TW200906236A - Polyimide film and wiring substrate - Google Patents

Description

200906236 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 =明關於=特別適合作為⑺㈣膜之捲曲受到控制的聚 ^亞㈣。又’本發日_•制了此雜亞胺賴配線基板。 【先前技術】 方面，=±膜$於熱與電的性質優異，被廣泛應用於電子設備 的方式ΐ年t’SIC晶片的構裝技術開始以⑺F(ehiP〇nfllm) 銅積亞ΐ膜(專於聚醒亞胺膜上層積銅層的 樓體上，至ΐ自f 基板、或不_帶等支 續地加熱並且乾燥二^ 為了改善聚酿亞胺膜的;⑦::膜。其次’ 胺前體溶液的自撐膜矣而噴'以生或金屬瘵鍍性，在聚醯亞 自撐膜製造時與切液。偶聯舰常塗布在 亞胺化以製造聚醯亞胺膜"7桩面)上。然後，再加熱使其醯 ，輪的面，利用金屬5 蔓=醯蝴塗布有 造銅積層聚。 “A知的方法，戦銅層而製 生片於 時、層生 =胺膜作為COF用臈時，會產 亞胺膜係將利用銅層綱而既^^f兒明，銅

無法通過製造K 此情況本—胺經熱醯亞胺化製造形成的聚酿亞胺膜 200906236 另方面，使用偶聯劑處理過的聚醉 處理面的接著性，卻容易使膜發生捲曲Γ但，，雖然可以改善 亞胺膜產生捲曲，有所_。控㈣曲精密控制聚酿 凹下ίί)亦有困難，捲曲方向、捲曲量的押捲曲而成為 專利文獻2中記載，甚於制、生工制又更為困難。 鱗f)的硬化膜揮發成分含量及率^^面上之薄膜(澆 不握持硬化膜寬方向兩端邊 f在既疋鞄圍内，以及在 與酿亞胺⑽在既定範_、，^揮發成分含量 调整為最適當條件下的多數 通過應力緩和處理等 ^亦記载了 ··最適當的乾燥條件，二膜捲曲度。此外， 度梯度、乾燥時卿條件將 ^不巧依乾燥溫度及溫 酿亞胺膜，並先測量其捲曲旦在某條件下製造聚 ，度，進行溫度等製造條二的面(A，、 當的狀態。 更而改其捲曲度，並找出最適 在專利文獻3中提幸右白於 劑溶液，並在另一面塗布的早面上塗布偶聯劑之有機溶 控制聚醯亞胺膜中產生之捲曲^方去稭由控制有機液體的塗布量， 基二 中若膜的表背配向比(膜表 ^仔一軸配向聚酿亞胺膜，其 膜製造時的延伸過程中之;^f之膜表面的配向比，即在 愈大，則膜的捲曲愈大。:hC之南分子鏈配向狀態的比） -表面上配向參數成為最大方面的配向主軸方向(在同 之差而發生扭轉(twist)。iff向)的角度差大時，容易因應配向 的延伸倍率在丨⑴〜丨位Ύ5己載了 ：以使剛從支撐體剝離後膜 在氛圍溫度+35°c以下、1Π式進行剝離、控制支撐體表面溫度 在專利文獻5中L50利=/巳圍内係麵条件。 膜，特別是利用法獲得二軸配向聚酿亞胺 衣在由均苯四酸二酐與4,4，_二胺基二苯基 200906236 驗=3, 3，，4, 4’_聯苯四_二酐與對苯二胺的^^ 配向4酸亞胺膜，經由充分配向使其 輪 其寬方向的延伸倍率==^向 I·生私數縮小，可使撓性包鋼板的捲曲減小。 /、向 時：條=獻 =展現自綱嶋; =的溶_留量’並將該聚酸亞胺膜予以酸亞=，， 表者兩面的面配向度差，則可得 ^1、膜 分罐之可獲得捲曲量較小的聚酿亞^膜。(於_ c熱風處理ω 【專利文獻丨】日本特開2006-124685號公報 【專利文獻2】曰本特開平1〇_77353號公報 【專利文獻3】W02006/109753 【專利文獻4】日本特開2〇〇〇_85〇〇7號公報 【專利文獻5】日本特開平5_237928號公報 【專利文獻6】日本特開2〇〇5_194318號公報 【發明内容】 聚用的情況下’將IC晶片直接裝載在銅積層 造成無法通難造產_情況。 味承赫▼下垂， 膜，目St:為了防止此種問題發生，提供聚酿亞胺 形成金屬配線而製造。 久‘兑妝胰之丑面 本發明關於以下事項。 1.—種聚酿亞胺膜，使用於在單面(B面)層積金屬層並利用姓 200906236 刻形金屬配線之配線基板的製造， _赠2^:字由』為I'成苯，酸二野為主成分的芳香族 …塗布於支標體前體溶液流延 形成曲受到控制，使得前述配線基板於金屬配線 之下錄輯值絲5G/°)於^配線形成時 :· ί ϋ 1之_亞胺膜，其中該金屬配線為銅配線。 劑。.·〜·中任一項之聚醯亞胺膜，其中該偶聯劑為石夕燒偶聯 劑含^如之聚酿亞胺膜，其中利用調節自撐膜中溶 t熱爐中握持膜寬方向兩端部分時之寬度任—者以上， 声，=用係在聚酿亞胺膜的單面(β面)上層積金屬 曰,+ /彳法形成金屬配線而成，該聚醯亞胺膜，係在由3, 3，，4 的舰二酐為域分崎麵四銳與對苯二胺為主成分 «i SSi 延塗布於支撐體上並加熱製造之 〜目丨认:夜的自標版中，將偶聯劑塗布於㈣膜靠近支撐 月“彳的，(Β面)並且加熱、醯亞胺化而成， 兮取!!ίΐ於:邊聚酸亞胺膜’向Β面的相反側之面(Α面)側捲曲， 屬:;f二曲受到控制，使™^ Γ7Π L如6·之配線基板，其中，該形成有金屬配線之配線基板 X馳四方，金屬殘存率50%)之下垂量絕對值在3.0mm以下。 200906236 8·如6.或7.之配線基板，其中該金屬配線為銅配線。 劑。9.如6_〜8·中任一項之配線基板，其中該偶聯劑為矽烷偶聯 1 曰〇.如6·〜9.中任一項之配線基板，其中利用調節自稽膜中、、容 劑含置、用於將自撐膜加熱及醯亞胺化之 、中:

|力曲撕握持膜寬方向兩端部分時之寬任口:J膜J 〜1〇·中任一項之配線基板，其中金屬層，由:厚1〜3〇mn 轉1GQ〜1QQ()nm_雜独成_鍍絲金屬層， 以及厚1〜9μηι的鍍銅層所構成。 在此，下垂量(7〇x5〇mm四方，金屬殘存率 立 3(b)所不，長方形(7〇x5()mm四方)形狀之 g曰二 形成有含金屬殘存率為50%之金屬配:二=刻 端往短邊側跨越2醒並以配線面為底面固定 從水平面咖定的長__別、，以打(的長邊 5 δ0%)ί ()所不長方形(70x50mm四方)形狀之疊層體中，者 鈿彺短邊側跨越2麵並以配線面為底面固定時 =异真 從水平，(被固定的長邊)偏離的大+，以下方向為正被疋的長达 測定下垂量的配線基板，例如圄.v =斷爾此蝴膜 發明之效杲 3明^係將減少在聚酿亞胺膜之單 片時的下垂。藉由控制“ ί 垂、裝載Κ晶 實通過製峨娜… 200906236 =須控制Μ亞賴的捲曲面與捲曲量，且於 版承載膠帶下垂而有無法通過製造產線之情況=士晶片時薄 亞胺膜之捲曲， 而防止此種問題的發生]'^可以事先控制 【實施方式】

在本赉明之聚醯亞胺膜形成金屬配線配 晶片的步驟圖例如圖2。 _、、、東）’並且裝载1C 通常，形成金屬配線(銅配線）、裝載IC 曰 自撐膜製造時#近狀體儀 1 在聚醒亞胺 聚臨亞賴。並且，本發明控 ^反^面(Α面)捲曲的 金屬配線形成時、IC晶片於縣，使得不發生 得減少配線基板之金屬配線形^/之、：^過錢產線的情況、使 於此種聚醯亞胺膜的B面，如图_ 等公知的方法，形成金屬層。若層不用金屬嘴敷法 會往B面侧下垂。本發明中^屬3 ^吊^於其重量， 曲，因此可減少此時的下垂量。〇 Λ亞㈣由於往A面捲 其次，該金屬積層聚醯亞胺膜，係 有金屬層之面為底面而搬送，：被固定，以形成 :屬祕刻而形成金屬配線。全將經積層之金 以使得減少下垂量之方久銅配線為佳。本發明中， 線基板下垂量絕對值小Γ且體 到控制，獲得的配

=率寫)的下垂量絕對值在 ===;J X Umm 0 )的下垂量絕對值在6·〇麵以下 以下車又佳，4.0mm以下更佳，3.5mm以下特佳。 你取2；^亥配線基板之金屬配線上裝载有1C晶片。本發明中’ 曰曲相控制，使得減少此時的下錢少。此時IC 日日衣載土板(7〇x5〇mm四方，金屬殘存率5〇%)的下垂量絕對值 10 200906236 亦為小者’具體在2.0mm以下為佳，i.5mm以下較佳，i.〇mm以 下更佳，〇.5mm以下特佳。配線基板的短邊愈短，配線基板的下 垂量絕對值有愈減小之傾向。 在1C晶片裝載前之配線基板的下垂，較佳為亦考慮於配線基 板上裝載有f晶片時因1C晶片重量造成的下垂量而決定，應其 需要，下垂量可為負方向，亦即往上方向翹曲者。 如上本赉明以減少配線基板於金屬配線形成時的下垂之方 式，控制》亞胺膜的漏。由於下銳形狀金粒線圖案而 有所不同，有必要因應所望之金屬配線圖餘制聚醯亞胺膜的捲 曲。 為了於本發明之聚酸亞胺膜巾產生所望的捲曲，例如可適當 調節1自樓膜製作時之聚醒胺酸、自支撐膜加熱條件(溫度、時 Ϊ)-白與醯亞胺化率、於自撐膜上偶聯劑溶液的塗 亞胺化時的加熱條件(溫度、膜寬方向的狹擴張 率）寻。 =發明之聚醯亞麵產生所望的捲曲 °若自撐膜中溶劑含量多，會有捲^會ί B 化後得到之聚方面’若自魏中溶劑含量過多’酿亞胺 ^為ί =8^=不同_不同，以約μ質 式求得的數值。乾置與乾燥後重量W2依下 溶劑含量(質量％)WW2)/Wl}xl〇0 時之溫度)的調節，^自^膜時之加熱溫錄鑄 度 以之自撐振的溶劑含量有增多之傾向。最佳的溱禱時 200906236 之溫度’雖依加熱時間、使用裝置或其他製造條件 以130°C以上17〇QC以下為佳，14〇τ以上155。〇以下更枰5， .%者=:自樓膜舰亞胺化率控制在5〜桃範圍内者為^，°7〜3〇 自撐膜的醯亞胺化率以IR(ATR)方式測定，可利 二U口:(400:c經30分鐘醯亞胺化之產物)之間振動帶峰。 :十胺化率。振動帶峰是利用醯亞胺 』二 或苯環骨架伸縮振動帶。 振動帶 於已元全醯亞胺化之膜，以對應於醯亞胺基之1747 _ι r 準’減去基線後，計算舖亞胺基 二 ^之膜關，輯算自細_已結輕亞 外’可藉由調節將自撐膜加熱與醒亞胺化時用之加 :綱人口溫度，調節所取得之聚醯亞胺膜往A面^捲fi 然依制裝置或其他製造條件而有二 f的最高度以 硬化爐的最冋溫度以35〇〇c〜6〇〇〇c左右為佳。 、 此外，酿亞胺化時將膜往寬方向延伸，具體而士 化用加熱爐(硬化爐）中擴張臈的寬度，也能 α =亞胺 較佳的膜寬方向擴張率雖;依使職=2 m時之黯，11此’ 得之 捲曲往A面侧之捲曲量，彻士 敕 12 200906236 以下說明捲曲的測定方法。 _ 収在溫度23T、溫度5G%Rh的條件進行。捲曲的刹 、 ==所不，使用具水平部麵直部的測定台。捲曲量之測 的^模麵的圓盤狀試樣，並為了除去待測試樣 广在H〇 C經10分鐘熱處理後、於23。(： 50%Rh 仃1小時調濕處理後，進行測定。 L 5〇鳥下進 及捲Ξί(ί、Λ4ί\及f4(φ係說明將測定試樣安裝於測定台、 圖焖===圖’圖4⑻為前視圖、圖佩側面圖、 分接角測ί樣如圖4(a)及圖咐)所示’以不與測定台水平部 放ί，^ί 垂直部以將待測樣品呈凸狀之方式 部：二樣最捲曲的外圍 從測定台之垂直部 疋值馮捲曲置（向A面側的捲曲為負）。 待制捲曲量’如圖4(b)或圖4(c)所示’為圓盤狀 详；面為凸狀之捲曲(於A面為凹狀捲曲），且以待測試 樣的= 側靠近測定台垂直部之方式固定而測定之J量:寺暮式 線狀的;曲====為以拋物線或類似拋物 言，數以，銅線膨脹係數為佳。具體而 咖/峨、…她 =^5X1G·—斤更佳，I2晰6 !_ I^明中，首先將聚隨亞胺前體溶液流延塗布於支樓I# 取二來亞胺月;」體溶液的自禮膜。將偶聯劑溶液塗布π =之自樓膜仙面(即於製造時與支《靠iS 面)後，加熱醒亞胺化製造聚酿亞胺膜。 側 13 200906236 俞财液的自撐膜，於在提供聚醯亞胺之聚醯亞胺 • 侧化合物或 -指通常之硬化熱到成為自撐之程度為止(意 酐(明^^聚醯亞胺前體，由3, 3，，4, 4，-聯苯四羧酸二 酐(以下間知s-BPDA)為主成分的芳香族 (以下簡稱PPD)為主成分的芸禾咗—ρ^风刀以及對本一月女 族四羧酸成分中的s_$；D=tQH製造。f體而言，芳香 / 2乂佺，90莫耳/°以上特佳。芳香族二胺成分中的PPD志八以 50莫耳％以上為佳，8〇 | 女風刀〒的PPD成刀以 外，芳香族二胺成分，有上耳 時簡稱DADE)組合較佳，於；*胺基一本基醚(以下有 ο〜85/15 為佳。_，PPD/DADE(莫耳比）以 酸-肝士t方香矢四叛酸成分而言，S-BPDA與均苯四 卿驗囊(莫耳比)以刚/〇〜3〇/7〇為^圭為K於灿形’ 以及成分的芳香族四繼成分 手控性、生產性。升使用在cqf _將ic;構裝時的 夭#聚胺前體合成’可於有機溶劑中，將大致等莫耳數之- 隨機聚合或嵌段聚合達成。ί 胺前體溶液，可併ί=二^=。由此獲得的《亞 自撐膜。 μ/、而要除去或添加溶劑而使用在製造 聚_前體溶液的有機溶劑，可舉祕甲基_2_対細、 14 200906236 N，N-二甲基甲醯胺、N N__ 含有 該含 具羥 有機溶劑可單獨使用亦可^甲基乙胺、二乙基乙酿胺等 機磷應输娜輕胺化觸媒 氮雜未置換的含氮雜環化物 基的芳香族烴化合物未置換的胺基酸化合物 基味哇、N-甲基七坐等，特別適合使用1,2-二甲 ♦坐、5_甲基苯并味哇坐、2-甲基咪唾、2-乙基_4_ 基味峻、異啥琳、3,5_二甲^坐、队节基-2_甲基味唾等苯 的使用量，相對於聚胺基酸 寻w置換比σ疋寺。酿亞胺化觸媒 別以約0·02〜Η立各晋^土 ^基酸早位，以_〜2倍當量，特 倾=亞胺有時可提 單月i基化酸基侧 基磷酸酯、三乙二醇單酯二單鯨蠟基磷酸酯、單硬脂 基醚的單鱗酸酿、二:’，_单磷酸醋、四乙二醇單月桂 酸酉旨、辛基二碟酸g旨、^早石的單磷酸醋、己醯基二石粦 基二磷酸酯、鯨蠟基二磷酉η::其月t基二磷酸酯、肉豆蔻 戊基醚的二磷酸酯、三:^曰基一攝酸酯、四乙二醇單新 醇單月桂基_的二鱗7—-子早^，，基趟的二磷酸酯、四乙二 酸醋類或這歧鱗酸乙二醇單硬脂基趟的二石粦酸醋等磷 單丙胺、訂鹽:胺類可舉例氨、單甲胺、單乙胺、 三乙胺、三丙胺、三丁胺、二:脸二丙胺、二丁胺、三甲胺、 無_粒，可舉例.微=、一乙醇胺、三乙醇胺等。 粉末、氧化鎮粉末、氧&呂5之—^太粉末、二氧化石夕(石夕土） 碳化爾等無機末fm氮化物粉末、 ’ 彳政粒狀之兔酸鈣粉末、硫酸I弓 15 200906236 S用硫無機鹽粉末。這些無機微粒，可組合兩種以 -聚醯亞i前;溶使：均:，散。 無機微粒2i、t tit亞胺化觸媒、含有_之化合物或 加故直至成Α 麵組成誕缝布於支撐體上，並 脑程前的階段)，例如可加 平滑气材為佳，例如不銹鋼基板、不銹鋼帶等。 度)，可,t二ΪΓ2由調節此時之加熱溫度(逢鑄時之溫 決定，細跡權間可適當 Λ袢由^*獲侍之自撐膜’自樓膜中的溶劑含量在35〜45質量％者 ^佳^ _者較佳，胺化率在5,者為佳 度^可秘找此範_，只要適當地輕_當捲曲 體的ϋ日It’在依此方式獲得之自撐膜的Β面(製造時靠近支撐 :面)塗布偶聯劑。應其需要亦可在自撐亀^ 可舉烧ί偶聯劑、鈦酸鹽偶聯劑。號系偶聯劑 / 環氧丙氧基丙基二: 類、乙獻基每己基)乙基三曱氧基石夕燒等環氧基石夕烧 :、mi 土—虱夕乙烯基二(卜甲氧基乙氧基)石夕垸類、乙稀a 基：甲“:ΐ ί 4細酸基石夕烧類、叫(胺乙基)个胺丙 丙^，t β_(胺乙基)个胺丙基甲基二甲氧基石夕垸、y-胺 来音土―乙乳基石夕院、N苯基_γ_胺丙基三甲氧基石夕⑥等胺美抑 疏基丙基三甲氧基魏、γ•氣丙基三甲氧基奶完二几 劑可舉例··異丙基三異硬親基鈦酸鹽、里丙ί十」 几基本她基鈦酸鹽、異丙基三(二辛基焦魏鹽)鈦_ ' 16 200906236 基二(二辛基亞磷酸鹽)鈦酸鹽、四(22__ (雙十三絲㈣酸鹽鈦酸鹽基^丁基)二 睫、二〔二奈其隹垆舻繭w辛基焦磷酸鹽)氧乙酸鹽鈦酸 盖烯鈦酸鹽、異丙基三辛醯基鈦酸鹽 '里 丙基二兴丙本基本基鈦酸鹽等。 、 Ν-β(^乙基)个胺丙基三乙氧基 年^ 氧基石夕统、Ν|(苯基胺基)_乙基：；基三乙 基-γ-胺丙基三乙氧基矽烷、N J 丙基f乙氧基矽烷，-苯 佳，豆中转別以ni〜 基个胺丙基三曱氧基矽烷等為 二ϊιϋ ί基伟丙基三曱氧基矽烷為佳。 r 自容劑可舉例與聚醯亞胺前體溶液相同的有機溶 者為佳，較佳〜:亞L谷液相溶 以上的混合;勿 刚體喊的有機溶劑相同。亦可為兩種 佳，===?偶聯劑含量在-質量％以上者為 土 P 佳’3〜6()轉％者特佳，5〜55質量％者最 5%抓f量％町者佳，1Q f量％以下者較佳， 溫Ϊ 3 ㈣劑之有機溶劑溶液的旋轉黏度(於測定 佳: 1疋轉黏度计法測定的溶液黏度)在10〜50000公泊為 以卜偶，J的有機〉谷劑溶液’特別使偶聯劑以較佳濃度〇.5質量％ 劑中，低声1質3置％ ’更佳3〜55質量％，均勻溶解於醒胺類溶 1G 〜公泊(eentip㈣)者為佳。 布量可適當地選擇，例如，在自支之靠近支 3 2^\面)上塗布1〜5〇咖2者為佳，2〜拳2者更佳， 、去、液的塗布方式可依公知方法進行，例如凹板塗布 右+、疋^主布法、絲網印刷法、浸潰塗布法、噴灑塗布法、棍塗 /並Α刀塗布法、滾筒塗布法、刀片塗布法、壓鑄模塗布法等。 ”二人在本發明中加熱、酸亞胺化已塗布有偶聯劑溶液的自撐 17 200906236 膜可獲得聚醯亞胺膜。 • 如上述本發明若適當調節用於加熱、醯亞胺化自撐膜的加熱 爐(硬化爐)的入口溫度(即加熱處理的開始溫度)，可控制膜的捲曲。 ' 加熱處理過程以最初在溫度約1〇〇〜400°c ,緩慢地進杆蔣取 合物醯亞·蒸發去除溶躺⑽5〜5小時、制是Q i〜3小時^ 適熱處理以階段性，在約100〜170〇c之較低溫度下進 仃为,0.5〜30为鐘的第一次加熱處理後，其次在溫度約〜2如。 ^了約^.5〜3〇分鐘的第二次加熱處理，再其後在約220〜400T 白^温進彳了約G.5〜3G分鐘的第三次加減理者為佳 再在溫度約400〜55〇χ高溫下進行第四次高溫加熱處^、而要了 此外’於硬化爐巾可f㈣針板拉巾|機、央、或 ί狀S膜;fir垂直的方向，即膜寬方向的以 ί，。ΐ上述，在本發明中可藉由調節此時之温 又上it中藉由擴張膜寬度而控制臈的捲曲。、 衫η 亞胺膜厚度在約5〜125呵’在75〜125陶 者為仏，在10〜100阐者較佳，17〜38卿者更佳。 μ 依照本發明，可獲得捲曲受到 胺膜。此外，在本發賺亞胺二醒亞 面），接著性、濺鍍性或金屬蒸鑛性改/，布有^；齊 敷法形成金屬層，而後再形成梦铜:右於此面上透過金屬噴 離強度銅層等的金屬積層聚醯亞又胺膜。' 鑛層’可獲得具充分剝 在塗布有偶聯劑之面，可依照 金屬法是-種不同於鍍金屬或全屬并金屬層。 法，可用真空蒸鑛、濺錢、離子鑛膜的金屬層設置方 金屬噴敷法中所使用的金屬可為铜戈二束:寻” 鉬、鈷、鎢、釩、鈦、鈕等金屬2錳、鋁、鐵、 或其金屬碳化鱗，並無特定_〔、D ι、或〃金屬氧化物、 金屬噴敷法所形成金屬層厚度， 1〜篇m，更佳為5〜施 =其，目的適當選擇， 草固目細實用，故較佳。 18 200906236 依金屬喷敷法形成的金屬層層數，可依其使用目的適當選 擇’一層、兩層、或三層以上的多層均可。 依金屬噴敷法設置的金屬層，可再依電解鍍膜或無電解鍍膜 專公知的漁式鍍膜法在金屬表面設置銅、錫等金屬鑛層。 金屬積層聚醯亞胺膜中鍍銅等金屬鍍層的膜厚在丨〜9 圍，適於實用為較佳。 μ之耗 金屬喷敷法设置的金屬層’例如厚1〜3〇nmNi/Cr合金声以及 100〜lOOOnm銅減鍍層的兩層，可再設置厚的鍍銅層3。 將依此方式所獲得之金屬積層聚醯亞胺膜的金屬層蝕3刻，並

形成金屬配線，可得本發明的配線基板。金屬層的蝕刻方法可依 公知方式進行。 實施例 以下依實施例更詳細地說明本發明，但本發明並非僅限 下列實施例。 ' (參考例） 在聚合槽中加入既定量的N，N-二曱基乙醯胺，其次加入3 3, 4, 4’-聯苯四羧酸二酐，其次再加入對苯二胺，在3〇^下聚合反應 小時，獲得聚合物之對數黏度（測定溫度：3〇。^、^ 度:〇^g/100m卜溶劑：N，N_二曱基乙醯胺)在16〇，聚合物濃度在 二質量％的聚啦胺溶液。於此雜邱前體驗中，ς相 :二、亞胺1。。二量份為αι f量份比例的單硬脂基填酸§旨三乙醇 ^胤、以及0.5質量份比例的平均粒徑8〇nm的 ° ^ 25〇C ? 成物的奴轉黏度約在3000泊(p〇ise)。 (實施例1) 將g考例中所獲付的聚醒亞胺前體溶液 到麟、乾雜之平滑域=在 而择ί 賴在i45°c下加熱既定時間後，從支撐體上剥離 又侍自撐膜。此自撐膜的溶劑含量為38.7%。 19 200906236 在自樓膜之支樓體側的面(B面)上以10g/m2塗布含濃度5質 里/0硬烧偶聯劑QST-苯基个胺丙基三乙氧基石夕烧)的n，二曱基乙 — 醯胺溶液，並使之在100〜105°C的熱風下乾躁。其次，握持二乾 • 煉膜於寬方向的兩端部分並將之插入連續加熱爐(硬化爐）中，於從 150 C至480°C的條件下加熱、醒亞胺化該膜，連續製造捲曲量 為-2Umm、平均膜厚為35μηι的長尺狀聚醯亞胺臈。表丨表示^ 醯亞胺膜的製造條件(澆鑄時的溫度)以及所獲得之自撐膜中的$ 劑含量。 、/ 此外，使用此聚酿亞胺膜，在其Β面上依照常法形成厚5nm 的Ni/Cr(質量比:8/2)以及厚4〇〇nm的銅層而構成基底金屬層，並 在其上鍍8μιη銅層而獲得銅積層聚醯亞胺膜。其後 酿亞胺膜切成跑mx5()mm長方型雜(7()_ _ =胺膜的7方向），將銅層依—般方式姓刻，並沿短 直線配線中斷，使之成為銅殘存率在8〇%(間距刚陣、 的線寬/間隔=80_20μηι)或50%(間距1〇〇主 。一5。㈣’得到銅配線聚酸亞胺膜(配線 刀二線- Ϊ對，線聚酸亞胺膜進行下垂量測定，結果如表2 ί/ 卜，此聚fe亞胺膜的捲曲量測定結果亦如表2所示。 (實施例2、比較例1至2) 盥每=1:^，除改變薄膜的加熱溫度以及加熱時間之外，以 與κ施例1相同方法製造了聚醯 / 度溫度 _聚11亞胺膜，並下=實關1相同方法獲得了銅 之聚_膜的個別捲曲量測定;;丄另外’所獲得 【表1】 20 200906236

38.7 38.3 36.8 3όΤ 【表2】

捲曲量(mm) -— 配線基板的下垂量 /Ux5〇mm 7〇x5 0mm 實施例1 --*--- 銅殘存率：80% 銅殘存率：50% -21.8 -3.4 」 -1.0 實施例2 i_L- /sj 1 -20.4 —-— -3.4 -1.0 t匕罕义1夕1J _! -12 -7.1 -3.2 比旱父例2 -8 -7.9 —-~~— -5.3 產業利用性 【圖式簡單說明】 圖1為將1C晶片裝載於銅積層聚醯亞胺膜時，發生组 的說明圖。 、乂 圖2(a)、（b)、（C)為本發明之在聚醯亞胺膜上形成金屬配線(銅 配線），並裝載1C晶片之工程例。 圖3(a)、（b)為配線基板下垂以及下垂量的說明圖。 21 200906236 圖4⑻、（b)、（c)為說明聚醯亞胺膜捲曲量測定方法的示意圖。 ' 【主要元件符號說明】 - (無） 22

Claims (1)

1. 200906236 十、申請專利範圍： 一種聚酿亞胺膜，使用於在單 刻形成有金屬配線之配線基板的製造，（）層^屬層亚利用银 特徵在於:將由3, 3，，4, 4，· 四羧酸與以對苯二胺忐八&#&^ 酐馮主成刀的方香鉍 塗布於支撐體上並加胺^得的前體溶液流延 在製造_支#體“所體溶液的自撐膜中， 化所製造，向B ^=(=)^_劑並且加熱酿亞胺 捲曲2受專^之聚輕賴，其中’亞胺膜之 於全屬配^出士侍。配線基板(70x50mm四方，金屬殘存率50%) '孟屬配_成日代下錄觸值成為3Gmm以下。 線為= 請專侧第1或2項之酿賴，料，該金屬配 胺膜，其中，該偶聯劑 為：二專利範圍第1或2項之聚酸亞 自^第1或2項之«亞胺膜，其中，藉由調節 A^,w' 了^3里、用以將自撐膜加熱及醯亞胺化之加熱爐的 /皿又或在加熱爐中握持膜之寬方向兩端部分時之寬度任一 考以上，控制膜捲曲。 馬1 一種配線基板，係在聚酿亞胺膜的單面(B面〕上層積金屬 磁*蝕刻法形成金屬配線而成，該聚醯亞胺膜，係在由3, 3，，4, 舰二酐為主成分的芳香族四舰與對苯二胺為主成分 :1 a知—胺取得的前體溶液流延塗布於支撐體上並加㈣造之 =亞胺前體溶液的自撐财，將偶塗布於自制靠近支擇 體侧1面(B面)並且加熱、醯亞胺化而成， 4寸彳政在於:該聚醯亞胺膜，向B面的相反侧之面(a面)側捲曲， 亞賴之捲曲受到控制，使得絲麵麵之B面形成金 23 200906236 屬配線時之下垂減少。 7. 如申請專利範圍第6項之之配線基板，其中，該形成有金屬 配線之配線基板(7050mm四方’金屬殘存率50%)之下垂量絕對 值在3.0mm以下。 8. 如申請專利範圍第6項或第7項之配線基板，其中，該金屬 配線為銅配線。 ”萄 9. 如申凊專利範圍第6或7項之配線基板，其中，該偶聯齊j 矽烷偶聯劑。 @ 、10.如申請專利範圍第6或7項之配線基板，其中，利用調節 自撐膜中溶劑含量、用於自撐膜加熱及醯亞胺化之加熱爐的入口 溫度、或在加熱爐中握持膜寬方向兩端部分時之寬任二者以上 寬度，控制膜之捲曲。 1L如申請專利範圍第6或7項之配線基板，其中，該金屬層， = .U〜3〇nm的Nl/Cr層與厚度·〜1〇〇〇賊的銅⑲鑛層所構成的 土氐金屬層’以及厚度1〜9阿的鑛銅層所構成。 十一、圖式： 24 康