[go: up one dir, main page]

TW201005086A - Cleaning water for electronic material, method of cleaning electronic material, and system for supplying water containing dissolved gases - Google Patents

Cleaning water for electronic material, method of cleaning electronic material, and system for supplying water containing dissolved gases Download PDF

Info

Publication number
TW201005086A
TW201005086A TW098111822A TW98111822A TW201005086A TW 201005086 A TW201005086 A TW 201005086A TW 098111822 A TW098111822 A TW 098111822A TW 98111822 A TW98111822 A TW 98111822A TW 201005086 A TW201005086 A TW 201005086A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
dissolved
water
oxygen
argon
Prior art date
Application number
TW098111822A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Ida
Hirohito Tokoshima
Original Assignee
Kurita Water Ind Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kurita Water Ind Ltd filed Critical Kurita Water Ind Ltd
Publication of TW201005086A publication Critical patent/TW201005086A/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02Inorganic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • H10P70/15
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Physical Water Treatments (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Description

201005086 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種濕式洗淨半導體、液晶用基板等的 電子材料(電子零件、電子構件等)用的電子材料用洗淨 水、使用該電子材料用洗淨水之電子材料的洗淨方法及該 電子材料用洗淨水之製造方法。而且,本發明亦關於一種 氣體溶解水的供給系統。 ❹ 【先前技術】 爲了從半導體用矽基板、液晶用玻璃基板、光罩用石 英基板等的電子材料的表面除去微粒子、有機物、金屬等 ,藉由所謂稱爲RCA洗淨法之過氧化氫爲基礎之濃厚藥 液,進行在高溫下的濕式洗淨。RCA洗淨法係用以除去 電子材料表面的金屬等有效之方法,因使用多量的高濃度 酸、鹼、過氧化氫,從廢液中排出此等的藥液,於廢液處 φ 理,中和、沈澱處理等負擔大,同時產生多量的污泥。 因此,變成使用溶解特定氣體於超純水中,依需要添 加微量的藥品所調製之氣體溶解水,取代高濃度藥液。若 藉由氣體溶解水之洗淨,對被洗淨物之藥品殘留問題少, 洗淨效果高,可期望減少洗淨用水的使用量。 傳統使用作爲電子材料用洗淨水之氣體溶解水之特定 氣體,有氫氣、氧氣、臭氧、稀有氣體、碳酸氣等。特別 是添加極微量的氨之氫氣溶解水用於倂用超音波之洗淨步 驟時,可發揮極高的微粒子除去效果(例如專利文獻1) -5- 201005086 即使於使用氣體溶解水之洗淨,被洗淨物變大時洗淨 水的使用量變多,所以例如於使用氫氣溶解水的情況,因 氫氣的使用量變多,安全對策用之費用變高。因此,爲了 進一步削減洗淨成本,要求更低價且洗淨效果高之氣體溶 解水。 專利文獻1 :特開2007-243113號公報 【發明內容】 本發明係有鑑於上述傳統的實際狀況,以提供發揮比 傳統的氣體溶解水格外高的洗淨效果之電子材料用洗淨水 ,與使用該電子材料用洗淨水之電子材料的洗淨方法及該 電子材料用洗淨水之製造方法爲目的。 本發明又以提供有效率地製造如此的氣體溶解水,供 應至使用點之氣體溶解水的供給系統爲目的。 本發明的電子材料用洗淨水,其係由含有氧及氬作爲 溶存氣體之氣體溶解水所成之電子材料用洗淨水,溶氧濃 度爲8mg/L以上,含有對溶氧氣量及溶氬氣量的合計爲2 體積%以上的溶氬氣。 該電子材料用洗淨水,其pH爲7以上較理想。 該電子材料用洗淨水,亦可含有氨。 本發明的電子材料的洗淨方法,其特徵爲使用如此的 電子材料用洗淨水,洗淨電子材料。 亦可使用該洗淨水,超音波洗淨電子材料。 -6 - 201005086 本發明的電子材料用洗淨水的製造方法,使由來自氧 氣鋼瓶的氧氣、來自氬氣鋼瓶的氬氣以及使用PSA氧濃 縮裝置從空氣取得的氧氣及氬氣所選出之氧氣與氬氣溶解 於水,製造上述本發明的電子材料用洗淨水。 於該製造方法,可進行水的脫氣處理,除去溶存氣體 ’然後使經除去的溶存氣體量以下之前述氧氣及氬氣溶解 〇 g 本發明的氣體溶解水的供給系統,具備:脫氣裝置, 用以進行水的脫氣處理,除去溶存氣體;氣體溶解裝置, 用以使氧氣及氬氣溶解於來自該脫氣裝置的脫氣處理水, 調製溶氧濃度爲8mg/L以上,含有對溶氧氣量及溶氬氣量 的合計爲2體積%以上的溶氬氣之氣體溶解水;以及供給 機構,用以供給來自該氣體溶解裝置的氣體溶解水予使用 點。 該脫氣裝置可爲具備氣體透過膜之減壓膜脫氣裝置, φ 氣體溶解裝置可爲具備氣體透過膜之氣體溶解裝置。 溶氧濃度爲8mg/L以上且含有對溶氧氣量及溶氬氣量 的合計爲2體積%以上的溶氬氣之氧/氬氣溶解水,具有 顯著優異的洗淨效果。 由如此的氧/氬氣溶解水所成之本發明的電子材料用 洗淨水,即使溶存氣體量少且使用的藥品量也少,因可得 高洗淨效果,可安全容易地且低價地製造,使用該電子材 料用洗淨水,被微粒子等污染的電子材料,可以少量洗淨 水,安全容易地且低價有效率地洗淨。 201005086 而且,根據本發明的氣體溶解水的供給系統,有效率 地製造如此洗淨效果佳之氣體溶解水,供給使用點。 【實施方式】 以下,詳細說明本發明的實施態樣。 [電子材料用洗淨水(氣體溶解水)] 本發明的電子材料用洗淨水,具有溶氧濃度爲8mg/L 以上,含有對溶氧氣量及溶氬氣量的合計爲2體積%以上 的溶氬氣之氧/氬氣溶解水所成。 關於本發明之氣體溶解水的溶氧濃度未達8mg/L時, 無法得到充分的洗淨效果。該溶氧濃度愈高,雖然洗淨效 果愈佳,過度地高時洗淨效果達到頂點,另一方面調製氣 體溶解水之成本變高,所以作爲電子材料用洗淨水之氣體 溶解水中溶氧濃度爲8〜50mg/L,特別是10〜44mg/L較 理想。 而且,藉由氣體溶解水中溶氬氣量對溶氧氣量及溶氬 氣量的合計爲2體積%以上,可確實得到倂用氬氣之洗淨 效果的提高效果。該比例未達2體積%時,無法得到充分 的洗淨效果的提高效果。但是,溶氬氣量太多時,於氣體 對水之溶解度,相對地降低溶氧濃度等,有降低洗淨效果 的傾向,氣體溶解水中對溶氧氣量及溶氬氣量的合計,溶 氫氣的比例爲2〜50體積%,特別是2〜40體積%較理想 -8 - 201005086 而且,於本發明,作爲溶解氧氣及氬氣之水,可使用 純水或超純水。 而且,於本發明的電子材料用洗淨水,上述氧/氬氣 溶解水中再添加氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化四甲基 銨等鹼劑、氟化氫、氯化氫、硫酸等酸、鉗合劑、界面活 性劑等藥劑的1種或2種以上,可提高洗淨功能性。特別 是添加氨等的鹼劑,氣體溶解水的pH爲7以上,較理想 ^ 爲調整成9〜14的鹸性,可提高微粒子等的洗淨效果。而 且,除使用鹼性藥劑調整該pH外,亦可使用鹸性氣體, 以使用方便、容易進行濃度管理,使用氨較理想。特別是 添加氨爲1 mg/L以上,例如1〜200 mg/L程度,藉由使 用調整爲pH7〜1 1之洗淨水,可得良好的洗淨效果。而 且,該洗淨水的pH太高,氨的添加量太多時,對洗淨物 恐會產生損傷,所以不理想。氨的添加,可於氣體溶解後 或溶解前。 ❹ [電子材料的洗淨方法] 本發明的電子材料的洗淨方法,係使用上述本發明的 電子材料用洗淨水,洗淨電子材料的方法。 作爲該洗淨方法無特別限制,可採用將洗淨水噴到被 洗淨物之洗淨方法、於洗淨水中浸漬被洗淨物之洗淨方法 等的傳統習知的任一種方法,特別是浸漬被洗淨物於洗淨 水中,於浸漬被洗淨物的洗淨水賦予超音波,進行超音波 洗淨,可得優異的洗淨效果,所以較理想。 -9- 201005086 於該超音波洗淨,所使用的超音波之頻率無特別限制 ,使用一般洗淨所使用的例如20ΚΗζ〜3 MHz較理想。 而且,洗淨時所使用的洗淨水之溫度,可採用1〇〜 9 0°C的範圔,根據本發明的電子材料用洗淨水’即使以常 溫的洗淨水,可得優異的洗淨效果,洗淨水的溫度爲常溫 較理想。 而且,藉由電子材料用洗淨水洗淨被洗淨物時,藉由 使用密閉式的洗淨槽、配管,防止洗淨水的污染,洗淨水 可經長期維持高水質,所以較理想。於該情況,例如對大 多數的洗淨機,不分別設置洗淨水的製造裝置,於一處集 中製造洗淨水,將其介由主配管及分支配管,供給水質安 定的洗淨水,而且洗淨機未使用的剩餘洗淨水,回到水槽 ,組成再度送入洗淨機之循環系統。而且,回收經洗淨使 用的洗淨水,除去雜質使於下次洗淨不會產生問題,再度 脫氣,使需要量的氧氣與氬氣溶解,可組成再使用於洗淨 之回收循環系統。 [電子材料用洗淨水的製造方法] 於製造上述本發明的電子材料用洗淨水,於常溫製造 的純水或超純水中,使氧氣及氬氣以既定濃度溶解即可。 於該情況,氧氣與氬氣溶解的順序無特別限制,由任一者 先溶解,另一者再溶解,或者兩氣體同時溶解。此外,氧 氣及氬氣可預先以既定比例混合成爲混合氣體,溶解於純 水或超純水。 -10- 201005086 作爲氣體溶解水所使用的氧氣、氬氣,可分別從氧氣 鋼瓶、氬氣鋼瓶供應,藉由 PSA ( Pressure Swing Adsorption :變壓吸附法)氧濃縮裝置,從大氣中的空氣 取出氧氣與氬氣使用。亦即,藉由PSA氧濃縮裝置,從 空氣(氧濃度約20體積%,氬濃度約1體積%)生成氧 氣時,因亦生成氬氣,可得氧/氬氣混合氣體。而且,亦 可倂用PSA氧濃縮裝置與氣體鋼瓶。較理想爲藉由PSA φ 氧濃縮裝置,預先製造既定氬氣濃度之氧/氬氣混合氣體 ,使該混合氣體溶解於純水或超純水之方法,因低價且無 需氣體鋼瓶等的交換等工夫,較有利。 而且,氧氣及氬氣溶解時,純水或超純水預先進行脫 氣處理,除去溶存氣體,藉由使經除去的溶存氣體量以下 的氧氣及氬氣溶解,因可順利地進行氣體的溶解,所以較 理想。 於該情況,作爲脫氣裝置,使用介由氣體透過膜,使 φ 用隔開氣相與水相之氣體透過膜模組,藉由減壓氣相,水 相的溶存氣體,無關其成分介由氣體透過膜移動至氣相之 減壓膜脫氣裝置較理想,而且,之後的氧氣及氬氣之溶解 ’亦使用氣體透過膜模組,供應予氣相之氧氣及氬氣介由 氣體透過膜移動至水相而溶解之裝置較理想。如此,只要 是使用氣體透過膜模組之方法,可容易地使氣體溶解於水 中’且可容易地進行溶存氣體濃度的調整、管理。 而且,如前述,於洗淨水中添加氨等藥劑等的情況, 此等可在氧氣及氬氣之溶解前添加,亦可在溶解後添加。 -11 - 201005086 於添加氨等鹼劑調整PH的情況’以與pH計連動之加藥 泵,可容易地進行注入控制。 [氣體溶解水的供給系統] 本發明的氣體溶解水的供給系統,係有用於作爲本發 明的電子材料用洗淨水之氣體溶解水的供給系統,其特徵 爲具備:脫氣裝置,用以進行水的脫氣處理,除去溶存氣 體;氣體溶解裝置,用以使氧氣及氬氣溶解於來自該脫氣 裝置的脫氣處理水,調製溶氧濃度爲8mg/L以上,含有對 溶氧氣量及溶氬氣量的合計爲2體積%以上的溶氬氣之氣 體溶解水;以及供給機構,用以供給來自該氣體溶解裝置 的氣體溶解水至使用點。 該氣體溶解水的供給系統,進一步具備以下較理想。 i )在使用點所使用的洗淨排水的至少一部份爲了利 用於洗淨用水而送回之排水回送機構 ii) 從使用點未使用的氣體溶解水的至少一部份爲了 利用於洗淨用水而送回之未使用氣體溶解水回送機構 iii) 供給氣體溶解裝置之洗淨用水儲存用的水槽及使 從回送機構的水導入該水槽之機構 iv) 從該水槽的水供應至氣體溶解裝置用泵 v) 從該泵的水以純化裝置純化後供給至氣體溶解裝 置之機構 vi )在循環的水及補給的水之至少一方中添加藥劑之 機稱 -12- 201005086 vii )使添加藥劑之水中的藥劑濃度保持一定,量測 該水中的藥劑濃度或以其爲基準者之量測部 而且’作爲脫氣裝置’係如前述,使用氣體透過膜之 減壓膜脫氣裝置較理想,作爲氣體溶解裝置,使用氣體透 過膜之氣體溶解裝置,具體地係藉由氣體透過膜隔開氣室 與水室之氣體溶解膜模組,爲了排出積存於該氣體溶解膜 模組的氣室之凝結水,供給至該氣體溶解膜模組的氣體量 φ 比在此時的通水量溶解的氣體量多,一邊使供給的氣體中 未溶解的剩餘部份排出該氣體溶解膜模組,一邊使氣體溶 解之氣體溶解裝置較理想。 以下,關於如此的氣體溶解水的供給系統,參照圖1 、2加以說明。 圖1、2係分別表示關於本發明的實施態樣之氣體溶 解水的供給系統的系統圖。 圖1的氣體溶解水的供給系統,於儲存槽1,以溶解 修氣體(氧/ Μ氣之混合氣體)的水洗淨被洗淨物後的排水 (洗淨排水)經由配管1 5送回,而且經由補給水配管1 a 供給補給水。作爲補給水,期望爲具有可供洗淨的程度之 潔淨度之純水或超純水或以其他裝置製造的氣體(氧/氬 氣之混合氣體)溶解水。 爲了保持儲存槽1的潔淨度,從沖洗氣體配管lb供 給沖洗氣體,以壓力調整機構lc調整儲存槽1的壓力, 使其比大氣壓高出少許,例如高出10〜5 0 mm Aq的程度, 較理想爲30mmAq的程度之壓力,不使外氣混入。此外, -13- 201005086 於被洗淨物的要求潔淨度不高的情況,不一定需要沖洗氣 體。而且,在考慮安全性上,若使用與溶解氣體相同的氣 體(氧/氬氣之混合氣體)作爲沖洗氣體,因可抑制從儲 存槽1之該氣體的水氣散,所以較理想。 儲存槽1可兼作爲後述洗淨處理槽14。於該情況, 洗淨處理槽14連接補給水配管la。 儲存槽1內的水,經過壓送泵2及保持水溫一定用熱 交換器3,送至純化裝置4。於該純化裝置4,將存在於 水中、對洗淨實質上有影響的異物,與一部份的水一起除 去。 而且,熱交換器3主要是用以冷卻循環中升溫的部份 ,亦可不設置熱交換器,洗淨時使用升溫的水。而且,相 反地,亦可加溫。熱交換器3的設置處,期望比純化裝置 4在更上游側。 作爲純化裝置4,可使用例如超過濾(UF)膜、精密 過濾(MF)膜裝置等,使異物與鹵水一起排出系統外。 補給水的補給處,可在從儲存槽1至純化裝置4的2 次側之間的任一處。從純化裝置4的處理水量少,有效地 除去異物之觀點,在純化裝置4的2次側較理想,裝置的 運轉上,因伴隨複雜的控制,補給水的控制容易地補給儲 存槽1較理想。例如調整補給水量使儲存槽1內的水位保 持一定,可與實質上排出系統外之水量平衡而可容易地進 行控制。 在純化裝置4除去異物的水,經由流量計5,送至脫 -14- 201005086 氣裝置6。作爲該脫氣裝置6,具備脫氣膜6a,以脫氣膜 6a隔開氣室與水室之膜脫氣裝置較理想。該氣室內以真 空栗6b抽吸,使水中的溶存氣體脫氣。爲了使氣室的凝 結水順利排出,期望從氣室的下端抽吸。真空泵6b無特 別限制,可使用水封式、渦旋式等,於真空產生時使用油 者,因會有油反向擴散而污染脫氣膜的狀況,故期望爲無 油者。 g 從脫氣裝置6的脫氣處理水,送往氣體溶解裝置7。 作爲氣體溶解裝置7,藉由氣體透過膜7a隔開氣室與水 室之氣體溶解膜模組較適合。於圖1的系統,於該氣體溶 解裝置7的氣室中,從PSA氧濃縮裝置8,介由調整閥 8a、流量計8b,導入氧/氬氣混合氣體。氧/氬氣混合氣體 ,係透過膜7a而溶解於水室內的水。多餘的氧/氬氣混合 氣體,從具有氣體排出閥9a之排氣管9排出系統外。 爲了排出積存於氣體溶解膜模組的氣室之凝結水,供 φ 應比在該水量溶解的氣體量多之氣體至溶解膜模組,膜模 組的下端開放爲大氣,一邊排出供給的氣體中沒有溶解的 剩餘部份,一邊使氣體溶解時,打開氣體排出閥9a,一 邊從排氣管9排出一部分的氣體,一邊進行氣體溶解的運 轉較理想。於該情況,氣體的供給量,在該水量、水溫下 的飽和氣體量爲1的情況下,期望爲1.1〜1.5倍的程度 ,1.2〜1.4倍的程度從經濟的觀點與排出性而言較理想。 溶存氣體濃度之調整’期望以改變供給氣體的濃度進行。 而且,亦可在關閉氣體排出閥9a下進行溶解,於該 -15- 201005086 情況,從PSA氧濃縮裝置8供應根據流量計5量測的水 量與要求的濃度之量的氧/氬氣混合氣體。氧/氬氣混合氣 體之流量係以流量計8b量測,以調整閥8a調整其氣體流 量,使流量計8b的指示値成爲所期望的値。亦可使用流 量計與調整閥爲一體之質量流量控制器(MFC )。而且, 氧/氬氣混合氣體量的調整,與溶存氣體濃度計12的指示 値連動,調整爲所期望的指示値。 從氣體溶解裝置7的氣體處理水,然後以pH計11 確認pH爲既定的範圍,再以溶存氣體濃度計1 2確認溶 存氣體濃度爲所期望的濃度後,經由供給配管1 3,送至 洗淨處理槽1 4。 而且,爲了提高洗淨效果,於氣體溶解水中可藉由添 加機構1 〇添加鹼藥劑等藥品。藥品的添加濃度,藉由各 藥品用的濃度計,pH計、ORP計、導電率計等測定,調 整其供給量而成爲所期望的濃度。該調整方法,以泵注入 的情況下,可以其脈衝數與衝程長度調整,以氣體壓入的 情況下,調整其氣體壓力可調整注入量。任一方法,皆可 以閥的開啓度調整注入量。注入處不限於此,爲了使注入 的控制性佳(應答快),期望在濃度量測器(圖1之pH 計)前或至少在其上游側。鹼劑等的藥品亦可添加於補給 水。 從洗淨處理槽14的洗淨排水,藉由回送配管15送往 儲存槽1。 於圖1,從氣體溶解裝置7的氣體溶解水的全部量藉 -16- 201005086 由供給配管13供給予洗淨處理槽14,而於圖2,該供給 配管13的末端連接儲存槽1,分歧供給配管15從供給配 管13的中途分岔,從該分歧供給配管15供給氣體溶解水 至各洗淨處理槽14。 從各洗淨處理槽14的洗淨排水,經由配管16送回至 儲存槽1。未使用於洗淨之剩餘的氣體溶解水,亦送回至 儲存槽1,該未使用水,可作爲氣體溶解水的原水再利用 〇 ❹ 實施例 以下列舉實驗例、實施例及比較例,更具體地說明本 發明。 而且,以下作爲電子材料用洗淨水之氣體溶解水,係 預先使純水中的溶存氣體飽和度爲10%以下以具備氣體 透過膜之減壓膜脫氣裝置除去之脫氣處理水中,將使用 φ PSA氧濃縮裝置從大氣中的空氣製造之含有氧或氬氣之氧 /氬氣混合氣體的必要量,藉由溶解氣體用氣體透過膜模 組,溶解其需要量而調製者。洗淨水的溫度爲常溫(23 t )° 而且,作爲被洗淨物,使用被氧化鈽硏磨材料污染之 矽晶圓基板乾燥的基板,洗淨機係使用附超音波之批次式 洗淨機(超音波:頻率750KHZ)。洗淨時間皆爲3分鐘 〇 洗淨效果,係使用Topcon公司製「WM-1 500」缺陷 -17- 201005086 檢查裝置,測定洗淨前與洗淨後基板上的粒徑o·12Pm以 上的微粒子數,藉由算出除去率,進行評價。 [實驗例1] 使用PSA氧濃縮裝置製造的氧氣或氧/氬氣混合氣體 ,使全部溶存氣體量的飽和度固定爲38% (溶氧濃度 16mg/L),溶解於脫氣處理水,調製氣體溶解水’檢査各 氣體溶解水的洗淨效果。 溶解於脫氣處理水的氣體之氧/氬氣混合比(混合氣 體的全部爲100體積%,以各氣體的體積百分比表示)與 洗淨造成之微粒子的除去率之關係表市於圖3。而且’任 —氣體溶解水的pH皆爲7。 由圖3得知,與使用溶氬氣體量爲0%之溶氧濃度 16mg/L之氣體溶解水的情況比較,使用含有溶氬氣之氧/ 氬氣氣體溶解水的情況可得較高的洗淨效果。 [實施例1、2、比較例1] 作爲氣體溶解水,除使用以下所示者,與實驗例1同 樣地調查洗淨效果,結果表示於圖4。 實施例1:藉由PSA氧濃縮裝置,得到含有2體積% 氬氣之氧/氬氣混合氣體(混合氣體中氬氣濃度爲2體積 % ),溶解該氧/氬氣混合氣體於脫氣處理水,以成爲各 種溶氧濃度之氣體溶解水(pH7 )。 實施例2:於實施例1的各種溶氧濃度之氣體溶解水 -18- 201005086 ,分別添加lmg/L的氨(ρΗ9·4 )。 比較例1:不含氬氣之氧氣溶解於脫氣處理水中,成 爲各種溶氧濃度之氣體溶解水(pH7)。 由表示氣體溶解水的溶氧濃度與微粒子的除去率之關 係的圖4,得知含有溶氬氣之氧/氬氣氣體溶解水,比不含 溶氬氣的氧氣溶解水有較高的洗淨效果,而且,藉由在氧 /氬氣氣體溶解水再添加氨成爲pH弱鹼性,可得更佳的洗 g 淨效果。 而且,得知於任一情況,溶氧濃度爲8mg/L以上,則 洗淨效果提高,故溶氧濃度爲8mg/L以上較理想。 本發明雖使用特定態樣加以詳細說明,熟悉本技藝者 瞭解在不脫離本發明的意圖及範圍下可進行各種變更。 而且,本申請案係基於2008年4月16日申請之曰本 專利申請(特願2008-106926),引用其全部內容。 φ 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明的氣體溶解水的供給系統之實施態 樣的系統圖。 圖2係表示本發明的氣體溶解水的供給系統之另一實 施態樣的系統圖。 圖3係表示實驗例〗之氣體溶解水中溶氧氣體/溶氬 氣體比(體積百分比)與洗淨造成之微粒子的除去率之關 係圖。 圖4係表示實施例丨、2及比較例1之氣體溶解水的 -19- 201005086 溶氧濃度與洗淨造成之微粒子的除去率之關係圖。 【主要元件符號說明】 1 :儲存槽 1 a :補給水配管 1 b :沖洗氣體配管 1 c :壓力調整機構 2 :壓送泵
3 :熱交換器 4 :純化裝置 5 :流量計 6 :脫氣裝置 6a :脫氣膜 6b :真空泵
7 :氣體溶解裝置 7a :氣體透過膜 8 : PSA氧濃縮裝置 8a :調整閥 8b :流量計 9 :排氣管 9a :氣體排出閥 1 〇 :添加機構 1 1 : pH 計 1 2 :溶存氣體濃度計 -20- 201005086
1 3 :供給配管 1 4 :洗淨處理槽 1 5 :分歧供給配管 16 :配管

Claims (1)

  1. 201005086 七、申請專利範園: 1· 一種電子材料用洗淨水,其係由含有氧及氬作爲 溶存氣體之氣體溶解水所成之電子材料用洗淨水,其特徵 爲: 溶氧濃度爲8mg/L以上, 含有對溶氧氣量及溶氬氣量的合計爲2體積%以上的 溶氬氣。 2.如申請專利範圍第1項之電子材料用洗淨水,其 係pH爲7以上。 3 ·如申請專利範圍第2項之電子材料用洗淨水,其 係含有氨。 4·—種電子材料的洗淨方法,其特徵爲:使用申請 專利範圍第1項至第3項中任一項之電子材料用洗淨水, 洗淨電子材料。 5·如申請專利範圍第4項之電子材料的洗淨方法, 其係使用前述電子材料用洗淨水,進行超音波洗淨。 6. —種電子材料用洗淨水的製造方法,其特徵爲: 使由來自氧氣鋼瓶的氧氣、來自氬氣鋼瓶的氬氣以及使用 PSA氧濃縮裝置從空氣取得的氧氣及氬氣所選出之氧氣與 氬氣溶解於水,製造申請專利範圍第1項至第3項中任一 項之電子材料用洗淨水。 7. 如申請專利範圍第6項之電子材料用洗淨水的製 造方法,其中進行水的脫氣處理,除去溶存氣體,然後使 經除去的溶存氣體量以下之前述氧氣及氬氣溶解。 -22- 201005086 8. —種氣體溶解水的供給系統,其特徵爲:具備 脫氣裝置,用以進行水的脫氣處理,除去溶存氣體; 氣體溶解裝置,用以使氧氣及氬氣溶解於來自該脫氣 裝置的脫氣處理水,調製溶氧濃度爲8mg/L以上,含有對 溶氧氣量及溶氬氣量的合計爲2體積%以上的溶氬氣之氣 體溶解水;以及 供給機構,用以供給來自該氣體溶解裝置的氣體溶解 • 水至使用點。 9.如申請專利範圍第8項之氣體溶解水的供給系統 ,其中前述脫氣裝置係具備氣體透過膜之減壓膜脫氣裝置 ,前述氣體溶解裝置係具備氣體透過膜之氣體溶解裝置。 ❹ -23-
TW098111822A 2008-04-16 2009-04-09 Cleaning water for electronic material, method of cleaning electronic material, and system for supplying water containing dissolved gases TW201005086A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008106926A JP2009260020A (ja) 2008-04-16 2008-04-16 電子材料用洗浄水、電子材料の洗浄方法及びガス溶解水の供給システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201005086A true TW201005086A (en) 2010-02-01

Family

ID=41199027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098111822A TW201005086A (en) 2008-04-16 2009-04-09 Cleaning water for electronic material, method of cleaning electronic material, and system for supplying water containing dissolved gases

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8999069B2 (zh)
JP (1) JP2009260020A (zh)
KR (1) KR101514863B1 (zh)
CN (1) CN102007579B (zh)
TW (1) TW201005086A (zh)
WO (1) WO2009128327A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI739028B (zh) * 2017-09-22 2021-09-11 日商斯庫林集團股份有限公司 藥液生成方法、藥液生成裝置及基板處理裝置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120159727A1 (en) * 2010-12-14 2012-06-28 Hill Robert E Multipurpose cleaner compostion
JP5871652B2 (ja) * 2012-02-23 2016-03-01 オルガノ株式会社 アルコール中の溶存酸素除去方法、アルコール供給装置並びに洗浄液供給装置
JP6300139B2 (ja) * 2012-05-15 2018-03-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
JP6435385B2 (ja) * 2012-05-15 2018-12-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理用の薬液生成方法、基板処理用の薬液生成ユニット、基板処理方法、および基板処理システム
JP6289241B2 (ja) * 2013-06-20 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
US9390895B2 (en) * 2013-06-28 2016-07-12 Lam Research Corporation Gas injector particle removal process and apparatus
JP2016165771A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社ディスコ 加工液循環型加工システム
JP6299912B1 (ja) * 2017-03-30 2018-03-28 栗田工業株式会社 pH及び酸化還元電位を制御可能な希釈薬液の製造装置
JP6350706B1 (ja) * 2017-03-30 2018-07-04 栗田工業株式会社 水質調整水製造装置
US10832917B2 (en) * 2017-06-09 2020-11-10 International Business Machines Corporation Low oxygen cleaning for CMP equipment
JP6917807B2 (ja) * 2017-07-03 2021-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP2019204827A (ja) * 2018-05-21 2019-11-28 栗田工業株式会社 ゲルマニウム基板洗浄水の製造装置
CN110187614A (zh) * 2019-05-13 2019-08-30 深圳市华星光电技术有限公司 光阻剥离方法及光阻剥离装置
CN110639968B (zh) * 2019-10-11 2020-11-13 聊城市浩鑫机械配件有限公司 一种钛金属管的除油设备
JP2022151639A (ja) * 2021-03-25 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3296405B2 (ja) * 1996-08-20 2002-07-02 オルガノ株式会社 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置
CN1299333C (zh) 1996-08-20 2007-02-07 奥加诺株式会社 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置
US5800626A (en) * 1997-02-18 1998-09-01 International Business Machines Corporation Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
JP3662111B2 (ja) * 1997-06-24 2005-06-22 アルプス電気株式会社 洗浄液の製造方法およびそのための装置
JP2000098321A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Toshiba Corp 洗浄方法および洗浄装置
JP4273440B2 (ja) * 1999-01-26 2009-06-03 栗田工業株式会社 電子材料用洗浄水及び電子材料の洗浄方法
JP2001007073A (ja) * 1999-06-21 2001-01-12 Kurita Water Ind Ltd 洗浄方法
JP4482844B2 (ja) * 2000-05-31 2010-06-16 栗田工業株式会社 ウェハの洗浄方法
JP2003136077A (ja) * 2001-10-31 2003-05-13 Nec Corp 半導体製造に用いる洗浄水又は浸漬水の製造装置
JP3869730B2 (ja) * 2002-01-16 2007-01-17 株式会社平間理化研究所 処理液調製供給方法及び装置
JP2003334433A (ja) * 2002-05-16 2003-11-25 Kurita Water Ind Ltd 連続溶解装置、連続溶解方法及び気体溶解水供給装置
JP2006272069A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Kurita Water Ind Ltd 洗浄装置
JP5072062B2 (ja) 2006-03-13 2012-11-14 栗田工業株式会社 水素ガス溶解洗浄水の製造方法、製造装置及び洗浄装置
JP4830731B2 (ja) * 2006-09-06 2011-12-07 栗田工業株式会社 ガス溶解水供給装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI739028B (zh) * 2017-09-22 2021-09-11 日商斯庫林集團股份有限公司 藥液生成方法、藥液生成裝置及基板處理裝置
TWI774317B (zh) * 2017-09-22 2022-08-11 日商斯庫林集團股份有限公司 藥液生成方法、藥液生成裝置及基板處理裝置
US11439967B2 (en) 2017-09-22 2022-09-13 SCREEN Holdings Co., Ltd. Chemical liquid preparation method, chemical liquid preparation device, and substrate processing device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009128327A1 (ja) 2009-10-22
US20110030722A1 (en) 2011-02-10
JP2009260020A (ja) 2009-11-05
US8999069B2 (en) 2015-04-07
CN102007579A (zh) 2011-04-06
KR20110007092A (ko) 2011-01-21
CN102007579B (zh) 2013-06-12
KR101514863B1 (ko) 2015-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201005086A (en) Cleaning water for electronic material, method of cleaning electronic material, and system for supplying water containing dissolved gases
JP3117427B2 (ja) 超小型電子回路基板の改良された洗浄方法
JP2009219995A (ja) ガス溶解水供給システム
TWI277443B (en) Continuous dissolution apparatus, process for continuous dissolution and apparatus for supplying water in which gas is dissolved
TWI421132B (zh) 溶解氣體洗淨水之製法、製造裝置及洗淨裝置
US9129797B2 (en) Cleaning method
TW478975B (en) Temperature controlled degassification of deionized water for megasonic cleaning of semiconductor wafers
JP3624162B2 (ja) 半導体ウェーハをメガソニック洗浄するための脱イオン水の温度制御されたガス化
TWI601695B (zh) Method for producing ozone gas dissolved water and washing method of electronic material
TW200922883A (en) Apparatus for treating hydrofluoric acid
JP3296405B2 (ja) 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置
TW201341070A (zh) 液體管理系統及清洗液之回收再生裝置
JP2004122020A (ja) 超純水製造装置及び該装置における超純水製造供給システムの洗浄方法
WO2017191829A1 (ja) 超純水製造装置の立ち上げ方法
JP3940967B2 (ja) 電子材料用洗浄水の製造方法及び電子材料の洗浄方法
JP4151088B2 (ja) 水素含有超純水の供給装置
JP3231170B2 (ja) 超純水製造装置の洗浄方法
JP4438077B2 (ja) 電子材料洗浄用ガス溶解水の調製方法
TWI239872B (en) Method for washing reverse osmosis membrane, and waste water recovering method using this method
JP4872613B2 (ja) ガス溶解洗浄水の製造装置及び製造方法
JPH11186207A (ja) 電子材料用洗浄水
JP6020626B2 (ja) デバイス用Ge基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置
JP4112966B2 (ja) 純水製造装置及び純水の製造方法
JPH09129584A (ja) 半導体基板の洗浄装置
JP2012186348A (ja) 電子材料用洗浄水、電子材料の洗浄方法及びガス溶解水の供給システム