TW200812424A - Low-reflection self-illumination unit display - Google Patents

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200812424 九、發明說明： , ... ' . _ . 圓. ---. 圓 圓 _ .. 【發明所屬之技術領域】 - - - · ... 、 ... _- . - 身 · · . 得，係關於-種嶋 係關於-種低反射率之自發光元件顯示器。 【先前技術】 _ , . _ 圓圓· . ' +·._ . ~ . . 隨著薄型顯示器需求量之提井，白於止、μ 八里&扠开自發光兀件顯示器的技術 開叙在近年來日益重要。句会右媸恭 次f 受。3有機發先二極體顯示器在内之自 1顯示11，其技械熟度也日趨·。以有機發光二極 體顯’顯示面板之亮歧錄是評健體品質的 前纽-領域中，如何有效地提升自發光元 件叙出光線之利醇^已咸為工程-轉積爾翻一自^了一― 以顯示面板之對比而言，當對比高時，顯示面板整體之顏 色及影像表現都較為理想。然而在提升對比之方式上，除了提 升自發光元件之亮度外，如何阻隔外在環境光之反射亦是一重 要課題。由於外在環境光會自顯示面進入顯示面板心再經由 顯示面板内之電極缝晶體元件_示面，反射之光線往 往影響顯飾板縣發出之絲妹，造崎比下降的現象。 因此如何降低外在環境光之反射即成為時研發之方向。 如圖1所示’為降低顯示面板之反射率，係於顯示 面板之基板10外表面11加設偏光膜3〇。 200812424 【發明内容】 一目的在於提供一種自發総件顯示i 低之外在環境光反射率。; :匕 v丨八啕叙 較佳之對比表現〜、气 ... _ . ... .... .. .. . ， ，.. ... ' ^發^之另—目的在於提供—種自發光元件顯示器，具有 較佳之發光利用率。 自發光元件顯轉主要包含_面基板、暗色吸光結構、 贿電路元件、自勉元件裝置及光機層。暗色吸光結構、 驅動電路元件及自發光元件裝置均形成於顯示面基板之内表 面侧’而光調變層較姻形成_示面基板之外表面側。 —㉞雙基控5表面上，'並位於非發 光區軌。驅_路元件餘於暗色吸光、结構之 凡件衣置係位於顯不面基板之内表面側，並大體位於發光區域 内光,周雙層係设置於顯示面基板之外表面上。光調變層之光 穿，率約大於42%，且較佳係約介於42%與継之間。 、藉由暗色吸光結構之設置，得以減少顯示面基板非發光區 ^外在環境光線進入量，從而減少因驅動電路元件反射外在 環境光而造成之反射光。而光調變層之設置則可以減少進入顯 =面基板外在如兄光線里，以提高自發光元件發出光線所構成 影像之對比。此外，藉由光調變層與暗色吸光結構之搭配設 置，、可有效減少因外在環境光線入射而造成之反射光量 ，以達 到增加顧示器對比之效果。 200812424 【實施方式】 .. ..... ' ' 士，明係提供一種自發光元件顯示蠢。在較餘施例中， 之自發光元件顯示器係為—彩色有機發光二極體_) 在不同實_中’條明之自發光元件顯示器亦 由^早色之有機發光二極體顯示器。此外，私 發明之巧光元件顯示器亦可包含高分子系有機發光二 二卿顯不=。本發明之自發光元件顯示器係可應用於各 ^ ^員=屏、家用的平面電視、個人電腦及膝上型電腦之平 反型皿視崙、行動電話及數位相機之顯示幕等。 …在圖2所示之較佳實施例中，自發光元件顯示器主要包含 基板1GG、暗色吸光結構期、驅動電路元件咖、自 :〇 f外表面13°。暗色吸光結構緣、軸Ϊ路元件~ 5〇Γ 毛光70件裝置70〇均形成於顯示面基板i 〇〇之内表面⑽ :層_較佳則形成於顯示面基板1〇〇之外表面 顯不面基板⑽較佳係由玻璃、石英、壓克力或包含 ^有機材料透騎質所製成。此外，如圖2所示，顯 ^基板100之内表面11〇具有一發光區域⑴及非發光區域 .* — . ...... * 曰色吸先”σ構300係形顧顯示面基板⑽内表面⑽上， 113内。在較佳實施例中，暗色吸光結構 洛=可π全覆盡非發光區域113，·然而在不同實施例中，暗 色吸光結構_亦可僅部分㈣非發祕域113。齡暗色吸 200812424 . . ' * , . ... - - :.，：. ..... ...... - * . . .- ' _ . ' 光結構300 0置，得以減少顯示面基板1〇〇非發光區域⑴ ^外在環境光軸入量’從而減少因線路或電子元件反射外在 純光而造成之反射光。在較佳實施例中，暗色吸光結構細 係包含暗色吸光矩陣結構(Black Matrix)。其構成形式係包含 予層之有機膜、單層之無機膜、複合之有機膜、複合之無機膜 轉岭对。在姆實_卜暗&吸光赠結構係包含金 屬鉻黑色矩陣；然而在不同實施例中，暗色吸光矩陣結構亦可 • 包含其他麵之黑色矩陣，例如樹脂黑色矩陣及石墨黑色矩 陣。 如圖3所示，驅動電路元件500係位於暗色吸光結構3〇〇 之3。相對於自顯示面基板1〇()入射之外在環境光而言，暗 ———缝選复继連電路咕逆。j此驅動電路元 =500不易被外在環境光照射，進而避免外在環境光藉由驅動 :路元件5〇〇或其所含之金屬材質而反射出顯示面基板谢 j自發光兀件裝置700係夾設於電極層71〇與另一電極層 鲁 730之間，此外，自發光元件裝置700可延伸設計與驅動電路 f、〆⑽有重宜或無重豐。在圖4所示之較佳實施例中，暗色 °光、…構300係遮蔽驅動電路元件5〇〇於顯示面基板1⑼内表 侔0上之垂直投影，從而得到較佳之遮蔽效果。驅動電路元 顶了 5〇〇較佳係包含薄膜電晶體(Th^-Fi & -Transistor， 有；、然而在不同實施例中，驅動電路元件500亦可為其他具 之=似功此之電路型式，例如Mm—TFD電路。形成薄膜電晶體 a silicon ； a-Si) ^ 200812424 ' ..; . .... ..- ... - . ·r _ ·

低溫多晶矽製程(Low Temperature poly-SH 他可提供類似功效之製程。: Λ < 如圖4所示，自發光元件裝置7〇〇係钲於顯示面基板細 之内表面110側，並大鐘位於發光區域111内。換言之，自發 光元件裝置_所發出之光源，得以經由發光區域m而射出 ^顯示面基板100外。在較佳實施例中，如圖4所浪j 元件裝置700於顯示面基板1〇〇内表面11〇上之垂直投影係落 於内表面110之發光區域⑴内。自發光元件裝置彻較佳係 包^有機發光二極體(獅）；然而在不同實施例中，自發光‘ 件衣置700亦可包含高分子系有機發光二極體(獅）。此外， 自毛光元件波置彻係藉由電極層71〇與驅動電路元件咖相 避膜.，然而在不 同實施例中，電極層71G亦可包含透明或導電膜材料 讀裝置7GG係夾設於電極層則與另一電極層珊之間，此 夕I’、自發光元件裝置·可延伸設計無動電路元件咖有重 S或無重疊。 在圖一5所示之實施例中，依據使用材料及換合物之不同， i =装置7_包含紅光發光二極體、綠光發光二極體 =監先|光二極體，亦即分別提供紅光、綠光或藍光复中之 。巧三個自發光元件裝置7_ -、先及i光B’以達成色彩調合之目的，進而提供全之海 :贊、綠光G及藍光B自發先元件 $極層730可電性連接至_電麵未_或不同 200812424 .. . ..；-·：…：...._.-. ....:.. :.. - ·. _ ... . - 〆 包壓源(未繪示)。然而在圖6之實施例中，自發光元仵袈置 係為白光發光二極體，亦即提供白色之輸出光線。如圖6 據光片娜。自發光元件裝_ 慮光片2〇〇後’分別形成紅色r、綠色G及藍色b之光線。在 較佳實施例中，彩色渡光片2_係覆蓋顯示面基板胤 部，並與暗色吸光結楱300相鄭接。丨^ - ’ . - · ； .... 泰 如圖3所示，光調變層900係設置於顯示面基板1〇〇之外 表面130上。光調變層9〇〇較佳係以貼附方式設置於顯示面基 板100之外表面130上；然而在不同實施例中，光調變層9〇〇 亦可以薄膜製程直接形成於顯示面基板1训之外表面上。 ———————生鲞里务生Ml埤積、濺鍍、轉印隻玄苎社丄亦 包含黃光及蝕刻等製程。 一一一一一一一 在較佳實施例中，光調變層900係包含一偏光膜。然而在 不同實施例中，光調變層900可以為中性濾光膜(Neutral _ Density Filter，勝Filter)、波長延遲波板、抗眩光膜或其 他具有光線篩減功能之膜片。在本發明中之實施例中，光調變 層900之光穿透率約大於42%。在較佳實施例中，光調變層9〇〇 之光穿透率則約介於42%與80%之間。為因應顯示器之顯示特 性及設計需要，更可進一步將光調變層9⑽之光穿透率設定約 為42%至44%之間。此外，光調變層900之光反射率較佳係約 低於501。 在圖3所示之實施例中，經由驅動電路元件5〇〇之驅動， 200812424 .. .... 、'' . - · · ·- 自發光το件700係發出光線並穿透與驅動電路元件5〇〇連接之 電極層710、顯示面基板100及光調變層900向外射出。藉由 ' ^调堯層900之阻隔，寸以減少進入顯示面基板侧外在瓖境 米線夏’以提高自發光元件發出光線所構成影像之對比。此 外’藉由光調變層900與暗色吸光結構300之搭配設置，更可 有政減少因外在環境光線入射而造成之反射光量，以達到增加 顯不态對比之效果。在較佳實施例中，當光調變層9〇〇之光穿 如圖7所示，當顯示器使用光穿透率約為57%之偏光膜作為 光調變層900，並與暗色吸光結構300配合時，即可控制整體 之反射率在大部份之狀況時為10%以下。此外，由於與暗色吸 一 ——！、：^1互00— ge*全兔用，在無需使用光穿考曼過低之專調變層 900之狀況下即可將整體反射率降低，因此得以提升系統整體 亮度及光使用率。 , '-. ’ — * · 圖8所示為本發明另一實施例示意圖。在此實施例中，自 _ 發光元件700產生之光並未通過與驅動電路元件5〇〇連接之電 極層710，而是經由另一侧之電極層73〇、彩色濾光片2〇〇、 顯不面基板100及光調變層9〇〇向外射出。在此實施例中，驅 動電路元件500係形成於背侧基板8〇〇上，可仍位於暗色吸光 釔構300之上方。此外，電極層73〇較佳係包含氧化銦錫(I扣） 薄膜，然而在不同實施例中，·電極層73〇亦可包含透明或導電 膜材料。自發光元件裝置7〇〇係夾設於電極層71〇與另一電極 層730之間，此外，自發光元件裝置7〇〇可延伸設計與驅動電 200812424 ..... ... ..... . ： . . . ... ..... ...... ... ' .； -- · ... ... .... . . 路元件500有重疊（如圖8所示）或無重疊。 ：· -, . · ； 木發明已由上述相關實施例加以描述：，然而上述實施例僅 為貪施本發明之範例。必需指出的是，色揭露之實施例並来限 _ ' .. ... ... .... . .. 制本發明之範圍。相反地，包含於申讀專利範圍之精神及範圍 之修改及均等設置均包含於本發明之範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1為習知技術中發光二極體顯示面板之剖面圖； 圖2為本發明自發光元件顯示器之實施例元件拆解圖； -------*' 員 _「 器之實施例剖面圖; ―― —-----------------------------------------______ 圖4為自發光元件顯示器實施例中投影位置之示意圖；—一 圖5為使用紅光、綠光、及藍光發光二極體之實施例示意圖、 圖6為使用白光發光二極體搭配彩色濾光片之實施例示意圖; 圖7為使用光穿透率為57%之偏光膜作為光調變層時之反^率 測試圖； ^ ^ t 圖8為本發明自發光元件顯示器之另一實施例剖面圖。 12 200812424 【主要元件符號說明】 10基板 11外表面 30偏光臈 50自發光元件 100顯示面基板 110内表面 111發光區域 籲 113非發光區域 130外表面 200彩色濾光片 —一 3QQjt色吸#結缚 500驅動電路元件 700自發光元件裝置 710電極層 φ 730電極層 800背侧基板 900光調變層

Claims (1)

1. 200812424 , · . · · · .... · ··.·.· 十、申請專利範菌“ 1· 一種自發光元件顯示器，包含: 二^乂 有-發光區域及—非發光區域r r 、，=色吸光結構，係形成於該顯示面基板之讓内 並位於該非發光區域; 、’_路元件’係位於該暗色吸光結構之上方，該暗色 吸光結構係大體遮蔽該驅動電路元件； 、，-自發光耕裝置，餘於_和基板之朗表面側， 亚大體位於該發光區域内；其中，該自發光元件係盘該區 動電路元件電連接;以及 ·…亥驅 —----二光调變層二係設_*於等貝示面基板之該外表面上，其中 該光調變層之一光穿ij^^42%7——一——————一二― 包含一暗色吸光矩陣結構。 3. 如申請專利範圍扪項所述之顯示器，其中該光調變層係包含 一偏光膜。. 4. 如f請專利範圍第丨項所述之顯示器，其中該光調變層係包含 -(Neutral Density Filter, ND Filter) 〇 5·如申請專利範圍第1項所述之顯示if，其中該光調變層係包含 一波長延遲波板。 - . ' - -- * 6·如申讀專利範圍第1項所述之顯示器，其中該光調變層係包含 一抗眩光膜。 7.如申請專利顧第1項所述之_||，其找暗色吸光結構係 200812424 70全復盍該内表面之謂非發光區域 8.如申請專利範圍 穿透率約小於80%。 牙透率約介於42%至桃之間。 10·如申請. 調變層之該$ 變層之該光 發光元件 專利範圍第1項所述之顧示器，其中該自 寒置係包含一有機發光二極體。 11.如申請專利範圍第丄項所示之顯示器，朴 裝置係包含—高分子系有機發光二極體。、务先元件 比如申請專利範圍第)項所示之顯示器，其中μ 裝置係用以提供-紅光、-綠光或―藍光。名自發先元件 -13二杜輕缝輕1-避5之顯示器，JL中嗲自於伞一 係用以提供一白光。、s: ^中 14. =請專利範圍第13項所述之顯示器，更包含一彩色據光片， 汉置於該顯示面基板上。思片 15. 如申請專利範圍幻項所述之顧示器，,^々、 設置於該顯示面基板上。 .匕3一衫色濾光片， 轉卿第i撕奴崎，㈣動路元件传 包含一溥膜電晶體。 ' : :切电給兀1干你