201203488 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於半導體裝置、發光裝置及電子機器， 尤其有關於在絕緣性之基板上具備具有反轉堆疊構造之薄 膜電晶體的半導體裝置、應用該半導體裝置之發光裝置及 安裝有該發光裝置之電子機器。 【先前技術】 近幾年’以手機或數位相機等之行動裝置爲開端，經 常使用液晶顯示裝置或有機電致發光（EL)顯示器、電漿顯 示器等薄型顯示器作爲電視或個人電腦等電子機器的顯示 器或監視器。 在如此類的薄型顯示器中，一般係應用主動矩陣驅動 方式’作爲此顯示面板或驅動驅動器，—般係利用一種面 板構造，該面板構造係在玻璃等絕緣性基板上具備將矽薄 膜當作通道層而使用的薄膜電晶體元件。 作爲被設置在絕緣性基板上之薄膜電晶體，已知各種 兀件構造。例如日本專利公開號第10 — 289910號等係記載 一種具有通道截斷型之反轉堆疊構造（或下閘極構造）的薄 膜電晶體’其係閘極電極被配置在半導體層之下層側，通 道保護層被以被覆成爲半導體層之通道層之區域上的方式 設置’源極、汲極電極被設置於半導體層上，同時源極、 汲極電極之一部分與通道保護層重疊。 另外’例如日本專利公開號第2001— 264818號等係記 201203488 載：在具有如此類的反轉堆疊構造（或下閘極構造）之薄膜 電晶體中，在半導體層上對源極、汲極電極進行圖案化形 成時，會發生相對於通道保護層之源極、汲極電極的未對 準。 在具有如上述之反轉堆疊構造的薄膜電晶體中，若發 生相對於通道保護層之源極'汲極電極的未對準，則薄膜 電晶體的導通電流會產生偏差。爲此，在將如此類的薄膜 電晶體作爲上述之薄型顯示器的顯示面板或驅動驅動器之 切換元件或驅動元件而應用時，會招致因未對準的顯示畫 質之劣化或製品產率之降低。 更具體而言，在具有電流驅動型之發光元件（例如有機 EL元件）以及驅動該發光元件使其發光所用之驅動元件的 像素中，在應用薄膜電晶體作爲驅動元件時，若上述之未 對準造成被提供給發光元件之發光驅動電流之電流値產生 偏差，則會變成無法使像素以所期望之亮度灰階進行發光 動作。爲此，在具備將例如複數個像素（發光元件）2維配列 的顯示面板之顯示器中，變成無法使畫面全體以均勻亮度 進行發光，招致顯示畫質之劣化或製品產率之降低。 【發明內容】 本發明具有提供一種半導體裝置、發光裝置以及安裝 有該發光裝置之電子機器的優點，該半導體裝置係可抑制 起因於源極、汲極電極之未對準的薄膜電晶體的導通電流 之偏差，該發光裝置及該電子機器係利用該半導體裝置而 201203488 可具有良好的顯示畫質且使製品之產率提升。 爲了得到上述優點的本發明之半導體裝置係具備： 基板； 被設置於前述基板上面之具有第1源極電極、第1汲 極電極及第1閘極電極的第1電晶體及具有第2源極電 極、第2汲極電極及第2閘極電極的第2電晶體； 電性連接前述第1源極電極與前述第2源極電極的源 極連接配線； 電性連接前述第1汲極電極與前述第2汲極電極的汲 極連接配線；以及 電性連接前述第1閘極電極與前述第2閘極電極的閘 極連接配線； 前述第1源極電極與前述第1汲極電極係被沿著第1 方向配置，前述第2源極電極與前述第2汲極電極係被沿 著前述第1方向以與前述第1源極電極及前述第1汲極電 極相反的順序配置， 前述源極連接配線及前述汲極連接配線係被設置於對 前述第1閘極電極、前述第2閘極電極及前述閘極連接配 線重疊之區域以外的區域。 爲了得到上述優點的本發明之發光裝置係—種具有被 配列於基板上之複數個像素的發光裝置， 前述各像素係具有發光元件與被連接於該發光充件而 驅動該發光元件之驅動元件， 201203488 前述驅動元件係具備： 被設置於前述基板上面之具有第1源極電極、第1汲 極電極及第1閘極電極的第1電晶體及具有第2源極電 極、第.2汲極電極及第2閘極電極的第2電晶體； 電性連接前述第1源極電極與前述第2源極電極的源 極連接配線； 電性連接前述第1汲極電極與前述第2汲極電極的汲 極連接配線；以及 電性連接前述第1閘極電極與前述第2閘極電極的閘 極連接配線； 前述第1源極電極與前述第1汲極電極係被沿著第1 方向配置，前述第2源極電極與前述第2汲極電極係被沿 著前述第1方向以與前述第1源極電極及前述第1汲極電 極相反的順序配置， 前述源極連接配線及前述汲極連接配線係被設置於對 前述第1閘極電極、前述第2閘極電極及前述閘極連接配 線重疊之區域以外的區域。 爲了得到上述優點的本發明之電子機器係具備：’ 電子機器本體部；以及 被從電子機器本體部提供影像資料並因應該影像資料 而被驅動之發光裝置； 前述發光裝置係具有基板及被配列於前述基板上面的 複數個像素， 201203488 前述各像素係具有發光元件與驅動該發光元件的驅動 元件， 前述驅動元件係具備： 被設置於基板上之具有第1源極電極、第1汲極電極 及第1閘極電極的第1電晶體及具省第2源極電極、第2 汲極電極及第2閘極電極的第2電晶體； 電性連接前述第1源極電極與前述第2源極電極的源 極連接配線； 電性連接前述第1汲極電極與前述第2汲極電極的汲 極連接配線；以及 電性連接前述第1閘極電極與前述第2閘極電極的閘 極連接配線； 前述第1源極電極與前述第1汲極電極係被沿著第1 方向配置，前述第2源極電極與前述第2汲極電極係被沿 著前述第1方向以與前述第1源極電極及前述第1汲極電 極相反的順序配置， 前述源極連接配線及前述汲極連接配線係被設置於與 前述第1閘極電極、前述第2閘極電極及前述閘極連接配 線重疊之區域以外的區域。 【實施方式】 以下，針對本發明之半導體裝置、發光裝置以及電子 機器，顯示出實施形態來詳細進行說明。 <半導體裝置> 201203488 首先，針對本發明之半導體裝置的基本構造，參照^ 式進行說明。 圖1A，B,C係顯示本發明之半導體裝置的基本構造$ 一實例（以下記作「構成例」）的槪略構成圖。 圖1A係本構成例之半導體裝置的槪略平面圖。 此處，在圖1A所示之平面圖中，爲說明方便上，以圖 面左右方向爲X方向，圖面上下方向標記y方向（以下相 同）。 圖1B係顯示沿著在具有圖1A所示之平面佈置的半導 體裝置之IA — IA線（在本說明書中方便上係使用「I」作爲 與圖1 A中所示之羅馬數字「1」對應之記號）的剖面。 圖1C係顯示沿著在具有圖1A所示之平面配置的半導 體裝置之I B - I B線的剖面。 此外’在圖1A，B，C中係在中心顯示被應用於半導體裝 置之電晶體的電極，省略與外部之連接配線或配線層間之 絕緣膜等。 圖2A，B係顯示被應用於本構成例之半導體裝置的電 晶體之等效電路的圖。 圖3係顯示本發明之半導體裝置的基本構造之其他實 例的槪略構成圖。 如圖1A，B，C所示，被應用於本構成例之半導體裝置的 電晶體TFT係具有通道截斷型之反轉堆疊構造的薄膜電晶 體（第1電晶體）TrA與薄膜電晶體（第2電晶體）TrB被鄰接 201203488 而設置在鄰接於絕緣性基板11上之特定方向（在圖 爲圖面上下方向的y方向）而設置的電晶體形成區每 Rtb各自的區域上。 另外，具有被延伸於絕緣性基板11上之上述特 而設置、被跨在電晶體形成區域Rta與Rtb上設置 兩電晶體的閘極電極Trg的單一導體層。薄膜電晶骨 TrB係具有彼此的閘極電極Trgl，Trg2因爲由此單 層所形成之閘極電極Trg而被連接的元件構造。 此處，將由單一導體層所形成之閘極電極Trg 體形成區域 Rta與 Rtb之間的區域當作閘極連 LNg。即，薄膜電晶體TrA與TrB係閘極電極被透 配線LNg而互相連接。 總之，閘極電極Trg具有薄膜電晶體TrA之第 電極Trgl、薄膜電晶體TrB之第2閘極電極Trg2 極連接配線Lng。 薄膜電晶體TrA之第1閘極電極Trgl被配置在 形成區域Rta內，薄膜電晶體TrB之第2閘極電極 配置在電晶體形成區域Rtb內，閘極連接配線LNg 在電晶體形成區域Rta與Rtb之間。 第1閘極電極Trg卜第2閘極電極Trg2以及聞 配線LNg係不中斷而連繫著。 第1閘極電極Trgl、第2閘極電極Trg2以及閘 配線LNg被一體形成。使第1閘極電極Trgl、第2 1 A係指 i R t a ' 定方向 而形成 豊 TrA、 一導體 的電晶 接配線 過連接 1閘極 以及閘 電晶體 Trg2 被 被配置 極連接 極連接 閘極電 -10- 201203488 極Trg2以及閘極連接配線LNg —體化所得者即爲閘極電極 Trg ° 薄膜電晶體TrA係如圖1 A、B所示，具有閘極電極（第 1閘極電極）Trgl、閘極絕緣膜12、半導體層SMC、通道保 護層BLa、雜質層OHM、源極電極（第1源極電極）Tras、 及汲極電極（第1汲極電極）Trad。源極電極Tras及汲極電 極Trad各自爲被設置在半導體層SMC上之雜質層OHM上 的電極。 薄膜電晶體TrB亦爲與薄膜電晶體TrA相同的剖面構 造，具有閘極電極（第2閘極電極）Trg2、閘極絕緣膜12、 半導體層SMC、通道保護層B Lb、雜質層OHM、源極電極 (第2源極電極）Trbs及汲極電極（第2汲極電極）Trbd。源極 電極Trbs及汲極電極Trbd各自爲被設置在半導體層SMC 上之雜質層OHM上的電極。 閘極電極Trgl、閘極電極Trg2及閘極連接配線LNg 係被設置在絕緣性基板1 1之其中一面側，並被閘極絕緣膜 12被覆。 形成有通道區域之半導體層SMC係各自被設置在閘極 絕緣膜1 2上之包含閘極電極Trg上、與電晶體形成區域 Rta、Rtb對應之區域。 薄膜電晶體TrA之源極電極Tras及汲極電極Trad係 被沿著垂直上述特定方向之既定方向（X方向）分離而設 置爲彼此對向。源極電極Tr as及汲極電極Trad係被設置 -11 - 201203488 在半導體層SMC之上述既定方向之兩端側的上面，同時一 部分被延伸於通道保護層B La之上述既定方向之兩端側的 上面的一部分而設置。然後，源極電極Tras及汲極電極Trad 係被設置爲在該通道保護層B La上面分離而對向。即，在 通道保護層BLa之兩端側，源極電極Tr as及汲極電極Trad 之一部分與通道保護層BLa重疊（成overlap)。 同樣地，薄膜電晶體TrB之源極電極Trbs及汲極電極 Trbd亦與薄膜電晶體TrA相同，被配置爲沿著上述既定方 向（X方向）分離而彼此對向。源極電極Trbs及汲極電極 Trbd係被設置於半導體層SMC之上述既定方向之兩端側 的上面，同時一部分被延伸於通道保護層B Lb之上述既定 方向之兩端側的上面的一部分而設置。然後，源極電極Trbs 及汲極電極Trbd係被設置成在該通道保護層B Lb的上面分 離而對向。即，在通道保護層BLb之兩端側，源極電極Trbs 及汲極電極Trbd之一部分與通道保護層BLb重疊（成 overlap) 〇 在源極電極Tras及汲極電極Trad與半導體層SMC之 間係設有由雜質層OHM所形成之歐姆接觸層、源極電極 Tras及汲極電極Trad與半導體層SMC被電性連接。同樣 地，在源極電極Trbs及汲極電極Trbd與半導體層SMC之 間係設有由雜質層OHM所形成之歐姆接觸層’源極電極 Trbs及汲極電極Trbd與半導體層SMC被電性連接。 然後，在半導體層_SMC內的至少通道保護層BLa'BLb 201203488 之下面側的區域，在薄膜電晶體TrA及薄膜電晶體TrB之 動作時，形成有作爲電流路之通道區域。此時，薄膜電晶 體TrA之源極電極Tras及汲極電極Trad之與通道保護層 B La重疊的區域（重疊區域）係與半導體層SMC內之通道 區域重疊，薄膜電晶體TrB之源極電極Trbs及汲極電極 Trbd之與通道保護層BLb重疊的區域（重疊區域）係與半 導體層SMC內之通道區域重疊。 另外，在包含如此類的薄膜電晶體TrA、TrB的基板 11上，用於避免因外在環境而腐蝕或損傷的保護絕緣膜13 被以被覆薄膜電晶體TrA、薄膜電晶體TrB及閘極絕緣膜 1 2的方式設匱。 此處，薄膜Ρ晶體TrA之源極電極Tras及汲極電極 Trad之y方向的尺寸（即’薄膜電晶體TrA之通道寬度） Wca與薄膜電晶體TrB之源極電極Trbs及汲極電極Trbd 之y方向的尺寸（即’薄膜電晶體TrB之通道寬度）Wcb 係被設定爲相同（Wca= Wcb )。 另外，薄膜電晶體TrA之源極電極Tras及汲極電極
Trad、以及薄膜電晶體TrB之源極電極Trbs及汲極電極 Trbd皆被設置於同層’並藉由將在基板11上被成膜之單 一的源極、汲極金屬層圖案化；’而被以相同步驟總括形成° 另外，半導體層SMC在薄膜電晶體TrA中，被以與由 例如通道保護層BLa、源極電極Tras及汲極電極Trad所形 成之電晶體形成區域Rta的平面形狀整合的方式設置。另 -13- 201203488 外，半導體層SMC在薄膜電晶體TrB中，被以與由通道保 護層B Lb、源極電極Trbs及汲極電極Trbd所形成之電晶 體形成區域Rtb的平面形狀整合的方式設置。 然後’在本構成例之半導體裝置中所應用的電晶體 TFT係如圖1 A所示，薄膜電晶體TrA之源極電極Tras及 汲極電極Trad以及薄膜電晶體TrB之源極電極Trbs及汲 極電極Trbd被以配置於以薄膜電晶體TrA、TrB共用之閘 極電極Trg (或者，各通道保護層BLa、BLb )之寬度方向 (X方向）上的中心線C L (圖1 B，C中爲剖面之中心線） 爲基準之相反的位置的方式設置。 即，如圖1 A所示，在薄膜電晶體TrA中，在相對於 中心線CL (或者閘極電極Trg及通道保護層BLa)在圖面 左方側設有源極電極Tras，在圖面右方側設有汲極電極 Trad。另一方面，在薄膜電晶體TrB中，相對於中心線CL (或者閘極電極Trg及通道保護層BLb )在圖面右方側設 有源極電極Trbs，在圖面左方側設有汲極電極Trbd。 尙且，在本構成例之半導體裝置中所應用的電晶體 TFT中，薄膜電晶體TrA之源極電極Tras與薄膜電晶體 TrB之源極電極Trbs透過源極連接配線LNs被連接。 此處，源極連接配線LNs係如圖1A所示，被構成爲 具有第1連接配線LNsl、LNs3及第2連接配線LNs2，該 第1連接配線LNs 1、LN s3被與源極電極Tras及Trbs —體 地設置，由將成膜在基板11上之單一的源極、汲極金屬層 -14· 201203488 圖案化而在與源極電極Tras及Trbs相同的製程由設置於 同層之導體層所形成，該第2連接配線LNs2則係由設置於 與源極電極Tras、Trbs不同之層的導體層形成，並透過接 觸孔CHsa、CHsb分別與上述第1連接配線連接。 源極連接配線LN s之第2連接配線LNs2係設置爲與 例如上述之閘極電極Trg同層，並設置在相對於第1連接 配線之下層側，且藉由將成膜在基板1 1上之單一的閘極金 屬層圖案化而在與閘極電極Trg相同之製程一起形成。 另外，源極連接配線LNs係如圖1 A，B,C所示，設置於 在基板1 1上設定有電晶體形成區域Rta、Rtb的外部，設 置於閘極電極Trg及閘極連接配線LNg在相對於基板11 的上面之面方向，總之相對於沿著延伸於圖1 A所示之X 方向與y方向的平面的方向爲垂直的方向（圖1B,C所示之 1C方向）重疊之區域以外的區域，薄膜電晶體TrA之源極 電極Tras與薄膜電晶體TrB之源極電極Trbs在電晶體形 成區域Rta、Rtb之外部連接。 薄膜電晶體TrA之汲極電極Trad與薄膜電晶體TrB之 汲極電極Trbd係透過汲極連接配線LNd而連接。 此處，汲極連接配線LNd係與由汲極電極Trad及Trbd 一體地設置，並藉由將成膜在基板11上之單一的源極、汲 極金屬層圖案化，而在與源極電極Tras及汲極電極Trad、 以及、源極電極Trbs及汲極電極Trbd相同之製程’由設 置於同層的導體層所形成之第3連接配線。 -15- 201203488 另外，汲極連接配線LNd亦如圖1A，B，C所示，設置 於在基板1 1上所設定之電晶體形成區域Rta、Rtb的外部， 設置於閘極電極Trg及閘極連接配線LNg在相對於基板i j 的上面之面方向，總之相對於沿著延伸於圖1 A所示之x 方向與y方向的平面的方向爲垂直的方向（圖1B，C所示之 1C方向）重疊之區域以外的區域，薄膜電晶體TrA之汲極 電極Trad與薄膜電晶體TrB之汲極電極Trbd在電晶體形 成區域Rta、Rtb之外部連接。 然後，具有如上述之元件構造的電晶體TFT可藉爲例 如圖2A、B所示之等效電路來表示。即，本構成例之電晶 體TFT因爲具有薄膜電晶體TrA與薄膜電晶體TrB並聯， 同時閘極電極Trg共同地連接之電路構成，所以實質上擁 有與具備兩者之通道寬度Wc a、Web合計之通道寬度Wca + Web的薄膜電晶體相等的驅動能力。 此外，上述之構成例係就用於連接薄膜電晶體TrA之 源極電極Tras與薄膜電晶體TrB之源極電極Trbs的源極 連接配線LNs之第1連接配線LNsl由設置爲與源極電極 Tr as及源極電極Trbs同層之導體層形成，用於連接薄膜電 晶體TrA之汲極電極Trad與薄膜電晶體TrB之汲極電極 Trbd的汲極連接配線LNd由設置爲與汲極電極Trad及汲 極電極Trbd同層之導體層形成的情況進行說明。然而，本 發明之半導體裝置中所應用的電晶體並非限定爲上述之構 成例所示之元件構造。即，用於連接薄膜電晶體TrA之源 -16- 201203488 極電極Tras與薄膜電晶體TrB之源極電極Trbs之源極連 接配線LNs的第1連接配線LNs 1可由與源極電極Tras及 源極電極Trbs不同的導體層形成，用於連接薄膜電晶體 TrA之汲極電極Trad與薄膜電晶體TrB之汲極電極Trbd 的汲極連接配線LNd可由與汲極電極Trad及汲極電極 Trbd不同之導體層形成。 另外，上述之構成例雖電晶體TFT由鄰接於基板11 上之y方向而設置的薄膜電晶體TrA與薄膜電晶體TrB形 成，但並不限定於此。 構成電晶體TFT之薄膜電晶體TrA與薄膜電晶體TrB 具有如上述之相互的連接關係，各電晶體之源極電極與汲 極電極一起沿著相同方向配置即可。因此，例如圖3所示， 薄膜電晶體TrA與薄膜電晶體TrB之源極電極與汲極電極 沿著X方向配置，各電晶體鄰接於X方向而設置者亦可。 同樣地，薄膜電晶體TrA與薄膜電晶體TrB之源極電極與 汲極電極沿著y方向配置，各電晶體鄰接於y方向設置亦 可 ° . 再者，雖爲薄膜電晶體TrA與薄膜電晶體TrB近接配 置者，但並不限定於此。只要薄膜電晶體TrA與薄膜電晶 體TrB具有如上述之相互的連接關係，兩者部分程度分離 配置亦可。 總之，本發明之半導體裝置中所應用的電晶體係薄膜 電晶體TrA與TrB之源極電極彼此、汲極電極彼此電性連 -17- 201203488 接。然後，連接源極電極彼此的連接配線，或者連接汲極 電極彼此的連接配線之任一方只要爲透過由與源極、汲極 金屬層不同之導體層所形成的連接配線相互連接者即可。 因此，用於連接如上述之構成例所示之薄膜電晶體 TrA與TrB之源極電極彼此的源極連接配線LNs、及用於 連接汲極電極彼此的汲極連接配線LNd之至少一者連接於 由與源極、汲極金屬層不同之導體層、例如設置源極、汲 極金屬層之下層或上層的導體層形成的連接配線者即可。 另外，源極連接配線LNs及汲極連接配線LNd之至少一者 亦可爲爲該下層或上層之導體層。此外，如此類的元件構 造之構成例在後述之發光元件之應用例中進行詳細說明。 (作用效果之驗證） 以下’就上述之半導體裝置（電晶體）之作用效果， 顯示比較例而詳細進行說明。 此處’作爲本發明之半導體裝置的比較例，顯示一般 的具有通道截斷型之反轉堆疊構造的薄膜電晶體，並在驗 證未對準造成之影響後，就本發明之半導體裝置（電晶體） 之作用效果的優勢進行說明。 圖4A，B係顯示相對於本發明之半導體裝置的比較例 的槪略構成圖。 圖4A係比較例之半導體裝置（薄膜電晶體）的槪略平面 圖。 圖4B係顯示沿著在具有圖4A所示之平面佈置之半導 201203488 體裝置（薄膜電晶體）的I π B — 111B線（本說明書中係作爲與 圖4A中所示之羅馬數字「3」對應之記號方便上使用「in」。） 的剖面。 此處’關於與圖1A，B相等之構成係附加同一符號而簡 略說明。 相對於本發明之半導體裝置，作爲以往的構成之比較 r 例係如圖4A、B所示，具有在絕緣性基板1 1上設置周知 之具有通道截斷型之反轉堆疊構造的薄膜電晶體TrC的構 成。此薄膜電晶體TrC係具有以下構成：源極電極Trcs與 汲極電極Trcd設置於半導體層SMC上，且在設置於半導 體層SMC上之通道保護層BLc之源極電極Trcs與汲極電 極Trcd對向之方向（X方向）上的兩端側之上面的一部分， 透過雜質層OHM且源極電極Trcs及汲極電極Trcd之一部 分延伸而設置。即，在比較例之薄膜電晶體TrC中，以在 通道保護層BLc之兩端側，源極電極Trcs及汲極電極Trcd 與通道保護層BLc重疊的方式設置（平面上重疊）。然後， 半導體層SMC內之至少通道保護層BLc之下面側的區域在 薄膜電晶體TrC之動作，形成有成爲電流路之通道區域。 此時，源極電極Trcs及汲極電極Trcd之重疊區域係與半 導體層SMC中所形成之通道區域平面上重疊。 此處，爲了比較本比較例之電晶體與本發明之電晶體 TFT，薄膜電晶體TrC之通道寬度Wcc係設定爲薄膜電晶 體TrA及TrB之通道寬度Wca、Web的合計（Wcc=Wca + 201203488
Web)。即’由薄膜電晶體TrA與TrB形成之電晶體TFT採 取具有與薄膜電晶體TrC同等之驅動能力者。 圖5 A〜D係用於說明比較例之薄膜電晶體之未對準與 其影響的圖。 圖5 A〜C係用於說明比較例之薄膜電晶體之因未對準 而產生之通道保護層BLe與源極Tres、汲極電極Tred之重 疊（平面上重疊）狀態的變化的槪略平面圖。此外，圖5A〜 C中，方便上以粗框表示通道保護層BLe與源極、汲極電 極Tres、Tred重疊之區域。 圖5D係顯示對應於因未對準而產生之通道保護層BLe 與源極、汲極電極Tres、Tred之重叠狀態的變化之薄膜電 晶體TrC的元件特性（Vg- Ids特性）之變化的圖。 圖4 Α,Β所示之周知之薄膜電晶體TrC中，在形成源極 電極Tres及汲極電極Tred時，一般會使用利用光罩之光 蝕刻法。在此時，存在對應於設計圖案之光罩的位置對準 發生些許位置偏移，形成於基板11上之各種膜的加工尺寸 因基板上之場所而有些許不同，藉由對製程中之基板11的 物理性、化學性處理等而在基板11產生些許的翹曲或變形 之情況。其結果，如圖5A〜C所示，發生源極、汲極電極 Tres、Tred相對於閘極電極Trg或通道保護層BLe偏離於 上下方向、左右方向或其兩方向地形成之未對準。 此處，爲了將說明簡單化，圖5 A〜C中係就源極、汲 極電極Tres、Tred之未對準相對於通道保護層BLe發生於 -20- 201203488 圖面左右方向（圖4A所示之χ方向）之情況進行說明。圖5A 係顯示源極、汲極電極Trcs、Trcd因未對準而相對於通道 保護層BLc偏離於圖面左方向之情況，圖5C係顯示源極、 汲極電極Trcs、Trcd因未對準相對於通道保護層BLc偏離 於圖面右方向之情況。另外，圖5B係顯示源極、汲極電極 Trcs、Trcd會發生未對準之情況。 然後，如此類的源極、汲極電極Trcs、Trcd之未對準 發生的情況，薄膜電晶體的元件特性（Vg - Ids特性）係如圖 5 D所示地變化。 此外，此處，作爲一實例，顯示在η通道型非晶矽薄 膜電晶體（n-ch TFT)中設定爲通道比W/L = 10、汲極、源 極間電壓Vds= 10V之情況下對應於閘極電壓Vg之從汲極 電極Trcd往源極電極Trcs方向流過之汲極•源極間電流 Ids的關係。另外，圖5D中爲了明確顯示元件特性之舉動 係將縱軸之汲極•源極間電流Ids取對數表示。 如圖5B所示，未發生未對準之薄膜電晶體TrC的元件 特性（Vg — Id特性）之舉動係如圖5D之特性線SPb所示， 以閘極電壓Vg=0V爲邊界，在屬正電壓側之導通區域係 顯示汲極•源極間電流Ids爲例如1.0 XI (T 6 A左右之電流 値。在屬負電壓側之知導通區域係顯示例如1 . 0 X 1 (T 1 2 A 左右之電流値。 另一方面，如圖5A所示，源極、汲極電極Trcs、Trcd 因未對準而相對於通道保護層BLc偏離於圖面左方向之情 -21 - 201203488 況，即源極電極T r c S側之重疊尺寸小、汲極電極T r c d側 之重疊尺寸變大之方向，在發生未對準之情況，如圖5d 之特性線SPa所示，薄膜電晶體TrC之元件特性係在閘極 電壓V g爲正電壓側之導通區域顯示汲極•源極間電流（導 通電流）I d s之電流値相較於上述特性線s Pb變大之傾向。 另一方面’如圖5C所不，源極、汲極電極Trcs、Trcd 因未對準而相對於通道保護層BLc偏離於圖面右方向之情 況，即源極電極Trcs側之重疊尺寸大，汲極電極Trcd側 之重疊尺寸變小之方向，在發生未對準之情況，如圖5D 之特性線SPc所示，薄膜電晶體TrC之元件特性係在導通 區域顯示汲極•源極間電流（導通電流）I d s之電流値相較於 上述特性線SPb變小之傾向。 如此，因源極、汲極電極T r c s ' T r c d相對於通道保護 層BLc偏離於圖面左右方向，使得汲極•源極間電流（導通 電流）Ids增減。 將如此類的薄膜電晶體TrC作爲例如屬電流驅動型之 發光元件的有機EL元件之驅動電晶體而應用，在將具有該 有機E L元件與該驅動電晶體之複數個像素配列於顯示區 域而設置的顯示面板中’各像素之有機EL元件的發光亮度 係大槪與在該像素之驅動電晶體中流通之汲極·源極間電 流Ids的電流値成比例。爲此，爲了作成在顯示面板之顯 示區域的面內可得到均勻之發光，需要抑制對應於各像素 之驅動電晶體（薄膜電晶體）之既定的閘極電壓Vg之汲極. -22- 201203488 源極間電流Ids的電流値之偏差。 此處，就源極、汲極電極Trcs、Trcd之相對於通道保 護層BLc之未對準的値與汲極/源極間電流（導通電流）Ids 的電流値之偏差之關係進行驗證。 圖6A〜D係顯示薄膜電晶體之源極、汲極電極之相對 於通道保護層BLc的未對準量與汲極/源極間電流之電流 値的偏差之關係。 此處，圖6A，B，C係用於說明未對準之狀態與未對準量 之關係的圖，以源極電極Trcs與汲極電極Trcd對向之方 向爲X方向，垂直於此方向之通道保護層BLc的較長方向 爲y方向。然後，從源極電極Trcs往汲極電極Trcd之方 向爲X方向的正方向，從汲極電極Trcd往源極電極Trcs 之方向爲X方向的負方向。 圖6A係顯示源極、汲極電極Trcs、Trcd相對於通道 保護層BLc偏離於負X方向之情況，圖6C係顯示源極、 汲極電極Trcs、Trcd相對於通道保護層BLc偏離於正&方 向之情況。圖6B係顯示未發生未對準之情況。 在圖6B所示，將源極電極Trcs與汲極電極Trcd之未 對準未發生時之對向的源極電極Trcs與汲極電極Trcd之 間的中央位置抽出的線爲基準線SL。然後，將以如圖6A 或圖6C發生未對準時之源極電極Trcs與汲極電極Trcd之 間的中央抽出的中央線S D C之相對於上述基準線S L的X 方向之距離設爲未對準量。圖6A所示之未對準係未對準量 -23- 201203488 爲負値，圖6C所示之未對準係未對準量爲正値》 接著，圖6D係顯示薄膜電晶體之源極、汲極電 述未對準量與汲極•源極間電流之電流値及其偏差 的圖。 此處，汲極/源極間電流係η通道型非晶矽薄 體（n-ch TFT)係爲閘極絕緣膜之膜厚400nm、通道 BLc之膜厚240nm、對應於源極電極Trcs及汲極電; 之y方向的寬度之通道寬度λν=350μπι'對應於通 膜BLc之X方向的寬度之通道長L=7.4pm，在設定 壓Vg=5V、汲極電壓Vd=10V之情況，有在源極 汲極電極間流通的電流。 圖6D中，SP1係顯示對應於上述未對準量之流 極（D)—源極（S )方向的汲極•源極間電流I d s之變化 SP2係顯示流通於源極（S) —汲極（D)方向之汲極 間電流Ids的變化特性。 SP3係顯示在對應於未對準量之SP1及SP2中， 源極間電流Ids之電流値的差之未發生未對準時的 源極間電流I d s之電流値的比率’在被配列於顯示 顯示區域的面內之複數個像素的各個像素中作爲驅 體而設置之薄膜電晶體中流通的汲極。源極間電流 因未對準而產生的電流値之偏差的程度。總之，未 爲係源極、汲極電極Trcs、Trcd與通道保護層BLc 位置偏差，所以存在既定量之未對準時’在作爲驅 極的上 之關係 膜電晶 保護膜 1¾ Trcd 道保護 閘極電 電極與 通於汲 特性。 •源極 I汲極· 汲極· 面板之 動電晶 Id s之 對準因 之相對 動電晶 -24- 201203488 體之複數個薄膜電晶體存在混有源極、汲極電極Trcs、Trcd 相對於通道保護層BLc在正x方向產生既定量之未對準的 薄膜電晶體、與在負X方向產生同量之未對準的薄膜電晶 體之可能性。SP 3係顯示如此類的情況所產生之在各薄膜 電晶體中流通的汲極•源極間電流Ids之電流値的差之相 對於未發生未對準時的比率。 . 圖6D中，如SP1、SP2所示，在未發生未對準之狀態 (未對準量=〇.〇)，汲極/源極間電流Ids係顯示同一電流 値。然後，隨未對準量在正負兩方向變大，在汲極（D) —源 極（S)方向流通之汲極•源極間電流Ids與在源極（S) —汲極 (D)方向流通之汲極•源極間電流Ids之差變大，在面內之 各薄膜電晶體中流通之汲極•源極間電流Ids之偏差變大。 爲了在顯示區域之面內得到均勻發光，將具有如此類 的特性之薄膜電晶體作爲驅動電晶體之複數個像素，如上 述配列於顯示面板之顯示區域而設置，需要作成薄膜電晶 體之對應於既定之閘極電壓Vg的汲極電流（導通電流）Id之 面內偏差爲大槪±10%或較小之値。爲此，如圖6D所示， 需要將源極、汲極電極的未對準量控制爲大槪±0.2 μπι或較 小之値。 然而，在大面積的顯示面板中所使用的基板，於該基 板之全區域，將源極、汲極電極的未對準量控制爲±0.2 μιη 或較小之値以現在的製造技術係非常困難的。爲此，引來 各薄膜電晶體的導通電流特性之偏差大於±10%、製品產率 -25- 201203488 之降低或顯示畫質之劣化。 以下，就本發明之構成例之電晶體TFT以與上述相同 之條件就對應於源極電極Tras、Trbs、及汲極電極Trad、 Trbd的未對準量之汲極•源極間電流Ids的電流値進行驗 證。 圖7A,B〜圖9A，B係顯示本發明之構成例之電晶體 TFT之源極、汲極電極的未對準量與汲極電流之電流値之 關係的圖。 此處，圖7A，B〜圖9A，B中，對應於源極電極Tras、 Trbs及汲極電極Trad、Trbd的未對準量，在汲極（D) —源 極（S)方向流通之汲極•源極間電流Ids及在源極（S) —汲極 (D)方向流通之汲極•源極間電流Ids的變化，係與圖6D 所示之情況相同而以S P 1、S P 2表示。 本發明之構成例之電晶體TFT係如圖1 A，B、圖2A，B 所示，具有薄膜電晶體TrA與薄膜電晶體TrB並聯，同時 共用閘極電極Trg之構成。. 尙且，上述構成例之電晶體TFT係如圖1A，B所示， 具有薄膜電晶體TrA之源極電極Tras及汲極電極Trad與 薄膜電晶體TrB之源極電極Trbs及汲極電極Trbd以中心 線CL爲基準在X方向配置爲位於彼此相反之位置的電路構 成。 藉此，本發明之構成例之電晶體TFT之薄膜電晶體TrA 的從汲極電極Trad流往源極電極Tras方向的汲極•源極 -26- 201203488 間電流I d s之對應於未對準量的變化特性’成爲圖7 B〜圖 9B所示之SP1。另外，電晶體TFT之薄膜電晶體TrB之從 汲極電極Trbd流往源極電極Trb s方向之汲極•源極間電 流Ids的對應於未對準量之變化特性，成爲圖7B〜圖9B 所示之SP2。 本發明之構成例之電晶體TFT中’如圖7A所示’沒 有未對準之狀態（未對準量=〇 . 〇)係在圖7 B中如以箭形符 號P0所示，SP1、SP2之汲極電流Id係顯示同一電流値’ 作爲電晶體TFT之導通電流，此等之合計的大槪4.6(= 2.3 + 2.3)μΑ之電流流通。 另一方面，如圖8Α所示，未對準發生在X、y軸之正 方向，其偏離量爲+ 1.0 μηι之情況，圖8B中，如以箭形符 號Ρ1所示，汲極電流Id係在SP1爲小、在SP2爲大。然 後，作爲電晶體TFT之導通電流，此等之合計的大槪5 · 1 (= 1.7+3.4)μΑ之電流流通。 另外，如圖9Α所示，未對準發生在x、y軸之負方向， 其偏離量爲一Ι.Ομιη之情況’圖9B中’如以箭形符號P2 所示，汲極電流Id係SP1爲大、SP2爲小。然後，作爲電 晶體TFT之導通電流Id ’此等之合計的大槪5.1( = 3.4 + 1 .7)μΑ之電流流通。 將如此類的本發明之構成例之電晶體TFT與比較例之 薄膜電晶體TrC之對應於源極、汲極電極的未對準量之汲 極電流的比較結果顯示於圖1 0 A，B中。 -27- 201203488 此處，圖1 0A係相對於源極、汲極電極的未 汲極電流I d的實測値的比較結果。圖1 〇 b係將圖 之實測値以未發生未對準時（未對準量=〇 μιη)爲 標準化之汲極電流的比較結果。 此處’圖1 0Α中，顯示電晶體TFT及薄膜電 設定爲通道寬度（電晶體TFT係薄膜電晶體TrA、 計的通道寬度）W = 700μιη、通道長L = 7.4μπι、閘I =5V、汲極電壓Vd = 10V之情況下汲極電流id之 如圖ΙΟΑ,Β所示，比較例之薄膜電晶體TrC c 汲極電極的未對準量若產生±1μηι左右，則汲極， 電流）Id變動最大50%左右。相對於此，本發明 電流（導通電流）Id之變動抑制最大10%左右。 因此，將本發明之薄膜電晶體如上述，應用 的顯示面板中各像素的驅動電晶體之情況時，相 的構成，可實現抑制源極、汲極電極之未對準所 膜電晶體的導通電流之偏差之發生、具有良好 質、同時可使製品之產率提升的顯示裝置。 此外，本發明之構成例之電晶體T F T如圖1卢 顯示在基板1 1上使電晶體形成區域Rta、Rtb接狂 並將薄膜電晶體TrA、TrB之源極電極彼此，另外 極彼此以設置於上述電晶體形成區域Rta、Rtb之 接配線連接的元件構造。 此處，佈置設計上亦可考慮使上述之電晶體 對準量之 1 〇 A所示 基準進行 晶體TrC TrB之合 亟電壓Vg 1電流値。 和，源極、 雹流（導通 則係汲極 於大面積 較於以往 造成的薄 的顯不畫 ι，Β所示， £而設置， 將汲極電 外部的連 形成區域 -28- 201203488
Rta、Rtb相互分離而設定，並在其間隙設置連接配線，將 源極電極彼此，另外汲極電極彼此直接連接。然而’如此 類的元件構造具有如下之問題。 第1，爲了使電晶體形成區域Rta、Rtb相互分離’包 含薄膜電晶體TrA、TrB之電晶體TFT全體的形成區域之 面積變大。尤其，在將如此之電晶體實際上應用於顯示裝 置之像素等之情況，因電晶體之形成面積變大會產生像素 之開口率降低或佈置設計之自由度被制約等問題。此外， 關於將本發明之構成例之電晶體TFT應用於顯示裝置之像 素的構成例，詳述於後。 第2，鄰接配設之薄膜電晶體TrA、TrB之閘極電極係 由單一導體層構成，成爲形成此閘極電極Trg之導體層延 伸而亦設置在電晶體形成區域Rta與Rtb之間隙。此處， 若將連接配線設置在電晶體形成區域Rta與Rtb之間隙， 則形成連接配線與閘極電極Trg之導體層變成被以相對於 基板11之上面的面方向重疊於垂直方向的方式配置，連接 配線與閘極電極Trg間之寄生電容會增加。此寄生電容之 增加會產生影響薄膜電晶體TrA、TrB之動作、影響顯示動 作之弊害。 第3，尤其反轉堆疊構造之薄膜電晶體，因爲半導體 層設置在閘極電極之形成層上方，所以具有半導體層與其 他配線層之距離較短之元件構造。此處，若將連接配線設 置在電晶體形成區域Rta與Rtb之間隙，則存在此連接配 -29- 201203488 線設置於薄膜電晶體TrA或TrB之通道形成區域之比接近 的地方之情況。此情況，連接配線作用爲疑似閘極電極（上 閘極效果）的功能，會產生影響通道形成、影響顯示動作之 弊害 相對於如此類的問題，本發明之構成例係在電晶體形 成區域Rta、Rtb之外部，於閘極電極Trg及閘極連接配線 LNg，成爲在鉛直方向不重疊的區域連接薄膜電晶體TrA、 TrB之源極電極彼此、汲極電極彼此。藉此，可使薄膜電 晶體TrA、TrB極接近地配置，可抑制電晶體TFT之形成 區域大型化，同時可抑制因連接配線造成寄生電容的增加 或上閘極效果之影響。 <發光裝置之應用例〉 以下，就可應用上述之構成例所示之半導體裝置（電晶 體）的發光裝置（顯示裝置）及像素進行說明。此處，以下所 示之應用例’係將本發明之電晶體應用於具有2維配列的 具備有機EL元件之複數個像素的有機EL顯示面板之顯示 裝置的情況進行說明。 (第1實施形態） 圖11 A，B係顯示應用本發明之半導體裝置的顯示裝置 之第1實施形態的槪略構成圖。 圖1 1 A係顯示本實施形態之顯示裝置的槪略區塊圖、 圖1 1 B係被應用於本實施形態之顯示裝置的像素之等效電 路圖。 -30- 201203488 如圖1 1 A所示，第1實施形態之顯示裝置（發光裝 置）1 〇〇大致上具備二維配列有複數個像素PIX的顯示面板 (發光面板）110、用於將各像素PIX設定爲選擇狀態之選擇 驅動器（選擇驅動電路）1 20、用於將與影像資料對應之灰階 信號提供於各像素PIX的資料驅動器（信號驅動電路）130 以及控制器1 4 0。 然後’被配列於本實施形態之顯示面板1 1 0的像素 PIX ’如圖1 1B所示，具備發光驅動電路DC以及屬電流驅 動型之發光元件的有機EL元件OEL。 發光驅動電路DC，例如如圖1 1 B所示，具備電晶體 Trl1、電晶體Trl2A、Trl2B以及電容Cs。 電晶體（選擇電晶體）Trl 1係閘極端子被連接於選擇線
Ls、汲極端子被連接於資料線Ld '以及源極端子被連接於 接點N 1卜 電晶體（驅動電晶體）T r 1 2 A、T r 1 2 B係閘極端子各自被 連接於接點Nil、汲極端子經由各接點N13、N14而被連接 於施加有高電位之電源電壓Vsa的電源線La、源極端子被 連接於接點N 1 2。 電容C s係被連接於接點n 1 1及接點N 1 2之間》 另外’有機EL元件（顯示元件）0]El係陽極（成爲陽極 電極的像素電極）被連接於上述發光驅動電路DC之接點 N12、陰極（成爲陰極電極的對向電極）被連接於既定之低電 位電源（基準電壓Vsc ;例如接地電位Vgnd)。 201203488 此處’電晶體Trll、Trl2A、Trl2B任一者皆是應用η 通道型薄膜電晶體。另外，電晶體Trl2A、Trl2B係應用具 有如上述之構成例所示之元件構造的薄膜電晶體TrA、 TrB » 被連接於像素PIX之選擇線Ls係被配設於顯示面板 110之列方向（圖11A之左右方向），並被連接於選擇驅動器 1 20。另外，資料線Ld係被配列於顯示面板1 1 〇之行方向（圖 11A之上下方向），並被連接於資料驅動器130〇 控制器1 4 0係依從顯示裝置1 〇 〇外部所提供之影像資 料’生成由包含亮度灰階資料之數位資料所構成的顯示資 料而提供於資料驅動器1 3 0。 另外，控制器140係依基於影像資料被生成或抽出的 時序信號來控制選擇驅動器120及資料驅動器130之動作 狀態’以生成並輸出用於執行顯示面板110之既定的影像 顯示動作的選擇制御信號及資料制御信號。 然後，具備具有如此類的電路構成之像素PIX的顯示 裝置之顯示驅動動作，首先，在既定的選擇期間，在將選 擇位準（高位準）之選擇電壓Vsel施加於選擇線Ls而使電晶 體T r 1 1在進行導通動作的狀態（選擇狀態），將與影像資料 對應之電壓値的灰階電壓Vdata施加於資料線Ld。藉此， 經由電晶體Trl 1，與灰階電壓Vdata對應之電位被施加於 接點N 1 1。藉此’在電晶體Tr 1 2 A、Tr 1 2 B之汲極、源極間 有與灰階電壓Vdata對應之發光驅動電流流通，有機EL元 -32- 201203488 件OEL發光。此時，電容Cs蓄積（充電）基於灰階電壓Vdata 的電荷。 接著，在非選擇期間，於選擇線Ls施加非選擇位準（低 位準）之選擇電壓Vsel而使電晶體Trl 1進行不導通動作（非 選擇狀態）。此時，被蓄積於電容Cs之電荷被保持、接點 Nil被施加與灰階電壓Vdata相當之電壓，使得在電晶體 Trl2A、Trl2B之汲極、源極間有與上述之發光動作狀態（選 擇期間）相等之電流値的發光驅動電流流通，有機EL元件 OEL繼續發光狀態。然後，針對顯示面板110之所有像素 PIX按列依序執行如此類的顯示驅動動作，以顯示所期望 之影像資訊。 以下，針對具有如上述之電路構成的像素（發光驅動電 路及有機EL元件）之具體裝置構造（平面佈置及剖面構造） 進行說明。 此處，顯示具有底部發光型的發光構造之有機EL顯示 面板，其中該底部發光型的發光構造係在被設置於基板之 其中一面側的有機EL元件OEL之有機EL層所發出的光透 過透明基板而於視野側（基板之另一面）射出的構造。 圖1 2係顯示被應用於本實施形態之顯示裝置的像素 之一實例的平面佈置圖。 在圖12中，主要顯示設置有圖1〗B所示之發光驅動電 路DC之各電晶體及配線等的層，而爲使各電晶體之電極 及各配線層明確，方便上施加影線來表示。此處，施加相 -33- 201203488 同影線之電極及配線層係被設置於同層。此外，被設置於 同層之配線層意指例如在絕緣膜上等之一個層上同時利用 相同材料而形成的配線層，並不限定爲當該配線層之下層 側的層構造要相同。 圖13A〜C係被應用於本實施形態之顯示裝置的像素 之要部剖面圖。 此處，圖13A〜C係顯示沿著具有圖12所示之平面佈 置的像素之XIIC — XIIC〜XIIE — XIIE線（本說明書中方便 上是使.用「XII」作爲與圖12中所示之羅馬數字「12」對 應的記號。）的剖面。 圖11B所示之像素PIX，具體而言，如圖12、圖13A 〜C所示，被設置在每一個在玻璃等透明絕緣性基板11的 其中一面側（圖1 3之上面側）設定的像素形成區域Rpx。 在圖12所示之像素PIX中，像素形成區域Rpx之圖面 上方及下方的邊緣區域係各自在列方向（圖面左右方向）配 設有選擇線Ls及電源線La。另一方面，像素形成區域Rpx 之圖面左方側的邊緣區域係與選擇線Ls及電源線La正交 而在行方向（圖面上下方向）配設有資料線Ld。另外，在圖 I2所示之像素PIX中，例如如圖13A〜c所示，設有—間 隔壁層14，該間隔壁層14係在像素形成區域RpX內之EL 元件形成區域Rel設有開口部。 選擇線L s，例如如圖1 2所示’被設置在比資料線l d 或電源線La更下層側（基板1 1側）。此處，選擇線Ls係由 -34- 201203488 被設置爲與電晶體Trll之閘極電極Trllg同層的導體層所 形成。 資料線L d，例如如圖1 2、圖1 3 A〜C所示，被設置在 比電源線L a更上層側。此處，資料線l d係經由接觸孔C Η 1 1 而被連接於電晶體Trl 1之汲極電極Trl id。 電源線L a，例如如圖1 2、圖1 3 A〜C所示，被設置於 比資料線L d更下層側。電源線L a係由被設置爲與例如 Trl2B之源極電極Trl2bs同層的導體層所形成。電源線La 係經由各接觸孔CH13、CH15而各自被連接於抽出配線 LNad、LNbd。 電晶體Tr 1 1係具有周知的反轉堆疊構造之薄膜電晶 體構造，如圖12所示，閘極電極Trl lg被與上述選擇線 Ls —體的方式形成，汲極電極Trl Id經由接觸孔CHI 1而 被連接於資料線 Ld，汲極電極Tr 11 d被連接於電晶體 Trl2A、 Trl2B共通的閘極電極Trl2g。 此外，在圖12中，BL11係通道保護層。 另外，電晶體Trl 2A、Trl 2B係具有與構成上述之構成 例所示之電晶體TFT的薄膜電晶體Tr A、TrB同等的元件 構造。 電晶體Trl2A、Trl2B，如圖12、圖13A〜C所示’共 用由單一導體層所形成之閘極電極Trl 2g而被設置。具體 而言，閘極電極Trl2g係具有電晶體Trl2A之第1閘極電 極Trl2ga、電晶體Trl2B之第2閘極電極Trl2gb以及閘 -35- 201203488 極連接配線LNg。第1閘極電極Trl2ga與電晶體Trl2A之 通道保護層BLa相對，閘極絕緣膜12及半導體層SMC被 夾在第1閘極電極Trl2ga與通道保護層BLa之間。第2 閘極電極Trl2gb與電晶體Trl2B之通道保護層BLb相對， 閘極絕緣膜12及半導體層 SMC被夾在第 2閘極電極 Trl2gb與逋道保護層BLb之間》閘極連接配線LNg係被配 置在跨電晶體Trl2A與Trl2B之間的區域。第1閘極電極 Trl2ga、第2閘極電極Trl2gb以及閘極連接配線LNg係不 中斷而連繫著。第1閘極電極Trl2ga、第2閘極電極Trl2gb 以及閘極連接配線LN g被一體形成。使第1閘極電極 Trl2ga、第2閘極電極Trl2gb以及閘極連接配線LNg —體 化所得者爲閘極電極Trl2g。 汲極電極Trl2ad、Trl2bd係各自經由接觸孔CH12、 CH14而個別連接於抽出配線 LNad、LNbd，抽出配線 LNad、LNbd係經由電源線La而互相導通。 抽出配線 LNad、LNbd係被設置於平視上與電晶體 Trl2A、Trl2B之閘極電極Trl2g重疊之區域以外的區域。 抽出配線LNad、LNbd係例如由被與資料線Ld同層設置之 導體層所形成。 源極電極Trl2as、Trl2bs係各自透過由被與源極電極 Trl2as、Trl2bs同層設置之導體層所形成之抽出配線 LNas、LNbs而被共通地與有機EL元件OEL之像素電極 1 5連接。 -36- 201203488 抽出配線LNas、LNbs係被設置於平視上與電晶體 Tr 1 2 A、Tr 12 B之閘極電極Tr 1 2 g重疊之區域以外的區域。 此外，在圖12中，BL12a、BL12b係通道保護層。 電晶體Trl 1及電晶體Trl2A、Trl2B係被層間絕緣膜 13a及保護絕緣膜13b被覆。 此處，抽出配線LNas、LNbs及像素電極15係對應於 上述構成例之源極連接配線LNs，抽出配線 LNad、LNbd 及電源線La係對應於上述構成例之汲極連接配線LNd。 有機EL元件OEL，如圖12、圖13A〜C所示，具有 將上述像素電極（陽極電極）15、有機EL層（發光功能 層）16、對向電極（陰極電極）17順序積層之元件構造。 此處，在本實施形態中，有機EL元件OEL係具有底 部發光型之發光構造，所以像素電極15係由氧化銦錫（IT 0) 等之透明電極材料所形成。另一方面，對向電極1 7係以包 含鋁單體或鋁合金等之光反射率高的電極材料而形成。 有機EL層16，如圖12、圖13A〜C所示，被設置在 EL元件形成區域Rel露出的像素電極15上，該EL元件形 成區域Rel係藉由被設置於間隔壁層1 4之開口部所劃定。 有機EL層1 6係由例如電洞注入層（或者，包含電洞注入層 之電洞輸送層）16a及電子輸送性發光層16b所形成。對向 電極1 7係由單一之電極層（無間隙電極）以對於被配列在基 板11上之各像素PIX的像素電極15共通對向的方式形成。 如上述’在本實施形態之像素PIX中，成爲驅動電晶 -37- 201203488 體之電晶體Trl2A、Trl2B之源極電極Trl2as、Tr 過由與源極電極Trl2as、Trl2bs同層設置之導體層 抽出配線LNas、LNbs，並透過像素電極15電性連 另外，電晶體Trl2A、Trl2B之汲極電極Trl2ad、 個別連接於抽出配線LNad、LNbd。然後，該抽出配| 與LNbd透過電源線La互相電性連接。 即，應用於本實施形態之像素PIX的驅動電晶 電晶體Trl2A與Trl2B並聯，同時共用由單一導體 成之閘極電極Trl2g之元件構造。 此處，抽出配線LNad、LNbd係由與資料線Ld 置之導體層形成，以在汲極電極Trlhd、Trl2bd之 面重疊的方式配設。 另外，抽出配線LNad、LNbd ' LNas、LNbs係 於平視上與電晶體Trl 2A、Trl 2B之閘極電極Trl 2g 區域以外的區域。 因此，在本實施形態中，可應用本發明之半導 (電晶體）作爲像素PIX之驅動電晶體，所以可實現 極、汲極電極之未對準所造成的電晶體的導通電 差，同時抑制連接配線所造成的寄生電容之增加或 效果的影響，而具有良好的顯示畫質，同時可使製 率提升的顯示裝置。 另外，在由如此類的電晶體Trl2A、Trl2B所形 動電晶體的元件構造中’經由與汲極電極Tr 12 ad、 12bs 透 形成的 接。 T r 1 2 b d 泉 LNad 體具有 層所形 同層設 上層平 被設置 重疊之 體裝置 抑制源 流之偏 上閘極 品之產 成之驅 Tr 12bd -38- 201203488 爲相異之層的抽出配線LNad、LNbd而相互連接該汲極電 極Trl2ad、Trl2bd。藉此，可將該汲極電極Trl2ad、Trl2bd 與抽出配線LNad、LNbd平面上重疊而配設。 因此，可在電晶體形成區域外刪減或刪除用於配設連 接源極電極彼此及汲極電極彼此的配線的連接區域（此情 況係源極、汲極方向之區域），所以可維持或提升像素之開 口率。 (第2實施形態） 以下，就應用本發明之發光裝置的顯示裝置之第2實 施形態參照圖式進行說明。 圖14A，B係顯示應用本發明之半導體裝置的顯示裝置 之第2實施形態的槪略構成圖。 圖14A係顯示本實施形態之顯示裝置的槪略區塊圖。 圖1 4B係被應用於本實施形態之顯示裝置的像素之等 效電路圖。 此處，關於與上述之第1實施形態相同之構成，附加 相同或同等之符號而簡略其說明。 如圖1 4A所示，第2實施形態之顯示裝置1 00除了第 1實施形態所示之構成，另具有具備電源驅動器1 5 0之構 成。 另外，配列於本實施形態之顯示面板110之像素PIX 係與上述之第1實施形態相同，例如如圖1 4 B所示，具備 發光驅動電路DC與有機EL元件OEL。 -39- 201203488 發光驅動電路D C係例如如圖1 4 B所示，具備電晶體 Tr21、Tr22、電晶體 Tr2 3A、Tr23B 與電容 Cs。 電晶體（選擇電晶體）Tr2 1係閘極端子連接於選擇線 Ls，汲極端子連接於電源線[a，源極端子連接於接點N2 1。 電晶體（選擇電晶體）Tr22係閘極端子連接於選擇線 Ls’源極端子連接於資料線Ld，汲極端子連接於接點N22。 電晶體（驅動電晶體）T r 2 3 A、T r 2 3 B係分別閘極端子連 接於接點N2 1 ’汲極端子連接於電源線La，源極端子連接 於接點N22。 電容Cs係連接於接點N21與接點N22而設置。 連接於像素PIX之電源線La係配設於顯示面板110 之行方向（圖14A之左右方向），連接於電源驅動器150。 另外’有機EL元件OEL係陽極（anode ··成爲陽極電 極之像素電極）連接於上述發光驅動電路DC之接點N22， 陰極（cathode:成爲陰極電極之對向電極）連接於既定之低 電位電源（基準電壓V sc ;例如接地電位V g n d)。 此處，本實施形態亦爲電晶體Tr23 A、Tr23B應用具有 如上述之構成例所示之元件構造的薄膜電晶體TrA、TrB。 然後，具備具有如此類的電路構成之像素PIX的顯示 裝置之顯示驅動動作，首先係在選擇期間將選擇位準（高位 準）之選擇電壓Vsel施加於選擇線Ls，同時在將非發光位 準（基準電壓Vsc以下之電壓位準；例如負電壓）的電源電 壓V sa施加於電源線La之狀態（選擇狀態），將與影像資料 -40- 201203488 對應之負電壓値的灰階電壓Vdata施加於資料線Ld。藉 此，透過電晶體Tr22於接點N22施加與灰階電壓vdata對 應之電位。 藉此，對應於在電晶體Tr23A、Tr23B之閘極、源極間 生成的電位差之寫入電流，從電源線 La透過電晶體 Tr23A、Tr23B、電晶體Tr22流動於資料線Ld方向。此時， 電容Cs蓄積有對應於在接點N21及N22間生成之電位差 的電荷。 此時，施加於有機EL元件OEL之陽極（接點N22)的電 位因爲係比陰極之電位（基準電壓Vs c)低，所以於有機EL 元件OEL沒有電流流過，有機EL元件OEL不發光（非發光 動作）。 接著，在上述選擇期間終了後之非選擇期間，將非選 擇位準（低位準）之選擇電壓Vsel施加於選擇線Ls而使電晶 體Tr2l、Tr22進行不導通動作（非選擇狀態）。此時，因爲 於電容 Cs保持有在選擇期間蓄積之電荷，所以電晶體 Tr23‘A、Tr23B維持導通狀態。 然後，將發光位準（比基準電壓Vsc高之電壓位準）之 電源電壓Vsa施加於電源線La，使得於有機EL元件OEL 從電源線La透過電晶體Tr23 A、Tr23B流過與寫入電流大 致相同之發光驅動電流。 藉此，各像素PIX之有機EL元件OEL係以對應於在 寫入動作時寫入之影像資料（灰階電壓Vdata)的亮度灰階 -41 - 201203488 進行發光，而於顯示面板110顯示所期望之影像資訊。 如此，即使在本實施形態亦與上述之第1實施形態相 同，可於屬像素PIX之驅動電晶體的電晶體Tr23 A、Tr23B 應用本發明之電晶體。藉此，可實現抑制源極、汲極電極 之未對準所造成的電晶體之導通電流之偏差，同時抑制連 接配線造成之寄生電容的增加或上閘極效果之影響，而具 有良好的顯示畫質，同時使製品之產率提升的顯示裝置。 此外，雖然關於應用在本實施形態之顯示裝置的像素 ρIX之具體裝置構造（平面佈置及剖面構造）係省略說明，但 可有利應用上述之第1實施形態所示之構造。 另外’在上述之各實施形態，雖就應用於將具備有機 EL元件之像素進行發光驅動用的發光驅動電路之情況進 行說明，但本發明不限定於此。 即’本發明係配列於基板上之像素只要爲具有用於驅 動發光元件或顯示元件，以及此等之切換元件（薄膜電晶 體）的像素’即可有利應用，例如亦可爲應用利用液晶顯示 面板等之其他顯示方法而顯示影像資訊之顯示面板者。 <電子機器之應用例> 以下’針對應用具備本發明之半導體裝置（電晶體）之 發光裝置（顯示裝置）的電子機器參照圖式進行說明。 具備如上述之顯示面板110或驅動驅動器（選擇驅動器 120、資料驅動器13〇、電源驅動器150)之顯示裝置1〇〇係 可有利地應用作爲例如數位相機或薄型電視、個人電腦、 -42- 201203488 手機等、各種電子機器之顯示裝置者。 圖15A，B係顯示應用本發明之發光裝置的數位相機之 構成例的立體圖。 圖16係顯示應用本發明之發光裝置的薄型電視之構 成例的立體圖。 圖17係顯示應用本發明之發光裝置的個人電腦之構 成例的立體圖。 圖18係顯示應用本發明之發光裝置的手機之構成例 的圖。 在圖15A，B中，數位相機210大致上具備本體部211、 透鏡部2 1 2、操作部2 1 3、應用具備上述之實施形態所示之 半導體裝置的顯示裝置100之顯示部214以及快門鈕215。 據此，可抑制在顯示部2 1 4之各像素的驅動電晶體之導通 電流特性之偏差，使製品之產率提升，同時實現良好的顯 不畫質。 另外’在圖16中，薄型電視220大致上具備本體部 221、應用具備上述之實施形態所示之半導體裝置的顯示裝 置100之顯示部222以及操作用控制器（遙控器）22 3。據 此，可抑制在顯示部2 22之各像素的驅動電晶體之導通電 流特性之偏差’使製品之產率提升，同時實現良好的顯示 畫質。 另外，在圖17中，個人電腦230大致上具備本體部 231、鍵盤23 2、應用具備上述之實施形態所示之半導體裝 -43- 201203488 置的顯示裝置1 0 0之顯示部2 3 3。此情況亦相同，可抑制 在顯示部2 3 3之各像素的驅動電晶體之導通電流特性之偏 差’使製品之產率提升，同時實現良好的顯示畫質。 另外，在圖18中，手機240大致上具備操作部241、 聽話口 242、通話口 243、應用具備上述之實施形態所示之 半導體裝置的顯示裝置100之顯示部244。此情況亦相同， 可抑制在顯示部244之各像素的驅動電晶體之導通電流特 性之偏差，使製品之產率提升，同時實現良好的顯示畫質。 此外，關於上述之各電子機器，雖針對應用將具備本 發明之半導體裝置之發光裝置作爲顯示裝置（顯示裝置）之 情況進行說明，但本發明並非限定於此。 具備本發明之半導體裝置之發光裝置亦可被應用於一 種曝光裝置，該曝光裝置係例如具備具有發光元件之複數 個像素被配列於一方向之發光元件陣列，並在光導鼓照射 對應於影像資料而從發光元件陣列射出之光而進行曝光。 【圖式簡單說明】 圖1Α係本構成例之半導體裝置的槪略平面圖。 圖1 Β係本構成例之半導體裝置的槪略剖面圖。 圖1C係本構成例之半導體裝置的槪略剖面圖。 圖2Α係顯示被應用於本構成例之半導體裝置的電晶 體之等效電路的圖。 圖2Β係顯示被應用於本構成例之半導體裝置的電晶 體之等效電路的圖。 -44- 201203488 圖3係顯示本發明之半導體裝置的基本構造之其他實 例的槪略構成圖。 圖4A係顯示相對於本發明之半導體裝置的比較例之 半導體裝置的槪略平面圖。 圖4B係顯示相對於本發明之半導體裝置的比較·例之 半導體裝置的槪略剖面圖。 圖5A係比較例之薄膜電晶體的槪略平面圖。 圖5B係比較例之薄膜電晶體的槪略平面圖。 圖5 C係比較例之薄膜電晶體的槪略平面圖》 圖5D係顯示比較例之薄膜電晶體的元件特性之變化 的圖。 圖6A係源極電極及汲極電極相對於通道保護層往負 方向偏離時之薄膜電晶體的槪略平面圖》 圖6B係源極電極及汲極電極未發生未對準時之薄膜 電晶體的槪略平面圖。 圖6C係源極電極及汲極電極相對於通道保護層往正 方向偏離時之薄膜電晶體的槪略平面圖。 圖6D係顯示薄膜電晶體之源極電極及汲極電極的未 對準量、汲極•源極間電流之電流値及其偏差之關係的圖。 圖7 A係本發明之構成例之電晶體的槪略平面圖（其 1)。 圖7B係顯示本發明之構成例之電晶體之源極、汲極電 極的未對準量與汲極•源極間電流之電流値之關係的圖（其 -45- 201203488 1)。 圖8 A係本發明之構成例之電晶體的槪略平面圖（其 2)。 圖8 B係顯示本發明之構成例之電晶體之源極、汲極電 極的未對準量與汲極電流之電流値之關係的圖（其2)。 圖9A係本發明之構成例之電晶體的槪略平面圖（其 3)。 圖9B係顯示本發明之構成例之電晶體之源極、汲極電 極的未對準量與汲極•源極間電流之電流値之關係的圖（其 3)。 圖1 〇 A係顯示本發明之構成例與比較例之相對於源 極、汲極電極的未對準量之汲極.源極間電流的比較結果 的圖。 圖1 0B係顯示本發明之構成例與比較例之相對於源 極、汲極電極的未對準量之汲極•源極間電流的比較結果 的圖。 圖11A係顯示應用本發明之半導體裝置的顯示裝置之 第1實施形態的槪略區塊圖。 圖11B係顯示應用本發明之半導體裝置的顯示裝置之 像素的第1實施形態之等效電路圖。 圖1 2係顯示被應用於第1實施形態之顯示裝置的像素 之一實例的平面佈置圖。 圖1 3 A係被應用於第1實施形態之顯示裝置的像素之 -46 - 201203488 要部剖面圖。 圖13B係被應用於第1實施形態之顯示裝置的像素之 要部剖面圖。 圖13C係被應用於第1實施形態之顯示裝置的像素之 要部剖面圖。 圖14A係顯示應用本發明之半導體裝置的顯示裝置之 第2實施形態的槪略區塊圖。 圖14B係顯示應用本發明之半導體裝置的顯示裝置之 像素的第2實施形態之等效電路圖。 圖15A係顯示應用本發明之發光裝置的數位相機之構 成例的立體圖。 圖15B係顯示應用本發明之發光裝置的數位相機之構 成例的立體圖。 圖16係顯示應用本發明之發光裝置的薄型電視之構 成例的立體圖。 . 圖17係顯示應用本發明之發光裝置的個人電腦之構 成例的立體圖。 圖18係顯示應用本發明之發光裝置的手機之構成例 的圖。 【元件符號說明】 11 基板 12 閘極絕緣膜 14 間隔壁層 15 像素電極（陽極電極） -47- 201203488 16 有機 17 對向 100 顯不 110 顯示 120 選擇 13 0 資料 140 控制 15 0 電源 2 10 數位 2 11 本體 2 12 透鏡 2 13 操作 2 14 顯示 2 15 快門 220 薄型 22 1 本體 222 顯示 223 操作 23 0 個人 23 1 本體 23 2 鍵盤 23 3 顯示 240 手機 24 1 操作 EL層（發光功能層） 電極（陰極） 裝置（發光裝置） 面板（發光面板） 驅動器（選擇驅動電路） 驅動器（信號驅動電路） 器 驅動器 相機 部 部 部 部 鈕 電視 部 部 用控制器（遙控器） 電腦 部 部 部 -48- 201203488 242 聽話口 243 通話口 244 顯示部 13a 層間絕緣膜 13b 保護絕緣膜 16a 電洞注入層 16b 電子輸送性發光層 BL 1 1 通道保護層 BL1 2a 、B L 1 2b 通道保護層 BLa 通道保護層 BLb 通道保護層 B Lc 通道保護層 CH 1 1 接觸孔 CH 1 2、 CH 1 4 接觸孔 CH 1 3、 CH 1 5 接觸孔 CHsa、 CHsb 接觸孔 Cs 電容 DC 發光驅動電路 La 電源線 Ld 資料線 LNad、 LNbd 抽出配線 L n a d、 LNbd 抽出配線 LN a s、 LNbs 抽出配線 LNd 汲極連接配線 -49- 201203488 LNg 閘極連接配線 LNs 源極連接配線 LNs 1、LNs3 第1連接配線 LNs2 第2連接配線 Ls 選擇線 n-ch TFT η通道型非晶矽薄膜電晶體 OEL 有機EL元件（顯示元件） OHM 雜質層 PIX 像素 Rel EL元件形成區域 R p x 像素形成區域 R t a、R t b 電晶體形成區域 SMC 半導體層 TFT 電晶體 Tr 1 1 電晶體（選擇電晶體） Tr 1 1 d 汲極電極 Trl lg 閘極電極 Trl 2 A、Trl 2B 電晶體（驅動電晶體） Trl2ad 、 Trl2bd 汲極電極 Trl2as、T r12 b s 源極電極 Tr12bs 源極電極 Trl2g 閘極電極 Trl2ga 第1閘極電極 Trl2gb 第2閘極電極 -50- 201203488
Tr2 1 電 Tr2 2 電 Tr23A、 Tr23 B 電 Tr23A、 Tr23 B 電 TrA 薄 Trad 汲 T r a s 源 TrB 薄 Trbd 汲 Trbs 源 TrC 薄 T r c d 汲 T r c s 源 Trg 閘 Trgl 閘 Trg2 閘 W c a 薄 Web 薄 CL 中 IC I 晶體（選擇電晶體） 晶體（選擇電晶體） 晶體 晶體（驅動電晶體） 膜電晶體（第1電晶體） 極電極（第1汲極電極） 極電極（第1源極電極） 膜電晶體（第2電晶體） 極電極（第2汲極電極） 極電極（第2源極電極） 膜電晶體 極電極 極電極 極電極 極電極（第1閘極電極） 極電極（第2閘極電極） 膜電晶體TrA之通道寬度 膜電晶體TrB之通道寬度 心線 C方向 -51-