TW200903939A - Chip protecting system and electronic device and chip protecting method using the same - Google Patents
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200903939 二连緬航·丄νν:>δ07ΡΑ * 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種晶片保護系統及應用其之電子 裝置與晶片保護方法,且特別是有關於一種用以保護北橋 晶片及南橋晶片之至少一者之晶片保護系統及應用其之 電子裝置與晶片保護方法。 【先前技術】 '一般而言,電腦主機板上組設有一中央處理器 (Central Processing Unit,CPU)、一北橋晶片(north bridge chip)及一南橋晶片(south bridge chip)。中央處理器利用北 橋晶片及南橋晶片與周邊之元件溝通。因此,北橋晶片及 南橋晶片為中央處理器運作時之重要元件。 目前隨著重載程式之執行及資料處理速度之需求,中 央處理器之負載相對地增加。此外,部分之使用者會利用 , 超頻或提高北橋晶片及南橋晶片之工作電壓之操作方式 \ .· - 提升中央處理器之工作效率。如此一來,當中央處理器之 負載加重時,北橋晶片及南橋晶片之負載亦對應地增加。 此時,北橋晶片及南橋晶片之溫度會隨著負載增加而 升高。若北橋晶片及南橋晶片之溫度無法適當地降低,則 北橋晶片及南橋晶片可能會因此燒毀,而使得電腦系統無 法繼續正常工作。 200903939
三達編號:了 W3807PA " 【發明内容】 本發明有關於一種晶片保護系統及應用其之電子裝 置與晶片保護方法,其提供北橋晶片及南橋晶片〜保護機 制,以避免北橋晶片及南橋晶片因溫度過高而損毁。如此 一來,即使使用者以超頻之操作方式或以較高工作電壓來 對北橋晶片及南橋晶片進行操作,本發明仍可有致地保護 北橋晶片或南橋晶片。 , 根據本發明之第一方面,提出一種晶片保護系統。晶 片保瘦糸統a又置於一電子裝置。電子裝置包括一 ^路板、 一北橋晶片及一南橋晶片。電路板具有一上表面及一下表 面。上表面與下表面相對。北橋晶片及南橋晶片均配置於· 上表面。晶片保護系統包括一第一溫度感測元件、一判斷 單元及一保護電路。第一溫度感測元件設置於電路板之下 表面’且第一溫度感測元件設置於北橋晶片及南橋晶片之 一者之下方’以感測北橋晶片及南橋晶片之一之溫度。判 f 斷單元與第一溫度感測元件電性連接。判斷單元用以根據 " 第一溫度感測元件之狀態產生一溫度值,並與一預定值比 較。當溫度值大於預定值時,判斷單元輸出一致能訊號。 保護電路與判斷單元電性連接。當保護電路接收到致能訊 號時,保護電路使電子裝置關閉。 根據本發明之第一方面’提出一種電子裝置。電子裝 置包括一電路板、一北橋晶片、一南橋晶片及一晶片保護 系統。電路板具有一上表面及一下表面。上表面與下表面 相對。北橋曰曰片及南橋晶片均設置於電路板之上表面。晶 200903939
三達編號:TW3807PA 片保護系統包括一第一溫度感測元件、一判斷單元及一保 濩宅路。第,皿度感測元件設置於電路板之下表面,且第 一溫度感測元件設置於北橋晶片及南橋晶片之—者之下 方’以感測北橋晶片及南橋晶片之一之溫度。簡單元與 第一溫度感測元件電性連接。判斷單元用以根據第一溫度 感測7G件之狀態產生一溫度值’並與一預定值比較。當溫 度值大^預定值時,判斷單元輸出一致能訊號。保護;路 與判斷單元電性連接。當保護電路接收到致能訊號時,保 護電路使電子裝置關閉。 根據本發明之第二方面,提出一種晶片保護方法。晶 片保護方法應用於一電子裝置。電子裝置包括一電路板、 一北橋晶片及一南橋晶片。電路板具有一上表面及一下表 面。上表面與下表面相對。北橋晶片及南橋晶片均配置於 上表面。晶片保護方法包括以下之步驟。首先,利用一第 一溫度感測元件感測北橋晶片及南橋晶片之一之溫度。第 一溫度感測元件設置於電路板之下表面,且第一溫度感測 元件設置於北橋晶片及南橋晶片之一者之下方。接著,利 用一判斷單元以根據第一溫度感測元件之狀態產生一第 一溫度值。然後’利用判斷單元比較第一溫度值是否大於 一預定值。接著,當第一溫度值大於預定值時,判斷單元 輸出一第一致能訊號至·一保5蔓電路。然後,當保護電路接 收到第一致能訊號時,關閉電子裝置。 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂,下文特舉較佳 實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下: 200903939
二達編骯:丄WM07PA 【實施方式】 本發明提出一種晶片保護系統及應用其之電子裝置 與晶片保護方法,其藉由配置於北橋晶片或南橋晶片下方 之一溫度感測元件感測北橋晶片或南橋晶片之溫度,並使 用一判斷單元來根據溫度感測元件之狀態產生一溫度值 並與一預定值比較。當溫度值大於預定值時,則關閉電子 裝置,以避免北橋晶片或南橋晶片因溫度過高而損毁。 4' 第一實施例 請參照第1A圖,其繪示根據本發明一第一實施例之 電子裝置之上視圖。本實施例以電子裝置200為例說明, 且電子裝置200例如是一電腦主機。電子裝置200包括一 電路板210、一北橋晶片220、一南橋晶片230及一晶片 保護系統240。晶片保護系統240包括一第一溫度感測元 件241、一判斷單元245及一保護電路247。判斷單元245 與第一溫度感測元件241及保護電路247電性連接。本實 施例中之圖示省略部分之元件,且以較為誇大之方式繪示 元件,以利清楚顯示本發明之技術特點。 上述之電路板210、北橋晶片220、南橋晶片230及 第一溫度感測元件241之配置方式將進一步參照第1B圖 說明之。第1B圖繪示第1A圖之電子裝置之側視圖。為了 清楚地表示元件間之相對位置,第1B圖僅繪示出部分之 元件。電子裝置200之電路板210具有一上表面211及一 下表面212。電路板210之上表面211與下表面212相對。 9 200903939
三達編號:TW3807PA ' 北橋晶片220及南橋晶片230均設置於電路板210之上表 面211。第一溫度感測元件241設置於電路板210之下表 面212,且於本實施例中,第一溫度感測元件241設置於 北橋晶片220之下方,以感測北橋晶片220之溫度。 另外,第1A圖之判斷單元245用以根據第一溫度感 測元件241之狀態產生一溫度值,並與一預定值比較。當 溫度值大於預定值時,判斷單元245輸出一致能訊號至保 護電路247。當保護電路247接收到致能訊號時,保護電 路247使電子裝置200關閉,以保護北橋晶片220不因溫 度過高而損毀。 兹將本實施例之晶片保護糸統做進一步之說明如 下。請參照第2圖,其繪示第1A圖之電子裝置之電路方 塊圖。第一溫度感測元件241例如是一負溫度係數熱敏電 阻(negative temperature coefficient thermistor),負溫度係 數熱敏電阻之電阻值是隨著溫度上升而下降。本實施例之 晶片保護系統240更包括一電阻R〇,電阻r〇與第一溫度 感測元件241串聯。判斷單元245耦接至電阻與第一 溫度感測元件241電性連接之一節點p。由於本實施例之 第一溫度感測元件241是用以感測北橋晶片22〇(如第1A 圖所示)之溫度,因此’當北橋晶片220之溫度升高時,第 一溫度感測元件241(負溫度係數熱敏電阻)之電阻值會下 降。換言之,判斷單元245於節點P處所得到之電壓v〇 之分壓會對應地下降,判斷單元245即根據此分壓計算出 溫度值,以與預定值比較。當溫度值大於預定值時,判斷 200903939 三達編號:TW3807PA 早'245輸出致能訊號Es至保護電路μ?。致能訊號& 例如是一低電壓訊號。 *如第2圖所示,保護電路247包括-第-電阻Rl、 一第二電阻R2、一第—電晶體T1及一第二電晶體τ2。於 本實,例中’第-電晶冑T1及第二電晶體了2例如均為Ν 型金氧半(N-type Metal Oxide Semiconductor,NMOS)電晶 體電晶體T1之閘極透過第一電阻R1接收一第—供 應電慶VI並電性連接至判斷單元245。第—電晶體T1之 源極接收-第二供應電壓V2,第二供應電壓 接地電壓。 第二電晶體丁2之閘極透過第二電阻R2接收二 ,應電壓V3並電性連接至第—電晶體τι之及極。第二^ ^體T2之源極接收—第四供應電壓%,第四供應電壓 :列如為一接地電壓。第二電晶體τ 2之汲極則電性連接 至南橋晶片230。
At因此,當保護電路247接收到判斷單元245輸出之致 =訊號Es日夺,第一電晶體T1截止,第二電晶體τ2導通, 第四供應電壓V4經由第二電晶體T2輸入至南橋晶片 23〇 ’以觸發南橋晶片23〇控制電子裝置200關閉。曰曰 此外,如第2圖所示,本實施例之南橋晶片23〇具有 :過熱保護接腳23卜且電子裝置2⑽更包括-中央處理 二250中央處理器250及保護電路247均可電性連接至 南橋晶片230之過熱保護接腳231。換言之,本實施例之 南橋晶片230可與電子裝置2〇〇之中央處理器25〇可共用 200903939
二達編藏:i W_jmj7PA 同一接腳(過熱保護接腳231),而無須另外增加南橋晶片 230之接腳。 再者’本實施例之電子裝置200更包括一基本輸出輪 入系統(Basic Input/Output System,BIOS)260。預定值於 基本輸出輸入糸統260中設定。於本實施例中,預定值之 設定例如是由使用者自行設定,以符合使用者之需求。在 保ό蔓電路247因為北橋晶片220過熱而使電子裝置2〇〇 ^ 閉之後’當電子裝置200再開機時,基本輸出輸入系統mo 將會顯示一警告訊息。如此一來’使用者可藉由此馨主气 息了解電子裝置200前次關閉之原因,以適度地調整操^乍 電子裝置200之方式。例如,使用者可以調降電腦系、絶的 操作頻率,或是調降北橋晶片的工作電壓,以降低北_曰 片再次過熱之機率。 以下利用上述所提及之晶片保護系統240及應用其 之電子裝置200說明根據本發明之第一實施例之晶片保:蔓 , 方法。請同時參照第2圖及第3圖’第3圖繪示根據本發 V 明一第一實施例之晶片保護方法之流程圖。本實施例之曰 片保護方法包括以下之步驟。首先,由於本實施例之第— 溫度感測元件241設置於北橋晶片220(如第1B圖所示) 之下方,因此於步驟701中是利用第一溫度感測元件241 感測北橋晶片220之溫度。 接著,於步驟703中,利用判斷單元245以根據第一 溫度感測元件241之狀態產生一溫度值。由於本實施例之 第一溫度感測元件241為一負溫度係數熱敏電阻’因此判 12 200903939
三達編號·_ TW3S07PA 斷單元245是利用由P點處所得之分壓計算出對應之溫度 值。 然後,於步驟705中,利用判斷單元245比較溫度值 是否大於預定值。於本實施例中,預定值可由使用者自行 於基本輸出輸入系統260中訂定,以符合使用者之需求。 接著,於步驟707中,當溫度值大於預定值時,判斷 單元245輸出致能訊號Es至保護電路247。 然後,於步驟709中,當保護電路247接收到致能訊 號Es時,南橋晶片230關閉電子裝置200。致能訊號Es 截止第一電晶體T1後,第二電晶體T2將被導通,使得第 二電晶體T2輸入第四供應電壓V4至南橋晶片230,以觸 發南橋晶片230控制電子裝置200關閉。 接著,於步驟711中,當電子裝置200再開機時,由 基本輸出輸入系統260顯示一警告訊息。此外,於本實施 例中,晶片保護方法可選擇性地於步驟701之前更包括於 f 基本輸出輸入系統260中設定預定值之步驟,以符合使用 者之需求。 上述即為根據本發明之第一實施例之晶片保護系統 及應用其之電子裝置與晶片保護方法,其提供保護北橋晶 片之機制,以避免北橋晶片因溫度過高而燒毀。此外,於 本實施例中,保護電路因為北橋晶片過熱而使電子裝置關 閉之後,當電子裝置再開機時,基本輸出輸入系統將會顯 示警告訊息,以讓使用者瞭解電子裝置前次關機之原因。 如此一來,即使使用者以超頻之操作方式或以較高之工作 13 200903939
三達編號:TW3807PA 電壓來對北橋晶片及南橋晶片進行操作’本實施例之晶片 保護系統及應用其之電子裝置與晶片保護方法仍提供了 保護北橋晶片之機制。 雖然本實施例之第一溫度感測元件配置於北橋晶片 之下方,然而,熟知此技藝者應可明瞭第一溫度感測元件 亦可設置於南橋晶片之下方’以提供保護南橋晶片之機 制。 tf 第二實施例 本實施例與第一實施例之差異在於第一實施例僅利 用第一溫度感測元件感測北橋晶片之溫度,而本實施例則 利用第一溫度感測元件及一第二溫度感測元件分別感測 北橋晶片及南橋晶片之溫度’以避免北橋晶片及南橋晶片 因溫度過高而燒毀。 請參照第4圖,其繪示根據本發明一第二實施例之電 子裝置之上視圖。電子裝置3〇〇之晶片保護系統340包括 " 第一溫度感測元件341、第二溫度感測元件342、一判斷 單元345及一保護電路347。第一溫度感測元件341及第 二溫度感測元件342皆設置於電路板310之下表面’且第 一溫度感測元件341及第二溫度感測元件342分別設置於 北橋晶片320及南橋晶片330之下方,以感測北橋晶片320 及南橋晶片330之溫度。 於本實施例中,判斷單元345與第一溫度感測元件 341、第二溫度感測元件342及保護電路347電性連接。 14 200903939
三達編號:TW3807PA 判斷單元345根據第一溫度感測元件341及第二溫度感測 元件342之狀態以分別產生一第一溫度值及一第二溫度 值。當第一溫度值大於一預定值時’判斷單元345則輸出 一第一致能訊號至保護電路347 ’且當第二溫度值大於預 定值時,判斷單元345則輸出一第二致能訊號至保護電路 347。當保護電路347接收到第一致能訊號或第二致能訊 號時,保護電路347使電子裝置300關閉,以保護北橋晶 片320及南橋晶片330不因溫度過高而損毀。 至於本實施例之晶月保護方法則請同時參照第5 圖,第5圖繪示根據本發明一第二實施例之晶片保護方法 之流程圖。第5圖之步驟801a至步驟809a為利用第一溫 度感測元件341、判斷單元345及保護電路347保護北橋 晶片320之流程,步驟801b至步驟809b則為利用第二溫 度感測元件342、判斷單元345及保護電路347保護南橋 晶片330之流程。 當電子裂置300因北橋晶片320或南橋晶片33〇過熱 關機之後再開機時’基本輸出輸入系統(未繪示)將會顯示 一警告訊息’以提醒使用者電子裝置300前次關機之原 因。如此一來,當北橋晶片32〇或南橋晶片33〇之溫度過 高時’即可藉由本實施例之晶片保護系統340之保護機制 關閉電子裝置300,以避免北橋晶片320及南橋曰片 燒毀。 巧日日 ° 本發明上述實施例所揭露之晶片保護系統及應 之電子裝置與晶片保護方法,其藉由北橋晶片或南橋晶片、 15 200903939
二连緬抓.1 w j〇07PA ' 之溫度作為是否關閉電子裝置之依據,以保護北橋晶片及 南橋晶片。如此一來,即使使用者以超頻之操作方式或以 較高之工作電壓操作北橋晶片及南橋晶片,上述實施例所 揭露之晶片保護系統及應用其之電子裝置與晶片保護方 法仍可有效地保護北橋晶片或南橋晶片,以避免北橋晶片 及南橋晶片因溫度過高而燒毁。 綜上所述,雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然 其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常 知識者,在不脫離本發明之精神和範圍内,當可作各種之 更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專 利範圍所界定者為準。 200903939
二溼*钪· iWj8u7PA ' 【圖式簡單說明】 第1A圖繪示根據本發明一第一實施例之電子裝置之 上視圖; 第1B圖繪示第1A圖之電子裝置之侧視圖; 第2圖繪示第1A圖之電子裝置之電路方塊圖; 第3圖繪示根據本發明一第一實施例之晶片保護方 法之流程圖; 第4圖繪示根據本發明一第二實施例之電子裝置之 ψ 上視圖,以及 第5圖繪示根據本發明一第二實施例之晶片保護方 法之流程圖。 17 200903939
二违細肌-1 wj〇07PA 【主要元件符號說明】 200、300 :電子裝置 210、310 :電路板 211 :上表面 212 :下表面 220、320 :北橋晶片 230、330 :南橋晶片 240、 340 :晶片保護系統 〔 R0 :電阻 241、 341 :第一溫度感測元件 245、345 :判斷單元 247、347 :保護電路 T1 :第一電晶體 T2 :第二電晶體 R1 :第一電阻 R2 :第二電阻 ί 250 :中央處理器 260 :基本輸出輸入系統 342 :第二溫度感測元件 Es :致能訊號 V0 :電壓 VI :第一供應電壓 V2 :第二供應電壓 V3 :第三供應電壓 V4 :第四供應電壓 18
Claims (1)
- 200903939 二适細肌 * i vvjd07PA 十、申請專利範圍: 1. 一種晶片保護系統,設置於一電子裝置,該電子 裝置包括一電路板、一北橋晶片及一南橋晶片,該電路板 具有一上表面及一下表面,該上表面與該下表面相對,該 北橋晶片及該南橋晶片均配置於該上表面,該晶片保護系 統包括: 一第一溫度感測元件,設置於該電路板之該下表面, 且該第一溫度感測元件設置於該北橋晶片及該南橋晶片 之一者之下方,以感測該北橋晶片及該南橋晶片之一之溫 度; 一判斷單元,與該第一溫度感測元件電性連接,該判 斷單元用以根據該第一溫度感測元件之狀態產生一溫度 值,並與一預定值比較,當該溫度值大於該預定值時,該 判斷單元輸出一致能訊號;以及 一保護電路,與該判斷單元電性連接,當該保護電路 , 接收到該致能訊號時,該保護電路使該電子裝置關閉。 2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片保護系統,其 _該保護電路包括. 一第一電阻及一第二電阻; 一第一電晶體,其閘極透過該第一電阻接收一第一供 應電壓並電性連接至該判斷單元,該第一電晶體之源極接 收一第二供應電壓;及 一第二電晶體,其閘極透過該第二電阻接收一第三供 應電壓並電性連接至該第一電晶體之汲極,該第二電晶體 19 200903939 · i w_?ov)7RA 之源極接收一第四供應電壓,該第二電晶體之汲極電性連 接至該南橋晶片; 其中’當該保護電路接收到該致能訊號時,該第一電 晶體截止,該第二電晶體導通,該第四供應電壓經由該第 二電晶體輸入至該南橋晶片,以觸發該南橋晶片控制該電 子裝置關閉。 3. 如申請專利範圍第2項所述之晶片保護系統,其 中該第一電晶體及該第二電晶體均為N型金氧半(N-type Metal Oxide Semiconductor,NMOS)電晶體,該第二供應 電壓為一接地電壓’該第四供應電壓為一接地電壓。 4. 如申請專利範圍第1項所述之晶片保護系統,其 中該晶片保護系統更包括: 一第二溫度感測元件,設置於該電路板之該下表面, 該第一溫度感測元件於該北橋晶片及該南橋晶片之另一 者之下方。 5. 如申請專利範圍第1項所述之晶片保護系統,其 中該第一溫度感測元件為一負溫度係數熱敏電阻(negative temperature coefficient thermistor) ’ 該晶片保護系統更包括 一電阻,該電阻與該第一溫度感測元件串聯,該判斷單元 搞接至該電阻與該第一溫度感測元件電性連接之一節點。 6. 如申請專利範圍第!項所述之晶片保護系統,其 中該南橋晶片具有一過熱保護接腳,該電子裝置更包括一 中央處理器(Central Processing Unit,CPU),該中央處理器 及該保護電路電性連接至該南橋晶片之該過熱保護接腳°。 20 200903939 二违細m . ivvJ〇d7PA 7. —種電子裝置’包括:一電路板’具有〆上表面及一下表面,該上表 下表面相對; 一北橋晶片,設置於該電路板之該上表面; 一南橋晶片,設置於該電路板之該上表面; 一晶片保護系統’包括: 第一溫度獻列疋件 ' ---- (丨 坎 '人本“吵 .......久努 曰-曰片之一者之下方,以感測該北橋晶片及該南棒晶片 之溫度; 表面’且該第一溫度感測元件設置於該北橋晶片Λ Λ下 …·- 一一」、… -· 一判斷單元’與該第一溫度感測元件略 接,該判斷單元用以根據該第一溫度感測元件之狀,性連 一溫度值,並與一預定值比較,當該溫度值大於__產生 時,該判斷單元輪出一致能訊號;及 、^頊定後 一保護電路,與該判斷單元電性連.護電路接收到該致能訊號時,該保護電路使該電+奮讀保 閉。 子袭薏關 8 ·如申請專利範圍第7 保護電路包括: 其中該 項所述之電子襞置 一第一電阻及一第二電阻; 電阻接收一第—供 〜電晶體之源極接 電阻接收一第三供 一第—電晶體,其閘極透過該第— 應電壓並電性連接㈣_單元,該第 收一第二供應電壓;及 一第二電晶體,其閘極透過該第二 21 200903939 J07PA 應電壓並電性連接至該第一電晶體之没極,該第二電晶體 之源極接收-第四供應電塵,該第二電晶體之沒極電性 接至該南橋晶片; & 其中,當該保護電路接收到該致能訊號時,該第一電 晶體截止,該第二電晶體導通,該第四供應電壓經甴該第 二電晶體輸人至該南橋晶片,以觸發該南橋晶片控制” 子裝置關閉。 μ % 9. 如申請專利範圍第8項所述之電子裝置,其中該 第一電晶體及該第二電晶體均為Ν型金氧半電晶體,該第 二供應電壓為一接地電壓,該第四供應電壓為—接地電 壓。 10. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置, 電子裝置更包括: 基本輸出輪入系統(Basic Input/Output System, BIOS) ’於該保護電路使該電子裝置關閉之後,當該電子 裝置再開機% ’該基本輪出輸人系統顯示—警告訊息。 11. 如中請專利範圍第項所述之電子裝置, 該預定值於該基本輸出輪K统中設定。 、 12. 如申請專利範圍苐7項所述之電子裝置,其 南橋晶片具有一過熱保護接腳,該電子裝置更包括/:、以 一中央處理器,該中央處理器及該保護電路電性連接 至該南橋晶片之該過熱保護接腳。 13·如中請專利範圍第7項所述之電子裝置, 晶片保護系統更包括: ,、 22 200903939 —il£*5K · i WJ807PA 一第二溫度感測元件,設置於該電路板之該下表面, 該第二溫度感測元件於該北橋晶片及該南橋晶片之另一 者之下方。 14. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置,其中該 第一溫度感測元件為一負溫度係數熱敏電阻,該晶片保確 系統更包括一電阻,該電阻與該第一溫度感測元件串聯了 該判斷單元耦接至該電阻與該第一溫度感測元件電性= 接之一節點。 15. —種晶片保護方法,應用於一電子裝置,該電子 裝置包括一電路板、一北橋晶片及一南橋晶片,該電路板 具有一上表面及一下表面,該上表面與該下表面相對,該 北橋B曰片及§亥南橋晶片均配置於該上表面,該晶片保護方 法包括: 利用一第一溫度感測元件感測該北橋晶片及該南橋 s曰片之之溫度’該第一溫度感測元件設置於該電路板之 該下表面’且該第一溫度感測元件設置於該北橋晶片及該 南橋晶片之一者之下方; 利用一判斷單元以根據該第一溫度感測元件之狀態 產生一第一溫度值; 利用該判斷單元比較該第一溫度值是否大於一預定 值; 當該第一溫度值大於該預定值時,該判斷單元輸出一 第一致能訊號至一保護電路;以及 當該保護電路接收到該第一致能訊號時,關閉該電子 23 200903939 —泛腦3几· i- vy _ni07PA .裝置。 16.如申請專利範圍第15項所述之晶片保護方法, 其中該保護電路包括一第一電阻、一第二電阻、一第一電 晶體及一第二電晶體,該第一電晶體之閘極透過該第一電 阻接收一第一供應電壓並電性連接至該判斷單元,該第一 電晶體之源極接收一第二供應電壓’該第二電晶體之閘極 透過該第二電阻接收一第三供應電壓並電性連接至該第 一電晶體之汲極,該第二電晶體之源極接收一第四供應電 壓,該第二電晶體之汲極電性連接至該南橋晶片,該保護 電路接收到該第一致能訊號時,關閉該電子裝置之步驟包 括: 當該保護電路接收到該第一致能訊號時,截止該第一 電晶體,導通該第二電晶體5經由該第二電晶體輸入該第 四供應電壓至該南橋晶片,以觸發該南橋晶片控制該電子 裝置關閉。 Π.如申請專利範圍第15項所述之晶片保護方法, " 其中該電子裝置更包括一基本輸出輸入系統,於該保護電 路使該電子裝置關閉之後,該晶片保護方法更包括: 當該電子裝置再開機時,由該基本輸出輸入系統顯示 一警告訊息。 18.如申請專利範圍第17項所述之晶片保護方法, 其中於利用該第一溫度感測元件感測該溫度之步驟之 前,該晶片保護方法更包括: 於該基本輸出輸入系統中設定該預定值。 24 200903939 二達編骯:丄WjS〇7PA 19.如申請專利範圍第15項所述之晶片保護方法, 其中該晶片保護系統更包括一第二溫度感測元件,設置於 該電路板之該下表面,且該第二溫度感測元件位於該北橋 晶片及該南橋晶片之另一者之下方,該晶片保護方法更包 括: 利用該第二溫度感測元件感測該北橋晶片及該南橋 晶片之另^一者之溫度, 利用該判斷單元以根據該第二溫度感測元件之狀態 產生一第二溫度值; 利用該判斷單元比較該第二溫度值是否大於該預定 值; 當該第二溫度值大於該預定值時,該判斷單元輸出一 第二致能訊號至該保護電路;以及 當該保護電路接收到該第二致能訊號時,該保護電路 使得該電子裝置關閉》 i 25
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| TW96125143A TWI332738B (en) | 2007-07-10 | 2007-07-10 | Chip protecting system and electronic device and chip protecting method using the same |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI650915B (zh) * | 2017-10-23 | 2019-02-11 | 台達電子工業股份有限公司 | 電子裝置及過溫檢測方法 |
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2007
- 2007-07-10 TW TW96125143A patent/TWI332738B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI650915B (zh) * | 2017-10-23 | 2019-02-11 | 台達電子工業股份有限公司 | 電子裝置及過溫檢測方法 |
| US10656027B2 (en) | 2017-10-23 | 2020-05-19 | Delta Electronics, Inc. | Electronic device and over-temperature detecting method |
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|---|---|
| TWI332738B (en) | 2010-11-01 |
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