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TW201203537A - Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same - Google Patents

Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same Download PDF

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TW201203537A
TW201203537A TW100117935A TW100117935A TW201203537A TW 201203537 A TW201203537 A TW 201203537A TW 100117935 A TW100117935 A TW 100117935A TW 100117935 A TW100117935 A TW 100117935A TW 201203537 A TW201203537 A TW 201203537A
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tin oxide
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Inventor
Chun-Gi You
Joon-Hoo Choi
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Samsung Mobile Display Co Ltd
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Description

201203537 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 相關申請案之交互參照 [0002] 此申請向韓國智慧財產局主張於2010年7月7日所提交之 韓國專利申請號第1 0-201 0-0065459號之優先權，其揭 露納入於此處參考。 [0003] 本實施例係相關於有機發光顯示裝置及其製造方法，更 特別地，係關於有機發光顯示裝置及其製造方法，其中 該製造方法係簡單化的。 【先前技術】 [0004] 一平板顯示裝置，例如有機發光顯示裝置、液晶顯示裝 置等，係製造在一基材上，其上形成有含薄膜電晶體 (TFT)、電容器及連接這些的線路之圖樣。 [0005] 大體上，具有包含薄膜電晶體之微結構的圖樣係形成在 一基材上，其上將製造有一平板顯示裝置，且該精細圖 樣藉由利用具有這些圖樣之遮罩轉移至基材，例如一陣 列基材。 [0006] 使用遮罩之圖樣轉移通常係藉由利用一微影蝕刻製程所 完成。在微影蝕刻製程中，一基材，其上將形成有一圖 樣，被均勻地塗佈有一光阻劑，且該光阻劑利用例如步 進式曝光機之一曝光設備曝光。若該光阻劑係一正光阻 劑，該感光光阻劑曝光。並且，在光阻劑曝光後，該圖 樣係藉由利用一殘餘光阻劑作為一遮罩所触刻，且多餘 的光阻劑被移除。 100117935 表單編號A0101 第4頁/共28頁 1003249722-0 201203537 [0007] 在上述藉由利用一遮罩轉移一圖樣之轉移製程中，首先 [0008] ，須要先準備具有必要圖樣之遮罩，因此用以預備一遮 罩之製程成本因為製程使用之遮罩數目增加而隨之增加 。並且，因為上述複雜製程須被實施，所以該製造方法 變得複雜。此外，製造時間增加，且製造成本亦增加。 【發明内容】 一或多個實施例提出有機發光顯示裝置以及其製造方法 ，其中可減少利用一遮罩之圖樣化操作之數目且可製造 〇 [0009] 〇 出具有良好的顯示品質之有機發光顯示裝置。 根據本發明實施例之態樣，提供一種有機發光顯示裝置 包含：一薄膜電晶體（TFT)，其包含一閘極電極、一源極 電極、以及一汲極電極；一有機發光裝置，其係電性連 接至薄膜電晶體，其中形成在與閘極電極相同層之像素 電極、含有一發射層之一中介層、及一相反電極依指定 順序相繼地堆疊；一儲存電容，其包含一底部電極以及 形成在與閘極電極相同層之一頂部電極；以及一金屬層 ，其係藉由形成於像素電極之下之一絕緣層與像素電極 分離，且其形成在一基材之整個表面。 [0010] 閘極電極可包含含有與該像素電極相同材料之一第一電 極以及形成於該第一電極上之一第二電極。 [0011] 頂部電極可包含與該像素電極相同材料。 [0012] 像素電極係可電性連接至源極電極與閘極電極之其中之 ---0 [0013] 金屬層可包含單一層或複數層，且可包含至少一選自由 100117935 表單編號A0101 第5頁/共28頁 1003249722-0 201203537 銀、鎂、鋁、鉑、叙、金、錄、鉉、銀、鉻、鐘、勞、 鉬、鈦、鎢、鎢化鉬、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁/銅、 紹/鉞、鋁鋰鈉（AlLiNa)、氧化銦錫/銀/氧化銦錫、氧 化銦錫/銀/氧化銦鋅、ATD及氧化銦錫/APC/氧化銦錫所 組成之群組。 [0014] [0015] [0016] 底部電極係可形成於該相同層上且包含與該薄膜電晶體 之一主動層相同材料。 根據本實施例之另一態樣，提供一種製造有機發光顯示 裝置之方法，此方法包含：依指定順序相繼地沉積一金 屬層及一第一絕緣層在一基材上；形成一薄膜電晶體之 -主動層及-電容底部電極在第—絕緣層之第—遮罩操 作’形成多個電極圖樣，用以形成—電容閘極電極、一 像素電極、以及電容頂部電極在主動層與電容底部電極 上之第二遮罩操作；形成具有—開口之層間絕緣層，其 開口曝露主崎之兩邊以及每_電_樣之—部分之第 -遮罩操作’ 1成源極與&極電極，其接觸主動層之已 曝路之兩it像素電極、以及電容頂部電極之第四遮罩 操作，以及t成曝露像素電極之像素定義層之第五遮罩 操作。 第一遮罩操作可包含：依指定順序相繼地沉積第二絕緣 層第導體層、以及第二導體層在主動層與電容底部 電極上，以及圖樣化第—導體層與第二導體層以形成問 極電極，其包含如第-電極之第一導體層以及如第二電 極之第二導體電極。 100117935 表單編號A0101 第6頁/共28頁 1003249722-0 201203537 [0017] 第三遮罩操作可包含：沉積第三絕緣層在閘極電極與電 極圖樣上；以及圖樣化第三絕緣層以形成開口，其曝露 主動層之源極區與汲極區之部分以及每一電極圖樣之部 分。 [0018] 第四遮罩操作可包含：沉積第三導體層在層間絕緣層上 ;圖樣化第三絕緣層以形成源極與汲極電極；以及移除 由電極圖樣構成之第二導體層以形成像素電極以及電容 底部電極，其依序地使用第一導體層作為一電極。 Q [0019] 第五遮罩操作可包含：沉積第四絕緣層在一基材之整個 表面上；以及圖樣化第四絕緣層以形成像素定義層。 [0020] 【實施方式】 本實施例現將參考附圖更加完整地描述，範例實施例被 顯示於其中。圖式中相似的參考數字表示相似的元件。 在本實施例之描述中，當某些部分被視作非必要的模糊 了本實施例之本質時，將省略其相關技藝之詳細解釋。 [0021] 〇 在圖中，層及區域之厚度係被誇大的以清楚表示。 [0022] 全文中，當例如一層、一區域、或一基材之組件被視作 在另一個組件上，其可直接地表示形成在另一組件上， 或是介於數層之間。 [0023] 第1圖係根據一實施例之一有機發光顯示裝置之一部分之 橫截面視圖。 [0024] 參閱第1圖，有機發光顯示裝置包含一發光區101、一通 道區102、以及一儲存區103。 100117935 表單編號A0101 第7頁/共28頁 1003249722-0 201203537 [0025]纟通道區102中，-薄膜電晶體m被形成作為一驅動裝 置。該薄膜電晶體包含一主動層21、一閘極電極2〇、以 及一源極電極27與汲極電極29。該閘極電極2〇包含一閘 極底部電極23以及一閘極頂部電極25，且閘極底部電極 23包含-透明導電材料。—第二絕緣層15係插設於閑極 電極20及主動層21之間，使閘極電極2〇及主動層以絕緣 同樣的，尚度摻雜雜質的源極區2]3及汲極區gib，係 形成於主動層21之兩邊界區域，且係分別地連接至源極 電極27及汲極電極29。 闕-有機發光裝置EL係形成於發_1{)1心該有機發光裝 置EL包含連接至薄膜電晶體之源極電極27及沒極電極29 之-的-像素電極3卜-相反電極35、以及—插設於像 素電極31與相反電極35之間之中介層33。像素電極㈣ 含-透明導電材料，且與薄膜電晶體中之閑極電極湖 時形成。 [0027] [0028] 100117935 -儲存電容Cst形成在儲存區1〇3内。該儲存電容w包 含-底部電極以及-頂部電極。在此實施例中，頂部電 極係為-電容底部電極41而頂部電極係為1容頂部電 極43。該第二絕緣層15係插設於電容底部電極41及電容 頂部電極43之間。電容底部電極41與薄膜電晶體之問極 電極20與有機發光裝置EL之像素電極31同時形成。 -金屬層丨1係形成於含有發光區1G1、通道區如、以及 儲存區1G3之整個基材1G之上。金屬層_如同一反射層 般以造成有機發光裝置EL之共振，且可具有單一層社構 或多層結構。絕緣層絕緣層13及第二絕緣層Μ 1003249722-0 表單編號A0101 第8頁/共28頁 201203537 [0029] c [0030] [0031] [0032] Ο [0033] 係形成於金屬層11及像素電極31之間，因此金屬層u 自像素電極31隔開，且無圖樣化下形成於基材1〇之整個 表面之上。 當金屬層11無多餘的圖樣化製程下形成在基材10之整個 表面之上，此實施例之底部發射型之發光顯示襞置可藉 由執行約五次的遮罩製程而製造。同樣的，金屬層“係 自像素電極31隔開。因此，當反射層形成在像素電極31 之下時’光提取效率會被提升。同樣的，當閘極電極2〇 與像素電極31同時形成時’將不須為了耗接像素電極31 及反射層形成具有至少三層之多層結構的閘極電極2〇， 因此獲得閘極電極20之蝕刻特性。 第2至11圖係為橫截面視圖，其說明根據一實施例之一底 部發射型之有機發光顯示裝置之製造方法。 參閱第2圖’ _金屬層1丨係形成在一基材1〇之上。 基材10可包含含有二氧化矽作為一主要成分之透明玻璃 材料。無論如何，基材10不因此而受限，且可包含各種 不同形式之基材，例如一透明塑膠材料或一金屬。雖然 不在第2圖中表示，一緩衝層可附加地形成於基材1〇與金 屬層11之間，以平坦化基材1〇且可避免雜質元素穿透進 入基材10。 具有早一層結構或多層結構之金屬層11可形成於基材1 〇 上。金屬層11可包含銀、鎮、銘、銘 '把、金、錄、敍 氟化鋰/鋁、鋁/銅、鋁/鈦、鋁鋰鈉（AiLiNa)、氧化銦 100117935 表單編號A0101 第9頁/共28頁 1003249722-0 201203537 錫/銀/氧化銦錫、氧化銦錫/銀/氧化銦鋅、氧化銦錫/銀 合金/氧化銦錫（ATD)及氧化銦錫/銀-鈀-銅合金（APC)/ 氧化銦錫之至少一種。金屬層11可利用各種不同之沉積 方法而沉積，例如電衆化學氣相沈積（PECVD)、大氣壓力 化學氣相沉積（APCVD)法、以及低壓化學氣相沉積 (LPCVD)法。 [0034] 參閱第3圖，薄膜電晶體之主動層21及儲存電容Cst之電 容底部電極41可形成於金屬層11上。 [0035] 第一絕緣層13，例如一屏障層且/或緩衝層，可形成在金 屬層11上以避免不純物離子之擴散及水或是外部空氣的 穿透且以平坦化金屬層11之表面。第一絕緣層13可藉由 使用二氧化矽且/或氮化矽（SiN )以及各種不同的方法，
X 例如電衆化學氣相沈積法、化學氣相沉積法、低壓化學 氣相沉積法，或其他類似方法使之沉積。 [0036] 非晶質矽首先沉積在第一絕緣層1 3上接著結晶以形成一 多結晶矽層（圖未示）。非晶質矽可使用各種不同的方法 ，例如快速熱退火法（RTA)、固相結晶法（SPC)、準分子 雷射退火法（ELA)、金屬誘發結晶法（MIC)、金屬誘發側 向結晶法（MILC)、連續侧向凝固法（SLS)或其他類似方 法使之結晶。 [0037] 如上所述，多結晶矽層藉由用第一遮罩（圖未示）之遮罩 製程圖樣化在薄膜電晶體之主動層21以及電容Cst之電容 底部電極41上，以下簡稱作電容底部電極41。 [0038] 根據本實施例，主動層21及電容底部電極41係分開的， 100117935 表單編號A0101 第10頁/共28頁 1003249722-0 201203537 但是它們也可被形成作為單一單元。 [0039] 參閱第4圖，第二絕緣層15、第一導體層I?、以及第二導 體層19係以指定順序依序地沉積在基材1〇的整個表面上 ，主動層21及電容底部電極41形成於此表面上。 [0040] 第二絕緣層15可沉積為一有機絕緣層，例如氮化石夕 (Si Nx)或氧化發（Si Ox) ’且可使用—方法例如電毁化學 氣相沈積法、化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法， 或其他類似方法使之沉積。第二絕緣層1 5插設於主動層 Ο 21及薄膜電晶體中之閘極電極20之間以作為如薄膜電晶 體之閘極絕緣層，且也插設於電容頂部電極43以及電容 底部電極41之間以作為如電容cst之介電層。 [0041] 第一導體層1 7可包含選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化 鋅、以及二氧化二銦所組成之群組中之至少一種透明材 料。隨後，第一導體層17圖樣化於像素電極31、閘極底 部電極23、以及電容頂部電極43中。 ◎ [0042]第二導體層19可包含選自由銀、鎂 '铭、翻、纪、金、 鎳、鈥、銀、鉻、鐘、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅 所組成之群組中之至少一種。隨後，第二導體層19圖樣 化於閘極頂部電極25中。 [0043]參閲第5圖，一閘極電極20以及電極圖樣3〇、40係形成於 基材10上。 [0044] 第一導體層17及第二導體層19依序地堆疊在基材1〇之整 個表面上，且藉由利用使用一第二遮罩（圖未示）之遮罩 製程圖樣化。 100117935 表單編號A0101 第11頁/共28頁 1003249722-0 201203537 [0045] [0046] [0047] 在通道區102中’閘極電極20形成於主動層2i上，且問極 電極20包含由第一導體層17之一部分所形成之閘極底部 電極23與由第二導體層19之一部分所形成之閘極頂部電 極25。 在發光區101中，電極圖樣30被形成，其為了稍後用來形 成像素電極’且在儲存區103中’電極圖樣4〇形成在電容 底部電極41上，其為了稱後用來形成電容頂部電極43。 ::電酬對應至主動層21之中心部份且主動層η 藉由利用閘極電極2〇作 . ^ Ba 為遮罩摻雜η型或p型雜質，以
Mi 主動層21的邊界形成源極 及及極區2lb以及在源極區仏與汲極區⑽之間形 成*通道區。 [0048] 參閱第6圖，第三絕緣層5〇 的整個表面上 沉*積在閘接電極2〇上之基材1〇 [0049] [0050] 100117935 第三絕緣層50藉由利田、联ώ丄甘 用選自由聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯 酸樹脂、苯環丁烯、、， 以及酚醛樹脂所組成之群組中之至 —有機絕緣材料，# t i ^ t 並藉由利用例如旋轉塗佈法形成》 第三絕緣層5G細彡心具有—足夠厚度舉例來說較 上述第二絕緣層15更厚，且作為在薄膜電晶體之源極、 及極電極27 29與閘極電極2G之間的中介絕緣層。此外 ’第三絕緣層50可包含有機絕緣材料或是無機絕緣材料 如同第一絕緣層15，或是也可藉由交替地堆疊有機絕 緣材料與無機絕緣材料而形成。 參閱第7圖’具有有開σΗ1、Η2、Η3 Η44^# 表單編號A0101 第12頁/共28頁 1003249722-0 201203537 出部分電極圖樣30、40及源極區21a與汲極區21b之中介 絕緣層51被形成。 [0051] 第三絕緣層50利用使用第三遮罩（圖未示）之一遮罩製程 圖樣化以形成開口 HI、H2、H3、H4及H5。 [0052] 開口Hi與H2露出部分源極區21a與汲_極區21b，開口H3與 H4露出部分之由電極圖樣30之上部分所構成之第二導體 層19，而開口H5露出部分之由電極圖樣4〇之上部分所構 成之第二導體層19。 〇 [0053] 參閱第8圖，覆蓋中介絕緣層51之第三導體層53形成於基 材10之整個表面上。 [0054]第三導體層53可包含如同上述第一導體層17或第二導體 層19相同之導體材料，且不因此而受限且可包含各種導 體材料。此外，導體材料沉積使之有足夠厚度以可填補 開 σΗΐ、H2、H3、H4、及H5。 [〇〇55]參閱第9圖，源極與汲極電極27、29、像素電極31、以及 電容頂部電極43被形成。 [〇〇56]第三導體層53利用使用第四遮罩（圖未示）之遮罩製程圖 樣化以形成源極與汲極電極27、29。 [〇〇57]源極與汲極電極27、29之一係被形成以便經由其上形成 有像素電極31的電極圖樣30上之第二導體層19之邊界區 域的開口 Η3連結至像素電極31。 [0058]形成源極與汲極電極27、29後，像素電極31及電容頂部 電極43係藉由進一步蝕刻第二導體層丨9而形成。 100117935 表單編號Α0101 第13頁/共28頁 1003249722-0 201203537 [0059] 經由開口 H4露出之電極圖樣30之第二導體層19之一部分 係被移除以形成像素電極31。 [0060] 經由開口 H5露出之電極圖樣40之第二導體層1 9之一部分 係被移除以形成像素電極31。 [0061] 因此，像素電極31、間極底部電極23、電容頂部電極43 係形成於同一層及相同的材料上。 [0062] 參閱第10圖，電容底部電極41係藉由經開口 H5注入η型或 ρ型雜質於電容頂部電極43而摻雜。 [0063] 參閱第11圖，像素定義層（PDL)55係形成於基材10上。 [0064] 一第四絕緣層（圖未示）係沉積在其上形成有像素電極31 、源極與汲極電極27、29之基材10的整個表面上。 [0065] 第四絕緣層可包含選自由聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹 脂、苯環丁烯、以及酚醛樹脂所組成之群組之至少一有 機絕緣材料且藉由利用例如旋轉塗膜法的方法。第四絕 緣層不因此受限，而可包含選自由二氧化矽、氮化矽、 三氡化二鋁、氧化銅（CuO )、七氧化四铽（TbjOJ、三氧 X 4 7 化二釔、五氧化二鈮（ΝΙ^Ο。）及三氧化二镨 Δ ό L 0 (Pr2〇3)所組成之群組之無機絕緣材料。同時，第四絕緣 層可被形成以具有多層結構其交替地堆疊有機絕緣層與 無機絕緣層。 [0066] 第四絕緣層藉由利用使用第五遮罩（圖未示）之遮罩製程 圖樣化以便露出像素電極31之中心部分，因此，像素定 義層5 5被形成。 100117935 表單編號A0101 第14頁/共28頁 1003249722-0 201203537 [0067] [0068] [0069] [0070] Ο [0071] ❹ 接著，如第1圖所示，包含一有機發射層以及相反電極35 之—中介層33係形成於開口 Η6並露出像素電極31。 中介層33可在單層或多層結構中包含選自由有機發射層 (EML)、電洞傳輪層（HTL)、電洞注入層（HIL)、電子傳 輸層（ETL)、電子注入層（EIL)所組成之群組中之至少一 功能層。 中介層33可包含低分子量或高分子有機材料。 當中介層33包含低分子量有機材料時，中介層33可包含 朝向像素電極31所堆疊之電洞傳輸層與電洞注入層、以 及朝向相反電極35所堆疊之電子傳輸層與電子注入層。 中介層33視需求亦可包含其他各種不同層。低分子量有 機材料之例子包含銅酞菁（CuPc)、N，N，-雙（萘-1-基 )-N，N’-二苯基-聯苯胺（NPB)、以及三-8羥基奎林鋁 (Alq3)。 當以高分子有機材料形成時’中介層33可僅包含相對於 有機發射層且朝向像素電極31之電洞傳輸層。電動傳輸 層可藉由使用利用聚_(2, 4)-乙烯-二羥基噻吩（PEDOT) 、聚苯胺（PANI)等之喷墨印刷法或旋轉塗佈法形成在像 素電極31上。高分子有機材料之例子包含以聚苯基乙烯 (PPV)為基礎或以聚蕹為基礎的高分子有機材料，且一著 色圖樣可藉由利用例如喷墨印刷法、旋轉塗佈法、或使 用雷射之熱轉印法而形成。 相反電極35可形成在基材之整個表面上以作為一共用 電極。根據本實施例之有機發光顯示裝置中，像素電極 100117935 表單編號A0101 第15頁/共28頁 1003249722-0 [0072] 201203537 31用作為一正極，且相反電極35用作為一陰極。然而， 電極之極性亦可交換。 [0073] 當有機發光顯示裝置係為其中影像朝向基材1 0所形成之 一底部發射型時，像素電極31係用作為一透明電極，且 相反電極35係用作為一反射電極。反射電極可藉由沉積 具有低功函數的金屬，例如，銀、鎂、銘、始、把、金 、錄、敍、银、鉻、鐘、妈、氟化經/ 4弓、氟化鋰/ ί呂或 其組合所形成以具有一薄厚度。 [0074] 雖未表示，一封裝構件（圖未示）或一吸收體（圖未示）可 進一步形成於相反電極35上以保護有機發射層接觸自外 部水或氧氣。 [0075] 在上述有機發光顯示裝置之製造方法的每一遮罩製程中 ，堆疊層可藉由利用乾蝕刻法或濕蝕刻法移除。 [0076] 根據本實施例之在底部發射型有機發光顯示裝置中，一 金屬層形成在基材最下面部份以隔開像素電極以便增加 像素電極之發光效率並且得到閘極電極之蝕刻特性。因 此，顯示裝置之顯示品質增加，且可簡化製造方法以及 可減少缺陷。 [0077] 在上述之實施例中，一有機發光顯示裝置被描述為一顯 示裝置之範例，但本實施例不因此受限，且例如液晶顯 示器之各種顯示裝置可用作為顯示裝置。 [0078] 同時，在圖中，僅說明有薄膜電晶體及一個電容器，然 而本發明不受限於此，且在無增加上述之實施例遮罩製 程之數目下，可包含複數個薄膜電晶體及複數個電容器 100117935 表單編號Α0101 第16頁/共28頁 1003249722-0 201203537 [0079] 根據本實施例金屬層係設置在像素電極下使之在不 需增加遮罩之數目下與像素電極分離， 電極之反射層。因此， 極之蝕刻特色。 且係用作為像素 可簡化像素電極且可得到閘極電 [0080] 因此’藉由減少遮罩數 製造程序，且當像素電 下降可被避免。 目，可減少製造成本以及可簡 極與反射層耦接時所造成之產 化 量
[0081] 儘管本實施例已被特別地表示及描述並參照其範例實施 例，但本技術領域具有通常知識者可了解在不偏離自下 述申請專利範圍中所定義之本實施例之精神以及範蜂下 各種形式及細節皆可實現。 【圖式簡單說明】 [0082] 上述以及本實施例之其他特徵及優點將藉由詳細描述其 實施例並參照下列附圖而更加明瞭，其中： 第1圖係根據一實施例之有機發光顯示裝置之—部份之— 橫截面視圖；以及 弟2至11圖係為橫載面視圖’其係說明根據一實施例之 底部發射型之有機發光顯示裝置之製造方法。 【主要元件符號說明】 [0083] 101:發光區 102 :通道區 103 :儲存區 10 :基材 100117935 表單編號A0101 第17真/共28頁 1003249722-0 201203537 11 :金屬層 13 :第一絕緣層 15 :第二絕緣層 17 :第一導體層 19 :第二導體層 20 :閘極電極 21 :主動層 21 a :源極區 21 b . >及極區 23 :閘極底部電極 2 5 :閘極頂部電極 27 :源極電極 29 :汲極電極 30、40 :電極圖樣 31 :像素電極 33 :中介層 3 5 :相反電極 41 :電容底部電極 43 :電容頂部電極 50 :第三絕緣層 51 :中介絕緣層 53 :第三導體層 5 5 :像素定義層 Cst :儲存電容 EL :有機發光裝置 TFT :薄膜電晶體 100117935 表單編號A0101 第18頁/共28頁 1003249722-0 201203537 HI、H2、H3、H4、H5、H6 :開口
100117935 表單編號A0101 第19頁/共28頁 1003249722-0

Claims (1)

  1. 201203537 七、申請專利範圍： 1 . 一種有機發光顯示裝置，其包含： 一薄膜電晶體（TFT)，其包含一閘極電極、一源極電極、 以及一汲極電極； 一有機發光裝置，係電性連接至該薄膜電晶體，其中形成 在與該閘極電極相同層之一像素電極、含有一發射層之一 中介層、及一相反電極依指定順序相繼地堆疊； 一儲存電容，係包含一底部電極以及形成在與該 閘極電極相同層之一頂部電極；以及 一金屬層，係藉由形成於該像素電極之下之一絕緣層與該 像素電極分離，且形成在一基材之一整個表面。 2 .如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該 閘極電極包含含有與該像素電極相同材料之一第一電極以 及形成於該第一電極上之一第二電極。 3 .如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該 頂部電極包含與該像素電極相同之材料。 4 .如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該 像素電極係電性連接至該源極電極與該閘極電極之其中之 —— 〇 5 .如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該 金屬層包含單一層。 6 .如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該 金屬層包含複數層。 7 .如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該 金屬層包含至少一選自由銀、鎮、銘、麵、把、金、鎳、 100117935 表單編號A0101 第20頁/共28頁 1003249722-0 201203537 鈥、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬、氟化鋰/鈣 、氟化鋰/鋁、鋁/銅、鋁/鉉、鋁鋰鈉（AlLiNa)、氧化 銦錫/銀/氧化銦錫、氧化銦錫/銀/氧化銦辞、氧化銦錫/ 銀合金/氧化銦錫（ATD)及氧化銦錫/銀_鈀—銅合金 (APC)/氧化銦錫所組成之群组。 如申請專利範固第 底部電極係形成於 主動層相同材料。 8 1項所述之有機發光顯示裝置，其中該 、相同層上且包含與該薄膜電晶體之一 Ο .一種製造有機發 依指定順序相繼 光顯示裝置之方法， 埯沉積—金屬層及一 該方法包含： 第一絕緣層在一基材 部電極在該第〜绝緣屉薄膜電B曰體之—主動層及一電容底 利用一第二遮革形 上， 電極、—像素電极=”極圖樣’用㈣成—電容閉極 電容底部電極上；、及電谷頂部電極在該主動層與該 利用一第：r讲罢 ο 遮革形成具有一 曝露該主動層之兩邊/ 一開口之一層間絕緣層，該開口 利用一第四遮罩形戍、及每该電極圖樣之一部分； 該主動層之已曝]極電細及-&極電極，其接觸 電極，以及 該像素電極、以及該電容頂部 100117935 ίο . 利用一第五遮革形 如申請專利範該像素電極之-像素定義層。 步驟包含： 彳迷之方法，其中利用第二遮罩之 依指定順序相叫〜 及-第二導體層在 1二絕緣層、-第-導體層、以 表單編號咖 層與該電容底部電極上；以及 頁/共28頁 1003249722-0 201203537 11 12 13 14 15 100117935 =樣化卿-㈣料”二料相 電極，其包含如一第 〜閘極 電極之该第一導體層以及如一第_ 電極之該第二導體電極。 弟~ 如申請專利範圍第10項所述之方法，其更包 該主動層形成一源極區、 、 〜於 汲極區、以及在該源極區與兮 汲極區之一通道區之步驟。 畀。亥 如申請專利範圍第U項所述之方法，其中利 之步驟包含： 矛一遮罩 =積一第三絕緣層在該電容閑極電極與該電極圖樣上；以 圖樣化該第三絕緣層以形成-開口，其曝露該主動層之$ 源極區與該没極區之部分以及每一該電極圖樣之部分/ 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中利用該第四遮罩 之步驟包含： 心積-第二導體層在該層間絕緣層上；以及 圖樣化該第三絕緣層以形成該源極電極以及餘極電極。 如申請專利·㈣销述之方法，其中利肋第 之步驟包含： 形成該源極電極以及該汲極電極；以及 移除由該電極圖樣構成之該第二導體層以形成該像素電極 與該電容頂部電極，其依序地使用該第_導體層 極。 ％ 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中利用該第五遮罩 之步驟包含： 沉積一第四絕緣層在該基材之整個表面上；以及 圖樣化第四絕緣層以形成該像素定義層。 表單編號A0101 第22頁/共28頁 1003249' 201203537 · 16 .如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該金屬層包含單 一層。 17 .如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該金屬層包含複 數層。 18.如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該金屬層包含至 少-選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、斂銥、鉻' 鋰、飼、銷、鈦、鎢、鶴㈣、氟化鐘/躬、氟化鐘/銘、 鋁/銅、紹/敍、銘链納（A1UNa)、氧化銦錫/銀/氧化鋼 錫、氧化銦錫/銀/氧化銦鋅、氧化銦錫/銀合金/氧化銦 錫（ATD)及氧化銦錫/銀-鈀_銅合金（Apc)/氧化銦錫所組 成之群組。 19 .如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一絕緣層包 含選自由聚醯亞胺、聚醯胺 '丙烯酸樹脂、苯環丁烯、以 及盼搭樹脂所組成之群組中的至少一有機絕緣材料。 〇 100117935 表單編號A0101 第23頁/共28頁 1003249722-0
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