200810067 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體裝置，其中半導體元件係安裝 於基板中，及一種該半導體裝置之製造方法。 【先前技術】 已對安裝半導體元件之結構做出各種提議。舉例而言， 已提議其中預定義半導體元件安裝於形成於基板中的凹 入部分（或空腔）中的結構。 舉例而言，若安裝用作一類半導體元件的MEMS(微機電 系統元件，則有利的是可能進行封裝小型化或微型裝配 且當元件安裝於凹入部分中時元件亦易於密封。 另外，用於安裝半導體元件的基板正從習知陶瓷基板發 展為其中便於小型化或微型裝配的半導體（例如，矽）基 板。 [專利文獻1 ] 未審查日本專利申請公開案第2000—39371號 然而，能夠習知地易於作為當前半導體基板獲得之矽晶 圓具有大約600 //m至800 之厚度，且具有難於增加 用於安裝半導體元件之凹入部分深度的問題。舉例而言， 若製造比能夠習知地獲得之半導體基板更厚的特殊基 板，則凹入部分可較深地形成，但製造半導體基板的成本 增加。當考慮生產時的生產率時，此為不實際的。 另外，若凹入部分較深地形成，則存在凹入部分之形態 (特定言之，平坦度）變化增加且待形成的半導體裝置之良 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 5 200810067 率（或生產率）降級之問題。 另外，在專利文獻1中所揭示的方法（日本未審查 申請公開案第誦-別奶號）藉由層壓半導體基板一而形 成空腔’但該空腔用於形成壓力_元件(或振動膜）。並 未詳細地揭示用於在該空腔中安裝半導體元件 結構。 ^ 【發明内容】 因此，用於解決上述問題之本發明之—般目的，在於新 穎地提供一種有用的半導體裝置及該半導體裝置之製造 方法。 ^ 本發明之更為具體的目的，在於提供一種半導體裝置 (其令生產率更佳且半導體元件安裝於基板中）及該^導 體裝置的製造方法。 為了解決上述問題，根據本發明之第一態樣，提供一種 半導體裝置，其包括： 藉由層壓複數個半導體基板而形成之層壓基板，該層壓 基板具備形成於其内之凹入部分，及 安裝於該凹入部分中的半導體元件。 本發明可提供一種半導體裝置，其中生產率更佳且半導 體元件安裝於基板中。 當複數個半導體基板係由矽基板製成，並藉由氧化矽薄 膜之接合層而層壓時，層壓基板之結構係穩定的。 此外，可在凹入部分之下表面中，形成穿過經層壓基板 之通道栓塞，且安裝半導體元件以連接到通道栓塞。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 6 200810067 者η凹：部分以穿過複數個半導體基板中之至少-者$，可較深地形成凹入部分。 ：?丨:77為其中分卿成於複數料導體基板中的 連k 6結構時，可較深地形成凹入部分。 當複=何縣㈣職（其巾複脑餘之晶向不 自W層屋基板時’可改良待安褒半導體元件之安裝 目由度。 半 為了解決上述問題，根據本發明 導體裝置之製造方法，其包括·· 之弟二態樣’提供一種 猎由層壓複數個半導體基板形成層壓基板之第一步驟 稭由蝕刻該層麗基板而形成凹入部分之第二步 在凹入部分中安裝半導體元件之第三步驟。 根據本發明’其中半導體元件安裝於基板中 置可以更佳的生產率製造。 千導體衣 導體基板 ，易於形成 當在第一步驟中使用接合層來層壓複數個半 且在第二步驟中使用接合層作為蝕刻終止層時 凹入部分。 當由矽基板製造複數個半導體基板且接合層為氧化 薄膜時，可易於形成層壓基板。 發 當在第一步驟中複數個半導體基板經層壓（其中〃 基板之晶向不同）時，改良待安裝半導體元件之6复數個 磨。 女I自由 且半導 本發明可提供一種半導體裝置（其中生產率更佳 體元件安裝於基板中）及該半導體裝置的製造方= 312xp/發明說明書(補件)/96-09/96128588 7 200810067 【實施方式】 根據本發明，半導體裝置包括：藉由層壓複數個半導體 基板而形成的層壓基板，形成於層壓基板中之凹入部分， 及安裝於凹入部分中的半導體元件。 當半導體元件習知地安裝於半導體基板之凹入部分（或 空腔）中時，用於收納半導體元件之凹入部分之深度受半 導體基板之厚度限制。另外，當凹入部分較深地形成時， 將以較高的成本製造特殊半導體基板。 因此’根據本發明之半導體裝置之特徵，在於使用其中 層壓有複數個半導體基板之層壓基板形成用於安裝半導 體元件之凹入部分。因此，可易於利用一般較便宜的半導 體基板（例如’石夕晶圓或其類似物）來建構其中凹入部分比 習知凹入部分形成得更深的用於安裝半導體元件之基 板因此，可建構其中半導體元件安裝於凹入部分中之具 有更佳的生產率的半導體裝置。 當製造半導體裝置時，可能進行蝕刻的深度比習知半導 體基板之/木度更深且蝕刻量的容限較大，而使得執行蝕刻 以在層壓基板中形成凹入部分。 另外，當藉由蝕刻層壓基板而形成凹入部分時，接合表 可用作餘刻終止層。因此，可易於形成凹人部分且處理 =度亦可更佳。舉例而言，當矽基板用作半導體基板時， 二=形成包括氧化矽薄膜的薄膜，其用作至半導體基板之 合表面之接合層。接合層可用於層壓石夕基板且在形成凹 入部分時可用作蝕刻終止層。 312XP/發明說明書(補件)/96·〇9/96ΐ28588 8 200810067 之後參看附圖“迷半導體褒置之製造方法的例子與待 製造之半導體裝置之結構的例子。 [具體例1] 圖1A至圖1G係說明以根據本發明之具體例1之程序製 造半導體裝置之方法’且圖1G亦說明根據本發明之具體 例1之半導體裝置之結構。但是，與先前描述相同的部件 在隨後的關中用相同的元件符號表示且省略其描述。 首先在圖1A所5兒明之製程中，例如，層壓（或接合） 由石夕基板（或石夕晶圓）製成之第一半導體基板101及由矽 基板（或石夕晶圓）製成之第二半導體基板1G3，以便形成層 壓基板。此基板被稱作S0I基板。 曰 另外田矽晶圓（厚度為600 //m至800 //m)用作第一 半導體基板101或第二半導體基板1〇3時，可藉由預先研 磨石夕晶圓來薄化石夕晶圓。在此具體例中，例如，藉由研磨 矽曰:圓至200 “至300 “之厚度，將矽晶圓用作第一 :二广板1 〇 1，且在不對石夕晶圓進行研磨的情況下，將 第二半導體基板103按照原狀使用（厚度為6〇〇 #111至8〇〇 // m) 〇 可在第一半導體基板101與第二半導體基板103之間 (或至接合表面）形成預定義的接合層102以容易地接合 土板在此具體例中，藉由在第一半導體基板1〇1上形成 i例如胃)由氧化矽薄膜製成的接合層102，而容易地層壓第 :半導體基板101與第二半導體基板103。舉例而言，可 藉由在形成於第一基板101上之接合層102上安裝^二半 312XP/發明說明書(補件)/96-_6128588 9 200810067 導體基板103及在大約ii〇〇°c之溫度下加熱，而藉由接 合層102穩定地層壓第一半導體基板1〇1與第二半導體基 板 103 。 1 另外，當形成凹入部分時，接合層丨〇2可用作層壓基板 10 4之钱刻終止層（如下文所述）。 之後，在圖1B所說明的製程中，於層壓基板丨〇4(或， 第二半導體基板103)上形成具有開口 1〇5A之抗蝕劑圖案 105，例如，使用基於光微影方法之圖案化方法。 之後，在如圖1C所說明之製程中，例如，使用抗蝕劑 圖案105作為遮罩，經由乾式蝕刻（諸如，使用電漿之 RIE(反應性離子蝕刻））來執行第二半導體基板1〇3之圖 案蝕刻，且於第二半導體基板1〇3中形成孔1〇3A。另外， 可經由濕式|虫刻來執行上文所述之圖案蚀刻。 由於構造不同於第二半導體基板1〇3的接合層1〇2在上 文所述之蝕刻中充當蝕刻終止層，因此在接合層丨〇2被暴 露的時間點終止蝕刻。 之後，在圖1D所說明的製程中，藉由改變將在乾式蝕 刻中所使用之氣體類型（或，改變在濕式蝕刻中所用之蝕 刻液體）而蝕刻且移除在孔1〇3A下部暴露的接合層1〇2。 此外，如在圖1C所說明之情況中，使用圖1C之抗蝕劑圖 案105作為遮罩經由乾式蝕刻來執行第二半導體基板1〇3 之圖案蝕刻且形成穿過第一半導體基板1〇1之孔（或通 孔）101A。另外，可經由濕式蝕刻來執行圖案蝕刻。 在移除抗蝕劑圖案1〇5之後，於新層壓基板1〇4上（或 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 10 200810067 第二半導體基請上)形成具有開口 1〇6A之抗截劑圖案 106。之後，使用抗蝕劑圖案106作為遮罩經由乾式蝕刻 執行第二半導體基板103之圖案蝕刻且形成盆中安妒半 導體元件之穿過第二半導體基板1G3之凹人部分（或、 孔)103B。另外’可經由濕式蝕刻來執行圖案蝕刻。 由於構造不同於第二半導體基板1G3的接合層102在如 上文所述之#刻中充當#刻終止層，因此在接合層1〇2被 暴露的時間點終止餘刻。亦即’可易於形成凹入部分 103B，其具有幾乎等於第二半導體基板1()3厚度的深度。 之後，在圖1E所說明的製程中，在層壓基板1〇4之表 面（或第-半導體基板101與第二半導體基板1〇3)上形成 一絕緣薄膜（例如，熱氧化物薄膜）1〇7。另外，需要剝落 接合表面103C的絕緣薄膜，在隨後的製程中用於密封半 導體元件之保護層與該接合表面1〇3c接合。 之後’藉由（例如）電鍍方法在通孔1〇1A中形成由導電 材料（例如，Cu)製成之通道栓塞ι〇8。 之後’在圖1F所說明之製程中，將其上形成有凸塊ιι〇 之半導體元件1G9安裝於凹人部分1Q3B中。在此情況下， 半導體元件109覆晶連接並安裝在通道栓塞1〇8中，該通 道栓塞經形成以在凹入部分刪的下部穿過層壓基板 1〇4(或第一半導體基板ι〇1)。 此外，根據待安裝之半導體元件1G9之規格，可藉由執 行如圖1G所說明的下一製程在凹入部们〇犯中密封（或 封閉）半導體元件1〇9。舉例而言，MEMS(微機電系統)元 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 200810067 件用作一種半導體元件。可在預定義的封閉空間中密封並 使用各種MEMS元件。在此情況下，可如下密封半導體元 件 109。 舉例而言，在圖1G所說明的製程中，平坦形狀覆蓋層 111安裝於凹入部分103B上以密封半導體元件1〇9。在此 情況下，覆蓋層111與層壓基板104(或第二半導體基板 103)接合。另外，當覆蓋層hi由玻璃製成時，覆蓋層 111可經由陽極結合製程與由矽製成之第二半導體基板 103接合。因此，凹入部分ι〇3Β為封閉空間且半導體元 件109密封於該封閉空間中。 因此，可製造其中半導體元件109安裝於層壓部分1〇4 之凹入部分103B中之半導體裝置1〇〇。 該製造半導體裝置之方法之特徵在於其易於較深地形 成用於安裝半導體元件109之凹入部分i〇3B。舉例而言， 由於凹入部分103B經形成以穿過第二半導體基板1〇3， 因此可形成幾乎等於第二半導體基板103之厚度（600 至800 //m)的凹入部分103B之深度。 另外，由於在凹入部分103B經由蝕刻而形成的情況 下，用於接合半導體基板之接合層102充當蝕刻終止層， 因此可容易地控制凹入部分103B之蝕刻深度。 舉例而言，在此具體例中，藉由向層壓基板1 〇4形成複 數個凹入部分103B，在其内安裝半導體元件及在隨後的 製程中使層壓基板104分區（或切割層壓基板1〇4)而製造 複數個半導體裝置100。又，在此情況下，可透過經由使 3 UXP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 12 200810067 用蝕刻終止層（或接合層1〇2)之蝕刻而形成凹入部分 103B來抑制在複數個凹入部分1〇3中之深度變化。 另外，當形成用於安裝半導體元件之凹入部分時，可藉 由在待層壓之複數個半導體基板中分別形成孔，且使得^ 等孔能夠連通來形成更深的凹人部分。亦即，當經由㈣ 形成凹入部分時，在凹入部分穿過第一半導體基板之後暴 露二下一半導體基板可額外地受到蝕刻，且重複此等處理 (右兩要）以形成用於安裝半導體元件之凹入部分。 另外，虽如上文所述形成較深的凹入部分時，建 安裝複數個半導體元件（例如’經層壓之半導體元件）之結 構。之後，將描述半導體裝置之製造方法的 、、σ [具體例2] 〇 W咸置之方法，且圖21亦說明 例2之半導體裝置之結構。但是，與先前描述相同之㈣體 在隨後的_中用㈣的元件符號表示，且省略盆
-首先，在類似具體们之所說明之製程的如田圖^ 所說明之製程中，形成層壓基板2()4。在 ^A 由層壓由石夕基板(或简)製成之第一半二i 基板201與由矽基板（或矽晶圓）製成之第二-2 〇 3而形成層壓基板2G4。由（例如）氧化^體基板 合層202可形成於第一半導體基板2〇1半^ ， 203之間(或形成至接合表面)以穩定地：導體基板 接合層202可用作下文所述之蝕刻中之終止^。另外， 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 13 200810067 另外，在此具體例中，可形成第二半導體基板2〇3，其 比經由預先研磨製程之第一半導體基板2〇1更厚。 之後，在圖2B所說明的製程中，於層壓基板2〇4(或， 第二半導體基板203)上形成具有開口 2〇5A之抗蝕劑圖案 205例如，使用基於光微影方法之圖案化方法。 之後，在如圖2C所說明之製程中，使用抗蝕劑圖案2〇5 作為遮罩，經由乾式蝕刻執行第二半導體基板2〇3之圖案 蝕刻且形成穿過第二半導體基板2〇3之孔。可經由 濕式姓刻執行圖案姓刻。 由於構造不同於第二半導體基板2〇3的接合層2〇2在上 文所述之蝕刻中充當蝕刻終止層，因此在接合層2〇2被暴 露的時間點終止蝕刻。 之後，在圖2D所說明的製程中，藉由改變在乾式蝕刻 中所使用之氣體類型（或改變在濕式蝕刻中所用之蝕刻液 體）而蝕刻且移除在孔203A之下部暴露的接合層2〇2。此 外，在新層壓基板204(或第二半導體基板2〇3)上形成將 在如圖2E說明之蝕刻中使用之具有開口 2〇6A之抗蝕劑圖
案206。在此情況下，當開口 2〇6a之開口面積大於孔2〇3A 之開口面積時，可如下文所述形成具有階梯形狀之凹入部 分。 在第一半導體基板2〇1中形成將在如圖2F說明之蝕刻 中使用的具有開口 207A之抗姓劑圖案2〇7。 之後，在圖2E所說明之製程中，使用抗蝕劑圖案2〇6 作為遮罩，經由乾式蝕刻執行第二半導體基板2〇3之圖案 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 14 200810067 蝕刻。由於接合層202在蝕刻第二半導體基板203之製程 中充當姓刻終止層，因此在接合層2 0 2被暴露的時間點， 弟"一半導體基板203之触刻製程終止。在本文中，穿過第 二半導體基板203之孔203A之開口面積增加，其對應於 開口 206A 。 在I虫刻半導體基板203之製程中，執行暴露的第一半導 體基板2 01之圖案餘刻。在此情況下，第一半導體基板 201亦與钱刻第二半導體基板203 —起餘刻且在第一半導 體基板中形成孔2 01A。需要形成孔2 01A使得孔2 01A並 不穿過第一半導體基板201。因此，需要預先建構比第二 半導體基板203更厚的第一半導體基板201。 由於如上文所述之蝕刻，形成凹入部分208，其中穿過 第二半導體基板203之孔20 3A與形成於第一半導體基板 201中之孔201A進行連通。在上文所述之此具體例中， 凹入部分208可較深地形成，因為在待層壓之複數個半導 體基板上形成凹入部分208。 另外，形成凹入部分208，其中孔203A之開口面積在 用作上層之第二半導體基板203中較大，且孔201A之開 口面積在用作下層之第一半導體基板201中較小。 之後，在如圖2F所說明之製程中（其之頂部及底部與先 前的圖式相反），使用抗餘劑圖案2 0 7用作遮罩經由乾式 蝕刻執行第一半導體基板201之圖案蝕刻且形成穿過第 一半導體基板201之孔（或通孔）201B。此外，藉由改變將 在蝕刻中使用的氣體類型而蝕刻且移除在孔2〇 1B之下部 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 15 200810067 暴露的接合層202。 之後―，在圖2G所說明的製程中，在層壓基板2〇4之表 面1或第Γ半導體基板201與第二半導體基板203)上形成 一絕緣薄膜（例如，熱氧化物薄膜）2〇9。另外，需要剝落 接合表面203C的絕緣薄膜，在隨後的製程中用於密封半 導體元件之保護層與該接合表面203C接合。 之後，藉由（例如）電鍍方法在通孔2〇1β中形成由導電 材料（例如，Cu)製成之通道栓塞21()。 之後，在圖2H所說明之製程中，將其上形成有凸塊212 之半導體元件211安裝於凹入部分2〇8中。在此情況下， 半導體tl件211覆晶連接且安裝在經形成以在凹入部分 208的下部穿過層壓基板2〇4(或第一半導體基板2〇ι)之 通道栓塞210中。不同於半導體元件211之半導體元件 213經由凸塊214而連接在其上形成凸塊212之表面上。 在根據本具體例之半導體裝置中，可層壓並安裝複數個 半導體元件211與213，因為在複數個半導體基板上較深 地形成凹入部分208。 車乂仏地若半導體元件213為MEMS元件，則當包括MEMS το件之驅動器的半導體元件211與胍邶元件一起層壓與 安裝時，可使半導體裝置小型化。 如在具體例1之情況下，可藉由執行圖21之下一製程 在凹入部分208中密封半導體元件211與213。 舉例而言，在圖21所說明之製程中，平坦形狀之覆蓋 層215安裝於凹入部分208上，以密封半導體元件2ΐι與 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 16 200810067 213。在此情況下，覆蓋層215與層壓基板2〇4(或第二半 導體基板203)接合。另外，當覆蓋層215由玻璃製成時， 覆盖層215經由陽極結合製程，連接至由矽製成之第二半 導體基板203之接合表面203C。因此，凹入部分208為 封閉空間且半導體元件2 π與213密封於該封閉空間中。 因此，可製造半導體裝置200，其中半導體元件211與 213層壓並安裝於層壓基板2〇4之凹入部分2〇8中。 該製造半導體裝置之方法的特徵，在於用於安裝半導體 π件之凹入部分208可較深地形成，因為凹入部分2〇8形 成於半導體基板201與203上。舉例而言，凹入部分208 經建構使得穿過第二半導體基板2〇3之孔2〇3人與形成於 第一半導體基板201中之孔2〇1Α連通。 一因此，可在半導體裝置200中安裝（或密封）各種類型之 半導體元件。舉例而言，可層壓（或密封）MEMS元件與包 括其驅動器之半導體元件。 另外，在上文所述之具體例中，層壓基板可經建構使得 建構層壓基板之半導體基板之晶向彼此不同。舉例而言， 在具體例2之情況下，第一半導體基板2〇1與第二半導體 基板203可經層壓以形成層壓基板204,使得第一半導體 基板201與第二半導體基板2〇3之晶向彼此不同。 圖3八為平面圖，其說明與如上文所述之具體例1之圖 2相對應之狀態。但是’與先前描述相同的部件在隨後的 附圖中用相同的元件符號表示，且省略其描述。另外，在 此圖式中，第一半導體基板2〇1與第二半導體基板2⑽經 312XP/發明說明書(補件)/96·09/96128588 17 200810067 層壓使得第一半導體基板201與第二半導體基板203之晶 向彼此相差45度。在此情況下，如在此圖式中所說明， 孔203A與孔201A可在不同方向中形成。 另外’圖3B為平面圖，其說明在圖3A之製程之後的製 程（或與具體例2之圖2H相對應的狀態）。在此圖式中， 半導體元件213可經安裝以相對於半導體元件211傾斜。 亦即’可藉由形成層壓基板，使得待層壓之複數個基板 之晶向彼此不同，而對安裝半導體元件之方向進行各種改 、交’且可藉由改良半導體裝置之設計自由度而在減小的空 間中安裝半導體元件。 另外，當如上文所述蝕刻半導體基板時，可使用一使用 遮罩之乾式蝕刻與一使用蝕刻液之濕式蝕刻。 圖4為一例子，其中經由各向異性蝕刻形成通道栓塞且 在如上文所述之具體例2中之圖2F之製程中製造與半導 體裝置200相對應的半導體裝置200A。但是，與先前描 述相同的部件在隨後的附圖中用相同的元件符號表示，且 省略其描述。 如在圖4中所說明，以錐形形狀形成與如圖2丨中說明 之通道栓塞210相對應之通道栓塞21 因此，若需要， 可對蝕刻方法或蝕刻圖案進行各種修改或變化。 在半導體裝置1〇〇與2〇〇中密封的半導體元件為（例如） 加速度感應器、溫度感應器、微鏡裝置、光學裝置（諸如 光接收裝置及光發射裝置）及其類似物。另外，本發明並 不限於此等半導體元件，而是可安裝其他各種半導體元 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 200810067 件。 在具體例中描述作為用於建構層壓基板之半導體基板 的石夕基板的例子。但本發明並不限於矽基板，且例如，可 使用SiGe基板或化合物半導體基板或其類似物。 本發明可提供一種半導體裝置（其中生產率更佳且半導 體元件安裝於基板中）及該半導體裝置的製造方法。 【圖式簡單說明】 圖1A為說明根據具體例1之半導體裝置之製造方法的 (第一）視圖。 圖1B為說明根據具體例1之半導體裝置之製造方法的 (第二）視圖。 圖1C為說明根據具體例1之半導體裝置之製造方法的 (第三）視圖。 圖1D為說明根據具體例1之半導體裝置之製造方法的 (苐四）視圖。 圖1E為說明根據具體例1之半導體裝置之製造方法的 (第五）視圖。 圖1F為說明根據具體例1之半導體裝置之製造方法的 (第六）視圖。 圖1G為說明根據具體例1之半導體裝置之製造方法的 (第七）視圖。 圖2A為說明根據具體例2之半導體裝置之製造方法的 (第一）視圖。 圖2B為說明根據具體例2之半導體裝置之製造方法的 31ZXP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 19 200810067 (第二）視圖。 圖2C為說明根據具體例2之半導體裝置之製造方法的 (第三）視圖。 圖2D為說明根據具體例2之半導體裝置之製造方法的 (第四）視圖。 圖2E為說明根據具體例2之半導體裝置之製造方法的 (第五）視圖。 圖2F為說明根據具體例2之半導體裝置之製造方法的 (第六）視圖。 圖2G為說明根據具體例2之半導體裝置之製造方法的 (第七）視圖。 圖2H為說明根據具體例2之半導體裝置之製造方法的 (第八）視圖。 圖21為說明根據具體例2之半導體裝置之製造方法的 (第九）視圖。 圖3A為說明具體例2之經修改的例子的（第一）視圖。 圖3B為說明具體例2之經修改的例子的（第二）視圖。 圖4為說明具體例2之另一經修改的例子的視圖。 【主要元件符號說明】 100 半導體裝置 101 第一半導體基板 101A 通孔 102 接合層 103 第二半導體基板 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 20 200810067 103A 子L 103B 凹入部分 103C 接合表面 104 層壓基板 105 抗蚀劑圖案 105A 開口 106 抗蝕劑圖案 106A 開口 107 絕緣薄膜 108 通道栓塞 109 半導體元件 110 凸塊 111 覆蓋層 200 半導體裝置 200A 半導體裝置 201 第一半導體基板 201A 子L 201B 通孔 202 接合層 202A 接合層 203 第二半導體基板 203A 孑L 203C 接合表面 204 層壓基板 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 21 200810067 205 抗蝕劑圖案 205A 開口 206 抗名虫劑圖案 206A 開口 . 207 抗蝕劑圖案 207A 開口 208 凹入部分 209 絕緣薄膜 210 通道栓塞 210A 通道栓塞 211 半導體元件 212 凸塊 213 半導體元件 214 凸塊 215 覆蓋層 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96128588 22