201007865 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種單晶♦晶圓、單晶碎晶圓的製造 方法以及其評價方法，具體上，是有關於一種即便閘極氧 化膜的厚度是5奈米（nm)左右的薄膜，氧化膜耐壓（g〇i) 亦無劣化之單晶矽晶圓及其製造方法、以及其評價方法。
【先前技術】 最近的CMOS等’其閘極氧化膜的厚度被要求將氧化 膜的厚度極薄化至數奈米。如此薄的氧化膜時，即便是在 氧化膜形成後，晶圓表面的凹凸亦會相似地被傳達而成為 氧化膜的凹凸。 因此，對於先前的25奈米（nm)的氧化膜厚度（SEMI 規格）之晶圓，在進行測定G〇I評價時無法檢出之Q〇i的 劣化在如上述般的薄閑極氧化棋巾，會被檢出。因為 疋日日圓表面的平坦性越高，均勻性越提升所以必須
盡力使晶圓表面平★曰（春昭g太杜0目T 丁 - I歹…、曰本特開平6_14〇377號公報）。 例如，對於举半 不木以下的氧化膜所測定的晶圓的 GOI疋依存於表面粗輪片 aj. ^ , 祖捷度右利用AFM(原子力顯微鏡） 所測定的Ra值為〇丨夺乎 ^ 常卞以下時，可認為是GOI無劣化 的晶圓。 【發明内容】 201007865 厚度為數本t於評價技術的提升，近年來亦確立了氧化膜 ⑽的評價技術。但是，利用該新的 °曰術來評㈣氧化膜的單晶心日日圓的⑽時，即便 曰曰圓的Ra值小的情況，亦有觀察到⑽產生劣化。 例如，對於Ra幾乎相同且整個面為n區域的無缺陷 曰曰矽晶圓及氮摻雜單晶矽晶圓退火晶圓，當閘極氧化膜 ❹ 的厚度為25奈米時，若利用TDDB法來進行評價，至到 達絕緣破壞㈣荷量（Qbd)，幾乎未觀察到不同但是閉 極氧化膜的厚度為5奈米時，得知在晶圓的本徵（intrinsic) 區域’其Qbd值的差異變大，且氮摻雜單晶硬晶圓退火 晶圓’相較於無缺陷單晶石夕晶圓，其Qbd值較小。又， 亦有即便是Ra為(M奈米以上的晶圓，纟⑽值亦無劣 化之情形》 、 此處，TDDB (Time Dependent Dielectric Breakd〇wn; 時間相依介電崩潰）法，是指對絕緣膜連續地施加一定的 • t壓或電流，並以規定的時間間隔，檢測電流或電壓而求 取經時性的變化’來詳細地評價達到絕緣破壞為止之時間 及其經過等之方法。 如此’即便是Ra值小的晶圓，當閘極氧化膜的厚度 是較薄時，也會觀察到G0I劣化。亦即，得知閉極氧化 膜的厚度較薄時，Ra值與GOI的劣化似乎完全無關聯。 於是，若未在表面上實際形成MOS結構來進行評價時， 是無法完全地評價GOI的劣化，但是，此種方法（實際形 成MOS結構來進行評價的方法），因為花費時間且是破壞 201007865 檢查，所以成本昂貴。 本發明是鑒於上述的問題而開發出來，其目的是提供 一種即便閘極氧化膜的厚度為薄至數奈米時，⑽亦益劣 化的單晶矽晶圓及其製造方法；以及提供一種評價方法， 當閘極氧化媒薄時，相較於TDDB &，能夠容易地評價 GOI無劣化之評價方法。 為了解決上述課題，本發明提供一種單晶矽晶圓，其 鲁特徵在於··使用AFM來對該單晶梦晶圓的表面測定表面 粗輪度時，對應波長20奈米〜5〇奈米的頻帶的振幅（強 度）’將使用AFM來測定前述表面粗糙度時的測定值的波 形進行傅立葉變換（Fourier transf〇rmati〇n)，並將頻率作 為XOim’、前述振幅（強度）作為y(nm2)時滿足 Υ<0·00096β·15Χ的關係。 詳細是如後述，得知閘極氧化膜的厚度為數奈米時的 GOI ’是依存於表面粗糙度，但不是僅以Ra值來表示， •且亦依存於對應波長20奈米〜50奈米的頻帶的振幅（強 度）。而且’將使用APM來測定表面粗糙度時的波形進行 傅立葉變換，並將頻率作為x(nm-i)、前述振幅（強度）作 為y(nm2)時，若是滿足y<0 〇〇〇96e-i5x的關係之單晶矽晶 圓’即便閘極氧化膜為薄至數奈米時，亦能作成已強力地 抑制GOI的劣化之單晶矽晶圓。 又’前述單晶石夕晶圓，可以是使用縱型熱處理爐退火 而成者。 使用縱型熱處理爐退火而成之晶圓，在從熱處理爐取 201007865 出時，在表面所形成的氧化膜的4度，多半較薄且變為不 均勻。而且’具有此種不均勻的氧化膜之晶圓，在退火後 的洗淨中，氧化膜被蝕刻時，在氧化膜的較薄部分，會被 ㈣至石夕’其表面粗輪度會變差。而且，該表面粗链度的 變差，當閘極氧化膜變薄時，會造成重大的影響。但是， 本發明的單晶矽晶圓，即便閘極氧化膜變薄時，亦可強力 地抑制G〇I的劣化，並且，即便是使用縱型熱處理爐而 參容易於表面形成不均勻的氧化膜之晶圓，亦成為可抑制 GOI的劣化之晶圓。 又，本發明提供一種單晶矽晶圓的製造方法，其特徵 在於至少包含以下步驟：準備單晶矽晶錠之步驟；將該單 晶矽晶錠切片而製造出複數片切片基板之步驟；對該複數 片切片基板進行拋光、蝕刻、研磨之中的至少1種而加工 成複數片基板之加工步驟；從該複數片基板抽取至少i 片之步驟；使用AFM(原子力顯微鏡）來測定在該抽取步驟 Φ 中所抽取的基板的表面粗糙度，並求取對應波長20奈米 〜50奈米的頻帶的振幅（強度），且判定是否合格之步騍； 以及若前述判定為合格時送至下個步驟，若不合格時進行 再加工之步驟。 如前述，閘極氧化臈的厚度為數奈米時的G〇I，是依 存於表面粗糙度，但不是僅以尺珏值來表示，且亦依存於 對應波長20奈米〜50奈米的頻帶的振幅（強度卜而且， _在裝單曰曰梦晶圓時，從複數片基板抽取至少1片，並使 用AFM來測疋抽取的基板的表面粗輪度，求取對應波長 201007865 20奈米〜50奈米的頻帶的振幅（強度），來進行判定。而 且，若判定為合格時，將抽取時所剩餘的基板送至下個步 驟右不合袼時對剩餘的基板進行再加工，能狗蜂實地製 造出即便閘極氧化膜薄亦無G〇i的劣化之單晶矽晶圓。 此時’前述是否合格的判定，理想是將使用Afm來 測定前述表面粗糙度時的測定值的波形進行傅立葉變 換，並將頻率作為x(nm-i)、前述振幅（強度）作為y(nm2) ❹時，將滿足y<0.00096e-i5x的關係時判定為合格，未滿足 時判定為不合格。 因為將使用AFM來測定前述表面粗糙度時的測定值 的波形進行傅立葉變換，並將頻率作為χ(ηπΓΐ)、前述振 幅（強度）作為y(nm2)時，滿足y<〇〇〇〇96e-i5x的關係之單 晶梦晶圓，是即便閘極氧化膜的厚度薄至數奈米時，〇〇1 亦無劣化的晶圓’藉由滿足或未滿足該關係式來判定是否 合格’能夠從步驟中容易地判斷所製造的單晶矽晶圓是否 • 是G01無劣化者。因此，所製造的單晶矽晶圓能夠作為 可抑制GOI劣化者。 又’前述再加工’較佳是在前述複數片加工基板上形 成犧牲氧化膜後，使用HF溶液除去該犧牲氧化膜之處理。 如此’藉由形成犧牲氧化膜並使用HF溶液來加以除 去’能夠完全且容易地除去例如退火而成的加工基板表面 之不均勻的氧化膜。又，藉由形成犧牲氧化膜，能夠緩和 表面形狀。因此’能夠改善對應波長2〇奈来〜5〇奈米的 頻帶的振幅（強度）’而且即便第丨次判定不合格者亦不必 201007865 將不合格基板毁棄，藉由再加工能夠作成可抑制g⑴劣 化之單晶矽晶圓。 而且，本發明，較佳是應用於在前述加工步斑 抽取步驟之間，使用縱型熱處理爐進行退火熱處理的情 況。 通常，使用縱型熱處理爐退火而成之基板，從熱處理 爐取出時，在表面所形成的氧化膜的厚度容易變薄且容易 鲁變為不均勻。而且’若將具有此種不均勾的氧化膜之晶 圓，在退火後進行洗淨，則該不均勻的氧化膜被钱刻時， 部分較薄處會被蝕刻至矽，因此表面粗糙度會變差，而對 G〇1造成影響。 但是，即便是此種在縱型熱處理爐退火而成之單晶矽 晶圓，若依照本發明的製造方法，能夠只將可抑制G〇I 的劣化者送至下傭步驟。又，藉由在縱型熱處理爐中進行 退火，能夠對應近年來的大口徑晶圓，同時能夠消滅在表 春 層附近的結晶缺陷。 而且，本發明提供一種單晶矽晶圓的評價方法，其特 徵在於：使用AFM來測定該單晶矽晶圓的表面粗糙度， 並計算對應波長20奈米〜50奈米的頻帶的振幅(強度）， 來評價氧化膜耐壓有無劣化。 因為閘極氧化膜的厚度為數奈米時的G〇I，是依存於 使用aFM來測定表面粗糙度時對應波長2〇奈米〜5〇奈 来的頻帶的振幅’藉此來評價G0I有無劣化，因為現實 上即便未在表面形成MOS結構亦能夠藉由AFM來測定單 201007865 晶矽晶圓表面’而能以代替的方式來評價G〇i的劣化， 所以能夠非常簡單地評價GOI有無劣化。 此時，前述評價，是將使用AFM來測定前述表面粗 链度時的測定值的波形進行傅立葉變換，並將頻率作為 ΑηηΤ1)、前述振幅（強度）作為y(nm2)時，將滿足 y<0.00096e的關係時評價為無劣化，未滿足時評價為 有劣化為佳。 φ 使用AFM來測定表面粗糙度並將波形進行傅立葉變. 換時，對應波長20奈米〜50奈米的頻帶的振幅y(nm2)， 在將頻率作為Xhm-1)的情況，滿足y<〇⑽⑽以·^的關係 時，該單晶砍晶圓，《即便纟閉極氧化膜薄時亦能夠抑制 GOI的劣化者。相反地，未滿足前述關係的單晶矽晶圓， 會發生GOI的劣化。因此’能夠藉由是否滿足此關係式 而容易地評價單晶矽晶圓有無劣化。 如以上說明，若依照本發明，能夠提供一種即便閘極 ❿氧化膜的厚度薄至數奈米時，GOI亦無劣化之單晶矽晶圓 及其製造方法；以及提供一種相較於TDDB法能夠容 易且尚精確度地評價GOI無劣化之評價方法。 【實施方式】 以下，更具體地說明本發明。 如則述’近年來，即便是Ra值小的晶圓’其閑極氧 化膜的厚度薄時，也會觀察到GOI的劣化，而期待有 決該問題之對策。 201007865 因此，本發明人，針對閘極氧化膜的厚度為薄至數夺 米時的G01的劣化之原因，進行如下的研討。 首先，針對4片使用縱型熱處理爐進行^退火而成 之表面粗糙度良好（Ra=0.10奈米）的氣推雜單晶錢火晶 ® A(以下亦記載為條件A晶圓）；3片表面粗錄度良好 ⑽=0.08奈米）的無缺陷單㈣晶圓B(以下亦記載為條件 B晶圓）；及3片使用縱型熱處理爐進行Ar退火後，進行 φ犧牲氧化、HF、溶劑洗淨而成之表面粗糖度為通常水準 (Ra=(M2奈米）的象換雜單晶秒退火晶圓c(以下亦記載為 條件c晶圓），進行G0I評價並測定Qbd值，來進行調查 GOI的劣化的原因及與劣化有關聯之參數。 如則述’以往認為，若Ra值為〇. 1奈米以下，即便 閑極氧化膜薄時，亦能夠作為G〇I無劣化的晶圓。 但疋’本發明人，以5奈米的閘極氧化膜的條件，對 使用縱型熱處理爐進行AriE火而成之條件A晶圓，評價 ❿GOI時，發現儘管Ra值良好而為奈米，亦會產生劣 化又，同樣地使用縱型熱處理爐進行Ar退火處理而成 之條件C晶圓，儘管Ra值並不是〇」奈米以下發現亦 未產生GOI的劣化。又，亦得知條件B晶圓是如先前， 其Ra良好且能夠抑制GOI的劣化。 因此，本發明人認為與Ra值不同的參數是與GOI的 劣化有關聯’並進行各式各樣的研討後的結果，發現表面 步糙度之中，某特定的頻帶的振幅強度與值有關聯。 具體而5，是參照第1〜ό圖來說明。第1圖是表示 10 201007865 先使用AFM來測定條件A〜C的單晶矽晶圓的表面粗糙 度’並將波形進行傅立葉變換時，對應波長1〇奈米的頻 率的振幅強度及Qbd值之圖。第2圖是表示波長20奈米、 第3圖是表示波長3 0奈米、第4圖是表示波長5 〇奈米、 第5圖是表示波長100奈米、第6圖是表示波長500奈米 時的頻率的振幅強度及Qbd值之圖。 如第1圖所示，得知A〜C的單晶矽晶圓之對應波長 1〇奈米的頻率的振幅強度，任一晶圓幾乎相同，但是條 件A晶圓的Qbd值小且GOI的劣化激烈。相對於此，得 知條件B、C的晶圓是Qbd值大且劣化不大。 而且，如第2圖所示，得知Qbd值小之條件a晶圓， 相較於條件B、C晶圓，對應波長20奈米的振幅為較大。 同樣地’如第3、4圖所示，得知可認為對應波長3〇奈米、 波長50奈米的頻率的振幅強度為較小的條件B、c晶圓， 是Qbd未變小而能夠抑制G〇I的劣化者。 • 對應波長進一步變長的100奈米的頻率的振幅強 度儘管條件C晶圓的值為較大，但是Qbd值未變小， 可認為沒有關聯。而且，條件c晶圓，其對應波長5〇〇 奈米的頻率的振幅強度，儘管是大致與Qbd值較小的條 件A晶圓大致相同，但是未產生GOI的劣化。 根據以上的結果可知，發現：與Qbd值變小亦即產生 G01的劣化有關者並非Ra值，而是使用AFM來評價表 面粗輪度時對應波長2〇奈米〜5〇奈米的頻率的振幅，偌 該頻帶的振幅小，則即便閘極氧化膜是較薄的情況，亦能 201007865 夠認定是GOI無劣化的單晶矽晶圓。 而且，對應波長20奈米〜5〇奈米的頻率（頻率為 〜U5[nm，）的振幅，是小至毅何種關係的程度時才 成為G〇I無劣化者’本發明人，對此進行更詳細的研討。 此時，G01的評價，是進行評價在1〇代施加lmA/em2 的電流時之TDDB特性，並將在累積故障率為9㈣時的 Qbd值為〇.18c/cm2以上，評價為合格。 〇 結果，如第7圖所示，發現：將横軸作為頻率數 XUnT1)，將縱軸作為振幅（強度）y(nm2)，並將無劣化 的晶圓標緣為□’將G0I有劣化的晶圓標綠為X時⑽ 無劣化的晶圓的強度，以相當的精確度滿足 y<0.00096e-15X的關係。 而且’基於以上的知識’本發明人想到了以下的技術 而完成卷發明，亦即：先使用AFM來測定表面粗糙度， 並求取對應波長20奈米〜50奈米的頻帶的振幅（強度）來 ® 進行是否合格的判定，籍此，未形成表面MOS結構亦能 夠容易地評價GOI有無劣化；又，在製造過程中，將進 行上述判定的步驟組入製程中，便能夠製造出已抑制G〇I 劣化後之單晶矽晶圓。 以下’詳細地說明本發明，但是本發明未限定於這些 實施方式。 本發明的單晶矽晶圓，是使用AFM對單晶矽晶圓的 表面測定表面粗糙度時，其對應波長20奈米〜50奈米的 頻帶的振幅（強度）’當將波形進行傅立葉變換，致將頻率 12 201007865 作為Wnm·1)、振幅（強度）作為y(nm2)時，滿足 y<0.00096e-15X 的關係者。 上述使用AFM來測定表面粗糙度時，對應波長 〇不米50奈米的頻帶的振幅（強度），將波形進行傅立 葉變換’並將頻率作為Wnm·1)、振幅（強度）作為y(nm2) 時滿足y<0.00096e 15X的關係之本發明的單晶碎晶圓， 即便其閘極氧化膜較薄時，亦幾乎無依存於表面粗糙度之 GOI的劣化。 此處，本發明的單晶硬晶圓，可以是使.用縱型熱處理 爐進行退火而成者 如此，從熱處理爐取出時，在表面容易薄薄地形成不 均句的氧化膜之藉由縱型熱處理爐退火而成者，是在洗淨 時表面粗誠容㈣差之退火晶0，但是，若是滿足本發 明所規定之先前的關係者；即便其間極氧化膜較薄時，亦 能夠作為GOI無劣化的單晶石夕晶圓。 而且，此種本發明的單晶矽晶圓，能夠藉由以下所示 的製造方法來製造。但是當然未限定於此^ 首先’準備單晶梦晶錢（單晶梦晶棒）。該單晶石夕晶键 是準備通常者即可’例如可以是依照切克勞斯基 (Czochralski)法所培育而成者。 接著，將所準備的單晶石夕晶錠切片而作成複數片切片 基板。該切片亦是通常者即可，例如崎藉由關刀式切 割器或線鑛等的切斷褒置來進行切_片.。 然後，對所得到的複數片切片基板，進行拋光蝕刻、 13 201007865 研磨之中的至少1種 是以通常的條件進行 規格而適當地選擇_。 而作為基板。該拋光、蝕刻、研磨亦 即可，能夠按照要製造單晶矽晶圓的 處能夠對所製造的複數片切片基板，使用縱型熱 處理爐進仃退火熱處理。該退火熱處理是⑽ 為佳。 現 使用縱型熱處理爐進行退火熱處理，在從熱處理爐取 ©出時’在基板表面容易形成膜厚度不均勻且較薄的氧化 膜。對此種退火後的基板進行RCA洗淨時，不僅钮刻氧 化膜而且钕刻至基板㈣，致使表面粗糖度變差。因為先 前的閘極氡化膜為25奈米左右，所以該表面粗链度不會 成為門題但是薄化至數奈米時’由於該表面粗链度的變 2 GOI會產生劣化。但是，即便進行退火，本發明的製 W方法目為對G〇I的劣化進行判定，·所以能夠製造 出可抑制GCH的劣化之單晶♦晶圓。又，藉由在氯環境 •下熱處理矽晶圓’能夠進行除去晶圓表面的結晶缺陷等之 改良。 隨後，為了使用AFM來評價表面粗糙度，從複數片 加工後的基板，至少抽取j片。此時的抽取基板可以選擇 從阳錠的任意位置抽取的基板，而不必特別地特定位置。 隨後’使用AFM來評價所抽取的基板的表面粗糙度。 而且，從該評價值求取對應波長20奈米〜50奈米的 頰帶的振幅（強度），來進行判定基板是否合格。 此時’在判定是否合格，能夠將使用AFM來測定表 201007865 面粗糙度時的測定值的波形進行傅 丁得立葉變換，並將頻率作 為XCnm·1)、前述振幅（強度 及）作為y(nm2)時，滿足 y<0.00096e-15X的關係時判定A人故 + $ 』疋為合格，未滿足時判定為不 合格。 閘極氧化膜是薄至數奈米時之⑽Σ的劣化能_ 用將制麗來取表面㈣㈣的敎值的波形進行 傅立葉變換，並將頻率作為前述振幅（強度）作 為y(nm2)時’是否滿足y<〇.〇〇〇96e•丨sx的關係來評價。因 此，在製造過程中，能夠容以短時間地評價在單晶秒晶 圓完成時⑽有無劣化。又，所製造的單晶石夕晶圓，是 即便閘極氧化膜薄至數奈米時亦能夠作為可抑冑G⑴的 劣化者。 然後，判定合格時是移至下個步驟，不合格時是進行 再加工。該再加工，較佳是進行用以改良表面粗糙度的處 理。而且’藉此能夠製造單晶矽晶圓。
此處，較佳是：在進行再加工後，抽取至少丨片以上 來評價表面粗糙度，而在判斷合格後，送至一個步驟。 又，再加工，可以是在複數片加工後的基板，形成犧 牲氧化膜後，使用HF溶液來除去該犧牲氧化膜之處理。 如此’藉由形成犧牲氧化膜並使用HF溶液除去，能 夠緩和表面形狀，且閘極氧化膜為較薄時，能夠降低會對 G〇I的劣化造成影響之表面粗糙度。 如此’若依照本發明的單晶矽晶圓的製造方法，即便 閉極氧化膜薄至數奈米時，亦能夠製造出G〇i未產生劣 15 201007865 化的單晶矽晶圓。 又’以下說明本發明的單晶梦晶圓，但是當然未限定 於此。 首先，準備要進行評價之單晶矽晶圓。 然後’使用AFM來測定前述所準備的單晶矽晶圓的 表面粗糙度。然後’計算對應波長20奈米〜5〇奈米的頻 帶的振幅（強度），來評價氧化膜耐壓有無劣化。 瘳 此處’有無劣化之判定’是將波形進行傅立葉變換， 並將頻率作為XhnT1)、前述振幅（強度）作為y(nm2)時， 滿足y<0.00096e-15X的關係時，評價為無劣化，未滿足時 評價為有劣化。 如前述，使用AFM來測定表面粗糙度並將波形進行 傅立葉變換後，對應波長20奈米〜50奈米的頻帶的振幅 y(nm ) ’將頻率作為x(nmJ)時’滿足y<〇_〇〇〇96e-i5x的關 係之單晶矽晶圓’是即便閘極氧化膜較薄，G〇I亦無劣化 籲之單晶石夕晶圓。因此，藉由使用該關係式來評價GOI有 無劣化’能夠容易且高精確度地評價GOI有無劣化。 若依照此種本發明的單晶矽晶圓的評價方法，相較於 必須在表面形成M0S結構之GOI法，能夠藉由使用AFM 進行評價，來評價GOI的劣化。因此，能夠容易且在短 時間内高精確度地評價GOI的劣化。 [實施例] 以下’表示實施例來更具體地說明本發明，但是本發 16 201007865 明當然未限定於這些例子。 (實施例） 首先，依照切克勞斯基（Czochralski)法，來準備直徑 為200毫米的氮摻雜單晶矽晶錠及調整提拉速度而成為 整個面是N區域的無缺陷單晶矽晶錠。然後，將各自晶 錠使用線鋸切斷，來製造複數片切片基板。隨後，對切片 基板進行蝕刻及研磨。 接著，只有對由氮摻雜單晶矽晶錠製成的基板，在 • Ar環境下，以1200°C使用縱型爐進行熱處理1小時。 隨後，抽取1片退火後的基板及無缺陷單晶矽基板， 並使用AFM來進行測定表面粗糙度。然後，將波形進行 傅立葉變換並計算各頻率的振幅（強度）。結果是如表1所 示0 [表1] 波長 _ 退火基板[nm2] 無缺陷單晶矽 基板[nm2] 犧牲氧化+HF後 的退火基板[nm2] 7=0.00096615x[mn2] 50.0 0.001352 0.000520 0.000522 0.000711 30.3 0.000928 0.000387 0.000422 0.000585 20.0 0.000606 0.000246 0.000365 0.000453 從其結果得知，無缺陷單晶矽基板，其波長20奈米 〜50奈米的頻帶的振幅，全部滿足y<0.00096e-15X的關 係。相對於此，得知本次製造之退火後的基板，其波長 20奈米〜50 奈米的頻帶的振幅，全部未滿足 y<0.00096e_15X 的關係。 因此，對抽取時未被抽取的退火基板的一部分，在高 17 201007865 溫（Pyr〇genie)環境下，藉由95(TC的高溫氧化形成150奈 米的犧牲氧化膜’且隨後使進行犧牲氧化膜形成後的基板 浸潰在濃度5%的HF溶液中，來除去犧牲氧化膜。 然後，再次抽取1片基板，使用AFm來進行測定表 面粗糙度且進行同樣的計算，結果如表丨所示。 從其結果，得知除去犧牲氧化膜後的基板，其波長 20奈米〜50奈米的頻帶的振幅，全部滿足y<〇.〇〇〇96e-15X 的關係。 然後，對所製造的基板進行最後精加工，作成單晶矽 晶圓。 為了判斷該製造出來的單晶矽晶圓的G〇i有無劣 化對退火BB圓（無犧牲氧化）、無缺陷單晶矽晶圓、犧牲 氧化膜除去晶圓，先形成5奈米厚度的閘極氧化膜，且為 了評價其氧化膜耐壓而進行TDDB純的評價。此時， GOI的評價疋進行s平價在1〇〇〇c施加的電流時之 • ™DB特性’並將在累積故障率為90%時的Qbd值為 0.18C/Cm2以上，評價為合格。 結果，雖然退火晶圓的GOI劣化，但是無缺陷單晶 石夕晶圓及犧牲氧化膜除去晶圓，其⑽無劣化且氧化膜 耐壓良好。 另外，本發明未限定於上述實施形態。JL述實施形態 是例示性’凡是具有與本發明之申請專利範圍所記載之指 術思想實質上相同構成，且達成相同作用效果者，無論何 者，都包含在本發明的技術範圍内。 18 201007865 【圖式簡單說明】 第1圖是表示使用AFM來測定條件A〜c的單晶石夕 晶圓的表面粗糙度’並將波形進行傅立葉變換時，對應波 長10奈米的頻率的振幅強度及Qbd值之圖。 第2圖是表示使用AFM來測定條件A〜c的單晶矽 晶圓的表面粗糙度，並將波形進行傅立葉變換時對應波 長20奈米的頻率的振幅強度及Qbd值之圖。 φ 第3圖是表示使用AFM來測定條件A〜c的單晶矽 晶圓的表面粗糙度，並將波形進行傅立葉變換時，對應波 長30奈米的頻率的振幅強度及Qbd值之圖。 第4圖是表示使用AFM來測定條件A〜c的單晶矽 晶圓的表面粗糙度，並將波形進行傅立葉變換時，對應波 長50奈米的頻率的振幅強度及Qbd值之囷。 第5圖是表示使用AFM來測定條件A〜c的單晶矽 晶圓的表面粗糙度，並將波形進行傅立葉變換時，對應波 籲長100奈米的頻率的振幅強度及Qbd值之圖。 第6圖是表示使用AFM來測定條件A〜c的單晶矽 曰曰圓的表面粗糙度，並將波形進行傅立葉變換時，對應波 長500奈米的頻率的振幅強度及Qbd值之圖。 第7圖疋表示將藉由AFM來評價表面粗糙度時的波 長進行傅立葉變換時的頻率與振幅之關係、及該等與GOI 有無關係之圖。 【主要元件符號說明】 無 19