TW200818314A - Insulator film, manufacturing method of multilayer wiring device and multilayer wiring device - Google Patents

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200818314 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域3 相關申請案之交叉參考 本申請案係基於並主張2006年8月21日提申在先的曰 5 本專利申請案號2006-224236及2007年7月4日提申在先的 曰本專利申請案號2007-176433的優先權，其整體内容合併 v 於本文中以供參考。 發明領域 φ 本發明有關一多層配線裝置及一用於其之絕緣膜。 10 【先前技術】 發明背景 已知由於半導體裝置之絕緣膜的寄生電容增大所致之 信號傳播速度的降低，但在半導體裝置的線空間超過1 /mi 之世代中，線延遲對於整體裝置並無重大影響。但當線空 15 間為1 μιη或更小時對於裝置速度的影響則變得重要，且特 別是如果未來電路形成有0.1 /mi或更小的線空間，線之間 • 的寄生電容對於裝置速度將具有顯著影響。 確切言之，特別是隨著半導體積體電路的整合程度增 " 加及裝置密度改良，多層半導體元件的需求亦增加。此趨 _ 2〇 勢中，譬如，由於較高整合程度而使線空間變成較小，且 線之間電容增大所造成的線延遲將變成一項問題。線延遲 (T)係被線電阻(R)及線之間的電容(C)所影響，並由下式1提 供。 T°cCR ····· (1) 5 200818314 式1中’ e(介電常數)及C之關係顯示於式2中。 c==e0erS/d .... (2) (其中S為電極面積，⑽為真空的介電常數，_絕緣膜 的介電常數，而d為線空間）。因此，為了減小線延遲，降 5 低絕緣膜的介電常數將為有效。 現今，低介電常數塗覆型絕緣膜、電漿CVD形成的蝕 刻阻止層、及擴散障壁絕緣膜係主要用來作為諸如半導體 瓜置等多層配線裝置的多層配線結構中之絕緣膜。 傳統上，已經對於這些絕緣體使用諸如二氧化矽 10 (Si〇2)、氮化砍(SiN)、碟矽玻璃(PSG)等無機材料、或諸如 聚醯亞胺等有機聚合物之膜。然而，最常對於半導體裝置 使用的CVD-Si〇2膜具有高達約4的特定介電常數。雖然已 以低介電常數CVD膜作調查之si〇F膜顯示出約3.3至3.5的 特定介電常數，其為高吸祕，導齡電常數增加。此外， 15近來年，已經得知藉由添加以加熱被蒸發或分解成用於低 介電常數膜的材料、然後藉由在膜形成期間加熱使其成為 多孔之有機樹脂或類似物所獲得之多孔塗層來作為低介電 常數膜。然而，其概括由於孔隙性而具有不良機械強度。 因為現今孔隙尺寸高達不小於1〇 nm，若孔隙性增大藉以降 20低介電常數，傾向於發生由於濕氣吸收所致之介電常數增 加及膜強度減小。 為了解決這些問題，已經調查其中使一絕緣膜在膜形 成之後藉由紫外射線、電漿束或電子束被固化藉以提供具 有較高強度的膜之製程。然而，任何製程中傾向於發生由 200818314 於消除有機群組(主要為CH3群組）所致之絕緣膜的膜厚度 薄化及介電常數之增加，而提供不足的結果。亦已經調查 其中使一鬲密度絕緣膜形成於一多孔絕緣膜上、其上輻照 紫外射線、電漿束或電子束以嘗試抑制此損害且增加膜強 5度同時維持低介電常數之製程(參考文件工及幻。 麥考文件1 :日本專利申請案號2〇〇4-356618(申請專利 範圍） 从圍^考文件2 ·日本專利申請案號2005·235850(申請專利 10 明内溶 發明概要 根據本發明的一態樣， 15 置之方法，其包含顯-“1—胁製造—多層配線裝 材料之絕緣膜，及經具抓CH3鍵及3灌鍵的 修改絕緣膜，其中：由於;=紫外射線來輻照絕緣膜以 供令藉由X射線光電子㈣輻照之緣故，使用一提 大於30%、且絕賴巾選自絕緣_ C濃度減小率不 鍵所組成的群組之-或多個:㈣顿、◦猶及㈣ 的濾器來作為滤器。 的減小率不小於K)%之性質 較佳地，岭料_ 外射線係具有4多個峰值，/之緣故，已穿過遽器的紫 譜術之C濃度減小率不大於浙具有使藉由x射線光電子頻 0-H鍵及Si_⑽賴成_組。、轉自由Si观之C-H鍵、 於10%之性質。 之一或多個鍵的減小率不小 20 200818314 ....根據本發明的另一態樣，提供一用於製造一多層配線 裝置之方法，包含形成一包括一具有Si-CH3鍵及Si-0H鍵的 材料之、、、巴緣膜’及經由一濾器藉由紫外射線來輕照絕緣膜 以修改絕緣膜，其中：由於紫外射線輻照之緣故，使用一 5提供使絕緣膜的接觸角減小率不大於8〇/〇、且絕緣膜中選自 由Si-OH的C_H鍵、〇_H鍵及Si_〇鍵所組成的群組之一或多 個鍵的減小率不小於10%之性質之濾器作為濾器。

車乂仏地，由於紫外射線輻照之緣故，已穿過濾器的紫 外射線係具有一或多個峰值，其具有使絕緣膜的接觸角減 10小率不大於8%、且選自由队〇只之C-H鍵、〇_H鍵及Si_〇鍵 所組成的群組之一或多個鍵的減小率不小於1 〇 %之性質。 關於兩悲樣，該方法較佳包含經由冑外射線輕照在絕 緣膜中形成Si-CHyCHrSi鍵及Si_CH2_Si鍵。 根據本發明的另一態樣，提供一用於製造一多層配線 I5裝置之方法，包含形成一包括一具有Si_CH3鍵及si_〇H鍵的 材料之絕緣膜’及藉由以紫外射線來輻照絕緣膜以修改絕 緣膜，該方法包含：藉由紫外射線輻照在絕緣膜中形成

Si-CH2-CH2-Si鍵及Si偶姆。該方法較佳包含經由一滤 器來輻照紫外射線。 20 並且關於上述^態樣，較佳使該方法包含藉由紫 320 外射線輻照在絕緣膜中形成仏⑽鍵；已穿過遽器之紫外 射線在不短於320 n_較長波長範圍中具有不大於不長於 ηΐΏ的波長範圍中之累積照射強烈度的136%之-累積 照射強烈度，且紫外射線在不長於320 nm的範圍中具有至 8 200818314 少一峰值；該方法包含在紫视㈣i财称X 50至47(TC範 圍中的-溫度進行熱處理；及該方法包含在另—絕緣膜已 =成於該絕_上方之錢行紫外射線触，紫外射線可 穿過其以抵達該絕緣膜。

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根據本發明的這些態樣，可能獲得一具有一低介電常 數絕緣膜之多層配線裝置，該低介電常數絕緣膜具有高膜 強度且可防止其介電常數由於濕氣吸收而增^藉此，可 以防止寄生電容增加所造成之裝置回應速度的延遲及其裝 置可靠度的降低。亦可能經由—切割紫外射線固化所不需 要的録m拘限級敎藉以改良良率及提供一具 有較南可靠度之多層配線裝置。 根據本發明本發明的另一態樣，提供-藉由形成-包 括一具有Si-CH3鍵及Si_0H鍵的材料之絕緣膜、及經由一濟 器以紫外射線輻照絕緣膜所獲得之經修改絕緣膜，其中： 由於紫外射線輻照之緣故，使用—提供使藉由χ·射線光電 子頻譜術之絕緣膜的C濃度減小率不大於现、且選自由絕 緣膜中的Si-OH鍵之C_H鍵、〇·Η鍵及_鍵所組成的群組 之-或多個鍵的減小率不小於1〇%之性質之濾器來作為滹 器。 〜 2〇 較佳地，由於紫外射線輻照之緣故，令已經穿過渡器

之料射線具有-或多個峰值，其具有使藉由χ射線光電子 頻譜術的C濃度減小率不大於30%、且選自由Si-OH之C-H 鍵Ο Η鍵及Si-Ο鍵所組成的群組之一或多個鍵的減小率不 小於10%之性質。 200818314 «本樣’提供—藉由形成__包括一具 有Si-CH3鍵及Si-0H鍵的的材料之絕緣膜、及經由一渡器以 紫外射線輻照絕緣膜所獲得之經修改絕緣膜 ，其中：由於 紫外射線輻照之緣故，使用一提供使絕緣膜的接觸角減小 5率不大於s/。、且選自由絕緣膜中的si_〇H鍵之c_h鍵、 鍵及Si - Ο鍵所組成的群組之一或多個鍵的減小率不小於 10%之性質之濾器來作為濾器。 車乂仏地’由於’、外射線轉照之緣故，令已經穿過渡器 之I外射線具有-或多個峰值，其具有使絕緣膜的接觸角 10減小率不大於8/0、且選自由队〇11之^^鍵、〇_H鍵及si-〇 鍵所組成的群組之-或多個鍵的減小率不小於鳳之性 質。 尚且，關於經修改絕緣膜之直接上述兩態樣，較佳令 、、工修改絶緣膜包滅由紫外射線韓照形成於絕緣膜中之 15 Si_CH2-CH2_Si 鍵及 Si-CH2-Si 鍵。 根據本舍明的另-悲樣，提供一經修改絕緣膜，其藉 由形成&括具有S1-CH3鍵及Si_〇H鍵的材料之絕緣 膜、及藉由絕緣膜的紫外射線輻照在絕緣膜中形成 Si-CHrCH^Si鍵及Si.CH2.Si軸獲得。較佳㈣一濾器來 20 輻照紫外射線。 關於經修改絶緣膜的所有上述態樣，較隹地，經修改 絕緣膜包括-形成於絕緣膜中之㈣⑶鍵；已穿過渡器的 紫外射線在不短於32G nm的較長波長範圍中具有不大於不 長於細腿的波長範圍中之累積照射強烈度的！36%之- 10 200818314 •累積照·射強烈度，且紫外射線在不長於汹η 有至少一處庙·铖欲H 的fe圍中具 峰值4修改絕緣膜已在紫外射線轄照 至47〇C範圍中的一溫度受 又則熟處理，且經修改辱 可供紫外射線㈣叫_ 緣膜已在 „ ^ M ,.,.. 、緣膜之另—、％緣膜形成於該 絶緣膜上方之後受到紫外射線輻照。 藉由本發明的經修改絕緣膜之上述態樣，可能 低介電常數絕緣膜，其具有高的膜強度且可防止介^ 氣吸㈣料。亦可能經由—切除紫外射線固化不 10 15 *波長之h來拘限触敎藉以減少熱量對於 出現的組件所造成之負面效應。 ^ 根據本發明的另一態樣，提供藉由上述用於製造一夕 層配線裝置之方法所製造之夕匾 、。夕 吓表k之一多層配線裝置，及一包括上 述經修改絕緣膜之多層配線裝置。亦可能經由切割紫外射 線固化不需要的波長來拘限熱性歷史藉以提供一具有較言 可靠度之多層配線裝置及改良良率。 、乂回 猎由本發明的這些多層配線裝置態樣，可能獲得一可 防止裝置回應速度的延遲及其裝置可靠度降低之以 裝置。 9 藉由本發明，可能獲得一低介電常數絕緣膜，其具有 20高膜強度且可防止介電常數由於濕氣吸收而增加。藉此， 可能降低-多層配線裝置的多層配線製程中的配線線之間 所產生的寄生電容，及防止由諸如Ia^LSI等高度整合的^ 導體裝置所代表之多層配線裝置中由於寄生電容增加所導 致之可靠度降低及裝置回應速度的延遲。本發明對於需要 11 200818314 較高回應速度的電路板等特別有用工> 圖式簡單說明 第1至8圖各為製程期間之一多層配線裝置的示意橫剖 視圖’藉以說明本發明的範例及比較範例； 5 第9圖為一常用矽化合物的一多孔絕緣膜之紫外吸收 頻譜； 第10圖為一示範性FT_IR頻譜；及 第11圖為一高壓力汞燈(UVL-7000H4-N，潮電氣公司 (Ushio electric Inc·))的發射頻譜。 10 【】 較佳實施例之詳細說明 下文中’將利用圖式、表格、公式、範例等來說明本 發明的實施例。圖式、表格、公式、範例等及說明係用來 不範本發明，而未限制本發明的範圍。當然其他實施例可 15位於本發明的範蜂中，只要其符合本發明的主旨即可。 當在-多層配線裝置中製造一包括-具有S“CH3鍵及

Si领鍵的材料之絕緣膜時，、絕緣膜常藉由輻照諸如紫外射 線等主動能量射線而被修改及固化。然而，發生了由於

Si CH3的Si-C鍵被主動能量射線輻射切斷而產生以观鍵 20之問題，造成抗濕性減小及絕緣膜的介電常數增大。亦具 有基材溫度被諸如紫外射線等主動能量射線的輻照所料 之八他問題，故熱性歷史將造成L_良率及可靠度減低， 依據所經歷溫度而定。 調查結果發現，由於紫外射線輻照之緣故，在紫外射 12 200818314 線中具有提供-藉由X射線光電子頻譜術使絕緣膜的C濃 度減小率不大於30%、且選自由絕緣膜中之si观的 鍵、0-H鍵及Si.〇鍵所組成的群組之一或多個鍵的減小率不 小於10/〇之性質之波長||圍；可能對於一絕緣膜提供—高 5強度同時維持其低介電常數，並當利用此等波長範圍時維 持抗濕性；且利用一對紫外射線輻照具有一特定性質之瀘 器藉以實現這些波長範圍、便利在低溫度達成高強度同時

拘限基材溫度升高將是有用的方式。亦可能實質地防止C 濃度減小（如稍後所說明，這視為代表實質地防止Sicli3t 10 Sl_c鍵的切斷），且在此同時，達成選自由si_0H之αιι鍵、 0-Η鍵及Si-Ο鍵所組成的群組之一或多個鍵的切斷。此處， 實質地防止c濃度減小(亦即，實質地防止si_c鍵的切斷)係 指一項使藉由X射線光電子頻譜術的C濃度減小率不大於 15%之事實。 15 當使用此一波長範圍或一濾器時能夠使一絕緣膜具有 面強度同時維持低介電常數、或維持其抗濕性之理由係視 為在於：藉由X射線光電子頻譜術的C濃度減小代表Si_C][^ 的Si_C鍵之減小，且如果仏⑶3的si_c鍵之減小受到抑制， 由於產生S i - 0 Η鍵可能抑制其吸濕性質的增加，且將能夠藉 20由從CHs取出氫增加交聯（固化)之機會，導致高的臈強度。 若發生Si-OH的C-Η鍵、0-H鍵及Si-Ο鍵之切斷，其亦可能 增加交聯的機會而導致膜強度增高。尚且，^-〇11的〇_11鍵 及Si-Ο鍵之切斷可能增加抗濕性。易言之，務必優先於 S1-CH3的Si-C鍵之切斷產生選自由si-〇H的c-Η鍵、0七鍵 13 200818314 及Si.iQ鍵的群組之一或多個鍵之切斷。 易言之，根據本發明的第一態樣，提供一用於掣造/ 多層配線裝置之方法，包含形成一包括一具有鍵及 Si-ΟΗ鍵的材料之絕緣膜，及經由—濾、器以紫外射、線來輕照 5絕緣膜藉以修改絕緣膜，其中··由於紫外射線輻照之緣2， 使用一提供藉由X射線光電子頻譜術使絕緣膜的c濃度滅 小率不大於30%、且絕緣膜中選自由Si_〇H之C_H鍵、〇_h 鍵及Si-0鍵所組成的群組之一或多個鍵的減小率不小於 10%之性歎濾H來作域ϋ。較佳地，⑽㈣減小率不 !〇大於15%，或選自由Si-0H之「η鍵、〇韻及队〇鍵所组成 的群組之-或多個鍵的減小率不小於2〇%。更佳滿足兩條 件。 為此，可能獲得-低介電常數絕緣膜，其具有高膜強 度且可防止介電常數由於濕氣吸收而增大。當使用此絕緣 15膜，可能降低-多層配線裝置中位於配線線之間所產生的 寄生電容’並防止由於寄生電容増加所致之可靠度降低及 裝置回應速度的延遲。因此，一使用此絕緣膜之多層配線 裝置將能夠回應於較高回應速度的需求。

可以下列方式來決定，由於紫外射線輻照之緣故，-2〇遽器是否可提供-使X射線光電子頻譜術所決定的C濃度 的減小率不大於-特定值之性質、及/或一使選自由si_OH 的C-H鍵、O-H鍵及Sl_〇鍵所組成的群組之一或多個鍵的減 小率小於一特定值之性質。 首先，利用XPS(X射線光電子賴譜術)來決定C濃度(碳 14 200818314 ' 原子％)的時間變化。C濃度的變化在此例中可任意 ^ 其可精由獲得與具體濃度值之一關係來決定。並 且’因為其為相對值，時常適合經由頻譜的峰值高度、頻 。曰面積或可用來作為指標的其他類似值予以決定。 5 類似地決定出選自由Si-OH之C-H鍵、0-H鍵及別_〇鍵 所組成的群組之一或多個鍵的減小率。在此例中對於測量 方去亦無特別限制，而可採用任何已知方法。可施用 FT4R(傅立葉轉換紅外線頻譜術）、XPS、及FT_IR與xps的 組合。此處請注意可採用與實際施用者相同條件中製備之 1〇 、、巴緣膜來作為身為測量用物件之絕緣膜。亦可採用在模擬 實際所施用條件的條件中製備之該等絕緣膜來作為身為測 量用物件之絕緣膜。 鍵的減小率在此例中可由具體濃度值決定。並且，因 為其為相對值，常適合經由頻譜的峰值高度、頻譜的面積 15或可用來作為指標的其他類似值予以決定。 下文指示出使用FT-IR及XPS之一分析範例。在此例 中，可能首先經由XPS來測量c濃度變化藉以觀察已被截斷 之心-呢鍵的Si·^。這利用了下列事實：鍵中的 si-c鍵被截斷時，因為c未停留在膜内側而排出膜外故使c 2〇 濃度減低。 譬如，若紫外射線輻照之前的8原子％數值導致一特定 輻照時間期間之後的6原子％數值，（8_6)/8=〇25，亦即，減 小率為13%。 4 接著，在紫外輻射的一特定時間之前與之後計算削r 15 200818314 所獲得的Si-CH3峰值.強烈度(位於1，276 cm-1 p付近)對於膜厚 度(nm)之比值。然後，藉由比較該等數值，可能決定出經 由紫外輻射在膜中減少多少Si-CH3鍵。 譬如，假設81-(：113鍵的峰值強烈度(位於1，276 cnf1附近) 5 對於厚度(nm)之比值在紫外輻射之前係為8 5 (/mm)且在紫 外輻射的一特定時間之後為50(/mm)，減小率為 (85-50)=0.4，或減小率為40%。 31€113鍵的減少係包括Si-C鍵及C-H鍵之減少。因此， C-H鍵的減小率係計算成為40-13=27%。 10 若利用此方式找出一滿足根據本發明的要件之輻照時 間，其導致提供了滿足根據本發明的要件之紫外射線。若 部分輻照時間範圍滿足了根據本發明的要件，可能依需要 選擇一適當時間。

理想上，由於紫外射線輻照之緣故，已穿過一濾器之 紫外射線具有一或多個峰值，其具有使得藉由X射線光電子 頻譜術之絕緣膜的C濃度減小率不大於30%、且絕緣膜中選 自由Si-OH之C-H鍵、0_H鍵及Si-Ο鍵所組成的群組之一或 多個鍵的減小率不小於10%之性質。易言之，已經發現， 由於紫外射線輻照之緣故，紫外射線中，具有複數個峰值， 其具有使藉由X射線光電子頻譜術的C濃度減小率不大於 30%、且選自由Si-OH之C-H鍵、〇·Η鍵及Si-Ο鍵所組成的群 組之一或多個鍵的減小率不小於10%之性質。確切t之， 具有位於220、260、280、及300 nm附近之峰值。較佳利用 此一峰值，或選擇一濾器以利用此一峰值。 16 200818314 尚具、’本發明的調查過程中，發現相關絕緣膜之接觸 角係減小。這亦可能由於Si_CH3的Si-C鍵減小所致。因此， 上述條件中，本發明的第二態樣採用一“絕緣膜之接觸角的 減小率不大於8%”之條件而非“藉由χ射線光電子頻譜術之 5 C濃度減小不大於30%，，之條件。同理可適用於紫外射線峰 值。在此例中，對應於“藉由χ射線光電子頻譜術之c濃度 減小不大於15%”的上述條件之條件係為“絕緣層之接觸= 的減小率不大於5%，，。用於測量一絕緣膜的接觸角之方法可 選自任何已知的方法。 1〇 根據本發明的第三態樣，已發現藉由形成一包括一具 有Si-CEb鍵及Si-OH鍵的材料之絕緣膜、及以紫外射線來輻 照絕緣膜以修改絕緣膜藉以在絕緣膜中形成Si_CH2_ci^_Si 鍵及Si-CH^Si鍵所形成之一經修改絕緣膜係可用來作為一 具有咼膜強度且可防止介電常數由於濕氣吸收而增大之低 15 介電常數絕緣膜。 這係被視為由於Si-CH3的Si-C鍵未被大幅截斷、及變成 Si-CHrCHrSi鍵及/或Si-CHrSi鍵、且Si-〇H的 Si-Ο鍵截斷 成Si-CEb-CHrSi鍵及/或Si-CHySi鍵之緣故在維持低介電 常數的同時使抗濕性及膜強度增大之事實所致。並且，在 20使用如上述的濾态之案例中，實際地辨識出Si-CH2-CH2-Si 鍵及Si-CH2-Si鍵形成於絕緣膜中。 本發明的此態樣中，較佳藉由選擇使用之紫外射線的 類型來達成一所想要的效應。亦可有效使用一濾器。濾器 亦可適當地選自用於紫外射線之濾、器。 17 200818314 , Si-CHrCHySi鍵及Si-CHrSi鍵亦可由JpT-IR所領測。第 10圖的FT-IR頻譜顯示出以-CH2·為基礎的峰值出現於接近 2850 cm·1及2925 cm·1至紫外射線輻照處，可從其確認 Si-CH^CKb-Si鍵及Si-CH^Si鍵形成於絕緣膜中。亦可採用 5諸如XPS等其他方法以供測量。若Si-CH2-CH2-Si鍵及 Si-CH^-Si鍵籍由此一分析方法所偵測，可能決定出形成了 Si-CH2_CH2-Si 鍵及 / 或 Si-CH2-Si 鍵。 亦較佳合併第一或第二態樣與第三態樣，或合併第 一、第二及第三態樣。任何案例中，亦較佳藉由形成Si_〇_si 10鍵來獲得上述經修改絕緣膜，因為其基於上述理由有助於 膜強度及增大抗濕性。Si_〇-Si鍵亦可被FT-IR偵測。亦可採 用諸如XPS等其他方法。 認為 Si-CHb-CHrSi、Si-CHrSi及Si-0-Si鍵之鍵形成係 如下式般地繼續進行。 15 2Si-CH3+Si-CH2-CH2-Si+H2

Si-CH3+Si-0H«>Si-CH2-Si+H20 2Si-OH^Si-〇.Si+H2〇 根據本發明的一經修改絕緣膜係代表一已受到一藉由 紫外射線作修改的處理之絕緣膜。易言之，根據本發明的 20修改係代表-藉由紫外射線之處理。任何絕緣膜皆可被包 括在此絕緣膜的範4中，只要其不牴觸本發明的主旨即 可。一特定範例中，可列舉一絕緣膜、一絕緣層、一間層 膜、-間層絕緣膜、-間層絕緣層、一蓋層、一银刻阻止 膜、及類似物。根據本發明之經修改的絕緣膜有時亦可能 18 200818314 具有絕緣魏外之部分功能， 之功能、一蝕刻阻止器等功能 改絕緣膜可裝設在-多層配線 諸如一防止配線金屬等移徙 。根據本發明之複數個經修 裝置中。

10 15 括一明的絕緣膜可從—起始材料形成，其係為包 ^在紫外射線輻照之前合右 之任意選用的絕緣膜。 鍵及SlW的材料 具有SH：H3鍵及Si_〇H鍵之材料並無特別限制，且可選 已知材料。—般而言，稱切型絕緣膜者被歸在此 ^ 對於包含多少具有Si_CH3鍵及Si_0H鍵之材料並益 。可實際以是韻由進行本發料朗想要結果 :土礎來選擇—適當㈣。可由任何方法來確認—材料中 疋否存在Si-CH3鍵及Si_0H鍵。打项為一範例。 此一絕緣膜通常具有位於膜内側之孔隙。藉由氣相生 長:法所形成之摻碳的Si〇2膜、將―可熱分解化合物添加 至-摻碳Si_所形狀具有孔_多孔摻碳卿膜、由

方騎域之纽衫歸制、及有機乡孔膜係為 特定範例。從控制孔隙及密度的觀點來看，偏好採用旋塗 方法所形成之多孔矽石型材料膜。 此旋塗方法所形成之多孔矽石型材料的範例係為將一 可熱分解有機化合物或類似物添加至一聚合物、然後加熱 以形成小孔隙所形成者，該聚合物已由譬如下列的水解/聚 鈿形成：四烷氧基矽烷、三烷氧基矽烷、甲基三烷氧基矽 燒、乙基二烷氧基矽烷、丙基三烷氧基矽烷、苯基三烷氧 基矽烷、乙烯基三烷氧基矽烷、烯丙基三烷氧基矽烷、縮 19 200818314 水甘油三烷氧基矽烷、二烷氧基矽烷、二甲基二烷氧基矽 烷、二乙基二烷氧基矽烷、二丙基二烷氧基矽烷、二苯基 一烧乳基砍燒、一乙稀基二烧氧基石夕统、二稀丙基二烧氧 基矽烷、二縮水甘油烷氧基矽烷、苯基甲基二烷氧基矽烷、 5苯基乙基二烧氧基矽焼、苯基丙基三燒氧基矽烧、苯基乙 烯基二烷氧基矽烷、苯基烯丙基二烷氧基矽烷、苯基縮水 甘油二烷氧基矽烷、甲基乙烯基二烷氧基矽烷、乙基乙烯 基二烷氧基矽烷、苯基乙烯基二烷氧基矽烷等。更佳係為 利用一形成有一四級烷基胺之叢集形多孔矽石型前驅物所 10獲得者。因為其具有小且均勻的孔隙尺寸之孔隙。 根據本發明的紫外射線並無限制，只要不違反本發明 的主要概念即可。根據本發明的濾器亦無限制。然而，來 自一常見矽化合物之多孔絕緣膜具有不長於32〇 nm的一吸 收波長範圍，紫外射線務必具有不長於320 的一波長範 15圍。這是因為將藉由x射線光電子頻譜術的C濃度減小率抑 制至不大於特定值的數值、且使得不小於一特定值之選自 由Si-OH的C-H鍵、0-H鍵及Si-Ο鍵所組成的群組之一或多 個鍵的減小率變得較大之效應所致。Si_CH2_CH2-Si鍵及

Si-CH^Si鍵之形成的特定性亦變大。可能利用一濾器來達 20成此條件。 可能出現位於超過320 nm波長範圍之紫外射線。然 而，射線時常較佳為較小量，因為其導致紫外射線輻照之 物件不必要地加熱。可藉由不長於320 nm的波長範圍中之 兔外射線的累積照射強烈度對於不短於32〇 nm的波長範圍 20 200818314 中之I外射線的累積照射強烈度之比值來瞭解不長於320

10 15

20 ηΠ1的波長範圍中之紫外射線量與超過320 rnn的波長範圍 中之紫外射線量之比較。請注意在表示紫外射線之累積照 射強烈度的計算中採用“不短於3加nm，，。如此可能以具體 數子來決定紫外射線的累積照射強烈度，且為此，該定義 不牴觸不長於32〇 nm的波長範圍中之紫外射線量與超過 320 rnn的波長範圍中之紫外射線量之比較，，之㈣。不短於 3 0 nm6^#x長波長範圍中之累積照射強烈度較佳不大於不 長於320 nm的波長範圍中之累積照射強烈度的136%。可合 併使用複數㈣||。因為如第9圖的紫外射線頻譜所示之一 包括具有Si_CH3及Si_〇H鍵的材料之絕緣膜具有$長於32〇 腿的紫外吸收頻帶，紫外射線較佳具有不長於32Qnm的範 圍中之至少―峰值。可經由實驗㈣當地決定出諸如紫外 射線的強”、、度及‘知時間等其他條件。因為c濃度的減小率 及Si-OH之C.H鍵、〇.H鍵及㈣鍵的減小率可依據這些條 件而變’ t採職1及紫外射線時務必亦魅這些條件。 較佳在真工中或一降低壓力下進行紫外射線輕照。處 理期間’可導人諸如氮、氦、氬或類似物等非活性氣體以 控制壓力及/或用於修改。亦較佳在紫外射練照期間以位 於50至47〇C範圍中之一溫度進行一熱處 理。這是因為促進 絕緣膜的固化所致，而利於膜強度的增高，且當出現一基 底絕緣膜時，可增強絕緣酿基底絕緣膜之_黏著。更 佳以·至4，C的範圍中之一溫度進行熱處理。 可以-恆定溫度進行熱處理。其亦可以溫度的逐漸或 21 200818314 階狀變化進行。偏好溫度的逐漸或階狀變化，、 於間層絕緣膜交聯同時使孔隙尺寸維持岣勻為其可利 線輻照之前及/或之後進行熱處理。亦 。可在紫外射 外射線輻照。 #無熱處理之紫 5 10 15 20 此外，可與紫外射線輕照或與紫外射線 一起進行ΕΒ(電子束)輻照與電漿輻照的至少一及…處理 諸如較短處理時間等效果。ΕΒ輻照及或電二轄=。、I達成 與紫外射線輻照及/或熱處理的時程重合^ 4、的時程可 ° 或不重合。 只要滿足本發明的態樣之要件，紫外射線不需直接地 輕知、於根據本發明的絕緣膜上。#另_絕_進—步 於根據本發明的一絕緣膜上時可能發生此狀兄、/、 只要此‘‘另-絕緣膜，，為紫外射線透明性即滿足對= 的態樣之要件。彻此方式，可增__之間的㈣， 且可達成料料重㈣(諸如加熱步驟)合併成單— 所實現料簡化的步驟。此外，其在部分案例中將有做 本發明的恶樣之要件。這視為藉由或許#賴期之 絕緣膜”所造成。除了紫外射線透明性外對於“另— 所使用的材料並無特別限制。此處，請注意上文插述中的 “紫外射線透明性”用語係指若只要出現經透射的紫外射線 則滿足該條件，而未必透射所有紫外輯。亦不需透射一 特定波長範圍中之實質所有的紫外射線。 若利用此“另一絕緣膜”，較佳在根據本發明的—絕緣 膜形成之後遵循-熱處理來形成“另—絕賴，、更確切言 之，較佳在—使紅外頻譜術關量的交聯率不小於10%: 22 200818314 ：形成熱處理。可適當地選擇溫度範圍。一般而言， 用50至軟。此熱處理可稱為預烘烤以使其與上述 、、“作區刀進行預烘烤以當利用類似方式來施加或處 理另-絕緣膜，，時防止根據本發明的絕緣膜產生溶解。小 5於10%的交聯率可能溶解根據本發明的絕緣膜。並無特別 上限，但當高於90%時，絕緣膜上傾向於產生裂痕。“另一 絕緣膜”亦可能在紫外射線轄照之前受到熱處理。 依此獲得的-經修改絕緣膜可具有高的強度同時維持 -低的介電常數’且亦維持其抗濕性。亦可能藉由經過一 1〇切割紫外射線固化所不需要的波長之濾器來拘限熱性歷史 藉以降低熱ΐ對於-起出現的組件所造成之負面效應。可 能將經修改的絕緣膜及用於製造上述經修改的絕緣膜之方 法整合在一用於製造-多層配線裝置之方法中。藉由一依 此獲得的多層配線裝置，可能防止由於多層配線形成製程 15之過程發生的寄生電容增加所致之可靠度降低及裝置回應 速度的延遲。此-多層配線裝置對於電路板等特別有用， 因其需要加快回應速度。除了將上述經修改絕緣膜及用於 製造上述經修改絕緣膜之方法整合在該方法中外，對於用 於製造此多層配線裝置之方法並無特別限制。 2G [範例] 參考本發明的範例1至Π及比較_1至6以及第⑴ 圖作出下文说明。如下進行紫外射線的固化及評價。 (紫外射線的評價） 使用如-具有第11圖所示的光發射頻譜之高壓力采燈 23 200818314 (UVL-7000H4_N，潮電氣公司（Ushio electric Inc·))以紫外射 線作固化。以一能譜放射照射計(USR-40D，潮電氣公司 (Ushio electric Inc.))來測量紫外射線的照射強烈度及頻譜 分佈。 5 (紫外射線頻譜） 以一真空紫外頻譜計（SGV-157，島津公司（Shimadzu Corporation))來測量180至350 nm的範圍中之絕緣膜的紫外 射線頻譜藉以決定如第9圖所示的一絕緣膜之紫外射線頻 譜，該膜已形成於一石英基材上。 1〇 (特定介電常數） 利用一電阻加熱型真空沉積裝置(VPC-1100，ULVAC) 將一具有1 mm直徑的金電極形成於一間層絕緣膜上。利用 一 LCR计(HP-4284A，HP)經由電容測量來計算特定介電常 數0 15 (有效特定介電常數） 一圖案形成於一 Si基材上之後，利用1^&計 (HP-4284A，HP)經由電容測量來計算有效特定介電常數。 (膜強度） 20 以一奈米«器（奈米儀器公司（Nan〇mstmments Corporation))來測量膜強度。 (Si-CH3吸收強烈度/膜厚度 以-紅外頻譜計{Nippo bunk0(日本分光公司（jasc〇 corporatlon)) ’勝100}經由透射頻譜的測量來測量各鍵的 峰值強烈度’且藉由取得峰值強烈度對於樣本膜厚幻麵) 24 200818314 的比值來量化既有鍵量之比值。 • . - ' (一膜中之C濃度[原子％]) 以一 X射線光電子分析器(AXIS-His，克雷多斯分析公 司（KRATOS ANALYTICAL Ltd·))來測量一膜中的C濃度。 5 (接觸角) 以一全自動接觸角計（CA-W150，協和介面科技公司 (Kyowa InterFACE Science Co·, Ltd·))來測量水的接觸角。 [範例1至7及比較範例1至6] 首先’糟由LOCOS(碎局部氧化）方法將一元件分離膜 10 12形成於一半導體基材1〇上，如第1圖所示。一元件分域14 係由元件分離膜12所界定。使用一矽基材作為半導體基材 10 ° 接著’一閘極電極18形成於元件分域14上方且其間具 有一絕緣膜16。然後，一側壁絕緣膜20形成於閘極電極18 15 之側上。接著，藉由以側壁絕緣膜20及閘極電極18作為罩 幕將摻雜物雜質導入半導體基材10内使得一源極/汲極擴 散層22在閘極電極18兩側上形成於一半導體基材1〇中。利 用此方式形成一具有閘極電極18及源極/汲極擴散層22之 電晶體24{請見第1(a)圖}。 20 接著’一由氧化矽膜製成的間層絕緣膜26藉由CVD形 成於整個表面上方。 接著’ 一具有50 nm膜厚度之阻止膜28形成於間層絕緣 膜26上。使用一由電漿CVD方法形成之SiN膜作為阻止膜28 的一材料。在稍後所述步驟中利用一鎢膜34或類似物的 25 200818314 CMP方法之拋光中，阻止膜28係作為阻止器。當稍後所述 步驟中將溝槽46形成於一間層絕緣膜38中時，阻止膜28亦 作為一钱刻阻止器。 接著，藉由施加光微影術來形成一接觸孔30以抵達源 、 5 極/汲極擴散層22{請見第1〇)圖}。 接著，一具有50 nm膜厚度由TiN膜製成以形成一黏著 層32之層係藉由藏鍍形成於整個表面上方。請注意黏著層 32係為一用以確保導體插塞與其底層之間黏著之層，其將 • 於稍後描述。 10 接著，一具有1 μπι膜厚度由鎢製成以形成導體插塞34 之層藉由CVD形成於整個表面上方。 接著’用以形成黏者層32及導體插塞34之層係由CMP 拋光直到阻止膜28表面被曝露為止。利用此方式，黏著層 32所圍繞的導體插塞34係形成為嵌入接觸孔中{請見第1(c) 15 圖卜 接著，一具有30 nm膜厚度之間層絕緣膜36(Si〇2製）由 ® CVD形成，如第2(a)圖所示- 接著，一由多孔石夕石（多孔石夕石819C)製成的間層絕緣 气 膜38形成於整個表面上方，如第2(a)圖所示。間層絕緣膜38 ' 20的膜厚度製成為160 nm。藉由FT-IR來確認間層絕緣膜38中 之Si-CH3鍵及Si-OH鍵之出現。範例1至7中，間層絕緣膜38 為根據本發明之一絕緣膜的一範例。 接者’間層絶緣膜3 8在表1及2的條件下以紫外射線幸昌 照來進行紫外射線固化。基材溫度在固化期間維持於4〇〇。〇 26 200818314 的一恒定值。 接著，一具有30nm膜厚度之間層絕緣膜4〇(Si〇2製成) 由CVD形成，如第2(b)圖所示。 接著，一光阻膜42藉由一旋塗方法形成於整個表面上 5 方。 接著，-圖案的開口 44藉由光微影術形成於光阻膜42 - 中。形成開口 44以形成對於一第一層之配線線（第一層配線 線)5〇。形成開口44以使配線線寬度為1〇〇_，且兩配線線 之間的空間為100 nm。 1〇 ㈤層膜40、38及36受到钱刻，U光阻膜42作為-罩幕 {叫見第3(&)圖}。對於蝕刻採用以—ch氣體及CHF3氣體作 為原料所形成之一氟電漿。阻止膜28在蝕刻期間作為一蝕 刻阻止器。利用此方式，用於嵌入配線線之溝槽（溝道)46 係形成於間層絕緣膜4〇、38及36中。導體插塞34的上表面 15曝路於溝槽46中。其後，光阻膜42被剝下。 _ 接著，—具有l〇nm膜厚度由TaN製成以形成一障壁膜 之層（未圖示）係由一濺鍍方法形成於整個表面上方。形成障 壁膜以防止Cu在配線線中擴散至絕緣膜内如稍後所述。接 著’ 一具有l〇nm膜厚度以形成一籽膜之銅製的層(未圖示） -20係由一濺鑛方法形成於整個表面上方。形成籽膜以在形成 一層之過程中作為一電極以藉由一電鍍方法來形成Cu製之 配線線。利用此方式，形成一由障壁膜及一用以形成籽膜 的層所組成之層疊膜48。 接著’由一電鍍方法形成一具有600 mn膜厚度之Cii層 27 200818314 (用於形成配線線5〇之層）。 接著，上述Cii層及層疊膜48受到CMP拋光直到絕緣膜 的表面被曝露為止。利用此方式，Cu製的配線線50係在被 層璺膜48圍繞時嵌入溝槽中。用以製造配線線5〇之此製程 5稱為單鑲嵌方法。 接著，一具有30賺膜厚度之間層絕緣膜52係由CVD形 成，如第3(b)圖所示。 接著，一多孔間層絕緣膜54形成於整個表面上方，如 第4(a)圖所示。多孔間層絕緣膜54之材料及製造方法與上述 10多孔間層絕緣膜38者相同。使多孔間層絕緣膜54的膜厚度 成為180 nm。藉由FT-IR來確認間層絕緣膜54中的义七^^鍵 及Si-OH鍵之出現。範例丨至7中，間層絕緣膜54亦為根據本 發明之一絕緣膜的一範例。 接著，間層絕緣膜54在表1及2的條件下以紫外射線輻 υ照以進行紫外射線固化。基材溫度在固化期間維持於懈: 的一恒定值。 接者，精由CVD形成-具有30 nm膜厚度之間層絕緣膜 56，如第4(b)圖所示。 、 接著，-多孔間層絕緣膜58如第5(a)圖所示形成。用於 20多孔間層絕緣媒58之材料及製造方法係與上述多孔間層絕 緣膜38者相同。使間層絕緣膜58的膜厚度成為⑽^範 例1至7中，間層絕緣膜58亦為根據本發明之一絕緣& 範例。 接著，間層絕__在表如的條件下以紫外射線 28 200818314 輕照來進行紫外射線固化。基材溫度在固化期間維持於一 怪定值。 接著’ 一具有30nm膜厚度之間層絕緣膜6〇(Si〇2製油 CVD形成，如第5⑻圖所示。 5 接著，一光阻膜62由一旋塗方法形成於整個表面上方。 接著’開口64由光微影術形成於光阻膜62中，如第6 圖所示形成開口 64來形成接觸孔66以抵達配線線5〇。 接著，間層絕緣膜60、58、56、54及52受到蝕刻，以 光阻膜62作為-罩幕。採用以—⑶氣體及咖3氣體作為 10原料所形成之一氟電漿以供钱刻。可能藉由適當地改變银 刻氣體的組成比、蝕刻期間的壓力等來進行間層絕緣膜 6〇、58、56、54及52的蝕刻。利用此方式，形成用於抵達 配線線50之接觸孔66。其後，光阻膜62被剝下。 接著，一光阻膜68由一旋塗方法形成於整個表面上方。 15 接著，開口70由光微影術形成於光阻膜68中，如第7 圖所示。形成開口 70以形成一用於配線線（第二層配線 線)76a之第二層。 接著，間層絕緣膜60、58、及56受到蝕刻，以光阻膜 68作為-罩幕。採用以一CF4氣體及哪3氣體作為原料所 形成之-㈣漿以供姓刻。利用此方式，形成溝槽72以將 配線線76a嵌入間層絕緣膜6〇、58、及56中。溝槽72處於一 連接至接觸孔66之狀態。 接著，一具有10 nm膜厚度以形成一障壁膜之由TaN製 成的層（未圖示)係藉由一濺鍍方法形成於整個表面上方。形 29 200818314 成障壁膜以防止C u在配線線7 6 a及導體插塞7 6 b中之擴散， 其將於稍後描述。接著，一具有10 mxi膜厚度以形成一籽膜 之Cxi製的層（未圖示)係由一濺鍍方法形成於整個表面上 方。形成籽膜以在形成一Cu製的層以由一電鍍方法形成配 5 線線76a及導體插塞76b之過程中作為一電極。利用此方 式，形成一由障壁膜及一用於形成籽膜的層所組成之層疊 膜74。

接著，藉由一電鍍方法形成一具有1400 nm膜厚度之 Cu膜 76。 1〇 接著，⑶膜76及層疊膜％受到CMP拋光直到間層絕緣 膜60的表面被曝露為止。利用此方式，Cu製的導體插塞76 嵌入接觸孔66中，且在此同時，Cu製的配線線76a嵌入溝槽 72中。導體插塞76b及配線線76a—體地形成。一起形成導 體插基76b及配線線76a之此製程係稱為雙鑲復方法。 15 接著’ 一具有30肺膜厚度之間層絕緣膜78(Si02製造) 由CVD形成，如第8圖所示。 其後’藉由適當地重覆類似上述的步驟，形成了第三 層配線線（第三金屬配線線)(未圖示）。 20 利用此方式形成之半導體裝置，形成配線線及導體插 塞以電性串聯式連接戰000個導體插塞，藉以決定生產 良率。對於範例丨至7之良率係為從94 7至961%。所計算之 兩配線線之間的有效特定介電常數為從2 6至2 7 相對地，對於比較範例1至6之良率為H96il%。 所計算之兩配線線之_特定介電常數為從2.⑷.2。 30 200818314 此處請注意有效特定介電常數係為連同多孔間層絕緣 膜在亦/σ配線線周圍出現其他絕賴之狀態'巾所決定之 :=，的一特定介電常數。因為在測量期間不 :具有低，丨電常數㈣孔間層絕緣膜且亦包括具有相對較 间特疋’I Β $數的絕緣膜出現於配線線周圍，有效特定介 电系數大⑨多孔間層絕緣膜之特定介電常數。 10 15 20 表1中，私用藉由使紫外射線穿過適當濾器所獲得之具 有各別柱中所示的波長峰值者，來作為供使用之紫外射 線。半導财置製造的棘巾⑽狀實射或進 行之模型類實財職、χρ啊認了範例丨至7滿 足本發明的第1第三態樣之要件，且其具有形成於絕緣 膜中的S卜⑽礙，而且比較_ i至6未滿d 至第三態樣之要件。 币 結果顯示於表1及2巾。請瞭解在範财，C濃度為小變 化’而Si-CH3吸收強烈度/膜厚度為大變化，且回應於這此 結果，膜、特定介電常數及有效特定介電常數 好結果。㈣解相對地，纽較細研，C濃度為大^ 化，且回應於此結果，特定介電常數及有效敎 相較於範例中者係為不良結果；且在比較範例4及5中= 然c濃度為小變化，队CH3吸收強烈度/膜厚度 化，且回應於這些結果，其具有較差的膜強度，即 介電常數及有效特定介電t_結果與範例者處於 準亦然。 叫饥 比較範例1叫度浦於峨爾強烈度/膜 31 200818314 厚度而§具有較讀化。認為這是因μ濃度的變化及 Si-CH3吸收強烈度/膜厚度的變化並未總是反映真實變化所 致。易言之’認為當本發明中提到c濃度減小率及選自由 Si-OH之OH鍵、O.H鍵及Si_〇鍵所組成的群組之一或多個 5鍵的減小率時，若採用本發明中所揭露的組合則可能獲得 -具有南膜強度且可防止介電常數由於濕氣吸收而增大之 低介電常數絕緣膜，即便真實變化可能無法如比較範糾至 3的案例中所代表時亦然。

請注意表1及2中的特定介電常數係為半導體裝置製造 10期間所決定者。表1及2中的膜強度亦在半導體裝置的製造 期間決n導體裝置具有三個根據本範例或用於比較 之絕緣膜。由於材料、㈣射線輻照條件、及加熱條件相 同’只對於絕緣膜38進行特定介電常數及膜強度之測量。 比較範例6未使用紫外射線輻照且因此未使用任何濾器。因 此可如同根據本發明的紫外射線輕照之前般地取得c濃度 及Si-CH3吸收強烈度/膜厚度的數值。 帛且’為了看見紫外射線的累積照射強烈度之效應， 在表3及4所舰件下進行實驗。紫外射線輻照係由不短於 320誰的較長波長範圍中之一累積照射強烈度對於不長於 20 320 nm的波長範圍中之累積照射強烈度之比值所界定，如 表3所示，其不同於表1的案例。 無關於表3及4中所列項目之條件係與表⑴的案例者 相同。利用FT-IR、XPC等經由半導體製造所進行的實驗或 刀開所進订的核型权擬實驗期間可確認對於範例$至η滿 32 200818314 足根據本發明第一至第三態樣之要件，且Si_〇_Si鍵產生於 絕緣膜中。 結果，範例8至13顯示94.7至96.1%的高良率以及良好 的特定介電常數如表3及4所示。然而，範例14至π顯示51.1 5至刀·1%的較低良率，但仍有好的特定介電常數。這顯示出 - 由於不短於320 nm的長波長範圍中之紫外射線所造成的熱 一 性歷史所致之一負面效應。 如上文所說明，本發明可提供一具有高膜強度且可防 • 纟介電常數由於濕氣吸收而增大之低介電常數絕緣膜。亦 10可月tJ工由-切副紫外射線固化所不需要的波長之遽器藉由 拘限熱性歷史來提供一具有較高可靠度的多層配線裝置及 改良良率。本發明對於需要加快回應速度之電路板等特別 有用。 33 200818314

UV波長 _ 累積強烈度 的比值(％)* 特定介電 常數 膜強度 [GPa] Si-CH3吸收 強烈度 [/mm] 範例1 220 13 2.4 16 50 範例2 260 43 2.3 16 52 範例3 280 52 2.3 16 54 範例4 300 55 2.3 15 53 範例5 340 68 23 15 55 範例6 360 73 2.3 14 60 範例7 370 86 2.3 14 68 比較範例1 170 0 2.8 19 46 比較範例2 180 0 2.8 18 46 比較範例3 190 0 2.8 16 47 比較範例4 390 115 2.3 10 75 比較範例5 400 128 2.3 10 76 比較範例6 無 - 2.3 10 85 *不短轸320 nm的波長範圍中之紫外射線的累積照射強烈度對於 不長於3 20 nm的波長範圍中之紫外射線的累積照射強烈度之比值。 表2 一膜中的C濃度 [原子％] 一膜的接觸角 [°] 有效特定 介電常數 生產良率 範例1 7 98 2.7 94.7 範例2 7 98 2.6 96.1 範例3 8 98 2.7 96.1 範例4 8 98 2.7 94.7 範例5 8 98 2.7 94.7 範例6 8 98 2.6 96.1 範例7 8 98 2.7 96.1 比較範例1 2 61 3.2 51.1 比較範例2 3 63 3.2 57.6 比較範例3 3 63 3.1 57.6 比較範例4 8 98 2.7 96.1 比較範例5 8 98 2.7 96.1 比較範例6 8 98 2.6 94.7 34 200818314 表3 UV波長 [nm] 累積強烈度 的比值(％)* 特定介 電常數 膜強度 [GPa] Si-CH3吸收 強烈度[/mm] 範例8 220 13 2.4 16 50 範例9 260 22 2.3 15 50 範例10 260 43 2.3 16 52 範例11 260 66 2.3 16 51 範例12 260 135 2.3 15 52 範例13 300 24 2.3 15 53 範例14 260 141 2.3 16 51 範例15 260 185 2.3 15 50 範例16 260 204 2.3 15 54 範例17 400 334 2.3 10 76

*不短於320 nm的波長範圍中之紫外射線的累積照射強烈度對於 不長於320 nm的波長範圍中之紫外射線的累積照射強烈度之比值。 表4 一膜中的C濃度 [原子％] 一膜的接觸角 [°] 有效特定 介電常數 生產良率 範例8 7 98 2.7 94.7 範例9 8 98 2.6 94.7 範例10 7 98 2.6 96.1 範例11 7 98 2.7 96.1 範例12 8 98 2.7 94.7 範例13 8 98 2.7 94.7 範例14 8 98 2.6 71.1 範例15 7 98 2.7 61.5 範例16 7 98 2.6 51.1 範例17 8 98 2.7 57.6 35 5 200818314 【圖式簡單說明】 第1至8圖各為製程期間之一多層配線裝置的示意橫剖 視圖，藉以說明本發明的範例及比較範例； 第9圖為一常用矽化合物的一多孔絕緣膜之紫外吸收 5 頻譜， ^ 第ίο圖為一示範性FT-m頻譜；及 - 第11圖為一高壓力汞燈(UVL-7000H4-N，潮電氣公司 (Ushio electric Inc·))的發射頻譜。 _ 【主要元件符號說明】 10...半導體基材 40...間層絕緣膜 12...元件分離膜 42...光阻膜 14...元件分域 44…開口 16...絕緣膜 46...溝槽 18...閘極電極 48...層疊膜 20...側壁絕緣膜 50...配線線 22...源極/汲極擴散層 52...間層絕緣膜 24...電晶體 54...間層絕緣膜 26...間層絕緣膜 56...間層絕緣膜 28…阻止膜 58...間層絕緣膜 30...接觸孔 60...間層絕緣膜 32...黏著層 62...光阻膜 34...導體插塞 64…開口 36...間層絕緣膜 66...接觸孔 38...間層絕緣膜 68...光阻膜 36 200818314 70".開口 76a…配線線 72…溝槽 76b...導體插塞 74層疊膜 78...間層絕緣膜 76··.Οι 膜

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Claims (1)

1. 200818314 十、申請專利範圍： 1. 一種用於製造一半導體裝置之方法，包含： 形成包括一具有Si-CH3鍵及Si-OH鍵的材料之一絕 緣膜，及以紫外射線來輻照該絕緣膜，其中： 5 由於紫外射線輻照之緣故，藉由X射線光電子頻譜 術之該絕緣膜中的C濃度減少速率不大於30%、且該絕 w 緣膜中選自由Si-OH之C-H鍵、0_H鍵及Si-Ο鍵所組成的 群組之一或多個鍵的減少速率不小於10 %。 • 2. —種用於製造一半導體裝置之方法，包含： 10 形成包括一具有Si-CH3鍵及Si-OH鍵的材料之一絕 緣膜，及以紫外射線來輻照該絕緣膜，其中： 由於紫外射線輻照之緣故，該絕緣膜之接觸角的減 少速率不大於8%，且該絕緣膜中選自由Si-OH之C-H 鍵、0-H鍵及Si-Ο鍵所組成的群組之一或多個鍵的減少 15 速率不小於10%。 3·如申請專利範圍第1項之用於製造一半導體裝置之方 零 法，包含藉由該紫外射線輻照在該絕緣膜中形成 Si-CH2-CH2-Si 鍵及 Si-CH2-Si 鍵。 " 4· 一種用於製造一半導體裝置之方法，包含： ^ 20 形成包括一具有Si-CH3鍵及Si-OH鍵的材料之一絕 緣膜，及以紫外射線來輻照該絕緣膜，該方法包含： 藉由紫外射線輻照在該絕緣膜中形成 Si-CH2-CH2-Si 鍵及 Si-CH2-Si 鍵。 5.如申請專利範圍第4項之用於製造一半導體裝置之方 38 200818314 法，包含經由一濾器來輻照該紫外射線。 6·如申凊專利範圍第1項之用於製造一半導體裝置之裝 置，包含藉由該紫外射線輻照在該絕緣膜中形成Si_0_si 鍵。 如申明專利範圍第1項之用於製造一半導體裝置之裝 置其中該已穿過該濾器之紫外射線在不短於320加^^的 較長波長範圍中具有不大於不長於320 nm的波長範圍 中之累積照射強烈度的136%之_累積照射強烈度，且 忒t外射線在不長於320 nm的範圍中具有至少一 •申請專利範圍第1項之用於製造一半導體裝置之裝 置，包含在該紫外射線輻照期間以刈至斗…充範圍中的 一溫度進行熱處理。 9·如申請專利範圍第i項之用於製造一半導體裝置之裝 15 置，包含在可供紫外射線穿過以抵達該絕緣膜之另一絕 緣膜已形成於該絕賴上方之後進行該紫外射線輻照。 1〇_如申請專利範圍第2項之用於製造—半導體裝置之裝 置，包含在該絕緣膜中藉由該紫外射線輻照形成一 Si-〇-Si 鍵。 2〇 U·如申請專利範圍第2項之用於製造一半導體裝置之方 法，其中該已穿過該濾器的紫外射線在不短於320 nm的 較長波長範圍中具有不大於不長於32〇 _的波長範圍 中之累積照射強烈度的136%之一累積照射強烈度，且 該务、外射線在不長於320 nm的範圍中具有至少一峰值。 12·如申請專利範圍第2項之用於製造-半導體裝置之方 39 200818314 法一 ·〇 3在該外射線輻照期間以職姻。。範圍中的 一溫度進行熱處理。 5 X η.如申請專利範圍第2項之用於製造一半導體裝置之方 法’包含在可供紫外射線穿過以抵達該絕緣膜之另一絕 緣膜形成於該絕緣膜上方之後進行該紫外射線輕昭。 14·如申請專利範圍第4項之用於製造-半導體裝置之方 法，包含在該絕緣財藉由該紫外射線輻絲形成一 Si-0-Si 鍵。

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   20 15·如申請專利範圍第4項之用於製造—半導體裝置之方 法，其中該已穿過該濾器的紫外射線在不短於谓nm的 較長波長範圍中具有不大於不長於32〇 nm的波長範圍 中之累積照射強烈度的136〇/。之一累積照射強烈度，且 該紫外射線在不長於320 nm的範圍中具有至少一峰值。 16·如申請專利範圍第4項之用於製造一半導體裝置之方 法，包含在該紫外射線輻照期間以5〇至47〇。(：範圍中的 一溫度進行熱處理。 17·如申凊專利範圍第4項之用於製造一半導體裝置之方 法’包含在可供紫外射線穿過以抵達該絕緣膜之另一絕 緣膜形成於該絕緣膜上方之後進行該紫外射線韓照。 18. —種半導體裝置，其係由根據申請專利範圍第丨項之用 於製造一半導體裝置之方法所製造。 40