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TW201111906A - Pellicle frame and lithographic pellicle - Google Patents

Pellicle frame and lithographic pellicle Download PDF

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TW201111906A
TW201111906A TW099120412A TW99120412A TW201111906A TW 201111906 A TW201111906 A TW 201111906A TW 099120412 A TW099120412 A TW 099120412A TW 99120412 A TW99120412 A TW 99120412A TW 201111906 A TW201111906 A TW 201111906A
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TW
Taiwan
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protective film
frame
film frame
flatness
mask
Prior art date
Application number
TW099120412A
Other languages
English (en)
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TWI476510B (zh
Inventor
Toru Shirasaki
David Mushell
Kishore Chakravorty
Grace Ng
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Chemical Co, Intel Corp filed Critical Shinetsu Chemical Co
Publication of TW201111906A publication Critical patent/TW201111906A/zh
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Publication of TWI476510B publication Critical patent/TWI476510B/zh

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
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    • H10P76/2041

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Description

201111906 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於製造LSI、超級LSI等之半導體裝置或液 晶顯示面板時的用作爲微影用遮罩的灰塵遮擋使用之微影 用防護膠膜(pellicle)及防護膠膜框架(pellicle trame)。 【先前技術】 在LSI、超級LSI等之半導體製造或液晶顯示面板等的 製造中,係將光照射於半導體晶圓或液晶用原板上來製作 圖案,但若此時所使用之曝光原版上附著有灰塵,該灰塵 會吸收光線或使光線偏轉,而造成轉印之圖案發生變形或 邊緣變粗糙,除此之外,還會使得基底被污染變黑,而有 損害到尺寸、品質、外觀等的問題。又,在本發明中,「曝 光原版」係指微影用遮罩(亦簡稱爲「遮罩」)及光罩(reticle) 的總稱。以遮罩爲例說明如下。 此等作業通常是在無塵室中進行,但即使在無塵室 內,要經常保持曝光原版的清潔仍相當困難,所以,採用 於曝光原版表面貼合能使曝光用光線良好地通過的灰塵遮 擋用之防護膠膜的方法。 防護膠膜之基本構成,係由防護膠膜框架及張貼於此 防護膠膜框架上之防護膠膜所構成。防護膠膜係由能使曝 光用之光線(g光、i光、24 8nm、193nm等)良好地穿透之硝 化纖維素、醋酸纖維素、氟系聚合物等所構成。於防護膠 膜框架之上邊部塗布防護膠膜之易溶溶劑,然後將防護膠 膜風乾而予以黏著、或是以丙烯酸樹脂、環氧樹脂或氟樹 -4- 201111906 脂等的黏著劑予以黏著。又,爲了於防護膠膜框架之下邊 部裝設曝光原版,設置由聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、 丙烯酸樹脂及矽樹脂等構成之黏著層、及用以保護黏著層 之目的的光罩黏著劑保護用襯片。 防護膠膜係設置成圍繞曝光原版表面所形成之圖案區 域。防護膠膜係爲了防止灰塵附著於曝光原版上而設置 者,所以,此圖案區域與防護膠膜外部係被隔離成不會讓 防護膠膜外部之灰塵附著於圖案面。 近年來,隨著LSI之設計規則朝著0.25次微米級的微 細化發展的進程,曝光光源亦逐漸趨向於短波長化,亦即, 從迄今爲止作爲主流之水銀燈的 g光(436nm)、i光 (3 65nm),漸漸地轉移至KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分 子雷射(193nm)等。隨著微細化之進程,對遮罩及矽晶圓所 要求之平坦性,亦變得越來越嚴格。 防護膠膜係在遮罩完成後,爲了防止圖案上附著灰塵 而被貼合於遮罩上。當將防護膠膜貼合於遮罩上時,會有 遮罩之平坦度發生變化的情況。當遮罩之平坦度變差時, 如上述,可能會產生焦點偏離等的問題。另外,當平坦度 改變時,描繪於遮罩上之圖案形狀亦會發生改變,還會帶 來在遮罩之重疊精度上出現問題的障礙。 因貼合防護膠膜所引起之遮罩平坦度改變的主要因素 有好幾個,但已瞭解到其中最大之因素在於防護膠膜框架 的平坦度。 爲了防止防護膠膜框架的變形所引起之遮罩的變形, 201111906 日本特開2009-25562號公報中揭示如下方法:將 框架桿的剖面積設爲6mm2以下,或者於防護膠膜 楊氏係數爲50GPa以下的材料。 作爲防護膠膜框架而言,其剖面形狀多爲長 在曰本特開平9-68793號公報中揭示一種防護膠 其中防護膠膜框架之剖面,具有內周面之上端側 還朝內側突出的形狀。 (專利文獻) 【發明內容】 (發明所欲解決之課題) 近年來,對遮罩所要求之平坦性,也從在圖 坦度之要求漸漸地變得越來越嚴格,出現二 節點之後爲0.5/zm以下、更佳爲〇.25;/m的要求 —般,防護膠膜框架之平坦度爲20〜80 y m 將使用此種平坦度差之防護膠膜框架的防護膠膜 罩上時,框架之形狀會被轉印至遮罩上,而會發 變形。於貼合時,防護膠膜係以約200〜400N(20 -的大力被壓貼於遮罩上。因遮罩表面之平坦度比 框架還平坦,故當結束將防護膠膜壓貼於遮罩時 膠膜框架欲返回原來之形狀,所以,防護膠膜框 遮罩發生變形。 當遮罩發生了變形時,會有遮罩之平坦度 況,此情況下,會在曝光裝置內產生散焦的問題 面,雖亦有遮罩變形反而使得平坦度變良好之情 防護膠膜 框架使用 方形,而 膜框架, 比下端側 案面爲平 Γ 在 6 5 n m ο 左右,當 貼合於遮 生遮罩的 - 40kg 重) 防護膠膜 ,因防護 架會使得 變差的情 。另·一方 況,但即 201111906 使在此情況下,形成於遮罩表面之圖案亦會發生歪曲,其 結果會產生曝光時轉印於晶圓上之圖像亦變得歪曲的問 題。此圖案之歪曲,在遮罩之平坦度變差的情況下亦會發 生,所以,結果在因貼合防護膠膜而使得遮罩變形的情況, 必定會產生圖像亦變形的問題。 本發明所欲解決之課題在於,第一,提供一種防護膠 膜框架,即使在將防護膠膜貼合於曝光原版上,仍可減低 因防護膠膜框架之變形所引起的曝光原版之變形。 本發明所欲解決之課題在於,第二,提供一種微影用 防護膠膜,其具有此種防護膠膜框架。 (解決課題之手段) 本發明之上述課題,係藉由以下之手段(1)及(12)所達 成。並與作爲較佳實施態樣之(2)至(12)—倂列記如下》 U)—種防護膠膜框架,其特徵爲:防護膠膜框架桿之 剖面,係在上邊與下邊平行之基本四邊形的兩側邊具有四 邊形形狀之凹陷部的形狀 (2) 如(1)記載之防護膠膜框架,其中該基本四邊形爲長 方形,該凹陷部當中之至少一個爲具有與該上邊平行之邊 的長方形。 (3) 如(1)記載之防護膠膜框架,其中該基本四邊形爲長 方形,該凹陷部當中之至少一個爲具有與該上邊平行之上 邊的梯形。 (4) 如(1)記載之防護膠膜框架,其中該基本四邊形爲長 方形,該凹陷部當中至少一個爲具有與該上邊垂直之上邊 201111906 的梯形。 (5) 如(1)記載之防護膠膜框架,其中該基本四邊形 形,該凹陷部當中至少一個爲具有與該上邊平行之上邊的 梯形。 (6) 如(1)至(5)中任一項記載之防護膠膜框架,其中該基 本四邊形之面積爲4mm2以上、20mm2以下。 (7) 如(1)至(6)中任一項記載之防護膠膜框架,其中該防 護膠膜框架桿之剖面積爲1mm2以上、6mm2以下。 (8) 如(1)至(7)中任一項記載之防護膠膜框架,其係由楊 氏係數爲1〜80GPa之材料所構成。 (9) 如(1)至(8)中任一項記載之防護膠膜框架,其係由選 自銘合金、鎂合金、及聚碳酸醋樹脂構成之群中的材料所 構成。 (10) 如(1)至(9)中任一項記載之防護膠膜框架,其係由 鋁合金所構成。 (11) 如(1)至(10)中任一項記載之防護膠膜框架,其中防 護膠膜框架之平坦度爲〇/zm以上、20//.m以下。 (12) —種微影用防護膠膜,其特徵爲:藉由防護膠膜 黏著劑將防護膠膜張貼於(1)至(11)中任一項記載之防護膠 膜框架的一端面,且於另一端面設置曝光原版黏著劑。 (發明效果) 根據本發明,提供一種可減低防護膠膜框架之變形引 起的曝光原版之變形的防護膠膜框架及微影用防護膠膜。 【實施方式】 201111906 如第1圖所示,由於本發明之微影用防護膠膜10,係 藉由防護膠膜貼合用黏著層2而將防護膠膜1張貼於防護 膠膜框架3的上端面者,故此時,用以使微影用防護膠膜 10黏著於曝光原版(遮罩或光罩)5之黏著用黏著層4,通常 形成於防護膠膜框架3的下端面,且在該黏著用黏著層4 之下端面,可剝離地黏貼有襯片(未圖示)。另外,於防護 膠膜框架3設置未圖示之氣壓調整用孔(通氣口),另外, 爲了除去微粒,亦可於此通氣口設置除塵用過濾器(未圖 示)。 亦可於防護膠膜框架設置夾具孔。該夾具孔之深度方 向的形狀,不需指定,只要不貫穿即可,亦可爲於圓柱前 端具有錐形的凹部。 設置氣壓調整用孔之部位的剖面形狀,係以貼合氣壓 調整用過濾器之外側面爲平面爲宜,亦可於內側具有凹陷 部。另外,設置夾具孔之部位的剖面形狀,係以不具有凹 陷部之基本四邊形爲宜,又以矩形爲較佳。 如第2圖所示,本發明之防護膠膜框架3,其特徵爲: 防護膠膜框架桿之剖面,係在上邊12及下邊14平行的基 本四邊形(以下,亦稱爲「基本四邊形」。由四邊12,17,14,19 所構成。)的對向之兩側邊17及19具有四邊形形狀之凹陷 部18的形狀。換言之,具有藉由中間部16來連接包括上 邊12之上邊部13及包括下邊14之下邊部15而得的形狀。 如上述,因將防護膠膜貼合於遮罩上而引起的遮罩之 歪曲’主要被認爲是因防護膠膜之防護膠膜框架的歪曲所 201111906 引起。於貼合時,防護膠膜框架發生變形,而該防護膠膜 框架欲返回原狀時之變形應力,會使遮罩發生變形。此變 形應力係依存於構成防護膠膜框架之材料的楊氏係數及其 變形量。根據本發明,藉由將防護膠膜框架之剖面積縮小 爲比基本四邊形還小,可製成變形應力較小的防護膠膜框 架。亦即’防護膠膜框架之上邊係用以張貼防護膠膜,並 且下邊設置黏著劑而黏著於遮罩,所以,上邊及下邊均需 要某種程度的寬度》然而,連接上邊及下邊之中央部係於 兩側面設置凹陷部,而可形成比上下兩邊均窄的寬度。 此種防護膠膜框架桿,係可藉由於剖面爲基本四邊形 之兩側邊設置四邊形形狀之凹陷部來製造。又,如前述, 設置氣壓調整用孔之部位的外側面、及設置夾具孔之部位 的兩側面’亦可不用凹陷部,而以設置既定之貫穿孔或非 貫穿的夾具孔爲宜。 如曰本特開2009-25562號公報所揭示,藉由將剖面積 設爲6mm2以下,即使不改變材質,防護膠膜框架變得更容 易變形。爲了在保持爲基本四邊形的形狀下來減小防護膠 膜框架桿之剖面積,需要使上下兩邊變窄或減低高度。但 是’因上述陳述之理由,上邊及下邊均需要一定的寬度。 另一方面,當過度降低高度時,防護膠膜及遮罩之圖案面 的距離減小,防護膠膜之散焦性能劣化,使得附著於防護 膠膜上之異物移入轉印圖案的危險性增大。另外,若防護 膠膜框架之高度變低時,還會使防護膠膜框架之操縱性變 難等之問題變得更爲顯著。因此,要在保持爲基本四邊形 -10- 201111906 的形狀下來減小剖面積,會伴隨著種種的困難。 然而,根據本發明,藉由從具有剖面爲基本四邊形之 形狀的防護膠膜框架桿,於兩側邊設置四邊形形狀之凹陷 部,可確保上下兩邊之寬度,且可一面確保防護膠膜框架 的高度,一面將防護膠膜框架桿之剖面積縮小爲比基本四 邊形還小。 基本四邊形之形狀,爲上邊與下邊平行。作爲此基本 四邊形,包括含正方形之矩形、梯形、平行四邊形,以矩 形爲較佳。作爲梯形,上邊可比下邊短,亦可比下邊長。 本發明之防護膠膜框架,係以上邊部及下邊部於此等 之全寬具有一定的厚度爲宜。 另外,防護膠膜框架桿之剖面,係於基本四邊形之對 向的兩側邊具有四邊形形狀的凹陷部,僅於基本四邊形之 —側邊具有四邊形形狀的凹陷部,而不包括u字形形狀。 本發明中,防護膠膜框架桿之剖面形狀,係以於縱長 之長方形的對向之兩側邊具有矩形凹陷部爲宜。換言之, 剖面形狀係藉由寬度比上邊及下邊窄之中間部來垂直地連 接上邊部及下邊部的I字形狀爲較佳。 參照第3圖,說明本發明如下: (a)之形狀係該基本四邊形爲長方形,該凹陷部當中之 至少一個爲具有與該上邊平行之邊的長方形防護膠膜框架 的剖面的一例。以該凹陷部雙方爲長方形爲宜。此情況下, 作爲上述I字形狀之一例,係於此等大致中央由具有一定 寬度之中間部16來連接全寬度具有一定厚的上邊部13及 -11- 201111906 下邊部1 5之形狀。 (b) 之形狀與(a)之形狀,係在中間部16爲從上邊及下 邊之中央朝端側方向偏移的形狀之點存在差異。 (c) 之形狀係該基本四邊形爲長方形,該凹陷部當中之 至少一個爲具有與該上邊平行之上邊的梯形的一例。以該 凹陷部雙方均爲梯形爲宜。此情況下,在中間部與上邊部 及下邊部不垂直而具有傾斜之點,與U)及(b)存在差異。 (d) 之形狀係該基本四邊形爲長方形,該凹陷部當中之 至少一個爲具有與該上邊垂直之上邊的梯形的一例。以該 凹陷部雙方均爲具有與該上邊垂直之上邊的梯形爲宜。此 情況下,如(d)所示,爲藉由中間部來連接上邊部及下邊部 之形狀,上邊部及下邊部係隨著靠近中央而變厚。 (e) 之形狀係該基本四邊形爲梯形,該凹陷部當中之至 少一個爲具有與該上邊平行之上邊的梯形的一例》以該凹 陷部雙方均爲具有與該上邊平行之上邊的梯形爲宜。此情 況下,成爲藉由中間部來連接上邊部及下邊部之形狀。在 形成該凹陷部之前或之後,該上邊部及下邊部之側邊,如 第3(e)圖所示,亦能以與上邊及下邊垂直之方式進行加工。 同樣,亦可將防護膠膜框架桿之剖面,設爲以平行四 邊形作爲基本四邊形,於兩側邊具有四邊形形狀之凹陷部 的形狀。 中間部係以寬度一定爲宜,亦可在隨著靠近上邊部或 下邊部寬度變寬。 本發明之防護膠膜框架係根據遮罩之形狀而適宜設計 201111906 者,通常防護膠膜框架之平面形狀爲環狀或矩形、正方形 狀,且具備能覆蓋設於遮罩之電路圖案部的大小及形狀。 矩形(包括正方形)之防護膠膜框架的角部,亦可爲曲面或 藉由1以上之平面進行倒角。 防護膠膜框架之高度係以約1〜10mm爲宜,以約2〜 7mm爲較佳,尤以約3〜6mm爲更佳。防護膠膜框架之上 邊及下邊,係以寬度約2mm爲宜。 另外,以上邊部及下邊部均具有0.1mm以上之厚度爲 宜,以0.3〜0.8mm爲較佳。 本發明之防護膠膜框架的基本四邊形之面積爲20mm2 以下,以4〜20mm2爲宜。 該防護膠膜框架桿之剖面積,係以6mm2以下爲宜。另 外’以1〜6mm2爲宜。像本發明這樣,藉由減小防護膠膜 框架之中間部的寬度,可容易地達成此小的剖面積。如此, 藉由減小剖面積,可減小變形應力,其結果,還可減小遮 罩之變形。 作爲構成防護膠膜框架之材質,以使用楊氏係數爲1 〜80GPa之材料爲宜,以例示鋁、鎂合金、合成樹脂等爲 較佳,以使用鋁、鎂合金或合成樹脂等爲宜,以使用鋁、 鎂合金或聚碳酸酯樹脂更爲適宜,又較佳使用以鋁。 鋁可使用習知使用之鋁合金材料,又以使用JIS A7 07 5、JISA606 1、;TISA5 052材料等爲宜,只要具有上述之 剖面形狀’且能確保作爲防護膠膜框架之強度,並沒有特 別的限制。 -13- 201111906 防護膠膜框架表面’係以在設置聚合物被膜之前,藉 由噴砂或化學硏磨進行粗化爲宜。本發明中,有關此框架 表面之粗化的方法’可採用習知之方法。對於鋁合金材料, 以藉由不鏽鋼、金剛砂、玻璃珠粒等對表面實施噴砂處理, 再藉由NaOH等進行化學硏磨’將表面粗面化之方法爲宜。 本發明之防護膠膜框孥,亦可取代習知常用之鋁合金 材料等楊氏係爲69GPa的材料的使用,而以楊氏係數爲1 〜5 OGPa之材料構成爲宜。作爲楊氏係數爲上述範圍內的 材料,可例示鎂合金之44GPa、丙烯酸樹脂之3GPa、聚碳 酸酯樹脂之2.5GPa。 當使用此種低楊氏係數之材料時,即使在剖面積超過 6mm2、12mm2之I字形狀的情況,仍可減小變形應力,從 而可減小遮罩之變形。 在將防護膠膜框桿之剖面形狀設爲I字形狀且將剖面 積設爲3〜6mm2之情況,越是使用低楊氏係數之材料,藉 由相乘效應,越可進一步減小遮罩之變形。 本發明中’在防護膠膜框架之曝光原版黏著面及/或防 護膠膜黏著面,以將在曝光原版黏著面及/或防護膠膜黏著 面與防護膠膜框架之內外側面所構成之角部施以C倒角爲 宜。又,C倒角係指以45度之角度切割交叉之面部分(即角 部)所進行之加工。 平坦之防護膠膜框架之平坦度約爲20〜80/zm。本發 明中,以將防護膠膜框架之平坦度設爲0/zm以上、20//m 以下爲宜,又以設爲〇#m以上、lOym以下更爲較佳。 -14- 201111906 當防護膠膜框架之平坦度良好時,在將防護膠膜貼合 於遮罩上時,可減小防護膠膜框架之變形量,其結果可減 小變形應力,其結果,可將遮罩之變形抑制爲更小。 又,上述防護膠膜框架之平坦度,係在防護膠膜框架 上之被適宜分開的8點位置(其中以防護膠膜框架之各角部 的4點及四邊中央的4點,合計8點爲宜)測量高度,計算 出假想平面,而以從距該假想平面之各點的距離中的最高 點減去最低點的差所算出之値。 防護膠膜框架之平坦度,可藉由「具有XY軸程式台 之雷射位移計」來測量,本發明中使用自製之位移機。 又,使用Tropel公司之UltraFlat來測量遮罩的平坦度。 另外,將對遮罩貼附防護膠膜所引起之遮罩的最大變 形範圍,作爲遮罩之變形/歪曲的指標使用。遮罩之平坦度 及最大變形範圍的定義與測量方法,記載於實施例中。 本發明中,爲了吸收散光,防護膠膜框架係以具有黑 色氧化被膜及/或黑色聚合物被膜爲宜。另外,在防護膠膜 框架爲鋁合金製之情況,尤以具有黑色陽極氧化被膜(黑色 耐酸鋁被膜)及/或聚合物之電鍍塗布膜之鋁合金製防護膠 膜框架更爲適宜。 作爲防護膠膜框架表面之黑色陽極氧化被膜的形成方 法,一般可在以NaOH等之鹼性處理浴進行數十秒鐘的處 理後,在稀釋硫酸水溶液中進行陽極氧化,然後進行黑色 染色、封孔處理,而於表面設置黑色的氧化被膜。 另外,聚合物被膜(聚合物塗層)可藉由各種方法設 -15- 201111906 置’但一般可列舉噴霧式塗布、靜電塗布、電鍍塗布等。 本發明中’以藉由電鍍塗布來設置聚合物被膜爲宜。 有關電鍍塗布,可使用熱硬化型樹脂、紫外線硬化型 樹脂之任一種。另外,對於上述各硬化型樹脂,亦可使用 陰離子電鍍塗布、陽離子電鍍塗布的任一種塗布。本發明 中’因還要求抗紫外線性能,所以,從塗層之穩定性、外 觀及強度考量,以硬化型樹脂之陰離子電鍍塗布爲宜。 本發明之微影用防護膠膜,可藉由於上述防護膠膜框 架之任一框架,於屬上邊之一端面透過防護膠膜黏著劑張 貼防護膠膜,並於屬下邊之另一端面設置曝光原版黏著劑 而可製造。 有關防護膠膜之種類,並無特別限制,例如,可使用 習知之準分子雷射所使用的非晶質氟聚合物等。作爲非晶 質氟聚合物之例子,可列舉Cytop(旭硝子(株)製商品名)、 鐵弗龍(註冊商標)AF(杜邦公司製商品名)等。此等聚合物亦 可於防護膠膜之製作時根據需要溶解於溶劑中使用,例 如,能以氟系溶劑等適當溶解。 [實施例] 以下,藉由實施例來具體例示並說明本發明。又,實 施例及比較例中之「遮罩」,係作爲「曝光原版」之例子所 記載者,當然其同樣亦可應用於光罩(reticle)。 以下,參照實施例,具體說明本發明,但本發明不只 限定於下述實施例。 (實施例1) -16- 201111906 將使Cytop CTX-S(旭硝子(株)製商品名)溶解於全氟三 丁胺中的5%溶液滴在矽晶圓上,藉由旋轉塗布法以830rpm 使晶圓旋轉,而擴散於晶圓上。然後,在室溫下乾燥30分 鐘後,再以180 °C進行乾燥,形成均勻之膜。將塗布有黏著 劑之鋁框貼合於此膜上,只將膜剝離而作爲防護膠膜。製 作所需枚數之上述Cytop CTX-S膜,使用於實施例1至10 及比較例。 製作鋁合金(以下亦稱爲「A1合金」)製且外形尺寸爲 149mmxl22mmx3.5mm、上邊及下邊之寬度爲2mm(剖面形狀 如第3(a)圖所示,剖面積爲3.25mm2)的防護膠膜框架。又, 剖面形狀係具有從高度爲3.5mm、寬度爲2.0mm的矩形之 兩側面,在其中央部除去高度爲2.5mm、寬度爲0.75mm的 矩形之形狀的I字形。上邊及下邊之厚度爲0.5mm,中央 帶部之寬度亦爲0.5mm。又,於防護膠膜框架之四個角部 施以C倒角。 從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度,平坦度 爲20 ;zm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑,於另一端 面塗布膜黏著劑。然後,將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁 合金製框架之膜黏著劑側,切斷框架外周之膜,製作完成 防護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 14 2mm的方形且平坦度爲0.25//m之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度爲0.26/z m。另 外,最大變形範圍雖變化了 40nm,但與後述之比較例相比 201111906 可抑制爲非常低的値。又,表1匯總了平坦度及最大變形 範圍的測量結果。 又’遮罩之平坦度係使用Tropel公司之ultraFlat而測 得。另外’框架之平坦度係使用具有XY軸程式台之雷射 位移計所測得。 另外’「遮罩之最大變形範圍」係定義爲,對遮罩之形 狀進行二次測量’在遮罩各點之高度的差中的各正/負側之 最大變化量之絕對値的和。又,在因貼合防護膠膜而造成 遮罩變形時,即使在平坦度未變化的情況,最大變形範圍 仍成爲較大値,所以,作爲遮罩之變形/歪曲的指標,最大 變形範圍比平坦度更爲有效。 (實施例2) 製作鎂合金製且外形尺寸爲149mmxll5mmx3.0mm、上 邊及下邊之寬度爲2mm (剖面形狀如第3(a)圖所示,剖面積 爲3.00mm2)的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量 此框架的平坦度,平坦度爲10/zm。於此框架之一端面塗 布遮罩黏著劑,於另一端面塗布膜黏著劑。然後,將先前 剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側,切斷 框架外周之膜,製作完成防護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 14 2mm的方形且平坦度爲0.25 μιη之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度’平坦度爲0.24# m,平 坦度沒有變化。另外,最大變形範圍雖變化了 30nm,但與 後述之比較例相比可抑制爲非常低的値。又’表1匯總了 -18- 201111906 平坦度的測量結果。 (實施例3) 製作鎂合金(以下亦稱爲「Mg合金」)製且外形尺寸爲 149mmxl22mmx3.5mm、上邊及下邊之寬度爲2mm(剖面形狀 如第3(a)圖所示,剖面積爲3.25mm2)的防護膠膜框架。從 塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度,平坦度爲20 β m。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑,於另一端面塗布膜 黏著劑。然後,將先前剝離之防護膠膜貼合於鎂合金製框 架之膜黏著劑側,切斷框架外周之膜,製作完成防護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 142mm的方形且平坦度爲0.25;/ m之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度爲0.24/zm,平 坦度沒有變化。另外,最大變形範圍雖變化了 28nm,但與 後述之比較例相比可抑制爲非常低的値。又,表1匯總了 平坦度的測量結果。 (實施例4) 製作聚碳酸酯樹脂(以下亦稱爲「PC樹脂」)製且外形 尺寸爲149mmxl22mmx3.5mm、上邊及下邊之寬度爲2mm(剖 面形狀如第3(a)圖所示,剖面積爲3.25mm2)的防護膠膜框 架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度,平坦度 爲20 #m。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑,於另一端 面塗布膜黏著劑。然後,將先前剝離之防護膠膜貼合於聚 碳酸酯樹脂製框架之膜黏著劑側,切斷框架外周之膜,製 作完成防護膠膜。 -19- 201111906 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 142mm的方形且平坦度爲〇.25gm之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度爲0.25 μ m而 沒有變化。另外,最大變形範圍雖變化了 20nm,但與比較 例相比可抑制爲非常低的値。又,表1匯總了平坦度的測 量結果。 (實施例5) 製作銀合金製且外形尺寸爲149mmxll5mmx4.5mm、上 邊及下邊之寬度爲2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示,剖面積 爲3.75mm2)的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量 此框架的平坦度,平坦度爲20 ym。於此框架之一端面塗 布遮罩黏著劑,於另一端面塗布膜黏著劑。然後,將先前 剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側,切斷 框架外周之膜,製作完成防護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 142mm的方形且平坦度爲0.25 /zm之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度爲0.27/zm。另 外,最大變形範圍雖變化了 50nm,但與後述之比較例相比 可抑制爲非常低的値。又,表1匯總了平坦度的測量結果。 (實施例6) 製作鋁合金製且外形尺寸爲149mmxl22mmx3.5mm、上 邊及下邊之寬度爲2mm (剖面形狀如第3(b)圖所示,剖面積 爲3.25mm2)的防護膠膜框架。將此框架之外側面側削去了 1mm之深度,並將內側面側削去了 0.5mm的深度。從塗布 -20- 201111906 遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度,平坦度爲20 /z m。 於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑,於另一端面塗布膜黏 著劑。然後’將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架 之膜黏著劑側,切斷框架外周之膜,製作完成防護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 14 2mm的方形且平坦度爲0.2 5 //m之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度爲0.24//m。另 外,最大變形範圍雖變化了 40nm,但與後述之比較例相比 可抑制爲非常低的値。又,表1匯總了平坦度的測量結果。 (實施例7) 製作銘合金製且外形尺寸爲149mmxl22mmx3.5mm、上 邊及下邊之寬度爲2mm(剖面形狀如第3(c)圖所示,剖面積 爲3.25mm2)的防護膠膜框架。又,從框架之外側面削去上 邊爲1mm、下邊爲0.5mm、高度爲2.5mm之梯形形狀,並 從內側削去上邊爲0.5mm、下邊爲1.0mm、高度爲2.5mm 之梯形形狀。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦 度,平坦度爲20//m。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑, 於另一端面塗布膜黏著劑。然後,將先前剝離之防護膠膜 貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側,切斷框架外周之'膜, 製作完成防護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 14 2mm的方形且平坦度爲0.25 之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度爲0.25 y m。另 外,最大變形範圍雖變化了 3 5 nm,但與後述之比較例相比 -21- 201111906 可抑制爲非常低的値。又,表1匯總了平坦度的測量結果。 (實施例8) 製作銘合金製且外形尺寸爲149mmxl22mmx3.5mm、上 邊及下邊之寬度爲2mm (剖面形狀如第3(d)圖所示,剖面積 爲4.0 0mm2)的防護膠膜框架。又,從兩內外側面進行加工, 連接上邊及下邊之中央部,爲寬度爲 0.5mm,高度爲 l. 5mm。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度,平坦 度爲20 ym。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑,於另一 端面塗布膜黏著劑。然後,將先前剝離之防護膠膜貼合於 鋁合金製框架之膜黏著劑側,切斷框架外周之膜,製作完 成防護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 142mm的方形且平坦度爲0.25ym之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度爲0.27 μ m。另 外,最大變形範圍雖變化了 45nm,但與後述之比較例相比 可抑制爲非常低的値。又,表1匯總了平坦度的測量結果。 (實施例9) 製作聚碳酸酯樹脂製且外形尺寸爲 149mmxl22mmx3.5mm、上邊及下邊之寬度爲2mm(剖面形狀 如第3(d)圖所示,剖面積爲4.00mm2)的防護膠膜框架。從 塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度,平坦度爲20 # m。 於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑,於另一端面塗布膜 黏著劑。然後,將先前剝離之防護膠膜貼合於聚碳酸酯樹 脂製框架之膜黏著劑側,切斷框架外周之膜,製作完成防 -22- 201111906 護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 142mm的方形且平坦度爲0.25 之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度爲0.25 μ m而 沒有變化。另外,最大變形範圍雖變化了 25 nm,但與後述 之比較例相比可抑制爲非常低的値。又,表1匯總了平坦 度的測量結果。 (實施例10) 製作銘合金製且外形尺寸爲149mmxl22mm>:3.5mm、寬 度爲上邊爲1.5mm,下邊爲2.5mm(剖面形狀如第3(e)圖所 示,剖面積爲3.25mm2)的防護膠膜框架。上邊爲1.5mm, 下邊爲2.5mm,連接上邊及下邊之中央部,寬度爲〇.5mm, 高度爲2.5mm。另外,上邊部、下邊部之厚度爲〇.5mm。從 塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度,平坦度爲20 " m。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑,於另一端面塗布膜 黏著劑。然後,將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框 架之膜黏著劑側,切斷框架外周之膜,製作完成防護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 142mm的方形且平坦度爲〇.25μιη之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度爲〇.26/zm。另 外,最大變形範圍雖變化了 40 nm,但與後述之比較例相比 可抑制爲非常低的値。又,表1匯總了平坦度的測量結果。 (比較例) 製作銘合金製、外形尺寸爲149mmxl22mmx3.5mm、寬 -23- 201111906 度爲2mm(剖面形狀爲長方形,剖面積爲7.0mm2)的防護膠 膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度,平 坦度爲20/zm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑,於另 —端面塗布膜黏著劑。然後,將先前剝離之防護膠膜貼合 於鋁合金製框架之膜黏著劑側,切斷框架外周之膜,製作 完成防護膠膜。 將製作完成之防護膠膜,以載重20kg貼合於邊長爲 142mm的方形且平坦度爲0.25// m之遮罩上。然後,再次 測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度,平坦度變化爲0.29^ m。另外,最大變形範圍更大地變化了 l〇〇nm。 匯總以上之結果,並顯示於以下的表1中。 201111906 【I撇】 i ^11^- I* 最大變形範圍 (nm) Ο 〇 CO 〇 0 1 < mm 貼合後(// m) 0.26 0.24 1 0.24 0.25 0.27 1 0.24 CO 〇 0.27 0.25 0.26 0.29 遮罩z 貼合前(ym) 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 丨 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 框架平坦度i (μιη) Ο 楊氏係數 (GPa) S On Η On v〇 s csi S S 材質 銘合金 鋁合金 鎂合金 PC觀旨 銘合金 銘合金 錯合金 錦合金 PC棚旨 銘合金 銘合金 剖面積 (mm2) 3.25 3.00 3.25 3.25 3.75 3.25 3.25 4.00 4.00 3.25 7.00 高度 (mm) cn vn vn CO wo oS vn 上下邊寬度 (mm) 2.0/2.0 2.0/2.0 2.0/2.0 2.0/2.0 2.0/2.0 2.0/2.0 2.0/2.0 2.0/2.0 1 2.0/2.0 1 1.5/2.5 2.0/2.0 1 剖面形狀 (Λ cd X3 〇 (U 長方形 比較例 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 比較例 201111906 【圖式簡單說明】 第1圖爲顯示防護膠膜之構成例的槪念剖面圖之一 例。 . 第2圖爲防護膠膜框架桿之剖面形狀的一例之示意 圖。 第3圖爲防護膠膜框架桿之剖面形狀的變化例之示意 圖。 【主要元件符號說明】 1 防護膠膜 2 黏著層 3 防護膠膜框架 4 黏著用黏著層 5 曝光原版 10 防護膠膜 12 上邊 13 上邊部 14 下邊 15 下邊部 16 中間部 17 側邊 18 四邊形形狀之凹陷部 19 側邊 -26-

Claims (1)

  1. 201111906 七、申請專利範圍: 1·—種防護膠膜框架,其特徵爲:防護膠膜框架桿 係在上邊與下邊平行之基本四邊形的兩側邊具 形狀之凹陷部的形狀。 2. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架,其中 邊形爲長方形,該凹陷部當中之至少一個爲具 邊平行之邊的長方形。 3. 如申請專利範圍第丨項之防護膠膜框架,其中 邊形爲長方形,該凹陷部當中之至少一個爲具 邊平行之上邊的梯形。 4_如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架,其中 邊形爲長方形,該凹陷部當中至少一個爲具有 垂直之上邊的梯形。 5. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架,其中 邊形爲梯形,該凹陷部當中至少一個爲具有與 行之上邊的梯形。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之防護膠 其中該基本四邊形之面積爲4mm2以上、20mm2 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之防護膠 其中該防護膠膜框架桿之剖面積爲lmm2以上. 下。 8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之防護膠 其係由楊氏係數爲1〜80GPa之材料所構成。 之剖面, 有四邊形 該基本四 有與該上 該基本四 有與該上 該基本四 與該上邊 該基本四 該上邊平 膜框架, 以下。 膜框架, 6mm2 以 膜框架, -27- 201111906 9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之防護膠膜框架, 其係由選自鋁合金、鎂合金、及聚碳酸酯樹脂構成之群 中的材料所構成。 10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之防護膠膜框架’ 其係由鋁合金所構成。 11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之防護膠膜框 架,其中防護膠膜框架之平坦度爲〇/zm以上' 20/zm 以下。 12_—種微影用防護膠膜,其特徵爲:藉由防護膠膜黏著劑 將防護膠膜張貼於如申請專利範圍第丨至U項中任—項 之防護膠膜框架的一端面,且於另一端面設置曝光原版 黏著劑。 -28-
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