，所以可能犧牲焊球之一總數目之約10%。概念可不僅限於封裝結構，而亦可應用於具有一大尺寸之該等封裝。 本揭露之一些實施例提供一種半導體封裝結構，其包含：一基板，其具有一前表面及一背表面；一中介層上覆晶片結構，其安裝於該基板之該前表面上；一背側加強件，其從一背表面透視圖看，安裝於該基板之該背表面上方且圍繞該中介層上覆晶片結構之一突部；及複數個導電凸塊，其等安裝於該基板之該背表面上。 本揭露之一些實施例提供一種半導體封裝結構，其包含：一基板，其具有一前表面及一背表面；一第一半導體結構，其安裝於該基板之該前表面上；一第二半導體結構，其安裝於該基板之該前表面上；一前側加強件，其安裝於該基板之該前表面上方且實質上沿該基板之四個邊緣安裝；一第一背側加強件，其從一背表面透視圖看，安裝於該基板之該背表面上方且圍繞該第一半導體結構之一突部；一第二背側加強件，其從該背表面透視圖看，安裝於該基板之該背表面上方且圍繞該第二半導體結構之一突部；及複數個導電凸塊，其等安裝於該基板之該背表面上。 本揭露之一些實施例提供一種半導體封裝結構，其包含：一基板，其具有一前表面及一背表面；一半導體結構，其安裝於該基板之該前表面上；一背側加強件，其包含一四邊形環部分及一平板部分，該背側加強件安裝於該基板之該背表面上方；及複數個導電凸塊，其等安裝於該基板之該背表面上。 前文概述數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應明白，其等可容易將本揭露用作設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他程序及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應認識到，此等等效構造並未脫離本揭露之精神及範疇，且其等可在不脫離本揭露之精神及範疇的情況下在本文中進行各種改變、置換及更改。

2‧‧‧前側加強件

3‧‧‧黏著劑

4‧‧‧背側加強件

4a‧‧‧背側加強件

4b‧‧‧背側加強件

4c‧‧‧背側加強件

6‧‧‧黏著劑

6a‧‧‧黏著劑

6b‧‧‧黏著劑

7‧‧‧被動晶片組件

10‧‧‧晶粒/封裝結構

12‧‧‧終端

13‧‧‧介電層

14‧‧‧凸塊下金屬(UBM)

15‧‧‧導電凸塊

20‧‧‧基板

30‧‧‧半導體結構

30a‧‧‧半導體結構

30b‧‧‧半導體結構

33‧‧‧貫穿中介層通路(TIV)

35‧‧‧重佈層(RDL)

37‧‧‧導電墊

38‧‧‧介電層

39‧‧‧凸塊下金屬(UBM)

47‧‧‧成型晶片

49‧‧‧模塑料

51‧‧‧導電墊

52‧‧‧聚合物層

60‧‧‧焊球

63‧‧‧凸塊下金屬(UBM)

65‧‧‧導電凸塊

70‧‧‧中介層

73‧‧‧導電墊

74‧‧‧底膠層

200‧‧‧半成品封裝結構/基板上覆CoW (CoWoS)結構

201‧‧‧前表面

202‧‧‧背表面

300‧‧‧封裝結構

400‧‧‧半成品封裝結構

401‧‧‧背側加強件4之外邊緣

401a‧‧‧背側加強件4a之外邊緣

401b‧‧‧背側加強件4b之外邊緣

401c‧‧‧外環

402‧‧‧背側加強件4之內邊緣

402a‧‧‧背側加強件4a之內邊緣

402b‧‧‧背側加強件4b之內邊緣

402c‧‧‧內環

在結合附圖閱讀時，可自以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各個構件未按比例繪製。實際上，為了清楚論述，可任意增大或減小各個構件之尺寸。 圖1係根據本揭露之一項實施例之一半成品封裝結構之一剖面圖，其展示安裝至一基板之一背側之一背側加強件； 圖2繪示圖1之封裝結構之一頂表面透視圖及一背表面透視圖； 圖3係根據本揭露之一項實施例之一半成品封裝結構之一剖面圖，其展示安裝至一基板之一背側之兩個背側加強件； 圖4繪示圖3之封裝結構之一頂表面透視圖及一背表面透視圖； 圖5係根據本揭露之另一實施例之一半成品封裝結構之一剖面圖，其展示安裝至一基板之一背側之一背側加強件；及 圖6繪示圖5之封裝結構之一頂表面透視圖及一背表面透視圖。

Claims (1)

1. 一種半導體封裝結構，其包括： 一基板，其具有一前表面及一背表面； 一中介層上覆晶片結構，其安裝於該基板之該前表面上； 一背側加強件，其從一背表面透視圖看，安裝於該基板之該背表面上方且圍繞該中介層上覆晶片結構之一突部；及 複數個導電凸塊，其等安裝於該基板之該背表面上。