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TW201205603A - Transparent conductive film, and conductive substrate using the same - Google Patents

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TW201205603A
TW201205603A TW100117908A TW100117908A TW201205603A TW 201205603 A TW201205603 A TW 201205603A TW 100117908 A TW100117908 A TW 100117908A TW 100117908 A TW100117908 A TW 100117908A TW 201205603 A TW201205603 A TW 201205603A
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Taiwan
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transparent
transparent conductive
conductive film
substrate
conductive
Prior art date
Application number
TW100117908A
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English (en)
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TWI485720B (zh
Inventor
Yousuke Kunishi
Hideki Suzuki
Hiroto Komatsu
Junichi Ikeno
Original Assignee
Shinetsu Polymer Co
Univ Saitama Nat Univ Corp
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Publication date
Application filed by Shinetsu Polymer Co, Univ Saitama Nat Univ Corp filed Critical Shinetsu Polymer Co
Publication of TW201205603A publication Critical patent/TW201205603A/zh
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Description

201205603 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種裝設在觸控面板、電漿顯示器之電 磁波屏蔽等、影像顯示裝置之前面的透明導電膜,以及使 用該透明導電膜之導電性基板。 【先前技術】 觸控面板係在液晶顯示器等影像顯示裝置之前面設置 作為電極片之輸入裝置,而該輸入裝置係在透明的絕緣基 板表面形成透明導電層(透明導電膜)之具有導電性基板 者。 作為構成輸入裝置之導電性基板的透明導電層之材 料,廣為人知的有摻錫氧化銦(ΙΤ0)及聚乙烯二氧噻吩-聚 苯乙烯磺酸所代表之7Γ共軛系導電性高分子(有機導電 體)。 然而,觸控面板用輸入裝置所使用之導電性基板則有 形成電路圖案及天線陣列圖案的情形。 圖案的形成方法有例如專利文獻1所揭示,在透明基 材之全表面藉由塗佈而形成透明導電層後,照射C〇2雷射或 利用Q開關之脈衝寬度100η秒左右的YAG雷射,將成為絕 緣部分之透明導電層藉由燒触(Ablation)而去除之方法。 專利文獻2、3揭示,藉由網版印刷法或凹版印刷法等 之印刷在透明基材之表面以規定之圖案形成導電部之方 法。 專利文獻4揭示,在透明基材之全表面藉由塗佈形成 3 322772 201205603 分之透明導 透明導電層之後,經電漿蝕刻去除作成絕緣部 電層的方法。 專利文獻5揭示,對金屬奈米線(金屬超細纖 於黏合劑(樹脂)中並硬化而成之透明導電膜上進行刀 絕緣化而形成導電圖案之技術。另外,由透明導 外部之金屬奈米線則以雷射去除。 、犬 專利文獻6揭示,對觸控面板用IT〇蒸鍍基板使用紫 外線雷射,控制光束直徑與透鏡之焦點距離,在控制聚光 領域内之加工寬度下藉由1〇//m左右之精細燒蝕而形成精 細圖案之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻] 2004- 118381 號公報 2005- 527048 號公報 2008- 300063 號公報 2009- 26639 號公報 2010- 44968 號公報 2008-91116 號公報 [專利文獻1]日本特開 [專利文獻2]日本特開 [專利文獻3]日本特開 [專利文獻4]曰本特開 [專利文獻5]日本特開 [專利文獻6 ]日本特開 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] 一般而言’上述有機導電體係著色成綠色至藍色,ιτο 係著色成淡黃色。因此,以專利文獻1至4之方法在絕緣 基板上形成導電圖案時,導電部變成形成各導電膜之導電 體固有的有色’而僅有絕緣基板的絕緣部變成無色。因此, 4 322772 201205603 將所得導電性基板設置在影像顯示裝置之前面時,會產生 看到導電圖案之問題。 另一方面,專利文獻5係有難以看到導電圖案之優 點。然而,在透明導電膜内部,由於金屬奈米線不僅於導 電部而亦殘留在絕緣部,因而難以確實地進行絕緣。亦即, 為使確實地絕緣,而有必要控制透明導電膜的厚度。 並且,專利文獻6方面係加工中有使用利用高次諧波 之紫外線雷射的必要,並且,以控制燒蝕領域之寬度的目 的,為調整雷射光束直徑及變焦透鏡焦點距離,以市售之 雷射加工機則有對應困難之問題。 本發明係因鑑於如此情事而成者,其目的在提供一種 透明導電膜及使用該透明導電膜之導電性基板,不會很容 易看到導電圖案,而能確實地使絕緣部絕緣,且可得到電 氣性能。 [用以解決課題之手段] 為達成上述目的,本發明提案下述手段。 亦即,本發明之透明導電膜,其特徵係:具備具有絕 緣性之透明基體、與由具有導電性金屬所構成且配置在上 述透明基體内之網狀構件,在上述透明基體中設有配置上 述網狀構件之導電部、與配置藉由去除上述網狀構件而形 成之空隙(5)的絕緣部。 本發明之透明導電膜中,上述網狀構件可作成由分散 在上述透明基體内且互相以電連接之金屬超細纖維所構成 者0 5 322772 201205603 本發明之透明導電膜中,上述金屬超細纖維可作成以 銀為主要成分者。 本發明之透明導電膜中,上述絕緣部之空隙可作成在 上述網狀構件上照射脈衝狀雷射而形成者。 本發明之透明導電膜中,上述脈衝狀雷射係脈衝寬度 未達1 p秒之極短脈衝雷射。 本發明之透明導電膜中,上述脈衝狀雷射係YAG雷射 或YV〇4雷射。 本發明之導電性基板,其特徵係:將上述之透明導電 膜設在絕緣基板之至少一面上者。 本發明之導電性基板中,上述絕緣基板可作成透明者。 [發明之效果] 依據本發明之透明導電膜及使用該透明導電膜之導電 性基板,將難以看到導電圖案、確實地使絕緣部絕緣,可 得到穩定的電氣性能。 【實施方式】 [用以實施發明之形態] 本發明之透明導電膜及使用該透明導電膜之導電性基 板,可適用在例如透明部分形成配線圖案之製品,如透明 天線、透明電磁波屏蔽、靜電容量方式或薄膜式之透明觸 控面板等的透明輸入裝置。並且,本發明之透明導電膜及 使用該透明導電膜之導電性基板,以在汽車之方向盤等所 附隨的靜電容量輸入裝置等三維成型品或三維之加飾成型 品的表面所設之靜電容量感測器等形成必要之電極的目 6 322772 201205603 的,即可使用。另外,本實施形態中所謂的「透明」係指 具有50%以上之透光率者。 第1圖係呈示使用本發明之一實施型態的透明導電膜 及導電性基板之輸入裝置1。 輸入裝置1係具備有配置在輸入者侧之導電性基板 10、 配置在影像顯示裝置側使面對該導電性基板10的導電 性基板20、以及設置在該等之間的透明微小間隔物(dot spacer)30之電阻膜式觸控面板。 導電性基板10係具備透明的絕緣基板11、在絕緣基 板11中至少在朝向影像顯示裝置側之面設置的透明導電 膜12。 導電性基板20係具備透明的絕緣基板21、在絕緣基 板21中至少在朝向輸入者側之面設置的透明導電膜22。 絕緣基板11、21除了具有絕緣性之外,同時可在表面 形成透明導電膜12、22,且對於下述之雷射加工,在規定 之照射條件中,以使用不易產生外觀變化者為佳。具體上 可列舉例如:玻璃、聚碳酸酯、以聚對苯二曱酸乙二酯(PET) 為代表之聚酯、丙烯腈· 丁二烯•苯乙烯共聚樹脂(ABS樹 脂)等的絕緣性材料。並且,絕緣基板11、21之形狀可使 用板狀者、具有彎曲性之薄膜狀者、成型為立體(三維)之 成型品等。 將該輸入裝置1使用在透明觸控面板時,絕緣基板 11、 21中可使用玻璃板或PET薄膜等。並且,將輸入裝置 1使用作為附裝於汽車之方向盤的靜電容量輸入裝置等靜 7 322772 201205603 電容量感測器等之必要的電極時,可在絕緣基板ii、 使用由ABS樹脂等所構成之成型品、或在此 及轉錄等而裝設加飾層之加飾成型品。 専臈的層積 例如:將本發明利用作為經由按壓使上下2片電極膜 (透明導電膜)12、22接觸而導通之膜輸入等的透明觸於面 板時,作為輸入者側的絕緣基板u,對於來自輸入者=的 外力,以使用易於弯曲者(例如:透明樹脂薄膜)為佳,作 為影像顯示裝置側之絕緣基板21,係以使用具有介由微小 間隔物30而易於支撐導電性基板10的規定以上(例如與絕 緣基板11同等以上)之硬度者為佳。 並且,一對之導電性基板1〇、20的透明導電膜U、 22間以互相接近之狀態介由微小間隔物20空出間隔使面 對面配置。然後,導電性基板10由輸入者側朝向影像顯示 裝置侧按壓時,上述導電性基板10之絕緣基板11及透明 導電膜12會變彎,同時可使上述透明導電膜12接觸到導 電性基板20的透明導電膜22。藉此接觸,即構成電氣訊 號的產生。 並且,如第2圖所示,透明導電膜12、22係具備具有 絕緣性之透明基體2、以及由具有導電性之金屬所構成且 配置在透明基體2内之網狀構件3。透明基體2係在液狀 之狀態中由可充填(浸潰)於下述之網狀構件3的絲線(鐵 維)間並藉由例如熱、紫外線、電子束、放射線等而硬化之 性質的硬化性樹脂所構成。 並且,網狀構件3係由分散在透明基體2内且互相以 8 322772 201205603 電連接之複數的金屬超細纖維4所構成。詳而言之,該等 金屬超細纖維4之間,係沿著絕緣基板11、21之表面(透 明導電膜12、22所形成之面)的面方向,互朝著不同方向 不規則地延伸存在,同時其至少一部分以上密集地配置成 相互疊合(接合)之程度,而依如此之配置互相以電接合(連 接)。 亦即,網狀構件3係在絕緣基板11、21之表面上構成 導電性的二維網絡,透明基體2中,網狀構件3所配置之 領域成為導電部C。並且,網狀構件3之金屬超細纖維4 係具有埋設在透明基體2内之部分與從上述透明基體2的 表面突出之部分。 具體而言,如此之金屬超細纖維4可列舉如:由銅、 鉑、金、銀、鎳等所構成之金屬奈米線或金屬奈米管。本 實施形態中,金屬超細纖維4係使用以銀為主成分之金屬 奈米線(銀奈米線)。金屬超細纖維4例如形成其直徑為0. 3 至1 OOnm左右、長度為1 # m至100 # m左右。 另外,網狀構件3係使用上述之金屬超細纖維4以外 的矽奈米線或矽奈米管、金屬氧化物奈米管、碳奈米管、 碳奈米纖維、石墨纖維等纖維狀構件(金屬超細纖維),亦 可將該等分散/連接而構成。 並且,如第3圖所示,在透明基體2中,藉由去除網 狀構件3之金屬超細纖維4而形成複數的空隙5,該等空 隙5密集而配置的領域成為絕緣部I。詳而言之,該等空 隙5係藉由在網狀構件3之金屬超細纖維4所配置的領域 9 322772 201205603 中照射脈衝狀雷射而將上述金屬超細纖維4蒸發·去除而 形成。 該脈衝狀雷射係例如脈衝寬度未達lp秒之極短脈衝 雷射。可使用所謂的飛秒雷射(Femtosecond Laser)。並 且’脈衝狀雷射可使用飛秒雷射以外之YAG雷射或YVCU雷 射。在使用YAG雷射或YV〇4雷射時,作為脈衝寬度在5至 300η秒左右之加工機,可利用一般廣泛使用者。 該等空隙5係沿著透明基體2之表面(露出之面)的面 方向互相朝著不同方向不規則地延伸存在或點存在而分別 形成長孔狀(長圓孔狀)或孔狀(圓孔狀),在上述表面具有 開口部分而形成。詳而言之’空隙5係配置成使對應經蒸 發·去除之金屬超細纖維4所配置的位置,同時具有與上 述金屬超細纖維4之直徑略等的直徑(内徑),而形成上述 金屬超細纖維4之長度以下。 又汁si,i個坌屬超細纖維4藉由經完全蒸發· 士 除、或至少-部分經蒸發•去除,即可使上述金屬超細觸 ,4在其延伸存在方向進行分割,使複數個㈣5互相腺 著間隔而形成。亦即’對應金屬超細纖維4之相符位 使互相隔著間隔之複數個空隙5全體成為線、 ^伸存在或點存在而形成。料,對應丨個 ^ ^ =ΓΛ5成為線狀之方式,可僅形成二 …Ρ I中,藉由1¾等空隙5之形成, 細纖維4,同時,上述導電性之,絡; 322772 10 201205603 如此’絕緣部I中’由於從透明基體2去除金屬超細 纖維4 ’因此,在上述透明基體2之導電部C與絕緣部I 中,相立的化學組成不同。 其次’對於製造本實施形態之透明導電膜及導電性基 板的製造裝置以及製造方法進行說明。 在本實施形態說明之導電圖案形成基板(導電性基板) 之製造方法中,係使用在絕緣基板11(21)之一個面所形成 的透明導電層(導電圖案形成前之透明導電膜)a以規定之 圖案照射極短脈衝之雷射光L的方法。 另外’在以下之說明中,具有雷射加工前之絕緣基板 11(21)與上述絕緣基板11(21)之一個面所形成的透明導電 層a的積層體者稱為導電性基板用積層體A。 首先,對於本實施形態之導電圖案形成基板的製造方 法中使用之製造裝置40進行說明。如第4圖所示,該製造 裝置40係具備:使雷射光L產生之雷射光產生手段41、 將雷射光L進行5^光之聚光手段的凸透鏡等之聚光透鏡 42、以及载置導電性基板用積層體A之载置台43。 該製造裝置40中之雷射光產生手段41係使用使波長 未達2/ΖΠ1、脈衝寬度未達200η秒之雷射光(可見光或紅外 線之雷射光)產生者。並且’在可易於利用之點上,雷射 光L之脈衝寬度以1至100η秒為佳。 聚光透鏡42之配置係以雷射光l之焦點?位於透明導 電層a與聚光透鏡42之間者為佳。藉此,絕緣基板以⑴ 及載置台43所碰上的雷射光L之光點直徑(spQt sizes) 322772 11 201205603 變的比透明導電層a所碰上的雷射光L之光點直徑大,絕 緣基板11 (21)及載置台43所碰上的雷射光L之能量密度 變小,因此可防止絕緣基板11(21)及載置台43的損傷。 聚光透鏡42係以低開口數(NA<0·〗)者為佳。亦即,藉 由使聚光透鏡42之開口數成為NA<0. !,即可易於設定雷 射光L之照射條件,特別是雷射光[之焦點F位於透明導 電層a與聚光透鏡42之間時,可防止上述焦點F中之空氣 的電漿化所帶來的能量損失與雷射光L之擴散。 更且,透明導電層a係例如在由金屬超細纖維4所構 成之網狀構件3之纖維(絲線)間填充(浸潰)由樹脂所成之 透明基體2而形成,且設在由透赌脂薄朗構成之絕緣 基板11(21)上時,藉由上述之設定,可使埋設在透明導電 層a之透明基體2内的金屬超細纖維4從透明基體2之表 面喷出而確實地去除。因此,藉由對應所要的絕緣部丨之 形狀使空隙5確實轉成,即可確實地且容易地實現絕緣 化處理。 並且,由於經雷射光L照射在透明導電層a上之照射 點非為點狀而形成面狀,因此,透明導電I a _邊加工亦 不帶給、、’E緣基板11(21)影響之照射能量密度的控制,變的 較以往容易。更且’對於透料電層a,除了可-併描繪 線寬度較粗的絕緣圖案,且易於所謂的填滿(fiu in)加 =,同時,可大幅度地取得上述絕緣圖案的寬度,因而提 尚絕緣部I的絕緣性。 並且,載置台43成為可在水平方向進行二維移動。載 322772 201205603 置台43之至少上面側係以透明的構件或具有光線吸收性 的構件所構成者為佳。 載置台43在絕緣基板11(21)為透明且雷射光L之輸 出超出1W時’係以尼龍系之樹脂材料或矽膠系之高分子材 料為佳。 其次’對於使用上述製造裝置40之導電圖案形成基板 的製造方法進行說明。 首先,在载置台43上載置導電性基板用積層體A,使 透明導電層a載置在絕緣基板11(21)之上。 其次’藉由雷射光產生手段41使雷射光射出,並經由 聚光透鏡42將雷射光l聚光。將該經聚光之雷射光L的超 出焦點F且光點直徑擴散的部分照射透明導電層a。此時, 使雷射光L照射成為規定之圖案的方式而移動該載置台 43。 照射透明導電層a之雷射光L的能量密度及每單位面 積之能量係依雷射之脈衝寬度而異。 脈衝寬度未達lp秒的雷射(例如飛秒雷射)中,係以能 量社、度為1x10至7xl〇17W/m2、每單位面積之照射能量為1 xlO5至 lxl06J/m2者為佳。 脈衝寬度為1至l〇〇n秒之雷射(YAG雷射或γν〇4雷射) 中,係以能量密度為1 χ1 〇π至7xl〇i8w/m2、每單位面積之照 射能量為lxlO6至1><1071/1112者為佳。 , 亦P此篁岔度·照射能量設定為小於上述數值範圍 之值時,絕緣部I之絕緣會有不足之憂。並且,設定為大 322772 13 201205603 於上述數值範圍之值時,加工痕跡變的顯目,在透明觸控 面板或透明電磁波屏蔽等之用途中變的不妥。 並且,該等之值係藉由以加工區域之聚光光點面積除 以加工領域中之雷射束的輸出值而定義,簡便上,輸出係 來自雷射振盪機之輸出值乘以光學系之損失係數而求得。 並且,光點直徑面積s係依下述式而定義。
S=S〇xD/FL S〇:以透鏡聚光之雷射束面積 FL :透鏡之焦點距離 D:透明導電層a之表面(上面)與焦點之距離 其中,距離D設定在焦點距離FL之0. 2%至3%之範圍 内。較佳者係距離D設定在焦點距離FL之0. 5%至2%之範 圍内。更佳者係距離D設定在焦點距離FL之1. 5%至2%之 範圍内。藉由使距離D設定在上述數值範圍,除了可確實 地進行絕緣部I中之金屬超細纖維4的去除(空隙5的形 成),同時可形成具有電性高之信賴性的絕緣圖案(導電圖 案),並且可確實地防止因絕緣基板11(21)之損傷所引起 的加工痕跡。 並且,在形成精度高之導電圖案之點,透明導電層a 之相同部分宜以雷射光L間歇地照射複數次。具體而言, 以間歇地照射3至500次者為佳,以照射2至200次者更 佳。如為3次以上之照射,可更確實地絕緣化,如為500 次以下之照射,即可防止經雷射光L照射之透明基體2部 分因溶解或蒸發之去除。 14 322772 201205603 如此作法,在透明導電層a上施行圖案化,除了形成 具備由導電部C與絕緣部I所構成之導電圖案的透明導電 膜12(22),同時,導電性基板用積層體A成為導電圖案形 成基板(導電性基板)10(20)。 另外,在上述說明中,雖在XY台等之移動式載置台 43上裝載導電性基板用積層體A進行圖案化,惟並不僅限 於此。亦即,可為例如:將導電性基板用積層體A作成固 定狀態並使聚光系構件相對地移動之方法、使用鏡測電流 計等將雷射光L進行掃描之方法、或者,將上述者組合後 進行圖案化之方法。 上述製造方法中使用之導電性基板用積層體A係以下 所示者。 導電性基板用積層體A之透明導電層a中,構成網狀 構件3之無機導電體,可列舉如:銀、金、鎳等金屬奈米 線。並且,透明導電層a之中,構成透明基體2之絕緣體 可列舉如:透明之熱塑性樹脂(聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙 烯酯共聚物、聚曱基丙烯酸曱酯、硝基纖維素、氣化聚乙 烯、氯化聚丙烯、偏氟乙烯)、以熱或紫外線或電子束或放 射線而硬化之透明的硬化性樹脂(三聚氰胺丙烯酸酯、胺基 曱酸酯丙烯酸酯、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸改質 矽酸鹽等聚矽氧樹脂)。 並且,第5圖係本實施型態之變形例,圖示之例中, 在導電性基板用積層體A中之絕緣基板11 (21)之上下兩面 設有一對透明導電層a。此時,作為聚光透鏡42,如使用 15 322772 201205603 焦點距離FL在50_以上之開口數未達〇. 2者,可使雷射 光L之擴散變小。因此,透鏡之位置調整變的容易,同時, 絕緣基板11(21)之兩面中的光點直徑差距變小,雙方之透 明導電層a所對的能量密度變的略同,因此,可使雙方的 透明導電層a —併形成相同的絕緣圖案。 並且,在絕緣基板11(21)之兩面形成的透明導電屛玨 之中,僅有單面的透明導電層“邑緣化時,作為聚光^ a 42係可使用開口數大於〇. 5者。 兄 如上述之說明,依據本實施型態之透明導電膜12(2 及使用該透明導電膜12⑽之導電性基板1()⑽)、, =中狀ί有導電性之網狀構件3的配置領域作為導電 i缘部I ΐ件3被去除卿叙㈣5的崎_域作為 =,’導電部C係確保依由金屬所構成= 導通,絕緣部I係藉由網狀構件3 ”可確實地得到電性被去除而形成 2内電Γ接之之電财’由分散於遷明基體 3,不僅4 奈米料所糾Μ狀構件 3不僅於導電部c而錢留在絕 錢構件 部I中難以確實地進行絕緣。 ::在上述絕緣 之構成,由於絕緣部工之網狀構件 實施型態 成空隙5而麵 (金屬超細纖維4)取代 明導電膜1丄 確實地絕緣,因此,除了透 乃导顆12(22)中之電氣特性(性 除了透 製品(輸入敦D之信賴性。 & 5日寺提高作為 周狀構件3被去除㈣成符合(對 更且,絕緣部I中, 322772 16 201205603 應)上網㈣件3(金屬超域維4)之形狀的空隙5 即’耩由形成如此之空隙5,導電部c與絕緣部 夕、 色調與透明性近似,而難以藉由肉眼等而相互判斷(看到)之 並且,由於網狀構件3係由分散於透明基體2 之金屬超細纖維4所構成,因此,該網狀構: [即可較料形成。 金屬超細纖維 本實施型態’金屬超細纖維4中使用以銀作 為主成刀者時,上述金屬超細纖維4㈣容易取得 為網狀構件3使用。並且,將絕緣部ϊ之網狀構件%金 超細纖維4)經雷射加工而錄時,以市售之—般的雷射加 工機即可對應。並且,以銀為域分之金屬超細纖:4, 由於透光率高且表面電阻係數低而可形成無色透明 圖案,因而更佳。 雷射加工機(置造裝置)4〇如使用脈衝寬度未達lp秒 之極短脈衝雷射(飛秒雷射)時,可確實地使雷射加工後之 導電性基板10(20)中的導電圖案不顯目,而更加期待。 如此’依據本實施型態之透明導電膜12(22)及使用該 透明導電膜之導電性基板1〇(2〇),則導電圖案不易看到, 且確實地使導電圖案中之導電部C成為低電阻且使絕緣部 I確實地絕緣,可得到穩定的電氣性能。 另外,本發明並不限於上述之實施型態,在不脫離本 發明之主旨的範圍内可加入各種變更。 例如:在上述之實施型態中,雖將絕緣基板u、21均 17 322772 201205603 作成透明者,然亦可使該等絕緣基板11、21之任一者或雙 方施行具有某種程度之透明性的著色。 網狀構件3雖作成由分散在透明基體2内且互相以電 連接之複數的金屬超細纖維4所構成者,然並不限定於 此亦即,網狀構件3亦可作成包含將具有導電性之金屬 膜經触刻等而形成格子狀的線栅(Wire~grid)。 導電性基板1 〇 ( 2 0 )可任意地附加點著、抗反射、硬塗 層及微小間隔物等的機能層。 特別是,在使用YAG雷射或YV〇4雷射的基本波等波長 lOOOnm左右的雷射,同時作為上述機能層如使用丙烯酸系 高分子材料時,從外觀特性之觀點,以在雷射照射後裝設 機能層者為佳。 [實施例] 以下,將本發明藉由實施例更具體地進行說明。惟本 發明並不被此實施例所限定。 [製造例1]銀奈米線導電薄膜(導電性基板)之製作(本發明 之實施例) 於厚度100//m之透明的聚酯(PET)薄膜(絕緣基板 11、21)上塗佈Cambrios公司之〇hm(商品名稱)印墨(金屬 超細纖維4),乾燥後,在其表面塗佈紫外線硬化性之聚酯 樹脂印墨(透明基體2) ’藉由施行乾燥•紫外線處理,在 PET薄膜上形成由線徑50mm左右、長度15/ζιη左右之銀纖 維(金屬超細纖維4)所構成的具有導電性二維網絡(網狀構 件3)之耐磨擦性的透明導電層a(第2圖)。 322772 201205603 S亥銀奈米線導電薄膜(導電性基板10、20)之透明導電 層a的表面電阻為230Ω/□、透光率為的%。 其次,將該銀奈米線導電薄膜裁切加工為長度 寬度50mm的長方形,作成銀奈米線導電薄膜試驗片 80mm、 〇 [製造例2]銀蒸鍍導電薄膜之製作(比較例) 準備在厚度100//ιη之透明的PET薄膜的單面上設有矽 酮/丙婦酸酉旨之硬塗層纟,在該硬塗層之另一面上藉由磁控 濺鍍裝置形成厚度6〇nm之氧化鋅膜。接著,在該氧化鋅膜 之表面使用磁控濺鍍裝置形成厚度27nm之銀膜。更且,在 該銀膜之表面,與上述氧化鋅膜之相同方式,形成厚度6〇nm 之氧化鋅膜(第6圖)。藉此’在pet薄膜上形成由氧化辞 膜與銀膜所構成之具有導電性的二維網絡之透明導電層。 詳言之’如第6圖所示’銀錢層係複數的粒狀物密集連 結而形成如設有若干的空隙。 該銀蒸鍍導電薄膜之透明導電層的表面電阻為95Ω/ 、透光率為85%。 其次,將該銀蒸鍍導電薄膜裁切加工為長度8〇mm、寬 度50mm的長方形,作成銀蒸鍍導電薄膜試驗片。 [實驗例1] 使用波長750nm、輸出10mW、脈衝寬度i3〇f秒、重複 頻率1kHz、電子束直徑5mm的飛秒雷射(製造裝置4〇),並 使用焦點距離FL=l〇〇mm之聚光透鏡42與鏡測電流計,在 厚度5削1之玻璃板上配置有導電性基板(上述銀奈米線導 電薄膜或上述銀蒸鍍導電薄膜)之試驗片中,從上述透明導 322772 19 201205603 電層之表面朝向聚光透鏡42側調整使雷射光L的焦點ρ % 定在間隔1.5_之位置後,使聚光點以lmm/秒橫切試驗$ 之寬度方向而移動,進行直線描繪(絕緣圖案之形成)。 [實驗例2] 除了雷射光L之焦點F設在上述透明導電層之表面上 以外’作為與實驗例1之相同條件’進行直線=緣。 [實驗例3] 使用波長1064nm、輸出12W、脈衝寬度2〇ri秒、重複 頻率100kHz、電子束直徑6. 7mm之γν〇4雷射(製造裝置 40),並使用焦點距離FL=300mm之聚光透鏡42與鏡測^流 計,在DURAC0N(註冊商標)上配置有導電性基板(上述銀二 米線導電薄膜或上述銀蒸鍍導電薄膜)之試^片中,從上= 透明導電層之表面朝向聚光透鏡42側調整使雷射光1的焦 點F設定在間隔3mm之位置後,使聚光點以1〇〇mm/秒橫^ 試驗片之寬度方向而移動,進行直線福緣。 [實驗例4] 除了聚光點之移動速度設為3〇〇mm/秒以外,作為與實 驗例3之相同條件,進行直線描繪。 [實驗例5] 除了輸出設為3. 6W、平本* μ 秒以外,作為與實驗例3=^之±移動迷度設為福/ [實驗例6] ^目同條件’進行直線描缘。 除了雷射光L之焦點F 以外,作為與實驗例4 <相 設在上述透明導電層之表面上 同條件,進行直線描繪。 322772 20 201205603 [實驗例7] 作為與實驗例4之相同條件,在相同處重複5次的直 線描繪。 [實驗例8] 使用波長10.6#m、輸出15W之碳酸氣體雷射(持續振 盪:sustained oscillation),並使用焦點距離 FL=300mm 之聚光透鏡42與鏡測電流計,從試驗片中之上述透明導電 層之表面朝向聚光透鏡42側調整使雷射光L的焦點F設定 在間隔3mm之位置後,使聚光點以300mm/秒橫切試驗片之 寬度方向而移動,進行直線描繪。 對於經上述實驗所得之導電圖案形成基板(導電性基 板),使用測試機,夾住經雷射光L照射之部分測定電阻 值。並且,導電圖案之視認性(加工痕跡)以肉眼評價。評 價結果不於表1。 另外,評價基準(A、B、C、D)係如下述。 A :優。電阻值超出10ΜΩ而確實地進行絕緣,且導電圖案 完全無法看到。 B :良。電阻值超出10ΜΩ而確實地進行絕緣,且導電圖案 幾乎無法看到(在組成觸控面板之際,實質上無法看到加工 痕跡者)。 C :可。電阻值超出10ΜΩ雖確實地進行絕緣,然為可看到 導電圖案者(在組成觸控面板之際,可作為製品使用的程 度)。 D :劣。電阻值在10ΜΩ以下,係絕緣化不足者,或者,形 21 322772 201205603 成能以肉眼確認出燒焦或開孔之程度者。亦即,無法作為 製品使用。 實驗例 〇〇 ε =1 〇 ^4 r1 < 300mm 1 3mm上 300mm/秒 D (明確的加工痕跡) 1 1 1 卜 YV〇4雷射 1064nm 300mm 1 3mm上 300_/秒 LO CQ 〇 CO Ooun i (表面上) 〇 D (燒焦) m 3. 6ff 3mm上 D (無絕緣化) D (無絕緣化) D (無絕緣化) D (無絕緣化) CO 100mm/秒 CQ 〇 飛秒雷射 750nra 10mW lOOmm 0mm (表面上) 1mm/秒 〇 1·^ l 1.5mm 上 D (無絕緣化) 照射條件 雷射加工機 波長 輸出 焦點距離(FL) v0 w錄 ¥ 5 s胡- 聚光點的移動速度 掃描頻率 5^ 5: sS ―画 Ci輕 ^ 1 5贼 <Μ画 22 322772 201205603 如表1所示,在製造例ι(本發明之實施例)之實驗例 1、3、7中,照射領域之透明性及色調等之變化無法在光 學顯微鏡中確認。然後,以電子顯微鏡觀察照射領域時, 確認出由透明基體僅蒸發銀奈米線而形成空隙5(第3 圖)。特別是在實驗例1中,毫無見到照射領域的變化,而 可得到良好的結果。並且,在實驗例2、6中觀察照射領域 後,確認出透明導電層a本身經燒蝕而從PET薄膜上去除。 另一方面,在製造例2(比較例)之實驗例1至7中, 得不到評價A及B。另外,在製造例2之實驗例2、3、7 中,於照射領域(第7圖中以符號LI表示之照射領域)中, PET薄膜之表面的銀蒸鍍層經廣範圍地去除,與具有導電 性之未照射領域(第7圖中以符號UI表示之未照射領域) 相反,確認出絕緣性的確保。 並且,在實驗例8中,導電圖案有明確的加工痕跡殘 留(評價D),無法成為適用作為製品之程度。 [製造例3]觸控面板(輸出裝置)之製作(本發明之實施例) 其次,對於使用本發明之透明導電膜及導電性基板的 觸控面板(配線基板)之製造例進行說明。 首先,在導電性基板用積層體A之透明導電層a上, 以網版印刷將市售之銀膏印刷成帶狀,形成連接器圖案。 然後,如第8圖及第10圖所示,以實驗例2之條件,在透 明導電層a上將「+」記號作為標記,以5mm間距、長度 1mm者6個為一列,2列記號之間空出25mm間隔,作成輸 入領域之標記。 23 322772 201205603 其次,如第9圖及第10圖所示,將「+」記號在基點 以實驗例1之照射條件照射6條長度35mm之線(雷射光 L),作為輸入領域内之配線圖案。 接著,將「+」記號在基點以實驗例2之條件,在橫切 連接器圖案之犁態下形成絕緣圖案,得到具有25_四方之 輸入領域的觸控面板用配線基板。另外,準備一對該觸控 面板用配線基板,以測試機確認後,該等觸控面板用配線 基板在輸入領威端部中之配線圖案間為絕緣狀態。 其次’使用網版印刷,在該等觸控面板用配線基板中 之-片,α「+」記號作為標記,將直徑·m、高度8/zm 之丙豨酸錢脂所成之微小間隔物3Q,以lmm間距形成複 數個(參照第1圖)。 接著,分別㈣錢相_ 30之觸控面㈣配線基 板與未形賴小_物3Q之馳面㈣配隸板切取成 規定形狀,以透明導—12(22)互相面對面配置之方式, 2市售之雙面膠貼上四邊,作成透明之膜式觸控面板(輸 入裝置1)(參照第1圖)。 [評價] 線圖t此!! 之觸控面板1並未見到微小間隔物30、配 踝圖案,並且,確纫Ψ从 「劁、幻U一 出作為鍵矩陣之機能。 [製造例彻控面板之製作(比較例) 在預先印有微pq κ 以與製造例3 30之導電性基板用積層體A, 小間隔物30變黑。 進行圖案化後,以肉眼確認出微 24 322772 201205603 【圖式簡單說明】 - 第1圖係將本發明之一實施型態的透明導電膜及使用 該透明導電膜之導電性基板所適用之輸入裝置簡略化呈示 的侧剖面圖。 第2圖係說明本發明之一實施型態的透明導電膜之網 狀構件(導電部)及雷射加工前的透明導電層之放大照片。 第3圖係說明本發明之一實施型態的透明導電膜經去 除網狀構件而形成的空隙(絕緣部)之放大照片。 第4圖係將製造本發明之一實施型態的透明導電膜及 使用該透明導電膜的導電性基板之製造裝置(雷射加工機) 簡略化呈示的側面圖。 第5圖係呈示第4圖之導電性基板及製造裝置的變形 例之侧面圖。 第6圖係說明比較例中之透明導電膜的導電部及雷射 加工前的透明導電層之放大照片。 第7圖係說明比較例中之透明導電膜的照射領域(絕 緣部)之放大照片。 第8圖係說明使用本發明之透明導電膜及導電性基板 製造輸入裝置之實施例(製造例)的侧面圖。 第9圖係說明使用本發明之透明導電膜及導電性基板 製造輸入裝置之實施例(製造例)的侧面圖。 第10圖係說明使用本發明之透明導電膜及導電性基 板製造輸入裝置之實施例(製造例)的剖視圖。 【主要元件符號說明】 25 322772 201205603 1 輸入裝置 2 透明基體 3 網狀構件 4 金屬超細纖維 5 空隙 10、20 導電性基板 11 ' 21 絕緣基板 12、22 透明導電膜 30 微小間隔物 40 製造裝置 41 雷射光產生手段 42 聚光透鏡 43 載置台 A 導電性基板用積層體 C 導電部 I 絕緣部 L 雷射光 LI 照射領域 S 光點直徑面積 UI 未照射領域 26 322772

Claims (1)

  1. 201205603 七 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 、申請專利範圍: 一種透明導電膜,JL特徽位. 體、與由具有導電性金相播具備具有絕雜之透明基 内之網狀構件,在上述且配置在上述透明基體 件之導㈣* 核體巾設有配置上述網狀構 隙的絕緣部/、配置藉由去除上述網狀構件而形成之空 如Π專利範圍第1項所述之透明導電膜,其中,上述 係由分散在上述透明基體内且互相以電連接 之金屬超細纖維所構成。 如申咕專#】|&1|第2項所述之透明導電膜,其中, 金屬超細纖維係以銀為主。 、 述 如申請專利範圍第1項所述之:明導電膜,其中,上述 絕緣部之空隙係在上述網狀構件上照射脈衝狀雷射而 形成者。 如申請專利範圍第2項所述之透明導電膜,其中,上述 絕緣部之空隙係在上述網狀構件上照射脈衝狀雷射而 形成者。 如申請專利範圍第3項所述之透明導電膜,其中,上述 絕緣部之空隙係在上述網狀構件上照射脈衝狀雷射而 形成者。 如申請專利範圍第4項所述之透明導電膜,其中,上述 脈衝狀雷射係脈衝寬度未達lp秒之極短脈衝雷射。 如申請專利範圍第5項所述之透明導電膜,其中,上述 脈衝狀雷射係脈衝寬度未達lp秒之極短脈衝雷射。 1 322772 201205603 9. 如申請專利範圍第6項所述之透明導電膜,其中,上述 脈衝狀雷射係脈衝寬度未達lp秒之極短脈衝雷射。 10. 如申請專利範圍第4項所述之透明導電膜,其中,上述 脈衝狀雷射係YAG雷射或YV〇4雷射。 11. 如申請專利範圍第5項所述之透明導電膜,其中,上述 脈衝狀雷射係YAG雷射或YV〇4雷射。 12. 如申請專利範圍第6項所述之透明導電膜,其中,上述 脈衝狀雷射係YAG雷射或YV〇4雷射。 13. —種導電性基板,其特徵係:將申請專利範圍第1至 12項中任一項所述之透明導電膜設在絕緣基板之至少 一面上。 14. 如申請專利範圍第13項所述之導電性基板,其中,上 述絕緣基板為透明者。 2 322772
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