TW201009829A - Optical recording medium, optical recording medium recording/reproduction method, and recording/reproduction device - Google Patents

Description

201009829 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具備有可從如DVD-R等之單面侧照射雷射 光而執行資訊之記錄或重製之複數記錄層的光記錄媒體、光 記錄媒體之記錄重製方法及光記錄媒體之記錄重製裝置。 【先前技術】 i前，CD-R、CD-RW、M0等各種光記錄媒體，因為可記憶 大容量的資訊，並可輕易地隨機存取，因此普遍廣泛地認知 為如電腦之類的資訊處理裝置之外部記憶裝置。此種光記錄 媒體中，隨處理資訊量的增加，其記憶密度之提升受到期待。 在各種光記錄媒體中，CD-R、DVD-R、DVD+R等具有含有 機色素之記錄層（亦稱「含色素記錄層」）的光記錄媒體（光 碟），因為價格較低廉，且與重製專用光碟間具有互換性， 因此特別廣泛地被使用。 其中—例為，具有含色素記錄層的光碟之代表性CD〜R等 媒體，係在透明碟片基板上依序具有含色素記錄層與反射 層並具有覆蓋著該等含色素記錄層與反射層之保護層的層 積構造，利用通過基板的雷射光執行記錄•重製。 再者，同樣具代表性的單面型DVD_R係在第丨透明碟片義 板上，依序具有含色素記錄層、反射層、覆蓋著該等的保護 層，再於保護層上隔著（或未隔著）接著層，在第2碟片基板 (可為透明，亦可為不透明）上形成反射層之設置所謂「虛擬 TF988406 201009829 光碟（dummy disk)的層積構造，利用通過第j透明碟片基板 且來自單面側的f射光執行記錄•再生。虛擬光碟有僅為透 明或不透明㈣片基板之情況，㈣設置反射層料之層的 ，情況。另外，DV㈣乃因為大致與麵一R為相同構造，因而 以DVD-R說明為代表。 又，為了將光記錄媒體的記錄容量更大容量化，已知亦有 將如上述的單面型DVD—R進行貼合而作成具有2個記錄層的 ❼媒體，從雙面側對各記錄層照射雷射光而執行記錄•重製 (即’從媒叙騎雷㈣，以執行接近此—面側之 記錄層的記錄•重製，另外從媒體另一面側照射雷射光，以 執行接近此另-面侧之記錄層的記錄•重製）的雙 DVD-R。 此外，亦廣泛地使用如CD_RW、__RW等之類，具相變化 型記錄媒體的光記錄媒體（光碟）。一般而言，具相變化型呓 錄層的可重寫型光記錄媒體，係在記錄層上下設置保護層°。 但是，近年則期待實現於具複數記錄層的光記錄媒體中， 為使記錄重製裝置不致大魏、複雜，而且可執行橫 數記錄層的連續重製，同時從單面側照射雷射光便可對今等 複數記錄層執行記錄•重製的單面入射型光碟記錄媒體(:. 單面入射型DVD-Rh · 因此’例如具下述構造的單面入射型光記錄媒體，便有提 案如具2個記錄層的雙層式（㈣layer加）單面入射型 TF988406 5 201009829 DVD-R(例如參照日本專利特開平叫⑽咖號公報）。 例如’雙層式單面入射型係在第以光性基板上， 依序層積著：由經過記_雷射光的崎便可絲性地記錄 資訊的有機色素所構成之第丨記錄層；由可穿透過部分重製 用雷射光的半透紐反射_構成的第丨反射層；對記錄用 雷射光與重製用雷射光具透光性的巾間層；由經過記錄用雷 射光的照射便可光學性地記錄資訊的有機色素所構成之第 2記錄層；將重製用雷射光μ反射的第2反射層；以及第 2透光性基板而構成。 但是’例如雙層式單面人㈣.R等具複數記錄層的單 面入射型光記錄媒體，在每個記錄層中，將發生如記錄脈衝 策略（recording pulse strategy)(記錄策略、寫入策略）、 記錄功率、重製功料最佳記錄重製條件大幅不同的狀況。 因此’在對具複數記錄層的單面入射型光記錄媒體之各記 錄層執行資訊之記錄或重製的記錄重製裝置_，便使其對應 s己錄層可切換如記錄脈衝策略、記錄功率、重製功率等—己錄 重製條件，俾能正確且確實地執行資訊之記錄或重製。 特別係在記錄重製裝置設定為對各個光記錄媒體的記錄 層進行隨機存取，以執行資訊之記錄或重製方面，需要使其 可對應記錄層進行瞬間切換記錄重製條件。 再者，例如橫跨複數記錄層而連續賦予位址資訊，在記錄 重製裝置中，雖可考慮根據所讀出位址資訊而判斷屬於哪一 TF988406 6 201009829 層，但是此法頗難瞬間判斷到底是屬於哪一層。 【發明内容】

本發明乃有鑑於上述此類問題而提出者，其目的在於提供 -種光記錄賴、光記錄媒體之記錄重製方法、以及光記錄 媒體之記錄重H置’係在從單面顯射#射絲對複數記 錄層執打資訊之記錄或4製的光記錄雜中，可配合欲執行 貧訊的兄錄或重製之記錄層，瞬間切換如記錄脈衝策略、記 錄功率、重製功率等記錄重製條件。 ° 再者，本發明之目的為，在從單面側照射雷射光而對複數 記錄層執行資訊之記錄或重製的光記錄媒體中，利用配合欲 執行資訊之記錄或重製的記錄層之減謂條件（如·循執 極性、記錄脈㈣略、記錄功率、重製功料），正確且確 實地執行資訊的記錄或重製。 緣是，本發明的光記錄媒體之記錄重製方法係包八 層資訊讀出步驟’控制部可利用來自單面側的雷 = 執行資訊之記錄或重製的複數記錄層，由 对而 分層資訊的光崎顧其巾之—記錄層，料^層^ 及記錄控制步驟，控制部批制士，、,Λ沾、 曰貝"凡，从 4 4控制以根齡層#訊 錄層所對應的記錄絲條件來執行記錄·、之d 最好包含有㈣部❹光記錄制巾所㈣ 之§己錄重製斜的記錄重製條件讀$步驟。 、、 本發明的光記錄顧之記錄重製裝置係具財：可利用來 TF988406 7 201009829 自單面侧的雷射光騎*執行資訊之記錄 錄層，由記錄著各記錄層之分層資訊的光記錄媒=複數記 記錄層’讀出分層資訊的分層資訊讀出部；、中之一 層資訊而狀之記錄層所對應的記㈣製條根據分 或重製之方式進行控制的記錄控制部。 行。己錄 最好具備有讀出光記錄媒體中所記錄之各 重製條件的記錄重製條件讀出部。 5、亲層之記錄 本發明之光記錄媒體，係利用申請專利範圍第 錄媒體之記錄重製方法而執行記錄或重製的光記錄媒體，: 備有：可經由來自單關的雷射光崎而執行資訊之記㈣ 重製的複數記錄層，並在各記錄層中分別記錄著分層資訊。 分層資訊最好設定為記錄於各記錄層大輕面^特別以 分層資訊狀為當作位址資訊之其巾—部份*記錄著之情 況為佳。 再者，分層資訊最好在各記錄層中，利用使位址資訊中所 含之保留位元（reserve bit)值不同而記錄。 再者，在複數記錄層中相鄰的2個記錄層之中，最好利用 使位址資訊中所含之sync型樣反轉，而記錄分層資訊。 再者，在複數記錄層中相鄰的2個記錄層之中，最好利用 使位址資§fl最上位位元反轉、或使一個記錄層的整體位址資 訊進行位元反轉、抑或將一個記錄層的整體位址資訊利用2 之補數表示的任一方法，記錄著分層資訊。 TF988406 201009829 再者，複數記錄層最好具有2個記錄層。 最好記錄著各記錄層之記錄重製:件的至少一個。 再者’記錄重製條件係設定為含猶執資訊。 再者記錄重製條件最好包含有記錄脈衝策略及/或記錄 建議功率。 再者’記錄重製條件最好記躲各記錄層巾最接近雷射光 入射側之層中。 ® 騎’最好各記錄層係為含色素之記錄層。 所以’依照本發明的光記錄媒體、光記錄媒體之記錄重製 方法、及光§己錄媒體之記錄重製裝置的話，具有配合欲執行 資訊之記錄或重製的記錄層，可瞬間切換如記錄脈衝策略、 記錄功率、重製功率等記錄重製條件的優點。 此外’亦具有以欲執行資訊之記錄或重製的記錄層所斟應 的兄錄重製條件（如：循軌極性、記錄脈衝策略、記錄功率、 ❹重製功率等）而正確且確實地執行資訊之記錄或重製的優 點。 【實施方式】 以下利用圖式，針對本發明實施形態的光記錄媒體（單寫 式光記錄媒體）、光記錄媒體之記錄重製方法、及光記錄媒 體之記錄重製裝置，參照圖卜圖6進行說明。 本實施形態的光記錄媒體，係為具有複數記錄層，並可利 用從單面側照射光（雷射光）而對各個記錄層執行資訊的記 TF988406 9 201009829 錄或重製的單面入射型光記錄媒體。 本實施形態中，簞面, 射里光記錄媒體（單面入射型 DVD-R)係以例如具右9細 、 個5己錄層的雙層式單面入射型 DVD-R(單寫式光記錄媒體）為例進行說明。 (1)光記錄媒體之構造 首先’作為本實施形態的光記錄媒體，係針對層積構造不 同的2種形式之光記錄媒體（光碟）進行說明。 (Α)形式1 圖1所示係本實施形態的光記錄媒體（形式1，層積型單 面入射型光記錄媒體）的示意剖視圖。 本實施形_形式1之光記錄媒體，係在雜透明（光穿 透f生）的第1基板（第1個基板，第丨光穿透性基板Μ上， 依序具有：含色素的第1記錄層（第1個記錄層第工含色素 記錄層）2、半透明的第1反射層（以下亦稱「半透明反射 層」）3、中間樹脂層（中間層）4、含色素的第2記錄層（第2 個記錄層，第2含色素記錄層）5、第2反射層6、接著層7、 第2基板（第2個基板）8。光束係從第丨基板⑽照射，成 進行記錄或重製。 另外’在本實施形態中，所謂「透明（具光穿透性）」係指 對光記錄媒體之記錄或重製中所使用的光束而言屬於透明 (具光穿透性）。此外，屬於透明（絲穿透性）之層，亦包含 吸收少許記錄或重製中所使用之光束者。例如針對吃錄或重 TF988406 10 201009829 製中所使用光束之波長’若具50%以上（最好為6〇%以上）之 穿透性的話’實質上便視為具光穿透性（屬於透明）者 在透明的第1基板1、中間樹脂層4上，分別形成凹凸（訊 號面（land)與溝槽（groove))，利用凹部及/或凸部構成纪錄 執道。其中，透明的第1基板丨上之記錄轨道u係由 基板1之溝部（即，相對於光入射方向之凸部）所構成。中間 樹脂層4上的記錄執道12亦是由中間樹脂層4之溝部（即， 參相對於光入射方向之凸部）所構成4外，記錄執道u、12 可由相對於光入射方向之凹部所構成，亦可由相對於光入射 方向之凹部與凸部雙方所構成，但是一般最好由相對於光入 射方向之凸部所構成。在無特別限制的前提下，在本發明 中’凹凸乃相對於記錄或重製中所使用光的入射方向而定 義。 該等記錄執道 你依既定振幅、既定頻率，僅朝半 徑方向蛇行（將此稱為「擺動（w_e)」）。此外，在記錄軌 道1卜12間的訊號面中，形成依循某種規則的獨立凹坑（位 址凹，）（將此稱為「訊號面預刻凹坑(Land Pre Pit，LPP)」）’利用此訊號面預刻凹坑而預先記錄著位 址資訊。另外，因應其他需要亦有具凹凸坑（預刻凹坑）的产 況。此外’亦可使擺叙古A g絲丄、 動方向反轉、或調變頻率而記錄資句。 其次，針對各層進行說明。 (a)關於第1基板1 TF988406 11 201009829 第1基板1最好除透明之外’尚有複折射率小等優越光學 特性。此外，最好具㈣射出成形等優越成形性。而且吸满 性較小的話’便可降低翹曲等現象，故較佳。 再者，光記錄媒體最好為具有某程度剛性之具備形狀安定 性者。其中，第2基板8 :¾'具備充分的形狀安定性，第1 基板1的形狀安定性便可不需太大。 此種材料可使用由如：丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹 脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴系樹脂（特別係非晶質聚烯烴）、 聚酯系樹脂、聚苯乙烯樹脂、環氧樹脂等樹脂所構成，或由 玻璃所構成者。或者，第1基板1亦可由複數層所構成，例 如亦可使用在玻璃或樹脂等基體上，設置由光硬化樹脂等放 射線硬化樹脂所構成的樹脂層者等。另外，所謂「放射線」 係指光（紫外線、可見光線、紅外線等）、電子束等的總稱。 另外’從光學特性、成形性等高生產性、成本、低吸濕性、 形狀安定性等觀點而言，最好為聚碳酸酯。從财藥品性、低 吸濕性等觀點而言，最好為非晶質聚烯烴。此外，從快速響 應性等觀點而言，最好為玻璃基板。 第1基板1係越薄越好’通常厚度最好在2麵以下，尤以 在1mm以下為佳。此乃因為物鏡與記錄層間之距離越小，且 基板越薄的話’有慧形像差（coma aberration)變小的傾 向，且較容易提昇記錄密度的緣故。其中，為充分獲得光學 特性、吸濕性、成形性、形狀安定性，需要某程度的厚度， TF988406 12 201009829 通常最好在10 " 从111 u上’尤以在30；αιη以上為佳。 在本光記錄媒辨^ 二者均"心為對第1記錄層2與第2記錄層5 样心b (也執行記錄或重製，最好適當調整物鏡與一記 錄層間的距離。你u 兄興一。己 間地點，便較以Γ將物織點歧為二記錄層之大致中 具體伽^ 記錄層進行存取，因而屬較佳狀態。 、 的話，在dvd-rom、dvd-r系統中，當基板厚产 0.6mm時，將物田丞板厚度 ❹ 、 綫與記錄層間之距離調整為最適當狀態。 其在本層構造中，當互換的情況時，第1 土之厚度最好為從〇· 6mm減去中間樹脂層4膜厚的二分 之的度。ith Η主 f ’二記錄層之大致中間地點約為0· 6mm， 記錄層附加聚㈣服(f魏贿〇)。 在/ 2記錄層5與第1反射層3之間具有缓衝層 i盘中;樹^層之情況時，厚度最好為從〇麵減去該等 曰”中間樹月曰層4獏厚之和的二分之一。 在第1基板1 Φ 甲，凹凸係設計成螺旋狀或同心圓狀，並形 將〜Γ號面。通常’將該等溝及/或訊號面當作記錄軌道， 錄或重製於第1記錄層2中。當對波長650nm之雷 射利用開口數0 R s Λ .至0·65之物鏡進行聚光，並執行記錄或 係乂余1°胃DVD~R光碟的情況時，通常因為第1記錄層2 ..方式形成，因此溝部將形成厚膜狀態，而適於記錄 欢4里。 在本光記錄媒體中，第1基板1之溝部（即，相對於光入 TF988406 13 201009829 射方向之凸部）最好設定為記錄執道u。在此，將凹部凸 部稱為分別相對於光入射方向的凹部、凸部。通常，溝寬卢 為50〜500nm程度，溝深度為10〜25〇nm程度。此外，當記^ 執道屬於螺旋狀之情況時，執距最好為〇1〜2.〇wm^度。 配合其他需要，亦可具有訊號面預刻凹坑等的凹凸坑。 具此種凹凸的基板，從成本觀點而言，最好從具凹凸的打 印機（stamper)利用射出成形而進行製造。當在破璃等基體 上設置由光硬化樹脂等放射線硬化樹脂所構成的樹脂層之 情況’亦可在樹脂層中形成記錄轨道等凹凸。 (b)關於第1記錄層2 第1記錄層2 ’通常與單面型記錄媒體（如：CD R、⑽d_r、 DVD+R)等所使用之記錄層相同程度的感度。 再者，為了實現良好記錄重製特性，最好為低散熱且高折 射率的色素。 再者，在第1記錄層2與第1反射層3的組合中，最好將 光反射、穿透及吸收設定於適當範圍。可提高記錄感度，並 可減小記錄時的熱干擾。 此種有機色素材料可舉例如：大環狀氮雜環烯（annu丨ene) 系色素（献青（phthalocyanine)色素、萘青 (naphthalocyanine)色素、卟啉（porphyrin)色素等）、吡咯 次甲基（pyrromethine)系色素、聚曱炔（p〇iymethine)系色 素（赛安寧（cyanine)色素、部花青（merocyanine)色素、角 TF988406 14 201009829 鯊鑌（squalelium)色素等）、蒽醌系色素、甘菊藍鐵 (azulenium)系色素、含金屬偶氮系色素、含金屬靛苯胺 (i ndoan i 1 i ne)系色素等。 在上述各種有機色素中，含金屬偶氮系色素因為記錄感度 優越’且耐久性、耐光性優越，因而屬較佳者。特別以下示 一般式（I)或（Π )所示化合物為佳。

(環A與A係為可各自獨立具有取代基的含氤芳香族複數 環’環B1與B2係為可各自獨立具有取代基的芳香族環。X 係由至少2個氟原子取代的碳數1〜6之烷基。） 本光記錄媒體之記錄層中所使用的有機色素，最好在 350〜900nm程度的可見光〜近紅外光區域中具有最大吸收波 長A max，且為適於藍色〜近微波雷射之記錄的色素化合物。 通常尤以適用於：如CD-R所使用之波長770〜830nm程度之近 紅外雷射（以780nm、830nm等為代表）、DVD-R所使用之波 長620〜690nm程度之紅色雷射（以635nm、650nm、680nm等 為代表）、或者波長410nm或515nm等所謂藍色雷射等之記 錄的色素為佳。 TF988406 15 201009829 色素可僅使用一種，亦可將相同種類或不同種類的色素混 合二種以上合併使用。此外，亦可對上述複數波長的記錄 光，合併使用適用於各種之記錄的色素，而形成能對應利用 複數波長區域之雷射光進行記錄的光記錄媒體。 再者’為了提昇記錄層的安定或耐光性，記錄層可含有過 渡金屬螯合化合物（如：乙醯丙酮螯合物、聯苯基二硫醇、柳 醛肟、雙二硫代-α-二酮等）等作為單電鍵氧消化體（singlet oxygen quencher) ’或為提昇記錄感度而含有金屬系化合物 等記錄感度提昇劑。此處所謂「金屬系化合物」係指過渡金 屬等金屬以原子、離子、團蒸（cluster)等形式含於化合物 中者’可舉例如：乙二胺系錯合物、曱亞胺（az⑽ethine)系 錯合物、笨基經基胺系錯合物、菲淋（phenanthroline)系錯 合物、二羥基偶氮苯系錯合物、二肟系錯合物、亞硝胺基盼 (nitrosoamino phenol)系錯合物、吼变三喷系錯合物、乙 酿丙鲷系錯合物、金屬絡合物（metallocene)系錯合物、外 琳系錯合物之類的有機金屬化合物。金屬原子雖無特別限 定’但是最好為過渡金屬。 再者’在本光記錄媒體的記錄層中，亦可配合需要合併使 用黏合劑、均染劑、消泡劑等。較佳的黏合劑可舉例如：聚 乙烯醇、聚乙烯基吡咯啶酮、硝基纖維素、醋酸纖維素、納 系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、胺基甲酸酯系樹 脂、聚乙烯基丁醛、聚碳酸酯、聚烯烴等。 TF988406 16 201009829 因為記錄層之臈厚係隨記錄方法等而有不同的適當膜 厚，因此並無特別限制，但是為獲得充分的調變度，通常最 好在5mn以上，而以1〇nm以上更佳，又以2〇nm以上特佳。 其中，在本光記錄㈣中，為使㈣度地㈣，需要不致過 厚之情況，因此通常在以下，最好在_以下，尤以 在2〇〇nm以下為佳。記錄層膜厚通常雖在溝部與訊號面各不 同，但是在本光記㈣财，_相料錄板之 • 膜厚。 記錄層之成财法可舉暴：真空諸法、舰法、刮刀 (doctor b丨ade)法、紐法、法、浸潰法等一般所使用 的薄膜成形法，但是從量產性、成本面等觀點而言，以旋塗 法為佳。此外’從獲得厚度均勻之記錄層的觀點而言，真空 蒸鍍法又較塗布法為佳。

田利用方疋塗法進行成膜之情況時，最好旋轉數為 1〇〜15斷⑽，在旋塗後，亦可施行利壯熱或溶劑蒸氣接 觸等的處理。 田利用到刀去、洗注法、旋塗法、浸潰法等塗布方法形成 記錄層之情輯，塗布溶麵要屬於不錢基板之溶劑的話 便可，並無特別限制。可舉例如：二丙酮醇、3_減_3_甲基 :2:丁酮、等_系溶劑；甲基赛珞蘇、乙基賽珞蘇等赛珞 蘇系溶劑；正己燒、正辛燒等鏈狀烴系溶劑；環己烧、甲基 環己烧、乙基環己燒、二曱基環己燒、正丁基環己烧、第三 TF988406 17 201009829 丁基環己烷、環辛烷等環狀烴系溶劑；四氟丙醇、八氣戊醇、 六氟丁醇等全氟烷基醇系溶劑；乳酸甲酯、乳酸乙g旨、2_ 羥基異丁酸曱酯等羥基羧酸酯系溶劑等。 當真空蒸鑛法之情況’例如將有機色素與配合需要而使用 的各種添加劑等記錄層成分’裝入設置於真空容器内的掛銷 中，然後將真空容器内利用適當的真空泵予以排氣至 10_2〜10_5Pa程度之後，加熱坩鍋使記錄層成分蒸發，並蒸鍍 於與坩鍋呈相對方向放置的基板上，藉以形成記錄層。 (c)關於第1反射層3 第1反射層3係具有某程度光穿透率的反射層。即，其係 為記錄重製光的吸收較小，光穿透率在4〇%以上，且具適告 之光反射率（通常為30%以上）的反射層。例如，藉由薄薄地 設置反射率較高之金屬，便可使其具適當地穿透率。此外， 隶好具某程度之耐餘性。另外，最好具有阻斷性，以便不致 因第1反射層3，參出上層（在此指中間樹脂層4)而影響到第 1記錄層2。 為了確保高穿透率，第1反射層3之厚度通常在5〇nm以 下為恰當。在30nm以下更恰當。尤以在25nm以下更佳。但 是’為使第1記錄層2不致受到第1反射層3之上層的影響， 因此需要某程度的厚度，通常設定為3nm以上。尤以5mn 以上為佳。 第1反射層3之材料可使用在重製光波長下反射率呈適當 TF988406 18 201009829 高狀態的材料’例如：、

Ta、Pd、Mg、Se、Hf、v 1、竑、CU、Ti、Cr、、Η、

Ir、Zn、Cd、Ga、ln、Si、 ^、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、 土族金屬等之金屬及半金广、Te、Pb、P〇、Sn、Bi、及稀 使用。其中，因為Au、a卜’可單獨使用’亦可以合金形態 作第1反射層3的材料化的反射率較向，因而適於當 有其他成分。 *、了簡等為主成分之外，亦可含 Ο 其中’就成本低廉的觀點、 古 以Ag為主成分的材料屬特 “乂间的觀點而言， 含有率在_以上者。佳。在此所謂「主成分」係指 若第1反射層3之臈厚偏薄，膜的 為重製雜訊的產生原因，因 用：曰：話’將成 因為純銀具有結晶粒較大的傾向，的材料。 使用。 口而竑最好以合金形態 其中’最好以Ag為主成分，並含有0.卜15原调從… Zn、Cu、Pd、Au及稀土族金屬所構 的元素。當含有 Ti、Zn、Cu、Pd、At''m^_w u及稀土族金屬中之2 種以上的情況’雖分別含G.卜15原子％亦 等總計為0.1〜15原子％。 仁疋最好該 特別佳的合金組成，係以Ag4主成分 原子…、2“""”斤構成組群中至有： 種的元素’且含有仏15原子％的至少1種稀土族元素擇稀 TF988406 201009829 土族金屬中，尤以欽為特別佳。具體而言，可為如：Agpdcu、

AgCuAu、AgCuAuNd、AgCuNd 等。 第1反射層3若為僅由_構成之層的話，結晶粒較小 且_性優越’乃屬_#狀況。以，相較於Ag合金之 下，則屬高單價。 再者’第1反射層3亦可使用由&所構成的層。 亦可使用除金屬之外的材姐^ 材枓’乂又重疊著低折射率薄膜盥 尚折射率薄膜而形成多層膜，當作反射層使用。 形成第1反射層3的方法，可 J舉例如··濺鍍法、離子鍍（i〇n plating)法、化學蒸鍍法、直* 具二蒸鍍法等。此外，在第】 基板1與第1反射層3之間，例如為了提昇反射率、改盖記 錄特性、提昇密接性等，亦 °又置周知的無機系或有機系中 間層或接著層。例如在第1美 接著層）、第靜h 依序層積中間層（或 =乂第1 _2、’間層(或接著朴第i反射層3, 朴在第丨記錄層2與第=之間設置中間層(或接著 著層)。 1反射層3之間設置中間層（或接 (d)關於中間樹脂層4 中間樹脂層4除了需要為读 #、㈠ L 馮透明之外，尚需要可利用凹凸形 成溝或凹坑。此外，若接著 ^ 伐耆力較鬲，硬化接著時的收缩率較 小的話’媒體的形狀安U較高，乃屬較佳狀況。、， 另外，中間樹脂層4最好由不致對第2記錄層5造成損傷 TF988406 20 201009829 的材料所構成。其中’因為中間梏则4通常由樹脂所構 成’因而較易與第2記錄層5相溶，為抑觀種損傷，最好 在二層間設置後述的缓衝層。 此外，中間樹脂層4最好由不致對第！反 的材料所齡射，獅聰，村㈣間設置^ 的緩衝層。

在本光記錄媒體中，最好正確地控制中間樹脂層4之膜 間樹脂層4之膜厚通常以一以上為佳。為了對2 層的§己錄層分別附加聚焦錬，二記錄層之間需要某程度的 距離。雖依聚;|、舰機構而有所不同 一尤…一上為佳一般物:::數要越在二 話有此距離越小越佳的傾向。但是，若過厚的話，在將聚 焦伺服對焦於2層記錄層時頗為耗時，而絲鏡移動距離亦 變長’因而最好避免。此外’因為具有硬化耗時、生產性降 低等問題，因此通常最好在lGG/zm以下。 在中間树月曰層4中’凹凸設計成螺旋狀或同心圓狀，並形 成溝與減面。通常’絲_及/或峨面當作記錄轨道， 將資訊記錄或重製於第2記錄層5中。通常，因為第2記錄 層5係塗布形成’因此溝部將變厚，適於記錄或重製。在本 光記錄媒體中，最好將中間樹脂層4之溝部（即，相對於光 入射方向為凸部）設定為記錄執道12。在此，凹部、凸部係 刀別♦曰相料先人射方向的凹部、凸部。通常，溝寬度在 TF988406 21 201009829 50〜500nm程度，溝深度在10〜25〇nm程度。此外，當記錄執 道為螺旋狀之情況時，軌距最好為〇.卜2. 〇/zm程度。配含 其他需要’亦可具有訊號面預刻凹坑等凹凸坑。 從成本的觀點而言，此種凹凸最好從具凹凸的樹脂打印機 等，轉印於光硬化性樹脂等硬化性樹脂，並硬化而製得。以 下’有將此種方法稱為2P法（Photo Polymerization法， 光聚合法）的情況。 中間樹脂層4之材料可舉例如：熱可塑性樹脂、熱硬化性 树脂、電子束硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂（含延遲硬化 型）等。 熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等係溶解於適當溶劑中並調 衣為塗布液’再將其進行塗布，經乾燥（加熱）後便可形成。 =外線硬化性樹脂則將其直接塗布，或溶解於適當溶劑而調 衣為塗布液之後再塗布此塗布液，並照射紫外絲硬化便可 ❹ 开/成外線硬化性樹脂有各種類，僅要為透明者便可使 用:此外’該特财單獨❹，亦可混合制，亦可非使 用單層而以多層膜型態使用。 ★塗布方絲與記錄層㈣，使峻塗法或姐法等塗布法 ==印編為佳。或者’黏度較高的樹脂亦可 ’ 付布形m線硬化性_旨若使用在 =㈣20〜軟中呈液狀者的話，可於未使㈣劑之情況 、仃塗布’乃屬較佳狀態。此外，最好調製為勒度 TF988406 22 201009829 20〜4000mPa.s 。 再者，紫外線硬化性接著劑有㈣基系紫外線硬化性接著 劑與陽離子系紫外線硬化性接著劑，可使用任何一種。 自由基系紫外線硬化性接著劑可使用周知的所有組成 物，並可使用含有以紫外線硬化性化合物與光聚合起始劑為 必須成分的組成物。紫外線硬化性化合物可使用單官能（曱 基）丙烯酸酯或多官能（甲基）丙烯酸酯為聚合性單體成分。 ❹該等可單獨使用或合併使用2種以上。在此’本發明中將丙 烯酸酯與甲基丙烯酸酯合併稱為（甲基）丙烯酸酯。 本光記錄媒體中可使用的聚合性單體可舉例如下所示。單 官能（甲基）丙烯酸酯可列舉如具下示取代基的（甲基）丙烯 酸酯，取代基有如：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、2-乙 基己基、辛基、壬基、十二基、十六基、十八基、環己基、 苄基、曱氧基乙基、丁氧基乙基、苯氧基乙基、壬基苯氧基 ® 乙基、四氫糠基、縮水甘油基、2-羥基乙基、2-羥基丙基、 3-氯基-2-羥基丙基、二甲胺基乙基、二乙胺乙基、壬基苯 氧基乙基四氫糠基、己内酯改質四氩糠基、異葙基、二環戊 烷基、二環戊烯基、二環戊烯氧基乙基等。 又’多官能（甲基）丙烯酸酯可舉例如：1，3-丁二醇、1,4- 丁一醇、1，5-戊二醇、3-甲基-1，5-戊二醇、1，6一己二醇、 新戊二醇、1，8-辛二醇、1，9-壬二醇、三環癸烷二甲醇、乙 二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、三丙二醇、聚丙二醇 TF988406 23 201009829 等的二（甲基）丙烯酸酯；三（2-羥乙基）異氰酸酯等的二（甲 基）丙婦酸酯，在新戍二醇1莫耳中加成4莫耳以上的環氧 乙燒或％氧丙燒而獲得之二醇的二（甲基）丙埽酸自旨；在雙紛 A1莫耳中加成2莫耳的環氧乙烷或環氧丙烷而獲得之二醇 的二（甲基）丙烯醆酯；在三羥曱基丙烷1莫耳中加成3莫耳 以上之環氧乙燒或環氧丙炫而獲得之三醇的二或三（曱基） 丙烯酸酯；在雙酚A1莫耳中加成4莫耳以上之環氧乙烧或 環氧丙烧而獲得之二醇的二（甲基）丙稀酸醋；三經曱基丙烧 三（曱基）丙稀酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四 醇之聚（曱基）丙稀酸g旨、環氧乙烧改質鱗酸（甲基）丙稀酸 酯、環氧乙烷改質烷化磷酸（甲基）丙烯酸酯等。 再者，可同時與聚合性單體併用者，有如：聚醋（曱基）丙 烯酸酯、聚醚（曱基）丙烯酸酯、（曱基）丙烯酸環氧酯、胺基 曱酸酯（曱基）丙稀酸酯等聚合性寡聚物。 再者，本光記錄媒體中所使用的光聚合起始劑，可使用以 所使用之聚合性寡聚物及/或聚合性單體為代表的紫外線硬 化性化合物能硬化的周知任何化合物。光聚合起始劑則以分 子開裂型或脫氫型者較適於本光記錄媒體。 此種的例子可適當地使用：苯偶姻異丁醚、2, 4-二乙基 氧一本弁硫旅畴、2_異丙基氧二苯并硫娘喃、节義 2, 4, 6-三曱基苯曱醯二苯基氧化膦、2-苄基-2-二甲基胺基 -1-(4-咪啉苯）-丁 -1-酮、雙（2, 6-二甲氧基苯甲酿 TF988406 24 201009829 基）-2, 4, 4-二甲基戊基氧化膦等；此外，亦可併用該等之外 的分子開裂型光聚合起始劑，如：卜經基環己基苯嗣、苯偶 姻乙醚、苄基二曱基酮縮醇、2_羥基_2_甲基一卜苯基丙一工〜 酮、1-(4-異丙基苯基）一2_羥基_2_曱基丙一卜酮及2_曱基 -1-(4-曱基硫代苯基）-2-咪啉基丙_；i_酮等，另外亦可併用 脫氫型光聚合起始劑，如：二苯基酮、4_笨基二笨基酮、異 二苯酞、4-苯曱醯基-4，-甲基-二苯基硫等。 β S者’對光聚合起始劑的增感劑，可併用如：三甲胺、甲 基二甲醇胺、三乙醇胺、對二乙胺基苯乙酮、對二甲胺基苯 甲酸乙酯、對二曱胺基苯曱酸異戊酯、Ν，Ν-二曱基苄胺、及 4,4 -雙（二乙基胺基）二苯基酮等之不致與上述聚合性成分 發生加成反應的胺類。當然，上述光聚合起始劑或增感劑， 最好選擇對紫外線硬化性化合物的溶解性優越，且不阻礙紫 外線穿透性者。 者’陽離子系紫外線硬化性接著劑可使用周知之所有組 成物，含陽離子聚合型光起始劑的環氧樹脂即屬於其中之 一。陽離子聚合型光起始劑有如：锍鹽、碘鏽鹽、及重氮鹽 (diazonium salt)等。 碘鑌鹽之一例係如下所示。可列舉如：二苯基碘鏽六氟磷 酸鹽、一笨基碘鏽六氟銻酸鹽、二苯基碘鏽四氟硼酸鹽、二 苯基碘鏽四（五氟苯基）硼酸鹽、雙（十二基苯基）碘鑌六氟磷 酸鹽、雙（十二基苯基）碘鏽六氟銻酸鹽、雙（十二基苯基） TF988406 25 201009829 、翁四氟爛⑽、雙（十二基苯基）蛾鑌四（五氟苯基）蝴酸 曱基笨基-4-(1-甲基乙基）笨基碘鑌六氟磷酸鹽、 甲基苯基-4-(卜甲基乙基）苯基碘鏘六氟銻酸鹽、扣曱基笨 (1甲基乙基）笨基破鏽四氟棚酸鹽、4_曱基笨基 4 (1-甲基乙基）苯基碘鏘四（五氟苯基）硼酸鹽等。 環氧樹脂可為如：雙紛A-表氣醇型、脂環式環氧、長鏈 月曰肪族型、溴化環氧樹脂、縮水甘油酯型、縮水甘油醚型、 雜％系等各種化合物的任一種。 %氧樹脂為不對反射層造成損傷，最好使用游離的自由氯 與氯離子含有率較少者。氯量最好在1重量％以下，尤以在 〇. 5重量％以下為佳。 陽離子型紫外線硬化性樹脂每100重量份的陽離子聚合 型光起始劑比率，通常為〇.卜2〇重量份，最好為〇 2~5重 量份。另外，為了更有效利用紫外線光源波長區域的近紫外 區域或可見光區域的波長，可併用周知的光增感劑。此時的 光增感劑可舉例如：蒽、啡噻畊、苄基甲基酮縮醇、二苯基 酮、苯乙酮等。 再者，在紫外線硬化性接著劑中，亦可配合需要，於改良 各種特性之目的下調配其他添加劑，如：熱聚合禁止劑、受 阻酚（hindered phenol)、受阻胺、亞磷酸鹽等所代表的抗 氧化劑；可塑劑；及環氧矽烷、硫醇矽烷、（曱基）丙烯酸矽 烷等所代表的矽烷偶合劑等等。該等係選擇對紫外線硬化性 TF988406 201009829 化合物的溶解性優越，且不阻礙紫外線穿透性者而使用。 (e)關於第2記錄層5 第2記錄層5通常較單面型記錄媒體(如:㈣、_-卜 DV_等所使㈣記騎具更域度。在本光記錄媒體中， 因為所入射光束的功率相第1記錄層2或第丨反射層3 的存在等喊少，約-半鱗錢祕記錄^ 需要較高感度。 現良好的記錄重製特性’最好屬於低發熱且高 折射率的色素。 此外，在第2記錄層5與第2反射層6之組合中，最 光之反射與吸收設定於適當範圍内。可提高記錄感度， 減小記錄時的熱干擾。 相關第2記錄層5之材料、 、 記錄層2中所說明相同 因為大致與第1 因為第2記__^僅就不同點進行說明。 厚，因此並無特別限制己錄方法等而有不同之適當膜 好在應心上為賴紐_黯，通常最 特佳。但*，為了獲得tl 為佳，又以在5Qnm以上 適备反射率需要不過厚， 3/zm以下，最好在1 、 四旳通常在 第1記錄層2與第2記J尤以在2QQnm以下為佳。 料，亦可為不同材料。’' θ 5所使㈣材料可為相同材 (ί)關於第2反射層6 TF988406 27 201009829 第2反射層6需要具高反射率。此外，最好具高对久性。 為確保高反射率，第2反射層6之厚度通常以2〇nm以上 較適當。尤以在3〇nm以上更為恰當。更以在5〇nm以上為佳。 但是，為縮短生產之工作時間並降低成本，最好具某程度的 薄度，通常設定為400nm以下。尤以在300nm以下更佳。 第2反射層6之材料係為在重製光波長中具充分高的反射 率者，可使用如Au、A卜Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、pt、仏及pd

的單獨金屬或合金形態。其中，Au、A1、Ag反射率較高， 適於作為第2反射層6之材料。除以該等為主成分之外，亦 可含有下示其他成分。其他成分的例子可舉例如、Se

Hf、V、Nb、Ru、W、Μη、Re、Fe、c〇 Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、p0、％ 屬及半金屬。 、Rh、Ir、Cu、Zn、Cd、 、Bi及稀土族金屬等金 ❹ 其中以Ag為主成分的材料，從成本低廉的觀點、較容易 產生高反射率的觀點而言，甚至從設置後述之印刷受體層之 情況時可獲得白皙美麗的質地之觀點而言，乃屬特別佳的材 料。在此觸「主成分」係指含㈣通以上者。 為確保高耐久性（高耐趣），第2反射層6之仏使用合 金形態較使用純銀為佳。 其中，最好以Ag為主成分，* a丄 7 n 刀並含有〇·1〜15原子％的從Ti、

Zn、Cu、Pd、Au及稀土族会属 兔屬所構成組群中至少選擇1種 的元素。當含有Ti、Zn、Cu、w 禪 、Au及稀土族金屬中之2 TF988406 28 201009829 種以上的情況時，雖分別含0.卜15原子％亦無妨，但是最好 是該等總計為0.卜15原子°/〇。 特別佳的合金組成，係以Ag為主成分，並含有0. 1〜15 原子％之從Ti、Zn、Cu、Pd、Au所構成組群中至少選擇1 種的元素，且至少含有0· 1~15原子％之1種稀土族元素。稀 * 土族金屬中，尤以鈥為特別佳。具體而言有如：AgPdCu、 AgCuAu、AgCuAuNd、AgCuNd 等。 _ 第2反射層6若為僅由Au所構成之層，具有高耐久性（高 对钮性），屬較佳狀態。但是，相較於Au合金，單價較高。 亦可使用除金屬之外的材料，交叉重疊著低折射率薄膜與 高折射率薄膜而形成多層膜，當作第2反射層6使用。 形成第2反射層6的方法可舉例如：濺鍍法、離子鍍法、 化學蒸鍍法、真空蒸鍍法等。此外，在第2反射層6上下， 例如為了提昇反射率、改善記錄特性、提昇密接性等，亦可 • 設置周知的無機系或有機系中間層或接著層。 (g)關於接著層7 接著層7並無需為透明，若接著力較高，且硬化接著時的 收縮率較小，媒體的形狀安定性較高，乃屬較佳狀況。 此外，接著層7最好由不致對第2反射層6造成損傷的材 - 料所構成。其中，為抑制損傷情況，可在二層之間設置周知 的無機系或有機系保護層。 在本光記錄媒體中，接著層7之膜厚通常最好在2/xm以 TF988406 29 201009829 上。為獲得既錢著力’則需要某程度的膜厚。又以在5 以上為佳。但是’因為若儘可能將光記錄媒體變薄的 話，會發生硬化耗時且生產性降低等問題，因而通f以⑽ /z m以下較佳。 接著層7之材料除可使用與中間樹脂層4相同的材料之 外’亦可使驗敏式雙面膠帶[料將壓敏式雙面料失 . 置於第2反射層6與第2基板8之間並按壓，可形成接著層 7。 ❹ (h)關於第2基板8 第2基板8最好使光記錄媒體具有某程度剛性，而具備形 狀安定性。g卩’最好機械安定性高且剛性大。此外，最好與 接著層7之間的接著性高。 如上所述，备第1基板1未具備充分的形狀安定性時，第 2基板8便特別需要高形狀安定性。就此點而言，最好吸濕 陡較小Y 旦是，第2基板8並不需要透明。此外，第2基板⑩ 8屬於鏡面基板較佳，且因為不f要形成凹凸，因此未必一 疋需要射出成形的轉印性。 此種材料除可利用與第1基板1中可使用者相同的材料之 外尚可使用例如以A1為主成分之如A卜此合金等Μ合金 基板或以Mg為主成分之如Mg-Zn合金等Mg合金基板，由 · 石夕欽、陶究中任—者所構成之基板或組合該等的基板等。 再者從成形性等的高生產性、成本、低吸濕性、形狀安 TF988406 30 201009829 疋性專觀點而言，县> ^ 等觀點“，料t 料_性、低吸濕性 联好為非晶質聚烯烴。此 等觀點而言，最料柄基板。 d速響應性 為使光記錄媒體具有充分 度的厚度，厚度最^ n q、第基板8最好具某程 在〇.3mm以上。其中，若越薄的話，越 有利於記錄重製裝置的薄型化，最好在3腿以下。尤 以下為佳。 .3mm 癱 ❿ 第2基板8雖可為不具凹凸的鏡面基板，但是就生產容易 度的觀點而言，最好利用射出成形進行製造。 第1基板1與第2基板8之較佳組合之一例，係為第1 基板1與帛2基板8由相同材料所構成，厚度亦相同。因為 剛性相同可成均衡狀態，媒體不易隨環境變化而變形，故屬 較佳狀況。此情況下，環境變化時的變形程度或方向，二基 板亦相同’乃屬較佳狀況。 另較彳土組合例’係為弟1基板1薄至〇. 1 mm程度，而第 2基板8厚至1. lmm程度。因為物鏡較容易接近記錄層而容 易提昇記錄密度，因而屬較佳狀態。此時，第1基板1亦可 為片狀。 (i)關於其他層 在上述層積構造中，配合需要亦可爽置任意的其他層。或 者’亦可在媒體最外面設置任意的其他層。具體而言，亦可 在第1反射層3與中間樹脂層4之間、中間樹脂層4與第2 TF988406 31 201009829 記錄層5之間、第2反射層6與接著層7之間等處，設置作 為中間層的緩衝層。 緩衝層係為防止2個層產生混合現象，並防止相溶之情況 發生。緩衝層除防止混合現象之外，亦可兼具其他機能。此 外，配合需要，亦可再夾置其他的中間層。 緩衝層的材料必須不與第2記錄層5或中間樹脂層4相 溶，且需要具某程度的光穿透性，可使用周知的無機物與有 機物。從特性面而言，最好使用無機物。例如可使用金 屬或半導體Kii)金屬或半導體的氧化物、氮化物、硫化物、 氧硫化物、氟化物或碳化物；或者（iii)非晶質碳等。其中， 最好為由大致透明的介電質所構成的層、或極薄的金 (含合金）。 具體而言’以使用如：氧化石夕（特別係二氧化石夕）、氧化辞、 氧化鈽、氧化紀等氧化物；硫化鋅、硫化纪等硫化物；氮化 石夕等氮化物：碳化^氧化物與硫之混合物（氧硫化物）；及 後述之合金等為佳d，氧化♦與硫化鋅為3Q:7(M〇:i〇 程度（重量比）的混合物亦頗為恰當。此外，硫、二氧化釔、 及氧化鋅的混合物（Y2〇2S-ZnO)亦頗為恰當。 金屬或合金較佳為銀，或以銀為主成分並進一步含有 〇· 1〜15原子％從鈦、鋅、銅、&、及金所構成組群中至少選 擇1種元素者。此外，以銀為主成分，且至少含有〇丨〜还 原子％的丨_土族元素者，_為恰t。_土族較佳者 TF988406 32 201009829 有例如鉞、I!、鈽等。 此*外’若在緩衝層製作時屬於不溶解記錄層色素者的話， 亦可為樹腊層。特別以利用真空蒸鍍或CVD法進行製作的高 分子膜為有用。

緩衝層之厚度最好在2nm以上，尤以在5nm以上為佳。若 緩衝層厚度過薄的話，將有無法充分地防止上述混合現象之 虞。但疋，最好在2〇〇〇nm以下，尤以在5〇〇nm以下為佳。 右緩衝層過厚的話，不僅在混合防止方面太過多餘，而且有 降低光穿透率的顧慮。此外’在由無機物構成的層之情況， 因為有成膜耗費時間而造成生產性降低，以及膜應力偏高的 顧慮’因而最好在施㈣下。特別係在金屬的情況，因為 光穿透率過度降低，因*最好在2Gnm以下程度。 再者，為保護記錄層或反射層亦可設置保護層。保護層的 材料僅要屬於保護記錄層或反射層不受外力影響者便可，並 無特別限制。有機物質的材料可舉例如：熱可雜樹脂、熱 硬化性樹脂、電子束硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等。: 外，無機物質可舉例如：氧切、氮切、祕、_等。 熱可塑性_、熱硬錄_料轉於適當溶劑中 ㈣塗布液，再將其進行塗布、乾職㈣成。紫外線硬化 性樹脂則可將其直接塗布，或溶解於適當溶劑並調製為 液之後再塗布此㈣液，騎uv纽硬化後即形成。紫外 線硬化性樹脂可使用如：絲f酸㈣_酯、環氧丙婦酸 TF988406 33 201009829 醋、聚醋丙烯賴等丙烯_系樹脂。該等材料可單 或混合使用’亦可非僅為單層而使用多層膜狀態。 保護層之形成方法係與記錄層相同，可使用如旋塗法 注法等塗布法、或者麟法或切驗料方法其中尤以 旋塗法為佳。 以m範圍内，在本光記錄媒 保護層之膜厚一般在0.1〜100 體中，最好為3~50// m。 再者，在上述光記錄媒體中，亦可配合需要在非屬記錄光 或重製光之入射面的面上’設置可利用喷墨、感熱轉印等各 種列印、或者各種書寫工具進行寫入（印刷）的印刷受體層。 或者’亦可設置本層構造外的其他記錄層，使記錄層在3 層以上。此外，亦可將2片之本層構造的光記錄媒體以第1 基板1為外側進行貼合，使之具4層的記錄層，俾形成為 大容量媒體。 _ (B)形式2 圖2所示係本實施形態的光記錄媒體（形式2)示意刮 圖。 、〇子 本實施形態的形式2之光記錄媒體（貼合型單面入射型光 記錄媒體），係在碟狀透明（光穿透性）的第丨基板（第〗個烏 板，第1光穿透性基板）21上，依序具有：含色素的第！ ^ 錄層（第1個記錄層，第1含色素記錄層）22、半透明的第1 反射層（以下亦稱「半透明反射層」）23、透明接著層（中門 TF988406 34 201009829 層）24、緩衝層28、含色素的第2記錄層（第2個記錄層， 第2含色素記錄層）25、第2反射層26、碟狀透明的第2基 板（第2個基板）27。光束係從第1基板21側進行照射，並 施行記錄或重製。另外，所謂「透明」係指對光記錄媒體之 記錄或重製中所使用的光束屬於透明。 • 在第1基板21、第2基板27上分別形成凹凸，並分別構 成記錄執道。第1基板21上之記錄執道31係由相對於光入 β 射方向之凸部所構成。第2基板27上的記錄執道32亦是由 相對於光入射方向之凹部所構成。 另外，記錄轨道31雖可由第1基板21之溝部（即，相對 於光之入射方向之凹部）所構成，且記錄執道32可由第2 基板27之溝部（即，相對於光之入射方向之凸部）所構成， 但是一般而言，記錄執道31最好由相對於光入射方向之凸 部所構成，而記錄軌道32則最好由相對於光入射方向之凹 • 部所構成。此外，配合其他需要，亦可具有凹凸的凹坑。在 無特別限制的前提下，在本實施形態中，凹凸乃相對於記錄 或重製中所使用之光的入射方向而定義。 其次，針對各層進行說明。 • 相關本實施形態之形式2的光記錄媒體的第1基板21、 - 第1記錄層22、第1反射層23、第2記錄層25、第2反射 層26，分別與形式1之光記錄媒體的第1基板1、第1記錄 層2、第1反射層3、第2記錄層5、及第2反射層6大略 TF988406 35 201009829 再者，中間層的透明接著層24除了不需要由凹凸形成溝 或訊號坑之外’其餘大略如同形式i的光記錄媒體之中間樹 脂層4。科’在本形式2的光記錄媒體中，上述溝或二號 坑係形成於上述的第2基板27中。 ) 再者’中間層的緩衝層28的構造係大略如同第i實施形 態中所說明之緩衝層。另外，此緩衝層亦可配合需要而形成。 第2基板27除了透明之外，為使光記錄媒體具有某程产 的剛性’最好具備形狀安定性。即，最好機械蚊性高且: 此種材料可使用由如··丙稀酸系樹腊、甲基丙烯酸系樹 脂、聚碳酸酯樹脂、聚稀烴系樹脂（特別係非晶質聚稀煙）、 聚酯系樹脂、聚苯乙烯樹脂、環氧樹脂 二 由玻璃所構成者。 * 开27巾凹凸錢計成職狀或同心81狀，並 形成溝與_面。通常储此姆及/或城㈣作纪錄軌 道，將資訊記錄或重製於第2記錄層25中。通常\ 錄層25係以塗布形成， /常第2此 錄或重製。在本光記錄媒趙中合於記 (即，相對料入射—錢27的溝部 凹部、凸•齡助躲心时:在此’ 溝寬度為5G〜5_m程度，料料ion妓。 TF988406 201009829 當記錄軌道為螺旋狀之情況時，執距最好為〇.卜2. 〇 *' . .从πι複 度。配合其他需要，亦可具有訊號面預刻凹坑等凹凸的四坑 具此種凹凸的第2基板27，從成本觀點而言，最奸從具 凹凸的打印機利用樹脂以射出成形進行製造。當在玻螭等歧 體上設置由光硬化樹脂等放射線硬化樹脂所構成之樹脂^ 時，亦可在樹脂層中形成記錄軌道等凹凸。 另外，在此雖針對具有含色素之記錄層的單寫式光記錄媒 •體（在此為DVD—R)進行說明，但是光記錄媒體並不僅限於 此，僅要為具備有可利用從單面側照射雷射光而執行資訊的 記錄或重製之複數記錄層的光記錄媒體的話便可。例如以如 結晶狀態部分當作未記錄狀態·刪除狀態、且以非晶質狀態 部分當作記錄狀態之相變化型記錄層為記錄層的可重寫型 光記錄媒體（如：DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM等），或含有磁 性記錄層為記錄層的光磁型光記錄媒體。 ’ 在此，當將光記錄媒體設定為DVD-RW時，係如同上述 DVD-R之情況，僅要利用訊號面預刻凹坑預先記錄位址資訊 便可。此外，當將光記錄媒體設定為DVD+RW之情況時，僅 要將位址資訊重疊於擺動並預先記錄便可（將其稱為 「ADIP ; Address in pre-groove，位址預製溝槽」）。 再者’當將本發明應用於含有相變化型記錄層之可重寫型 光記錄媒體時’上述實施形態的光記錄媒體之第1記錄層與 第2記錄層均設定成由第1保護層、資訊記錄層、第2保護 TF988406 37 201009829 層所構成。 在此，資訊記錄層的材質，最好使用經照射雷射光可改變 其光學常數（折射率η、衰減係數k)的材料^此種材料可舉 例如以Te或Se為基礎的氧族化物（chalcogenide)，例如以

Ge-Sb-Te 、 Ge-Te 、 Pd-Ge-Sb-Te 、 In-Sb_Te 、 Sb-Te 、 Ag-In-Sb-Te 、 Ge-Sb-Bi-Te 、 Ge-Sb-Se-Te 、 Ge-Sn-Te 、

Ge-Sn-Te-Au、Ge-Sb-Te_Cr、In-Se、In-Se-Co 等為主成分 的合金系，或者在該等之中適當添加氮、氧等的合金系。 再者’第1保護層與第2保護層之材料，在雷射光之照射 時抑制因保護基板、資訊記錄層等的熱損傷而所造成的雜訊 增加，以及調整對雷射光的反射率、吸收率及反射光的相位 等目的之下，最好使用物理性.化學性安定，且融點與軟化 溫度高於資訊記錄層’並不與資訊記錄層材料產生相固溶的 材料。此種材料可舉例如：Y、Ce、Ti、Zr、Nb、Ta、Co、Zn、 A1、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Te 等的氧化物；Ti、Zr、

Nb、Ta、Cr、Mo、W、B、A1、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb 等 的氮化物；Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si等的碳化物； Zn、Cd等的硫化物、硒化物或碲化物；Mg、ca等的氣化物； C、Si、Ge等的單體、或由該等混合物所構成之介電質或準 用介電質的材料。另外’第1保護層與第2保護層可使用相 同材料，但是亦可配合需要分別使用不同材料。 但是’如上所述’在具有複數（在此為2個）記錄層2、 TF988406 38 201009829 5(22、25) ’並利用從單面側照射雷射光而 製於各個層2、5(2?、2^f 貝I己錄或重 雙層型之單面^ 面 光記錄媒體（如： 之早面入射型_，中，在每個記錄層中，例如循 執極[生》己錄脈衝策略、記錄功率、重製功率等的 記錄重製條件均大不相同。 土 特別是將記錄條件設為最佳狀態係重要的。其原因在於， ❹

即便重製條件多少有所偏差，無法重製的現象並不多，但s 若記錄射mm最錄態的話，實際上將無域行寫入y或 者即便可執仃寫人，在此資訊執行重製時，喊品質將不佳。 因此便需要藉由欲執行資訊之記錄或重製的記錄層2、 5(22、25)所對應的記錄重製條件（例如細雖、記錄脈衝 策略、記錄料、重製功率等），正叙確實地執行資訊之 記錄或重製。 特別係如後述’在形式1的光記錄媒體中，係將第1基板 1的溝部（即，相對於光入射方向之凸部）設定為記錄轨道 將《翻胃層4之溝部（即’相對於光人射方向之凸部） .又疋為讀軌道12。因此，在第1記錄層2與第2記錄層$ 中’便將循轨極性設為相同狀態。相對於此，在形式2的光 記錄媒射，係將第1基板21的溝部（即，相對於光入射方 向之凸β)β又定為s己錄軌道3卜將第2基板N之溝部（即， 相對於光人射方向之凹部）設定為記錄執道32。因此，在第 1記錄層22與第2記錄層25巾，循軌極性便成相反狀態。 TF988406 39 201009829 如此藉由第1 s己錄層與第2記錄層，即便在混雜著循軌 極性設為相同之枝錄媒體、以及概錄設為相反之光記 錄媒體的情況’彻光記錄媒體構造所對應的循轨極性，便 可正確且確實地執行資訊之記錄或重製。 在此，於本實施形態中，於光記錄媒體中至少記錄著一個 光δ己錄媒體之各記錄層2、5(22、25)的記錄重製條件。 其中，記錄重製條件係包含有：相關循轨極性（例如：推挽 (push-pu 11)訊號之極性）或訊號面記錄/溝槽記錄的資訊 (表示利用訊號面循轨，或利用溝槽循軌的資訊）（以下將該 等統稱循軌極性或循軌資訊）、記錄脈衝策略（記錄策略、寫 入策略；適用於各記錄層的雷射輸出控制型樣）、記錄功率、 重製功率等。另外，在記錄重製條件中，包含有循軌極性、 記錄脈衝策略（寫入策略）、記錄功率等記錄條件，及循執極 性、重製功率等重製條件。 在此種記錄重製條件中’除循執極性以外的記錄脈衝策 略、記錄功率、及重製功率等記錄重製條件，可記憶於構成 光記錄媒體的各記錄層2、5(22、25)之各個記錄層中，亦 可記錄於各記錄層2、5(22、25)之任一記錄層中。 另一方面，在上述記錄重製條件中，循軌極性可考慮在驅 動器最初存取之記錄層（如最靠近雷射光入射侧的記錄層） 中’記錄著驅動器最初存取之記錄層以外的記錄層之循軌極 性。換句話說’循軌極性僅要記錄著驅動器最初存取之記錄 TF988406 40 201009829 層（即’僅複數記錄層中的1層）的話便可。 再者，若與其他記錄重製條件不同，循軌極性不同的話， 便將無法重製資訊，因而必須預先決定驅動器最初存取之記 錄層（如最靠近雷射光入射侧的記錄層）的循軌極性（訊號面 記錄或溝槽記錄）。 » 例如，在具2層記錄層的DVD_R中，決定第J記錄層（如 最靠近雷射光入射側的記錄層）2(22)記錄於相對於光束為 瘳凸部處（訊號面記錄），並預先使驅動器最初存取第i記錄層 2(22)。接著’若在第1記錄層2(22)中記錄著其他記錄層[第 2記錄層5(25)]之循轨極性與分層資訊之關聯關係的話，驅 動器藉由讀出此關聯關係，便可辨識第2記錄層5(25)的循 軌極性。 另外，第1記錄層2(22)以外的第2記錄層5(25)之循軌 ^ 極性，如同第1記錄層2(22)之情況，亦可預先決定。此情 況下，第2記錄層5(25)之循執極性便不需預先記錄於第玉 記錄層2(22) _。 再者，即便為預先決定記錄層5(25)之循軌極性的情況， 亦可將第2記錄層5(25)之循執極性記錄於第丨記錄層2(22) -中，並由驅動器將其讀出，再變更預先決定的循軌極性。藉 此’相關驅動器最初存取的記錄層以外之記錄層，便形成可 任意變更循軌極性的狀態。 口此，6己錄重製條件最好僅記錄於各記錄層2、5(22、25) TF988406 201009829 中最接近雷射光入射側的層（即，僅記錄於複數記錄層中之 1層）。此乃因為驅動器（記錄重製裝置）多數情況係構成最 接近雷射光入射侧之層為最初存取之層的狀態，因此在此種 構造的驅動器中，便可迅速地讀取記錄重製條件。 具體而言’記錄重製條件最好_如翻凹坑（訊號面預 . 刻凹坑）或擺動，記錄於各記錄層2、5(22、25)的記錄管理 · 區域（RMA ; Recording Management Area，例如控制執道、 最内周部）之任一者中。 參 預先記錄如上述的循軌極性、記錄脈衝策略 '記錄建議功 率、重製建議功率等記錄重製條件，對具下述構造的形式2 之光記錄媒體屬有效方式。特別係在形式2的光記錄媒體 中，預先包含記錄重製條件的循轨極性乃屬重要的。 換句話說’應用本發明的較佳形式2之光記錄媒體，係 具備有.由在具導引溝的第1基板上，至少依序層積著含第 1色素的記錄層、與半透明反射層所構成的第i資訊記錄❹ 體’以及由在具導引溝的第2基板上，至少依序層積著反 射層、與含第2色素的記錄層所構成的第2 f訊記錄體； 第1資訊n己錄體與第2資訊記錄體係使各自开)成記錄層之 侧成相對向狀態，並透過光學性透明的接著層進行貼合， 、 再藉由從第1基板側入射雷射光，以執行光學性資訊的記 . 錄或重製。 但是’在對具複數記錄層的單面入射型光記錄媒體之各記 TF988406 42 201009829 錄層 2、5(22、25)，劲;t . 丁_ 5孔之s己錄或重製的記錄重製舉 置㈤動中’必須形成配合記錄層2、5(2 = 換如記錄脈衝策略、記錄 ^切 狀態，俾能正確且確實地衣力率4記錄重製條件的 U阳纽 仃育訊的記錄或重製。特別係如 ^為將記錄條件形成最佳狀態乃屬重要，因此最好能 配合記錄層2、5〔2?、9g、4· n & 25)切換為最佳的記錄條件，以正確 且確實地執行資訊之記錄。 鲁 此情況下，例如橫跨複數記錄層2、_、25)而連續地 附加位址資訊，於記錄重製裝置中，雖亦可認為根據所讀出 的位址資關_底是屬於哪—層者，但是難以在瞬間判斷 到底屬於哪一層。 因此，在本實施形態中，便依可配合欲執行資訊之記錄或 重製的記錄層2、5(22、25)而瞬間切換如記錄脈衝策略（記 錄策略、寫入策略）、記錄功率、重製功率等記錄重製條件 的方式，將分層資訊（相關記錄編號的資訊；分層〇、分層 1)記錄於光記錄媒體的各記錄層2、5(22、25)的各層中。 在此’分層資訊之記錄方法可考慮如下述（i)、（ii)所示 之方法。 (i) 在各記錄層2、5(22、25)的記錄管理區域（RMA ; Recording Management Area，例如控制軌道、最内周部） 中’利用如預刻凹坑（訊號面預刻凹坑）或擺動而記錄。 (ii) 在各記錄層2、5(22、25)之記錄區域的大致整面中， TF988406 43 201009829 利用如預刻凹坑（訊號面預刻凹坑）或擺動而記錄。其中，記 錄於「大致整面」，係涵蓋記錄於包含各記錄層2、5(22、 2 5 )之記錄管理區域在内之記錄區域整面的情況（如：記錄管 理區域當作位址之—部份而記錄），以及記錄於除各記錄層 2、5(22、25)之記錄管理區域外的記錄區域整面中之情況等 等。特別係在無法將分層資訊記錄於記錄管理區域中之情 況’記錄於除記錄管理區域之外的記錄區域整面上係有效的 方式。此外，在隨機存取地執行資訊之記錄或重製之情況時 亦屬有效方式。 例如’僅要記錄擺動或預刻凹坑（訊號面預刻凹坑）之位址 資訊其中部分的話便可。藉此，便可利用簡單的方法將分層 資訊記錄於各記錄層2、5(22、25)中。此外’藉由記錄分 層資訊作為位址資訊其中一部分，當根據位址資訊隨機存取 以執行資訊之記錄或重製時，僅要對所需之位址進行隨機存 取並附加聚焦伺服，便可讀出分層資訊，因此，據此便形成 可瞬間切換如記錄脈衝策略、記錄功率、重製功率等記錄重 製條件之形態。 在此，記錄分層資訊作為位址資訊其中一部分的方法，可 考慮如下述（i)〜（v)的方法。 (i)首先，作為擺動之位址資訊（如：ADIP ; Address in pre-gro〇Ve)之一部份而記錄的方法，有例如在2個記錄層 2、5(22、25)中，使擺動之位址資訊（如ADIP ; Address in TF988406 44 201009829 pre-groove)中所含sync型樣（同步型樣）進行反轉的方法。 例如，若相對於第1記錄層2(22)之ADIP中所含之外此 型樣（同步型樣）的方向，將第2記錄層5(25)之腑中所 含之sync型樣（同步型樣）的方向設為相反方向（反轉）即 "5J" 〇 (ii)再者，作為在各記錄層2、5(22、25)之記錄區域（含 記錄管理區域在内）中所形成之擺動或預刻凹坑之位址訊號 ❹-部份而記錄的方法，有在各記錄層2、5(22、25)中使保 留位元值不同的方法。 例如，僅要使在第1記錄層2(22)之記錄區域（含記錄管 理區域在内）中所形成之擺動或LPP的位址資訊之保留位元 值，不同於在第2記錄層2(25)之記錄區域（含記錄管理區 域在内）中所形成之擺動或LPP的位址資訊之保留位元值即 可。 籲在此，所謂「保留位元」係指記錄著位址資訊的區域中， 現在並未被使用部分中的位元。對此保留位元的資訊記錄， 僅要運用與位址資訊相同的調變方式或記錄方式即可。又， 在具複數記錄層之情況，需要配合記錄層之層數而增加所使 '用之保留位元的數量。例如，在具有2層記錄層之情況，僅 要將1位元使用作為保留位元，並利用此值為〇或丨來區分 第1層與第2層即可。另外，若將2位元使用作為保留位元， 因為可利用2位元表示00、Hn的4個值，因此可 TF988406 45 201009829 ^己錄層。同樣的’若將3〜使用作為保留位元， 因為可表示8個數值，因此可區別8個記錄層。換句話說， 若將η位元使用作為保留位元，_區別2„個記錄層。另 外，若組合上述⑴之方域下述（iii)〜（v)之綠等其他方 法的話，便可減少所使用之保留位元的數量。 (⑴）再者’作為在各記錄層2'他、⑸之記憶區域（含 記錄管理區域在内）t所形成之擺動或訊號面預刻 凹坑之位 址資訊其中-部份而記_方法，有使2個記制2 5(22、 25)中之任-記錄層的擺動或訊號面預刻凹坑之位址資訊整 體進行位元反轉的方法。 例如，當在第1記錄層2(22)中寫入位址 3_〜娜如），並在第2記錄| 5(25)巾寫入位址 5000〜6FmHeX)之情況，僅要使第2記錄層5(25)進行位元 反轉，將位址設為AFFF〜9000(Hex)即可。 在此為簡化說明，雖僅利用16位元（16進位為4位數）進 行說明，但是實際上具有餘量，例如在DVD_R中，因為位址 資A乃依48位元（16進位為12位數）表示，故第1記錄層 2(22)之位址便為 000000003000~〇〇〇000〇〇4FFF(Hex)，第 2 記錄& 5(25)之位址則為 FFFFFFFFAFFF~FFFFFFFF9000(Hex)。 再者’驅動器需要預先設定為擁有何種範圍的位址屬於哪 一分層的關聯資訊，以於讀出位址之時便可判斷八層。 TF988406 46 201009829 (iv)再者，作為在各記錄層2、5(22、25)之記憶區域（含 記錄管理區域在内）中所形成之擺動或訊號面預刻凹坑之位 址資訊其中一部份而記錄的方法，有將2個記錄層2、5(22、 25)中之任一記錄層的擺動或訊號面預刻凹坑之位址資訊整 體’依2之補數（整體位元反轉+ 1)表示的方法。 例如’當在第1記錄層2(22)中寫入位址 3000〜4FFF〇Iex)，且在第2記錄層5(25)中寫入位址 ❹5000〜6FFF(Hex)之情況，僅要將第2記錄層5(25)以2之補 數（整體位元反轉+1)表示’並將位址設為β〇〇〇〜90〇丨（Hex) 即可。 在此為簡化說明，雖僅利用16位元（16進位為4位數）進 行說明’但是實際上具有餘量，例如在中，因為位址 資訊乃依48位元（16進位為12位數）表示，故第1記錄層 2(22)之位址便為 〇〇〇〇〇〇〇〇3〇〇〇~〇〇〇〇〇〇〇〇4FFF(Hex)，第 2 參記錄層 5(25)之位址則為 FFFFFFFFB000〜FFFFFFFF9001(Hex)。 另外，驅動器需要預先設定為擁有何種範圍的位址屬於哪 一分層的關聯資訊，以於讀出位址之時便可判斷分層。 * (v)再者’作為在各記錄層2、5(22、25)之記憶區域（含 - 記錄管理區域在内）中所形成之擺動或訊號面預刻凹坑之位 址資訊其中一部份而記錄的方法，有記錄於2個記錄層2、 5(22、25)中任一記錄層之擺動或訊號面預刻凹坑的位址資 TF988406 47 201009829 訊之最上位位元中之方法。 例如，將使第1記錄層2(22)與第2記錄層5(25)中任一 記錄層之擺動或訊號面預刻凹坑的位址資訊之最上位位元 經位元反轉後的數值，寫入另一記錄層之擺動或訊號面預刻 凹坑之位址資訊最上位位元中。 具體而言，例如，當在第1記錄層2(22)中寫入位址 000000003000〜000000004FFF(Hex)，並在第 2 記錄層 5(25) 中寫入位址 000000005000~00000〇〇06FFF(Hex)之情況，僅 要使第2記錄層5(25)之最上位位元進行位元反轉即可。 此情況下，若依2進位進行位元反轉的話，「〇」將成為 「1」’而若將此依16進位（Hex)表示，「0」則成為「8」。因 此，第 1 記錄層 2(22)的位址將為 000000003000〜000000004FFF(Hex)，第 2 記錄層 5(25)的位 址將為 800000005000〜800000006FFF(Hex)。另外，驅動器 需要先將位址的最上位1位元辨識為分層資訊。 另外，在此雖針對將本發明應用於利用從單面側照射雷射 光以施行資訊之記錄或重製之具備2個記錄層之光記錄媒 體的情況進行說明，惟並不僅限於此，亦可對如具備3層以 上記錄層，且利用從單面側照射雷射光以進行資訊之記錄或 重製的光記錄媒體，單獨或組合搭配應用上述分層資訊之記 錄方法。此情況下’僅要在複數記錄層中的相鄰2個記錄層 中，使用上述分層資訊之記錄方法即可。 TF988406 48 201009829 (2)光記錄媒體之記錄重製方法 體之記錄重 製方法概略 以下’針對如上述構造的光記錄媒 進行說明。 對如上述料崎狀本光記_ 聚焦為直徑。.〜程度_=

二舰：^錄層上而執行。經雷 心將隨吸收雷射光能量而引發分解、發熱、溶 層的熱變形，而使光學特性起變化。 所記錄之資訊的重製，係利用雷射光讀取光學特性起變化 之部分與未起變化之部分的反射率差而進行。 再者’對2層記錄層係以下述方式個:地進行記錄或重 製。將經聚焦之雷射的㈣位置，藉由使用刀緣（knife edge) 法像散（astigmatism)法、昌可法（jr〇ucauit method)等所 獲得之失焦訊號（focus error signal)，便可區分出第i §己錄層2、22與第2記錄層5、25。換句話說，若使將雷射 光聚焦的物鏡上下移動的話，雷射聚焦位置便在對應於第j 記錄層2、22的位置處與對應於第2記錄層5、25的位置處， 分別獲得S字曲線。藉由將哪一 s字曲線使用於聚焦伺服 中’便可選擇由第1記錄層2、22與第2記錄層5、25之哪 一者進行記錄或重製。 在形式1的光記錄媒體中，最好如圖丨所示，在第丨基板 1與中間樹脂層4上分別形成凹凸，並將第丨基板1之凸部 TF988406 49 201009829 與中間樹脂層4之凸部當作記錄祕，施行記錄或重製。通 常’色素記錄層因為係塗布形成，因此溝部形成厚膜狀態， 而適於ζ錄或重製。在形式工的光犯錄媒體中，最好將第1 基板1之溝部（即，相對於光之人射方向為凸部）當作記錄軌 道11，並將中間樹脂層4之溝部（即，相對於光之入射方向 為凸部）當作記錄軌道12。 再者，在形式2之光記錄媒體中，最好如圖2所示，在第 1基板21與第2基板27上分別形成凹凸，並將第1基板21 之凸部與第2基板27之凹部當作記錄軌道，施行記錄或重 製。另外，在第1記錄層22與第2記錄層25上，有循執伺 服之極性相反的情況。在形式2的光記錄媒體中，最好將第 1基板21之溝部（即’相對於光之入射方向為凸部）當作記 錄轨道31 ’並將第2基板27之溝部（即，相對於光之入射 方向為凹部）當作記錄軌道32。 相關本光記錄媒體（形式1與形式2)所使用的雷射光，可 舉例如：N2、He-Cd、Ar、He-Ne、紅寶石、半導體、色素雷 色等’但是從輕量、小巧、取用容易度等觀點而言，最好為 半導體雷射。 為進行高密度記錄，所使用的雷射光之波長越短越好，特 別以350〜530nm的雷射光為佳。此種雷射光的代表例可舉例 如：中心波長405nm、410nm、515nm之雷射光0 波長350〜530nm範圍之雷射光之一例，可藉由使用 TF988406 50 201009829 405mn、410mn之藍色或515nm之藍綠色高輸出半導體雷射 而獲得，除此之外，亦可藉由如（a)基頻振盪波長74〇~96〇nm 之可連續振堡的半導體雷射，或⑻由半導體雷射激發，且 基本振盪波長為740〜960mn之可連續振盪的固體雷射中任 者’利用二次諧波產生元件⑽）進行波長轉換而獲得。 上述SHG若為欠缺反轉對稱性且為壓電元件的話，便可為 任何者’但是最好為KDP、ADP、BNN、KN、LB0、化合物半 ❹導體等。二次諧波之具體例可舉例如：當基本振盡波長 860mn之半導體雷射時為其雙頻波43〇nm，又，當半導體雷 射激發之體雷射_為來自經Cr摻雜的LiSrAlF6諸晶 (基本振盪波長86〇nm)之雙頻波430nm等。 (3)光記錄媒體之記錄重製裝置 如上所述地，對在各記錄層之各層中記錄著相關記 錄層編號（分層資訊）之資㈣光記賴體執行資訊之記錄 /製的光。己錄媒體之記錄重製裝置，係如下述構造。 ，另外’所謂「記錄重製裴置（驅動器）」僅要屬於能將光記 錄媒體中所記錄的資料行記錄或重製者即可，·包括有： 僅執仃記錄的記錄裝置（寫人器）、僅執行重製的重製裝置 (讀取器）、執行記錄與重製二者的記錄重製裝置（讀取寫入 - 器）。 如圖3所示，本記錄重製裴置⑼係具備有：旋轉驅動光記 亲某體5G的主軸馬達51、驅動主軸馬達51的馬達驅動器 TF988406 51 201009829 52、光拾波器53、驅動光拾波器53的光拾波用驅動器54、 執行各種祠服控制所使用的伺服處理器55、處理利用光拾 波器53檢測出之訊號的訊號處理部（重製處理部）％、處理 從其他電腦等傳送而來之資訊（資料）的資料處理部（記錄處 理部）57、對各裝置執行控制的控制部58(如具備CPU58A與 記憶體58B的微電腦）所構成。 其中，光拾波器53係具備如雷射二極體、光檢測器（如： 光學檢測器等）、執行聚焦或循執而所使用之拾波用致動器 等而構成。 光拾波用驅動器54係如圖3所示，包含有：驅動雷射二極 體的雷射驅動器（雷射一極體驅動器）54A、驅動拾波用致動 器的聚焦驅動器54B、以及驅動拾波用致動器的循軌驅動器 54C而構成。 其中，雷射驅動器54A係包含有：驅動重製用雷射二極體 的重製用雷射驅動器54Aa、及驅動記錄用雷射二極體的記 錄用雷射驅動器54Ab所構成。 伺服處理器55係包含有：供執行聚焦伺服的聚焦伺服電 路55A、及供執行循軌伺服的循執伺服電路55B所構成。 訊號處理部56係具備有：將由光拾波器53所檢測出的訊 號予以放大的前置放大器56A;從前置放大器5^所放大的 檢測訊號產生包括失焦訊號、循執錯誤訊號、擺動或訊號面 預刻凹坑之位址訊號[位址資訊（包括分層資訊）]、或如記錄 TF988406 52 201009829 脈衝策略、記錄功率H力率與循祕性等記錄重製條件 等資訊在内之資料訊號（資訊）等的矩陣電路:將由矩陣 電路56B產生之位址訊號[位址資訊；含記錄層編號（分層資 訊）在内]，予以解調的解調電路56C。另外，經矩陣電路56B 所產生的#料訊號’透過未圖示的2值化電路及解調電路等 的處理之後，便傳送給電腦等。 再者，在製作光記錄媒體5〇之際，當利用預刻凹坑（R〇M 參凹坑）記錄著包含分層資訊的位址資訊、或如記錄脈衝策 略、記錄建議功率、重製建議功率及循轨極性等記錄重製條 件等-貝汛’訊號處理部56由矩陣電路、2值化電路、及解 調電路構成的話便可。 資料處理部57係具備有：將由其他電腦等所傳送來的資 料’與位址資訊一起予以調變的調變電路57A ;以及依據經 调變之資料’執行對記錄用雷射驅動器54Ab的記錄脈衝控 參制（記錄脈衝之複脈衝調變）之記錄策略電路（寫入策略電 路）57B所構成。 其次’針對如上述所構成之光記錄媒體的記錄重製裝置 6〇之控制部58執行既定程式的處理（光記錄媒體之記錄重 ' 製方法、記錄方法、重製方法），參照圖4〜圖6進行說明。 在此’以對具2層記錄層2、5(22、25)、且分層資訊記 錄於記錄層大致整面上的光記錄媒體50記錄（或重製）資訊 的情況為例’進行說明。 TF988406 53 201009829 以下，首先，針對包含分層資訊讀出步驟與記錄重製控制 步驟的記錄重製方法[第1記錄重製方法]’參照圖4進行說 明；其次，除該等步驟之外，針對包含記錄重製條件讀出步 驟的記錄重製方法[第2記錄重製方法]’參照圖5、圖6進 行說明。 [第1記錄重製方法] (光記錄媒體之記錄方法） 光記錄媒體之記錄重製裝置（驅動器）60係如圖4所示， 若從如個人電腦等電腦（或透過驅動器本身所設置的按鍵等 輸入部）輸入記錄指令的話’控制部58便存取媒體之記錄區 域中所含之目錄資訊區域’益判斷哪一位址屬於可寫入。然 後，根據經判斷為可寫入的位址，決定記錄於哪一記錄層中 (步驟S10)。另外，在媒體已設置於驅動器中時存取目錄資 訊區域，並預先讀出目錄資訊之情況，便使用預先讀出的目 錄資訊’判斷哪一位址屬於可寫入即可。 其中’當位址資訊中預先含有分層資訊時，藉由檢測出位 址資訊中所含的分層資訊’便可決定記錄於哪一記錄層；而 當驅動器側中預先具有位址資訊與分層資訊之對應關係表 時，使用此關係表便可從位址資訊決定分層資訊。 另一方面，若從如個人電腦等電腦（或透過驅動器本身所 設置的按鍵等輸入部）輸入重製指令，控制部58便根據重製 指令所含之位址資訊，決定記錄於哪一記錄層（步驟sl〇)。 TF988406 54 201009829 在此，若將媒體設置於驅動器中的話，便從媒體讀出目錄 資訊（哪一位址中記錄著何種資訊的資訊），例如先在電腦畫 面上顯示出選項，若由使用者點選選項的話，對驅動器輸入 包含位址資訊之重製指令即可。 依此，若控制部58被輪入記錄指令（或重製指令），則所 記錄（或重製）的記錄層便特定。將此控制部58之機能稱為 「記錄層決定部（記錄層特定部）」。 β 再者’若輸入記錄指令（或重製指令）的話，控制部58便 對聚焦伺服電路5 5 Α輸出聚焦伺服指令，接收到此指令的聚 焦伺服電路55A’便透過聚焦驅動器54B或拾波用致動器控 制光拾波器53,藉以對第1記錄層2(22)及第2記錄層5(25) 中任一記錄層附加聚焦伺服（步驟S2〇：^將此控制部58之 機能稱為「聚焦伺服控制部」。 其中，在光記錄媒體50之記錄層2、5(22、25)之大致整 嚳面上預先記錄著分層資訊作為位址資訊其中—部份之情 況’根據位址資訊’在存取所需位址的狀態下附加聚焦祠服 即可。另一方面’在光記錄媒體5〇之記錄區域預先記錄著 刀層資汛之情況，於該記錄管理區域附加聚焦伺服即可。 再者’在對具複數記錄層的光記錄媒體執行資訊記錄（或 ' 重製）之情況，僅要對複數記錄層中之任一記錄層附加聚焦 伺服的話便可。 其次’控制部58透過訊號處理部56的前置放大器56A、 TF988406 201009829 矩陣電路56B、及解調電路56C，讀出記錄於經附加聚焦飼 服的°己錄層中所記錄的分層資訊（層資訊）（步驟S30)。將 此控制部58之機能稱為「分層資訊讀出部」。 然後控制部58便判斷經在步騾s30中所讀出之分層資 訊而特定的記錄層，是否屬於步驟S10中當作記錄或重製之 記錄層而特定之記錄層（步驟S4G)。將此控制部58之機能 稱為「§己錄層判斷部」。 ，田此判斷、纟°果為經讀出之分層資訊而特定的記錄層，屬於 當作記錄之記錄層而特定之記錄層（欲記錄的狀記錄層） 之情況’控制冑58便透過#料處理部57與記顧雷射驅動 器54Ab’對光拾波器53輸出記錄指令，並對應此而驅動雷 射二極體，朗_加糕舰的—域層之位址資訊所特 定的位址’利用對應此記錄層（經分層資訊所特定的記錄層） 之如記錄脈衝策略、記錄功率等記錄條件（記錄重製條件）， 透過循軌伺服電路55B或循軌驅動器⑽，一邊附加循執， -邊執行從如個人電腦或其他機器所傳送來的資訊（資料） 之記錄（步驟S50)。將此控制部58之機能稱為「記錄控 都錄番锄都）_。 再者，記錄重製條件可讀出光記錄媒體中所縣記錄的資 料’再根據其進行決定’亦可根據記錄重製裝置 分層資訊所記憶的資料而決定。例如，葙止 顶先在光記錄媒體中 記錄記錄建議功率或重製建議功率，熟接 、、、交由驅動器將其讀 TF988406 56 201009829 出’並根據此而決定記錄功率或重製功率即可。 再者，亦可在驅動器中預先記憶著對應分層f訊的記錄建 議功率或重製建議功率’再根據此而讀出分層資訊所對應的 記雜議功率或重製建議功率，絲據所讀出的記錄建議功 率或重製建議功率，決定記錄功率或重製功率。 . 此外，依情況亦可在讀出記錄建議功率之後，再施行 〇PC(0Ptimim Power Control，最佳功率控制）而決定記錄功 參 率。 另-方面，在上述判斷結果為經所讀出之分層資訊而特定 的記錄層屬於當作所重製之記錄層而特定之記錄層（欲重製 的特定記錄層）之情況，控制部58便透過重製用雷射驅動器 54Aa’對光拾波器53輸出重製指令，並利用對應此記錄層 (經分層資訊所特定的記騎）之如重製功率等重製條件（記 錄重製條件），透過循軌電路咖或循軌驅動器54C°， 罾-邊附加循軌，-邊將麵加聚焦贿之—記錄層的位址資 訊所較之位址中記錄的資訊透過訊號處理部％進行重製 (步驟S50)。將此控制部58之機能稱為「重製控制部(記錄 重製控制部）」。 • 科，控制部58在步驟⑽中判斷經所讀出之分層資訊 .而特定的記錄層並非屬於欲記錄U重製）的記錄層之情況 時，便返回步驟S20，且對其他記錄層附加㈣飼服，然後 直到判斷經所讀出之分㈣訊特定的記錄層料欲記錄（或 TF988406 c 201009829 重製）之記錄層為止，均重複相同的處理（步驟微姻。 [第2記錄重製方法] (媒體安裝時的處理） 在本實施形態中’若於記錄重製裳置（驅動器）中安裝著光 記錄媒體，便根據來自控制部58的指令，從光記錄媒體5〇 ， 中讀出各記錄層2、5(22、25)之分層資訊所關聯記錄，如. 記錄脈衝策略、記錄建議功率1製建議功率及循軌極性等 記錄重製條件（記錄重製條件讀出步驟、記錄重製條件讀$ _ 部），並將該等記錄重製條件記憶於各記錄層2、5⑵、⑸ 之分層資訊相關聯的記憶體58B中。 例如，當僅在各記錄層2、5(22、25)中最接近雷射光入 射側的層[第1記錄層2(22)]中記錄著記錄重製條件，且驅 動器最先存取第1記錄層2(22)之情況，在媒體安裝時，驅 動ϋ便存取第i記錄層2(22)而讀出記錄重製條件。此情況 中’第1記錄層2(22)的循執極性係縣決㈣，由此第} 〇 記錄層2⑽所讀出的循執極性，乃為除第}記錄層2(22) 以外的第2記錄層5⑽循執極性。此外，循執極性以外的 記錄重製條件為各記錄層2、5(22、25)的記錄重製條件。 另外，當第i記錄層以外的第2記錄層5(25)之循執極性亦 預先決定的情況，即便未記錄於第】記錄層2(22)中亦可。 特別係在本實施形態巾’如記錄脈衝策略、記錄建議功 率、重製建議功率、及循軌極性等記錄重製條件等資訊係記 TF988406 58 201009829 錄於擺動、訊號面預刻凹坑中，因此經光拾波器53所檢測 出的該等資訊係由矩陣電路56B、解調電路56C等訊號處理 部56所處理，並記憶於控制部58的記憶體58B中。 再者’在將如記錄脈衝策略、記錄建議功率、記錄建議功 率、及循軌極性等記錄重製條件等資訊記錄於ROM凹坑、記 d 錄凹坑中的情況，經光拾波器53所檢測出的該等資訊，僅 要由矩陣電路、2值化電路、解調電路等訊號處理部進行處 β 理’並記憶於控制部58之記憶體5绌中即可。 (光記錄媒體之記錄方法） 光記錄媒體之記錄重製裝置（驅動器）60係如圖5所示， 若從如個人電腦等電腦（或透過驅動器本身所設置的按鍵等 輸入部）輸入記錄指令’控制部58便存取媒體之記錄區域中 所含之目錄資訊區域，並判斷哪一位址屬於可寫入。然後， 根據經判斷為可寫入的位址決定記錄於哪一記錄層中（步驟 ❿Α10)。另外’在媒體已設置於驅動器中時便存取目錄資訊區 域’並贱讀出目錄資訊之情況，係使用預先讀出的: 訊，判斷哪一位址屬於可寫入即可。 、 $中’當位址資訊中預先含有分層資訊時，#由_ “ • ^貝5时所含的分層資訊’便可蚊記錄於哪-記錄層·而 '當驅動器側中預先具有位址資訊與分層 缽，估田日 貝況之對應關係表 夺使用此關係表便可從位址資訊決定分層資訊。 依此，若控制部58被輸入記錄指令’便:用分層資訊將 TF988406 59 201009829 所纪錄的§己錄層予以特定。將此控制部58機能稱為「記錄 層決定部（記錄層特定部）」。 其次，控制部58根據步驟A10特定的記錄層之分層資訊， 從記憶體58B中讀出記錄脈衝策略（步驟A2〇)，設定記錄策 略電路57B的記錄脈衝策略（步驟A3〇)。 再者，控制部58根據在步驟A10中被特定的記錄層之分 層資訊，從記憶體58B中讀出記錄建議功率（步驟A4〇)，且 根據所讀出的記錄建議功率，設定記錄用雷射驅動器54Ab 的輸出設定值（步驟A50)。 此外，控制部58根據在步驟A10中被特定的記錄層之分 層資訊，從記憶體58B中讀出循轨極性（步驟A6〇)，並設定 循轨伺服電路55B的循轨極性（步驟A7〇)。 如上述般設定記錄條件（記錄重製條件）之後，控制部58 便對聚焦伺服電路55A輸出聚焦伺服指令，接收到此指令的 聚焦伺服電路55A，便透過聚焦驅動器54B或拾波用致動器 控制光拾波器53，藉以對第i記錄層2(22)或第2記錄層 5(25)中任一記錄層附加聚焦伺服（步驟A8〇;^將此控制部 58之機能稱為「聚焦伺服控制部」。 在本實施形態中，如上所述，因為循軌伺服電路55B之循 軌極性係設定成對應著步驟A1〇中所特定之記錄層的循軌 極性’因此便形成依照欲記錄之記錄層所對應的循軌極性進 行循執。 TF988406 60 201009829 其中’在光§己錄媒體50之各記錄層2、5(22、25) 整面預先記錄著分層資訊作為位址資訊复 致 /、γ —部份之情 況’根據位址資訊，在存取所需位址的狀態下附加聚隹飼服 即可。另-方面，當絲在光記錄媒體5G之記錄管理區域

中記錄著分層資訊的情況，僅要利用此記錄管理區域附 焦伺服即可。 A 再者’在對具魏記的光記錄賴執行資訊記錄之情 ❹況’僅要對複數記錄層$之任-記錄層附加聚焦伺服即可。 其次，控制部58透過訊號處理部56的前 矩陣電請、及解調電請’讀出記錄於=；㈣ 服的-記錄層中所記錄的分層資訊（層資訊）（㈣A9〇)。將 此控制部58之機能稱為「分料訊讀出部」。 然後，控制部58判斷經在步驟A9〇中所讀出之分層資訊 而特定的記錄層是否屬於經步驟A1〇中特定之記錄層（步驟 • A100)。換句話說，判斷步驟細中所讀出分層資訊是否與 步驟A10所特定記錄層之分層資訊一致。將此控制部58之 機能稱為「記錄層判斷部（分層資訊判斷部）」。 田此判斷結果為經所讀出之分層資訊而特定的記錄層屬 .於步骤A10中所特定之記錄層（欲記錄的特定記錄層）（即， 判斷與刀層貝讯-致）時，控制部58便透過記錄用雷射驅動 盗54Ab，執打從雷射二極體所輪出雷射的最佳功率控制 (0PC，Optimum Power Control)(步驟 A11Q)。換句話說， TF988406 201009829 利用經附加聚焦伺服之一記錄層的如内周側（或外周側）中 所〇又置的雷射功率校正區（PCA ; power Calibration Area， 試寫區）’改變雷射功率並執行試寫，藉此將雷射功率控制 為步驟A10所特定記錄層的對應最佳功率。 本實施形態中，如上所述，記錄用雷射驅動器54Ab的輸 出设定值係預先設定為對應於記錄層的記錄建議功率，並迅 速執行最佳功率控制。 另一方面，當控制部58判斷在步驟A100中經所讀出之分 層資訊特定的記錄層並非屬於欲記錄之記錄層（即，判斷為 分層資訊非一致）時，便返回步驟A80，並對其他記錄層附 加聚焦伺服，然後，直到判斷經所讀出之分層資訊特定的記 錄層屬於欲記錄之記錄層為止（即，直到分層資訊一致為 止），均重複相同的處理（步驟A8〇〜A1〇〇)。 然後，如上述經施行最佳功率控制之後，控制部58透過 資料處理部57與記錄用雷射驅動器遍，對光拾波器的 輸出。己制"’並對應此而驅動雷射二極體，然後對經附加 聚焦魏之-記錄層的位址資訊所特定的位址，根據記錄層σ 所對應的記錄條件（記錄重製條件），執行從如個人電腦^ 他機器所傳送來之資訊（資料）的記錄（步驟a12q)。將# 制部58之機能稱^「記錄控制部（記錄重製控制部- 在本實施形態中，如上所述，因為記錄策略電路5?B的記 錄脈衝策略（記錄脈衝調變型樣）係被蚊成經步驟細所 TF988406 62 201009829 特定之記錄層對應的記錄脈衝策略狀態，因此依欲記錄之記 錄層所對應的記錄脈衝策略，執行資訊之記錄。 再者，在本實施形態中，如上所述，從記錄用雷射驅動器 54Ab所輸出之雷射的功率（記錄功率），因為被控制成經步 驟A10所特疋之§己錄層對應的最佳功率，因而依欲記錄的記 錄層所對應的雷射功率執行資訊之記錄。 (光記錄媒體之重製方法） β 光記錄媒體之記錄重製裝置（驅動器）60係如圖6所示， 右從如個人電腦等電腦（或透過轉器本身所設置的按鍵等 輸入部）輸入重製指令，控制部58便根據重製指令中所含位 址資訊決定重製哪一記錄層（步驟Β10)。 其中，若將媒體設置於驅動器中，便從媒體中讀出目錄資 訊(在哪一位址中記錄著何種資訊的資訊)，例如預先在電腦 畫面上顯Μ選項’若由使用者闕選話 ❹人包含位址資訊在内之重製指令即可。 動"輸 依此，右控制部58被輸入重製指令，便將所重製的記錄 層予以特定。將此控制部58之機能稱為「記錄層決定部（記 錄層特定部）」。 • 其:欠’控制部58根據在步驟Β10中被特定之記錄層之分 '層資訊，從記憶體58Β中讀出循轨極性（步驟_，並設定 循軌伺服電路55Β的循軌極性（步驟Β3〇)。 如上述般妓重製條件（記錄重製條件）之後，控制部58 TF988406 201009829 便對聚焦伺服電路55A輸出聚焦伺服指令，接收到此指令的 聚焦伺服電路55A透過聚焦驅動器54B或拾波用致動器控制 光拾波器53,藉以對第1記錄層2(22)及第2記錄層5(25) 中任一記錄層附加聚焦伺服（步驟B4〇)。將此控制部58之 機能稱為「聚焦伺服控制部」。 在本實施形態中’如上所述，因為循軌伺服電路之循 轨極性係設定成對應著步驟则中所蚊之記錄層的循軌 極性’因而依照欲重製之記錄層所對應的循軌極性施行循 軌0 其中，當光記錄媒體50之各記錄層2、5(22、25)之大致 整面預先記錄著分層資訊作為位址f訊其中—部份 況，便根據位址資訊，在在 _「可。另一方面，4先:：態下’附加聚焦 田預先在光記錄媒體50之記錄管理 ㈣訊的情況’僅此記錄管理區域附 僅層的光記_執行資訊重製時， 5己錄層附加聚焦伺服即可。 3 部58便透軌麟料 56A、矩陣電路咖、 _放大器 隹伺服的一 " 56C，凟出圮錄於經附加聚 二服的錢層中所記錄的分層資訊（層資 :將，58之機能稱為「分層資訊讀步驟 p 58顺經在步驟湖中所讀出之分層資訊 TF988406 201009829 itrr層是否屬於經步驟副中所特定之記錄層（步 、句話說’判斷步驟B5G中所讀出分層資訊是否 mr/树定之記錄層之分層資訊—致。將此控制部 =機此％為「記錄層騎部（分層資訊判斷部）」。 1斷、°果為經所讀出分層資訊而特定的記錄層屬於 步驟BIG中所特定之記錄層（欲重製的特定記錄層）時（即，

，判斷與分層資訊—致），控制部58便透過重製用雷射驅動 4Aa對光4波器53輸出重製指令，並對應此而驅動雷射 二極體’根據記錄層所對應的重製條件（記錄重製條件），透 1訊號處理部56而重製、_加聚顏服之—記錄層的位址 =貝Λ所特疋位址中記錄的資訊（步驟β7〇)。將此控制部之機 能稱為「重製控制部（記錄重製控制部）」。 在本實施形態中’如上所述，從重製用雷射驅動器54Aa 所輪出之雷射的功率（重製功率）係被控制於經步驟Bl〇所 特定之記錄層對應的最佳功率狀態，因此，依欲重製記錄層 所對應的雷射功率執行資訊之重製。 另外’當控制部58判斷在步驟Β60中經所讀出之分層資 訊特定的記錄層並非屬於欲重製之記錄層（即，判斷為分層 資訊非一致）時’便返回步驟Β40，並對其他記錄層附加聚 焦伺服，然後，直到判斷經所讀出之分層資訊特定的記錄層 屬於欲重製之記錄層為止（即，直到分層資訊一致為止），均 重複相同的處理（步驟Β40〜Β60)。 TF988406 65 201009829 之=重製方Π:實施形態的光記錄媒體、光記錄媒體 城= 錄媒體之記錄重製裝置，因為在光 :=記錄著分層資訊，因而具有對應著欲執行資訊之 率1製的記錄層而可瞬間切換如記錄脈衝策略、記錄功 率重製功率等記錄重製條件的優點。 再者，亦具有可依欲執行資訊之記錄或重製的記錄層所對 應。己錄重製條件（如循軌極性、記錄脈衝策略、記錄功率、 重製功率等），正確且癌實地執行資訊之記錄或重製的優點。 另外’本發明並非僅限於上述實施形態，在不脫離本發明 主旨之範疇下，均可實施各種變化。 本申請案係根據2002年12月17日在日本提出申請的特 願2002-365542號、及2003年8月20日在日本提出申請的 特願2003-295988號、以及2002年12月17日在日本提出 申請的特願2002-365541號，並爰用其整體内容。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明一實施形態的光記錄媒體（形式丨）整體 構造之模式圖。 圖2係顯示本發明一實施形態的光記錄媒體（形式2)整體 構造之模式圖。 圖3係顯示本發明一實施形態的光記錄媒體之記錄重製 裝置整體構造之模式圖。 圖4係顯示利用本發明一實施形態的光記錄媒體之記錄 TF988406 66 201009829 重製裝置控制部執行處理的流程圖。 圖5係顯示利用本發明一實施形態的光記錄媒體之記錄 重製裝置控制部執行處理的流程圖。 圖6係顯示利用本發明一實施形態的光記錄媒體之記錄 重製裝置控制部執行處理的流程圖。 '【主要元件符號說明】 1 第1基板 參 2 第1記錄層 3 第1反射層 4 中間樹脂層 5 第2記錄層 6 第2反射層 7 接著層 8 第2基板 參 11 記錄執道 12 記錄軌道 21 第1基板 22 第1記錄層 . 23 第1反射層 、 24 透明接著層 25 第2記錄層 26 第2反射層 TF988406 67 201009829 27 第2基板 28 緩衝層 31 記錄執道 32 記錄執道 50 光記錄媒體 51 主軸馬達 52 馬達驅動器 53 光拾波器 54 光拾波用驅動器 54A 雷射驅動器 54Aa 重製用雷射驅動器 54Ab 記錄用雷射驅動器 54B 聚焦驅動器 54C 循軌驅動器 55 伺服處理器 55A 聚焦伺服電路 55B 循執伺服電路 56 訊號處理部 56A 放大器 56B 矩陣電路 56C 解調電路 57 資料處理部

TF988406 68 201009829 57A 調變電路 57B 記錄策略電路 58 控制部 58A CPU 58B 記憶體 60 記錄重製裝置 TF988406 69

Claims (1)

1. 201009829 七、申請專利範圍·· :以 1:::先記錄媒體之記錄重製方法，其 分層資訊讀出步驟，其係由記錄著控制部可利用來3白有： :的雷射光照射而執行資訊之記錄或重製的複數=面 °己錄層之分層資訊的光記錄媒體其中之-記錄居，透二的 測出整體健資歡位元反狀有無，㈣心過檢 =錄重製控制步驟，其係上述控制部控制成以根據 :二::特疋之记錄層所對應的循軌資訊、記錄脈衝策略、 ⑽建議功率來執行記錄或重製之形能。 衡泉略 二申請專利範圍第1項之光記錄媒體之記錄重製方 / 上賴制部具備記錄重製條件讀出步驟，复係用 以讀出上㈣崎舰切記狀各記騎之循：、 錄脈衝策略、記錄建議功率。 ° °己 3.-種光記錄媒體之記錄重製裝置，其特徵為具傷有. 分層資訊讀出部，其係由記錄著可利用來自單面側的雷 執行資訊之記錄或重製的複數記錄層的各 之刀層:貝訊的光記錄媒财中之—記騎，透 位址資訊之位元反轉之有無，而讀出分層資訊；^正體 d錄重製控制部，其係控㈣依照根據上述分層資訊 定之記錄層所對應的餘資訊、記錄脈衝策略 建a 率來執行記錄或重製的狀態。 錄建4功 TF988406 70 201009829 4.如申請專利範圍第3項之光記錄媒體之記錚重製裝 置，其中，具備記錄重製條件讀出部，其係用以讀出上料 記錄媒體中所記錄之各記錄層之循軌#訊、記錄 記錄建議功率》 5· —種光記錄媒體’係利用申請專利範 _ _ 1項之光記錄 媒體之圮錄重製方法而執行記錄或重製者，其特徵為具 參 經來自單面側的雷射光照射便能執行資 :。、備有 複數記錄層； ^之⑽或重製的 在上述各記錄層中，分別記錄著分層資訊，於 錄Γ相鄰的2個記錄層之中，透過使—個記錄層的整^ 址資訊進行位元反轉的方法，而記錄上述分層聽。體位 6. 如申請專利範圍第5項之光記錄_，其/ 之記錄層係具有2個記錄層。 4硬數 7. 如申請專利範圍第5項之光記錄媒體，其中，至 =個上述各記錄層的循執資訊、記錄脈衝策略、記錄建議 8. 如申請專利範圍第7項之光記錄媒體，其中，上述 資訊被記錄在上述各記錄層中之最初存取的記錄層。 9. 如申請專利範圍第7項之光記錄媒體，其中 資訊、記錄脈衝策略、記錄建議功率係記錄於上述各記錄^ _最接近雷射光入射側之層中。 ' ίο.如U利範圍第5項之光記錄媒體，其中，上述各 TF988406 71 201009829 記錄層係含色素之記錄層。 TF988406