[go: up one dir, main page]

TW201007959A - Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same - Google Patents

Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
TW201007959A
TW201007959A TW098125640A TW98125640A TW201007959A TW 201007959 A TW201007959 A TW 201007959A TW 098125640 A TW098125640 A TW 098125640A TW 98125640 A TW98125640 A TW 98125640A TW 201007959 A TW201007959 A TW 201007959A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
solar cell
photoelectric conversion
color modulation
conversion layer
Prior art date
Application number
TW098125640A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI409962B (zh
Inventor
Huey-Liang Hwang
Cheng-Chung Lee
Naejye Hwang
Shiang-Chih Yang
Meng-Hsun Sung
Original Assignee
Integrated Digital Tech Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=41402238&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW201007959(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Integrated Digital Tech Inc filed Critical Integrated Digital Tech Inc
Publication of TW201007959A publication Critical patent/TW201007959A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI409962B publication Critical patent/TWI409962B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)

Description

201007959 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於可將太陽輻射能量轉換為有用電能的光 伏特電池(photovoltaic cells)，特別是有關於具有色彩 太陽能電池及其製造方法。 【先前技術】
㈣或光伏特電池雜陽光的絲#自光電轉換 機制轉換為電能。近年來，在全球化環境保護的浪潮之下， 太％旎電池供應電力被寄予厚望，並已積極進行研究發展， 期能獲致廣泛_業化。基於㈣需求或視覺美觀的因素， 太陽此電池可能需要有不同的外觀色彩，例如：當將太陽能 電池應用在建築物的屋頂或外牆時’若考量建準 時，即便需要與賴物或周遭環境_色做整體u美觀 。而習知技術即如美國專利第5,725,006號和第6,049,035 號等，即便需要額外的製程，方能舒太陽能電池不同的色 f，同時卻又劣化太陽能電池的光電轉換效率。因此，毋須 ，由複雜設計或製程’又不會影響太陽能轉轉換效率的前 提下’而能獲致乡種色彩太陽能電池者，為此業界人士之所 需。 【發明内容】 j發明之一目的，在於提供具有色彩調變之太陽 f池及Γ製造方法。根據本發明之太陽能電池包括一光電 思、f與巧於光電轉換層上方之一色彩調變層，光電轉換 ΐ可產生電能’而色彩調變層係用以調變太陽能電 池之色衫外觀、抑或是提昇轉換效率。 致上述目的，本發明可即由提供_種太陽能電 匕括.一光電轉換層，用以從一入射光產生電能；至 >、-第-電極和至少H極，設·上述光電轉換層上 201007959 ί轉上述電能；以及—色彩調變層，設置於上述光 1：轉換層上方，用以調變其色彩外觀。 括.tt明1可藉由提供一種太陽能電池的製造方法，其包 括·祕-光電轉換層；形成至少—電 二 光電轉換層上方；形成—色彩機層於上述光電 轉換層上方，用以調變其色彩外觀。 【實施方式】 5 ®細示根據本發明—較佳實施例之太陽 $ 方法流酬面®。請參照第1 ®，ν型半導體層 拔品^成设置於ρ型半導體基底1〇上，而於其間形成有ρ_Ν 14 ’故而在ρ_Ν接❺14處形成有電場 f^eld)。因此’當光及於此電場形成之處，即便會產生正電 荷載子（positive charge carriers)和負電荷載子 (negative charge carriers) ’便會產生電流流經p_N接面 14，此即稱為光電轉換機制（ph〇t〇electric c〇nversi〇n mechamsm)。廣義來說，p型半導體基底1〇和N型半導體層 12的組合，即用以建構光電轉換層u，用以自入射光產生 電能。P，半導體層10可以是P型矽基底，而N型半導體層 12可以是順應地(C0nf0rmably)沈積於p型矽基底上方，經 由N型雜質摻雜入p型矽基底而得。同理，N型半導體基底 和P型半導體層的組合，也可以用來建構光電轉換層u。廣 義而論，光電轉換層11可以是由一種或多種半導體物質所 構成，此半導體物質可以是單晶（single cryStaiiine)、多 b曰(polycrystalline)、非晶（amorphous)狀態之石夕、鍺或類 似的半導體材料。 如第2圖所示’透明抗反射層16係形成設置於光電轉換 層11上方’可以是由氮化石夕（silicon nitride)材質所構 成’其形成方法可以是蒸鍵法（evap〇rati〇n)、滅鍍法 (sputtering)、印刷法(print screen)、化學氣相沈積法(CVD) 201007959 或其他熟習此技藝之人士所知悉之方式。抗反射層16係用 以保護太陽能電池，並可降低電池單元表面的反射漏失 (reflective loss);較佳而言，抗反射層16的厚度約可介 於1〜500nm間之範圍。 接著，導電層18和20分別形成設置於光電轉換層11相 對應之表面上方，其形成方法可以是蒸鍍法 (evaporation)、濺鍍法（sputtering)、印刷法（print
screen)、化學氣相沈積法(CVD)或其他熟習此技藝之人士所 知悉之方式。如第3圖所示，導電層18係形成設置於光電 轉換層11之正面，因此形成設置於抗反射層16上；而導電 層20則形成設置光電轉換層11之背面，與p型半導體基底 10相接觸。導電層18和20可以是由金屬或合金所構成，其 材質可以是金、銀、紹、銅、鉑等類似物質，亦可以是諸如 氧化銦錫（ΙΤ0)或氧化鋅（Zn〇)等透明導電氧化物 (transparent conductive oxide) ° 導電層18可以經過熱處理，使導電層18内含之導電物 質可以藉由穿透效應(spiking effect)，通過抗反射層16而及 於N型半導體層12。此外，導電層π和20可經過定義 (patterned)成為複數平行線’分別做為前電極22和背電極 24。如同第4圖所示，前電極22係電連接至N型半導體層 12，背電極24係電連接至p型半導體基底1()，據此，前電 極22和背電極24即成為光電轉換層u之兩個電性端子； 巧話說，當太陽能電池單幻接受太陽光照射時，電極22 =用以對光電轉換層u所產生的電能進行充、放電操 二，佳而言，背電極Μ可職置成各種形狀，諸如凹凸 l^c^av_nvex)結構，俾利光能聚集(lightc〇Uecti〇n)。 stmeti 可以形成特定表面結構(SUlfaCe_textured 夕入具有粗紗面，騎於光線能及於光電轉換層11 之入射效率，會有所提昇。 w 201007959 根據本發明’色糊變層％係形成設置於抗反射層16 上方’故而使太陽能電池單元丨具有各種顏色。色彩調變層 26可以是由一種或多種介電物質(dielectdc material)所構 成，而形成色彩調變層26係於真空或接近真空的環境下， 以塗佈法(coating)、蒸錢法(evap〇rati〇n，諸如電子搶蒸鍵）、 濺鍍法(sputtering)、化學氣相沈積法(CVD)或其他適切& 方法等。 各種介電物質或其組合物均可以使用，例如氧化物(Sn〇2, Al2〇3, Si〇2, ZnO, Y2〇3, Ta2〇5, Ή〇2 Cr2〇3 等)、氟化物(MgF2:
Na3AlF6 等）、硫化物(ZnS，PbS，CdS 等）、氮化物(Si3N4, A1N， A10xNy，etc.)、碌化物(CdTe等）、栖化物(PbSe等)及/或類似 物質等。較佳而言’色彩調變層26的厚度約可介於1〜sooonm 間之範圍。 根據本發明，藉由提供色彩調變層26設置於抗反射層 16 ’無須犧牲轉換效率或使用複雜製程，即可獲致所需的視 覺效果，。在某些實驗條件下，色彩調變層26更可減少反 射損失(reflectiveloss)，而能增加太陽功率轉換效率。 接著，一保護層28和一透明層30依序形成覆蓋於色彩 調變層26上方。保護層28是由一透明薄膜，較佳而言，可 以是由伸乙基醋酸乙婦酯（ethylene vinyl acetate: EVA) 或聚乙烯縮丁搭(polyvinyl butyral: PVB)所構成，藉以避 免太陽此電池皁元直接暴露於太陽或雨水、抑或是受濕的影 響。較佳而言，透明層30可以是由熱處理玻璃(treated glass) 或非熱處理玻璃(nontreatedglass)所組成。 值得一提的是上述實施例所示之步驟順序，可以視實際 應用予以調整，例如：形成電極22和24之步驟可以在形成 色彩調變層26步驟之後。因此，上述實施例僅用為示例之 用’並非用以限定本發明之申請專利範圍。 以下舉若干實驗例，茲以為參考： 201007959 實驗例I: 向/ f層ί1是由第一型之秒層形成於第二型之梦基底 所开f成目丨第一型是Ρ型’則第二型為Ν型；若第-二型為ρ型。例如’光電轉換層11是由具 Λ Λ6、厚度140〜25(3 _之树質所構成，抗反 折射率h 8〜2.2、厚度60〜120⑽之氣化石夕 以ϊί給2中’並無色彩調變層26形成覆蓋於各底層， ”哲m、W做一對照’而其反射頻譜(reflective ❹ 圖’可知其分別測量為34.92、 實驗例Π : Μ / ίίίί層U是由第一型之碎層形成於第二型之碎基底 Ξ Λ ί成目第-型是p型，則第二型為n型；若第一 有二率μ f，為p型°例如’光電轉換層11是由具 ΐϊϋϋ厚度14G〜25_之魏請構成；抗反 二有折射率h 8〜2.2、厚度6(M20麗之氮化矽 =，=ΐ層26是由具有厚度ι _〜2, _之材質 率驗長之崎_於第7 ®。此實驗例之 i!!i^ectlve spectrum)示於第8圖，可知其〇肌w 刀別/則罝為 56.65、-18.54、23.76 等。 實驗例ΠΙ : 內/ίίί?層由第一型之石夕層形成於第二型之梦基底 内/上所構成，右第一型是p型，則第二 ；若 型疋N型’則第二型為p型。例如 轉、 有折射率3· 4〜3. 6、厚請〜咖_之; =6·是Λ具;f折射率8〜2.2、厚度 =26是由具有厚度8G(H.虜之材質所 ίί後之曲線圖示於第9圖。此實驗例之反 射頻《曰(reflectlvespectmm)示於第1〇圖，可知其c正厶〜砀* 201007959 分別測量為22、14.41、-8.29等。 實驗例IV ： 光電轉換層11是由第-型之抑形成於第二型之梦基底 内/上所構成’ ^第-型是p型，則第二型為N型；若第一 iif f，則第二型為p型。例如，光電轉換層11是由具 ϋ3.4〜3.6、厚度14G25G//m之稽f所構成；抗反 射層16是由具有折射率1· 8〜2. 2、厚度6(M2Qnm之氮化石夕 所構成；色彩調變層2具有多層結構，本例中，是以三層所 構成，第-層具有折射率2· 15〜2· 55、厚度75(Η舰，第 二層具有折射率3. 6〜4. G、厚度1，55(Μ95()Α，第三層具有 折射率2.15〜2.55、厚度96(Η36〇Α，第一層 '第二層、第 二層係依序由下而上堆疊而得。此實驗例之反射頻譜 (reflective spectrum)示於第η圖，可知其笱*分別測 量為 47.05、28.63、-13.77 等。 由上述諸實驗例可知，本發明所揭示之具有色彩調變層 之太陽月b電池’可以簡單結構和足夠的轉換效率冑現，而能 展現既定的色彩，故雜做為雜材料，使美觀 得以善且。 雖然本發明已以若干實施例和實驗例敘述如上，惟本發 明之範圍並未為該等實施例和實驗例所限定，尤其色彩調變 之材質並非限定於實施例所列示之材質，任何可藉由光調變 層26之色彩調變特性達到調整太陽能電池外觀顏色者，均 可適用。進-步說’光調變層26可以是氧化物、氣化物、 硫化，、氮化物、碲化物、硒化物及/或類似物質等，抑或是 異於氧化物、氟化物、硫化物、氮化物、碲化物、硒化物等 之材質。 根據上述之揭示，本發明尚包含其他之修改或變化，而 可以上述特定實施例的方式實現，因此，本發明所涵蓋之範 圍當以後附之申請專利範圍界定為準。 201007959 【圖式簡單說明】 第1至5圖所示為根據本發明一較佳實施例之太陽能電 池製造方法流程剖面圖； 第6圖係顯示實例I中太陽能電池之反射光譜(reflective spectrum); 第7圖係顯示實例Π中色彩調變層之折射率對波長圖； 第8圖係顯示實例π中太陽能電池之反射光譜； 第9圖係顯示實例m中色彩調變層之折射率對波長圖； 第10圖係顯示實例ΙΠ中太陽能電池之反射光譜；以及 • 第11圖係顯示實例IV中太陽能電池之反射光譜。 【主要元件符號說明】 1〜太陽能電池單元；10〜p型半導體基底；u〜光電轉換 層；12〜η型半導體層；14〜p-n接面；16〜抗反射層；18〜導 體層’ 20~導體層；22〜前電極；24〜背電極；26〜色彩調變層； 28〜保護層；以及，30〜透明層。

Claims (1)

  1. 201007959 七、申請專利範圍： I. 一種太陽能電池，包括： 一光電轉換層’用以從一入射光產生電能； 至少一第一電極和至少一第二電極，設置於上述光電轉 換層上方，用以輸出上述電能； 一色彩調變層，設置於上述光電轉換層上方，用以調變 其色彩外觀。 2·如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，尚包括一 抗反射層’設置於上述色彩調變層和上述光電轉換層之間。 、3.如申請專利範圍第2項所述之太陽能電池，其中，上 瘳 述至少一第一電極經由該抗反射層接觸上述光電轉換層。 4'如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中，上 述色彩調變層包含氧化物、氟化物、硫化物、氮化物、碲化 物及硒化物等中之至少一者所構成。 5. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中，上 述色彩調變層包含複數薄膜。 6. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中，上 述色彩調變層具有idOOOmni厚度。 7. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中，上 述光電轉換層具有粗糙表面。 參 8. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中，上 述光電轉換層具有非粗糙表面。 9·如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，尚包括一 保護層和一透明層，依序設置於上述色彩調變層上方。 10·如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池，其中，上 述保護層具有1.4-1.6之折射率。 II. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池，其中’ 上述保瘦層具有是由伸乙基醋酸乙稀醋（ethyiene vinyi acetate: EVA)和聚乙稀縮丁搭（p〇iyvinyi butyral: PVB) 10 201007959 中之至少一者所構成。 12·如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池， 述透明層具有1.4-1.6之折射率。 、中’上 13. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池， 上述透明層是由玻璃所構成。 再中’ 14. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，复 和上述第二電極係設置於上述光電轉換層之Ϊ 15. 如申請專利範圍第丨項所述之太陽能電池其 IS和上述第二電極係分別設置於上述光電轉換層= 16. —種太陽能電池的製造方法，包括： 提供一光電轉換層； 層上 =至少-第-電極和至少—第二電極於上述光電轉換 形成一色彩調變層於上述光電轉換層上方，用以調變其 色衫外觀。 〃 17. 如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池，尚包括 形成一抗反射層於上述色彩調變層和上述光電轉換層之間。 18. 如申請專利範圍第17項所述之太陽能電池，尚包括 形成上述至少一第一電極經由該抗反射層接觸上述光電轉 換層。 19. <如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池，其中， 上述色彩調變層包含氧化物、氟化物、硫化物、氮化物、蹄 化物及硒化物等中之至少一者所構成。 20·如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池，其中， 上述色彩調變層具有厚度。 21_如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池，尚包括 在-真空或近真空環境下形成上述色彩調變層。 201007959 22. 如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池，其中， 上述光電轉換層具有粗糙表面。 23. 如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池，其中， 上述光電轉換層具有非粗糙表面。 24. 如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池，尚包括: 形成一保護層於上述色彩調變層上方：以及 形成一透明層於上述保護層上方。 25. 如申請專利範圍第24項所述之太陽能電池，其中， 上述保護層具有1.4〜1.6之折射率。 26. 如申請專利範圍第25項所述之太陽能電池，其中， 上述保護層具有是由伸乙基醋酸乙烯酯（ethylene vinyl acetate: EVA)和聚乙浠縮丁搭(p〇iyVinyi butyral: PVB) 中之至少一者所構成。 27. 如申請專利範圍第24項所述之太陽能電池，其中， 上述透明層具有1.4-1.6之折射率。 28. 如申請專利範圍第27項所述之太陽能電池，其中， 上述透明層是由玻璃所構成。 、 29·如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池，其中， 上述第一電極和上述第二電極係設置於上述光電換 同一側表面上。 、 30.如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池其 述第"電鋪分職置於上觀電轉換層
TW098125640A 2008-08-14 2009-07-30 具有色彩調變之太陽能電池及其製造方法 TWI409962B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8877908P 2008-08-14 2008-08-14
US12/468,606 US20100037948A1 (en) 2008-08-14 2009-05-19 Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201007959A true TW201007959A (en) 2010-02-16
TWI409962B TWI409962B (zh) 2013-09-21

Family

ID=41402238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098125640A TWI409962B (zh) 2008-08-14 2009-07-30 具有色彩調變之太陽能電池及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20100037948A1 (zh)
EP (1) EP2154727B1 (zh)
JP (1) JP2010045368A (zh)
KR (1) KR101127182B1 (zh)
CN (1) CN101651157B (zh)
SI (1) SI2154727T1 (zh)
TW (1) TWI409962B (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100037948A1 (en) * 2008-08-14 2010-02-18 Integrated Digital Technologies, Inc. Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same
TWI504002B (zh) * 2009-06-05 2015-10-11 Semiconductor Energy Lab 光電轉換裝置
DE102010017155B4 (de) * 2010-05-31 2012-01-26 Q-Cells Se Solarzelle
US20120000521A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 Egypt Nanotechnology Center Graphene Solar Cell And Waveguide
CN102074602A (zh) * 2010-12-08 2011-05-25 山东力诺光伏高科技有限公司 一种单彩色太阳能电池组件及制作方法
CN102074603A (zh) * 2010-12-08 2011-05-25 山东力诺光伏高科技有限公司 一种后镀膜的彩色太阳能电池组件及其制备工艺
US8088990B1 (en) * 2011-05-27 2012-01-03 Auria Solar Co., Ltd. Color building-integrated photovoltaic (BIPV) panel
KR101300783B1 (ko) * 2011-03-11 2013-08-29 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 광기전력 모듈 및 그 제조 방법
ITMI20110731A1 (it) * 2011-05-02 2012-11-03 Giovanni Battista Quagliato "modulo fotovoltaico in forma di elemento architettonico e processo per la realizzazione dello stesso"
TWI470821B (zh) * 2011-10-14 2015-01-21 Iner Aec Executive Yuan A method for producing a color-type flexible thin-film solar cell
KR101359493B1 (ko) * 2012-03-29 2014-02-10 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 광기전력 모듈 및 그 제조 방법
TWI652831B (zh) * 2013-05-23 2019-03-01 新能光電科技股份有限公司 彩色太陽能電池及含有該電池之太陽能面板
CN105679912A (zh) * 2014-11-21 2016-06-15 新能光电科技股份有限公司 彩色太阳能电池和含有所述电池的太阳能面板
CN106158987A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 陈彩惠 太阳能面板结构
KR102209403B1 (ko) 2018-12-11 2021-02-01 주식회사 포스코 다공성 폴리실록산 필름 제조방법, 이에 의해 제조된 다공성 폴리실록산 필름 및 이를 포함하는 태양광 모듈
IT201900012165A1 (it) 2019-07-17 2021-01-17 Invent S R L Pannello fotovoltaico perfezionato
IT201900012141A1 (it) 2019-07-17 2021-01-17 Invent S R L Pannello fotovoltaico perfezionato
IT201900012183A1 (it) 2019-07-17 2021-01-17 Invent S R L Pannello fotovoltaico perfezionato
CN115706180A (zh) 2021-08-03 2023-02-17 海力雅集成股份有限公司 发色太阳能模块
FI131276B1 (en) * 2023-07-17 2025-01-22 Kyocera Tech Oy IMPLEMENTATIONS TO SILICON

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3569970A (en) * 1968-10-01 1971-03-09 Collins Radio Co Portable antenna having a mast formed of coaxial waveguide sections
US4253881A (en) * 1978-10-23 1981-03-03 Rudolf Hezel Solar cells composed of semiconductive materials
US4359487A (en) * 1980-07-11 1982-11-16 Exxon Research And Engineering Co. Method for applying an anti-reflection coating to a solar cell
JPS60140880A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
JPS60148174A (ja) 1984-01-12 1985-08-05 Seikosha Co Ltd 色つき太陽電池
US4830038A (en) * 1988-01-20 1989-05-16 Atlantic Richfield Company Photovoltaic module
US4919506A (en) * 1989-02-24 1990-04-24 General Electric Company Single mode optical fiber coupler
US5245745A (en) * 1990-07-11 1993-09-21 Ball Corporation Method of making a thick-film patch antenna structure
EP0525139A1 (de) * 1991-02-04 1993-02-03 Paul Scherrer Institut Solarzelle
JP2756050B2 (ja) * 1992-03-03 1998-05-25 キヤノン株式会社 光起電力装置
JP2824882B2 (ja) * 1992-07-15 1998-11-18 株式会社 オプトテクノ 太陽電池装置
US5549763A (en) * 1993-07-26 1996-08-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US5670415A (en) * 1994-05-24 1997-09-23 Depositech, Inc. Method and apparatus for vacuum deposition of highly ionized media in an electromagnetic controlled environment
JP3169799B2 (ja) * 1994-07-15 2001-05-28 松下精工株式会社 異呈色結晶系シリコン太陽電池素子の製造方法
JPH08204220A (ja) 1995-01-31 1996-08-09 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池セル、太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール群
JP4063896B2 (ja) * 1995-06-20 2008-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 有色シースルー光起電力装置
DE19526733A1 (de) 1995-07-21 1997-01-23 Siemens Solar Gmbh Gemusterte Solarzelle
JPH1197733A (ja) 1997-09-18 1999-04-09 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JP2000269535A (ja) * 1999-01-14 2000-09-29 Canon Inc 太陽電池モジュール、発電装置、太陽電池モジュールの分離方法及び太陽電池モジュールの再生方法
US6459035B2 (en) * 1999-12-27 2002-10-01 Asulab S.A. Photovoltaic cell having a colored appearance, particularly for a watch dial
US7227078B2 (en) * 2000-09-08 2007-06-05 Akzo Nobel N.V. Colored solar cell unit
JP2003197937A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Sharp Corp 太陽電池および太陽電池モジュールおよび太陽電池色彩制御方法
WO2004038462A1 (en) * 2002-10-22 2004-05-06 Sunray Technologies, Inc. Diffractive structures for the redirection and concentration of optical radiation
JP4761706B2 (ja) * 2003-12-25 2011-08-31 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
US20060130891A1 (en) * 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
JP4922562B2 (ja) * 2005-02-09 2012-04-25 シチズン時計河口湖株式会社 時計用表示板
JP4948778B2 (ja) * 2005-03-30 2012-06-06 Ｔｄｋ株式会社 太陽電池およびその色調整方法
US8319093B2 (en) * 2006-07-08 2012-11-27 Certainteed Corporation Photovoltaic module
DE202006014595U1 (de) * 2006-09-20 2006-11-23 Wulfmeier Besitzgesellschaft Mbh & Co. Kg Photovoltaikmodul
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
US20100037948A1 (en) * 2008-08-14 2010-02-18 Integrated Digital Technologies, Inc. Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN101651157A (zh) 2010-02-17
JP2010045368A (ja) 2010-02-25
US20100037948A1 (en) 2010-02-18
CN101651157B (zh) 2012-12-26
EP2154727B1 (en) 2019-03-27
EP2154727A3 (en) 2011-05-25
SI2154727T1 (sl) 2019-05-31
KR101127182B1 (ko) 2012-03-20
KR20100021347A (ko) 2010-02-24
EP2154727A2 (en) 2010-02-17
US20170263792A1 (en) 2017-09-14
TWI409962B (zh) 2013-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201007959A (en) Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same
RU2413333C2 (ru) Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления
CN101889350B (zh) 对能够收集光的元件的改进
US8907206B2 (en) Multi-junction solar cell devices
TWI438904B (zh) 薄膜式太陽能電池及其製造方法
CN108140735B (zh) 多接合型光电转换装置和光电转换模块
JP5409007B2 (ja) 高効率の太陽電池及びその調製方法
US20080105298A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080223436A1 (en) Back reflector for use in photovoltaic device
US20080105293A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080236661A1 (en) Solar cell
US8872295B2 (en) Thin film photovoltaic device with enhanced light trapping scheme
JP2014107504A (ja) 光起電力装置
CN103210498A (zh) 光伏装置
CN111916523A (zh) 异质结太阳能电池及其组件、制备方法
CN102097514A (zh) 太阳能电池
US8822259B2 (en) Methods for enhancing light absorption during PV applications
JP2001053329A (ja) ｐｉｎ型光電変換素子
TWI435462B (zh) 多色彩畫作型太陽能電池的製造方法
JP5542025B2 (ja) 光電変換装置
TW201041165A (en) Solar battery and method for manufacturing the same
JP5542038B2 (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法、薄膜太陽電池モジュール
JPS6152992B2 (zh)
KR20190141447A (ko) 박막 태양전지 모듈 및 그 제조방법
JP2003218369A (ja) 光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
MC4A Revocation of granted patent