TW201228816A

TW201228816A - Electrode foil and organic device

Info

Publication number: TW201228816A
Application number: TW100133603A
Authority: TW
Inventors: Yoshinori Matsuura; Nozomu Kitajima
Original assignee: Mitsui Mining & Smelting Co
Priority date: 2010-09-21
Filing date: 2011-09-19
Publication date: 2012-07-16
Also published as: TWI454372B; JP5016712B2; WO2012039294A1; US8586976B2; EP2525629A1; JP2012069286A; EP2525629A4; US20120280217A1

Description

201228816 六、發明說明：此申請係主張依據2010年9月21曰所專利申請第2010-211189號之優先權之構成示內容則經由參照而放入於本說明書。【發明所屬之技術領域】本發明係有關使用金屬箔之電極箔，以之有機電激發光元件，有機電激發光照明，池等之有機裝置。【先前技術】近年來，有機電激發光照明則作爲關懷置而被受注目。作爲有機電激發光照明的特 1)對於白熱燈而言爲低消耗電力，2)薄里可撓性。現在’有機電激發光照明係爲了實 3)的特徵而展開開發。此點，在由平面顯元以往所使用之玻璃基板中，無法實現前述2 徵。因此’展開對於作爲爲了有機電激發光的基板（以下，稱作支持基材）之硏究，作案有極薄玻璃，樹脂薄膜，金屬箱等。極薄熱性，阻障性，及光透過性優越，可撓性亦性稍差’熱傳導性低’材料成本亦高。另外對於處理性及可撓性優越，材料成本亦低，申請之日本國，此全體的揭及使用電極箔有機太陽能電環境之潔淨裝徵，係可舉出 !且輕量，3 ) 現前述2)及器（FPD )等 )及3)的特照明之支持體爲其候補，提玻璃係對於耐爲良好，處理，樹脂薄膜係光透過性亦爲 -5- 201228816 良好，但缺乏耐熱性及阻障性，熱傳導性爲低。對此，金屬箔係除了無光透過性之外，具有對於耐熱性，阻障性，處理性，熱傳導性優越，可撓性亦爲良好，材料成本亦低之優越特徵。特別是關於熱傳導性，對於典型的可撓性玻璃或薄膜爲極低之1 W/m °C以下之情況而言，銅箔之情況爲極高之2 80 W/m°C程度。但，爲了作爲可撓性電子裝置之支持基材而使用金屬箔，係必須作爲以絕緣膜被覆其表面。例如，對於專利文獻1 (日本特表2007-536697號公報）係揭示有：於可撓性基板上，具備下部電極層，有機層及上部電極層之有機發光裝置，而作爲可撓性基板，記載有可使用以絕緣層被覆亦可之金屬箔之情況。對於專利文獻2 (日本特開2008-142970號公報）係揭示有：具備表面粗糙度Ra爲30nm以上5 00nm以下之不鏽鋼箔之可撓性之電子裝置用絕緣被覆金屬箔。此金屬箔係由被覆絕緣膜於表面者，作爲爲了形成薄膜電晶體（ TFT)等之電子裝置的支持基材所使用。對於專利文獻3 (日本特開2001-270036號公報）係揭示有：於表面粗糙度Ra爲0.2 μιη以下程度之金屬箔表面，層積熱壓著性聚醯亞胺塗膜之可撓性金屬箔層積體。對於專利文獻4 (日本特開2007-217787號公報）係揭示有：爲了謀求與絕緣層構成材料之貼合面之低扁平化，將析出面側之表面粗糙度（Rzj i s )作爲不足1 . 0 μηι之電解銅箔，但揭示於此文獻之表面粗糙度（Rzj i s )係最平 201228816 坦之構成亦盡量爲0.27 μηι。 [專利文獻] 專利文獻1 :日本特表2007-5 36697號公報專利文獻2:日本特開2〇〇8_14297〇號公報專利文獻3:日本特開2001-270036號公報專利文獻4:日本特開2007-217787號公報【發明內容】本發明者係這次由設置反射層於金屬箔上者，兼具作爲支持基材及反射電極之機能，且得到對於熱傳導性優越 ’對於可撓性有機裝置有用之電極箔之見解。又更於反射層與金屬箔之間’使防止來自金屬箔之金屬的擴散之擴散防止層介入存在者，可提升電極箔之耐熱性。隨之，本發明之目的係提供兼具作爲支持基材及反射電極之機能，且對於熱傳導性及耐熱性優越，對於可撓性有機裝置有用之電極箔。如根據本發明之一形態，提供具備：金屬箔；和直接設置於前述金屬箔上，防止來自前述金屬箔之金屬的擴散之擴散防止層；和直接設置於前述擴散防止層上之反射層的電極箔。如根據本發明之其他形態，提供具備：上述電極箔：和直接設置於前述電極箔之前述反射層側之最表面的有機電激發光層及/或有機太陽能電池活性層所成之有機 201228816 半導體層；和設置於前述有機半導體層上之透明或半透明之對向電極的有機電激發光元件及/或有機太陽能電池之有機裝置。如根據對於本發明又其他之形態，提供作爲有機電激發光元件而具備上述有機裝置而成之有機電激發光照明。【實施方式】電極箱於圖1顯示經由本發明之電極箔之一例的模式剖面圖。圖1所示之電極箔10係具備金屬箔12，直接設置於金屬箔上之擴散防止層13，直接設置於擴散防止層上之反射層1 4 ’及經由期望而直接設置於反射層上之緩衝層1 5所成。即’電極箔10係具備金屬箔12，擴散防止層13，反射層14及緩衝層15之4層構成，但本發明之電極箔係不限於此，而亦可爲金屬箔12，擴散防止層13及反射層14 之3層構成。在頂放射型有機電機發光元件中.，一般於金屬電極層上形成反射層所進行，但此金屬電極層係相信必須形成於絕緣基板等之支持基材上。事實上，在本發明者所知，至今並未有，於由其本身單獨可處理之金屬箔形成反射層，作爲有機電激發光元件之陽極或陰極而使用之嘗試。對於本發明，不只支持基材，作爲電極使用金屬箔12 ’且由藉由擴散防止層13設置反射層14於其上方者，可提供兼具支持基材，電極及反射層之3個機能之以往所沒 -8- 201228816 有的電極箔。隨之，如根據本發明之電極箔，可不需在以往頂放射型可撓性發光裝置作爲必要之支持基材及反射層。因此’本發明之電極箔係至少於反射層側未具有絕緣層之構成，理想爲於任何部位均未具有絕緣層。金屬箔12係如爲具有作爲支持基材之強度及作爲電極必要之電性特性之箔狀金屬材料，並無特別加以限定。理想的金屬箔係從可防止經由在加工時產生之粒子狀物的帶磁之附著之觀點’爲非磁性金屬箔。作爲非磁性金屬之理想例係可學出銅，鋁，非磁性不鏽鋼，鈦，鉬，鉬等，更理想爲銅’鋁’及非磁性不鏽鋼。最理想之金屬箔係銅箔。銅箔係比較廉價，同時對於強度，可撓性，電性特性等優越。電極箔10之至少一方的最表面係作爲具有10. Onm以下之算數平均粗糙度Ra之超平坦面爲佳，更理想爲7.0 nm 以下，又理想爲5. Onm以下，最理想爲3. Onm以下。算數平均粗糙度Ra的下限並無特別加以限定，而亦可爲零，但當考慮平坦化處理之效率時，作爲下限値的基準而可舉出 0.5nm。其算數平均粗糙度Ra係可依照JIS B 0601 -2 001而使用市售的粗度測定裝置加以測定。 1 在此，電極箔10之至少一方的最表面係對於3層構成之情況係指反射層1 4之表面1 4a，對於4層構成之情況係指緩衝層1 5之表面1 5a。不過，在3層構成之情況中，在反射層14之表面14a之上述算數平均粗糙度Ra的實現係將成爲形成有反射層1 4情況之擴散防止層1 3的表面 201228816 13a及其下方之金屬箔12的表面12a之算數平均 Ra作爲上述同樣的範圍，即ι〇·〇ηηι以下，理辨、爲以下’更理想爲3 . Onm以下，可經由將反射層j 4 其上方而進行。在4層構成之情況中，在緩衝層j 面15a之上述算數平均粗縫度Ra的實現係可經由作爲’於賦予lO.Onm以下，理想爲6.5nm以下，爲4. Onm以下之算數平均粗糙度Ra的反射層14上衝層1 5成膜而進行。如此作爲所形成之緩衝層j 5 15a係具有10.Onm以下，理想爲7.Onm以下，更 5.Onm以下之算數平均粗糖度Ra。如此，將較欲在所賦予之算數平均粗糙度Ra同等或若干爲小之算粗糙度Ra，賦予較其爲下方的層乃至箔的表面爲而，爲了層積狀態而未構成最表面之金屬箔表面的均粗糙度Ra之評估係從金屬箔表面，由fib ( F Ion Beam )加工製作剖面，可經由以透過型電子顯 TEM )觀察其剖面而進行，而爲了層積狀態而未構面之反射層表面的算數平均粗糙度Ra之評估亦可爲而進行。在本發明者所知，至今工業上未製造有具有如坦表面之金屬箔（特別是銅箔），而更且至今未有爲其可撓性電子裝置之電極本身之構成而應用之嘗市售有平坦化表面之銅箔，但如此之銅箔的平坦化作爲有機電激發光元件用電極係爲不充分之構成’ 有機電激發光元件之情況，經由表面的凹凸而引起粗糙度 6.0 nm 成膜於 5之表如上述更理想，將緩之表面理想爲最表面數平均佳。然算數平 :〇 c u s e d 微鏡（成最表同樣作此超平將此作試。雖位準係而作爲短路， -10- 201228816 有無法得到發光之虞。對此，金屬箔12之超平坦面12a之算數平均粗糙度 Ra爲極小之lO.Onm以下，理想爲6.0nm以下，更理想爲 3.Onm以下時，即使作爲有機電激發光元件用電極而使用，亦可有效果的防止會在與對向電極等之間引起之短路。如此之超平坦面係可經由根據CMP( Chemical Mechanical Polishing)處理而硏磨金屬箔之時而實現。CMP處理係可使用公知的硏磨液及公知的硏磨墊，依照公知的條件而進行。作爲理想之硏磨液，係可舉出更含有選自二氧化铈，二氧化矽，氧化鋁，锆等之1種以上之硏磨粒約0.5〜2 重量％程度所成，且可舉出苯并三唑（BTA )等之氧化劑，和更且/或喹吶啶酸，喹啉酸，菸鹼酸等之有機錯合物形成劑，陽離子性界面活性劑，陰離子性界面活性劑等之界面活性劑，和經由期望防蝕劑的構成。作爲理想的硏磨墊係可舉出胺甲酸乙酯製的墊片。硏磨條件係如適宜調整墊片旋轉速度，工作荷重，硏磨液塗佈流量等，並無特別加以限定，但將旋轉速度調整爲20〜100 Orpm之範圍內，將工作荷重調整爲100〜5 00gf/cm2之範圍內，將硏磨液塗佈流量調整爲20〜200cc/min範圍內爲佳。超平坦面12a係亦可經由使用電解硏磨法，拋光硏磨法，藥液硏磨法，及此等組合等而硏磨金屬箔12之時而實現。藥液硏磨法係如適宜調整藥液，藥液溫度，藥液浸漬時間等即可，並無特別加以限定，但例如銅箔之藥液硏磨係可經由使用2 -乙醇胺與氯化銨之混合物之時而進行。 -11 - 201228816 藥液溫度係室溫爲佳，使用浸漬法（Dip )爲佳。另外，藥液浸漬時間係變長時，有著平坦性惡化之傾向之故，i 〇〜120秒爲佳’ 30〜90秒更佳。藥液硏磨後之金屬箔係經由流水而加以洗淨爲佳。如根據如此之平坦化處理，可將 Ra算數平均粗糙度Ra I2nm程度的表面平坦化至Ra lO.Onm或此以下之程度。超平坦面1 2a係亦可經由將金屬箔1 2之表面經由噴砂而硏磨之方法，或將金屬箔12之表面經由雷射，阻抗加熱，燈加熱等之手法而使其熔融之後加以急冷之方法等而實現。另外，對於作爲金屬箔12,使用如銅，鎳，鉻可電鍍之金屬箔的情況，亦可使用轉印法而實現超平坦面。轉印法係如依據公知的方法及公知的條件進行即可。例如，使用電解硏磨法及拋光硏磨法，將SUS，鈦等之電極板的表面，成爲算數平均粗糙度Ra爲10. Onm以下地進行平坦化。於此平坦化之電極板的表面，將金屬箔1 2之材料進行電鍍，在到達至所期望的厚度時點，由電極板剝離金屬箔12之材料。由如此作爲而於金屬箔12之剝離面，轉印電極板表面之平坦性者，可實現超平坦面。金屬箔1 2之厚度係只在無損可撓性，作爲箔可以單獨處理之厚度，並無特別加以限定，但爲1〜250 μπι，而理想爲25〜250μιη，更琴想爲35〜150μΓη。如爲如此之厚度，可使用市售之裁斷機而簡單地進行切斷。另外，金屬箔12係與玻璃基板不同，未有破裂’ 破片等之問題，另外’亦有不易發生切斷時之粒子等之優 -12- 201228816 點。金屬箔1 2係除了四角形以外之形狀，例如可作爲圓形，三角形，多角形之各種形狀，並且，從亦可切斷及熔接之情況，經由剪貼而可製作立方狀或球狀之立體形狀的發光體。此情況，對於金屬箔12之切斷部或熔接部係未形成發光層爲佳。超平坦面1 2 a係由鹼性溶液加以洗淨爲佳。作爲如此之鹼性溶液，係可使用含有氨之溶液，氫氧化鈉溶液，氫氧化鉀溶液等之公知的鹼性溶液。理想的鹼性溶液係含有氨之溶液，更理想爲含有氨之有機系鹼性溶液，更理想爲四甲基氫氧化銨（TMAH )溶液。TMAH溶液之理想濃度係0.1〜3.0wt%。作爲如此之洗淨的一例係可舉出使用 0.4%TMAH溶液，以23°C進行1分鐘的洗淨。與經由如此鹼性溶液之洗淨同時，或取代經由鹼性溶液之洗淨，進行 UV(Ultra Violet)處理，亦可得到同樣的洗淨效果。更且，銅箔等之情況，使用稀硫酸等之酸性洗淨液，亦可除去形成於銅表面之氧化物。作爲酸洗淨之一例，可舉出使用稀硫酸而進行3 0秒鐘的洗淨。於擴散防止層13之成膜前，除去存在於超平坦面12a 上之粒子爲佳。作爲有效之粒子除去之手法，係可舉出經由超純水之音波洗淨法或乾冰噴射法等，但乾冰噴射法更爲有效。乾冰噴射法係經由將高壓壓縮的碳酸氣體，從細噴嘴噴射之時，噴射低溫固化之碳酸於超平坦面12a而除去粒子之方法。其乾冰噴射法係與濕式工程不同，可省去乾燥工程，另外具有可除去有機物等之優點。乾冰噴射法 -13- 201228816 係例如可使用乾冰系統（AIR WATER公司製）等市售之裝置而進行。對於金屬箔12之超平坦面12a上係直接設置擴散防止層13。擴散防止層13係如具有防止來自金屬箔之金屬的擴散之機能的構成即可，可採用公知之所有組成及構造的膜。由此，電極箔即使曝露於相當高溫之情況，亦可有效果地抑制從銅箔與鋁含有反射層之間的界面產生之熱遷移，進而可抑制因熱遷移引起之表面平坦性或反射率之降低。即，可提昇電極箔之耐熱性。隨之，此形態係以2 0 0 °C以上，理想爲2 3 0 °C以上，更理想爲2 5 0 °C以上之溫度加以進行，可說在電洞植入層塗佈後之熱處理中爲特別有效。然而，擴散防止層13係作爲2層以上的層積構造亦可〇作爲構成擴散防止層13之理想的材料係可舉出（i) Mo、Ti、Ta、Cr、W等之高熔點金屬、其合金及氮化物、 (ii)Ni、Fe、C〇等之過渡金屬及其合金、（iii)亦使用於緩衝層之導電性非晶質碳素、導電性氧化物、鎂系合金、及氟化物。隨之，作爲擴散防止層的例，係可舉出含有選自、Mo、Ti、Ta、Cr、W、Ni、Fe、Co、C、Zn、Li、 γ、氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鉬、氧化鎵、氧化釩、氧化鎢、氧化釕、氧化鋁、氧化鈦、氮化鈦、氮化鉻' 氮化钽、NiP、Ni-Zn、LiF、MgF2、CaF3、NaAlF6、NaF6 所成的群之至少一種而成的層。另外，對於此等化合物，並不限定於化學計量的組成之構成，例如，氧化銦（ -14- 201228816 Ιη203 )的氧一部分不足之物質亦可作爲擴散防止層而使用。由此，電性及機械性地使金屬箔1 2與反射層1 4密著，可有效果地防止熱遷移。擴散防止層的形成係可經由濺鍍法，真空蒸鍍法，電解電鍍法，無電解電鍍法等之公知的種種方法而進行。擴散防止層1 3的厚度係只要可得到防止擴散防止層所要求之金屬的擴散效果，並無特別加以限定，但lnm以上爲佳，更理想爲3nm以上，又更理想爲5 nm以上。另外，從維持電極箔之表面平坦性之觀點，擴散防止層1 3之厚度係作爲200nm以下爲佳，更理想爲 1 00nm以下。對於擴散防止層之超平坦面13.a上，係直接設置有反射層14。反射層14係由選自鋁，鋁系合金，銀，及銀系合金所成的群之至少一種加以構成爲佳。此等材料係因光的反射率高之故而適合於反射層，並且對於薄膜化時之平坦性亦爲優越。特別是鋁或鋁系合金係爲從便宜的材料之情況爲佳。作爲鋁系合金及銀系合金係在有機電激發光元件等之顯示裝置，具有作爲陽極或陰極所使用之一般的合金組合之構成則可廣泛採用。作爲理想的鋁系合金組成的例，係可舉出 Al:Ni、Al-Cu、Al-Ag、Al-Ce、Al-Zn，A1-B 、Al-Ta、Al-Nd、Al-Si、Al-La、Al-Co、Al-Ge、Al-Fe、 Al-Li、Al-Mg、Al-Μη合金。如爲構成此等合金之元素，配合必要之特性而可做任意組合。另外，作爲理想之銀合金組成的例，係可舉出Ag-Pd、Ag-Cu、Ag-Al、Ag_Zn、 Ag-Mg、Ag-Mn、Ag_Cr、Ag-Ti、Ag-Ta、Ag-Co、Ag-Si、 -15- 201228816

Ag-Ge、Ag-Li、Ag-B、Ag-Pt、Ag-Fe、Ag_Nd、 Ag-Ce合金。如爲構成此等合金之元素，配合必而可做任意組合。反射層1 3之膜厚係並無特別，但具有30〜5 00nm之厚度爲佳，更理想爲50〜又理想爲100〜250nm。反射層14之表面14a係具有10.〇nm以下， 6.5nm以下，又理想爲4.0nm以下之算數平均粗如前述，在本發明之電極箔中係於超平坦之金屬成有反射層之故，即使在反射層之表面，亦可減均粗糙度Ra而實現高平坦性。由此，可降低因凸的產生引起在有機電激發光層間之短路的風險因無需欲排除經由反射層表面之凹凸的影響而加洞植入層及電洞輸送層或電子植入層及電子輸送可將此等層及含有此等之有機電激發光層薄化成。其結果，可減少極高價之有機原料的使用量而成本之同時，可經由有機電激發光層之薄膜化而效率。對於反射層14上直接設置緩衝層15爲佳》} 係在有機電激發光元件中，與有機電激發光層接洞植入效率或電子植入效率提昇’而如賦予所期函數之構成，並無特別加以限定。不過’在本發層係從將金屬箔作爲反射層而使其發揮機能之觀或半透明爲佳。緩衝層1 5係選自導電性非晶質碳素膜’導

Ag-La、要之特性加以限定 “ 3 OOnm，更理想爲錯度Ra。箔表面形小算數平過度之凹。另外，厚設置電層之故，以往以上降低製造提昇發光暖衝層1 5 觸而使電望之工作明之緩衝點，透明電性氧化 -16- 201228816 物膜，鎂系合金膜，及氟化物膜之至少一種爲佳，而如對應於陽極或陰極之適用用途及所要求之特性做適宜選擇即可〇作爲導電性非晶質碳素膜，可使用經由抑制氫濃度或不純物濃度而賦予導電性之各種非晶質碳素膜。導電性非晶質碳素膜之形成係經由濺鍍法而加以進行爲佳。作爲使用濺鍍之碳標靶，係使用施以純化處理之構成爲佳。另外，亦可使用於多孔質的碳，浸含B，Si，Al，Cu之構成。對於將導電性非晶質碳素膜作爲緩衝層而使用之情況，作爲反射層，鋁膜，鋁系合金膜，銀膜，及銀系合金膜之任一均爲適合，但考慮平坦性及材料成本時，鋁合金爲佳。理想的導電性非晶質碳素膜係由氫濃度爲1 5at%以下之導電性非晶質碳素加以構成。更理想之氫濃度爲1 2at% 以下，又理想爲5at%以下。然而，氫濃度之下限係並無特別加以限定，而亦可爲零，但當考慮因濺鍍時之成膜環境等引起之不可避免混入氫之情況時，作爲下限値之基準，可舉出3 at%。然而，緩衝層中的氫濃度之測定係可經由公知的各種方法而進行，但經由HFS (氫氣正向散射分析儀：Hydrogen Forward Scattering)而進行爲佳。在本說明書中，導電性非晶質碳素膜中的氫濃度係以HFS等將碳及氫定量，作爲將此等原子數的合計作爲lOOat%時之氫濃度所定義。經由如此將氫濃度作爲極低之時，回避構成緩衝層的碳則經由以氫作爲終端之導電性的下降乃至絕緣性的發現，可使緩衝層具有作爲電極之高導電性。隨之 -17- 201228816 ，對於導電性非晶質碳素係實質上未摻雜碳及氫以外之不純物爲佳。在此，「實質上未摻雜」係有爲了賦予某些機能而意圖性未摻雜不純物之意味，容許因濺鍍時之成膜環境等引起，不可避免混入之不純物。從如此之觀點，在本發明中，導電性非晶質碳素係具有0〜300wtppm之氧濃度，0〜1000 wtppm之鹵元素濃度，0〜500wtppm之氮濃度爲佳。緩衝層1 4之膜厚係未特別加以限定，但3〜3 Onm 爲佳，更理想爲3〜15nm，又理想爲5〜10nm。作爲理想之導電性氧化物膜，可舉出由選自InOx， S η Ο X > Ζ η Ο χ > ΜοΟχ，G a Ο χ > VOx，WOx，RuOx，A1 Ο χ » TiOx及GeOx所成的群之1種或2種以上加以構成的膜，作爲典型例係可舉出ITO (銦錫氧化物）或IZO(銦鋅氧化物）。導電性氧化物膜之形成係如經由濺鍍法，真空蒸鍍法等之公知的手法進行即可，而理想係經由DC磁控管濺鍍法而進行。使用於濺鍍法之標靶材係可經由熱壓法或冷壓法而製作之故，適宜組合上述氧化物而可得到所期望之特性。對於將導電性氧化物膜作爲緩衝層而使用之情況，作爲反射層，Al-Ni系合金，Ag或Ag系合金則特別適合〇作爲理想之鎂系合金膜，可舉出由添加選自 Ag，A1 ’ Zn，Li，Y及Ca之1種以上於Mg之合金加以構成的膜。鎂系合金膜之形成係如經由濺鑛法，真空蒸鑛法等之公知的手法進行即可，而理想係經由真空蒸鍍法而進行。作爲理想之氟化物膜，可舉出由選自LiF，MgF2， -18- 201228816

CaF2 ’ A1F3 ’ Na3AlF6及NaF6之1種以上加以構成的膜》氟化物膜之形成係如經由濺鍍法，真空蒸鍍法等之公知的手法進行即可，而理想係經由真空蒸鍍法而進行。緩衝層15之表面15a係具有10. 〇nm以下，理想爲 7.0nm以下，更理想爲5.0nm以下之算數平均粗糙度Ra〇如前述，在本發明之電極箔中係於因超平坦之金屬箔引起之超平坦之反射膜表面形成有緩衝層之故，即使在緩衝層之表面，亦可減小算數平均粗糙度Ra而實現高平坦性。由此，可降低因過度之凹凸的產生引起在有機電激發光層間之短路的風險。另外，因無需欲排除經由緩衝層表面之凹凸的影響而加厚設置電洞植入層及電洞輸送層或電子植入層及電子輸送層之故，可將此等層及含有此等之有機電激發光層薄化成以往以上。其結果，可減少極高價之有機原料的使用量而降低製造成本之同時，可經由有機電激發光層之薄膜化而提昇發光效率。對於反射層1 4與緩衝層1 5之間係亦可存在有氧化膜 (未圖示）。其氧化膜係典型來說，有著根據陽極層經由環境中的氧而不可避免所氧化而形成之情況。如此之氧化膜係盡可能爲薄爲佳，理想的厚度係3 . Onm以下，更理想爲1 · 5 nm以下。如此之氧化膜係經由蝕刻等而除去亦可。經由本發明之電極箔係具有1〜300μηι之厚度爲佳，更理想爲具有25〜2 5 0μπι，又理想爲具有35〜150μπι，最理想爲具有40〜ΙΟΟμιη之厚庚。如根據本發明之理想形態，與金屬箔1 2之反射層1 4 -19- 201228816 相反側之表面1 2b則成爲具有1.0 μιη以上，更理想爲2 · 0 μηι以上，又理想爲5.0 μηι以上之十點平均粗糙度Rz之粗化面地進行加工亦可。其十點平均粗糙度Rz係可依照 JIS B 060 1 - 1 994而使用市售的粗度測定裝置加以測定。粗化其表面之加工係可經由乾冰噴射，噴砂，濕蝕刻，乾蝕刻等之公知的手法而理想加以進行。經由形成於其粗化面的表面之凹凸而可提昇散熱特性。經由本發明之電極箔係將金屬箔作爲基底之故，無需特別必要支持基材，例如可經由捲對捲（roll-to-roll )處理而有效率地製造。經由本發明之電極箔係可作爲各種可撓性有機裝置用 (特別是可撓性發光或發電裝置）之陽極或陰極而理想使用，由此，可作爲反射電極而發揮機能。作爲如此之可撓性有機裝置的例，係可舉出有機電激發光元件，有機電激發光照明，有機電激發光顯示器，電子紙，薄膜太陽能電池，液晶顯示器，無機電激發光元件，無機電激發光顯示器，LED照明，LED顯示器，但理想係有機電激發光元件，有機電激發光照明，有機電激發光顯示器，有機太陽能電池，色素增感太陽能電池，更理想爲在得到極薄，高亮度的發光的點爲有機電激發光照明。另外，有機太陽能電池的情況，許多對於電極材料所要求之特性則與在有機電激發光元件之情況所要求之特性共通之故，經由本發明之電極箔係可作.爲有機太陽能電池之陽極或陰極而理想使用。即，經由依照公知的技術而適宜選擇層積於經由本發明 -20- .201228816 之電極箔上的有機半導體層之種類之時，亦可將有機裝置構成爲有機電激發光元件及有機太陽能電池之任一。另外，亦可同時形成發光元件及發電元件於同一電極上，由此亦可製作合倂具有有機電激發光元件之機能與有機太陽能電池之機能的複合裝置。更且，經由本發明之電極箔係不只有機電激發光元件之電極，亦可對於led之安裝基板亦可使用。特別是經由本發明之電極箔係在可緊密地安裝 LED元件的點，可作爲LED照明用之陽極或陰極而理想使用。有機電激發光元件及有機電激發光照明可將經由本發明之電極箔作爲反射電極而使用，構築頂放射型有機電激發光元件及有機電激發光照明。於圖2顯示作爲陽極而使用本發明之電極箔之頂放射型有機電激發光元件的層構成之一例。圖2所示之有機電激發光元件係具備具有金屬箔22，擴散防止層23，反射層24及緩衝層25之陽極電極箔20，和直接設置於緩衝層 25上之有機電激發光層26，和作爲直接設置於有機電激發光層26上之對向電極之陰極28所成。緩衝層25係作爲陽極而適合地由導電性非晶質碳素膜或導電性氧化物膜加以構成爲佳。作爲有機電激發光層26係可使用使用於有機電激發光元件之公知之各種電激發光層構成，經由期望而可將電洞植入層及/或電洞輸送層’發光層，以及經由期望而可 -21 - 201228816 將電子輸送層及/或電子植入層，從陽極電極箔20 極28依序具備而成。作爲電洞植入層，電洞輸送層，發光層，電子，及電子植入層，係各公知之各種構成乃至組成的適宜使用，並無特別加以限定。如前述，經由以公知之有機太陽能電池活性層有機電激發光層26之時，可構成有機太陽能電池發明之電極箔作爲陽極而使用之有機太陽能電池的可於緩衝層（例如，碳緩衝層）上，依序層積電洞輸 PEDOTrPSS ( 30nm))，卩型有機半導體層（例如苯并卟啉）），η型有機半導體與p型有機半導體混合層（例如，BP:PCBNB (富勒烯衍生物）），η 半導體層（例如，PCBM (富勒烯衍生物）），具作函數之緩衝層（例如，Mg-Ag)及透明電極層（例如構成太陽能電池。作爲構成此等各層之材料係可適公知的材料，並無特別加以限定。使用於有機太陽之電極係具有與使用於有機電激發光元件之電極相及構造即可。本發明之電極箔係由具備反射層者，由因空蝕效果而引起的光之封閉之發電效率的提升於圖3,顯示組入圖2所示之有機電激發光元放射型有機電激發光照明的層構成之一例。在圖3 有機電激發光照明中，有機電激發光元件係作爲藉電極箔20之金屬箔22而可電性連接於電源30。與 25上之有機電激發光層26非接觸之範圍係由層間朝向陰輸送層層則可而置換。將本情況1 送層（，BP ( 之i型型有機有低工 IZO)而宜使用能電池同材料期待經〇件之頂所示之由陽極緩衝層絕緣膜 -22- 201228816 29所被覆。作爲層間絕緣膜29，CVD成膜之Si系絕則從對於成爲使有機層劣化之原因的水份及氧而言，性高之情況爲佳，更理想爲SiN系絕緣膜。更理想之絕緣膜係在膜內部應力小，對於彎曲性優越的點 SiNO系絕緣膜。對於陰極28之上方，係與有機電激發光元件對置封閉材32，對於封閉材32與有機電激發光元件20 係塡充封閉用樹脂而形成封閉膜34 »作爲封閉材32 使用玻璃或薄膜。玻璃之情況係可於封閉膜34上使水性黏著膠帶而直接黏接。薄膜之情況係可將兩面及，以Si系絕緣膜而被覆加以使用。對於開發將來阻高之薄膜的情況，係可不進行被覆處理而封閉，可預爲對於量產性優越之構成。作爲封閉材3 2，係從賦予性之觀點，薄膜的情況爲佳，但使用黏接薄膜於厚度 1 ΟΟμιη之非常薄的玻璃之封閉材，亦可得到所期望之〇作爲陰極28係可使用使用於頂放射型有機電激元件之公知之各種陰極，因必須透過光線之故，如爲或半透明，並無特別加以限定，但工作函數低之構成。作爲理想之陰極係可舉出導電性氧化物膜，鎂系合及氟化物膜，將此等組合成2層以上則更佳。此等膜使用與在電極箔之緩衝層所述之構成同樣之構成。特別理想之陰極係於作爲導電性氧化物膜所成之層的透明氧化物層，層積作爲鎂系合金膜及/或氟化緣膜阻障層間，爲向設之間係可用疎端面障性想成可撓 20〜性能發光透明爲佳金膜係可陰極物膜 -23- 201228816 所成之緩衝層的半透過金屬層之2層構造，從阻抗的觀點，實用性高。此情況，經由使陰極28之半透過金屬層（緩衝層）側，與有機電激發光層26接觸而使用之時，招致高光透過性與低工作函數，可提升有機電激發光元件之亮度及電力效率。作爲最理想的例，係可舉出層積IZO(銦鋅氧化物）所成之透明氧化物層（陰極層）與Mg-Ag所成之半透過金屬層（緩衝層）而成之陰極構造體。另外，陰極構造體係亦可具備2層以上之透明氧化物層及/或2層以上之半透過金屬層的構成。如此，在有機電激發光層26 產生的光線係通過陰極28及封閉膜34及封閉材32而放出至外部》然而，對於電極箔20之背面係可對應於使用形態，適宜設置補助性之基材亦可。此部分係未對於發光特性帶來影響之故’，材料選擇之自由度爲高。例如，如使用聚乙烯對苯二甲酸酯（PET)，聚醯亞胺（PI)，聚碳酸酯（PC )，聚醚颯（PES)，聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)等之樹脂薄膜，因無損可撓性之故，可說是最適合。於圖4顯示作爲陰極而使用本發明之電極箔之頂放射型有機電激發光元件的層構成之一例。圖4所示之有機電激發光元件係具備具有金屬箔42,擴散防止層43，反射層44及緩衝層45之陰極電極箔40，和直接設置於緩衝層 45上之有機電激發光層46,和作爲直接設置於有機電激發光層46上之對向電極之陽極48所成。有機電激發光層 46係可與圖2所示之有機電激發光層26同樣構成，緩衝 -24- 201228816 層45係可與圖2所示之陰極28同樣構成，由導電性氧化物膜，鍾系合金膜，氟化物膜，或此等2層以上之組合加以構成爲佳。更理想之緩衝層45係由鎂系合金膜及/或氟化物膜所成之半透過金屬層。即’使用圖4所示之陰極電極箔40之有機電激發光兀件係在使用圖2所不之陽極電極箱20之有機電激發光元件中，相當於調換緩衝層25與陰極28，且使從有機電激發光層26內部之陽極側至陰極側的層積順序逆轉之構成。例如，作爲陰極電極箔40之緩衝層45，將鎂系合金膜或氟化物膜，經由濺鍍或蒸鍍而形成之另一方面，作爲陽極4 8，將導電性非晶質碳素，Μ ο Ο 3或V 2 0 5的膜，經由蒸鍍法而形成爲佳。特別是對於將導電性非晶質碳素膜成膜於有機電激發光層上之情況，爲了避免濺鍍時之電漿損傷，使用真空蒸鍍法爲佳。實施例經由以下的例，更具體說明本發明。然而，以下所示的例1〜5係在並非具有擴散防止層之形態的點，作爲參考例而附上位置，但經由擴散防止層之金屬的擴散防止效果係從在例6〜8加以實證之情況，經由本發明得到所期望的效果情況係對照以下的例全體及技術常識而了解。例1 : Cu/Al合金/ΙΤΟ電極箔之製作作爲金屬箔，準備厚度64 μιη之市售兩面平坦電解銅

-25- S 201228816 箔（日本三井金屬鑛業公司製DFF(Dual Flat Foil)。使用掃描型探測顯微鏡（Veeco公司製Nano Scope V )，依照 JIS B 06 0 1 -2 00 1而測定銅箔表面之粗糙度時，算數平均粗糙度Ra: 12.20nm。此測定係對於ΙΟμιη平方之範圍，由 Tapping Mode AFM 進行。將銅箔，作爲使用MAT公司製硏磨機之CMP(Chemical Mechanical Polishing)處理。其CMP處理係使用附XY溝硏磨墊及膠體氧化矽系硏磨液，以墊片旋轉數：30rpm，荷重：200gf/cm2，液供給量：l〇〇cc/min的條件進行。使用掃描型探測顯微鏡（Veeco公司製Nano Scope V)，依照JIS B 0601-2001而測定如此CMP處理之銅箔表面之粗糙度時，算數平均粗糙度Ra : 0.7nm。此測定係對於ΙΟμιη平方之範圍，由 Tapping Mode AFM進行。CMP處理後之銅箔的厚度係48 μτη。於CMP處理之銅箔的表面，經由濺鎪法而將膜厚150 nm之Α1合金反射層進行成膜。此濺鍍係將具有Α1-0.2Β-3.2Ni(at·%)之組成的鋁合金標靶（直徑203.2mmx8mm厚），安裝於連接有低溫（Cryo )泵之磁控管濺鍍裝置（MSL-464，曰本TOKKI股份有限公司製）之後，以投入功率（ DC ) : 1000W ( 3.1W/cm2 )，到達真空度：<5xl(T5Pa，濺鍍壓力：〇.5Pa ’ Ar流量：l〇〇sccm，基板溫度：室溫之條件進行。於如此所得到之鋁合金反射層的表面，經由濺鍍法而將膜厚10nm之ITO緩衝層進行成膜。此濺鑛係將含有10 -26- .201228816 重量％Sn 之 IT0(In203-Sn02)標靶（直徑 203.2mmx6mm 厚），安裝於連接有低溫（Cryo )泵之磁控管濺鍍裝置（MSL-464 ’日本TOKKI股份有限公司製）之後，以投入功率（ DC ) : 3 00W ( 0.9W/cm2 )，到達真空度：<5xl0_5Pa，濺鍍壓力：0.35Pa，Ar 流量：80sccm，02 流量：1.9 seem，基板溫度：室溫之條件進行。膜厚的控制係經由控制放電時間而進行。將如此所得到之緩衝層表面的粗糙度，與上述同樣做爲而測定時，算數平均粗糙度Ra係2.Onm。作爲所得到之電極箔全體之厚度係48μιη。例2 : Cu/Al合金/C電極箔之製作取代ITO緩衝層，將膜厚1.7nm或3.5nm之碳緩衝層，經由濺鍍法而形成以外，係與例1同樣作爲而製作電極箔。作爲爲了此濺鍍之碳標靶，係準備由碳材料（IGS 74 3 材，日本東海碳公司製）所製作之未處理的純度3N(99.9%) 的碳標靶，和於此碳材料施以經由鹵素氣體之純化處理所製作之純度5N(99.999%)的碳標靶2種類。使用此等各標靶，經由濺鍍法而將碳緩衝層進行成膜。此濺鎪係將各碳標靶（直徑203.2mmx8mm厚），安裝於連接有低溫（Cryo )泵之磁控管濺鍍裝置（多處理室枚葉式成膜裝置MS L-464，日本TOKKI股份有限公司製）之後，以投入功率（ DC ) : 25 0W ( 0.8W/cm2 )，到達真空度：<5xl0 — 5Pa，濺鍍壓力：0.5Pa，Ar流量：lOOseem，基板溫度：室溫之條件進行。膜厚的控制係經由控制放電時間而進行。將如此 -27- 201228816 所得到之緩衝層表面的粗糙度，與例1同樣作爲而測定時，算數平均粗糙度Ra係2.45 nm。作爲所得到之電極箔全體之厚度係48μηι。例3 : Cu/Ag合金/ΙΤΟ電極箔之製作取代A1合金反射層而將膜厚150nm之Ag合金反射層，經由濺鍍法而形成以外，係與例1同樣作爲而製作附緩衝層及附反射層之電極箔。此濺鑛係將具有Ag-l.OCu-l.O Pd(at.°/〇之組成的銀合金標靶（直徑101.6mmx5mm厚），安裝於連接有低溫（Cryo)泵之磁控管濺鍍裝置（MSL-464, 曰本TOKKI股份有限公司製）之後，以投入功率（DC ): 150W ( 1.9W/cm2 )，到達真空度：<5><l(r5Pa，濺鍍壓力 :0.5Pa，Ar流量：90sCCm，基板溫度：室溫之條件進行。膜厚的控制係經由控制放電時間而進行。例4 :有機電激發光元件之製作將在例1所製造之電極范（Cu/Al合金/ITO)作爲陽極而使用，除無擴散防止層之外，製作如圖2及圖3所示之構造的有機電激發光元件。首先，於電極箔20(5 cm平方）上載置玻璃基板（3cm平方x〇.5mm厚）進行遮蔽，將氮化矽素所成之層間絕緣膜29，經由電漿CVD( Chemical Vapor Deposition)法加以形成。其電漿CVD係使用連接有真空泵（MBP)及旋轉式泵（RP)之電漿CVD裝置（PD-2202L，SUMCO公司製），以成膜區域：有效區域直徑 -28- 201228816 8inch，投入功率（RF ) ： 25 0W ( 0.8 W/cm2 )，到達真空

度：<5χ10·3 Pa，濺鑛壓力：80Pa，氣體：SiH4(H2稀釋 10%) ： NH3: N2=l 00 : 10: 200sccm -基板溫度：250 °C 之條件進行。之後，將玻璃，從電極箔20除去，於電極箔上得到具有3 cm平方之開口部的層間絕緣膜29。接著，將形成有層間絕緣膜的電極箔表面，如以下加以洗淨。首先，在以超純水（>18.0ΜΩ)裝滿之槽內，調換超純水進行2次3分鐘的超音波洗淨。接著，使用氮氣而除去水份之後，以1 〇〇°C進行3小時後硬化。將如此處理之表面，經由UV照射加以洗淨》於如此洗淨之電極箔上，進行有機電激發光層26，陰極28，封閉層34及封閉材32之層積。具體而言，於電極箔之緩衝層表面，銅酞菁所成之厚度50 nm之電洞植入層，4,4’-雙（N，N’-(3-甲苯基）胺基）-3,3’-二甲基聯苯（ HMTPD )所成之厚度40nm之電洞輸送層，摻雜三（2-苯础陡）銥錯合物（Ir(ppy) 3)於主材料中而成之厚度 3 0nm之發光層，Alq3所成之厚度30nm之電子輸送層，厚度 l〇nm之 Mg-Ag半透過膜層（Mg : Ag=l : 9)，厚度 lOOnm之IZO(In-Zn-O)透明氧化物層，厚度300nm之氮化矽素鈍化膜（封閉層），厚度2000nm之黏著層，厚度 200μηι之封閉玻璃（封閉材）的順序加以層積。然而，封閉玻璃層之層積係由兩面膠帶進行，此兩面膠帶則相當於黏著層。如此作爲得到圖3所示之50mm平方X厚度300μηι ’發光面積30mm平方之有機電激發光元件樣本。將其樣 -29- 201228816 本連接於電源3 0而加上5.0V之電壓時，可確認到圖5所示之強發光。另外，變化施加電壓，測定亮度（cd/m2 )及電流密度（mA/cm2 )之變化時，得到圖6及圖7所示之結果（圖中，參照表記爲「ITO」之結構）.。如此，如使用本發明之電極箔，可得到低電壓，極高亮度之發光。然而，爲了作比較，使用在例1所使用之算數平均粗糙度Ra: 12.20nm之兩面平坦電解銅箔，與上述同樣地製作有機電激發光元件而進行通電時，未在電極間產生有短路，而未有產生點燈。例5:有機電激發光元件之製作使用在例2所製作之具有以下3種類之碳緩衝層之電極箔（Cu/Al合金/C)以外，係與例4同樣作爲，製作3種類之有機電激發光元件樣本。 .採用樣本「5N-C 35 A」：使用純度5N之碳標靶所形成之厚度3.5nm之碳緩衝層之有機電激發光元件。 .採用樣本「3N-C 17A」：使用純度3N之碳標靶所形成之厚度1.7nm之碳緩衝層之有機電激發光元件，及 .採用樣本「5N-C 1 7 A」：使用純度5N之碳標靶所形成之厚度1.7nm之碳緩衝層之有機電激發光元件。將上述各樣本，如圖3所示地連接於電源3 0。變化施加電壓，測定亮度（cd/m2 )及/或電流密度（mA/cm2 )之變化時，得到圖6〜8所示的結果。如此，如使用本發明之電極箔，可得到低電壓，極高亮度之發光。 -30- 201228816 例6 : Cu/C/Al合金/C電極箔之製作及耐熱性評估除於銅箔與A1合金反射層之間，經由濺鍍法形成作爲擴散防止層之碳層以外，係與例2同樣作爲而製作電極箔。此碳擴散防止層之濺鍍係與例2的碳緩衝層之形成同樣，將純度5N(99.999%)的碳標靶（直徑203.2mmx8mm厚），安裝於連接有低溫（Cryo )泵之磁控管濺鑛裝置（多處理室枚葉式成膜裝置MSL-464，日本TOKKI股份有限公司製）之後，以投入功率（DC) : 250W( 0_8W/cm2 )，到達真空度：<5xlO — 5Pa，濺鍍壓力：0.5Pa，Ar流量： lOOsccm，基板溫度：室溫之條件進行。膜厚的控制係經由控制放電時間而進行。如此，將碳擴散防止層形成以及持續於此之A1合金反射層及碳緩衝層的形成，經由濺鍍法之連續成膜而進行。對於所得到之Cu/C/Al合金/C電極箔，欲評估溫度性遷移之有無，在大氣環境以250 °C進行30分鐘之熱處理。將所熱處理之電極箔之Cu/C/Al合金的層積剖面，以透過型電子顯微鏡（TEM)觀察時，得到圖9A所示之顯微鏡照片。另外，測定碳擴散防止層63之厚度時爲1.7nm。對於圖9A所示之層積剖面之A1合金反射層64剖面上的點B 與銅箔62剖面上的點C而言，進行能量分散型X線分析 (EDX分析）時，得到各圖9B及9C所示之光譜。從圖9B 及9C之比較，了解到來自銅箔的Cu係未擴散至A1合金反射層，即經由碳擴散防止層阻止Cu對於A1合金反射層 -31 - 201228816 之擴散（溫度性遷移）。例7 : Cu/Cr-Ti/Al合金/C電極箔之製作及耐熱性評估除於銅箔與A1合金反射層之間，經由濺鍍法，作爲擴散防止層形成Cr-Ti層以外，係與例2同樣作爲而製作電極箔。此Cr-Ti擴散防止層之濺鍍係將具有重量比Cr: Ti=l : 1之組成的Cr-Ti合金標靶（直徑203.2mmx8mm厚），安裝於連接有低溫（Cry 〇 )栗之磁控管濺鍍裝置（多處理室枚葉式成膜裝置MSL-464，日本TOKKI股份有限公司製）之後，以投入功率（DC) ： 5 00W ( 1 ,6W/cm2 )，到達真空度：<5xl(T5Pa，濺鍍壓力：0.5Pa，Ar流量： 100 seem，基板溫度：室溫之條件進行。膜厚的控制係經由控制放電時間而進行。如此，將Cr-Ti擴散防止層以及持續於此之A1合金反射層及碳緩衝層的形成，經由濺鍍法之連續成膜而進行。對於所得到之Cu/Cr-Ti/Al合金/C電極箔，欲評估溫度性遷移之有無，在大氣環境下，以250 °C進行30分鐘之熱處理。將所熱處理之電極箔之Cu/Cr-Ti/Al合金的層積剖面，以透過型電子顯微鏡（TEM)觀察時，得到圖1〇A所示之顯微鏡照片。另外，測定Cr-Ti擴散防止層73之厚度時爲20nm。對於圖10A所示之層積剖面之A1合金反射層7 4剖面上的點B與銅箔7 2剖面上的點c而言，進行能量分散型X線分析（EDX分析）時，得到各圖1()B及】0C所示之光譜。從圖10B及10C之比較，了解到來自銅箔的 -32- 201228816

Cu係未擴散至AI合金反射層，即經由Cr-Ti擴散防止層阻止Cu對於A1合金反射層之擴散（溫度性遷移）。例8 : Cu/Al合金/C電極箔之耐熱性評估爲了作比較，對於在例2所製作之未具有擴散防止層之Cu/Al合金/C電極箔，亦與例7及8同樣作爲而進行耐熱性的評估。即，對於在例2所得到之Cu/Al合金/C電極箔，欲評估溫度性遷移之有無，在大氣環境下以25(TC進行30分鐘之熱處理。將所熱處理之電極箔之Cu/Al合金的層積剖面，以透過型電子顯微鏡（TEM)觀察時，得到圖 11A所示之顯微鏡照片。對於圖11A所示之層積剖面之 A1合金反射層84剖面上的點B與銅箔82剖面上的點C 而言，進行能量分散型X線分析（EDX分析）時，得到各圖 11B及11C所示之光譜。從圖11B及11C之比較，了解到來自銅箔的Cu係擴散至A1合金反射層而形成約i〇0nm 厚度之擴散層，即因無擴散防止層之故而Cu對於A1合金反射層之擴散（溫度性遷移）則進行。明說單簡式圖圖1係顯示經由本發明之電極箔之一例的模式剖面圖〇圖2係顯示作爲陽極而使用經由本發明之電極箔之有機電激發光元件的層構成之模式剖面圖。圖3係顯示經由本發明之頂放射型有機電機發光喝明 -33- 201228816 之一例的模式剖面圖。圖4係顯示作爲陰極而使用經由本發明之電極箔之有機電激發光元件的層構成之模式剖面圖。圖5係攝影在例4所製作之有機電激發光元件發光樣子的照片。圖6係顯示在例4及5所測定之亮度的電壓依存特性的圖》圖7係顯示在例4及5所測定之電流密度的電壓依存特性的圖。圖8係顯示在例5所測定之亮度的電壓依存特性的圖〇圖9A係經由TEM而觀察在例6所製作之附擴散防止層電極箔（Cu/C/Al合金/C)之Cu/C/Al合金層積剖面的顯微鏡照片。圖9B係將顯示於圖9A之A1合金層剖面上的點B進行EDX分析所得到之光譜。圖9C將顯示於圖9A之銅箔剖面上的點C進行EDX 分析所得到之光譜。圖1 〇A係經由TEM而觀察在例7所製作之附擴散防止層電極箱（Cu/Cr-Ti/Al合金/C)之Cu/Cr-Ti/Al合金層積剖面的顯微鏡照片。圖10B將顯示於圖10A之A1合金層剖面上的點B進行EDX分析所得到之光譜。圖10C將顯示於圖10A之銅箔剖面上的點C進行 -34- 201228816 EDX分析所得到之光譜。圖11A係顯示未含有在例8所評估之擴散防止層電極箔（Cu/Al )合金/C )之Cu/Al合金層積剖面的照片。圖11B係將顯示於圖11A之A1合金層剖面上的點B 進行EDX分析所得到之光譜。圖1 1 C將顯示於圖1 1 A之銅箔剖面上的點C進行 EDX分析所得到之光譜。【主要元件符號說明】 1 0 :電極箱 12 :金屬箔 1 3 :擴散防止層 1 4 :反射層 1 5 :緩衝層 20 :陽極電極箔 22 :金屬箔 23 :擴散防止層 24 :反射層 2 5 :緩衝層 26:有機電機發光層 28 :陰極 29 :層間絕緣膜 3 0 :電源 3 2 :封閉材 -35- 201228816 4 8 :陽極 40 :陰極電極箔 42 :金屬箔 43 :擴散防止層 44 :反射層 4 5 :緩衝層 -36

Claims

201228816 七、申請專利範園： 1. 一種電極箔，其特徵爲具備：金屬箔；和直接設置於前述金屬箔上，防止來自前述金屬箔之金屬的擴散之擴散防止層；和直接設置於前述擴散防止層上之反射層而成。 2. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔，其中，作爲有機電激發光元件或有機太陽能電池之陽極或陰極所使用〇 3 .如申請專利範圍第1項記載之電極箔，其中，至少於前述反射層側，未具有絕緣層。 4. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔，其中，前述電極箔之前述反射層側之最表面則具有依照JIS B 0601-2001 所測定之10. 〇nm以下之算數平均粗糙度Ra之超平坦面。 5. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔，其中，前述金屬箔則具有1〜250 μιη之厚度。 6. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔，其中，前述金屬箔爲非磁性金屬箔。 7. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔，其中，前述金屬箔爲銅箔。 8. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔，其中，前述擴散防止層爲含有選自、Mo' Ti' Ta、Cr、W、Ni、Fe、 Co、C、Zn、Li、Y、氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鉬、氧化鎵、氧化釩、氧化鎢、氧化釕、氧化鋁、氧化鈦、氮化鈦、氮化鉻、氮化鉅、NiP、Ni-Zn、LiF、MgF2、 -37- 201228816 CaF3、NaAlF6、NaF6所成的群之至少一種而成的層。 9. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔’其中’ 反射層則選自鋁膜，鋁系合金膜’銀膜’銀系合金膜的群之至少一種。 10. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔’其中具備直接設置於前述反射層上之透明或半透明之緩衝前述緩衝層之表面則構成前述超平坦面° 11. 如申請專利範圍第9項或第10項記載之電極其中，前述緩衝層則選自導電性非晶質碳素膜，導電化物膜，鎂系合金膜，及氟化物膜所成的群之至少一: 12. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔，其中述電極箔則具有1〜300 μιη之厚度》 13. 如申請專利範圍第1項記載之電極箔，其中，與金屬箔之前述反射層相反側之表面則具有依照JIS Β 0601 所測定之1 . 〇 μηι以上之十點平均粗糙度Rz之粗化面 14·—種有機裝置，其特徵爲具備：如申請專利第1項至第1 3項任一項記載之電極箔；和直接設置於前述電極箔之前述反射層側之最表有機電激發光層及/或有機太陽能電池活性層所成之半導體層；和設置於前述有機半導體層上之透明或半透明之電極的有機電激發光元件及/或有機太陽能電池之有置。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項記載之有機裝置，其前述所成，更層，箔，性氧瞳。 '刖前述 -1994 〇範圍面的有機對向機裝中， 38- 201228816 前述對向電極則具備選自導電性非晶質碳素膜，導電性氧化物膜，鎂系合金膜，及氟化物膜所成的群之至少一種而成。 16. —種有機電激發光照明，其特徵爲作爲有機電激發光元件而具備如申請專利範圍第1 4項或第1 5項記載之有機裝置而成。