200916200 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於在形成於基板之圖案上形成塗佈膜之塗 佈處理裝置、基板處理系統、塗佈處理方法及電腦記憶媒 體。 【先前技術】 例如在多層配線構造之半導體裝置之製造工程中，依 序執行例如在半導體晶圓（以下稱爲「晶圓」）上塗佈光 阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理、在該光阻膜曝光特定 圖案之曝光處理、將所曝光之光阻膜予以顯像之顯像處理 等，在晶圓上形成特定光阻圖案。將該光阻圖案當作罩 幕，執行晶圓之蝕刻處理，之後執行光阻膜之除去處理 等，在晶圓上形成特定圖案。如此一來，在特定層形成特 定圖案之工程通常重複執行20〜30次左右，製造多層配 線構造之半導體裝置。 但是，如此一來，重複在晶圓上形成特定之圖案之 時，於第η層形成特定圖案之後，爲了將（n+l)層之光 阻膜形成適當高度’必須使塗佈光阻液之面平坦。 在此，自以往，在晶圓之特定圖案上形成塗佈膜，執 行使該表面平坦化。如此之塗佈膜之形成，是在晶圓之特 定圖案上塗佈具有例如固體狀之塗佈膜形成成分和溶劑之 塗佈液，藉由加熱該被塗佈之塗佈液而使硬化而執行。作 爲該塗佈液’使用例如SOG(SPin 0n Glass)材料（大橋 200916200 直史著作「對於多層配線構造之SOG製程 情報通訊學會論文誌C-II Vol. J78-C-II No.: 但是，如第2 8圖所示般，如此以往的 於晶圓W之特定圖案P上之時，因塗佈液 塗佈膜形成成分之流動性差，故塗佈液無法 W之特定圖案P之凹凸上。其結果，形成有 之區域S中，較無形成圖案p之穴Η之區域 凹陷，產生塗佈膜R之高度不同之所謂階差 之塗佈膜R之表面不平坦化，有即使在形成 上之光阻膜也產生階差之問題。 【發明內容】 本發明是鑒於如此之點所創作出者，以 基板之特定圖案上形成塗佈膜，使該塗佈膜 爲目的。 爲了達成上述目的，本發明爲提供一種 之圖案上形成塗佈膜的塗佈處理裝置，具有 具有用以將基板搬入搬出之搬入出口，而收 噴嘴，在收容於上述處理容器內之基板的圖 有液體狀之塗佈膜形成成份之塗佈液；和照 於上述基板之圖案上之塗佈液照射紫外線之丨 若藉由本發明之塗佈處理裝置，基板被 器內之後，當藉由塗佈噴嘴，在基板之圖案 體狀之塗佈膜形成成分時，因該塗佈液所含
的改良」電氣 丨1 995年）。 塗佈液被塗佈 中之固體狀之 圚滑擴散晶圓 圖案Ρ之穴Η Τ，塗佈膜R 。因此，以往 於該塗佈膜R 對於在形成於 之表面平坦化 在形成於基板 :處理容器， 容基板；塗佈 案上，塗佈含 射部，對塗佈 孩射部。 搬運至處理容 上塗佈含有液 之液體狀之塗 -5- 200916200 佈膜形成成分之離動性佳，故塗佈液可以圚滑擴散基板之 圖案之凹凸上。因此，形成在基板之圖案上之塗佈膜不會 產生階差，可以使塗佈膜之表面平坦化。 再者，在此塗佈於該基板之圖案上之塗佈液所含之液 體狀之塗佈膜形成成分爲低分子，因各個分子結合，故具 有容易昇華之性質。當加熱該塗佈膜形成成分時，塗佈液 更容易昇華。以往之塗佈膜因藉由加熱塗佈液使塗佈液硬 化而形成，故於使用具有液體狀之塗佈形成成分之塗佈液 時，於使塗佈液硬化之時，塗佈液則昇華。但是，若藉由 本發明之照射部時，則對塗佈於基板之圖案上之塗佈液照 射紫外線，使塗佈液硬化，而在基板之圖案上形成塗佈 膜，故不需要加熱塗佈液，可以較以往抑制塗佈液之昇 華。因此，可以抑制所形成之塗佈膜之膜厚之減少。 上述照射部即使設置在上述處理容器之上部亦可。藉 由該照射部，對被收容於處理容器內之基板，因可以照射 紫外線，故在基板被收容於處理容器內之狀態下，可以對 該基板執行塗佈液之塗佈和紫外線之照射。因此，可以連 續執行從塗佈液之塗佈至紫外線之照射爲止之處理，其部 份可以縮短處理時間。 上述照射部即使設置在上述搬入出口之上部亦可。藉 由該照射部，於基板之圖案上塗佈塗佈液之後’自處理容 器之搬入出口將基板搬運至外部之時，則可以對基板之圖 案上之塗佈液照射紫外線。 在上述處理容器內具有保持基板之旋轉自如之旋轉夾 -6 - 200916200 具，藉由上述照射部對基板之圖案上之塗佈液照射紫外線 之範圍，即使爲從基板之中心至基板之端部爲止之區域以 上亦可。如此一來，當對藉由旋轉夾具旋轉之基板照射紫 外線時，僅以將紫外線至少照射至基板中心至基板端部之 範圍，則可以在基板全面形成塗佈膜。並且，此時，上述 照射部即使附設於上述塗佈噴嘴亦可。 上述塗佈噴嘴爲具有延伸於基板之寬方向之縫隙狀之 吐出口的噴嘴，上述照射部即使具有與上述塗佈噴嘴平行 延伸於基板之寬方向之形態，與上述塗佈噴嘴同步移動亦 可。如此一來，藉由塗佈噴嘴與照射部同步而移動，在基 板面內之全區域中，可以控制成從塗佈塗佈液至照射紫外 線爲止之時間成爲一定。並且，此時，即使上述照射部附 設於上述塗佈噴嘴亦可。再者，上述塗佈噴嘴和上述照射 部即使具有獨立之移動機構亦可，上述照射部即使多數設 置亦可。 上述塗佈處理裝置即使具有控制成對自上述塗佈噴嘴 將塗佈液塗佈在基板區域上之後的該區域上之塗佈液，緊 接著自上述照射部照射紫外線的控制部亦可。依據該控制 部’因塗佈於基板圖案上之塗佈液是於塗佈於基板之後， 緊接著照射紫外線而硬化，故可以抑制塗佈液之昇華。 若藉由本發明之另外觀點時，則提供一種基板處理系 統’具有在形成於基板之圖案上塗佈塗佈液之塗佈處理裝 置，和將基板搬入搬出至上述塗佈處理裝置之搬運裝置。 然後’上述搬運裝置具有支撐基板而予以搬運之搬運臂， -7- 200916200 和對以上述搬運臂所支撐之基板，將紫外線照射至該基板 之圖案上之塗佈液的照射部。 此時，以塗佈處理裝置在基板之圖案上塗佈塗佈液之 後，該基板藉由搬運臂被搬運至搬運裝置，因在該基板支 撐於搬運臂之狀態下，自搬運裝置之照射部對基板之圖案 上之塗佈液照射紫外線，故可以在線內於基板圖案上形成 塗佈膜，可以圓滑執行塗佈膜之形成。 並且，若藉由另外之觀點，本發明則提供一種塗佈處 理方法，在形成於基板之圖案上形成塗佈膜，形成上述塗 佈膜之塗佈液包含液體狀之塗佈膜形成成份和溶劑，上述 塗佈膜形成成份含有光聚合起始劑。然後，本發明之塗佈 處理方法具有在基板之圖案上塗佈上述塗佈液之塗佈工 程；和對塗佈於上述基板之圖案上之塗佈液照射紫外線， 使上述光聚合起始劑活性化而形成塗佈膜之照射工程。 在本發明之塗佈處理方法中，在基板之圖案上塗佈包 含液體狀之塗佈膜形成成分之塗佈液。如此一來，當在基 板之圖案上塗佈塗佈液時，因該塗佈液所含之液體狀之塗 佈膜形成成分之離動性佳，故塗佈液可以圓滑擴散基板之 圖案之凹凸上。因此，在形成於基板之圖案之塗佈膜產生 階差，可以使塗佈膜之表面平坦化。 再者，在此被塗佈於該基板之圖案上之塗佈液所含之 液體狀之塗佈膜形成成分爲低分子，因各個之分子無結 合，故具有容易昇華之性質。當加熱該塗佈膜形成成分 時，塗佈液更容易昇華。以往之塗佈膜因藉由加熱塗佈 -8- 200916200 液，使塗佈液硬化而形成’故於使用具有液體狀之塗佈形 成成分之塗佈液時’於使塗佈液硬化之時，塗佈液則昇 華。但是，若藉由本發明之塗佈處理方法，因對塗佈於基 板之圖案上之塗佈液照射紫外線，使塗佈液中之塗佈膜形 成成分所含之光聚合起始劑活性化而使塗佈液硬化’在基 板之圖案上形成塗佈膜’故不需要加熱塗佈液，或是不需 要加熱至所需以上’可以較以往抑制塗佈液之昇華。再 者，當對光聚合起始劑照射紫外線時’光聚合起始劑以短 時間活性化，可以以短時間執行塗佈液之硬化。該光聚合 起始劑之短時間內的活性化也有助於抑制塗佈液之昇華。 如此一來，因可以抑制塗佈液之昇華’故可以抑制所形成 之塗佈膜之膜厚之減少。 即使將從完成上述塗佈工程至開始上述照射工程爲止 之時間，控制成事先所預定之時間以內亦可。該時間於放 置塗佈有塗佈液之基板時’可以設定成該被塗佈之塗佈液 昇華之量成爲容許範圍內之時間。如此一來，藉由控制時 間，塗佈工程是從完成塗佈工程至開啓照射工程爲止’即 使塗佈液昇華，亦可以將所形成之塗佈膜之膜厚之減少抑 制在容許範圍內。 即使在基板面內之所有區域’控制成從在上述塗佈工 程中塗佈塗佈液至在上述照射工程中照射紫外線爲止之時 間成爲一定亦可。依此，因在塗佈有塗佈液之基板之面內 所有區域，可以使塗佈有塗佈液昇華之量成爲一定’故可 以使所形成之塗佈膜之膜厚均勻° -9- 200916200 即使對將塗佈液塗佈於基板之區域上之後的該區域上 之塗佈液，緊接著執行上述照射工程中之紫外線之照射亦 可。依此，被塗佈於基板之圖案上之塗佈液，於被塗佈於 基板之後’緊接著照射紫外線而硬化，故可以使從塗佈液 之塗佈至紫外線照射之時間成爲短時間，並可以抑制塗佈 液之昇華。 塗佈工程或是上述照射工程之雙方或任一方即使冷卻 基板周邊之環境而被執行亦可。依此，因塗佈於基板之圖 案上之塗佈液被冷卻，故可以更抑制塗佈液之昇華。 於上述塗佈工程之後，並且上述照射工程之前，即使 具有以特定時間加熱基板周邊之環境，使塗佈於上述基板 之圖案上之塗佈液昇華至成爲特定厚度爲止之加熱工程亦 可。 依此，於將塗佈液塗佈在基板之圖案上之後，所塗佈 之塗佈液之厚較度特定之厚度厚時，在特定時間加熱基板 周邊之環境，使基板之圖案之塗佈液昇華，依此可以使塗 佈液之厚度成爲特定厚度。其結果，可以形成特定膜厚之 塗佈膜。並目.，如此一來，塗佈膜之膜厚雖然可由加熱之 溫度和時間控制，但是大膜厚之變化即使以溫度控制，小 膜厚之變化以時間控制亦可。 如此一來，藉由以特定時間加熱基板周邊之環境，亦 可以使被塗佈於圖案之凹部份以外之圖案表面的塗佈液全 .部昇華。即是，使形成於圖案上之塗佈膜之膜厚成爲零’ 藉由僅在圖案之凹佈塡充塗佈液並予以硬化，則可以消除 -10- 200916200 圖案之凹凸，使圖案上面平坦化。自以往，於形成塗佈膜 之後，作爲不需要圖案上之塗佈膜之方法，有例如執行蝕 刻而除去該塗佈膜之所謂的回蝕工程之情形，但是若藉由 本發明則可以省略如此之回蝕工程，可以提升基板處理之 產出量。 於上述照射工程之後，即使具有以特定時間加熱基板 周邊之環境，使形成在上述基板之塗佈上之塗佈膜昇華之 加熱工程亦可。例如於形成在基板圖案上之塗佈膜上之光 阻膜之膜厚不均勻，或光阻膜之圖案非所欲者之時，剝離 該光阻膜和塗佈膜之後，於基板圖案上再形成塗佈膜和光 阻膜的所謂再製加工（rework )處理。該再製處理之時除 去光阻膜和塗佈膜，自以往是照射〇2電槳或N2/H2電槳 而執行。但是，如以往般，於執行〇2電漿時，基板之圖 案則有受到〇2電漿等而損傷之情形。因在如此之再製處 理時，因可以藉由加熱基板周邊之環境，使塗佈膜昇華而 剝離，故可以減輕對基板上之圖案所造成之損傷或消失。 再者，依此，可以改善再製時之良率下降。 若藉由本發明之另外觀點，則提供一種可讀取之電腦 記憶媒體，爲了藉由塗佈處理裝置或是基板處理系統實行 上述塗佈處理方法，儲存有控制該塗佈處理裝置或基板處 理系統之控制部之電腦上動作的程式。 若藉由本發明對於在形成於基板之特定圖案上形成塗 佈膜，可以使塗佈膜表面平坦化，可以抑制塗佈液之昇 華，抑制塗佈膜之膜厚之減少。 -11 - 200916200 【實施方式】 以下，針對本發明之最佳實施形態予以說明。第1圖 爲表示搭載本實施形態所涉及之塗佈處理裝置，當作基板 處理系統之塗佈顯像處理系統1之構成槪略的平面圖，第 2圖爲塗佈顯像處理系統1之正面圖，第3圖爲塗佈顯像 處理系統1之背面圖。 塗佈顯像處理系統1是如第1圖所示般，具有一體連 接在以匣盒單位將例如2 5片之晶圓W自外部搬入搬出至 塗佈顯像處理系統1，或經晶圓W搬入搬出至匣盒C之匣 盒台2’和以葉片式多階配置在光微影工程中施予特定處 理之多數各種處理裝置之處理台3，和與該處理台3鄰接 而設置之曝光裝置（無圖式）之間交接晶圓W之介面部4 的構成。 匣盒台2設置在匣盒載置台5，該匣盒載置台5是將 多數匣盒在X方向（圖中之上下方向）載置自如成一列。 在匣盒2設置有可在搬運路6朝向X方向移動之晶圓搬運 體7。晶圓搬運體7也在收容於匣盒C之晶圓W之晶圓配 列方向（Z方向：垂直方向）移動自如，可以對配列於X 方向之各匣盒C內之晶圓W，選擇性存取。 晶圓搬運體7可在圍繞Z軸之0方向旋轉，即使對屬 於後述之處理系統3側之第3處理裝置群G 3之溫度調節 裝置60’或用以執行晶圓W之交接之轉換裝置61亦可存 取。 -12- 200916200 與匣盒台2鄰接之處理台3具備有多數配置多數 裝置之例如5個處理裝置群G1〜G5。在處理台3之 向負方向（第1圖中之下方向）側，自匣盒台2側順 置有第1處理裝置群G1、第2處理裝置群G2。 於處理台3之X方向正方向（第1圖中之上方 側’自匣盒台2側順序配置有第3處理裝置群G3、 處理裝置群G4及第5處理裝置群G5。第3處理裝 G3和第4處理裝置群G4之間，設置有第1搬運 A1，在第1搬運裝置A1之內部，設置有支撐晶圓w 運之第1搬運臂10。 第1搬運臂1 0是選擇性存取於第1處理裝置群 第3處理裝置群G3及第4處理裝置群G4內之各處 置而搬運晶圓W。在第4處理裝置群G4和第5處理 群G5之間，設置有第2搬運裝置A2，在第2搬運 A2之內部’設置有支撐晶圓w而搬運之第2搬運臂 第2搬運臂η可以選擇性存取於第2處理裝置群G2 4處理裝置群G4及第5處理裝置群G5之各處理裝置 運晶圓W。 如第2圖所示般，在第1處理裝置群G1從下方 5段疊層將特定液體供給至晶圓w而執行處理之液體 裝置’例如對晶圓W塗佈光阻液之光阻塗佈裝置 2 1、22 ;形成防止曝光處理時之光之反射的反射防止 底部塗佈裝置23 ;在晶圓W之圖案P上形成塗佈膜 本發明所涉及之塗佈處理裝置24。在第2處理裝置荐 處理 X方 序配 向） 第4 置群 裝置 而搬 G1 ' 理裝 裝置 裝置 11° 、第 而搬 依序 處理 20、 膜之 R之 i G2 -13- 200916200 由下方依序5段疊層例如顯像液供給至晶圓w而予以 像處理之顯像處理裝置30〜34。再者，於第1處理裝置 G1及第2處理裝置群G2之最下段，各設置有用以將各 處理液供給至各處理裝置群G 1、G 2內之液處理裝置之 學室40、41。 例如，第3圖所示般，在第3處理裝置群G 3，由 方依序9段疊層溫度調節裝置60、轉換裝置61、在精 高之溫度管理下調節晶圓W之溫度的高精度溫度調節 置62〜64及以高溫處理晶圓w之高溫度熱處理裝置65 68 ° 在第4處理裝置群G4中，例如加熱處理高精度溫 調節裝置7 0、光阻塗佈處理後之晶圓w的預烘烤裝置 〜74及加熱處理顯像處理後之晶圓w之後烘烤裝置75 79 ° 在第5處理裝置群G5中，由下方依序10段疊層熱 理晶圓W之多數熱處理裝置，例如高精度溫度調節裝 80〜83、事後曝光烘烤裝置84〜89。 如第1圖所示般’在第1搬運裝置A1之X方向正 向側，配置有多數處理裝置，例如第3圖所示般，由下 4段重疊用以將晶圓w疏水化處理之附著裝置90、9 1 加熱晶圓W之加熱裝置92、93。如第1圖所示般，在 2搬運裝置A2之X方向正方向側，配置有選擇性僅使 如晶圓W之邊緣部曝光之周邊曝光裝置94。
在介面部4上，設置有例如第1圖所示般在朝向X 顯 群 種 化 下 度 裝 度 71 處 置 方 方 第 例 方 -14 - 200916200 向延伸之搬運路1 〇 〇上移動之晶圓搬運體1 01 ’和緩衝匣 盒102。晶圓搬運體101可在ζ方向移動，並且也可在0 旋轉，可以對與介面部4鄰接之曝光裝置（無圖式）和緩 衝匣盒102及第5處理裝置群G5存取而搬運晶圓W。 接著，針對塗佈處理裝置24之構成’根據第4圖予 以說明。塗佈處理裝置24具有處理容器150。處理容器 150之一側面是面對晶圓W之搬運手段之第1搬運臂10 之搬入區域之面，形成晶圓W之搬入出口 151，在搬入出 口 151設置有開關快門152。 在處理容器150之內部設置有將W水平真空吸附保 持於於其上面而作爲基板保持機構之旋轉夾具120。該旋 轉夾具1 20可以藉由包含馬達等之旋轉驅動部1 2 1繞著垂 直軸旋轉，並且升降。 在旋轉夾具120之周圍設置有杯罩體122。杯罩體 1 22是以旋轉夾具1 20可以升降之方式，形成比晶圓w大 之開口部。在杯罩體122底部，形成有用以自晶圓W上 排出零落之塗佈液之排液口 1 2 3，該排液口 1 2 3連接有排 液管124 。 在旋轉夾具1 2 0之上方，配置有用以將塗佈液塗佈於 晶圓W表面之中心部的塗佈噴嘴1 3 0。塗佈噴嘴1 3 0。塗 佈噴嘴1 3 0經塗佈液供給管1 3 i而連接於供給塗佈液之塗 佈液供給源1 3 2。在塗佈液供給管丨3 1設置有具有閥或流 量調整佈等之供給控制裝置〗3 3。自塗佈液供給源丨3 2所 供給之塗佈液使用例如XUV (日產化學工業株式會社製 -15- 200916200 品）.，於塗佈液含有液體狀之塗佈膜形成成分和溶劑。塗 佈膜形成成分包含碘鎗鹽等之光聚合起始劑、環氧樹脂、 丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚醋酸鹽等。使用例如稀釋劑 作爲溶劑。 在處理容器150之上方設置有對旋轉夾具120上之晶 圓W照射紫外線之照射部1 1 0。照射部1 1 0可以對晶圓W 之全面照射紫外線。 塗佈噴嘴130是如第5圖所示般，經機械臂134而連 接於移動機構135。機械臂134是可以藉由移動機構 1 3 5，沿著順著處理容器1 5 0之長度方向（Y方向）而設 置之導軌1 3 6，自設置在杯罩體122之一端側（在第5圖 中爲左側）之外側之待機區域1 3 7朝向另一端側移動，並 且’可以在上下方向移動。待機區域1 3 7構成可以收納塗 佈噴嘴1 3 0，並且具有可以洗淨塗佈噴嘴1 3 〇之前端部之 洗淨部137a。 搭載本實施形態所涉及之塗佈處理裝置2 4之塗佈顯 像處理系統1構成以上般’接著針對在該塗佈顯像處理系 統1所執行之晶圓處理予以說明。 首先’藉由晶圓搬運體7，自匣盒載置台5上之厘盒 C取出一片在表面形成特定圖案之晶圓w，搬運至第3處 理裝置群G3之溫度調節裝置60。被搬運至溫度調節裝置 60之晶圓W被溫度調節至特定溫度，之後，被搬運至本 發明所涉及之塗佈處理裝置24。 晶圓W藉由第1搬運臂10自搬入出口 15〗被搬運至 -16- 200916200 處理容器150內，移動至旋轉夾具120之上方。在此，使 旋轉夾具120上昇，自第1搬運機械臂1〇轉交晶圓至旋 轉夾具120。然後，旋轉夾具1 20吸附晶圓W而水平保 持，將晶圓W下降至特定位置。 接著，藉由旋轉驅動部I 2 1以例如旋轉數5 00 rpm使 晶圓W旋轉，並且使塗佈噴嘴1 3 0移動至晶圓W之中心 部上方。然後，如第6圖（a)所示般，自塗佈噴嘴130 例如2秒吐出塗佈液Q至晶圓W之中心部，以旋轉數 1 5 0 0 rpm使晶圓W加速而使旋轉1 5秒，藉由該晶圓W之 旋轉所產生之離心力，使塗佈液Q擴散至晶圓W之圖案P 上。之後’使塗佈噴嘴13 0自晶圓W之中心部上方移動 至待機區域1 3 7。 當塗佈液Q擴散至晶圓W之塗佈P上之全面時，藉 由旋轉夾具1 2 〇使晶圓W上昇至特定位置。然後，自照 射部1 1 〇對被塗佈於晶圓W之圖案P上之塗佈液Q，以例 如2秒間/cm2照射例如波長222 nm、能量7 mW/cm2之紫 外線。藉由該照射之紫外線，塗佈液Q內所含之光聚合起 始劑活性化，塗佈液Q硬化。然後，如第6圖（b )所示 般，在晶圓W之圖案P上形成塗佈液硬化之塗佈膜R。塗 佈膜R例如以nm〜3 00 nm之膜厚形成。 當在晶圓w之圖案p上形成塗佈膜R時，晶圓W藉 由第1搬運臂1 〇搬運至底部塗佈裝置23，形成反射防止 膜。形成有反射防止膜之晶圓W，藉由第1搬運臂1 〇依 序被搬運至加熱裝置2、高溫度熱處理裝置65、高精度溫 -17- 200916200 度調節裝置70 ’在各裝置施予特定處理，之後，晶圓W 被搬運至光阻塗佈裝置20。 在光阻塗佈裝置20中’當在晶圓W上形成光阻膜 時’晶圓W藉由第1搬運臂被搬運至預烘烤裝置71， 施予加熱處理之後，接著，藉由第2搬運臂11依序搬運 至周邊曝光裝置94、高精度溫度調節裝置83，在各裝置 中施予特定處理。之後，藉由介面部4之晶圓搬運體1〇1 搬運至曝光裝置（無圖式），在晶圓W上之光阻膜曝光 特定圖案。完成曝光處理之晶圓W是藉由晶圓搬運體ιοί 而搬運至事後曝光烘烤裝置84，施予特定處理。 當完成事後曝光烘烤裝置84中之熱處理時，晶圓W 藉由第2搬運臂11被搬運至高精度溫度調節裝置81而溫 度調節，之後被搬運至顯像處理裝置30，對晶圓W上施 予顯像處理，在光阻膜形成圖案。之後，晶圓W藉由第2 搬運臂1 1被搬運至事後曝光烘烤裝置75，於施予加熱處 理之後，被搬運至高精度溫度調節裝置63而調節溫度。 然後，晶圓W藉由第1搬運臂被搬運至轉換裝置61， 藉由晶圓搬運體7返回至匣盒C ’完成一連串之光微影工 程。 若藉由以上之實施形態，當塗佈液Q被塗佈至晶圓W 之圖案P上時，因該塗佈液Q所含之液體狀之塗佈膜形成 成分之流動性佳，故塗佈液Q可以圓滑擴散晶圓w之圖 案P之凹凸上。因此，如第6圖（b)所示般，可以使形 成在晶圓W之圖案p上之塗佈膜Ri表面平坦化。 -18- 200916200 因自照射部1 1 〇對塗佈於晶圓W之圖案P上之塗佈 液Q照射紫外線，依此使塗佈液Q硬化，可以在晶圓w 之圖案P上形成塗佈膜R，故不需要如以往般於形成塗佈 膜R之時’加熱塗佈液，可以較以往抑制由於加熱容易昇 華之塗佈液Q之昇華。因此，可以抑制所形成之塗佈膜R 之膜厚之減少。 並且’照射部110因設置在處理容器150內之上部， 對旋轉夾具1 20上之晶圓W照射紫外線，故可以在晶圓 W收容在處理容器丨5 〇內之狀態下，對晶圓w執行塗佈 液Q之塗佈和紫外線之照射。因此，可以連續執行自塗佈 液Q之塗佈至紫外線照射爲止之處理，其部份可以縮短處 理時間。 以上之實施形態所記載之照射部1 1 0雖然設置在處理 容器1 5 0內之上部，但是照射部1 1 1是如第7圖所示般， 即使設置在處理容器1 5 0上面1 5 0 a之外側亦可。照射部 1 1 1設置在可以對旋轉夾具1 20上之晶圓W照射紫外線之 方向，在上面1 5 0 a使用使紫外線透過之例如無色透明之 玻璃板。此時，自照射部1 1 1所照射之紫外線通過上面 1 5 0 a，照射至晶圓W之圖案P上之塗佈液Q，可以形成塗 佈膜R。再者，因即使塗佈液Q飛散至例如處理容器1 5 0 內，照射部也不會污染，故可以使照射部U 1之維修之頻 率減少。 以上之實施形態中所記載之照射部11 0、Π1雖然設 置在旋轉夾具1 2〇之上方，但是照射部1 60如第8圖所示 -19- 200916200 般，即使設置在搬入出口 1 5 1之上部亦可。此時，自塗佈 噴嘴1 3 0將塗佈液Q塗佈在晶圓w之圖案P上之後，藉 由第1搬運臂10將晶圓W從處理容器丨50之搬入出口 1 5 1搬運至外部之時’則可以藉由照射部丨6〇對晶圓w之 圖案P上之塗佈液Q照射紫外線。因此，可以在處理容器 1 50內對晶圓W連續執行塗佈液Q之塗佈和紫外線之照 射’可以縮短從塗佈液Q之塗佈至紫外線照射爲止之時 間。 以上之實施形態所記載之照射部1 1 〇、1 1 1、i 60雖然 設置在旋轉夾具120上方，或是搬入出口 151之上部，但 是照射部1 7 0是如第9圖所示般，即使附設於塗佈噴嘴 130亦可。照射部170如第10圖所示般，藉由塗佈噴嘴 1 3 0之一的側面1 3 0 a和照射部1 7 0之一的側面1 7 0 a連 接，附設於塗佈噴嘴1 3 0。此時，藉由調整照射部丨7 〇之 上下方向之位置，或是晶圓W之上下方向之位置，如第9 圖所示般，對從晶圓W之中心至晶圓W之端部之範圍 Η，晶圓W之圖案P上之塗佈液Q照射紫外線。 在塗佈處理裝置2 4即使設置有控制來自照射部1 7 0 之紫外線之照射，或是藉由供給控制裝置1 3 3之塗佈液 1 3 3之塗佈液q之塗佈等的控制部3 4 0亦可。該控制部 3 4 0是控制成自塗佈噴嘴1 3 0在晶圓W之區域上塗佈塗佈 液之後，緊接著對該區域上之塗佈液Q，自照射部1 70照 射紫外線。 此時，因自照射部1 7 〇 W藉由旋轉夾具1 2 0所旋轉之 -20- 200916200 晶圚W照射紫外線，故僅以至少對範圍Η照射紫外線， 硬化晶圓W全面之塗佈液Q，可以形成塗佈膜R。 再者，藉由控制部340之控制，塗佈在晶圓W之圖 案Ρ上之塗佈液Q因對晶圓W被塗佈之後緊接著照射紫 外線而硬化，故可以抑制塗佈液Q之昇華。 即使取代以上實施形態所記載之塗佈噴嘴1 3 0，如第 Π圖所示般，使用具有延伸於X方向之縫隙狀之吐出口 140a之塗佈噴嘴140亦可。塗佈噴嘴Μ0是如第12圖及 第13圖所示般，例如形成較晶圚W之X方向之寬度長。 塗佈噴嘴140沿著導軌136，可以自設置在杯罩122之一 端側（在第1 3圖中爲左側）之外側之待機區域1 4 1朝向 另一端側移動。待機區域1 4 1構成可以收納塗佈噴嘴 1 4〇。並且，照射部即使使用上照射部1 1 〇、1 1 1、1 60中 之任一者亦可。即使如此之時，自塗佈噴嘴1 40將塗佈液 Q塗佈在晶圓 W之圖案P上之後，藉由照射部11〇、 111、160中之任一者，將紫外線照射至晶圓W之圖案P 上之塗佈液Q，可以形成塗佈膜R。 於使用以上之實施形態中所記載之塗佈噴嘴1 40之 時，照射部190如第14圖所示般，即使與塗佈噴嘴140 平行延伸於晶圓W之寬方向，附設於塗佈噴嘴140亦 可。照射部190是如第15圖所示般，連接塗佈噴嘴140 之一的側面1 4 0 a和照射部1 9 0之一的側面1 9 0 a連接’附 設於塗佈噴嘴1 4 0。 再者，其塗佈處理裝置24即使設置有控制來自照射 -21 - 200916200 部1 90之紫外線照射，或是藉由供給控制裝置i43塗佈塗 佈液Q等之控制部200亦可。該控制部200是控制成對自 塗佈噴嘴1 4 1 〇經塗佈液Q塗佈在晶圓W之區域上之後， 緊接著對該區域上之塗佈液Q，自照射部1 9 0照射紫外 線。 此時，藉由控制部2 0 0之控制，被塗佈在晶圓w之 圖案P上之塗佈液Q，因對晶圓W塗佈之後，緊接著照射 紫外線而硬化，故可以抑制塗佈液Q之昇華。再者，因塗 佈噴嘴1 4 0和照射部1 9 0同步移動，故可以控制成在晶圓 W之面內之全區域，從塗佈塗佈液Q至照射紫外線爲止之 時間成爲一定，可以使形成在晶圓W之圖案P上之塗佈 膜R之膜厚成爲一定。 以上之實施形態中，照射部1 9 0雖然附設於塗佈噴嘴 1 40，但是照射部2 1 0，是如第1 6圖所示般，即使與塗佈 噴嘴1 40獨立設置亦可。照射部2 1具有是與塗佈噴嘴1 40 之機械臂134和移動機構135獨立之機械臂211和移動機 構2 1 2。照射部2 1 0藉由移動機構2 1 2，可以沿著導軌 136，從設置在杯罩體122之一端側（在第16圖中爲右 側）之外側的待機區域2 1 3朝向另一端側移動，並且可以 在上下方向移動。 待機區域2 1 3是構成可以收納照射部2 1 0。此時，照 射部210因與塗佈噴嘴140獨立移動，故藉由調整塗佈噴 嘴1 40和照射部2 1 0之移動速度，可以控制成在晶圓w 之面內之全區域，從塗佈塗佈液Q至照射紫外線爲止之時 -22- 200916200 間成爲一定。並且，該些照射部210、機械臂211及 機構2 1 2即使如第1 7圖所示般多數設置亦可。藉由 設置照射部2 1 〇，可以更縮短對塗佈液Q照射紫外線 間。 並且’以上之塗佈處理裝置24雖然設置在塗佈 處理系統1之內部，但是塗佈處理裝置24獨立設置 佈顯像處理系統1之外部亦可。 在以上之實施形態中，照射部1 1 〇、1 1 1、1 60、1 2 1 0雖然設置在塗佈處理裝置2 4，但是照射部2 3 0是 18圖所示般，即使設置在第1之搬運裝置A1亦可。 搬運裝置A1具有框體220，在框體220之塗佈處理 24側之一側面形成有晶圓W之搬入出口 22 1。在框體 內之第1處理單元群G1及第2處理單元群G2側’如 圖所示般，於垂直方向設置有桿柱1 3、1 3，於桿柱] 一方內藏有使第1搬運機械臂10升降之升降機構（ 式）。桿柱13、13之間，如第1 8圖所示般，設置支 1 2，支撐部1 2之兩端部連接有桿柱1 3、1 3。在支撐; 上設置旋轉軸〗2a，旋轉軸12a支撐有第1搬運臂1〇 者，在支撐部12內藏有用以使傳動軸11旋轉’並且 至水平方向之馬達（無圖式），第1搬運臂10旋 如，並且即使在水平方向也移動自如。並且’在框體 內之上方，設置有對支撐於第1搬運臂10之晶® w 紫外線之照射部23 0。
此時，於以塗佈處理裝置24在晶圓W之圖案P 移動 多數 之時 顯像 在塗 90、 如第 第1 裝置 220 第1 3之 無圖 撐部 部12 〇再 移動 轉自 220 照射 上塗 -23- 200916200 佈塗佈液Q之後，晶圓W藉由第1搬運臂1 0，自搬入出 口 221搬運至第1搬運裝置Α1內。然後，在晶圓W被支 撐於第1搬運臂1〇之狀態下，對該晶圓W之圖案Ρ上之 塗佈液Q自照射部23 0照射紫外線，塗佈液Q硬化，其 結果，可以在線內於晶圓W之圖案Ρ上形成塗佈膜R。 接著，針對其他實施形態予以說明。該例中之塗佈處 理裝置24是如第19圖、第20圖所示般，具備有控制後 述一連串動作之電腦程式之控制部340。控制部340構成 控制照射部1 1 0、旋轉驅動部1 2 1、供給控制裝置1 3 3、移 動機構1 3 5等。以成爲特定時間以內之方式，控制從藉由 塗佈噴嘴1 3 0完成塗佈液之塗佈，至藉由照射部1 0開始 照射紫外線爲止之時間。並且，其特定時間，於放置塗佈 塗佈液之晶圓 W之時，設定成該塗佈之塗佈液昇華之量 成爲容許範圍內之時間，例如設定成2秒間。上述電腦程 式儲存於例如硬碟（HD )、軟碟（FD )、記憶卡、CD、 光磁碟（MO )、硬碟等之可讀取之記億媒體。 搭載該實施形態所涉及之塗佈處理裝置24之塗佈顯 像處理系統1如上述般構成，接著，針對以其塗佈顯像處 理系統1所執行之晶圓處理予以說明。 與先前之例相同，首先藉由晶圓搬運體7，自匣盒載 置台5上之匣盒c取出一片在表面形成有特定圖案之晶圓 W，搬運置第3處理裝置群G3之溫度調節裝置60。被搬 運置溫度調節裝置60之晶圓W，被調節成特定溫度，之 後’被搬運置本發明所涉及之塗佈處理裝置24。在橥佈處 -24- 200916200 理裝置24內於後述之晶圓W之圖案上形成塗佈膜。 當在晶圓W之圖案上形成塗佈膜時，晶圚W藉由第 1搬運臂1〇被搬運至底部塗佈裝置23’形成反射防止 膜。形成有反射防止膜之晶圓W ’藉由第1搬運臂1 〇依 序搬運至加熱裝置92、高溫度熱處理裝置65、高精度溫 度調節裝置70，在各裝置施予特定處理，之後，晶圓W 被搬運至光阻塗佈裝置20。 當在光阻塗佈裝置2 0中，形成光阻膜時，晶圓W藉 由第1搬運臂10搬運至預烘烤裝置71，實施加熱處理之 後，接著，藉由第2搬運臂11依序搬運至周邊曝光裝置 94、高精度溫度調節裝置83，在各裝置中，施予特定處 理。之後，藉由介面部4之晶圓搬運體101，搬運至曝光 裝置（無圖式），特定圖案曝光於晶圓 W上之光阻膜。 完成曝光處理之晶圓W藉由晶圓搬運體101而被搬運至 事後曝光烘烤裝置84，實施特定處理。 當完成事後曝光烘烤裝置84中之熱處理時，晶圓W 藉由第2搬運臂11被搬運至高精度溫度調節裝置81而被 溫度調節，之後，被搬運至顯像處理裝置3 0，在晶圓W 上施予顯像處理，在光阻膜形成圖案。之後，晶圓W藉 由第2搬運臂11被搬運至後烘烤裝置75，於施予加熱處 理之後，被搬運至高精度溫度調節裝置63，施予溫度調 節。然後，晶圓W藉由第1搬運臂10被搬運至轉換裝置 61，藉由晶圚搬運體7返回至匣盒C，完成一連串之光微 影工程。 -25- 200916200 接著，針對在塗佈處理裝置24內執行在晶圓W之圖 案上形成例如100 nm〜3 00 nm膜厚之塗佈膜之塗佈處理 方法予以說明。第21圖表示針對形成塗佈膜之塗佈處理 方法之流程。 晶圓W是藉由第1搬運臂10從搬入出口 151被搬運 至處理容器150內，移動至旋轉夾具120之上方。在此， 使旋轉夾具120上昇，自第1搬運臂10轉交晶圓W至旋 轉夾具1 20。然後，將晶圓W吸附於旋轉夾具1 20而水平 保持，使晶圓W下降至特定位置。 接著，藉由旋轉驅動部1 2 1以例如旋轉數5 0 0 r p m使 晶圓W旋轉，並且使塗佈噴嘴13 0移動至晶圓W之中心 部上方（步驟S 1 )。然後，自塗佈噴嘴13 0例如2秒吐 出塗佈液Q至晶圓W之中心部，以旋轉數！ 500 rpm使晶 圓W加速而使旋轉1 5秒（步驟S 2 )。藉由該晶圓w之 旋轉所產生之離心力’使塗佈液Q擴散至晶圓W之圖案p 上。之後’使塗佈噴嘴130自晶圓W之中心部上方移動 至待機區域1 3 7。
當塗佈液Q擴散至晶圓W之塗佈p上之全面時，藉 由旋轉夾具1 2 0使晶圓W上昇至特定位置。然後，自照 射部110對被塗佈於晶圓W之圖案p上之塗佈液q，以例 如2秒間/ c m2照射例如波長2 2 2 n m、能量7 m w / c m2之擎 外線（步驟S3 )。藉由該照射之紫外線，塗佈液Q內戶斤 含之光聚合起始劑活性化’塗佈液Q硬化（步驟S 4 )。 依此’在晶圓W之圖案P上形成塗佈液硬化之塗佈膜R -26- 200916200 (步驟S 5 )。 藉由以上之實施形態，當塗佈液Q被塗佈至晶圓W 之圖案P上時’因該塗佈液Q所含之液體狀之塗佈膜形成 成分之流動性佳，故塗佈液Q可以圓滑擴散晶圓W之圖 案P之凹凸上。因此，如第6圖（b)所示般，可以使形 成在晶圓W之圖案P上之塗佈膜R之表面平坦化。 當對光聚合起始劑照射紫外線時，因光聚合起始劑以 極短時間，例如2秒活性化，塗佈液Q硬化，故可以抑制 塗佈液Q之昇華。 再者，因藉由控制部340，將從完成藉由塗佈噴嘴 1 3 0塗佈塗佈液Q至藉由照射佈丨丨〇照射紫外線爲止之時 間，控制在特定時間以內，例如20秒以內，故可以將從 完成塗佈塗佈液Q至開始紫外線照射所昇華之塗佈液Q 之量抑制在容許範圍內，可以將所形成之塗佈膜R之膜厚 的減少抑制在容許範圍內。 爲了在大口徑之晶圓上形成薄膜，使高速旋轉晶圓而 使塗佈液擴散至晶圓上之時，當使用以往之塗佈液，則在 晶圓端產生所謂的「風切」之膜厚不均勻之區域。發生如 此風切之原因具有是以往之塗佈液具有固體狀之塗佈膜形 成成份和溶劑，於晶圓旋轉中塗佈液藉由溶劑之揮發而乾 燥之時，在晶圓端產生亂流，塗佈膜波狀起伏。此點，本 實施形態之塗佈液Q因具有液體狀之塗佈膜形成成份，塗 佈液Q難以乾燥，故不易產生如此之風切。因此，因在晶 圓W上形成薄膜之塗佈膜R，即使使晶圓W高速旋轉’ -27- 200916200 亦可以使所形成之塗佈膜R_之膜厚成爲一定。 在塗佈處理裝置24內如第22圖所示般，又具備有氣 體供給部1 80，依此即使冷卻旋轉夾具1 20上之晶圓W之 周邊之環境亦可。氣體供給部180設置在處理容器150內 之上部。在氣體供給部180之下面形成有多數孔（無圖 式），從該些多數孔朝向下方供給氣體。氣體供給部180 經氣體供給管181而連接於氣體供給源182。再者，在供 給配管1 8 1設置有調整所供給之氣體之溫度及溼度之溫濕 調整裝置1 8 3。 此時，至少在晶圓W之圖案P上塗佈有塗佈液Q之 期間，或是對該所塗佈之塗佈液Q照射紫外線之期間，可 以冷卻藉由溼度調整裝置1 83自氣體供給源1 82所供給之 氣體，自氣體供給部180朝向下方之處理容器150內部供 給冷卻之氣體。其結果，冷卻至處理容器15〇內較常溫低 之溫度，例如15 °C °依此’冷卻塗佈在晶圓W之圖案P 上之塗佈液Q ’可以更抑制塗佈液Q之昇華。 再者，使用其第22圖所示之塗佈處理裝置24，於在 晶圓w之圖案P上塗佈塗佈液Q之後，並且對該所塗佈 之塗佈液照射紫外線之前’即使將晶圓 w之周邊之環境 加熱特定時間亦可。 此時’首先’藉由塗佈噴嘴13〇在晶圓W之圖案P 上塗佈塗佈液Q (第23圖（a))。之後’以第3圖所不 之膜厚檢查裝置9 5測量所塗佈之塗佈液Q之厚度’該測 量結果傳達至控制部3 4 0。在控制部3 4 0中，根據該測量 -28- 200916200 結果，所塗佈之塗佈液Q之厚度較特定厚度後之時，因以 塗佈液Q成爲特定厚度之方式，使塗佈液Q之一部份昇 華，故控制成使晶圓W周邊之環境加熱特定時間。具體 而言，以大厚度之變化是以加熱溫度控制，小厚度之變化 是以加熱時間來控制之方式，算出加熱溫度及時間。然 後，該加熱溫度及時間之算出結果從控制部3 40被傳達至 溫濕度調整裝置1 8 3，以溫濕度調整裝置1 8 3加熱自氣體 供給源〗82所供給之氣體。被加熱之氣體自氣體供給部 1 8 0被供給至處理容器1 5 0內，以特定時間加熱晶圓W之 周邊之環境。然後，使晶圓w之圖案P上之塗佈液Q之 一部份昇華，使塗佈液Q之厚度成爲特定厚度（第23圖 (b))。之後，在殘存於晶圓W之圖案P上之塗佈液Q 成爲特定厚度時，自照射部對所殘存之塗佈液Q照射紫外 線，使該塗佈液Q硬化（第23圖（c ))。依此，可以在 晶圓W之圖案P上形成特定膜厚之塗佈膜R。 再者，如此一來，藉由以特定時間加熱晶圓W之周 邊的環境，亦可以使塗佈於晶圚W之圖案P之凹部份以 外之圖案P表面之塗佈液Q昇華（第24圖（a))。即 是，使形成在圖案P上之塗佈膜R之膜厚成爲零’藉由僅 在圖案P之凹部塡充塗佈液Q，予以硬化’可以消除圖案 P之凹凸而使圖案P之上面平坦化（第24圖（b ))。依 此，可以省略除去晶圓W之圖案P上之塗佈膜R之蝕刻 工程，可以使晶圓W處理之產出量。 再者，例如形成在以上實施形態之塗佈膜R上的光阻 -29- 200916200 膜之圖案非所欲者時，雖然對晶圓w執行再製處理，但 是於以其再製處理剝離塗佈膜R時，即使加熱晶圓W之 周邊環境而剝離塗佈膜R亦可。 此時，首先對形成在塗佈膜R上之光阻膜之圖案¥和 反射防止膜U上照射例如Ο 2電漿’剝離光阻膜之塗佈v 和反射防止膜U (第2 5圖（a))。然後’將晶圓W之周 邊之環境加熱至250 1〜350 °C (第25圖（b))’使塗佈 膜R昇華而剝離（第2 5圖（c ))。 針對該塗佈膜R之昇華，發明者調查結果’明白本發 明之塗佈膜R具以低分子之塗佈膜形成成分，故塗佈膜R 在2 5 0 °C以上之溫度分解而昇華。再者’當考慮晶圓處理 之後續工程（後端製程）之容許溫度時，以3 50°C以下之 溫度加熱爲佳。因此，使塗佈膜R之時之加熱溫度爲25〇 °C ~ 3 5 (TC 爲佳。 在以上之實施形態中，因加熱塗佈膜R而剝離，故如 以往般，不需要使用〇2電漿等，可以減輕對晶圓W上之 圖案P之損傷或消失。依此，可以改善晶圓w之再製處 理之時之良率下降。 再者，加熱以上之實施形態之塗佈膜R而予以剝離之 方法，即使於將光阻膜之圖案V當作罩幕而蝕刻晶圓W 之後，灰化殘存於圖案P上之塗佈膜R之時也爲有效。此 時，將晶圓w之周邊之環境加熱至250°c至3 50 °c (第26 圖（a ))，使塗佈膜R昇華而予以剝離（第2 6圖 (b))。依此，不會傷及晶圓W上之圖案P，可以灰化 -30- 200916200 殘存於圖案P上之塗佈膜R。 並且，在以上之實施形態中，使塗佈於第21圖之步 驟S3〜S5所示之晶圓W之塗佈液Q硬化之工程，藉由對 塗佈液Q照射紫外線，使塗佈液Q傾向於架橋之光聚合 起始劑活性化，使活性化之光聚合起始劑擴散而硬化塗佈 液Q。 在擴散該光聚合起始劑之工程中，以1〇〇 °C〜130 °C塗 佈液，依此可以促進光聚合起始劑之擴散。如此一來，在 本實施形態中之塗佈液Q之硬化工程中，如以往般，加熱 能量並非使塗佈液硬化，因以較以往之加熱溫度低之1 00 °C〜1 3 0 °C之溫度加熱，以短時間使光聚合起始劑擴散， 較以往抑制塗佈液Q之昇華。因此，可以效率佳硬化塗佈 液Q。 以下，藉由加熱本發明之塗佈膜，針對該塗佈膜昇華 予以說明。在本實施例中，第21圖所說明之方法中，在 晶圓之圖案上形成大約140 nm膜厚之塗佈膜，之後以350 °C之溫度加熱晶圓周邊之環境。 在本實施例中，將測量加熱後之塗佈膜之膜厚之經時 變化的結果表示於第27圖。第27圖之縱軸表示塗佈膜之 平均膜厚，橫軸表示加熱時間。當參照第27圖時，塗佈 膜之膜厚於加熱開始時，大約爲1 40 nm，但是經過大約 6 〇秒則減少至大約1 0 nm。因此，可知藉由將本發明之塗 佈膜以特定溫度液如3 5 0°C加熱，該塗佈膜則昇華。 並且，在以上之實施形態所形成之塗佈膜R即使爲用 -31 - 200916200 以在晶圓W形成圖案P之光阻膜亦可。如此所形成之塗 佈膜R可以當作光阻膜使用，可以省略形成以往之光阻膜 之工程。 以上，雖然一面參照附件圖面一面針對本發明之較佳 實施形態予以說明，但是本發明並不限定於該些例。若爲 該項技藝者應可在申請專利範圍之思想的範疇內，想出各 種變更例或者修正例。即使針對該些當然屬於本發明之技 術範圍。本發明不限於該例，可採用各種態樣。本發明基 板亦可適用於晶圓以外之FPD (平面顯示器）、光罩用之 罩幕標線板等之其他基板之時。 本發明有效利用於在形成於基板之圖案上形成塗佈膜 之時。 【圖式簡單說明】 第1圖爲模式性表示搭載本實施形態所涉及之塗佈處 理裝置之塗佈顯像處理系統之構成槪略的平面圖。 第2圖爲本實施形態所涉及之塗佈顯像處理系統之正 面圖。 第3圖爲本實施形態所涉及之塗佈顯像處理系統之背 面圖。 第4圖爲模式性表示本實施形態所涉及之塗佈處理裝 置之構成的槪略的縱剖面圖。 第5圖爲模式性表示本實施形態所涉及之塗佈處理裝 置之構成之槪略的平面圖。 -32- 200916200 第6圖爲表示形成在本實施形態所涉及之晶圓之圖案 上之塗佈膜之狀態的說明圖，（a )爲表示照射紫外線之 前的狀態，（b )爲表示照射紫外線之後的狀態。 第7圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝置 之構成之槪略的縱剖面圖。 第8圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝置 之構成之槪略的縱剖面圖。 第9圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝置 之構成之槪略的縱剖面圖。 第1 0圖爲照射部附設於塗佈噴嘴之時的斜視圖。 第1 1圖爲具有縫隙狀之吐出口的塗佈噴嘴之斜視 圖。 第1 2圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝 置之構成之槪略的縱剖面圖。 第1 3圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝 置之構成之槪略的平面圖。 第1 4圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝 置之構成之槪略的平面圖。 第1 5圖爲照射部附設於塗佈噴嘴之時的斜視圖。 第1 6圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝 置之構成的槪略的平面圖。 第1 7圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝 置之構成的槪略的平面圖。 第1 8圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝 -33- 200916200 置及搬運裝置之構成槪略的縱剖面圖。 第1 9圖爲模式性表示其他實施形態所涉及之塗佈處 理裝置之構成槪略的縱剖面圖。 第2 0圖爲模式性表示其他實施形態所涉及之塗佈處 理裝置之構成槪略的平面圖。 第21圖爲表示其他實施形態所涉及之塗佈膜之形成 方法之流程圖。 第22圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈處理裝 置之構成槪略的縱剖面圖。 第2 3圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈膜形成 在晶圓上爲止之塗佈液之狀態的作用說明圖，（a )表示 塗佈塗佈液之後的狀態，（b )爲表示之後加熱之狀態， (c )爲表示加熱後照射紫外線之狀態。 第24圖爲模式性表示其他形態所涉及之塗佈膜形成 在晶圓上爲止之塗佈液之狀態的作用說明圖，（a )表示 藉由加熱使所有塗佈液昇華之狀態，（b )爲表示之後塡 充塗佈液而硬化之狀態。 第25圖爲表示於再製處理之時，表示晶圓之圖案上 之塗佈膜和光阻膜剝離之樣子的作用說明圖’ （a )表示 藉由電漿之照射剝離光阻膜和反射防止膜之狀態’ （b ) 爲表示加熱晶圓周邊環境之狀態’ （c )爲表示使塗佈膜 昇華而剝離之狀態。 第26圖爲表示使晶圓之圖案上之塗佈膜灰化之樣子 的作用說明圖，（a)爲表示加熱之狀態’ （b)爲表不使 -34- 200916200 塗佈膜昇華而剝離之狀態。 第27圖爲表示以35(TC加熱晶圓之圖案上之塗佈膜之 時的膜厚之經時變化的曲線圖。 第28圖爲表示形成在以往之晶圓之圖案上之塗佈膜 之狀態的說明圖。 【主要元件符號說明】 1 :塗佈顯像處理系統 2 :匣盒台 3 :處理台 4 :介面部 5 :匣盒載置台 6 :搬運路 7 :晶圓搬運體 10 :第1搬運臂 1 1 :第2搬運臂 1 2 :支撐部 1 2 a :旋轉軸 1 3 :桿柱 2〇 :光阻塗佈裝置 2 ]:光阻塗佈裝置 22 :光阻塗佈裝置 23 :底部塗佈裝置 24 :塗佈處理裝置 -35- 200916200 3 0〜3 4 :顯像處理裝置 4 0 :化學室 4 1 :化學室 60 :溫度調節裝置 6 1 :轉換裝置 62〜64 :高精度溫度調節裝置 65〜68:高溫度熱處理裝置 71〜74 :預烘烤裝置 75〜79 :後烘烤裝置 8 0〜8 3 :高精度溫度調節裝置 84〜89:事後曝光烘烤裝置 90 :附著裝置 9 1 :附著裝置 92 :加熱裝置 93 :加熱裝置 94 :周邊曝光裝置 9 5 :膜厚檢查裝置 1 〇 〇 :搬運路 1 〇 1 :晶圓搬運體 1 〇 2 :緩衝匣盒 1 1 〇 :照射部 1 2 0 :旋轉夾具 1 2 1 :旋轉驅動部 122 :杯罩體 -36- 200916200 1 2 3 :排液口 124 :排液管 1 3 0 :塗佈噴嘴 1 3 1 :塗佈液供給管 1 3 2 :塗佈液供給源 1 3 3 :供給控制裝置 1 3 4 :機械臂 1 3 5 :移動機構 1 3 6 :導軌 1 3 7 :待機區域 1 4 0 :塗佈噴嘴 14 0a:吐出口 1 4 1 :待機區域 1 5 0 :處理容器 151 :搬入出口 152 :開關快門 1 7 0 :照射部 1 8 0 :氣體供給部 1 8 1 :氣體供給管 182 :氣體供給源 1 8 3 :溫溼度調整裝置 1 9 0 :照射部 2 0 0 :控制部 2 1 1 :機械臂 -37- 200916200 2 1 2 :移動機構 2 1 3 :待機區域 2 2 0 :框體 221 :搬入出口 23 0 :照射部 3 4 0 :控制部 G1〜G5 :處理裝置群 A1 :第1搬運裝置 A2 :第2搬運裝置 W :晶圓 C :匣盒 -38-