TW200832401A - Direct writing method on magnetic memory cell and magetic memory cell structure - Google Patents
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Description
200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種磁性記憶胞的技術，且特別是有 - 關於一種磁性記憶胞的寫入方法與結構。 & 【先前技術】、 磁性記憶體，例如磁性隨機存取記憶體(Magnetic
Random Access Memory，MRAM)也是一種非捏菸性印愔 # H，有非揮發性、高密集度、高讀寫速度線^ 點。其是利用相鄰穿遂絕緣層的磁性物質的磁化向量，由 於平行或反平行的排列所產生磁阻的大小來記錄〇或1的 資料。寫入資料時，一般所使用的方法為兩條電流線，例 如位元線(Bit Line，BL)及寫入字元線(Write Word Line， WWL)感應磁場所交集選擇到的磁性記憶體的記憶胞。同 時It由改變自由層磁化向量(Magnetization)方向，來更改其 磁電阻值。而在讀取記憶資料時，讓選擇到的磁性記憶胞 單元流入電流，從讀取的電阻值可以判定記憶資料之數位 • 值。 — 圖1繪示一磁性記憶胞的基本結構。參閱圖1，要存 < 取一磁性記憶胞，也是需要交叉且通入適當電流的電流線 100、102，其依照操作的方式，又例如稱為寫入字元線與 位元線。當二導線通入電流後會產生二個方向的磁場，以 得到所要的磁場大小與方向，以施加在磁性記憶胞104 上。磁性記憶胞104是疊層結構，包括一磁性固定層 (magnetic pinned layer)在一預定方向具有固定的磁化向量 (magnetization)，或是總磁距(total magnetic moment)。利用 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 磁阻的大小，來讀取資斜。7 益 π、，Μ , ^ 科又猎由輪出電極106、108, 可以遺出此记憶胞所存的資料。關 節’是-般熟此技藝者可以了解，不崎作細 圖2繪不磁性記憶體的記憶機制。
V
層馳有固定的磁距方向107。磁性自 ，= =刚a上方，其中間由一絕緣層難戶斤^ 性自由層104c有-磁距方向驗或是驅。由於磁距方 向上07與磁距方向1〇8a平行，其產生的磁阻例如代表“〇,， 的貝料’反之磁距方向107與磁距方向1〇8b反平行，其產 生的磁阻例如代表“1”的資料。 一般，如圖2的單層的自由層.104c，會有存取錯誤的 I能。針對上述等_，為了降低鄰近細齡在寫入資料 時的干擾情形，傳統技術的改進方式是將自由層以鐵磁 (FM)/非磁性金屬（M)/鐵磁(FM)三層結構取代單層鐵磁材 料，而構成一磁性自由疊層166，其結構如圖3所示。在 非磁性金屬層152上下的兩層是鐵磁性金屬層15〇、I%， 以反平行排列，形成封閉的磁力線。在下面的磁性固定疊 層168 ’藉由一穿隧絕緣層(加barrier layer, 丁)156，與 磁性自由疊層166隔開。磁性固定疊層168包括一上固定 層(top pinned layer，TP) 158、一非磁性金屬層 160、以及 一下固定層(bottom pinned layei，BP) 162。在上固定層與 下固定層有固定的磁化向量。另外還有一基層164在底 部’例如是反鐵磁層。 針對三層結構的磁性自由疊層166，把位元線BL與 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 寫入字元線WWL相對自由疊層的磁場異向軸 (magnetic anisotropic axis)，使有45度的夾角，其磁場異 向轴方向就是所謂的易軸(eaSy axis)方向。如此，位元線 BL與寫入字元線WWL可分別對自由疊層166，依照一先 後關係’施加與易軸夾角為.45度的磁場，以旋轉自由疊層 166的磁化向量。記憶胞所儲存的資料是由鐵磁性金屬層 154與上固定層158的二個磁化向量的方向來決定。
另外，除了將自由層改變為三層結構外，傳統技術還 提出以拴扣模式(toggle m〇de)的操作模式來旋轉自由層的 磁化向量。圖4繪示外加磁場對三層結構的效應。參閱圖 4，粗箭頭^表外加磁場，其長度代表大小。二個細箭頭代 表在自由豐層的上下鐵磁層的二個磁化向量方向。當外加 磁場太小時，二個磁化向量的方向不改變。#外加磁場大 ::個=度時’二個磁化向量會有一張角。當外加磁場過 大則-個磁化向量會沿著外加磁場的 的操作是屬於上述的第三種情形。 检扣祕 圖5繪示拴扣模式的外加磁場時 ，代表與易軸方向隔45度的二個外加磁場二= 有外加磁場，因此二個磁化向量都方=階段’+沒 氏與Η:的磁場隨著圖示的時序啟動 ^ 。接著， (ti〜t3)的總磁場，而轉動二個磁化向量的方同衧間階段 t4時，停止施加磁場，而二個磁化向 =在時間階段 這就是說，記憶胞所儲存的資料被寫入而^皮翻轉-次。' 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t ^另外’在拴扣模式的操作條件下，其寫入電流仍偏 咼，因此傳統技術也提出加入磁場偏壓的設計。圖6繪示 減小刼作電流的傳統技術示意圖。參閱圖6，記憶胞的基 本結構仍與圖3類似，如左圖所示，其主要不同的是將下 固定層162的總磁矩，相對於上固定層ι58的總磁矩增加， 例如增加厚度。由於下固定層162與上固定層158的總磁 矩不平衡會產生一外漏磁場衡n群腿即⑷c如U)，會對 自由疊層166產生一磁場偏壓(biasflled)184，可以將第一 +象限的拴扣操作區域往磁場零點移動，其結果縮小成—距 ，186。因此，由於要求的寫入磁場小，其要產生磁場的 寫入操作電流就可以減少。 就上述傳統的操作方式，對要將一資料寫入對應的磁 性記憶胞的齡i已有—些改進，但是操作方式仍需要在、 階段先讀取磁性記憶胞的目前_存㈣，如果儲存資 與要寫入的資料不同時，才進行寫人。在這種傳統的寫入 j中:由於需要先讀取資料，而讀取資料的速度相對而 吕是比較慢，因此寫入操作的速度也慢。如何 作的速度仍是研發的課題。 ”、木 【發明内容】 本發明提供磁性記憶胞的直接寫入方法，在不必 ==隐胞的内容的情況下’可以直接將資料寫入到： 本發明提ih-翻性記憶朗直接g人方法 憶胞包括一磁性自由疊層，有一下鐵磁層以及—上鐵^ 200832401 P51950117TW 2l918twf.doc/t 層。下鐵磁層與上鐵磁層都有實質上相同方向的雙方向易 ^。本方法包括施加-第_磁場在該雙方向易軸的方向 卜行寫人操作。當要儲存狀ϋ時，施加 ΓΓ二取ί第：!:第二磁場在雙方向易軸的第- 施加第三，寫入操作要寫入第二儲存狀態時 第-、真-曰3 弟—磁場。第三磁場在雙方向易輛的 弟一 ^，且央有弟二角度。 鎧磁ί照本發縣實麵所叙·人方法，又例如該下 鐵磁層以及一上鐵磁層的 雙方向易财-夾角。 -有早方向易軸，與 適用二二本發明提出另—種磁性記憶胞的直接寫入方法， 工，Γ磁性記憶胞，翻性記憶胞包括—磁性自由 =且該磁性自由疊層是由-下鐵磁層、一非磁性 磁“二:士=層疊合所成，該下鐵磁層與該上鐵 且Γ4方向易轴，其中藉由接近垂直 磁知，以相加產生-操作磁場。弟一 所述方法包括當該操作磁場 時進行··施加該第一磁場，該第入:弟-儲存狀態 ，有-第-寬度的—第一脈衝二;準:波 第二磁場，該第二磁場是：丄貝貝上同時施加該 寬度的-第二脈衝，其;該㈡準位波开ί，有-第二 該第一脈衝與該第二脈衝有實於该弟一寬度，且 二脈衝結束後則該操作磁場回 200832401 P51950117TW 2l918twf.doc/t 當该操作磁場是要寫入一第_健在 、_ 該第一磁場， 弟一储存狀恶％進仃施力〇 -：J V弟一磁場是一第三磁場準位波形，有-第 =1:弟三脈衝。又、實質上同時施加該第二磁場’ 四脈衝，其中㈣一 ：Ti ll四寬度的一第 盥命裳二/〜—一見又大於該第四見度，且該第三脈衝 後則衝有貝質上相同的磁場強度，於第三脈衝結束 後則該#作磁場回到該磁場低準位。 =照本發_實施綱述之另—接寫人方法，又例如 h下，裁磁層以及一上鐵磁層的至少 轴，與雙方向祕有—夾角。 /、有早方向易 本發明提出，磁性記憶胞結構，包括:一磁性 A “、一穿隨能障層、-磁性自由疊層、以及—第二 ^ °穿隧能障層，位於該磁性固定疊層之上。磁性自由聂 f ’位於該㈣能障層之上方，其中該磁性自由疊層包二 一下鐵磁層：及-上鐵磁層’分別具有實質上柏同白 :一雙 :向J軸。第-反鐵磁層’相鄰於該下鐵磁層輿該上鐵： g之/、一，稱為一第一相鄰鐵磁層，其中該第— 的偶排列線與該雙方向易軸之間有一第一爽角：心 生一第一單方向易軸在該第一相鄰鐵磁層上。 广為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細f、、 明如下。 '' 【實施方式】 本發明提出磁性記憶胞的直接寫入方法，在不必先讀 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 取磁性記憶胞的内容的情況下，可以直接將資料寫入到磁 性記憶胞。 ‘本發明也配合提出磁性記憶胞的結構。記憶胞結構中 ， 的磁性自由疊層例如包括一下鐵磁層以及一上鐵磁層，分 - 別具有實質上相同的雙方向易軸。第一反鐵磁層，相鄰於 該下鐵磁層與該土鐵磁層之其一，稱為一第一相鄰鐵磁 層，其中談第一反鐵磁層的一磁偶排列線與該雙方向易車由 _ 之間有一第一夾角，以產生一第一單方向易軸在該第一相 鄰鐵磁層上0 又，結構更可例如包括一第 •鐵磁層與該上鐵磁層之另其一，.稱為一第二相鄰鐵磁層， 其中該第二反鐵磁層的一磁偶排列線與該雙方向易軸之$ 有-第二夾角’以產生—第二單方向易軸在該第二相鄰鑛 磁層上’且在該第-單方㈣軸與該第二單方向易至 向性強度不同。 广 以下舉一些實施例做為說明，作 • 舉實施例。 <一疋本發明不受限射 .t圖^示依據本發明實施例，第―狀態的磁場寫μ - 开广爹閱圖7，在t〇時段’磁場Η〗與η沾士丨达二 就是沒有外加磁場的初始狀態。又例2 [ :、、、令，也 向量携，下鐵磁層有磁化向量..172例22磁層有磁化 上，但是反平行排列。在ti時段，磁a上是在易軸 較佳的情形例如是磁場Hl與H2的強声_啟動， 磁場合向量ma是在易軸上。此時，=貝上相等，因此 、一個磁化向量170、 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 172與磁場合向量174a達到平衡狀態。接著在^時段時， 磁場H2是關閉，其也就是僅施加磁場，即是磁場174b。 於此時段，二個磁化向量uo、、172相對磁場174b而反 時針偏轉。於t3時段，磁場Ηι接著關閉，也就是說沒有 外加磁場。因此，二個磁化向量[70、172會落在一穩定狀 態，其例如就是第一狀態，又例如是代表“〇，，。此第一狀態 在此貝加例就是磁化向量17〇在易轴的正方向。
反之，若要寫入第二狀態，則寫入的磁場波形會有一 些變化。圖8繪示依據本發明實施例，第二狀態的磁場寫 入波形。參閱圖8,其t〇時段與^時段與圖7的狀況一樣， ，而於A時段時:，則磁場:Hl是關閉，其也就是僅施加磁 場3¾，即是磁場i74c。二個磁化向量170、172相對磁場 174C而順時針偏轉。在4時段，由於磁化向量170較靠近 易軸2負方向，而磁化向量172較靠近易軸的正方向。因 此，當沒有外加磁場時，磁化向量17〇、172的方向會與圖 7的h =段的磁化、向量17〇、172的方向相反。這也就是說 磁化向量170在易軸的負方向時，例如稱為第二狀態。因 此’依照圖8的磁場波形，可以寫入所要的第二狀態，盆 ^如是“1，，。當然可瞭解地，第-狀態與第二狀態僅是用來 :不可！分的不同狀態，而第一狀態與第二狀態的實際内 ^不觉限於實施例。例如，前述的第—狀態也可以稱為 弟一狀態，而所描述第二狀態則稱為第一狀態。 作波形，一般而言是可以如預期寫入第一 ^疋弟二狀態。然而，由於在㈣段的初始狀態，不 12 200832401 21918twf.d〇c/t 疋疋如緣示的狀態，或是磁化向量170、172在初始狀態 時都已有偏離易軸，這會造成ti時段的狀態不能確定，也 因此可能造成寫入錯誤。以下舉一實例，如圖9所示。參 閱圖9 ’假設在t〇時段的初始狀態，其磁化向量ι7〇是朝 向易軸的負方向。當在tl時段，雖然外加磁場174a是在易 軸正方向，磁化向量170、172的平衡狀態可能是磁化向量 172較偏向Hz的方向。如果例如以圖7的磁場波形要寫入 弟狀悲’但結果是寫入第二狀態，造成錯誤。 於是本發明再配合磁性記憶胞的結構設計，可以確保 ti時段的狀態的穩定。也就是說，不管初始狀態是何種狀 態，皆可·以確保在tl時段的相同狀態'，因此也確保磁化向; 量170、172後續能如預期方向偏轉。圖10繪示依據本發 明實施例，磁性記憶胞的結構示意圖。 參閱圖10 ’本發明提出的磁性記憶胞結構實施例，例 如可以包括一磁性固定疊層19〇、一穿隧能障層192、一磁 性自由疊層200、以及一反鐵磁層212。穿隧能障層192 是位於磁性固定疊層190之上。.磁性自由疊層200位於該 穿隧能障層192之上方，其中磁性自由疊層200例如包括 一下鐵磁層194---金屬層196、以及一上鐵磁層198。鐵 磁層194、198分別具有實質上相同的一雙方向易軸202、 204。依照本實施例，反鐵磁層208是相鄰於上鐵磁層198。 但是一般而言，反鐵磁層208可以相鄰於下鐵磁層或是上 鐵磁層。又更可以有二個反鐵磁層208，分別相鄰於下鐵 磁層194與上鐵磁層198。又，反鐵磁層208可以例如與 13 200832401 toiwui i /TW 21918twf.doc/t 一金屬層206構成一疊層212。 這裡要注意的是，反鐵磁層208的一易轴方向210與 雙方向易軸204之間有一夾角，以產生單方向易軸在相鄰 的鐵磁層198上。換句話說，鐵磁層198磁化向量，在心 時段會傾肖落在此單方向易轴的方向上。 由於反鐵磁層208造成單方向易軸，因此能確保鐵磁 層198的磁化向量的方向，較不會受初始位置的影響，因 此旎確保後續的偏轉結果。如圖n所示，當磁場17如是 在雙方向易軸土時，鐵磁層198的磁化向量17〇會在左邊。 "7般而言，易軸方向210與雙方向易軸204之間的夾 角，以45度較佳，。然而.，.其夹角例如實質上小於卯度即 可。經模擬驗證，其夾角在60度下仍能準確工作。 —a由於在U蚪段應絕對同時啟動磁場氏與氏是不 Bt:=V然而，也經模擬驗證，磁場&與H2之間的同 間可以有-些容忍、度，例如在2ns下仍可以有一 可以達到準確寫入的要求。換句或說，本發明 求精確的製作與操作。丄〜度細_吻’而不必要 場偏厂::==產=低操物 第-象限。然而’依相心條匕正二 14 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 可以是操作在第三象限，也銶曰七、 圖12所示。其效果仍是一樣心兄1與印是負的值，如 本發明實施例所提出的操作磁 寫入操作中需要先讀取龍的讀作去傳統 入操作。另外’為了能提升寫入摔作可以加快寫 -適當夫角。由二易::在=向與雙方向易軸有 成相1 纽使磁化向量構 入。 设Λ的舄人_可以更準確將資料寫 雖然本發明已以較佳實施例並 限定本發明十任何孰..習 上亚非用以 範圍冬她二:： 飾’因此本發明之保護 田視後附之申請專利範_界定 【圖式簡單說明】 圖1繪示一磁性記憶胞的基本結構。 圖2繪示磁性記憶體的記憶機制。 圖3繪示傳統磁性記憶胞剖面結構示意圖。 圖4綠示外加磁場對三層結構自由層的效應。 圖5緣示拾扣模式的外加磁場時序圖。 圖6繪示減小操作電流的傳統技術示意圖。 形 圖7緣示依據本發明實施例，第一狀態的磁場寫入波 形 圖8繪示依據本發明實施例，第二狀態的磁場寫 入波 15 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 圖9繪示外加磁場使磁化向量偏轉的另一情況。 圖10繪示依據本發明實施例，磁性記憶胞的結構示 意圖。- 圖11繪示依據本發明實施例，外加磁場使磁化向量 偏轉的广情況。 圖12繪示繪示依據本發明實施例，另一種磁場操作 波形。 【主要元件符號說明】 100、102 :電流線 104 :磁性記憶胞 104a :磁性固定層 … 104b:絕緣層 104c :磁性自由層 106、 108 :電極 107、 108a、108b:磁距方向 150:鐵磁性金屬層 152 :非磁性金屬層 154 :鐵磁性金屬層 156:穿隧絕緣層 158 :上固定層 160 :非磁性金屬 162:下固定層 164 :基層 166 :磁性自由疊層 16 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 168 :磁性固定疊層 170 :上磁化向量 172:下磁化向量 174a:外加磁場 174b:外加磁場 174c:外加磁場 184 :磁場偏壓 186 :距離 190 :磁性固定疊層 192:穿隧能障層 194 :下鐵磁層 196 :金屬層 198 :上鐵磁層 200 :磁性自由疊層 202:雙方向易軸 204:雙方向易軸 206 :金屬層 208 :反鐵磁層 210:反鐵磁易軸方向 212 :反鐵磁層
Claims (1)
- 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 十、申請專利範圍： 1·一種磁性記憶胞的直接寫入方法，該磁性記憶胞包 括一磁性自由疊層，，且該磁性自由疊層是由一下鐵磁層、 一非磁性耦合中間層、以及一上鐵磁層疊合所成，該下鐵 磁層與該上鐵磁層分別有實質上相同的一雙方向易轴，該 方法包括： 方也加一苐一磁場在該雙方向易軸的方向上；以及 進仃一寫入操作，以寫入一第一儲存態或是一第二儲 存怨到該磁性記憶胞， 其中當該寫入操作要寫入該第_儲存狀態時進行： 磁場取代該第—磁場，其中二磁場在 «亥又方向易軸的-第—邊，且夾有 停止該第二磁場， 肖度，以及 寫入該第二儲存狀態時進行： 該雙方向料場在 一邊與該第二邊是相對的；以及 〜角度，其中該第 停止該第三磁場。 2·如申凊專利範圍第i項所述之磁性 入方法，其中該第一 记憶I的直接舄 質上小於9G度㊉角度與μ-角度是實質上等，且實 3.如申睛專利範圍第2項所述 士 度。、中心—角度辦m度實質上是接近45 18 200832401 P51950117TW 21918twf.d〇〇/t 4.如中請專利㈣第丨項所述之磁性記憶胞的直接寫 入方法，其中該磁性記憶胞的該下鐵磁層與該上鐵磁層之 其一具有一單方向易軸，其中該單方向易軸與該雙方向易 . 軸之間有一夾角。 5·避請專利範_ 4項所述之磁性記憶胞的直接寫 入方法，其中該夾角實質上小於9〇度。 6·如申請專職㈣4韻述之磁性記憶胞的直接寫 ⑩ 人方法，其賴夾角實質上是接近45度。 7·如申请專利範圍第丨項所述之磁性記憶胞的直接寫 入m巾制性記憶胞的該下鐵磁層與該上鐵磁層具 有分別不_向㈣度的二個單方向易轴 ，且分別與該雙 方向易軸之間有一夾角。 8·如申睛專利範圍第7項所述之磁性記憶胞的直接寫 入方法，其^該夾角實質上小於90度。 9·如申请專概㈣8項所述之磁性記憶胞的直接寫 _ 人方法，其巾該夾角實質上是接近45度。 10+tn糊範目第7項所狀磁性滅胞的直接 • 冑人方法’其中該第-角度與該第二角度是實質上等，且 • 實質上小於90度。 —11:如申請專利範圍第1〇項所述之磁性記憶胞的直接 寫入方法，其中該第—角度與該第二角度實質上是接近# 度。 jt· 一種磁性記憶胞的直接寫入方法，適用於存取一磁 胞’该磁性記憶胞包括一磁性自由疊層，且該磁性 19 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 自由疊層是由-下鐵磁層、_非磁性 上鐵磁層疊合所成，該下鐵磁層與該上鐵別;;: 軸相夹接近45度的一第:中二接近第垂直 一操作磁場，财法包 1讀磁場叫目加產生 當該操作磁場是要寫入-第一儲存狀態時進行.^該第-磁場，該第—磁場是—第—準 形，有一第一寬度的-第一脈衝； ^ ^ 3實質上同時施加該第二磁場，該第二磁場是一 %準位波形，有—第二寬度的—第二脈衝，其中該 f小於該第二_ 且該第_脈衝與該第二脈質： 場強度，於第二脈衝結束後·㈣回到^ 磁％低準位;以及 當該操作磁場是要寫入-第二儲存狀態時進行： 施加該第-磁場，該第—磁場是―第 準 形，有-第三寬度的-第三脈衝； #旱位波 貫質上同時施加該第二磁場，該第二磁場 %準位波形，有一第四寬度的一第四脈衝，其中該第三寬 度大於该第四寬度，且該第三脈衝與該第四服衝有實質上 相^的磁場強度，於第三脈衝結束後則該操作磁場二到該 磁場低準位。 13·如申請專利範圍第12項所述之磁性記憶胞的直接 寫入方法，其中該磁性記憶胞的該下鐵磁層與該上鐵磁層 之/、具有一單方向易轴，其中該單方向易車由與該雙方向 20 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 易輛之間有'一失角。 ^ 14·如申明專利範圍第13項所述之磁性記憶胞的直接 寫入方法，其中該失角實質上小於90度。 —15·如申料利範则13項所述之磁性記憶胞的直接 — 寫入方法，其中該夾角實質上是接近45度。 —16·如申請專利範圍第12項所述之磁性記憶胞的直接 寫入方法’其中該磁性記憶胞的該下鐵磁層與該上鐵磁層 # 射分別不同異向性強度的二個單方向易軸，且分別與該 雙方向易軸之間有一夾角。 —17·如申請專利範圍第16項所述之磁性記憶胞的直接 舄入方法，其中該夾角實質上小於90度。 、18·如申請專利範圍第16項所述之磁性記憶胞的直接寫入 方法，其中該夾角實質上是接近45度。 19.一種磁性記憶胞結構，包括： 一磁性固定疊層； 馨一穿隧能障層，位於該磁性固定疊層之上； 、一磁性自由疊層，位於該穿隧能障層之上方，其中該 ，陡自由®層包括一下鐵磁層以及一上鐵磁層，分別具有 * 實質上相同的一雙方向易軸;以及 一第一反鐵磁層，相鄰於該下鐵磁層與談上鐵磁層之 其一，稱為一第一相鄰鐵磁層，其中該第一反鐵磁層的一 ，偶排列線與該雙方向易軸之間有一第一夾角，以產生一 第一單方向易軸在該第一相鄰鐵磁層上。 20·如申請專利範圍第19項所述之磁性記憶胞結構，其 21 200832401 P51950117TW 21918twf.doc/t 中該第一夾角實質上小於9〇度。 21.如申咕專利範圍第19工貝所述之磁性記憶胞結構，其 中該第-反鐵磁層與該第-相鄰鐵磁層之間還包括一非磁 性層。 t 22.如申請專麵圍第19項所述之磁性記憶胞結構，更包 Γ第;^鐵磁層，相鄰於該下鐵磁層舆該上鐵磁層之另 = :第二相鄰鐵磁層，其中該第二反鐵磁層的-ί偶f列線與該雙方向易轴之間有m以產生- ::Γ了向f軸ί該第二相鄰鐵磁層上，且在該第-單方 D軸糾第二單方向易軸的異向性強度不同。 f v申轉利細第22項所述之磁性記憶胞結構，其 〒該弟二夾角實質上小於90度。 24·如申δ月專利範圍第22工貝所述之磁性記憶胞結構，其 :該第二反鐵磁層與該第二相_磁層之間還包括-非磁 性層。 22
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