TW200811934A - Apparatus and method for treating substrates - Google Patents

Description

200811934 九、發明說明： 本申請案主張於2006年8月30號向韓國智慧財產局 提出申請之韓國專利申請案第2006-82799號的優先權，該 專利申請案所揭露之内容系完整結合於本說明書中。 • 【發明所屬之技術領域】 、 本發明是有關於一種基板處理裝置。特別地，本發明 是有關於一種對基板上表面施用化學制劑或氣體以清潔與 乾燥該基板的基板處理裝置，以及一使用此基板處理裝置 攀的基板處理方法。 【先前技術】 在半導體裝置的製作過程中，精細圖案的形成是藉由 反覆沉澱與蝕刻絕緣層與金屬材料、塗佈與顯影光阻劑 photoresist)、去除光阻而達成。於上述制程中產生的粒子 藉由使用了去離子水(deionized water，DI water)或化學制 劑的一濕式清洗過程而去除。 傳統的清潔與乾燥裝置包括一晶圓夾盤⑼紅过 _ ehunek)’用於轉晶圓。#晶圓夾盤承载晶圓藉由一馬達 的驅，而轉動時，去離子水或化學制劑會供應至晶圓的表 面。藉由晶圓的轉動力，所供應的去離子水或化學制劑: .擴散至整個晶圓的表面，從而實施清潔與乾燥制程。θ * 在此單晶圓的清潔與乾燥裝置中，晶圓藉由去離子水 而進行清洗，而清洗後的晶圓藉由氮氣而進行乾燥。7 然而，隨著近來發展更大直徑晶圓以及晶圓： 細圖案的趨勢，去離子水或許不能全部被清除（乾燥 6 200811934 青，燥過程暴露於空氣中，外界的環境合對 m生較大的影響而5丨致晶圓乾燥不良^ 、〇 ，傳統清潔和乾燥裝置於腔室底部配 咖)結構。盡管有此排氣結構，在清潔和乾 中於基板上產生雜霧還是不能順 、耘 會造成基板的污染。 _以目此’煙霧 【發明内容】 本發明之較佳實施例提供了一種基板處理裝置一 例中用基板處理裝置例如包括：—具有失盤的基 ^盤周圍 > 頂部腔室，用於打開與關底部腔室的t於 當頂部腔室與外界隔㈣缺基板乾m直接= 嘴嘴構件’裝設於頂部腔室内，用於#底部 關 閉時直接將流體注入至基板。 ]項^關 本發明之較佳實施例提供了一種基板處理方法 較佳實施财’基板處财法例如包括：縣板裝载至 认於底部腔至内的夾盤上；將清潔用流體(制句注入至基 板’以清潔此基板；將清洗流體注入至基板，以清洗此基 板’將餘流體注人至基板’以乾燥此基板，其中在注入 乾燥流體至基板時’當底部腔室藉由頂部腔室與外界隔絕 日守’ t置於頂部腔室的直接注射喷嘴直接地將乾燥流體注 入至基板’以乾餘此基板。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 7 200811934 明如下。 【實施方式】 本發明將充分結合較佳實施例之 =:可::有多種實施方式，並不限於本二= 乂“域。⑽本文所提及之較佳實施例㈣ 底^揭示本發_容，並㈣將本發明的概 達仏 所屬領域具有通常技藝者。圖示中_的標號代表 7L件。

一圖1繪示了底部腔室完全封閉的基板處理裝置。圖2 繪不了底部腔室部分封閉的基板處理裝置。圖3緣示了底 部腔室完全打開的基板處理裝置。 請參考圖1至圖3，基板處理裝置1〇〇接連實施處理 過程，例如化學清潔過程，清洗過程與乾燥過程。 基板處理裝置1〇〇包括一基板支撐單元11〇，一底部 腔室120，一頂部腔室130，一化學制劑噴嘴單元16〇，以 及一減壓單元170。 基板支撐單元110用於在基板處理過程中支撐基板 W ’且其包括一夾盤112，——轉轴(spindle )114，一旋轉構 件116，一提升構件(elevating member )117，以及一後喷嘴 118 〇 夾盤112設置於底部腔室120中。夾盤112具有一上 表面112a，用於承載基板W，支撐腳(SUpp0rtpin)ii3a，用於 支撐基板W，同時將基板W與頂部表面112a隔開；夾盤腳 (chucking pin)113b，用於固定基板W。夾盤腳113b在處理 8 200811934if 過程中夾固基板w之邊緣的一部分。 轉軸114耦接於夾盤112的底部中央。轉轴114為一 中空軸的形式’將旋轉構件116的轉動力傳輸至夹盤112。 雖然未詳細繪示出，但旋轉構件116可包括—驅動器，例 如馬達’以產生-轉動力；—動力傳輸單元，例如傳送帶 或傳輸鏈，用於將驅動器所產生的轉動力傳輪至轉軸。 升降構件117能使夾盤112向上或向下移動，以使夹 盤112的高度在底部腔室120中隨著處理過程所使用的流 體種類而變化（或隨處理過程而變化）。基於此升降構件 117，夾盤112依據所使用流體的種類（或依據處理過程） 可移動至相對應於第一、第二與第三吸收導管（sucti〇n duct)122a、122b與122c (將於後文詳述）的高度。如上所 述，底部腔室120被固定，而夾盤112隨著處理過程，例 如清潔、水洗、乾燥（或隨著所使用流體的種類）而上下 移動。相反，當夾盤112固定時，底部腔室12〇可上下移 動。 背後喷嘴118選擇性地將用於清潔或乾燥基板w的 流體注入至基板W的底部。背後喷嘴118包括一供應管 118a以及一喷嘴118b。供應管n8a可作為流經轉軸114 中空部分，以及流經裝設於夾盤112上表面中央的喷嘴 118b之流體的流動通道。噴嘴U8b暴露於夾盤112中央 部分連接供應管118a，用於將流體注入至基板w的背後 表面，以清潔和乾燥基板W的後表面。供應管iiga可為 一預定的導管或以轉軸114之中空空間為内部導管。喷嘴 200811934f 118b注入基板w之背後表面中央的流體藉由基板w的轉 動而擴散至基板w的邊緣。 底部腔室120具有敞開的頂部，且底部腔室12〇環繞 於夾盤112周圍。第一、第二與第三吸收導管ma、122b . 與122c為呈階梯式分佈的環形吸收導管，以使於旋轉基板 • W之上擴散的流體（或基板W經化學處理時產生的煙霧） 流入。每個吸收導管122a、122b或122c都具有一連接於 真工笞線174的排出口 (exhaust p〇rt )124，以強制性姑#屮 • 趙。排出管線(未綠示)連接於底部腔室== 收化學制劑。 減壓單元170將藉由底部腔室12〇與頂部腔室13〇 的耦接而形成的一封閉的處理空間“a，，減壓。減壓單元 1 匕括真空栗浦(vacuum pump )172與一真空管線174， 其中真空管線174 —端連接於真空泵浦172，另一端連接 於底部腔室120的排出口 124。 請參考圖1、以及圖4至圖8，頂部腔室13〇包括一 φ =罩132，其用於打開與關閉底部腔室120之頂端；一裝 設於頂罩132上的間接注射喷嘴14〇，以將用於乾燥基板 的〃 1L體間接地注入至基板w ; 一打開/關閉驅動器us， ，^驅動頂罩1 32全部打開、部分關閉或全部關閉底部腔 •室120之頂端；以及—裝設於頂罩132上的直接注射喷嘴 構件180,以將用於清洗與乾燥基板w的流體直接地注入 至基板W。 了頁罩132之設計尺寸可以完全覆蓋底部腔室120之頂 10 if 200811934 端，且頂罩132具有一環形空間卜加⑴肛叩扣幻丨別，一導引 凸起（guide protrusion ) 139,—中央孔徑（centmlap論代） 135, 一導引表面 136,以及一前伸壁（pr〇trusive wall )137。 環形空間134為—傘型空間，其包括一裝設有間接注 射喷鳴140的邊緣部分，以及一高於邊緣部分的中央部 分。環形空間134具有一傾斜通道，用於將間接注射喷嘴 構件140所注入的乾燥流體引導至中央部分。 導引凸起139為-流動引導構件，用於引導乾燥流體 的流動’以使從間接注射喷嘴M〇;^入的乾燥流體能夠首 先流向基板w的中央。導引凸起139的外型為一從頂罩 132的頂部中央凸向基板W中央的圓錐體（⑽e)。若沒 有導引㈣139,職間接注射噴嘴注人的乾燥流體會由 於相互碰撞而產生非均勻性流動。因此，導引凸起139能 使頂罩132頂部中央的乾燥流體避免相互碰撞。 。，接注射噴嘴140裝設於環形空心34的邊緣部分且 王-％^。間接注射噴嘴M〇包括多個均勾間隔的注射孔 ^固^射孔142都能沿向上的方向（導引凸起 142將2二!Ϊ她主入。間接注射喷幻4〇藉由注射孔 M2將乾煉流體注入後，乾燥流體沿 設於環形空間134之中央邻八134抓向衣 J 〈〒兴…刀134b的導弓j凸起139。 夢由導inr的中央部分134b所收集的乾燥流體 猎γ=139經由中央孔徑135排出至—處理空間 的一乂二 為處理空間“a，，與環形空間134之間 的一别伸七刀，由間接注射喷嘴14〇所注入的乾燥流體流 200811934f 經此前伸壁137。前伸壁137能保護基板W不受從間接注 射喷嘴140掉落的外來物質（foreign substances )的影響。 值得注意的是，乾燥流體可包括有機溶劑（〇rganie solvent)例如異丙醇（isopropyl alcohol，IPA)與被加熱至 20至90攝氏度的氮氣。 .、 如上所述，乾燥流體間接地注入，呈片狀流動，且乾 燥流體的濃度分佈比使用傳統的擺動喷嘴直接將流體喷注 至基板表面所形成的流體濃度分佈更加均勻。間接注射嘴 ⑩ 嘴140裝设於被形空間134的邊緣部分（向内凹入部分）j 以阻止外來物質從間接注射喷嘴140的注射孔142掉落至 基板W。特別地，由於乾燥流體是在頂罩132的中央部分 聚集後’再穩疋地流向基板W的中央部分，因此可均勺土也 乾燥基板W。 頂罩132的導引表面136從其中央至邊緣向下傾斜。 導引表面136引導經由中央孔徑135排出的乾燥流體，以 使乾燥流體逐漸由基板W的中央擴散至邊緣。由於向下傾 ⑩ 斜的導引表面136的存在，即使當乾燥流體從基板W的中 央擴散至其邊緣時，乾燥流體的濃度也不會降低。導引表 面136定義出一由基板W的中央漸縮至基板邊緣的處理空 間 “a”。 • 由於處理空間“a”是由基板w的中央漸縮至基板邊 緣，因此由基板W的中央流向其邊緣的乾燥流體，其在基 板W的邊緣處的濃度高於在基板w的中央處的濃度。此 外，由於乾燥流體是油基板w的中央逐漸擴散至基板w 12 f 200811934 、故由於因=可以均勻地覆蓋基板w的整個表面。 的中央至流f二道，亦即處理空『a”域板W 流速高於^板錢&體結板W之邊緣處的 地將ίΪ、ί圖4至圖8，直接注射噴嘴構件⑽驗直接 板上/^體〉主人至基板。直接注射喷嘴構件180能將基 对粜未乾_部分_地處理錢，以提升基板乾燥 射喰喈描!!地’直接〉主射喷嘴構件180有助於經由間接注 1鳥構件14〇的處理*未完全絲的基板巾央部分的乾 燥。直接注射噴嘴構件180將乾燥流體從基板中央推至邊 緣，以直接地乾燥基板的表面。 直接，主射噴嘴構件180包括第一與第二喷嘴182a與 182b轉軸、一第一驅動器187、以及一第二驅動器 188。第一與第二噴嘴182a與182b倂排裝設於頂罩132 的底部表面。第一與第二喷嘴182a與182b分別於其一端 具有嘴嘴尖(nozzle tip)l83a與183b，注射孔形成於喷嘴尖 183a與183b上，用以分別注入去離子水與乾燥流體。噴 嘴182a與182b的另一端連接於轉軸184。第一與第二喷 嘴182a與182b呈彎曲狀，且裝設於容納空間 (accommodating space)131内，而容納空間131則位於頂罩 132之下表面的邊緣，以避免阻礙其他的處理過程。例如， 第一與第二喷嘴182a與182b可呈弧形。容納空間131所 裝没之位置同基板的邊緣隔開’以避免在其他的處理過程 13 _f 200811934 tii 一 t第二喷嘴182'與咖所引致的流動的不平衡 ;干擾。雖然本實施例中第—與第二噴嘴隐與職呈 言曲狀，但其也可製作為其他形狀，例如直線狀。 轉，m垂直地穿過頂軍132 ’且藉由一支架ΐδι來 士Ϊ:軲軸丄84错由弟—驅動器187的驅動來轉動，且藉 驅動器188白勺驅動來上下移動。轉轴184具有第一 吳弟-通運184a與184b ’去離子水與乾燥流體分別經由 ^兩個彼供應至第-與第二噴嘴ma與·，轉轴184 = 口 1853與185t>，用於分別連接清洗流體供應管 、，泉98a與乾燥流體供應管線_。轉轴⑽ 上轉動。 f ·驅動為187月匕使第一與第二喷嘴與職水 2 第一驅動器187包括-馬達咖，用於產生轉 187傳輸至轉軸184;以及-傳動帶(bdt)187e。第二驅動 了 ，第一與第二嘴嘴職與182b上下移動。第一 舁弟一喷嘴182&與l82b的上下 繁 喷嘴職與職的注射古声，曰制弟-與弟-1Ή 0。+回度且其私動範圍限制於容納 。接注射喷嘴構件180包括-感應哭、189。 3器189可偵測轉轴_轉動角度與高度，:L由 =了與第二驅動器187與⑽的故障而引發的不良處理 ，據上述的基板處理裝置跡直接注射喷嘴構件⑽ 妾地將乾㈣體注射至經過間接注射喷嘴⑽處理卻未 14 200811934, 、邊緣部位等），以提 ί燥均勾的特定部位（例如中央部位 尚基板的乾燥效率。 外:基板〜的處理空間“a，，藉由頂部腔室130而 且_的處理空間“a ”可減駐低於一個大 口此’可將外部環境對基板乾燥處理過程的影響 減至隶低，且基板可被快速地乾燥。

請再參考圖1與圖3，化學制劑喷嘴單元160用於注 身=潔歸體與清洗流體至基板Μ上表面。化學制劑喷 嘴單元160包括-化學制劑喷嘴162，其可藉由一喷嘴移 動構件164而垂直上下移動或從晶圓w中央的頂部旋轉移 動至底部腔室120的外側。喷嘴移動構件164包括一水平 支撐166,連接於化學制劑喷嘴162;以及一連接於水平支 撐166的垂直支撐168’其可藉由一馬達的驅動而轉動（未 繪示）。 沾+Γ然未於圖中緣示’底部腔室120與基板支撐單元110 、夹盖n2也可被相應地或個別地提升。當底部腔室120 與夹盤112上升或下降時，可將基板w裝載於夹盤ιΐ2 上，或者將經過處理的基板w從其上卸載下來。 根據上述的基板處理裝置1〇〇，注射孔的數量或供應 至注射孔的流體類型可隨著清潔與乾燥基板的不同方法而 變化。此外，注射孔的間隔也可改變。例如，清潔流體可 為去離子水和氫氟酸（HF)的混合溶液，或為去離子水、 氨水（ammonia solution )與雙氧水 φγ(ΐΓ(^η per〇xide solution)的混合溶液；清洗流體可為去離子水;以及乾燥流 15 200811934if 體可為異丙醇蒸氣（IPAvap〇r)與氮氣（nitiOgengas)的 混合氣體，或是氮氣。 下面洋、、用彳田述使用上述基板處理裝置的一種基板清 潔與乾燥方法。 、請參考圖9,基板W經由底部腔室120的頂端開口裝 載於夾盤112上。基板w由讀腳n3a支撐，且由失般 腳⑽夾固。藉由旋轉構件116的轉動，基板w隨著= 盤112而轉動。藉由化學制劑喷嘴單元16〇的化學制劑喷 嘴I62所注入的流體而清潔和清洗旋轉基板1奢 洗過程是在頂部腔室完全打開敝態下完成。 - 當基板W的清潔過程完成時，便開始實其 乾燥過程。乾燥過程是在##士γ σ、土板W的 施前，首先將去離===:境=’； 層，以避免於基板…的表面形成水印:、域保瘦 下面詳細描述乾燥處理過程。請參考圖10， 2開位置移動至部分封閉位置以封閉 此凡 直接注射噴嘴構件移動第一盥 -此守 部广吏基板之表面不會暴露二板頂 一保護層。當去離ϊίΐ表面’以於基板之表面形成 止，二==== 不會被離心力驅散。當頂i移動至二:Γΐ 了乾燥職抑対提供的絲频料用下建立 16 200811934 在形成了去離子水的保護層後， 位置移動至全部封閉位置以封閉底部腔室刀， 參考圖11，藉由減壓單元170對由頂罩所 二―）明 間“a”實施減壓。當處理m‘a，，、内的氣理空 流體，1及錯由直接注射噴嘴構件 Ά的乾減體職板W實施辆。乾燥 間a被減壓前由間接注射喷嘴構件14〇(亦;= 室開始移動以封閉底部腔室時）開始注二: 裝設於環形空間⑽邊緣部分，且注 開孔，=倾靖孔⑷料❸卜來㈣利致的 万染。乾燥流體從間接注射噴嘴構件14〇之注射孔 入後，沿著環形空間134聚集於環形空間134的 134b(頂罩的中央）。於獅空間134的巾聚= 乾燥流體經由中央孔徑135而流動至處理空間“斤二 板^央部分。經由中央孔徑135而流動至基板中土 乾燥流體從旋祕板W財央逐_散 二 而均勻地乾燥基板W的表面。 向陕迷 直接 >主射喷嘴構件18 0將乾燥流體從基板中央推至邊 緣，以直接地乾燥基板的表面。當直接注射噴嘴構件 從基板W的中央移動至邊緣時’乾燥流體在擴散的同時也 被注入至基板w的邊緣。可選地，直接注射噴嘴可受控而 集中地將乾燥流體注射至特定的部位，例如乾燥不良處。 根據本發明，可同時清潔與乾燥基板w的上表=和 17 if 200811934, ^別也，自基板W旋轉時，藉由背後喷嘴構件 心的料mb所注入的、與注入至基板w上表面之流 肢相流體來清潔與乾燥基板的下表面。 當完成了基板w的乾燥時，頂部腔室13〇的頂罩】32 2移動至如圖】〇所示的部分封閉位置之後，移動至如圖9 的位置’以打開底部腔室120的頂端。夾 | τ止軺動後，基板w被從夾盤112上卸載。 ㈣明可應用於所有使用液體（或氣體）來處理基板 的衣置中。雖然本發明之上述實施例描述了一種用 2潔的旋轉的清潔裝置，但本發明亦可應用於旋轉钱刻 美板ί發^有以下的優點··⑴可快速乾燥 體的濃度的均勾分饰；（3)間接注射 貰為向上開孔，以避免外來物質掉落至基板 == 呆護而免於受到外界污染;(5)乾燥:板‘ =(7)曰所供應的用於乾燥基板的流體之濃度與溫度的變 减至取小，以及（8)基板中央部分的乾燥效率提升。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，铁。 岐本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離；；發 ，圍内’當可作些許之更動與潤飾’因此本 ^ 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為准。X 【圖式簡單說明】 18 200811934 圖1繪示了底部腔室完全封閉的一基板處理裝置。 圖2繪示了底部腔室部分封閉的一基板處理裝置。 圖3繪示了底部腔室完全打開的一基板處理裝置。 圖4為裝設了直接注射喷嘴之頂部腔室的立體示意 圖。 圖5為裝設了直接注射喷嘴之頂部腔室的局部剖面 圖。 圖6為裝設了直接注射喷嘴之頂部腔室的平面圖。 圖7為裝設了直接注射喷嘴之頂部腔室的剖面示意 圖。 圖8為頂部腔室的剖面示意圖，繪示了圖7之直接注 射喷嘴的第一與第二喷嘴轉動後的狀態。 圖9至圖11繪示了利用基板處理裝置而處理基板的 各個步驟。 【主要元件符號說明】 110 :基板支撐單元 112 :夾盤 112a:頂部表面 113a:支撐腳 113b:夾盤腳 114:轉軸 116:旋轉構件 117:升降構件 118:背後喷嘴 19 200811934 118a:供應管 118b:喷嘴 120:底部腔室 122a:第一吸收導管 122b:第二吸收導管 122c:第三吸收導管 124:排出口 130: ⑩ 132: 134: 135: 136: 137: 138: 139: 140: • 160: 162: 166: . 168: 170: 172: 174: 180: 頂部腔室 頂罩 環形空間 中央孔徑 導引表面 前伸壁 開/關驅動器 導引凸起 間接注射噴嘴 化學制劑喷嘴單元 化學制劑喷嘴 水平支撐 垂直支撐 減壓單元 真空栗、/爾 真空管線 直接注射喷嘴 20 200811934 w:基板 181:支架 185a、185b:端口 142:注射孔 182a:第一喷嘴 182b:第二喷嘴 • 183a、183b:喷嘴尖 184:轉轴 春 184a:第一通道 184b:第二通道 187:第一驅動器 187a:馬達 187b·.滑輪 187c:傳動帶 188:第二驅動器 189:感應器

Claims (1)

1. 200811934[f 十、申請專利範圍： 1. 一種基板處理裝置，包括： 一基板支撐單元，其具有一可裝載基板的夾盤； 一底部腔室，其具有敞開的頂部，且所述底部腔室環 繞於所述夾盤周圍； • 一頂部腔室，用於打開或關閉所述底部腔室之頂部， 當所述頂部腔室與外界隔絕時，使所述基板乾燥；以及 一直接注射噴嘴構件，配置於所述頂部腔室中，用於 ® f所述底部腔室之頂部關閉時將流體直接地注射至所述基 板。 2·如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置更包 括： 一間接注射噴嘴構件，配置於所述頂部腔室之邊緣， 用於將流體注射至所述頂部腔室的中央，以將所述流體間 接地注射至所述基板。 3·如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中 • 所述直接注射喷嘴構件是可移動的，以變換流體注射位置。 4·如申請專利範圍第丨項所述之基板處理裝置，其中 所述直接注射喷嘴構件包括： 、 • 祕性的第—與第二噴嘴，配置於所述頂部腔室的底 部表面上，且每個所述噴嘴於其一端都具有一乾燥流體注 射孔；以及 山轉軸，連接於所述第一與所述第二喷嘴的各自的另 而且所述^軸具有一通道，流體經由所述通道供應至 22 2〇〇8ll934f 所述弟一與所述第二喷嘴。 二 專Γ範圍第1 2 3 4 5 6項所逑之基板處理裝*，其令 所述直接注射贺嘴構件更包括： 驅^ ’用於驅動所述轉轴H變戶斤述第— 與所述弟二贺嘴的流體注射位置。 所、Λ二1:專利範圍第4項所述之基板處理裝置，其中 所述直接庄射喷嘴構件更包括··

   一ΐ二驅動器，用於升降所述轉軸，以改變所述第-與所述弟二噴嘴的流體注射高度。 7.、如申請專利範圍第4項所述之基板處理裝置，其中 =所述頂指至之邊緣界定了 一用於容納所述直接注射噴 嘴構件之所述第—與所述第二噴嘴的容納空間。 、 、8.如申請專利範圍第7項所述之基板處理裝置，其中 所述容納空間位於所述基板之邊緣的外側。 9·如申請專利範圍第4項所述之基板處理裝置，Α中 所述第-與所述第二噴嘴每個都呈弧形，且配置於位ς所 述頂：室之邊緣的所述容納空間中，以避免對其他處理 過程的幹擾。. ^ ^ 23 1 〇·如申請專利範圍第7項所述之基板處理裝置，其 2 中所^第-噴嘴注射用於清潔所述基板的流體，且所述第 3 二喷嘴注射用於乾燥所述基板的流體。 4 11·如申睛專利範圍第2項所述之基板處理裝置， 5 中所述頂部腔室包括： 、 “ 6 一流動導引構件，用於引導從所述間接注射噴嘴構件 200811934 所注入之流體流向所述頂部腔室之所述頂部表面之 以使所述流體首先到達所述基板的中央。 央， 12. 如申請專利範圍第η項所述之基板處臂署 中所述流動導引構件包括一圓錐形導引耙，:夏，其 部腔室之所述頂部表面之中央向所述基板之中央述頂 13. 如申請專利範圍第η項所述之基板處理。 中所述頂部腔室更包括： 、复’其 -環形空間，用於將所述間接注射噴嘴所注 乾燥流體引導至所述頂部腔室的中央； 述 -中央孔徑，藉由所述中央孔徑，沿著所述 聚集於所述頂部腔室之中央的所述乾燥流體排出 板；以及 返基 -導引表面，用於引導由所述中央孔徑排出 燥流體從所述基板的中央逐漸擴散至邊緣， 乙 其中所遂流動導引構件包括所述圓錐形引導凸 立 從所述頂部腔室之所述頂部表面之中央向所述基2中2 凸起。 土 甲央 14. 如申請專利範圍第12項所述之基板處理裝立 中所述間接注射噴嘴構件配置於所述頂部腔室真 /、 呈環狀。 达緣，且 15. 如申請專利範圍第14項所述之基板處理裝置，1 中所述間接注射噴嘴構件用於注射流體至所述導弓i凸起/。、 16· —種基板處理方法，包括： (a)裝載一基板至一夹盤，所述夾盤配置於一底部胪 24 200811934 室中； (b)注射清潔流體至所述基板，以清潔所述基板； (C)注射清洗流體至所述基板，以清洗所述基板；以及 (d)注射乾燥流體至所述基板，以乾燥所述基板， —其中在所述步驟（d)中，當所述頂部腔室將所述底部 腔室封閉時，配置於所述頂部腔室_—直接注射喷嘴構 件直接地注射所述乾燥流體至所述基板，以乾燥所述基板。 17·如申請專利範圍第16項所述之基板處理方法，其 中在=述^驟（d)中，於所述頂部腔室將所述底部腔室封 閉之丽，藉由配置於所述頂部腔室内的間接注射噴嘴構件 所注入的所述乾燥流體，於所述頂部腔室内先形成了乾燥 的環境。 ’、 18·如申睛專利範圍第16項所述之基板處理方法，其 中匕在所述步驟（d)中，於所述乾燥流體由所述直接注射喷 嘴構件注入之前，所述乾燥流體藉由配置於所述頂部腔室 内的間接注射噴嘴構件間接地注入至所述基板。 19·如申請專利範圍第18項所述之基板處理方法，其 中在所述步驟（d)中，利用所述直接注射噴嘴構件而實施 的所述直接注射，與利用所述間接喷嘴構件而實施的所述 間接注射為同時發生。 20.如申凊專利範圍第ι8項所述之基板處理方法，其 中，述間接注射噴嘴構件所注入的所述乾燥流體是從所述 頂部腔室的邊緣注入至中央，於所述頂部腔室之中央聚集 的所述乾燥流體經由形成於所述頂部腔室之中央的中央孔 25 200811934, 排出至所述基板，且職巾央孔_排出的所述乾 =體從所述基板之中央逐漸擴散至所述基板 乾煉所述基板之表面。 21·如申明專利範圍第16項所述之基板處理方法，立 中所述步驟⑷在低於大氣壓力之環境下實施。’、 22. 如申請專利範圍帛16項所述之基板處理方法，其 中所述步驟（d)更包括·· 於所述底部腔室被所述頂部腔室封閉之 水基板之上表面，以於所述基板之= 保&層，攸而避免所述基板暴露於空氣中。 23. 如中請專利範圍第16項所述之基板處理方法，其 中在形成所述保護層的過程中，所述基板的轉動停止，或 以低速轉動，叫免所述去料水被驅散輯職板之外。 24‘如申請專利範圍第16項所述之基板處 苴 t在舰步驟⑷中，當所述頂部腔室將所述底部腔室部 7刀封閉k ’所逑直接注㈣嘴構件將所述去離子水注 所述基板。 25·如申請專利範圍第24項所述之基板處理方法，豆 中在所述清潔流體的注入完成前，所述頂部腔室移動至將 所述底部腔室部分封閉之位置，且在所述去離子水注入至 所述基板㈣程完賴，所述頂雜室飾至將所 腔室完全封閉之位置。 一 26