[go: up one dir, main page]

TW201136879A - Salt and photoresist composition containing the same - Google Patents

Salt and photoresist composition containing the same Download PDF

Info

Publication number
TW201136879A
TW201136879A TW100104713A TW100104713A TW201136879A TW 201136879 A TW201136879 A TW 201136879A TW 100104713 A TW100104713 A TW 100104713A TW 100104713 A TW100104713 A TW 100104713A TW 201136879 A TW201136879 A TW 201136879A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
formula
salt
hydrocarbon group
examples
Prior art date
Application number
TW100104713A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI530478B (zh
Inventor
Koji Ichikawa
Hiromu Sakamoto
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co filed Critical Sumitomo Chemical Co
Publication of TW201136879A publication Critical patent/TW201136879A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI530478B publication Critical patent/TWI530478B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C381/00—Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
    • C07C381/12—Sulfonium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
    • C07C303/32—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of salts of sulfonic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C07C309/06—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing halogen atoms, or nitro or nitroso groups bound to the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C07C309/07—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
    • C07C309/12—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton containing esterified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/19—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of a saturated carbon skeleton containing rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D303/00—Compounds containing three-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D303/02—Compounds containing oxirane rings
    • C07D303/12—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by singly or doubly bound oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D303/00—Compounds containing three-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D303/02—Compounds containing oxirane rings
    • C07D303/12—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by singly or doubly bound oxygen atoms
    • C07D303/16—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by singly or doubly bound oxygen atoms by esterified hydroxyl radicals
    • C07D303/17—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by singly or doubly bound oxygen atoms by esterified hydroxyl radicals containing oxirane rings condensed with carbocyclic ring systems having three or more relevant rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D303/00—Compounds containing three-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D303/02—Compounds containing oxirane rings
    • C07D303/38—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
    • C07D303/40—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals by ester radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D305/00—Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms
    • C07D305/02—Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
    • C07D305/04—Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D305/06—Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to the ring atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D317/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D317/08—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3
    • C07D317/72—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3 spiro-condensed with carbocyclic rings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • H10P76/00—
    • H10P76/20—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/122—Sulfur compound containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/122—Sulfur compound containing
    • Y10S430/123—Sulfur in heterocyclic ring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Epoxy Compounds (AREA)

Description

201136879 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於鹽及包含該鹽之光阻組成物。 【先前技術】 使用於採用微影製程之半導體微加工中的化學放大型 正光阻組成物係含有酸產生劑，該酸產生劑包含受到照射 而產生酸之化合物。 US 2007/0100096A1揭示一種下式所示之鹽，以及含 有該鹽作為酸產生劑之光阻組成物：
【發明内容】 本發明之目的在提供一種新穎之鹽及包含該鹽之光阻 組成物。 本發明係關於下列者： <1> 一種式（I)所示之鹽：
其中，R1及R2各自獨立表示氟原子或（U-C6全氟烷基，X1 表示C1-C17二價飽和烴基，該C1-C17二價飽和烴基可具 有一個或多個氟原子，且於該C1-C17二價飽和烴基中的一 3 322784 201136879 個或多個-CH2-可經-0-或-C0-置換’ R3表不具有環狀鱗結構 之基團，以及Z1+表示有機陽離子； <2>如上述第<1>項所述之鹽，其中，R3表示式（IA)或（IE) 所示之基團：
其中，R4於每次出現時獨立為C1-C12飽和烴基或C6-C18 芳族烴基，該飽和烴基及該芳族烴基可具有一個或多個選 自C1-C6烷基及硝基所組成群組之取代基，且於該飽和烴 基中的一個或多個-CH2-可經-0-置換，ul表示0至8的整 數，si表示1至4的整數，tl表示0至2的整數，其限制 條件為si與tl之總和為1至4的整數， R5於每次出現時獨立為羥基、鹵原子、H-C6烷基、C1-C6 烷氧基、C1-C6羥基烷基、C2-C7醯基、C2-C7醯基氧基或 C2-C7醯基胺基，且兩個R5可彼此鍵結形成單鍵或環，u2 表示0至16的整數，sll表示1至4的整數，til表示0 至2的整數，sl2表示1至4的整數，tl2表示0至2的整 數，其限制條件為sl2與tl2之總和為1至4的整數，以 及*表示與-X1-鍵結之位置； <3>如上述第<1>或<2>項所述之鹽，其中，該式（I)所示之 鹽為式（II)所示之鹽： 4 322784 (II) 1 201136879 Z1+
其中，R1、R2、R4、X1、si、tl、ul及Z1+如上文相同定義； <4>如上述第<1>、<2>、<3>項所述之鹽，其中，X1為 *_C0-0_CH2-’且其中*表不與-(XiOCR2)-鍵結之位置； <5>如上述第<1>至<4>項中任一項所述之鹽，其中，Z1 +為三 芳基銃陽離子； <6>—種酸產生劑，係包括上述第<1>至<5>項中任一項所述 之鹽； <7>—種光阻組成物，係包括上述第<6>項所述之酸產生劑 以及樹脂； <8>如上述第<7>項所述之光阻組成物，其中，該樹脂包含 具有酸不穩定基（acid-labile group)之結構單元，且該樹 脂不溶於或難溶於鹼性水溶液中，但經由酸的作用變成可 溶於驗性水溶液中； <9>如上述第<7>或<8>項所述之光阻組成物，其進一步含有 鹼性化合物； <10>—種製造光阻圖案之方法，係包括下列步驟（1)至（5): (1) 將上述第<7>至<9>項中任一項所述之光阻組成物 施加至基材之步驟； (2) 進行乾燥而形成光阻膜之步驟； (3) 使該光阻膜曝光於光線照射之步驟； (4) 烘烤該經曝光的光阻膜之步驟；以及 5 322784 201136879 ⑸使用祕㈣劑將該經料的光 成光阻圖案之步驟。 1“，藉以形 【實施方式】 z1+ 本發明，鹽係以式⑴表示（後文中，簡稱為鹽⑴）
(I) 2中二？各自獨立表示氟原子或C1'C6全氟烷基，χ1 ^ α-m二價飽和烴基，該cw：17二價飽和烴基可具 ^或多個氟原子，錄該以17二價飽和煙基 個备可經I或香置換，R3表示 之基團’以及A村機陽離子。 队、、。構 氟丙例包括三氟甲基、五氟乙基、七 良 ^ 氟戊基及十三氟己基，且較佳者 為二氟甲基。R1及R2較佳係各 基，且以以佳為氣原子。 &原子或二氟f 丁f 1 H ，3-二基、丙貌'】，2~二基、 6_ . 丁烷-U-二基、戊烷-1,5-二基、己烷 ，一土、庚烷Η，7-二基、辛烷8-二基、壬貌 ^癸炫议二基、十一…-二基、十 〜基、十三烷-U3—二基、十四烷气⑷二基、 1，15-二基、十六烷_116二基及十七烷_i i7二基广 2 C17分支鏈炫二基，如卜p基]，3_伸丙基、基 322784 6 201136879 -1，3-伸丙基、2-曱基-1，2-伸丙基、1-曱基-1，4-伸丁基及 2-曱基-1，4-伸丁基；二價單環飽和烴基，如環丁烧 二基、環戍烧_ 1，3 _ · —基、環己烧-1，2 _二基、1 -甲基環己 烧-1，2-二基、環己烧_1，4-二基、環辛炫-1，2-二基及環辛 烷-1，5-二基；二價多環飽和烴基，如降莰烷-2, 3-二基、 降获烧-1，4-二基、降莰烧-2, 5-二基、金剛燒-1，2-二基、 金剛烷-1,5-二基及金剛烷-2, 6-二棊；以及藉由組合選自 前述基團所组成群組之兩個或更多個基團所形成的基團。 α-cn二價飽和烴基中的一個或多個气⑴—經一卜或 -C0-置換的實例包括*_C0_0_Lb2_、*_c〇 〇_Lb4_c〇«b3—、 *-Lb5-0-C0-、*-Lb7-0-Lb6-、*-C0-0-Lb8-0-、及 *-C0— L COO ，其中，l表示單鍵或ci-ci5飽和烴基，Lb3表 不單鍵或C1-C12飽和烴基，Lb4表示C1-C13飽和庐美，其 限制條件為广與之總碳數為i至13，Lb5表^ ' 3= ’ 表示C1—C15飽和烴基，Lb7表示.C15飽和 工土 、限制條件為Lb6與Lb7之總碳數為1至16，Lb8表 煙基，r表示㈣1飽和煙基，l-表示二 及I其限制條件為〇 LM°之總碳數為1幻2，以 及不表不與入 *-c〇奸鍵結之位置… μ 為 *_C〇_〇_Lb2_，其中 P 為單鍵或-CH2-。 -oL+i/之實例包括 *_C〇 一0n〇_(H：H2— °*-c〇
_2n 列包括 *鲁0秦c〇-〇一、*一COI C〇~〇-(CH2)3-C〇-〇-、*一c〇-〇_frti、rrv -〇-、*-C〇-(KCiM n ㈧ U (ch2)4-co 2)6〜C〇-〇-、*-C0-0-(CH2)8-C0-0-、*一co一〇一 322784 7 201136879 CH2-CH(CH3)-C0-0-及 *-C0-0-CH2-C(CH3)2-C0-0-。*-Lb5-0_ CO-之實例包括*-(：112-0-(：0-、*-((：112)2-0-(：0-、*-((：112)3-0-C〇-、*-(CH2)4_0_C0-、*_(CH2)6_0_C0_及*_(CH2)8_0_C0_。 *-Lb7-0-Lb6-之實例包括 *-CH2-0-CH2-。*-C0-0-Lb8-0-之實 例包括*-co-o-ch2-o-、*-C0-0-(CH2)2-0-、*-C0-0-(CH2)3 -0-、*-C0-0-(CH2)4-0-及*-C0-0-(CH2)6-0-。*-C0-0-Lbl°-0-Lb9-C0-0-之實例包括下列者。
飽和烴基可具有一個或多個氣原子。 R3表示具有環狀醚結構之基團，且較佳係以C2-C5環 狀醚結構作為該環狀醚結構。 環狀醚結構之實例包括含有環氧乙烷環之結構、含有 環氧丙烷環之結構、含有具4個碳原子之5-員環狀醚結構 的結構、以及含有具5個碳原子之6-員環狀醚結構的結 構，其中，較佳者為含有環氧乙烷環之結構以及含有環氧 丙烷環之結構，更佳者為含有環氧乙烷環之結構。 含有環狀醚結構之基團的較佳實例包括含有式（IA)及 (IE)所示之基團的基團： 8 322784 201136879 ★
，:，R4於每次出現時獨立為C1-C12飽和烴基或C6_C18 芳族烴基，該飽和烴基及該芳族烴基可具有一個或多個選 =C1-C6烷基及硝基所組成群組之取代基，且於該飽和烴 土中的一個或多個-CHz-可經-〇-置換，ul表示〇至8的整 數’ si表示1至4的整數，tl表示〇至2的整數，其限制 條件為si與tl之總和為1至4的整數， R5於每次出現時獨立為羥基、齒原子、Ci-C6烷基、n_c6 烷氧基、C1-C6羥基烷基、C2-C7醯基、C2-C7醯基氧基或 C2~C7醯基胺基，且兩個R5可彼此鍵結形成單鍵或環，a 表示〇至16的整數，sll表示1至4的整數，tll表示〇 2的整數’sl2表示1至4的整數，tl2表示〇至2的整 數’其限制條件為S12與tl2之總和為1至4的整數，以 及*表示與鄰近原子鍵結之位置。 n-C12飽和烴基之實例包括C1-C12烷基，例如甲基、 乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、庚基及势基； 以及C3-C12單環或多環之飽和烴基，例如環己基、金剛烧 基。C6-C18芳族烴基之實例包括苯基。飽和芳族基之實例 包括甲苯基及确基苯基。C1-C12飽和烴基中的一個或多個 -CHr經-〇-置換之實例包括CHs-O-CmCHrO-CIhCH2-以及下 者。 322784 9 201136879
鹵原子之實例包括溴原子及氣原子；以及C1-C4烷基 之實例包括曱基、乙基、丙基、異丙基及丁基。C1-C4烷 氧基之實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基及丁 氧基。C1-C6羥基烷基之實例包括羥基曱基及2-羥基乙 基；以及C2-C7醯基之實例包括乙醯基、丙醯基及苯甲醯 基。C2-C7醯基氧基之實例包括乙醯基氧基、丙醯基氧基 及苯曱醯基氧基；以及C2-C7醯基胺基之實例包括乙醯基 胺基、丙醯基胺基及苯甲醯基胺基。 於式（IA)中，u較佳為0或1 ;以及於式（IE)中，u2 較佳為0至3的整數。 於式（IA)中，si較佳為1，tl較佳為0或1，以及si 與tl之總和較佳為1或2。於式（IE)中，sl2與tl2之總 和較佳為1或2。 式（IA)所示之基團的實例包括式（1C)所示之基團：
其中，s3及s4獨立表示0或1，其限制條件為s3與s4之 總和為1或2，以及*表示與鄰近原子鍵結之位置。 含有環狀醚結構之基團可為二價基團，且其實例包括 10 322784 201136879 含有式（ID)所示之基團的基團：
其中，s5表示0或1，以及*表示與鄰近原子鍵結之位置。 式（IA)所示之基團的實例包括下列者。 式（ID)所示之基團的實例包括下列者。 Λ > 式（IE)所示之基團的實例包括下列者。
11 322784 201136879
* *， •从X? W CH〇〇)々 ^ 鹽（I)較佳為式（π)所示之鹽：
其中’ R1、R2、R4、χ1、sl、tl、ul及ZH如上文相同定義。 鹽（I)亦較佳為式（III)所示之鹽：
12 322784 201136879
13 322784 201136879
z1+所示之有機陽離子的實例包括鏽陽離子，如鋏陽離 子、錤陽離子（iodoniumcation)、敍陽離子、苯并β塞嗤鏽 陽離子（benzothiazolium cation)及鱗陽離子 (phosphonium cation)，且較佳者為疏陽離子及錤陽離 子，更佳者為芳基锍陽離子，特佳者為三芳基锍陽離子。 Z1+所示之有機陽離子的較佳實例包括式（b2-1)至 (b2-4)所示之陽離子： 14 322784 201136879
pb9 R\i ?
R b10 S一CH—C一Rb12 Rb1l (b2-3)
1/(u2+1) 其中’ Rb4、Rb5及Rb6獨立表示C1-C30脂族烴基，其可具有 一個或多個選自下列所組成群組之取代基：羥基、C1_C12 烷氧基及C6-C18芳族烴基；C3-C18飽和環狀烴基，其可 具有一個或多個選自下列所組成群組之取代基：鹵原子、 C2-C4醯基及環氧丙基氧基（glycidyloxy);或C6-C18芳 族烴基，其可具有一個或多個選自下列所組成群組之取代 基：齒原子、羥基、C1-C18脂族烴基、C3_C18飽和環狀烴 基及C1-C12烷氧基，
Rb7及Rb8於每次出現時獨立為羥基、C1_C12脂族烴基或 C1-C12烧氧基’ m2及n2獨立表示〇至5的整數； 俨及Rbl°獨立表示C1-C18脂族蛵基或C3_C18飽和環狀烴 基，或者1^9與Rbl°鍵結形成C2〜CU二價非環狀烴基，該二 322784 15 201136879 價非環狀烴基與相鄰之s+—起形成環，且該二價非環狀烴 基中的一個或多個-CH2-可經-C0-、-〇-或-S-置換， 以及
Rbn表示氫原子、C1-C18脂族烴基、C3-C18飽和環狀烴基 或C6-C18芳族烴基，γ2表示C1-C12脂族烴基、C3-C18 飽和環狀烴基或C6-C18芳族煙基，且該芳族烴基可具有一 個或多個選自下列所組成群組之取代基：C1-C12脂族烴 基、C1-C12烷氧基、C3-C18飽和環狀烴基及C2-C13醯基 氧基’或者Rbn與Rbl2彼此鍵結形成C1-C10二價非環狀烴 基’該二價非環狀烴基與相鄰之-CHC0_一起形成2_侧氧基 環烷基，且該二價非環狀烴基中的一個或多個_CH2_可經 -C0-、-〇-或-S-置換；以及 R 、R 14、RbI5、Rbl6、Rbl7 及 1^丨8 獨立表示羥基、C1_C12 脂 族烴基或C1-C12烷氧基，Lb"表示-S-或-〇-，〇2、P2、S2 及t2各自獨立表示〇至5的整數，q2&r2各自獨立表示 0至4整數，以及U2表示〇或1。 9俨至Rb"所示之脂族烴基較佳具有i至12個碳原子。 Rb9至Rbl1所示之飽和環狀烴基較佳具有3至18個碳原子， 更佳具有4至12個碳原子。 脂族烴基之較佳實例包括烷基例如曱基、乙基、丙基、 異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基 及2_乙基己基。飽和環狀烴基之較佳實例包括環丙基、環 丁基、環戊基、環己基、環庚基、環癸基、2_烧基_a_金剛 烷基、1〜（1-金剛烷基）-1-烷基及異莰基。芳族基之較佳實 322784 16 201136879 例包括苯基、4-曱基苯基、4-乙基笨基、4-第三丁基苯基、 4-環己基苯基、4-曱氧基苯基、聯苯基及萘基。具有芳族 烴基之脂族烴基的實例包括苯曱基。烷氧基之實例包括曱 氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、 第三丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2_乙基 己氧基、壬氧基、癸氧基、Ί—氧基及十二氧基。 由Rb9與Rbl°鍵結形成之C3-C12二價非環狀烴基的實例 包括二亞甲基、四亞甲基及五亞曱基。由相鄰之S+與該二 價非環狀煙基一起形成的環基之實例包括硫雜環戊_ 1 _鑌 環（thiolan-l-ium ring)(四氫噻吩鏽環
較佳者為C1-C5二價非環狀烴基。 2一1)所示之陽離子，更 特佳者為三笨基錡陽離 上述陽離子中，較佳者為式（b2_ 佳者為式（b2-卜1)所示之陽離子。 子。 符 322784 17 201136879 (Rb19)v2 (? <；f~V-S+ Φ2-Μ)
其中，Rbl9、R及Rb21於每次出現時獨立為鹵原子（較佳為 氟原子）、經基、C1-C18脂族烴基、C3-C18飽和環狀烴基 或C1-C12烧氧基’且該脂族烴基之一個或多個氫原子可經 羥基、C1-C12烷氧基或C6-C18芳族烴基置換，該飽和環 狀烴基之一個或多個氫原子可經4原子、環氧丙基氧基或 C2-C4醯基置換，以及v2、w2與χ2各自獨立表示〇至5 的整數。 脂族烴基較佳具有1至12個碳原子，飽和環狀烴基較 佳具有4至18個碳原子，以及v2、w2與χ2較佳係各自獨 立表示0或1 » 較佳地’ Rbl9、Rb2°及Rb21於每次出現時獨立為鹵原子、 經基、C1-C12烷基或C1-C12烷氧基，以及v2、w2與x2 各自獨立表示整數〇至5。更佳地，Rbl9、Rb2°及Rb2丨於每次 出現時獨立為氟原子、羥基、C1-C12烷基或C卜C12烷氧 基’以及v2、w2與x2各自獨立表示〇或1。 式（b2-l)所示之陽離子的實例包括下列者。 18 322784 201136879
卜 C4H9 卜 C4H9
CH, t-C4H9-^-S+ t-C4H9-^-S+0 "ό 0 t-C^g OH CH30
h3c-%^ch3 Οχ 〇4+ 〇-χ ό ό ό 式（b2-2)所示之陽離子的實例包括下列者。 19 322784 201136879 C2H5OM_"H0'C2H5 t-C4Hg~^~I~t-C4Hg Μ13·^4·Η〇^βΗΐ3 _7_Η〇_4Η〇_〇8Ηΐ7 H3C-〇-^±,>^〇-CH3 式（b2-3)所示之陽離子的實例包括下列者。
c2h5
20 322784 201136879
21 322784 201136879
22 322784 201136879
1/2
1/2 CH3
Lh3丨
'H3〇^CH3 h3ct
1/2 h3c、 -h3c 、ch3 'ch3 1/2 鹽（I)之實例包括其中該陰離子為上述任一種陰 以及該陽離子為 雕丁 包括下列者。一種有機陽離子之鹽。鹽（I)之較佳實例 322784 23 201136879
24 322784 201136879
25 322784 201136879
26 322784 201136879
QtHS 丫 丫
27 322784 201136879
322784 28 201136879
29 322784 201136879
下文將說明鹽（i)之製造方法。 舉例而言，式（Γ )所示之鹽可藉由使式（1-2)所示之化 合物與式（1-1)所示之鹽於溶劑（例如，乙腈）中反應而製
其中，R1、R2、R3、Lb2及Z1+如前文相同定義。 式（IIA)所示之鹽可藉由使式（I ia-2)所示之化合物與 式（11 A-1)所示之鹽於溶劑（例如，乙腈）中反應而製得。 322784 30 201136879
其中，R1、R2、R4、Lb2、si、tl、ul及Z1+如前文相同定義。 式（IIA-2)所示之化合物的實例包括環氧丙醇 (glycidol)、2-(羥基曱基）環氧丙烷及（3_乙基_3_環氧丙 烧）甲醇。式（IIA-1)所示之鹽可藉由使式（IIA_3)所示之鹽 與羰基二咪唑於溶劑（例如，乙腈）中反應而製得。 ζ+_〇351^η + ~^ ζ+ _。千〇 (ΙΙΑ-3) (工工Α-1) 其中’ R、R2及Ζ1+如上文相同定義。 式（ΙΙΑ-3)所示之鹽可依據jp 2008-127367 Α中所述 之方法製備。 舉例而言，式（IIB)所示之鹽可藉由使式（IIB_2)所示 之化合物與式（IIB-1)所示之鹽於溶劑（例如，乙腈）中反應 而製得。 〜
ul 其中，R1、R2、R4、Lb3、Lb4、s卜 tl、ul 及 ζι、上文相同 322784 31 201136879 式（ΠΒ-2)所示之化合物的實例包括環氧丙醇及2_(羥 基甲基）環氧丙烷。式（ΙΙΒ-1)所示之鹽可藉由使式（ΙΙΒ一2) 所示之鹽與羰基二咪唑於溶劑（例如，乙腈）中反應而製得。
其中’ R1、R2、Lb4及Ζ1+如上文相同定義。 式（ΙΒ-2)所示之鹽可藉由使式（ΠΒ_5)所示之化合物 與式（ΙΙΒ-4)所示之鹽於催化劑（例如，碘化鉀及碳酸鉀） 存在下，於溶劑（例如，Ν，Ν-二曱基曱醯胺）中反應而谫撂。
其中’ R1、R2、Lb4及Ζι+如上文相同定義。 式（ΠΒ-5)所示之化合物的實例包括溴乙酸，以及式 (ΙΙΒ-4)所示之鹽的實例可依據Jp 2〇〇8_127367 Α中所述 之方法製備。 本發明之酸產生劑包含鹽（I)。本發明之酸產生劑可含 有兩種或更多種之鹽（Ι)β除了鹽（1)以外，本發明之酸產 生劑還可含有一種或多種不同於鹽（I)之已知酸產生劑。 光阻組成物較佳含有鹽（I)以及一種或多種不同於鹽（I)之 酸產生劑作為酸產生劑。 光阻組成物包括含有鹽（I)之酸產生劑以及樹脂。 322784 32 201136879 相對於100重量份之樹脂，鹽（I)之含量通常為i重量 份或更多，較佳為3重量份或更多。相對於1〇〇重量份之 樹脂，鹽（I)之含量通常為30重量份或更少，較佳為25重 量份或更少。 可使用之不同於鹽（I)的酸產生劑包括非離子性酸產 生劑以及離子性酸產生劑。非離子性酸產生劑之實例包括 有機鹵化物；確酸酯例如2-硝基苯甲基酯、芳族續酸酯、 磺酸肟（oxime sulfonate)、N-磺醯基氧基醯亞胺 (N-sulfonyloxyimide)、續醯基氧基酮 (sulfonyloxyketone)及DNQ4-磺酸酯；以及颯例如二颯、 酮基颯（ketosulfone)及磺醯基重氮曱烷《離子性酸產生劑 之實例包括鑌鹽例如重氣鏽（diazonium)鹽、鱗鹽、锍鹽及 錤鹽，且鏽鹽之陰離子的實例包括磺酸陰離子、磺醯亞胺 (sulfonylimide)陰離子及磺醯基甲基化物 (sulfonylmethide)陰離子。 酸產生劑之其他實例包括^ 63-26653人、^55- 164824A、JP 62-69263A、JP 63-146038A、JP 63-163452A、 JP 62-153853A、JP 63-146029A、美國專利案第 3, 779, 778 號、美國專利案第3, 849, 137號、德國專利案第3914407 號及歐洲專利案第12 6，712號中所揭示之酸產生劑。 較佳者為含氟之酸產生劑。 酸產生劑之較佳實例包括式（B1)所示之鹽： 33 322784 201136879
Y (Bl) z+ -〇 其中’ Q1及Q2各自獨立表示氟原子或C1-C6全氟烷基， L表不單鍵或C1-C17二價飽和烴基，且於該C1-C17飽和 二價烴基中的一個或多個_CH2_可經一〇_或<〇_置換， Y表示可具有一個或多個取代基之C1-C18脂族烴基或可具 有一個或多個取代基之C3—C18飽和環狀烴基，且於該脂族 烴基及該飽和環狀烴基中的一個或多個_CH2_可經_〇一、 -S〇2_或-C0-置換，以及 Z+表示有機陽離子。 C1-C6全氟院基之實例包括如上述相同者，且較佳者 為二氟甲基° Q1及Q2較佳係獨立表示氟原子或三氟甲基， 且Q1及Q2更佳為氟原子。 述相同者。 H-C17飽和二價烴基之實例包括ei_ci7烧二 具有脂環族二價烴基之二價基團。烧二基之實例^如上
置換。 C1-C17飽和烴基中的一個或多個<恥_經 _巩夕徊-LH2-經-〇~或一co一鼋
-，·又更佳者為*_c〇 〇_ 其t Lb2為單鍵或—CH2_。 322784 34 201136879 γ中之取代基的實例包括齒原子、羥基、侧氧基、環 氧丙基氧基、C2-C4醯基、C1-C12烧氧基、C2-C7炫氧基 幾基、C1-C12脂族烴基、C1-C12含有經基之脂族烴基、 C3-C16飽和環狀烴基、C6-C18芳族烴基、C7-C21芳烷基 及-(CH2)j2-C-C0-Rbl-，其中Rbl表示c卜C16脂族烴基、 C3-C16飽和環狀經基或C6-C18芳族煙基，且j2表示〇至 4的整數。鹵原子之實例包括說原子、氯原子、漠原子及 雄原子。醯基之實例包括乙醢基及丙醜基；烧氧基之實例 包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基及丁氧基。烷氧 基羰基之實例包括曱氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、 異丙氧基羰基及丁氧基羰基。脂族烴基之實例包括如上述 相同者。含有羥基之脂族烴基的實例包括羥基甲基。6 飽和環狀烴基之實例包括如上文所述者；芳駿基之實例 包括苯基、萘基、蕙基、對甲基苯基、對第三了基苯基及 對金剛烧基苯基。紐基之實例包括苯曱基、苯乙基、苯 基丙基、三苯曱基、萘基曱基及萘基乙基。 Y所示之Cl C36脂族烴基的實例包括曱基、乙基、丙 基、異丙基、丁基、晨丁其、笛-Tti* tie 吳丁基第一丁基、第三丁基、戊基、 =其'二基丁基、2_曱基丁基、二甲基丙基、i- 二二土、丨、甲基戊基、庚基'辛基、2-乙基己基、 所:*及十二基，且較佳者為C1_C：6烧基。Υ -rL 如德mH⑼娜6)所 不之基團·· 322784 35 201136879
(Y1) (Υ2) (Υ3) (Υ4)
Ο (Υ7)
(Υ20)
其中，較佳者為式（Υ1)至（Υ19)所示之基團，更佳者為 式（Yll)、（Υ14)、（Υ15)及（Υ19)所示之基團。特佳者為式 (Υ11)及（Υ14)所示之基團。 具有一個或多個取代基之Υ的實例包括下列者： ch3
36 322784 201136879
γ較佳為可具有一個或多個取代基之金剛烧基，更佳 為金剛烷基或側氧基金剛烷基。 在式（Β1)所示之鹽的磺酸陰離子中，較佳者為其中Lbl 為*-C0-0_Lb2-之續酸陰離子，更佳者為式（bl_l_l)至 (bl-1-9)所示之陰離子。 37 322784 201136879
Q 〇3S
Q 〇3S
O (b1-1-1) b2
OH 〇3Qs^ OH b2
b2
Q 〇3S (b1-1-2)呤、L 〇 (b1-1-4)
Q 〇3S 令雇Rb2 -。巧。
ib3 b2
〇
〇3S
其中，Q1、Q2及Lb2如上文相同定義，且Rb2及Rb3各自獨立 表示（U-C4脂族烴基，較佳為曱基。 不同於鹽（I)之酸產生劑的陰離子之實例包括下列陰 離子： 38 322784 201136879
39 322784 201136879
40 322784 201136879
41 322784 201136879
42 322784 201136879
Ό3Η〇0〇Η 〇3^<P
OH ° OH -Μ<τΟΗ-〇^<Χ -。冷仏
c6f13 f ho/l 1d3s^^0v^-^
CsF! ~03S K〇°^b -03^0-^ 43 322784 201136879
OH 〇H OH
OH
44 322784 201136879
45 322784
46 322784 201136879
47 322784 201136879
48 322784 201136879 -。啊-:啊 -S啊辦心 h3cch3 _。巧冰-。巧。愈伊 -Ss^ iX〇i6 0 Ο Ο
49 322784 201136879
_o3s F
50 322784 201136879
51 322784 201136879
52 322784 201136879
201136879
54 322784 201136879
55 322784 201136879
56 322784 201136879
~o3s><^〇yXH3 _c^s><^〇YXH3
57 322784 201136879
"〇3ρΧΓ°^^ -。沖资 K°l〇\ ~〇3^〇-^0^ 58 322784 201136879
其中，較佳者為下列磺酸陰離子。 59 322784 201136879
OH b3S>Y〇v^^^
沙J〇 Ί ° 於式（Bl)所示之鹽中，Z+所示之有機陽離子的實例包 括如上述鹽（I)之彼等相同者，且較佳者為鈒陽離子及錤陽 離子，更佳者為芳基銕陽離子。特佳者為三苯基銃陽離子。 式（B1)所示之鹽的實例包括其中該陰離子為上述任一 種陰離子以及該陽離子為上述任一種陽離子之鹽。其較佳 實例包括藉由組合式（b卜卜1)至（b-1-9)所示之任一種陰 離子與式（b2-l-l)所示之陽離子而形成之鹽，以及藉由組 合式（b卜1-3)至（bl-1-5)所示之任一種陰離子與式（b2-3) 所示之陽離子而形成之鹽。 較佳者為式（B1-1)至（B1-17)所示之鹽，且更佳者為式 (Bl-1) 、 （Bl-2) 、 （Bl-6) 、 （Bl-11) 、 （B卜12) 、 （B1-13) 及（B1-14)所示之鹽。 60 322784 201136879
(B1-1) (B1-2) (B1-3) (B1-4) t-c4Hg 61 322784 201136879 卜 C4H9
(B1-5) (B1-6) (B1-7) (B1-8) t-C4Hg 62 322784 201136879
(B1-9) t-C4Hg
(B1-10)
63 322784 201136879 (B1-13)
(B1-15) (B1-16) 於本發明之光阻組成物中，相 對於每100重量份之樹 脂’不同於鹽⑴之酸產生劑的量通常為1重量份或更多， 較佳為3重量份或更多。於本發明之光阻組成物中，相對 於每100重量份之樹脂，不同於鹽（I)之酸產生劑的量通常 為30重量份或更少，較佳為25重量份或更少。 322784 201136879 下文將說明樹脂。 該樹脂具有酸不穩定基，且不溶於或難溶於驗性水溶 液中，但經由酸的作用變成可溶於鹼性水溶液中。該樹脂 具有衍生自含酸不穩定基之化合物的結構單元，且可經由 聚人一種或多種含酸不穩定基之化合物而製得。 於本說明書中，「酸不穩定基」意指可經由酸的作用而 消除之基團。 酸不穩定基之實例包括式（1)所示之基團： 〇 Ral 一丛一〇」：一Ra2 ⑴ |
Ra3 其中，Ral、Ra2及Γ3各自獨立表示脂族烴基或飽和環狀烴 基，或者Ral與Ra2彼此鍵結而與Ral及Ra2所鍵結之碳原子 一起形成環。 脂族烴基之實例包括C1-C8烷基。C1-C8烷基之具體 實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、 庚基及辛基。飽和環狀烴基可為單環或多環，其實例包括 單環脂環族烴基如C3-C20環烷基（例如，環戊基、環己基、 甲基環己基、二甲基環己基、環庚基及環辛基）以及多環脂 環族煙基如十氫萘基、金剛烧基、降莰基、甲基降莰基及 下列者： 322784 65 201136879
Yr> "CO
2〇 飽和環狀烴基較佳具有3多。i壤的實例包括下列基 由Ra> Ra2彼此鍵結戶斤 子，更佳具有3至12 團，且該環較佳具有3至20姻 個碳原子。15
〇a3 xm 其中，Ra如上文相同定義。HRa3各自 較佳者為：式（1)所示之基團’六 __ 獨立表示C1-C8烷基，例如第三丁基；式（丨）所示之基團’ 其中Ral及Ra2彼此鍵結形成金剛烷基環且Ra3為C1_C8燒 基》例如2 -烧基-2-金剛烧基；以及式0)所不之基團’其 中Ral及Ra2為C1-C8烷基且Ra3為金剛烷基，例如1-(1-金 剛烧基）-1 -烧基烧氧基幾基。 具有酸不穩定基之化合物較佳為在其侧鍵具有酸不穩 定基之丙稀賴單體或在其側鍵具有酸不歡基之甲基丙 烯酸g旨單體。 322784 66 201136879
(CH3)na 其較佳實例包括具有C5-C2〇飽和環狀烴基之（甲基） 丙埽酸_單體。關於具有C5_⑽飽和環狀烴基之（甲基） 丙稀酸g旨單體，較佳者為式（aH)及（al-2)所示之單體： (al~l)
(CH3)n: (al-2) 其中，R及Ra5獨立表示氫原子或甲基，以及Ra?獨立表示 Cl C8知族烴基或c3-ci〇飽和環狀烴基，Lal及La2獨立表 不-〇-或*-〇-(CH2)kl_c〇_〇_，其中*表示與-C〇一鍵結之位 置，且kl表示1至7的整數，ml表示〇至14的整數，以 及nl表示〇至1〇的整數。 月曰私烃基較佳具有1至6個碳原子；且飽和環狀烴基 較佳具有3至8個碳原子，更佳具有3至6個碳原子。 脂族烴基之實例包括C1_C8烷基，例如，甲基、乙基、 丙基、異丙基、丁基、第三丁基、2,2_二甲基乙基、二甲 基丙基、2, 2-二曱基丙基、卜乙基丙基、卜曱基丁基、2_ 甲基丁基、3-甲基丁基、卜丙基丁基、戊基、1-甲基戊基、 己基、1，4-二曱基己基、庚基、!—曱基庚基及辛基。飽和 T狀烴基之實例包括環己基、甲基環己基、二甲基環己基、 環庚基、甲基環庚基、降莰基及甲基降莰基。
Lal較佳為*-〇-或*—〇 一（CH2)n_c〇_〇_，其中*表示盥 -C0-鍵結之位置，以及fl表示！至4的整數；更佳為 322784 67 201136879 或*-0-CH2-C0-0-;特佳為e La2較佳為或、〇 (CHOn-CO-O-，其中*表示與一C0_鍵結之位置，以及如 上文相同定義；更佳為*-0_或hc_0_CH2_C0_0_M4佳為、〇、 於式（al-Ι)中，ml較佳為〇至3的整數，更佳為〇 1。於式（al-2)中，ni較佳為〇至3的整數，更佳為〇或/ 特定s之，當光阻組成物含有衍生自具有大型結構（例 如，飽和環狀烴基）之單體的樹脂時，傾向於獲得具有優異 解析度之光阻組成物。 、 式（al-Ι)所示之單體的實例包括下列者。
322784 68 201136879
CH
69 322784 201136879
322784 201136879
71 322784 201136879
其中’較佳者為丙烯酸2-曱基-2-金剛烷基酯、曱基 丙稀酸2-曱基-2-金剛院基酯、丙稀酸2-乙基-2-金剛院基 酉曰、子基丙烯酸2-乙基-2-金剛烧基酯、丙婦酸2-異丙基 -2-金剛烷基酯及甲基丙烯酸2-異丙基_2-金剛烷基酯，更 佳者為甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、甲基丙烯酸2一 乙基-2-金剛烷基酯及甲基丙烯酸2-異丙基_2_金剛烷基 酯。
式（al-2)所示之單體的實例包括下列者 'Η3
-----又娄環己酯及罗基丙烯 I卜乙基+環己醋’更佳者為甲基丙烯酸卜乙基_卜環己 酉旨0 衍生自具有酸 10至95莫耳 以樹脂之所有結構單元為1〇〇莫耳％計， 不穩定基之化合物的結構單^之含量通常為 322784 72 201136879 4 ’較佳為15至90莫耳％ ’更佳為2〇至85莫耳％。 具有酸不穩疋基之化合物的其他實例包括式（&卜3)所 示之單體：
Ra9 C=0 O’ （al-3) \r/Ra12
Rai〇〆 \ 'Rall 其中，Ra9表示氫原子、可具有一個或多個取代基之n_C3 脂族烴基、羧基、氰基或一⑶⑽⑴基團（其中，Ra,3表示ci c8 脂族烴基或C3-C8飽和環狀烴基，該C1_C8脂族烴基及該 C3 C8飽和％狀煙基可具有一個或多個經基，且於該ο —eg 脂族烴基及該C3-C8飽和環狀烴基中的一個或多個_CH2一可 經-〇-或-co-置換）’ r。、及Ral2獨立表示C1_C12脂族 烴基或C3-C12飽和環狀烴基，或者！^。與Rall彼此鍵結而 與Ral。及Ral1所鍵結之碳原子一起形成環，該C1_n2脂族 烴基及該C3-C12飽和環狀烴基可具有一個或多個羥基，且 於該C1-C12脂族烴基及該C3_C12飽和環狀烴基中的一個 或多個-CH2-可經-〇-或-co-置換。 取代基之實例包括經基。可具有一個或多個取代基之 C1-C3脂族烴基的實例包括甲基、乙基、丙基、羥基甲基 及2-經基乙基。π之實例包括^基、乙基、丙基、^ 氧基1氧雜環戊-3-基及2-側氧基-氧雜環戊_4—基。Ral\Rall 及Ral2之實例包括甲基、乙基、環己基、甲基環己基、羥 322784 73 201136879 基環己基、側氧基環己基及金剛烷基，且由Ral°與Ral1彼此 鍵結而與Ra 1 °及Ra 11所鍵結之碳原子一起形成之環的實例包 括環己烷環及金剛烷環。 式（a卜3)所示之單體的實例包括5-降莰烯-2-羧酸第 三丁基酯、5-降莰烯-2-羧酸1-環己基-1-曱基乙基酯、5-降莰烯-2-羧酸1-曱基環己基酯、5-降莰烯-2-羧酸2-曱基 -2-金剛烷基酯、5-降莰烯-2-羧酸2-乙基-2-金剛烷基酯、 5-降莰烯-2-羧酸1-(4-曱基環己基）-1-甲基乙基酯、5-降 莰烯-2-羧酸1-(4-羥基環己基）-1-甲基乙基酯、5-降莰烯 -2-羧酸1-甲基-1-(4-側氧基環己基）乙基酯及5-降莰烯 -2-羧酸1-(1-金剛烷基）-1-曱基乙基酯。 當樹脂具有衍生自式（al-3)所示之單體的結構單元 時，傾向於獲得具有優異解析度與高度乾式蝕刻抗性之光 阻組成物。 當樹脂含有衍生自式（al-3)所示之單體的結構單元 時，以該樹脂之所有結構單元的總莫耳數為基準計，該衍 生自式（al-3)所示之單體的結構單元之含量通常為10至 95莫耳％，較佳為15至90莫耳％，更佳為20至85莫耳％。 具有酸不穩定基之化合物的其他實例包括式（al-4)所 示之單體： 74 322784 201136879 R10
R12 -一〇-Xa2Ya3 (al-4) R13 其中，R1()表示氳原子、鹵原子、（U-C6烷基或（U-C6鹵化 烷基，R11於每次出現時獨立為鹵原子、羥基、C卜C6烷基、 C1-C6烷氧基、C2-C4醯基、C2-C4醯基氧基、丙烯醯基或 曱基丙烯醯基，la表示0至4的整數，R12及R13各自獨立 表示氫原子或ci-ci2烴基，xa2表示單鍵或α-cn二價飽 和煙基，且於該C1-C17二價飽和煙基中的一個或多個-CH2-可經-0_、-C0_、_S_、_S〇2-或-N(RC)_置換，其中 Rc 表不 氫原子或H-C6烷基，以及Ya3表示（U-C12脂族烴基、 C3-C18飽和環狀烴基或C6-C18芳族烴基，該C1-C12脂族 烴基、C2-C18飽和環狀烴基及C6-C18芳族烴基可具有一 個或多個取代基。 鹵原子之實例包括氟原子。 Q-C6烷基之實例包括曱基、乙基、丙基、異丙基、 丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基及己基，且較 佳者為C1-C4烷基，更佳者為C1-C2烷基，特佳者為甲基。 (U-C6鹵化烷基之實例包括三氟甲基、五氟乙基、七 氟丙基、七氣異丙基、九氟丁基、九IL -第二丁基、九氟_ 第三丁基、全氟戊基及全氟己基。 C卜C6烷氧基之實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、 75 322784 201136879 異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、 戊氧基及己氧基，且較佳者為C1-C4烷氧基，更佳者為 C1-C2烷氧基，特佳者為曱氧基。 C2-C4醯基之實例包括乙醯基、丙醯基及丁醯基，且 C2-C4醯基氧基之實例包括乙醯基氧基、丙醯基氧基及丁 醢基氧基。 C1-C12烴基之實例包括C1-C12脂族烴基，例如甲基、 乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁 基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、 十一基及十二基；以及C3-C12飽和環狀烴基，例如環己 基、金剛烷基、2-烷基-2-金剛烷基、1-(1-金剛烷基）-1-烷基及異莰基。 C1-C17二價飽和烴基之實例包括C1-C17烷二基，例 如，亞曱基、伸乙基、丙烧-1,3-二基、丁烧-1,4-二基、 戊烧_1，5-二基、己烧-1,6-二基、庚烧_1，7-二基、辛烧 -1,8-二基、壬烧-1,9-二基、癸烧-1，10_二基、十一烧 -1, 11-二基、十二烧-1,12-二基、十三烧_1，13-二基、十 四烧_1，14-二基、十五烧-1，15_二基、十六烧_1，16-二基 及十七烧-1，17-二基。 C1-C12脂族烴基之實例包括曱基、乙基、丙基、異丙 基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、 庚基、辛基、2_乙基己基、壬基、癸基、Η—基及十二基。 C3-C18飽和環狀烴基之實例包括環丙基、環丁基、環戊基、 環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、降莰基、1- 76 322784 201136879 金剛烷基、2-金剛烷基、異莰基及下列基團：
Y〇 *tO C6-C18芳族烴基之實例包括苯基、萘基、蒽基、對曱 基苯基、對第三丁基苯基及對金剛烷基苯基。 式（al-4)所示之單體的實例包括下列者。
77 322784 201136879
78 322784 201136879
1脂含有衍生自式（心4)所示之單體的結構單天 時’以_脂之所有結構單柄總莫耳數為基準計，衍生 所示之單體的結構單元之含量通常為ι〇至％ 莫耳/:’匕較佳為15至90莫耳％，更佳為2〇至85莫耳％。 樹月曰可具有兩種或更多種衍生自具有酸不穩定基之化 合物的結構單元。 …樹脂較佳含有衍生自具有g林穩定基之化合物的結構 單元以及衍生自不具有酸不穩定基之化合物的結構單元。 79 322784 201136879 樹脂可具有兩種或更多種衍生自不具有酸不穩定基之化合 物的結構單元。當樹脂含有衍生自具有酸不穩定基之化合 物的結構單元以及衍生自不具有酸不穩定基之化合物的結 構單元時’以該樹脂之所有結構單元的總莫耳數為基準 計’該衍生自具有酸不穩定基之化合物的結構單元之含量 通常為10至80莫耳％，較佳為20至60莫耳％。由光陴組 成物之乾式蝕刻抗性的觀點來看，在衍生自不具有酸不穩 定基之化合物的結構單元中，衍生自具有金剛烷基之單體 (尤指式（al-Ι)所示之單體）的結構單元之含量較佳為15 莫耳％或更多。 不具有酸不穩定基之化合物較隹含有一個或多個經基 或内雖環。當樹脂含有衍生自不具有酸不穩定基且具有一 個或多個羥基或内酯環之化合物的結構單元時，傾向於獲 得具有良好解析度以及光阻對基材之良好黏著性的光阻 成物。 不具有酸不穩定基且具有一個或多個羥基之化合物 實例包括式（a2-0)所示之單體：
其中9，R8表示氫原子、齒原子、C1_C6烷基或C1_C6齒化烷 基’R於每次出現時獨立為齒原子、羥基、C1_C6烷基、 322784 80 201136879 貌氧基、C2-C4醯基、C2-C4醢基氧基、丙烯醯基或甲基丙 烯醢基’ ma表示〇至4的整數；以及 式（a2-l)所示之單體：
其中，Ral4表示氫原子或曱基，尺…及rm6各自獨立表示氫原 子、曱基或羥基’ La3表示*-0-或*-〇-(CH2)k2-CO-0-，其中 *表示與-C0-鍵結之位置’且k2表示1至7的整數，以及 〇1表示0至10的整數。其中，Rie表示氫原子或甲基，Rn 及R18獨立表示氫原子、曱基或羥基，M2表示*_〇_或 tOKCKhXO-O-，其中*表示與-c〇-鍵結之位置，且k2 表示整數1至7，以及c表示整數〇至1〇。 當採用KrF準分子雷射（波長：248 nm)微影系統或高 能量雷射如電子束及極紫外線作為曝光系統時，較佳者為 含有衍生自式（a2-0)所示之單體的結構單元之樹脂，而當 採用ArF準分子雷射（波長：193 nm)作為曝光系統時，較 佳者為含有衍生自式（a2-l)所示之單體的結構單元之樹 脂。 於式（a2-0)中’鹵原子之實例包括氟原子；^卜C6燒 322784 81 201136879 基之實例包括甲基、乙基、兩基、異丙基、丁 第二丁基、第三丁基、戊基及己 土異丁基、 基，更佳者為C1-C2烷基’特佳者為甲為Cl:燒 基之實例包括三氣曱基、五IL乙基、七氟 自化燒 基、九氟丁基、九氟-第二丁基、九㈣三丁基丙 基及全氟己基。C1-C6院氧基之實例包括 土王氟戊 丙氧基、異兩氧基、丁氧基、異 & 、乙氧基、 三丁二基、戊氧基及己氧基，且較‘為基第 更佳者為C1、C2烧氧基，特佳者為τ :氧基’ 實例包括W基、丙醯基及丁釅基；基 例包括乙醯基氧基、丙醯基氧基及了酿基氧實 中，ma較佳為〇、i或2，更佳為〇或卜特佳為工〇 ^ -0) 含有衍生自式U2-G)所示之單體的結構單元以及_ 自具有酸產生劑之化合物的結構單元之樹脂可 二τ生 述方式製得··使具有酸產生劑之化合物與以乙_ 7 (a2-0)所示之單體㈣基而獲得之單體進行聚合反應邊式 著再使用驗對所得之聚合物進行去乙醯基作用 ‘接 (deacetylation) 〇 式（a2-0)所示之單體的實例包括下列者。 322784 82 201136879
322784 83 201136879 時，以樹脂之所有結構單元的總莫耳數為基準計，該衍生 自式（a2-0)所示之單體的結構單元之含量通常為5至90莫 耳％，較佳為10至85莫耳％，更佳為15至80莫耳°/〇。 於式（a2-l)中，Ral4較佳為曱基；Ral5較佳為氫原子； Ral6較佳為氮原子或經基；La3較佳為*_0_或*_0_(CH2)f2-C0-0-(其中*表示與-CO-鍵結之位置，f2表示1至4的整 數），更佳為;以及〇1較佳為0、1、2或3，更佳為0 或1。 式（a2-l)所示之單體的實例包括下列者，且較佳者為 丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯、曱基丙烯酸3-羥基-1-金剛 烷基酯、丙烯酸3, 5-二羥基-1-金剛烷基酯、曱基丙烯酸 3, 5-二羥基-1-金剛烷基酯、丙烯酸1-(3,5-二羥基-1-金 剛烷基氧基羰基）曱基酯及曱基丙烯酸1-(3, 5-二羥基-1-金剛烷基氧基羰基）曱基酯，更佳者為甲基丙烯酸3-羥基 -1-金剛烷基酯及曱基丙烯酸3, 5-二羥基-1-金剛烷基酯。
84 322784 201136879
當樹脂含有衍生自式（a2-l)所示之單體的結構單元 時，以樹脂之所有結構單元的總莫耳數為基準計，該衍生 85 322784 201136879 自式（a2-l)所示之單體的結構單元之含量通常為3至45莫 耳％，較佳為5至40莫耳％，更佳為5至35莫耳％。 不具有酸不穩定基且具有内酯環之化合物的内酯環之 實例包括單環内醋環例如点-丙内g旨環、7 -丁内醋環及γ _ 戊内醋環，以及由單環内酯環與其他環所形成之稠合環 (condensed r ing)。其中，較佳者為r-丁内酯環以及由r -丁内酯環與其他環所形成之稠合内酯環。 不具有酸不穩定基且具有内酯環之單體的較佳實例包 括式（a3-l)、（a3-2)及（a3-3)所示之單體：
Ra18 H2C=。/ η2。
Jr0
(a3-1)
Ra19 (Ra21)P1
Η2〇=0 (Ra22)c
Ra20
(Ra23)r1 其中，L、L 及 La6獨立表示*_0一或*_〇一（CH2)k3_c〇_〇_，其 Dt9*表不與—⑺-鍵結之位置，且k3表示整數1至7，Ral8、 夹及Γ獨ί表示氫原子或甲基，广表示U—C4脂族烴 二’『22及『23於每次出現時獨立為羧基、氰基或C1-C4脂 _、，基以及pi表不〇至5的整數，y及^各自獨立表 不0至3的整數。 co-n較佳地’L、t及1/6各自獨立表示*+或*+(CH2)dl— 的馨杯其中*表示與鲁鍵結之位置，且dl表示1至4 ’整數’更佳地’ γ及、Rai9及Ra2〇較 322784 86 201136879 佳為甲基。IT21較佳為曱基。較佳地，Ra22及Ra23於每次出現 時獨立為羧基、氰基或曱基。較佳地，pl為〇至2的整數； 更佳地，pl為0或1。較佳地，ql及rl各自獨立表示〇 至2的整數；更佳地’ ql及Η各自獨立表示〇或1。 式（a3-l)所示之單體的實例包括下列者。
322784 87 201136879
式（a3-2)所示之單體的實例包括下列者。 88 322784 201136879
89 322784 201136879
CH CH
，H CH3 H CH2 ch2===<_ ch2=\_o’ 0’
o O:
Q
O
2
O
2 O n
90 322784 201136879 201136879
ο
Η
CH
COOH
Η 式（a3-3)所示之單體的實例包括下列者。
严0 CH2:C 〇
92 322784 ^01136879
322784 93 201136879
其中’較佳者為丙烯酸5-側氧基-4-氧雜參環 [4. 2. 1· 0 ’ ]壬-2-基酯、甲基丙烯酸5_側氧基_4_氧雜參環 [4.2. 1.0,]壬-2-基酯、丙烯酸四氫_2_側氧基_3_呋喃基 酉曰、甲基丙烯酸四氫_2—侧氧基_3_呋喃基酯、丙烯酸2_(5_ 侧氧基-4-氧雜參環[4.2.1.〇3’7]壬_2_基氧基）_2_侧氧基 乙基酯及曱基丙烯酸2-(5-側氧基-4-氧雜參環[4. 2. 1. 〇3 7] 壬-2-基氧基）-2-側氧基乙基酯，且更佳者為曱基丙烯酸 5-側氧基-4-氧雜參環[4.2.1. 03,7]壬-2-基酯、甲基丙烯酸 四氫-2-侧氧基-3-呋喃基酯及甲基丙烯酸2-(5-侧氧基-4一 氧雜參環[4· 2. 1. 〇3,7]壬-2-基氧基）-2-側氧基乙基酯。 當樹脂含有衍生自不具有酸不穩定基且具有内|旨環之 單體的結構單元時，以樹脂之所有結構單元的總莫耳數為 基準計，其含量通常為5至70莫耳％，較佳為至阳莫 322784 94 201136879 耳％，更佳為10至60莫耳％。 樹脂可含有衍生自具有含内酯環之酸不穩定基的單體 之結構單元。該具有含内酯環之酸不穩定基的單體之實例 包括下列者。
不具有酸不穩定基之其他單體的實例包括式（a4-l)、 (a4-2)及（a4-3)所示之單體： 95 322784 201136879
(a4-1) (a4-2) (a4-3) 其中，IT25及Ra26獨立表示氫原子、可具有一個或多個取代 基之C1-C3脂族經基、叛基、氰基或_c〇〇Ra27基團，其中 Ra27表示C1-C36脂族烴基或C3-C36飽和環狀烴基，且於該 C1-C36脂族烴基及該C3-C36飽和環狀烴基中的一個或多 個-CH2-可經-0-或-C0-置換，其限制條件為r⑵中鍵結至 _C00Ra27之-〇-的碳原子不為三級碳原子，或者Ra25與Ra26 相互鍵結形成由-C(=〇)〇c(=〇)-所表示之羧酸酐殘基。 C1-C3脂族烴基之取代基的實例包括羥基。可具有一 個或多個取代基之C1-C3脂族烴基的實例包括C1-C3烷基 例如曱基、乙基及丙基；以及C卜C3羥基烷基例如羥基甲 基及2-羥基乙基。R5所示之C1_C36脂族烴基較佳為C1_C8 脂族烴基，更佳為C1-C6脂族烴基。R25所示之C3-C36飽和 環狀烴基較佳為C4-C36飽和環狀烴基，更佳為C4-C12飽 和環狀烴基。R25之實例包括甲基、乙基、丙基、2-侧氧基_ 氧雜環戊-3-基及2-侧氧基-氧雜環戊-4-基。 式（a4-3)所示之單體的實例包括2-降莰烯、2-羥基-5-降莰烯、5-降莰烯-2-羧酸、5-降莰烯-2-羧酸曱酯、5-降 莰烯-2-羧酸2-羥基乙酯、5-降莰烯-2-甲醇及5-降莰烯 -2, 3-二叛酸if。 當樹脂含有衍生自式（a4-l)、（a4-2)或（a4-3)所示之 96 322784 201136879 單體的結構單元時，以樹脂之所有結構單元的總莫耳數為 基準計，其含量通常為2至40莫耳％，較佳為3至30莫耳 %，更佳為5至20莫耳°/〇。 較佳之樹脂為含有衍生自具有酸不穩定基之單體的結 構單元以及衍生自具有一個或多個羥基之單體及/或具有 内酯環之單體的結構單元之樹脂。該具有酸不穩定基之單 體較佳為式（al-Ι)所示之單體或式（al-2)所示之單體，更 佳為式（al-Ι)所示之單體。該具有一個或多個羥基之單體 較佳為式（a2-l)所示之單體，以及該具有内酯環之單體較 佳為式（a3-l)或（a3-2)所示之單體。 樹脂可根據習知聚合方法（例如自由基聚合作用）製 備。 該樹脂通常具有2, 500或更大之重量平均分子量，且 較佳具有3, 000或更大之重量平均分子量。該樹脂通常具 有50,000或更小之重量平均分子量，且較佳具有30,000 或更小之重量平均分子量。重量平均分子量可使用凝膠滲 透層析法測量。 樹脂之含量通常占固體成分之80重量％或更多。於本 說明書中，「固體成分」意指光阻組成物中除了溶劑以外之 成分。固體成分之含量可使用習知方法分析，例如液相層 析法及氣相層析法。 本發明之光阻組成物可含有鹼性化合物作為淬滅劑 (quencher) ° 鹼性化合物較佳為鹼性含氮有機化合物，且其實例包 97 322784 201136879 括胺化合物例如脂族胺及芳族胺以及錄鹽^脂族胺之實例 包括一級胺、二級胺及三級胺《芳族胺之實例包括其芳香 環具有一個或多個胺基之芳族胺（例如，苯胺），以及雜芳 族胺（例如’吡啶）。其較佳實例包括式（C2)所示之芳族胺：
/R
Arcl-N!
R c6 (C2) 其中’Arel表示芳族烴基，以及！^與1^各自獨立表示氫原 子、脂族烴基、飽和環狀烴基或芳族烴基，且該脂族烴基: 飽和環狀烴基及芳族烴基可具有一個或多個選自下列所組 成群組之取代基：羥基、胺基、具有一個或兩個C1_C4烷 基之胺基及C1-C6烷氧基。 凡 月曰族烴基較佳為烷基，且飽和環狀烴基較佳為環烷 基。脂族烴基較佳具有1至6個碳原子。飽和環狀烴基^ 佳具有5至10個碳原子。芳族烴基較佳具有6至1〇個碳 較佳者為式（C2-1)所示之 關於式（C2)所示之芳族胺 胺：
c5 c6 其中，P及RC6如上文相同定義，R。7於每次 脂族烴基、炫氧基、飽和環狀烴基或芳族烴基，且該脂族 322784 98 201136879 烴基、院氧基、飽和環狀烴基及芳族烴基可具有一個或多 個選自下列所組成群組之取代基：羥基、胺基、具有一個 或兩個C1-C4烧基之胺基及C1-C6烷氧基，以及m3表示〇 至3的整數。脂族烴基較佳為统基，且飽和環狀烴基較佳 為環院基。脂族煙基較佳具有1至6個碳原子。飽和環狀 烴基較佳具有5至10個碳原子。芳族烴基較佳具有6至 10個碳原子。該烷氧基較佳具有1至6個碳原子。 式（C2)所示之芳族胺的實例包括卜萘基胺、2_萘基 胺、苯胺、二異丙基苯胺、2-甲基笨胺、3-甲基笨胺二 甲基苯胺、4-硝基苯胺、N-甲基笨胺、N，N_二曱基笨胺及 一苯基胺，且其中，較佳者為二異丙基苯胺，更佳者為2 6一 一異丙基苯胺。 鹼性化合物之其他實例包括式（(：3)至（C11)所示之胺： 322784 99 201136879 rc8-n yRc9、Rc10 rc11_n n-Rc12
(C4)
(C5) (C3)
(C9) (C10) (C11) 其中，1^8、1^2()、1^21、及1^23至1^28各自獨立表示脂族烴基、 烷氧基、飽和環狀烴基或芳族烴基，且該脂族烴基、烷氧 基、飽和環狀烴基及芳族烴基可具有一個或多個選自下列 所組成群組之取代基：羥基、胺基、具有一個或兩個C1-C4 烷基之胺基及C卜C6烷氧基； RC9、Rel〇、RCU至Reu、^16至Rel9、及RC22各自獨立表示氫原 子、脂族烴基、飽和環狀烴基或芳族烴基，且該脂族烴基、 飽和環狀烴基及芳族烴基可具有一個或多個選自下列所組 成群組之取代基：羥基、胺基、具有一個或兩個C1-C4烷 基之胺基及C1-C6烧氧基；
Rel5於每次出現時獨立為脂族烴基、飽和環狀烴基或烷醯 基； 100 322784 201136879
Lcl及Le2各自獨立表示二價脂族烴基、-CO---C(=NH)-、 -C(=NRe3)-、-S-、-S-S-或其組合，且 Re3表示 C1-C4 烷基； 〇3至u3各自獨立表示0至3的整數；以及 n3表示0至8的整數。 脂族烴基較佳具有1至6個碳原子，飽和環狀烴基較 佳具有3至6個碳原子，烷醯基較佳具有2至6個碳原子， 以及二價脂族烴基較佳具有1至6個碳原子。二價脂族烴 基較佳為伸烧基。 式（C3)所示之胺的實例包括己基胺、庚基胺、辛基胺、 壬基胺、癸基胺、二丁基胺、二戊基胺、二己基胺、二庚 基胺、二辛基胺、二壬基胺、二癸基胺、三乙基胺、三甲 基胺、三丙基胺、三丁基胺、三戊基胺、三己基胺、三庚 基胺、三辛基胺、三壬基胺、三癸基胺、甲基二丁基胺、 曱基二戊基胺、曱基二己基胺、甲基二環己基胺、曱基二 庚基胺、曱基二辛基胺、甲基二壬基胺、甲基二癸基胺、 乙基二丁基胺、乙基二戊基胺、乙基二己基胺、乙基二庚 基胺、乙基二辛基胺、乙基二壬基胺、乙基二癸基胺、二 環己基甲基胺、參[2-(2-曱氧基乙氧基）乙基]胺、三異丙 醇胺、伸乙基二胺、四亞曱基二胺、六亞曱基二胺、4, 4’-二胺基_1，2-二苯基乙烧、4,4’_二胺基-3，3’-二甲基二苯 基曱烧及4, 4’ -二胺基-3，3’ -二乙基二苯基甲烧。 式（C4)所示之胺的實例包括哌哄。式（C5)所示之胺的 實例包括嗎啉。式（C6)所示之胺的實例包括哌啶以及如JP 11-52575A中所述具有派咬骨架之受阻胺（hindered amine) ιοί 322784 201136879 化合物。式（C7)所示之胺的實例包括2, 2, _亞甲基雙苯胺。 式（C8)所示之胺的實例包括咪唑及4-曱基咪唑。式（C9)所 示之胺的實例包括吡啶及4_曱基吡啶。式（cl〇)所示之胺 的實例包括二-2-吡啶基酮、1，2-二（2-吡啶基）乙烷、1，2-二（4_吡啶基）乙烷、1，3-二（4-吡啶基）丙烷、l，2-雙（2-〇比咬基）乙烯、1,2-雙（4-«比啶基）乙烯、1,2-二（4-°tb啶基 氧基）乙烧、4, 4’ -二D比咬基硫化物、4, 4’ -二η比咬基二硫化 物、2, 2 -二吡啶基胺及2, 2’ ·二甲基吡啶基胺。式（cil) 所示之胺的實例包括聯吡咬。 四級銨氫氧化物之實例包括氫氧化四曱基銨、氫氧化 四丁基銨、氫氧化四己基銨、氫氧化四辛基銨、氫氧化笨 基三曱基銨、氫氧化（3_三氟曱基苯基）三甲基銨及氫氧化 (2-羥基乙基）三甲基銨（所謂的r膽鹼」）。 當使用鹼性化合物時，鹼性化合物之量通常為每1〇〇 重量份固體成分使用0. 01至1重量份。 本發明之光阻組成物通常含有一種或多種溶劑。溶劑 之實例包括二醇醚酯’例如乙酸乙赛璐蘇（ethyl cellosolve acetate)、乙酸甲赛璐蘇（methyi cell〇s〇lve acetate)及丙二醇單甲基醚乙酸酯；二醇醚，例如丙二醇 單甲基醚；非環狀酯，例如乳酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戍 酯及丙酮酸乙酯；酮，例如丙酮、曱基異丁基嗣、2_庚綱 與環己酮；以及環狀酯，例如r-丁内醋。 以本發明之光阻組成物的總量為基準計，溶劑之量通 常為90重量％或更多，較佳為92重量％或更多，更佳為％ 1〇2 322784 201136879 重量％或更多。以本翻之光阻組成物的總㈣基準計，溶 劑之量通常為"· 9重量％或更少，較佳為99重量％或更少。 方需要’本發明之光阻組成物可含有少量的各種添加 劑，例如敏化劑、溶解抑制劑、其他聚合物、界面活性劑、 安定劑及染料，只要不影響本發明之效果即可。 本發明之光阻組成物適用為化學放大变光阻組成物。 光阻圖案可藉由下列步驟（1)至（5)製造： (1) 將本發明之光阻組成物施加至基材之步驟； (2) 進行乾燥而形成光阻膜之步驟； (3) 使該光阻臈曝光於光線照射之步驟； (4) 烘烤該經曝光的光阻臈之步驟；以及 ⑸使驗性顯影_該經烘烤的光㈣ 成光阻圖案之步驟。 _ ^ 通常是使用傳統設備（例如旋轉塗佈機） 施加至基材。緣組成物較佳係於施加前先以孔^成物 "m之喊H喊。基材之實例包括於其上形成^測· ^ 電路、電晶體等之石夕晶圓或石英晶圓。 、 光阻膜之形成通常是使用加熱設備（例如，加熱 壓器）進行，且加熱溫度通常為5〇至2〇(rc，操^ $我 常為1至l.OxlO5 Pa。 ’、乍墾力通 所得之光阻膜係使用曝光系統進行曝光。該曝光 是透過具有與所欲光阻圖案相對應之圖案的光罩進行。 光源之實例包括發射UV-區域中之雷射光之光源例:= 準分子雷射（波長：248 nm)、ArF準分子雷射（波長：193⑽） 322784 103 201136879 及F2雷射（波長.157 nm)，以及藉由從固體雷射光源（例 如YAG或半導體雷射）之雷射光進行波長轉換而發射出遠 uv區域或真空uv區域中之諧波雷射光（harm〇nic丨狀打 light)的光源β 經曝光之光阻膜的烘烤溫度通常為5〇至2〇(rc，較佳 為 70 至 l5〇°c。 經烘烤之光阻膜的顯影通常是使用顯影設備進行。戶 使用之難顯㈣可為此技藝巾使狀各懸性水溶液自 任一者。-般Μ，通常是❹氫氧化四曱基銨或氫氧^ (2_經基乙基）三甲基錢（俗稱「膽驗」）之水溶液。顯影後 所形成之光阻圖案較佳係以超純水清洗，且較佳係將殘$ 於該光阻圖案及基材上的水移除。 ^發明之光阻組成物適用於ArF準分子雷射微影、^ EUV，'ft微影、㈣浸潤式微影、(極紫外光）微影 EB° 、β用於ArF浸濶式微影、EUV微影及EB微影' 貫施例 被理將藉由實施例更具體說明，惟該等實施例不J 被里解為用以限制本發明之範圍。 例中所』則用以表示下列實施例及比巷 比3 7成分的含量及任何材料的量之「％」Ά 材二二 =:=\7列實施例中所使用之轴 322784 104 201136879 法[HLC-8120GPC型，管柱（具有保護管柱之三管柱）：TSKgel
Multi pore HXL-M，由 TOSOH CORPORATION 製造’溶劑：四 氫呋喃，流速：1. 0毫升（mL)/分鐘（min.)，偵測器：RI偵 測器’管柱溫度：40°C，注入體積：100/zL ]所測得之值。 實施例1
(IV-1)
0?·°3^η - ¢51¾ ^ (II-1)
〇3sjX HOv^A)-(V-1) 式（II-l)所示之鹽係根據JP 2008-127367 A中所述之 方法製備。將10.00份式（Π-丨）所示之鹽、50. 00份乙腈 及 4. 44 份幾基二味峻（可自 T〇ky〇 Chemical Industry Co.，
Ltd.購得）之混合物於8(TC攪拌30分鐘。使所得混合物冷 郃至23°C，然後過濾，獲得59. 68份含有式（IV-1)所示之 鹽的溶液。 一將59· 68份含有式（IV-1)所示之鹽的溶液與1· 64份環 氧丙醇（可自Aldrich購得）之混合物於23°C搜拌1小時。 過濾所得之反應混合物。將所得之濾液濃縮，並於所得殘 餘物中添加1〇〇份氯仿及30份離子交換水。攪拌所得之混 合物30分鐘，然後分離。將所得之有機層以離子交換水1 滌三次。濃縮所得之有機層，獲得5.80份式（Ι__υ所示之 322784 105 201136879 鹽。此鹽稱為鹽11。 MS (ESI⑴譜）：Μ+ 263· 1 MS (ESI(-)譜）：IT 231.0 實施例2
式（II-1)所示之鹽係根據JP 2008-127367 A中所述之 方法製備。將10. 00份式（Π-1)所示之鹽、50. 〇〇份乙腈 及 4. 44份幾基二咪嗅（可自 Tokyo Chemical Industry Co.,
Ltd.購得）之混合物於8〇°C攪拌30分鐘。使所得混合物冷 卻至23°C，然後過濾，獲得59.48份含有式（IV-1)所示之 鹽的溶液。 將59.48份含有式uv—i)所示之鹽的溶液與2.57份 (3-乙基環氧丙烷）甲醇（可自T〇ky〇Chemical Industry
Co.，Ltd.購得）之混合物於23eC攪拌1小時。過濾所得之 反應混合物。將所得之濾液濃縮，並於所得殘餘物中添加 100份氣仿及30份離子交換水。攪拌所得之混合物3〇分 鐘，然後分離。將所得之有機層以離子交換水洗滌三次。 濃縮所得之有機層，獲得8 73份式（1_2)所示之鹽。此鹽 稱為鹽12。 默 322784 106 201136879 MS (ESI(+)譜）：M+ 263. 1 MS (ESI(-)譜）：Μ- 273. 〇 實施例3
式（ΙΙ-1)所示之鹽係根據jP 2008-127367 Α中所述之 方法製備。將10· 00份式（Π—丨）所示之鹽、50· 00份乙腈 及 4. 44份羰基二咪唑（可自 Tokyo Chemical Industry Co.，
Ltd.購得）之混合物於8〇°c攪拌3〇分鐘。使所得混合物冷 卻至23°C，然後過濾，獲得59 88份含有式（ιν_1；)所示之 鹽的溶液。 將59·88份含有式（IV-1)所示之鹽的溶液與3.15份 一甲基小氧雜雙環（4.1.0]戊_2__(可自Aldrich購 之，σ物於23 c搜拌1小時。過濾'所得之反應混合物。 30 濾液濃縮’並於所得殘餘物中添加議份氣仿及 將^之水。授摔所得之混合物3〇分鐘，然後分離。 層，ί得5 49^離子交換水洗滌三次。濃縮所得之有機 ·份式（卜3)所示之鹽。此鹽稱$醆13。 MS (ESI⑴譜）：Μ+ 263 1 稱為孤13 322784 107 201136879 MS (ESI(-)譜）：Μ- 299.0 實施例4
將10.96份式（I 1-4)所示之鹽、50_ 00份乙腈及4. 44 份羰基二咪哇（可自 Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd. 購得）之混合物於80°C攪拌30分鐘。使所得混合物冷卻至 23°C，然後過濾，獲得60. 54份含有式（IV-4)所示之鹽的 溶液。 將60· 54份含有式（IV-4)所示之鹽的溶液與2. 57份 (3-乙基環氧丙烧）曱醇（可自Tokyo Chemical Industry
Co.，Ltd.購得）之混合物於23°C攪拌1小時。過據所得之 反應混合物。將所得之濾液濃縮，並於所得殘餘物中、 —厂. -X 不之鹽。此 100份氣仿及30份離子交換水。攪拌所得之混合物添加 鐘，然後分離。將所得之有機層以離子交換水洗滌分 遭縮所得之有機層，獲得8. 92份式（所 ” 稱為鹽14。 MS (ESI(+)譜）：1T 305. 1 108 322784 201136879 MS (ESI(-)譜）：IT 273. 0 實施例5
F (IV-5)
Or' 將10.40份式（I 1-5)所示之鹽、50.00份乙腈及4.44 份叛基二咪吐（可自 Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd. 購得）之混合物於80°C攪拌30分鐘。使所得混合物冷卻至 23°C，然後過濾，獲得59. 98份含有式（IV-5)所示之鹽的 溶液。 將59.98份含有式（IV-5)所示之鹽的溶液與2.57份 (3-乙基壤氧丙炫）曱醇（可自Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.購得）之混合物於23°C攪拌1小時。過遽所得之 反應混合物。將所得之滤液濃縮’並於所得殘餘物中添加 100份氯仿及30份離子交換水。攪拌所得之混合物3〇分 鐘，然後分離。將所得之有機層以離子交換水洗滌三次。 濃縮所得之有機層’獲得7.24份式（1-5)所示之鹽。此略 稱為鹽15。 风 MS (ESI( + )譜）：M+ 281.0 322784 109 201136879 MS (ESI(-)譜）：Μ- 273. 0 實施例6
士0'於+Λ—士0-十 Q (II-6) ^ (IV-6) ? + H〇i>CP —► (IV-6) (V-2) (1-6) 將8.72份式（II-6)所示之鹽、50.00份乙腈及4.44 份幾基二哺°坐（可自 Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd. 購得）之混合物於80°C攪拌30分鐘。使所得混合物冷卻至 23°C，然後過濾，獲得58. 24份含有式（IV-6)所示之鹽的 溶液。 將58.24份含有式（IV-6)所示之鹽的溶液與2.57份 (3-乙基環氧丙烧）曱醇（可自Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.購得）之混合物於23°C攪拌1小時。過濾所得之 反應混合物。將所得之濾液濃縮，並於所得殘餘物中添加 100份氯仿及30份離子交換水。攪拌所得之混合物30分 鐘，然後分離。將所得之有機層以離子交換水洗滌三次。 濃縮所得之有機層，獲得5. 98份式（1-6)所示之鹽。此鹽 稱為鹽16。 MS (ESI( + )譜）：M+ 207. 1 MS (ESI(-)譜）：M- 273.0 樹脂合成例中所使用之單體為下列單體（A)、（B)、 (C)、（D)、（E)及（F)。 110 322784 201136879
(D)
(E)
樹脂合成例1 M OU/iWOW川（旱體皁體單體（B)/單體 (C)/單體（F))之莫耳比例混合單體（D)、（E)、（B)、^)及 (F)，並添加基於所有單體之總份數為丨.5仵 曙统，以製得混合物。於該混合物中添加° 1’4 一 耳量為1.00冑耳％之比例的偶氮雙異丁^土於戶斤有單體莫 添加基於所有單體莫耳量為3·〇〇莫耳:作為起始劑以及 (2, 4-二甲基戊腈）作為起始劑，並使所」之比例的偶氮雙 熱約5小時。將所得反應混合物倒入件'尾合物於73°c加 水重量比=4/1)之混合物中以產生 4 ?醇與水（甲醇/ 進行純化。結果，得到具有' J 丨· lxl〇3之樹脂，產率為65% 量平 此樹脂稱為樹脂A1 » 兩次以進行純化。結果，得到具 並且再重複此操作 β 1 Λ3 …$ I 正 H、 201136879
樹脂合成例2 以50/25/25(單體（A)/單體（B)/單體（〇)之莫界比例 混合單體（A)、（B)及（C)，並添加基於所有單體之總份數為 1. 5倍份之1,4-二Of烷，以製得混合物。於該混合物中添 加基於所有單體莫耳量&丨莫耳％之比例的偶氮雙異丁猜 作為起始劑以及添加基於所有單體莫耳量為3莫耳％之比 氮雙an基戊腈）作為起始劑，並將所得混合 與水時。將所得反 興水（曱醇/水重量比=3/1)之混合 重複此操作三:纽進行純化。 讀’並且再 子量為約8.0X103之樹脂，產率。㈣具有重量平均分 構單元。此賴稱騎W2。·、、、°。雜脂具有下列結
實施例7至18及比較例1 <樹脂〉 樹脂Al、A2 322784 112 201136879 〈酸產生劑〉 酸產生劑II :鹽II 酸產生劑12 :鹽12 酸產生劑13 :鹽13 酸產生劑14 :鹽14 酸產生劑15 :鹽15 酸產生劑16 :鹽16 酸產生劑B1 :
〈淬滅劑〉 113 322784 201136879 C1 : 2, 6-二異丙基苯胺 〈溶劑〉 Y1 :丙二醇單曱基醚乙酸酯 265 份 2-庚酮 20 份 丙二醇單曱基醚 20 份 γ - 丁内酯 3」 i份 混合並溶解下列成分，進一步透過孔徑為0. 2//m之氟 樹脂過濾器過濾，以製得光阻組成物。 樹脂（種類及用量說明於表1) 酸產生劑（種類及用量說明於表1) 淬滅劑（種類及用量說明於表1) 溶劑Y1 114 322784 201136879 表1 實施例 編號 PBΓΟ
樹脂 (種類/用量 (份）） 酸產生劑 (種類/用量 (份）） 淬滅劑 (種類/用 (份））
將購自 Nissan Chemical Industries, Ltd.之有機γ 反射塗佈組成物“ARC-29”塗覆於各個直徑為12英叫· (inch)之矽晶圓，然後於2〇5°c烘烤6〇秒，以形成厚度為 115 322784 201136879 780A之有機抗反射塗層。將上文所製得之各光阻組成物旋 塗於抗反射塗層上’使乾燥後所得膜之厚度為85 nm。將 塗佈有個別光阻組成物之矽晶圓分別於直接加熱板 (direct hotplate)上以表1中“PB”攔所示之溫度預烤 60秒。使用ArF準分子步進機進行浸潤式曝光（“χΤ:
1900Gi”，由 ASML 製造，ΝΑ=1· 35，3/4 環（Anrmlar)，X-Y 偏極化），將所形成之具有個別光阻膜的各晶圓進行線與間 隔圖案浸潤式曝光，並逐步改變曝光量。 曝光後，使各晶圓於加熱板上以表1中“PEB”欄所示 之溫度進行曝光後烘烤60秒，然後使用2 38重量％之氫氧 化四甲基銨水溶液進行漿式顯影（paddle devel(Dpment)6〇 秒。 使用掃描式電子顯微鏡觀察顯影後在有機抗反射塗層 基材上所顯影之各光阻圖案，結果顯示於表2。 有效靈敏度（ES) ·其係表示於曝光及顯影之後，使5〇 nm線圖案與間隔圖案成為1 : 1之曝光量。 線邊緣粗糙度（LER):❹掃描式電子賴鏡觀察光阻 並測量姐圖案減縣面最高點與最低點之間的 當高度差為4·5ηι„或更小時，⑽極佳，其評價 ；當高度差大於“η"1且為5-或更小時， 其評價標記為“〇”；而當高度差大於5-時， 越圭評漏料V，。高度差削、，則光阻圖案 越佳。所得之高度差亦顯示於表2之括號中。 322784 116 201136879 表2 實施例編號 LER 實施例7 Ο (4.68) 實施例8 〇 (4.94) 實施例9 ◎ (3.44) 實施例10 © (3.84) 實施例11 Ο (4.52) 實施例12 @ (3.38) 實施例13 〇 (4.53) 實施例14 ◎ (3.65) 實施例15 ◎ (3.34) 實施例16 @ (3.29) 實施例17 Ο (4.51) 實施例18 @ (3.82) 比較例1 X (6.24) 本發明之鹽為新穎物質且適用為酸產生劑，本發明之 光阻組成物提供具有良好線邊緣粗糙度之光阻圖案。 【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 無。 117 322784

Claims (1)

  1. 201136879 +、申請專利範圍：
    (I) X;:二17獨立表示I原子或C1-C6全氟烧基， X = n-cn二價飽和烴基，該㈣7二價飽和煙基 ::有一個或多個氟原子’且於該⑽7二價飽和煙 ί中的一個或多個秦可經♦或，-置換，r表示具 2. 一種鹽，係由式（I)所示：
    有環狀赌構之基團，以及zl+表示有機陽離子。 如申請專利範’丨韻述之鹽，其中，R3表示式（⑷ 或（IE)所示之基團：
    其中’ R於每次出現時獨立為C1_C12飽和煙基或 C6-C18芳族烴基，該飽和烴基及該芳族烴基可具有一 個或夕個選自ei-G6燒基及;6肖基所組成群組之取代 基，且於該飽和烴基中的一個或多個_CH2_可經_〇_置 換’ ul表示〇至8的整數，sl表示1至4的整數， 表不〇至2的整數，其限制條件為si與tl之總和為1 至4的整數， R於每次出現時獨立為羥基、i原子、C1-C6烷基、C1-C6 烷氧基、C1-C6羥基烷基、C2-C7醯基、C2-C7醯基氧 1 322784 201136879 基或C2-C7醯基胺基，且兩個p5 ^ 呵调R可彼此鍵結形成單鍵 心衷’U2表示0至16的整數，su表示的整數， ⑴表示0至2的整數，sl2表示1至4的整數，tl2 表示0至2的整數’其限制條件4s12與tl2之總和為 1至4的整數，以及*表示與鍵結之位置。 如申請專職㈣1項所述之鹽，其中，該式⑴所示 之鹽為式（II)所示之 >1 /y
    ul yLsi （II) 其中^、^^、…、上文相同定 義。 4. 如申請專利範圍第1項所述之鹽，其中，χ1為 *-co-o-ch2-，且其中*表示與谓)(r2)，結之位置。 5. 如中請專利範圍第i項所述之鹽，其中’zl+為三芳基疏 陽離子。 6. -種酸產生劑，係包括中請專利範圍第i項所述之鹽。 7. —種光阻組成物’係包括申請專利範圍第6項所述之酸 產生劑以及樹脂。 8. 如申請專利範圍第7項所述之光阻組成物，其中，該樹 月日包3具有酸不穩定基之結構單元，且該樹脂不溶於或 難溶於驗性水溶液中，但經由_作用變成可溶於驗性 水溶液中。 9·如申請專利範圍第7或8項所述之光阻組成物，其進一 322784 2 201136879 步含有驗性化合物。 10. —種製造光阻圖案之方法，係包括下列步驟（1)至（5): (1) 將申請專利範圍第7或8項所述之光阻組成物 施加至基材之步驟； (2) 進行乾燥而形成光阻膜之步驟； (3) 使該光阻膜曝光於光線照射之步驟； (4) 烘烤該經曝光的光阻膜之步驟；以及 (5) 使用鹼性顯影劑將該經烘烤的光阻膜顯影，藉 以形成光阻圖案之步驟。 3 322784 201136879 四、指定代表圖：本案無圖式。 (一) 本案指定代表圖為：第（ ）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
    (I) 2 322784
TW100104713A 2010-02-18 2011-02-14 鹽及包含該鹽之光阻組成物 TWI530478B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010033421 2010-02-18
JP2010101850 2010-04-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201136879A true TW201136879A (en) 2011-11-01
TWI530478B TWI530478B (zh) 2016-04-21

Family

ID=44369880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100104713A TWI530478B (zh) 2010-02-18 2011-02-14 鹽及包含該鹽之光阻組成物

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8993210B2 (zh)
JP (1) JP5750925B2 (zh)
KR (1) KR101825342B1 (zh)
CN (1) CN102167677A (zh)
TW (1) TWI530478B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI471692B (zh) * 2012-03-07 2015-02-01 Shinetsu Chemical Co 酸產生劑、化學增幅型光阻材料、及圖案形成方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5728190B2 (ja) * 2010-09-28 2015-06-03 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、
JP5750346B2 (ja) * 2010-10-06 2015-07-22 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5903833B2 (ja) 2010-11-09 2016-04-13 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターン製造方法
KR101830595B1 (ko) 2010-11-09 2018-02-21 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 수지 및 포토레지스트 조성물
JP5386527B2 (ja) * 2011-02-18 2014-01-15 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
JP5485198B2 (ja) * 2011-02-21 2014-05-07 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP6034026B2 (ja) 2011-02-25 2016-11-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5964615B2 (ja) 2011-03-28 2016-08-03 住友化学株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP5852490B2 (ja) 2011-04-07 2016-02-03 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6005964B2 (ja) 2011-04-07 2016-10-12 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6022788B2 (ja) * 2011-04-07 2016-11-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5934536B2 (ja) 2011-04-07 2016-06-15 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5866100B2 (ja) * 2011-04-13 2016-02-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5886696B2 (ja) 2011-07-19 2016-03-16 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6189020B2 (ja) * 2011-07-19 2017-08-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5851282B2 (ja) * 2012-02-29 2016-02-03 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP6134562B2 (ja) * 2012-04-27 2017-05-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6208998B2 (ja) * 2012-07-06 2017-10-04 住友化学株式会社 レジストパターンの製造方法
JP5865199B2 (ja) 2012-07-09 2016-02-17 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、パターン形成方法、及び、フォトマスクの製造方法
JP6244856B2 (ja) * 2012-12-05 2017-12-13 住友化学株式会社 塩、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US20160159953A1 (en) * 2013-06-27 2016-06-09 Toyo Gosei Co., Ltd. Reagent for enhancing generation of chemical species
JP7249093B2 (ja) * 2016-02-29 2023-03-30 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US9921475B1 (en) 2016-08-31 2018-03-20 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating compound, polymer derived therefrom, photoresist composition including the photoacid-generating compound or polymer, and method of forming a photoresist relief image
JP7210312B2 (ja) * 2018-02-14 2023-01-23 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7233948B2 (ja) * 2018-02-14 2023-03-07 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7240069B2 (ja) * 2018-02-28 2023-03-15 住友化学株式会社 硫酸エステル塩、硫酸エステル発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7317524B2 (ja) * 2018-03-08 2023-07-31 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7240070B2 (ja) * 2018-03-08 2023-03-15 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7138065B2 (ja) * 2018-03-12 2022-09-15 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US11820735B2 (en) * 2018-04-12 2023-11-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
JP7296808B2 (ja) * 2018-07-25 2023-06-23 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7648419B2 (ja) * 2020-05-08 2025-03-18 住友化学株式会社 カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5070802B2 (ja) * 2005-10-28 2012-11-14 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
TWI395064B (zh) * 2005-10-28 2013-05-01 Sumitomo Chemical Co 適用於酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大光阻組成物
JP5012122B2 (ja) * 2007-03-22 2012-08-29 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物
JP5216380B2 (ja) * 2007-09-12 2013-06-19 東京応化工業株式会社 新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5523854B2 (ja) * 2009-02-06 2014-06-18 住友化学株式会社 化学増幅型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
JP5346660B2 (ja) * 2009-04-15 2013-11-20 富士フイルム株式会社 感活性光線または感放射線樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法
KR101855112B1 (ko) * 2009-06-22 2018-05-04 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 광산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트
JP5689253B2 (ja) * 2009-06-24 2015-03-25 住友化学株式会社 化学増幅型フォトレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TWI503629B (zh) * 2009-09-17 2015-10-11 住友化學股份有限公司 光阻組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI471692B (zh) * 2012-03-07 2015-02-01 Shinetsu Chemical Co 酸產生劑、化學增幅型光阻材料、及圖案形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8993210B2 (en) 2015-03-31
CN102167677A (zh) 2011-08-31
JP2011246439A (ja) 2011-12-08
KR20110095174A (ko) 2011-08-24
US20110200936A1 (en) 2011-08-18
TWI530478B (zh) 2016-04-21
JP5750925B2 (ja) 2015-07-22
KR101825342B1 (ko) 2018-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201136879A (en) Salt and photoresist composition containing the same
TWI525066B (zh) 鹽、光阻組成物及製備光阻圖案之方法
TWI530491B (zh) 鹽及包括該鹽之光阻組成物
TWI491980B (zh) 鹽及含有該鹽之光阻組成物
TWI552986B (zh) 鹽、光阻組成物及製備光阻圖案之方法
TWI565690B (zh) 產生光阻圖案之鹽、光阻組成物及方法
TWI548617B (zh) 光阻組成物及光阻圖案的製造方法
TW201223932A (en) Salt and photoresist composition comprising the same
TW201213296A (en) Photoresist composition
TW201139383A (en) Salt and process for producing acid generator
TW201533033A (zh) 鹽及含有該鹽之光阻組成物
JP2017155036A (ja) 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TW201144262A (en) Salt and photoresist composition comprising the same
TW201529542A (zh) 鹽及包含該鹽的光阻組成物
JP2019053307A (ja) 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6413617B2 (ja) 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TW201247611A (en) Photoresist composition
JP6221689B2 (ja) 化合物、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6011096B2 (ja) 塩及びレジスト組成物
TW201233697A (en) Resin and photoresist composition comprising the same
TW201247718A (en) Resin and photoresist composition comprising same
TW201245860A (en) Photoresist composition
JP2017155032A (ja) 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2018010278A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2017206501A (ja) 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法