201203859 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關於接近感測器，特別是有關於使用有 相較於先前技術而消耗電力爲更少之光感測器的接近感測 器。 【先前技術】 在使用有先前技術之光感測器的接近感測器中，係藉 由將自身所發射之光的被接近之手指等所反射回來的光藉 由光感測器來檢測出來，而檢測出手指等之接近（例如， 參考專利文獻1 )。 於圖10中，對於使用有先前技術之接近感測器的非接 觸開關之電路區塊圖作展示。先前技術之非接觸開關1 0， 係具備有：具有受光部27和投光部28之利用反射光形態的 接近感測器29、和被與身爲電性機器之其中一例的照明器 具30等之負載作了串聯連接的開關電路31、和經由接近感 測器29之輸出來對於構成開關電路3 1之半導體開關元件的 雙向三極體（開關手段之其中一例）32作ON、OFF的開關 控制部3 3、以及對於此些供給電源之電源部3 4。 接近感測器29，係成爲週知之構造，並將從使用有發 光二極體之投光部28所發出之紅外線脈衝，藉由身爲對象 物之其中一例的人的手35來反射，並成爲在經由使用有光 電晶體或光二極體之受光部27來受光了該反射光的情況時 ，將ON的輸出送至開關控制部33處。 -5- 201203859 被設置在開關電路31中之雙向三極體32，係爲若是於 其之閘極處被輸入有訊號則對於交流電源而從訊號被輸入 之時間點起直到電源之正負被交換的時間點爲止而作導通 之元件，當接近感測器29成爲了 ON的情況時，係成爲經 由從開關控制部33所發出之訊號而作ON。 在開關控制部33處，當在接近感測器29檢測出了人的 手35等的情況、並且使人的手35在接近感測器29之前而作 了往返移動的情況時，接近感測器29係成爲在每次檢測出 人的手35時均會作ON、OFF，而會有著接近感測器29之回 應性過快的情況，而成爲不自然，因此，例如係設置1〜2 秒左右的計時電路，並以當接近感測器29剛成爲ON而計 時電路並未作增數的情況時則並不使雙向三極體32成爲 OFF的方式，而設置有延遲電路。 又，在開關控制部33處，係被設置有當接近感測器29 成爲ON的情況時而點燈之動作顯示燈23。此動作顯示燈 23，係僅當接近感測器29成爲ON並且雙向三極體32成爲 ON的情況時才會點燈，但是，亦可在此動作顯示燈23處 使用2色之發光二極體，並設爲當接近感測器29爲OFF的情 況時點燈綠色（或者是黃色），並當接近感測器29爲ON 的情況時點燈紅色。另外，亦可在雙向三極體32之兩端設 置霓紅燈管並作爲雙向三極體32之OFF時的顯示。 故而，在先前技術之非接觸開關10中，當並未對照明 器具30投入電源的狀態、亦即是當非接觸開關10之雙向三 極體32爲非導通的情況時，由於在雙向三極體32之兩端係 ⑧ -6 - 201203859 施加有電源電壓，因此，係將此藉由電源部3 4來作整流並 設爲定電壓，而供給至開關電路3 1、接近感測器29以及開 關控制部3 3處。而，當接近感測器29檢測出人的手3 5並動 作了的情況時，係將該輸出供給至開關控制部3 3處，並對 於開關電路31送出訊號，而對於雙向三極體32來相對於半 波長（180度）而以15〜20度之相位角來送出訊號，並將 開關電路31設爲ON。 在雙向三極體32之兩端，由於係產生有由電源電壓之 —部份所成的小電壓，因此，係將此經由電源部3 4來作整 流並得到微小電力，再改變爲定電壓之直流而供給至開關 電路31、接近感測器29以及開關控制部33處。藉由此，就 算是開關電路3 1持續ON狀態，亦能夠供給電源。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本特開2004-56905號公報（圖1 ) 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 使用有先前技術之光感測器的接近感測器，由於係使 用有利用反射光之形態的接近感測器，並藉由自身來照射 光，因此，消耗電流係爲非常多，並且，將反射光檢測出 來之受光部亦係成爲複雜的電路構成，故而，係有著消耗 之電流爲多的課題。又，藉由電池驅動時之電池的壽命係 成爲非常短，而有著難以藉由電池來驅動之課題。 201203859 本發明，係爲有鑑於上述之課題而進行者，並提供一 種相較於先前技術之接近感測器而消耗電流爲更少之接近 感測器。 〔用以解決課題之手段〕 本發明之接近感測器，係爲了解決上述之先前技術的 接近感測器之課題，而設爲下述之構成，亦即是，係具備 有：1個以上之第1光感測器，係檢測出對象物；和1個以 上之第2光感測器，係位置在不會檢測出前述對象物之場 所處，並檢測出周圍光。 〔發明之效果〕 本發明之接近感測器，係並不需要藉由自身來發射光 ’且電路構成亦爲簡單，因此，相較於先前技術之接近感 測器，係能夠將消耗電流減少。 【實施方式】 以下，針對本發明之實施形態，參考圖面而作說明。 圖1，係爲本發明之接近感測器的槪略構成圖。圖1， 係爲從側面而對於接近感測器1 00作觀察之圖，並爲藉由 第1光感測器1 0 1和第2光感測器1 02所構成。 第1光感測器101，係被設置在當接近感測器100將手 指103等作了接近一事檢測出來時而會被手指103等所遮光 之部分處，並將由手指103等所致之遮光檢測出來。第2光 ⑧ -8 - 201203859 感測器1 02，係被設置在當接近感測器1 〇〇將手指1 〇3等作 了接近一事檢測出來時而並不會被手指103等所遮光之部 分處，並將周圍之明亮度檢測出來。 當周圍爲明亮而接近感測器100被手指103等作了遮光 時，入射至第1光感測器1 0 1中之光量係變少，而入射至第 2光感測器1 02中之光量係並不會改變。於此情況，係從接 近感測器1 00而輸出有檢測訊號。 當周圍爲明亮而接近感測器100並未被手指103等作了 遮光時，入射至第1光感測器101中之光量和入射至第2光 感測器1 02中之光量係均不會改變。於此情況，係從接近 感測器1 〇〇而輸出有非檢測訊號。 當周圍爲暗時，入射至第2光感測器102中之光量係變 少。於此情況，就算是藉由手指1 03等而將接近感測器1 00 之第1光感測器1 0 1作遮光，亦會輸出非檢測訊號。第1光 感測器101，由於係無法區分周圍爲暗一事和被手指103等 作遮光一事，因此，係藉由以第2光感測器1 02來檢測出周 圍之明亮度，而對於周圍爲暗一事和被手指103等遮光一 事作區分。 如此這般，本發明之接近感測器，當周圍爲明亮的情 況時，係能夠在接近感測器100被手指103等所遮光時而輸 出檢測訊號，並當手指1 03等離開時而輸出非檢測訊號。 又，當周圍爲暗的情況時，係能夠輸出非檢測訊號。 另外，在上述之本發明的接近感測器中，雖然係爲當 周圍爲暗的情況時而輸出非檢測訊號之構成，但是，當然 -9- 201203859 的，亦可設爲當周圍爲暗的情況時而輸出檢測訊號之構成 。又，當然的，在第1光感測器101和第2光感測器102處’ 就算是使用複數之光感測器，亦能夠同樣地使其動作。進 而，當然的，亦可將第1光感測器101或第2光感測器102， 並非設置在接近感測器100之表面，而是配置在設置於接 近感測器100之表面上的凹部中央處，並成爲能夠防止由 於傾斜入射之進入光所導致的檢測感度之惡化。 〈第1實施形態〉 圖2，係爲對於本發明之接近感測器中的第1實施形態 作展示之槪略電路圖。如圖2中所示一般，第1光感測器 1 〇 1，係將2個的光二極體並列地使用而構成者，其陽極係 被與基準電源端子GND作連接，陰極係被與輸出端子203 作連接。第2光感測器102，係藉由光二極體所構成，其陽 極係被與輸出端子2 03作連接，陰極係被與正側電源端子 VDD作連接。 接著，針對第1實施形態之接近感測器的動作作說明 。例如，當在第1光感測器1 0 1和第2光感測器1 〇 2處所使用 的光二極體係爲相同感度之光二極體的情況時，由於在第 1光感測器1 0 1處係將2個的光二極體並列地作使用，因此 ，若是入射之光量成爲第2光感測器102之一半以下，則係 能夠將輸出端子203之訊號從低準位（以下略稱爲L )來反 轉爲高準位（以下略稱爲H)。亦即是，當周圍爲明亮， 而手指103等接近第1光感測器1〇1時，係成爲能夠在入射 ⑧ -10- 201203859 至第1光感測器101之光量成爲了一半的位置處而將其檢測 出來。因此，不需藉由手指103等來將光完全地作遮光， 便能夠檢測出來，並且，就算是周圍之明亮度改變’檢測 距離亦不會有多少改變。而，被檢測出來時之光量，由於 係可藉由對於第1光感測器101和第2光感測器102之光二極 體的數量作改變而進行調節，因此，係能夠簡單地作調節 。另一方面，當周圍變暗的情況時，在第1光感測器101處 所流動之暗電流，由於係成爲較在第2光感測器1 02處所流 動之暗電流更多，因此，輸出端子203之訊號係成爲L。 另外，當然的，就算是將第2光感測器102作2個以上 的並列使用，亦能夠同樣地進行檢測。 〈第2實施形態〉 圖3，係爲對於本發明之接近感測器中的第2實施形態 作展示之槪略電路圖。如圖3中所示一般，第1光感測器 1 〇 1，係將2個的光二極體並列地使用而構成者，其陽極係 被與基準電源端子GND作連接，陰極係被與準位橫移電路 301之輸入端子3 02作連接。第2光感測器102，係藉由光二 極體所構成，其陽極係被與準位橫移電路301之輸入端子 3 02作連接，陰極係被與基準電源端子GND作連接。準位 橫移電路301之反轉訊號輸出端子3 03，係被與輸出端子 203作連接。 接著，針對第2實施形態之接近感測器的動作作說明 。當周圍爲明亮，而手指103等並未接近第1光感測器101 -11 - 201203859 第 從 係 ’ 第 時在 感 光 , 流 流電 t 8 光發 to. mm 流壓 極電 陽電 向發 朝生 而產 極係 陰’ 之處 01極 1 陰 器Μ Λ之 消 2 感10 光器 測 。但是，第1光感測器101之光電流，由於係流動有第2光 感測器102之發電電流的2倍，因此，準位橫移電路301之 輸入端子302的電壓，係成爲L。故而，係對於準位橫移電 路301之反轉訊號輸出端子3 03輸出Η，並對於輸出端子203 輸出Η。 當周圍爲明亮，而手指103等接近第1光感測器101時 ，係從第1光感測器1〇1之陰極而朝向陽極流動光電流，在 第2光感測器102之陰極處，係產生發電電壓和發電電流》 但是，入射至第1光感測器1〇1處之光量，由於係因爲手指 103等而成爲不滿一半，因此，第1光感測器101之光電流 ，係成爲較第2光感測器102之發電電流更少。故而，準位 橫移電路301之輸入端子302的電壓，係成爲第2光感測器 102之發電電壓。故而，係對於準位橫移電路301之反轉訊 號輸出端子303輸出L，並對於輸出端子203輸出L。 當周圍爲暗時，由於在第2光感測器102之陽極處係並 不產生發電電壓，因此，準位橫移電路301之輸入端子302 的電壓，係成爲L。如此一來，從反轉訊號輸出端子303, 係輸出有Η之訊號，從輸出端子203亦係輸出有Η之訊號。 由以上可以得知，在本發明之接近感測器的第2實施 形態中，相較於圖2中所示之本發明的接近感測器之第1實 施形態，雖然輸出訊號之極性係爲相反，但是，係可具備 有相同之功能和特徵。並且，在第1實施形態中作爲消耗 -12- 201203859 電流所流動的第2光感測器102之光電流’由於在第2實施 形態中係並不會被消耗，因此’係能夠更進一步地低消耗 電流化。 另外，當然的，就算是將第2光感測器1 02作2個以上 的並列使用，亦能夠同樣地進行檢測。 於圖8中，對於使用在上述本發明之接近感測器的第2 實施形態中所使用的準位橫移電路3 0 1之電路圖作展示。 如圖8中所示一般，P通道MOS電晶體801，其源極係被與 正側電源端子VDD作連接，閘極係被與節點N1作連接，汲 極係被與定電流電路811之電流流入端子作連接。N通道 MOS電晶體8 06，其源極係被與基準電源端子GND作連接 ，閘極係被與輸入端子3 02作連接，汲極係被與反轉訊號 輸出端子303作連接。P通道MOS電晶體802，其源極係被 與正側電源端子VDD作連接，閘極係被與反轉訊號輸出端 子303作連接，汲極係被與定電流電路812之電流流入端子 作連接。空乏型N通道MOS電晶體805，其源極係被與輸入 端子302作連接’閘極係被與基準電源端子GND作連接， 汲極係被與節點N1作連接。定電流電路810，其電流流入 端子係被與輸入端子302作連接，電流流出端子係被與基 準電源端子GND作連接。定電流電路8U，其電流流出端 子係被與反轉訊號輸出端子3 03作連接。定電流電路812, 其電流流出端子係被與節點N 1作連接。雖並未圖示，但是 ’係爲從電源而對於正側電源端子VDD供給有正的電壓並 且從電源而對於基準電源端子GND供給有0V之電壓的構成 -13- 201203859 。另外，定電流電路810和定電流電路81 2之定電流値，係 以使定電流電路810者成爲較多的方式來作設定。 接著，針對準位橫移電路301之動作說明。首先，若 是在輸入端子302處被輸入有L，則係使N通道MOS電晶體 8 06成爲OFF，並使空乏型N通道MOS電晶體805成爲ON。 節點N1之電壓，係藉由空乏型N通道MOS電晶體805之ON 電流，而一直被放電至基準電源端子GND之電壓附近。而 後，使P通道MOS電晶體801成爲ON，並使準位橫移電路 301之反轉訊號輸出端子303之電壓一直上升至正側電源端 子VDD附近之電壓爲止。由於係使準位橫移電路301之反 轉訊號輸出端子303 —直上升至正側電源端子VDD之電壓 附近爲止，因此，P通道MOS電晶體802係成爲OFF。如此 —來，在反轉訊號輸出端子3 03處係輸出有Η。 接著，若是在輸入端子302處被輸入有第2光感測器 102之發電電壓，則係使空乏型Ν通道MOS電晶體805成爲 OFF，並使Ν通道MOS電晶體806成爲ON。反轉訊號輸出端 子3 03之電壓，係藉由N通道MOS電晶體8 06之ON電流，而 一直被放電至基準電源端子GND之電壓附近。而後，使P 通道MOS電晶體8 02成爲ON，並使節點N1之電壓一直上升 至正側電源端子VDD附近之電壓爲止。由於係使節點N1之 電壓一直上升至正側電源端子VDD之電壓附近爲止，因此 ，P通道MOS電晶體801係成爲OFF。如此一來，在反轉訊 號輸出端子3 03處係輸出有L。 如同以上所述一般，圖8中所示之準位橫移電路，係 ⑧ -14- 201203859 如同上述一般而具備有將第2光感測器102之發電電壓準位 的訊號變換爲CMOS準位之反轉訊號並輸出的功能。又’ 消耗電流，由於係將具備有從正側電源端子VDD而朝向基 準電源端子GND之電流通路的其中一者之MOS電晶體設爲 OFF，因此，係成爲僅存在有此OFF之MOS電晶體的漏洩 電流。另外，定電流電路810之電流値，由於係設計爲非 常小，因此，對於圖3中所示之第1光感測器101和第2光感 測器102所流動之電流比，係幾乎不會有影響》 於圖9中，對於將在上述本發明之接近感測器的第2實 施形態中所使用的準位橫移電路藉由與圖8相異之構成而 作了實現的電路圖作展示。如圖9中所示一般，空乏型N通 道M0S電晶體902，其汲極係被與正側電源端子VDD作連 接，源極係被與節點N 1作連接，閛極係被與反轉訊號輸出 端子3 03作連接。P通道MOS電晶體903，其汲極係被與反 轉訊號輸出端子303作連接，源極係被與節點N1作連接， 閘極係被與輸入端子302作連接》N通道MOS電晶體904， 其汲極係被與反轉訊號輸出端子3 03作連接，源極係被與 基準電源端子GND作連接，閘極係被與輸入端子302作連 接。定電流電路901，其電流流入端子係被與輸入端子3〇2 作連接，電流流出端子係被與基準電源端子GND作連接。 另外’雖並未圖示，但是，係爲從電源而對於正側電源端 子VDD供給有正的電壓並且從電源而對於基準電源端子 GND供給有〇v之電壓的構成。 接著，針對準位橫移電路301之動作說明。若是在輸 -15- 201203859 入端子302處被輸入有L，則N通道MOS電晶體904係OFF。 而後，節點N1係成爲P通道MOS電晶體903的臨限値電壓之 絕對値，相較於節點N 1之電壓，空乏型N通道Μ Ο S電晶體 902的臨限値電壓之絕對値係變得更大，因此，空乏型ν通 道MOS電晶體902係成爲ON。若是空乏型Ν通道MOS電晶 體902成爲ON’則由於節點N1係成爲較P通道MOS電晶體 903之臨限値電壓的絕對値而更高，因此，p通道M0S電晶 體903係成爲ON。若是P通道MOS電晶體903成爲ON，則反 轉訊號輸出端子303係一直上升至與節點N1相同之電壓。 而後，節點N1，係藉由伴隨著反轉訊號輸出端子930之上 升而更進而成爲ON之空乏型N通道MOS電晶體303的電流 ，而一直上升至正側電源端子VDD »故而，反轉訊號輸出 端子3 03處係輸出Η。 接著，若是輸入端子3 02之Η被作輸入，則由於Ν通道 MOS電晶體904係成爲ON，因此，反轉訊號輸出端子303， 係藉由N通道MOS電晶體904之電流而一直被放電至基準電 源端子GND爲止，反轉訊號輸出端子303係輸出L。而後， 節點N1之電壓，係成爲在輸入端子3 02之電壓上更加上了 P 通道MOS電晶體903的臨限値電壓之絕對値後的値，由於 此値係超過空乏型N通道MOS電晶體902的臨限値電壓之絕 對値，因此，空乏型N通道MOS電晶體902係成爲OFF。 如同以上所述一般，圖9中所示之準位橫移電路，係 能夠具備有與前述之圖8中所示的準位橫移電路相同之功 能。又，消耗電流，亦由於係將具備有從正側電源端子 ⑧ -16- 201203859 VDD而朝向基準電源端子GND之電流通路的其中一者之 MOS電晶體設爲OFF，因此’係成爲與前述圖8中所示之準 位橫移電路的消耗電流同等之消耗電流。另外，定電流電 路901之電流値，由於係設計爲非常小，因此，對於圖3中 所示之第1光感測器1 〇 1和第2光感測器1 02所流動之電流比 ，係幾乎不會有影響。 〈第3實施形態〉 圖4，係爲本發明之接近感測器中的第3實施形態之槪 略電路圖。如圖4中所示一般，第1光感測器101 ’係藉由 光二極體所構成，其陽極係被與N通道MOS電晶體401之閘 極以及汲極作連接，陰極係被與正側電源端子VDD作連接 。第2光感測器102，係藉由光二極體所構成，其陽極係被 與N通道M0S電晶體402之汲極以及輸出端子203作連接， 陰極係被與正側電源端子VDD作連接。N通道MOS電晶體 401之源極，係被與基準電源端子GND作連接。N通道M0S 電晶體402，其源極係被與基準電源端子GND作連接，閘 極係被與N通道M0S電晶體401之閘極作連接。 接著，針對第3實施形態之接近感測器的動作作說明 » N通道MOS電晶體401和N通道MOS電晶體402，係構成電 流鏡電路，在N通道MOS電晶體402處，係鏡射有將N通道 MOS電晶體401中所流動之電流設爲了 2倍的電流。例如， 當在第1光感測器101和第2光感測器102處所使用的光二極 體係爲相同感度之光二極體的情況時，當周圍爲明亮且手 -17- 201203859 指103等並未接近弟1光感測器101時，由於將在第1光感測 器101中所流動之電流作了鏡射的N通道MOS電晶體402之 電流，係成爲較在第2光感測器1 02處所流動之電流更大’ 因此，係在輸出端子203處輸出L。當周圍爲明亮而手指 103等接近第1光感測器101時，入射至第1光感測器1〇1之 光量，係由於手指103等而成爲不滿一半。故而，在第1光 感測器1 〇 1處所流動之電流所被作了鏡射的N通道MOS電晶 體402之電流，由於係成爲較在第2光感測器102處所流動 之電流更少，因此，係在輸出端子203處輸出Η。另外，當 周圍爲暗的情況時，由於在第2光感測器1 02中係並不會流 動電流，因此，輸出端子203係成爲L。如此這般，而能夠 實現將由於手指103等而導致入射至第1光感測器101中之 光量成爲不滿一半一事檢測出來的接近感測器100。 如同以上所述一般，在本發明之接近感測器的第3實 施形態中，係具備有與圖2中所示之本發明的接近感測器 之第1實施形態相同的功能以及特徵，在對於第1光感測器 1 〇 1和第2光感測器1 02之電流比作改變的情況時，不需使 光感測器之數量增加，而可藉由改變電流鏡電路之鏡射比 一事來作對應。故而，係成爲能夠小型化，進而，藉由改 變電流鏡電路之鏡射比，係能夠簡單地對於接近感測器之 感度作調節。 〈第4實施形態〉 圖5，係爲本發明之接近感測器中的第4實施形態之槪 ⑧ •18- 201203859 略電路圖。如圖5中所示一般，第1光感測器101，係藉由 光二極體所構成，其陽極係被與Ν通道MOS電晶體401之閘 極以及汲極作連接，陰極係被與基準電源端子GND作連接 。第2光感測器102，係藉由光二極體所構成，其陽極係被 與Ν通道MOS電晶體402之汲極以及準位橫移電路301之輸 入端子302作連接，陰極係被與基準電源端子GND作連接 » Ν通道MOS電晶體401之源極，係被與基準電源端子GND 作連接。Ν通道MOS電晶體402，其源極係被與基準電源端 子GND作連接，其閘極係被與Ν通道MOS電晶體401之閘極 作連接。準位橫移電路301之反轉訊號輸出端子3 03，係被 與輸出端子203作連接。另外，準位橫移電路301，由於係 爲與前述之本發明的接近感測器之第2實施形態中所使用 的準位橫移電路301相同之構成，因此，係省略構成與動 作之說明。 接著，針對第4實施形態之接近感測器的動作作說明 。Ν通道MOS電晶體401和Ν通道MOS電晶體402，係構成電 流鏡電路，在Ν通道MOS電晶體402處，係鏡射有將Ν通道 MOS電晶體401中所流動之電流設爲了 2倍的電流。例如， 係將在第1光感測器1 〇 1和第2光感測器1 02中所使用的光二 極體假設爲身爲相同發電特性之光二極體。 當周圍爲明亮，而手指103等並未接近第1光感測器 ιοί時，在第1光感測器101處係產生發電電流。將此發電 電流作了鏡射之Ν通道MOS電晶體402的電流，由於係成爲 較從第2光感測器102而來之發電電流更大’因此’準位橫 201203859 移電路301之輸入端子302係成爲L ’輸出端子203係成爲Η 〇 當周圍爲明亮而手指1 03等接近第1光感測器1 0 1時’ 入射至第1光感測器1 0 1之光量’係由於手指1 0 3等而成爲 不滿一半。故而，將從第1光感測器101而來之電流作了鏡 射的Ν通道MOS電晶體402之電流’係成爲較從第2光感測 器102而來之發電電流更少。如此一來，準位橫移電路301 之輸入端子3 02，係成爲第2光感測器102之發電電壓’輸 出端子203係成爲L。 當周圍爲暗的情況時，由於在第2光感測器1 02處係並 不產生發電電壓，因此，準位橫移電路301之輸入端子302 係成爲L，輸出端子203係成爲Η。如此這般，而能夠實現 將由於手指103等而導致入射至第1光感測器101中之光量 成爲不滿一半一事檢測出來的接近感測器。 如同以上所述一般，在本發明之接近感測器的第4實 施形態中，相較於圖3中所示之本發明的接近感測器之第2 實施形態，係具備有相同的功能以及特徵，在對於第1光 感測器1 〇 1和第2光感測器1 02之電流比作改變的情況時， 不需使光感測器之數量增加，而可藉由改變電流鏡電路之 鏡射比一事來作對應。故而，係成爲能夠小型化，進而， 藉由改變電流鏡電路之鏡射比，係能夠簡單地對於接近感 測器之感度作調節。 〈第5實施形態〉 ⑧ -20- 201203859 圖6，係爲本發明之接近感測器中的第5實施形態之槪 略電路圖。如圖6中所示一般，係展示將第1光感測器1 〇 1 之光量變化檢測出來的構成。另外，圖6中所示之構成， 和圖1中所示之將第2光感測器102之光量變化檢測出來的 構成，由於係藉由完全相同之構成來實現，故省略其說明 〇 首先，針對第5實施形態之接近感測器的連接作說明 。第1光感測器101，係藉由光二極體所構成，其陽極係被 與N通道MOS電晶體401之閘極和汲極以及準位橫移電路 301之輸入端子302和延遲電路603之輸入作連接，陰極係 被與正側電源端子VDD作連接。N通道MOS電晶體401，其 源極係被與基準電源端子GND作連接。N通道MOS電晶體 402，其源極係被與基準電源端子GND作連接，閘極係被 與延遲電路603之輸出作連接，汲極係被與準位橫移電路 301之輸入端子302作連接。準位橫移電路301，其反轉訊 號輸出端子3 03係被與輸出端子203作連接。延遲電路601 ，係在輸入處被連接有電阻601，並在輸出處被連接有電 阻601之相反側和電容602，而電容之相反側係被與基準電 源端子GND作連接。另外，準位橫移電路301，由於係爲 與前述之本發明的接近感測器之第2實施形態中所使用的 準位橫移電路301相同之構成，因此，係省略構成與動作 之說明》 接著，針對第5實施形態之接近感測器的動作作說明 。N通道MOS電晶體401和N通道MOS電晶體402，係構成電 -21 - 201203859 流鏡電路。當手指103等並未接近第1光感測器ιοί時，若 是假設在第1光感測器101處流動有21之電流，並將電流鏡 之鏡射比設爲1比1，則在N通道MOS電晶體401和402處， 係分別流動有I之電流。而，準位橫移電路301之輸入端子 3 〇 2 ’係成爲能夠流動I之電流的n通道Μ Ο S電晶體4 0 1之閘 極電壓。故而’在輸出端子203處係輸出L。若是假設手指 1 03等接近第1光感測器1 〇 1並且在第1光感測器1 〇〗處所流 動之電流成爲未滿I，則藉由電容602，由於Ν通道MOS電 晶體402之閘極係在一定時間內而保持一定之電壓，因此 ，Ν通道MOS電晶體402，係以流動I之電流的方式而動作 。故而，在Ν通道MOS電晶體402中所流動之電流，由於係 成爲較在第1光感測器1 0 1中所流動之電流更大，因此，準 位橫移電路301之輸入端子3 02係成爲L，輸出端子203係成 爲Η。而，若是在一段時間後而電容602之電荷耗盡，則在 Ν通道MOS電晶體401和402處，係分別流動有1/2之電流 ，準位橫移電路3 0 1之輸入端子3 02，係再度上升至能夠流 動1/2的電流之Ν通道MOS電晶體401的閘極電壓。故而， 輸出端子203係再度成爲L。如此這般，而實現一種將由於 手指1 03等接近第1光感測器1 0 1而使得被輸入至第1光感測 器101中之光量成爲了一半一事檢測出來並在輸出端子20 3 處而作一段期間之Η的輸出之接近感測器。 又，僅有在使用有上述第1光感測器101之構成的接近 感測器中，會無法對於周圍之明亮作了改變一事和手指 103等作了接近一事作區別。因此，係在不會被手指103等 ⑧ -22- 201203859 所遮蔽之部分處，再追加一個使用有第2光感測器102之完 全相同之構成的接近感測器，並當此使用有第2光感測器 1 02之接近感測器有所反應的情況時，而判斷出周圍之明 亮度係作了改變。如此這般，而對於藉由手指1 03等所作 的遮光和周圍變暗的情況作區別。 另外，若是手指1〇3等緩慢地接近第1光感測器101， 則係並不會將N通道MOS電晶體402之閘極作一定時間的一 定電壓之保持，在N通道MOS電晶體402處所流動之電流亦 會逐漸地減少。因此，準位橫移電路301之輸入係並不會 有成爲L的情況。僅有以較將N通道MOS電晶體402之閘極 保持爲一定之電壓的一定時間更快速地來使手指103等作 接近時，才能夠輸出L。又，此時間，係可藉由電阻601和 電容602之大小來作調整。 如同以上所述一般，在本發明之接近感測器的第5實 施形態中，係能夠實現一種將以特定之速度以上且一直接 近至了特定之距離處爲止的手指等作了接近一事檢測出來 的接近感測器。又，當第1光感測器1 01之表面變得髒污而 使得入射至第1光感測器101處之光量成爲不滿一半的情況 時，在本發明之接近感測器的第1〜第4實施形態中，係會 發生誤檢測。但是，在本發明之接近感測器的第5實施形 態中，由於係爲將由手指1 03等所導致的以所期望之速度 來作了所期望之量的變化之入射光量檢測出來的構成，因 此，係並不會發生誤檢測。 另外，當然的，就算是使圖6中所示之電阻601短路並 -23- 201203859 在節點A和節點B之間插入電阻’亦能夠實現相同之功能。 又，當然的，延遲電路，係亦可藉由並不使用電阻與電容 之其他的方式來實現之。 〈第6實施形態〉 圖7，係爲本發明之接近感測器中的第6實施形態之槪 略電路圖。其與圖6中所示之本發明的接近感測器之第5實 施形態間的差異，係僅在於將第1光感測器1 〇 1之陰極與基 準電極端子GND作了連接一點。 作爲其之動作，從第1光感測器1 〇 1所供給之電流，係 成爲發電電流，藉由檢測出此發電電流，係能夠與本發明 之接近感測器的第5實施形態同樣地來動作。而，由於係 爲將第1光感測器1 〇 1之發電電流檢測出來的構成，因此， 係能夠將消耗電流作光電流之量的減少。另外，與第5實 施形態相同的，藉由使用第2光感測器1 02，係能夠對於周 圍變暗一事作區別。 如同以上所述一般，在本發明之接近感測器的第1乃 至第6實施形態中，雖係針對將藉由手指103等來使第1光 感測器1 0 1所得到之遮光量減少至一半程度一事檢測出來 的情況而作了說明，但是，當然的，亦可藉由對於第1光 感測器1 0 1乃至第2光感測器1 02之個數或發電性能作改變 、或者是對於電流鏡電路之鏡射比作改變，來改變所檢測 出之遮光量。又，本發明之接近感測器的第1乃至第4實施 形態，雖係爲將第1光感測器1 01和第2光感測器1 02之電流 ⑧ -24- 201203859 以2 : 1之比來作比較的構成，但是，當然的，若是將此比 例設爲相反，並將輸出訊號反轉，則雖然無法區別出周圍 變暗一事，但是，係能夠實現其他的功能。 另外，當然的，第1光感測器101乃至第2光感測器102 ，只要是身爲光二極體或者是LED等之具備有二極體特性 和光電變換特性的感測器，則不論是何種感測器均可。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕本發明之接近感測器中的槪略構成圖。 〔圖2〕對於本發明之接近感測器中的第1實施形態作 展示之槪略電路圖。 〔圖3〕對於本發明之接近感測器中的第2實施形態作 展示之槪略電路圖。 〔圖4〕對於本發明之接近感測器中的第3實施形態作 展示之槪略電路圖。 〔圖5〕對於本發明之接近感測器中的第4實施形態作 展示之槪略電路圖。 〔圖6〕對於本發明之接近感測器中的第5實施形態作 展示之槪略電路圖。 〔圖7〕對於本發明之接近感測器中的第6實施形態作 展示之槪略電路圖。 〔圖8〕本發明之接近感測器中的準位橫移電路之電 路圖。 〔圖9〕本發明之接近感測器中的其他準位橫移電路 • 25 - 201203859 之電路圖。 〔圖10〕對於先前技術之接近感測器的電路構成作展 示之槪略電路區塊圖。 【主要元件符號說明】 1 0 :非接觸開關 23 :動作顯示燈 27 :受光部 28 :投光部 29 :反射型之光感測器 3 0 :照明器具 3 1 :開關電路 3 2 :雙向三極體 3 3 :開關控制部 100 :接近感測器 1 0 1 :第1光感測器 102 :第2光感測器 203 :輸出端子 3 0 1 :準位橫移電路 603 :延遲電路 ⑧ -26-