TW201201178A - A driver circuit and a pixel circuit with the driver circuit - Google Patents

Description

201201178 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種驅動電路及具有該驅動電路之晝 素電路，特別是指一種可以改善臨界電壓漂移效應及發光 元件老化之驅動電路及具有該驅動電路之晝素電路。 【先前技術】 一有機發光二極體（OLED )的亮度是與其驅動電流 成一正比例關係的。而目前當應用〇LED於一顯示系統 時’其與對應之驅動電路的連結仍普遍存在著以下的問題 一為驅動電路中的電晶體的臨界電壓可能因為製程變 異的關係而造成漂移現象，導致〇LED的驅動電流不穩定 ，進而使得OLED的亮度隨之發生不穩定的現象，其二為 OLED因為材料老化或是長時間操作下，容易發生〇LED兩 端跨壓逐漸上升導致發光效率下降的問題，因為跨壓的上 升會影響OLED的驅動電流發生衰減現象，而驅動電流衰 減就會造成OLED亮度衰減《此外，現今技術中對於晝素 補乜電路的設計多半使用過多的電晶體，這將會使得晝素 内開口率出現衰減甚至過低的現象，因此有必要找出一種 可以有效抑制因電晶體臨界電壓漂移及〇LED老化所造成 的驅動電流衰減現象，使得〇LED亮度得以保持穩定的方 法，同時，又必須利用精簡的電路設計使得晝素開口率 以保持。 【發明内容】 201201178 因此，本發明之目的，即在提供一種畫素電路，包含 一發光單元，具有一第一端與一第二端；及 一驅動電路，包括： 一第一電晶體，具有一第一端、一第二端，及一決 定該第一端及該第二端是否導通的控制端； 一電容； 一第一開關，具有一第一端與一第二端；及 ~第二開關，具有一第一端與一第二端； 其中，該發光單元之第一端接收一第一電源電壓及該 第一電晶體之第二端接收一第二電源電壓，該第一開關之 第一端與該第一電晶體之第一端電連接，該第一開關之第 二端與該第一電晶體之控制端電連接，且該第一開關接收 一第一控制訊號，以決定該第一電晶體之第一端、及控制 端是否電連接，而該第二開關之第一端與該發光單元之第 二端電連接，該第二開關之第二端與該第一電晶體之第一 電連接，且該第二開關接收一第二控制訊號，以決定該 發光單元之第二端與該第一電晶體之第一端是否電連接， 該電容之一端與該第一電晶體之控制端電連接，且該電容 之另一端接收一資料電壓，並根據該第一開關及該第二開 關之導通狀態以控制該發光單元之一驅動電流。 此外，本發明另外提供一種驅動電路，用以控制—具 有一第一端與一第二端之發光單元，其包含： 、 -第-電晶體’具有一第一端、一第二端，及一決定 201201178 該第一端及該第二端是否導通的控制端； 一電容； 一第一開關’具有—第—端與一第二端；及 —第二開關’具有-第-端與-第二端； -發光單元，具有一第—端與一第二端；及 一驅動電路，包括： 第-電晶體’具有—第一端、一第二端，及一決 疋§玄第—端及該第二端是否導通的控制端； 一電容； -第-開關，具有—第一端與一第二端；及 -第二開關，具有_第一端與一第二端； 其中’該發光單元之第一端接收一第一電源電壓及該 電晶體之第二端接收—第二電源電壓，該第一開關之 第-端與該第一電晶體之第一端電連接，該第一開關之第 -端與該[電晶體之控制端電連接，且該^開關接收 一第-控制tfl號’以決定該第—電晶體之第—端、及控制 端是否電連接’而該第二開關之第—端與該發光單元之第 -端電連接，$第二開關之第二端與該第—電晶體之第一 端電連接，且該第二開關接收一第二控制訊號，以決定該 發光單元之第二端與㈣-電晶體之第-端是否電連接， 該電容之-端與該第一電晶體之控制端電連接，且該電容 之另-端接收-資料電麼，並根據該第一開關及該第二開 關之導通狀態以控制該發光單元之一驅動電流。 此外’本發明另外提供-種畫素電路，包含： 201201178 一發光單元，具有一第一端與一第二端；及 一驅動電路，包括： 第一電晶體’具有一第一端、一第二端，及一 決定該第一端及該第二端是否導通的控制端； 一電容； 一第一開關，具有一第一端與一第二端； 一第二開關，具有一第一端與一第二端； 一第三開關，具有一第一端與一第二端； 其中，該發光單元之第一端接收一第一電源電壓及該 第一電晶體之第二端接收一第二電源電壓，該第一開關之 第一端與該第一電晶體之第一端電連接，該第一開關之第 一端與該第一電晶體之控制端電連接，且該第一開關接收 一第一控制訊號，以決定該第一電晶體之第一端、及控制 端是否電連接，而該第二開關之第一端與該發光單元之第 二端電連接，該第二開關之第二端與該第一電晶體之第一 端電連接，且該第二開關接收一第二控制訊號，以決定該 發光單元之第二端與該第一電晶體之第一端是否電連接， 該第三開關之第一端接收一資料電壓，且該第三開關之第 二端與該第二開關之第一端、該發光單元之第二端電連接 ，該第三開關接收一第三控制訊號以決定該第三開關之第 一端與第二端是否電連接’該電容之一端與該第一電晶體 之控制端電連接，且該電容之另一端接收一資料電壓，並 根據該第一開關之導通狀態以控制該發光單元之一驅動電 流。 201201178 此外本發明另外提供-種驅動電路，用以控制一具 有一第—端與-第二端之發光單元，其包含： 一第一電晶體’具有-第-端、-第二端，及一決定 該第-端及該第二端是否導通的控制端； 一電容； 一第一開關，具有一第一端與一第二端； 一第二開關’具有-第-端與-第二端；及 一第二開關，具有—第一端與一第二端； 其中’該#光單元之第—端接收一第一電源電壓及該 第-電晶體之第二端接收—第二電源電壓，該第一開關之 第-端與該第-電晶體之第一端電連接’肖第—開關之第 二端與該第一電晶體之控制端電連接，且該第一開關接收 一第一控制訊號，以決定該第一電晶體之第一端、及控制 端是否電連接，而該第二開關之第一端與該發光單元之第 二端電連接，該第二開關之第二端與該第一電晶體之第一 鈿電連接，且該第二開關接收一第二控制訊號，以決定該 發光單元之第二端與該第一電晶體之第一端是否電連接， 該第三開關之第一端接收一資料電壓，且該第三開關之第 二端與該第二開關之第一端、該發光單元之第二端電連接 ’該第二開關接收一第三控制訊號以決定該第三開關之第 一端與第一端疋否電連接’該電容之一端與該第一電晶體 之控制端電連接’且該電容之另一端接收一資料電壓，並 根據該第一開關之導通狀態以控制該發光單元之一驅動電 流0 201201178 【實施方式】 有關本發明之前述及其他技術内容、特點與功效，在 以下配合參考圖式之二個較佳實施例的詳細說明中，將可 清楚的呈現。 在本發明被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說 明内容中，類似的元件是以相同的編號來表示。 第一較佳實旅例 在一面板中具有多數個晝素，並依其解析度的不同而 有不同數量的列，舉例來說，一 WMxioso解析度之面板 具有1080個列，每一列上具有192〇個畫素，而位於同一 列的該等晝素電路是於同一週期資料輸入對應之資料電壓 ，因此，本實施例是一面板之第N列中的一晝素之晝素電 路。 參閱圖1，本發明之第一較佳實施例包含：一發光單元 1、一驅動電路2，其中，該驅動電路2包括：一第一電晶 體21、一第一開關、一第二開關，及一電容％，在本實施 例中該發光單元1是一有機發光二極體（〇LED),且該第 一開關及第二開關分別以一第二電晶體22及一第三電晶體 23據以實施之，下面說明針對上述該等電晶體皆以N型薄 膜電晶體形式進行說明，但在本發明中舉凡p型薄膜電晶 體、N型金屬氧化物半導體、p型金屬氧化物半導體皆得以 簡易修改而據以實施之，因此不以N型薄膜電晶體為限。 每一電晶體21、22、23皆具有_第一端、一第二端， 及一用以決定該第一端與該第二端是否導通之控制端。而 201201178 該發光單元1 士 一〜有一與一第一電源電壓、電連接之第一端及 _ Λ第二電晶體23之第-端電連接之第二端，該第一電 晶體21之笛 端一該第二電晶體22之第二端、該第三電 晶體23之笙 山^ .一 弟一鳊電連接，該第一電晶體21之第二端電連 、 電源電壓V«，該第一電晶體21之控制端分別與 ^ 一 體22之第—端及該電容24之—端電連接，該 _第:電晶體22' 23之控制端分別接收-第-控制訊 〜及V第—控制訊號’該電容24之另—端電連接於一資料

、，值得說明的是，因為該第二、第三電晶體22 :3皆：-N型薄膜電晶體，因此，當該第一、第二嫌 號為冋電位時，其對應之第二、第三電晶體22、23之第-^與第二端為導通狀態，反之，當該第—、第二控制Μ 為低電位時’其對應之第二、第三電晶體22、23之第一々 :第二端為不導通狀態。若是該等電晶體是以P型電以

貫現時’其_訊號的電位狀態與對應之P型電晶體之揮 係即為反向之關係。 本實施例之畫素電路的操作模式說明如下： 聯合參閱圖1、2,首先，楚 自无該第一、第二控制訊號皆招 设定為高電位，因此，該第二、第三電晶冑22、23皆被導 通，其中該第一電晶體21之第一 端及其控制端上的電壓皆 為為該發光單元i (即為—有機發光二極體) :第一端及第二端間的跨麼’因此該電容24之兩端電屋差 為-(Vdo) ’ 為該資料電屋。 10 201201178

當該電容24充電至V_-〇/DD-V_)後，該畫素電路將操 作於一補償模式，此時第二控制訊號被設定為低電位，使 得該第三電晶體23不導通，因此該電容24透過該第一電 晶體21開始進行放電，直到該第一電晶體21之控制端的 電壓放電至(、，為該第一電晶體21之臨界電壓） ，該第一電晶體21切換為不導通狀態，此時該電容24之 兩端電壓差為-(匕+Vm|)，然後，該第一控制訊號被設定 為低電位’使付§亥第二電晶體22不導通，因此，該電容24 因沒有放電路徑使得其兩端電壓差被保持於_(匕+心1)， 故該晝素電路中的電容24二端電壓可以保持不變，也就是 說，第N列之該等晝素電路中的電容二端電壓皆保持不變 然後，第N+1列晝素電路所對應之第二、第一控制訊 號依序被設定為低電位，使其電容24的兩端電壓差可以保 持固疋，依次類推，直到最後一列畫素電路的電容24的兩 端電壓差保持固定。 然後，該畫素電路操作於一發光模式，每一列晝素電 路的第二控制訊號同時被設定為高電位，使得對應之第三 電晶體23導通’而資料電壓同時亦增加一發光電壓从，此 ，因此’ 1之驅動電流/。^如 時，該第一電晶體21之控制端電壓為 根據下列方程式得以計算出該發光單元 下： 11 201201178 β由上式可知，該發光單元1之驅動電流/。咖與該發光電 壓之平方成正比例關係’因此，該發光單元1之驅動電流

Ot£D與該第電晶體2 1之臨界電壓無關，所以可以避免 該第一電晶體21因為製程上的差異或是其長時間操作導致 發生隻異後’其臨界電壓^對於該驅動電流，咖的影響。此 本電路中，由於僅使用二個電晶體，故可以大幅提 昇畫素開口率。 第二較佳實施例 | _參閱圖3，該第一較佳實施例與第一較佳實施例最大的 不同在於，本實施例增加一第三開關，相同於該第一、第 一開關22、23,本實施例中該第三開關是以一第四電晶體 其中，該第四電晶體25亦為一 Ν型薄膜電晶體， 但不以此為限。 該第四電晶體25具有一與該電容24 一端電連接之第 端、一分別與該發光單元1之第二端與該第三電晶體23 之第鳊電連接之第二端，及一接收並根據一第三控制訊籲 號乂决疋其第一端與第二端是否導通之控制端。 本實施例在該畫素電路操作於補償模式之前，先執行 一偵錯模式如下： 田具有該第二開關之畫素電路操作於該偵錯模式時 ’：第-、第二控制訊號設定為低電位、該第三控制訊號 設定為高電位，因此，該第二、第三電晶體m為不導. 通狀I、該第四電晶體25為導通狀態，此時，當該第四電 12 201201178 接收—#料電壓（此時該資料《為輸入 偵錯模時’換句話說，當該晝素電路操作於 以J二’會先輸入一參考電壓值^至該第四電晶體25 *該發光單元進行偵錯’此時，該發光單元丨之兩端跨 二…此時’根據該發光單^之跨壓即可計算出該 ^先早疋1之驅動電流w，然後再根據該發光單元i之理 想驅動電流/_即可計算出一電流衰減率如下： (F.2) a = \~^MAL.

^IDEAL 其中’《τ為電流衰減率。 因此，當該發光單元1因為材料老化或是使用時間過 長專因素造成驅動電流出現衰減現象時，可以利用上述之 電流衰減率進行補償，其補償方式如下所述： ▲舉例來說，假設該發光單元1之亮度衰減率為0.6,則 s亥發光單元1之驅動電流修正公式如下： 100 100- ~a'^〇LE〇 …··(F.3) 06 其中’ 7_為修正後的驅動電流。 根據方程式㈣，驅動電流是跟發光電壓的平方成正比 例關係，因此，方程式（F·3)可以修改成如下所示. 100 ^'Δν.•…(F.4) 06 13 100- 201201178 因為，，且，其中，為該資 · 料電壓加上該發光電壓Δν之和。 · 所以，方程式（F.4)可以修改成如下所示： ^data ^peak I ~ ' peak " ^DATA) .....(F·5) im-re 因此，該發光單元1操作於該偵錯模式，即可得知為 因應其材料老化等因素所造成的驅動電流衰減現象，該資 料電壓的修正方程式，故藉由本實施例可以避免該發光單 元的老化導致的驅動電流衰減，造成該發光單元i的亮度 · 同步出現衰減的現象。 最後，該第三控制訊號設定為低電位，使該第四電晶 體25不導通，然後輸入該資料電壓並同時設定該第一、第 二控制訊號為高電位，使得該畫素電路如同該第一較佳實 施例所述依序執行於該補償模式、發光模式，以驅動該發 光單元1。 知上所述’藉由本發明之設計，可以有效避免因製程 變異或是使用時間過長所造成的電晶體臨界電壓漂移效應 · ，使得該晝素電路不會因為該臨界電壓漂移效應而影響發 光效率，同時可以有效避免如一有機發光二極體的材料老 化現象所造成驅動電流衰減，進而導致其發光亮度衰減的 現象，此外，本發明之設計相當精簡，利用三至四顆電晶 體及可達到上述目的，因此不會大幅影響開口率，故確實 能達成本發明之目的。 惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不 14 201201178 能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利 範圍及發明說明内容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍 屬本發明專利涵蓋之範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1是本發明之第一較佳實施例之電路圖； 圖2是該第-較佳實施例之時序圖；及 圖3是本發明之第一較佳實施例之電路圖。 15 201201178 【主要元件符號說明】 1…… .....發光單元 23··.·. _.第三電晶體 2…… •…驅動電路 24..… •…電容 21 ••… …·第一電晶體 25••… …·第四電晶體 22..... •…第二電晶體

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Claims (1)

1. 201201178 七、申請專利範圍： 1. 一種畫素電路，包含： 一發光單元，具有一第一端與一第二細> ,及 一驅動電路’包括： 〆第一電晶體，具有一第一端、一第二端，及 一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端； -電容； 第·一開關’具有一第一端與. 一第一端；及 /第二開關，具有一第一端與一第二端； 其中，該發光單元之第一端接收一第一電源電壓及 該第一電晶體之第二端接收一第二電源電壓’該第一開 關之第一.瑞與戎卓一電晶體之第一端電連接’該第一開 關之第二端與該第一電晶體之控制端電連接’且該第一 開關接收，第一控制訊號’以決定該第一電晶體之第一 端、及控制端是否電連接，而該第二開關之第一端與該 發光單元之第二端電連接，該第二開關之第二端與該第 一電晶體之第一端電連接，且該第二開關接收一第二控 制訊號，以決定該發光單元之第二端與該第一電晶體之 第一端是否電連接，該電容之一端與該第一電晶體之控 制端電連接，且該電容之另一端接收一資料電壓，並根 據該第一開關及該第二開關之導通狀態以控制該發光單 元之一驅動電流。 2·依據申請專利範圍第1項所述之畫素電路，在一補償模 式及一發光模式操作，其中， 17 201201178 當該畫素電路操作於該補償模式時’分別設定該第 一、第一控制sfl號’使得該第一開關導通且該第二開關 不導通’直到該第一電晶體之控制端電壓放電至該第二 電源電壓加上一臨界電壓值； 當該畫素電路操作於該發光模式時，分別設定該第 一、第二控制訊號’使得該第一開關不導通且該第二開 關導通’並將該資料電壓增加一發光電壓，以控制該發 光單元之驅動電流與該發光電壓之平方成正比例關係。 3. 依據申请專利範圍第2項所述之晝素電路，在一補償模 式操作’其中更包括當該第一電晶體之控制端電壓降至 該第二電源電壓加上一臨界電壓值後，設定該第一控制 訊號使得該第一開關為不導通。 4. 依據申請專利範圍第i項所述之晝素電路’其中，該第 一開關包括一具有一第一端、一第二端、一控制端之第 二電晶體，該第二電晶體之第一、第二端分別與該第一 電晶體之第一端、控制端電連接，且該第二電晶體之控 制端用以接收該第一控制訊號。 5. 依據申請專利範圍第丨項所述之畫素電路，其中，該第 一開關包括一具有一第一端、一第二端、一控制端之第 三電晶體，該第三電晶體之第一、第二端分別與該發光 單7L之第二端、該第一電晶體之第—端電連接，且該第 二電晶體之控制端用以接收該第二控制訊號。 6. 依據申請專利範圍第i項所述之畫素電路，其中，該發 光單元為一有機發光二極體。 18 201201178 7. 依據申請專利範圍第1項所述之晝素電路，其中，該第 一電晶體為N型薄膜電晶體。 8. 依據申請專利範圍帛1項所述之晝素電路，其中，該第 一電晶體為P型薄膜電晶體。 9. 依據申請專利範圍第丨項所述之晝素電路，其中，該第 一電晶體為N型金屬氧化物半導體。 10. 依據申請專利範圍第丨項所述之晝素電路，其中，該第 一電晶體為P型金屬氧化物半導體。 ® 11.一種驅動電路，用以控制一具有一第一端與一第二端之 發光單元，其包含： 一第一電晶體’具有一第一端、一第二端，及一決 定該第一端及該第二端是否導通的控制端； 一電容； 一第一開關，具有一第一端與一第二端；及 一第二開關，具有一第一端與一第二端； 其中，該發光單元之第一端接收一第一電源電壓及 ® 該第一電晶體之第二端接收一第二電源電壓’該第一開 關之第一端與該第一電晶體之第一端電連接’該第一開 關之第二端與該第一電晶體之控制端電連接，且該第一 開關接收〆第一控制訊號’以決定該第一電晶體之第— 端、及控制瑞是否電連接，而該第二開關之第一端與該 發光單元之第二端電連接’該第二開關之第二端與該第 一電晶體之第一端電連接，且該第二開關接收一第二控 制訊號，以決定該發光單元之第二端與該第一電晶體之 19 201201178 第一端是否電連接，該電容之一端與該第一電晶體之控 制端電連接，且該電容之另一端接收一資料電壓，並根 - 據該第一開關及該第二開關之導通狀態以控制該發光單 元之一驅動電流。 12. 依據申請專利範圍第丨〖項所述之驅動電路在一補償模 式及一發光模式操作，其中， 當該驅動電路操作於該補償模式時’分別設定該第 一、第二控制訊號，使得該第一開關導通且該第二開關 不導通’直到該第一電晶體之控制端電壓放電至該第二 泰 電源電壓加上一臨界電壓值； 當該驅動電路操作於該發光模式時，分別設定該第 一、第二控制訊號，使得該第一開關不導通且該第二開 關導通，並將該資料電壓增加一發光電壓，以控制該發 光單兀之驅動電流與該發光電壓之平方成正比例關係。 13. 依據申請專利範圍第12項所述之驅動電路，在一補償模 式操作，其中更包括當該第一電晶體之控制端電壓降至 該第二電源電壓加上一臨界電壓值後，設定該第一控制 _ 訊號使得該第一開關為不導通。 14. 依據申請專利範圍第u項所述之驅動電路，其中，該第 一開關包括一具有一第一端、一第二端、一控制端之第 二電晶體，該第二電晶體之第一、第二端分別與該第一 電晶體之第一端、控制端電連接，且該第二電晶體之控 制端用以接收該第一控制訊號。 15·依據申請專利範圍第u項所述之驅動電路，其中，該第 20 201201178 二開關包括一具有一第一端、一第二端、一控制端之第 三電晶體，該第三電晶體之第一、第二端分別與該發光 單元之第二端、該第一電晶體之第一端電連接，且該第 二電晶體之控制端用以接收該第二控制訊號。 16. 依據申請專利範圍第u項所述之驅動電路，其中，該第 一電晶體為一 N型薄膜電晶體。 17. 依據申請專利範圍第u項所述之驅動電路，其中，該第 一電晶體為一 P型薄膜電晶體。 18·依據申請專利範圍第u項所述之驅動電路，其中，該第 —電晶體為一 N型金屬氧化物半導體。 9·依據申请專利範圍第11項所述之驅動電路，其中，該第 電晶體為一 P型金屬氧化物半導體。 20· 一種畫素電路，包含： —發光單元，具有一第一端與一第二端；及 一驅動電路，包括： 一第一電晶體，具有一第一端、一第二端，及 決疋該第一端及該第二端是否導通的控制端； —電容； 第一開關’具有一第一端與一第二端； —第二開關’具有一第一端與一第二端； 一第三開關’具有一第一端與一第二端； 其中’該發光單元之第一端接收一第一電源電壓及 該第一電晶體之第二端接收一第二電源電壓，該第一開 關之第一端與該第一電晶體之第一端電連接，該第一開 21 201201178 關之第二端與該第一電晶體之控制端電連接，且該第一 開關接收一第一控制訊號，以決定該第一電晶體之第一 端、及控制端是否電連接，而該第二開關之第_端與該 發光單元之第二端電連接，該第二開關之第二端與該第 一電晶體之第一端電連接，且該第二開關接收_第二控 制訊號，以決定該發光單元之第二端與該第一電晶體之 第一端是否電連接，該第三開關之第一端接收—資料電 壓，且該第三開關之第二端與該第二開關之第一端、該 發光單元之第二端電連接，該第三開關接收一第三控制 訊號以決定該第三開關之第一端與第二端是否電連接， 該電容之一端與該第一電晶體之控制端電連接，且該電 容之另一端接收一資料電壓，並根據該第一開關之導通 狀態以控制該發光單元之一驅動電流。 21. 依據申請專利範圍第20項所述之晝素電路，在一偵錯模 式操作，其中，當該晝素電路操作於該偵錯模式時，分 別設定該第一、第二、第三控制訊號，使得該第一、第 二開關不導通、該第三開關導通，然後將一參考電壓傳 送至該發光單元之第二端。 22. 依據申請專利範圍第21項所述之畫素電路，在一補償模 式及一發光模式操作，其中， 當該晝素電路操作於該補償模式時，分別設定該.第 一、 第二、第三控制訊號，使得該第—開關導通且該第 二、 第三開關不導通，直到該第—電晶體之控制端電壓 放電至該第二電源電壓加上一臨界電壓值； 22 201201178 ®該畫素電路操作於該發光模式時，分別設定該第 一、第一、第三控制訊號，使得該第一、第三開關不導 通且該第一開關導通，並將該資料電壓增加一發光電壓 以控制該發光單元之驅動電流與該發光電壓之平方成 正比例關係。

   23.依據中請專利範圍第22項所述之畫素電路，在—補償模 式操作，其中更包括當該第一電晶體之控制端電壓降至 該第-電源電壓加上—臨界電壓值後，設定該第一控制 訊號使得該第一開關為不導通。 24. 依據中請專利範圍第2Q項所述之畫素電路，其中，該第 開關包括一具有一第一端、一第二端、一控制端之第 電sa體，該第二電晶體之第一、第二端分別與該第— 電晶體之第一端、控制端電連接，且該第二電晶體之控 制端用以接收該第一控制訊號。 25. 依據巾請專㈣圍第2()項所述之晝素電路，其中，該第 :開關包括一具有一第一端、一第二端、一控制端之第 =電晶體’該第三電晶體之第―、第二端分別與該發光 單元之第二端、該第一電晶體之第一端電連接，且該第 二電晶體之控制端用以接收該第二控制訊號。 26‘依據中請專利範圍第2()項所述之畫素電路，其中，該第 三開關包括一具有一第一端、一第二端、一控制端之第 四電晶體’該第四電晶體之第一、第二端分別與該資料 電壓及該發光單元之第二端電連接，且該第四電晶體之 控制端用以接收該第三控制訊號。 23 201201178 27·依據申請專利範圍第20項所述之書辛電路 光單元為-有機發光二極體。―電路 28.依據申請專利範圍第20項所述之畫素電路 一電晶體為N型薄膜電晶體。 29·依據申請專利範圍第20項所述之畫素電路 一電晶體為P型薄膜電晶體。 3〇.依據申請專利範圍第2〇項所述之畫素電路 電日日體為N型金屬氧化物半導體。 31. 依據申請專利範圍第2〇項所述之畫素電路 一電晶體為p型金屬氧化物半導體。 32. —種驅動電路，用以控制一具有一第一端與一第二端之 發光單元，其包含： 其中，該發 其中，該第 其中，該第 其中，該第 其中，該第 一第一電晶體，具有一第一端、一第二端，及一決 疋該第一端及該第二端是否導通的控制端； 一電容； 一第一開關，具有一第一端與一第二端； 一第二開關’具有一第一端與一第二端；及 一第三開關，具有一第一端與一第二端； 其中’該發光單元之第一端接收一第一電源電壓及 該第一電晶體之第二端接收一第二電源電壓，該第一開 關之第一端與該第一電晶體之第一端電連接，該第—開 關之第二端與該第一電晶體之控制端電連接，且該第一 開關接收一第一控制訊號，以決定該第一電晶體之第一 端、及控制端是否電連接，而該第二開關之第一端與該 24 201201178 . 發光單元之第二端電連接，該第二開關之第二端與該第 一電晶體之第一端電連接，且該第二開關接收一第二控 制訊號，以決定該發光單元之第二端與該第一電晶體之 第一端是否電連接，該第三開關之第一端接收一資料電 壓’旦該第三開關之第二端與該第二開關之第一端、該 發光單/0之第二端電連接，該第三開關接收一第三控制 訊號以決定該第三開關之第一端與第二端是否電連接， 該電容之一端與該第一電晶體之控制端電連接，且該電 _ 容之另—端接收—資料電壓，並根據imi關之導通 狀態以控制該發光單元之一驅動電流。 33. 依據申請專利範圍第32項所述之驅動電路，在一偵錯模 式操作，其中，當該驅動電路操作於該偵錯模式時，分 別設定該第一、第二、第三控制訊號，使得該第一、第 一開關不導通、該第三開關導通，然後將一參考電壓傳 送至該發光單元之第二端。 34. 依據申凊專利範圍第33項所述之驅動電路，在一補償模 式及一發光模式操作，其中， 當該驅動電路操作於該補償模式時，分別設定該第 一、第一、第二控制訊號，使得該第一開關導通且該第 一、第二開關不導通，直到該第一電晶體之控制端電壓 放電至該第二電源電壓加上一臨界電壓值； 當該驅動電路操作於該發光模式時，分別設定該第 一、第二、第二控制訊號，使得該第一、第三開關不導 通且該第二開關導通，並將該資料電壓增加一發光電壓 25 201201178 以控制該發光單元之驅動電流與該發光電壓之平方成 正比例關係。 35·依據中請專㈣圍第34項所述之驅動電路，在—補償模 式操作’、中更包括當該第-電晶體之控制端電壓降至 該第一電源電壓加上—臨界電壓值後，設定該第一控制 訊號使得該第一開關為不導通。 36.依射請專㈣圍第32項所述之驅動電路，其中，該第 1關包括-具有一第一端、一第二端、一控制端之第 二電晶體’該第二電晶體之第一、第二端分別與該第一 電晶體之第—端、控制端電連接，且該第二電晶體之控 制端用以接收該第—控制訊號。 37. 依據中4專利範圍第32項所述之驅動電路，其中，該第 :開關包括一具有-第-端、-第二端、-控制端之第 -電日曰體，該第二電晶體之第-、第二端分別與該發光 單元之第一％、該第一電晶體之第一端電連接，且該第 三電晶體之控制端用以接收該第二控制訊號。 38. 依據中請專利範圍第32項所述之驅動電路，其中，該第 三開關包括一具有-第-端、-第二端、-控制端之第 四電曰曰體’該第四電晶體之第一、第二端分別與該資料 電壓及該發光單元之第二端電連接，且該第四電晶體之 控制端用以接收該第三控制訊號。 39. 依據申請專利範圍第32項所述之驅動電路，其中，該第 一電晶體為一 Ν型薄膜電晶體。 4〇.依據中請專利範圍第32項所述之驅動電路，其中，該第 26 201201178 一電晶體為一 p型薄膜電晶體。 ' 41.依據申請專利範圍第32項所述之驅動電路，其中，該第 一電晶體為一 N型金屬氧化物半導體。 42.依據申請專利範圍第32項所述之驅動電路，其中，該第 一電晶體為一 P型金屬氧化物半導體。

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