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TW200842903A - Electro magnetic shielding cable - Google Patents

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TW200842903A
TW200842903A TW96113998A TW96113998A TW200842903A TW 200842903 A TW200842903 A TW 200842903A TW 96113998 A TW96113998 A TW 96113998A TW 96113998 A TW96113998 A TW 96113998A TW 200842903 A TW200842903 A TW 200842903A
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TW
Taiwan
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electromagnetic shielding
carbon nanotube
core
carbon
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TW96113998A
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TWI329325B (en
Inventor
Hsi-Fu Lee
Liang Liu
Kai-Li Jiang
Caesar Chen
Shou-Shan Fan
Original Assignee
Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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  • Insulated Conductors (AREA)

Description

200842903 九、發明說明: ^ 【發明所屬之技術領域】 '·、 树明係涉及1线缆,尤其涉及-種具有电磁屏蔽 功能的线缆。 【先前技術】 電磁屏敝賴係電子產業紐為常用的信號傳輸線 材,微米級尺寸的電磁屏蔽線境更廣泛應用於IT產品、醫 , 錢器、空間設備中。傳統的線咖料置有兩導體,内 ‘ 雜用讀輸電錢,料體心碰職的電信號並且 將其封閉在内部’從而使線繞具有高頻損耗低、屏蔽及抗 干擾能力強、使用頻帶寬等特性。 、=般情況下’電磁賤魏㈣至外的結構依次為形 成内導體的繞芯、包覆於缓芯外表面的絕緣介質層、形成 外導體的屏蔽層及外護套。其中,緵芯用來傳輪電信號, 材料以銅或銅鋅合金為主。屏蔽層通常由多股金屬線編織 ( _金屬薄麟覆在絕緣介質層外形成,㈣屏蔽電磁干 擾或热用外部化5 虎干擾。對於金屬線編織而成的屏蔽層, 金屬線的含量及編織的鬆緊程度會影響其抗干擾能力,為 獲得較好的屏蔽效果,通常,屏蔽層中金屬線的含量較大 且需要將其編織的較為緊密。對於金屬薄膜卷覆在絕緣介 質層外而成的屏蔽層,需預先形成金屬薄膜後卷覆於絕緣 介質層外。上述金屬線編織及金屬薄膜卷覆形成的屏蔽 層,在生產速度上遠遠低於線、纜纖芯的生產速度,是限制 電磁屏蔽賴量產的主要因素,另外,大量使用金屬線或 7 200842903 金屬薄膜材料作為屏蔽層,電磁屏蔽線纜的生產成本也較 高。 ·: 錄槪’確有必要提供1電磁屏蔽_,該線缓 内部設置的屏蔽層具有良好的電磁屏蔽性能並且易於製 造’適於低成本大量生產。 【發明内容】 下面將藉由實施例進-步詳細說明-種電磁屏蔽線 纟f,其具有良好的電稱蔽效果並且賴解適於 :大量生產。 一種電磁屏蔽_,包括至少—龄、包覆於镜芯外 =至少-絕緣介質層、至少—電磁屏蔽層及外護套,其中, 電磁屏蔽層包含複數奈米碳管繩。 —與先前技術減較’本發由奈米碳管卿成電磁 屏敝層’因奈米碳官具有良好的導電性能從而使屏蔽層具 有車又強的屏蔽效果,另’該屏蔽層相較於現有技術中編織 ( 金屬線或卷覆金屬薄膜結構簡單,更因此適於低成本大量 生產。 【實施方式】 、生下面將結合附圖對本發明電磁屏蔽線纜的結構及其製 造方法作進一步之詳細說明。 本發明電磁屏蔽線縵包括至少一缦芯、包覆於纜芯外 的至少-絕緣介質層、至少—電磁屏蔽層及外護套。 ^请芩閱圖1,本發明第一實施例的電磁屏蔽線纜10為 電磁屏蔽同轴線規,包括一縵芯110、包覆於纔芯110外 8 200842903 介質請、包覆於絕緣介f層1料的屏 及包後於屏蔽層130外的外護套140。其中,覺芯11〇 _ 緣介^層12()、屏蔽層13◦及外護套140同轴設1。、、'巴 ㈣由—單獨的導電芯構成,也可由複數導電 、=纏繞形成’附圖中僅顯示-單獨的導電芯。導電: 絲均由導電材料製成,可翻導電金屬材料: 二屬::材料、奈米碳管線或含奈米碳管的複合導電: 俱”中’導電金屬材料優選銅或叙 優選铜鋅合金或銅銀合金,立中 人二屬5 i材料 分比約為,辞的品質百分比約^;1中銅的品質百 •分比約為勝= 奈米石山总紿劣 銀的口口貝百分比約為60%〜90%。 戍預間凡德瓦爾力首尾相連從而形 雙管及八、 ^ 奈米碳管複合導電材料由夺米 ^ 3 ¥电金屬的材料組成。優選地,奈米俨其人、.·、
::料由奈米碳管及含銅材料製成,含銅材料::5: ,金士或銅銀合金。當奈米碳管複合材料由銅及奈二= 〇且成蚪’奈米碳管在銅材料中的重 比、:: 0·〇1%〜2%;各太本^:山总、一人" 里曰刀比約為 —士々" &材料由崎合金及奈米碳管被 八r铜辞合舒銅的重量百分比約為7〇%,辞的重量百 ^比約為30%,奈米碳管在銅辞合金中的重量百分比 成01=;當奈米碳管複合材料由銅銀合金及奈米碳管电 ^中銅的重量百分比約為.,銀的重量百八 、力為_,,奈米碳管在舰合金中 刀 為〇m Μϊ里百分比約 9 200842903 緣"4 120用於電氣絕緣,可選用聚四氟乙稀或 奈^土 —高分子複合材料。奈雜土-高分子複合材料 中不米枯土係奈米級層狀結構的雜鹽礦物,由多種水合 的氧·、驗金屬氧化物及驗土金屬氧化 物組成,具耐火_等優良特性,如奈米高駐或奈米蒙 脫土。而分子材料可選用顿脂、聚_、聚烯烴如聚乙 烯或水丙烯等’但亚不以此為限。本實關優選奈米蒙脫 土來乙烯複D材料’其具有良好的電氣絕緣、耐火阻辦、 低煙無_等特性,不僅可為境芯提供有效的電氣絕緣,保 護纜芯,同時還能滿足環保的要求。 屏蔽層130由複數奈米碳管繩組成,該奈米碳管繩直 接或編織成網狀職錢緣介質層12()外。每個奈米碳管 繩包括複數從奈米碳管束陣列長出的奈米碳管束片段,每 個奈米碳管束諸具有大致婦的長紅每個奈米碳管束 片段由複數相互平行的奈米碳管束構成,其巾,奈米碳管 束片段兩端通過凡德瓦爾力相互連接。 屏蔽層130中的奈米碳管繩的製備方法主要包括以下 步驟: 步驟(一),製造奈米碳管束陣列。 提供-平整光滑的基底,可選用p型或n型石夕基底, 本實施例中選用P财基底,其直徑為2英寸,厚35〇微 米。在基底上採用電子束蒸發法、熱沉積或雜法等方法 形成厚度為幾奈米到幾百奈米的金屬催化劑層,其中金屬 催化劑可為鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)或其合金之一,優選 10 200842903 用鐵為催化劑,沉積厚度約為5奈米。 , ❿後將沉積有催化劑的基底在空氣中退火,退火溫度 '、 範圍為300〜40(rc,時間約為1〇小時。之後基底被分害^ 許多矩形小塊,矩形小塊放入石英舟中,在保護氣體存在 條件下,在反應爐令加熱一段時間使其達到一預定溫度, 一般為500〜700°C,優選為650°C。 再通入30議碳源氣與300 sccm的保護氣體(如氮 , 幻5〜30分鐘,制得高度約1〇〇微米的奈米碳管束陣列。 , 其中碳源氣為碳氫化合物,可為乙块、乙炫等,優選 用乙炔,該保護氣體為惰性氣體或氮氣。 為得到可拉制奈米碳管繩的奈米碳管束陣列,在製造 奈米碳管束陣列的過程中,必須滿足以下三個條件: (1) 基底平整光滑; (2) 奈米碳管束陣列的生長速度快; (3) 碳源氣的分壓要低。 f 生長奈米碳管束陣列的基底平整光滑,可使得位於基 底表面的奈米碳管生長得更密集,從而形成垂直於基底的 奈米$炭管束陣列。 奈米碳管束陣列的生長速度快與碳源氣的分壓低可有 效地抑制無定形碳沉積在奈米碳管的表面’從而減小奈米 碳管束間的凡德瓦爾力。因為無定形碳的沉積速度正比於 碳源氣的分壓,可通過調整碳源氣與保護氣體的流速比控 制碳源氣的分壓。而奈米碳管束陣列的生長速度正比於催 化劑與反應爐的溫度差。可通過調整碳源氣的流速控制催 11 200842903 化劑的溫度,而反應爐的溫度可直接控制。 在本貫施例令,催化劑與反應爐的最低溫度差控制為 5〇C,碳源氣的分壓要低於2〇%,最好是低於丨⑽。 步驟(二),製造奈米碳管繩。 從奈米碳管束陣列中選定一包括複數奈米碳管束的奈 米石反官束片段’並使用拉伸工具拉伸該奈米碳管束片段, 使奈米碳管繩沿拉伸方向形成。 在拉伸過程中,奈米碳管束片段在拉力的作用下沿拉 力方向伸長的同時,奈采碳管束片段兩端由於凡德瓦爾力 的作用而相互連接在,形成奈米碳管繩。 •拉=所㈣力的大小取決於所選奈米碳管束片段的寬 ,·及見度越i,所需要的力越大。由實驗資料得出〇· 1 ^牛的力可拉出2⑽微米寬的奈米碳管繩。在本實施例中 同度為100微米的奈米碳管束陣列可拉出長度為%厘米、 直徑為200微米的奈米碳管繩。
=護套140由絕緣簡製成,可選用奈_土—高分 神枓的複合材料,其中奈_土可為奈 冡脫土,高分子妯粗π* 3不木 稀或聚丙烯等,_ = ::脂侧、聚稀烴如聚乙 土-f乙、為限。本實施例優選奈米蒙脫 性能’、低煙無良好的機械性能、耐火阻燃 機械、物理或化學等外^為、輯^保護’有效抵禦 要求。 、 貝W,同日守還旎滿足環境保護的 請參閱圖 本發明第二實: 電磁屏蔽線纜 200842903 2〇包括複數镜芯210 (圖2中共顯示七個缓芯)、每一縣 210外復座絕緣介貝層22〇、包覆於複數繞芯外的一 屏蔽層230及—包覆於屏蔽層230外表面的外護套24〇。 屏蔽層咖及絕緣介料22Q關_可填歧緣材料。 其令,每個缓芯210及絕緣介質層22〇 '屏蔽層23〇及外 護套240的構成、材料及屏蔽層23{)内奈米碳管繩的製備 方法與第-實施例中的變芯UQ、絕緣介㈣⑽、屏蔽層 1別及外護套140的構成、材料及屏蔽層13〇内的奈米碳 管繩的製備方法基本相同。 口月 > 兒㈤,本發明第三實施例揭示的電磁屏蔽線纜 3〇包括複滅芯31Q(目巾共顯示五倾芯)、每-镜芯 3—1〇外覆蓋-絕緣介質層32()及一屏蔽層聊、以及包覆於 複數镜芯310外表面的外護套34〇。屏蔽層33〇的作用在 於對各個mio進行單獨的屏蔽,錄不僅可防止外來 =素對mio内部傳輸的電信號造成干擾^且可防止各 乡見芯310内傳輸的不同電信號間相互發生干擾。其中,每 個纜芯310、絕緣介質層32〇、屏蔽層33〇及外護套_的 ,成材料及屏蔽層330内奈米碳管繩的製備方法斑第一 ^施例中峨芯11G、絕緣介質層⑽、屏蔽層13Q耕護 140的構成、材料及屏蔽層13〇内的奈米碳管繩的製備 方法基本相同。 提出:發明確已符合發明專利之要件’遂依法 明准,Μ上所述者僅為本發明之較佳實施例, 不月b以此限制本蚊_請細顧。舉凡熟悉本案技藝 13 200842903 之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆應涵 . 蓋於以下申請專利範圍内。 m : 【圖式簡單說明】 % 圖1係本發明第一實施例的電磁屏蔽線纜的截面結構 示意圖。 圖2係本發明第二實施例的電磁屏蔽線纜的截面結構 示意圖。 圖3係本發明第三實施例的電磁屏蔽線纜的截面結構 示意圖。 【主要元件符號說明】 10、 20、 30 110、 210、 310 120、 220、 320 130、 230、 330 140、 240、 340 電磁屏蔽線纜 纜芯 絕緣介質層 屏蔽層 外護套 14

Claims (1)

  1. 200842903 十、申請專利範圍 1一種電磁屏蔽線境,包括至少_縵芯、包覆於纜芯外的 ^纟巴緣介質層、至少一電磁屏蔽層及外護套,其中, 電磁屏蔽層包含_奈米碳管繩。 .如申二月專利圍帛!項所述的電磁屏蔽線鏡,其特徵在 =、’,每個奈米碳管繩包括彡個從奈米碳管束_長出的 奈米碳=束片段,每個奈米碳管束片段具有大致相等的 長度且每個奈米碳管束片段由多個相互平行的奈米碳管 構成示米石反言束片段兩端通過范德華力相互連接。 3·如申請專利範圍第2項所述的電磁屏蔽線繞,其中,該 電磁屏蔽線__線鏡,包括由内至外同軸依次設。置 =繞芯、包覆纜芯外表面的—絕緣介質層、包覆^緣 f層外表面的—屏㈣及包覆屏蔽層外表面的—外護
    :申請專利範圍第2項所述的電磁屏蔽魏,其中,該 電磁屏蔽賴包括複數麟、複數分別包覆於每—雙^ 外的絕緣介質層、包覆絕緣介f層的—屏蔽層及包2 屏蔽層外表面的一外護套。 、 >·=申料利範圍第2項所賴電磁賤魏,其中,該 電磁屏蔽賴包括複數_、複數分別包覆於每一繞^ 外^絕緣介質層、複數分別包覆於每—絕緣介質層二二 、屏蔽層及包覆於屏蔽層外的一外護套。 κ見其中’該奈米破管繩直接或編織成網狀瘦燒於 15 200842903 絕緣介質層外。 . 7·如申請專利範圍第6項所述的電磁屏蔽線纜,其中,該 : 奈米碳管繩由100微米的奈米碳管束陣列拉出,其長度 ~ 為30厘米,直徑為200微米。 8.如申請專利範圍第7項所述的電磁屏蔽線纜,其中,該 絕緣介質層的材料為聚對笨二曱酸乙二醇S旨、聚碳酸 酯、丙烯腈一丁二烯丙烯一苯乙烯共聚物或聚碳酸酯/丙 稀猜一 丁二稀一苯乙稀共聚物。
    16
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