TW200848814A - Manufacturing method of an optoelectronic composite substrate, optoelectronic composite substrate manufactured by said manufacturing method, and optoelectronic composite module using said optoelectronic composite substrate - Google Patents

Description

200848814 27925pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ，本發明是關於一種光電複合基板的製造方法、以該方 法製造的光電複合基板、以及使用該光電複合基板的光電 衩合基板模組。 【先前技術】 、在電子元件間或配線基板間的高速、高密度信號傳輸 領域’在先前使用電氣配線進行的傳輸中信號的相互干涉

或衰減成為一種障礙，使得高速、高密度化開始顯現出極 限。為了打破這個局面，已提出有用光來將電子元件間或 配線基板間連接的技術，即，所謂光互連（ ’並且正在對電氣配線與光配賴複合化 進订各種研究。特別是近年來，業者f試將光配線導入行 動電話或筆5己型電腦的交連(恤弘)部中，在這些應用中， 現使用具有可撓性的可撓型光電複合基板。 二關於光配線與電氣配線的複合化，例如專利文獻i中 勺己載所示七出有經由接著片（adhesive也6的）將半導 ，晶片與光波導相接著的方法。然而，該方法中光波導單 =及接著膜的切出是在各自獨立的步财進行，因此存 在者組裝繁雜的問題。 ^外，在上述光波導單片化的步驟中，藉由將光波導 鏡面的形狀，再將附帶鏡面的光波 作光電複合絲或光電複合池。例如，專利= 6

200848814 27925pif 接著劑將附帶鏡面的光波導接著於Si 將接著劑進行加熱硬化時，基板、光波導及接 發生尺寸變化，導致鏡面位置大幅i動 使传先接收、光發送元件與光波導的找合效率下降。 專利文獻1 :日本專利特開2006-39390號公報 專利文獻2 :日本專利特開2〇〇6-1121〇號公 【發明内容】 、，雲於上述_，本發明之目的是提供—種生產性 的光電複合基㈣製造方法、_該料製造的光電複ς 基板、以及使㈣光電複合絲的光電複合基板模組。 本發明者們反覆進行努力研究，結果發現，藉由將薄 片狀接著劑與光波導她合，再將_帶接著劑的光波導 與電氣配線基板相互接著，並於該附帶光波導的電氣配線 基板的光波導中形成光路轉換鏡面，可解決上述問題。 即，本發明提供： ^ [1]一種光電複合基板的製造方法，該製造方法包括： 第1步驟’將光波導與薄片狀接著劑相貼合；第2步驟， =離該薄片狀接著劑的支持基材，製作附帶接著劑的光波 導；第3步驟，將該附帶接著劑的光波導與電氣配線基板 相互接著，以製作附帶光波導的電氣配線板；以及第4步 驟’於該附帶光波導的電氣配線基板的光波導中形成光路 轉換鏡面； [2] —種利用如上述[1]所述之製造方法製造的光電複 7 200848814 27925pif 合基板；以及 [3] —種使用如上述[2]所述之光電複合基板的光電複 合模組。 私夂 根據本發明，可以簡便地製造光電複合基板，並且所 獲得的光電複合基板可使光接收、光發送元件與光波導高 精度地接合，因而可獲得高的光耦合效率。 、门 ▲為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】

—本發明之光電複合基板的製造方法的特徵在於包括： 第1步驟’將光波導與薄片狀接著劑相貼合；第2步驟， 剝離該薄片狀接著躺支持基材，製作附帶接著劑的光波 導；第3倾，將職帶接著_級導與電氣配線基板 相互接著，以製作附帶光波導的電氣配線板；以及第4步 驟，於該附帶光波導的電氣配線基板的光波導巾形成光路 轉換鏡面。下面’參照圖i〜圖5來詳細說明各步驟。 本發明之製造方法的第！步驟，是將光波導10與薄片 狀接著劑20相貼合的步驟（參照圖} (a))。另外，此處 所謂，波導，只要可對光的傳輸、分路、反射、折射、^ 大、衰減等加以控制，則無特別限定，但通常是由高折射 率的芯部及覆蓋此芯部的低折射率的包層(dad)所構成。 本發明中，就可製造具有可撓性的可撓型光電複合基 板之觀點而言’適宜使用具有可撓性的聚合物光波導。 8

(/ 另外，對於基材的厚度，只要在可發揮作為上述支持 基材的功能的範圍内，則無特別限定，通常為10 〜 200 //m 左右。 200848814 27925pif 層二?二易從支持基材上剝離接著劑 笑材21卜二圖所不的涛片狀接著劑2〇，具有在支持 =): 黏著劑層22及接著劑層23的構成。如 G 所使用的支持基材21是用以貼附光 波¥ 10的支持基材，因此必須具備某種程度的強度 外’ ^後文的詳細說明，當藉由照射紫外線等放射線來 低黏著劑層22與接著劑層23間的界面密著力時，是從支 持基材21側’放射線，因此支持基材必須對所使用的放 射線具有透過性。就以上觀點而言，作為支持基材以，例 如可列舉：聚四氟乙烯（p〇lytetraflu〇rethylene)膜、聚對 苯二曱酸乙二酯（p〇lyethylene terephthalate)膜、聚乙烯 (polyethylene )膜、聚丙烯（p〇iypr〇pylene )膜、聚曱基 戊烯（polymethylpentene)膜、聚醯亞胺（p〇lyimide)膜 等的塑膠膜等，其中較好的是聚對苯二曱酸乙二酯膜等。' 另外’就薄片狀接者劑20的保存性之觀點而言，亦可 如圖2所示於接著劑層23上設置保護膜25。 其次，上述黏著劑層22是用以將支持基材與接著劑層 相接合的層，該黏著劑層22是由具有下述性質的材料所形 成，即，在將該黏著劑層5與光波導貼合後，藉由放射線 照射等方法來降低黏著力，從而使黏著劑層與接著劑層間 9 200848814 27925pif 的界面密著力下降的性質。 硬化性碳·料重結合的㈣__劑。馨具有放射線 ㈣〜1〇〇Λ= 則無特別限定，但通常為1 接著劑组成Ζ於著劑層23 ’對於構成該接著劑層的 授u、、且成物，只要是能夠 Ο 則無特別限定，但就接著性、耐；===成= 鬆他性、透明性、作業性等觀點而言，較好的汽、.應力 =脂、㈦環氧樹脂硬化劑、及㈦重量二=子； =於10萬的高分子化合物。作為此種薄片:1著:里 接著劑國際公開弟㈣_號小冊子中所記載的薄片狀 ο (a)環氧樹脂’只要能夠硬化而表現出接著作用，則 」寸別限制。可使用二官能基或二官能基以上，且分子量 較好的是小於5_、更好的是小於3000的環氧樹脂。例 使，.雙盼A型環氧翻旨或雙㉒F型環氧樹脂等的二 官，環氧樹脂’苯_盤清漆型環氧樹脂或曱紛祕清漆 型環氧樹脂等的酚醛清漆型環氧樹脂等。另外，亦可使用 多官能環氧樹脂或含雜環的環氧樹脂等。 此種環氧樹脂的市售品，例如可使用：Epik〇te 8〇7、

Epikote 815、Epikote 825、Epikote 827、Epikote 828、Epikote 834、Epikote 10(U、Epikote 10〇2、Epikote 10〇3、Epikote 1055、Epikote 1004、Epikote 1004AF、Epikote 1007、 10 200848814 27925pif

Epikote 1009、Epikote 1003F、Epikote 1004F (以上是由日 本環氧樹脂（Japan Epoxy Resins)股份有限公司製造，商 品名），DER-330、DER-301、DER-361、DER-661、 DER-662、DER-663U、DER-664、DER-664U、DER-667、 DER_642U、DER-672U、DER-673MF、DER-668、DER-669 (以上是由陶氏化學（Dow Chemical)公司製造，商品 名），YD8125、YDF8170 (以上是由東都化成股份有限公 司製造，商品名）等的雙酚A型環氧樹脂；YDF-2004 (東 都化成股份有限公司製造，商品名）等的雙酚F型環氧樹 脂；Epikote 152、Epikote 154 (以上是由日本環氧樹脂股 份有限公司製造，商品名），EPPN_201 (日本化藥股份有 限公司製造，商品名），DEN-438 (陶氏化學公司製造，商 品名）等的苯驗紛酸型環氧樹脂；Epikote 180S65 (曰本環 氧樹脂股份有限公司製造，商品名），Araldite ECN1273、 Araldite ECN1280、Araldite ECN1299 (以上是由汽巴精化 (Ciba Specialty Chemicals )公司製造，商品名）， YDCN-7(U、YDCN-702、YDCN-703、YDCN-704 (以上是 由東都化成股份有限公司製造，商品名），EOCN-102S、 EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1020、 EOCN-1025、EOCN-1027 (以上是由日本化藥股份有限公 司製造，商品名），ESCN-195X、ESCN-200L、ESCN-220 (以上是由住友化學工業股份有限公司製造，商品名）等 的曱酚酚醛型環氧樹脂；Epon 1031S、Epikote 1032H60、 Epikote 157S70 (以上是由曰本環氧樹脂股份有限公司製 11 200848814 27925pif 造，商品名），Araldite 0163 (汽巴精化公司製造，商品名）， Denacol EX-611 ^ Denacol EX-614 > Denacol EX-614B > Denacol EX-622、Denacol EX-512、Denacol EX-521、

Denacol EX-421、Denacol EX_411、Denacol EX-321 (以上 是由長瀨化成（Nagasechemtex)股份有限公司製造，商品

名），EPPN501H、EPPN502H (以上是由日本化藥股份有 限公司製造’商品名）等的多官能環氧樹脂；Epikote 604 (曰本環氧樹脂股份有限公司製造，商品名），¥11-434(東 都化成股份有限公司製造，商品名），TETRAD-X、 TETRAD_C(以上是由三菱瓦斯（Mitsubishi Gas Chemical) 化學股份有限公司製造，商品名），ELM-12〇 (住友化學工 業股份有限公司製造’商品名）等的胺型環氧樹脂；Aral dite 710 (汽巴精化公司製造’商品名）等的含雜環的環氧 樹脂；ERL4234、ERL4299、ERL彻、ERL42〇6 (以 Γ名)等的脂環族環氧樹脂等，這 二树月曰了使用—種，亦可併用兩種或兩種以上。 本發明中，就耐熱性之觀點 的環氧翻旨：在室溫下為固體 讀用如下 鳩、更好的是40 wt%以上 日整體中含有20

Si (;rrndball) 雙型環氧‘ =_狀_槐，峰輪t氧樹脂、 鳴旨、雙一型環氣 12 200848814 27925ριί 醚化物、萘二酚的二縮水甘油醚化物、酚類的二縮水甘油 醚化物、醇類的二縮水甘油醚化物、以及上述環氧樹脂的 烷基取代物、鹵化物、氫化物等。這些環氧樹脂，可單獨 使用，亦可併用兩種或兩種以上，其中亦可含有環氧樹脂 以外的成分作為雜質。 對於（b)硬化劑，若能夠使環氧樹脂硬化，則可不加 特別限定地使用。此種硬化劑，例如可列舉：多官能紛類、 胺類、咪唑化合物、酸酐、有機磷化合物、以及這些化合 物的_化物、聚醯胺（poly amide )、多硫化物（p〇ly sulfide )、 三氟化硼等。 多官能酚類的例子，可列舉··作為單環雙官能酚之對 苯二酚、間苯二酚、鄰苯二酚，作為多環雙官能酚的雙酚 A、雙盼F、雙紛S、萘二盼類、聯苯紛類、以及這些化合 物的i化物、烷基取代物等。另外，可列舉：作為這些酚 類與醛類的聚縮物之苯酚酚醛樹脂（phen〇lic n〇v〇lac resin)、可溶酚醛樹脂（res〇i)、雙酚a酚搭樹脂以及甲紛 盼醛樹脂（cresol novolac resin )等的酚樹脂等。市售的較 佳的多官能盼類，例如可列舉：Phenorite LF2882、Phenorite LF2822、Phenorite TD-2090、Phenorite TD-2149、Phenorite VH4150、Phenorite VH4170 (以上是由大日本油墨化學工 業（Dainippon Ink and Chemicals)股份有限公司製造，商 品名）等。 另外，本發明中可較好地使用羥基當量大於等於15〇 g/eq的酚樹脂。此種酚樹脂而言，只要具有上述值則無特 13 200848814 279々ρΐί 別限制，但就吸濕時的耐電蝕性優異方面而言，較好 使用酚醛清漆型或甲酚型樹脂。 、疋 這些硬化劑，可單獨使用，或者亦可組合使用。只 可使環氧基的硬化反應進行，則對這些硬化劑的調配^並 無特別限定，較好的是，相對於1 mol的環氧基，硬二= 的調配量為0·01當量〜5·〇當量的範圍，特別好的是 當量〜1.2當量的範圍。 (C)重量平均分子量大於等於10萬的高分子化合 物，例如可列舉：丙烯酸系共聚物、尤其是丙烯酸橡ς (acrylic rubber)等的橡膠；聚矽氧樹脂；聚矽氧改質^

醯胺酿亞胺等的聚石夕氧改質樹脂等。 、K (C)成分，較好的是具有反應性基（官能基），且重 量平均分子量大於等於10萬的化合物。反應性基，例如可 列舉··羧基、胺基、羥基及環氧基等。這些基中，若官能 基單體為羧酸型的丙烯酸，則交聯反應易於進行，會由於 清漆狀態下的凝膠化、Β階段（B-stage)狀態（半硬化狀 態）下的硬化度上升而導致接著力下降。因此，進而較好 的是使用不會發生上述情況的官能基單體，或者使用即使 發生上述情況亦可長時間具有環氧基之丙烯酸縮水甘油酯 或曱基丙烯酸縮水甘油酯。（c)成分，更好的是使用重量 平均分子篁大於等於10萬的含環氧基的丙烯酸系共聚 物。（C)成分亦可藉由下述方法獲得：在獲得高分子化合 物的聚合反應中’以殘留有未反應單體的方式進行聚合； 或者在獲得高分子化合物後，添加含反應性基的單體。 14 200848814 27925ριί 另外重里平均刀子1，是利用凝膠渗透 （ permeation chromatography ^ CPr λ /边巴口曰 /云、gei (polystyrene) 作為（C )成分之較佳態樣即 g 與丙烯腈二= 酸橡膠。另外，就接著性及· 較南方面而二車父好的是如下之丙烯酸系共聚物:含有〇 5

油酯、Tg大於等於-10°c並且重量平均分子量大於等於1〇 萬的丙烯酸系共聚物（以下，稱為「含環氧基的丙烯酸系 共聚物」）’例如可列舉· HTR-860P-3 (帝國化學產業股份 有限公司製造’商品名）。作為官能基單體使用之丙烯酸縮 水甘油S旨或曱基丙烯酸縮水甘油S旨的量，進而較好的是共 聚物的2 wt°/◦〜6 wt%。若丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙稀酸 縮水甘油酯的量大於等於2 wt%，則丙烯酸共聚物可獲得 wt%〜6 =的丙烯酸縮水甘制旨或甲基丙烯酸縮水甘油 醋作為B此基早體’玻璃轉移溫度（以下，簡稱為「D 大於等於-5(TC小於等於3(TC，更好的是大於等於魏小 於等於赃’並且重量平均分子量大於等於1()萬。含有 0.5 wt〇/〇〜6 wt%的_酸縮水甘油醋或曱基丙稀酸縮水甘 高接著力，若丙嫦酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯 的量小於等於6 wt%，則丙烯酸共聚物不會發生凝膠化， 因而較好。 剩餘部分，可使用丙烯酸甲酯、曱基丙烯酸甲酯等碳 數1〜8的具有烷基的丙烯酸烷基酯、曱基丙烯酸烷基酯、 15 200848814 2/y2^pit 與苯乙K丙騎料混合物。這些之巾’制好的是（甲 基）丙烯酸乙酯及/或（曱基）丙烯酸丁酯。 可根據共ΧΚ物的Tg來_整混合比例。若大於等於 -i〇°c ’則B階段狀態下的接著劑層的黏性不會變得過大'， 可維持良好的操作性。 對於聚合方法並無特別限制，例如可列舉：珠狀聚合 Ο =arl pGlymerizatiGn)、溶液聚合等，可利用這些方法獲 付共聚物。 …氧基的丙烯酸系共聚物的重量平均分子量，較好 勺疋30萬〜300萬，進而較好的是5〇 :分於3。萬，則上述接著劑組成二= 並Ξ得一充分的強度、以及充分的可撓性， 並且 i 平均分子量小於等於300 二=:组成物可獲得充分的流動性，配線的電 根據上述（C)南分子化合物的 旦 / (a)衣乳树脂與㈦硬化劑的合

:(:)環氧樹嶋相容性高分=二 日可，A與B的比例A/B較好 初的重里°又為B 等於〇·24，則上述接著劑組成物可卿〜=°气A/B大於 成形時的流動性抑制效果，另的彈性率以及 I。，則上述接著劑組成物在高溫下的摔於等於 構成本發明中所使用的_ 良f。 一層之接者劑組成物中， 16 o l 200848814 z /vz^pir 二 =2:明性的r_ ’視需要添加填料、硬 若接著劑層的厚5 = 2;較好的是5 _〜5。 f度，而且可獲得充分的應力^效^容句的 者劑層的厚度小於等於5〇 果另一方面，若接 變為足夠薄，使得光學 可使光電複合基板 層的厚度較好的是小於等之規點而言，接著劑 ，劑層的厚度，進而較好的是7二=述:點而言’ 是10 /zm〜20 #m。 更好的 —第1步驟中的薄片狀接著劑與光波導的齡

d;r止乳泡τ入之觀點而言’較好的是使用二二 社：（RollLaminator)或平板型貼合機的方法。 D 。輥貼合機的貼合溫度，較好的是設為室温⑵

IjOC的|&圍。若貼合溫度大於等於室溫（坑），則可 。，接著劑f與光波㈣密著性，若貼合溫度小於等於1〇〇 C，則接㈣層不會流動，可獲得所需㈣厚。就以上 ，而言’更好暇机〜财⑽翻。貼合壓力較好^ ? 0.2 =pa〜1.〇 MPa (! kgf/cm2〜1〇 kgf/cm2)，貼合速度 較好的是0.1 m/min〜3 m/min，㈣這些條件並無特別^ 制。 ”另外，所謂平板型貼合機，是指將積層材料夾在一對 平板之間，藉由對平板加壓而將積層材料壓接之貼合機， 17

200848814 27925ριί =’適宜使用真空加壓式貼合機。此處的加敎溫 的疋5〇°c〜10(rc ’麵壓力較好的是（U略叫 u k^m2〜1Gkgf/em2)，f_ 麵件縣朗限 fa ^發，之特徵在於使用薄片狀接著劑。藉由將 =為溥片狀，可確保接著劑厚度的精度，而且可^高^ 本發明之製造方法中，亦可於第j步驟後， 1(b)所示將光電路基板單片化的步驟。上述單片化，= 常是利用切割（dicing)等的切削加工、或打 、 等輔加工等來進行。以下的說 電路基板為例來說明。 、、本發明之製造方法的第2步驟，是將第丨步驟中與 波導相貼合的薄 >；狀接著劑的支持基材加以剝離的步驟 (茶照圖1 (c))。當使用如上述的於支持基材21上依序 具有黏著劑層22及接著劑層23的接著劑作為薄片狀接著 劑時，則使黏著劑層22與接著劑層23間的界面的密著力 下降，在此界面處剝離該支持基材21，以製作附帶接著劑 的光波導。作為其方法，有照射放射線、加熱硬化等方法， 但為了選擇性地僅使放射線硬化性黏著劑層發生硬化，通 常採用從支持基材側照射活性光線以使黏著劑層發生硬化 的方法。此處，較佳的活性光線的光源，例如可列舉：碳 弧燈（Carbon arc lamp)、水銀蒸汽弧光燈（Mercury vap〇r arc lamp)、超高壓水銀燈、高壓水銀燈、氙氣燈（Xen〇n lamp)等可有效放射出紫外線的公知之光源。 18 200848814 ^發明中，可使用如圖3所示的於支持基材21上具有 黏接著劑層24之薄片狀接著劑20’，來代替上述的於支持 基材上具有接著劑層而成之薄片狀接著劑、或者於支持基 材上依序具有黏著劑層及接著劑層而成之薄片狀接著劑。 ，處，所谓黏接著劑層，是指具有兼具上述黏接劑層與接 著劑層這兩種功能的性質之層。另外，如圖3所示，亦可 於黏接著劑層24上設置保護膜25。 Ο

(J 备使用黏接著劑層時，會使黏接著劑層與支持基材間 的界面密著力下降，並在此界面處剝離該支持基材。當^ =具有此黏接著劑層之薄片狀接著劑時，不必另外準 ::及黏著劑層’因而可使薄片狀接著劑的製作步驟變 劑二t述?ΐί劑層24中’構成該黏接著劑層的黏接著 物’右可錢上㈣造方法職特麻定，作就呈 =作為黏接者綱所必f的魏，並且接著性 =赌，、應力性、透明性、作 里、 二：ΓΪ量的=子，氧•⑻心 物、⑷二 =(大高分子化合 ^自由基㈣kal)的光起始劑。此種薄片狀接=== 5際二？子中所記载的‘接著劑。 醇三丙稀酸醋、二季戊四醇六 心如季戊四 9 一季戊四醇五丙 19 200848814 Z /^Zjpil 烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、異三 (isocyanuricacid)環氧乙燒（她 yleneoxideE^ 改= 丙烯酸酷、二(三Μ曱基吨)四丙__、季戊 2 稀酸醋的多官能丙烯酸酿等，這些光反應性單體可 用，或者亦可將兩種或兩種以上组 :獨使 後殘餘單體較少之觀點而言，特別2 _ 欠醋或二季戊四醇五丙歸 =丙 o o 化學公司製造的A_DPH(:季戊二_：=二有新中村 (乙氧基化異三聚氰酸三㈣日）、A-_ 平制量’相對於⑽重量份的㈦重量 重量：〜?萬的高分子化合物，較好的是5 旦产刀pm 里份。若U)成分的調配量大於等於5重 用的光反應性單體的聚合反應易： 從支持基二=!=，?=述黏接_ 等於10G重量份，财# Ή )成分的調配量小於 性，使得m…、使μ子量成分維持充分的低彈 的Μ ^且可獲縣分的韻性及高溫下 =;巧;二上述方面而言，⑷成分的調配量，： 〜50 份〜7〇重量份，特別好的是20重量份 稭由照射紫外線而產线與自由基的光起始劑 物稱為「光鹼發生劑」）通常被稱作α•胺基酮化合 丙W可使用：2-甲基-1_[4(曱基硫基)苯基]-2-嗎琳基小 ° /%巴精化公司製造「Irgacure 907」）、2-苄基-2-二曱 20 200848814

Z/^ZDpiI 基胺基-H4-嗎琳基苯基）-l-丁酮（汽巴精化公司製造 「Irgacure 369」）、六芳基二口米峻（Hexaaryibisimidazole ) 衍生物（鹵素、烷氧基、硝基、氰基等取代基亦可在苯基 上進行取代）、本幷異嚼嗤酮（]3enz〇is〇xaz〇l〇ne)衍生物 等。 ο

上述光鹼產生劑，較好的是分子量小於等於500的低 分子量化合物，另外，亦可使用向上述重量平均分子 里大於等於10萬的高分子化合物的主鏈及支鏈上導入上 匕合物而獲得之化合物。就作為黏接著劑的黏 接者性、流動性之觀點而言，此時的分子量（重 子量）較好的是_〜⑽_，更好的是5_〜3_: 劑中本斤使Λ?具有黏接著劑層而成之薄片狀接著 量為。.〗重量二量 生劑的使用 一.>重量份，則可獲;量 】於2。質量份，:聚:反=先充 ^ 進而車父好的是0.5重量份lc ^ 双座 好的是1重量份〜5重量份。 里知〜15重量份，更 接著 合劑等 進而，可在不損害透明性範 接著劑組成物中添加構成點 劑、偶 21 200848814

2 JjAU 黏接著劑層的厚度較好的是5 _〜5〇 _ 著劑層的厚度大於等於5 _，則易於塗佈成_^ • 度，而且可獲得充分的應力鬆弛效果。另—方面 : _ _層的厚度小於等於5G㈣，射使光電複合基板變 得足夠的薄，從而使光學元件與光波導的距離較近，因此 可減小光損失。進而，亦就確保透過率之觀點而言 著^層的厚度，較好的是小於等於5〇㈣。就這些觀點 c 而言，黏接著劑層的厚度，進而較好的是7 ·’、 m，更好的是10 _〜2〇 _ 25以 ^本發明之製造方法中的第3步驟，是將第2步驟 獲得的附帶接著劑的光波導接著於電氣配線基板上的 以照圖1⑷）。將附帶接著劑的光波導對準並貼合於带 氣配線基板上的規定位置，此附帶接著劑的光波導的貼^ 方法及貼合條件與第1步驟相同。 ° 圖1 (d)所示的例中’將第2步驟中獲得的附帶 〇 ，光轉位置群絲31上具有電氣配線32及視需要 ’设置有電/邑緣層33之電氣配線基板上，接著藉由加熱等方 ，使接著劑層硬化’而將魏配線基板與光波導相 考’以獲得附帶光波導的電氣配線基板4〇。 ' ^外，® 1的製造射’如上所述，揭示在剝離支持 ~ 土則，將光波導單片化成所需大小的例子（表昭圖i 、'(=)，但亦可在將光波導接著於電氣配線基板上後對 波$與電氣配線基板同時進行單片化的加工。 此處，為了製作具有可撓性的可撓型光電複合基板， 22 200848814 2/^pit 可使用可撓性印刷電路（Flexible Printed Circuit，FPC)基 板作為電氣配線基板（圖7 (a)中的3〇)。作為FPC基板 的基板材料（圖1 (d)中的31)，可使用聚醯亞胺、聚醯 月女、聚驗酸亞胺（p〇lyetherimide)、聚對苯二甲酸乙二酯、 液晶聚合物等，就耐熱性及獲得容易性之觀點而言，通常 使用聚醯亞胺。

Ο 其次，本發明之製造方法中的第4步驟，是在第3步 驟中所製作的附帶光波導的電氣配線基板的光波導中，形 成光路轉換用鏡面51的步驟（參照圖i (e))。形成鏡面 的方法，例如可列舉··利用切割等進行切削研磨、利用照 射雷射進行消磨（ablation)等方法。 本發明之特徵在於··如上所述，於接著光波導後形成 ，面。與此相反’即使藉由在上述光波導單片化的步驟（參 ^圖1⑻）+，以圖4所示之方式形成鏡面，再將此形 、鏡面的光波導接著於電氣配線基板的規定位置，亦可製 =同樣構造的光電複合基板，但在對接著舰行加熱硬 電氣配線基板 '光波導及接著劑隨著膨服、收 :::生二寸變化，從而導致鏡面位置自規定位置發生較 合，因㈣獲;料精度_ 層之^ 於支持基材上具有黏著_及接著劑 支持行了朗，但當使用於 、土材九、有黏接著劑層而成之薄片狀接著劑2〇’時，亦 23 200848814 採用同樣的步驟。具體而言，如圖5所示，除了在製作附 帶接著劑的光波導的第2步驟（參照圖5 (e))中衣在支 持基材與黏接著劑層的界面處進行剝離以外，其餘均與使 用於支持基材上具有黏著劑層及接著劑層而成之^ 4大 著劑的情況相同。 ' 如圖1 (f)及圖5 (f)所示，藉由本發明之製造方法 所製造的光電複合基板50，藉由安裝面發光雷射（laser) 或光電二極體（photodiode)等的光學元件61， 獲得光電複合獅60。 此種光電複合模組中，重要的是接著劑層或黏接劑層 的透光率，為了減少光損失，較好的是，於硬化後的透光 率大於等於80%。另外，就減少光損失之觀點而言，該透 光率進而較好的异女於笠於

-例如可使用日立高新技術（Hitachi >gies)股份有限公司製造的υ_3 3} 〇分光光度

High-Technologies 計來測定。 另外，當使用可撓型配線基板作為電氣配線板來紫作 光Ϊ複合基_，為了使光·合基板具有可撓性，必須 使薄片狀接著劑於硬化後具有柔軟性。若硬化後 ς 著劑的彈⑽小於等於· MPa，财表現出充分的可^ 性’—因而較好。誠齡而言，此·率進而較好 於等於600 MPa，更好的是小於等於500 MPa。 另方面，就作為接著劑的強度之方面而言，硬化後 24 200848814 27y2i)pit MPa，更 的薄片狀接著劑的彈性率，較好的是大於等於 好的，大於等於50Mpa。〕疋大於松 用薄所製造之光電複合基板’是以上述方式使 用溥片肤接者劑而製造。 於而a ’如圖1(e)及圖5(e)中的剖面圖所示， m 土上具有f氣配、線32以及4見需要言免置有電絕緣 曰 毛氣配線基板的基板31的一部分上，經由該接著 ο 附帶接著綱紐導，從而將魏配線與光配線加 其’當為如圖1 (e)及圖5 (e)所示的光透過 场時’為了降低光損失，重要的是基板31的透過 P夂二土 4即’較好的是，基板的透過率大於等於8〇%。就 之觀點而言，透光率進喻好較大於等於 可歹二.大於等於90%。此種電氣配線基板’例如 右 PP 二 i 有 Kapt0n (杜邦東麗（Du P〇nt-Toray)股份 有限公司製造）的FPC基板。 右使用透光率高的電氣配線基板，則不必於電氣配線 ΐ痛反^置Λ用以提高透光率的通孔（th_gh hGle)。藉此， • ^ ^工，無須將光波導芯部或電氣配線對準通孔 (allgnment)，因此可大幅簡化製作步驟。另外，視需 亦可於基板上成為光路的位置設置透光用通孔，例如，可 以利用鑽孔、打孔、濕式钱刻（wet etching )、乾式钱刻（d etchmg)等方法來加讀光用通孔。進*，為了整^ 率以及降低找合損失，亦可向此通孔中填充樹脂材料。 另外’圖1及圖5中，例示有將光波導接著於電氣配 25 200848814 2/^pn 線基板的單面上之例子，但亦可如圖6所示，於電氣配線 基板的兩面上具有光波導10。藉由形成此種構成，可增加 光電複合基板的光配線數，從而能夠增加光傳輸容量。另 外’因形成上下對稱的構造，故亦能夠抑制光電複合基板 發生赵曲。

另外’亦可如圖7 (a)所示，形成於光波導的兩側具 有接著劑層23，且於光波導的兩面具有電氣配線基板3〇 之構造。藉由形成此種構成，而形成上下對稱的構造，因 此亦能夠抑制光電複合基板產生翹曲、或提高光電複合基 板的財脊曲性。另外，就抑制翹曲或提高耐彎曲性之觀點 而言’並非必須於光波導的兩面上設置電氣配線基板，亦 可如圖7 (b)所示，將與電氣配線基板30具有同等物性 的物件例如電氣配線基板的基材或電絕緣層等設置於電氣 配線基板30的相反側，作為覆蓋膜7〇 (c〇vermin)。 ，而’亦可形成使光波導或光電複合基板多層化的結 構’藉由形成此種構成，能夠進_步增加信號傳輸容量。 [實施例] 以下’利用貫施例更具體地說明本發明，但本發明並 不受這些實施例的任何限定。 實施例1 (U)光波導之製作 [包覆層形成用樹脂膜的製作] 人制口聚乙烯瓶中秤量添加48重量份的作為⑷黏 ”來口物的苯氧樹脂（商品名：川， 26 200848814 z/yz^pii 東，成股，限公司製造）、49>6重量__ (Β)Α u , w辰無—裱乳羧酸酯（alicyclic diep〇xycarb〇xyiate)(商品名：KRM 2n〇，分子量攻 旭電化工業股份有限公司製造）、2重量份的作為光 聚合起始_六_酸三苯基觸鹽（咖㈣耐㈣· hexafluo蓮tim〇nate)(商品名：sp]7〇，旭電化工举股份 有限公司製造）、0.4重量份的作為敏化劑㈣·刚（商品 ο ί 名，旭電化卫業股份有限公.造）、4()重量份 機溶劑_二料甲虹_，使關械猜H、機械軸 (shaft)及螺旋槳，以溫度坑、轉速__的條件擾 拌6小時’調製包覆層形成用樹脂清漆a。隨後，使用孔 徑2 // m的聚四氟乙埽（p〇lyfl〇n )過濾哭品· PF020 ’ Advantec東洋股份有限公司製造）^溫度坑·、 壓力0.4 MPa的條件進行加壓過濾，然後使用真空果及鐘 罩（bell jar)，以減壓度50 mmHg的條件進行15分鐘減壓 脫泡。

使用塗佈機（Multi Coater TM-MC，HIRANO TECSEED股份有限公司製造），將上述所獲得的包覆層形 成用樹脂清漆A塗佈於聚醯胺膜（商品名：Mictr〇n，Taray 股伤有限公司製造，厚度：12 //m)的電暈處理面上，於 80 C下乾燥10分鐘，隨後於1〇〇。(^下乾燥1〇分鐘，接著 以使脫模面位於樹脂侧之方式貼附脫模聚對苯二曱酸乙二 酯（？£丁）膜（商品名：？11腦入31，帝人杜邦巾识11〇叩〇11〇 股份有限公司，厚度：25 //m)作為保護膜，獲得包覆層 27 200848814 2/^pit 形成用樹脂膜。此時，藉由調節塗佈機的間隙可任意調整 樹脂層的厚度，本實施例中，調節塗佈機的間隙，以使硬 _ 化後下部包覆層的膜厚達到25 ，上部包覆層的膜厚 * 達到 70 // m。 [芯層形成用樹脂膜之製作] 使用26重量份的苯氧樹脂（商品名·· ρΉΕΝ〇τ〇ΗΤ〇 YP-70,東都化成股份有限公司製造）作為（A)黏合劑聚 〇 合物，使用36重量份的9,9_雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯 基]苐（商品名：A-BPEF，新中村化學工業股份有限公司 製造）及36重量份的雙酚a型環氧丙烯酸酯（商品名： EA-102G，新中村化學工業股份有限公司製造）作為⑻ 光?κ合性化合物，使用1重量份的雙(2,4,6_三甲基苯甲醯 基)苯基膦氧化物（商品名：lrgacure819气精 造）、以及！重量份的H4-㈣基乙氧基)苯基^基= 甲基-1-丙酮（商品名：Irgacure 2959,汽巴精化公司製造） (、 作為（C)光聚合起始劑，使用40重量份的丙二醇單甲_ "6_旨作為有機溶劑，除此以外，以與上述製造例同樣的 =法及條件調製芯層形成用樹脂清漆B。隨後，以與上述 製造例同樣的方法及條件進行加壓過濾，紐進行減壓 - 泡。 - 卩與上述製造例同樣的方法，將上述所獲得的芯層形 ^樹脂清漆B塗佈於PET膜（商品名：C(>smc)shine ，東洋紡織股份有限公司製造，厚度：16㈣）的 非處理面上再加以乾燥，接著以使脫模面位於樹脂側之方 28 200848814 ΐΊνζ^ιι 式來貼附-種脫模PET膜（商品名：以奶A31，帝人杜 邦股份有限公司，厚度：25 _)作為倾膜，以 獲得芯 層形成用樹賴。本實施例中，調整塗佈機的_，以使 硬化後的膜厚達到50 //m。 [光波導之製作] 下面 參知圖8來說明光波導的製作方法。 將上述所獲知的下部包覆層形成用樹脂膜的保護膜即

巧模PE^f (Purex A31) _ ’使用紫外線曝光機 (ORC 製=伤有限公司製造，跡1172)，從樹脂側（基材 膜的相反側）以U/Cm2照射紫外線（波長為365 nm)，接 著於80C下進行1Q分鐘加熱處理，藉此 82 (參照圖 8 (a))。 ^ 然後，使用輥貼合機（a ί^ 士、 限公司製造，150。) ==，”lant股份有 J以壓力〇·4 MPa、溫度50T、 貼合速度〇·2 m/min的條件，膝μ、+、# a / 人於辞下邱勹舜s α 牛將上述心層形成用樹脂膜貼 S 。匕後θ上’接著，使用真空 ^，mvlp_5GQ) ^ ，，抽真空至小於等於50心後，以m = 度加壓時間3G秒的條件進行加熱 ;: 層83 (參照圖8 (b))。 〜又件心 然後，使用上述紫外線曝光機，介隔著寬 的負型（Negative)光罩，以％ w照射紫^線（、= 則(參照圖8(c))’接著於 光、= 行加熱。隨後，將作為支持膜的PET膜剝離，則 29 200848814 2792ί)ρΐί 二醇單甲趟乙酸酯/N，N_二甲基乙酸胺= 8/2，重量比）使 芯圖案顯影（參照圖8(d))。縣，用清洗液（異丙醇） • 加以清於靴下加熱乾燥1〇分鐘。 接著’以與上述同樣的貼合條件，貼合上述包覆層形 成用樹麵，作為上部包覆層。進而，向兩面照射共計25 J/cm2的紫外:線（波長365 _)後，於16〇它下進行1小時 加熱處理’藉此製作th形成有上部包制87且將基材膜配 〇 置於外侧的可撓型光波導（參照圖8 (e))。進而，為了將 «胺膜獅，以85t/85%的—條件來對該可撓型 光波導進行24 λ!、時處理，藉此製作出除去基材膜的可撓型 光波導（參照圖8 (f))。 另外’使用Metricon公司製造的稜鏡耦合儀（prism coupler) (Model 2010)來測定芯層及包覆層的折射率，結 果於波長830 rnn處芯層的折射率為1584，包覆層的折射 率為1.550。另外，使用波長85〇nm的面發光雷射（（EXF〇 公司製造，FLS-300_01-VCL)作為光源，使用Advantest 股份有限公司製造的Q82214作為受光感測器，利用回截 法（Cut back method )(測定波導長度丨 〇 cm、5 cm、3 cm、 2 cm ’ 入射光纖· GI-50/125 多模光纖（multimode fiber) (ΝΑ=0·20);射出光纖：SI_114/125 (ΝΑ = 0·22))，來測 • 定所製作的光波導的傳輸損失，結果此光波導的傳輸損失 為 0.05 dB/cm。 (1-2)薄片狀接著劑的製作 秤取100重量份的HTR-860P-3(帝國化學產業股份有 30 200848814 27925ριί 限公司製造，商品名，含縮水甘油基的丙烯酸橡膠，分子 量為100萬，Tg為-7°c )、5.4重量份的YDCN-703 (東都 化成版伤有限公司衣商品名，鄰甲盼盼搭型環氧樹脂， ' 環氧當量為210)、16·2重量份的YDCN_8170C (東都化成 股份有限公司製造，商品名，雙酚F型環氧樹脂，環氧當 量為157)、15.3重量份的Plyophen LF2882 (大日本油墨 化學工業股份有限公司製造，商品名，雙酚A酚醛樹脂）、 0·1重量份的NUCA-189(日本Unicar股份有限公司製造， 商品名，毓基丙基三甲氧基矽烧）、〇·3重量份的 NUCA-1160 (日本Unicar股份有限公司製造，商品名，7 -脲基丙基二乙氧基石夕烧，7 -ureido propyltriethoxysilane)、30 重量份的 A_DPH (新中村化學 工業股份有限公司製造，商品名，二季戊四醇六丙烯酸 酯）、1.5重量份的lrgacure 369 (汽巴精化公司製造，商品 名，2-节基冬二曱基胺基小…嗎啉基苯基)小丁酮： 1_369)、及環己酮（CyCi〇hexan〇ne)，授拌混合，進行真空 脫氣。將此接著劑清漆塗佈於厚度75 //m的表面經脫模 ，，的聚對苯二甲酸乙二酯（帝人股份有限公司製造，帝 斗寸月I膜（Teijm Tetoron Flim) : A-：31)上，於 80°C 下加熱 ^ 乾秌30刀名里，獲知黏接著片。將厚度80 //m的透光性支 • 持基=(Thermo股份有限公司製造，低密度聚對苯二甲酸 乙一S曰/乙酸乙酯/低密度聚對苯二曱酸乙二酯三層膜： FHF-10(〇、一併貼合於此黏接著片上，藉此製作由保護膜 (表面匕脫拉處理的聚對苯二曱酸乙二酯）、黏接著劑層、 31 200848814 狀接著劑。將黏接著劑層 及透光性支持基材所構成的薄片 的厚度設為10 am。 黏接;將:上述方式所製作的薄片狀接著劑的 制、告的小％，使用日立高新技術股份有限公司 層的透:率:Γ見光分光光度計來測定上述黏接 片曰、率、、、口果於波長850 nm處此黏接著劑層且 有大於等於95%的高透過率。 按者4層

另外，使用Metricon公司製造的稜鏡叙合器（M〇dd 2010)來測定上述黏接劑層的折射率，結果於波長請· 處此黏接著劑層的折射率為1.5〇5。 另外，使用Rheometrics公司製造的動態黏彈性測定 裝置Solids Analyzer RSAII，測定上述黏接著劑層的儲存 彈性率（樣品尺寸：長度35 mm，寬度5 mm，厚度80 // m，升溫速度5 C/min，頻率1〇 Hz)，結果於25°C下上述 黏接劑層的儲存彈性率為350 MPa。 (光電複合基板的製造） 使用幸昆貝占合機（日立化成Techno-plant股份有限公司 製造’ HLM-1500) ’以壓力〇·4 Mpa、溫度5〇。〇、貼合速 度0.2 m/min的條件，將已剝離保護膜的薄片狀接著劑2〇， 貼合於可撓型光波導10上（參照圖5 (a))。接著，使用 切割録（Dicing Saw )( Disco股份有限公司製造， DAD-341)將波導加工成短長條狀（長度47.5 mm，寬度 2 mm)(參照圖5 (b))，從支持基材侧以250 mJ/cm2照射 紫外線（ 365 nm)，使黏接著劑層與支持基材間的界面的 32 200848814 27925ρίί 密著力下降，剝離支持基材，以獲得附帶接著劑層的光波 導（參照圖5 (c))。 接著，利用紫外線曝光機（大日本Screen股份有限公 ' 司製造，MAIM200_L)所隨帶的光罩對準（MaskAligner) 機構來進行定位，使用上述的輥貼合機，以壓力〇.4Mpa、 溫度80 C、貼合速度〇·2 m/min的條件，將附帶接著劑層 的光波導暫時壓接於具有光學元件搭載用電氣配線的可撓 〇 型電氣配線基板30(長度48 mm、寬度4 mm;基材：Kapton ΕΝ、25 //m;銅電路厚度：12以㈤）上的特定位置處， 然後在潔淨烘箱（Clean 〇ven)中於160°c下加熱1小時， 使"T挽型光波^ 10與電氣配線基板3〇相互接著，以獲得 附帶光波導的電氣配線基板4〇 (參照圖5 (d))。 此處，使用日立高新技術股份有限公司製造的U-331〇 分光光度計，測定可撓電氣配線板3〇的基材即Kapt〇riEN 的透光率，結果於波長850 nm處Kapton ΕΝ的透光率為 ^ 85%。光透過電氣配線板時的光損失小於i dB，是低損失， U 本實施例中採用不設置透光用通孔的構造。 接著’使用切割鋸（Disco股份有限公司製造， DAD-341)，於規定位置處形成光路轉換用的45度鏡面 _ 51，^作可撓型光電複合基板50 (參照圖5 (e))。此處， ^ 將兩立而的鏡面間的距離設為46 mm。本實施例中，相對於 鏡面位置對準標記，鏡面位置偏移量（參照圖9)在5 “ m以内’鏡面能夠高精度地定位。 [光電複合基板的評價] 33 200848814 27925pit (光損失評價） 藉由以下方法來測定上述所製作的光電複合基板5〇 的光損失，並评彳貝（1 )可撓型光波導的光損失、（2)鏡面 損失、（3)由於複合化所造成的過剩損失。進而，將上述 (1)〜（3)相加，求出整體損失。另外，光損失測定中， 使用850腿的面發光雷射（（EXF〇公司製造， FLS-300-01-VCL)作為光源，使用八扣肪化沆股份有限公 司製造的Q82214作為受光感測器，使用GI_5〇/125多模光 纖（ΝΑ=0·20)作為入射光纖，使用GI_62 5/125多模光 纖（NA= 0.20)作為射出光纖。 (1) 可撓型光波導的光損失 、將可撓型光波導切割成與光電複合基板的鏡面間距相 等的46 mm的波導長度，並90。切割光波導長度方向兩 端。用圖10 (a)所示的方法來評價此光波導的光損失（插 入損失）。即，測定光從垂直空腔表面發光雷射（vertical cavity surface emitting laser，VCSEL)射出，通過 GI_5〇/125 多模光纖91射入可撓型光波導10中，再通過gi_62 5/i25 多模光纖92，用光檢測器（ph〇t〇 detector，PD)測定受光 時的光損失。結果，該光波導的光損失（插入損失）& dB。 · (2) 鏡面損失 以波導長成為46 mm之方式於光波導的一端形成45。 的光路轉換鏡面51，利用圖)所示的構成來測定 入射損失，利用圖1〇(|>Π )所示的構成來測定射出損失。 34 200848814 結果，入射損失為0·9 dB，射出損失 減去上述⑴的光波導的光損失而求出# dB。若將此值 出鏡面入射損失為0.6dB，鏡面射^面損失，則計算 (3)複合化損失 、失為〇.7dB。 ο

準備如圖10 (cq )及圖1〇 (c 電複合配線板50的—個鏡面垂直切落、斤不將可撓型光 mm的樣品，败光電複合基板的光損成=導波長度46 I )所示的入射損失及圖10 (c_n)所失。'、、。果’圖10(c-2.0犯。若將此值減去上述出損失均為 損失而求出由於複合化所造成的過剩損失：二= 側的過剩損失為U dB，射出侧的過_失&十^。 若將上述⑵的鏡面損失與上述（3)的由於複八化 所造絲過_失相加，取義綠合損失及射出二光 耦合損失均為1.7 dB。另外，藉由將上述至（3)的 光損失相加，即，將光波導損失〇·3 dB、鏡面入射損失〇·6 dB、鏡面射出損失〇·7 dB、入射侧複合損失Li dB及射出 側衩合損失LO dB相加，藉此算出光電複合基板的整體損 失，則整體損失為3.7dB，可謂是非常低的損失值。 (光信號傳輸評估） 如圖11所示，於上述所製作的光電複合基板5〇上， 安裝 4ch-VCSEL 陣列 93 ( AVALON 製造，

AP-A41-0104-0000)以及 4ch-PD 陣列 94 (Albis 製造， PDCA04_65)(光學元件61)(參照圖5 (f))，使用脈衝波 形發生器（Pulse pattern generator)( Anritsu 製造，MP 35 200848814 1758A)以及示波器（oscilloscope) (Hewlett Packard 製 造，HP83480A)，進行光信號傳輸評價。具體而言，以w ‘ Gbps的速度來驅動VCSEL (面射型雷射，vertical cavity • surface emitting laser )，觀測PD中的接收信號波形（（眼圖 eye pattern))。獲得如圖12所示的觀測結果，可確認該光 電複合基板能夠傳輸光信號。 另外，以1.5 mm的曲率半徑，將此搭載有光學元件 P 的可撓型光電複合基板（光電複合模組60)彎曲360。，以 同樣方式進行光信號傳輸評價，結果觀測到如圖13所示的 眼圖，可確認此可撓型光電複合基板能夠傳輸1〇 Gbps的 光信號。 比較例1 除了於實施例1中的光波導單片化的步驟（參照圖5 (b))中於光波導兩端形成45度鏡面（參照圖4)，再將 此光波導接著於可撓型配線基板上以外，其餘以與實施例 1同樣之方式來製造光電複合基板。本比較例中，相對於 1/ 鏡面位置對準標記而言，鏡面位置偏移量（參照圖9)大 於等於50 /zm，接著劑硬化後的鏡面位置偏移較大。 [產業上之可利用性] - 根據本發明，可簡便地製造光電複合基板，並且所庐 得的光電複合基板可將光接收、光發送元件與光波導高^ 度地耦合，可獲得高的光耦合效率。因此，當於電子 間或配線基板間的高速、高密度信號傳輸時，利用光=將 笔子元件間或配線基板間加以連接之技術，即所謂光互連 36 200848814 //yz3pn 時，可簡便且高精度地進行電氣配線與光配線的複合化。 雖然本發明已以較佳實㊈例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範園内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之=續 範園當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 武簡單說明】 圖1 (a)〜圖！⑺是表示本發明之光電複合基板的 製造方法的―例的示意圖。圖1中，（a)〜⑴是說明u) η 一薄片狀接著劑、⑴光波導單片化、（〇剝離支持基 讨、（d)接著於電路基板上、（e)形成光路轉換鏡面、（f) 安來光學元件的各步驟的圖；圖i (a)〜圖工⑷及圖i (f)的各左圖為寬度方向剖面圖’圖i⑷〜圖i⑷ 及圖1⑺的各右圖、以及圖1 (e)為長度方向側視圖。 圖2是表不本發明中所使用的薄片狀接著劑的一例的 ¢1。 _ 圖3是表示本發明中所使用的薄片狀接著劑的另一例 的_。 一 L » 4是表示在歧導單片化步驟切成鏡面的情形的 圖。 θ ®…）〜圖5⑺是表示本㈣之光電複合基板的 -_方法的另—例的概純。圖5中，（a)〜⑴是說明 . 貼合薄片狀接著劑、（b)光波導單片化、（c)剝離支 搏基村、（d)接著於電路基板上、（e)形成光路轉換鏡面、 (f)安裝光學兀件的各步驟的圖；圖5 (a)〜⑷及圖 37 200848814 2/^pit 5 (f)的各左圖為寬度方向剖面圖，圖5 (a)〜圖5 (d) 及圖:〇胃的各右圖、以及圖5 (㈠為長度方向的侧視圖。 圖6是表示本發明之光電複合基板的另一例的圖。 圖7 (a)、圖7 (b)是表示本發明之光電複合基板的 另一例的圖。 8 (a)〜圖8 (f)是說明本發明中所使用的光波導 费衣&方法的圖。@ 8中U)〜（f)是說明（a)下部包

Ο 设2硬化、（b)貼合芯層形成用樹脂膜、（C)曝光、（d) 頌衫、（e)上部包覆層貼合及硬化、（f)剝離基材膜的各 步驟的圖。 图9疋5兒明光電複合基板的鏡面位置偏移量的圖。 圖 10 (a)、圖 10 (b-I )、圖 1〇 (]>π )、圖 1〇 (c> I)、圖10 (c-n)是說明光電複合基板之光損失評價方 法的圖。圖10 (a)是說明可撓型光波導的光損失之評價 方法的圖；圖10 (1>1 )與圖1G (b_n)分別說明光波^ 的鏡面損失的入射損失及射出損失之評價方法的圖；圖1〇 (心1 )與圖10 (c_n)分別說明光電複合基板的複合損 失的入射損失及射出損失之評價方法的圖。 ° ^ 圖 圖11是說明光電複合基板的光信號傳輸評價方法白勺 圖12是光電複合基板進行10 Gbps傳輪時的眼圖觀、、則 、会吉° 圖13是以1.5 mm的曲率半徑將光電複合基板彎曲 360的狀態下，光電複合基板進行1〇 Gbps的傳輪時的吧 38 200848814 z /yz^pii 圖觀測結果。 【主要元件符號說明】 10 :光波導 11、86 :芯圖案 12 :包覆層 20、20’ ：薄片狀接著劑 21 :支持基材 22 :黏著劑層 23 :接著劑層 24 :黏接著劑層 25 :保護膜 30 :電氣配線基板 31 :基板 32 :電氣配線 32’ ：光學元件搭載用電氣配線 33 電絕緣層 〇 40 附帶光波導的電氣配線板 50 光電複合基板 51 光路轉換鏡面 5Γ :光路轉換鏡面（傾斜面） 60 :光電複合模組 61 :光學元件（面發光雷射或光二極體） 62 :鏡面位置對準標記（由電氣配線形成） 63 :鏡面位置對準中心線 39 200848814 64:光路轉換鏡面中心線 65 :鏡面位置偏移量 70 :覆蓋膜 81、88 :包覆層用基材膜 82 :下部包覆層 83 :芯層 84 ·芯層用基材版 85 :光罩 87 :上部包覆層 91 :入射光纖（GI-50/125多模光纖） 92 :射出光纖（GI-62.5/125多模光纖） 93 : 4ch-VCSEL 陣列 94 : 4ch_PD 陣列

95 ： VCSEL

96 ： PD 97 :脈衝圖案發生器 98 :示波器 40

Claims (1)

1. 200848814 十、申請專利範圍： 1·一種光電複合基板的製造方法，此製造方法包括： ' 第1步驟，將光波導與薄片狀接著劑相貼合；第2步驟’ ' 剝離該薄片狀接著劑的支持基材，製作附帶接著劑的光波 導，第3步驟，將此附帶接著劑的光波導與電氣配線基板 相互接著，以製作附帶光波導的電氣配線板；以及第4步 驟’於此附帶光波導的電氣配線基板的光波導中形成光路 C 轉換鏡面。 2·—種光電複合基板，該光電複合基板是使用如申請 專利範圍第1項所述之製造方法來製造。 3·—種光電複合模組，此光電複合模組使用如申請專 利範圍第2項所述之光電複合基板。 1； 41