TW200813956A - Display device, driving method of display device, and electronic appliance - Google Patents

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200813956 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一'種顯不裝置及其驅動方法，特別關於 適用區域灰度法的顯示裝置及其驅動方法。 【先前技術】 近年來，具有由諸如發光二極體（LED)等發光元件形 成的像素的所謂自發光顯示裝置受到關注。作爲用於這種 自發光顯示裝置的發光元件，有機發光二極體（也稱爲 OLED、有機EL元件、場致發光（EL)元件等）受到注意， 並已經被用於EL顯示器等。由於OLED等的發光元件是 自發光型，因此具有一些優點，比如其像素可見度比液晶 顯示器高，且無需背光並且回應速度快。此外，發光元件 的亮度由流經該發光元件的電流値控制。 作爲用來控制這種顯示裝置的發光灰度的驅動方法， 有數位灰度法和類比灰度法。根據數位元灰度法，發光元 件以數位方式導通/關斷，以便表示灰度。而類比灰度法 包括以類比方式控制發光元件的亮度的方法、以及以類比 方式控制發光元件的發光時間的方法。 在數位元灰度法的情況下，由於僅有兩種狀態：發光 和不發光，因此，若只使用數位元灰度法，則僅能夠表示 2級灰度。因而爲了獲得多級灰度而與另一種方法組合使 用。區域灰度法和時間灰度法常常被用作爲實現多級灰度 * 化的方法。 -5- 200813956 (2) 區域灰度法是一種透過控制發光部分的面積來表示灰 度的方法。換言之，透過將一個像素分成多個子像素，並 控制發光子像素的數量或面積來表示灰度（例如，參照專 利文獻1、專利文獻2)。子像素的數量無法增加，因此難 以實現高解析度化和多級灰度化，這是區域灰度法的缺點 〇 此外，時間灰度法是一種透過控制發光期間的長度或 發光次數來表示灰度的方法。換句話說，將一個框分成多 個子框，其中對每一個子框進行發光次數和發光時間等的 加權，透過使總加權量（發光次數的總和以及發光時間的 總和）針對每一灰度加以區別，來表示灰度。已知當採用 這種時間灰度法時，可能出現被稱爲僞輪廓（或者疑似輪 廓）等的顯示不良，從而要考慮對抗此失效的措施（例如， 參照專利文獻3至專利文獻9)。 然而，雖然已經提出了各種減少僞輪廓的方法，但仍 然沒有獲得充分的減少僞輪廓的效果。 例如，參照專利文獻4中的圖1。假設像素A中表示 灰度127級，並且鄰接像素A的像素B中表示灰度128級 。圖8 0顯示此情況下的在每個子框中的發光/不發光的狀 態。 這裏，將說明理解圖8 0的方法。圖8 0 A和8 0 B是表示 在一個框中像素發光/不發光的狀態的圖。在圖80中，橫 方向表不時間，而縱方向表示像素位置。並且，圖8 0所示 的方形的橫方向長度表示每個子框發光期間的長度比率。 -6 - 200813956 (3) 此外，圖80所說明的方形的面積分別表示每個子框的像素 的明亮程度。 例如，圖8 0 A顯示人眼只注視像素A或只注視像素B 而不轉換視線的情況。在這種情況下，未引起僞輪廓。這是因 爲眼睛透過處的明亮程度總和；眼睛因而感受到明亮。因此， 眼睛感受到像素A的灰度爲127(=1+2 + 4 + 8 + 1 6 + 32 + 32 + 32)級， 像素B的灰度爲1 28( = 3 2 + 3 2 + 3 2 + 32)級。換言之，眼睛感受 到了準確的灰度。 另一方面，假設眼睛從像素A移動到像素B、或從像 素B移動到像素A。將此情況示於圖80B。在這種情況下 ，根據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲96( = 32 + 32 + 32) 級，有時感受到灰度爲159(=1+2+4+8+16+32+32+32+32)級 。雖然眼睛原來應該感受到灰度爲127級和128級，但卻感 受到灰度爲96級或159級，結果就引起僞輪廓。 圖80A至80B顯示8位元灰度（256級灰度）的情況。接 下來，圖8 1顯示6位元灰度（6 4級灰度）的情況。在這種情 況下，同樣根據眼睛的運動，眼睛也有時感受到灰度爲 16(=16)級’有時感受到灰度爲47(=1+2 + 4 + 8 + 16+16)級。 雖然眼睛原來應該感受到灰度爲3 1級和32級，但卻感受到 灰度爲16級或4 7級，結果就引起僞輪廓。 [專利文獻1]日本特開平11-73158號公報 [專利文獻2]日本特開2001-125526號公報 [專利文獻3]日本特許第290 39 84號公報 [專利文獻4]日本特許第3075335號公報 200813956 (4) [專利文獻5]日本特許第2639311號公報 [專利文獻6]日本特許第3322809號公報 [專利文獻7]日本特開平ι〇-307561號公報 [專利文獻8]日本特許第3 5 8 53 69號公報 [專利文獻9]日本特許第3489884號公報 這樣’當僅僅使用以往的區域灰度法時，不容易實現 高解析度化和多級灰度化，而當僅僅使用以往的時間灰度 法時，則産生僞輪廓，從而不能充分抑制畫質退化。 【發明內容】 本發明鑒於這些問題，其目的在於提供一種顯示裝置 以及該顯示裝置的驅動方法，該顯示裝置可以在進行多級 灰度顯示的同時，由少數子框組成，並且能夠減少僞輪廓 〇 本發明是一種顯示裝置的驅動方法，所述顯示裝置包 括多個具有設置有發光元件的m個（m是m^2的整數）子像 素的像素，在所述 m個子像素中，第（s+l)個子像素 (lSGm-1)的面積爲第s個子像素的面積的兩倍，在所述 m個子像素的發光期間中，將一個框分成η個子框（η是 η^2的整數），在所述η個子框中，第（ρ + 1)個子框（is ρ Sn-Ι)的發光期間的長度爲第ρ個子框的發光期間的長度 的2m倍，將所述η個子框中的至少一個子框分成多個具 有比該子框短的發光期間的子框，以將所述η個子框分成 t個子框（t> η)，在所述t個子框中的至少一個子框中，透 -8- 200813956 (5) 過順序總和所述m個子像素處於發光狀態的子框的發光 期間，來表示所述像素的灰度。 此外，在本發明的驅動方法中，也可以將所述η個子 框中具有最長的發光期間的子框分成多個具有比該子框短 的發光期間的子框。 此外，在本發明的驅動方法中，也可以將所述η個子 框中的至少一個子框分成多個各有彼此相同的發光期間的 子框。 此外，在本發明的驅動方法中，也可以以發光期間的 昇冪或降冪配置子框。 此外，在本發明的驅動方法中，可以在低灰度區域中 ，使亮度相對於灰度線性地變化，並且，在所述低灰度區 域以外的灰度區域中，使亮度相對於灰度非線性地變化。 本發明是以所述本發明的驅動方法進行驅動的顯示裝 置，所述m個子像素各有發光元件、信號線、掃描線、 第一電源線、第二電源線、選擇電晶體、以及驅動電晶體 ，所述選擇電晶體的第一電極與所述信號線電連接，第二 電極與所述驅動電晶體的閘極電極電連接，所述驅動電晶 體的第一電極與所述第一電源線電連接，所述發光元件的 第一電極與所述驅動電晶體的第二電極電連接，第二電極 與所述第二電源線連接。 此外，在本發明的顯示裝置中，所述m個子像素可 以共同使用所述信號線、掃描線、或者第一電源線。 此外’在本發明的顯示裝置中，可以是所述像素所具 -9 - 200813956 (6) 有的所述信號線的數量爲2條以上且m條以下’所述m個 子像素中的任何一個子像素所具有的所述選擇電晶體與不 同於其他子像素所具有的所述選擇電晶體的所述信號線電 連接。 此外，在本發明的顯示裝置中，可以是所述像素所具 有的所述掃描線的數量爲2條以上，所述m個子像素中的 任何一個子像素所具有的所述選擇電晶體與不同於其他子 像素所具有的所述選擇電晶體的所述掃描線電連接。 此外，在本發明的顯示裝置中，可以是所述像素所具 有的所述第一電源線的數量爲2條以上且m條以下，所述 m個子像素中的任何一個子像素所具有的所述驅動電晶體 與不同於其他子像素所具有的所述驅動電晶體的所述第一 電源線電連接。 此外，子框的分割是指分開子框所具有的發光期間的 長度。 此外，在本發明中，透過順序加上在子框中的發光期 間（或者，在某一時間上的發光次數）來表示灰度。就是說 ，本發明採用如下結構：隨著灰度增大，發光的子框連續 地增加。因此，表示低灰度時發光的子框在表示更高灰度 時也發光。在本說明書中，將這種灰度方法稱爲疊加時間 灰度方法。 此外，在本發明中，也可以如下驅動方法，即，在某 一子框中的某一像素發光以表示某一灰度的情況下，當也 表示比此大的灰度時，相同的子框中的相同的子像素發光 -10- 200813956

此外，在本發明中，一個像素表示一個彩色成分。因 此，在由R(紅）、G(綠）和B(藍）的彩色成分構成的彩色顯 示裝置中，影像的最小單位由R的像素、G的像素和B 的像素三個像素構成。此外，彩色成分不局限於三種顔色 ，既可使用更多種，又可適用使用RGB以外的顔色。例 如，也可加上白色（W)，以使彩色成分成爲RGBW。此外 ，也可對RGB加上例如黃色、藍綠色或紫紅色等一個以 上顔色的彩色成分。此外，例如可以加上與RGB中的至 少一個顔色類似的顔色。例如，也可以爲R、G、B 1、B 2 。：B1和B2雖然都是藍色，但是其波長彼此不同。透過使 用這種彩色成分，既可進行更接近於實體的顯示，又可減 少耗電量。此外，也可以使用多個區域控制一個彩色成分 的明亮程度。在這種情況下，將一個彩色成分作爲一個像 素，並且將控制其明亮程度的每個區域作爲子像素。因此 ，例如，當使用區域灰度法時，一個彩色成分具有多個控 制明亮程度的區域，並且由其整體表示灰度，將控制明亮 程度的每個區域作爲子像素。從而，在這種情況下，一個 彩色成分由多個子像素構成。此外，在這種情況下，有可 能作用於顯示的區域的大小根據子像素而不同。此外，也 可以透過將稍微不同的信號供應給每一個彩色成分所具有 的多個控制明亮程度的區域，即，構成一個彩色成分的多 個子像素，以擴大視角。 此外，在本發明中，像素包括配置（排列）爲矩陣形狀 200813956 ⑹ 的情況。這裏，像素配置（排列）爲矩陣形狀包括如下情況 :在縱方向或橫方向上以直線排列並配置的情況；在鋸齒 形線上排列的情況。因此，也包括如下情況：例如當用三 個彩色成分（例如RGB)進行全彩色顯示時，像素配置爲條 紋形狀，或三個彩色成分的點配置爲所謂的三角。還包括 配置爲拜耳（Bayer)的情況。 此外，由於其結構，難以將電晶體的源極和汲極互相 區分。另外，其電位的高低有可能取決於電路的工作而切 換。因此，在本說明書中，未指定源極和汲極，且將它們 記載爲第一電極、第二電極。例如，當第一電極是源極時 ，第二電極指汲極，反之亦然，當第一電極是汲極時，第 二電極指源極。 此外，在本發明中，作爲電晶體可以適用各種形態的 電晶體。因此，可以適用的電晶體的種類沒有限制。從而 ，例如可以適用具有以非晶矽和多晶矽爲典型的非單晶半 導體膜的薄膜電晶體（TFT)等。由此，即使在製造溫度不 高的情況下，也可以製造顯示裝置，並且既可在大規模基 板或透光基板上製造顯示裝置，又可用電晶體透過光。此 外，也可以適用使用半導體基板或SOI基板形成的電晶體 、接合型電晶體、雙極電晶體等。由此，可以製造不均勻 性少、電流提供能力高、或者尺寸小的電晶體，並可以構 成耗電量少的電路。此外，還可以適用具有化合物半導體 如ZnO、a-InGaZnO、SiGe、GaAs等的電晶體；以及使這 些電晶體薄膜化了的薄膜電晶體等。由此，即使在製造溫 -12- 200813956 (9) 度不高的情況下或者在室溫下製造電晶體，而且可在耐熱 性低的基板例如塑膠基板或薄膜基板上直接形成電晶體。 此外，可以適用用噴墨法或印刷法製作的電晶體等。由此 ，既可在室溫下或真空度低的狀態下製造電晶體，又可在 大規模基板上製造顯示裝置。此外，由於可以製造電晶體 而不使用掩模（中間掩模），所以可以容易改變電晶體的配 置佈局。此外，可以適用具有有機半導體或碳奈米管的電 晶體、其他電晶體。由此，可以在具有撓性的基板上形成 電晶體。此外，非單晶半導體膜可以含有氫或鹵。此外， 作爲配置有電晶體的基板的種類，可以適用各種種類而沒 有特別的限制。因此，例如可以將電晶體配置到單晶基板 、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、紙基板、 玻璃紙基板、石材基板、以及不銹鋼基板等。此外，也可 以在一個基板上形成電晶體，然後將該電晶體移動且配置 到其他基板上。透過使用這些基板，可以形成具有優良特 性、耗電量小的電晶體，還可以製造不容易破壞的裝置並 且使裝置具有耐熱性。 此外，本發明中的“連接”和“電連接”是同義的。 因此，在本發明提出的結構中，不僅具有預定的連接關係 ，而且可以在它們之間設置能夠實現電連接的其他元件（ 例如，其他元件或開關等）。 此外，對本發明中所示的開關可以使用各種形態的開 關，作爲其一例，存在有電開關和機械開關等。換句話說 ，只要它可以控制電流的流動就可以用於開關，因此，可 -13- 200813956 (10) 以使用各種各樣的元件而沒有特別限制。例如，開關可以 是電晶體、二極體（例如，PN二極體、PIN二極體、肖特 基二極體、二極體連接的電晶體等）、可控矽整流器、或 者組合了它們的邏輯電路。因此，在使用電晶體作爲開關 的情況下，該電晶體作爲簡單的開關工作，所以電晶體的 極性（導電類型）沒有特別限制。但是，在使用其關斷電流 小是較佳的情況下，最好使用具有關斷電流小的極性的電 晶體。作爲關斷電流小的電晶體，存在著具有LDD區域 的電晶體或具有多閘極結構的電晶體等。另外，作爲開關 工作的電晶體在處於其源電極的電位接近低電位側電源 (VSS、GND或0V等）的狀態下，最好使用N通道型電晶 體，而電晶體在處於其源電極的電位接近高電位側電源 (VDD等）的狀態下，最好使用P通道型電晶體。這是因爲 ，由於可以增加閘-源電壓的絕對値，從而電晶體容易作 爲開關工作的緣故。此外，開關可以是使用N通道型電 晶體和P通道型電晶體雙方的CMOS開關。當使用CMOS 開關時，由於只要P通道型電晶體和N通道型電晶體的 任何一個導通，就可以流過電流，所以容易用作開關。例 如，即使在對開關的輸入信號的電壓高還是低的情況下， 就可以適當地輸出電壓。此外，由於可以減小用來導通/ 關斷的信號的電壓振幅値，因此也可以減小耗電量。 此外，在本發明中，“在某個物體之上形成”或“在 ……上形成”，即“……之上”或“……上”不局限於在 某個物體之上直接接觸的情況。它們還包括沒有直接接觸 -14- 200813956 (11) 的情況，即中間夾有別的物體的情況。因此，例如當“在 層A之上（或在層A上）形成層B”時，包括在層A之上直 接接觸地形成層B的情況；以及在層A之上直接接觸地 形成別的層（例如層C或層D等），並且在其上直接接觸地 形成層B的情況。此外，“在......的上方”也是同樣的’ 其不局限於在某個物體上直接接觸的情況，還包括中間夾 有別的物體的情況。因此，例如當“在層A的上方形成 層B”時，包括在層A上直接接觸地形成層B的情況； 以及在層A上直接接觸地形成有別的層（例如層C或層D 等），並且在其上直接接觸地形成層B的情況。此外，“ 在……之下”或“在……的下方”也同樣地包括直接接觸 的情況和沒有接觸的情況。 此外，在本發明中，半導體裝置是指具有包括半導體 元件（電晶體或二極體等）的電路的裝置。此外，也可以是 透過利用半導體特性而能夠工作的所有裝置。另外，顯示 裝置是指具有顯示元件（液晶元件或發光元件等）的裝置。 此外，也可以是在基板上形成有包括多個包含液晶元件或 EL元件等顯示元件的像素和用於驅動這些像素的週邊驅 動電路的顯示面板的主體。再者，還可以包括裝有撓性印 刷電路（FPC)或印刷線路板（PWB)的裝置（1C、電阻元件、 電容元件、電感器、電晶體等）。另外，還可以包括偏振 片、相位差板等光學板。另外，還可以包括背光（導光板 、棱鏡板、擴散板、反射板、光源（L E D、冷陰極管等））。 此外，本發明的顯示裝置可以使用各種形態，並且具 -15- 200813956 (12) 有各種顯示元件。例如，可以使用EL元件（有機EL元 、無機EL元件、或者包含有機物或無機物的EL元件） 電子發射元件、液晶元件、電子墨水、光柵光閥（GLV) 電漿顯示器（PDP)、數位微鏡裝置（DMD)、壓電陶瓷顯 器、碳奈米管等透過電磁作用而改變其對比度的顯示介 。此外，可以給出EL顯示器作爲使用EL元件的顯示 置；場致發射顯示器（FED)或SED方式平板顯示器（SED 表面傳導電子發射顯示器）等作爲使用電子發射元件的 示裝置；液晶顯示器、透過型液晶顯示器、半透過型液 顯示器或反射型液晶顯示器作爲使用液晶元件的顯示裝 ;以及電子紙作爲使用電子墨水的顯示裝置。 此外，在本說明書中的發光元件是指在顯示元件中 以透過流過元件的電流値來控制發光亮度的元件。典型 是指EL元件。除了 EL元件以外，電子發射元件等也 括在發光元件中。 此外，在本說明書中，主要以具有發光元件作爲顯 元件的情況爲例而說明，但是，在本發明的內容中，顯 元件不局限於發光元件。可以適用如上所述的各種顯示 件。 在本發明中，透過組合區域灰度法和時間灰度法， 以實現多級灰度顯示，同時還可以減少僞輪廓。因此， 以提高顯示品質，而獲得清晰影像。此外，與現有的時 灰度法相比，可以提高占空比（在一個框中的發光期間 比率），以提高亮度。此外，透過提高占空比，可以減 件 示 質 裝 m 晶 置 可 地 包 示 示 元 可 可 間 的 小 -16- 200813956 (13) 施加發光元件的電壓。從而，可以減少耗電量，以減少發 光元件的惡化。 【實施方式】 下面，參照附圖說明本發明的實施例模式。但是，本 發明可以透過多種不同的方式來實施，所屬技術領域的普 通人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容 在不脫離本發明的宗旨及其範圍下可以被變換爲各種各樣 的形式。因此，本發明不應該被解釋爲僅限定在實施例模 式所記載的內容中。 實施例模式1 在本實施例模式中，示出將本發明的驅動方法應用於 6位元顯示（64級灰度）的情況的例子。 本實施例模式相關的驅動方法爲組合了區域灰度法和 時間灰度法的驅動方法。所述區域灰度法爲透過將一個像 素分成多個子像素，並控制發光的子像素的數量或面積而 表示灰度的方法，而所述時間灰度法爲透過將一個框分成 多個子框，其中對每一個子框進行發光次數和發光時間等 的加權，通過使總加權量針對每一灰度加以區別，來表示 灰度。換言之，將一個像素分成m個子像素（m是m22的 整數），在所述m個子像素中，第（s+l)個子像素（Ks^m-1)的面積爲第s個子像素的面積的兩倍。就是說，第s個 子像素的面積和第（s+1)個子像素的面積的比率爲丨：2。 -17- 200813956 (14) 此外，將一個框分成η個子框，在所述η個子框中，第 (ρ+1)個子框（Kp^n-l)的發光期間的長度爲第ρ個子框的 發光期間的長度的21"倍。就是說，第P個子框的發光期 間的長度和第（P + 1)個子框的發光期間的長度的比率爲1 : 2m。另外，將在η個子框中的至少一個子框分成多個子框 ，以將所述η個子框分成t個（t>n)子框，在每個子像素中 ，對發光強度相同的子框適用疊加時間灰度法。換言之， 設定爲隨著灰度變大，發光的子框連續地增加。並且，透 過在每個子框中控制各個m個子像素的發光方法，來表 示灰度。此外，在本發明中，以各個子像素的面積和各個 子框的發光期間的積爲發光強度。 首先，對子像素及子框的分割方法進行說明。在本實 施例模式中，以如下情況爲例進行說明：將一個像素分成 兩個子像素（SP1、SP2)，以使每個子像素的面積比率爲1 :2，將一個框分成三個子框（SF1、SF2、SF3)，以使每個 子框的發光期間的比率爲1 : 4 : 1 6，並且將三個子框（S F 1 至SF3)中的一個子框分成兩個子框。此外，該例子對應 方令 m = 2，η = 3 〇 這裏，將每個子像素的面積爲SP1 = 1、SP2 = 2，並且 將每個子框的發光期間爲SF1 = 1、SF2 = 4、SF3 = 16。 在本實施例模式中，將以發光期間的比率爲1 : 4 : 1 6 的方式分割成三個的子框（SF1至SF3)中的一個子框還分 成兩個子框。例如，在以分割成兩個子框的子框爲SF 3的 情況下，將具有發光期間1 6的S F 3分成兩個具有發光期間 200813956 (15) 8的子框 SF3 1、SF32 ° 由此，一個框分成四個子框，每個子框的發光期間爲 SF1=1 、 SF2=4 > SF31=8 、 SF32=8 ° 圖1顯示爲了在這種情況下表示每個灰度級而選擇子 像素及子框的方法的一個例子。此外，圖1的理解方法爲 在每個子框中附有符號〇（圈號）的子像素表示發光，附有 符號χ(叉號）的子像素表示不發光。 在本發明中，將每個子像素的面積和每個子框的發光 期間的積爲發光強度。例如，關於圖1，在具有發光期間1 的 SF1中，當面積1的子像素l(SPl)僅僅發光時的發光強 度爲1x1 = 1，而當面積2的子像素2(SP2)僅僅發光時的發光 強度爲2x1=2。與此同樣，在具有發光期間4的SF2中，當 SP1僅僅發光時的發光強度爲4，當SP2僅僅發光時的發光 強度爲8。與此同樣，在具有發光期間8的SF31、SF32中 ，當SP1僅僅發光時的發光強度爲8，當SP2僅僅發光時 的發光強度爲1 6。這樣，可以透過組合子像素的面積和子 框的發光期間，來製作不同的發光強度，並且使用該發光 強度表示灰度。 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框，適 用疊加時間灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光 的子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰 度中保持發光。 在圖1所示的例子中，SP1的發光強度在SF31和SF32 爲8，因此疊加時間灰度法適用於SF31和SF32。換言之 -19- 200813956 (16) ，SP1當表示灰度8級以上時，經常在SF31中發光，而當 表示灰度16級以上時，經常在SF3 2發光。與此同樣，SP2 的發光強度在SF31和SF32爲16，因此疊加時間灰度法適 用於SF31和SF32。換言之，SP2當表示灰度32級以上時 ，經常在SF31中發光，而當表示灰度48級以上時，經常 在SF32發光。 接下來，對爲了表示每個灰度級選擇子像素及子框的 方法進行說明。 例如，在圖1所示的子像素及子框的選擇方法中，當 表示灰度1級時，在SF1中使SP1發光。此外，當表示灰 度2級時，在SF1中使SP2發光。此外，當表示灰度3級時 ，在SF1中使SP1和SP2發光。此外，當表示灰度6級時， 在SF1中使SP2發光，在SF2中使SP1發光。此外，當表 示灰度3：2級時，在SF31中使SP1和SP2發光，在SF32中 使SP1發光。其他灰度也與此同樣，在每個子框中選擇發 光的每個子像素。 如上所述那樣，透過在每個子框中選擇發光的子像素 ，可以表示6位元灰度（64級灰度）。 透過使用本發明的驅動方法，與現有的驅動方法相比 ，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖1所示的子像素及 子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度3 1級，在像素b 中顯不灰度3 2級。圖2顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。 這裏，將說明理解圖2的方法。圖2是表示在一個框中 -20- 200813956 (17) 像素發光/不發光的狀態的圖。在圖2中，橫方向表示時間 ，而縱方向表示像素位置。並且，圖2所示的方形的縱方 向長度表示每個子像素的面積比率，而橫方向的長度表示 每個子框的發光期間的長度比率。此外，圖2所說明的每 個方形的面積表示發光強度。 例如，假設眼睛移動，根據眼睛的運動，眼睛有時感 受到灰度爲29(=1+4 + 8 + 8 + 8)級，有時感受到灰度爲 3 2(=16 + 8 + 8)級。雖然眼睛原來應該感受到灰度爲31級和 3 2級，但卻感受到灰度爲29級或3 2級，結果就引起僞輪廓 。但是，由於本發明的灰度差別比現有的驅動方法小，所 以減少僞輪廓。 此外，發光期間的長度要根據整個灰度級數（位數）、 整個子框的數量等而適當地改變。因此，即使當發光期間 的長度是相同的，若改變整個灰度級數（位數）或整個子框 的數量，實際上發光的期間的長度（例如長度是幾ps)也有 可能改變。 此外，發光期間用於連續發光的情況，而發光次數用 於在一定時間內連續閃爍的情況。利用發光次數的典型顯 示器是電漿顯示器。利用發光期間的典型顯示器是有機 EL顯示器。 此外，在圖1所示的例子中，將S F 3分成兩個子框， 但是也可以將S F 3分成三個以上的子框。例如，圖3示出 在圖1中將S F 3分成四個子框的情況的子像素及子框的選 擇方法。 -21 - 200813956 (18) 在圖3所示的例子中，將在以發光期間的比率爲1 : 4 :16的方式分成三個的子框（SF1至SF3)中具有發光期間 16的SF3分成四個具有發光期間4的子框SF31、SF32、 SF33、SF34 ° 由此，一個框分成六個子框’並且每個子框的發光期 間爲 SF1=1、 SF2=4、 SF31=4、 SF32=4、 SF33=4、 SF34=4 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框適用 疊加時間灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的 子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度 中保持發光。 在圖3所示的例子中，SP1的發光強度在SF2、SF31至 SF3 4爲4，因此疊加時間灰度法適用於這些子框中的SF2 、SF31至 SF33。換言之，SP1當表示灰度4級以上時，經 常在SF2中發光，而當表示灰度8級以上時，經常在SF31 發光，當表示灰度12級以上時，經常在SF32中發光，當 表示灰度16級以上時，經常在SF33中發光。與此同樣， SP2的發光強度在SF2、SF31至SF34爲8，因此疊加時間 灰度法適用於SF2、SF31至SF34。 此外，如圖3所示，當在每個子像素中對發光強度相 同的子框適用疊加時間灰度法時，對在符合的子框中的至 少一個子框適用疊加時間灰度法即可。因此，既可對在符 合的子框中的多個子框適用疊加時間灰度法，又可對在符 合的所有子框適用疊加時間灰度法。 -22- 200813956 (19) 此外，透過使用圖3所示的驅動方法，與現有的驅動 方法相比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖3所示的 子像素及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度31級’ 在像素B中顯示灰度32級。圖4顯示在這種情況下的每個 子框中每個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動’ 根據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲21(=1+4 + 8 + 4 + 4)級’ 有時感受到灰度爲28( = 8 + 8 + 4 + 4 + 4)級。雖然眼睛原來應該感 受到灰度爲31級和32級，但卻感受到灰度爲21級或28級， 結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有的驅動 方法小，所以減少僞輪廓。 此外，如圖3所示的例子，當SF3的分割數量多時， 具有最長發光期間的子框數量多，從而不必進行抹除工作 的子框數量也多。由此，可以減少爲了進行抹除工作而消 費的電量。此外，可以提高占空比和亮度。此外’透過提 高占空比，可以減小施加發光元件的電壓。因此，可以減 少耗電量，並且減少發光元件的惡化。 此外，在圖1和3所示的例子中，將SF3分成具有相同 的發光期間的多個子框，但是不限於此。也可以將SF3分 成具有互不相同的發光期間的多個子框。例如，圖5示出 在圖1中將SF3分成具有互不相同的發光期間的兩個子框 的情況的子像素及子框的選擇方法。 在圖5所示的例子中，將在以發光期間的比率爲1 : 4 :16的方式分成三個的子框（SF1至SF3)中具有發光期間 16的SF3分成具有發光期間4的子框SF31和具有發光期間 -23- 200813956 (20) 12的子框SF32。 由此，一個框分成四個子框，並且每個子框的發光期 間爲 SF1=1 、 SF2=4 、 SF31=4 、 SF32=12 ° 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框適用 疊加時間灰度法。換言之’設定爲隨著灰度變大’發光的 子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度 中保持發光。 在圖5所示的例子中，SP1的發光強度在SF2和SF31 爲4，因此疊加時間灰度法適用於這些子框中的SF2。換 言之，SP1當表示灰度4級以上時，經常在SF2中發光。與 此同樣，SP2的發光強度在SF2和 SF31爲8，因此疊加時 間灰度法適用於這些子框中的SF2。 透過使用圖5所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖5所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度3 1級，在像素B 中顯示灰度3 2級。圖6顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲25(==1+4 + 8 + 12)級 ，有時感受到灰度爲2 8 ( = 8+ 8+ 12)級。雖然眼睛原來應該 感受到灰度爲3 1級和32級，但卻感受到灰度爲25級或28級 ，結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有的驅 動方法小，所以減少僞輪廓。 此外，圖7、圖9示出在圖1中將SF3分成具有互不相 同的發光期間的三個子框的情況的子像素及子框的選擇方 -24- 200813956 (21) 法。 在圖7所示的例子中，將在以發光期間的比率爲1: 4 :16的方式分成三個的子框（SF1至SF3)中具有發光期間 16的SF3分成具有發光期間4的子框SF31、SF32和具有發 光期間8的子框SF33。 由此，一個框分成五個子框，並且每個子框的發光期 間爲 SF1=1 、 SF2=4 、 SF31=4、 SF32=4、 SF33=8。 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框適用 疊加時間灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的 子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度 中保持發光。 在圖7所示的例子中，SP1的發光強度在SF2、SF31、 SF32爲4，因此疊加時間灰度法適用於這些子框中的SF2 和 SF31。換言之，SP1當表示灰度4級以上時，經常在 SF2中發光，當表示灰度8級以上時，經常在SF31中發光 。與此同樣，SP2的發光強度在SF2、SF31、SF32爲8，因 此疊加時間灰度法適用於SF2、SF31、SF32。 透過使用圖7所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖7所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度3 1級，在像素B 中顯示灰度3 2級。圖8顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲20( = 8 + 8 + 4)級，有 時感受到灰度爲29( = 1+4 + 8 + 8 + 8)級。雖然眼睛原來應該感 -25- 200813956 (22) 受到灰度爲3 1級和3 2級，但卻感受到灰度爲2 0級或2 9級’ 結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有的驅動 方法小，所以減少僞輪廓。 在圖9所示的例子中，將在以發光期間的比率爲1 : 4 :16的方式分成三個的子框（SF1至SF3)中具有發光期間 16的SF3分成具有發光期間4的子框SF31和具有發光期間 6的子框 SF32 > SF33 ° 由此，一個框分成五個子框，並且每個子框的發光期 間爲 SF1=1、 SF2=4、 SF31=4、 SF32=6、 SF33=6° 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框適用 疊加時間灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的 子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度 中保持發光。 在圖9所示的例子中，SP1的發光強度在SF2、SF31爲 4，因此疊加時間灰度法適用於這些子框中的S F 2。此外 ，SP1的發光強度在SF32、SF33爲6，因此疊加時間灰度 法適用於SF32、SF33。換言之，SP1當表示灰度4級以上 時，經常在SF2中發光，當表示灰度12級以上時，經常在 SF32中發光，當表示灰度18級以上時，經常在SF33中發 光。與此同樣，SP2的發光強度在SF2、SF31爲8，因此疊 加時間灰度法適用於這些子框中的SF2。此外，SP2的發 光強度在SF32、SF33爲12，因此疊加時間灰度法適用於 SF32 、 SF33 ° 透過使用圖9所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 •26- 200813956 (23) 比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖9所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度3 1級，在像素B 中顯示灰度32級。圖10顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲25(=1+4 + 8 + 6 + 6)級 ，有時感受到灰度爲28( = 8 + 8 + 6 + 6)級。雖然眼睛原來應該 感受到灰度爲31級和32級，但卻感受到灰度爲25級或28級 ，結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有的驅 動方法小，所以減少僞輪廓。 此外，在圖9所示的例子中，將SF1至SF3中的一個 子框（SF3)還分成多個子框，但是，分成多個子框的子框 數量不局限於此。也可以將SF1至SF3中的多個子框分別 分成多個子框。 例如，圖1 1、圖1 3示出在圖1中將在以發光期間的比 率爲1: 4: 16的方式分成三個的子框（SF1至 SF3)中兩個 子框還分成多個子框的情況的例子。此外，在圖1 1、圖1 3 所示的例子中，以分成多個子框的子框爲SF2、SF3。 圖11所示的例子是將SF2、SF3分別分成兩個子框的 情況。例如，將具有發光期間4的SF2分成兩個具有發光 期間2的子框SF21、SF22。此外，將具有發光期間16的 SF3分成兩個具有發光期間8的子框SF31、SF32。 由此，一個框分成五個子框，並且每個子框的發光期 間爲 SF1=1、 SF21=2、 SF22=2、 SF31=8 > SF32=8。 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框適用 -27- 200813956 (24) 疊加時間灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的 子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度 中保持發光。 在圖11所示的例子中，SP1的發光強度在SF21、SF22 爲2，因此疊加時間灰度法適用於SF21、SF22。此外， SP1的發光強度在SF31、SF32爲8，因此疊加時間灰度法 適用於這些子框中的SF32。換言之，SP1當表示灰度2級 以上時，經常在SF21中發光，當表示灰度4級以上時，經 常在SF22中發光，當表示灰度16級以上時，經常在SF31 中發光。與此同樣，SP2的發光強度在SF2 1、SF22爲4, 因此疊加時間灰度法適用於這些子框中的SF2 1。此外， SP2的發光強度在SF31、SF32爲16，因此疊加時間灰度法 適用於 SF31、SF32。 透過使用圖1 1所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖Η所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度3 1級，在像素B 中顯示灰度32級。圖12顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動’根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲19(=1+2 + 4 + 4 + 8)級 ，有時感受到灰度爲28( = 4 + 1 6 + 8)級。雖然眼睛原來應該 感受到灰度爲31級和32級，但卻感受到灰度爲19級或28級 ，結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有的驅 動方法小，所以減少僞輪廓。 圖13所示的例子是將SF2分成兩個子框’並且將SF3 -28- 200813956 (25) 分成四個子框的情況。例如，將具有發光期間4的S F 2分 成兩個具有發光期間2的子框SF21、SF22。此外，將具有 發光期間16的SF3分成四個具有發光期間4的子框SF31、 SF32、SF33、SF34 ° 由此，一個框分成七個子框，並且每個子框的發光期 間爲 SF1 = 1、SF21=2、SF22 = 2、SF3 1=4、SF32 = 4、 SF33=4 > SF34=4° 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框適用 疊加時間灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的 子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度 中保持發光。 在圖13所示的例子中，SP1的發光強度在SF21、SF22 爲2，因此疊加時間灰度法適用於SF21、SF22。此外， SP1的發光強度在SF31至SF34爲4，因此疊加時間灰度法 適用於SF31至SF34。換言之，SP1當表示灰度2級以上時 ，經常在SF21中發光，當表示灰度4級以上時，經常在 SF22中發光，當表示灰度8級以上時，經常在SF31中發光 ，當表示灰度12級以上時，經常在SF32中發光，當表示 灰度16級以上時，經常在SF33中發光，當表示灰度20級 以上時，經常在SF34中發光。與此同樣，SP2的發光強度 在SF21、SF22爲4，因此疊加時間灰度法適用於這些子框 中的SF21。此外，SP2的發光強度在SF31至SF34爲8，因 此疊加時間灰度法適用於SF3 1至SF34。 透過使用圖1 3所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 -29- 200813956 (26) 比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖1 3所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度31級，在像素B 中顯示灰度3 2級。圖1 4顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲19(=1+2 + 4 + 4 + 4 + 4) 級，有時感受到灰度爲24( = 4 + 8 + 4 + 4 + 4)級。雖然眼睛原來 應該感受到灰度爲31級和32級，但卻感受到灰度爲19級或 24級，結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有 的驅動方法小，所以減少僞輪廓。 此外，在到此所示的例子中，以一定包括SF3的方式 選擇分成多個子框的子框，但是，分成多個子框的子框的 選擇方法不局限於此。也可以從SF1及SF2中選擇分成多 個子框的子框。 此外，在本實施例模式中，較佳的以包括η個子框中 具有最長的發光期間的子框的方式選擇分成多個子框的子 框。這是因爲，透過分割具有最長的發光期間的子框，可 以進一步減少僞輪廓的緣故。此外’透過分割具有最長的 發光期間的子框，在分割之後’具有最長的發光期間的子 框的數量變多，從而不必進行抹除工作的子框數量也多， 由此，可以減少爲了進行抹除工作而消費的電量。此外， 可以提高占空比和亮度。此外’透過提高占空比，可以減 小施加發光元件的電壓。因此，可以減少耗電量，並且減 少發光元件的惡化。 此外，透過將子框分成多個子框，用來表示相同灰度 -30- 200813956 (27) 的子像素及子框的選擇方法就增多。因此，子像素及子框 的選擇方法不局限於到此所示的例子。例如，圖1 5示出在 圖1中改變用來表示灰度31級及灰度3 2級的子像素及子框 的選擇方法的情況的例子。 將說明圖1和圖15所示的每個子像素及子框的選擇方 法的不同之處。首先，在表示灰度3 1級的情況下，在圖1 所示的例子中使SF31、SF32的SP1發光，而在圖15所示 的例子中使SF31的SP2發光而不使SF31、SF32的SP1發 光。下面，在表示灰度3 2級的情況下，在圖1所示的例子 中使SF3 1的SP1發光，而在圖15所示的例子中使SF2的 SP2發光而不使SF31的SP1發光。 此外，關於 S F 3 1和 S F 3 2，在圖1所示的例子中，對 SP1、SP2適用疊加時間灰度法，而在圖15所示的例子中 ，對SP2適用疊加時間灰度法。 透過使用圖1 5所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖1 5所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度3 1級，在像素B 中顯示灰度32級。圖16顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲37(=1+4 + 8 + 16 + 8) 級，有時感受到灰度爲40( = 8 + 1 6+16)級。雖然眼睛原來應 該感受到灰度爲31級和32級，但卻感受到灰度爲37級或40 級，結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有的 驅動方法小，所以減少僞輪廓。 -31 - 200813956 (28) 此外，改變子像素及子框的選擇方法的灰度不局限於 灰度3 1級和灰度3 2級。也可以對其他灰度改變子像素及子 框的選擇方法。此外，對特別容易出現僞輪廓的灰度諸如 灰度31級和灰度32級選擇性地改變在每個子框中的子像素 的選擇方法，由此可以增大減少僞輪廓的效果。 此外，在本實施例模式中，以發光期間的昇冪配置每 個子框，但是子框的配置順序不局限於此。例如，圖1 7示 出在圖1中改變子框的配置順序的情況的例子。 在圖I7所示的例子中，切換圖1中的具有發光期間4的 SF2和具有發光期間8的SF32的配置。 透過使用圖1 7所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖1 7所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度3 1級，在像素B 中顯示灰度32級。圖18顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲28( = 8 + 8 + 8 + 4)級， 有時感受到灰度爲33 (=1 + 8 + 8 +16)級。雖然眼睛原來應該 感受到灰度爲31級和32級，但卻感受到灰度爲28級或33級 ，結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有的驅 動方法小，所以減少僞輪廓。 這樣，透過改變每個子框的配置次序，使眼睛感到錯 覺，與現有的驅動方法相比，可以減少視線移動時的灰度 差別。因此，可以比現有的驅動方法更減少僞輪廓。 此外，在圖1 7所示的例子中，交換 S F 2和 S F 3 2的配 -32- 200813956 (29) 置，但是交換配置的子框不局限於此。也可以選擇任意多 個子框來交換配置。此外，作爲交換配置的子框，較佳的 選擇發光期間最長的子框。這是因爲，透過交換發光期間 最長的子框，使眼睛感到錯覺，與現有的驅動方法相比， 可以減少視線移動時的灰度差別，並且進一步可以減少僞 輪廓的緣故。 此外，作爲子框的配置次序，更較佳的以發光期間的 昇冪或降冪進行配置。這是因爲，當以發光期間的昇冪或 降冪進行配置時，與現有的驅動方法相比，可以減少灰度 差別，並且進一步可以減少僞輪廓的緣故。 此外，在本實施例模式中，以每個子像素的面積比率 爲1 : 2，但不局限於此。例如，既可分割爲1 : 4，又可分 割爲1 : 8。 例如，當以每個子像素的面積比率爲1 : 1時，即使在 同一子框內使任何一個子像素發光，都得到相同的發光強 度。因此，在表示同一灰度之際，可以切換發光的子像素 。由此，可以防止聚集於特定的子像素的發光，從而防止 影像燒傷。 此外，在m個（m是m^2的整數）子像素中，第（s+1)個 子像素的面積爲第s個子像素的面積的兩倍。 就是說，第s個子像素的面積和第（s+l)個子像素的面積 的比率爲1 : 2。此外，在所述n個（n是nU的整數）子框 中，第（P+1)個子框（l^p^n-1)的發光期間的長度爲第p個 子框的發光期間的長度的2m倍。就是說，第p個子框的 - 33- 200813956 (30) 發光期間的長度和第（p + i)個子框的發光期間的長度的比 率爲1: 2m。由此，可以使用更少的子像素數量及更少的 子框數量表示更多級的灰度。此外’透過該方法可以表示 的灰度由於其變化率爲一定’所以可以顯示更平滑的灰度 ’以提尚影像品質。 此外，在本實施例模式中’子像素的數量爲兩個’但 不局限於此。 例如，以如下情況爲例子來說明：在以每個子像素的 面積比率爲1: 2: 4的方式’將一個像素分成三個子像素 (SP1、SP2、SP3)的同時，以每個子框的發光期間的比率 爲1 : 8的方式，將一個框分成兩個子框（SF1、SF2)，並且 將兩個子框（SF1、SF2)中的一個子框分成兩個子框。圖19 示出此情況的子像素及子框的選擇方法。此外，該例子對 應於 m = 3、n = 2。 這裏，將每個子像素的面積爲SP1 = 1、SP2 = 2、SP3=4 ，並且將每個子框的發光期間爲SF1 = 1、SF2 = 8。 在圖1 9中，將以每個子框的發光期間的比率爲1 : 8的 方式分成兩個的子框（SF1、SF2)中的一個子框還分成兩個 子框。例如，在將分成兩個子框的子框爲SF2的情況下， 將具有發光期間8的SF2分成兩個具有發光期間4的子框 SF21 、 SF22 。 由此，一個框分成三個子框，並且每個子框的發光期 間爲 SF1=1、 SF21=4、 SF22=4。 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框適用 -34- 200813956 (31) 疊加時間灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的 子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度 中保持發光。 在圖19所示的例子中，SP1的發光強度在SF21、SF22 爲4，因此疊加時間灰度法適用於SF21、SF22。換言之， SP1當表示灰度4級以上時，經常在SF21中發光，當表示 灰度8級以上時，經常在SF22中發光。與此同樣，SP2的 發光強度在SF21、SF22爲8，因此疊加時間灰度法適用於 這些子框中的 SF21。與此同樣，SP3的發光強度在SF21 、SF22爲16，因此疊加時間灰度法適用於SF21、SF22。 透過使用圖1 9所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖1 9所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度3 1級，在像素B 中顯示灰度32級。圖20顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲19(=1+2 + 8 + 4 + 4)級 ，有時感受到灰度爲36(=16 + 8 + 4 + 8)級。雖然眼睛原來應 該感受到灰度爲31級和32級，但卻感受到灰度爲19級或36 級，結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有的 驅動方法小，所以減少僞輪廓。 此外，在圖19所示的例子中，將SF2分成兩個子框， 但也可以將SF2分成三個以上的子框。例如，圖21顯示在 圖19中將SF2分成四個子框的情況的子像素及子框的選擇 方法。 -35- 200813956 (32) 在圖2 1所示的例子中，將以發光期間的比率爲1 : 8的 方式分成兩個的子框（SF1、SF2)中的具有發光期間8的 3?2還分成四個具有發光期間2的子框3?21、3?2 2、3?23 、SF24 ° 由此，一個框分成五個子框，並且每個子框的發光期 間爲 SF1=1、 SF21=2、 SF22=2、 SF23=2、 SF24=2〇 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框適用 疊加時間灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的 子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度 中保持發光。 在圖21所示的例子中，SP1的發光強度在 SF21至 S F 2 4爲2 ’因此暨加時間灰度法適用於S F 2 1至S F 2 4。換 言之，SP1當表示灰度2級以上時，經常在SF21中發光， 當表示灰度4級以上時，經常在SF22中發光，當表示灰度 6級以上時，經常在SF23中發光，當表示灰度8級以上時 ’經常在 SF24中發光。與此同樣，SP2的發光強度在 SF21至SF24爲4，因此疊加時間灰度法適用於81?21至 SF24。與此同樣，SP3的發光強度在SF21至SF24爲8，因 此疊加時間灰度法適用於S F 2 1至S F 2 4。 透過使用圖2 1所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 比’可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖2 1所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度3丨級，在像素b 中顯示灰度3 2級。圖2 2顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 - 36- 200813956 (33) 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲17(=1+2 + 4 + 2 + 4 + 4) 級，有時感受到灰度爲24( = 8 + 4 + 4 + 2 + 4 + 2)級。雖然眼睛原 來應該感受到灰度爲3 1級和32級，但卻感受到灰度爲1 7級 或24級，結果就引起僞輪廓。但是’由於灰度的差別比現 有的驅動方法小，所以減少僞輪廓。 此外，如圖21所示的例子，當SF2的分割數量多時， 具有最長發光斯間的子框數量多，從而不必進行抹除工作 的子框數量也多。由此，可以減少爲了進行抹除工作而消 費的電量。此外，可以提高占空比和亮度。此外’透過提 高占空比，可以減小施加發光元件的電壓。因此，可以減 少耗電量，並且減少發光元件的惡化。 此外，在某一灰度中，可以根據時間或位置改變子像 素及子框的選擇方法。換言之，既可根據時刻改變子像素 及子框的選擇方法，又可根據像素改變子像素及子框的選 擇方法。另外，可以根據時刻及像素改變。 例如，當表示某一灰度時，也可以在第奇數個框和第 偶數個框之間改變每個子框的子像素的選擇方法。例如， 也可以第奇數個框透過圖1所示的子像素及子框的選擇方 法表示灰度，第偶數個框透過圖1 5所示的子像素及子框的 選擇方法表示灰度。 這樣，透過在第奇數個框和第偶數個框之間對特別容 易産生僞輪廓的灰度改變子像素及子框的選擇方法，來可 以減少僞輪廓。 此外，當表示某一灰度時，也可以在顯示第奇數行像 -37- 200813956 (34) 素時和顯示第偶數行像素時之間改 方法。此外，當表不某一灰度時， 像素時和顯示第偶數列像素時之間 擇方法。 此外，當表示某一灰度時，也 偶數個框之間改變子框的數量或發 也可以第奇數個框透過圖1所示的 灰度，第偶數個框透過圖3所示的 灰度。 此外，當表示某一灰度時，也 素時和顯示第偶數行像素時之間改 間的比率。此外，當表示某一灰度 數列像素時和顯示第偶數列像素時 發光期間的比率。 此外，當表示某一灰度時，也 偶數個框之間改變子框的配置順序 個框透過圖1所示的子像素及子框 第偶數個框透過圖17所示的子像素 灰度。 此外，當表示某一灰度時，也 素時和顯示第偶數行像素時之間改 外，當表示某一灰度時，也可以在 顯示第偶數列像素時之間改變子框 這樣，透過在某一灰度中根據 變子像素及子框的選擇 也可以在顯示第奇數列 改變子像素及子框的選 可以在第奇數個框和第 光期間的比率。例如， 子像素的選擇方法表示 子像素的選擇方法表示 可以在顯示第奇數行像 變子框的數量或發光期 時，也可以在顯示第奇 之間改變子框的數量或 可以在第奇數個框和第 。例如，也可以第奇數 的選擇方法表示灰度， 及子框的選擇方法表示 可以在顯示第奇數行像 變子框的配置順序。此 顯示第奇數列像素時和 的配置和順序。 時間或位置而改變子像 - 38- 200813956 (35) 素及子框的選擇方法、子框的數量、發光期間的比率、或 者子框的配置順序，進一步可以使眼睛感到錯覺，並且減 小灰度的差別，從而與現有的驅動方法相比，可以減少僞 輪廓。 此外，在本實施例模式中，以6位元灰度（64級灰度） 的情況爲例舉出了，但是要顯示的灰度級數不局限於此。 例如，可以使用本發明的驅動方法表示8位元灰度（25 6級 灰度）。圖23至圖26示出此情況的例子。此外，圖23、圖 24、圖25、以及圖26分別示出在灰度0級至63級、灰度64 級至127級、灰度128級至191級、以及灰度192級至25 5級 中的子像素的選擇方法。 在圖23至圖26中，以每個子像素的面積比率爲1 : 2的 方式將一個像素分成兩個的子像素（SP1、SP2)，將一個框 以每個子框的發光期間的比率爲1 : 4 : 16 : 64的方式分成 四個子框（SF1至 SF4)，並且將四個子框（SF1至 SF4)中的 一個子框分成兩個子框。此外，該例子對應於m = 2、n = 4 ο 這裏，將每個子像素的面積爲SP1 = 1、SP2 = 2，而將 每個子框的發光期間爲 SF1=1、SF2=4、SF3=16、SF4=64 此外，在圖23至圖26中，將分成兩個子框的子框爲 SF4，並且將具有發光期間64的SF4分成兩個具有發光期 間32的子框SF41、SF42。 由此，一個框分成五個子框，並且每個子框的發光期 -39- 200813956 (36) 間爲 SF1=1、 SF2=4、 SF3=16、 SF41=32、 SF42=32° 此外，在每個子像素中，對發光強度相同的子框適用 疊加時間灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的 子框連續地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度 中保持發光。 在圖23至26所示的例子中，SP1的發光強度在SF41和 SF42爲32，因此疊加時間灰度法適用於SF41和SF42。換 言之，SP1當表示灰度32級以上時，經常在SF41中發光， 當表示灰度64級以上時，經常在SF42中發光。與此同樣 ，SP2的發光強度在SF41和SF42爲64，因此疊加時間灰 度法適用於SF41和SF42。 如上所述那樣，透過選擇在每個子框中發光的子像素 ，可以表示8位元灰度（25 6級灰度）。 透過使用圖2 3至圖2 6所示的驅動方法，與現有的驅動 方法相比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖23至圖26 所示的子像素及子框的選擇方法，在像素 A中顯示灰度 127級，在像素B中顯示灰度12 8級。圖27顯示在這種情況 下的每個子框中每個子像素發光/不發光的狀態。例如， 假設眼睛移動，根據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲 109(=1+4 + 8 + 32 + 32 + 32)級，有時感受到灰度爲 1 28 ( = 64 + 3 2 + 32) 級。雖然眼睛原來應該感受到灰度爲127級和128級，但卻 感受到灰度爲10 9級或128級，結果就引起僞輪廓。但是， 由於灰度的差別比現有的驅動方法小，所以減少僞輪廓。 這樣，透過使用本實施方式的驅動方法，與現有的驅 -40- 200813956 (37) 動方法相比，可以減少僞輪廓。此外，由 比，所以還可以提高亮度。此外，透過提 減少耗電量的同時，減少發光元件的惡化 此外，也可以互相組合而使用到此所 度級數、子框的發光期間的比率及分割方 順序、子像素的面積比率和數量、或者根 素及子框的選擇方法等內容。 實施例模式2 在實施例模式1中，說明了隨著灰度 光期間與其成線性比例地增加的情況。這 模式中，說明進行伽瑪校正的情況。 伽瑪校正是使得隨著灰度級數增加， 性的方式增加。即使亮度以線性比例增力口 知到按比例地變亮。亮度越高，越難以感 差異。因此，爲了使人眼感覺到明亮程度 發光期間隨著灰度級數的增加而變長，也 伽瑪校正。此外，當以灰度級數及亮度分 在伽瑪校正中的亮度和灰度的關係由以下 y = Αχγ (1) 此外，在公式（1)中，A是用來將亮I 使其在O^y^l的範圍內的常數。這裏，作j 的γ是表示伽瑪校正的程度的參數。 伽瑪校正的最簡單的方法是，準備比 於可以提高占空 高占空比，可以 〇 說明的顯示的灰 法、子框的配置 據灰度改變子像 級數的增加，發 裏，在本實施例 發光期間以非線 ，人眼也不能感 覺到明亮程度的 的差異，需要使 就是，需要進行 別爲X及y時， 公式1表示。 t y規範化，以 I灰度X的指數 實際要顯示的位 -41 - 200813956 (38) 元數（灰度級數）更多的位元數（灰度級數）以供顯示。例如 ’當要顯示6位元灰度（64級灰度）時，實際準備8位元灰度 (25 6級灰度）以供顯示。並且，當實際進行顯示時，以灰 度級數的亮度成爲非線性的方式顯示6位元灰度（64級灰度 )。這樣，可以實現伽瑪校正。 作爲一例，圖28示出設可以以6位元灰度（64級灰度） 顯示、進行伽瑪校正來以5位元灰度（32級灰度）顯示的情 況下的子像素及子框的選擇方法。 此外，在本實施例模式中，以如下情況爲例而進行說 明，即，以每個子像素的面積比率爲1 : 2的方式將一個像 素分成兩個的子像素（SP1、SP2)，將一個框以每個子框的 發光期間的比率爲1 : 4 : 16的方式分成三個子框（SF1、 SF2、SF3)，並且將三個子框（SF1至 SF3)中的一個子框分 成兩個子框。作爲具體例子，以使用圖1所示的子像素及 子框的選擇方法的情況爲例而進行說明。 圖2 8顯示在對整個灰度進行γ = 2.2的伽瑪校正來顯示5 位元灰度（3 2級灰度）的情況下的子像素及子框的選擇方法 。此外，γ = 2.2這數値是最佳地修正人類視覺感受特性的 數値，若用此數値，即使當亮度增大時，人眼也能夠感受 到最適當的明亮程度差別。在圖28中，在用伽瑪校正的5 位元中，使直至灰度3級，實際利用6位元的灰度〇級的子 像素及子框的選擇方法顯示。與此同樣，在用伽瑪校正的 5位元的灰度4級中，使此實際利用6位元的灰度1級而顯示 ，在用伽瑪校正的5位元的灰度6級中，使此實際利用6位 -42- 200813956 (39) 元的灰度2級而發光。這裏，將灰度χ和亮度y的·曲線圖 表示於圖29。圖29A表示在所有灰度中的灰度X和亮度y 的關係，而圖29B表示在低灰度區域中的灰度X和亮度y 的關係。這樣，製作用伽瑪校正的5位元灰度與6位元灰度 的對應表’根據該對應表選擇子像素及子框來顯示灰度即 可。由此，可以實現滿足γ = 2.2的伽瑪校正。 但是，由圖2 9 Β可見，在圖2 8的情況下，灰度〇級至 灰度3級、灰度4級至灰度5級、以及灰度6級至灰度7級分 別由相同的亮度顯示。這是因爲，在6位元顯示的情況下 由於灰度級數不足而不能表示亮度差別的緣故。作爲這一 情況的措施方法，可以考慮下列兩種方法。 第一方法是進一步增大可以顯示的位元數。換言之， 以不是6位兀而是7位兀以上，較佳的是8位元以上來顯示 。其結果，即使在低灰度區域中，也可以平滑地顯示。 第二方法是在低灰度區域中不滿足γ = 2.2的關係，而 以線性改變亮度，來平滑地顯示。圖30顯示此情況下的子 像素及子框的選擇方法。在圖30中，直至5位元的灰度17 級與6位元的灰度相同。但是，在用伽瑪校正的5位元灰度 1 8級中，實際利用6位元灰度1 9級的子像素及子框的選擇 方法來發光。與此同樣，在用伽瑪校正的5位元灰度1 9級 中，實際利用6位元灰度2 1級來顯示，在用伽瑪校正的5位 元灰度2 0級中，實際利用6位元灰度2 4級來顯示。這裏， 將灰度χ和亮度y的曲線圖表示於圖3 1。圖3 1 Α表示在所 有灰度中的灰度χ和亮度y的關係，而圖31B表示在低灰 -43- 200813956 (40) 度區域中的灰度χ和亮度y的曲線圖。在低灰度區域中， 亮度線性地改變。透過進行這種伽瑪校正，可以進一步平 滑地顯示低灰度區域。 換言之，透過在低灰度區域中成線性比例地改變亮度 ，並且在其他灰度區域中非線性地改變亮度，可以進一步 平滑地顯示低灰度區域。 此外，可以適當地改變用伽瑪校正的5位元灰度與6位 元灰度的對應表。因此，透過改變對應表，可以容易改變 伽瑪校正的程度（亦即γ的數値）。因此，本發明不局限於 γ = 2.2 〇 另外，至於待要實際可以顯示的位元數（例如Ρ位元 ，其中Ρ是整數）以及待應用伽瑪校正的位元數（例如q位 元，其中q是整數），不局限於此。在透過進行伽瑪校正 來顯示的情況下，爲了平滑地表示灰度，較佳的將位元數 (P)設定爲盡可能大。但是，若將數量P設定爲太大，則 可能出現子框數量增大等的問題。因此，較佳的、位元數 q與位元數ρ的關係滿足q + 2^p^q + 5。由此，可以實現在 平滑地表示灰度的同時，抑制子框數量。 這樣，透過使用本實施例模式中所述的方法進行伽瑪 校正，可以顯示更高清晰的影像。 此外，本實施例模式所述的內容可以透過與實施例模 式1所述內容進行任意組合來實現。 實施例模式3 -44- 200813956 (41) 在實施例模式1中，在每個子像素中，對發光強度相 同的子框適用疊加時間灰度法，但是，適用疊加時間灰度 法的子框不局限於此。在本實施例模式中，將說明在每個 子像素中對所有的子框適用疊加時間灰度法的情況。 在本實施例模式中，將說明將一個像素分成兩個面積 相同的子像素（SP1、SP2)，將一個框分成八個發光期間的 長度相同的子框（SF1至SF 8)的情況。圖32顯示此情況的 子像素及子框的選擇方法。 這裏，將每個子像素的面積爲SP1=SP2 = 1，而將每個子框 的發光期間爲 SF1 = SF2 = SF3 = SF4 = SF5 = SF6 = SF7 = SF8 = 1。 在圖32所示的例子中，由於每個子像素的面積都相同 ，並且每個子框的發光期間的長度都相同，因此在所有的 子像素及所有的子框中發光強度相同。具體而言，由於每 個子像素的面積爲1，並且每個子框的發光期間爲1，所以 發光強度爲1 X 1 = 1。 此外，在每個子像素中，對所有的子框適用疊加時間 灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的子框連續 地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度中保持發 光。 在圖32所示的例子中，SP1當表示灰度1級以上時經常 在SF1中發光，當表示灰度3級以上時經常在SF2中發光 ，當表示灰度5級以上時經常在SF3中發光’當表示灰度7 級以上時經常在SF4中發光，當表示灰度9級以上時經常 在SF5中發光，當表示灰度1 1級以上時經常在SF6中發光 -45- 200813956 (42) ，當表示灰度13級以上時經常在SF7中發光，並且當表示 灰度1 5級以上時經常在S F 8中發光。S P 2也同樣。 如上那樣，透過選擇在每個子框發光的子像素，可以 表示17級灰度。 透過使用圖32所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 比’可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖3 2所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度7級，在像素B 中顯示灰度8級。圖3 3顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲4(=1 + 1 + 1 + 1)級， 有時感受到灰度爲5 (=1 + 1 + 1 + 1 + 1)級。雖然眼睛原來應該 感受到灰度爲7級和8級，但卻感受到灰度爲4級或5級，結 果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比現有的驅動方 法小，所以減少僞輪廓。 此外’也可以使用誤差擴散、抖動擴散等影像處理技 術，來表示更多級灰度。 此外，在圖32所示的例子中，每個子像素的面積都相 同，並且每個子框的發光期間的長度都相同，但是不局限 於此。 例如，將說明將一個像素以每個子像素的面積比率爲 1: 2的方式分成兩個子像素（SP1、SP2)，將一個框分成八 個發光期間的長度相同的子框（SF1至SF 8)的情況。圖34 顯示此情況的子像素及子框的選擇方法。 這裏，將每個子像素的面積爲SP1 = 1，SP2 = 2，而將每個 -46- 200813956 (43) 子框的發光期間爲 SF1=SF2 = SF3 = SF4 = SF5 = SF6 = SF7 = SF8 = 1。 此外，在每個子像素中，對所有的子框適用疊加時間 灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的子框連續 地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度中保持發 光。 在圖34所示的例子中，SP1當表示灰度1級以上時， 經常在SF1中發光，當表示灰度4級以上時，經常在SF2 中發光，當表示灰度7級以上時，經常在SF3中發光，當 表示灰度10級以上時，經常在SF4中發光，當表示灰度13 級以上時，經常在SF5中發光，當表示灰度16級以上時， 經常在SF6中發光，當表示灰度19級以上時，經常在SF7 中發光，當表示灰度22級以上時，經常在SF8中發光。 S P 2也同樣。 如上那樣，透過選擇在每個子框發光的子像素，可以 表示在灰度〇級至24級中的17級灰度。此外，在灰度0級至 2 4級中不能表示的其他灰度透過使用誤差擴散、抖動擴散 等影像處理技術來表示。由此，可以表示在灰度0級至24 級中的25級灰度。 透過使用圖3 4所示的驅動方法，與現有的驅動方法相 比，可以減少僞輪廓。例如，假設使用圖3 4所示的子像素 及子框的選擇方法，在像素A中顯示灰度1 5級，在像素B 中顯示灰度1 6級。圖3 5顯示在這種情況下的每個子框中每 個子像素發光/不發光的狀態。例如，假設眼睛移動，根 據眼睛的運動，眼睛有時感受到灰度爲1 0( = 2 + 2 + 2+ 1 + 1 +2) -47- 200813956 (44) 級，有時感受到灰度爲11(=1+2 + 2 + 2 + 2 + 1 + 1)級。雖然眼睛 原來應該感受到灰度爲1 5級和1 6級，但卻感受到灰度爲1 〇 級或1 1級，結果就引起僞輪廓。但是，由於灰度的差別比 現有的驅動方法小，所以減少僞輪廓。 此外，也可以使用誤差擴散、抖動擴散等影像處理技 術來表示更多級灰度。 此外，作爲另一個例子，將說明將一個像素以每個子 像素的面積比率爲1: 2的方式分成兩個子像素（SP1、SP2) ，將一個框以每個子框的發光期間的比率爲1 : 4 : 1 6的方 式分成三個子框（SF1至 SF3)，並且將該三個子框（SF1至 S F 3 )中兩個子框還分成多個子框的情況。圖3 6顯示此情況 的子像素及子框的選擇方法。此外，在圖3 6所示的例子中 ，以分成多個子框的子框爲SF2、SF3。 這裏，將每個子像素的面積爲SP1 = 1，SP2 = 2，而將 每個子框的發光期間爲SF1=1、 SF2=4、 SF3=16。 圖36所示的例子顯示將SF2分成兩個子框，而將SF3 分成四個子框的情況。例如，將具有發光期間4的S F2分 成兩個具有發光期間2的子框SF21、SF22。此外，將具有 發光期間16的SF3分成四個具有發光期間4的子框SF31、 SF32 、 SF33 、 SF34 ° 由此，一個框分成七個子框，每個子框的發光期間爲 S F1 = 1、SF21=2、SF22 = 2、SF31=4、SF32 = 4、SF33=4、 SF34=4 ° 此外，在每個子像素中，對所有的子框適用疊加時間 -48- 200813956 (45) 灰度法。換言之，設定爲隨著灰度變大，發光的子框連續 地增加，並且使在小灰度中發光的子框在大灰度中保持發 光。 在圖36所示的例子中，SP1當表示灰度1級以上時， 經常在SF1中發光，當表示灰度5級以上時，經常在SF21 中發光，當表示灰度11級以上時，經常在SF22中發光， 當表示灰度19級以上時，經常在SF31中發光，當表示灰 度3 1級以上時，經常在SF32中發光，當表示灰度43級以 上時，經常在SF33中發光，當表示灰度55級以上時，經 常在SF34中發光。SP2也同樣。 如上那樣，透過選擇在每個子框發光的子像素，可以 表示在灰度0級至6 3級中的1 7級灰度。此外，在灰度0級至 63級中不能表示的其他灰度透過使用誤差擴散、抖動擴散 等影像處理技術來表示。由此，可以表示在灰度0級至6 3 級中的64級灰度。 此外，也可以使用誤差擴散、抖動擴散等影像處理技 術來表示更多級灰度。 這樣，透過使用本實施例模式的驅動方法，與現有的 驅動方法相比，可以減少僞輪廓。 此外，如圖32和圖3 4所示的例子，當所有的子框的發 光期間的長度相同時，不必在所有的子框中進行抹除工作 ’因此，可以消除爲了進行抹除工作而耗損的電量。此外 ’可以提高占空比，以提高亮度。此外，透過提高占空比 ’可以減小施加發光元件的電壓。從而，可以減少耗電量 -49- 200813956 (46) ，以減少發光元件的惡化。 此外，本實施例模式所述的內容可以透過與實施例模 式1至實施例模式2所述內容進行任意組合來實現。 實施例模式4 在本'實施例模式中，使用時序圖說明本發明的顯示裝 置的工作。 此外，在本實施例模式中，以如下情況爲例而進行說 明，即，將一個像素以每個子像素的面積比率爲1 : 2的方 式分成兩個子像素（SP1、SP2)，將一個框以每個子框的發 光期間的比率爲1 : 4 : 16的方式分成三個子框（SF1、SF2 、SF3)，並且將三個子框（SF1至SF3)中的一個子框分成 兩個子框。作爲具體例子，以使用圖1所示的子像素及子 框的選擇方法的情況爲例而進行說明。 首先，圖3 7示出將信號寫入到像素的期間和發光期間 被分離的情況的時序圖。 此外，時序圖是一種表示像素在一框內發光時序的圖 ，橫方向表示時間，而縱方向表示配置有該像素的列。 首先，在信號寫入期間中，將一個螢幕的信號輸入到 所有的像素。在該期間中，像素不發光。在信號寫入期間 結束之後，發光期間開始，像素發光。此時，發光期間的 長度是1。接著，下一個子框開始，在信號寫入期間中， 將一個螢幕的信號輸入到所有的像素。在該期間中，像素 不發光。在信號寫入期間結束之後，發光期間開始，像素 -50- 200813956 (47) 發光。此時，發光期間的長度是4。 透過反復同樣工作，發光期間的長度以1、4、8、8的 次序配置。 這樣，將信號寫入到像素的期間和發光期間被分離的 驅動方法較佳的適用於電漿顯示器。此外，在用於電漿顯 示器的情況下，必須要進行初始化等的工作。然而，在圖 37中爲簡單而省略了。 此外，所述驅動方法還較佳的適用於EL顯示器（有機 EL顯示器、無機EL顯示器、或者由包含無機和有機的元 件構成的顯示器等）、場致發光顯示器、使用數位微鏡裝 置（DMD)的顯示器等。 這裏，圖3 8顯示爲了實現將信號寫入到像素的期間和 發光期間被分離的驅動方法的像素結構。此外，在圖3 8中 ，將每個子像素的面積由發光元件的數量來表示。從而， 子像素1(SP1)記載有一個發光元件，而子像素2(SP2)記載 有兩個發光元件。 首先，對圖38所示的像素結構進行說明。SP1包括第 一選擇電晶體3 8 1 1、第一驅動電晶體3 8 1 3、第一儲存電容 器3 8 1 2、信號線3 8 1 5、第一電源線3 8 1 6、第一掃描線3 8 1 7 、第一發光元件3 8 1 4、以及第二電源線3 8 1 8。 至於第一選擇電晶體3 8 1 1，閘極電極連接於第一掃描 線3 8 1 7，第一電極連接於信號線3 8 1 5，第二電極連接於第 一儲存電容器3812的第二電極、以及第一驅動電晶體3813 的閘極電極。至於第一儲存電容器3 8 1 2，第一電極連接於 -51 - 200813956 (48) 第一電源線3 8 1 6。至於第一驅動電晶體3 8 1 3，第一電極連 接於第一電源線3 8 1 6，第二電極連接於第一發光元件3 8 1 4 的第一電極。至於第一發光元件3814，第二電極連接於第 二電源線3 8 1 8。 SP2包括第二選擇電晶體3821、第二驅動電晶體3823 、第二儲存電容器3 822、信號線3815、第一電源線3816、 第二掃描線3 827、第二發光元件3 824、以及第三電源線 3 828。此外，SP2的每個元件及佈線的連接與SP1相同， 所以省略其說明。 接著，說明圖38所示的像素工作。這裏說明 SP1的工 作。透過提高第一掃描線3 8 1 7的電位，選擇第一掃描線 3 8 1 7，使第一選擇電晶體3 8 1 1導通，且將信號從信號線 3815輸入到第一儲存電容器3812中。然後，根據該信號， 第一驅動電晶體3 8 1 3的電流被控制，電流因而從第一電源 線38 16流到第一發光元件3814。此外，SP2的工作與SP1 的工怍相同，所以省略其說明。 此時，根據第一及第二掃描線中選擇哪個掃描線，發 光的發光元件的數量改變。例如，在僅選擇第一掃描線 38 17的情況下，第一選擇電晶體3811僅僅導通，第一驅動 電晶體38 13的電流僅被控制，從而第一發光元件38 14僅發 光。就是說，僅SP1發光。另一方面，在僅選擇第二掃描 線3 827的情況下，第二選擇電晶體3 82 1僅僅導通，第二驅 動電晶體3 823的電流僅被控制，從而第二發光元件3 824僅 發光。就是說，僅SP2發光。此外，當選擇第一及第二掃 -52- 200813956 (49) 描線3817、3827的雙方時，第一及第二選擇電晶體3811、 3 82 1導通，第一及第二驅動電晶體3813、3 823的電流被控 制，從而第一及第二發光元件3814、3824的雙方發光。就 是說，SP1和SP2的雙方都發光。 此外，在信號寫入期間中，設定爲透過控制第二及第 三電源線3818、3828的電位，發光元件3814、3824不被施 加電壓。例如，在SP1中，使第二電源線38 18爲浮動狀態 即可。或者，使第二電源線3 8 1 8的電位比信號線3 8 1 5的電 位低與第一驅動電晶體3 8 1 3的臨界値電壓相同的電壓量即 可。此外，也可使第二電源線3 8 1 8的電位爲與信號線3 8 1 5 的電位相同，或者比信號線381 5的電位高。其結果，在信 號寫入期間中，可以避免發光元件3814發光。此外，SP2 也同樣。 此外，第二電源線381 8和第三電源線3 828既可爲互不 相同的佈線，也可爲共同的佈線。 此外，在將一個像素分成m個（m是mk2的整數）子像 素的情況下，爲了實現圖3 8所示的像素結構，而將一個像 素所具有的掃描線數量爲兩條以上且m條以下，並且將 m個子像素中至少一個子像素所具有的選擇電晶體連接到 與其他子像素所具有的選擇電晶體不同的掃描線即可。 此外，圖3 8是如下情況的結構例子，即，設置多個掃 插線，控制將選擇的掃描線來改變發光的發光元件的數量 ’而表示灰度，然而，也可以採用如下方法，即，設置多 個信號線，控制對哪個信號線輸入怎樣的信號，來改變發 -53- 200813956 (50) 光的發光元件的數量，而表示灰度。圖39示出該情況的結 構例子。 首先，對圖39所示的像素結構進行說明。SP1包括第 一選擇電晶體3 9 1 1、第一驅動電晶體3 9 1 3、第一保持電容 器3 9 1 2、第一信號線3 9 1 5、第一電源線3 9 1 6、掃描線3 9 1 7 、第一發光元件3 9 1 4、以及第二電源線3 9 1 8。 至於第一選擇電晶體3 9 1 1，閘極電極連接於掃描線 3917，第一電極連接於第一信號線3915，第二電極連接於 第一儲存電容器3 9 1 2的第二電極、以及第一驅動電晶體 3913的閘極電極。至於第一儲存電容器3912，第一電極連 接於第一電源線3 9 1 6。至於第一驅動電晶體3 9 1 3，第一電 極連接於第一電源線3 9 1 6，第二電極連接於第一發光元件 3914的第一電極。至於第一發光元件3914，第二電極連接 於第二電源線3918。 SP2包括第二選擇電晶體3 92 1、第二驅動電晶體3923 、第二儲存電容器3922、第二信號線3 925、第一電源線 3916、掃描線3917、第二發光元件3 924、以及第三電源線 3 9 2 8。S P 2的每個元件及佈線的連接與S P 1相同，所以省 略其說明。 接著，說明圖39所示的像素工作。這裏說明SP1的工 作。透過提高掃描線3 9 1 7的電位，選擇掃描線3 9 1 7，使第 一選擇電晶體3 9 1 1導通’且將視頻信號從第一信號線3 9 1 5 輸入到第一儲存電容器3 9 1 2中。然後，根據該視頻信號’ 第一驅動電晶體3 9 1 3的電流被控制’電流因而從第一電源 -54 - 200813956 (51) 線391 6流到第一發光元件3914。此外，SP2的工作與 的工作相同，所以省略其說明。 此時，根據對第一及第二信號線輸入的視頻信號 光的發光元件的數量改變。例如，當將Low信號輸 第一信號線3915，並且將High信號輸入到第二信 3 925時，第一驅動電晶體39 13僅導通，從而第一發光 39 14僅發光。就是說，僅SP1發光。另一方面，當將 信號輸入到第一信號線3 9 1 5，並且將L 〇 %信號輸入 二信號線3 925時，第二驅動電晶體3 923僅導通，從而 發光元件3 924僅發光。就是說，僅SP2發光。此外， Low信號輸入到第一及第二信號線3915、3 925時，第 第二驅動電晶體3913、3923都導通，從而第一及第二 元件3914、3924發光。就是說，SP1和SP2的雙方都 〇 這裏，透過控制輸入到第一及第二信號線3 9 1 5、 的視頻信號的電壓，可以控制流入到第一及第二發光 39 14、3924的電流。其結果，可以改變每個子像素的 來表示灰度。例如，在具有發光期間1的SF1中，當 面積1的SP1發光時，發光強度爲1，但是透過改變輸 第一信號線3 9 1 5的視頻信號的電壓大小，可以改變第 光元件3914的亮度。由此，與透過利用子像素的面積 框的發光期間的長度來可表示的灰度級數相比，可以 更多的灰度級數。此外，除了子像素的面積及子框的 期間的長度以外，透過使用施加到每個子像素所具有 SP1 ，發 入到 號線 元件 High 到第 第二 當將 一及 發光 發光 3925 元件 亮度 具有 入到 一發 及子 表示 發光 的發 - 55- 200813956 (52) 光元件的電壓來表示灰度，可以進一步減少爲 的灰度級數而需要的子像素的數量及子框的數 可以提高像素部的開口率。此外，可以提高占 。此外，透過提高占空比，可以減小施加到發 壓。因此，可以減少耗電量，並且減少發光元 此外，在將一個像素分成m個子像素（m 數）的情況下，爲了實現圖3 9所示的像素結構 像素所具有的信號線的數量爲兩條以上且m 且將m個子像素中至少一個子像素所具有的 連接到與其他子像素所具有的選擇電晶體不同 可〇 此外，在圖3 8、圖3 9中，每個子像素連接 源線（第一電源線3 8 1 6、3 9 1 6)，但是也可以設 於圖3 8、圖3 9中的第一電源線的電源線，來改 像素的電源電壓。例如，圖4 0示出在圖3 8中， 相當於第一電源線的電源線的情況的結構例子 首先，對圖4 0所不的像素結構進行說明< —選擇電晶體4011、第一驅動電晶體4013、第 器4 0 1 2、信號線4 0 1 5、第一電源線4 0 1 6、第一 、第一發光元件4 0 1 4、以及第二電源線4 0 1 8。 至於第一選擇電晶體4 0 1 1，閘極電極連接 線4017，第一電極連接於信號線4015，第二電 一儲存電容器4012的第二電極、以及第一驅動 的閘極電極。至於第一儲存電容器40 1 2，第一 了表示相同 量。由此， 空比和亮度 光元件的電 件的惡化。 是m^2的整 ’而將一個 條以下，並 選擇電晶體 的信號線即 有共同的電 置多個相當 變施加到子 存在有兩條 〇 SP1包括第 一儲存電容 掃描線4 0 1 7 於第一掃描 極連接於第 電晶體4013 電極連接於 -56- 200813956 (53) 第一電源線4016。至於第一驅動電晶體4013，第一電極連 接於第一電源線4016，第二電極連接於第一發光元件4014 的第一電極。至於第一發光元件4014，第二電極連接於第 二電源線4018。 SP2包括第二選擇電晶體402 1、第二驅動電晶體4023 、第二儲存電容器4022、信號線4015、第二掃描線4027、 第二發光元件4〇24、第三電源線4028、以及第四電源線 4026。此外，SP2的每個元件及佈線的連接與SP1相同， 所以省略其說明。 這裏，透過控制施加到第一及第四電源線4 0 1 6、4 0 2 6 的電壓，可以控制流入到第一及第二發光元件4 0 1 4、4 0 2 4 的電流。其結果，可以改變每個子像素的亮度來表示灰度 。例如，在具有發光期間1的SF1中，當具有面積1的SP1 發光時，發光強度爲1，但是透過改變施加到第一電源線 4016的電壓大小，可以改變第一發光元件4014的亮度。由 此，與透過利用子像素的面積及子框的發光期間的長度來 可表示的灰度級數相比，可以表示更多的灰度級數。此外 ，除了子像素的面積及子框的發光期間的長度以外，透過 使用施加到每個子像素所具有的發光元件的電壓來表示灰 度’可以進一步減少爲了表示相同的灰度級數而需要的子 像素的數量及子框的數量。由此，可以提高像素部的開口 率。此外，可以提高占空比和亮度。此外，透過提高占空 比，可以減小施加到發光元件的電壓。因此，可以減少耗 電量，並且減少發光元件的惡化。 -57- 200813956 (54) 此外，在將一個像素分成m個子像素（m是m^2的整 數）的情況下，爲了實現圖40所示的像素結構，而將一個 像素所具有的相當於圖3 8、圖3 9中的第一電源線的電源線 的數量爲兩條以上且m條以下，並且將m個子像素中至 少一個子像素所具有的驅動電晶體連接到與其他子像素所 具有的驅動電晶體不同的所述電源線即可。 接著，圖4 1示出將信號寫入到像素的期間和發光期間 沒有分離的情況的時序圖。在每個列中，一進行信號寫入 工作，就開始發光期間。 在某一列中，在寫入信號且預定發光期間結束之後， 開始在下一子框中的信號的寫入工作。透過反復該工作， 發光期間的長度以1、4、8、8的順序配置。 以這樣的方式，即使信號的寫入工作很慢，可以在一 個框中配置多個子框。 這樣的驅動方法較佳的適用於電漿顯示器。此外，在 用於電漿顯示器的情況下，必須要初始化等的工作，但是 在圖41中爲簡單而省略。 此外’所述驅動方法還較佳的適用於EL顯示器、場 致發光顯示器、使用數位微鏡裝置（DMD)的顯示器等。 這裏’圖42示出爲了實現將信號寫入到像素的期間和 發光期間沒有分離的驅動方法的像素結構。此外，爲了實 現這種驅動方法，必須要可以同時選擇多個列。 首先’對圖4 2所示的像素結構進行說明。s P 1包括第 一選擇電晶體4211、第二選擇電晶體422 1、第一驅動電晶 -58- 200813956 (55) 體4213、第一儲存電容器4212、第一信號線4215、第二信 號線4225、第一電源線42 16、第一掃描線4217、第二掃描 線4227、第一發光元件4214、以及第二電源線4218。 至於第一選擇電晶體42_1 1，閘極電極連接於第一掃描 線4217，第一電極連接於第一信號線4215，第二電極連接 於第二選擇電晶體422 1的第二電極、第一儲存電容器42 12 的第二電極、以及第一驅動電晶體42 1 3的閘極電極。至於 第二選擇電晶體422 1，閘極電極連接於第二掃描線4227， 第一電極連接於第二信號線4225。至於第一儲存電容器 42 12，第一電極連接於第一電源線4216。至於第一驅動電 晶體4213，第一電極連接於第一電源線4216，第二電極連 接於第一發光元件42 14的第一電極。至於第一發光元件 42 14，第二電極連接於第二電源線4218。 SP2包括第三選擇電晶體423 1、第四選擇電晶體424 1 、第二驅動電晶體4223、第二儲存電容器4222、第一信號 線4215、第二信號線4225、第一電源線4216、第三掃描線 4237、第四掃描線4247、第二發光元件4224、以及第三電 源線422 8。SP2的每個元件及佈線的連接與SP1相同，所 以省略其說明。 接著，說明圖42所示的像素工作。這裏說明SP1的工 作。透過提高第一掃描線42 1 7的電位，選擇第一掃描線 4217，使第一選擇電晶體421 1導通，且將信號從第一信號 線42 15輸入到第一儲存電容器42 12中。然後，根據該信號 ，第一驅動電晶體4 2 1 3的電流被控制，電流因而從第一電 -59- 200813956 (56) 源線42 1 6流到第一發光元件4214。與此同樣，透過提高第 二掃描線4227的電位，選擇第二掃描線4227，使第二選擇 電晶體422 1導通，且將信號從第二信號線4225輸入到第一 儲存電容器42 12中。然後，根據該信號，第一驅動電晶體 42 1 3的電流被控制，電流因而從第一電源線42 1 6流到第一 發光元件4214。此外，SP2的工作與SP1的工作相同，所 以省略其說明。 第一掃描線42 17和第二掃描線422 7可以分別控制。與 此同樣，第三掃描線4237和第四掃描線4247可以分別控制 。此外，第一信號線42 1 5和第二信號線422 5可以分別控制 。因此，由於可以將信號同時輸入到兩列像素，所以可以 實現如圖4 1的驅動方法。 此外，可以使用圖3 8的像素結構，來實現如圖4 1所示 的驅動方法。此時，使用將一個閘極選擇期間分成多個子 閘極選擇期間的方法。首先，如圖43所示，將一個閘極選 擇期間分成多個（在圖43中爲兩個）子閘極選擇期間。然後 ，在每個子閘極選擇期間內，透過提高每個掃描線的電位 來選擇每個掃描線，此時將對應的信號輸入到信號線3 8 1 5 。例如，在某一閘極選擇期間中，在前一半的子閘極選擇 期間中選擇第i列，而在後一半的子閘極選擇期間中選擇 第j列。由此，可以操作爲仿佛在一個閘極選擇期間中同 時選擇兩列地工作。 此外，這種驅動方法的詳細內容例如記載於特開 200 1 -3 249 5 8號公報等，其內容可以與本發明組合而適用 -60- 200813956 (57) 此外，在圖42中顯示設置有多個掃描線的例子，但是 ，也可以設置一條信號線，並且將第一至第四選擇電晶體 的第一電極連接到信號線。此外，也可以設置多個相當於 圖4 2中的第一電源線的電源線。 接著，圖44示出抹除像素的信號的情況的時序圖。在 每個列中，進行信號寫入工作，在下一信號寫入工作到來 之前，抹除像素的信號。透過這種方式，可以容易控制發 光期間的長度。 在某一列中，在寫入信號且預定發光期間結束之後， 開始下一子框中的信號寫入工作。如果發光期間短的話， 則進行信號抹除工作，來勉強地處於不發光狀態。透過反 復這種工作，發光期間的長度以1、4、8、8的順序配置。 此外，在圖44中，當發光期間爲1和4時，進行信號抹 除工作，但是不局限於此。也可以在其他發光期間中，進 行抹除工作。 透過這樣的方式，即使信號的寫入工作很慢，可以在 一個框中配置多個子框。此外，在進行抹除工作的情況下 ，由於不必與視頻信號同樣取得用來抹除的資料，所以也 可以降低信號線驅動電路的驅動頻率。 這樣的驅動方法較佳的適用於電漿顯示器。此外，在 用於電漿顯示器的情況下，必須要初始化等的工作，但是 在圖44中爲簡單而省略。 此外，所述驅動方法還較佳的適用於EL顯示器、場 -61 - 200813956 (58) 致發光顯示器、使用數位微鏡裝置（DMD)的顯示器等。 追裏’圖4 5顯不進行抹除工作的情況的像素結構。圖 45所示的像素是使用抹除電晶體來進行抹除工作的情況的 結構例子。 首先，對圖45所示的像素結構進行說明。SP1包括第 一選擇電晶體4511、第一驅動電晶體4513、第一抹除電晶 體4519、第一儲存電容器4512、信號線4515、第一電源線 4 5 1 6、第一掃描線4 5 1 7、第二掃描線4 5 2 7、第一發光元件 4514、 以及第二電源線4518。 至於第一選擇電晶體4511，閘極電極連接於第一掃描 線4 5 1 7，第一電極連接於信號線4 5 1 5，第二電極連接於第 一抹除電晶體4519的第二電極、第一儲存電容器4512的第 二電極、以及第一驅動電晶體45 1 3的閘極電極。至於第一 抹除電晶體4 5 1 9，閘極電極連接於第二掃描線4 5 2 7，第一 電極連接於第一電源線4 5 1 6。至於第一儲存電容器4 5 1 2， 第一電極連接於第一電源線4 5 1 6。至於第一驅動電晶體 4513，第一電極連接於第一電源線4516，第二電極連接於 第一發光元件4514的第一電極。至於第一發光元件4514， 第二電極連接於第二電源線45 1 8。 SP2包括第二選擇電晶體4521、第二驅動電晶體4523 、第二抹除電晶體4529、第二儲存電容器4522、信號線 4515、 第一電源線4516、第三掃描線4537、第四掃描線 •4547、第二發光元件4524、以及第三電源線4 5 2 8 〇 SP2的 每個元件及佈線的連接與SP1相同，所以省略其說明。 -62- 200813956 (59) 接著，說明圖45所示的像素工作。這裏說明SP1的工 作。透過提高第一掃描線4 5 1 7的電位，選擇第一掃描線 45 17，使第一選擇電晶體4511導通，且將信號從信號線 45 15輸入到第一儲存電容器45 12中。然後，根據該信號， 第一驅動電晶體45 1 3的電流被控制，電流因而從第一電源 線45 16流到第一發光元件4514。 當想要抹除信號時，透過提高第二掃描線4527的電位 ’選擇第二掃描線4527，使第一抹除電晶體45 19導通，且 使第一驅動電晶體4 5 1 3關斷。然後，電流不流入到第一發 光元件4 5 1 4。其結果，可以製作不發光期間，從而自由地 控制發光期間的長度。 此外，SP2的工作與SP1的工作相同，所以省略其說 明。 在圖45中，使用抹除電晶體4519、4529來進行抹除工 作，但是可以使用其他方法。這是因爲，只要勉強地製作 不發光期間即可，即，使電流不供應到發光元件4 5 1 4、 4 5 24即可的緣故。因此，在電流從第一電源線45 16經過發 光元件4514、4524流入到第二及第三電源線4518、4528的 路徑中配置開關器，控制該開關器的開關來製作不發光期 間即可。或者，透過控制驅動電晶體4 5 1 3、4 5 2 3的閘極/ 源極之間電壓來使驅動電晶體勉強地關斷即可。 追裏’圖4 6不出使驅動電晶體勉強地關斷的情況的像 素結構的例子。圖46所示的像素是使用抹除二極體來使驅 動電晶體勉強地關斷的情況的結構例子。 -63- 200813956 (60) 首先，對圖4 6所示的像素結構進行說明。s P 1包括第 一選擇電晶體4611、第一驅動電晶體4613、第一儲存電容 器4612、信號線4615、第一電源線46 16、第一掃描線461 7 、第二掃描線4627、第一發光元件4614、第二電源線4618 、以及第一抹除二極體4619。 至於第一選擇電晶體46 1 1，閘極電極連接於第一掃描 線4617，第一電極連接於信號線4615，第二電極連接於第 一抹除二極體4619的第二電極、第一儲存電容器4612的第 二電極、以及第一驅動電晶體46 1 3的閘極電極。至於第一 抹除二極體4619，第一電極連接於第二掃描線4627。至於 第一儲存電容器4612，第一電極連接於第一電源線4616。 至於第一驅動電晶體46 1 3，第一電極連接於第一電源線 4616，第二電極連接於第一發光元件4614的第一電極。至 於第一發光元件4614，第二電極連接於第二電源線4618。 SP2包括第二選擇電晶體462 1、第二驅動電晶體4623 、第二儲存電容器4622、信號線4615、第一電源線4616、 第三掃描線463 7、第四掃描線4647、第二發光元件4624、 第三電源線4628、以及第二抹除二極體4629。SP2的每個 元件及佈線的連接與SP 1相同，所以省略其說明。 接著，說明圖46所示的像素工作。這裏說明SP1的工 作。透過提高第一掃描線46 1 7的電位，選擇第一掃描線 4617，使第一選擇電晶體4611導通，且將信號從信號線 461 5輸入到第一儲存電容器4612中。然後，根據該信號， 第一驅動電晶體46 1 3的電流被控制，電流因而從第一電源 -64 - 200813956 (61) 線4 6 1 6流到第一發光元件4 6 1 4。 當想要抹除信號時’透過提高第二掃描線4627的電位 ，選擇第二掃描線4627’使第一抹除二極體4619導通，來 使電流從第二掃描線4627流入到第一驅動電晶體46 13的閘 極電極。其結果，第一驅動電晶體46 1 3關斷。然後，電流 從第一電源線461 6不流入到第一發光元件4614。其結果， 可以製作不發光期間’從而自由地控制發光期間的長度。 當保持信號時，透過降低第二掃描線4627的電位，不 選擇第二掃描線4627。然後，第一抹除二極體461 9關斷， 從而第一驅動電晶體46 13的閘極電位得到保持。 此外，S P 2的工作與S P 1的工作相同，所以省略其說 明。 此外，抹除二極體4619、462 9只要是具有整流性的元 件就可以是任何元件。也可以是PN型二極體、PIN型二 極體、肯特基二極體、或者齊納型二極體。 此外，也可使用二極體連接（連接閘極和汲極）的電晶 體。圖47顯示此情況的電路圖。作爲第一及第二抹除二極 體46 19、4629，使用二極體連接的電晶體4719、4729。此 外，在圖47中，作爲二極體連接的電晶體，使用N通道 型，但是不局限於此。也可以使用P通道型。 此外，作爲另一個方法，可以使用圖3 8的像素結構， 來實現如圖44所示的驅動方法。此時，使用將一個閘極選 擇期間分成多個子閘極選擇期間的方法。首先，如圖43所 示，將一個閘極選擇期間分成多個（在圖4 3中爲兩個）子閘 -65- 200813956 (62) 極選擇期間。然後，在每個子閘極選擇期間內，透過提高 每個掃描線的電位來選擇每個掃描線，此時將對應的信號 (視頻信號和用來抹除的信號）輸入到信號線3 8 1 5。例如’ 當對第Π列行像素寫入信號，且在第j列像素抹除信號時 ，在某一閘極選擇期間中，在前一半的子閘極選擇期間中 選擇第i列，而在後一半的子閘極選擇期間中選擇第j列 。並且，在選擇第i列的期間中，將要輸入到第i列像素 的視頻信號輸入到信號線3 8 1 5。另一方面，在選擇第j列 的期間中，將第j列像素的驅動電晶體關斷的信號輸入到 信號線3 8 1 5。由此，可以操作爲仿佛在一個閘極選擇期間 中同時選擇兩列，並且進行信號寫入工作和信號抹除工作 〇 此外，這種驅動方法的詳細內容例如記載於特開 200 1 -32495 8號公報等，其內容可以與本發明組合而適用 〇 此外，在圖45至圖47中顯示設置有多個掃描線的例子 ，但是，既可設置多個信號線，又可設置多個相當於圖45 至圖47中的第一電源線的電源線。 此外，本實施例模式所示的時序圖、像素結構、以及 驅動方法僅僅是一個例子，不局限於此。本發明可以適用 於各種時序圖、像素結構、以及驅動方法。此外，在本實 施例模式所示的像素結構中，電晶體的極性並沒有限定。 此外，在本實施例模式中，一個框內配置有發光期間 、信號寫入期間、以及不發光期間，不局限於此。也可以 -66 - 200813956 (63) 配置有其他工作期間。例如，也可以設置將施加到發光元 件的電壓轉換爲與一般相反的極性的期間，所謂的反偏壓 期間。透過設置反偏壓期間，有時提高發光元件的可靠性 〇 此外，在本實施例模式中所示的像素結構中，儲存電 容器可以代替電晶體的寄生電容來省略。 此外，本實施例模式所述的內容可以透過與實施例模 式1至實施例模式3所述內容進行任意組合來實現。 實施例模式5 在本實施例模式中，將說明本發明的顯示裝置中的像 素佈局。作爲一個例子，圖48示出圖38所示的像素結構的 佈局圖。此外，圖48中所記載的附圖標記對應於圖38中所 記載的附圖標記。此外，佈局方法不局限於圖48。 圖48所示的佈局圖中配置有第一及第二選擇電晶體 3811及3 82 1、第一及第二驅動電晶體38 13及3 823、第一及 第二儲存電容器3812及3822、第一發光元件3814的電極 3819及第二發光元件3 824的電極3 829、信號線3815、第一 電源線3816、以及第一'及第二掃描線3817及3827。並且， 第一發光元件3814的電極3819和第二發光元件38 24的電極 3 829的面積比率爲1 : 2。 信號線38 15和第一電源線38 16各由第二佈線形成，而 第一及第二掃描線381 7和3 827各由第一佈線形成。 在電晶體是頂閘結構的情況下，各個膜按基板、半導 -67- 200813956 (64) 體層、閘極絕緣膜、第一佈線、層間絕緣膜、第二佈線的 順序形成。此外，在電晶體是底閘結構的情況下，各個膜 按基板、第一佈線、閘極絕緣膜、半導體層、層間絕緣膜 、第二佈線的順序形成。 此外，第一及第二選擇電晶體3811及3 82 1、第一及第 二驅動電晶體38 13及3 823的結構可以採用各種各樣的方式 。例如，可以採用閘極電極的數量爲兩個以上的多閘極結 構。多閘極結構爲仿佛通道區域串聯連接的結構，換言之 ，爲仿佛多個電晶體串聯連接的結構。圖49顯示使第一及 第二驅動電晶體38 13及3 823爲多閘極結構的情況的佈局圖 。透過採用多閘極結構，可以降低關斷電流，提高電晶體 的耐壓性來改善可靠性，並且獲得當在飽和區域工作時， 即使汲-源電壓改變，汲-源電流也不大改變的均勻特性。 此外’也可以採用在通道上和下配置有閘極電極的結構。 透過採用在通道上和下配置有閘極電極的結構，通道區域 增大’所以可以增加電流値，並且容易産生耗盡層，從而 減少S値。在通道上和下配置有閘極電極的結構爲仿佛多 個電晶體並聯連接的結構。此外，也可以採用在通道上配 置有閘極電極的結構、在通道下配置有閘極電極的結構、 交錯結構、反交錯結構、將通道區域分成多個區域的結構 、並聯連接、以及串聯連接。此外，還可以源極電極或汲 極電極重疊於通道（或其一部分）。透過採用源極電極或汲 極電極重疊於通道（或其一部分）的結構，可以防止在通道 的一部分聚集電荷而其工作變得不穩定。此外，也可以具 -68- 200813956 (65) 有LDD(輕摻雜汲）區域。透過提供LDD區域，可以降低 關斷電流’提局電晶體的耐壓性來改善可靠性，並且獲得 當在飽和區域工作時，即使汲-源電壓改變，汲-源電流也 不大改變的均勻特性。 此外’佈線和電極由如下材料形成：選自鋁（A1)、鉬 (Ta)、鈦（Ti)、鉬（Mo)、鎢（W)、銨（Nd)、鉻（Cr)、鎳（Ni) 、銷（Pt)、金（Au)、銀（Ag)、銅（Cu)、鎂（Mg)、銃（Sc)、 鈷（Co)、鋅（Zn)、鈮（Nb)、矽（Si)、磷（p)、硼、砷（As) 、鎵（Ga)、銦（In)、錫（Sn)、氧（〇)中的一個或多個元素； 以選自上述元素中的一個或多個元素爲成分的化合物或合 金材料（例如’氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅（也稱爲氧化銦 氧化鋅（IZO))、添加有氧化矽的氧化銦錫（在本說明書中 ，稱爲ITSO)、氧化鋅（ZnO)、鋁鈸（Al-Nd)、鎂銀（Mg-A g)等）；或者組合上述化合物而成的物質等。或者，佈線 和電極具有如下化合物而形成：上述材料和矽的化合物（ 矽化物）（例如，鋁矽、鉬矽、鎳矽化物等）、或者上述材 料和氮的化合物（例如，氮化鈦、氮化钽、氮化鉬等）。此 外，矽（Si)可以包含有多量的N型雜質（磷等）或p型雜質（ 硼等）。矽（Si)包含有這些雜質使得其導電率提高，該矽 (Si)具有與通常導體相同的功能，因此容易使用該矽（si) 作爲佈線或電極。此外，矽可以爲單晶、多晶、或非晶。 透過使用單晶矽或多晶矽，可以降低電阻。透過使用非晶 矽，可以以簡單的製造方法製造。此外，鋁和銀由於具有 高導電率’因此可以減少信號的延遲，並且由於容易蝕刻 -69- 200813956 (66) ，因此可以進行微細加工。此外，銅由於具有高導電率， 因此可以減少信號的延遲。此外，鉬由於即使與氧化物半 導體如ITO和IZO等或矽接觸，也可以製造而不産生在 其材料中發生不良等問題，並且容易進行蝕刻，耐熱性高 ，因此是較佳的。此外，鈦由於即使與氧化物半導體如 ITO和IZO等或矽接觸，也可以製造而不産生在其材料中 發生不良等問題，並且耐熱性高，因此是較佳的。此外， 鎢由於耐熱性高，因此是較佳的。此外，鈸由於耐熱性高 ，因此是較佳的。特別是，當採用鈸和鋁的合金時，耐熱 性升高，使得鋁不容易産生小丘，因此是較佳的。此外， 矽由於可以與電晶體所有的半導體層同時形成，並且耐熱 性高，因此是較佳的。此外，氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅 (IZO)、添力口有氧化矽的氧化銦錫（ITSO)、氧化鋅（ZnO)、 矽（Si)由於具有透光性且可以用於使光透過的部分，因此 是較佳的。例如可以使用這些材料作爲像素電極和共同電 極。 此外，佈線和電極也可以爲使用上述材料形成的單層 結構或多層結構。例如，透過以單層結構形成，可以簡化 製造方法，減少處理日數，並且降低成本。此外，透過以 多層結構形成，可以利用各個材料的優點並且減少缺點， 所以可以形成具有良好性能的佈線和電極。例如，透過將 低電阻的材料（鋁等）包含在多層結構中地形成，而可以實 現佈線的低電阻化。此外，透過採用包含高耐熱性的材料 的結構，例如，將其耐熱性低但具有其他優點的材料夾在 -70- 200813956 (67) 具有高耐熱性的材料的疊層結構，而可以提高佈線和電極 整體的耐熱性。例如，最好使用將含有鋁的層夾在含有鉬 或鈦的層之間的疊層結構。此外，若存在有佈線和電極與 其他材料的佈線和電極等直接接觸的部分，則有可能互相 受不好影響。例如，一方材料混入在另外材料中而導致改 變其性質，從而不能起到原來的作用或者當製造時産生問 題而不能正常製造。在這種情況下，可以透過將某個層夾 在其他層之間或使用其他層覆蓋，而解決問題。例如，當 要使氧化銦錫（ITO)和鋁彼此接觸時，其中間較佳的夾有 鈦或鉬。此外，當要使矽和鋁彼此接觸時，在其中間較佳 的夾有鈦或鉬。 此外，在R(紅色）、G(綠色）、B(藍色）的各個像素中 ，也可以改變像素的總發光面積。圖50顯示此情況下的一 個實施例。 在圖50所示的例子中，每個像素由兩個子像素構成。 此外，配置有信號線5 0 1 5、第一電源線5 0 1 6、以及第一及 第二掃描線5 0 1 7及5 0 2 7。此外，在圖5 0中，每個子像素的 面積大小對應於每個子像素的發光面積。 在圖5 0中，像素總發光面積從最大到最小的順序是G 、R、B。由此，能夠實現恰當的R、G、B的顔色平衡， 從而可以進行更高清晰的彩色顯示。此外，也可以減少耗 電量，並且延長發光元件的壽命。 此外，在R、G、B、W(白）的結構中，也可以RGB部 的子像素的數量和W部的子像素的數量互不相同。圖5 1 -71 - 200813956 (68) 顯示該情況的實施例。 在圖51所示的例子中，RGB部分成兩個子像素，而 W部分成三個子像素。此外，配置有信號線5 1 1 5、第一電 源線5 1 1 6、第一掃描線5 1 1 7、第二掃描線5 1 27、以及第三 掃描線5 1 3 7。 如圖5 1所示，透過將RGB部的子像素和W部的子像 素爲互不相同的數量，可以進行更高清晰的白色顯示。 此外，本實施例模式所述的內容可以透過與實施例模 式1至實施例模式4所述內容進行任意組合來實現。 實施例模式6 本實施例模式將說明顯示裝置中的信號線驅動電路、 掃描線驅動電路等的結構和其工作。在本實施例模式中， 以一個像素分成兩個子像素（S P 1和S P 2)的情況爲一個例 子進行說明。 首先，將說明將信號寫入到像素的期間和發光期間分 離的情況。這裏，作爲像素結構，以使用圖3 8所示的像素 結構的情況爲例進行說明。圖52顯示該情況的顯示裝置的 結構例子。 圖52所示的顯示裝置包括像素部5201、第一及第二掃 描線驅動電路5202及5203、以及信號線驅動電路5204，其 中，第一掃描線驅動電路5202和第一掃描線3 827連接，第 二掃描線驅動電路5203和第二掃描線3 827連接，並且信號 線驅動電路52 04和信號線38 15連接。此外，第一及第二掃 -72- 200813956 (69) 描線、以及信號線附有的附圖標記對應於圖3 8附有的附圖 標記。 首先，說明掃描線驅動電路。第一掃描線驅動電路 5 202是用來將選擇信號順序輸出到連接於子像素1(SP1)的 第一掃描線38 17的電路。此外，第二掃描線驅動電路5203 是用來將選擇信號順序輸出到連接於子像素2(SP2)的第二 掃描線3 827的電路。由此，選擇信號寫入到SP1、SP2中 。此外，通常在將一個像素分成m個子像素（m是m22的 整數）的情況下，設置m個掃描線驅動電路即可。 這裏，圖53顯示第一及第二掃描線驅動電路5202及 5 203的結構例子。第一及第二掃描線驅動電路5 202及5203 主要具有移位暫存器5 3 0 1和放大電路5 3 02等。 接著，簡單地說明圖53所示的第一及第二掃描線驅動 電路5202及5 203的工作。移位暫存器5 3 0 1接收時鐘信號 (G-CLK)、起始脈衝（G-SP)、以及時鐘反相信號（G-CLKB) ，並且根據這些信號的時序順序輸出取樣脈衝。被輸出了 的取樣脈衝由放大電路5 3 02放大，從每個掃描線輸入到像 素部5 2 0 1。 此外，作爲放大電路53 02的結構，既可具有緩衝電路 ，又可具有位準移位電路。此外，在掃描線驅動電路中， 除了移位暫存器5301、放大電路5302以外，也可以配置有 脈衝幅控制電路等。 接著，說明信號線驅動電路。信號線驅動電路5204是 用來將視頻信號順序輸出到連接於SP 1、S P2的信號線 -73- 200813956 (70) 38 1 5的電路。從信號線驅動電路5204輸出的視頻信號輸入 到像素部5 2 0 1。在像素部5 2 0 1中，根據視頻信號控制像素 的發光狀態，來顯示影像。 這裏，圖54A和54B顯示信號線驅動電路5—204的結構 例子。圖54A顯示以線順序驅動將信號供應到像素的情況 的信號線驅動電路5204的一個例子。該情況的信號線驅動 電路5204主要包括移位暫存器54〇1、第一鎖存電路5 40 2、 第二鎖存電路5403、以及放大電路5 4 04等。此外，作爲放 大電路5404的結構，可以具有緩衝電路、位準移位電路、 具有將數位信號轉換爲類比的功能的電路、或者具有進行 伽瑪校正的功能的電路。 此外，也可以具有將電流（視頻信號）輸出到像素所具 有的發光元件的電路，就是說，電流源電路。 接著，簡單地說明圖5 4 A所示的信號線驅動電路5 2 0 4 的工作。移位暫存器540 1接收時鐘信號（S-CLK)、起始脈 衝（S-SP)、以及時鐘反相信號（S-CLKB)，並且根據這些信 號的時序順序輸出取樣脈衝。 從移位暫存器5 40 1輸出的取樣脈衝輸入到第一鎖存電 路5 402中。第一鎖存電路5402從視頻信號線接收具有電壓 Vdata的視頻信號，根據取樣脈衝被輸入的時序保持在每 個行中。 在第一鎖存電路5402中完成直至最後一行的視頻信號 保持之後，在水平回掃期間中從鎖存控制線輸入鎖存信號 ，並且保持在第一鎖存電路5 4 0 2中的視頻信號一齊傳送到 -74- 200813956 (71) 第二鎖存電路5 403。然後，保持在第二鎖存電路5403中的 一列視頻信號一齊輸入到放大電路5404中。並且，在放大 電路5404中放大視頻信號電壓Vdata的幅度，視頻信號從 每個信號線輸入到像素部520 1中。 在保持於第二鎖存電路5 403的視頻信號輸入到放大電 路5 404，並且輸入到像素部520 1的期間中，在移位暫存器 5401中再一次輸出取樣脈衝。換言之，同時進行兩個工作 。由此，可以實現線順序驅動。以後，反復該工作。 此外，存在有用點順序驅動將信號供應到像素的情況 。圖54B顯示該情況的信號線驅動電路5204的一個例子。 這一情況下的信號線驅動電路5204包括移位暫存器540 1和 取樣電路5405等。取樣脈衝從移位暫存器540 1輸出到取樣 電路5405。此外，取樣電路5405從視頻信號線接收具有電 壓 Vdata的視頻信號，並根據取樣脈衝順序地向像素部 5 20 1輸出視頻信號。由此，可以實現點順序驅動。 此外，信號線驅動電路或其一部分（電流源電路或放 大電路等）有時例如使用外部1C晶片來構成，而不設置在 與像素部520 1相同的基板上。 透過利用如上所述的掃描線驅動電路和信號線驅動電 路，可以實現對像素寫入信號的期間和發光期間分隔的情 況下的驅動。 此外，圖52所示的顯示裝置中設置有多個掃描線驅動 電路，但是，有可能根據像素結構設置有多個信號線驅動 電路。例如，作爲像素結構，圖55顯示使用圖39所示的像 -75- 200813956 (72) 素結構的情況的顯示裝置的結構例子。 圖5 5所示的顯示裝置包括像素部5 5 0 1、掃描線驅動電 路5 5 02、以及第一及第二信號線驅動電路5 5 03、5 5 04，其 中，掃描線驅動電路5 502和掃描線39 17連接，第一信號線 驅動電路5 5 03和第一信號線391 5連接，並且第二信號線驅 動電路5504和第二信號線3 925連接。此外，第一及第二信 號線、以及掃描線附有的附圖標記對應於圖39附有的附圖 標記。此外，第一及第二信號線驅動電路5 5 03、5 5 04、以 及掃描線驅動電路5 5 02的結構與圖53、圖54A和54B中所 說明的內容相同，所以這裏省略其說明。 這裏，掃描線驅動電路5 502是用來將選擇信號順序輸 出到連接於3?1、3?2的掃描線3917的電路。由此，選擇 信號寫入到SP1、SP2。 第一信號線驅動電路5 5 03是用來將視頻信號順序輸出 到連接於SP1的第一信號線391 5的電路。從第一信號線驅 動電路5 5 03輸出的視頻信號輸入到SP1。此外，第二信號 線驅動電路5 5 04是用來將視頻信號順序輸出到連接於SP2 的第二信號線3925的電路。從第二信號線驅動電路55 04輸 出的視頻信號輸入到SP2。在像素部5 50 1中，根據視頻信 號控制像素的發光狀態，來顯示影像。此外，通常在將一 個像素分成m個子像素（m是m^2的整數）的情況下，設置 m個信號線驅動電路即可。 透過利用如上所述的掃描線驅動電路和信號線驅動電 路’可以實現對像素寫入信號的期間和發光期間分隔的情 -76- 200813956 (73) 況下的驅動。 接著，說明進行抹除像素的信號的情況，這裏’作爲 像素結構，以使用圖45所示的像素結構的情況爲例進行說 明。圖56顯示該情況的顯示裝置的結構例子。 圖5 6所示的顯示裝置包括像素部5 60 1、第一至第四掃 描線驅動電路5 602至5605、以及信號線驅動電路5 606，其 中，第一掃描線驅動電路5602和第一掃描線45 17連接，第 二掃描線驅動電路5603和第二掃描線4527連接，第三掃描 線驅動電路5604和第三掃描線453 7連接，第四掃描線驅動 電路5 60 5和第四掃描線4547連接，並且信號線驅動電路 5 606和信號線45 15連接。此外，第一至第四掃描線、以及 信號線附有的附圖標記對應於圖45附有的附圖標記。此外 ，第一至第四掃描線驅動電路5602至5605、以及信號線驅 動電路5606的結構與圖53、圖54A和54B中所說明的內容 相同，所以這裏省略其說明。 這裏，第一及第二掃描線驅動電路5602及5603是用來 驅動連接於SP1的第一及第二掃描線45 17及4527的電路。 這裏，第一掃描線驅動電路5602將選擇信號順序輸出到連 接於S P 1的第一掃描線4 5 1 7。另一方面，第二掃描線驅動 電路5 603將抹除信號順序輸出到連接於SP1的第二掃描線 45 27。由此，選擇信號和抹除信號寫入到SP1。 同樣地，第三及第四掃描線驅動電路5604及560 5是用 來驅動連接於SP2的第三及第四掃描線45 3 7及4547的電路 。這裏，第三掃描線驅動電路560 4將選擇信號順序輸出到 -77- 200813956 (74) 連接於SP2的第三掃描線453 7。另一方面，第四掃描線驅 動電路5605將抹除信號順序輸出到連接於SP2的第四掃描 線4547。由此，選擇信號和抹除信號寫入到SP2。 信號線驅動電路5606是用來將視頻信號順序輸入到連 接於SP1、SP2的信號線45 15的電路。從信號線驅動電路 5 60 6輸出的視頻信號輸入到像素部560 1。 透過利用如上所述的掃描線驅動電路和信號線驅動電 路，可以實現進行抹除像素的信號的工作的情況下的驅動 〇 此外，顯示裝置、信號線驅動電路、以及掃描線驅動 電路等的結構不局於圖52至圖56。 此外，本發明的電晶體可以是任意類型的電晶體，並 且可以形成在任意基板上。因此，如圖5 2至圖5 6所示的所 有的電路都可以形成在玻璃基板、塑膠基板、單晶基板、 SOI基板或任意其他類型的基板上。或者，圖52至圖56所 示的電路也可以其一部分形成在某個基板上，並且另一部 分形成在另一個基板上。換句話說，圖52至圖56所示的所 有電路不一定需要形成在相同的基板上。例如，在圖52至 圖5 6中，也可以在玻璃基板上使用電晶體形成像素部和掃 描線驅動電路，而在單晶基板上形成信號線驅動電路（或 其一部分），並且透過COG(玻璃上晶片安裝）將該1C晶片 配置在玻璃基板上。或者，還可以將所述1C晶片透過使 用TAB (帶式自動接合）或印刷電路板連接到玻璃基板上。 這樣，透過將電路的一部分形成在相同的基板上，而可以 -78- 200813956 (75) 減少構件數量以降低成本，並且透過減少與電路構件的連 接數量，而可以提高可靠性。此外，在驅動電壓高的部分 或驅動頻率高的部分因爲耗電量增大，所以只要將這些部 分不形成在相同的基板上，就可以防止耗電量的增大。 此外，本實施例模式所述的內容可以透過與實施例模 式1至實施例模式5所述內容進行任意組合來實現。 實施例模式7 在本實施例模式中，參照圖57A和57B等說明用於本 發明的顯示裝置的顯示面板。此外，圖57A是表示顯示面 板的俯視圖，圖57B是表示沿著圖57A中A-A’切斷的剖 視圖。並且，包括由虛線表示的信號線驅動電路5 70 1、像 素部5 702、第一掃描線驅動電路5 703、以及第二掃描線驅 動電路5706。此外，還具有密封基板5704、密封材料5705 ，並且由密封材料5 7 0 5圍繞的內側是空間5 7 0 7。 此外，佈線570 8是用來傳送要輸入到第一掃描線驅動 電路5 703、第二掃描線驅動電路5706、以及信號線驅動電 路570 1的信號的佈線，並且從成爲外部輸入端子FPC5709 接收視頻信號、時鐘信號、起始信號等。在FPC5 709和顯 示面板的接合部分上透過COG(玻璃上晶片安裝）等安裝有 1C晶片（形成有儲存電路、緩衝電路等的半導體晶片）5719 。此外，圖中僅顯示該FPC，但是也可以該FPC裝有印 刷線路板（PWB)。 接著，參照圖57B說明截面結構。在基板57 10上形成 -79- 200813956 (76) 有像素部5702和其週邊驅動電路（第一掃描線驅動電路 5 70 3、第二掃描線驅動電路5706、以及信號線驅動電路 5 70 1 )，但是這裏顯示信號線驅動電路570 1和像素部5702 〇 此外，信號線驅動電路570 1由電晶體5720和電晶體 5 72 1等多個電晶體構成。此外，在本實施例模式中，顯示 在基板上將週邊驅動電路形成爲一體的顯示面板，但是不 一定限於此，也可以在1C晶片等形成週邊驅動電路的全 部或一部分，並且透過COG等安裝。 此外，像素部5 702包括多個構成具有選擇電晶體571 1 和驅動電晶體5 7 1 2的像素的電路。此外，驅動電晶體5 7 1 2 的源極電極和第一電極5713連接。此外，覆蓋第一電極 5 7 1 3的端部地形成有絕緣體5 7 1 4。這裏，使用正型感光性 丙烯樹脂膜來形成。 此外，爲了獲得良好的覆蓋度，在絕緣體5 7 1 4的上端 部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，在使用正型感光 性丙烯作爲絕緣體5 7 1 4的材料的情況下，較佳的只有絕緣 體57 14的上端部形成爲具有曲率半徑（0·2 μιη至3 μιη)的曲 面。此外’作爲絕緣體5 7 1 4，也可以採用透過光而不溶於 蝕刻劑的感光性的負型或透過光而溶於蝕刻劑的感光性的 正型。 在第一電極5 7 1 3上分別形成有含有有機化合物的層 5 7 1 6、以及第二電極5 7丨7。這裏，作爲用於用作陽極的第 一電極571 3的材料，較佳的使用高功函數的材料。例如， -80- 200813956 (77) 可以使用ITO(氧化銦錫）膜、氧化銦鋅（IZO)膜、氮化鈦膜 、鉻膜、鎢膜、Zn膜、Pt膜等的單層膜。除了上述以外 ，還可以使用氮化鈦膜和以鋁爲主要成分的膜的疊層，或 者氮化鈦膜、以鋁爲主要成分的膜、以及氮化鈦膜的三層 結構等。此外，在採用疊層結構的情況下，作爲佈線的電 阻低，並且得到良好的歐姆接觸，另外，還可以用作陽極 〇 此外，含有有機化合物的層571 6透過使用氣相沉積掩 模的氣相沉積法或噴墨法形成。對於含有有機化合物的層 5716，元素周期表第4族的金屬複合物可以用作其一部分 ，並且可以組合的材料可以是低分子類材料或高分子類材 料。此外，作爲用於含有有機化合物的層的材料，一般說 ，在大多情況下以單層或疊層使用有機化合物。但是，本 實施例模式還包括如下結構：將無機化合物用於由有機化 合物構成的膜的一部分。另外，也可以使用公知的三重態 材料。 再者’作爲用於形成在含有有機化合物的層5 7 1 6上的 陰極即第二電極5 7 1 7的材料，可以使用低功函數的材料 (Al、Ag、Li、Ca 或這些的合金 MgAg、Mgln、AlLi、 CaF2、或者氮化鈣）。此外，當使在含有有機化合物的層 571 6中生成的光透過第二電極57 17時，作爲第二電極571 7 較佳的使用具有薄厚度的金屬薄膜以及透明導電膜（IT0( 氧化銦錫）、氧化銦氧化鋅合金（Ιη2〇3-ΖηΟ)、氧化鋅（ΖηΟ) 等）的疊層。 -81 - 200813956 (78) 此外’透過使用密封材料5705貼合密封基板57〇4和基 板5710，形成在由基板5710、密封基板5704、以及密封材 料5 7 0 5所圍成的空間5 7 0 7中設置發光元件5 7 1 8的結構。此 外，除了惰性氣體（氮或氬等）塡充空間5707的情況以外， 還包括用密封材料5 7 0 5塡充空間的結構。 此外，環氧類樹脂較佳的用作密封材料5 705。此外， 這些材料較佳的爲盡可能不透過水分或氧的材料。此外， 作爲用作密封基板5 704的材料，除了玻璃基板、石英基板 以外，還可以使用由FRP (玻璃纖維強化塑膠）、PVF (聚氟 乙烯）、Mylar (注冊商標）、聚酯或丙烯等構成的塑膠基板 〇 以如上所述的方式，可以得到具有本發明的像素結構 的顯示面板。 如圖57 A和57B所示，將信號線驅動電路570 1、像素 部5 702、第一掃描線驅動電路5 703、以及第二掃描線驅動 電路5706形成爲一體，以可以謀求顯示裝置的低成本化。 此外，用於信號線驅動電路570 1、像素部5702、第一掃描 線驅動電路5703、以及第二掃描線驅動電路5706的電晶體 是單極性，來可以簡化製造方法，因此可以進一步謀求低 成本化。此外，對於用於信號線驅動電路5 70 1、像素部 57 02、第一掃描線驅動電路5 703、以及第二掃描線驅動電 路5 706的電晶體的半導體層適用非晶矽，來可以進一步謀 求低成本化。 此外，顯示面板的結構不局限於如圖5 7 A所示的結構 -82- 200813956 (79) ，即，將信號線驅動電路570 1、像素部5702、第一掃描線 驅動電路5703、以及第二掃描線驅動電路5706形成爲一體 的結構，還可以使用將相當於信號線驅動電路5 7 0 1的信號 線驅動電路形成在1C晶片上，並透過COG等安裝在顯示 面板的結構。 換言之，使用CMOS等僅將被要求驅動電路的高速工 作的信號線驅動電路形成在1C晶片，由此謀求減少耗電 量。此外，1C晶片是矽晶片等的半導體晶片，來可以進 一步謀求高速工作和低耗電量化。 而且，將掃描線驅動電路與像素部形成爲一體，來可 以謀求低成本化。此外，所述掃描線驅動電路及像素部由 單極性的電晶體構成，以進一步謀求低成本化。作爲像素 部所具有的像素的結構，可以適當地使用實施例模式4所 示的結構。此外，將非晶矽用於電晶體的半導體層，以可 以簡化製造方法，並且進一步謀求低成本化。 以這種方式，可以謀求具有高清晰度的顯示裝置的低 成本化。此外，在FPC 5 709和基板57 10的連接部分安裝 形成有功能電路（記憶體或緩衝器）的1C晶片，來可以有 效地利用基板面積。 此外，可以採用如下結構：分別相當於圖57A中的信 號線驅動電路5 70 1、第一掃描線驅動電路5703、以及第二 掃描線驅動電路5706的信號線驅動電路、第一掃描線驅動 電路、以及第二掃描線驅動電路形成在1C晶片上，並透 過COG等安裝在顯示面板。在這種情況下，可以進一步 -83- 200813956 (80) 減少具有高清晰度的顯示裝置的耗電量。因此，爲了製作 耗電量更低的顯示裝置’較佳的將多晶砂用於在像素部中 使用的電晶體的半導體層。 此外，將非晶矽用於像素部5702的電晶體的半導體層 ，來可以謀求低成本化。另外’也可以製造大型顯示面板 〇 此外，掃描線驅動電路及信號線驅動電路不局限於設 置在像素的列方向及行方向。 接著，圖58示出可以適用於發光元件571 8的發光元件 的例子。 圖5 8的發光元件具有如下元件結構：在基板5 8 〇 1上層 疊了陽極5 8 0 2、由電洞注入材料構成的電洞注入層5 8 0 3， 並在其上層疊了由電洞傳輸材料構成的電洞傳輸層5804、 發光層5805、由電子傳輸材料構成的電子傳輸層5806、由 電子注入材料構成的電子注入層5807、以及陰極5808。這 裏，發光層5 8 0 5可能會僅僅使用一種發光材料形成，但是 也可以使用兩種以上的材料形成。此外，本發明的元件結 構不局限於這種結構。 此外，除了圖58所示的層疊了每個功能層的疊層結構 以外，還可以變換爲各種各樣的方式如使用了高分子化合 物的元件、將以三重態激發狀態發光的三重態發光材料用 於發光層的高效元件等。也可以應用於白色發光元件等， 該白色發光元件可以是透過使用電洞阻擋層控制載流子的 再結合區域，並將發光區域分爲兩個區域來獲得的。 -84- 200813956 (81) 接著，說明圖58所示的本發明的元件製造方法。首先 ，在具有陽極5 802(ITO(氧化銦錫））的基板5 80 1上順序氣 相沉積電洞注入材料、電洞傳輸材料、發光材料。接下來 ’氣相沉積電子傳輸材料和電子注入材料，最後透過氣相 沉積形成陰極5 8 〇 8。 接著’以下舉出適合用作電洞注入材料、電洞傳輸材 料、電子傳輸材料、電子注入材料、或者發光材料的材料 〇 作爲電洞注入材料，有機化合物如卟啉基化合物、酿 菁（以下稱爲“Hjc”）、銅酞菁（以下稱爲“cupc”）等很 有效。此外，具有比要使用的電洞傳輸材料小的電離電位 値並具有電洞傳輸功能的材料也可以用作電洞注入材料。 還有對導電性高分子化合物施加化學摻雜來獲得的材料， 作爲其例子可以舉出聚苯胺、用聚苯乙嫌磺酸（以下稱爲 “PSS”）摻雜的聚乙嫌二氧噻吩（以下稱爲“PED0T”）等 。此外’從陽極的平面化的觀點來看，絕緣體的高分子化 合物是有效的，並且常常使用聚醯亞胺（以下稱爲“ PI”） 。另外’還使用無機化合物，除了金屬薄膜如金或鉑之外 ，還包括氧化鋁（以下稱爲“氧化鋁”）的超薄膜等。 最廣泛地用作電洞傳輸材料是芳香胺基（g卩，具有苯 環-氮的鍵的芳香胺基）化合物。廣泛地使用的材料包括 4,4’-雙（二苯氨基）-聯苯（以下稱爲“tad”）、其衍生物即 4,4’-雙[N-(3 -甲基苯基]—N-苯基-氨基）_聯苯基（以下稱爲 “ TPD”）、4,4’-雙〔N-(l-萘基）_N_苯基-氨基〕·聯苯（以 -85- 200813956 (82) 下稱爲“ a-NPD”）。還可以舉出星爆式芳香胺化合物如 4,4’，4”-三（N，N-二苯基-氨基）-三苯胺（以下稱爲“ TDATA ”）、4,4’，4”-三[N-(3-甲基苯基）-N-苯基-氨基]三苯胺（以 下稱爲“ MTDATA”）等。 作爲電子傳輸材料，常常使用金屬複合物，包括具有 喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬複合物，如三（8 -喹啉）銘（ 以下稱爲Alq3)、BAlq、三（4-甲基-8-喹啉）鋁（以下稱爲“ Almq”）、雙（10-羥基苯[h]-喹啉）鈹（以下稱爲“ BeBq·，，）等 。此外，還可以採用具有惡唑基或噻唑基配位元體的金屬 複合物，如雙[2-(2-羥基苯基]-苯並惡唑）鋅（以下稱爲“ Zn(BOX)2”）、雙[2-(2-羥基苯基]-苯並噻唑）鋅（以下稱爲“ Ζη(ΒΤΖ)2”）等。另外，除了金屬複合物以外，惡二唑衍生 物，如2-(4-聯苯基）-5-(4-叔-丁基苯基）-1，3,4-惡二唑（以 下稱爲” PBD”）、OXD-7等，三唑衍生物，如TAZ、3-(4-叔-丁基苯基）-4-(4-乙基苯基）-5-(4-聯苯基）-1，2,4-三唑（以 下稱爲“p-EtTAZ”）等，以及菲咯啉衍生物，如紅菲繞啉（ 以下稱爲“ BPhen”）、BCP等都具有電子傳輸性能。 作爲電子注入材料，可以採用上述電子傳輸材料。此 外，常常使用絕緣體如氟化鈣、氟化鋰、氟化鉋等金屬鹵 化物、氧化鋰等驗金屬氧化物的超薄膜。此外，鹼金屬複 合物如乙醯丙酮鋰（以下稱爲“ Li(acaC)，，）或8-羥基喹啉-鋰 (以下稱爲“ Li q”）也很有效。 作爲發光材料，除了上述金屬複合物如Alq3、Almq 、BeBq、B Alq、Zn(B 0X)2、Zn(BTZ)2 之外，各種熒光顔 -86- 200813956 (83) 料很有效。熒光顔料包括藍色的4，4，-雙（2,2 -聯苯基-乙烯 基）-聯苯基、橙紅色的4-(氰亞甲基）-2-甲基-6-(p-二甲基 氨基苯乙烯基）-4H-吡喃等。此外，三重態發光材料也是 適合的，主要包括以鉑或銥作爲中心金屬的複合物。作爲 三重態發光材料，已知三（2-苯基吡啶）銥、雙（2-(4，-tryl) 口比卩疋-N，C )乙釀丙醒錶（以下稱爲“ acaclr(tpy)2”）、 2’3,7,8，12，13，17，18-八乙基-2111，2311荀琳-鉛等。 透過組合如上所述的具有各功能的材料，可以製造具 有高可靠性的發光元件。 此外，也可以使用以與圖5 8相反的順序形成了層的發 光元件。換言之，就是如下元件結構：在基板5801上層疊 了陰極5 80 8、由電子注入材料構成的電子注入層5 8 07,並 在其上層疊了由電子傳輸材料構成的電子傳輸層5806、發 光層5 805、由電洞傳輸材料構成的電洞傳輸層5 804、由電 洞注入材料構成的電洞注入層5 8 03、以及陽極5 802。 此外，在發光元件中，只要使陽極和陰極中的至少一 個爲透明，以取出發光，即可。並且，存在著如下結構的 發光元件：在基板上形成電晶體及發光元件，並從與基板 相反一側的面取出發光的上面射出結構；從基板一側的面 取出發光的下面射出結構；以及從基板一側的面及與基板 相反一側的面取出發光的雙面射出結構，本發明的像素結 構可以適用於任何射出結構的發光元件。 首先，參照圖59A說明上面射出結構的發光元件。 在基板5900上形成有驅動電晶體5 90 1、與驅動電晶體 -87 - 200813956 (84) 5901的源極電極接觸的第一電極5902，並在其上形成有含 有有機化合物的層5 903和第二電極59〇4。 此外，第一電極5902是發光元件的陽極。而第二電極 5904是發光元件的陰極。換言之，含有有機化合物的層 5903夾在第一電極5902和第二電極5904的部分就是發光元 件。 此外，在這裏，作爲用於用作陽極的第一電極5902的 材料，較佳的使用高功函數的材料。例如，可以不僅使用 氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、pt膜等的單層膜，而且 還可以使用氮化鈦膜和以鋁爲主要成分的膜的疊層、氮化 鈦膜和以鋁爲主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結構等。如 果採用疊層結構，作爲佈線的電阻也就變低，並可以實現 良好歐姆接觸，再者可以用作陽極。透過使用反射光的金 屬膜，可以形成不透過光的陽極。 此外，作爲用於用作陰極的第二電極5 9 0 4的材料，較 佳的使用由低功函數的材料（Al、Ag、Li、Ca、或者這些 的合金MgAg、Mgln、AlLi、CaF2、或者氮化鈣）構成的 金屬薄膜和透明導電膜（ITO(氧化銦錫）、氧化銦鋅（IZ0) 、氧化鋅（ZnO)等）的疊層。這樣，透過使用很薄的金屬薄 膜和具有透明性的透明導電膜，可以形成能夠透過光的陰 極。 這樣，如在圖5 9 A中的箭頭所示那樣，可以從上面取 出來自發光元件的光。換言之，在應用於圖57 A和57B所 示的顯示面板的情況下，光發射到密封基板5704—側。因 -88 - 200813956 (85) 此，在將上面射出結構的發光元件用於顯示裝置的情況下 ，具有光透過性的基板用作密封基板5704。 此外，在提供光學膜的情況下，可以在密封基板5704 上提供光學膜。 此外，也可以使用由用作陰極並具有低功函數的材料 如MgAg、Mgln或AlLi等構成的金屬膜形成第一電極 59 02。在這種情況下，對於第二電極5904，可以使用透明 導電膜如ITO(氧化銦錫）膜、氧化銦鋅（IZO)膜等。因此， 透過利用适種結構可以提局上面射出的透過率。 接著，參照圖59B說明下面射出型結構的發光元件。 除了射出結構以外，該發光元件採用了與圖5 9 A相同的結 構，因此，使用相同附圖標記來說明。 這裏，作爲用於用作陽極的第一電極5902的材料，較 佳的使用高功函數的材料。例如，可以使用透明導電膜如 ITO(銦錫氧化銦錫）膜、氧化銦鋅（IZO)膜等。透過使用具 有透明性的透明導電膜，可以形成能夠透過光的陽極。 此外，作爲用於用作陰極的第二電極5 9 0 4的材料，可 以使用由低功函數的材料（Al、Ag、Li、Ca、或者這些的 合金MgAg、Mgln、AlLi、CaF2、或者氮化鈣）構成的金 屬膜。這樣，透過使用反射光的金屬膜，可以形成不透過 光的陰極。 這樣，如在圖59B中的箭頭所示那樣，可以從下面取 出來自發光元件的光。換言之，在應用於圖57 A和57B所 不的顯市面板的丨目況下’光發射到基板5 7 1 0 —*側。因此， -89 - 200813956 (86) 在將底部發射型結構的發光元件用於顯示裝置的情況下， 具有光透過性的基板用作基板57 1 0。 此外，在提供光學膜的情況下，可以在基板57 10上提 供光學膜。 接著，參照圖59C說明雙面射出結構的發光元件。除 了射出結構以外，該發光元件採用了與圖5 9 A相同的結構 ，因此，使用相同附圖標記來說明。 這裏，作爲用於用作陽極的第一電極5902的材料，較 佳的使用高功函數的材料。例如，可以使用透明導電膜如 ITO(氧化銦錫）膜、氧化銦鋅（IZO)膜等。透過使用具有透 明性的透明導電膜，可以形成能夠透過光的陽極。 此外，作爲用於用作陰極的第二電極5904的材料，可 以使用由低功函數的材料（Al、Ag、Li、Ca、或者這些的 合金MgAg、Mgln、AlLi、CaF2、或者氮化鈣）構成的金 屬膜和透明導電膜（ITO(氧化銦錫）、氧化銦氧化鋅合金 (Ιη203-Ζη0)、氧化鋅（ZnO)等）的疊層。這樣，透過使用很 薄的金屬薄膜和具有透明性的透明導電膜，可以形成能夠 透過光的陰極。 這樣，如在圖5 9C中的箭頭所示那樣，可以從雙面取 出來自發光元件的光。換言之，在應用於圖57A和57B所 示的顯示面板的情況下，光發射到基板5 7 1 0 —側和密封基 板5 70 4—側。因此，在將雙面射出型結構的發光元件用於 顯示裝置的情況下，具有光過性的基板用作基板57 10及密 封基板5 704。 -90- 200813956 (87) 此外，在提供光學膜的情況下，可以在基板57 10及密 封基板5704的雙方上提供光學膜。 此外，本發明還可以應用於透過使用白光發光元件和 濾色器可實現全彩色顯示的顯示裝置。 如圖60所示，在基板6000上形成有底膜6002，並在其 上形成有驅動電晶體6 0 0 1，與驅動電晶體6 0 0 1的源極電極 接觸的方式形成有第一電極6 003，並在其上形成有含有有 機化合物的層6004和第二電極6005。 此外，第一電極6003是發光元件的陽極。並且，第二 電極60 05是發光元件的陰極。就是說，含有有機化合物的 層6 004夾在第一電極60 03和第二電極600 5的部分就是發光 元件。在圖60所示的結構中，發射白光。並且，發光元件 的上部提供有紅色的濾色器6006R、綠色的濾色器6006G 、以及藍色的濾色器600 6B，由此可以進行全彩色顯示。 此外，提供有用於分開這些濾色器的黑矩陣（也稱爲 BM)6007。 上述發光元件的結構可以組合使用，並且可以適當地 用於本發明的顯示裝置。此外，上述顯示面板的結構和發 光元件僅僅是一個例子’不必說，可以適用於具有與上述 結構不同的其他結構的顯示裝置。 接著，表示顯示面板的像素部的部分剖視圖。 首先，參照圖61A至63B說明使用多晶矽（p-Si : H)膜 作爲電晶體的半導體層的情況。 這裏，例如透過公知的膜形成方法，在基板上形成非 -91 - 200813956 (88) 晶矽（a-Si)膜作爲半導體層。此外，不必限於非晶矽膜， 只要是具有非晶結構的半導體膜（包括微晶半導體膜）即可 。此外，也可以是具有非晶結構的化合物半導體膜如非晶 矽鍺膜。 然後，透過鐳射結晶法、使用RTA或退火爐的熱結 晶法、使用促進結晶化的金屬元素的熱結晶法等使非晶矽 膜結晶化。不用說，也可以組合這些方法而進行。 透過上述結晶化，在非晶半導體膜的一部分中形成結 晶區域。 再者，將部分增加結晶性的結晶半導體膜形成爲所希 望的形狀的圖形，由結晶區域形成島狀半導體膜。這個半 導體膜用作電晶體的半導體層。 如圖61A所示，在基板6101上形成有底膜61 02，並在 其上形成有半導體層。該半導體層包括：驅動電晶體6118 的通道形成區域6103、LDD區域6104、以及成爲源區或 汲區的雜質區域6105 ;以及成爲電容元件61 19的下部電極 的通道形成區域6106、LDD區域6107、以及雜質區域 6108。此外，也可以對通道形成區域6103及通道形成區域 6 106進行通道摻雜。 作爲基板，可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板 等。此外，作爲底膜6102，可以使用氮化鋁（A1N)、氧化 矽（Si02)、氧氮化矽（SiOxNy)等的單層或其疊層。 在半導體層上夾著閘極絕緣膜6 1 09形成有閘極電極 61 10及電容元件61 19的上部電極61 1 1。 -92- 200813956 (89) 覆蓋電容元件61 19及驅動電晶體61 18地形成有層間絕 緣膜6 1 1 2，在層間絕緣膜6 1 1 2上的佈線6 1 1 3透過接觸孔與 雜質區域6 1 0 5接觸。與佈線6 1 1 3接觸地形成有像素電極 6 1 1 4，並且覆蓋像素電極6 11 4的端部及佈線6 1 1 3地形成絕 緣體6 1 1 5。這裏，使用正型感光性丙烯酸樹脂膜形成。並 且，在像素電極61 14上形成有含有有機化合物的層61 16及 相對電極6117，在含有有機化合物的層6116夾在像素電極 61 14和相對電極61 17之間的區域中形成有發光元件6120。 此外，如圖6 1 B所示，也可以設置構成電容元件6 1 1 9 的下部電極的一部分的LDD區域與電容元件61 19的上部 電極6 1 1 1重疊的區域6 1 2 1。此外，與圖6 1 A栢同的部分使 用相同的附圖標記表示，並且省略其說明。 此外，如圖62A所示，電容元件6123也可以具有第二 上部電極6 1 22，所述第二上部電極形成在與接觸於驅動電 晶體61 18的雜質區域61 05的佈線61 13相同的層中。此外， 與圖6 1 A相同的部分使用相同的附圖標記表示，並省略其 說明。第二上部電極61 22與雜質區域6108接觸，因此，由 上部電極61 1 1和溝道形成區域61 06夾閘極絕緣膜610 9構成 的第一電容元件與由上部電極6111和第二上部電極6122夾 層間絕緣膜6 1 1 2構成的第二電容元件並聯連接，以形成由 第一電容元件和第二電容元件構成的電容元件6 1 23。由於 該電容元件6123的電容相當於第一電容元件和第二電容元 件的總和電容，所以可以在小面積中形成具有大電容的電 容元件。換言之，當將該電容元件用作本發明的像素結構 -93- 200813956 (90) 的電容元件時，可以進一步謀求提高開口率。 此外，也可以採用如圖62B所示的電容元件的結構。 在基板62 01上形成有底膜62 0 2，並在其上形成有半導體層 。該半導體層包括驅動電晶體62 18的通道形成區域6203、 LDD區域6204、以及成爲源區或汲區的雜質區域6205。 此外，也可以對通道形成區域6203進行通道摻雜。 作爲基板，可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板 等。此外，作爲底膜6202，可以使用氮化鋁（A1N)、氧化 矽（Si02)、氧氮化矽（SiOxNy)等的單層或其疊層。 在半導體層上夾著閘極絕緣膜6206形成有閘極電極 6207及第一電極6208。 覆蓋驅動電晶體6218及第一電極6208地形成有第一層 間絕緣膜6209，在第一層間絕緣膜6209上的佈線6210透過 接觸孔與雜質區域6205接觸。此外，在與佈線62 10相同的 層中形成有由與佈線62 10相同的材料構成的第二電極621 1 〇 覆蓋佈線62 10及第二電極621 1地形成有第二層間絕緣 膜6212，在第二層間絕緣膜62 12上透過接觸孔與佈線6210 接觸地形成有像素電極6213。此外，在與像素電極621 3相 同的層中形成有由與像素電極62 1 3相同的材料構成的第三 電極62 14。此外，覆蓋像素電極6213的端部及第三電極 62 14地形成有絕緣體6215。作爲絕緣體6215，可以使用正 型感光性丙烯酸樹脂膜。這裏，形成有由第一電極6208、 第二電極621 1、以及第三電極6214構成的電容元件6219。 -94- 200813956 (91) 在像素電極6213上形成有含有有機化合物的層6216及 相對電極6217，並且，含有有機化合物的層6216夾在像素 電極6213和相對電極6217的區域中形成有發光元件6220。 如上所述，可以舉出圖61A和61B以及圖62A和62B 所示的結構作爲將結晶半導體膜用作半導體層的電晶體結 構。此外，圖61 A和61B以及圖62A和62B所示的電晶體 結構是頂閘結構的電晶體的一個例子。換言之，既可 LDD區域與閘極電極重疊還是不重疊，又可一部分LDD 區域與閘極電極重疊。再者，閘極電極可以具有錐形形狀 ，可以閘極電極的錐形部的下部按照自對準方式設置有 LDD區域。此外，閘極電極的數量不局限於兩個，也可 以爲三個以上閘極電極的多閘結構，或者還可以爲一個閘 極電極。 透過將結晶半導體膜用於構成本發明的像素的電晶體 的半導體層（通道形成區域、源區、汲區等），可以容易地 將掃描線驅動電路及信號線驅動電路與像素部形成爲一體 。此外，也可以將信號線驅動電路的一部分與像素部形成 爲一體，而將另一部分形成在1C晶片上，然後如圖57A 和5 7B的顯示面板所示透過COG等安裝。透過採用這種 結構，可以謀求減少製造成本。 此外，作爲將多晶矽（P-Si : H)用於半導體層的電晶 體的結構，也可以適用基板和半導體層之間夾有閘極電極 的結構，即，閘極電極位置於半導體層下的底部閘極結構 的電晶體。這裏，圖6 3 A和6 3 B顯示適用底部閘極結構的 - 95- 200813956 (92) 電晶體的顯示面板的像素部的部分剖視圖。 如圖63A所示，在基板63 0 1上形成有底膜6302。另外 ，在底膜63 02上形成有閘極電極63 03。此外，在與閘極電 極6303相同的層中形成有由與閘極電極6303相同的材料構 成的第一電極6304。作爲閘極電極63 03的材料，可以使用 添加了磷的多晶矽。除了多晶矽之外，還可以使用作爲金 屬和矽的化合物的矽化物。 覆蓋閘極電極63 03及第一電極63 04地形成有閘極絕緣 膜63 05。作爲閘極絕緣膜63 05，使用氧化矽膜、氮化矽膜 等。 在閘極絕緣膜6 3 05上形成有半導體層。半導體層包括 :驅動電晶體6322的通道形成區域6306、LDD區域63 07 、以及成爲源區或汲區的雜質區域63 08 ;以及成爲電容元 件6323的第二電極的通道形成區域63〇9、LDD區域6310 、以及雜質區域63 1 1。此外，可以對通道形成區域63 06及 通道形成區域6309進行通道摻雜。 作爲基板，可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板 等。此外，作爲底膜63 02，可以使用氮化鋁（A1N)、氧化 矽（SiO〇、氧氮化矽（Si〇xNy)等的單層或其疊層。 覆蓋半導體層地形成第一層間絕緣膜6 3 i 2，並且，在 第一層間絕緣膜6 3 1 2上的佈線6 3 1 3透過接觸孔與雜質區域 6 3 0 8接觸。此外，在與佈線6 3丨3相同的層中並由與佈線 6313相同的材料形成有第三電極6314。第一電極63〇4、第 二電極、以及第三電極6314構成電容元件6323。 -96- 200813956 (93) 此外，在第一層間絕緣膜63 12中形成有開口部6315。 形成第二層間絕緣膜63 16以覆蓋驅動電晶體6322、電容元 件63 23、以及開口部6315，在第二層間絕緣膜631 6上透過 接觸孔形成有像素電極6317。此外，覆蓋像素電極63 17的 端部地形成有絕緣體63 1 8。例如，可以使用正型感光性丙 烯酸樹脂膜。然後，在像素電極63 17上形成有含有有機化 合物的層6 3 1 9及相對電極6 3 2 0，在含有有機化合物的層 63 19夾在像素電極63 17和相對電極63 20之間的區域中形成 有發光元件63 2 1。並且，開口部63 15位於發光元件632 1的 下部。就是說，在從基板一側取出來自發光元件632 1的光 的情況下，由於開口部63 1 5的存在而可以提高透過率。 此外，在圖63A中，可以在與像素電極63 17相同的層 中並使用與其相同的材料形成第四電極6324，以便獲得如 圖63B所示的結構。由此，可以形成由第一電極63 04、第 二電極、第三電極6314、以及第四電極6324構成的電容元 件 6 3 2 5。 接著，參照圖64A至66B說明使用非晶矽（a-Si : H)膜 作爲電晶體的半導體層的情況。 圖64A和64B顯示適用將非晶矽用於半導體層的頂閘 極結構的電晶體的顯示面板的像素部的部分剖視圖。如圖 64A所示，在基板640 1上形成有底膜6402。另外，在底膜 6402上形成有像素電極6403。此外，在與像素電極6403相 同的層中形成有由與像素電極6403相同的材料構成的第一 電極6 4 0 4 〇 -97- 200813956 (94) 作爲基板，可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板 等。此外，作爲底膜6402，可以使用氮化鋁（A1N)、氧化 矽（Si02)、氧氮化矽（SiOxNy)等的單層或其疊層。 在底膜6402上形成有佈線6405及佈線6406，像素電極 6403的端部由佈線6405覆蓋。在佈線6405及佈線6406的上 部分別形成有具有N型導電類型的N型半導體層6407和 N型半導體層6408。此外，在佈線6405和佈線6406之間且 在底膜64 02上形成有半導體層6409。並且，半導體層6409 的一部分延伸到N型半導體層6407和N型半導體層6408 上。此外，該半導體層6409由非晶半導體膜如非晶矽（a-Si:H)膜、微晶半導體膜形成。 在半導體層64 09上形成有閘極絕緣膜6410。此外，在 與閘極絕緣膜64 10相同的層中且在第一電極6404上形成有 由與閘極絕緣膜64 10相同的材料構成的絕緣膜641 1。此外 ，作爲閘極絕緣膜64 1 0，可以使用氧化矽膜、氮化矽膜等 〇 在閘極絕緣膜64 10上形成有閘極電極6412。此外，以 與閘極電極64 12相同的層在第一電極64 04上夾著絕緣膜 6 4 1 1地形成有由與閘極電極6 4 1 2相同的材料構成的第二電 極6413。由此，形成有由第一電極6404及第二電極6413夾 有絕緣膜6 4 1 1的結構的電容元件6 4 1 9。此外，覆蓋像素電 極6403的端部、驅動電晶體6418、以及電容元件6419地形 成有層間絕緣膜6414。 在層間絕緣膜64 14和位於其開口部中的像素電極6403 -98- 200813956 (95) 上形成有含有有機化合物的層64 15及相對電極64 16，在含 有有機化合物的層641 5夾在像素電極6403和相對電極6416 的區域中形成有發光元件6417。 此外，也可以如圖64B所示使用第一電極6420形成圖 64A所示的第一電極6404。此外，圖64B所示的第一電極 6420由佈線6405、6406相同的材料形成在與佈線6405、 6406相同的層中。 圖65A和65B、圖66A和66B顯示適用將非晶矽用於 半導體層的底部閘極結構的電晶體的顯示面板的像素部的 部分剖視圖。 如圖65A所示，在基板650 1上形成有底膜6502。另外 ，在底膜65 0 2上形成有閘極電極65 03。此外，在與閘極電 極65 03相同的層中形成有由與閘極電極6503相同的材料構 成的第一電極6504。作爲閘極電極65 03的材料，可以使用 添加了磷的多晶矽。除了多晶矽之外，還可以使用作爲金 屬和矽的化合物的矽化物。 覆蓋閘極電極65 03及第一電極65 04地形成有閘極絕緣 膜6 5 0 5。作爲閘極絕緣膜65 05，使用氧化矽膜、氮化矽膜 等。 在閘極絕緣膜6 5 0 5上形成有半導體層65 06。此外，在 與半導體層65 06相同的層中形成有由與半導體層6506相同 的材料構成的半導體層65 07。 作爲基板，可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板 等。此外，作爲底膜65 02，可以使用氮化鋁（A1N)、氧化 -99- 200813956 (96) 矽（Si02)、氧氮化矽（SiOxNy)等的單層或其疊層。 在半導體層65 06上形成有具有N型導電性的N型半 導體層6508、6509，而在半導體層6507上形成有N型半 導體層6510。 在N型半導體層6508、6509上分別形成有佈線6511 、6 5 1 2。以佈線6 5 1 1、6 5 1 2相同的層在N型半導體層 65 10上形成有由與佈線651 1、65 12相同的材料構成的導電 層 6 5 1 3 〇 由此，形成由半導體層6507、N型半導體層6510、以 及導電層6513構成的第二電極。此外，形成有由該第二電 極和第一電極6504夾有閘極絕緣膜6505的結構的電容元件 6520 ° 此外，佈線651 1的一個端部延伸，並且與該延伸的佈 線65 1 1上部接觸地形成有像素電極6514。 此外，覆蓋像素電極65 14的端部、驅動電晶體6519、 以及電容元件6520地形成有絕緣體6515。 在像素電極6514及絕緣體6515上形成有含有有機化合 物的層6 5 1 6及相對電極6 5 1 7，由像素電極6 5 1 4和相對電極 6517夾有含有有機化合物的層6516的區域中形成有發光元 件 6 5 1 8。 此外，也可以不提供成爲電容元件6 5 2 0的第二電極的 一部分的半導體層6507及N型半導體層6510。就是說， 以電容元件6520的第二電極爲導電層6513，並且作爲電容 元件6520的結構，可以使用第一電極6504和導電層6513夾 -100- 200813956 (97) 有閘極絕緣膜的結構。 此外，在圖65A中，在形成佈線6511之前形成像素電 極6514，以可以形成如圖65B所示在與像素電極6514相同 的層中形成由與像素電極65 14相同的材料構成的第二電極 6521。由此，可以形成由第二電極6521和第一電極65 04夾 有閘極絕緣膜65 05的結構的電容元件6522。 此外，儘管圖65 A和65B顯示適用反交錯型通道刻蝕 結構的電晶體的例子，但是也可以採用通道保護結構的電 晶體。參照圖66A和66B說明適用通道保護結構的電晶體 的情況。 圖66A所示的通道保護型電晶體不同於圖65A所示的 通道刻鈾結構的驅動電晶體6 5 1 9之處在於：成爲刻飩掩模 的絕緣體6601設置在半導體層6506中的將要形成通道的區 域上，除此之外的相同部分用相同的附圖標記表示。 此外，與此同樣，圖6 6 B所示的通道保護型電晶體不 同於圖65B所示的通道刻蝕結構的驅動電晶體6519之處在 於：成爲刻蝕掩模的絕緣體6 6 0 1設置在半導體層6 5 0 6中的 將要形成通道的區域上，除此之外的相同部分用相同的附 圖標記表示。 透過將非晶半導體膜用於構成本發明的像素的電晶體 的半導體層（通道形成區域、源區、汲區等），可以減少製 造成本。 此外，可以適用於本發明的顯示裝置的像素部的電晶 體的結構、或者電容元件的結構不局限於上述結構，而可 -101 - 200813956 (98) 以使用各種電晶體的結構、或者電容元件的結構。 此外，本實施例模式所述的內容可以透過與實施例模 式1至實施例模式6所述內容進行任意組合來實現。 實施例模式8 在本實施例模式中，將說明使用電漿處理作爲製造電 晶體等半導體裝置的方法來製造半導體裝置的方法。 圖67A至67C是包括電晶體的半導體裝置的結構例子 的圖。此外，在圖67A至67C中，圖67B相當於沿圖67A 中a-b線的剖視圖，而圖67C相當於沿圖67A中c-d線的 剖視圖。 圖67A至67C所示的半導體裝置，包括以其中夾有絕 緣膜6702的方式提供在基板6701上的半導體膜6703a和 6 703b、以夾有閘極絕緣膜67 04的方式提供在該半導體膜 6703a和6703b上的閘極電極6705、以覆蓋閘極電極的方 式提供的絕緣膜6706和6707、以及連接到半導體膜6703 a 和6703b的源區或汲區且提供在絕緣膜6707上的導電膜 6708。此外，圖67A至67C顯示使用部分半導體膜6703 a 作爲通道區來提供N通道型電晶體6710a以及使用部分半 導體膜6703b作爲通道區來提供P通道型電晶體6710b的 情況，但本發明不局限於這種結構。例如，在圖67A至 67C中，雖然在N通道型電晶體6710a中提供LDD區域而 在P通道型電晶體6710b中沒有提供LDD區域，但可以 爲在雙方電晶體中提供或不提供LDD區域的結構。 -102- 200813956 (99) 此外，在本實施例模式中，透過使用電漿處理對上述 基板6701、絕緣膜6702、半導體膜6703a和6703b、閘極 絕緣膜6704、絕緣膜6706、以及絕緣膜6707中的任何至少 一個進行氧化或氮化，使半導體膜或絕緣膜氧化或氮化， 來製造圖67 A至67C所示的半導體裝置。以這種方式，透 過使用電漿處理對半導體膜或絕緣膜進行氧化或氮化，可 以改善該半導體膜或絕緣膜的表面，因此，與透過CVD 法或濺射法形成的絕緣膜相比，可以形成更緻密的絕緣膜 。因此，可以抑制針孔等的缺陷，從而可以改善半導體裝 置的特性等。 此外，在本實施例模式中，參照附圖來說明一種半導 體裝置的製造方法，其中，透過對上述圖67A至67C中的 半導體膜6703 a及6703b、閘極絕緣膜6704進行電漿處理 而使半導體膜6703a及6703 b、閘極絕緣膜6704氧化或氮 化來製造半導體裝置。 首先，說明將提供在基板上的島狀半導體膜的端部形 成爲實質上垂直的形狀的情況。 首先，在基板670 1上形成島狀半導體膜6703 a、 6703b(圖6 8A)。透過利用公知方法（濺射法、LPCVD法、 電漿CVD法等），使用以矽（Si)作爲主要成分的材料（例如 ，SixGei_x等）在預先形成在基板670 1上的絕緣膜6702上形 成非晶半導體膜，然後使非晶半導體膜晶化，並且選擇性 地刻蝕半導體膜，來形成島狀半導體膜6703 a、6703 b。此 外，可以利用公知晶化方法，諸如鐳射晶化方法、採用 -103- 200813956 (100) RTA或退火爐的熱晶化方法、採用促進晶化的金屬元素的 熱晶化方法、或者組合這些方法的晶化方法等來進行非晶 半導體膜的晶化。此外，在圖68A至68D中，將島狀半導 體膜6703 a、6703b的端部形成爲實質上垂直的形狀（θ = 8 5。 至 100。）。 接下來，進行電漿處理來使半導體膜6703a、6703b 氧化或氮化，以便在半導體膜6703 a、6703b的表面上分 別形成氧化半導體膜或氮化半導體膜即絕緣膜672 1 a、 672 1b(以下稱爲絕緣膜6721 a、6721 b)(圖68B)。例如，在 採用 Si作爲半導體膜6703 a、6703b的情況下，氧化矽 (SiOx)或氮化矽（SiNx)被形成作爲絕緣膜672 1 a、672 1 b。 此外，也可以在透過電漿處理使半導體膜6703a、6703b 氧化之後，再一次進行電漿處理來氮化。在這種情況下， 氧化矽（SiOx)形成爲與半導體膜6703 a、6703 b接觸，而氮 氧化矽（SiNxOy)(x>y)形成在該氧化矽的表面上。此外，在 使用電漿處理使半導體膜氧化的情況下，在氧氣氛下（例 如，在氧氣（〇2)和稀有氣體（包含He、Ne、Ar、Kr、Xe中 的至少一個）的氣氛下，在氧氣、氫氣（H2)、以及稀有氣 體的氣氛下，或者在一氧化二氮和稀有氣體的氣氛下）進 行電漿處理。另一方面，在使用電漿處理使半導體膜氮化 的情況下，在氮氣氛下（例如，在氮氣（N2)和稀有氣體（包 含He、Ne、Ar、Kr、Xe中的至少一個）的氣氛下，在氮 氣、氫氣、以及稀有氣體的氣氛下，或者在NH3和稀有氣 體的氣氛下）進行電漿處理。例如Ar可以用作稀有氣體。 -104- 200813956 (101) 此外，也可以採用混合Ar和Kr的氣體。因此，絕緣膜 6 72 1 a、67 2 1 b包含用於電漿處理的稀有氣體（包含He、Ne 、Ar、Kr、Xe中的至少一個），並且當採用Ar時，絕緣 膜 672 1 a、672 1 b 包含 Ar。 此外，在包含上述氣體的氣氛下，並且在電子密度爲 ΙχΙΟ1、!!!·3以上且lxl〇13cnT3以下，電漿的電子溫度爲 〇.5eV以上且1.5eV以下的狀態下，進行電漿處理。由於 電漿的電子密度是高的，而形成在基板670 1上的被處理物 (這裏是半導體膜6703a、6703b)附近的電子溫度是低的， 所以可以防止被處理物因電漿損傷。此外，由於電漿的電 子密度爲lxloHcnT3以上即高，故與用CVD法、濺射法等 所形成的膜相比，透過使用電漿處理使被照射物氧化或氮 化而形成的氧化膜或氮化膜具有優異的厚度均勻性，因而 可以形成緻密的膜。此外，由於電漿的電子溫度爲1 eV以 下即低，故與現有的電漿處理或熱氧化方法相比，可以在 更低的溫度下進行氧化處理或氮化處理。例如，即使當在 比玻璃基板的應變點低1 0 0 °C以上的溫度下進行電漿處理 時’也可以充分進行氧化處理或氮化處理。此外，可以使 用微波（2.4 5 GHz)等的高頻波作爲用來形成電漿的頻率。 此外’以下除了另有所指的情況以外，都使用上述條件來 進行電漿處理。 接下來，形成閘極絕緣膜6704來覆蓋絕緣膜672 1 a、 672 lb(圖6 8C)。閘極絕緣膜6704可以利用公知方法（濺射 法、LPCVD法、電漿CVD法等），形成爲具有諸如氧化矽 -105- (102) (102)200813956 (SiOx)、氮化矽（SiNx)、氮氧化矽（SiOxNy)(x>y)、氧氮化 矽（SiNxOy)(x>y)等的包含氮或氧的絕緣膜的單層結構或疊 層結構。例如，當將Si用於半導體膜6703 a、6703b，並 透過電漿處理來使該Si氧化，在半導體膜6703a、6703b 表面上形成氧化矽作爲絕緣膜672 1 a、672 1b時，在該絕 緣膜672 1 a、672 1b上形成氧化矽（SiOx)作爲閘極絕緣膜。 此外，在上述圖68B中，當透過利用電漿處理使半導體膜 6703 a、6703b氧化或氮化而形成的絕緣膜672 1 a、6721 b 的膜厚度充分時，還可以將該絕緣膜672 1 a、672 1 b用作 閘極絕緣膜。 接下來，透過在閘極絕緣膜6704上形成閘極電極6705 等，可以製造具有將島狀半導體膜6703a、6703b分別用 作通道區域的N通道型電晶體6710a、P通道型電晶體 6710b的半導體裝置（圖68D)。 這樣，在半導體膜6703 a、6703b上提供閘極絕緣膜 6704之前，透過電漿處理使半導體膜6703a、6703b的表 面氧化或氮化，從而可以防止由於通道區域的端部675 1 a 、675 1b等中的閘極絕緣膜6704的覆蓋缺陷所造成的閘極 電極與半導體膜之間的短路等。換言之，在島狀半導體膜 端部具有實質上垂直（θ = 85°至100° )的形狀的情況下， 當透過CVD法、濺射法等形成閘極絕緣膜來覆蓋半導體 膜時，存在著閘極絕緣膜在半導體膜端部破裂等所造成的 覆蓋缺陷的危險。但是，當透過電漿處理預先使半導體膜 的表面氧化或氮化時，可以防止閘極絕緣膜在半導體膜端 -106- (103) 200813956 部的覆蓋缺陷等。 此外，在上述圖68 A至68D中，也可以透過在形成閘 極絕緣膜6704之後進行電漿處理，來使閘極絕緣膜6704氧 化或氮化。在這種情況下，對覆蓋半導體膜6703 a、6703 b 地形成的閘極絕緣膜6704(圖69A)進行電漿處理，以使閘 極絕緣膜6704氧化或氮化，因此，被在閘極絕緣膜6704的 表面上形成氧化絕緣膜或氮化絕緣膜6723(以下也稱爲絕 緣膜6723 )(圖69B)。電漿處理的條件可以同樣於圖68B的 條件。此外，絕緣膜6723包含用於電漿處理的稀有氣體， 例如在採用Ar的情況下，在絕緣膜6723中包含Ar。 在圖69B中，也可以在氧氣氛中進行電漿處理使閘極 絕緣膜6704氧化之後，在氮氣氛中再次進行電漿處理使閘 極絕緣膜6704氮化。在這種情況下，氧化矽（SiOx)或氮氧 化矽（SiOxNy)(x>y)形成在半導體膜6703a、6703 b上，並 且氧氮化矽（SiNxOy)(x>y)形成爲與閘極電極6705接觸。然 後，透過在閘極絕緣膜6704上形成閘極電極6705等，可以 製造具有將島狀半導體膜6703 a、6703b分別用作通道區 域的N通道型電晶體6710a、P通道型電晶體6710b的半 導體裝置（圖69C)。這樣，透過對閘極絕緣膜進行電漿處 理，來使該閘極絕緣膜的表面氧化或氮化，以改善閘極絕 緣膜的品質，可以形成緻密的膜。與透過CVD法或濺射 法形成的絕緣膜相比，透過電漿處理得到的絕緣膜緻密， 且針孔等的缺陷很少，從而可以提高電晶體的特性。 此外，在圖69A至69C中，示出了預先對半導體膜 -107- 200813956 (104) 6703 a、6703b進行電漿處理，來使半導體膜6703 a、 6 7 0 3 b的表面氧化或氮化的情況。但是，也可以採用在透 過不對半導體膜6703 a、6703b進行電漿處理形成閘極絕 緣膜6704之後，進行電漿處理的方法。這樣，透過在形成 閘極電極之前進行電漿處理，即使當在半導體膜端部處出 現因閘極絕緣膜破裂造成的覆蓋缺陷時，可以使由於覆蓋 缺陷而暴露的半導體膜氧化或氮化，從而可以防止由於閘 極絕緣膜在半導體膜端部處覆蓋缺陷所造成的閘極電極與 半導體膜之間的短路等。 這樣，即使當將島狀半導體膜的端部形成爲實質上垂 直的形狀時，也對半導體膜或閘極絕緣膜進行電漿處理， 以使該半導體膜或閘極絕緣膜氧化或氮化，從而可以防止 由於閘極絕緣膜在半導體膜端部處覆蓋缺陷所造成的閘極 電極與半導體膜之間的短路等。 接下來，說明將提供在基板上的島狀半導體膜中的端 部形成爲錐狀（θ = 30°至85° )的情況。 首先，在基板6701上形成島狀半導體膜6703a、 6703b(圖70A)。透過利用公知方法（濺射法、LPCVD法、 電漿CVD法等），使用以矽（Si)作爲主要成分的材料（例如 ，SixGei_x等）在預先形成在基板670 1上的絕緣膜6702上形 成非晶半導體膜，然後利用公知晶化方法，諸如鐳射晶化 方法、採用RTA或退火爐的熱晶化方法、採用促進晶化 的金屬元素的熱晶化方法、或者組合這些方法的晶化方法 等來使非晶半導體膜晶化，並且選擇性地刻蝕去除半導體 -108- 200813956 (105) 膜，來形成島狀半導體膜6703a、6703b。此外，在圖70A 至70D中，將島狀半導體膜6703a、6703b的端部形成爲錐 狀（θ=30。至 85°)。 接下來，形成閘極絕緣膜6704來覆蓋半導體膜6703a 、6703 b(圖70 B)。閘極絕緣膜6704可以利用公知方法（濺 射法、LPCVD法、電漿CVD法等），形成爲具有諸如氧化 砂（SiOx)、氮化砂（SiNx)、氮氧化砂（SiOxNy)(x>y)、氧氮 化矽（SiNxOy)(x>y)等的包含氮或氧的絕緣膜的單層結構或 疊層結構。 接下來，透過電漿處理使閘極絕緣膜6 7 0 4氧化或氮化 ，從而在該閘極絕緣膜6 7 0 4的表面上形成氧化絕緣膜或氮 化絕緣膜即絕緣膜6724(以下也稱爲絕緣膜6724)(圖70C) 。注意，電漿處理的條件可以同樣於上述條件。例如，當 將氧化矽（SiOx)或氧氮化矽（SiOxNy)(x>y)用作閘極絕緣膜 6 704時，在氧氣氛中進行電漿處理，以使閘極絕緣膜6704 氧化，與透過CVD法、濺射法等形成的閘極絕緣膜相比 ，可以在閘極絕緣膜的表面上形成針孔等的缺陷少且緻密 的膜。另一方面，在氮氣氛中進行電漿處理，以使閘極絕 緣膜6704氮化，可以在閘極絕緣膜6704的表面上提供氧氮 化矽（SiNxOy)(x>y)作爲絕緣膜6724。此外，也可以在氧氣 氛中進行電漿處理，以使閘極絕緣膜6704氧化之後，在氮 氣氛中再次進行電漿處理來氮化。此外，絕緣膜6724包含 用於電漿處理的稀有氣體，例如在使用 Ar的情況下，在 絕緣膜6724中包含Ar。 -109- 200813956 (106) 接下來，透過在閘極絕緣膜6704上形成閘極電極6705 等，可以製造具有將島狀半導體膜6703 a、6703b分別用 作通道區域的N通道型電晶體6710a、P通道型電晶體 6710b的半導體裝置（圖70D)。 這樣，透過對閘極絕緣膜進行電漿處理，在閘極絕緣 膜的表面上提供由氧化膜或氮化膜構成的絕緣膜，以改善 閘極絕緣膜的表面品質。與透過CVD法或濺射法形成的 絕緣膜相比，透過電漿處理氧化或氮化了的絕緣膜緻密， 且針孔等的缺陷很少，從而可以提高電晶體的特性。此外 ，透過將半導體膜的端部形成爲錐狀，可以防止由於閘極 絕緣膜在半導體膜端部處的覆蓋缺陷所造成的閘極電極與 半導體膜之間的短路等，但是，透過在形成閘極絕緣膜之 後進行電漿處理，可以進一步防止閘極電極與半導體膜之 間的短路等。 接下來，參照附圖說明不同於圖70A至70D的半導體 裝置的製造方法。具體地說，說明了對具有錐狀的半導體 膜的端部選擇性地進行電漿處理的情況。 首先，在基板670 1上形成島狀半導體膜6703a、 6703b(圖71A)。透過利用公知方法（濺射法、LPCVD法、 電漿CVD法等），使用以矽（Si)作爲主要成分的材料（例如 ’ Six Gei-X等）在預先形成在基板6701上的絕緣膜6702上形 成非晶半導體膜，然後使非晶半導體膜晶化，並且以抗蝕 劑6725a、6725b爲掩模選擇性地蝕刻半導體膜，來形成 島狀半導體膜6703 a、6703 b。此外，可以利用公知晶化方 -110- 200813956 (107) 法，諸如鐳射晶化方法、採用RTA或退火爐的熱晶化方 法、採用促進晶化的金屬元素的熱晶化方法、或者組合這 些方法的晶化方法等來進行非晶半導體膜的晶化。 接下來，在去除用來蝕刻半導體膜的抗蝕劑6725a、 6725b之前，進行電漿處理，以使島狀半導體膜6703a、 6703b的端部選擇性地氧化或氮化，在該半導體膜6703 a 、6703b的端部處形成氧化半導體膜或氮化半導體膜即絕 緣膜6726(以下也稱爲絕緣膜6726)(圖7 1B)。在上述條件 下進行電漿處理。此外，絕緣膜6726包含用於電漿處理的 稀有氣體。 接下來，形成閘極絕緣膜6704來覆蓋半導體膜6703 a 、6703b(圖71C)。可以與上述同樣地形成閘極絕緣膜6704 〇 接下來，透過在閘極絕緣膜6704上形成閘極電極6705 等，可以製造具有將島狀半導體膜6703a、6703b分別用 作通道區域的N通道型電晶體6710a、P通道型電晶體 6710b的半導體裝置（圖71D)。 當將半導體膜67〇3 a、6703 b的端部形成爲錐形時， 形成在部分半導體膜6703a、6703b中的通道區域的端部 675 2a、67 5 2b也成爲錐形，半導體膜的厚度或閘極絕緣 膜的厚度與中心部分相比就出現變化，從而有可能電晶體 的特性受到影響。因此，這裏透過電漿處理使通道區域的 端部選擇性地氧化或氮化，在成爲通道區域的端部的半導 體膜中形成絕緣膜，從而可以降低通道區域的端部造成的 -111 - 200813956 (108) 對電晶體的影響。 此外，圖71A至71D顯示僅僅對半導體膜6703a、 6 703b的端部進行電漿處理來氧化或氮化的一個例子。不 言而喻，也可以如圖70A至70D所示還對閘極絕緣膜6704 進行電漿處理來氧化或氮化（圖73 A)。 接下來，參照附圖說明不同於上述的半導體裝置的製 造方法。具體地說，示出對具有錐狀的半導體膜進行電漿 處理的情況。 首先，與上述同樣，在基板6701上形成島狀半導體膜 6703 a、6703b(圖 72A)。 接下來，透過電漿處理使半導體膜6703a、6703b氧 化或氮化，從而在該半導體膜6703 a、6703b的表面上形 成氧化半導體膜或氮化半導體膜即絕緣膜6 727a、6 727b( 圖72B)。電漿處理可以在上述條件下同樣進行。例如，在 採用 Si作爲半導體膜6703 a、6703b的情況下，氧化矽 (SiOx)或氮化矽（SiNx)被形成作爲絕緣膜6727a、6727b。 此外，也可以在透過電漿處理使半導體膜6703a、6703b 氧化之後，再一次進行電漿處理來氮化。在這種情況下， 氧化矽（SiOx)或氮氧化矽（SiOxNy)(x>y)形成爲與半導體膜 6703 a、6703 b接觸，而氮氧化矽（SiNxOy)(x>y)形成在該 氧化矽的表面上。因此，絕緣膜6 7 2 7 a、6 7 2 7 b包含用於 電漿處理的稀有氣體。此外，透過進行電漿處理，使半導 體膜6703 a、6703b的端部同時氧化或氮化。 接下來，形成閘極絕緣膜6704來覆蓋絕緣膜6727a、 -112- 200813956 (109) 6727b(圖72 C)。閘極絕緣膜6704可以利用公知方法（濺射 法、LPCVD法、電漿CVD法等），形成爲具有諸如氧化矽 (SiOx)、氮化矽（SiNx)、氧氮化矽（SiOxNy)(x>y)、氮氧化 矽（SiNxOy)(x>y)等的包含氮或氧的絕緣膜的單層結構或疊 層結構。例如，在透過電漿處理來氧化採用Si的半導體 膜6703a、 6703b，以在該半導體膜6703a、 6703b的表面 上形成氧化矽作爲絕緣膜6727a、6727b的情況下，在該 絕緣膜6727a、6727b上形成氧化矽（SiOx)作爲閘極絕緣膜 〇 接下來，透過在閘極絕緣膜6 7 0 4上形成閘極電極6 7 0 5 等，可以製造具有將島狀半導體膜6703a、6703b分別用 作通道區域的N通道型電晶體6710a、P通道型電晶體 6710b的半導體裝置（圖72D)。 當將半導體膜的端部形成爲錐形時，形成在部分半導 體膜中的通道區域的端部6753a、6753b也成爲錐形，從 而有可能半導體元件的特性受到影響。因此，透過電漿處 理使半導體膜氧化或氮化，結果通道區域的端部也被氧化 或氮化，從而可以降低對半導體元件的影響。 此外，圖72A至72D顯示僅僅對半導體膜6703 a、 6703b進行電漿處理來氧化或氮化的一個例子。不言而喻 ，也可以如圖70A至70D所示還對閘極絕緣膜6704進行電 漿處理來氧化或氮化（圖7 3 B)。在這種情況下，也可以在 氧氣氛中進行電漿處理使閘極絕緣膜6704氧化之後，在氮 氣氛中再次進行電漿處理使閘極絕緣膜6 7 0 4氮化。在這種 -113- (110) (110)200813956 情況下，氧化矽（SiOx)或氧氮化矽（SiOxNy)(x>y)形成在半 導體膜6703 a、6703b上，並且氮氧化矽（SiNxOy)(x>y)形 成爲與閘極電極6705接觸。 這樣，透過利用電漿處理使半導體膜或絕緣膜氧化或 氮化而改善半導體膜或閘極絕緣膜的表面品質，可以形成 緻密且膜品質良好的絕緣膜。其結果，即使當將絕緣膜形 成爲薄時，也可以防止針孔等的缺陷，從而可以實現電晶 體等的半導體元件的小型化和高性能化。 此外，在本實施例模式中，在上述圖67A至67C中的 對半導體膜6703 a及6703b或閘極絕緣膜6704進行電漿處 理，以使半導體膜6703 a及6703b或閘極絕緣膜6704氧化 或氮化，但是，使用電漿處理氧化或氮化的層不局限於此 。例如，既可對基板67 0 1或絕緣膜67 02進行電漿處理，或 者又可對絕緣膜6706或6707進行電漿處理。 此外，本實施例模式所述的內容可以透過與實施例模 式1至實施例模式7所述內容進行任意組合來實現。 實施例模式9 在本實施例模式中，將說明用來控制實施例模式1至 實施例模式6所述的驅動方法的硬體。 圖74顯示粗略的結構圖。像素部7404、信號線驅動電 路7406、以及掃描線驅動電路74 05配置在基板740 1上。除 此之外，還可以配置電源電路、預充電電路、時序發生電 路等。此外，還可以不配置有信號線驅動電路7 4 0 6和掃描 -114- (111) (111)200813956 線驅動電路7405。在這種情況下，也可以將在基板740 1上 未提供有的電路形成在1C上。該1C可以利用COG(玻璃 上晶片安裝）配置在基板7401上。或者，也可以1C配置在 連接週邊電路基板7402和基板7401的連接基板7407上。 信號7403被輸入到週邊電路基板7402中。並且，控制 器7408控制以將該信號儲存在記憶體7409、記憶體74 10等 中。在信號7403是類比信號的情況下，在許多情況下，在 執行類比/數位轉換之後，信號被儲存在記憶體7409、記 憶體7410等中。然後，控制器7408利用儲存在記憶體7409 、記憶體74 1 0等中的信號，將信號輸出到基板740 1。 爲了實現實施例模式1至實施例模式6所述的驅動方法 ，控制器7408控制各子框的出現順序等，並將信號輸出到 基板740 1。 此外，本實施例模式所述的內容可以透過與實施例模 式1至實施例模式8所述內容進行任意組合來實現。 實施例模式1 〇 在本實施例模式中，將說明採用根據本發明的顯示裝 置的EL模組及EL電視接收機的結構例子。 圖75顯示組合了顯示面板7501和電路基板7502的EL 模組。顯示面板75 0 1包括像素部7503、掃描線驅動電路 75 04、以及信號線驅動電路7505。電路基板75 02形成有例 如控制電路7 5 0 6、信號分割電路7 5 0 7等。顯示面板7 5 0 1和 電路基板7502由連接佈線7508彼此連接。作爲連接佈線可 -115- (112) (112)200813956 以使用FPC等。 控制電路75 06相當於實施例模式9中的控制器7408、 記憶體7409、記憶體7410等。主要在控制電路7506中控制 子框的出現順序等。 在顯示面板7 5 0 1中，可以使用電晶體將像素部和部分 週邊驅動電路（多個驅動電路中工作頻率低的驅動電路）在 基板上形成爲一體，並將週邊驅動電路的其他部分（多個 驅動電路中工作頻率高的驅動電路）形成在1C晶片上，該 1C晶片透過COG(玻璃上晶片安裝）等安裝在顯示面板 750 1上。或者，可以使用TAB(載帶自動接合）或印刷電路 板將該IC晶片安裝在顯示面板7 5 0 1上。 此外，透過使用緩衝器電路來對設定於掃描線或信號 線的信號進行阻抗變換，可以縮短每一列像素的寫入期間 。從而可以提供具有高清晰度的顯示裝置。 此外，爲了進一步減少耗電量，也可以使用電晶體在 玻璃基板上形成像素部，且在1C晶片上形成所有的信號 線驅動電路，將該1C晶片透過COG(玻璃上晶片安裝）安 裝在顯示面板上。 例如，也可以將顯示面板的整個螢幕分成幾個區域， 而在各個區域上配置形成了部分或所有週邊驅動電路（信 號線驅動電路、掃描線驅動電路等）的1C晶片，以透過 COG(玻璃上晶片安裝）等安裝在顯示面板上。圖76顯示此 情況下的顯示面板的結構。

圖76顯示透過將整個螢幕分成4個區域並採用8個1C -116- 200813956 (113) 晶片來驅動的例子。顯示面板的結構包括基板7610、像素 部 7611、FPC 7612a 至 7612h、以及 1C 晶片 7613a 至 7613h 。在8個1C晶片中，1C晶片7613a至7613d形成有信號線 驅動電路，而1C晶片76 1 3e至761 3h形成有掃描線驅動電 路。並且，透過驅動任意1C晶片而可以僅僅驅動4個螢幕 區域中的任意一個螢幕區域。例如，當僅僅使1C晶片 7613a和76 13b驅動時，可以僅僅使4個螢幕區域中的左上 區域驅動。透過以上方法，可以減少耗電量。 此外，圖77顯示具有另一個結構的顯示面板的例子。 圖77所示的顯示面板在基板7720上具有安排了多個像素 773 0的像素部772 1、控制掃描線773 3的信號的掃描線驅動 電路7722、以及控制信號線773 1的信號的信號線驅動電路 7 723。此外，還可以提供有用來校正包括在像素773 0中的 發光元件的亮度變化的監視器電路7724。包括在像素773 0 中的發光元件和包括在監視器電路7724中的發光元件具有 相同的結構。發光元件的結構爲包含呈現場致發光的材料 的層被夾在成對的電極之間的結構。 基板7720的外周部分具有用來將信號從外部電路輸入 到掃描線驅動電路77W的輸入端子7725、用來將信號從外 部電路輸入到信號線驅動電路7723的輸入端子7726、以及 用來將信號輸入到監視器電路7724的輸入端子7729。 爲了使提供在像素773 0中的發光元件發光，必須要從 外部電路供電。提供在像素部772 1的電源線77 3 2透過輸入 端子7727連接到外部電路。在電源線7732中，由於因引線 -117- (114) (114)200813956 的長度而産生電阻損耗，因此較佳的在基板7720的外周部 分提供多個輸入端子7727。輸入端子7727提供配置在基板 7 720的兩個端部，以使亮度不均勻性在像素部772 1的表面 處難以覺察。換言之，這防止了螢幕一側明亮而另一側暗 淡。此外，作爲在配備有成對電極的發光元件中連接到電 源線7 7 3 2的電極相反一側的電極，被形成作爲多個像素 7 73 0共用的公共電極，但具備多個端子7728，以便減少該 電極的電阻損耗。 在這種顯示面板中，電源線由Cu等的低電阻材料形 成，這特別在當螢幕尺寸增大時有效。例如，在螢幕尺寸 爲13英寸級的情況下，對角線的長度爲340mm，而在60英 寸級的情況下爲1 500mm以上。在這種情況下，由於無法 忽略佈線電阻，故較佳的使用Cu等的低電阻材料作爲佈 線。此外，考慮到佈線延遲，可以以相同的方式形成信號 線或掃描線。 利用配備有上述面板結構的EL模組，可以完成EL 電視接收機。圖78是表示EL電視接收機的主要結構的方 塊圖。調諧器780 1接收視頻信號和音頻信號。視頻信號由 視頻信號放大電路7 8 0 2、用來將從視頻信號放大電路7 8 0 2 輸出的信號轉換爲對應於紅色、綠色、藍色的彩色信號的 視頻信號處理電路7 803、以及用來將視頻信號轉換爲驅動 電路的輸入規格的控制電路75 06進行處理。控制電路75 06 將信號分別輸出到掃描線一側和信號線一側。在執行數位 驅動的情況下，也可以在信號線一側提供信號分割電路 -118- 200813956 (115) 7 5 0 7，以將輸入數位信號分割成m個信號並供應。 在調諧器7 80 1處接收的信號中，音頻信號被傳輸到音 頻信號放大電路7804，且其輸出經過音頻信號處理電路 7 805供應到揚聲器7806。控制電路7807接收來自輸入部 7 80 8的接收台（接收頻率）或音量的控制資料，並將信號傳 送到調諧器78 0 1以及音頻信號處理電路7805。 透過將EL模組組合到外殼中，可以完成電視接收機 。由EL模組形成顯示部。此外，適當地具備有揚聲器、 視頻輸入端子等。 不言而喻，本發明不局限於電視接收機，而是可以適 用於各種目的，諸如個人電腦的監視器、火車站和飛機場 的資訊顯示板、或者街道的廣告顯示板等特別大面積的顯 示媒體。 這樣，透過利用本發明的顯示裝置及其驅動方法，可 以看到降低了亮度不均勻性的清晰影像。 此外’本貫施例模式所述的內容可以透過與實施例模 式1至實施例模式9所述的內容進行任意組合來實現。 實施例模式1 1 作爲採用本發明的顯示裝置的電子設備，可以舉出下 列電子設備：視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器（頭 盔式顯示器）、導航系統、聲音再現裝置（汽車音響、音響 元件等）、筆記型個人電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端（移 動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書等）、以及配 -119- 200813956 (116) 備有記錄媒體的影像再現設備（具體地說是包括能夠再現 數位通用盤（DVD)等記錄媒體且顯示影像的顯示器的裝置） 等。圖79A至79H顯示這種電子設備的具體例子。 圖7 9A是一種自發光型顯示器，包括外殼7901、支撐 座79 02、顯示部7903、揚聲器部7904、以及視頻輸入端子 7 905等。本發明可以用於構成顯示部7903的顯示裝置，根 據本發明，可以看到減少了僞輪廓的清晰影像。由於該顯 示器是自發光型的，故不需要背光，從而可以得到比液晶 顯示器薄的顯示部。此外，顯示器包括例如用於個人電腦 、電視廣播接收、或者廣告顯示等資訊顯示的所有顯示裝 置° 圖79B是一種數位靜止相機，包括主體7906、顯示部 7907、影像接收部7908、操作鍵7909、外部連接埠7910、 以及快門按鈕791 1等。本發明可以用於構成顯示部79 07的 顯示裝置，根據本發明，可以看到減少了僞輪廓的清晰影 像。 圖79C是一種筆記型個人電腦，包括主體7912、外殼 7913、顯示部7914、鍵盤7915、外部連接埠7916、以及指 標裝置79 17等。本發明可以用於構成顯示部79 14的顯示裝 置，根據本發明，可以看到減少了僞輪廓的清晰影像。 圖7 9D是一種移動電腦，包括主體7918、顯示部7919 、開關7920、操作鍵792 1、以及紅外線埠7922等。本發明 可以用於構成顯示部7 9 1 9的顯示裝置，根據本發明，可以 看到減少了僞輪廓的清晰影像。 -120- (117) (117)200813956 圖79E是一種具備記錄媒體讀取部的影像再現裝置（ 具體地說是DVD再現裝置），包括主體7923、外殼7924、 顯示部A7925、顯示部B 7926、記錄媒體（DVD等）讀取部 7927、操作鍵7928、以及揚聲器部7929等。顯示部A7925 主要顯示影像資訊，而顯示部B7926主要顯示文本資訊。 本發明可以用於構成顯示部A7925、顯示部B 7926的顯示 裝置，根據本發明，可以看到減少了僞輪廓的清晰影像。 此外，具備記錄媒體的影像再現裝置包括家用遊戲機等。 圖7 9F是一種護目鏡型顯示器（頭盔式顯示器），包括 主體793 0、顯示部793 1、以及鏡臂部793 2等。本發明可以 用於構成顯示部793 1的顯示裝置，根據本發明，可以看到 減少了僞輪廓的清晰影像。 圖79G是一種視頻相機，包括主體793 3、顯示部7934 、外殼793 5、外部連接埠793 6、遙控接收部7937、影像接 收部793 8、電池793 9、音頻輸入部7940、以及操作鍵794 1 等。本發明可以用於構成顯示部7934的顯示裝置，根據本 發明，可以看到減少了僞輪廓的清晰影像。 圖79H是一種行動電話，包括主體7942、外殼7943、 顯示部7944、音頻輸入部7945、音頻輸出部7946、操作鍵 7 9 4 7、外部連接埠7 9 4 8、以及天線7 9 4 9等。本發明可以用 於構成顯示部7 9 4 4的顯示裝置。此外，根據本發明，可以 看到減少了僞輪廓的清晰影像。 此外，若使用發光亮度高的發光材料，則本發明可以 透過使用透鏡等放大投影包括輸出的影像資訊的光來應用 -121 - 200813956 (118) 於正面或背面投影儀。 此外，近些年，上述電子設備在很多情況下用於顯示 透過網際網路或CATV(有線電視）等電子通信線路傳播的 資訊，特別越來越增加了顯示動畫資訊的機會。由於發光 材料的回應速度非常快，故發光裝置較佳的於動畫顯示。 由於發光型的顯示裝置在發光部分中消耗功率，故較 佳的利用盡可能小的發光部分來顯示資訊。因此，在採用 發光型的顯示裝置作爲攜帶型資訊終端，特別是行動電話 或聲音再現裝置等的主要顯示文本資訊的顯示部的情況下 ，較佳的以不發光部分爲背景，使用發光部分來顯示文本 資訊來驅動顯示裝置。 如上所述，本發明可應用的範圍是如此之廣闊，以本 發明可以應用於各種領域的電子設備。此外，本實施例模 式中的電子設備可以採用實施例模式1至實施例模式10所 示的任何結構的顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖2是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖3是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖4是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 -122- (119) (119)200813956 的圖； 圖5是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖6是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖7是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖8是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖9是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖1 〇是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖11是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一'個例子的圖； 圖1 2是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖13是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖1 4是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖1 5是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖1 6是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 -123- 200813956 (120) 的圖； 圖17是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖1 8是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖19是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖2 0是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖2 1是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖2 2是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖23是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖24是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖2 5是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖2 6是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖2 7是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖2 8是表示在本發明的驅動方法中進行伽瑪校正時的 -124- 200813956 (121) 子像素及子框的選擇方法的一個例子的圖； 圖29A和29B是表示在本發明的驅動方法中進行伽瑪 校正時的灰度和亮度的關係的圖； 圖3 0是表示在本發明的驅動方法中進行伽瑪校正時的 子像素及子框的選擇方法的一個例子的圖； 圖3 1 A和3 1 B是表示在本發明的驅動方法中進行伽瑪 校正時的灰度和亮度的關係的圖； 圖3 2是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖3 3是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖3 4是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖3 5是表示在本發明的驅動方法中僞輪廓減少的原理 的圖； 圖3 6是表示在本發明的驅動方法中的子像素及子框的 選擇方法的一個例子的圖； 圖3 7是表示將信號寫入到像素的期間和發光期間分離 的情況的時序圖的一個例子的圖； 圖3 8是表示將信號寫入到像素的期間和發光期間分離 的情況的像素結構的一個例子的圖； 圖3 9是表示將信號寫入到像素的期間和發光期間分離 的情況的像素結構的一個例子的圖； 圖40是袠示將信號寫入到像素的期間和發光期間分離 -125- 200813956 (122) 的情況的像素結構的一個例子的圖； 圖4 1是表示將信號寫入到像素的期間和發光期間沒有 分離的情況的時序圖的一個例子的圖； 圖42是表示將信號寫入到像素的期間和發光期間沒有 分離的情況的像素結構的一個例子的圖； 圖43是表示當在一個閘極選擇期間中選擇兩列時的時 序圖的一個例子的圖； 圖44是表示當進行抹除像素的信號的工作時的時序圖 的一個例子的圖； 圖45是表示當進行抹除像素的信號的工作時的像素結 構的一個例子的圖； 圖46是表示當進行抹除像素的信號的工作時的像素結 構的一個例子的圖； 圖4 7是表不當進行抹除像素的信號的工作時的像素結 構的一個例子的圖； 圖4 8是表示使用本發明的驅動方法的顯示裝置的像素 部佈局的一個例子的圖； 圖4 9是表不使用本發明的驅動方法的顯示裝置的像素 部佈局的一個例子的圖； 圖5 0是表示使用本發明的驅動方法的顯示裝置的像素 部佈局的一個例子的圖； 圖5 1是表示使用本發明的驅動方法的顯示裝置的像素 部佈局的一個例子的圖； 圖5 2是表示使用本發明的驅動方法的顯示裝置的一個 -126- (123) (123)200813956 例子的圖； 圖53是表示使用本發明的驅動方法的顯示裝置的一個 例子的圖； 圖5 4 A和5 4B是表示使用本發明的驅動方法的顯示裝 置的一個例子的圖； 圖5 5是表示使用本發明的驅動方法的顯示裝置的一個 例子的圖； 圖5 6是表示使用本發明的驅動方法的顯示裝置的一個 例子的圖； 圖57A和57B是表示用於本發明的顯示裝置的顯示面 板的一個結構例子的圖； 圖5 8是表示用於本發明的顯示裝置的發光元件的一個 結構例子的圖； 圖5 9 A至5 9 C是表示本發明的顯示裝置的一個結構例 子的圖； 圖6 0是表示本發明的顯示裝置的一個結構例子的圖； 圖6 1 A和6 1 B是表示本發明的顯示裝置的一個結構例 子的圖； 圖62A和62B是表示本發明的顯示裝置的一個結構例 子的圖； 圖6 3 A和6 3 B是表示本發明的顯示裝置的一個結構例 子的圖； 圖64A和64B是表示本發明的顯示裝置的一個結構例 子的圖； -127- (124) (124)200813956 圖65A和65B是表示本發明的顯示裝置的一個結構例 子的圖； 圖66A和66B是表示本發明的顯示裝置的一個結構例 子的圖； 圖67A至67C是表示用於本發明的顯示裝置中的電晶 體的結構的圖； 圖68 A至68D是說明用於本發明的顯示裝置中的電晶 體的製造方法的圖； 圖69A至69C是說明用於本發明的顯示裝置中的電晶 體的製造方法的圖； 圖70A至70D是說明用於本發明的顯示裝置中的電晶 體的製造方法的圖； 圖71A至7id是說明用於本發明的顯示裝置中的電晶 體的製造方法的圖； 圖72A至72D是說明用於本發明的顯示裝置中的電晶 體的製造方法的圖； 圖73 A和73B是說明用於本發明的顯示裝置中的電晶 體的製造方法的圖； 圖74是袠示控制本發明的顯示裝置的硬體的一個例子 的圖； 圖75是袠示使用本發明的顯示裝置的EL模組的一個 例子的圖； 圖76是表示使用本發明的顯示裝置的顯示面板的結構 例子的圖； -128- (125) (125)200813956 圖77是表示使用本發明的顯示裝置的顯示面板的結構 例子的圖； 圖78是表示使用本發明的顯示裝置的EL電視接收機 的一個例子的圖； 圖79 A至79H是表示適用本發明的顯示裝置的電子設 備的一個例子的圖； 圖80A和80B是表示在現有的驅動方法中産生僞輪廓 的原因的圖；和 圖81是表示在現有的驅動方法中産生僞輪廓的原因的 圖。 1 體器體 明晶容晶 說電電電 號擇存動 符選儲驅 件 一 1 1 元第第第 要·· · · ·· 主111213 [888 3 8 1 4 :第一發光元件 3 8 1 5 :訊號線 3 8 1 6 ·•第一電源線 3 8 1 7 :第一掃描線 3 8 1 8 ·•第二電源線 3 82 1 :第二選擇電晶體 3 822 :第二儲存電容器 3 8 2 3 :第二驅動電晶體 3 824 :第二發光元件 -129- (126) 200813956 3 827 ： 3 82 8 ： 3911： 3912 ： 3913 ： 3914 ： 39 15 ： 3916 ： 3917 ： 3918 ： 3 92 1 ： 3 922 ： 3 923 ： 3924 ： 3 925 ： 3 928 ： 4011： 40 12 ： 4013 ： 4014 ： 4015 ： 4016 ： 4017 ： 4 0 18 ： 第二掃描線 第三電源線 第一選擇電晶體 第一儲存電容器 第一驅動電晶體 第一發光元件 第一訊號線 第一電源線 掃描線 第二電源線 第二選擇電晶體 第二儲存電容器 第二驅動電晶體 第二發光元件 第二訊號線 第三電源線 第一選擇電晶體 第一儲存電容器 第一驅動電晶體 第一發光元件 訊號線 第一電源線 第一掃描線 第二電源線 -130- 200813956 (127) 4021 :第二選擇電晶體 4022 :第二儲存電容器 4023 :第二驅動電晶體 4024 :第二發光元件 4026 :第四電源線 4027 :第二掃描線 4211 :第一選擇電晶體 4221 :第二選擇電晶體 4212:第一儲存電容器 42 13 :第一驅動電晶體 4214 :第一發光元件 4215 :第一訊號線 4216 :第一電源線 42 17 :第一掃描線 4218 :第二電源線 4225 :第二訊號線 4227 :第二掃描線 423 1 :第三選擇電晶體 424 1 ：第四選擇電晶體 4223 :第二驅動電晶體 4222 :第二儲存電容器 4237 :第三掃描線 4247 :第四掃描線 4224 :第二發光元件 (128) 200813956 4228 ： 4511： 4512 ： 4513 ： 4514 ： 4515 ： 4516 ： 4517 ： 4518 ： 4519 ： 45 27 ： 452 1 ： 4522 ： 4523 : 4529 ： 453 7 ： 4547 ： 4524 ： 4528 ： 4611： 4612 ： 46 13 ： 4614 ： 4615 ： 第三電源線 第一選擇電晶體 第一儲存電容器 第一驅動電晶體 第一發光元件 訊號線 第一電源線 第一掃描線 第二電源線 第一抹除電晶體 第二掃描線 第二選擇電晶體 第二儲存電容器 第二驅動電晶體 第二抹除電晶體 第三掃描線 第四掃描線 第二發光元件 第三電源線 第一選擇電晶體 第一儲存電容器 第一驅動電晶體 第一發光元件 訊號線 -132 200813956 (129) 4 6 1 6 :第一電源線 4617:第一掃描線 4 6 1 8 :第二電源線 4619:第一抹除二極體 4627 :第二掃描線 462 1 :第二選擇電晶體 4622 :第二儲存電容器 4623:第一驅動電晶體 463 7 :第三掃描線 4647 :第四掃描線 4624 :第二發光元件 4628 ··第三電源線 4629 :第二抹除二極體 4 7 1 9 :二極體連接電晶體 4729 :二極體連接電晶體 5 0 1 5 :訊號線 5 0 1 6 :第一電源線 5 0 1 7 :第一掃描線 5 027 :第二掃描線 5 1 1 5 :訊號線 5 1 1 6 :第一電源線 5 1 1 7 :第一掃描線 5 1 2 7 :第二掃描線 5 1 3 7 ··第三掃描線 -133- 200813956 (130) 520 1 :像素部 5202 :第一掃描線驅動電路 5 2 0 3 :第二掃描線驅動電路 5204 :信號線驅動電路 5301 :移位暫存器 5 3 0 2:放大電路 540 1 :移位暫存器 5402 :第一鎖存電路 5403 :第二鎖存電路 5404 ：放大電路 5 4 0 5 :取樣電路 5 5 0 1 :像素部 5 5 02 :掃描線驅動電路 5 5 03 ：第一信號線驅動電路 5 5 04 :第二信號線驅動電路 5 60 1 :像素部 5 602 :第一掃描線驅動電路 5 603 :第二掃描線驅動電路 5 604 :第三掃描線驅動電路 5 605 :第四掃描線驅動電路 5 6 0 6:訊號線驅動電路 5 7 0 1 :訊號線驅動電路 5 702 :像素部 5 703 ：第一掃描線驅動電路 -134- 200813956 (131) 5 704 :密封基板 5 7 0 5 :密封材料 5706 :第二掃描線驅動電路 5 7 0 7 :空間 5708 ：佈線 5709 : FPC 5719 : 1C 晶片 5 7 1 0 :基板 5 720 :電晶體 5 72 1 :電晶體 5 7 1 1 :選擇電晶體 5 7 1 2 :驅動電晶體 5713 :第一電極 5 7 1 4 :絕緣體 5 7 1 6 :含有有機化合物的層 5 7 1 7 :第二電極 5 7 1 8 :發光元件 5 8 0 2 :陽極 5 8 0 3 :電洞注入層 5804:電洞傳輸層 5 805 :發光層 5806:電子傳輸層 5 807 ：電子注入層 5 8 0 8:陰極 - 135- 200813956 (132) 5 9 0 0 :基板 590 1 ：驅動 TFT 5902 :第一電極 5 903 :含有有機化合物的層 5904:第二電極 6000 ：基板 6001 :驅動電晶體 6002 :底膜 6003 :第一電極 6 0 04 :含有有機化合物的層 6005:第二電極 6006R ：紅色濾色器 6006G ：綠色濾色器 6006B :藍色濾色器 6007 :黑矩陣 6 1 0 1 :基板 6102 :底膜 6103 :通道形成區 6104 ： LDD 區 6 10 5:雜質區 6106:通道形成區 6107 ： LDD 區 6 1 08 :雜質區 6 1 1 8 :驅動電晶體 -136 200813956 (133) 61 19 :電容器 6 1 1 0 :閘極電極 6 1 1 1 :上部電極 6 109 :閘極絕緣膜 6 1 1 2 :層間絕緣膜 6 1 1 3 :佈線 6 1 1 4 :像素電極 6 1 1 5 :絕緣體 6 1 1 6 :含有有機化合物的層 6117：相對電極 6120 :發光元件 6 121 ··區 6122:第二上部電極 6123 :電容器 6 2 0 1 :基板 6202 :底膜 6203 :通道形成區 6204 ： LDD 區 6 2 0 5 :雜質區 6206 :閘極絕緣膜 6 2 0 7 :閘極電極 6208:第一'電極 6218:驅動電晶體 6209 ：第一層間絕緣膜 -137 200813956 (134) 6210 ：佈線 621 1 :第二電極 62 12 :第二層間絕緣膜 6 2 1 3 :像素電極 6214 :第三電極 6 2 1 5 :絕緣體 6219 ：電容器 62 16 :含有有機化合物的層 6217 :相對電極 6220 :發光元件 6 3 0 1 :基板 6302 :底膜 63 03 :閘極電極 6304:第一電極 63 05 :閘極絕緣膜 6306 :通道形成區 6307 : LDD 區 63 08 :雜質區 6309:通道形成區 6310： LDD 區 6 3 1 1 :雜質區 6322 :驅動電晶體 6323 :電容器 63 12 :第一層間絕緣膜 -138- 200813956 (135) 6 3 1 3 :佈線 6 3 1 4 :第三電極 63 15 :開口部 63 16 :第二層間絕緣膜 6 3 1 7 :像素電極 6 3 18:絕緣體 6319:含有有機化合物的層 6 3 2 0 :相對電極 632 1 ：發光元件 63 24 :第四電極 6325 :電容器 6401 :基板 6402 :底膜 6 4 0 3 :像素電極 6404 :第一電極 6 4 0 5 :佈線 6406 :佈線 6407 : η型半導體層 6408 : η型半導體層 6409 :半導體層 6410 :閘極絕緣膜 6 4 1 1 :絕緣膜 6 4 1 2 :閘極電極 6413 ：第二電極 -139 200813956 (136) 6 4 1 4 :層間絕緣膜 641 8 :驅動電晶體 6419 :電容器 64 1 5 :含有有機化合物的層 6 4 1 6 :相對電極 6417 :發光元件 6420:第一電極 6 5 0 1 :基板 6502 :底膜 6 5 03 ：閘極電極 6504:第一^電極 65 05 :閘極絕緣膜 6506 :半導體層 6507 :半導體層 65 08 : N型半導體層 65〇9 : N型半導體層 6510 : N型半導體層 6 5 1 1 :佈線 6512 ：佈線 65 1 3 :導電層 6 5 1 4 :像素電極 6 5 1 5 :絕緣體 6 5 1 6 :含有有機化合物的層 6 5 1 7 :相對電極 -140 200813956 (137) 6518 :發光元件 6519 :驅動電晶體 6520 :電容器 652 1 :第二電極 6522 :電容器 660 1 :絕緣體 6 7 0 1 :基板 6702 :絕緣膜 6703a， 6703b:半導體膜 6704 :閘極絕緣膜 6705 ：閘極電極 6706 :絕緣膜 6707 :絕緣膜 6708 :導電膜 6710a: η通道電晶體 6710b: ρ通道電晶體 672 1 a，672 1 b :絕緣膜 6751a， 6751b:端部 6723 :絕緣膜 6 7 2 4 ··絕緣膜 6725a，6725b ：抗蝕齊!j 6 7 2 6 :絕緣膜 6727a ， 6727b ：絕緣膜 7401 :基板 200813956 (138) 7402 :週邊電路基板 7403 :訊號 7404 :像素部 7405 :掃描線驅動電路 7406 :訊號驅動電路 7407 :連接基板 7408 :控制器 7409 :記憶體 7410 :記憶體 7 5 0 1 :顯示面板 7502 :電路板 75 03 :像素部 7 5 04 :掃描線驅動電路 7505 ：訊號線驅動電路 7 5 0 6 :控制電路 7507 :信號分割電路 7 5 0 8 :連接佈線 7509 :記憶體 7 5 1 0 :記憶體 7610 ·基板 7611 :像素部 7612a-7612h ： FPC 7613a-7613h: 1C 晶片 7721 :像素部 200813956 (139) 773 0 :像素 7722 :掃描線驅動電路 773 3 :掃描線 7723 :訊號線驅動電路 773 1 ：訊號線 7720 :基板 7724 :監視器電路 7725 :輸入端子 7726:輸入端子 7729:輸入端子 7732 ：電源線 7727 :輸入端子 7728 :端子 7 8 0 1 :調諧器 7802 :視頻訊號放大電路 7803 :視頻訊號處理電路 7804 :音頻訊號放大電路 7 8 0 5 :音頻訊號處理電路 7 8 0 7 :控制電路 7806 :揚聲器 7 8 0 8 :輸入部份 7901 :外殼 7902 :支撐座 7903 :顯示部 200813956 (140) 7904 :揚聲器部 7 9 0 5:視頻輸入端子 7906 :主體 7907 :顯示部 7908 :影像接收部 7 9 0 9 :操作鍵 79 10 :外部連接埠 791 1 :快門按鈕 7912 :主體 7913 :外殼 7 9 1 4 :顯示部 7 9 1 5 :鍵盤 7916 :外部連接埠 7 9 1 7 :指標裝置 7918 ：主體 7 9 1 9 :顯示部 7920 :開關 792 1 :操作鍵 7922 :紅外線埠 7923 :主體 7924 :外殻

7925 :顯示部A

7926 :顯示部B 7927 :記錄媒體讀取部 200813956 (141) 7928 :記錄媒體操作鍵 7929 :揚聲器部 7930 :主體 793 1 :顯示部 7932 :鏡臂部 7933 ：主體 7 934 :顯示部 7935 :外殻 793 6 :外部連接璋 793 7 :搖控接收部 7 9 3 8 :影像接收部 7 9 3 9 :電池 7940 :音頻輸入部 794 1 :操作鍵 7942 :主體 7943 :外殼 7944 :顯示部 7945 :音頻輸入部 7946 :音頻輸出部 7947 :操作鍵 7948 :外部連接埠 7949 :天線

Claims (1)

1. 200813956 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種顯示裝置的驅動方法， 其中’該顯示裝置包含多個分別具有各個包含發光元 件的第一至第m個子像素的像素， 其中，該第（s+1)個子像素的面積爲該第s個子像素 的面積的兩倍， 其中將該第一至第m個子像素的每一個中的一個框 分成第一至第η個子框， 其中，該第（Ρ+1)個子框的發光期間的長度爲第Ρ個 子框的發光期間的長度的2m倍， 其中，將該第一至第η個子框中的至少一個分成多個 分別具有比該第一至第η個子框之一短的發光期間的子框 ，以將該第一至第η個子框增加到第一至第t個子框， 其中，若該第一至第m個子像素中的至少一個在該 第一至第t個子框中的至少一個中發光，以顯示i的灰度 級，該第一至第m個子像素之一則在該第一至第t個子框 之一中發光，以經常顯示比i大的灰度級， 其中，m是m>2的整數， 其中，s是lsss(m-l)的整數， 其中，η是n^2的整數， 其中，P是Kp^(n-l)的整數， 其中，t是t>n的整數，和 其中，i是i^O的整數。 2 ·如申請專利範圍第1項的顯示裝置的驅動方法，其 -146- 200813956 (2) 中，以該發光期間的長度的昇冪配置該第一至第η個子框 〇 3 ·如申請專利範圍第1項的顯示裝置的驅動方法，其 中，以該發光期間的長度的降冪配置該第一至第η個子框 〇 4 ·如申請專利範圍第1項的顯示裝置的驅動方法，其 中，該第一至第η個子框的每一個具有該發光期間和信號 寫入期間。 5 .如申請專利範圍第1項的顯示裝置的驅動方法， 其中’在低灰度區域中，使亮度相對於該灰度級線性 地變化，和 其中，在該低灰度區域以外的區域中，使亮度相對於 該灰度級非線性地變化。 6 . —種顯示裝置的驅動方法， 其中，該顯示裝置包括多個分別具有各個包括發光元 件的第一至第m個子像素的像素， 其中’該第（s+1)個子像素的面積爲該第s個子像素 的面積的兩倍， 其中，將該第一至第m個子像素的每一個中的一個 框分成第一至第η個子框， 其中，該第（Ρ+1)個子框的發光期間的長度爲第ρ個 子框的發光期間的長度的2m倍， 其中’將g亥弟一至弟η個子框中的至少一*個分成多個 分別具有比該第一至第η個子框之一短的發光期間的子框 -147- 200813956 (3) 以 將 該 第 一至 第η個子框 增 加 到第一至第 t個子框 5 其 中 5 若該 第一至第r η 個 子像素中的 至少 一個 在 該 第 一 至 第 t 個子 框中的至少 一 個 中發光，以 顯示 i的 灰 度 級 » 該 第 *--- 至第 m個子像素 之 •則在該第一 至第 t個 子 框 之 一 中 發 光 ，以 經常顯示比 i 大 的灰度級， 其 中 該分 成多個子框 的 該 第一至第η 個子 框之 一 是 第 η 個 子 框 其 中 m是 m^2的整數 其 中 5 s是】 整 數 5 其 中 y η是 n>2的整數， ► 其中，p是KpS(n-l)的整數， 其中，t是t>n的整數，和 其中’ i是i^〇的整數。 7 ·如申請專利範圍第6項的顯示裝置的驅動方法，其 中，以該發光期間的長度的昇冪配置該第一至第η個子框 〇 8 .如申請專利範圍第6項的顯示裝置的驅動方法，其 中，以該發光期間的長度的降冪配置該第一至第η個子框 〇 9 ·如申請專利範圍第6項的顯示裝置的驅動方法，其 中’該第一至第η個子框的每一個具有該發光期間和信號 寫入期間。 1 0 ·如申請專利範圍第6項的顯示裝置的驅動方法， 其中’在低灰度區域中’使売度相對於該灰度級線性 -148- 200813956 (4) 地變化，和 其中，在該低灰度區域以外的區域中，使亮度相對於 該灰度級非線性地變化。 1 1. 一種顯示裝置的驅動方法， 其中，該顯示裝置包括多個分別具有各個包含發光元 件的第一至第m個子像素的像素， 其中，該第（s+1)個子像素的面積爲該第s個子像素 的面積的兩倍， 其中，將該第一至第m個子像素的每一個中的一個 框分成第一至第η個子框， 其中，該第（Ρ+1)個子框的發光期間的長度爲第ρ個 子框的發光期間的長度的2m倍， 其中，將該第一至第η個子框中的至少一個分成多個 分別具有比該第一至第η個子框之一短的發光期間的子框 ，以將該第一至第η個子框增加到第一至第t個子框， 其中，若該第一至第m個子像素中的至少一個在該 第一至第t個子框中的至少一個中發光，以顯示i的灰度 級，該第一至第πι個子像素之一則在該第一至第t個子框 之一中發光，以經常顯示比i大的灰度級， 其中，該多個子框具有彼此相同的發光期間， 其中，m是m22的整數， 其中，s是lSs<(m-l)的整數， 其中，η是η^2的整數， 其中，ρ是l^pS(n-l)的整數， -149- 200813956 (5) 其中，t是t>n的整數，和 其中，i是i^O的整數。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項的顯示裝置的驅動方法， 其中，以該發光期間的長度的昇冪配置該第一至第η個子 框。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項的顯示裝置的驅動方法， 其中，以該發光期間的長度的降冪配置該第一至第η個子 框。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項的顯示裝置的驅動方法， 其中，該第一至第η個子框的每一個具有該發光期間和信 號寫入期間。 1 5 ·如申請專利範圍第1 1項的顯示裝置的驅動方法， 其中，在低灰度區域中，使亮度相對於該灰度級線性 地變化，和 其中，在該低灰度區域以外的區域中，使亮度相對對 於該灰度級非線性地變化。 1 6 · —種顯示裝置的驅動方法， 其中，該顯示裝置包括多個分別具有各個包含發光元 件的第一至第m個子像素的像素， 其中’該第（s + 1)個子像素的面積爲該第s個子像素 的面積的兩倍， 其中’將該弟一至第m個子像素的每一個中的一個 框分成第一至第η個子框， 其中’該第（Ρ+1)個子框的發光期間的長度爲第ρ個 -150- 200813956 (6) 子框的發光期間的長度的2m倍， 其中，將該第一至第η個子框中的至少一個分成多個 分別具有比該第一至第η個子框之一短的發光期間的子框 ，以將該第一至第η個子框增加到第一至第t個子框， 其中，若該第一至第m個子像素中的至少一個在該 第一至第t個子框中的至少一個中發光，以顯示i的灰度 級，該第一至第m個子像素之一則在該第一至第t個子框 之一中發光，以經常顯示比i大的灰度級， 其中，該分成多個子框的該第一至第η個子框之一是 第η個子框， 其中，該多個子框具有彼此相同的發光期間， 其中，m是m^2的整數， 其中，s是lSsS(m-l)的整數， 其中，η是η^2的整數， 其中，ρ是Kp^(n-l)的整數， 其中，t是t>n的整數，和 其中，i是i^O的整數。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項的顯示裝置的驅動方法， 其中，以該發光期間的長度的昇冪配置該第一至第η個子 框。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項的顯示裝置的驅動方法， 其中’以該發光期間的長度的降冪配置該第一至第η個子 框。 1 9 ·如申請專利範圍第1 6項的顯示裝置的驅動方法， -151 - 200813956 (7) 其中，該第一至第η個子框的每一個具有該發光期間和信 號寫入期間。 20·如申請專利範圍第16項的顯示裝置的驅動方法， 其中，在低灰度區域中，使亮度相對於該灰度級線性 地變化，和 其中，在該低灰度區域以外的區域中，使亮度相對於 該灰度級非線性地變化。 21·—種顯示裝置，包含： 包含第一至第m個子像素的像素，該第一至第111個 子像素的每一個包括一發光元件、一信號線、一掃描線、 第一電源線、第二電源線、一選擇電晶體、以及一驅動電 晶體， 其中’該選擇電晶體的第一電極與該信號線電連接， 且該選擇電晶體的第二電極與該驅動電晶體的閘極電極電 連接’ 其中，該驅動電晶體的第一 電極與該第一電源線電連 電極電連接，

   連接， 其中，

   的面積的兩倍， 其中，將該第一至第 框分成第一至第η個子框， 個子像素的每一個中的一個 -152- 200813956 (8) 其中，該第（Ρ+l)個子框的發光期間的長度爲第P個 子框的發光期間的長度的2m倍， 其中，將該第一至第η個子框中的至少一個分成多個 具有比該第一至第η個子框之一短的發光期間的子框，以 將該第一至第η個子框增加到第一至第t個子框， 其中，若該第一至第m個子像素中的至少一個在該 第一至第t個子框中的至少一個中發光，以顯示i的灰度 級，該第一至第m個子像素之一則在該第一至第t個子框 之一中發光，以經常顯示比i大的灰度級， 其中，m是m^2的整數， 其中’s是lSsS(m-l)的整數， 其中’ η是n22的整數， 其中’ P是l^p^(n-l)的整數’ 其中，t是t>n的整數，和 其中’ i是i^〇的整數。 22·如申請專利範圍第21項的顯示裝置，其中，在該 第一至第m個子像素中共同使用該信號線。 23·如申請專利範圍第21項的顯示裝置，其中，在該 第一至第m個子像素中共同使用該掃描線。 24·如申請專利範圍第21項的顯示裝置，其中，在該 第一至第m個子像素中共同使用該第一電源線。 2 5 ·如申請專利範圍第2 1項的顯示裝置， 其中，該像素所具有的該信號線的數量爲2條或2條以 上，且爲m條或m條以下，和 -153- 200813956 (9) 其中，該第一至第m個子像素之一所具有的該選擇 電晶體與不同於連接到其他子像素所具有的該選擇電晶體 的該信號線電連接。 26.如申請專利範圍第21項的顯示裝置， 其中，該像素所具有的該掃描線的數量爲2條或2條以 上，和 其中，該第一至第m個子像素之一所具有的該選擇 電晶體與不同於連接到其他子像素所具有的該選擇電晶體 的該掃描線電連接。 27·如申請專利範圍第21項的顯示裝置， 其中，該像素所具有的該第一電源線的數量爲2條或2 條以上，且爲m條或m條以下，和 其中，該第一至第m個子像素之一所具有的該驅動 電晶體與不同於連接到其他子像素所具有的該驅動電晶體 的該第一電源線電連接。 28·—種電子設備，包含如申請專利範圍第21項的顯 示裝置。 -154 -