TW201111905A - Method for producing phase shift mask, method for producing flat panel display, and phase shift mask - Google Patents

Description

201111905 、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種能夠形成微細

圖案之相位移光罩的製造方法 及相位移光罩。 【先前技術】 在平面齡器，藉由提制案的精確度而使線 寬尺寸更微細，來達成大巾I度提升影像品質。光罩的線寬 精確度、神狀基板料寬精麵變為更微細時，在曝 光時之光罩與基板的_變為更小。因為在平板所使用的 玻璃基板㈣大於3GG麵以上的大尺寸，有玻璃基板的起 伏或表面粗糙度變大，或是容易受到焦點深度的影響之狀 因為玻璃基板係大型尺寸，故平面顯示器的曝光係使 用g射線(436nm)、h射線(他細）、i射線(365nm)的複合波 長’並使用專倍接近式曝光法(例如參照專利文獻1)。 另一方面’在半導體，係使用半色調型相位移光罩作 為達成用以進一步微細化之手法，其係利用ArF(193nm)的 單一波長來進行圖案化(例如參照專利文獻2)。依照該方 法’藉由相位在193nm成為180。來設定光強度成為零之位 置而能夠提升圖案化精確度。又，藉由光強度具有成為零 的位置，能夠將焦點深度設定為較大’能夠謀求提升曝光 條件的緩和或圖案化的產率。 [先前技術文獻] [先前技術] 4/21 201111905 [專利文獻1]特開2007-271720號公報(段落[〇〇31]) [專利文獻2]特開2006-78953號公報(段落[〇〇〇2]、 [0005]) ' 【發明内容】 發明所欲解決之課題 近年來，伴隨著平面顯示器的配線圖案的微細化，對 製造平面顯示器所使用的光罩之微細的線寬精確度要求亦 逐漸提高。但是只縣罩的微細化之曝光條件、顯像條件 等進行研討已逐漸難以因應，開始要求一種用以達成進一 步微細化之新技術。 #於以上情形，本發明之目的係提供一種能夠形成微 細且南精確度的曝光®案之相位移光罩的製造方法、製造 平面顯示器的方法、及相位移光罩。 、 解決課題之手段 為了達成上述目的’本發明的—縣之相位移光罩的 ^造方法係包含將透縣板上的遮光層时化之製程。能 以=透縣板上被覆±述遮光層的方式形成相位移 曰。上述相位移層能夠藉由在含有·以上、_以下 ==乂上、35%以下的氧化性氣體之混合氣體的 =對=刪的纪材來形成。上述相位移層係以 度來形成，成的上“ 罩的達成上述目的，本㈣的-形態之相位移光 罩的狀方料包含在基板上形成級層之製程。在接近 5/21 201111905 二光:層配置有相位移光罩。上述相位移光罩具有相位 夕曰該相位移層係由使其可對於3〇〇讀 任:光線具有⑽。的相位差之氧化氮： ^述3 0 0 上述光阻層係糟由對上述相位移光罩照射 以上、5〇〇nm卩下的複合波長之光線而被曝光。 光罩：U了達成上述目的’本發明的-形態之相位移 二==上遮= 及相位移層。上述遮光層係 層的周D Η 4相移層_成於上述遮光 材料所構成。 的她_化氮化鉻系 包含態之相位移光罩的製造方法，係 。3將透明基板上的遮光層圖案化之製程。在上述透明某 上述遮光層的方式形成相位移層。上述相位移 了在3有4〇%以上、9()%以下的氮化性氣體及_以上、 的氧化性氣體之混合氣體的環境下，濺鍍鉻系材料 ，’巴形成。上述相位移層係以使其可對於300nm以 上以下的波長輯之任—光線具有撕的相位差 來軸。卿成的上述她移層倾81案化成為預 疋圖案。 精由上述方法所製造的相位移光軍係具有使直可對於 3〇〇細以上、500nm以下的波長區域之任mm 的相位差之相位移層。因此，使用該相位移光罩時，藉由 將上述波長區_光_鱗光光線，湘她的反^作 用絲成光強度成為最小的區域，而㈣使曝光圖案更 明。利用此種相位移效果，圖案精確度大幅度地提^，二 6/21 201111905 夠形成微細且高精確度的圖案。藉由使用使在上述波長範 圍之不同波長的光線(例如g射線(436_)、h射線(4〇 i射線複合化之曝光技術，上述效果更顯著。 藉由使用氧化氮化鉻系材料構成上述相位移層 安❶定，形成、具有所需要折射率之賴膜。氣化性氣體小於 40%日…法抑制鈮材的氧化而難以安定地濺 性氣體大於_時，膜中的氧濃度太低而難以得到所= 折射率。另—方面，氧化性氣體小於10%時，膜中的氧:農 =::=所需要折射率。又，氧化性氣體大㈣ ’、 ，’巴材的氧化而難以安定地濺鍍。萨由在上.才、 射率為 ㈣射設錢其可雜i射線具有大 不文此限定，亦能夠以使其可對於 有1:。的相位差之厚度來形成±__=射線具 在此，所謂「大約180。」係意味著 例如180。±1〇。以下。 者180或接近180。， 上述相位移層的厚度可設為 與職h射線的相位差之差異為4〇 =予1射線的相位差 稭此，藉由對於各波長光線 :度。 果，能夠確保形成微細且高精確度的相位移效 亡述處合氣體亦可更含有惰性氣體。、 错此，電衆能夠安定地形成 化性氣體及氧化性氣體_度。 4容易地調整氮 在本發明的-.實施形態之平面顯示器的製造方法’係 7/21 201111905 ^含在基板上形成光阻層之製程 上述相位移光罩具有相== ===30一上、〜下的複合波長區 成。上述総層目之氧化氮化鉻'諸料所構 以上snn 述相位移鮮照射上述3〇〇nm 5GGnm以下賴合波長之L被曝光。 以下光罩係具有使其可對於3〇〇_以上、500nm 下的波長區域之任一光線具有18〇。的相位差 ΐ光=相=上述製造方法時’基於使用上述波長區域 成微㈣精確=圖;夠=提:：:確;’能夠形 顯示器。 回茶祕此夠製造向畫質的平面 作為上述複合波長的光線’例如可使 (436nm)、h 射線⑽nm)、i 射線(365nm)。 凉 杯ίίΓ明的—實施形態之相位移光罩係具備透明基 t遮光層及相位移層。上述遮光層係形成於上述透· 並可對itr移層係形成於上述遮光層的周圍，並由使 =對於_nm以上、·nm町的複合波魏域之任一 先線具有18G。的相位差之氧化氮化鉻系材料所構成。 藉由上述相位移光罩，基於使用上述波長區域的光線 之相位移效果，能夠謀求提升圖案精確 且高精確度之圖案。藉由使用在上述波長範圍 g ^ii(436nm)^h ^^(405nm)>i ^^(365nm)) 歿δ化之曝光技術，上述效果更顯著。 上述相位移層的厚度能夠設為可使賦予 差與賦予g射線的相位差之差異4 40。以下之厚2的相位 8/21 201111905 一定的相位移效 藉此藉由對於各波長光線能夠得到 能夠確保形成微細且高精確度的圖案 【實施方式】 以下，邊參照圖式邊說明本發明的實施形態。 (第1實施形態） θ ,彳’ΤΆ明本發明的—貫施形態之相位移光罩的製造 :之製程圖。本實施形態的相位移光罩係作為例如對平 7不器用玻璃基板之圖案化用光罩而構成。如後述，在 用該光罩之玻璃基板的圖案化上，能夠使用i射線、h射 線及g射線的複合波長作為曝光光線。 首先，在透明基板10上形成遮光層n(圖1(A))。 作為透明基板10，可制透雜及光料方向性優良 2材料，例如可使用石英玻璃基板。透明基板10的大小係 沒有特別限制，可按照使_鮮來進行曝朗基板(例如 平面顯示㈣基板、半導縣板)而適當地選定。在本實施 形態，係使用一邊為3〇〇mm以上的矩形基板，更詳言之， 係使用縱向45〇111111、橫向55〇111„1、厚度8111111的石英基板。 又，藉由研磨透明基板1〇的表面來使透明基板的 表面粗糙度降低。透明基板10的表面粗糙度係例如可以是 50ym以下。藉此，光罩的焦點深度變深，能夠對形成微 細且高精確度的圖案有重大的貢獻。 遮光層11係由金屬鉻或鉻化合物(以下亦稱A ^ 料）’但是不受此限定，金屬矽化合物系材料(例如~M〇Si、 TaSi、TiSi、WSi)或該等的氧化物、氮化物、氧氮化物亦能 夠應用。遮光層11的厚度係沒有特別限制，只要是能夠得 9/21

• I • I 201111905 =::=光學濃度之厚度(例如800〜2〇〇〇A)即可。成 膜法(αΓό°；ΤΓΙ子射線蒸鍍法、雷射蒸鍍法、原子層成 子輔助购，特別是大型基板的: 用C歲鑛法能約進行 隨後，在透光層U卜❹上 W生優良之成膜。 12可以是正型亦可成ί阻層12(圖1(Β))。光阻層 亦可使用乾=。°可使用液狀光阻作為光阻層 η上=1藉由將光阻層12進行曝光或顯像，而在遮光層 案來決定適當的形狀。％ %糾照遮先層11 _刻圖 透明1:遮f層11兹刻成為預定圖案。藉此，能夠在 形成被圖案化成為預定形狀之遮光層 特別iif二？蝕刻製程能夠應用濕式蝕刻或乾式蝕刻， 面内=Μ ▲ 型時’藉由採用乾式⑽法，能夠實現 面内均勻性向的姓刻處理。 李射 層11的_賴_當地藝，栽層η係鉻 2科時’例如能夠使用石肖酸飾銨及過氣酸的水溶液。因 2钱刻液係與玻璃基板的選擇比高，在遮光層η的圖案 夠保護透明基板1G。另—方面，遮光層11係由金 、匕物系材枓所構成時，敍刻液例如可使用氟化氣録。 遮光層11P1的圖案化後’係除去光阻圖案1迚1(圖 ):除去光_案12P1係例如可使賴氧化鈉水溶液。 祐2=形成她移層13。相細113細遮光層I1P1 被设透明基板1G上的方式形成(圖1(F))。 10/21 201111905 作為相位移層13的成膜方法，能夠應用電子射線(EB) 蒸鍍法、雷射蒸鍍法、原子層成膜(ALD)法、離子輔助濺鍍 法等，特別是大型基板的情況下，採用DC濺鍍法能夠進行 膜厚度均勻性優良之成膜。又，不受DC濺鍍法限定，亦能 夠應用AC濺鑛法或RF錢錢法。 相位移層13係由鉻系材料所構成。特別是本實施形 態’相位移層13係由氧化氮化鉻所構成。若採用鉻系材料， 特別是在大型基板上，能夠得到良好的圖案化性。又，不 受鉻系材料限定，亦可使用例如MoSi、TaSi、WSi、、

NiSi、CGSi、ZrSi、NbSi、TiSi或該等的化合物等的金屬石夕 化物系材料。而且，亦可使用Ti、Ni或該等的化合物 等。 使用濺鍍法形成由氧化氮化鉻所構成之相位移層13 時’能夠使用氮化性氣體及氧化性氣體的混合氣體或情性 氣體、氮化性氣體及氧化性氣體的混合氣體作為製程氣 體，成膜壓力係例如可以是〇.1Pa〜〇 5Pa。 礼玍軋媸万面係包含c〇、c〇2、N〇、N2〇、N〇2、 〇2等。在氮化性氣體方面係包含]^0、乂〇、^^〇2、沁等。 作為惰性氣體，係使用Ar、He、Xe #，典型地2，^使用

Ar。又’在上述混合氣體亦可更包含Ch4等的碳化性氣體。 混合氣體中的氮化性氣體及氧化性氣體的流量（濃 就決定相位移層13的光學性質(透射率、折射率等)而 要1參數。在本實獅態’能触氮化性氣體漢度 為40/。以上、90%以下且氧化性氣體的濃度為·以上、 35%以下的條件來調整混合氣體。藉由調整氣體條件，能夠 將相位移層U崎射率、透射率、反㈣、錢等最佳化。 11/21 201111905 安定地_ ===無法抑制1巴材的氧化而難以 太低而難以得到;要:射:於9〇%時，膜中的氧濃度 =。::要:二 難以安定地=氧體大於35%時，無法抑制靖的氧化而 300-3〇〇nm ^ ' 度。-祕具有觸。_位差之厚 未透射相位移> n相位差之光線’藉由相位反轉且藉由與 光線之干擾作用，能夠消滅該光線的 小(例如im 效果’因為能夠形成光強度成為最 成L田圖1£域’曝光圖案變為鮮明，能夠高精細度地形 在本實施形態，上述波長區域 線(4°一'一㈣的二色光; 形成相位移層的目先=賦長的相位差之厚度來 射ί 讀可叹丨射線、h ㈣亦可以是料以外的波長區域之 微細的圖案^反轉相位的光線之波長越短時，越能夠形成 在本實施形態’能夠以使賦予i射線的相位差與賦 ;線的相位差之差異為4G。町之厚度來形成相位移層 。猎此，對於各波長的光線能夠得到—定的她移效果。 例如㈣以對於上述複合波長中之中間波長區域亦即h射 線賦予大約刚。(180。±10。)的相位差之膜厚度來形成相位 移層13。藉此，因為對於i射線及g射線的任一者亦能夠 12/21 201111905 賦予接近_。_位差’對各自的光線城夠得到同樣的 相位移效果。 相位移層13的膜厚度以在透明基板1()的面内均句為 ί。在本實施形態’係對於g射線、h射線及i射線的各自 早一波長級’以基板φ内之仙差的差分為2G。以下的膜 厚絲形成相位移層13。該相位差的差分大於20。時，由 於在複合波長之光強度重疊效果，會使光強度的強弱變 小’致使®案精確度低落。藉由使上勒位差的差分在γ 以下、進而10。以下，能夠謀求進—步提升圖案精確度。 相位移層13的透射率係例如對於i射線可以是1%以 上、20。/。以下的範圍。透射率小於1%時，因為難以得到充 分的相位移絲，雜冑精確度地賴 困難。又’透射率大於聰時，成膜速度低落， 性變差。在上述範圍，透射率可以進而是2%以上、15%以 下的範圍。而且’在上述範圍’透射率可以是3%以上、1〇% 才夕曰^ w久扪千诉例如4〇%以下。藉此，使用

才目”光罩之被處理基板(平面顯示器或半導體基板)在I

不容絲成疊案⑽⑽pattern)而能夠確伴 好的圖案精確度。 《=*幻崎俅I 相位移層13的透射率及反射率㈣藉由成 地調整。依照上述的混合觸 射線為丨/°以上、鳩以下的透射率及40%以下的反射率c 13的厚度㈣在可彳㈣上制絲特性 圍而適*地妓，财之，藉由將她 化’能夠得到上述的光學。例如採用上述條 13/21 201111905 ，匕光學特性之相位移層13的膜厚度係例如論爪以 ^ 3〇nm以下。在該範圍，相位移層13的膜厚度可以進 而疋llOnm以上、I25nm以下的範圍。 舉出_個财’在賴軸_的混合韻的流量比 二Ar. N2 C02 2.5 . 6 . 1.5 ’且將膜厚度設為1Mnm時， 能夠使i射線之透射率為5.5%，丨射線之相位差為π。， 並使g射線之相位差為146。。又，將混合氣體的流量比設 為Ar . N2 · C02=2 : 7 :丨’且將膜厚度設為i2〇nm時，能 夠使i射線之透射率為4.8%，丨射線之相位差為185。，並 使g射線之相位差為153。。 圖2係顯示相位移層13成膜時的成膜條件與各波長成 分的相位差與透射率的關係之實驗結果。本例係使 用A作為氮化性氣體，使用c〇2作為氧化性氣體及使用 Ar作為惰性氣體。成膜壓力為〇 2pa。 如圖2所不，在含有4〇%以上'9〇%以下的氣化性氣體 及10%以上、35%以下的氧化性氣體之混合氣體的條件(試 ϋΐ〜5)。’在30〇nm以上、5()()nm以下的波長區域可使 其具有180°的相位差。又，藉由以對於i射線能夠賦予⑽。 ±10的相位差之厚度來形成相位移層，能夠將丨射線與g 射線之間的相位差之差異抑制為4〇。(3〇。）以下。而且，能 夠將i射線的透射率抑制為1%以上、1〇%以下。 相對於此，在氮化性氣體為大於9〇%且氧化性氣體為 小於10%的條件(試樣Νο·6)下，膜的氧化度小，即便增加 膜厚度亦無法得到必要的相位差及透射率。又，在氧化性 氣體大於35%的條件(試樣Ν〇 7)及只有氧化性氣體的環境 條件(試樣Νο.8)下，膜的氧化度變為太大而無法得到必要 14/21 201111905 的相位差，且無法抑制透射率的上升。 由於崎絲魄切展，賴n#條件下， 膜厚度。 民而無法侍到充分的 接著，在相位移層13上形成光 β 14 of L7 0 τ *ι) -λ- g 14(圖 1(G))。光阻 層Η可以疋正型亦可以是負 元阻 阻。 歧層14可使用液狀光 柯取竹尤阻層14曝光及顯像， :3/形成光阻圖案_(圖_。光阻圖；MP= 13 6_光罩之功能’能夠按照相位移/13的 餘刻圖案來決定適當的形^ Μ 13的 接著，將相位移層13㈣成為财的_ 爾酿糊概之9相位 刻法相^^3^=製程能夠___法或乾式餘 夠實現面二板係大型時，藉由採用濕式蝕刻法，能 多勺貝見面内均勻性高的蝕刻處理。 離’ Γ的^刻液能夠適當地選擇，在本實施形 二=Γ 録及過氣酸的水溶液。因為該㈣液 基板的選擇比高，在相位移層13的圖案 保蠖基板10。 在相位移層13的圖案化後，係除去光阻圖案剛（圖 ())。除去光阻圖案剛係例如能使用氫氧化納水溶液。 t上述進行，_製造本實郷態之相位移光罩卜藉 ，貫施形態的相位移光罩卜能夠在遮光層11P1的周 圍’形成上述構成的相位移層13P1。藉此，在對使用300nm 以上、5〇0nm以下的波長區域的光線之被曝光基板形成曝 15/21 201111905 光圖案時，能夠謀求提升基於相位移效果之圖案精確度， 而可形成微細且高精確度的圖案。特別是依照本實ς形 態’藉由使用在上述波長範圍使不同波長的光線仏射線、匕 射線及i射線)複合化之曝光技術，變為更顯著。 以下，5兒明本實施形態之使用相位移光罩丨 示器的製造方法。 、，貝 、、首先，在形成有絕緣層及配線層之玻璃基板的表面形 成光阻層。光阻層的形成係例如可使用旋轉塗布器。光阻 層係施加加熱處理(烘烤)後，施行使用相位移光罩°〗之曝光 處理。在曝光製程’係在接近光阻層配置相位移光罩1。然 後，隔著相位移光罩1對基板表面照射30〇nm以上、5〇〇二 =下的複合波長。在本實施形態，上述波長的光線能夠使 g射線、h射線及丨射線n能夠將對應相位移 1的光罩圖案而成之曝光圖案轉印至光阻層。 依照本實_® ’相位移光罩1係具有使其可對於 300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線具有180、。 的相位差之相位移層13P1。因此，依照上述製造方法 =使用上述波長區域的光線，能觸求基於相位差效果^ ’並且因為加深焦點深度，能夠形_細 且冋精確度的圖案。藉此’能夠製造高畫質的平面顯示器。 依照本發明者等的實驗，使用未具有該相位移層 t曝光時’對於目標線寬(2_會產生30%以上的圖案 見偏移’但是使用本實施形態的相位移光罩而曝光時，墟 認能夠將偏移抑制為7%左右。 J、光夺確 (第2實施形態） 圖3係說明本發明的第2實施形態的相位移光罩的製 16/21 201111905 造=之製㈣。又，在圖3，對與圖！對應部分係附加同 一付唬，並省略其詳細的說明。 2施雜物缚光罩2(圖3_在弱部具有位 ，>、之對準標記，且該對準標記係使用遮光層贈形 成。以下，說明相位移光罩2的製造方法。 々、由1先，在透明基板1〇上形成遮光層11((圖3(A))。隨後， 、’、’層11上形成光阻層12(圖3))。光阻層12可以是正 以μ型°隨後’#由將光阻層12曝光及顯像，而 月b »遮光層11上形成光阻圖案12P2(圖3(C))。 光阻圖案12P2係作為遮光層u賴刻光罩之功能， =按遮光層11的1爛圖案來決定適#的形狀。圖3(〇 =不為了在基板1G的周緣預定範圍内使遮 成光阻圖案12P2之例子。 ’將遮光層U钱刻成為預定的圖案形狀。藉此， 透明基板1G上’形成被圖案化成為狀形狀之遮光 遮光層_的圖案化後，除去光阻圖ί 納水|容圖夜3⑹）。光阻圖案12ρ2的除去係例如可使用氣氧化 ω上13餘透明基板 係由氧化氮化鉻系材料所 士处机 叶W構成，且使用DC濺鍍法成膜。此 二杨夠f用氮化性氣體及氧化性氣體之混合氣體或惰性氣 :位移層13細與增丨實施形=:=:形 接著，在相位移層13上形成級層丨4((圖3(G))。隨 17/21 201111905 後’藉由將光阻層14曝光及顯像， 上形成光阻圖案刚(圖3⑽。光 ^ )移層13 2 13的輪罩之功能，能夠按照 圖案來決定適當的形狀。 s的蝕刻 能夠移層13麵成為預定的圖案形狀。藉此， 移層ΐ3Ρ2‘α^形成被圖案化成為預定形狀之相位 光_=);= 氣氧化納水溶圖案14Ρ2係例如能使用 如以上進行，能夠製造本實施形態之相位移光罩2。藉 2貫施形態的相位移光罩2，因為對準標記能夠以遮光層 2形成，光學性辨識對準標記變為容易，能夠高精確度 地^位置。本實施形態能夠與上述的第】實施形態组合 而實施。 匕σ 4又’相位移層13能夠使其作為半色調(半透射層)之功 能。此時’能夠使透過與未透過她移層13的光線具有曝 光量差異。 以上，說明了本發明的實施形態，當然，本發明不受 此限定，基於本發明的技術思想能夠進行各種變形。 例如在以上的實施形態，係在遮光層的圖案化後進行 相位移層的賴及®案化，但是不受此限定，亦可以在相 位移層的成膜及瞧化後，進行遮光層的成膜及圖案化。 亦即，能夠變更遮光層及相位移層的積層順序。 又，在以上的實施形態，係將遮光層η在基板10的 全面成膜後，藉由將必要部位蝕刻來形成遮光層11Ρ1、 11Ρ2，但是亦可以形成遮光層11ρι、ηρ2的形成區域為開 18/21 201111905 口之光阻圖案後，形成遮光層u來代替。形成遮光層u 後’藉由除去上述級圖案而能夠在必要區域形成遮光層 IIP卜11P2(剝離法）。 【圖式簡單說明】 圖1係說明本發明的第丨實施態樣之相位移光罩的製 造方法之製程圖。 、 圖2係顯示上述相位移光罩的相位移層的成膜條件與 光學特性的關係之實驗結果。 ' 圖3係說明本發明的第2實施態樣之相位移光罩的製 造方法之製程圖。 、 【主要元件符號說明】 1 '2 相位移光罩 10 透明基板 11、11P1、11P2 遮光層 12 光阻層 12P1 ' 12P2 光阻圖案 13、13P1、13P2相位移層 14 光阻層 14P1 ' 14P2 光阻圖案 19/21

Claims (1)

1. 201111905 七 2. 3. 4. 5. 6. 申請專利範圍： 一種相位移光罩的製造方法，其係包含： 將透明基板上的遮光層圖案化； 藉由在含有40%以上、9〇%以下 上、35%以下的氧化性氣體之混= 體及·以 系材料的把材且以被覆前述遮光層^兄^賤鍍鉻 板上形成對於綱nm以上、5〇〇^ 在前述透明基 光^可具有⑽。的相位差之相位移層；及皮長區域之任一 將前述相位移層圖案化。 如申請專利範圍第i項之相位移光單的 成前述相位移層之製程，係使'、y -的她差謂厚絲形輕!:目^使其具有大約 =專纖圍第!項之相位移光罩的製造方 形 成則述相位移層之製程，係輯於h射線使 180的相位差之膜厚度來形成前述相位移層。..... 2或3項之相位移光罩的製造方法，其 成層之製程’係以賦予i射線的相位差 前I::的相位差之差異為，以下之膜厚度來形成 圍第1項之相位移光罩的製造方法，其中前 处混&軋體係更含有惰性氣體。 一種平面顯示器的製造方法，1 在基板上形成光阻層； ' 上述光阻層配置相位移光罩，該相位移光罩具有相 曰，該相位移層係由使其可對於300nm以上、5〇〇nm 以下的波長d域之任—光線具有勘。的相位差之氧化氮 20/21 201111905 化鉻系材料所構成；及 一 +上述相位移光罩照射上述300nm以上、5〇〇nm以下 7. 8. 9. 10. 的複^長之光線來將前述絲層曝光。 ^ 如申°月專利範圍第6項之平面顯示器的製造方法，JL中在 述光阻層曝光之製程，係㈣g射線、h射線及 線的複合曝光光線。 一種相位移光罩，其係具備： 透明基板； 遮光層，其係形成於上述透明基板上；及 相位移層’其係形成於上述遮光層的，並由使其可對 於3〇〇mn以上、5〇〇nm卩下的複合波長區域之任一光且 有⑽。的相位差之氧化氮化鉻系材料所構成。 …、 ^申請專利範圍第8項之相位移光罩，其中前述複合 區域的光線’係g射線、⑽線及i射線的複合光線。、 如申請專概圍第9項之相位移光罩，其中前述相 係具有賦予i射線的相位差與賦予 场 為40。以下的膜厚度。 g射線的相位差之差異 21/21