TW201203212A - Display device and driving method thereof - Google Patents

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201203212 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之一實施例關於顯示裝置及其驅動方法。 【先前技術】 近年來，已發展低電力消耗顯示裝置，諸如低電力消 耗液晶顯示裝置及電致發光顯示裝置（亦稱爲EL顯示裝 置）。 例如，有關降低上述顯示裝置之電力消耗的方法之一 ’可提供一種技術其中顯示靜止影像之畫素中影像重寫操 作之間的間隔較顯示移動影像之畫素中影像重寫操作之間 的間隔爲長，因而減少顯示靜止影像中不必要之影像重寫 操作，並降低顯示裝置的電力消耗（例如，專利文獻1 ) [參考文獻] [專利文獻1]日本公開專利申請案No.2002-182619 【發明內容】 然而，在專利文獻1中所揭露之降低電力消耗之習知 方法中，顯示靜止影像之畫素中影像重寫操作之間的間隔 爲短至數秒或更短；因此，不能說可充分降低電力消耗。 再者，在專利文獻1中所揭露之降低電力消耗之習知 方法中，重寫操作之間的間隔是固定的。例如，甚至當使 201203212 用者未操作顯示裝置時，以規律間隔執行影像重寫操作（ 亦稱爲刷新），使得因此消耗電力。 本發明之一實施例的目標爲降低顯示裝置之電力消耗 〇 在本發明之一實施例中，若顯示靜止影像，在影像寫 入操作之後’停止輸出信號至驅動器電路，寫入影像保持 爲靜止影像。再者’當執行二次或更多影像重寫操作時， 調整停止輸出信號至驅動器電路之時期長度。 在本發明之一實施例中，若顯示靜止影像，當執行二 次或更多影像重寫操作時，依據使用者是否執行影像重寫 操作而調整停止輸出信號至驅動器電路之時期長度。 本發明之一實施例爲包括驅動器電路部及畫素部之顯 示裝置的驅動方法。驅動器電路部包括用於輸出掃描信號 之第一驅動器電路，及用於輸出影像信號之第二驅動器電 路。畫素部包括n(n爲自然數）畫素，其顯示狀態係於 掃描信號輸入及根據掃描信號而輸入影像信號時控制。顯 示裝置具有供畫素顯示移動影像之移動影像顯示模式，及 供畫素顯示靜止影像之靜止影像顯示模式。在靜止影像顯 示模式中，開始輸出驅動信號及電源電壓至第一驅動器電 路，及開始輸出驅動信號及電源電壓至第二驅動器電路， 藉此影像信號輸出至η畫素。接著，停止至少輸出驅動信 號及電源電壓至第二驅動器電路，及保持依據輸入影像信 號之畫素部的影像爲靜止影像。執行Ν(Ν爲自然數）次 一連串該些操作。若Ν爲2或更多，其中停止第Κ(Κ爲 ⑧ -6- 201203212 大於或等於2及小於或等於N之自然數）輸出驅動信號 及電源電壓至第二驅動器電路之時期，設定爲較停止第（ K-1)輸出驅動信號及電源電壓至第二驅動器電路之時期 長。 本發明之一實施例爲包括驅動器電路部及畫素部之顯 示裝置的驅動方法。驅動器電路部包括用於輸出掃描信號 之第一驅動器電路，及用於輸出影像信號之第二驅動器電 路。畫素部包括η(ιι爲自然數）畫素，其顯示狀態係於 掃描信號輸入及根據掃描信號而輸入影像信號時控制。顯 示裝置具有供畫素顯示移動影像之移動影像顯示模式，及 供畫素顯示靜止影像之靜止影像顯示模式。在靜止影像顯 示模式中，開始輸出開始信號、時脈信號、及電源電壓至 第一驅動器電路，及開始輸出開始信號、時脈信號、及電 源電壓至第二驅動器電路，藉此影像信號輸出至η畫素。 接著，停止至少輸出開始信號、時脈信號、及電源電壓至 第二驅動器電路，及保持依據輸入影像信號之畫素部的影 像爲靜止影像。執行Ν(Ν爲自然數）次一連串該些操作 。若Ν爲2或更多，停止第Κ(Κ爲大於或等於2及小於 或等於Ν之自然數）輸出開始信號、時脈信號、及電源 電壓至第二驅動器電路之時期，設定爲較停止第（Κ-1) 輸出開始信號、時脈信號、及電源電壓至第二驅動器電路 之時期長。 本發明之一實施例爲包括驅動器電路部及畫素部之顯 示裝置。驅動器電路部包括中央處理單元（CPU )，其被 201203212 供應操作信號，根據輸入之操作信號而產生第一控制信號 及第二控制信號’及輸出所產生之第一控制信號及所產生 之第二控制信號；第一控制信號及第二控制信號輸入之顯 不控制電路；第一驅動器電路，當開始信號、時脈信號、 及電源電壓經由顯示控制電路輸入時，其根據第一控制信 號而輸出掃描信號；及第二驅動器電路，當開始信號、時 脈信號、及電源電壓經由顯示控制電路輸入時，其根據第 二控制信號而輸出影像信號。畫素部包括n(n爲自然數 )畫素，其顯示狀態於掃描信號輸入及根據掃描信號而輸 入影像信號時控制。CPU包括計數電路，其被供應參考時 脈信號，計數根據操作信號而設定之每一時期中參考時脈 信號之脈衝數量，及輸出每一時期中已計數値之資料做爲 信號；閂鎖電路，其被供應已計數値之資料信號，及於保 持其達某時期之後輸出所供應之已計數値之資料信號；算 術電路，其經由閂鎖電路而被供應已計數値之資料信號， 及根據所供應之已計數値之資料信號，產生將成爲第一控 制信號及第二控制信號之信號：及輸出電路，其調整於算 術電路中產生之信號，及輸出調整之信號至顯示控制電路 ，做爲第一控制信號及第二控制信號。 請注意，在本說明書中，移動影像係指於複數訊框時 期中藉由高速切換影像，而藉由人眼識別爲移動之影像的 影像。 在本說明書中，靜止影像係指於複數訊框時期中，即 使高速切換影像，而藉由人眼識別爲未改變之影像的影像 -8- ⑧ 201203212 依據本發明之一實施例，顯示靜止影像中影像重寫操 作之間的間隔可視需要設定爲長’使得可降低電力消耗。 【實施方式】 以下，將參照圖式說明本發明之實施例。請注意，本 發明不侷限於下列說明，且熟悉本技藝之人士將易於理解 在不偏離本發明之精神及範圍下，可各式地改變模式及細 節。因而，本發明不應解譯爲侷限於實施例之說明。 (實施例1 ) 在本實施例中，將說明可顯示移動影像及靜止影像之 顯示裝置，及該顯示裝置之驅動方法。 將參照圖1A至1C說明本實施例中之顯示裝置範例 〇 首先，將參照圖1A說明本實施例之顯示裝置之結構 範例。圖1A爲方塊圖，描繪本實施例之顯示裝置之結構 範例。 圖1A中所描繪之顯示裝置包括配置驅動器電路之驅 動器電路部101及配置畫素之畫素部102。 驅動器電路部101包括第一驅動器電路（亦稱爲 Xdrv) 101a及第二驅動器電路（亦稱爲Ydrv) l〇lb。 第一驅動器電路l〇la具有輸出掃描信號SCN之功能 。第一驅動器電路l〇la根據掃描信號SCn而選擇輸入影 201203212 像信號IMG之畫素並掃描。當操作第一驅動器電路101a 之信號（亦稱爲第一驅動器電路101a之驅動信號）及電 源電壓輸入時，第一驅動器電路1 0 1 a開始操作。有關第 一驅動器電路1 0 1 a之驅動信號，可提供例如開始信號、 時脈信號等。第一驅動器電路101a係使用例如移位暫存 器形成。請注意，第一驅動器電路101a可使用複數驅動 器電路形成。 第二驅動器電路101b具有輸出影像信號IMG之功能 。第二驅動器電路101b輸出影像信號IMG至藉由第一驅 動器電路101a選擇之畫素。例如，當操作第二驅動器電 路之信號（亦稱爲第二驅動器電路l〇lb之驅動信號 )及電源電壓輸入時，第二驅動器電路101b開始操作。 有關第二驅動器電路1 0 1 b之驅動信號，可提供開始信號 、時脈信號等。第二驅動器電路1 01 b係使用例如移位暫 存器形成。請注意，第二驅動器電路1 0 1 b可使用複數驅 動器電路形成。 請注意，「電壓」用詞通常表示兩點電位之間的差異 (亦稱爲電位差）。然而，有時電路圖等中使用伏（V) 代表電壓及電位之値，使得二者難以區分。因而，在本說 明書中，除非特別說明，一點之電位與參考之電位（亦稱 爲參考電位）之間的電位差有時用做該點之電壓。 第一驅動器電路l〇la及第二驅動器電路101b之操作 可以例如顯示控制電路控制。 顯示控制電路爲一種電路，用於控制第一驅動器電路 -10- ⑧ 201203212 101a之驅動信號及電源電壓輸出至第—驅動器電路1〇la 之時序’及第二驅動器電路l〇lb之驅動信號及電源電壓 輸出至第二驅動器電路l〇lb之時序。顯示控制電路之操 作藉由例如C P U控制。 除了顯示控制電路之操作，第一驅動器電路101£1及 第二驅動器電路101b之操作可根據操作信號而予控制。 操作信號爲一種信號，例如當使用者執行顯示裝置之影像 重寫操作（例如，按鈕操作、觸控面板上觸控操作、藉由 鍵盤之文字輸入操作），用於控制顯示裝置之影像重寫操 作，及輸出表示操作執行之脈衝。 畫素部102包括n(n爲自然數）畫素。 針對畫素1 02_k (k爲大於或等於1及小於或等於η 之自然數），輸入掃描信號SCN及根據掃描信號SCN之 電壓而輸入影像信號IMG。畫素102_k具有根據輸入之影 像信號IMG而執行顯示操作之功能。 畫素1 02_k包括例如電晶體及顯示元件。電晶體具有 藉由根據掃描信號SCN之電壓而開啓或關閉以控制影像 信號IMG是否輸入至畫素l〇2_k之功能。顯示元件具有 根據輸入之影像信號IMG的電壓而改變顯示狀態之功能 〇 請注意，在本說明書中，除非特別說明，電晶體係指 包括至少源極、汲極、及閘極之場效電晶體。 源極係指部分或整個源極電極，或部分或整個源極佈 線。具有源極電極及源極佈線功能之導電層有時稱爲源極 -11 - 201203212 ，源極電極與源極佈線之間並無區分。 汲極係指部分或整個汲極電極，或部分或整 線。具有汲極電極及汲極佈線功能之導電層有時 ，汲極電極與汲極佈線之間並無區分。 閘極係指部分或整個閘極電極，或部分或整 線。具有閘極電極及閘極佈線功能之導電層有時 ，閘極電極與閘極佈線之間並無區分》 此外，取決於電晶體之結構、操作狀況等， 源極與汲極可彼此互換；因此，難以定義何者爲 極。因此，在本說明書中，有時電晶體之源極及 稱爲第一端子，另一者稱爲第二端子。此外，若 極稱爲第一端子或第二端子，有時閘極稱爲第三 有關畫素1 〇2_k之電晶體，例如，可使用具 狀態電流之電晶體。在電晶體中，每微米通道寬 狀態電流爲小於或等於10aA ( lxl(T17A)，較佳 或等於 UA(lxl(T18A)，更佳地爲小於或等护 1χ1(Γ2ί>Α)，及仍更佳地爲小於或等於1ζΑ(1 〇 使用具有小關閉狀態電流之電晶體做爲畫素 電晶體，可抑制藉由電晶體之關閉狀態電流造成 件之顯示狀態變化，藉此可使相應於影像資料之 影像的保持時期更長。因此，可使寫入影像資料 間的間隔更長。例如，寫入影像資料之操作之間 1 〇秒或更長，較佳地爲3 0秒或更長，更佳地爲 個汲極佈 稱爲汲極 個閘極佈 稱爲閘極 電晶體之 源極或汲 汲極之一 源極或汲 端子。 有小關閉 度之關閉 地爲小於 ‘ 1 0 z A ( <1 O'21A ) 102_k 之 之顯示元 一寫入之 之操作之 的間隔爲 1分鐘或 -12- ⑧ 201203212 更長。隨著寫入影像資料之操作之間的間隔愈長，可進一 步降低電力消耗。 有關具有小關閉狀態電流之電晶體，可使用例如包括 充當通道形成層之氧化物半導體層的電晶體。充當通道形 成層之氧化物半導體層爲固有（亦稱爲i型）或實質上固 有半導體層。 固有（亦稱爲i型）或實質上固有氧化物半導體層可 藉由例如氧化物半導體層之高純化而形成。請注意，高純 化爲一般槪念，包括至少下列狀況之一：氧化物半導體層 中之氫盡可能移除之狀況；及供應氧至氧化物半導體層及 因氧化物半導體層之缺氧的缺陷降低之狀況。 此外，有關畫素1 〇2_k之顯示元件，可使用例如液晶 元件、電致發光元件（亦稱爲EL元件）等。 其次，有關本實施例之顯示裝置的驅動方法範例，將 參照圖1B及1C說明圖1A中所描繪之顯示裝置的驅動方 法範例。圖1B及1C描繪圖1A中所描繪之顯示裝置的驅 動方法範例，及第二驅動器電路l〇lb及畫素102_k之顯 示狀態。 在圖1B及1C中所示之顯示裝置的驅動方法範例中 ，提供顯示移動影像之時期及顯示靜止影像之時期。在顯 示靜止影像之時期中，相繼執行N(N爲自然數）次時期 A中操作及時期B中操作。請注意，顯示移動影像之顯示 裝置的狀態亦稱爲移動影像顯示模式，及顯示靜止影像之 顯不裝置的狀態亦稱爲靜止影像顯不模式。靜止影像顯不 -13- 201203212 模式亦包括顯示部分移動影像做爲靜止影像之模式（亦稱 爲簡單移動影像再生模式）。 首先，在第Z時期A_z (Z爲大於或等於1之自然數 )中，開始輸出驅動信號及電源電壓至第一驅動器電路 l〇la，及開始輸出驅動信號及電源電壓至第二驅動器電路 l〇lb。此狀態亦稱爲狀態SST。 此時，第一驅動器電路l〇la開始操作。第一驅動器 電路l〇la輸出掃描信號SCN至畫素l〇2_k，及根據掃描 信號SCN而相繼選擇被輸入影像信號IMG之畫素l〇2_k 。此外，第二驅動器電路101b開始輸出影像信號IMG至 藉由第一驅動器電路101a所選擇之畫素l〇2_k。 影像信號IMG輸入所選擇之畫素102_k，及根據輸入 之影像信號IMG而設定所選擇之畫素102_k的顯示狀態 。因而，影像信號IMG之資料寫入畫素102_k »當影像信 號IMG之資料寫入所選擇之畫素102_k時，畫素l〇2_k 之顯示狀態保持某時期。此操作亦在其他畫素上執行’使 得可設定所有畫素之顯示狀態。因此，依據影像信號IMG 之資料的影像顯示於畫素部中。此時，影像信號IMG之 資料寫入所有畫素之狀態亦稱爲狀態W。 其次，在第Z時期B_Z中，驅動信號及電源電壓停 止至少輸出至第二驅動器電路l〇lb。即，至少驅動信號 及電源電壓之輸出至第二驅動器電路1 01 b停止。此狀態、 亦稱爲SSTP。 此時，第二驅動器電路l〇lb之操作停止’及影像信 -14- 201203212 號IMG之輸出停止。 此外，此時畫素1 〇2_k依據第Z時期A_Z寫入之影 像信號IMG之資料，保持顯示狀態。因而’在第Z時期

B_Z，畫素102_k依據第Z時期A_Z寫入之影像信號IMG 之資料而保持影像爲靜止影像。此時’影像依據影像信號 IMG之資料而保持影像爲靜止影像之狀態亦稱爲狀態H ° 請注意，在第Z時期B_Z’驅動信號及電源電壓可停 止輸出至第一驅動器電路101a。即’可停止驅動信號及 電源電壓輸出至第一驅動器電路101a。 其次，在第（Z + 1 )時期A_Z+1 ’開始輸出驅動信號 及電源電壓至第一驅動器電路l〇la’及開始輸出驅動信 號及電源電壓至第二驅動器電路101b。 此時，第一驅動器電路101a開始操作。第一驅動器 電路101a輸出掃描信號SCN至畫素102_k ’及根據掃描 信號SCN而相繼選擇被輸入影像信號IMG之畫素102 一k 。此外，第二驅動器電路l〇lb開始輸出影像信號IMG。 影像信號IMG輸入所選擇之畫素102_k :及根據輸入 之影像信號IMG而設定所選擇之畫素102_k的顯示狀態 。因而，影像信號IMG之資料寫入所選擇之畫素102_k。 當影像信號IMG之資料寫入所選擇之畫素1 02 —k時’畫 帛之顯示狀態保持某時期。此操作亦於其他畫素上 執行，使得可設定所有畫素之顯示狀態。因此，影像顯示 於畫素部中。 其次，在第（Z + 1)時期B_Z+1，停止至少輸出驅動 -15- 201203212 信號及電源電壓至第二驅動器電路l〇lb。此時’第（Z + l )時期B_Z+1中停止輸出驅動信號及電源電壓至第二驅 動器電路l〇lb之時期，設定爲較第Z時期B_Z中停止輸 出驅動信號及電源電壓至第二驅動器電路l〇lb之時期長 〇 此時，第二驅動器電路l〇lb之操作停止，及影像信 號IMG之輸出停止。 此外，此時畫素l〇2_k依據第（Z + 1 )時期A_Z+1中 寫入之影像信號IMG之資料而保持顯示狀態。因而，在 第（Z + 1 )時期B_Z+1，畫素102 —k依據第（Z + 1 )時期 A_Z+1中寫入之影像信號IMG之資料而保持影像爲靜止 影像。此時，根據第（Z + 1 )時期B_Z+1中停止輸出驅動 信號及電源電壓至第二驅動器電路l〇lb之時期長度，依 據第（Z + 1 )時期B_Z+1中影像信號IMG而保持影像之時 期，較依據第Z時期B_Z中影像信號IMG之影像的時期 長。 請注意，在第（Z + 1 )時期B_Z+1，可停止輸出驅動 信號及電源電壓至第一驅動器電路101a。此時，第（Z + 1 )時期B_Z+1中停止輸出驅動信號及電源電壓至第一驅 動器電路l〇la之時期，設定爲較第Z時期B_Z中停止輸 出驅動信號及電源電壓至第一驅動器電路101a之時期長 〇 此外，若N爲 3或更多，例如在第（Z + 2 )時期 A_Z + 2，開始輸出驅動信號及電源電壓至第一驅動器電路 -16- 201203212 101a，及開始輸出驅動信號及電源電壓至第二驅動器電路 101b» 此時，第一驅動器電路l〇la開始操作。第一驅動器 電路l〇la輸出掃描信號SCN至畫素2_k，及根據掃描 信號SCN而相繼選擇被輸入影像信號IMG之畫素l〇2_k 。此外，第二驅動器電路101b開始輸出影像信號1MG。 影像信號IMG輸入所選擇之畫素l〇2_k’及根據輸入 之影像信號IMG而設定所選擇之畫素l〇2_k的顯示狀態 。因而，影像信號IMG之資料寫入所選擇之畫素1〇 2_k。 當影像信號IMG之資料寫入所選擇之畫素l〇2_k時’畫 素10 2_k之顯示狀態可保持某時期。此操作亦於其他畫素 上執行，使得可設定所有畫素之顯示狀態。因此’影像顯 示於畫素部中。 其次，在第（Z + 2 )時期B_Z + 2，停止至少輸出驅動 信號及電源電壓至第二驅動器電路此時’在第（ Z + 2)時期B_Z + 2中停止輸出驅動信號及電源電壓至第二 驅動器電路l〇lb之時期，設定爲較第（Z + 1)時期B_Z+1 中停止輸出驅動信號及電源電壓至第二驅動器電路l〇lb 之時期長。 此時，第二驅動器電路101b之操作停止，及影像信 號IMG之輸出停止。 此外，此時畫素l〇2_k依據第（Z + 2)時期A_Z + 2中 寫入之影像信號IMG之資料而保持顯示狀態。因而，在 第（Z + 2 )時期β_Ζ + 2，畫素l〇2_k依據在第（Z + 2 )時 -17- 201203212 期A_Z + 2中寫入之影像信號IMG之資料而保持影像爲靜 止影像。此時，根據第（Z + 2 )時期B_Z + 2中停止輸出驅 動信號及電源電壓至第二驅動器電路之時期長度’ 依據第（Z + 2)時期B_Z + 2中影像信號IMG而保持影像 之時期，較依據第（Z+1)時期B_Z+1中影像信號IMG 之影像的時期長。此爲圖1A中所描繪之顯示裝置的驅動 方法範例。 請注意，在第（Z + 2 )時期B_Z + 2，可停止輸出驅動 信號及電源電壓至第一驅動器電路l〇la。此時’第（Z + 2 )時期B_Z + 2中停止輸出驅動信號及電源電壓至第一驅 動器電路101a之時期，設定爲較第（Z + 1)時期Β_Ζ·Μ 中停止輸出驅動信號及電源電壓至第一驅動器電路l〇la 之時期長。 此外，本實施例之顯示裝置可根據操作信號之脈衝的 存在而改變操作。 例如，若N爲2或更多，及操作信號之脈衝未輸入 ’如圖1B中所示之顯示裝置之驅動方法範例，隨著重複 時期A中操作及時期B中操作，停止至少輸出驅動信號 及電源電壓至第二驅動器電路101b之時期更長。 此外，若N爲2或更多，及操作信號之脈衝輸入， 根據脈衝，開始輸出驅動信號及電源電壓至第一驅動器電 路101a，及開始輸出驅動信號及電源電壓至第二驅動器 電路101 b。例如，若N爲4或更多，如圖1 C中所描繪， 當操作信號之脈衝於第（Z + 2 )時期B_Z + 2中輸入時，操 -18- ⑧ 201203212 作切換爲於第（Z + 3)時期A_Z + 3中操作；開始輸出驅動 信號及電源電壓至第一驅動器電路101a’開始輸出驅動 信號及電源電壓至第二驅動器電路101b’影像信號IMG 之資料寫入畫素l〇2_k，及接著於第（Z + 3)時期B_Z + 3 中停止至少輸出驅動信號及電源電壓至第二驅動器電路 101b，且依據第（Z + 3)時期A_Z + 3中寫入之影像信號 IMG而保持影像之時期，設定爲較依據第（Z + 2)時期 B_Z + 2中寫入之影像信號IMG而保持影像之時期長。上 述爲圖1A中所描繪之顯示裝置的驅動方法範例。 如圖1 A至1 C中所示之範例，在本實施例之顯示裝 置中，影像信號之資料寫入顯示靜止影像之畫素中’接著 ’停止至少輸出用於驅動第二驅動器電路之信號及電源電 壓至第二驅動器電路，及影像依據寫入畫素之影像信號之 資料而保持爲靜止影像。執行N次一連串該些操作。若N 爲2或更多，停止輸出第K(K爲大於或等於2及小於或 等於Ν之自然數）用於驅動第二驅動器電路之信號及電 源電壓至第二驅動器電路之時期，設定爲較停止輸出第（ Κ-1)用於驅動第二驅動器電路之信號及電源電壓至第二 驅動器電路之時期長。因而，可減少顯示靜止影像中不必 要之影像重寫操作’及可降低顯示裝置之電力消耗。 此外，在本實施例之顯示裝置中，影像信號之資料寫 入顯示靜止影像之畫素中，接著，停止至少輸出用於驅動 第二驅動器電路之信號及電源電壓至第二驅動器電路’及 影像依據寫入畫素之影像信號的資料而保持爲靜止影像。 -19- 201203212 執行N次一連串該些操作。若N爲2或更多’ 號之脈衝未輸入，停止輸出第K用於驅動第二 路之信號及電源電壓至第二驅動器電路之時期’ 停止輸出第（K-1)用於驅動第二驅動器電路之 源電壓至第二驅動器電路之時期長。當輸入操作 衝時，開始輸出驅動信號及電源電壓至第一驅動 開始輸出驅動信號及電源電壓至第二驅動器電路 影像信號之資料寫入畫素。因此，例如當使用者 裝置時，顯示裝置設定爲操作顯示模式，及影像 寫入畫素。當使用者未操作顯示裝置時（例如讀 示裝置設定爲靜止影像顯示模式，及藉由停止供 號至畫素等，驅動器電路可選擇性停止。因而， 力消耗而未妨礙實際操作。 (實施例2) 在本實施例中，有關可選擇性停止供應影像 素之顯示裝置之範例及該顯示裝置之驅動方法， 晶顯示裝置及該液晶顯示裝置之驅動方法。 將參照圖2說明本實施例中顯示裝置之結構 圖2中所描繪之顯示裝置包括配置驅動器電 器電路部201，及配置畫素之畫素部202。 驅動器電路部201包括CPU 201 a、顯示控 亦稱爲DCTL) 201b、掃描信號線驅動器電路 Gdrv ) 201c、及影像信號線驅動器電路（亦稱f 及操作信 驅動器電 設定爲較 信號及電 信號之脈 器電路， ，及因而 操作顯示 資料接連 取），顯 應影像信 可降低電 信號至畫 將說明液 $爸例。 路之驅動 制電路（ (亦稱爲 I Sdrv ) -20- ⑧ 201203212 20 1 d ° CPU 201a包括介面（亦稱爲IF) 211a、參考時脈信 號產生電路（亦稱爲RCLK) 211b、計數電路（亦稱爲 CNT) 211c、閂鎖電路（亦稱爲LATCH) 211d、記憶體電 路（亦稱爲記憶體）211e、算術電路（亦稱爲ALU) 211f 、及輸出電路（亦稱爲OUT) 211g。 介面211a具有藉由預定方法而與外部裝置交換信號 之功能。介面211a電連接至例如輸出操作信號之輸入裝 置。有關輸入裝置，可使用鍵盤、滑鼠、觸摸式墊板、諸 如觸控面板之指向裝置等。請注意，介面211a不一定配 置於CPU 201a中。分別配置之介面可用做介面21 la。 參考時脈信號產生電路211b具有產生參考時脈信號 RXK之功能。參考時脈信號產生電路211b不一定配置於 CPU 20 1a中。分別配置之時脈信號產生電路可用做參考 時脈信號產生電路211b。例如，參考信號產生電路211b 可藉由振盪器電路組成。另一方面，參考時脈信號產生電 路211b可藉由振盪器電路及除法器電路組成。 參考時脈信號RCK輸入計數電路211c。計數電路 211c具有計數根據操作信號之脈衝而設定每一時期中輸 入參考時脈信號RCK之脈衝數量的功能，及輸出已計數 値之資料做爲信_之功能。例如，計數電路2 11 C可藉由 移位暫存器組成。使用計數電路2 1 1 c ’例如可獲得操作 信號之脈衝之間的間隔之資料。 已計數値之資料信號從計數電路2 1 1 c輸入閂鎖電路 -21 - 201203212 2 1 1 d。閂鎖電路2 1 1 d具有將輸入之資料信號保持某時期 之後輸出之功能。 記億體電路211e儲存顯示靜止影像中影像重寫操作 之間的間隔之資料，其相應於藉由計數電路2 1 1 c所計數 之値。請注意，記憶體電路21 le不一定配置於CPU 201a 中。分別配置之記憶體電路可用做記憶體電路2 1 1 e。 已計數値之資料信號經由閂鎖電路2 1 1 d而輸入算術 電路211f。算術電路211f根據輸入之資料信號而產生控 制信號GDCTL及控制信號SDCTL。控制信號GDCTL爲 控制掃描信號線驅動器電路20 1 c之驅動的信號，及控制 信號SDCTL爲控制影像信號線驅動器電路201d之驅動的 信號。 輸出電路211g具有將控制信號GDCTL及控制信號 SDCTL輸出至外部之功能。此時，如有必要，例如輸出 電路 211g調整控制信號 GDCTL之電壓及控制信號 SDCTL之電壓。輸出電路211g係藉由緩衝器電路等組成 〇 在CPU 201a中，顯示靜止影像之畫素中重寫影像資 料之操作之間的間隔係藉由根據從外部輸入之操作信號之 脈衝而設定每一時期中使用計數電路211c所計數値之算 術電路211f而予設定。 開始信號SP、時脈信號CK、及電源電壓Vp輸入顯 示控制電路201b。再者，從CPU 20U輸入控制信號 GDCTL及控制信號SDCTL至顯示控制電路201b»當輸入 ⑧ -22- 201203212 信號或電壓藉由以取決於控制信號gdctl之電壓及控制 信號SDCTL之電壓的時序輸出輸入信號或電壓，而供應 至掃描信號線驅動器電路201c或影像信號線驅動器電路 201d時，顯示控制電路201b具有控制時序之功能。輸入 掃描信號線驅動器電路201c之開始信號SP亦稱爲開始信 號GSP。輸入影像信號線驅動器電路201d之開始信號SP 亦稱爲開始信號SSP。輸入掃描信號線驅動器電路201c 之時脈信號CK亦稱爲時脈信號GCK。輸入影像信號線驅 動器電路201d之時脈信號CK亦稱爲時脈信號SCK。輸 入掃描信號線驅動器電路201c之電源電壓Vp亦稱爲電源 電壓GVp。輸入影像信號線驅動器電路20 Id之電源電壓 Vp亦稱爲電源電壓SVp。 請注意，開始信號GSP爲相應於垂直同步頻率之脈 衝信號，及開始信號SSP爲相應於閘極選擇時期之脈衝信 號。 此外，時脈信號GCK不侷限於一時脈信號，具有彼 此不同相位之複數時脈信號可用做時脈信號GCK。當複 數時脈信號用做時脈信號GCK時，可改進掃描信號線驅 動器電路201c之操作速度。此外，時脈信號SCk不侷限 於一時脈信號’具有彼此不同相位之複數時脈信號可用做 時脈信號SCK。當具有彼此不同相位之複數時脈信號用做 時脈信號SCK時’可改進影像信號線驅動器電路201 d之 操作速度。請注意，共同時脈信號可用做時脈信號GCK 及時脈信號SCK。 -23- 201203212 共同電源電壓可用做電源電壓GVP及電源電壓SVp 〇 掃描信號線驅動器電路2 0 1 c具有輸出掃描信號s CN 至X ( X爲自然數）掃描信號線之功能。掃描信號線驅動 器電路201c經由掃描信號線203_g (g爲大於或等於1及 小於或等於X之自然數）而輸出掃描信號SCN至畫素’ 以選擇被輸入影像信號IMG之畫素。 影像信號線驅動器電路2〇〗d具有輸出影像信號IMG 至y ( y爲自然數）影像信號線之功能。影像信號線驅動 器電路201d經由影像信號線204_S ( s爲大於或等於1及 小於或等於y之自然數）而輸出影像信號1MG至掃描信 號線驅動器電路20U所選擇之畫素》 畫素部202包括η畫素，其係以X列及y行之矩陣排 列。 畫素202_k包括電晶體221_k、液晶元件222_k、及 電容器223_k 。 電晶體22 1_k之第一端子電連接至影像信號線204_s ，及電晶體221 _k之第三端子電連接至掃描信號線203_g 〇

有關電晶體221_k，可使用例如上述實施例中所說明 之具有小關閉狀態電流之電晶體。在電晶體中’每微米通 道寬度之關閉狀態電流爲小於或等於l〇aA ( 1x10’17A) ，較佳地爲小於或等於laA ( 1 X 10_18A )，更佳地爲小於 或等於ΙΟζΑ ( 1 χ1〇·2()Α )，及仍更佳地爲小於或等於IzA -24- 201203212 (1 X 1 0·21 A )。 使用具有小關閉狀態電流之電晶體做爲電晶體22 1 _k ，可抑制藉由電晶體22 l_k之關閉狀態電流造成施加於液 晶元件222_k之電壓變化。因此，可使顯示相應於影像資 料之一寫入的影像之時期更長’及可使寫入影像資料之操 作之間的間隔更長。例如’寫入影像資料之操作之間的間 隔可爲10秒或更長，較佳地爲30秒或更長，更佳地爲1 分鐘或更長。隨著寫入影像資料之操作之間的間隔愈長， 可進一步降低電力消耗。 有關具有小關閉狀態電流之電晶體，可使用例如包括 充當通道形成層之氧化物半導體層之電晶體。充當通道形 成層之氧化物半導體層爲固有（亦稱爲i型）或實質上固 有半導體層）。 液晶元件222_k具有第一端子及第二端子。液晶元件 22 2_k之第一端子電連接至電晶體221 _k之第二端子。 液晶元件222_k可包括做爲部分或全部第一端子之畫 素電極、做爲部分或全部第二端子之共同電極、及其透光 率係根據施加於畫素電極與共同電極之間的電壓而改變之 液晶層。 用於液晶元件222_k中液晶層之液晶材料的具體電阻 率於20°C爲例如1χ10ι2ω · cm或更多，較佳地爲 1χ1〇13Ω· cm或更多，及更佳地爲1χ10ΐ4Ω· cm或更多。 若使用上述液晶材料形成液晶元件，有時因爲雜質從校準 膜、密封劑等混入液晶層，充當液晶元件之部分的電阻率 -25- 201203212 可爲lxlO^Q.cm或更多，或進一步爲lxl〇12Q.cm或 更多。 隨著液晶材料之具體電阻率愈大，流經液晶層之洩漏 電流降低，藉此可抑制藉由流經液晶層之洩漏電流造成施 加於液晶元件222_k之電壓變化。結果’可使相應於影像 資料之一次寫入之畫素202_k的顯示時期更長’使得可減 少畫素202_k中影像資料之寫入頻率，及可降低顯示裝置 之電力消耗。 電容器223_k具有第一端子及第二端子。電容器 223_k之第一端子電連接至電晶體221 _k之第二端子。電 容器22 3_k具有儲存電容器之功能，並包括充當部分或整 個第一端子之第一電極，充當部分或整個第二端子之第二 電極，及電介質層。可考量電晶體22 1 _k等之關閉狀態電 流而設定電容器223_k之電容。例如’電容器223_k之電 容可爲畫素202_k中液晶元件222_k之電容（亦稱爲液晶 電容）的1 /3或更低，較佳地爲1 /5或更低。此外，依據 電晶體221 _k之關閉狀態電流的値，電容器22 3_k不一定 配置。可使用未配置電容器22 3_k之結構。畫素202_k中 電容器22 3_k之省略可改進畫素之孔徑比。 當電晶體221_k根據經由掃描信號線203_g輸入之掃 描信號SCN之電壓而開啓時，影像信號IMG經由影像信 號線204_s而輸入畫素202_k。此外’當依據輸入之影像 信號IMG的電壓施加於液晶元件222_k之第一端子與第 二端子之間時，畫素202_k處於顯示狀態。 -26- ⑧ 201203212 請注意，光學檢測電路（亦稱爲光感測器）可配置於 畫素202_k中。基於光學檢測電路，畫素202_k可藉由光 學檢測而檢測將檢測之目標，且本實施例之顯示裝置可做 爲觸控面板。 此外，如圖2中所描繪，本實施例之顯示裝置可配置 電晶體205及光源部（亦稱爲LS) 20 6。 電壓Vcom (亦稱爲共同電壓Vcom)輸入電晶體205 之第一端子。電晶體205之第二端子電連接至畫素202_k 中液晶元件222_k之第二端子及電容器223_k之第二端子 。控制信號 CTL2e5輸入電晶體205之第三端子。電壓 Vcom爲依據影像信號IMG之電壓而設定之電壓。電晶體 205具有藉由根據控制信號CTL2Q5之電壓以開啓或關閉， 而控制是否將液晶元件222_k之第二端子之電壓及電容器 22 3 _k之第二端子之電壓設定爲電壓Vcom之功能。請注 意，電晶體2 05係形成於例如與畫素部202相同基板之上 。另一方面，電晶體205可形成於與其上形成畫素部202 之基板不同的基板之上。儘管電晶體205不一定配置，可 以電晶體205抑制雜訊造成施加於液晶元件222_k之電壓 變化。 光源部206具有供應光至畫素部202之功能。有關光 源部206，可使用背光、側燈、前燈等。光源部206係藉 由例如光源及用於控制光源操作之光源控制電路組成。有 關光源，例如可使用包括光之三基色之光源。另一方面， 例如發射白光之發光元件（例如LED )可用做光源。本實 -27- 201203212 施例之顯示裝置可具有一種結構，其中光源部206之發光 狀態係藉由顯示控制電路2 0 1 b控制。光源部2 0 6係藉由 顯示控制電路20 1 b控制，藉此可視需要關閉光源而可降 低電力消耗。 其次’有關本實施例之顯示裝置的驅動方法範例，將 說明圖2中所描繪之顯示裝置的驅動方法範例。 首先，將說明CPU 201a之操作。 在CPU 20 1a中，具有預定信號系統之操作信號經由 介面2 1 1 a輸入。 計數電路211c計數根據輸入之操作信號的脈衝而設 定之每一時期中從參考時脈信號產生電路211b輸入之參 考時脈信號RCK的脈衝數量。此外，藉由計數而獲得之 每一時期中已計數値之資料，其儲存於閂鎖電路211d中 做爲信號達某時期，接著輸出至算術電路211f。當操作 信號之脈衝輸入計數電路211c時，計數電路211c之已計 數値重置。初始狀態之已計數値之資料儲存於閂鎖電路 211d中做爲信號達某時期，及輸出至算術電路211f。例 如，每一時期相應於操作信號之脈衝之間的間隔。 算術電路2 1 1 f從記憶體電路2 1 1 e讀取相應於輸入之 已計數値之資料信號的顯示靜止影像中重寫間隔之資料， 使用讀取資料產生控制信號GDCTL及控制信號SDCTL， 及經由輸出電路21 1 g輸出產生之控制信號GDCTL及產生 之控制信號SDCTL至顯示控制電路201b。此時，較佳的 是已計數値之資料相應於顯示靜止影像中重寫間隔之資料 -28- 201203212 ，使得隨已計數値愈大，顯示靜止影像中重寫間隔愈長。 此外，將參照圖3A及3B說明圖2中所描繪之顯示 裝置的驅動方法範例。圖3A及3B顯示圖2中所描繪之 顯示裝置的驅動方法範例。在圖3A及3B中，顯示控制 信號GDCTL、電源電壓GVp、時脈信號GCK、開始信號 GSP、控制信號SDCTL、電源電壓SVp、時脈信號SCk、 開始信號SSP、及控制信號CTL2G5之波形。請注意，圖 3B爲圖3A中部分時期之放大圖。g靑注思’此處，有關一 範例，電源電壓GVp及電源電壓SVp爲共同電源電壓， 時脈信號GCK爲一時脈信號，時脈信號SCK爲一時脈信 號，及控制信號GDCTL、控制信號 SDCTL、開始信號 GSP、及開始信號SSP均爲二位元數位信號。 在圖2中所描繪之顯示裝置的驅動方法範例中，存在 顯示移動影像之時期及顯示靜止影像之時期。在顯示靜止 影像之時期中，時期311中操作及時期312中操作相繼執 行N次。時期311爲顯示移動影像之訊框時期及時期312 爲顯示靜止影像之訊框時期。 首先，在第L時期311 _L(L爲自然數）中，當控制 信號GDCTL之脈衝輸入時，顯示控制電路201b開始輸出 電源電壓GVp、開始信號GSP、及時脈信號GCK (亦稱 爲第一輸出開始操作）。在第一輸出開始操作中，首先開 始輸出電源電壓GVp。之後，當電源電壓GVp之輸出穩 定之後，開始輸出時脈信號GCK，及接著開始輸出開始 信號GSP。請注意’時脈信號GCK之輸出的開始操作較 -29- 201203212 佳地以該等方式執行，即在時脈信號GCK輸出之前，等 同於高位準時脈信號GCK之電壓的電壓施加於被輸入時 脈信號GCK之佈線，於被輸入時脈信號GCK之佈線之電 壓穩定之後，時脈信號GCK輸出。以上述方式執行第一 輸出開始操作，使得可抑制掃描信號線驅動器電路20 1 c 開始操作之故障。 此外，在第L時期311_L，當控制信號SDCTL之脈 衝輸入時，顯示控制電路201b開始輸出電源電壓SVp、 開始信號SSP、及時脈信號SCK (亦稱爲第二輸出開始操 作）。在第二輸出開始操作中，首先開始輸出電源電壓 SVp。之後，當電源電壓SVp之輸出穩定時，開始輸出時 脈信號SCK，及接著開始輸出開始信號SSP。請注意，時 脈信號SCK之輸出的開始操作較佳地以該等方式執行， 即在時脈信號SCK輸出之前，等同於高位準時脈信號 SCK之電壓的電壓施加於被輸入時脈信號SCK之佈線， 在被輸入時脈信號SCK之佈線之電壓穩定之後，時脈信 號SCK輸出。以上述方式執行第二輸出開始操作，使得 可抑制影像信號線驅動器電路20 1 d開始操作之故障。 此時，掃描信號線驅動器電路2 0 1 C經由掃描信號線 2〇3_g輸出掃描信號SCN ’及根據掃描信號SCN而相繼選 擇被輸入影像信號IMG之畫素202_k。影像信號線驅動器 電路201d經由影像信號線204_s輸出影像信號IMG，及 相繼輸出影像信號IMG至掃描信號線驅動器電路20 1 c所 選擇之畫素202_k。此外’電晶體205根據從顯示控制電 -30- ⑧ 201203212 路201b輸入之控制信號CTL2〇5而開啓，使得電壓Vcom 輸入畫素202_k。 在所選擇之畫素202_k中，當電晶體221_k開啓時’ 液晶元件222_k之第一端子之電壓等同於影像信號IMG 之電壓，液晶元件222_k之第二端子之電壓等同於電壓 Vcom，及根據施加於液晶元件222_k之第一端子與第二 端子之間的電壓而設定液晶元件222_k之透光率。因而， 影像信號IMG之資料寫入所選擇之畫素202_k，並設定所 選擇之畫素202_k的顯示狀態。當影像信號IMG之資料 寫入所選擇之畫素202_k時，電晶體22 1_k關閉，及施加 於液晶元件222_k之第一端子與第二端子之間的電壓保持 某時期。於其他畫素上執行相同操作，藉此設定所有畫素 之顯示狀態；因而，影像顯示於畫素部中。 其次，在第L時期312_L，顯示控制電路201b停止 輸出電源電壓GVp、開始信號GSP、及時脈信號GCK ( 亦稱爲第一輸出停止操作）。在第一輸出停止操作中，首 先停止輸出開始信號GSP，於掃描信號線203_g之選擇操 作完成之後，停止輸出電源電壓GVp。請注意，「停止輸 出」表示例如使被輸入信號或電壓之佈線進入浮動狀態， 或例如將等同於低位準信號之値的電壓輸入被輸入信號或 電壓之佈線。以上述方式執行第一輸出停止操作，藉此可 降低掃描信號線驅動器電路2 0 1 c於停止操作中故障。此 外’此時控制信號GDCTL之脈衝可輸出至顯示控制電路 201b ° -31 - 201203212 此外，在第L時期312_L，顯示控制電路201b停止 輸出電源電壓SVp、開始信號SSP、及時脈信號SCK (亦 稱爲第二輸出停止操作）。在第二輸出停止操作中，首先 停止輸出開始信號SSP，於影像信號線204_s之選擇操作 完成之後，停止輸出電源電壓SVp。以上述方式執行第二 輸出停止操作，藉此可降低影像信號線驅動器電路2 0 1 d 於停止操作中故障。此外，此時控制信號SDCTL·之脈衝 可輸出至顯示控制電路201b。 此時，掃描信號線驅動器電路201c之操作停止’及 掃描信號SCN之輸出停止。影像信號線驅動器電路20 Id 之操作停止，及影像信號IMG之輸出停止。此外，電晶 體205根據從顯示控制電路201b輸入之控制信號CTL205 而關閉。 此外，此時在畫素202_k中’液晶元件222_k之第二 端子處於浮動狀態及畫素202_k依據於第L時期311_L 寫入之影像信號IMG之資料而保持顯示狀態。因而，在 第L時期312_L，畫素20 2_k依據於第L時期311_L寫入 之影像信號IMG之資料而保持影像爲靜止影像達某時期 。此時，依據影像信號IMG之資料而保持影像之時期長 度係藉由例如從CPU 20 1a輸出之控制信號GDCTL及控 制信號SDCTL的脈衝間隔而予控制。 其次，在第（L + 1)時期311_L+1，顯示控制電路 20 1 b再次執行第一輸出開始操作及第二輸出開始操作。 此時，掃描信號線驅動器電路2 0 1 c經由掃描信號線 -32- ⑧ 201203212 2〇3_g輸出掃描信號SCN，及根據掃描信號SCN 擇被輸入影像信號IMG之畫素202_k。影像信號 電路201d經由影像信號線204_s輸出影像信號 相繼輸出影像信號IMG至掃描信號線驅動器電β 選擇之畫素202_k。此外，電晶體205根據從顯 路201b輸入之控制信號CTl2Q5而開啓，使得霄 輸入畫素202_k 。 在所選擇之畫素202_匕中，當電晶體22l_k 液晶元件222_k之第—端子之電壓等同於影像' 之電壓，液晶元件222_k之第二端子之電壓等 Vcom，及根據液晶元件222_k之第一端子與第 間施加的電壓而設定液晶元件222_k之透光率。 像信號IMG之資料寫入所選擇之畫素202_k，並 擇之畫素202_k的顯示狀態。當影像信號IMG 入所選擇之畫素202_k時，電晶體221_k關閉， 件22 2_k之第一端子與第二端子之間施加的電壓 期。於其他畫素上執行相同操作，藉此設定所有 示狀態；因而，影像顯示於畫素部中。 其次，在第（L + 1 )時期312_L+1 ’顯示 201b再次執行第一輸出停止操作及第二輸出停 請注意，第（L + 1 )時期312_L+1中停止輸出 SSP、時脈信號SCK、及電源電壓SVp之時期’ 第L時期312_L中停止輸出開始信號SSP、時脈 、及電源電壓SVp之時期長。

而相繼選 線驅動器 IMG，及 4 2〇lc 所 示控制電 ΐ 壓 V c 〇 m 開啓時， ί言號IMG 同於電壓 二端子之 因而，影 設定所選 之資料寫 及液晶元 保持某時 畫素之顯 控制電路 止操作。 開始信號 設定爲較 信號SCK -33- 201203212 此時，掃描信號線驅動器電路20 1 c之操作停止，及 掃描信號SCN經由掃描信號線203_g之輸出停止。此外 ，影像信號線驅動器電路20 Id之操作停止，及影像信號 IMG經由影像信號線204_s之輸出停止。請注意，第（ L + 1)時期312_L+1中停止輸出開始信號GSP、時脈信號 GCK、及電源電壓GVp之時期，設定爲較第L時期312_L 中停止輸出開始信號GSP、時脈信號GCK、及電源電壓 GVp之時期長。電晶體205根據從顯示控制電路201b輸 入之控制信號CTL2C5而關閉。 此外，此時在畫素202_k中，液晶元件222_k之第二 端子處於浮動狀態，及畫素202_k依據第（L + 1 )時期 3 11_L+1中寫入之影像信號IMG之資料而保持顯示狀態 。因而，在第（L + 1 )時期3 12_L+1，畫素202_k依據第 (L + 1 )時期3 1 1_L+1中寫入之影像信號IMG之資料而保 持影像爲靜止影像達某時期。根據第（L + 1 )時期 312_L+1中停止輸出開始信號SSP、時脈信號SCK、及電 源電壓SVp之時期長度，依據第（L + 1 )時期31 1_L+1中 影像信號IMG之資料而保持影像之時期，較依據第L時 期312_L中影像信號IMG之資料而保持影像之時期長。 此外，當N爲3或更多時，例如在第（L + 2 )時期 3 1 1—L + 2，顯示控制電路201b再次執行第一輸出開始操作 及第二輸出開始操作。 此時，掃描信號線驅動器電路20 1 c經由掃描信號線 2〇3_g輸出掃描信號SCN，及根據掃描信號SCN而相繼選 -34- ⑧ 201203212 擇被輸入影像信號1MG之畫素202-k °影像信號線驅動器 電路201d經由影像信號線204-s輸出影像信號IMG’及 相繼輸出影像信號IMG至掃描信號線驅動器電路2〇1(；所 選擇之畫素2〇2_k。此外’電晶體205根據從顯不控制電 路201b輸入之控制信號CTL2g5而開啓，使得電壓Vc〇m 輸入畫素202_k 。 在所選擇之畫素202-k中’當電晶體221-1^開啓時’ 液晶元件222_k之第一端子之電壓等同於影像信號IMG 之電壓，液晶元件222-k之第二端子之電壓等同於電壓 Vcom，及根據液晶兀件222_k之桌一_子與第一缅子之 間施加的電壓而設定液晶元件2 2 2-k之透光率。因而’影 像信號IMG之資料寫入所選擇之畫素202_k ’及設定所選 擇之畫素202_k的顯示狀態。當影像信號IMG之資料寫 入所選擇之畫素202_k時，電晶體22 l_k關閉’及液晶元 件22 2_k之第一端子與第二端子之間施加的電壓保持達某 時期。於其他畫素上執行相同操作’藉此設定所有畫素之 顯示狀態；因而，影像顯示於畫素部中。 其次，在第（L + 2 )時期312_L + 2，顯示控制電路 201b再次執行第一輸出停止操作及第二輸出停止操作。 請注意，第（L + 2 )時期3 12_L + 2中停止輸出開始信號 SSP、時脈信號SCK、及電源電壓SVp之時期，設定爲較 第（L+1 )時期312_L+1中停止輸出開始信號SSP、時脈 信號SCK、及電源電壓SVp之時期長。 此時，掃描信號線驅動器電路201c之操作停止，及 -35- 201203212 掃描信號s C N之輸出停止。此外’影像信號線驅動器電 路201d之操作停止，及經由影像信號線204_s之影像信 號IMG之輸出停止。請注意，第（L + 2)時期312_L + 2中 停止輸出開始信號GSP、時脈信號GCK、及電源電壓 GVp之時期，設定爲較第（L+1)時期312_(L+1)中停 止輸出開始信號GSP、時脈信號GCK、及電源電壓GVp 之時期長。電晶體205根據從顯示控制電路201b輸入之 控制信號CTL2Q5而關閉。 此外，此時在畫素202_k中，液晶元件222_k之第二 端子處於浮動狀態’及畫素202_k依據第（L + 2 )時期 3 ll_L + 2中寫入之影像信號IMG之資料而保持顯示狀態 。因而，在第（L + 2 )時期312_L + 2，液晶元件222_k之 第一端子與第二端子之間無額外施加電壓，畫素20 2_k依 據第（L + 2)時期311 _L + 2中寫入之影像信號IMG之資料 而保持影像爲靜止影像達某時期。此時，根據第（L + 2 ) 時期311_L + 2中停止輸出開始信號GSP、時脈信號GCK 、及電源電壓 GVp之時期長度，依據第（L + 2)時期 312_L + 2中影像信號IMG之資料而保持影像之時期，較 依據第（L+1)時期312_(L+1)中影像信號IMG之資料 而保持影像之時期長。 此外，例如若操作信號之脈衝於第（L + 1 )時期 312_L+1或第（L + 2)時期312_L + 2輸入，藉由計數電路 211c產生之已計數値之資料重置，且顯示控制電路201b 再次執行第一輸出開始操作及第二輸出開始操作。 -36- 201203212 此時，掃描信號線驅動器電路2 0 1 c經由掃 2〇3_g輸出掃描信號SCN’及根據掃描信號SCN 擇被輸入影像信號IMG之畫素202_k。影像信號 電路2 0 1 d經由影像信號線2 04_s輸出影像信號 相繼輸出影像信號IMG至掃描信號線驅動器電瑕 選擇之畫素202_k。此外，電晶體205根據從顯 路201b輸入之控制信號CTL2Q5而開啓，使得霄 輸入畫素202_k。 在所選擇之畫素202_k中，當電晶體221_k 液晶元件222_k之第一端子之電壓等同於影像1 之電壓，液晶元件222_k之第二端子之電壓等 Vcom，及根據液晶元件222_k之第一端子與第 間施加的電壓而設定液晶元件222_k之透光率。 像信號IMG之資料寫入所選擇之畫素202_k，及 擇之畫素202_k之顯示狀態。當影像信號IMG 入所選擇之畫素202_k時，電晶體221_k關閉， 晶元件222_k之第一端子與第二端子之間施加的 時期。於其他畫素上執行相同操作，藉此設定所 顯示狀態：因而，影像顯示於畫素部中。 如上述範例中所說明，本實施例之顯示裝置 —種結構其中於顯示靜止影像中停止輸出開始信 信號' 及電源電壓至驅動器電路’及顯示之影像 素部中達某時期。因此，可降低電力消耗。 此外，本實施例之顯示裝置範例具有一種結 描信號線 而相繼選 線驅動器 IMG，及 ^ 2〇lc 所 示控制電 ί 壓 V c 〇 m 開啓時， 言號IMG 同於電壓 二端子之 因而，影 設定所選 之資料寫 及保持液 電壓達某 有畫素之 範例具有 號、時脈 保持於畫 構其中具 -37- 201203212 有小關閉狀態電流之電晶體用做電晶體’以控制影像信號 是否輸入液晶元件。因此’可抑制藉由電晶體之關閉狀態 電流造成施加於液晶元件之電壓變化，因而’驅動器電路 停止操作之時期可設定爲長’並可降低電力消耗。因而’ 可縮短寫入影像資料之操作之間的間隔，及可緩和藉由影 像改變造成之眼睛疲勞。 此外，本實施例之顯示裝置範例具有一種結構其中當 N爲2或更多時，顯示靜止影像中驅動器電路的第K停止 時期較顯示靜止影像中驅動器電路的第（K-1)停止時期 長。基此結構，例如若未執行外部裝置之輸入操作（例如 若指向裝置未輸入操作信號之脈衝），驅動電路之停止時 期可變得更長，使得當外部裝置未輸入任一操作信號脈衝 時，可進一步降低電力消耗。 此外，在本實施例之顯示裝置範例中，每當顯示靜止 影像中影像信號重寫時，使顯示靜止影像中驅動器電路之 停止時期更長。再者，若外部裝置執行輸入操作，藉由再 次驅動驅動器電路，可重寫影像信號。因此，可降低電力 消耗而未以例如影像惡化而妨礙使用者觀看顯示之影像。 請注意，本實施例可適當與任一其他實施例組合或爲 其替代。 (實施例3) 在本實施例中，將說明上述實施例中所說明之顯示裝 置的掃描信號線驅動器電路及影像信號線驅動器電路中可 -38 - 201203212 使用之移位暫存器範例。 將參照圖4A及4B說明本實施例之移位暫存器的結 構範例。圖4A及4B描繪本實施例之移位暫存器的結構 範例"

圖4A中所描繪之移位暫存器包括P級單位順序電路 ，其包括P(P爲3或更多之自然數）單位順序電路（單 位順序電路1〇_1 (亦稱爲FF_1 )至10_P (亦稱爲FF_P ))= 開始信號及重置信號輸入每一單位順序電路1〇_1至 10_P ° 此外，時脈信號CK1、時脈信號CK2、及時脈信號 CK3輸入每一單位順序電路10_1至10_P。有關時脈信號 CK1、時脈信號CK2、及時脈信號CK3，可使用例如第一 時脈信號（亦稱爲 CLK1 )、第二時脈信號（亦稱爲 CLK2 )、第三時脈信號（亦稱爲CLK3 )、及第四時脈信 號（亦稱爲CLK4 )之任三項。第一至第四時脈信號爲數 位信號，其位準重複地於高位準與低位準之間切換。請注 意，時脈信號的相同組合未輸入兩相鄰單位順序電路。圖 4A中所描繪之移位暫存器以第一至第四時脈信號控制單 位順序電路之操作。因而，可改進操作速度。 將參照圖4B說明圖4A中所描繪之單位順序電路之 電路結構範例。圖4B爲電路圖，描繪圖4A中所描繪之 單位順序電路之電路結構範例。 圖4B中所描繪之單位順序電路包括電晶體3 1、電晶 -39- 201203212 體32、電晶體33、電晶體34、電晶體35、電晶體36、 電晶體3 7、電晶體3 8、電晶體3 9、電晶體40、及電晶體 4 1 〇 電壓Va輸入電晶體31之第一端子’及將成爲單位順 序電路之開始信號之信號輸入電晶體31之第三端子。 電壓Vb輸入電晶體32之第一端子’及電晶體32之 第二端子電連接至電晶體31之第二端子。 請注意，電壓Va及電壓Vb之一爲高電源電壓Vdd ，另一者爲低電源電壓Vss。高電源電壓Vdd相對高於低 電源電壓Vss，及低電源電壓Vss相對低於高電源電壓 Vdd。電壓Va及電壓Vb之値有時取決於電晶體之極性等 而互換。電壓Va與電壓Vb之間的電位差爲電源電壓。 電晶體33之第一端子電連接至電晶體31之第二端子 ，電壓Va輸入電晶體33之第三端子。 電壓Va輸入電晶體34之第一端子，及將成爲單位順 序電路之時脈信號CK1之信號輸入電晶體34之第三端子 〇 電晶體35之第一端子電連接至電晶體34之第二端子 ，電晶體35之第二端子電連接至電晶體32之第三端子， 及將成爲單位順序電路之時脈信號CK2之信號輸入電晶 體35之第三端子。 電壓Va輸入電晶體36之第一端子，及將成爲單位順 序電路之重置信號之信號輸入電晶體36之第三端子。 電壓Vb輸入電晶體37之第一端子’電晶體37 .之第 ⑧ -40- 201203212 二端子電連接至電晶體32之第三端子及電晶體36之第二 端子，及將成爲單位順序電路之開始信號之信號輸入電晶 體3 7之第三端子。 將成爲單位順序電路之時脈信號CK3之信號輸入電 晶體38之第一端子，及電晶體38之第三端子電連接至電 晶體3 3之第二端子。 電壓Vb輸入電晶體39之第一端子，電晶體39之第 二端子電連接至電晶體38之第二端子，及電晶體39之第 三端子電連接至電晶體32之第三端子。 將成爲單位順序電路之時脈信號CK3之信號輸入電 晶體40之第一端子，及電晶體40之第三端子電連接至電 晶體3 3之第二端子。 電壓Vb輸入電晶體41之第一端子’電晶體41之第 二端子電連接至電晶體40之第二端子，及電晶體41之第 三端子電連接至電晶體32之第三端子。 請注意，在圖4B中，電晶體33之第二端子、電晶體 38之第三端子、及電晶體4〇之第三端子連接之點爲節點 NA。電晶體32之第三端子、電晶體35之第二端子、電 晶體3 6之第二端子、電晶體3 7之第二端子、電晶體3 9 之第三端子、及電晶體41之第三端子連接之點爲節點NB 。電晶體38之第二端子及電晶體39之第二端子連接之點 爲節點NC。電晶體40之第二端子及電晶體41之第一知 子連接之點爲節點ND。 圖4B中所描繪之單位順序電路輸出節點NC之電壓 -41 - 201203212 做爲第一輸出信號（亦稱爲OUTl )，及輸出節點ND之 電壓做爲第二輸出信號（亦稱爲0UT2 )。在上述實施例 之顯示裝置中’例如，第二輸出信號用做掃描信號SCN 以選擇畫素或用於輸出影像信號IMG至所選擇之畫素的 信號。 在單位順序電路1 0_ 1至1 0_P中，例如有關開始信號 ，上述實施例之顯示裝置中開始信號GSP、開始信號SSP 等被輸入第一級之單位順序電路1 0_1中電晶體3 1之第三 端子及電晶體3 7之第三端子。 在單位順序電路10_1至10_P中，第（Q + 2)級（Q 爲大於或等於1及小於或等於（P-2 )之自然數）之單位 順序電路10_Q + 2中電晶體31之第三端子及電晶體37之 第三端子電連接至第（Q + 1)級之單位順序電路l〇_Q+l 中電晶體38之第二端子，且單位順序電路10_Q + 1之第 —輸出信號爲單位順序電路l〇_Q + 2之開始信號。 在單位順序電路1〇_1至1〇_卩中，第U級（U爲大於 或等於3及小於或等於P之自然數之單位順序電路10_U 中電晶體3 8之第二端子電連接至第（U-2 )級之單位順序 電路10_U-2中電晶體36之第三端子，且單位順序電路 10_U之第一輸出信號爲單位順序電路10_U-2之重置信號 〇 在單位順序電路1〇_1至M.P中，信號S51做爲重置 信號輸入第（P-ι )級之單位順序電路1 〇_Ρ-1中電晶體36 之之第三端子。有關信號S5 1，例如可使用分別產生之信 ⑧ -42- 201203212 號。請注意，第（p-l )級之單位順序電路10_P-1用做虛 擬單位順序電路。 在單位順序電路1〇_1至10_卩中，信號S52做爲重置 信號輸入第P級之單位順序電路1 0_P中電晶體3 6之第三 端子。有關信號S52，例如可使用分別產生之信號。請注 意，第P級之單位順序電路1 〇_P用做虛擬單位順序電路 〇 電晶體3 1至4 1可具有相同傳導性。 其次，將參照圖5A及5B說明圖4A中所描繪之移位 暫存器的操作範例。圖5A及5B爲時序圖，顯示圖4A中 所描繪之移位暫存器的操作範例。圖5A爲時序圖，顯示 圖4B中所描繪之單位順序電路的操作範例，及圖5B爲 時序圖，顯示圖4A中所描繪之移位暫存器的操作範例。 請注意，此處有關一範例，圖4A中所描繪之單位順序電 路10_1至10_P具有圖4B中所描繪之結構。此外，有關 —範例，圖4B中所描繪之單位順序電路之所有電晶體3 1 至41具有N型傳導性，高電源電壓Vdd輸入爲電壓Va ，及低電源電壓Vss輸入爲電壓Vb。 如圖5 A中所描繪，在每一單位順序電路1 〇 _ 1至 1〇_Ρ中，於選擇時期61，開始信號ST之脈衝輸入，節 點NA之電壓增加至高電源電壓Vdd或更高，電晶體38 及電晶體40開啓，節點NB之電壓爲低位準，及電晶體 39及電晶體41關閉；因而，第一輸出信號變成高位準， 及第二輸出信號變成高位準。非選擇時期62，藉由輸入 -43- 201203212 重置信號之脈衝，節點ΝΑ之電壓變成低位準，電晶體38 及電晶體40關閉，節點NB之電壓變成高位準，及電晶 體39及電晶體41開啓；因而，第一輸出信號及第二輸出 信號保持低位準。因此，每一單位順序電路10_1至10_P 輸出第一輸出信號之脈衝及第二輸出信號之脈衝。 此外，如圖5B中所描繪，根據第一至第四時脈信號 於每一單位順序電路中相繼執行上述操作，使得單位順序 電路1〇_1至1〇_Ρ相繼輸出第一輸出信號之脈衝及第二輸 出信號之脈衝。 如圖4A及4B及圖5A及5B中所描繪，本實施例之 移位暫存器具有一種結構其中單位順序電路輸出輸出信號 之脈衝。 例如，藉由將本實施例之移位暫存器用於上述實施例 之顯示裝置的掃描信號線驅動器電路，使用每一單位順序 電路之輸出信號可產生掃描信號。 此外，當本實施例之移位暫存器用於上述實施例之顯 示裝置的影像信號線驅動器電路時，例如使用每一單位順 序電路之輸出信號，影像信號可輸出至畫素。 當本實施例之移位暫存器用於上述實施例之顯示裝置 之掃描信號線驅動器電路及影像信號線驅動器電路時，輸 入每一單位順序電路之電壓相繼停止，因而可輕易地停止 掃描信號線驅動器電路及影像信號線驅動器電路之操作。 請注意，本實施例可適當與任一其他實施例組合或爲 其替代》 ⑧ -44 - 201203212 (實施例4 ) 在本實施例中，將說明可用於上述實施例之顯 中之電晶體範例。 有關可用於上述實施例之顯示裝置中之電晶體 可使用包括充當通道形成層之氧化物半導體層之電 電晶體之氧化物半導體層具有通道形成層之功能， 純化爲固有（亦稱爲I型）或實質上固有半導體層 請注意，高純化爲一般槪念，包括至少下列狀 :氧化物半導體層中之氫盡可能移除之狀況；及供 氧化物半導體層及因氧化物半導體層之缺氧的缺陷 狀況。 有關可用於氧化物半導體層之氧化物半導體， 提供四成分金屬氧化物、三成分金屬氧化物、或二 屬氧化物。有關四成分金屬氧化物，例如可使用 Ga-Ζη-Ο基金屬氧化物。有關三成分金屬氧化物， 使用In-Ga-Zn-Ο基金屬氧化物、In-Sn-Zn-Ο基金 物、Ιη-Α1·Ζη-0基金屬氧化物、Sn-Ga-Zn-O基金 物、Al-Ga-Ζη-Ο基金屬氧化物、或Sn-Al-Zn-Ο基 化物。有關二成分金屬氧化物，例如可使用In_Zn-屬氧化物、Sn-Zn-Ο基金屬氧化物、Al-Ζη-Ο基金 物、Zn-Mg-Ο基金屬氧化物、Sn-Mg-Ο基金屬氧 In-Mg-Ο基金屬氧化物、或In-Sn-Ο基金屬氧化物 ，In-Ο基金屬氧化物、Sn-Ο基金屬氧化物、Ζη-0 氧化物等，亦可用做氧化物半導體。可用做氧化物 示裝置 ，例如 晶體。 經高度 〇 況之一 應氧至 降低之 例如可 成分金 In-S η- 例如可 屬氧化 屬氧化 金屬氧 0基金 屬氧化 化物、 。此外 基金屬 半導體 -45- 201203212 之金屬氧化物可包含Si02。 再者，以InM03(Zn0)m(m大於〇)代表之材料 做氧化物半導體。此處，Μ標示一或更多選自 Ga、 Μη、及Co之金屬元素。例如，Μ可爲Ga、Ga及A1 及Μη、或Ga及Co » 此外，氧化物半導體之帶隙爲大於或等於2eV， 地爲大於或等於2.5eV，及更佳地爲大於或等於3eV 將熱激勵產生之載子數量降低至可忽略程度。此外， 氫之充當供體的雜質量降低至某量或更低，使得載子 爲小於lxl014/cm3，較佳地爲小於或等於lxl〇12/cm3 ，氧化物半導體層之載子濃度降低至零或實質上零。 在上述氧化物半導體層中，未輕易發生雪崩崩潰 受電壓高。例如，矽之帶隙窄至1.12eV ;因而，因 崩潰而易如雪崩般產生電子，且加速至高速以便跨越 於閘極絕緣層之障壁的電子數量增加。相對地，由於 上述氧化物半導體層之氧化物半導體具有寬至2eV或 之帶隙，不易發生雪崩崩潰且熱載子惡化之抗性高於 及因而耐受電壓高。 熱載子惡化表示例如藉由當高度加速電子注入通 汲極附近之閘極絕緣層時產生之固定電荷所造成的電 特性惡化：或藉由高度加速電子於閘極絕緣層之介面 之陷阱位準所造成的電晶體特性惡化。電晶體特性惡 例如電晶體之閾値電壓或流經電晶體之閘極之閘極洩 流的變化。熱載子惡化係藉由通道-熱電子注入（亦 可用 A1、 ，G a 較佳 ，此 諸如 濃度 。即 且耐 雪崩 相對 用於 更多 砂， 道中 晶體 形成 化爲 漏電 稱爲 -46 - ⑧ 201203212 CHE注入）或汲極-雪崩-熱載子注入（亦稱爲DAHC注入 )所造成。 請注意，具有高耐受電壓之材料之一的碳化矽之帶隙 實質上等於用於氧化物半導體層之氧化物半導體的，但因 爲氧化物半導體之移動性低於碳化矽約二數量級，電子較 不可能於氧化物半導體中加速。此外，氧化物半導體與閘 極絕緣層之間的障壁大於碳化矽、氮化鎵或矽與閘極絕緣 層之間的障壁；因此，注入閘極絕緣層之電子數量極少， 藉此較不可能造成熱載子惡化，且耐受電壓高於碳化矽、 氮化鎵 '或矽之狀況。甚至在非結晶狀態，氧化物半導體 具有高耐受電壓。 此外，包括氧化物半導體層之電晶體可具有每微米通 道寬度之關閉狀態電流爲10aA ( 1χ10_17Α)或更低，laA (lxl(T18A)或更低，ΙΟζΑ ( 1x10_2QA)或更低，及進一 步爲IzA ( 1 X 1 〇·21 A )或更低。 在包括上述氧化物半導體層之電晶體中，因光之惡化 (例如，閾値電壓之變化）小》 將參照圖6A至6D說明本實施例中電晶體之結構範 例。圖6A至6D爲截面示意圖，各描繪本實施例中電晶 體之結構範例。 圖6A中所描繪之電晶體爲一下閘極電晶體，亦稱爲 反向交錯電晶體。 圖6A中所描繪之電晶體包括充當閘極電極之導電層 4〇la、充當閘極絕緣層之絕緣層402a、充當通道形成層 -47- 201203212 之氧化物半導體層403 a、及充當源極或汲極電極之導電 層405a及導電層406a。 導電層401a係配置於基板400a之上，絕緣層402a 係配置於導電層401a之上，氧化物半導體層403a係配置 於導電層401a之上且絕緣層402a插入其間，且導電層 405a及導電層406a各配置於部分氧化物半導體層403a 之上。 此外，在圖6A中所描繪之電晶體中，氧化物絕緣層 4〇7a接觸氧化物半導體層4 03 a之部分頂面（其上未配置 導電層405a及導電層406a之部分氧化物半導體層403 a )。保護絕緣層409a係配置於氧化物絕緣層407a之上。 圖6B中所描繪之電晶體爲通道保護（亦稱爲通道停 止）電晶體，其爲一下閘極電晶體，亦稱爲反向交錯電晶 體。 圖6B中所描繪之電晶體包括充當閘極電極之導電層 40 1 b、充當閘極絕緣層之絕緣層402b、充當通道形成層 之氧化物半導體層403 b、充當通道保護層之絕緣層427、 及充當源極或汲極電極之導電層405b及導電層406b。 導電層401b係配置於基板400b之上，絕緣層402b 係配置於導電層401b之上，氧化物半導體層403b係配置 於導電層40 1b之上且絕緣層402b插入其間，絕緣層427 係配置於導電層401b之上且絕緣層402 b及氧化物半導體 層403b插入其間，及導電層405b及導電層406b係配置 於部分氧化物半導體層403b之上且絕緣層427插入其間 ⑧ -48- 201203212 。此外，可使用一種結構其中整個氧化物半導體層403 b 與導電層401b重疊。當整個氧化物半導體層403b與導電 層40 1b重疊時，可避免光進入氧化物半導體層403b。使 用之結構不限於此，可使用一種結構其中導電層401b與 部分氧化物半導體層403 b重疊。 此外，保護絕緣層409b接觸圖6B中所描繪之電晶體 的頂部。 圖6C中所描繪之電晶體爲一下閘極電晶體。 圖6C中所描繪之電晶體包括充當閘極電極之導電層 401c，充當閘極絕緣層之絕緣層402c，充當通道形成層 之氧化物半導體層403 c，及充當源極或汲極電極之導電 層405c及導電層406c。 導電層401c係配置於基板400c，絕緣層402c係配 置於導電層401c之上，導電層405c及導電層406c係配 置於部分絕緣層402c之上，及氧化物半導體層403c係配 置於導電層401c之上且絕緣層402c、導電層405c、及導 電層406c插入其間。此外，可使用一種結構其中整個氧 化物半導體層403c與導電層401c重疊。當整個氧化物半 導體層403c與導電層401c重疊時，可避免光進入氧化物 半導體層403 c。使用之結構不限於此，可使用一種結構 其中導電層401c與部分氧化物半導體層403c重疊。 此外，在圖6C中，氧化物絕緣層407c接觸電.晶體之 氧化物半導體層403 C的頂面及側面。此外，保護絕緣層 409c係配置於氧化物絕緣層407c之上。 •49- 201203212 圖6 D中所描繪之電晶體爲—頂閘電晶體。 圖6D中所描繪之電晶體包括充當聞極電極之導電層 401d、充當閘極絕緣層之絕緣層402d、充當通道形成層 之氧化物半導體層403d、及充當源極或汲極電極之導電 層405d及導電層406d。 氧化物半導體層403d係配置於基板400d之上且絕緣 層447插入其間’導電層405d及導電層406d各配置於部 分氧化物半導體層403d之上，絕緣層402d係配置於氧化 物半導體層403d、導電層405d、及導電層406d之上，及 導電層401d係配置於氧化物半導體層403d之上且絕緣層 402d插入其間。 將參照圖6A至6D說明電晶體之元件。 有關基板400a至400d，例如可使用玻璃基板，諸如 鋇硼矽酸鹽玻璃基板或鋁硼矽酸鹽玻璃基板。 另一方面，諸如陶瓷基板、石英基板、或藍寶石基板 之基板可用做基板400a至400d。進一步另一方面，結晶 玻璃基板可用做基板400a至400d。仍進一步另一方面， 塑料基板或矽之半導體基板等可用做基板400a至400d。 絕緣層44 7具有基層之功能，其避免雜質元素從基板 4〇〇d擴散》有關絕緣層447，例如可使用氮化矽層、氧化 矽層、氮氧化矽層、氧氮化矽層、氧化鋁層、或氧氮化鋁 層。絕緣層447亦可藉由堆疊可用於絕緣層447之材料層 而予形成。另一方面，有關絕緣層44 7，可使用包括具有 阻光屬性之材料層及包括可用於絕緣層447之材料層的堆 -50- ⑧ 201203212 疊。當絕緣層44 7包括具有阻光屬性之材料層時，可避免 光進入氧化物半導體層403d。 請注意，在圖6A至6 C中所描繪之電晶體中，如圖 6D中所描繪之電晶體中，絕緣層可配置於基板與充當閘 極電極之導電層之間。 有關導電層401a至401d，可使用例如諸如鉬、鈦、 鉻、钽、鎢、鋁、銅、鈸、或銃之金屬材料層，或包含任 一該些材料做爲主要成分之合金材料層》導電層401a至 401d亦可藉由堆疊可應用於導電層401a至401d之材料 層而予形成。 有關絕緣層402a至402d，例如可使用氧化矽層、氮 化砂層、氧氮化砂層、氮氧化砂層、氧化銘層、氮化銘層 、氧氮化鋁層、氮氧化鋁層、或氧化鈴層。絕緣層4〇2a 至402d亦可藉由堆疊可應用於絕緣層402a至402d之材 料層而予形成。可應用於絕緣層4 02 a至402d之材料層可 藉由電漿CVD法、濺鍍法等而予形成。例如，絕緣層 402a至402d可以該等方式形成，即藉由電漿CVD法形 成氮化矽層，及藉由電漿CVD法於氮化矽層之上形成氧 化砂層。 有關可用於氧化物半導體層403a至403d之氧化物半 導體，例如可提供四成分金屬氧化物、三成分金屬氧化物 、或二成分金屬氧化物。有關四成分金屬氧化物，例如可 使用In-Sn-Ga-Zn-Ο基金屬氧化物。有關三成分金屬氧化 物，例如可使用In-Ga-Ζη-Ο基金屬氧化物、In-Sn-Zn-0 -51 - 201203212 基金屬氧化物、In-Al-Ζη-Ο基金屬氧化物、Sn-Ga-Zn-0 基金屬氧化物、Al-Ga-Ζη-Ο基金屬氧化物、或Sn-Al-Zn-〇基金屬氧化物。有關二成分金屬氧化物，例如可使用 Ιη-Ζη·0基金屬氧化物、Sn-Zn-Ο基金屬氧化物、Al-Zn-0 基金屬氧化物、Zn-Mg-Ο基金屬氧化物、Sn-Mg-Ο基金屬 氧化物、In-Mg-Ο基金屬氧化物、或In-Sn-Ο基金屬氧化 物。此外，In-Ο基金屬氧化物、Sn-Ο基金屬氧化物、Zn-〇基金屬氧化物等，亦可用做氧化物半導體。可用做氧化 物半導體之金屬氧化物可包含Si02。此處，例如In-Ga-Ζη-0基金屬氧化物表示包含至少In、Ga、及Zn之氧化 物，且元素之組成比並未特別侷限。In-Ga-Zn-0基金屬 氧化物可包含非In、Ga、及Zn之元素。 此外，有關可用於氧化物半導體層403a至403d之氧 化物半導體，可使用以化學方程式InM03(Zn0)m ( m大於 〇)代表之金屬氧化物。此處，Μ標示一或更多選自Ga、 A1、Μη、及Co之金屬元素。例如，Μ可爲Ga、Ga及A1 ，Ga 及 Μη、或 Ga 及 Co。 有關導電層405a至405d及導電層406a至406d’例 如可使用諸如鋁、鉻、銅、鉬、鈦、鉬、或鎢之金屬材料 層或包含任一金屬材料做爲主要成分之合金材料層。導電 層405a至405d及導電層406a至406d亦可藉由堆疊可應 用於導電層405a至405d及導電層406a至406d之材料層 而予形成。 例如，導電層405a至405d及導電層406a至406d可 •52- 201203212 藉由堆疊鋁或銅之金屬層及鈦、鉬、鎢等之高熔點金屬層 而予形成。導電層405a至405d及導電層406a至406d可 具有一種結構其中鋁或銅之金屬層係配置於複數高熔點金 屬層之間。此外，當使用鋁層添加避免凸起或晶鬚產生之 元素（例如Si、Nd、或Sc)而形成導電層405a至405d 及導電層406a至406d時，可增加耐熱性》 另一方面，可使用包含導電金屬氧化物之層而形成導 電層405a至405d及導電層406a至406d。有關導電金屬 氧化物’例如可使用氧化銦（In2〇3 )、氧化錫（Sn02 ) 、氧化鋅（ZnO )、氧化銦及氧化錫之合金（In203 -Sn02 ’縮寫爲ITO )、氧化銦及氧化鋅之合金（Ιη203-Ζη0 ) 、或包含氧化矽之該等金屬氧化物材料。 此外，可使用形成導電層405a至405d及導電層 4〇6a至4〇6d之材料來形成另一佈線。 有關絕緣層427，可使用例如可應用於絕緣層447之 層。亦可藉由堆疊可應用於絕緣層427之材料層而形成絕 緣層4 2 7。 有關氧化物絕緣層407a及氧化物絕緣層407c，可使 用諸如氧化矽層之氧化物絕緣層。亦可藉由堆疊可應用於 氧化物絕緣層407a及氧化物絕緣層407c之材料層而形成 氧化物絕緣層4 0 7 a及氧化物絕緣層4 0 7 c。 有關保護絕緣層409a至409c，例如可使用無機絕緣 層，諸如氮化砂層、氮化銘層、氮氧化砂層、或氮氧化錦 層。亦可藉由堆疊可應用於保護絕緣層409a至409c之材 -53- 201203212 料層而形成保護絕緣層409a至409c。 請注意，在上述實施例之顯示裝置中，爲降低因本實 施例之電晶體的表面不平坦，可於電晶體之上配置平坦化 絕緣層（若電晶體包括氧化物絕緣層或保護絕緣層，則係 於電晶體之上且氧化物絕緣層或保護絕緣層插入其間）。 有關平坦化絕緣層，可使用有機材料之層，諸如聚醯亞胺 、丙嫌酸、或苯並環丁稀。另一方面，低介電常數材料（ 低k材料）之層可用做平坦化絕緣層。亦可藉由堆疊可應 用於平坦化絕緣層之材料層而形成平坦化絕緣層。 其次，有關本實施例中電晶體之製造方法範例，將參 照圖7A至7C及圖8A及8B說明圖6A中所描繪之電晶 體之製造方法範例。圖7A至7C及圖8A及8B爲截面示 意圖，描繪圖6A中所描繪之電晶體之製造方法範例。 首先，準備基板400a，及於基板400a之上形成第一 導電膜。 玻璃基板用做基板400a之範例。 有關第一導電膜，可使用諸如鉬、鈦、鉻、鉬、鎢、 鋁、銅、銨、或銃之金屬材料膜，或包含任一金屬材料做 爲主要成分之合金材料膜。亦可藉由堆疊可應用於第一導 電膜之材料層而形成第一導電膜。 其次，實施第一光刻程序：第一抗蝕罩係形成於第一 導電膜之上，使用第一抗蝕罩選擇性蝕刻第一導電膜以形 成導電層401a，移除第一抗蝕罩。 請注意，在本實施例中，可藉由噴墨法形成抗蝕罩。 ⑧ -54- 201203212 藉由噴墨法形成抗蝕罩不需光罩；因而，可降低製造成本 〇 爲降低光刻程序中光罩及步驟數量，可使用以多色調 遮罩形成之抗蝕罩執行蝕刻步驟。多色調遮罩爲曝光遮罩 ，光透射此而具有複數強度。使用多色調遮罩形成之抗蝕 罩具有複數厚度及藉由蝕刻可進一步改變形狀；因此，可 於複數蝕刻步驟中使用抗蝕罩而處理爲不同型樣。因此， 可以一多色調遮罩形成相應於至少二種不同型樣之抗蝕罩 。因而，曝光遮罩之數量可降低，亦可降低相應光刻步驟 數量，藉此可簡化製造程序。 其次，絕緣層402a係形成於導電層401a之上。 例如，可藉由高密度電漿CVD法形成絕緣層402a。 例如，使用微波（例如，具2.45GHz頻率之微波）之高密 度電漿CVD較佳地用於形成絕緣層402a，因爲其使得絕 緣層爲密集及具有高崩潰電壓及高品質。當氧化物半導體 層接觸藉由高密度電漿CVD形成之高品質絕緣層時，可 降低介面狀態及可獲得有利的介面特性。 亦可藉由諸如濺鍍法或電漿CVD法之其他方法形成 絕緣層402a。此外，可於閘極絕緣層402a形成之後執行 熱處理。於閘極絕緣層402a形成之後執行熱處理可改進 絕緣層402a之品質及絕緣層402a與氧化物半導體之間的 介面特性。 其次，具有2nm至200nm (含）厚度之氧化物半導 體膜530，較佳地爲5nm至30nm (含），係形成於絕緣 -55- 201203212 層402a之上。例如，可藉由濺鍍法形成氧化物半導體膜 5 3 0 » 請注意’在氧化物半導體膜5 3 0形成之前，較佳地藉 由導入氬氣並產生電漿之反向濺鍍移除附著於絕緣層 402a之表面的粉狀物質（亦稱爲粒子或灰塵）。反向濺 鍍係只一種方法，其中電壓未施加於靶材側，RF電源係 用於在氬氣中施加電壓於基板側，使得產生電漿以修改基 板表面。請注意，除了氬以外，可使用氮、氦、氧等。 例如，可使用可用做氧化物半導體層403a之材料的 氧化物半導體材料形成氧化物半導體膜530。在本實施例 中，有關一範例，氧化物半導體膜5 30係藉由濺鍍法及使 用In-Ga_Zn-0基氧化物靶材而予形成。此級之截面示意 圖相應於圖7A。另一方面，氧化物半導體膜530可藉由 濺鍍法於稀有氣體（典型爲氬）、氧氣、或稀有氣體及氧 之混合氣體中形成。 有關藉由濺鍍法用於形成氧化物半導體膜530之靶材 ，可使用例如具有ln203: Ga203: ZnO=l: 1: 1[摩爾比] 之組成比的氧化物靶材。不侷限於上述靶材，例如可使用 具有Ιϋ2〇3: Ga2〇3: ZnO = l : 1 : 2[摩爾比]之組成比的氧 化物靶材。除了藉由空間等所佔據面積以外部分相對於氧 化物靶材之總體積的體積比（亦稱釋塡充率）爲90%至 100% (含），及較佳地爲95%至99.9% (含）。使用具有 高塡充率之金屬氧化物靶材形成之氧化物半導體膜具有高 密度。 ⑧ 201203212 請注意，有關用於形成氧化物半導體膜5 30之濺鍍氣 體，較佳地使用例如諸如氫、水、烴基、或氫化物之雜質 移除之高純度氣體。 在氧化物半導體膜530形成之前，較佳的是將其上形 成導電層401a之基板400a或其上形成導電層401a及絕 緣層402a之基板400a於濺鍍設備之預熱室中加熱，使得 排除及移除吸附於基板400a上諸如氫或濕氣之雜質。預 熱室中加熱可避免氫、烴基、及濕氣進入絕緣層402a及 氧化物半導體膜530。較佳的是預熱室配置諸如低溫泵之 排除裝置。預熱室中加熱可省略。另一方面，於直至包括 導電層405 a及導電層406a形成之步驟執行之後，及氧化 物絕緣層407a形成之前，基板400a可以類似方式於預熱 室中加熱。 當藉由濺鍍法形成氧化物半導體膜5 30時，基板 40 0 a保持於減壓狀態之膜形成室內，基板400a之溫度設 定爲l〇〇°C至600°C (含），較佳地爲200°C至400°C ( 含）。藉由增加基板400a之溫度，可降低氧化物半導體 膜530中所包含之雜質的濃度。此外，可降低因濺鍍造成 之氧化物半導體膜53 0之損害。接著，氫及濕氣移除之濺 鍍氣體導入，同時移除膜形成室中剩餘濕氣，並使用上述 靶材；因而，氧化物半導體膜53 0形成於絕緣層402a之 上。 請注意，在本實施例中，例如截留真空泵可用做移除 執行濺鍍之膜形成室中剩餘濕氣之裝置。有關截留真空泵 -57- 201203212 ，例如可使用低溫泵、離子泵、或鈦昇華泵。當低溫泵用 做範例時，可排除包括氫原子或碳原子或二者之化合物等 ，因而可降低膜形成室中所形成之膜中所包括之雜質濃度 。此外，在本實施例中，配置冷阱之渦輪泵可用做移除執 行濺鍍之膜形成室中剩餘濕氣之裝置。 有關膜形成狀況之一範例，可使用下列：基板與靶材 之間的距離爲100mm，壓力爲0.6Pa，直流（DC)電力爲 0.5 k W，及氣體爲氧氣（氧流比例爲1 〇 〇 % )。請注意，當 使用脈衝直流電源時，可降低膜形成時產生之粉狀物質， 及膜厚度可爲均勻。 其次，實施第二光刻程序：於氧化物半導體膜530之 上形成第二抗蝕罩，使用第二抗蝕罩選擇性蝕刻氧化物半 導體膜530，將氧化物半導體膜530處理爲島形氧化物半 導體層，及移除第二抗蝕罩。 若於絕緣層402a中形成接觸孔，接觸孔可於將氧化 物半導體膜530處理爲島形氧化物半導體層時形成。 例如乾式蝕刻、濕式蝕刻、或乾式蝕刻及濕式蝕刻二 者可用於蝕刻氧化物半導體膜530。有關用於氧化物半導 體膜5 3 0之濕式蝕刻的蝕刻劑，例如可使用磷酸、乙酸、 及硝酸之混合溶液。此外，亦可使用ITO07N ( ΚΑΝΤΟ CHEMICALCO. INC.製造）》 其次，執行熱處理。經由熱處理，島形氧化物半導體 層可脫水或脫氫。熱處理之溫度爲400°C至750°C (含） ，或高於或等於400°C及低於基板之應變點。此處，基板 ⑧ -58- 201203212 被置入電熔爐，其爲一種熱處理設備’且熱處理係於島形 氧化物半導體層上在氮氣中以450°C執行達一小時，接著 氧化物半導體層未暴露於空氣’使得避免水及氫再進入島 形氧化物半導體層。以此方式，獲得氧化物半導體層 403a (詳圖 7B)。 熱處理設備不侷限於電熔爐，而是可爲配置一種裝置 ，使用來自諸如電阻加熱元件之加熱元件的熱傳導或熱輻 射而加熱處理目標。例如，可使用快速熱降火（RTA )設 備，諸如氣體快速熱降火（GRT A )設備或燈快速熱降火 (LRTA )設備。LRTA設備爲一種設備，藉由自諸如鹵素 燈、金屬鹵化物燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或高壓水 銀燈之燈所發射光的輻射（電磁波）而加熱處理目標》 GRTA設備爲用於使用高溫氣體而熱處理之設備。有關該 高溫氣體，·係使用未藉由熱處理而與處理目標反應之惰性 氣體，諸如氮，或諸如氬之稀有氣體。 例如，有關熱處理，可使用GRTA設備以下列方式執 行熱處理。其上形成直至島形氧化物半導體層之層的基板 400a被轉移至加熱至650°C至700°C高溫之惰性氣體， 加熱達若干分鐘，並取出加熱之惰性氣體。 請注意，在熱處理中，較佳的是氮或諸如氦、氖或氬 之稀有氣體中未包含水、氫等。亦較佳的是被導入熱處理 設備之氮或諸如氦、氖或氬之稀有氣體具有 6N( 99·9999%)或更高之純度，較佳地爲7n( 99.99999%)或 更高（即，雜質濃度設定爲低於或等於lpprn，較佳地爲 -59- 201203212 低於或等於O.lppm)。 在藉由熱處理加熱島形氧化物半導體層之後，高純度 氧氣、高純度N20氣體、或極乾燥空氣（具有_40°C或更 低之露點，較佳地爲-60° C或更低）可導入熱處理中使用 之熔爐。較佳的是氧氣或N20氣體不包含水、氫等。導 入熱處理設備之氧氣或N20氣體的純度較佳地爲6N或更 多，更佳地爲7N或更多（即氧氣或N20氣體之雜質濃度 較佳地爲低於或等於lppm，更佳地爲低於或等於O.lppm )。藉由氧氣或N20氣體之效果，供應經由脫水或脫氫 而排除雜質之步驟所減少之氧；因而，氧化物半導體層 403a被高度純化。 熱處理亦可於未使用上述熱處理設備而被處理爲島形 氧化物半導體層之氧化物半導體膜5 3 0上執行。在此狀況 下，在熱處理之後，其上形成直至氧化物半導體膜5 3 0之 層的基板400a被取出熱處理設備，及氧化物半導體膜 53 0被處理爲島形氧化物半導體層。 除了上述時序，熱處理可於下列時機執行，例如氧化 物半導體膜530形成之後，導電層405a及導電層406a形 成於氧化物半導體層403a上之後，或氧化物絕緣層407a 形成於導電層405a及導電層40 6a上之後。 若於絕緣層402a中形成接觸孔，接觸孔可於執行熱 處理之前形成。 氧化物半導體層可使用氧化物半導體膜形成，氧化物 半導體膜係經由二沈積步驟及二熱處理以便形成包括結晶 -60- 201203212 區（單晶區）之厚膜，即具有沿垂直於膜表面之方向C軸 校準之結晶區，無關乎諸如氧化物、氮化物、或金屬之基 礎成分之材料。例如，沈積具3nm至15nm (含）厚度之 第一氧化物半導體膜，並在氮、氧、稀有氣體或乾燥空氣 之氣體下，以450°C至850°C (含），較佳地爲550°C至 75 0°C (含），歷經第一熱處理，使得於包括表面之區域 中形成包括結晶區（包括板狀結晶）之第一氧化物半導體 膜。接著，形成較第一氧化物半導體膜厚之第二氧化物半 導體膜，並以450°C至850°C (含），較佳地爲600°C至 700°C (含），歷經第二熱處理，使得晶體使用第一氧化 物半導體膜做爲晶體成長之晶種，而從第一氧化物半導體 膜向上朝第二氧化物半導體膜成長，及第二氧化物半導體 膜的整個區域結晶化。使用結果爲厚之包括結晶區之膜， 可形成氧化物半導體層。 其次，於絕緣層402a及氧化物半導體層403a之上形 成第二導電膜。 有關第二導電膜，例如可使用諸如鋁、鉻、銅、鉬、 鈦、鉬、或鶴之金屬材料膜，或包含任一金屬材料做爲主 要成分之合金材料膜。亦可藉由堆疊可應用於第二導電膜 之材料膜而形成第二導電膜。

其次’實施第三光刻程序：第三抗蝕罩形成於第二導 電膜之上’使用第三抗蝕罩選擇性蝕刻第二導電膜以形成 導電層405a及導電層4 06a，及移除第三抗蝕罩（詳圖7C -61 - 201203212 請注意，可於導電層405a及導電層406a形成時使用 第二導電膜而形成另一佈線。 在形成第三抗蝕罩之曝光中，較佳地使用紫外光、 KrF雷射光、或ArF雷射光。之後完成之電晶體的通道長 度L取決於於氧化物半導體層403a上彼此相鄰之導電層 405a之底端與導電層406a之底端之間的間隔寬度。若通 道長度L小於25nm，較佳地使用具有短至數奈米至數十 奈米之極短波長的遠紫外光執行形成第三抗蝕罩時之曝光 。在使用遠紫外光之曝光中，解析度高且聚焦深度大。因 此，之後完成之電晶體的通道長度 L可爲 lOnm至 lOOOnm (含），且使用經由該等曝光形成之電晶體使電 路可以更高速操作》此外，電晶體之關閉狀態電流極小， 導致電力消耗降低。 在蝕刻第二導電膜之狀況下，蝕刻狀況較佳地最佳化 以避免氧化物半導體層403a藉由蝕刻而被劃分。然而， 難以設定僅可蝕刻第二導電膜而完全未蝕刻氧化物半導體 層403 a之狀況。有時，於第二導電膜蝕刻時蝕刻部分氧 化物半導體層403a，藉此氧化物半導體層403a成爲包括 槽部（凹部）。 在本實施例中，鈦膜用做第二導電膜之範例，In-Ga-Ζη-0基氧化物半導體用做氧化物半導體層403 a之範例， 及過氧化氫氨混合物（氨、水、及過氧化氫水之混合物） 用做蝕刻劑。 其次，氧化物絕緣層407a係形成於氧化物半導體層 -62- ③ 201203212 403a、導電層405a、及導電層406a之上。此時，氧化物 絕緣層407a接觸氧化物半導體層403a的部分頂面。 適當使用諸如灘鍍法之方法可形成至少lnm或更多 厚度之氧化物絕緣層407a，藉此諸如水或氫之雜質不會 混入氧化物絕緣層407a。當氧化物絕緣層407a中包含氫 時，氫進入氧化物半導體層，或藉由氫造成氧化物半導體 層中氧的提取，藉此造成氧化物半導體層之反向通道具有 較低電阻（具有η型傳導性），使得可形成寄生通道。因 此，爲形成包含盡可能少量氫之氧化物絕緣層407a，重 要的是使用氫未用於形成氧化物絕緣層4 0 7a之方法。 在本實施例中，有關氧化物絕緣層40 7a之範例，藉 由濺鍍法形成具有200nm厚度之氧化矽膜。膜形成時基 板400a之溫度可爲室溫至3 00°C (含）；在本實施例中 ，100°C做爲範例。可於稀有氣體（典型爲氬）、氧氣， 或稀有氣體及氧之混合氣體中執行藉由濺鎪法形成氧化矽 膜。 此外，氧化矽靶材或矽靶材可用做形成氧化物絕緣層 407a之靶材。例如，基於矽靶材，可藉由濺鍍法在包含 氧之氣體下形成氧化矽膜。 有關用於形成氧化物絕緣層407a之濺鍍氣體，較佳 地使用諸如氫、水、烴基、或氫化物之雜質移除的高純度 氣體。 在氧化物絕緣層407a形成之前，可執行使用諸如 N20、N2、或Ar之氣體的電漿處理，以移除吸附於氧化 -63- 201203212 物半導體層403 a之暴露表面的水等。若執行電漿處 較佳地形成接觸氧化物半導體層403a之上表面的氧 絕緣層407a而未暴露於空氣》 此外，可於惰性氣體或氧氣中執行熱處理（較佳 200°C 至 400°C (含），例如 250°C 至 350°C (含） 例如，有關於惰性氣體或氧氣中執行之熱處理，係於 中以2 5 0°C執行熱處理達一小時。經由於惰性氣體或 中執行熱處理，施加熱同時氧化物半導體層4 03 a之 上表面接觸氧化物絕緣層407a。 經由上述程序，可刻意從氧化物半導體層移除諸 、濕氣、烴基、或氫化物（亦稱爲氫化合物）之雜質 此外氧可供應於氧化物半導體層。因此，氧化物半導 被高度純化。 經由上述程序，形成電晶體（詳圖8A )。 當具有許多缺陷之氧化矽層用做氧化物絕緣層 時，氧化矽層形成之後的熱處理具有氧化物半導 403a中所包含之諸如氫、濕氣、烴基、或氫化物之 擴散至氧化物絕緣層407a之效果，使得可進一步降 化物半導體層403 a中所包含之雜質》 保護絕緣層409a可進一步形成於氧化物絕緣層 之上。有關保護絕緣層4 09a，可藉由例如RF濺鍍法 氮化矽膜。由於RF濺鍍法具有高產量，較佳地用做 形成保護絕緣層409a之絕緣膜的沈積法。在本實施 ，有關一範例，形成氮化矽膜做爲保護絕緣層409a 理， 化物 地以 )° 氮氣 氧氣 部分 如氫 ，及 體層 407a 體層 雜質 低氧 407a 形成 用於 例中 (詳 •64- 201203212 圖 8B )。 在本實施例中，以該等方式形成保護絕緣層409a， 即其上形成直至氧化物絕緣層407a之層的基板400a以 100°C至400°C之溫度加熱，導入包含氫及濕氣移除之高 純度氮的濺鍍氣體，及使用矽半導體之靶材形成氮化矽膜 。亦在此狀況下，類似於形成氧化物絕緣層4 07a之狀況 ，較佳地形成保護絕緣層409a，同時移除處理室中剩餘 濕氣。 在保護絕緣層409a形成之後，可進一步於空氣中以 100°C至200°C (含）執行熱處理達1小時至30小時（含 )。亦可以固定加熱溫度執行熱處理。另一方面，可重複 實施複數次下列加熱溫度改變：加熱溫度從室溫增加至高 於或等於l〇〇°C及低於或等於200°C之溫度，及接著減少 至室溫。此即圖6A中所描繪之電晶體之製造方法範例。 儘管顯示圖6A中所描繪之電晶體之製造方法範例做 爲本實施例中電晶體之製造方法範例，本發明不侷限於此 範例。例如，圖6B至6D之組件具有與圖6A之組件相同 代號，且其功能至少局部與圖6A之組件相同，可適當參 照圖6A中所描繪之電晶體之製造方法範例的說明。 如上述，本實施例中所示之電晶體爲包括做爲通道形 成層之氧化物半導體層的電晶體。電晶體中使用之氧化物 半導體層藉由熱處理而高度純化，藉此成爲i型或實質上 i型氧化物半導體層。 高度純化氧化物半導體層包括極少載子（接近0)。 -65- 201203212 氧化物半導體層之載子濃度爲小於1 xl 〇M/cm3，較佳地爲 小於1 X 1 0 12 / c m3 ’及更佳地爲小於1 X 1 〇 1 1 / c m ^由於氧化 物半導體層中載子數量極小，可降低本實施例之電晶體之 關閉狀態電流。較佳的是關閉狀態電流盡可能小。在本實 施例之電晶體中，每微米通道寬度之關閉狀態電流可小於 或等於 l〇aA ( 1χ1〇·17Α)，小於或等於 laA ( 1χ10·ΐ8Α) ，小於或等於10ζΑ(1χ10·2()Α)，及進一步小於或等於 IzA ( 1 X 10*21A )。 本實施例之電晶體具有相對高場效移動性；因此，包 括電晶體之電路可以高速度驅動。 當本實施例之電晶體用於上述實施例之顯示裝置中， 依據顯示靜止影像中影像資料之影像的保持時期可設定較 長，使得可降低顯示裝置之電力消耗。 再者，當使用本實施例之電晶體形成上述實施例中所 說明之移位暫存器時，可以相同程序於一基板上形成畫素 部、掃描信號線驅動器電路、及影像信號線驅動器電路， 使得可降低顯示裝置之製造成本。 請注意，本實施例可適當與任一其他實施例組合或爲 其替代。 (實施例5 ) 在本實施例中，將說明上述實施例中所說明之顯示裝 置之結構範例。 將參照圖9說明本實施例之顯示裝置之結構範例。圖 -66- 201203212 9爲截面示意圖，描繪本實施例中所說明之顯示裝置之結 構範例。 圖9中所描繪之顯示裝置包括於基板4001與基板 4006之間以密封劑4005密封之區域中的畫素部及驅動器 電路部。畫素部包括電晶體4012，及驅動器電路部包括 電晶體4014。 請注意，用於驅動器電路部中之部分驅動器電路可使 用配置於其他基板上之驅動器電路予以形成。在此狀況下 ’對於連接圖9中所描繪之顯示裝置及分別形成之驅動器 電路的方法並無特別限制，可使用COG法、引線接合法 、TAB法等。 有關電晶體40 1 2，例如可使用實施例4中所說明之 任一電晶體。在圖9中，具有圖6A中所描繪之結構的電 晶體用做電晶體40 1 2之範例》 有關電晶體4014，例如可使用實施例4中所說明之 任一電晶體。在圖9中，具有圖6A中所描繪之結構的電 晶體用做電晶體40 1 4之範例。請注意，可配置導電層以 便與電晶體4014中氧化物半導體層重疊，且絕緣層4024 插入其間。 此外，圖9中所描繪之顯示裝置包括平坦化層4025 、充當畫素電極之導電層4030、絕緣層4032、液晶層 4008、絕緣層403 3、充當間隔裝置之絕緣層403 5、及充 當相對電極之導電層403 1。 平坦化層402 5係配置於電晶體4012及電晶體4014 -67- 201203212 之上。導電層4030係配置於平坦化層402 5之上。絕緣層 4032係配置於平坦化層4025之上，且導電層403 0插入 其間。導電層403 1經配置而接觸基板4006 »絕緣層403 3 經配置而接觸導電層403 1。絕緣層403 5係配置於藉由密 封劑4005環繞之區域。液晶層400 8係配置於藉由導電層 403 0與導電層403 1之間的密封劑4005環繞之區域，且 絕緣層4032及絕緣層403 3插入其間。 使用導電層4030、導電層4031、及液晶層4008形成 液晶元件4017。 導電層403 1電連接至配置於相同基板上之共同電壓 線，做爲電晶體40 1 2等。使用具共同電壓線之連接部（ 亦稱爲共同連接部），導電層403 1可經由排列於基板對 之間的導電粒子而電連接至共同電壓線。共同電壓線爲被 供應電壓V c 〇 m之佈線。 絕緣層403 5爲藉由選擇性蝕刻絕緣膜而獲得之圓柱 間隔裝置，經配置以便控制導電層4 0 3 0與導電層4 0 3 1之 間的距離（格隙）。另一方面，球形間隔裝置可用做絕緣 層403 5。請注意，絕緣層403 5可配置於導電層4030與 導電層403 1之間，且絕緣層4032及絕緣層403 5插入其 間。 此外，圖9中所描繪之顯示裝置經由配置於基板 400 1之上且絕緣層4020及絕緣層402 1插入其間的導電 層層 4 層 c δ Ρ 1 F 導 至性 接異 連向 電各 而及 電層 導電 之導 6 及 11 ο 5 4. 11 ο 層 4 電層 導電 觸導 接。 68 ⑧ 201203212 4016做爲終端電極。 導電層4015係使用例如用於導電層403 0之相同導電 膜而予形成。導電層40 1 6係使用例如用於充當電晶體 4014之源極電極或汲極電極之導電層之相同導電膜而予 形成。 有關基板400 1及基板4006，例如可使用諸如玻璃基 板、塑料基板等之透光基板。有關塑料基板，例如可使用 玻璃纖維增強塑料（FRP )板、聚氟乙烯（PVF )膜、聚 酯膜、丙烯酸樹脂膜等。 有關平坦化層4025，可使用具有耐熱性之有機材料 層，諸如聚醯亞胺、丙烯酸、苯並環丁烯、聚醯胺、或環 氧樹脂。除了該等有機材料層以外，亦可使用低介電常數 材料（低k材料）、矽氧烷基樹脂、磷矽酸玻璃（PSG) 、摻雜硼磷的矽玻璃（BPSG )等，做爲平坦化層4025。 另一方面，可藉由堆疊可應用於平坦化層4025之材料層 而形成平坦化層4025。 形成平坦化層4025之方法並無特別限制。依據材料 ’可使用下列方法：濺鍍法、SOG法、旋塗法、浸漬法、 噴塗法、液低釋放法（例如噴墨法、網印或膠印）、以刮 膠刀之形成法、以擠膠滾筒之形成法、以簾式塗料器之形 成法、以刮刀塗布機之形成法等。 導電層4030及導電層4031可使用透光導電材料層予 以形成，諸如氧化銦錫、氧化鋅混入氧化銦之金屬氧化物 (亦稱爲氧化銦鋅（IZO ))、氧化矽（Si02 )混入氧化 -69- 201203212 銦之導電材料、有機銦、有機錫、包含氧化鎢之氧化銦、 包含氧化鎢之氧化銦鋅、包含氧化鈦之氧化銦、包含氧化 鈦之氧化銦錫等。若本實施例之顯示裝置經形成爲反射型 ，諸如鎢、鉬、锆、給、釩、鈮、鉬、鉻、鈷、鎳、鈦、 鉑、鋁、銅、或銀之金屬層，或該等金屬之合金層可用做 導電層4030及導電層4031。亦可藉由堆疊可應用於導電 層4030及導電層4031之材料層而形成導電層4030及導 電層403 1。 包含導電高分子（亦稱爲導電聚合物）之導電成分可 用於導電層4030及導電層4031。較佳的是使用導電成分 形成之導電層具有每平方100 00歐姆或更低之片阻抗，及 於5 5 0nm波長下70%或更高之透光率。此外，導電成分 中所包括之導電高分子的電阻係數較佳地爲0.1Ω· cm或 更低。 有關導電高分子，可使用所謂71-電子共軛導電聚合 物。有關π-電子共軛導電聚合物，可提供聚苯胺及其衍 生物；聚吡略及其衍生物；聚噻吩及其衍生物；或二或更 多聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、及聚苯胺之共聚物等。 有關密封劑4〇〇5，例如可使用包括導電粒子之絕緣 層。 有關配置液晶元件4017之顯示裝置的顯示方法，可 使用扭轉向列（ΤΝ )模式、平面方向切換（IPS )模式、 垂直調整（VA )模式、軸對稱排列微型格（ASM )模式 、光學補償雙折射（OCB )模式、鐵電液晶（FLC )模式 ⑧ -70- 201203212 、反電液晶（AFLC )模式、多區域垂直排列（MVA )模 式、圖像垂直調整（PVA)模式、ASV模式、邊緣場切換 (FFS)模式等。 另~方面，有關液晶層4008，例如可使用展現不需 校準膜之藍相的液晶層。藍相爲一種液晶相位，其產生於 膽固醇相改變爲各向同性相，同時膽固醇液晶之溫度增加 之前不久》由於藍相僅出現於窄的溫度範圍內，爲使溫度 範圍變寬，將包含5重量％或更多之手性劑的液晶成分用 做液晶材料。包括展現藍相之液晶及手性劑的液晶成分具 有1毫秒或更短之短暫回應時間，具有光學各向同性，其 造成不需校準處理，及具有小視角相依性。此外，由於不 需配置校準膜及不需硏磨處理，可避免藉由硏磨處理造成 之靜電崩潰，及可減少製造程序中液晶顯示裝置之缺陷及 損害。因而，可改進液晶顯示裝置之生產力。包括氧化物 半導體層之電晶體特別具有下列可能性，電晶體之電氣特 性因靜電而顯著波動，且偏離設計範圍。因此，藉由將展 現藍相之液晶材料用於包括氧化物半導體層之電晶體的顯 示裝置，可降低因靜電造成之電氣特性波動。 在本實施例之顯示裝置中，偏光板可配置於基板外側 (在觀看者側），及著色層及用於顯示元件之電極層可相 繼配置於基板內側：另一方面’偏光板可配置於基板的內 側。偏光板及著色層的堆疊結構可依據偏光板及著色層之 材料及製造程序狀況而適當設定。此外’充當黑矩陣的阻 光層可配置於顯示部以外的部分。 -71 - 201203212 此外，黑矩陣（阻光層）、諸如偏光構件、減速構件 、或防反射構件之光學構件（光學基板）等可適當配置於 本實施例之顯示裝置。例如，藉由使用偏光基板及減速基 板做爲光學構件可獲得圓極化。此外，背光等可用做光源 0 爲改進顯示裝置之移動影像特性，可使用驅動技術其 中複數LED (發光二極體）光源或複數EL光源用於形成 表面光源做爲背光，且表面光源之每一光源係以脈衝方式 於一訊框時期獨立驅動》有關表面光源，可使用三或更多 種LED，及可使用發射白光之LED。由於可獨立控制複數 LED，LED之發光時序可與液晶層之光學調變時序同步。 依據此驅動技術，LED可部分關閉；因此，若顯示具有大 部分顯示黑色之影像，尤其可降低電力消耗。 由於顯示裝置中電晶體易於因靜電等而破裂，保護電 路較佳地配置於與畫素部或驅動電路部相同基板上。保護 電路較佳地以例如包括上述氧化物半導體層之非線性元件 予以形成。例如，保護電路可配置於畫素部、掃描信號輸 入端子、及影像信號輸入端子之間。此外，保護電路包括 彼此平行配置且掃描信號線插於其間之非線性元件。非線 性元件包括諸如二極體之二端子元件，或諸如電晶體之三 端子元件。例如，非線性元件可經由與畫素部中電晶體相 同程序予以形成，且藉由連接非線性元件之閘極至汲極， 可獲得類似於二極體之特性。 如上述，本實施例之顯示裝置具有一種結構，其中驅 -72- ⑧ 201203212 動器電路及畫素係形成於相同基板之上。當使用該等結構 時，可以相同程序形成驅動器電路及畫素，藉此可降低製 造成本。 請注意，本實施例可適當與任一其他實施例組合或爲 其替代。 (實施例6) 在本實施例中，將說明配置上述實施例之顯示裝置的 電子裝置。 將參照圖10A至1 0F說明本實施例中電子裝置之結 構範例。圖10A至1 0F描繪本實施例之電子裝置之結構 範例。 圖10A中所描繪之電子裝置爲個人數位助理。圖l〇A 中所描繪之個人數位助理包括至少顯示部1001。圖10A 中所描繪之個人數位助理可與例如觸控面板相結合，並可 用做各種可攜式目標之替代品》例如，顯示部1 00 1配置 操作部1 002，使得個人數位助理可用做行動電話。請注 意’操作部1 002不一定配置於顯示部1001中。圖l〇A 中所描繪之個人數位助理可配置附加的操作按鈕。圖10A 中所描繪之個人數位助理可用做記事簿或輕巧型掃描器。 此外，由於一影像資料寫入之顯示時期長，上述實施例中 所說明之顯示裝置可體現寫入操作之間的長間隔。因此， 藉由將上述實施例中所說明之顯示裝置用於圖10A中所 描繪之個人數位助理，例如可抑制眼睛疲勞，甚至長時間 -73- 201203212 在顯示部觀看靜止影像亦可。 圖1 0B中所描繪之電子裝置爲資訊引導終端機，包括 例如汽車導航系統。圖1 0B中所描繪之資訊引導終端機包 括至少顯示部1101，及亦可包括操作按鈕1102及外部輸 入端子11 03。車內溫度根據車外溫度而大幅改變，有時 超過50°C。由於因上述實施例中所說明之顯示裝置的溫 度造成之特性改變小，上述實施例中所說明之顯示裝置在 諸如車內之溫度大幅改變的環境下尤其有效。 圖10C中所描繪之電子裝置爲筆記型個人電腦。圖 10C中所描繪之筆記型個人電腦包括外殼1201、顯示部 1202、揚聲器1203、LED燈12 04、指向裝置1205、連接 端子1 206、及鍵盤1 207。此外，由於一影像資料寫入之 顯示時期長，上述實施例中所說明之顯示裝置可體現寫入 操作之間的長間隔。因此，藉由將上述實施例中所說明之 顯示裝置用於圖10C中所描繪之筆記型個人電腦，例如可 抑制眼睛疲勞，甚至長時間在顯示部觀看靜止影像亦可。 圖10D中所描繪之電子裝置爲可攜式遊戲機。圖10D 中所描繪之可攜式遊戲機包括顯示部1301、顯示部1302 、揚聲器1303、連接端子1304、LED燈1305、麥克風 1306、記錄媒體讀取部1307、操作按鈕1308、及感測器 1309。由於一影像資料寫入之顯示時期長，上述實施例中 所說明之顯示裝置可體現寫入操作之間的長間隔。因此， 藉由將上述實施例中所說明之顯示裝置用於圖10D中所 描繪之可攜式遊戲機，例如可抑制眼睛疲勞，甚至長時間 -74- 201203212 在顯示部觀看靜止影像亦可。此外，不同影像可顯示於顯 示部1301及顯示部1302上；例如，移動影像係顯示於其 中之一上，及靜止影像則顯示於另一者上。因此，停止供 應電壓至顯示靜止影像之顯示部中的驅動器電路，藉此可 降低電力消耗。 圖10E中所描繪之電子裝置爲電子書閱讀器。圖10E 中所描繪之電子書閱讀器包括至少外殻1401、外殻1403 、顯示部1405、顯示部1407、及鉸鏈1411。 外殼1401及外殼1 403藉由鉸鏈141 1而連接。圖 10E中所描繪之電子書閱讀器可使用鉸鏈1411做爲軸而 開啓及關閉。基於該等結構，電子書閱讀器可如紙本書般 操作。顯示部1405倂入外殼1401及顯示部1407倂入外 殼1 403。顯示部1 405及顯示部1 407可顯示不同影像， 或一影像可跨越顯示部1405及顯示部1407而顯示。在顯 示部1405及顯示部1407上顯示不同影像之結構中，例如 ，右顯示部（圖10E中顯示部1405)可顯示正文，及左 顯示部（圖10E中顯示部1 407 )可顯示影像。 此外，圖10E中所描繪之電子書閱讀器可於外殼 1401或外殼1403配置操作部等。例如，圖10E中所描繪 之電子書閱讀器可包括電力按鈕1421、操作鍵1423、及 揚聲器1 42 5。在圖10E中所描繪之電子書閱讀器中，可 以操作鍵1 423翻頁。此外，圖10E中所描繪之電子書閱 讀器可於顯示部1405及/或顯示部14〇7配置鍵盤、指向 裝置等。再者’外部連接端子（耳機端子、USB端子、可 -75- 201203212 連接諸如AC適配器之各類電纜之端子、或USB電 儲存媒體嵌入部等可配置於圖10E中所描繪之電子 器之外殼1401及外殼1 403的背面或側面》此外， 中所描繪之電子書閱讀器可具有電子字典之功能。 上述實施例中所說明之顯示裝置可配置於 1 405及/或顯示部1 407。此外，由於一影像資料寫 示時期長，上述實施例中所說明之顯示裝置可體現 作之間的長間隔。因此，藉由將上述實施例中所說 示裝置用於圖1 0E中所描繪之電子書閱讀器，例如 眼睛疲勞，甚至長時間在顯示部觀看靜止影像亦可 圖10E中所描繪之電子書閱讀器可無線傳送及 料。基於該等結構，電子書閱讀器可具有一種功能 可從電子書伺服器購買及下載所欲書籍資料等。 圖1 0F中所描繪之電子裝置爲顯示器。圖10F 繪之顯示器包括外殻1501、顯示部1 502、揚聲器 LED燈1 504、操作按鈕1 5 05、連接端子1 506、 1 507、麥克風1 508、及支撐座1 509。此外，由於 資料寫入之顯示時期長，上述實施例中所說明之顯 可體現寫入操作之間的長間隔。因此，藉由將上述 中所說明之顯示裝置用於圖.10F中所描繪之顯示器 可抑制眼睛疲勞，甚至長時間在顯示部觀看靜止影 本實施例之電子裝置可具有電源電路，其包括 電池、用於充電從太陽能電池輸出之電壓的電力儲 纜）、 書閱讀 圖1 0E 顯示部 入之顯 寫入操 明之顯 可抑制 〇 接收資 ，基此 中所描 1 503、 感測器 一影像 示裝置 實施例 ，例如 像亦可 太陽能 存裝置 •76· 201203212 、及將電力儲存裝置中所充電電壓轉換爲適於電路 電壓的DC轉換器。因此，不需外部電源，因而甚 外部電源處’電子裝置可長時間使用，使得改進便 有關電力儲存裝置，例如可使用以下一或多項：鋰 次電池、鋰離子電容器、電氣雙層電容器、氧化還 器等。例如，鋰離子二次電池及鋰離子電容器可一 ，藉此可形成可高速充電或放電並可長時間供應電 力儲存裝置。電力儲存裝置不侷限於鋰離子二次電 關電力儲存裝置，可使用其中另一鹼金屬離子、鹼 離子等用做流動離子之二次電池。對於鋰離子電容 限制。有關電力儲存裝置，可使用另一鹼金屬離子 金屬離子等用做流動離子之電容器。 在本實施例之電子裝置中，顯示部可具有觸控 能。可藉由於顯示部安裝觸控面板單元，或藉由配 檢測電路於畫素，而附加觸控面板功能。 藉由將上述實施例中所說明之顯示裝置應用於 置之顯示部，可提供具低電力消耗之電子裝置。 請注意，本實施例可適當與其他實施例之任一 或爲其所替代。 本申請案係依據2010年2月26日向日本專利 申請之序號2010-041544日本專利申請案’其整個 以提及方式倂入本文。 【圖式簡單說明】 之各個 至在無 利性。 離子二 原電容 起使用 力之電 池。有 土金屬 器亦無 、鹼土 面板功 置光學 電子裝 者組合 處提出 內容係 -77- 201203212 在附圖中： 圖1A至1C描繪實施例1中顯示裝置； 圖2描繪實施例2中顯示裝置之結構範例； 圖3A及3B顯示圖2中所描繪之顯示裝置之驅動方 法； 圖4A及4B描繪實施例3中移位暫存器之結構範例 i 圖5A及5B顯示圖4A及4B中所描繪之移位暫存器 之操作範例； 圖6A至6D爲截面示意圖，描繪實施例4中電晶體 之結構範例； 圖7A至7C爲截面示意圖，描繪圖6A中所描繪之電 晶體之製造方法範例： 圖8A及8B爲截面示意圖，描繪圖6A中所描繪之電 晶體之製造方法範例； 圖9描繪實施例5中顯示裝置之結構範例；以及 圖10A至1 0F描繪實施例6中電子裝置之結構範例 【主要元件符號說明】 31、 32、 33、 34、 35、 36、 37、 38、 39' 40、 41、 205' 221 、 4012 、 4014 :電晶體 101、201 :驅動器電路部 101a:第一驅動器電路 ⑤ -78- 201203212 101b:第二驅動器電路 102、202 :畫素部 102_K 、 202_K :畫素 201a:中央處理單元（CPU) 201b:顯示控制電路 201c :掃描信號線驅動器電路 20 Id:影像信號線驅動器電路 203 :掃描信號線 204 :影像信號線 206 :光源部 2 1 1 a :介面 211b:參考時脈信號產生電路 2 1 1 c :計數電路 2 1 1 d :閂鎖電路 2 1 1 e :記憶體電路 21 If:算術電路 21 lg :輸出電路 222、4017 :液晶元件 22 3 :電容器 3 1 1、3 1 2 :時期 400a、400b、400c、400d、4001、4006 ：基板 401a、4 0 1b、401c、401d、405a、405b、405c、4 0 5 d ' 406a > 406b、 406c、 406d、 4015、 4016、 4030、 4031 ：導 電層 -79- 201203212 402a 、 402b 、 402c ' 402d 、 427 、 447 、 4020 、 4021 、 4024 、4032 、 4033 、 4035 :絕緣層 403a ' 403b、403c、403d ：氧化物半導體層 407a、407c :氧化物絕緣層 409a、409b' 409c:保護絕緣層 53 0 :氧化物半導體膜 1001、 1101、 1202、 1301、 1302、 1405、 1407、 1502：顯 示部 1 002 :操作部 1 102、1 3 08、1 5 05 :操作按鈕 1 103 :外部輸入端子 1201 、 1401 、 1403 、 1501：外殼 1203、 1303 ' 1425、 1503 ：揚聲器 1 204、1 305、1 504:發光二極體（LED)燈 1 205 :指向裝置 1206、1 3 04 ' 1 5 06 ：連接端子 1 207 :鍵盤 1306、 1508 ：麥克風 1 3 07 :記錄媒體讀取部 1 3 0 9、1 507 ：感測器 141 1 :鉸鏈 1421 :電力按鈕 1 423 :操作鍵 1 5 09 :支撐座 -80- ⑧ 201203212 4005 ：密封劑 4 0 0 8 :液晶層 4018 :軟性印刷電路（FPC ) 4019:各向異性導電層 4 0 2 5 :平坦化層 -81 -

Claims (1)

1. 201203212 七、申請專利範圍： 1. 一種驅動顯示裝置之方法，該顯示裝置包含驅動器 電路部及包含n(n爲自然數）畫素之畫素部，該驅動器 電路部包含第一驅動器電路及第二驅動器電路，且該畫素 部具有以該η畫素顯示移動影像之移動影像顯示模式以及 以該η畫素顯不靜止影像之靜止影像顯不模式，該方法包 含下列步驟： 在該靜止影像顯示模式中執行操作Ν(Ν爲自然數） 次，該操作包含： 供應驅動信號及電源電壓至該第一驅動器電路； 供應驅動信號及電源電壓至該第二驅動器電路； 從該第一驅動器電路供應掃描信號至該η畫素； 從該第二驅動器電路供應影像信號至該η畫素； 停止至該第二驅動器電路的該驅動信號及該電源 電壓之供應；以及 依據該影像信號將該畫素部的影像保持成該靜止 影像， 其中在Ν大於或等於2的情況中’將停止至該第二 驅動器電路的該驅動信號及該電源電壓之供應的第κ(κ 爲大於或等於2且少於或等於Ν的自然數）時期設定成 比停止至該第二驅動器電路的該驅動信號及該電源電壓之 供應的第（Κ-1)時期更久。 2. 如申請專利範圍第1項所述的驅動顯示裝置之方法 ⑧ 201203212 其中該操作進一步包含在供應該影像信號至該η畫素 之後停止至該第一驅動器電路的該驅動信號及該電源電壓 之供應。 3·如申請專利範圍第1項所述的驅動顯示裝置之方法 ，其中在於保持該影像的第（Κ+1)時期中輸入操作信號 至該顯示裝置的情況中，開始該驅動信號及該電源電壓至 該第一驅動器電路的供應，並開始該驅動信號及該電源電 壓至該第二驅動器電路的供應，並供應影像信號至該η畫 素。 4. 如申請專利範圍第1項所述的驅動顯示裝置之方法 ， 其中該η畫素的每一者包含電晶體，以及 其中該電晶體包含充當具有低於lxl〇14/em3之載子 濃度的通道形成層之氧化物半導體層。 5. 如申請專利範圍第1項所述的驅動顯示裝置之方法 > 其中該η畫素的每一者包含： 電晶體，包含閘極、源極、及汲極；以及 液晶元件， 其中該閘極電連接至該第一驅動器電路， 其中該源極及該汲極之一電連接至該第二驅動器電路 » 其中該源極及該汲極之另一者電連接至該液晶元件， 以及 -83- 201203212 其中該電晶體進一步包含充當通道形成層之氧化物半 導體層。 6.—種驅動顯示裝置之方法，該驅動顯示裝置包含驅 動器電路部及包含n(n爲自然數）畫素之畫素部，該驅 動器電路部包含第一驅動器電路及第二驅動器電路，且該 畫素部具有以該些畫素顯示移動影像之移動影像顯示模式 以及以該些畫素顯示靜止影像之靜止影像顯示模式，該方 法包含下列步驟： 在該靜止影像顯示模式中執行操作N(N爲自然數） 次，該操作包含： 供應第一開始信號、第一時脈信號 '及電源電壓 至該第一驅動器電路； 供應第二開始信號、第二時脈信號、及電源電壓 至該第二驅動器電路； 從該第一驅動器電路供應掃描信號至該η畫素； 從該第二驅動器電路供應影像信號至該η畫素； 停止至該第二驅動器電路的該第二開始信號、該 第二時脈信號、該電源電壓之供應；以及 依據該影像信號將該畫素部的影像保持成該靜止 影像， 其中在Ν大於或等於2的情況中，將停止至該第二 驅動器電路的該第二開始信號、該第二時脈信號、及該電 源電壓之供應的第Κ(Κ爲大於或等於2且少於或等於Ν 之自然數）時期設定成比停止至該第二驅動器電路的該第 -84- ⑧ 201203212 二開始信號、該第二時脈信號、及該電源電壓之供應的第 (K-1 )時期更久。 7 ·如申請專利範圍第6項所述的驅動顯示裝置之方法 其中該操作進一步包含在供應該影像信號至該n畫素 之後停止至該第一驅動器電路的該第一開始信號、該第一 時脈信號、及該電源電壓之供應。 8. 如申請專利範圍第6項所述的驅動顯示裝置之方法 ，其中在於保持該影像的第（K+1)時期中輸入操作信號 至該顯示裝置的情況中，開始該第一開始信號、該第一時 脈信號、及該電源電壓至該第一驅動器電路的供應’並開 始該第二開始信號、該第二時脈信號、及該電源電壓至該 第二驅動器電路的供應，並供應影像信號至該η畫素。 9. 如申請專利範圍第6項所述的驅動顯示裝置之方法 > 其中該η畫素的每一者包含電晶體，以及 其中該電晶體包含充當具有低於lxl〇M/cm3之載子 濃度的通道形成層之氧化物半導體層》 10. 如申請專利範圍第6項所述的驅動顯示裝置之方 法， 其中該η畫素的每一者包含： 電晶體，包含閘極、源極、及汲極；以及 液晶元件， 其中該閘極電連接至該第一驅動器電路， -85- 201203212 其中該源極及該汲極之一電連接至該第二驅動 » 其中該源極及該汲極之另一者電連接至該液晶 以及 其中該電晶體進一步包含充當通道形成層之氧 導體層。 11. 一種驅動顯示裝置之方法，該驅動顯示裝 驅動器電路部及包含n(n爲自然數）畫素之畫素 驅動器電路部包含第一驅動器電路及第二驅動器電 方法包含下列步驟： 在於該畫素部中顯示靜止影像的靜止影像顯示 執行操作N(N爲自然數）次，該操作包含： 供應驅動信號及電源電壓至該第一驅動器 供應驅動信號及電源電壓至該第二驅動器 從該第一驅動器電路供應掃描信號至該η 從該第二驅動器電路供應影像信號至該η 停止至該第二驅動器電路的該驅動信號及 電壓之供應：以及 依據該影像信號將該畫素部的影像保持成 影像， 其中在Ν大於或等於2的情況中，將停止至 驅動器電路的該驅動信號及該電源電壓之供應的第 爲大於或等於2且少於或等於Ν之自然數）時期 比停止至該第二驅動器電路的該驅動信號及該電源 器電路 元件， 化物半 置包含 部，該 路，該 模式中 電路； 電路； 畫素； 畫素； 該電源 該靜止 該第二 Κ ( Κ 設定成 電壓之 •86- 201203212 供應的第（κ-1 )時期更久。 12.如申請專利範圍第11項所述的驅動顯示裝置之方 法， 其中該操作進一步包含在供應該影像信號至該η畫素 之後停止至該第一驅動器電路的該驅動信號及該電源電壓 之供應。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項所述的驅動顯示裝置之方 法，其中在於保持該影像的第（Κ+1)時期中輸入操作信 號至該顯示裝置的情況中，開始該驅動信號及該電源電壓 至該第一驅動器電路的供應，並開始該驅動信號及該電源 電壓至該第二驅動器電路的供應，並供應影像信號至該η 畫素。 14.如申請專利範圍第η項所述的驅動顯示裝置之方 法， 其中該η畫素的每一者包含電晶體，以及 其中該電晶體包含充當通道形成層之氧化物半導體層 〇 1 5 .如申請專利範圍第i丨項所述的驅動顯示裝置之方 法， 其中該η畫素的每一者包含： 電晶體，包含閘極、源極、及汲極；以及 液晶元件， 其中該閘極電連接至該第一驅動器電路， 其中該源極及該汲極之一電連接至該第二驅動器電路 -87- 201203212 其中該源極及該汲極之另一者電連接至該液晶元件， 以及 其中該電晶體進一步包含充當通道形成層之氧化物半 導體層。 16.—種顯示裝置，包含： CPU，供應有操作信號； 顯示控制電路； 第一驅動器電路；以及 第二驅動器電路；以及 n(n爲自然數）畫素， 其中該CPU組態成根據該操作信號產生第一控制信 號及第二控制信號，且該CPU組態成供應該第一控制信 號及該第二控制信號至該顯示控制電路， 其中該顯示控制電路組態成根據該第一控制信號供應 第一開始信號、第一時脈信號、及電源電壓至該第一驅動 器電路，並且該顯示控制電路組態成根據該第二控制信號 供應第二開始信號、第二時脈信號、及電源電壓至該第二 驅動器電路， 其中該第一驅動器電路組態成供應掃描信號至該η畫 素， 其中該第二驅動器電路組態成供應影像信號至該η畫 素，以及 其中該CPU包含： -88 - ⑧ 201203212 計數電路； 閂鎖電路： 算術電路；以及 輸出電路， 其中該計數電路組態成根據該操作信號計數每一 週期組中之參考時脈信號的脈衝數量，且該計數電路組態 成在每一週期中供應已計數値之資料至該閂鎖電路作爲信 號， 其中該閂鎖電路組態成在保持該已計數値資料一 段時間之後供應該已計數値資料至該算術電路， 其中該算術電路組態成根據該已計數値資料產生 信號，且該算術電路組態成供應該些信號至該輸出電路， 其中該輸出電路組態成調整並供應該些信號至該 顯示控制電路作爲該第一控制信號及該第二控制信號，以 及 其中根據該掃描信號及該影像信號控制該η畫素 〇 17. 如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置， 其中該CPU進一步包含記憶體電路，組態成儲存在 顯示靜止影像中之影像重寫操作之間的間隔之資料，以及 其中該記憶體電路組態成供應該間隔的該資料至該算 術電路。 18. 如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置，其中該 CPU進一歩包含參考時脈信號產生電路，組態成供應該參 -89- 201203212 考時脈信號至該計數電路。 i9.如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置， 其中該CPU進一步包含介面，以及 其中經由該介面輸入操作信號至該CPU。 2 0.如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置， 其中該η畫素的每一者包含電晶體，以及 #中該電晶體包含充當具有低於lxl〇14/cm3之載子 通道形成層之氧化物半導體層。 21 ·如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置， 其中該η畫素的每一者包含： 電晶體，包含閘極、源極、及汲極；以及 液晶元件， 其中該閘極電連接至該第一驅動器電路， 該源極及該汲極之一電連接至該第二驅動器電路 > #中該源極及該汲極之另一者電連接至該液晶元件， 以及 #中該電晶體進一步包含充當通道形成層之氧化物半 導體層。 -90