TW201031004A - Thin film solar cell having opaque and high reflective particles and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
201031004 ' 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種薄膜太陽能電池與其製作方法，特別是有關於一 種在第一光吸收層與第二光吸收層之間中配置有不透明高反射粒子之薄膜 太陽能電池與其製作方法。 【先前技術】 現行薄膜太陽電池技術中，由於薄膜太陽能電池因電子電洞的再結合 ❹ 或疋因光的損失等等的原因，使得光電轉換效率有其極限值，因此在製程 過程當中，常會在能隙梯度範圍低與能隙梯度範圍高的材料中間，增加一 介質層(Interlayer)。藉以當光入射至薄膜太陽能電池時，能隙梯度範圍低的 材料可吸收部份的短波長光線’而剩餘沒被吸收的短波長光線，藉由接觸 到介質層時將會產生反射，因此反射回之短波長光線可再次被吸收，藉以 增加薄膜太陽能電池的發電效率，例如先前技術中，美國專利第5,〇2U〇〇 號乃在薄膜太陽能電池裡，加入一層非導體的選擇性反射膜（Dielectric SelectiveReflectionFilm)，但因為介質層須連結不同能隙梯度範圍的材料， 故其具一定的導電性，易在製造過程中進行外圍絕緣處理時發生漏電的現 ® 象’而且電流在傳遞時，也容易發生電流短路的情形。 因此，請參考第1A圖，美國專利第6,632,993號乃在介質層5上以雷 射方式切割-道斷路線槽5卜阻斷電流在介質層5流通時產生電流短路的 問題。又如美國專利第6,870,088號亦揭露類似的作法，請參考第1B圖， 不過其更進一步於在沈積完介質層i後，先進行一道雷射切割以形成一斷 路線槽8，之後再按照標準的製程在第一光吸收層2至第二光吸收層3間， 切割-第二線槽9，不過要特別留意的是，第二線槽9是切割在斷路線槽8 之内，因此同樣能避免上述問題。，然由於美國專利第6,632,993號與美國專 利第6,87〇,〇88號皆是藉由雷射切割-斷路線槽(⑽)之方式達到避免電流 4 201031004 祕H，都會增加製程上斜續與成本，對於大量生產__ /刀不利。因此如何增進薄膜太電池之發電效細 ς 短路現象，並且可同時減低生產成本，即成為 質層之電流 【發明内容】 ❿
為了解決上述先前技術不盡理想之處，本發明提供了一種具有不透明 尚反射粒子之_太電池與其製作方法，此薄膜太·電池至少包括 基板、前電極層、第-光吸收層、第二光吸收層與背電極層4中在第一 光吸收層與第二光吸收層之間設有複數個不透明之高反射粒子，彼此呈不 連續分佈且具有雛導之㈣，·#人縣接職數個不透明 南反射粒子之表面時，可將人射光在第—光吸收層與第二光吸收層之間進 行反射’以增加入射光在第-光吸收層及第二光吸收層之間的行經路線。 β因此，本發明之主要目的係提供一種具有不透明高反射粒子之薄膜太 陽能電池，其中在第-光吸收層與第二光吸收層之間設有複數個不透明高 反射粒子，且這料義高反雜子彼此呈不連續分佈，故當人射光接觸 到這些不義高反雜子之表面時，可使人射絲第―光吸㈣與第二光 吸收層之間進行反射’進而有效顏改變進人第二光吸收層長波長絲的 行進方向（例如：紅外光），以增加入射光在第二歧收層之行徑路線，進 而增加長波長光線(例如：紅外光)在第二光吸收層之利用率。 本發明之次要目的係提供一種具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 池，其中在第一光吸收層與第二光吸收層之間設有複數個不透明高反射粒 子，且這些不透明面反射粒子彼此呈不連續分佈，故當入射光接觸到這些 不透明高反射粒子之表面時，可使入射光在第一光吸收層與第二光吸收層 之間進行反射，因此部分第一光吸收層的短波長光線再進行反射，以增加 入射光在第一光吸收層之行徑路線，進而使第一光吸收層可再次吸收反射 回之短波長光線。 本發明之另一目的係提供一種具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 5 201031004 池’因在第-光吸收層與第二光吸收層之間設有複數個不透明高反射粒 子故可減少電流自背電極層或前電極層經第二線槽流向前電極層或背電 極層時’因電流導通至這些不透明高反餘子所產生之電紐路的現象。 本發明之又-目賴提供_種具有不透明高反射粒子之細太陽能電 池因在帛光吸收層與第二光吸收層之間設有複數個不透明高反射粒 子’故可使得第-光吸收層與第二光吸收層近似於同質界面的結構，故不 會有在異質介面產生能隙不連續的問題。 本發明之X-目的係提供—種具林義高反射粒子之賴太陽能電 Φ 池，其中在第一光吸收層與第二光吸收層之間設有複數個不透明高反射粒 子，且汉些不透明高反射粒子之形狀並沒有限制，可以是球狀、方塊狀、 多邊形狀或不規則狀等，其中以使用球狀為較佳，因為可使反射的方向、 角度任意改變，進而可增加光的行徑路線。 本發明之再一目的係提供一種具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 池之製作方法，其所製翻之具有不透明高反射粒子之薄社陽能電池， 其中在第-光吸收層與第二光吸收層之間設有複數個不透明高反射粒子， 且這些不透明高反射粒子彼此呈不連續分佈，故當入射光接觸到這些不透 月咼反射粒子之表面時，可使入射光在第一光吸收層與第二光吸收層之間 ® 進減射，進而有效類改魏人第二光吸收層長波長光線的行進方向(例 如：紅外光）’明加人射絲第二光吸收層之雜路線，進㈣加長波長 光線(例如：紅外光)在第二光吸收層之利用率。 本發明之再一目的係提供一種具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 池之Ιί作方法’其所製作出之具有不透明高反練子之薄社陽能電地， 其中在第一光吸收層與第二光吸收層之間設有複數個不透明高反射粒子， 且這些不透明高反射粒子彼此呈不連續分佈，故當入射光接觸到這些不透 明高反射粒子之表面時，可使入射光在第一光吸故層與第二光吸收層之間 進仃反射，因此部分第—光魏層的短波長光線再進行反射，以增加入射 6 201031004 光在第-光吸㈣之行徑路線，進而使第_光吸收層可再次吸收反射回之 短波長光線。 本發明之再一目的係提供一種具有不透明高反射粒子之製作方法其 所製作出之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池，因在第一光吸收層 與第一光吸收層之間設有複數個不透明高反射粒子，故可減少電流自背電 層或蚰電極層經第一線槽流向前電極層或背電極層時，因電流導通至這 些不透明鬲反射粒子所產生之電流短路的現象。 ，本發明之再一目的係提供一種具有不透明高反射粒子之製作方法，其 _ 所製作出之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池，因在第一光吸收層 與第二光吸收層之間設有複數個不透明高反射粒子，故可使得第一光吸收 層與第二光魏層近似於同面的結構，故不會有在異質介面產生能隙 不連續的問題。 本發明之再一目的係提供一種具有不透明高反射粒子之製作方法，其 所製作出之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池，其中在第一光吸收 層與第二光魏層之間設魏數個不透明高反齡子，且這些不透明高反 射粒子之形狀並沒有闕，可以是雜、方塊狀、多邊雜或不規則狀等， 射以使絲狀為較佳，因為可使反射的方向、角度任纽變，進而可增 曝加光的行徑路線。 【實施方式】 ,⑽本個_露-種具有不咖純絲仅細太魏電池與其 製作方法，其中所利用之太陽能電池之光電轉換原理及製作原理，已為相 關技術領域具有通常知識者所能明瞭，故以下文中之說明，不再作完整描 述。同時，以下文中所對照之圖式，係表達與本發明特徵有關之結構示意， 並未亦不需要依據實際尺寸完整繪製，盍先敘明。 首先請參考第2A圖，係本發明提出之第一較佳實施例，為一種具有不 7 201031004 透明高反射粒子之薄膜太陽能電池100,至少包括依序堆疊形成之基板 11、前電極層12、第一光吸收層13卜第二光吸收層132與背電極層14。 其t在第一光吸收層131與第二光吸收層132之間設有複數個彼此呈現不 連續分布之不透明之高反射粒子15，且這些不透明之高反射粒子15為使 用具有較佳導電性之材質所製成，其中以銀或鋁等金屬材質為較佳。請參 考第2B圖’當入射光L1以進入方向II從基板11進入而接觸到高反射粒 子15之表面時’藉由高反射粒子15之不連續分佈，可使入射光u在第 一光吸收層131與第二光吸收層132之間進行反射(R11，R12)，藉以增加入 ❹ 射光L1在第一光吸收層131及第二光吸收層132之間的行徑路線。而上 述之行徑路線的方式有以下兩種情況，請繼續參考第2A圖： 情況一：當入射光L1以進入方向II從基板11進入而經過第一光吸收 層131時’此時第一光吸收層131將吸收部份短波長光線，而剩餘沒被吸 收的短波長光線，會藉由接觸到複數個不透明高反射粒子15之表面而產 生反射R11，此時反射R11的路徑為增加入射光L1在第一光吸收層131 之行徑路線，可使第一光吸收層131再次吸收反射回之短波長光線，以增 加第一光吸收層131光線的吸收率。 情況二：當入射光L1以進入方向II從基板11進入而經過第一光吸收 〇 層131以接觸到複數個不透明高反射粒子15邊緣之表面時，則會在第二 光吸收層132進行反射R12，此反射R12的路徑為增加入射光L1在第二 光吸收層132之行徑路線，可使得第二光吸收層132的長波長光線之反射 率提高(例如：紅外光），進而增加長波長光線(例如：紅外光)在第二光吸收 層132之利用率。因為現行技術，對於改變長波長光線行進路線的能力較 差’因此使得第二光吸收層132無法更有效的利用並吸收長波長光線（如: 紅外光）’但是透過本發明之不透明高反射粒子15,因其為高反射的導體， 所以可以增加紅外光的行徑路線，因此對增加第二光吸收層132之利用率 大有助益。 8 201031004 上述之不透明高反射粒子15之粒徑係小於300奈米為較佳，可使用相 等之粒徑，也可使用不相等之粒徑。重要的是不透明高反射粒子15為呈 現不連續之分佈，因此可使得入射光L1容易接觸到這些不透明高反射粒 子15，以增加反射(R11，R12)之動作，而分佈時所使用之間距亦不限，相 等之間距或不相等之間距，皆可視實際需求使用。並且不透明高反射粒子 15之形狀並沒有限制，可以是球狀、方塊狀、多邊形狀或不規^狀等任選 一種，或是將上述之形狀組合使用亦可。請參考第2B圖，其中以使用球 狀為較佳，因為可使反射(R11，R12)的方向、角度任意改變，進而可增加光 的行徑路線。 3 上述之第-光吸收層131與第二光吸收層132具有能隙梯度範圍係介 於0.5〜2eV之間。在此要特別說明的是，因在第一光吸收層131與第二光 吸收層132之間使用上述之不透明高反射粒子15，因此使得第一光吸收層 131與第二光吸收層132近似於同質界面的結構，故不會有在異質介面產 生能隙不連續的問題》 此外，請參考第2C圖，標準薄膜太陽能電池1〇〇之電流路徑為E，而 本發明可減少電流自背電極層14經第二線槽G2流向前電極層以時，因 電流導通至複數個不透明高反射粒子15所產生之電流短路的現象，如電 _ 流路徑E1所示，因當電流Ei自背電極14欲往前電極12行辦，可能會 接觸到不透明高反射粒子15，但因不透明高反射粒？ 15碰積並不大， 或者可能於形成第二線槽G2時，而被切割成體積更小之粒子，因此即使 電流路徑E1接觸到不透明高反射粒子15，也不易產生電流短路的現象， 而使電流可以繼續往前電極層行徑。 -般而言’基板11選用的材料為透明基材；前電極層12可為單層結 構或多層結構之透明導電氧化物(TC0: Transparent conductive况岭其材 料可以為二氧化錫(Sn02)、氧化銦錫(IT0)、氧化辞(Zn0)、氧化銘辞⑽ο)、 氧化鎵鋅(GZO)或氧化銦鄉z〇)等任一種所構成的材料；第一光吸收層⑶ 9 201031004 層132可為單結構或多層結構所組成，而其可選用材料為結 -種舰、非晶辨導體、半導合物、有鮮導體細料等任 __材料’1電極層14可為單結構或多層結構所組成，其包含一 H ’其金屬層可採用金屬材料為銀(Ag)、綱、絡⑼、欽(Ti)、錄㈣ ί用等任—種，此外背電極層14進—步包含-_導電氧化物，其可 料為二氧化錫(Sn〇2)、氧化銦錫_)、氧化辞(Ζη〇)、氧化銘鋅 (AZC^、氧化鎵辞(GZ〇域氧化銦辞(ΙΖ〇)等任一種所構成的材料。 ❹ 、請繼」續參考第3 ®，係本發明提出之第二較佳實施例，為另-種具有 不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池2⑼，至少包括依序堆叠形成之基板 2卜背電極層24、第二光吸收層攻、第一光吸收層231與前電極層22。 、二在第二光吸收層232與第一光吸收層231之間設有複數個彼此呈現不 ’’为布之不咖之冑反綠？ 25，且這些不翻之高反絲？ Μ為使 用具有較佳導電性之材質所製成，其巾以銀或銘等金屬材質為較佳。請繼 續參考第3圖’當人射光峨人方向κ從前電極層η進人而接觸到高反 射粒子25之表面時，藉由高反射粒子25之不連續分佈，可使人射光u 在第光吸收層231與第二光吸收層232之間進行反娜从吗，藉以增 加入射光L2在第-光吸收層231及第二光吸收層232之間的行徑路線。 本實施例與刚述第一較佳實施例最大的差異在於第一較佳實施例的堆疊 形成順序為基板u、前電極層12、第—光吸收層m、第二光吸收層132 與背電極層Μ ’本實施例的堆疊形成順序則為基板2卜背電極層Μ、第 二光吸收層232 '第-光吸收層231與前電極層22，且本實施例為可減少 電流自前電極層22經第二線槽G2導通至複數個不透明高反射粒子乃所 產^之電流短路的現象。至於本實施例中的具有不透明高反射粒子之薄膜 太陽能電池2GG之其鱗徵則如前料—較佳實施例所述。 、請繼續參考第4圖，係本發明提出之第三較佳實施例，為一種具有不 透明高反射粒子之薄膜太陽能電池之_方法之流程圖，此製作方法包 201031004 ' 括： ⑴提供一基板31(步驟301); (2) 形成一前電極層32於基板31上(步驟3〇2); (3) 形成複數個第一線槽G1於前電極層32間(步驟3〇2); (4) 形成一第一光吸收層331於前電極層32上(步驟3〇3); (5) 在第一光吸收層331上以物理鍍膜方式製備，例如蒸鍍或濺鍍，以 形成複數個呈現不連續分佈且使用具有較佳導電性之材質之不透明高 反射粒子35，其中以銀或鋁等金屬材質為較佳(步驟3〇4); (6) 形成一第二光吸收層332於上述之複數個不透明高反射粒子35上 W (步驟 305); (7) 形成複數個第二線槽G2於第二光吸收層332至第一光吸收層331 間(步驟305); ⑻形成一背電極層34於第二光吸收層332上(步驟306);以及 (9)形成複數個第三線槽G3於背電極層34至第一光吸收層331間(步 驟 306)。 本發明之製作方法’主要是利用銀或鋁等金屬藉由蒸鍍或濺鍍等物理 鑛膜方式，使用機台鍍製成一顆顆之不透明高反射粒子35。重要的是，可 ® 較先前技術在製程上減少一道雷射步驟，故可達到降低製作成本與減少電 流短路之目的。此外，若要以更簡易之方式製造本發明之不透明高反射粒 子35，亦可直接採用市售的奈米銀粒子製造之，因為市售的奈米銀粒子之 形式為將奈米銀粒子分布在溶液中，故可藉由塗佈等方式使奈米銀粒子分 散在第一光吸收層331上，再藉由加熱等方式使溶液揮發，之後會有不透 明高反射粒子35產生在第一光吸收層331上。至於本實施例中的具有不 透明高反射粒子之薄膜太陽能電池300之其他特徵則如前述第—較佳實施 例所述。 11 201031004 清繼續參考第5 ® ’係本發明提出之第四較佳實施例，為另一種具有 不透明高反躲子之細太陽能電池之製財法之雜圖，此製作方法包 括： (1) 提供一基板41(步驟401); (2) 形成一背電極層44於基板41上(步驟4〇2); (3) 形成複數個第一線槽G1於背電極層44間(步驟402); (4) 形成一第二光吸收層432於背電極層私上(步驟4〇3);
(5) 在第二光吸收層432上以物理鍍膜方式製備，例如蒸鍍或滅鍵，以 形成複數個呈現不連續分佈且伽具有較料雜之材質之不透明高 反射粒子45，其中以銀或!g等金屬材質為較佳(步驟4〇4); (6) 形成一第一光吸收層431於上述之複數個不透明高反射粒子45上 (步驟405); ⑺形成複數個第二線槽G2於第-光吸收層431至第二光吸收層432 間(步驟405); ⑻形成一前電極層42於第-光吸收層431上(步驟4〇6);以及 (9)形成複數個第三線槽G3於前電極層42至第二光吸收層斯 驟 306、。 本發明之製作方法’主妓_銀或料金制由紐錢鍍等物理 麵方式，使關台鍵製成—顆顆之不透明高反射粒子…重要的是，可 較先前技術在餘上齡—道雷射_，故可賴祕製作縣與減 流短路之目的。此外，若扣更㈣之方式製造不義高反錄子45，亦 :直接_料的絲錄子製造之，因為市售的絲絲子之形式為將 不未銀粒子分布在溶液中’故可藉由塗鮮方式使奈祕好之分 w權卿#，術林透明高反 產生在第—光吸收層432上。至於本實施例中的具有不 反射粒子之_太陽能電池4⑻之其他特徵壯前述第二較佳實施例: 12 201031004 述ο 以上所述僅為本發明之較佳實施例，並非用以限定本發明之申請專利 權利；同時以上的描述，對於熟知本技術領域之專門人士應可明瞭及實 施，因此其他未脫離本發明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均 應包含在申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 第1Α圖為一薄膜太陽能電池之先前技術。 ® 第1Β圖為一薄膜太陽能電池之先前技術。 第2Α圖為一侧視圖，係根據本發明提供之第一較佳實施例，為—種具 有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池。 第2Β圖為一侧視圖，係根據本發明提供之第一較佳實施例，為—種具 有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池中第一光吸收層及第二光吸收層 之間光反射之行徑路線。 第2C圖為一側視圖，係根據本發明提供之第一較佳實施例，為一種具 有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池内電流之行徑路線。 參 第3 圖為-側視圖，係根據本發明提供之第二較佳實施例，為另一種 具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池。 第4圖為一流程圖，係根據本發明提供之第三較佳實施例，為一種具 有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池之製作方法。 第5圖為一流程圖，係根據本發明提供之第四較佳實施例，為另一種 具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池之製作方法。 【主要元件符號說明】 介質層(先前技術） 51、8 斷路線槽(先前技術） 13 201031004 第一光吸收層(先前技術） 2 第二光吸收層(先前技術） 3 第二線槽(先前技術） 9 薄膜太陽能電池 100、200、300、400 基板 11 > 21 ' 31 ' 41 前電極層 12、22、32、42 第一光吸收層 131 ' 231 ' 331 ' 431 第二光吸收層 132、232、332、432 背電極層 14、24、34、44 ® 不透明高反射粒子 15、25、35、45 入射光 U、L2 反射 Rll ' R12 ' R21 ' R22 光進入方向 11 ' 12 第一線槽 G1 第二線槽 G2 第三線槽 G3 電流路徑 E、E1 14
Claims (1)
- 201031004 • 七、申請專利範圍： =具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池，至少依序包括一基板、 電極層帛光吸收層、一第二光吸收層與一背電極層，立特徵 在於： 一 在該第-光吸收層與該第二光吸收層之間設有複數個不透明之高反射 粒子’彼此呈不連續分佈且使用具有較佳導電性之材質， 當入射光接觸該等不透明高反射粒子之表面時，可將入射光在該第一光 吸收層與該第二光吸收層之間進行反射，以增加入射光在該第一光吸收 層及第二光吸收層之間的行經路線。 .依據中4補範㈣丨項之具有不_高反雜子之薄膜太陽能電池， 其中該材質係以銀或鋁為較佳。 3. 依射請專利制第丨項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池， 其中該等不透明高反射粒子之粒徑係小於300奈米。 4. 依據申„月專利範圍第i項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池， 其中該等不冑反射粒？之粒彳轉、相等。 5. 依據申請專利範圍第i項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池， 其中邊等不透明高反射粒子之粒徑係不相等。 ❷ 6.依據巾請專繼Ml項之具林義高反射粒子之薄膜太陽能電池， 其中該等不透明高反射粒子之間距係相等。 7. 依據申請專利範圍第i項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池， 其中該等不透明高反射粒子之間距係不相等。 8. 依據㈣專利範圍帛丨項之具有不透明高反射粒子之細太陽能電池， 其中該等不制❺反射粒子之形狀顧自於由球狀方塊狀多邊形狀 及不規則狀之其中的—者或其組合。 9. 依據申請專利範圍第i項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池， 其中該第-光吸收層與該第二光吸收層具有能隙梯度範圍係介於 〇·5〜2eV之間。 15 201031004 10· —種具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池至少依序包括一基板、 -背電極層、-第二光吸收層、—第—光吸收層與—前電極層^特徵 在於： ' 在該第二光吸收層與該第-光吸收層之間設有複數個不透明之高反射 粒子，彼此呈不連續分佈且使用具有較佳導電性之材質， 當入射光接觸該等不透明高反射粒子之表面時，可將入射光在該第一 光吸收層触第二光做層之騎行反射，明加人射光在該第一光 吸收層及第二光吸收層之間的行經路線。 u.依據申請專利範圍第項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 池，其中該材質係以銀或鋁為較佳。 12.依據申請專利範圍第1〇項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 池，其中該等不透明高反射粒子之粒徑係小於300奈米。 B.依據專利範g第1G項之具有不透明高反雜子之薄膜太陽能電 池’其中該等不翻高反綠子之雜係相等。 依據巾專利範圍第1G項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 池’其中該等不_高反雜子之粒徑係不相等。 15. 依據申請專利範圍第1〇項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 ® 池’其中該等不透明高反射粒子之間距係相等。 16. 依據申請專利範圍第10項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 池其中該等不透明高反射粒子之間距係不相等。 17·依射請柄範_ _之具林咖高反齡仅賴太陽能電 池其中該等不透明兩反射粒子之形狀係選自於由雜方塊狀多邊 形狀及不規則狀之其中的一者或其組合。 IS.依據申叫專利範圍第1〇項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電 池其中該第-光吸收層與該第二光吸收層具有能隙梯度範圍係介於 0.5〜2eV之間。 16 201031004 I9. -種具林透明高反雜子之馳太雜電池之製作方法，包括： 提供一基板； 形成一前電極層於該基板上； 形成複數個第一線槽於該前電極層間； 形成一第一光吸收層於該前電極層上； 在邊第-光靴層上以物理鑛方式㈣⑽成概健現不連續 分佈且使用具有較佳導電性之材f之不透明高反射粒子； 形成一第二光吸收層於該等不透明高反射粒子上； 形成複數個第二線槽於該第二光吸收層至該第-光吸收層間； m 形成一背電極層於該第二光吸收層上；以及 形成複數個第三_於該背電極層至該第—光吸收層間。 2〇.依據申清專利範圍第I9項之具有不透明高反練子之薄膜太陽能電池 之製作方法’其中該材質係以銀雜為較佳。 21. 依據申請專利範圍第19項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 之製作方法’其中該等不透明高反射粒子之粒徑係小於卿奈米。 22. 依據申請專利範圍第19項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 之製作方法’其巾該等不翻高反雜子之粒徑係相等。 © 23.依據中請專利範圍第19項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 之製作方法’其中該等不透明高反射粒子之粒徑係不相等。 24. 依據申請專利範圍第19項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 之製作方法’其中該等不透明高反射粒子之赃係相等。 25. 依據申請專利範圍第19項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 之製作方法’其中鱗不透明高反射粒子之間距係不相等。 26. 依據申请專職圍第19項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 之製作方法，其巾料不翻高反雜子之形狀係選自於由雜、方塊 狀、多邊形狀及不規則狀之其中的一者或其組合。 17 201031004 27. 依據申請專利範圍第19項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 之製作方法’其中該第一光吸收層與該第二光吸收層具有能隙梯度範圍 係介於0.5〜2eV之間。 28. —種具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池之製作方法，包括： 提供一基板； 形成一背電極層於該基板上； 形成複數個第一線槽於該背電極層間； 形成一第二光吸收層於該背電極層上； • =該第二光吸收層上以物理鍍膜方式製備，以形成複數個呈現不連續 分佈且使用具有較料電性之材質之不透明高反射粒子； 形成一第一光吸收層於該等不透明高反射粒子上； $成複數個第二線槽於該第—歧收層至該第二光吸收層間； 形成-前電極層於該第一光吸收層上；以及 29 複數個第三線槽於該前電極層至該第二紐收層間。 之製2專概圍第28項之具高反躲子之薄社陽能電池 利Γ該材M以銀或銘為較佳。 ❹ 之製作方、本圍第28項之具有不透明高反射粒子之薄媒太陽能電池 31. 32. 依據申於專刺^中該等不透明高反射粒子之粒徑係小於300奈米。 之製作二，有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 依據申請專反練仅雜係相等。 之製作方法，装“绝 有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 33 .依據申扣舰 对明高反射粒子之粒徑係不相等。 之製作方法，項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 34·依據申請專利範明高反射粒子之間距係相等。 之製作方法，項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 等不翻高反她子之間距係不相等。 18 201031004 35. 依據申請專利範圍第28項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 之製作方法’其中該等不透明高反射粒子之形狀係選自於由球狀、方塊 狀、多邊形狀及不規則狀之其中的一者或其組合。 36. 依據申請專利範圍第28項之具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池 之製作方法，其中該第一光吸收層與該第二光吸收層具有能隙梯度範圍 係介於0.5〜2eV之間。❷ 19
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