TW200818344A - Die bonder and die bonding method thereof - Google Patents

Description

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• 三達編號：TW3164PA 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種黏晶機台及其黏晶方法，且特別 是有關於一種以兩階段式黏置多組晶粒於基板上之黏晶 機台及其黏晶方法。 【先前技術】 隨著科技不斷地進步，各式半導體封裝結構之需求量 與曰遽增。半導體封裝製程之型態非常的多，以打線接合 (Wire-bond)之封裝製程簡述如下。首先，以一切割機 台將晶圓切割成數個晶粒。接者’再以一黏晶機台將晶粒 黏置於一基板上。然後，以一打線機台將銲線銲接於晶粒 及基板。接著，以一封膠機台將封膠覆蓋晶粒、基板及銲 線。藉此，封膠即可避免晶粒碰撞或受潮而損壞。 其中，在上述黏置晶粒之步驟中，傳統之黏晶機台係 以*^吸取裝置吸取晶粒並黏置此晶粒於基板上。在此過程 \ . 中，吸取裝置一次僅吸取一個晶粒，並將其黏置於基板 上。如此反覆的動作，直到預計黏置之晶粒均黏置於基板 上為止。 然而，傳統之黏晶機台以一吸取裝置一個接著一個來 回往返晶圓及基板之間，相當地費時。不僅製程速率低， 更限制機台生產率。 5 200818344 :達編號：TW3164PA 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種黏晶機 其黏晶方法，其第—吸取裝置及第二吸取裝置執 段式黏，步驟。不再需要以_個吸取裝置—個接著—個來 回黏置晶粒’只需以第一吸取震置將晶粒排列後，再 二吸取裝置-次黏置多個晶粒於基板上。因此 f 速度加快許多，進而提高生產速率。 體黏曰曰 ㈣本發明之-目的’提出—種黏晶機台。黏晶機么 匕括-晶圓平台、—排列平台、—輸送機構、至少—第一 ，取裝置及-第二吸取裝置。晶圓平台用以置放一晶圓， 晶囫具有數個晶粒。輸送機構用以承載並輸送—基板。第 =取裝^以吸取其中之—晶粒’並排列各晶粒於排列 二口上。第二吸取裝置用以自排料台同時吸取此些晶 粒，並同時黏置此些晶粒於基板上。

V 根據本發明另—目的’提出一種黏晶機台之黏晶方 乃^占晶機台包括—晶圓平台、—排列平台、—輸送機構 —第-吸取袈置及-第二吸取裝置。黏晶方法包 提供一曰曰圓於晶圓平台上，晶圓具有數個晶粒； 曰 ht、基板於輪送機構上；（C)以第一吸取裝置自 2平台吸取各晶粒；⑷排列第—吸取裝置吸取之晶粒 時吸:Ltt:以及(e)以第二吸取裝置自排列平台同 取此些晶粒，朗時黏置此些晶粒於基板上。 懂，為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 6 200818344

^ 三達編號：TW3164PA 明如下： 【實施方式】 請參照第1圖，其繪示依照本發明較佳實施例之黏晶 機台100的示意圖。黏晶機台100至少包括一晶圓平台 120、一排列平台130、一輸送機構150、一第一吸取裝置 111及一第二吸取裝置112。晶圓平台120用以置放一晶 , 圓300，晶圓300具有數個晶粒310。輸送機構150用以 輸送基板200。第一吸取裝置ill用以吸取其中之一晶粒 310，並排列各晶粒310於排列平台130上。第二吸取裝 置112用以自排列平台130同時吸取此些晶粒310，並同 時黏置此些晶粒310於基板200上。 如第1圖所示，黏晶機台1〇〇除了上了上述之晶圓平 台120、排列平台130、輸送機構丨5Q、第一吸取裝置】11 及第二吸取裝置112外，更包括一控制單元170、一資料 i 庫160、一點膠機構18〇及一加熱機構14〇。為了清楚說 明各個元件之功能，以下係搭配本實施例之黏晶方法說明 如下。 請同時參照第1圖及第2圖，第2圖繪示依照本發明 之黏晶機台100之黏晶方法之流程圖。首先，在步驟 中，提供一晶圓300於晶圓平台12〇上。其中，晶圓300 係已切割為數個晶粒31〇。 接著，在步驟（b)中，提供一基板2〇〇於輸送機構 150上。基板200具有數個封裝單元21〇，各封裝單元21〇 7 200818344

三達編號：TW3164PA 係對應於一個黏晶位置P310 (封裝單元210係％示於第3 圖中）。如第1圖所示，基板2〇〇更透過點膠機構18〇在 基板200上點滯一黏著劑4〇〇，黏著劑4〇〇係點滯於各個 黏晶位置P310。 然後’在步驟（c)中，以第一吸取裝置自晶圓 平台120吸取各晶粒31〇。如第1圖所示，控制單元Η。 係用以控制第一吸取裝置U1及第二吸取裝置112。其中， , 第一吸取裝置1Π —次僅吸取一個晶粒310，第二吸取裝 置112 —次可吸取多個晶粒31〇。在此步驟中，控制單元 170係驅動第一吸取裝置111至晶圓平台120上方，並對 準其中之一晶粒31〇後，吸取此晶粒310。 接著，在步驟（d)中，第一吸取裝置111將吸取之 晶粒310排列於排列平台130上。請參照第3圖，其繪示 基板200之封裝單元210與排列平台130之晶粒310的排 列方式對照圖。在本實施例中，基板200具有36個封裝 & 單元，並以6*6矩陣方式排列。且每一封裝單元21〇 對應一黏晶位置Ρ310，換句話說，基板200具有36個黏 晶位置Ρ310。此些黏晶位置ρ31〇之資料係儲存於資料庫 160中。其中，36個黏晶位置ρ31〇係可區分為4個區域 Al、Α2、A3及Α4。在每一區域中，9個黏晶位置ρ3ΐ〇係 以3*3矩陣配置各個區域内。排列於排列平台Mg之晶粒 310係對應於其中之一區域A1、Α2、Α3或Α4的9個晶粒 310 ’故其數量少於基板200之黏晶位置Ρ310的總數量。 如第1圖所示，在此步驟中，控制單元17〇讀取資料 8 200818344

_ 三號：TW3164PA 庫160内的黏晶位置削後，驅動第一吸取裝置⑴依 據其中/區域Al、A2、A3或A4之9個黏晶位置p31〇的 相對關係排列各個晶粒31 〇於排列平台丨3〇上。 然後，在步驟（e)巾，以第二吸取裝置112自排列 平口 130同#吸取此些晶粒31〇，並同時黏置此些晶粒 於基板200上。如第3圖所示，在基板200上之每-區域 A1 A2 A3及A4中，均定義一定位點C1、C2、C3及C4。 ，定位點Π、C2、C3或C4之資料係儲存於資料庫160中。 以第3圖為例，控制單元170讀取資料庫160内之定位點 ci後，控制第二吸取裝置112將9個晶粒31〇之對應點 pi對應至定位點c卜並同時黏置此9個晶粒31〇於基板 200 上。 如上所述’ 9個晶粒310係依據其黏晶位置Ρ310之 相對關係排列於排列平台13〇上，且第二吸取裝置112直 接依據定位點Cl、C2、C3或C4同時黏置9個晶粒310於 I 基板200上。因此，9個晶粒310係可精確地對應其黏晶 位置Ρ310〇 接著’如第1圖所示，當基板200上之36個黏晶位 置Ρ310均黏置好晶粒31〇後，黏置好晶粒31〇之基板2〇〇 更透過加熱機構14〇的烘烤而固化黏著劑4〇〇，以使此些 晶粒310與基板2〇〇接合。 較佳地，在第二吸取裝置112黏置晶粒310於基板 200時，第一吸取裝置lu仍可繼續運作而不受影響。 在本實施例中，雖然黏晶機台100係以一個第一吸取 9 200818344

^ 三達編號z TW3164PA 裝置111為例做說明。然第一吸取裝置111之數量並非用 以限疋本發明，黏晶機台亦可包括數個苐一吸取I置。此 些第一吸取裝置係可視製程需要而同時運作，以獲得更高 的效率。 此外，本實施例封裝單元210係以對應一個黏晶位置 P310為例做說明。然封裝單元21〇所對應之黏晶位置 數量並不在此限。以多晶片組件（Multi Chip Modules， 【MCM)為例，每一封裝單元係可對應於多個黏晶位置。此 類型之封裝結構亦適用於本發明之黏晶機台及其黏晶方 法。 本發明上述實施例所揭露之黏晶機台及其黏晶方法 係利用第-吸取裝置及第二吸取裝置執行兩段式黏晶步 驟。不再需要以一個吸取裝置一個接著一個來回黏置晶 粒，只需以第一吸取裝置將晶粒排列後，再以第二吸取裝 置-次黏置多個晶粒於基板上。因此，整體黏晶速度加快 許多。 \ 綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上， 然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通 常知識者’在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種 之更動與潤飾。因此’本發明之保護範圍當視後附之申請 專利範圍所界定者為準。 200818344

. 三達編號：TW3164PA 【圖式簡單說明】 第1圖繪示依照本發明較佳實施例之黏晶機台的示 意圖， 第2圖繪示依照本發明之黏晶機台之黏晶方法之流 程圖；以及 第3圖繪示基板之封裝單元與排列平台之晶粒的排 列方式對照圖。 11 200818344

三達編號·· TW3164PA 【主要元件符號說明】 100 :黏晶機台 111 :第一吸取裝置 112 :第二吸取裝置 120 :晶圓平台 130 :排列平台 140 :加熱機構 150 :輸送機構 160 :資料庫 170 ··控制單元 180 :點膠機構 200 :基板 210 :封裝單元 300 :晶圓 310 ·晶粒 400 :黏著劑 A卜 A2、A3、A4 :區域

Cl、C2、C3、C4 :定位點 P1 :對應點 P310 :黏晶位置 12

Claims (1)

1. 200818344 . 三達編號·· TW3164PA 十、申請專利範圍： 1. 一種黏晶機台，包括： 一晶圓平台，用以置放一晶圓，該晶圓具有複數個晶 粒； 一排列平台； 一輸送機構，用以承載並輸送一基板； 、，至少一第一吸取裝置，用以吸取其中之一該些晶粒， 並排列各該晶粒於該排列平台上；及 一第二吸取裝置，用以自該排列平台同時吸取該些晶 粒，並同時黏置此些晶粒於該基板上。 2·如中睛專利範圍第1項所述之黏晶機台，更包括： 、卜一貝料庫’係儲存各該基板之該些晶粒位於該基板之 後數個黏晶位置，該第—吸取裝置係依據各該黏晶位置排 列各該晶粒於該排列平台上。 3. 如申凊專利範圍第i項所述之黏晶機台，更包括： 一控制單元’用以控制該第—吸取裝置。 4. 如申請專利範圍第1項所述之黏晶機台，更包括： -點膠機構’係Μ在該基板上點滯—黏著劑。 圍第1項所述之黏晶機台’更包括: 粒與用，烤固化該黏著劑’以使該些晶 6· —種黏晶機台之勒日 ^ 圓平台、-排列平台、一松曰=，該黏晶機台包括-晶 及-第二吸取裝置，該方及至少-第-吸取裝置 13 200818344 三達編號·· TW3164PA Μ (a) 提供一晶圓於該晶圓平台上，該晶圓具有複數 個晶粒， (b) 提供一基板於該輸送機構上； (c) 以該第一吸取裝置自該晶圓平台吸取各該晶粒； (ά)排列該第一吸取裝置吸取之該晶粒於該排列平 台上，以及 (e)以該第二吸取裝置自該排列平台同時吸取該些 ， 晶粒，並同時黏置該些晶粒於該基板上。 7.如申請專利範圍第6項所述黏晶機台之黏晶方 去’其中該黏晶機台更包括一資料庫’該資料庫係儲存該 基板之複數個黏晶位置，在該步驟（d)中，該第一吸取 裝置係依據各該黏晶位置排列各該晶粒於該排列平台上。 8·如申請專利範圍第7項所述黏晶機台之黏晶方 法，其中該資料庫更儲存一定位點，在該步驟（e)中， 该第二吸取裝置係依據該定位點同時黏置該些晶粒於該 1 基板上。 9·如申請專利範圍第6項所述黏晶機台之黏晶方 法’其中在該步驟（d)中，排列於該排列平台的該些晶 粒的數量少於該基板之該些黏晶位置的總數量。 曰 、λ〇·如申請專利範圍第6項所述黏晶機台之黏晶方 ° =…中在該步驟（b)中，該基板具有複數個封裝單元， 各該封裝單元係對應於一個該黏晶位置。 、U·如申請專利範圍第6項所述黏晶機台之黏晶方 法，其中在該步驟（b)中，該基板具有複數個封裝單元， 200818344 . 三達編號：TW3164PA 各該封裝單元係對應於多個該黏晶位置。 15