TW201126004A - Target and backing plate assembly - Google Patents

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201126004 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明提供-㈣支持板組裝體，其可延長乾之壽 命、並且使得在濺鑛過程十膜之均句性（膜厚之均—性）良 好，又即便存在因乾材之種類而變化的㈣（⑽刚）差異， 亦可容易地製造因應固有之^賤姓的高使用效率乾。、 【先前技術】 藉由㈣之薄膜之形成方法可廣泛用於製造各種電 子、電氣零件等。 濺錢法係使用以下原理：使成為陽極之基板與成為陰 極^㈣向，於惰性氣體環境下對該等基板料之間施 加问電壓而產生電場，此時電離之電子與惰性氣體碰撞而 形成電漿，該電漿中之陽雜； ^之刼離子碰撞靶表面而撞出靶構成原 子’該：出之原子附著於相對向之基板表面而形成膜。 目刖/賤鍍多數使用被稱為所謂磁控滅鑛之方法。磁 控錢法係於乾之背側設置磁石’使乾表面產生方向與電 場垂直之磁場而進行滅鑛之方法’具有以下特徵·於此種 正=電磁場空間内可實現電聚之穩定化及高密度化，從而 提高濺鑛速度。 〃通常’磁控機錢係於磁場中捕捉電子而有效地將減錢 氣體電離c曰因磁體之構造或種類、進而減鑛條件、靶 之材質濺鑛裝置之種類等，造成濺鑛中之乾之侵银（賤蚀） 式有斤$ @ ’賤敍不均。其並不限於磁控滅鍍法，於 201126004 其他濺鍍法中亦同。 把被最深程度地職触至创 】達極限之處即到達壽命级 點’而需要更換新把。通常乾形成平板狀或圓筒形。、 二若把被局部較深地濺触，則亦會產 會不均地引起濺鍍，獏之均勻 生（膜厚之均一性）惡化。 進而，不論靶是否殘留堉 X ’都將迎來壽命終點。其 為如下情況：於靶壽命中谂，+丄 ^ 途在成膜製程中所確定的膜之 均勻性（膜厚之均一性）或步驟 )飞，驟知失率之管理 定容許值。此時，若持續 承们0又 項便用β亥靶，則由於會超過容許值， 而即便靶殘留有厚度，亦需要 Λ ^ 眾要更換新靶。即，靶之壽命較 原本短。 因此，在靶之濺蝕面之槿 再k 支持板之構造、進而乾 與支持板之組裝體之構诰的古 稱艳的方面集中了各種嘗試。例如， 於下述專利文獻1中提出一 徑長方體之多分割輕，係於受 到濺蝕之分割靶存在高低羔眸， 、 · ' 自南度較尚之輕面向高度 較低之面形成斜面之靶。此，^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ τ 粑之濺蝕面與基板的距離 及該濺甜面與配置絲f面之磁體的距離不均―，因此存 在於濺鍍初期濺鍍不均之問題。 於下述專利文獻2中提出有：將支持板製成四型，於 該支持板上載置分㈣，進行接合時，為了可容易地去除 =之接合劑，而將端部之乾製…型之乾—支持板組 裝體。此時存在以下問冑：由於目的僅為使接合劑容易去 除因此無法進行因應濺蝕之靶的形狀控制，又由於支持 板為固定形狀之凸型，因此不具有通用性。 201126004 下述專利文獻3提出了對傾斜方式之錢鐘起與將直保 持板進行研究。此時為了防止重力方向之偏移:、將 '反形成為木屐之齒狀’成為於該凸型上鑲嵌靶之形 亦未特別對提尚靶之使用效率（利用效率）進行研究， 且無法進行因應㈣之#的形狀控制。又，支持板亦存在 因具有特異形狀而不具有通用性之問題。 下述專利文獻4巾對提高$之使用效率進行研究。此 ，面之剖面形成為倒Μ字型。此時成為問題的 疋由於初期濺钱面與基板及配置於乾背面側之磁體不平 '亍因此有自初期至中期，於賤鑛時飛翔之粒子變得不規 則（不合規則）之問題。 下述專利文獻5中提出，乾之底面冑曲，又於支持板 之上面與靶之底面重合之形狀形成凹陷。此時雖然考慮到 靶之使用效率，但由於靶、支持板均具有特異形狀，因此 存在製作複雜且成本升咼之問題，又由於支持板具有特異 形狀，而存在不具有通用性之問題。 下述專利文獻6中提出，同樣為圓盤型靶、且支持板 亦為圓盤型’ Α 了可目視該等之定位，而形成沿著圓盤之 圓周的形狀之凹凸。由於乾、支持板均具有特異形狀，因 此存在製作複雜且成本升高之㈣，又由於支持板具有特 異形狀，而存在不具有通用性之問題。 下述專利文獻7 +，如第3圖⑷或（c)所示般，闡述了 於「於所丨賤鍍之面增加靶厚度者」亦有效。但指出，此種 形狀者（初期濺蝕面與基板及配置於靶背面側之磁體不平行 201126004 者）存在濺鍍時飛翔之粒子變得不規則（不合規則）之問題。 即，即便使用效率較高，但預料會存在以下問題：靶使用 中之成膜速度之變化較大，且電弧（arcing)產生次數較多， 步驟損失率較高。 又，於該專利文獻7中有如下實施例：第3圖（a)、（b)、 (c)之任-圖中，乾i並非接合於水冷板2者而是藉由固 持器將lb 1 S]定於水冷& 2上而使用。若為該方法，則存 在以下問S :於具# IT0般之導熱率的陶曼材料中，於水 冷板（支持板）與ϋ持器之密合性不完全射之冷卻不 充分，且產生靶破裂之問題的可能性升高。 根據以上所述，於先前之濺鍍靶中存在以下問題：於 以下觀點方面並未進行嘗試：乾之使用效率較高，自初期 之賤鍍時起可均句㈣，且容易以單純之形態製作把及支 持板。又’存在有產生電弧之問題等的缺點。 專利文獻1 : 專利文獻2 : 專利文獻3 : 專利文獻4 : 專利文獻5 : 專利文獻6 : 專利文獻7 : 曰本專利第3760652號公報 日本特開2009— 57598號公報 日本特開2005— 200682號公報 曰本特開2007— 224392號公報 曰本特表2007— 505217號公報 日本特開2009~ 144186號公報 曰本特開昭59— 232271號公報 【發明内容】 本發明係鑒於如上戶斤 述之問題或缺點 而完成者，且提 201126004 供一種在柄跨靶之初期及濺鍍過程中膜之均句性（膜厚之均 一性）良好，並且粒子產生較少，進而靶之壽命較長的靶、 遠乾之製造方法及乾一支持板。 為了解決上述課題，本發明人著眼於濺鍍用靶之形狀 以及支持其之支持板，而獲得以下知識見解：製成預先設 ?到濺蝕之靶形狀’使用該靶進行濺鍍，藉此使得濺鍍過 私中膜之均勻性（膜厚之均—性）良好，並且粒子產生較少， 進而可延長靶之壽命。再者’本說明書中所使用之「高使 用效率靶」係指如上所述具有預料到濺蝕之形狀之靶。 本發明係根據上述知識見解而提供： 且υ乾支持板組裝體，其係磁控濺錢絲支持板組裝體， 其特徵在於：靶之濺蝕面與配置於靶背面之磁體及與靶對 向之基板面的距離分別固定，該靶以因濺鍍而受到濺蝕之 部位變厚之方4 万式於支持板面側具備厚度發生變化的凹凸形 狀，支持板與具有凹凸形狀之乾間之把的薄壁部分具備由 導電性材料所構成之間隔件； 本發明又提供： 2)如上述1)之乾支持板組裝體，纟中於輕之長度方向 兩側底部’自距離受到最終濺蝕之靶的濺蝕面0.5 mm以 卜""fit, 向靶之長度方向兩側的邊部及靶之底部，於與 3下面即支持板之接合面之間具備凹痕部； .、 )上述丨）或2)之靶支持板組裝體，其中，靶為2以 上之分割靶； 4)如上述 Π $ h / )至3)中任一項之靶支持板組裝體，其中以 201126004 焊料分別接合靶、支持板、間隔件β 本發明又提供： 5) 如上述1)至4)中任一 ^ & Α ^ k 之靶支持板組裝體，其中， 救鍍耙為銦、錫、鋁、銅、组 或該等之合金或氧化物； 錦#釘 '嫣、姥， 6) 如上述1)至5)中任一 A . h 之乾支持板組裝體，其中間 隔件為m纟目或以 ，、Τ「Ί , L x 寺為主成分之合金； 7) 如上述1)至6)中任一項夕^ ^ m Λ{. ^ 項之靶支持板組裝體，其中最 厚4位之靶的厚度、與薄部位 、 固定； 心乾及間隔件的合計厚度為 本發明又提供： 8) 如上述1)至7)中任一 相料μ ’任項之靶支持板組裝體，其中， 相對於靶之長度方向中 、線，靶為不對稱； 9) 如上述1)至8)中任一 持板之厚度固定的平板狀板；Μ持板組裝體，其為支 僅支I:之上長述二至8)中卜^ 厚卢之邊二 兩端部的厚度較其他厚度薄，且於 厗度之邊界具有段差。 :發明之乾支持板組裝體具有以下優異之效果：可延 之=之哥命，並且在橫跨濺鑛初期及濺鑛過程中可使膜 之均句性(膜厚之均-性)良好，且粒子發生較少。、 進而具有以下效果：即便存在 化之賤姓差異，亦可對 種類所致之變 用效率乾。 了對應固有之乾減钱而容易地製造高使 8 201126004 【實施方式】 本發明係磁控錢链用把支持板組裝體，把可應用矩 形、圓形、橢圓形等各種靶，形狀並無特別限定。磁控濺 鍍中，為了提高濺鍍效率，而配置有配置於靶背面之磁體， 依磁體之配置或磁力線之強度而產生受到強烈濺蝕之部分 及未受到濺触之部分。 雖然其依賴於濺鍍裝置，但靶支持板組裝體必須具有 可與其相對應、可穩定㈣鍵、能更均句地獲得膜之均句 性之構造。 但是’作為基本構造，需 背面之磁體之距離及靶之濺蝕 距離分別加以固定。 另一方面，如上所述，雖 及未梵到減钮之部分，但受到 哥命。 要將之濺蝕面與配置於靶 面與和乾相對向之基板面的 會產生受到強烈濺蝕之部分 強烈濺蝕之部位決定著靶之 疋此種情況下，亦要求必須不斷提高靶整體之 用政率。+ 之部位。、曰 前之濺鍍靶增加靶之受到強烈濺蝕 因1牲/旦是’此種情形下由於_基板間之距離不固定， 因:'是在濺錢初期存在膜之均句性不穩定之問題。 厚之方1匕’本案發明中，靶以因濺鍍而受到濺蝕之部位變 B夺，較^ ;支持板面側形成厚度發生變化之凹凸形狀。此 壁部分導要的疋於支持板與具有凹凸形狀之乾間之乾薄 入由導電性材料所構成的間隔件。間隔件之材 201126004 質’若使用與支持板同種者，則密合性上不會有特別問題， 又’冷卻效率亦為同等，因此可說是較佳之材料。 先前，於靶之下面存在凹凸之情形時，使支持板之上 側之面形成與其相對應之凹凸（倒凹凸）。但是，此種情況存

在支持板之製作變得非常複雜之問題。但本案發明中，Z 於僅導入間隔件，因此具有可完全消除支持板製作上之 雜性的較大效果。 $ 乍看似乎是支持板之變形，但先前不存在此種構造之 靶支持板組裝體。其原因認為是體認到乾與支持板必須為 -體。然而，本案發明根據大量之實驗，藉由導入間隔件 而可解決上述問顯。5 ，士政ηα ^ 又本發明之靶以因濺鍍而受到濺蝕 之部位變厚之方# Μ ± Ζ ^ 支持板面側形成厚度發生變化之凹凸 形狀，由於濺鍍初期之濺 凸 X· »又® 7兩十面形狀，因 濺鍍初期至中期，膜 獲付自 膜之均勻性較為均一之效果。 又’自中期至末期，與於璐 可獲得膜之均勻性之亞… > 成凹凸者相比，亦 性之心、化較緩慢的結 靶於自機鍍初期之階段 本案發明 成凹凸者相比，膜之妁6 月為止，與於靶之濺蝕面形 膜之均勻性特別良好。 又，本發明較理想的是. 之長度方向之兩側底部，離成支持板組裝體中，於乾 面0.5 mm以上之办思 離文到最終濺蝕之靶的濺蝕 上之位置，向靶之長 部’於與靶之下矣 穴度方向之兩側邊部及靶底 其在製作乾支持板組二=合面間’形成凹痕部。 接於支持被上之操作 面’會產生將輕载置、焊 谷易之效果。結果，靶支持板組

S 201126004 裝體採用該構造，藉此难鑛成膜不會成為障礙。 該乾支持板組裝體亦可使乾成為2以 此可製作長條之乾支持板組裝體。又，有容易藉二： ,. 、板、間隔件之優點，本案發明係提供該靶 支持板組裝體者。作為焊料，並盔 靶 低熔點之焊錫材料。 ’可使用銦等 於本發明之靶支持板組裝體中’濺鍍靶可適合使用 銦、錫、銘、銅、紐、叙、嫂 之人、 了、鎢、铑、或該等 ==化物等。特別是適合製作IT〇(銦與錫之 專顯不材料用乾。又，間隔件若為導電性材料1可應用， 特別理想的是銅、紹、鈦、n該等之ϋ。 又，該間隔件亦可:如上所述般使用與支持板同質 =了為了增加間隔件與乾或支持板之密合性或冷卻效 等亦二進：鑛敷或離子電鑛等基底處理。本案發明包含 該4。間隔件亦具有防止乾材於支持板上傾斜之功能。 乾支持板組裝體可使最厚部位之乾厚度與較薄部位之 乾及間隔件的合計厚度相同。 :原因係可準備尺寸不同的多個較薄之 :::調：…本發明可容易地製作相對於…邊方 因二：二為不對稱…持板組裝體。其原因亦同， 因為可準備尺寸不同的多個間隔件，藉此進行 其為本案發明之較大特徵。 〜° μf 士匕其較大之優點為可應用於支持板之厚度固定的平 板狀板，無須嘗試改變支持板之形狀。χ，當然亦可使用 201126004 僅支持板之長度方向之兩端邻厘 m且古雨W厚度較其他厚度薄、於厚度 之邊界具有段差之程度的單紬 早义支持板。本案發明包括該等。 於製造本發明之濺蝕輪廓. 栝°亥# 糨郿靶（Er0S10n pr〇filed ta 時’可預先濺錢平板狀之知，， ^ 靶调查此時之濺蝕形狀及深度， 據此調節靶之厚度。 藉此，即便存在因乾材料之種類所致之變化Hi差 異’亦可對應固有之_而容易地製造高使用效率乾。 本發明之乾支持板組裝體具有製作極為容易，並且可 延長㈣之壽命的優點。又具有以下效果：使得在橫跨滅 鑛初期及雜過程中膜之均句性（膜厚之均—性）良好，又粒 子發生較少。it而具有以下較大之效果：即便存在因靶材 料之種類所致之變化之㈣差異，亦可對應固有之謙 而容易地製造高使用效率乾。 實施例 繼而，基於實施例說明本發明。再者，以下實施例係 為使發明谷易理解而採用者，本發明並不限定於該等實施 例。即，基於本發明之技術思想之其他例或變形當然包括 在本發明中。 (實施例1) 使用圖1所示之銅製支持板與靶，靶係使用IT〇(銦錫 氧化物）。圖1係表示靶支持板組裝體之平面圖（一部分）、C —C剖面圖、A — Α剖面圖、Β _ Β剖面圖。如圖1所示般， 實施例1之靶支持板組裝體之支持板於平面上為矩形（長方 形），靶之長度方向之兩端部為橢圓形。此時，使用分割起。

S 12 201126004 該分割乾之長度方向之 上為左右不 對稱。 |抵。卩於長度方向 支持板係使用使長度方向之兩側薄為 有段差5.0 mm之支持板。於誃 ·，， · mm者、即具 放入銅製之厚4.5 mm及原^又^、即支持板之較薄側 入序）〇 mm之間陆Α # 分別接合靶、間隔件、古 ’糟由銦焊锡 又得板。於靶之堉命π 應其厚度（薄度），而於_支 厚度不同時，相對 件。 、$插入適合厚度之間隔 使用該ITO(銦锡氧化物 於雜功率為10_至1600 kwh仃磁控濺鍍。賤鑛條件係 用前重量為18.%，使^下進行賤鑛。乾1片之使 g使用後之重量為u 2 用效率為40%，盥下诚m β ^ g ，、尨果，使 一述所不之比較例相比為高效率。將| 仆r 效辜不會因乾材料之種類而發生較大變 ’因此以下使用相同的1丁〇靶進行試驗。 為了觀察濺鍍特性，而調杳 果示於表2。若將表2之資# 速度之變動。將其結 ^ 表2之貝科不於圖中，則如圖2所示。以 、使用開始時設為100時之相對比表示，於累計功率量為 1600 kWHr下亦維持95。 难㈣性係調查電弧產生次數。將其結果示於表 3。若將表3之資料示於圖中，則如圖3所示。於使用開始 ^為〇’隨著持續軸*有逐漸增加之傾向，但可獲得下述 結果·於累計功率量為觸kWHr下亦為87次左右、且電 弧產生次數較低。 進而，調查步驟之損失率。該步驟損失率係因例如於 13 201126004 ITO濺鍍中所產生之大小為20 # m以上之ITO粒子而引起 的LCD面板之不良率。將其結果示於表4。又，若將表4 之資料示於圖中，則如圖4所示。根據該結果明顯可獲得 下述結果：於累計功率量為1600 kWHr下亦為0.28左右、 且步驟損失率較低。 根據以上結果，與後述比較例相比，可獲得任一情形 下均優異之結果。 [表1] 實施例及比較例之使用效率 使用前重量(kg) 使用後重量(kg) 使用重量(kg) 使用效率(％) 實施例1 18.8 11.2 7.6 40% 比較例1 25.2 17.7 7.5 30% 比較例2 23.0 15.6 7.4 32% 比較例3 23.0 15.5 7.5 33% 實施例2 18.8 11.3 7.5 40% 比較例4 37.3 29.8 7.5 20% 比較例5 34.5 27.0 7.5 22% 比較例6 34.5 26.9 7.6 22% [表2] 實施例及比較例之濺鍍特性 a.成膜速度之變動（將/ ί吏用開始時設為 1 00時之相對比） 累計功率量(kWHr) 0 400 800 1200 1600 實施例1 100 99 98 97 95 比較例1 100 99 97 95 93 比較例2 100 97 93 90 85 比較例3 100 97 94 90 86 實施例2 100 99 96 95 94 比較例4 100 98 96 94 93 比較例5 100 97 93 88 83 比較例6 100 96 93 89 84 14 201126004 [表3] 生次數 量(kWHr)

[表4]

(比較例1) 使用圖5所示之銅製支持板與乾，與實施例】同樣， 乾係使用ΙΤ〇(銦錫氧化物）。圖5係表示乾支持板組裝體之 平面圖（一部分）、C—C剖面圖、a— a判；® η Α刮面圖、Β — Β剖面 圖。如該圖5所示，比較例1之乾支梓拓 %叉符扳組裝體之支持板 於平面上為矩形（長方形），靶之長度方向 . 又乃向之兩端部為橢圓 形。此時，使用分割靶。支持板係使用使 仅度方向之兩側 溥為5.0 mm左右者、即具有段差5.0 mm之支持板 與該段差部相對應，即於支持板之較薄如# 寸叫炅用厚5 mm 15 201126004 兩^之乾厚度為115 mm，存在於中央之乾厚度為 m以該等乾為同一平面之方式配置分割靶。並且， 藉由銦焊錫將該等與支持板直接接合。兩端部之分割把以 外係厚6.5 mm之乾。 使用4 ITO(銦錫氧化物）靶支持板組裝體進行磁控濺 鑛賤鑛條件係於濺鍍功率為1〇請至i6〇〇kwh下進 鍍。 靶1片之使用前重量為25·2 kg，使用後之重量為17 7 g其、。果，使用效率為30〇/〇，效率低於上述實施例1。同 樣將其結果示於表1。 ▲為了觀察濺鍵特性，與實施例i同樣，調查成膜速度 之I動。將其結果示於纟2及圖2。以將使用開始時設為 100時之相對比表示，於累計功率量為1_ kWHr下為, 與實施例"目比稍降低。又，濺鍍特性係調查電弧產生次 數。將其結果示於表3及圖^使用開 ⑽而有逐漸增加之傾向，於累計功率量為議 為9〇次’電弧產生次數與實施你"相比稍增加。 進而’調查步驟之損失率。將其結果示於表4及圖〇 其、”。果’於累計功率量為16〇〇 kWHr下為m，步驟損失 率稍變高。根據以上結果明顯可獲得下述結果：與實施例丄 相比，任一情形下均較差。 (比較例2) 使用圖6所示之銅製支持板與把，與實施例i同樣， 靶係使用ITO(銦錫氧化物圖6係表示靶支持板組裝體之

S 16 201126004 平面圖(-部分)、C-C剖面圖、A—A剖面圖、b—b剖面 圖。如該圖6所示，比較例2之知古姓Α # π敉扒2怎祀支持板組裝體之支持板 於平面上為矩形（長方形），把之長度方向之兩端部為㈣ 形。此時使用分割^支持板係使用使長度方向之兩側薄 為5.0 mm者、即具有段差5 mm之支持板。 與該段差部相對應，即於支持板較薄之側使用厚5麵 之靶。對於兩邊部之耙，與其他鄰接之靶存在高低差，於 最高部為11.5 _，並配置具有傾斜至與鄰接之^賴把 相同高度之上面之分㈣’ #由銦焊錫將該等與支持板直 接接合。 使用ITO(鋼錫氧化物）乾支持板組裝體進行磁控滅 鑛。濺鍵條件係於賤鍍功率為10kwiL 16()()kwh下進㈣ 鍍。 靶1片之使用前重量為23 0 kg，使用後之重量為15 6 kg其釔果’使用效率為32% ’效率低於上述實施例1。同 樣將其結果示於表1。' 為了觀察濺鑛特性，與實施例1同樣，調查成膜速度 之變動。將其結果示於纟2及圖2。以將使用開始時設為 100時之相對比表不’於累計功率量為^繼kWHr下為85， 與實施例1相比明顯降低。 又，賤鑛特性係調查電弧產生次數。將其結果示於表3 及圖3使用開始時為〇，隨著持續減鑛而有逐漸增加之傾 向於累片功率量為16〇〇 kWHr下為⑷：欠電派產生次 數與實施例1相比明顯增加。 17 201126004 進而，調查步驟之損失率。將其結果示於表4及圖4。 其結果，於累計功率量為1600 kWHr下為〇 63，步驟損失 率明顯升高。 根據以上結果明顯可獲得下述結果：與實施例㈠目比， 任一情形下均明顯較差。 (比較例3) 使用圖7所示之銅製支持板與乾，與實施例i同樣， 把係使用⑽(銦錫氧化物）。圖7係表示乾支持板組裝體之 平面圖（一部分）、C—C剖面圖、A—Α剖面圖、β—Β剖面 圖。如圖7所示，比較例3之乾支持板組裝體之支持板於 平面上為矩形(長方形)，靶之長度方向之兩端部為橢圓形。 此時，使用分㈣。支持板係使用使長度方向之兩側薄為 5.0 mm者、即具有段差5 〇 mm之支持板。 與該段差部相對應’即於支持板之較薄側使用厚5.0 麵之靶。對於兩邊部之靶’與其他鄰接之靶存在高低差， 於最高料U.5酿，並配置具有傾斜至與鄰接之Η咖 靶相同咼度之上面之分割靶，藉由銦焊錫將該等與支持板 直接接合。 此時’兩邊部之乾超過段差，如圖7所示，使其延伸 至中央部之靶。即，使其具有與厚度較薄之中央部的厚度 相同厚度之水平部分。 使用該ITO(銦錫氧化物）挺支持板組裝體進行磁控減 鑛。濺錄條件係於濺鍍功率為10請至160()kwh下進行減 鍍。

S 18 201126004 靶1片之使用前重量為23 〇 kg，使用後之重量為15 5 kg。其結果’使用效率為3 3 %，效率低於上述實施例1。同 樣，將其結果示於表i。 為了觀察濺鍍特性，與實施例丨同樣，調查成膜速度 之變動。將其結果示於表2及圖2。以將使用開始時設為 100時之相對比表示，於累計功率量為16〇〇kWHr下為86, 與實施例1相比明顯降低。 又，濺鍍特性係調查電弧產生次數。將其結果示於表3 及圖3。使用開始時為〇，隨著持續濺鍍而有逐漸增加之傾 向，於累計功率量為16〇〇 kWHr下為139次電弧產生次 數與實施例1相比明顯增加。 ，·薩而，凋查步驟之損失率。將其結果示於表4及圖4。 其結果’於累計功率量為16〇〇 kWHr下為〇59，步驟損失 率明顯升高。 根據以上結果明顯可獲得下述結果：與實施例1相比， 任一情形下均明顯較差。 (實施例2) 一使用圖8所不之銅製支持板與靶，靶係使用IT〇(銦錫 氧化物）。圖8係表示靶支持板組裝體之平面圖（一部分）、C C 面圖' a 一 Α剖面圖、Β _ Β剖面圖。如該圖8所示， 實施例2之乾支持板組裝體之支持板於平面上為矩形（長方 形），粗之長度方向之兩端部為橢圓形。此時，使用分割纪。 該分割乾之長度方向兩側部的底部與實施例丄同樣，於長 度方向為（凹凸形狀）左去不對稱。支持板係使用整面平坦之 19 201126004 支持板。 並且，長度方向兩側之乾係使用於支持板側具備* $ _及1.0 _之凹痕部的乾。並且，於該挺之凹痕部分別 放入銅製厚4·5_與厚5.〇mm之間隔件，藉由銦谭錫分 別接合乾、間隔件、支持板。無之厚度不同時，相對康其 厚度(薄度而於靶與支持板間插入適合厚度之間隔件：、 使用該ITO(銦錫氧化物）輕進行磁控賤鑛。滅鑛條件 於韻功率為lGkW_£ 16〇()kWh下進行濺鑛i片之、 用前重量為18.8kg，使用後之重量為ll 3kg。其結果使 用效率為概，效率高於比較例。將其結果示於表卜 為了觀察濺錄特性，同樣調查成膜速度之變動。將其 結果示於表2及圖2。以將使用開始時設為100時之相對比 表示，於累計功率量為16G()kWHr下亦維持9心 又，濺鍍特性係調查電弧產生次數。將其結果示於表3 及圖3。使用開始時為Q，隨著持續濺鍵而有逐漸增加之傾 向’並可獲得於累計功率量為16〇〇kWHr下亦為Μ次電 弧產生次數較低之結果。 進而’調查步驟之損失率。將其結果示於表4及圖卜 根據該結果明顯可獲得下述結果：於累計功率量為剩 刚Γ下亦為〇.3〇左右、步驟損失率較低。根據以上結果可 獲得與比較例相比’任一情形下均優異之結果。特別是於 靶之初期濺蝕面存在高低差者’不良率較高之傾向較強。 (比較例4) 使用圖9所示之銅製支持板與乾，與實施例2同樣， 20 1 201126004 靶係使用ITO(銦錫氧化物）。圖9係表示靶支持板組裝體之 平面圖（一部分）、C—C剖面圖、a— A剖面圖、B—B剖面 圖。如該圖9所示，比較例4之靶支持板組裝體之支持板 於平面上為矩形（長方形）’靶之長度方向之兩端部為橢圓 形。此時，使用分割乾。支持板係使用整面平坦之支持板。 並且’乾全部使用厚U.5 mm之靶。並且，藉由銦焊 錫分別將靶與支持板接合。 使用該ITO(銦錫氧化物）靶支持板組裝體進行磁控濺 鍍。濺鍍條件係於濺鍍功率10]^〜至16〇〇kwh下進行濺鍍。 乾1片之使用前重量為37_3 kg，使用後之重量為29 8 kg。其結果，使用效率為2〇。/0，效率低於上述實施例2。同 樣將其結果示於表1。 為了觀察濺鍍特性，與實施例2同樣，調查成膜速度 之變動。將其結果示於表2及圖2。以將使用開始時設為 1 〇〇時之相對比表示’於累計功率量為1 600 kWHr下為93， 與實施例2相比稍降低。 又’濺鍍特性係調查電弧產生次數。將其結果示於表3 及圖3。使用開始時為〇 ,隨著持續濺鍍而有逐漸增加之傾 向，於累計功率量為16〇〇kWHr下為93次，電弧產生次數 與實施例2相比稍增加。 進而’調查步驟之損失率。將其結果示於表4及圖4。 其結果’於累計功率量為16〇〇 kwHr下為〇 35，步驟損失 率升高。 根據以上結果明顯可獲得下述結果：與實施例2相比， ) 21 201126004 任一情形下均稍差。 (比較例5 ) 使用圖1 0所示之銅製支持板與乾，與實施例2同樣， 把係使用ITO(銦錫氧化物）。圖1〇係表示靶支持板組袭體 之平面圖（一部分）、C — C剖面圖、A — A剖面圖、B — B剖 面圖。如該圖1 〇所示，比較例5之乾支持板組裝體之支持 板於平面上為矩形（長方形），靶之長度方向之兩端部為橢圓 形。此時，使用分割靶。支持板係使用整面平坦之支持板。 並且，對於兩邊部之靶，與中央部之其他鄰接之乾存 在兩低差，於最高部為11.5 mm，並配置具有傾斜至與1〇 5 mm靶相同高度之上面之分割靶，藉由銦焊錫將該等與支持 板直接接合。 使用該ITO(銦錫氧化物）靶支持板組裝體進行磁控濺 鍍。濺鍍條件係於濺鍍功率為丨〇 kW至丨6〇〇 kWh下進行濺 鍍。 靶1片之使用前重量為34.5 kg :使用後之重量為27 〇 kg。其結果，使用效率為22%,效率低於上述實施例2。同 樣將其結果示於表1。 為了觀察濺鍍特性，與實施例2同樣，調查成膜速度 之變動。將其結果示於纟2及圖以將使用開始時設為 100時之相對比表示，於累計功率量為1600 kWHr下為83, 與實施例2相比明顯降低。 又’濺鐘特性係調查電弧產生次數。H结果示於表3 及圖3。使用開始時為G ’隨著持續⑽而有逐漸増加之傾

22 S 201126004 電弧產生次 向，於累計功率量為1600 kWHr下為155次 數與實施例2相比明顯增加。 …調查步驟之損失率。將其結果示於表4及圖4。 其結果’於累計功率量為議kWHr下為〇6 率明顯升高。 少哪鋼夭 根據以上結果明顯可獲得下述結果：與實施例2相比’ 任一情形下均明顯較差。 (比較例6) /吏用圖11所示之銅製支持板與乾，與實施例2同樣， 靶係使用ITO(銦錫氧化物)。w u係表示靶支持板組裝體 平面圖（邛分）、C _ C剖面圖、A _ A剖面圖U叫 面圖。如該圖U所示，比較例6之乾支持板組裝體之支： 板於平面上為矩形(長方形)’靶之長度方向之兩端部為橢圓 形此時使用分割乾。支持板係使用整面平坦之支持板。 a對於兩邊部之靶，與其他鄰接之靶存在高低差，於最 高部為11.5咖，並配置具有傾斜至與中央部之鄰接的1〇 5 職厚之絶相同高度之上面的分割乾，藉由銦焊錫將該等與 支持板直接接合。 此時，兩邊部之靶超過段差，如圖u所示，使其延伸 至中央部之靶。即’使其具有與厚度較薄的中央部之厚度 相同厚度之水平部分。 义 使用該ITO(銦錫氧化物）靶支持板組裝體進行磁控濺 鍍。濺鍍條件係於濺鍍功率為10kw至1600 kwh下進行濺 23 201126004 靶1片之使用前重量為34 5 kg，使用後之重量為26 9 kg。其結果，使用效率為22%，效率低於上述實施例2。同 樣將其結果示於表1。 為了觀察濺鍍特性，與實施例2同樣，調查成膜速度 之變動。將其結果示於| 2及圖2。以將使用開始時設為 100時之相對比表不，於累計功率量為16〇〇 kwHr下為84， 與實施例2相比明顯降低。 又’錢鑛特性係f周纟I弧產生次數。冑《結果示於表3 及圖3。使用開始時為〇，隨著持續濺鍛而有逐漸增加之傾 向’於累計功率量為16〇〇 kWHr下為148:欠電弧產生次 數與實施例2相比明顯增加。 進而’調查步驟之損失率。將其結果示於表4及圖4。 其結果，於累計功率量為16〇〇 kWHr下為〇 “ 率明顯升高。 哪谓天 很據以上結果明顯可獲得 ，、 穴貝他例2相tl =形下均明顯較差。特別是於無之初期㈣面存在 -差者，不良率較高之傾向較強。 [產業上之可利用性] 本發明之支持板組裝體有以 之壽命，並且 卜政果·可延長該 過程中膜之均厚之均 即便存在因靶材料之種類而變化之濺蝕差昱 亦可容易地製造對應固有之乾㈣之乾 ：差異 作能用於各種材料之把支持板組裝體。 可有效地 24 201126004 【圖式簡單說明】 圖1係實施例1之靶支持板組裝體之平面圖（一部分）、 C — C剖面圖、A — A剖面圖、B — B剖面圖。 圖2係表示實施例及比較例之成膜速度之變動結果圖。 圖3係表示實施例及比較例之電弧產生次數結果圖。 圖4係表示實施例及比較例之步驟損失率結果圖。 圖5係比較例1之靶支持板組裝體之平面圖（一部分）、 C—C剖面圖、A—A剖面圖、B—B剖面圖。 圖6係比較例2之靶支持板組裝體之平面圖（一部分）、 C—C剖面圖、A—A剖面圖、B—B剖面圖。 圖7係比較例3之靶支持板組裝體之平面圖（一部分）、 C—C剖面圖、A—A剖面圖、B—B剖面圖。 圖8係實施例2之靶支持板組裝體之平面圖（一部分）、 C — C剖面圖、A — A剖面圖、B — B剖面圖。 圖9係比較例4之靶支持板組裝體之平面圖（一部分）、 C—C剖面圖、A—A剖面圖、B—B剖面圖。 圖1 0係比較例5之靶支持板組裝體之平面圖（一部 分）、C — C剖面圖、A — A剖面圖、B — B剖面圖。 圖1 1係比較例6之靶支持板組裝體之平面圖（一部 1 分）、C—C剖面圖、A—A剖面圖、B—B剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 靶 2 長度方向兩端部附近有段差之支持板 25 201126004 3 分割靶之分割部 4 段差 5 形成於乾之錢触面之傾斜面 6 平板狀支持板 26

Claims (1)

1. 201126004 七、申清專利範圍： 1·一種靶支持板組裝體，其係磁控濺鍍用靶支持板組裝 體，其特徵在於： —…'V、> β W〜^T /八〜〜既挪 面與和乾對向之基板面的距離分別固定， 該乾以因濺鍍而受到濺蝕的部位變厚之方式於支持板 面側具備厚度發生變化的凹凸形狀，於支持板與具有凹凸 形狀之靶間的靶之薄壁部分具備由導電性材料所構成之間 隔件。 2.如申請專利範圍第1項之靶支持板組裝體，其中，於 靶之長度方向的兩側底部，自距離受到最終濺蝕之靶濺蝕 面以上的位置，向乾之長度方向之兩側邊部絲之 底部，於與靶之下面即支持板之接合面之間具備凹痕部。 中 體 體 釕 體 二:申範圍第…項之乾支持板組褒體，其 犯马2以上之分割靶。 4·如申請專利範圍第i至 其中，以焊料分別接^ 士項之乾支持板組裝 專利範：二項::板項間隔件。 其中，—錫J銅:之:支持板組裝 鎢、鍺、或該等之合金或氧化物。 鎳、鈷、 6_如申請專利範圍第…項令 其中，間隔件為鋼、 之靶支持板組裝 合金。 m以該等為主成分之 7.如申請專利範圍第…項中 之乾支持板組裝 27 201126004 體’其中，最展 ° 乾厚度、與薄部位之π 合計厚度為固定。 之乾及間隔件之 8. 如申請專利範圍第丨至？ 體 直中，相項之乾支持板組裝 ”中相對於乾之長度之中心線，_不 體 9. 如申請專利範圍第i至8項中任 豆係IM 項之靶支持板組裝 糸支持板之厚度固定的平板狀之板。 10. 如申請專利範圍第丨至8 裝體，其中，僅支持板之長度方—項之乾支持板組 厚度薄，厚度之邊界具有段差/之㈣部的厚度較其他 八、圖式： (如次頁） 28 S