TW201201287A - Method of sealing and contacting substrates using laser light and electronics module - Google Patents

Description

201201287 is^ygpif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於使用雷射來處理基板，且特別是有關 於使用脈衝式雷射光來焊接含有電性接觸區的玻璃基板及 /或半導體基板。基板可包括（例如）藍寶石、石英或石夕。 【先前技術】 歐洲專利EP 1369912揭露了一種使用雷射束來將倒 裝晶片（flip chip )接合（bonding )到晶片載體（chip carrier ) 上的方法。此方法包括：使倒裝晶片的接觸區對準 (aligning)晶片載體的接觸區；以及透過晶片或載體將雷 射束透射（projecting)到已對準的接觸區，以使它們電性 相接合。然而，接觸區的周邊卻仍暴露在外界空氣（氧氣） 和潮濕中，這會對正在製造的元件造成不利影響。 美國專利 US 2004/207314、US 2005/174042、US 2003/197827以及日本專利jp 2005/028891更揭露了多種 採用雷射焊接（laserwelding)來使半導體基板或玻璃基板 的多個部件相接觸或相接合的方法。然而，這些方法中也 沒有一種方法能夠產生既接觸良好又密封良好的結構。 【發明内容】 本發明的目的是實現一種使用雷射光來電性接觸基 板的改良的方法，此方法還能保護基板，使基板免遭粒子、 氧胤以及潮濕的影響。 本發明的又一目的是提供一種具有電接頭（dectrical contacts )的密封良好的電子模組。 201201287 *·/ 〆 upjif 上述目的是透過依照申請專利範圍獨立項的方法與 電子模組來實現。 本發明是基於以下發現：將脈衝式雷射光掃過基板材 料（通常是絕緣材料）與塗敷（applied)在此基板上的導 電層的介面區（interface zones )，此雷射光可誘導（induce) 基板材料和導電層熔融（fusing)。這些區域的實用地完 全炼融(融化)均可被達成。 在一實施例中，本發明提供一種使第一絕緣基板（較 佳的是玻璃基板）與至少—個第二絕絲板（較佳的是玻 璃基板或矽基板）熔融且電性接觸的方法，其中第一絕緣 基板上具有至少一層第一導電層（即，接觸端），至少一 個第二絕緣基板上具有至少_層第二導電層。此方法包括： 將第基板與第二基板堆疊（stacking)在一起，而在 其間之間形成介面區，此介面區包括： 電性接觸區，在此電性接觸區中

=且至少局部對準至少-層第二導;層L ’此基板㈣區中有多個絕緣基板面對面地配 射源的多個連續的聚焦雷射脈衝透過多個基 Ϊ時：广Γ η這些基板的介面區上，此雷射光的脈衝持 二職職）、脈衝頻率以及脈衝功率經選擇 電層局部炫化;以及使雷射源與基板 乂預疋的速度和路線而相對移動，堪拎*人 面區，此結構改良區動叫从構改良£到介 重疊。 〃、斤述電性接觸區、所述基板熔融區 201201287 術語“絕緣基板”是指所有的非導電性基板，包括本質 半導體（intrinsic semiconducting)基板，它在微電子學1 常用作晶圓（wafers)。導電層通常是金屬層。 千 本發明具有顯著的優點。第-，由於基; 反的機械連接 和電性連接是在Ui序巾進行，所以此方法很簡單 節省時間又節省費用。第二’由於材料直接炫融，所以可 使焊縫完全密封。第三，相同電氣裝置内的其他基板或元 件可使用相同㈣㈣射方案來進行純機械或電ς連= 第四，可形成高品質且無針孔（pinh〇le_free)的焊縫。 依照一實施例，基板主體的至少其中之一可透射具有 所用波長的雷射。這使得該雷射能夠穿過此基板且聚焦在 面上，其中單位體積的強度足以對基板或其接觸區進行 加熱和焊接。 本發明的一個目的是生產雷射誘導焊接和電性接觸 的基板’其巾所形成的焊縫具有高品質，也就是說，焊縫 基本上無微裂縫（microcracks)。詳細地說，使用皮秒級 (pic0second-scale)雷射脈衝可達到這一目的，當皮秒級 雷射脈衝在時間和空間上都以足夠的頻率前往基板時，除 了在基板上誘導非線性吸收（nonlinearabs〇rpti〇n)外，還 能誘導相當大的線性吸收（Hnear abs〇rpti〇n)效應。如此 來，後續脈衝前往基板，使得此脈衝與先前脈衝的光斑 (spot)明顯重疊，此光斑仍然足夠熱，基板透過線性吸 ，來頜外吸收雷射能量。除了吸收增強外，較高的脈衝重 、旻率還會卩牛低基板材料的微裂易感性（susceptibility )。這 201201287 JOJ^Oplf 疋因為如一個脈衝能使材料的硬度減小，當後一個脈衝到 來時’衝擊波會減弱。 可使用一種裝置，其包括： 脈衝式雷射源，用來發射具有預定的脈寬、脈衝頻率和焦 斑（focal spot)直徑的雷射脈衝； 用來固持基板的裝置，使得雷射光能夠從脈衝式雷射源透 過多個基板之一而被引導至這些基板的介面區；以及使這 些基板相對於脈衝式雷射源以預定的速度且沿著預定的路 線而移動的裝置。 可選擇的是，例如，可利用反射鏡光學器件來引導$ 射束，以防止雷射源及/或基板移動。 經配置’雷射源與基板之_有效絲使得雷射脈| ，夠聚焦在基板的介面區上。這意味著，兩個基板都能名 母個單獨脈衝中吸收足夠的能量使基板材料局部溶化。 經發現，依照本發明的方法能夠生產在已處理的材丰 =僅有少量微裂縫的處理基板，故而能夠生產抗彎㈤ (bending strength )較高的處理元件。 ) 在本文+術。。基板是指在適當的脈衝式雷射 :會發生結構變化（熔化和再凝固硫a細））、# =義上的任何目標材料或材料組合。基板可實質上是均質 2〇ΓΓ_)的，也可包括多個由不同材料來形成的 區域或層。這些區域或層起初一 單獨的層或區域來實施處理，也 二個對-個 層或區域的介面來實施處理，=:的或=上的

S 8 201201287 ^83y»pif 本發明的更進一步的實施例及優點配合所附圖式作 詳細說明如下。 【實施方式】 圖1績示為實施本方法的一種方式。提供第一基板 28A (例如’玻螭基板）和第二基板28]B (例如，半導體 晶片），其中第一基板28A包含第一電性接觸端29A，第 一基板28B包含第二電性接觸端29]B。基板“A、28B相 互疊加而配置成堆疊（stack) 28，使得接觸端29A、29B 在其介面區相互對準。然後，使用雷射源2〇透過光學器件 22來產生脈衝式雷射束24，此脈衝式雷射束24透過基板 之一而聚焦在介面區上，以便在介面區產生多個連續且重 i的雷射誘導光斑。如圖2所示，此過程完成後，堆疊28 變成了熔融的堆疊28’ ’其中基板28A、28B在區域27處 完全熔融在一起，且不再有接觸端29A ' 29B。在接觸端 29A、29B所在的區域，接觸端已完全熔融在一起，以便 在基板之間提供電性連接區29。 圖3a繪示為一種微晶片，其包括基板32，此基板义 包括電子功能部件33和多個接觸端34。圖3b繪示為基板 31，其包括接觸端36，這些接觸端36是用來在堆疊時與 微晶片的接觸端34相匹配。圖夂繪示為堆疊組態下的微 晶片和基板以及使用本發明之方法而在各構件之間形成的 焊線37。此焊線與面對面而配置的接觸端31、34重疊， 也與這些接觸端外面的區域重疊，且在此情形下焊線形成 閉環（closed loop)。如此一來，可對微晶片的核心進行 201201287 ，封保護，以防止其受料界潮濕和在基板之間擴散 氣的影響。 圖3d繪示為一種包括基板3〇的多功能元件，此美板 3〇上利用本方法附著了多個功紐元件。值得注意的^， 並非所有的元件都必須含有兩種類型的熔融區（直接美板 炼融與電性接觸區）。例如，對潮濕敏感的感測器可^用 本方法來密封在較大的基板上並與此基板接觸，而顯示器 構件則只需密封在較大的基板上而不必與此基板接觸（^ =用方法來實施）。若無需密封，則只需實施電性 接觸。本發明的一個優點是，上述這 雷射照射方案，因此製造這種多功能元件變得g烟的 ，細地說，本發明尤錢合絲料玻璃基板及/或半 導肢基板（諸如矽）、技術玻璃（諸如石英）、熔箪、 =酸鹽、石灰朗、實料溫度膨脹係 、、 2例nrt化鍅）、LlTa。等以及上述材=的 i ,有用鉻、銅、金、銀、蝴化銦 錫（ITO)來形成的導電區。 可使用本方法來進行燁接的特別較 板1/導電材料1-導電材料2/基板2)是：// σ 土 玻璃/鉻-鉻/玻璃 玻璃/銅-銅/玻璃 玻璃/銅·銅/矽 玻璃/金-金/玻璃 玻璃/金-金/矽 201201287 玻璃/銀-銀/麥 玻璃/鉬-鉬/玻璃 玻璃/ITO-ITO/玻璃 雷射光通常能穿透玻璃基板。能夠被雷射脈衝穿透的 基板的厚度通常為ΙΟΟμιη〜500μιη。下基板的厚度無關緊 要’但是能夠進行成功處理的厚度至少為3〇〇μιη〜 ΙΟΟΟμηι。基板上的鑛金屬（metallizations)的厚度通常為 Ο.ΐμπι〜5μιη ’ 特別是 〇.ipm〜3μηι。 依照一貫施例，20 ps〜100 ps的脈寬以及脈衝頻率和 移動速度經調節以使得各脈衝明顯重疊，相鄰脈衝之間的 距離小於焦斑直徑的1/5。較佳的是，脈衝頻率至少為i MHz。經發現，在此參數範圍内，雷射功率的非線性吸收 和線性吸收會得到最有效的利用，因而其總吸收率高於習 知的方法。因此’由於先前脈衝的緣故，當後續脈衝到來 時，目標光斑仍然报熱，所以此材料局部不能透射所用的 波長，但起初具有很高的吸收率，即自由電荷載子（free eh=gecamers)數量很多。換言之，由於先前脈衝的緣故， 導帶（conduction band)中的電子數量很多，且此材料看 上去很像是對雷射輻射吸收率高的金屬靶材。在典型的應 用芴s焦斑直徑介於i^m〜的範圍内，致使脈衝 之間的最大典型距離介於nm〜2gm的範圍内。在早期 的PCT申請案第PCT/FI2009/050474號中對基板中發生的 物理現象進行了詳細的描述。 所述的處理方案的另一個優點是雷射光的低峰值功 11 201201287

JO =(通常小於1012 W/cm2)可得到利用，平均功率仍高於 S知方法的平均功率或至少與習知方法的平均功率相等。 如此來，母個單獨脈衝所引起的雷射誘導衝擊波後面都 會因後續脈衝前往此脈衝的碰撞區附近而產生很強的熱波 j thermal wave )。其好處在於，當附近的熔化效應較強時， 單獨脈衝所造成的局部裂縫會自動修復。因此，依照本發 明來進行處理而形成的結構改良區質地均勻，且具有高品 質。通常，所用的峰值功率為1〇i〇 w/cm2〜1(y2 w/cm2，° 特別是ΙΟ10 W/cm2〜5xl〇n W/cm2。這明顯小於飛秒脈衝 處理（femtosecond pulse processing )法或多光子吸收處理 (multiphoton absorption processing )法所需的峰值功率， 因此雷射誘.導缺陷的數量大大減少。 依照一實施例’脈衝頻率增大或移動速度減小，使得 相鄰的結構改良光斑之間的距離小於所述焦斑的直徑的 1/10 ’較佳的是小於所述焦斑的直徑的1/20〇這進一步增 強了基板中發生的線性吸收效應，且有助於得到更均質的 處理線。較佳的是，處理頻率至少是4MHz，也可高達2〇 MHz甚至更高。 與無鐘金屬的區域相比’在金屬化（metallized)的區 域中，金屬箔中的電子會導致線性吸收效應增強。那裡形 成電漿雲（plasma cloud)，電漿雲的電子不僅會增強金屬 化的區域的光吸收’也會增強該區域附近的玻璃基板或半 導體基板的光吸收。 通常，相鄰脈衝的重疊百分比的特點是公式(1 —(處理

S 12 201201287 夺間V焦斑直徑))。圖5a與圖5b繪示為 u + ^逮度且光斑直徑分別為2Km和6叫1時利用 二的㈣板各部位的脈衝數量相對於處理 …以上揭路的較佳的脈衝參數範圍可用來處理正 完全或局部透射所用波長的基板。這是因為實際 上材料中_質或晶格缺陷（lattiee defe : 電離（咖制程，進而啟動碰撞電離（Ltt ionization)制程。值得注意的是，在利用短脈衝（特別 f少級脈衝）來處理基板的過程中起著重要作用的所謂的 夕光子吸收並不會大量地發生，它甚至是不必要的。 依照一較佳實施例，所用的波長介於i〇工外線範圍 =’即0·75μιη〜1如。經證實，此範圍不僅適用於石夕的 處理’而且也剌於諸如藍寶石和石英等高帶隙（band gap)材料’這種南帶隙材料至少很難透過任何工業途徑用 習知的低頻及/或飛秒級處理方法來進行處理。 二 依’、、、只施例，使用非偏振（nonpolarized)雷射光。 這導致基板中的電磁場方向為任意方向，且使得此方法更 不會受到基板的晶格參數的影響。換言之，經發現， 振光對更多種類的基板有效。 圖6繪示為依照本發明對玻璃基板進行處理的微結構 的松剖面圖。f射從上方前往基板，且所示特徵的漸縮端 (tapered end)(參見箭頭）處已經開始了溶化制程。可 以看出的是’脈寬為20 ps或更大的脈衝在起始點處呈圓 13 201201287 JOJ^Oplf 形，這不同於短脈衝是亞皮秒（s 短脈衝的起始點是尖的，而且起始點附近的裂：t! ’ 還可以看㈣是，錢射軸的特_直徑彳^羊=致 =密度不足以進行多光子吸收，且接:: 部分線性吸收效應越強。 、按迎上面 會示為根據本發明而形成的介面的橫剖 =括，板熔融區72’在此基板溶融區”，基板完全 =在-起’以及電性連接區71A、71B，位於基板溶融 區的兩側’在此電性連接區71A、71B，導電金屬層（不 太清：）完全熔融在一起。可以看出的是，在基板熔融區 構改良練每個基板延伸了幾㈣，所⑽融很徹 f (岔封）。在此區域中’基板之間的連接可稱為“擴散式 深度接合’’（diffused deep bonding)。另一方面，在電性連 ，區71A、71B，含有金屬的層導致局部吸收雷射能量較 多’這使得結構改良的深度較小，即“表面接合，，（surface bonding) 〇 、依照一較佳實施例，所用的雷射源是光纖雷射源。光 纖雷射的優點在於它們能夠產生兆赫（megahertz)頻率範 圍内的光，如上所述，經發現，就處理速度和品質而言， 兆赫頻率範圍内的光是最有利的。本文中的光纖雷射是指 主動增益介質（active gain medium)為摻雜光纖的雷射。 此摻雜可利用諸如铒、镱、鉉、鏑、镨以及铥等稀土元素 來實施。 本發明的優點在於’因為不採用單獨的接觸步驟，所 201201287 ^δ^νδρίί 以焊接時處理速度很高。另外，焊縫很密封，且具有高品 質。 ' 本％明可用來焊接石夕晶體晶圓以及製造積體電路和 其他微型元件所用的其他半導體材料。這類晶圓包含藉由 〇者如摻雜（doping)、離子植入（i〇n impiantati〇n)、敍刻 (etching )、沈積（deposition )以及微影圖案化 (photolithographic patterning )等任何習知的微加工制程 來升>成在晶圓中及/或晶圓上的微電子元件和用來傳導電 子電流及/或電位至微電子元件的電子接線端。 用來（例如）製造顯示面板（例如，液晶顯示器（liquid crystal display，LCD)面板和(有機)發光二極體（（〇rganic) light-emitting diode，（O)LED )面板）的很薄的晶圓（例如， <200μηι，特別是< ΙΟΟμιη)具有特別的優點。然而，原 則上本發明可用來製造任何厚度的晶圓。 依照一實施例，本發明是用來焊接具有介面區的至少 兩個疊置層，此方法包括··使雷射脈衝聚焦在所述介面區 上，以便在介面區實現局部熔化；以及透過再凝固來將各 層焊接在一起。 圖1示意性地繪示了此焊接應用。在此方法中，雷射 源20和光學器件22是用來產生雷射光束24，且使此雷射 光束24聚焦在基板28的兩個單獨層28Α與28Β之間的介 面上。依照上述原理，在移動基板後，多個重疊脈衝便會 形成使層28A與層28B連接起來的焊縫％。 依照一貫例，基板包括兩個疊置的玻璃面板，這兩個 15 201201287f 疊置的玻璃面板在至少其中之一的邊緣區透過連續的接縫 而焊接在一起。因此’例如顯示面板或感光面板可使用本 方法來製造。圖4a與圖4b繪示為製造有機發光二極體 (organic liquid-emitting diode，OLED)顯示面板的一實 例。面板48包括：基底層48A，其包括含有單獨發光單元 陣列（array)的主動層49 ;以及前玻璃層48B。起初，層 48A與層48B相互疊置在一起，使得需要密封保護的主動 層49留在兩者之間。然後，使用本發明在整個主動層周圍 形成焊縫46。較佳的是，此焊縫是無破損的（連續的）。 如此一來，可以為主動層形成一個有效的屏障以阻擋灰塵 和潮濕，同時將此面板的各層有效地附著在一起，而無需 任何額外的元件（諸如黏合劑）。由於頻繁發送脈衝=及 玻璃層7C全熔化和再凝固，所以焊縫的不可滲透性很強。 較佳的是’如上所述，面板48A、伽可同時實施電性接 觸0 圖4C與圖4d緣示為實施基板焊接的兩種備選方法 詳圖。在圖4e所示之過程巾’朗層48a與玻璃層^ 在介面區處相互分隔開’且在兩者之間直接形成焊 八。日在® 4d _之過財，麵層似與玻璃層# 之間提供額外的橋接層（bHdging hye〇 47。此橋接層‘ 2Ϊ之間^ _減小’ ^確保各層平等競爭。如此一來 伽之間形成焊縫46Β。橋接層47可· 疋來^ίΐ以在兩個基板上都形成橋接金屬層，如j 一來，知接包括將這些金屬層熔融在一起。 16 201201287 除了製造顯示面板外’在既需要密封又需要電性接觸 的應用場合，也可使贱焊接方法総齡何其他可用雷 射來嬋接的元件和基板。例如’在將微型感測器及其他^ 型兀件接合在基板上時，在晶圓級封I (paekaging)、$ 度敏感性元件封裝、光學元件的整合（integmti()n)以及= 型流動（microfluidistic)元件的整合等應用場合中，都合 有這種需求。 上述所揭露的實施例、實例及所附圖式揭露是用以作 ，闡述的目的，然其並非用以限定本發明。本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準，後附之申請 專利範圍將闡述其全面性的廣度，且包括等 。 【圖式簡單說明】 ㈣ 圖1繪不為賴本發明之—實關的焊接過㈣側視圖。 圖2、’’曰不為按照圖i所示之過程而形成的焊接產品的側視 圖。 圖3a〜圖3c繪示為依照本發明的a)微型電路、b)玻璃基 板以^包姆融並電性連接的元件a)和元件b)的構件的^ 電子模組的俯視圖和側視圖。 ，3d繪^為使用本發明來製造❹功能電子模組的俯視 圖。 ^ 4 a〜圖4 d繪示為依照本發明之—實施例的—種（有機） 卷光二極體顯示面板的焊接。 if與圖5b繪示為針對兩種不同的焦斑直徑，各部位的 苗射脈衝相對於頻率的函數關係圖。 17 201201287f 圖6繪示為依照本發明來對玻璃基板進行處理的微型結構 的橫剖面圖。 圖7繪示為根據本發明而形成的介面的橫剖面圖。 【主要元件符號說明】 20 :雷射源 22 :光學器件 24 :雷射束 26、46、46A、46B :焊縫 27 :區域 28、 28’ ：堆疊 28A、28B、30、31、32 :基板 29、 71A、71B :電性連接區 29A、29B、34、36 :接觸端 33 :電子功能部件 37 :焊線 47 :橋接層 48 :面板 48A :基底層 48B :前玻璃層 49 :主動層 7 2 ·基板炫融區

S 18

Claims (1)

1. 201201287. >J〇jy〇 pif 七、申請專利範圍： 1· -種使第-絕緣基板（28A)與至少〆個第二絕緣基板 U8B)溶融且電性接觸的方法，其中所述第—絕緣基板 (28A)上具有至少—層第—導電層⑵a)，所述至少一 個第二絕緣基板（28B)上具有至少〆層第二導電層 (29B) ’所述方法包括： 將戶^述第一絕緣基板（28A)與所述第二絕緣基板（28B) 堆量在一起，而在其間之間形成介面區，所述介面區包括： 電性接觸區，在所述電性接觸區，所述至少一層第一導電 層（29A)正對著且至少局部對準所述至少一層第二導電 層（29B);以及 基板熔融區，在所述基板熔融區，所述第一絕緣基板（28A) 與所述第二絕緣基板（28B)直接面對面地配置； 使來自雷射源（20)的多個連續的聚焦雷射脈衝透過所述 第一絕緣基板（28A)與所述第二絕緣基板（28B)之一而 聚焦在所述第一絕緣基板（28A)與所述第二絕緣基板 (28B)的所述介面區上，所述雷射光的脈衝持續時間、 脈衝頻率以及脈衝功率經選擇以使得所述第一絕緣基板 (28A)與所述第二絕緣基板（28B)的材料和所述第一導 電層（29A)與所述第二導電層（29B)局部熔化；以及 使所述雷射源（20)和所述基板以預定的速度和路線而相 對移動，以形成結構改良區到所述介面區，所述結構改良 區與所述電性接觸區、所述基板熔融區重叠。 2.如申凊專利範圍第1項所述之使第一絕緣基板（28A) 19 201201287 ^oj^opif 與至少一個第二絕緣基板（28B)熔融且電性接觸的方法， 其中所述結構改良區包括連續且密封的焊縫。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之使第一絕緣基板 (28A)與至少一個第二絕緣基板（28B)熔融且電性接觸 的方法，其中所述脈衝式雷射光的路線形成閉環，較佳的 是環繞著所述第一絕緣基板（28A)與所述第二絕緣基板 (28B)之一所包含的對潮濕或氧氣敏感的構件。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之使第一 絕緣基板（28A)與至少一個第二絕緣基板（28B)熔融且 電性接觸的方法，其中所述第一絕緣基板（28A)與所述 第二絕緣基板（28B)的至少其中之一包括含有多個像所 述第一導電層（29A)與所述第二導電層（29B) 一樣的接 觸端的微晶片或顯示面板。 5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之使第一 絕緣基板（28A)與至少一個第二絕緣基板（28B)熔融且 電性接觸的方法，其中所述第一絕緣基板（28A)與所述 第二絕緣基板（28B)的至少其中之一包括玻璃面板。 6. 如申請專利範圍第5項所述之使第一絕緣基板（28A) 與至少一個第二絕緣基板（2 8 B )熔融且電性接觸的方法， 包括將所述雷射光透過所述玻璃面板而聚焦在所述介面區 上。 7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之使第一 絕緣基板（28A)與至少一個第二絕緣基板（28B)熔融且 電性接觸的方法，其中所述第一絕緣基板（28A)與所述 S 20 201201287. =絕，板（28B)的至少其中之_包括额晶片，所 述第一接觸層構成所述矽微晶片的所述接觸端。 8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任—項所述 絕緣基板（28A)與至少一個第二絕緣基板（28B)熔融且 電性接觸的方法，其中所述第一絕緣基板（28a)與二述 第二絕緣基板（28B)在所述基板熔融區局部完全熔融在 起而升》成所述結構改良區，且所述第一導電層（29a ) 與所述第二導電層（29B)在所述電性接觸區局胃部完全熔 融在一起而形成所述結構改良區。 9. 如申請專利範圍第！項至第8項中任一項所述之使第一 絕緣基板（28A)與至少一個第二絕緣基板（28B)熔融且 電性接觸的方法，其中 所述脈衝持續時間為20 ps〜100ps， 所述脈衝頻率為至少1 MHz，特別是至少4MHz，且 所述脈衝式雷射的所述移動速度經調節以使得相鄰的脈衝 相互重疊。 ίο.如申請專利範圍第9項所述之使第一絕緣基板（28a) 與至少一個第二絕緣基板（28B )熔融且電性接觸的方法， 其中相鄰脈衝之間的距離小於所述脈衝的焦斑直徑的 1/5 ’特別是小於所述脈衝的焦斑直徑的1/10，較佳的是小 於所述脈衝的焦斑直徑的1/20。 U•如上述申請專利範圍任意項所述之使第一絕緣基板 (28A)與至少一個第二絕緣基板（28B)溶融且電性接觸 的方法’其中所述第一導電層（29A)與所述第二導電層 21 201201287 JOJyopif (29B)的厚度小於 1 μηι ° 12. -種電子模組’其包括第一基板（28α)與第二基板 28Β) ’所述第一基板（28Α)包括塗敷於其上的多個第 一導電區（29Α)的一層圖案，所述第二基板（28Β)包括 k敷於其上的多個第二導電區（29β)的—層圖案，且其 ▲中所述第-基板（28Α)與所述第二基板（施）呈堆疊組 態，而在其間之間形成介面區，所述介面區包括： 電性接觸區，在所述電性接觸區，至少―個所述第一導電 區（29Α)正對著且至少局部對準至少一個所述第二 區（29Β); 基板炫融區，在所述基板關區，所賴絲板（28α、 28Β)直接面對面地配置；以及 連續的焊線’經過所親融區和所述電性接觸區，所述焊 線包括.基板（28Α、28Β)材料，在所述基板獅區局部 炫融在-起’·以及所述第_導電區（29Α)與所述第二導 電區（29Β)，在所述電性接觸區局部溶融在一起。 13.如申請專利範圍第12項所述之電子模組，其中 所述第一基板（28Α)是玻璃基板，且 所述第二基板（28Β)是微晶片。 1:如申#專利圍第12項或第13項所述之電子模组， :中連續的所述焊線既在所述第—基板（28Α)與所述第 -基板（28Β)之間形成密封又在所述第—基板（28α)與 所述第二基板（28Β)之間形成電性連接。 ’、 S 22