TW201005934A - Light emitting diode lighting device - Google Patents

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201005934 . 九、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種發光二極體光源裝置。 【先前技術】 目前’發光二極體（Light Emitting Diode, LED)作為一 種固態照明裝置，因其具光質佳（也即光源輸出之光譜）及發 光效率高等特性而逐漸取代冷陰極螢光燈（Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)作為照明裝置之發光元件，具體可 ❺參見 Michael S· Shur 等人於文獻 Proceedings of the IEEE， Vol. 93，No. 10 (2005 年 10 月）中發表之 “ s〇lid_State Lighting: Toward Superior Illumination” 一文。發光二極體 作為照明光源時，通常需要較高之演色性（即CRI大於90)。 一種具有較高演色性之發光二極體，其包括一個藍光發光 二極體晶片、一個紅光發光二極體晶片，以及一個覆蓋該 藍光發光二極體晶片與紅光發光二極體晶片之封裝體，該 封裝體中含有黃色螢光粉。 s亥藍光發光一極體晶片與紅光發光二極體晶片採用不 同之發光二極體晶片，即該藍光發光二極體晶片為GaN系 發光二極體晶片，而紅光發光二極體晶片為AlGalnP系發 光二極體晶片，所以’當該藍光發光二極體晶片與紅光發 光二極體晶片之溫度上升時，其光衰減程度不同，即紅光 發光二極體晶片之光衣減程度較大’造成該發光二極體發 出之光之色溫偏藍（Blue-shift) ’進而導致該發光二極體所 發出之白光之色溫穩定性較差。 201005934 因此，有必要提供一種出射光之色溫穩 光二極體光源裝置。 权奸之毛 【發明内容】 以下將以實施例說明出射光 二極體光源褒置。出射先之色-穩-性較好之發光 種發光二極體光源裝置，包括一個基板 個第 9 發一個第二發光單元及一個第三;;單元： ❹”發光單元及該第三發光單元並列設置 於編反上。該第一發光單元包括第一發光二極 ，：該第一發光二極體晶粒之第一封裝體，該第一：裝體 曰光粉。該第二發光單7"包括第二發光二極體 ; = 發光二極體晶粒之第二封裝體。該第三 "a ^第—發光—極體晶粒及覆蓋該第三發光二極 體j之第三封裝體。該第一發光二極體晶粒、第二發光 體=晶粒及第三發光二極體晶粒為同系化合物發光二極 出之光混合後形❹色光。 ”體射 -種發光二極體光源裝置，包括一個基板，一個第— 單元及一個第二發光單元。該第-發光單元及該第二 Μτο並列設置於該基板上。該第—發光單元包括第— 光—極體晶粒及覆蓋該第一發光二極體晶粒之第一封裝 I該第-封I體中含有紅色螢光粉。該第二發光單元包 —第一發光二極體晶減覆蓋該第二發光二極體晶粒之第 -封裝體’該第二封裝體中設置有至少兩種各自不同之螢 201005934 .光粉。該第一發光二極體晶粒、該第二發光二極體晶粒為 •同系化合物發光二極體晶粒’經由該第一封裂體與該第二 封裝體射出之光混合後形成多色光。 相對於先前技術’該發光二極體光源裝置中至少包括 同為同系化合物發光二極體晶粒之第一發光二極體晶粒及 第二發光二極體晶粒，所以該第一發光二極體晶粒與第二 發光二極體晶粒之光衰減程度基本相同，使得該發光二極 ❹體光源裝置發出之多色光之色溫受溫度之影響較小，即該 發光二極體光源裝置發出之多色光之色溫穩定性較好。 【實施方式】 下面結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。 請參見圖1，本發明第一實施例提供之發光二極體光源 裝置1〇,其包括一個基板11，一個第一發光單元12，一個 第二發光單元13及一個第三發光單元14。 第一發光單元12,第二發光單元13及第三發光單元 ❹14|並列设置於基板u上。基板u可與外部電源相連以給 。亥第一發光單元12，第二發光單元13及第三發光單元14 提供電能。第一發光單元12，第二發光單元13及第三發光 單元14發光時所產生之熱量可經由基板1]L傳導出去。基 板11所用材料為銅、轉金屬，氮化紹、三氧化二紹、氧 化鈹等陶究材料，以及石夕等。基板U也可為陶竞銘基板 (Ceramic Aluminum Substrate)。 ^第一發光單兀12包括第一發光二極體晶粒121及覆蓋 第-發光二極體晶粒121之第一封裝體122。第二發光單元 201005934 .13包括第二發光二極體晶粒131及覆蓋該第二發光二極體 晶粒131之第二封裝體132。該第三發光單元14包括第三 發光二極體晶粒141及覆蓋該第三發光二極體晶粒141之 第三封裝體142。第一發光二極體晶粒121，第二發光二極 體晶粒131及第三發光二極體晶粒141分別設置於基板11 上且均與基板11電連接。 第一發光二極體晶粒121，第二發光二極體晶粒131 及第三發光二極體晶粒141為同系化合物發光二極體晶 ®粒。於此，該同系化合物發光二極體晶粒可為GaN系化合 物，其中GaN系化合物係包含GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN 等化合物之發光二極體晶粒，所以其光衰減程度基本相 同，使得發光二極體光源裝置10發出之多色光之色溫受溫 度之影響較小，即該發光二極體光源裝置10發出之多色光 之色溫穩定性較好。並且於同為GaN系化合物之第一發光 二極體晶粒121，第二發光二極體晶粒131及第三發光二極 _體晶粒141溫度上升之情況下，其發光效率變動幅度比 AlGalnP系化合物發光二極體晶粒之小，從而使發光二極體 光源裝置10可保持於較為穩定之狀態。 於本實施例中，第一發光二極體晶粒121與第二發光 二極體晶粒131均為綠光發光二極體晶粒，其可發出波長 範圍為505〜540奈米之綠光，該綠光發光二極體晶粒為GaN 系發光二極體晶粒。第三發光二極體晶粒141為藍光發光 二極體晶粒，其可發出波長範圍為445〜475奈米之藍光。 該藍光發光二極體晶粒為GaN系發光二極體晶粒。第一發 201005934 光一極體晶粒121、第二發光二極體晶粒131及第三發光二 極體晶粒141分別與第—電源1〇1，第二電源1〇2及^三; 源103形成電連接。由第一電源101，第二電源102及第三 電源朋分別對第-發光二極體晶粒12 體 晶…第三發光二極體晶粒141之電壓及電、= 立控制。 丁领 第一封裝體122包括第一透明基材122◎及 ❹ 第一透明基材㈣中之第一勞光粉而。第_透== mo之材料可選用梦膠、樹脂等透光材料。於本實施例中， 第-透明基材122〇所用材料為折射率大於^之石夕膠 一螢光粉1222為红耷播止认 r ^ 為心645夺米之红f =其焚光激發可發出波長範圍 ，、卡之先。該紅色螢光粉可為氮化物、矽酸 鹽、氧化物或硫化物等。 第二透明基 第三透明基 第二封褒體132包括第二透明基材· 材測一之材料可選用石夕膠、樹脂等透光材料 ❹ 第—封裝體142包括第三透明基材1420 材1420一之材料可選用石夕膠、樹脂等透光材料 第螢光粉1222於第一發光二極體晶粒121發出之綠 二ft下發出紅光，第一發光二極體晶粒121發出之綠 體曰Hi T由第—透明基材12 2 〇射出。第二發光二極 .N 出之，、彔先直接經由第二封裝體132射出。第 二發光二極體晶粒 —^ 142ΜΨ错 發出之藍先直接經由第三封裝體 別”第一蘇:電源1〇1，第二電源1〇2及第三電源103分 子“-發光二極體晶粒121，第二發光二極體晶粒ΐ3ι 11 201005934 .及第三發光二極體晶粒141之電流進行控制，進而分別對 二由第封裝體1出射之紅光及綠光、經由第二封裝體 132出射之綠光，以及經由第三封裝體142出射之藍光之色 溫進行調節，使得發光二極體光源裝置1〇能夠射出不同顏 色之光或不同色溫值之光，以獲得實際所需之色光及色溫\ 請參見圖2,本發明第二實施例提供之發光二極體光π源 裝置20，其與上述第一實施例所提供之發光二極體光源裝 ❹置10基本相同’不同之處在於： 、 第一發光二極體晶粒221 ’第二發光二極體晶粒231 及第三發光二極體晶粒241均為藍光發光二極體晶粒，其 可發出波長範圍為445〜475奈米之藍光。 々第二封裝體232包括第二透明基材232〇及均勻分佈於 第二透明基材2320令之第二螢光粉2322。第二螢光粉2322 為綠色螢光粉，其受光激發可發出波長範圍為5〇5〜54〇奈 米之綠光。綠色螢光粉可為氮化物、矽酸鹽或氧化物等。 摹第=螢光粉2322也可為黃色螢光粉，其受光激發可發出波 長範圍為550〜590奈米之黃光。黃色螢光粉可為氮化物、 石夕酸鹽或氧化物等。可理解的是，第二封裝體说中可同 時設置綠色螢光粉與黃色螢光粉。 第一螢光粉1222於第一發光二極體晶粒221發出之藍 光之激發下發出紅光，第一發光二極體晶粒221發出之藍 光中部分直接經由第一透明基材122〇射出。第二螢光粉 2322於第二發光二極體晶粒231發出之藍光之激發下發出 綠光或/及黃光，第二發光二極體晶粒231發出之藍光中部 12 201005934 •分直接經由第二透明基材2320射出。第三 ㈣藍光直接經由第三封裝體242:先， =:原:1”三電源1〇3分別對第， 2曰體晶粒231及第三發光二極體晶粒 ，進打控制’進而分別對經由第一封裝請 =及藍光，經由第二封裝體232出射之藍光、綠光或/ 只光，以及經由第三封裝體242出射之藍光之色 ❹，節，使得發光二極體光源裝置2Q能夠射出不同顏色之先: 或不同色溫值之光，以獲得實際所需之色光及色溫。 μ m3,本發明第三實施例提供之發光二極體光源 "，/、、上述第二實施例所提供之發光二極體光源裝 置20基本相同’不同之處在於： 第一發光二極體晶粒321，第二發光二極體晶粒33ι 及第二發光二極體晶粒341均為紫外光發光二極體晶粒。 該紫外光發光二極體晶粒為GaN系發光二極體晶粒。 ❿帛三封裝體342包括第三透明基材342〇及均勻分佈於 第三透明基材3420中之第三螢光粉迎。第三透明基材 3420之材料可選时膠、樹脂等透光材料。第三螢光粉地 為藍色螢光粉’其受光激發可發出波長範圍為445〜475奈 米之藍光。該藍光螢光粉可為氮化物、料鹽或氧化物等· 第一螢光粉1222於第一發光二極體晶粒321發出之紫 外光之激發下發出紅光。第二螢光粉2322於第二發光二極 體晶粒331發出之紫外光之激發下發出綠光或/及黃光。第 —螢光籾3422於第二發光二極體晶粒341發出之紫外光之 13 201005934 -激發下發出藍光。第一電源ιοί，第二電源102及第三電源 103分別對該第一發光二極體晶粒321，第二發光二極體晶 粒331及第三發光二極體晶粒341之電流進行控制，進而 分別對經由第一封裝體122出射之紅光，經由第二封裝體 232出射之綠光或/及黃光，以及經由第三封裝體342出射 之藍光之色溫進行調節，使得發光二極體光源裝置30能夠 射出不同顏色之光或不同色溫值之光，以獲得實際所需之 色光及色溫。 翁 請參見圖4,本發明第四實施例提供之發光二極體光源 裝置40，其與上述第二實施例所提供之發光二極體光源裝 置20基本相同，不同之處在於： 發光二極體光源裝置40包括基板41，該基板41具有 並列設置之第一容置槽410,第二容置槽412及第三容置槽 414。第一容置槽410，第二容置槽412及第三容置槽414 均為錐形，且其開口分別沿遠離其底部之方向逐漸變大。 φ第一發光二極體晶粒421，第二發光二極體晶粒431及第三 發光二極體晶粒441分別設置於第一容置槽410,第二容置 槽412及第三容置槽414之底部。第一封裝體422,第二封 裝體432，及第三封裝體442分別設置於第一容置槽410， 第二容置槽412及第三容置槽414中。 第一發光二極體晶粒421與第二發光二極體晶粒431 為紫外光發光二極體晶粒，第三發光二極體晶粒441為藍 光發光二極體晶粒。由於紅色螢光粉於紫外光發光二極體 晶粒發出之紫外光激發下之轉換效率較差，所以第一發光 14 201005934 • 二極體晶粒421、第二發光二極體晶粒431與第三發光二極 體晶粒441可選擇不同之尺寸大小以克服轉換效率不平衡 之問題。於本實施例中，第一發光二極體晶粒421與第二 發光二極體晶粒431之尺寸大小為lmmx 1mm，第三發光二 極體晶粒441之大小為0.6mmx0.6mm，以平衡發光二極體 光源裝置40中不同螢光粉之轉換效率。 發光二極體光源裝置40進一步包括一個具有中空環狀 結構之反光部49。反光部49設置於基板41上以環繞第一 ®容置槽410、第二容置槽412及第三容置槽414。反光部49 之内表面491為反射面用以反射經由第一封裝體422,第二 封裝體432,及第三封裝體442射出之光線，達到混光均勻 之效果。於本實施例中，該内表面491 一階梯面。反光部 49所用材料包括聚對苯二醯對苯二胺（PPA)，低吸濕性尼龍 (PA9T)，液晶聚合物（LCP)等。 請參見圖5,本發明第五實施例提供之發光二極體光源 φ裝置50,其與上述第四實施例所提供之發光二極體光源裝 置40基本相同，不同之處在於： 反光部59之内表面591為一連續之雙斜率面。内表面 591包括鄰近第一容置槽410及第三容置槽414之第一表面 5911及遠離第一容置槽410及第三容置槽414之第二表面 5912。第一表面5911具有第一斜率，第二表面5912具有 不同於第一斜率之第二斜率。反光部59與基板51為一體 成型結構。 請參見圖6,本發明第六實施例提供之發光二極體光源 15 201005934 - 裝置60，其與上述第四實施例所提供之發光二極體光源裝 . 置40基本相同，不同之處在於： 發光二極體光源裝置60進一步包括一散射層68。散射 層68設置於反光部69中，並位於第一容置槽410、第二容 置槽412及第三容置槽414上。散射層68包括第四透明基 材681及均勻分佈於第四透明基材681中之散射粒子682。 第四透明基材681所用材料可選用矽膠、樹脂等透光材料， 其折射率小於或等於封裝體422，432，及442中透明基材 ❹之折射率。散射粒子682所用材料可為二氧化鈦（Ti02)、塑 膠、PMMA、熔融石英（Fused Silica)、三氧化二鋁（A1203)、 氧化鎂（MgO)、矽鋁氧氮聚合物（Sialon)或其他透明氮氧化 物。散射粒子682之折射率範圍為1.1〜2.4。散射粒子682 用於散射經由第一封裝體422射出之紅光、經由第二封裝 體432射出之綠光或/及黃光，以及經由第三封裝體442射 出之藍光，從而進一步提高發光二極體光源裝置60之出光 @均勻性。 請參見圖7,本發明第七實施例提供之發光二極體光源 裝置70，其包括一個基板71，一個第一發光單元72及一 個第二發光單元73。 基板71具有並列設置之第一容置槽710與第二容置槽 712。第一容置槽710與第二容置槽712均為錐形。 第一發光單元72包括第一發光二極體晶粒721及覆蓋 第一發光二極體晶粒721之第一封裝體722。第二發光單元 73包括第二發光二極體晶粒731及覆蓋第二發光二極體晶 16 201005934 • 粒731之第二封裝體732。第一發光二極體晶粒721與第二 .發光二極體晶粒731分別設置於第一容置槽710與第二容 置槽712之底部且與基板71電連接。第一封裝體722與第 二封裝體732分別設置於第一容置槽710與第二容置槽712 中〇 第一發光二極體晶粒721與第二發光二極體晶粒731 為同系化合物發光二極體晶粒。於此，該同系化合物發光 二極體晶粒可為GaN系發光二極體晶粒。於本實施例中， ®第一發光二極體晶粒721與第二發光二極體晶粒731為紫 外光發光二極體晶粒。第一發光二極體晶粒721、第二發光 二極體晶粒731分別與第一電源101、第二電源102形成電 連接。由第一電源101、第二電源102分別對第一發光二極 體晶粒721、第二發光二極體晶粒731之電壓及電流進行獨 立控制。 第一封裝體722包括第一透明基材7220及均勻分佈於 參第一透明基材7220中之第一螢光粉7222。第一透明基材 7220之材料可選用矽膠、樹脂等透光材料。第一螢光粉7222 為紅色螢光粉，其受光激發可發出波長範圍為610〜645奈 米之紅光。 第二封裝體732包括第二透明基材7320，第二螢光粉 7322及第三螢光粉7324。第二螢光粉7322與第三螢光粉 7324均勻分佈於第二透明基材7320。第二螢光粉7322為 綠色螢光粉，其受光激發可發出波長範圍為505〜540奈米 之綠光。第三螢光粉7324為藍色螢光粉，其受光激發可發 17 201005934 • 出波長範圍為445〜475奈米之藍光。 ' 弟一螢光粉7222於第一發光二極體晶粒721發出之紫 外光之激發下發出紅光。第二螢光粉7322及第三營光粉 7324於第二發光二極體晶粒731發出之紫外光之激發下^ 出綠光和藍光。第一電源101、第二電源1〇2分別對該第一 發光二極體晶粒721、第二發光二極體晶粒731之電流進行 控制’進而分別對經由第一封裝體722出射之紅光、經: 第二封裝體732出射之綠光和藍光之色溫進行調節，使得 發光二極體光源裝置70能夠射出不同顏色之光或不同色溫 值之光，以獲得實際所需之色光及色溫。 當然，第一發光二極體晶粒721與第二發光二極體晶 粒731也可為藍光發光二極體晶粒，其可發出波長範圍為 445〜475奈米之藍光。 綜上所述’本發明確已符合發明專利之要件，遂依法 提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方 ❹式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案 技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化皆 應涵蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明第一實施例提供之發光二極體光源裝置 之剖面示意圖。 圖2係本發明第二實施例提供之發光二極體光源裝置 之剖面示意圖。 圖3係本發明第三實施例提供之發光二極體光源裝置 18 201005934 - 之剖面示意圖。 ， 圖4係本發明第四實施例提供之發光二極體光源裝置 之剖面示意圖。 圖5係本發明第五實施例提供之發光二極體光源裝置 之剖面示意圖。 圖6係本發明第六實施例提供之發光二極體光源裝置 之剖面示意圖。 圖7係本發明第七實施例提供之發光二極體光源裝置 ®之剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 發光二極體光源裝置 10、20、30、40、50、60、70 基板 11 、 41 、 51 、 71 第一發光單元 12、72 第二發光單元 13、73 第三發光單元 14 ❾第一發光二極體晶粒 121 、 221 、 321 、 421 、 721 第二發光二極體晶粒 131 、 231 、 331 、 431 、 731 第三發光二極體晶粒 141 、 241 、 341 、 441 第一封裝體 122、422、722 第二封裝體 132、232、432、732 第三封裝體 142、242、342、442 第一電源 101 第二電源 102 第三電源 103 19 201005934

第一透明基材 第二透明基材 第三透明基材 第一螢光粉 第二螢光粉 第三螢光粉 第一容置槽 第二容置槽 第三容置槽 反光部 内表面 第一表面 第二表面 散射層 第四透明基材 散射粒子 1220 ' 7220 1320 ' 2320 1420、3420 1222、7222 2322 ' 7322 3422、7324 410 、 710 412、712 414 49 ' 59 、 69 491 、 591 5911 5912 68 681 682 7320 20

Claims (1)

1. 201005934 ‘十、申請專利範圍： 種發光二極體光源裝置，包括：—個基板，—個第-發 、，元 個第二發光單元及—個第三發光單元； 該第二發光單元及該第三發光單元並列 :第發光單兀包括第一發光二極體晶粒及覆蓋該第一發 極體晶粒之第-封裝體，該第-封裝體中含有紅色螢 尤粉， * :一么光單元包括第二發光二極體晶粒及覆蓋該第二發 光一極體晶粒之第二封裝體； ^第—發光早70包括第三發光二極體晶粒及覆蓋該第三發 先二極體晶粒之第三封裝體； 赞 發光二極體晶粒、該第二發光二極體晶粒及該第三 二一極體晶粒為同系化合物發光二極體晶粒，經由 Φ =體、該第二封裝體及該第三封裝體射出之光混 形成多色光。 2 中如申請專利範圍第Μ所述之發光二極體光源裝置，盆 光路：第一發光二極體晶粒與該第二發光二極體晶粒為綠 光一極體晶粒，該第三發光二極體 極體晶粒。 勺監元發九一 如申睛專利範圍第1項所述之發光二極體光源裝置，i 第=第一發光二極體晶粒、該第二發光二極體晶粒及該 一發光一極體晶粒均為藍光發光二極體晶粒，該第 裝體中設置有綠色榮光粉與黃色螢光粉t至少一者。 21 201005934 ‘ 4由如中請專利範15第1項所述之發光二極體光源裝置，並 第-發光二極體晶粒、該第二發光二極體晶粒及該 極體晶粒均為紫外光發光二極體晶粒，該第二 封裝體中設置有綠色螢光粉與黃色螢光粉中之至少一者， 該第二封裝體令含有藍光螢光粉。 5 由如申請專利範圍第！項所述之發光二極體光源裝置，其 該第發光—極體晶粒與該第二發光二極體晶粒為紫 ❹u一極體晶粒’該第三發光二極體晶粒為藍光發光 ^體晶粒’該第二封㈣中含有綠色螢光 粉中至少一者。 如申》月專利範圍第5項所述之發光二極體光源裝置，其 曰如δ亥第-發光二極體晶粒之尺寸大於該第二發光二極體 曰日粒與該第三發光二極體晶粒中之至少一者。 7由如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源裝置，其 ’該冋系化合物發光二極體晶粒為㈣系發光二極體晶 ❹粒。 8由如申請專利範圍第7項所述之發光二極體光源裝置，其 該GaN系發光一極體晶粒係包含、InGaN、A1GaN 或AlInGaN等化合物之發光：_晶粒。 9由如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源裝置，其 :該第-發光二極體晶粒，該第二發光二極體晶粒及該 第二發光二極體晶粒電性獨立。 1〇.如士申請專利範圍第！項所述之發光二極體光源裝置，其 。亥基板上5又置有並列排布之第一容置槽、第二容置槽 22 201005934 ^及第三容置槽，該第一發光單元設置於該第一容置槽中， '該第二發光單元設置於該第二容置槽中，該第三發光單元 設置於該第三容置槽中。 70 π.如申請專利範圍第10項所述之發光二極體光源裝置，其 中，進一步包括一個具有中空環形結構之反光部，該反光 部，置於該基板上以環繞該第一容置槽、第二容置^及第 二容置槽，該反光部之内表面用以反射該第一發光單元、 ❹忒第一發光單元及該第三發光單元發出之光線。 12.如申請專利範圍f u項所述之發光二極體光源裝置，其 中，該反光部之内表面為一階梯面或一連續之雙斜率面八 13·如申請專利範圍第u項所述之發光二極體光源震置其 中進一步包括一散射層，該散射層設置於該反光 14.種發光二極體光源裝置，包括： ❺發光單元及一個第二發光單元 古仓络 外 • ·一 f位於該第一容置槽、第二容置槽及第三容置槽上，嗲散 射層中含有散射粒子 該散 -個基板’一個第一 -. 丨叫牙一贷光單元； =一發光單元及該第二發料元並狀置於該基板上； 光一朽辦曰+匕括弟一發先二極體晶粒及覆蓋該第一發 極體日曰粒之第一封裝體，該第一封裝體中含有紅色螢 ‘第炻5光早7°包括第二發光二極體晶粒及覆蓋該第一笋 兩種各自不同之該第二封裝體中設置有至少 呑亥第古· — & 極體晶粒、該第二發光二極體晶粒為同系化 23 201005934 ‘ 合物發光二極體晶粒’經由兮势 H ., 宙該弟一封裝體與該第二封裝體 射出之光混合後形成多色光。 篮 15. 如申請專利範圍第14項 .士咕^ 所述之發光二極體光源裝置，ά 中，该第一發光二極體晶粒與 兔 紫外光發光二極體晶粒，該第一扭/二；極體曰曰拉均為 . 4弟一封裝體中含有藍光螢光 私、以及、耗f錄與黃色螢光粉二者中至少一者。 16. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體㈣裝置，皇 ❹。亥第-發光二極體晶粒與第二發光二極體晶粒均為藍 光發光二極體晶粒，該笫—4 4弟一封裝體中含有綠色螢光粉及黃 色螢光粉。 、 7·如申„月專利把圍帛14項所述之發光二極體光源裝置，其 中，該同系化合物發光二極體晶粒為GaN系發光二極體晶 粒。 8.如申叫專利範圍第17項所述之發光二極體光源裝置，其 中該GaN系發光一極體晶粒係包含、inGaN、AlGaN ©或AlInGaN等化合物之發光二極體晶粒。 19.如申請專利範圍第14項所述之發光二極體光源裝置，其 中’該第一發光二極體晶粒與該第二發光二極體晶粒電性 獨立。 20·如申請專利範圍第14項所述之發光二極體光源裝置，其 中’該基板上設置有並列排布之第一容置槽與第二容置 槽’該第一發光單元設置於該第一容置槽中，該第二發光 單元設置於該第二容置槽中。 2l.如申請專利範圍第20項所述之發光二極體光源裝置，其 24 201005934 .中’進-步包括-個具有中空環形結構之反光部，該反光 '部設置於該基板上以環緣該第一容置槽與第二容置槽，該 反光部之内表面用以反射該第—發光單元與該第二發光單 疋發出之光線。 =申請專利範圍第21項所述之發光二極體光 23 反光部之内表面為—階梯面或—連續之雙斜率面。々 23.如申請專利筋图笛1面。 中，進一步包括一散射：所述之發光二極體光源裝置，其 ❹並位於該第一容置槽2第該;=置=光部中， 散射粒子。 槽上’ &散射層中含有 參 25