TW201201219A - Sensing circuit for memory cell with low supply power - Google Patents

Description

201201219 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係揭露一種感測電路，尤指一種用於低供應電壓記憶體 單元的感測電路。 【先前技術】 在傳統的記憶體單元中’其所儲存之位元可被編寫(Pr〇grammed) 或消去(Erased)，因此記憶體單^可絲連續儲存複數個不同的位 疋。心it體單元具有-寫人狀態(PrcgramState)與—抹除狀態(Ε· State) ’其巾該寫人狀態肖來編寫位元於觀巾，@該抹除 狀態則用來消去該記憶體單元所儲存之位元。在該寫人狀態下，記 憶體單元的輸出電流強度會縣，反觀在該抹除狀訂，記憶體單 憶!^出電強度會變低，且該記‘隨單元的輸出電流強度與該記 正確本身的跨壓大小侧。為了在以狀態與抹除狀態下皆可 之輪鐘單元所儲存之蚊…種專門域觀憶體單元 入狀態與：：轉-城路係用來輔助職^ 開關第1圖’其為—種一般之開關式電路ω的示意圖，其中 第1圖所示^關來^識記憶體單元處於寫入狀態或是抹除狀態。如 第二P型金：=1〇Hp型金氧半電晶體P1、- 虱牛電曰日體P2、一保險絲(Fuse)12、以及一 _金氧半 201201219

電晶體m。储保險絲12之一第一端與第_ p型金氧半電晶糾 之:即點A1連接於記憶體單元之輸出端，以用來感測記憶 ，早几之輸出電流並辨識記憶體單元目前正處於寫人狀態或抹除狀 二、’為了簡略圖示’記憶體單元並未圖示於第丨圖。當記憶體單元 在抹除作日12會被咖咖—㈣，使 :N型金氧半電晶體m被開啟’且第二p型金氧半電晶體打會 =關閉；此時’位於第—N型金氧半電晶體川之雜的輸出賴 V⑽會處於低電位蛛出目航㈣單元在抹雜態下運作的情 况保險絲12可具有其本身的電阻。當記憶體單元將從抹除狀態轉 至寫入狀S下運作時，紐絲12會被娜(shGrt_d⑽ited)，使ς第 一 ν型金氧半電晶體川會被關閉，且第二ρ型金氧半電晶體打 :被開啟；此時，輸出賴伽會處於高電仙赫峨體單元目 刖正在寫入狀態下運作的情況。 假設第二p型金氧半電晶體P2具有-臨界電壓Vthp，則當保 險絲12在抹除狀態下被短紅記㈣單元將要㈣除狀態轉至寫 入狀態時’位於節點A1的電位必須低於_-乂_，以開啟第二^ 型金氧半電晶體P2 ’其中為一供應電壓。對於一般的記憶體單 兀來5兒，在即點A1得到上述低於(Vdd-Vthp)的電位並不難，然而對 於規格極小的各觀缝單元來說，供應電壓的f位會被大幅 降低而使得位於節點A1的電位難以低於(vdd_vthp)時，第二p 型金氧半電晶體P2會無法被開啟，並連較得記憶體單元無法順利 由抹除狀H轉至寫人狀態而無法正確的運作。換句話說，當設計記 201201219 憶體單元時，供應電壓Vdd的電位規格會面臨其下限的限制， 點對於s己憶體單元在縮小規格的設計上也相當的不利。 請參閱第2圖，其為用來辨識記憶體單元之寫入狀態 態的-般簡式電路20的示意圖。如第2_示，開關式電路^ 包含-第二N型金氧半電晶體犯、一第三？型金氧半電晶體朽、 一第三N型金氧半電晶體N3、以及一保險絲22。與第}圖所示之 開關式電路10類似，位於保險絲22之一第一端與第二N型金氧半 電晶體N2之間的_ A2_接連接料丨_叙記龍單元的 輸出端，且該記憶體單元亦未圖示於第2圖。在記憶體單元運作於 寫入狀態時，保險絲22會被短路，使得節點A2處於高電位，且第 三P型金氧半電晶體P3會被關閉’第三_金氧半電晶體犯會 被開啟；如此-來’輸出電壓VQUt會處於低電位以指出目前記憶體 单兀在寫入狀態下運作的情況。接著，當記憶體單元欲脫離寫入狀 態而進入細鳩時，保險絲22會被開路，使得_ Μ處於低電 位且第二卩型金氧半電晶體PS會被開啟，而第三^型金氧半電籲 晶體奶會被關閉。第三_金氧半電晶體的臨界碰在此被假設 為Vthn。_ ’當在抹除狀態下’故憶體單元將要脫離抹除狀態 進入寫入狀i、日f保險絲22會被短路，而節點Μ之電位將會高 於臨界電壓Vthn關啟第^型金財f晶體ns;細，若供應 電壓Vdd的電位因為較小規格的記憶體單元而過低，節點則電 位可能會稍高而無法開啟第^型錄钱晶體犯，而造成記 憶體單元讀絲雜寫人㈣叹从__紐。 . 201201219 【發明内容】 本發明揭露一種用於低供應電壓g己憶體單元的感測電路。該感 測電路包含-感測模組、-反向器、及-參考電晶體。該感測模組 包含-第-p型金氧半電晶體及-第-N型金氧半電晶體。該第一 P型4氧半電晶體之閘極連接於一記憶體單元，以接收該記憶體單 凡之-輸Λ電流。該第_ N型金氧半f晶體之祕係連接於該第一 P型金乳半電晶體之汲極，且該第’型錄半電晶體之源極係接 地。該反向器之一輸入端係連接於該第一Na 極。該參考電晶體之閑極係連接於一參考訊號，=參電;=之 及極係連接_第-P型金氧半f晶體之_ ^於飯向器之一 輸出端的-賴侧來指示該記㈣單元之—寫續態(卩哪腿 ’或-抹除狀態(Erase 一。流經該第一 N型金氧半電晶體之 來與流經該第-P型金氧半電晶體之—電流比較。流經 Z電晶體之一電流係用來與該記憶體單元所產生之一電流比 電路峨繼娜輸。該感測 及-第二P型金氧半電日型金氧半電晶體、 接於—啡 __ 卩型金氧半電晶叙閘極係連 一 p型金體型錢半㈣體之祕係連接於該第 +電日曰體之源極，且該第一 Ν型金氧半電晶體之源極係 7 201201219 連接於該第，金氧半 雜。該參考電晶體之陶連接於一^==^一供應 第一 p型金氧半電晶體之閘極。該第二級電路包 3 一反的。姐向器之—輸人端係連接於該第—p型金氧 ，之二位於該反向器之一輸出端的一電壓係用來指示該記憶體 早70之一寫入狀態或一抹除狀態。 【實施方式】 為使較小規格且需要在低供應電麼下運作的記憶體單元可以準 =的切換寫人狀態與抹除狀態，而使得寫人狀態與抹除狀態可被正 的辨識，本發明揭露一種用於低供應電壓記憶體單元的感測電 、使知低供應電壓雜體單元可準翻在寫人狀態與抹除狀態 之間切拖。 ^閱第3圖’其為本發明之第一實施例所揭露之一感測電路 3〇的不捕。如第3 0所示，制電路包含—放大級電路則、 反向器INV、-參考電晶體MR£F、一重置電晶體腦、一充電 電晶體34G、及-讀取致能電路·。參考電晶體mref為一 N型 ，氧半電晶體，重置電晶體 4-N型金氧半電晶體，且充電電 曰體340 A P型金氧半電晶體。感測電路連接於一記憶體單元 %0 ’以感測記憶體單元之一輸出電流_的電流強度，其中 。己憶體單το 390係以—電壓Vcp來供冑。放大級電路31〇包含一第 201201219 一p型錄钱日日日體刪、ϋ型錢半電晶體丽、一第 ^型金氧半電晶體MPmP型錢彻日體靜第一 里金乳+電晶體刪之汲極連接於第一 N型金氧半晶體之沒極 順。第- p型金氧半電晶體聰之源極連接於第二？型金氧半 電晶體MP2之沒極與第二p型金氧半電晶體_之_。第一 n 型金氧半電晶體刪之源極接地，且第—N型金氧半電晶體画 之閘極連接於-參考訊號NBIAS，其中參考訊號脑^是由一未 圖不於第3圖之參考電路所產生。供應電壓、連接於第二p型金 氧半電晶體MP2之源極與第三p型金氧半電晶體_之源極。參 考電晶體MREF之閘極連接於一參考訊號Mrr，其中參考訊號 MRR是料圖圖之鱗考電路所產生。參考電晶體二卿 之源極接地，且參考電晶體MREF之沒極連接於第—p型金氧半電 晶體刪之閘極。4置電晶體之閘極連接於一重置訊號胚， 重置電晶體RES之源極接地，且重置電晶體卿之沒極連接於第 - P型金氧半電晶體MP1之閘極。位於第一 p型金氧半電晶體刪 之閘極的節點在此被標記為VSA。反向器 p型金氧半電晶體之汲極，且反二 金氧半電晶體之閘極。第三p型金氧半電晶體刪之閘極連接於一 訊號ENRE。充電電晶體钱極連接於第—p型金氧半電晶體 ΜΠ之沒極，充電電晶體34〇之間極連接於一訊號zr£，且充曰^電 晶體之源極連接於供應_ Vep。讀取致能電路包含—N型金 氧半電晶體362與- P型金氧半電晶體36顿型金氧半電晶體淑 與P型金氧半電晶體364的汲極皆連接於記憶體單元·。n型金 201201219 乳+電晶體362之源極與P型錢半電晶體施找極皆 一 P型金氧半電晶體MP1之閘極^型金氧半電晶體如= 接於-訊號麵，且P型金氧半電晶體祕之閉極連接於， 厕SA。訊號麵㈣NSA彼此係電位相反，且訊號肪與= 彼此亦電位相反。第3圖所示之電壓Vss用來表示接地端。記憶體 早凡390之輸出端電壓在此被標記為DLu。 “ $憶體單元所包含之各元件的運作方式練述如下。當記 憶體單元39G在寫人狀態或抹除狀態下運作時，讀取致能電路細 用來致能記憶體單it 390的位元讀取操t在大部份的情況下，n 型金氧半電晶體362與P型金氧半電晶體364會同時被訊號ensa 與ZENSA開啟或關’且當記,_單元觸存之—位元被讀 取時’ N型金氧半電晶體362與p型金氧半電晶體354會被開啟， 換言之’峨ENSA縣-讀賴能域^參考電晶體MR£f用來 提供一參考電流Iref以將參考電流Iref與記憶體單元39〇的輸出電 流lout比較。請注意，參考電流Iref的電流強度會隨著參考訊號 MRR的訊麵度魏。重置記，隨腿帛來在記紐私被 讀取時重置輕DLU之，此個電壓DLU的殘㈣荷

Charge)會影響到記憶體單元39〇在寫入狀態與抹除狀態兩者之間的 轉態。 當訊號RE處於高電位時，重置電晶體扯8會被開啟，而將電 壓VSA與DLU的電位皆降至接地。第一 p型金氧半電晶體Μρι 201201219 此時以主要放大級(Primary A_fier Stage)的方式運作而將電壓 VSA當作其輸人電壓。第—p型金氧半電日日日體Μρι之電流強度與 電壓VSA的電位高度相關，此係為第—p型金氧半電晶體刪的 閘極至汲極龍差所造成。第—金氧半電晶體順此時以一 固定電流源的方歧作，剌進第3圖卿之電流imni ;其中參考 Λ唬NBIAS亦在德體單兀勘被啟動以讀取其儲存之位元時用來 當作-讀取訊號。請注意，位於第一 ρ型金氧半電晶體之沒極的節 點在此被標記為ZD，因此節點ZD所在之電塵亦標記為VzD;因此， 第-N型錢半電晶體酬亦提供了將賴^純接地的路 徑。充電電晶體340用來在訊號ZRE處於低電位時(亦即當訊號证 處於局電位而將執行電位重置時)對電麼Vzd充電。位於反向器腑 ，輸出端的節點在此被標記為D，因此位於節點d的電壓被標記為 D。電壓第二P型金氧半電晶體Mp2之閘極以反饋(細⑽） 關方式被饋人|第—P型金氧半電晶體贿此咖來當作一開 關，以決定電壓Vd是否可以反饋之方式被送達至第-P型金氧半 2體刪之源極。當第—P型金氧半電晶體_、反向器腑、 型金氧半電晶體MP2之間形成通路之迴路時，位於第三ρ 晶體MP3之訊號職會處於高電位。訊號臓用 - P型金乳半電晶體MP2被關閉時，藉由關閉第三ρ型金 體MP3來防止電壓Vcp到達第—p型金氧半電晶體順， 乂防止電壓Vcp多餘的功率消耗。 請參閱第4圖，其為第3圖中電壓〜與電流M之間電流/ 201201219 電壓關係曲線(I-VCurve)示意圖。第4圖圖示有寫入狀態下第一 p 型金氧半電晶體MP1的電流/電壓關係曲線、抹除狀態不第一 p型 金氧半電晶體MP1的電流/電壓關係曲線、及第一 n型金氧半電晶 體MN1的電流/電壓關係曲線。因為記憶體單元39〇會在寫入狀態 下輸出較高強度的電流lout，且電流lout的強度高於參考電晶體 MREF之參考電流iref的強度，比較電流I〇ut與參考電流kef後會 使電壓VSA會處於南電位；如第4圖所示，第一 p型金氧半電晶 體MP1會帶來低於電流1〇1111強度之電流，而使得電壓的電位 降低。同理，如第4圖所示，由於記憶體單元39〇在抹除狀態下輸 出的電流lout強度較小，使得電壓VSA的電位會被降低，第一 p 型金氧半電晶體MP1會產生較電流Imnl強度為高的電流，且電壓 VZD的電位會提高。觀察第4圖可知，第一 N型金氧半電晶體蘭 之電流/電制制線的有效運作翻是根據第—N型金氧半電晶 體MN1在寫人狀態及抹除狀態的兩條不同曲線之交點所決定。 第3圖所不之感測電路的詳細運作方式將根據第34、$圖之 圖示來詳述如p請參閱第5圖，其為第3圖所示部份訊號的波形 不意圖。

當在抹除狀態的開始，用來致能記憶體單元390之讀取操作的 訊號ZENSA處於鱗叫訊細纽於S f仙f置賴VSA 與DLU。峨會由高電辦至—穩定粒，故生參考電产 在此同日夺，訊號咖會處於低電位以事先將電 ; 12 201201219 回電位。在重置程序結束後’因為當記憶體單元39〇運作於抹除狀 態會產生較低強度的輸出電流Iout，使得電壓VSA之電位會微幅上 升’並使得第-p型金氧半電晶體刪的電流強度會高過電流㈣ 的電流強度，且電壓VzD會被維持在高電位。如同之前所述，第一 N型金氧半電晶體麵會以―固定電流_方式輸出電流【咖】。 因為重置&序此時已完成’訊號ZRE會處於高電位以關充電電晶 體340。藉由反向器iNv之運作，因為電壓&之電位在抹除狀態 鲁下是高電位，位於節點D的電壓Vd會對應的處於低電位，以指示 記憶體單元390目前在抹除狀態下運作的狀況。第型金氧半電 晶體MP2會被低電位的電壓Vd開啟，使得供應電壓、可在記憶 體單元390的讀取程序完成前持續的對電壓Vzd充電。 如第5圖所示，當記憶體單元39〇的讀取程序完成時，參考訊 號NBIAS會轉為低電位以關閉第一 p型金氧半電晶體Mp卜第二p 型金氧半電晶體MP2、及反向器INV所形成之通路迴圈，其中反向 鲁器會被訊號ENSA所控制’直到記憶體單元39〇的讀取程序再 •入被Fd啟且sfl?虎RE轉為兩電位為止。在重置程序中，訊號证會再 次被轉為高電位以清空電壓VS A與DLU因為寄生電荷所產生的殘 餘電彳sj·，除此以外，訊號ZRE也會再次被轉至低電位以將電壓Vzd 之電位充電至接近電壓Vcp的程度。在重置程序完成後，且當記憶 體單元390轉為在寫入狀態下運作時，因為此時輸出電流I〇ut之電 流強度會高於其在抹除狀態下的電流強度，電壓VSA之電位也會被 - 提咼。此時’若訊號ENRE之電位被設定至接近電壓vq>時，第一 13 201201219 &金氧半電阳體MP1的電流強度會小於電流imni的電流強度， 使得電壓vZD之電位會接近電壓Vss，亦即接近接地電位。充電電 晶體340在重置程序完成後會被關閉，使得電壓VZD之電位會經由 第N型金氧半電晶體_〗而降低。同理，電壓此時會處於高 電位，以指示目前記憶體單元39〇在寫入狀態下運作的狀況，且第 - P型金氧半電晶體MP2會被關閉以節省寫人狀態下的功率消耗。 °月注意，第二p型金氧半電晶體MP3在感測電路中係為一 可選擇是錢置之元件。職ENRE亦可性的被設定其電位高 低。當訊號ENRE處於高電位時，第三!>型金氧半電晶體·3會 被關閉’以節省寫入狀態下的功率消耗❶當訊號腿^處於低電位 時’第二1>型錄半電晶體MP3倾開啟崎續提供電流給p 型金乳半電晶體MP1 ’使得包含第—p型金氧半電晶體Mp卜反向 器請、及第二p型金氧半電⑽赠之迴路此時無法產生通路。 請參閱第6圖’感測電路4〇包含一第一級電路、一第二級 電路42G、參考電晶體MREF、重置電晶體^、ν型金氧半電晶 體362、及ρ型金氧半電晶體364。第一級電路包含第一 ρ型 金氧半電晶體刪、第-Ν型金氧半電晶體刪、及一第二ρ型 金氧半電晶體化。第二級電路.包含一第二_金氧半電晶體 424、一第三Ν型金氧半電晶體 仍乐一·^型金軋+電晶體422、 。器INV。感測電路4〇用來感測記憶體單元之輸占 _以辨識記憶體單元,處於寫入狀態或抹除狀態、。感測電路I) 201201219 中元件組合與第3圖所示感測電路3g重複的部分，在此不多贊述。 在第.及電路彻中，第—N型金氧半電晶體丽1之間極連接於 一重置訊號肥；位於第一p型金氧半電晶體刪之沒極的節點 ZD具有-電壓VzD;第二p型金氧半電晶體化之閘極連接於一控 制訊號ZENRE，其中控制訊號ZE咖係為對訊號肥及麵a 進行邏輯或(L〇gicOR)運算所產生。第二p型金氧半電晶細之 及極連接於第- P型金氧半電晶體Μρι之源極，第二p型金氧半 鲁電晶體4U之源極連接於供應電壓、。在第二級電路中，第 三P型金氧半電晶體422之源極連接於供應電壓Vcp，第三p型金 氧半電晶體422之沒極連接於第一 ”金氧半電晶體刪之沒極盥 反向器猜之輸入端，第三P型金氧半電晶體422之閉極連接於反 向器INV之輸出端。第二：^型金氧半電晶體似之沒極連接於第三 P型金氧半電晶體422之祕，且第二㈣金氧半電晶體424之問 極連接於反向器INV之輸出端。第三_金氧半電晶體426之祕 連接於第二N型金氧半電晶體424之源極，第三Μ金氧半電晶體 » 426之閘極連接於反向器INV之輸出端，料三Ν型金氧半電晶體 426之源極連接於電壓Vss，亦即連接於接地端。位於第三ρ型金 氧半電晶體422之閘極的節點被標記為D，因此位於節點D的電壓 被標記為VD，其巾f壓VD係代錢測電路4G的触喊，並用來 指示記憶體單元390在寫入狀態或抹除狀態下運作的狀況。 感測電路40的詳細運作方式係描述如下。請參閱第7圖，其為 • 第6圖中部份訊號的波形示意圖。訊號RE用來重置電壓Vsa。訊 201201219 ===^4。2_程序包含_階段， 只弟7圖中訊號RE與Μ 期所示，當感測電路40進行重署+ 的工作周 罝狴序時，在第一階段，重置雷曰赠 RES會被重置訊號RE所開啟而重 置電曰曰體 因為電壓Vsa被重置至穩定的低 sa之位，在第二階段， 能而p料m日 且控制訊號ZENRE會被致 =關：一，半電晶體412，使得電 其中訊號RE2與ZENSA其中夕 ▲ 1 ^ ' <一在該重置程序中處於高電位，且 被致能的重置訊號RE2會開啟笛 χτ 一 做第—Μ金氧半f日日日體ΜΝ1以重置 電壓VZD之電位。如此一來，雷厭 /舌# ZD之電位或殘餘電荷可被確保 在重置程序中完全的清空，且雷懕 塾Vsa之電位亦可在重置程序結束 則被確保其敎祕。再者，藉由控觀號厕RE鮮二P型金 乳+電晶體4丨2’感測電路4〇在重置程序中的神絲可被 低。 田戏體單7C 390在抹除狀態下運作時，記憶體單元，的輸 出電流強度會小於參考電流Iref的電流強度，因此電壓*會處於 低電位使知第P型金氧半電晶體刚之電流強度亦變大。因為 流經第-p型金氧半電晶體MP1的電流Ι(Μρι)強度會高於參考電 流Μ的電流強度，因此電壓VzD之電位會變高。此時，因為電壓 VZD處於高電位，❹顺4G的料健Vd會處於㈣位，以指 示目前記㈣單錢0正在抹除崎下運作的狀況。最後，因為輸 出電壓VD處於低電位，第二N型金氧半電晶體424與第三N型金 氧半電晶體426會被關閉，且第三!>型金氧半電晶體422會被開啟， 16 201201219 以維持輸出電壓vD的低電位。 當記憶體單元390運作於寫入狀態時，輪出電流1〇讲的強度會 高於參考電流Iref的電流強度，使得電壓Vsa處於高電位。第一 p 型金氧半電晶體MP1的電流強度會因為高電位的電壓Vsa而降低。 電壓vZD的電位會因為電流I(MP丨)之強度小於電流Iref2的強度而 轉為低電位。此時，因為電壓VzD處於低電位，感測電路4〇的輸出 鲁電壓VD會轉為高電位以指示記憶體單元390運作於寫入狀態下的 狀況。如此一來，因為電壓Vd處於高電位，第二N型金氧半電晶 體424與第二n型金氧半電晶體426會被開啟，以穩定的提供第6 圖所示參考電流Iref2,且第三p型金氧半電晶體奶會被關閉以維 持電壓VD的高電位。 藉由本發明上述所揭露之各實關，在需要辨識記麵單元運 • ^於寫入狀態或是抹除狀態時，僅需偵測記憶體單元的輸出電流即 ° 士此來本發明揭露之各感測電路並不會如先前技術所述面 臨所使用電晶體之電壓差不足的問題。換句話說，本發明所揭露之 各感測電路亦可在正確的辨識寫入狀態與抹除狀態的前提下應用於 ，ί、應電壓5己憶體單心再者，感測電路3()之設計可在寫入狀態下 郎省功率消耗，而感測電路4〇之設計可藉由重置某些節點之電壓以 辨硪寫入狀態與抹除狀態時達到節省功率消耗的目的。 ' Μ上所述料本發明之較佳實關，凡依本發日种料利範圍 17 201201219 所做之均等變化與修飾，皆麟本發明之涵蓋範圍 【圖式簡單說明】 第 第 1圖為一種一般之開關式電路的示意圖。 一般開關式 2圖為用來辨識記憶體單元之寫碌態與抹除狀態的 電路的示意圖。 第3圖為本發明之第一實施例所揭露之感測電路的示意圖。 第4圖為第3圖中電壓VzD與電流Iml之間電流/電壓關係曲線 意圖 之示 第5圖為第3圖所示部份訊號的波形示意圖。 第6圖為本發明之第二實施例所揭露之感測電路的示意圖。 第7圖為第6圖中部份訊號的波形示意圖。 【主要元件符號說明】 10、20 開關式電路 P卜P2、P3、MP卜MP2、MP3、P型金氧半電晶體 364、412、422 12、22

Nl ' N2 ' N3 ' MN1 ' 362 426 30、40 310

INV 保險絲 424、N型金氧半電晶體 感測電路 放大級電路 反向器 201201219 MREF 參考電晶體 RES 重置電晶體 340 充電電晶體 360 讀取致能電路 390 記憶體單元 410 第一級電路 420 第二級電路 19

Claims (1)

1. 201201219 七、申請專利範圍：

   一種用於低供應錢記憶體單元的感測電路 一感測模組，包含： 包含： 第-=型錢半電晶體，其·連接於—記髓單元， 以接收該記憶體單元之一輸出電流；及 第"一 N型金氧半電晶體，其祕係連接於該第—P坦金 氧半電晶體之沒極，且該第—N型金氧半電晶體之源 極係接地； 反向器’其-輸人端係連接於該第—N型金氧半電晶體之沒 極；及 八閘極係連接於—參考訊號，且該參考電晶體 一參考電晶體， 之沒極係連接於該第一p型金氧半電晶體之問極； 其中位於該反向ϋ之-輸_的—賴翻來指喊記憶體單 元之-寫入狀態(Program state)或一抹除狀態(Erase s加e); 其中流㈣第_N型錢钱Μ之—f流個來與流經該第 一P型金氧半電晶體之一電流比較； 其中流經該參考電_之1流_來與該記㈣單元所產生 之一電流比較。 2·如請求項1所述之感測電路，另包含： 一第二P型金氧半電晶體，其祕係連接於該第—㈣金氧半 電晶體之源極’ 5亥第二卩型金氧半電晶體之閘極係連接於 201201219 該反向器之該輸出端，且該第二p型金氧半電晶體之源極 係連接於一供應電壓。 3. 如請求項2所述之感測電路，另包含： 一第二P型金氧半電晶體，其汲極係連接於該第二P型金氧半 電晶體之難’該第三P型金氧半電晶體之閘極係連接於 一可選擇訊號(Optional Signal)，且該第三p型金氧半電晶 ^ 體之源極係連接於該供應電壓； 其中》亥可選擇訊號係用來在讀取處於該寫入狀態之該記憶體單 元時’打開一迴授路徑(Feedback Loop)。 4. 如凊求項2所述之感測電路，另包含： 一重置電晶體，其閘極係連接於__重置訊號，該重置電晶體之 及極係連接於該第一p型金氧半電晶體之閘極，且該重置 電晶體之源極係接地；及 • —充電電晶體，其源極係連接於該供應電壓，該充電電晶體之 閘極係連接於一反向重置訊號，且該充電電晶體之汲極 係連接於該第一P型金氧半電晶體之沒極； 其中該參考電晶體之源極係接地； 其中该反向重置訊魏代表該重置峨之反向電位； 其中4重置訊號係用來控制該重置電晶體，以重置該第一卩型 金氣半電晶體之閘極的電位； 纟中該參考訊號係用來控制流經該參考電晶體之一電流的強 21 201201219 度 體，且 中^向f訊綱來控制該充電電晶體，以在該第-p ^金氣半電晶體之閘極的電位被該重置訊號所重置時對該 第一P型金氧半電晶體之沒極的電仇進行充電；及 其中該參考《體與該重置電晶體型金氧半電晶 該充電電晶體係為p型金氧半電晶體。 5.如請求項2所述之感測電路，另包含： 一第二N型金氧半電晶體，其閘極係連接於—讀取致能訊號，籲 »亥第一 N型金氧半電晶體之沒極係連接於該記憶體單元， 且該第二N型金氧半電晶體之源極係連接於該第- P型金 氧半電晶體之閘極；及 第四P型金氧半電晶體’其閘極係、連接於該讀取致能訊號之 一反向訊號，該第四P型金氧半電晶體之及極係連接於該 第-P型金氧半電晶體之閘極，且該第⑽型金氧半電晶 體之源極係連接於該第二N型金氧半電 其中當讀取觀龍單元時，賴取魏職做於高電位， 且㈣取致能訊號之該反向訊號係處於低電位。 6· 一種用於低供應電壓記憶體的感測電路，包含： 一第一級電路，包含： -第- P型金氧半電晶體，制極係連接於—記憶體單元; -第-N型金氧半電晶體’其汲極係連接於該第—型金 22 201201219 氧半電晶體之源極，且該第一N型金氧半電晶體之源 極係接地；及 一第二p型金氧半電晶體，其汲極係連接於該第一 p型金 氧半電晶體之源極，其閘極係連接於一控制訊號，且 A第一p型金氧半電晶體之源極係連接於—供應電壓; -參考電晶體’其_係連接於—參考訊號，且該參考電壓體 之没極係連接於該第-p型金氧半電晶體之閑極；及 一第二級電路’包含： -反向器，其-輸入端係、連接於該第一 p型金氧半電晶體 之汲極； 其中位於該反向器之-輸出端的一電壓係用來指示該記憶體單 元之一寫入狀態或一抹除狀態；及 其中該控制訊號係根據-第二重置訊號及一讀取致能訊號之一 反向訊號，並對該第二重置訊號及該讀取致能訊號之該反 向訊號進行或邏輯(Logic OR)運算所產生。 7.如請求項6所述之感測電路，其中該第二級電路另包含： -第型金氧半電晶體’其祕係連接於該第—p髮金氧 半電晶體之及極，且該型金氧半電晶體之問極係 連接於該反向器之該輪出端； -第三N型金氧半電晶體，絲極係接地，該第三n裂金氧 半電晶體之閘極係連接於該反向器之該輸出端，且該第 三N型金氧半f晶體之祕係連接於該第二N型金氧半 23 201201219 電晶體之源極；及 -第三P型金氧半電晶體’其源極係連接於該供應電壓，且 該第三p型錢半電晶體之祕係連接於該第—p麼金 氧半電晶體之源極。 8.如請求項7所述之感測電路，另包含·· 一重置電晶體，其開極係連接於—第—重置訊號，該重置電晶 體之沒極係連接於該第一p型金氧半電晶體之閘極，且該 重置電晶體之源極係接地； 籲 其中該參考電晶體之源極係接地； 其中該第-重置訊號係用來控制該重置電晶體，以重置該第一 p型金氧半電晶體之閘極的電位； /、中該第N型金氧半電晶體之閘極係連接於一第二重置訊 號，且該第二重置訊號之週期(Durati〇n)係涵I並長於該第 一重置訊號之週期； 其中該第二重置訊號係用來控制該第一\型金氧半電晶體，以籲 重置該第一P型金氧半電晶體之汲極的電位； 其中a玄參考訊號係用來控制流經該參考電晶體之一電流的強 度；及 其中該參考電晶體與該重置電晶體皆為N型金氧半電晶體。 9·如請求項8所述之感測電路，另包含： 第四N型金氧半電晶體，其閘極係連接於該讀取致能訊號， 24 201201219 且 N型金財電晶體找極係連接於該記憶體單元， 氣皁四N型金氧半電晶體之源極係連接於該第- p型金 乳牛電晶體之閘極；及

   一1 Μ電晶體，其_係連接於賴取致能訊號之 一反向訊號’該第四Ρ型金氧半電晶體之汲極係連接於該 第一 ρ型金氧半電晶體之閘極，且該第四1>型金氧半電晶 體之源極係連接於該第四Ν型金氧半電晶體之沒極； 其中當在該寫入狀態或該抹除狀態下讀取該記憶體單元所儲存 之一位元時，該讀取致能訊號係處於高電位，且該讀取致 能訊號之該反向訊號係處於低電位。 八、囷式：

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