TW201142903A - Movable detector for charged particle beam inspection or review - Google Patents

Description

201142903 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 _」 纟發明主要㈣於—帶電粒子成像线的偵測單元， 特別是❹i單元的-部份可以在成像狀況需要的時候移 進或移出偵測系統。 【先前技術】 [0002] 莫爾定律（Moore，s law)描述一在電腦硬體的歷史 中的長期趨勢，即幾乎將近每兩年，可以被廉價地置放 於積體電路的電晶體數量就會倍增。許多數位電子裝置 的功能與莫爾定律有強烈的關連：處理速度 '記憶體容量 、感應器、甚至是數位相機中像素的數量與尺寸都與莫 爾定律有關連。上述的這些進步與改善也大致上呈現指 數形式的增加。近來，設計節點（design node)縮減到 22奈米（nm)或是甚至更小’然而’使得缺陷檢查裝置， 例如光學系統，很難去偵測到晶圓上出現的異常 (anomalies)。這是由於傳統光源的解析度不再小於這 些異常的尺寸。為了提升缺陷檢查的解析度，—更為適 合的檢查裝置’例如—電子束檢查裝置（e-beam inspection tool) ’ 被引進以做為半導體製程檢查之用。 更進步在電麗對比（v〇ltage ^咐如；簡稱代） 模式的檢查’電子束檢絲置甚至可以發現以今日光學 檢查系統幾乎無法發現的層下缺陷（Under-layer· de_ feet)。因此’電子束檢查裝置在半導體製财變成很重 要。 闺 纟—般的異常尋找過程中，大區域的檢視與電愿對比 100118213 表單編號A0101 第4頁/共25頁 1002030632-0 201142903 [0004] Ο [0005]

[0006] 模式的檢查，一較大的束流電流（beam current Iu)， b 例如數百奈米安培（nA)，應用於電子束檢查系統。在另 一方面，一旦這些異常被找出來進行檢閱與分析這些異 常的發生原因，則需要高解析度的電子束檢查系統與一 較小的束流電流，例如數十微微安培 (pi co-amoeres ; ρΑ)，用以取代前述較大的束流電流。 直到目前，只有電子束系統可以同時處理Wang等人於 2010年3月2號申請，美國申請號為12/715, 766，標題 為「Charged Particle Beam Detection Unit with Multi Type Detection Subunits」此篇專利 内公開的大電流與低電流檢查前述的多類型或複合型設 計（multi type design)能夠為了高解析度與高速度的 需求而處理大束流電流與小束流電流。然而，這樣會犧 牲了立體影像的側視功能。 本發明提供一偵測單元與一可以以立體影像實施一大 範圍的束流電流檢查、實施需要高解析度與小束流電流 的缺陷複檢、及以立體影像實施缺陷複檢與微缺陷檢查 〇 【發明内容】 本發明主要相關於一帶電粒子成像系統的偵測單元， 特別是相關於一種偵測單元，其一部份可以在成像狀況 需要的時候移進或移出偵測系統。藉由We in過濾器（也稱 為ExB帶電粒子分析器；ExB charged particle analyzer) 的幫助 ，本發 明提供一種可 以同時適用於低電流 高解析度模式及高電流高輸出效率（high throughput) 100118213 表單編號A0101 第5頁/共25頁 1002030632-0 201142903 模式的立體成像系統（stereo imaging system)。本發 明應用於一掃描式電子束檢查系統僅作為一範例，但是 要知道的是本發明也可以應用於其他使用電子束來做為 觀察工具的系統。 [0007] [0008] [0009] [0010] 本發明之一實施例採用片式偵測單元集成 (sectional detection unit integrate)，在以立 體影像實施一大束流電流時，為—收集帶電粒子成像系 統收集訊號電子。 本發明之另一實施例中，藉由_Wein過濾器，也稱為 ExB帶電粒子分析器，將訊號電子引導至一可移動的偵測 器，當實施缺陷複檢或需要高解析度與低束流電流的微 缺陷檢查時。 本發明之又一實施例中，選擇一可移動的片式高增益 檢測器（high gain secti〇nal movable detect〇r) ，以實施異常複檢（anomalies review)或細部層次的 檢查（fine detail inspecti〇n)與構成這些異常的立 體影像。 本發明提供一種藉由取代特定的偵測區域以接收訊號 帶電粒子的樣品表面成像方法。此方法包含下列步驟提 供一帶電粒子束系統而發射帶電粒子至樣品表面上；提供 片式主谓測器以接收由樣品表面放射出的帶電粒子， 其中，該月式主偵測器至少具有至少兩片片式偵測器， 用以在一大束流電流低解析度模式下構成立體影像；提供 一可移動的高增益檢測器組用以接收由樣品表面放射出 100118213 表單編號A0101 第6頁/共25頁 1002030632-0 201142903 Ο 的帶電粒子，其中，該可移動高增益檢測器組至少具有 一片片式偵測器，用以在一小束流電流高解析度模式下 構成影像；提供一可移動的片式高增益檢測器以接收由樣 品表面放射出的帶電粒子，其中，該可移動的片式高增 益檢測器具有至少兩片片式偵測器，用以在一小束流電 流高解析度模式下構成立體影像；提供一 Wein過濾器或 ExB帶電粒子分析器用以將由樣品表面放射出的帶電粒子 引導至控制電腦所設定的偵測區域；提供一控制電腦，而 根據一入射帶電粒子束能量與預設的成像需求，計算出 該We in過濾器或ExB帶電粒子分析器使放射出的電子轉向 的附加磁場強度與電場強度；及根據特定偵測器所偵測到 的訊號粒子產生影像。 [0011]

片式主偵測器可以為一固態偵測器或埃弗哈特-索利 恩（Everhart-Thornley)偵測器（E-T detector)，而 可移動的高增益檢測器可以為一固態偵測器。可移動的 高增益檢測器可以不放置於主束流（primary beam)通過 的光軸上或放置於接近主束流通過的光軸的位置、當選 擇低束流電流高解析度模式時才被放置、或是在選擇低 束流電流高解析度與立體影像模式時，放置於低於片式 主偵測器的位置。 [0012] 本發明也提供一用於檢查裝置的訊號接收裝置。此訊 號接收裝置包含一第一檢測器位於該檢查裝置的主束流 的光軸上（on -ax i s )，及一第二偵測器，其可由該檢查 裝置的一粒子束光學柱（column)的外部移動至該粒子束 光學柱的内部。訊號接收裝置更包含用以將該第二偵測 100118213 表單編號A0101 第7頁/共25頁 1002030632-0 201142903 [0013] [0014] [0015] [0016] 100118213 器由該粒子束光學柱外部移動至粒子束光學柱内部的裝 置。 第-檢測器相較於該第二檢測器具有較低的增益（i⑽ gain)，第二彳貞測器偏離於該檢查裝置的主束流的光轴。 Λ號接收裝置更包含—能量過遽器位於該第二偵測器的 偵測表面之前，用以接收帶特定能量的訊號電子，其中 ，該能量過濾器包含一用以接收訊號的第一篩網（first mesh)用、一接近第二偵測器的偵測表面的第二篩網、一 介於第一網目與第二網目之間並具有低於檢查裝置内樣 口口的偏壓的電位的能量篩網（energy screen此化）、 及一金屬外殼包圍第一篩網、第二篩網、及能量篩網。 此金屬外殼接地，而此訊號接收裝置更包含— 過濾 器用以將訊號由該檢查裝置引導至該第二偵測器。 第二偵測器可以位於該檢查裝置的主束流的光軸上， 而當該訊號接收裝置在一小束流電流高解析度模式下檢 查一位於該檢查裝置中的樣品時，該第一偵測器可以設 置在該第二偵測器上方。 第一偵測器位於該檢查裝置的一物鏡上方而接收一大 於第二偵測器的訊號電流，而第二偵測器用以在一小束 流電流高解析度模式下檢查位於檢查裝置中的一樣品。 【實施方式】 以下將詳細描述本發明各種較佳實施例。這些實施例 都展示於對應的圖示中。當以這些實施例說明本發明時 ’這些實施例僅作為例示之用，不應造成專利範圍的限 制。相反的’以下所揭露的實施例應解釋以涵蓋申請專 表單編號A0101 第8頁/共25頁 1002030632-0 201142903 [0017] Ο [0018]

[0019] 100118213 »圍的各種修飾、替代、等效變化在不背離本發明 申吻專利範圍的精神與範疇的狀況下。在下列說明中 眾夕的特疋說明被提出來以提供對本發明可以有一通 的瞭解纟發明可以在缺少-些或全部上述特定說明 兄下實施。換言之’為了避免與本發明混淆一些 …、知的流程操作並未加以說明。 本發月主要相關於一種帶電粒子成像系統的谓測單元 寺別疋相關於—種偵測單元，其—部份可以在成像狀 ，需要的時候移進或移出制系統。藉由Wein過濾器（也 /為ExB帶電粒子分析器）的幫助與可移動的積測器的設 。十’本發明提供—種可簡時義於低電流高解析度模 式及高電流高輸出效率（high throughput)模式的立體 成像系統。本發明應用於—掃描式電子束檢查系統僅作 A範例’但是要知道的是本發明也可以應用於其他使 用電子束來做為觀察工具的系統。 本發明應用於一用於檢查裝置的訊號接收裝置，或一 用以接收由檢查裝置而來的訊號帶電粒子的裝置。此檢 查裝置可以為一電子束系統，特別是為一掃瞄式電子顯 微鏡。本發明也相關於以不同的偵測機構偵測訊號帶電 粒子的方法，其可以同時於原地（in_situ)偵測大束流 電流低解析度模式與小束流電流高解析度模式。 此訊號接收裝置包含第—主偵測器，其位於檢測裝置 之主束流（primary beam)的光軸上（〇n_axis)，及第二 孩測器’其可以由檢查裝置的粒子束光學柱内部移動到 粒子束光學柱外部的，其中，第一偵測器相對於第二偵 表輩編號A0101 第9頁/共25頁 1002030632-0 201142903 測器具有較低的增益。第一偵測器，其為—用以接收由 樣品表面發射出的訊號帶電粒子的片式主偵測器，在— 大束流電流與低解析度模式下至少具有至少兩片片式偵 測器，用以構成一立體影像。第二偵測器，其為一可移 動的高增益檢測器以接收由樣品表面發射出的訊號帶電 粒子，至少具有一片片式偵測器，用以在一小束流電流 高解析度模式下構成一影像，或具有至少兩個片片式偵 測器’用以在一小束流電流高解析度模式下構成另_立 體影像。第一偵測器位於檢查裝置的一物鏡上方而接收 一大於第二偵測器的訊號電流，第二偵測器用以在—小 束流電流高解析度模式下檢查一位於檢查裝置中的樣品 。在一實施例中，第一偵測器為一固態偵測器或埃弗哈 特-索利恩（£¥61~1^]"1；-1'1101：11167)偵測器（£-丁（16-tector)，或是磷光-光電倍增管（ph〇sph〇卜pMT tector )，而第二偵測器為—固態偵測器，其中，固態偵 測器可以為一半導體光二極體偵測器，例如p丨N光二極 體。 [0020] 如果第二偵測器偏離於檢查裝置的主束流的光軸，訊 號接收裝置會更進一步包含一在第二檢測器的入射表面 (incident surface)上用以由含有足夠能量的檢查裝 置喷射出訊號的能量過濾器，其中，此能量過濾器用以 過濾低能量訊號電子。一金屬外殼接地，而訊號接收裝 置則更進一步包含一《^^過濾器以將訊號由檢查裝置引 導至第二偵測器。Wein過濾器為—Εχβ帶電粒子分析器， 用以將樣品表面放射出的訊號帶電粒子引導至一特定區 100118213 表單編號Α0101 第10頁/共25頁 1002030632-0 201142903 [0021] [0022] Ο [0023]

域。 如果第二偵測器在檢查裝置的主束流的光軸上，則第 二偵測器具有一位於中央的孔洞，而讓由檢查裝置來的 帶電粒子可以通過該孔洞，而當訊號接收裝置在一低束 流電流高解析度模式下檢查一位於檢查裝置中的樣品時 ，第一偵測器則位於第二偵測器上方。 訊號接收裝置更包含用以將第二偵測器由粒子束光學 柱外部移動至粒子束光學柱内部的裝置，其中，此裝置 包含適合將第二偵測器裝置於粒子束光學柱外部或内部 的機構。 第一圖係為一由先前技術申請號為1 1/755, 705之美 國專利所公開之截面式偵測器，其用於在實施一般需要 較大束流電流（lb)與高速率的異常尋找流程的時候形成 立體影像。片式偵測器110由四個二次曲面部份 (quadric-sections)llOa、110b、110c、110d所組 成。偵測器110具有一中央孔洞130以供主束流通過。每 一二次曲面部份110a、110b、110c、11 0d接收的訊號 都會被各自擁有的放大器進行放大，例如放大器120a、 120b、120c、120d。在成像過程中，一在控制電腦中的 影像處理單元會處理由檢測器110各部份所收集的訊號， 並將其組成一立體影像。 第二圖為本發明之一可移動的偵測器組440的頂視略 圖，而第三圖為本發明之可移動的偵測器組440侧視略圖 。可移動的偵測器組440包括一高增益偵測器21 0與一在 100118213 表單編號A0101 第11頁/共25頁 1002030632-0 [0024] 201142903 高增益偵測器210之前的能量過濾器23〇。高增益偵測器 210所測得的訊號由放大器⑽進行放大。能量過渡器 2 3 0用以過渡低能$訊號電子，其可以參考美國專利申請 號為7, 141，791此篇專利之内容。當帶電粒子系統執行 需要高階析度與低束流電流的異常複查（an〇mal i α view)或細微缺陷檢查（fine defect inspecti〇n)程 序時，由樣品表面發射的二次電子““⑽心” Μα — trons;簡稱SE)與背向散射電子…扣“⑶忖叶㈠ electrons;簡稱BSE)，藉由一 Wein過濾器（未示於第二 圖與第二圖中）被引導至_器上。第二圖中的高增益谓 測器210 ’舉例來說’可能不只—個制器單元而已。高 增益偵測器210可以由多個偵測器單元組合而成，例如由 偵測器單元210a與21Gb組合而成。由各自獨立的偵測器 單元210a與210b所接收的訊號，會被傳送到各自的訊號 放大器220a與220b用以供立體影像模式使用。 [0025] 第四圖展示在實施正常的異常搜尋檢查時可移動的偵 測器440的訊號電子軌跡與位置。一帶電粒子束的主束流 (或一次帶電粒子束）420由一帶電粒子發射器（尖端）41〇 發射，通過一物鏡470而到達目標48〇的表面。主束流 420被物鏡470聚焦而進入一粒子束探針（以⑽pr〇be) ，而藉由偏轉器460掃瞄目標480的表面。由目標48〇表 面發射出來的訊號電子490，例如背向散射電子（BSE)與 二次電子（SE)，為主偵測器430所收集而形成目標48〇表 面的影像。主偵測器430可以為一固態探測器或埃弗哈特 索利恩（Everhart-Thornley)偵測器（E-T detect- 100118213 表單編號A0101 第12頁/共25頁 1002030632- 201142903 or)。當實施~定& 檢查時’可移動的偵測器組440置放 於電子束光學枉b k ve〜beam column)的邊界401之外。在 本發明之一實施你丨，+ & ., 主债測器4 3 0為一低增益、反應速度 快的截面式偵測器（^ β + . (sectional detector)，其可以提 供目標480表面的令拼旦/你 體影像。此用以提供立體影像的截面 式偵測器公開於T C； μ & , ^ 1 seng專人所提出的美國專利號為 7，705, 301號專利中。 [0026]

第五圖展示 複檢（anomal i 在執行需要高解析度與小束流電流的異常 es review)或或細部層次的檢（nne detail inspection)時，訊號電子軌跡與可移動的偵 測器的440的位置。可移動的侦測器的44()可以為一固態 摘測器。㈣粒子束的主束流420由帶電粒子發射器（尖 )410發射’經過物鏡47〇而到達目標48〇的表面上。主束 流420經由物鏡470而聚焦進入一粒子束探針中’而藉由 偏轉器460掃瞄目標480的表面。由目標480表面發射的 訊號電子490 ’例如包括背向散射電子（BSE)與二次電子

(SE) ’藉由一Wein過濾器450或一二次電子偵測器而被 引導至一可移動的偵測器組44〇。可移動的偵測器組440 此時位於粒子束光學柱内部，當執行一異常複檢或或細 部層次的檢時。可移動的偵測器組440偏離於主束流的光 軸（off-axis) ’其不放置於主束流420的光軸會經過的 位置上’但是放置於接近帶電粒子束的主束流420的位置 上。在高增益偵測器前面的能量過濾器230，如第三圖所 示，將會去除含有不足夠能量的電子，以確定所有進入 高增益偵測器210的電子都是由目標280表面發射出來的 100118213 表單煸號A0101 第13頁/共25頁 1002030632-0 201142903 。收集到的訊號電子都藉由放大器220進行放大，然後傳 送至一影像處體單元（圖中未示），以形成目標表面的影 像。當選擇高解析度模式時，可移動的偵測器組440會被 由粒子束光學柱邊界401之外推進粒子束光學柱内。可移 動的偵測器組440的偵測區域的邊緣會小心地設置於不在 主束流會通過的中心光軸（center optical axis)上。 這樣的設計可以避免在置放偵測器時需要複雜的對準過 程（alignment process) ° [0027] 第六圖，其描繪另一實施例，展示在執行異常複檢或 細部層次的檢查而構成一需要高解析度與小束流電流 (beam current)的立體影像時，訊號電子的執跡與可移 動的片式高增益檢測器的位置。帶電粒子束的主束流420 由帶電粒子發射器（尖）410發射，經過物鏡470而到達目 標480的表面上。主束流420經由物鏡470而聚焦進入一 粒子束探針中，而藉由偏轉器460掃瞄目標480的表面。 由目標480表面發射的訊號電子490，例如背向散射電子 (BSE)與二次電子（SE)，被一可移動的片式高增益檢測 器640所收集。可移動的片式高增益檢測器640，其在主 束流的光軸上（on-axis)，其位於粒子束光學柱内的一 位置上，在藉由選擇執行一具有立體影像功能而的異常 複檢或或細部層次的檢查時。在高增益檢測器的任何部 份前方的能量過濾器與We iη過濾器在這樣的檢查程序中 都是不需要的。收集到的訊號電子被放大且傳送至影像 處理單元（圖中未示）以組成目標表面的立體影像。當選 擇高解析度模式時，可移動的片式高增益檢測器640會被 100118213 表單編號Α0101 第14頁/共25頁 1002030632-0 201142903 由粒子束光學柱邊界401之外推進粒子束光學枉内。可移 動的片式高增益檢測器640中間得孔洞比供主束流通過的 原本的主债測器430的孔洞稱大—點。這樣的設計可以避 免在置放可移動的片式高增益檢測器64〇時需要複雜的對 準過程（al ignment process)、 [0028] 在本發明中’可移動的偵測器裝置於可以於原地 (in-si tu)同時執行低解析模式與高解析模式的檢查裝 置。主偵測器與可移動的债測器等個別的测器，可以採 D 用習知的偵測器，且對於目前的缺陷檢查此一技術領域 而言是很有用的。 [0029] 雖然本發明的一些實施例詳細描述於上，但是本發明 所屬領域中具有通吊知識者可以知道本發明還可以廣泛 地在其他不同的實施例施行。因此，本發明不受這些已 經描述的實施例所限制，而僅受限於所請求之申請專利 範圍的限制。 【圖式簡單說明】 Ο [0030]第一圖係為一截面式偵測器的頂視圖（先前技術申請號為 11/755, 705之美國專利所公開之截面式偵測器）。 第二圖係為本發明之一實施例之具有能量過濾器的可移 動的偵測器的頂視圖。 第三係為本發明之—實施例之具有能量過滤器的可移動 的偵測器的侧視圖。 第四圖係為本發明之一實施例在實施定期檢查時可移動 的偵測器的訊號電子轨跡與位置的圖示。 第五圖係為本發明之一實施例在實施缺陷複查或檢查時 100118213 1002030632-0 表單編號Α0101 第15頁/共25頁 201142903 ’被ExB帶電粒子分析器引導至檢查系統的可移動的偵測 器的訊號電子軌跡的圖示。 第六圖係為在實施異常複檢或細部層次的檢查與構成— 立體影像時，可移動的片式高增益檢測器位置的圖示。 【主要元件符號說明】 _1] 110片式偵測器 ll〇a'll〇b、ll〇c、ll〇d 二次曲面部份 120a、120b、120c、120d 放大器 210高增益偵測器 210a、210b偵測器單元 220放大器 220a、220b訊號放大器 230能量過濾器 401粒子束光學柱（e_beain column)的邊界 410帶電粒子發射器（尖端） 4 2 0帶電粒子束的主束流 430主偵測器 440可移動的偵測器 100118213 表單編號A0101 第16頁/共25頁 450 Wein過濾器 460 偏轉器 470 物鏡 480 目標 490 訊號電子 640 可移動的片式高增益檢測器 1002030632-0

Claims (1)

1. 201142903 七、申請專利範圍： 1 . 一種藉由取代特定的偵測區域以接收訊號帶電粒子的樣品 表面成像方法，包含： 提供一帶電粒子束系統而發射帶電粒子至樣品表面上； 提供一片式主偵測器，以接收由樣品表面放射出的帶電粒 子，其中，該片式主偵測器至少具有兩片片式偵測器，用 以在一大束流電流低解析度模式下構成一第一立體影像； 提供一可移動的高增益檢測器組，用以接收由樣品表面放 射出的帶電粒子，其中，該可移動的高增益檢測器組至少 0 具有一片片式偵測器，用以在一小束流電流高解析度模式 下構成一影像； 提供一可移動的片式高增益檢測器，以接收由樣品表面放 射出的帶電粒子，其中，該可移動的片式高增益檢測器至 少具有兩片片式偵測器，用以在一小束流電流高解析度模 式下構成第二立體影像； 提供一ExB帶電粒子分析器用以將由樣品表面放射出的帶 0 電粒子引導至一偵測區域組； 提供一控制電腦，而根據一入射帶電粒子束能量與預設的 成像需求，計算出該ExB帶電粒子分析器使放射出的電子 轉向的附加磁場強度與電場強度；及 根據上述偵測器的其中一個偵測器所偵測到的訊號粒子產 生影像。 2 .如申請專利範圍第1項所述之樣品表面成像方法，其中該 片式主偵測器為一固態偵測器。 3 .如申請專利範圍第1項所述之樣品表面成像方法，其中該 100118213 表單編號A0101 第17頁/共25頁 1002030632-0 201142903 片式主偵測器為一埃弗哈特-索利恩 (Everhart-Thornley)偵測器（E_T detect〇r)。 4 .如申請專利範圍第！項所述之樣品表面成像方法，其中該 了移動的南增益檢測器為一固態傾測器。 5 .如申請專利範圍第4項所述之樣品表面成像方法，其中該 可移動的尚增益檢測器不放置於主束流通過的光軸。 6.如申請專利範圍第4項所述之樣品表面成像方法，其中當 選擇低束流電流高解析度模式時，該可移動的高增益檢^ 器才被放置。 7 ·如申請專利範圍第丨項所述之樣品表面成像方法，其中該 可移動的片式高增益檢測器為一固態偵測器。 8. 如申請專利範圍第6項所述之樣品表面成像方法，其中當 選擇低束流電流高解析度與立體影像模式時，該可移動的 高增益檢測器放置於低於片式主偵測器的位置。 9. —種用於檢查裝置的訊號接收裝置，包含： —第一檢測器位於該檢查裝置的主束流的光軸上；及 一第二偵測器，其可由該檢查裝置的一粒子束光學柱的外 部移動至該粒子束光學柱的内部。 10 .如申請專利範圍第9項所述之訊號接收裝置其中該第— 檢測器相較於該第二檢測器具有較低的增益（丨〇 w g a i η) 11 . 12 . 如申請專利範圍第ίο項所述之訊號接收裝置，其中該第二 偵測器偏離於該檢查裝置的主束流的光軸。 如申請專利範圍第11項所述之訊號接收裝置，其中更包含 —能量過濾器位於該第二偵測器的偵測表面之前，用以接 收帶能量的訊號電子。 100118213 表單編號A0101 第18頁/共25頁 1002030632-0 201142903 13 .如申請專利範圍第n項所述之訊號接收裝置其中更包含 — Wein過濾器用以將訊號由該檢查裝置引導至該第二债 測器。 14 .如申請專利範圍第1〇項所述之訊號接收裝置，其中該第二 偵測器位於該檢查裝置的主束流的光軸上。 15 .如申請專利範圍第14項所述之訊號接收裝置，其中當該訊 號接收裝置在一小束流電流高解析度模式下檢查一位於該 檢查裝置中的樣品時’該第一偵測器在該第二偵測器上方 〇 0 16 .如申請專利範圍第9項所述之訊號接收裝置其中更包含 用以將該第二偵測器由該粒子束光學柱外部移動至該粒子 束光學柱内部的裝置。 17 .如申請專利範圍第9項所述之訊號接收裝置，其中該第一 偵測器位於該檢查裝置的一物鏡上方而接收一大於該第二 偵測器的訊號電流。 18 .如申請專利範圍第17項所述之訊號接收裝置其中該第二 Q 偵測器用以在一小束流電流高解析度模式下檢查一位於該 檢查裝置中的樣品。 19 .如申請專利範圍第9項所述之訊號接收裝置，其中該第一 偵測器為埃弗哈特-索利恩（Everhart-Thornley)偵測 器（E - T d e t e c t o r)。 .如申請專利範圍第19項所述之訊號接收裝置，其中該第二 偵測器為一固態偵測器。 100118213 表單編號A0101 第19頁/共25頁 1002030632-0