TW200818294A - Inspection method of compound semiconductor substrate, compound semiconductor substrate, surface treatment method of compound semiconductor substrate, and method of producing compound semiconductor crystal - Google Patents

Description

200818294 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種化合物半導體基板之檢查方法、化合 物半導體基板、化合物半導體基板之表面處理方法及化合 物半導體晶體之製造方法，例如係關於一種表面粗度Rms 車父低之化合物半導體基板之檢查方法、化合物半導體基 板、化合物半導體基板之表面處理方法及化合物半導體晶 體之製造方法。 【先前技術】

包含半導體之基板具有發光特性，且電子之移動速度較 快，故廣泛用於半導體雷射、LED (發光二極體： Emitting Diode)、或高速裝置等中。通常，製造進行表面 處理、包含III-V族化合物半導體之基板。例如於日本專利 特開期-530H號公報（專利文獻1)t揭示有—種基板之清 洗方法、蟲晶成長之前之基板保f方法、以及藉由使蟲晶 成長開始前之3個成長條件最佳化而降低磊晶層與基板之 界面之雜質的化合物半導體。又，於專利文獻K，保管 方法揭示有使氧濃度為10 ppm以下。 一 H利特開平7_2G1689號公報（專利文獻2)中， 揭不有-種於晶圓表面形成有丨。如⑴膜之 附有保護膜之半導體晶圓。於專利文獻2中，亦揭示有— 種於LB臈上覆蓋高分子膜，利用高分子膜而剝離LB膜， 藉此獲得清潔之晶圓表面之方法。 又，於日本專利特開平5_291371號公報（專利文獻3)中揭 120925.doc 200818294 示有一種InP半導體表面及界面之評估方法，其係於㈣半 導體基板上較薄地形成InGaAs蟲晶層，藉由測定載子之移 動度或載子濃度而推斷表面或界面之雜質濃度。 又，於日本專利特開2003_86553號公報（專利文 揭示有-種為降低霧度而於研磨結東後立即以水溫饥以 下之純水進行清洗之半導體晶體晶圓。 ^而，上述專利文⑴之化合物半導體晶圓係使氧濃度 二C1下而保存’於此狀態下， ㈣個左右之氧分子。若存在此種氧分子，則氧分子合 於極短時間内衝撞晶圓表面，而導致晶圓表面上吸附氧: 因此’上述專利文獻丨中揭示之基板之保管方 雜質並不減少之問題。 力衣曲之 係ί用二專利文獻2中揭示之附有保護膜之半導體晶圓 糸私用於日Β圓表面上形成⑽之方法，故存在下述問題， L難以去除以原子級構成⑶膜之所有原子，界 =於晶圓之表面。又，由於使高分子膜接觸表面，:: 二下述問題，即，會產生高分子膜本身之發塵等污 口或於使之接觸而解離時產生發塵或傷痕。 評二Π二3中所揭示之1ηρ半導體表面及界面之 4進仃坪估而必須實施蟲晶成長。藉由該石 :長而獲得之磊晶層之精度必須非常高，故 = 持遙晶裝置之純度。因此，存在消耗成本之問題。要維 二 =文::中所揭示之半導體晶體晶圓，必須 -之，屯水’故而必須將具備紫外線燈等熱源之純水 120925.doc 200818294 因此存在消耗成本之問 裝置維持在低於室溫之溫度下 題。 上述專利文獻4中所揭示之半導體晶體晶圓，為 k侍南品質之蟲晶層而使用鏡面檢查裝置來測定霧度。然 而’光學方式只能檢測與原子之大小相比非常大之:積的、 視野中之表面粗度Rms之平均值。又，原子之大小與光之 Ο

波長相比非常小。因此，存在無法檢測出原子級之基板表 面之凹凸的問題。 【發明内容】 本發明係為解決如上所述之問題開發而成者，本發明之 目的在於提供一種可降低成本、並減少化合物半導體基板 之表面之雜質量的化合物半導體基板之檢查方法、化合物 半導體基板、化合物半㈣基板之表面處理方法及化合物 半導體晶體之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之化合物半導體基板之檢查方法係化合物半導體 基板之表面之檢查方法，於〇·2 μηι以下見方之視野中，以 〇·4 nm以下之間距，使用原子力顯微鏡（AFM : Atomic Force Microscope)測定化合物半導體基板之表面粗度Rms。 本案發明者對檢查存在於化合物半導體基板之表面之雜 質量的方法進行積極研究之結果發現，與存在於化合物半 導體基板之表面之雜質量相關的上述化合物半導體基板之 才欢查方法。即’藉由使用AFM，以0.4 nm以下、即小於2 個原子大小之間距測定表面粗度Rms，可確實地檢測出原 120925.doc 200818294 子級凹凸。於藉由該AFM而測定表面粗度Rms之半導體化 合物基板上進行磊晶成長，對該磊晶層與基板之界面進行 SIMS(2次離子質量分析裝置）分析，藉此發現，若以afm 所測疋之原子級凹凸較少，則雜質難以附著於表面之凹 凸。又，使用既存之AFM可降低成本。據此，而成為可降 低成本、並減少化合物半導體基板之表面之雜質量的化合 物半導體基板之檢查方法。 再者、，所謂上述「表面粗度Rms」係指依據只8 B〇6〇1m 測定之值。 本赉明之化合物半導體基板，藉由上述化合物半導體基 板之檢查方法所測定之表面粗度尺^^為0.2 nm以下。 根據本發明之化合物半導體基板，化合物半導體基板之 表面可減少原子級凹凸。因此，可選擇如下基板，該基板 於化合物半導體基板之表面上形成磊晶成長層時無需進行 加熱處理專’而可充分降低表面上之氧原子等雜質原子。 據此，可降低成本，並簡便地減少化合物半導體基板之表 面之雜質量。 於上述化合物半導體基板中，較好的是含有GaAs(砷化 鎵）、InP(磷化銦）、GaN(氮化鎵）、以及InN(氮化銦）之至 少一種。 藉此可降低表面之雜質量，故可於高性能之化合物半導 體基板上成長晶體。 本發明一態樣中之化合物半導體基板之表面處理方法係 用以獲得上述化合物半導體基板之化合物半導體基板之表 120925.doc 200818294 面處理方法，實施以下步驟。首先，實施準備化合物半導 體基板之步驟（準備步驟）。繼而，實施研磨化合物半導體 基板之步驟（研磨步驟）。接著，於研磨步驟（研磨步驟） 後’實施如下步驟（酸洗步驟），即，使用包含稀鹽酸、稀 硫酸、稀硝酸、以及有機酸之至少一種的酸性溶液而清洗 • 化合物半導體基板。 : 根據本發明一態樣中之化合物半導體基板之表面處理方 f、 法，藉由研磨步驟後之酸洗步驟，可降低化合物半導體基 板之表面之原子級凹凸。據此，可製造可降低成本、並減 少表面之雜質量之化合物半導體基板。 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的是 使用fee性〉谷液進行清洗之步驟（酸洗步驟）係於酸性溶液中 添加氧化劑而進行。藉此，於酸洗步驟中可提高降低化合 物半導體基板之表面之凹凸之速度。 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的是 G 於使用酸性溶液進行清洗之步驟（酸洗步驟）之前，進而具 備使用添加有酸性離子之pH值為8.0以上的混有酸之驗性 溶液而清洗化合物半導體基板之步驟（鹼洗步驟）。 ’ 藉由酸性離子可降低化合物半導體基板之表面之凹凸。 又，藉由使pH值為8 ·0以上，可去除表面之異物（微粒子）。 因此，可使清洗性與防止表面之原子級皺摺並存。 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的是 使用混有酸之鹼性溶液進行清洗之步驟（混有酸之鹼洗步 驟）係於混有酸之鹼性溶液中添加氧化劑而進行。藉此， 120925.doc 200818294 於混有酸之鹼洗步驟中可提高降低化合物半導體基板之表 面之凹凸的速度。 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的是 於使用酸性溶液進行清洗之步驟（酸洗步驟）之前，進而具 備使用濃度為50 ppm以上〇·5%以下、且1)]9[值為8 5以上之 ， 稀鹼性溶液而清洗化合物半導體基板之步驟（稀鹼洗步 驟）。 藉由稀鹼性溶液可抑制表面之凹凸增加。因此，可使清 洗性與防止表面之原子級皺摺並存。 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的是 使用稀鹼性溶液進行清洗之步驟（稀鹼洗步驟）係於稀鹼性 溶液中添加氧化劑而進行。藉此，於稀鹼洗步驟中可提高 降低化合物半導體基板之表面之凹凸的速度。 同 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的是 於研磨步驟（研磨步驟）後，進而具備立即使用還原劑= 〇 或清洗化合物半導體基板之步驟（還原劑步驟卜藉此，於 研磨步驟中所使用之研磨劑中含有氯之情形時，^停止氯 之作用’抑制表面皺摺。 、 . 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的3 於使用還原劑進行研磨或清洗之步驟（還原劑步驟）中，、疋 為8.5以上1〇·。以下之驗性水溶液或氧化劑水溶： 作為還原劑。藉此，於研磨步驟中所使用之研磨劑中人 氯之情形時，可停止氯之作用，抑制表面皺摺/ 3 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的β 120925.doc 200818294 於使用酸性溶液進行清洗之步驟（酸洗步驟）後，進而具備 使用HF(氟化氫）或添加有雙氧水之HF清洗化合物半導體基 板之步驟（沖洗步驟）。藉此，可去除存在於表面之矽等雜 質。 本發明之其他態樣中之化合物半導體基板之表面處理方 法係用以獲得上述化合物半導體基板之化合物半導體基板 之表面處理方法，實施以下步驟。首先，實施準備化合物 半導體基板之步驟（準備步驟）。繼而，實施研磨化合物半 導體基板之步驟（研磨步驟）。接著，於研磨步驟（研磨步 驟）後立即只施使用還原劑而研磨或清洗化合物半導體 基板之步驟（還原劑步驟）。並且，於使用還原劑進行研磨 或清洗之步驟（還原劑步驟）後，具備使用添加有酸性離子 之pH值為8.0以上之混有酸之鹼性溶液而清洗化合物半導 體基板之步驟（混有酸之驗洗步驟）。 根據本發明之其他態樣中之化合物半導體基板之表面處 理方法’ 緊接研磨步驟後之還原劑步驟，而抑制於研 磨步驟中由研磨劑造成之表面皺摺。並且，藉由混有酸之 鹼洗步驟，可進一步降低化合物半導體基板之表面之原子 級凹凸。據此’可製造可降低成本、並減少表面之雜質量 之化合物半導體基板。 、 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的是 使用混有酸之鹼性溶液進行清洗之步驟（混有酸之鹼洗步 驟）係於混有酸之鹼性溶液中添加氧化劑而進行。藉此， 於混有酸之鹼洗步驟中可提高降低化合物半導體基板之表 120925.doc -12- 200818294 面之凹凸的速度。 本發明之進而其他態樣中之化合物半導體基板之表面處 理方法係用以獲得上述化合物半導體基板之化合物半導體 基板之表面處理方法，實施以下步驟。首先，實施準備化 合物半導體基板之步驟（準備步驟）。繼而，實施研磨化合 • 物半導體基板之步驟（研磨步驟）。接著，於研磨步驟（研磨 • 步驟）後，立即實施使用還原劑而研磨或清洗化合物半導 (' 體基板之步驟（還原劑步驟）。並且，於使用還原劑進行研 磨或清洗之步驟（還原劑步驟）後，實施使用濃度為5〇 ppm 以上0.5/。以下、且pH值為8·5以上之稀鹼性溶液而清洗化 合物半導體基板之步驟（稀鹼洗步驟）。 根據本發明之進而其他態樣中之化合物半導體基板之表 面處理方法，藉由研磨步驟後緊接之還原劑步驟而抑制於 研磨步驟中由研磨劑所造成之表面皺摺。並且，藉由稀驗 洗步驟，可進-步降低化合物半導體基板之表面之原子級 ^ 凹凸據此，可製造可降低成本、並減少表面之雜質量之 化合物半導體基板。 於上述化合物半導體基板之表面處理方法中，較好的是 2用稀鹼性溶液進行清洗之步驟（稀鹼洗步驟）係於稀鹼性 /合/夜中添加氧化劑而進行。藉此，於稀驗洗步•驟中可提高 降低化&物半導體基板之表面之凹凸的速度。 本^月之化合物半導體晶體之製造方法具備下述步驟： 進行上述化口物半導體基板之表面處理方法之步驟；後處 Υ驟八於進行表面處理方法之步驟之後，於化合物半 120925.doc •13- 200818294 導體基板之表面上使含有構成化合物半導體基板之元素的 至少一種之化合物半導體晶體成長。 根據本發明之化合物半導體晶體之製造方法，可形成於 減少原子級凹凸、降低雜質量之化合物半導體基板之表面 上，故而可製造結晶性優異之化合物半導體晶體。 • [發明之效果] ' 根據本發明之化合物半導體基板之檢查方法，可確實地 (、 私測出原子級凹凸。又，因可使用既存之AFM，故可降低 成本。據此，可檢查可降低成本、並減少表面之雜質量之 化合物半導體基板。 (定型文）根據聯繫附加圖式而加以理解之本發明相關之 如下詳細說明，可清楚本發明之上述以及其他目的、特 徵、態樣以及優點。 【實施方式】 以下，基於圖式說明本發明之實施形態以及實施例。再 〇 者，於以下圖式中，對於相同或相當之部分標記相同參照 符號，並不重複其說明。 (實施形態1) ' 就本發明之實施形態1中之化合物半導體基板之檢查方 - 法加以說明。 實施形態1中之化合物半導體基板之檢查方法為化合物 半導體基板之表面之檢查方法’於〇·2 μηι見方之視野中， 以0.4 nm以下之間距，使用原子力顯微鏡測定化合物半導 體基板之表面粗度Rms。 120925.doc •14- 200818294 詳細而言’首先，於化合物半導體基板之表面上取〇·2 μιη以下見方之視野。視野為〇·2 μιη以下，較好的是〇 〇5 μιη以上0·18 μηι以下，更好的是〇 1 μιη以上〇18 μηι以下。 化合物半導體基板之表面粗度尺咖之週期較短者為2 nm之 級，故為了確實地捕捉該凹凸，必須以〇·4 nm以下之間距 ‘ 進行測定。例如利用Veeco公司製造之AFM(Dimension3000)， • 當進行最細微之取樣時，每1行為512個樣品，為512行， (、 使間距達到0·4 nm，則形成〇·2 μιη之視野。若視野超過0.2 μιη ’則取樣時無法檢測出較短週期之凹凸，故資料不正 確。藉由使視野達到0.18 μηι以下，可利用現有之測定設 備進行測定，且測定之樣品數亦充分，資料之正確性提 昇。另一方面，其原因在於藉由使視野達到〇 〇5 μιη以 上至夕、了確保測疋所需之樣品數。藉由使視野達到0 · 1 μιη 以上’可使測定之樣品數比較充分，而檢查化合物半導體 基板之表面。 U 其次’於上述視野中，以0.4 nm以下之間距，使用原子 力顯微鏡（AFM)測定化合物半導體基板之表面粗度Rms。 間距為0.4 nm以下，較好的是〇〇5 nm以上〇·4 nm以下，更 好的是〇_1 nm以上〇·3 nm以下。若間距超過〇.4 nm，則大 - 於2個原子之大小，故無法充分測定原子級之化合物半導 體基板之表面之凹凸。藉由使間距達到0·4 nm以下，可更 加充刀地测定原子級之化合物半導體基板之表面之凹凸。 藉由使間距達到〇·3 nm以下，可進一步充分地測定原子級 之化a物半導體基板之表面之凹凸。另一方面，藉由使間 120925.doc -15- 200818294 故並不適於評估原子級凹凸之情形’上述雷射光具有與原 子相比甚為巨大（百叫級）之#、且具有原子之大小的百倍 以上（數百μηι級）之波長。 距達到0.05 nm以上，可不會使測定之樣品數過多而進行 測定。藉由使間距達到G.lnm以上，而不會使測定之樣品 數進-步過多’而容易進行測定。再者，先前係採用藉由 測定自表面光學性漫反射之可見光而檢查化合物半導體基 板之表面之霧度等的方法，㈣其係照射如下之雷射光，

u 例如，於0.2 μιη見方之視野中以〇·39随之間距進行測 定，則會測定每丨行512個樣品、512行合計262144個樣品 之表面粗度。並且，於該樣品之粗度曲線中，將自平均線 至測定曲線之偏差的平方之平均值的平方根之值作為表面 粗度Rms。藉由如此測定之表面粗度Rms，可測定原子級 之化合物半導體基板之表面之凹凸。 又’於化合物半導體基板之表面之中心部分至少取1個 視野。較好的是於化合物半導體基板之表面之中心部分及 其周邊取3〜5個視野。藉由設置3個以上視野，可對化合物 半導體基板之整個表面測定表面粗度Rms，故可對化合物 半導體基板之整個表面進行檢查。藉由設置5個以下視 野’可迅速地進行檢查。 如以上所說明，根據本發明之實施形態1中之化合物半 導體基板之檢查方法，其係化合物半導體基板之表面之檢 查方法’於〇·2 μιη以下見方之視野中，以〇·4 nm以下之間 距’使用原子力顯微鏡測定化合物半導體基板之表面粗度 120925.doc -16 - 200818294

Rms。使用AFM，以0.4 nm以下、即小於2個原子之大小之 間距測定表面粗度Rms，藉此可確實地檢測出原子級凹 凸。又，因使用既存之AFM對化合物半導體基板之表面測 定原子級凹凸，故不會消耗成本。評估以該方法所測定之 原子級凹凸、及實施磊晶成長後以SIMS(sec〇ndary i〇n • mass spectrum，二次離子質譜）評估磊晶層與化合物半導 • 體基板之界面的雜質量時，判明原子級凹凸與界面之雜質 (、 存在關係。藉由該方法，可降低成本，並減少成長於化合 物半導體基板上之磊晶層與基板之界面之雜質量。 (實施形態2) 圖1A係表示本發明之實施形態2中之一化合物半導體基 板之不意剖面圖，圖1B係表示本發明之實施形態2中之其 他化合物半導體基板之示意側面圖。參照圖1A以及圖 1B ’說明本發明之實施形態2中之化合物半導體基板。如 圖1A以及圖1B所示，本發明之實施形態2中之化合物半導 〇 體基板10、20 ’藉由本發明之實施形態1中之化合物半導 體基板之檢查方法而測定之表面粗度尺^^為〇·2 nm以下。 詳細而言，化合物半導體基板1〇、2〇之表面^之表面粗 度Rms為〇·2 nm以下，較好的是〇18 nm以下，更好的是 - 〇·03 nm以上0·15 nm以下.。若表面粗度Rms大於〇·2 nm，則 表面11之凹凸部分容易附著雜質原子，且難以脫離。因 此，若於該表面11上使磊晶層成長，則即使於磊晶成長前 進行加熱等亦會殘留雜質原子，故使磊晶層中進入雜質， $致結晶性惡化。藉由使表面粗度尺瓜8達到〇18 nm以下， 120925.doc -17- 200818294 可進一步降低表面u之原子級凹凸，故可進一步減少表面 η之雜質原子。藉由使表面粗度Rms達到0 i5 nm以下，可 進一步減少雜質原子。另—方面，藉由使表面粗度仏達 到0.03㈣以上，可形成現狀可實現之表面粗度r·。 如圖1A所示，化合物半導體基板10例如包含丨層。化合 物半導體基板H)較好的是包含GaAs、Inp、_、以及_ 之至少—種，更好的是包含〜AS、InP、GaN、以及InN之 至；一種。包含該等材料之化合物半導體基板10可將於其 表面11上成長之層用於多種用途。 士圖1B所示，化合物半導體基板2〇包含基板與化 合物半導體基板1〇該2層。化合物半導體基板1〇形成於基 板21上。於此情形時，基板21與化合物半導體基板之材 質既可相同亦可不同。 再者，化合物半導體基板亦可為圖以所示之一層化合物 半V體基板10，亦可為圖⑺所示之化合物半導體基板1〇形 成於包含與其相同或不同材質之基板21上之化合物半導體 基板20，亦可為包含3層以上之化合物半導體基板（未圖 示）。 其次，參照圖1A、圖1B以及圖2，說明本發明之實施 形怨2中之化合物半導體基板之表面處理方法以及化合 物半導體晶體之製造方法。再者，圖2係、表示本發明之 實施形態2中之化合物半導體晶體之製造方法的流程 圖0 如圖2所示，於實施形態2中之化合物半導體基板之表面 120925.doc -18 - 200818294 處理方法中，首先，實施準備化合物半導體基板1〇、2〇之 準備步驟（S10)。於準備步驟（S10)中，準備圖1A或圖16所 示之化合物半導體基板10、20。又，於準備步驟（S10)中 較好的是準備包含GaAs、InP、GaN、以及ιηΝ之至少一種 之化合物半導體基板1〇、20，更好的是準備包含GaAs、 . InP、GaN、以及InN之至少一種之化合物半導體基板1〇、 20 〇 ( 其次，較好的是實施研磨化合物半導體基板10、20之研 磨步驟（S20)。於研磨步驟（S2〇)中，藉由實施形態i中之化 0物半‘體基板之檢查方法而檢查之表面粗度Rms較好的 是研磨至0.3 nm以下，更好的是研磨至〇·2 nm以下。藉由 研磨至0.3 nm以下，實施下述酸洗步驟（§30)可使化合物半 導體基板10、20之表面粗度Rms達到〇.2 nm以下。藉由研 磨至0.2 nm以下，可進一步降低化合物半導體基板1〇、2〇 之表面粗度Rms。 Ο 具體而言，於研磨步驟（S20)中，使用含有氣之研磨劑 作為氧化劑。因此，通常於研磨後立即以純水實施水洗或 研磨’而抑制表面粗度Rms增大。 又，於研磨步驟（S20)中，考慮到降低化合物半導體基 ^ 板10、20之表面11之表面粗度Rms之觀點，較好的是使用 除了氯以外而含有碳酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽等鹽者作為研 磨劑。 其次，於研磨步驟（S20)後實施酸洗步驟（S30)，即，使 用包含稀鹽酸、稀硫酸、稀硝酸、以及有機酸之至少一種 120925.doc -19- 200818294 之酸性溶液，清洗化合物半導體基板10、2()。於酸洗步驟 (S30)中，使用酸性溶液，降低化合物半導體基板1〇、2〇 之表面11的原子級凹凸，可使藉由實施形態1中之化合物 半‘體基板之檢查方法而測定之表面粗度Rms達到〇.2 以下。

酸洗步驟（S30)中所使用之酸性溶液係稀鹽酸、稀硫 酸、稀硝酸、以及有機酸之至少一種。有機酸較好的使用 例如甲酸、乙酸、草酸、乳酸、蘋果酸、以及檸檬酸等。 酸性溶液之pH值較好的是〇〜4，更好的是丨〜3。較好的是稀 鹽酸之濃度為0.001%〜〇·5% ，稀硫酸之濃度為 〇-001%〜〇.5%，稀硝酸之濃度為〇〇〇1。/。〜〇5%，有機酸之 濃度為0.1 %〜1%。藉由使酸性溶液處於該範圍内，可進一 步降低化合物半導體基板10、20之表面粗度Rms。 於酸洗步驟（S30)中，較好的是於酸性溶液中添加氧化 劑而進行。氧化劑並無特別限定，例如使用雙氧水等。藉 由使用添加有氧化劑之酸性溶液而清洗化合物半導體基板 10、20之表面u，可提昇酸洗步驟（S3〇)之速度。再者，氧 。化劑之濃度並無特別限《，例如較好的是5 ppm以上i質量 %以下，更好的是10 ppm以上0.5質量％以下。藉由使氧化 劑之濃度達到5 ppnm上，可抑制酸性溶液之清洗能力下 降。藉由使氧化劑之濃度達到！質量％以下，可防止與表 面π之酸化物、有機物、或微粒子等產生反應。" 〜酸洗步驟（S30)中所㈣之酸性溶液之溫度並無特別限 較好的是設為室溫。藉由設為室s ’可使進行化合物 120925.doc -20 - 200818294 半導體基板10、20之表面處理之設備簡化。 又’清洗時間並無特別限定，例如較好的是10秒以上 300秒以下。於該範圍内實施酸洗步驟（S30)，則可削減酸 性溶液之費用，謀求生產性提昇。再者，於該等清洗後， 為去除酸或鹼液等清洗液，亦可實施純水沖洗步驟。進 而’於最終之清洗步驟後之純水沖洗步驟後，以離心乾燥 等去除化合物半導體基板10、20之水分。於該純水沖洗步 驟時，藉由施加900〜2000 kHz之超聲波，可防止微粒子附 著。又’純水沖洗時，為防止化合物半導體基板丨〇、2〇之 表面之氧化’而使用氧濃度脫氣至1〇〇 ppb以下之純水。 以下省略該等附加步驟。 對於藉由實施以上步驟（sl〇〜S3〇)而獲得之化合物半導 體基板10、20，藉由實施形態i之方法所測定之表面粗度 Rms為0.2 nm以下之表面處理方法為本發明之實施形態2中 之化合物半導體基板之表面處理方法。 其次，對於結束酸洗步驟（S30)之化合物半導體基板 1〇、20實施後處理步驟（S40)，即，於化合物半導體基板 10、20之表面π上使含有構成化合物半導體基板1〇、汕之 το素的至少一種之化合物半導體晶體成長。於後處理步驟 (S4〇)中，於化合物半導體基板1〇、2〇之表面丨丨上，實施例 如使之磊晶成長而形成特定膜之成膜處理等。並且，較好 的是形成複數個元件。於此情形時，於化合物半導體基板 表面上形成特定構造後’為了將化合物半導體基板分割成 各個元件，而實施例如進行切片#之分割步，驟。以此方式 120925.doc -21 - 200818294 τ C付使用化5物半導體基板之元件。此種元件例如搭载 於導線架等。並且，藉由實施打線接合步驟等，可獲得使 用上述元件之半導體裝置。 如以上所說明，根據本發明之實施形態2中之化合物半 導體基板10、20,藉由實施形態丨中之化合物半導體基板 之檢查方法而測定之表面粗度Rms為0.2 nm以下。化合物 半‘體基板10、20之表面π可降低原子級凹凸，故於表面 11上可充分減少氧原子等雜質原子，於化合物半導體基板 ίο 之表面11上形成蠢晶成長層時無需多餘之加熱處理 等。據此，可降低成本，並減少化合物半導體基板10、20 之表面之雜質量。 於上述化合物半導體基板i0、20中，較好的是含有 GaAs、InP、GaN、以及InN之至少一種。藉此，可降低容 易附著而難以去除之表面丨丨之雜質濃度，可於高性能之化 合物半導體基板1〇、20之上使晶體成長。 本發明之實施形態2中之化合物半導體基板1〇、2〇之表 面處理方法係化合物半導體基板1〇、2〇之表面處理方法， 具備下述步驟：準備化合物半導體基板1〇、2〇之準備步驟 (sio) ’研磨化合物半導體基板1〇、2〇之研磨步驟（s2〇); 於研磨步驟（S20)後，使用包含稀鹽酸、稀硫酸、稀硝 酸、以及有機酸之至少一種的酸性溶液而清洗化合物半導 體基板10、20之酸洗步驟（S3〇)。藉由研磨步驟（S2〇)而降 低化a物半‘體基板1〇、2〇之表面粗度Rms，藉由酸洗步 驟（S30)可降低化合物半導體基板1〇、2〇之表面^之原子級 120925.doc -22- 200818294 凹凸、。因此，可使化合物半導體基板1〇、2〇之表面粗度

Rms達到〇.2 nm以下。據此’可製造可降低成本、並減少 化合物半導體基板之表面之㈣量的化合物半導體基板 10 、 20 〇 於上述化合物半導體基板1〇、2〇之表面處理方法中，較 好的是於酸性溶液中添加氧化劑而進行。藉此，於酸洗步 驟(S30)中’可提昇降低化合物半導體基板1〇、2〇之表面 之凹凸的速度。 (實施形態3) 參照圖1A、圖1B、以及圖3，就本發明之實施形態3中 之化合物半導體基板之表面處理方法加以說明。藉由實施 形悲3中之化合物半導體基板之表面處理方法而獲得之化 合物半導體基板與圖丨A以及圖⑺所示之實施形態2中之化 合物半導體基板同樣。再者，圖3係表示本發明之實施形 態3中之化合物半導體晶體之製造方法的流程圖。 詳細而言，首先，實施準備化合物半導體基板1〇、2〇之 準備步驟（S10)。因準備步驟（S10)與實施形態2同樣，故並 不重複其說明。 其次’實施研磨化合物半導體基板1〇、2〇之研磨步驟 (S20)。因研磨步驟（S2〇)與實施形態2同樣，故並不重複其 說明。 其次’於研磨步驟（S20)後，立即實施使用還原劑研磨 或清洗化合物半導體基板1〇、20之還原劑步驟（S50)。於 還原劑步驟（S50)中，藉由停止研磨步驟（S2〇)中所使用之 120925.doc -23 - 200818294 研磨射所包含的氯等氧化劑之作 基板10、20之表面粗度Rms維持在較低程产。物半導體 於還原劑步驟中，較好的是使： 1〇·0以下之驗性水溶液或氧化劑水溶液作為還原劑。· 此種還原劑並無特別限定，例如較好的是使用硫 鈉、風氧化硼鉀、尿素等。還原劑之濃度並無特別限定， 例如較好的是0.5%以上5%以下，更好的是1%以上π。以 下。研磨或清洗之時間並無特別限定，例如較好的是^秒 以上3分鐘以下。進而’酸、驗、其鹽、以及氧化劑亦可 用作=原劑。例如，可使用烴錄（胺）、肼、鹽酸、草酸、 L-抗壞血酸等缓酸，L-抗壞灰酸納、氫硫化納、次亞碟酸 鹽、EDTA(ethylene diamine⑽咖她，乙二胺四乙酸 鹽）等鹽，以及過氧化氫等氧化劑等。 藉由使用PH值為8.5以上㈣以下之驗性水溶液作為還 原劑步驟(S50)中使用之還原齊卜可停止研磨步驟(s2〇)中 所使用之研磨劑中所含有之氯等氧化劑的作用，或降低研 磨步驟（S20)t之研磨率，藉此可將化合物半導體基板 10、20之表面粗度Rms維持在較低程度。 此種鹼性水溶液並無特別限定，考慮到純度之觀點，較 好的使用氨水、四甲基氫氧化銨（TMAH)等胺（有機鹼）。 又’驗性水溶液之pH值為8·5以上1〇〇以下，較好的是 8·5以上9·0以下，更好的是8.7以上8.9以下。藉由使ρΗ值 達到8.5以上’可更加迅速地停止研磨步驟（S2〇)中所使用 之研磨劑之作用。藉由使pH值達到8.7以上，可進一步迅 120925.doc -24- 200818294 速地停止研磨步驟（S20)中所使用之研磨劑之作用。另一 方面，藉由使pH值達到ΐ〇·〇以下，而使化合物半導體基板 10、20之表面丨丨之原子級凹凸不會惡化。藉由使^]^值達到 9.0以下，而使表面丨丨之原子級凹凸不會更加惡化。藉由 使pH值達到8.9以下，而使表面丨丨之原子級凹凸不會進一 步惡化。使用鹼性水溶液作為還原劑之還原劑步驟（S5〇) 之研磨時間較好的是10秒以上3分鐘以下。 貝施還原9彳步驟（S50)之方法可較好地使用於研磨步驟 (S20)後立即將研磨劑替換為還原劑而進行短時間研磨之 方法、或於研磨步驟（S2〇)後立即噴灑還原劑之方法。 於還原劑步驟（S50)中，既可利用複數種還原劑進行研 磨或清洗，亦可利用單獨之還原劑進行研磨或清洗。 其-人，於研磨步驟（S2〇)後，實施使用添加有酸性離子 之pH值為8.0以上之混有酸之鹼性溶液而清洗化合物半導 體基板10、20之混有酸之鹼洗步驟（S6〇)。於混有酸之鹼 洗步驟（S6G)中’制驗性溶液，降低化合物半導體基板 1 0、20之表面11之原子級凹凸，使藉由實施形態i中之化 合物半導體基板之檢查方法而測定之表面粗度—達到〇·2 nm以下。 混有酸之驗洗步驟（S60)中所使用之驗性溶液之沖值為 8.0以上，較好的是8.5以上，更好的是9 〇以上。若使沖未 達8.0,則難以去除附著於化合斗勿半導體基板1〇、2〇之表 面η之微粒子。藉由使阳值達至"·5以上，可更加去除附 著於表面11之微粒子。藉由使ρΗ值達到9〇以上，可進一 120925.doc -25- 200818294 步去除附著於表面1 l之微粒子。 混有酸之鹼性溶液若於添加有酸性離子之狀態下之1)11值 為8.0以上則並無特別限定，因容易去除表面丨i之微粒 子，故較好的是含有包含氫氧化鈉（Na〇H)水溶液、氫氧化 鉀（KOH)水溶液、氨水、胺類之清洗液所組成之群中的一 種。 f'

混有酸之鹼性溶液中添加之酸性離子並無特別限定，例 如可使用硫酸離子、氫氟酸離子、鹽酸離子、硝酸離子、 乙酉欠離子以及其他有機酸離子。藉由添加酸性離子，可 抑制化合物何體基板10、2〇之表面u之表面粗度^增 加0 …夂之鹼洗步驟(S60)更好的是於混有酸之鹼性溶液 中添加氧化劑而進行。氧化劑並無特別限定，例如可使用 雙氧水等。藉由使用添加氧化劑之驗性溶液清洗化合物半 導體基板1G、2G之表面U ’可提昇混有酸之驗洗步驟（s叫 之速度#者，氧化劑之濃度並無特別限定，例如較好的 是5 ppm以上1質量％以下， 文好的疋50 ppm以上〇_5質量〇/〇 以下。藉由使氧化劑之濃唐查 、 辰度違到5 PPm以上，可抑制混有 酸之鹼性溶液清洗能力下隊 # , 此刀下降。精由使氧化劑之濃度達到工 質量。/〇以下，可防土盘本；，， 防止與表面11之酸化物、有機物、或微粒 子#產生反應。 混有酸之鹼洗步驟Φ 、 、 斤使用之混有酸之驗性溶液 之溫度並無特別限定，齡曰 季乂好的疋設為室溫。藉由 溫，可使進行化合物半導 又為至 口物牛導體基板10、20表面處 120925.doc -26- 200818294 簡化。 又，清洗時間並無特別限定，你丨1 ^ θ 4 1民疋例如較好的是1 〇秒以上 300秒以下。於該範圍内實絲、、日女故> κ她此有酸之鹼洗步驟（S60)，則 可削減混有酸之鹼性溶液之費用，提昇生產性。 於混有酸之鹼洗步驟（S60) Φ，& & n « 、甲，較好的是對鹼性水溶液 施加超聲波。具體而言’使用例如圖4所示之超聲波裝置 對清洗液施加振動（或搖動）。再者，圖4係表示混有酸之驗

洗步驟中所使用之處理裳置 衣1之剖面模式圖。若使用 900〜2000 kHz之頻率之走g盤、、由从& +ri 士& 只千& %耳波作為超聲波，則更加有效。 如圖4所示，處理裝置且借·田 備·用以保持作為沖洗液之清 洗液7之清洗浴槽1、設置於渣冰 、，月冼，合槽1之底面之超聲波產 生部件3、連接於超聲波產峰邮| 及座生邛件3並用以控制超聲波產生

部件3之控制部5 〇於清泱迄描7 A α，无，合槽1之内部保持有清洗液7。 又’形成於清洗液7中浸潰有用以保持複數個化合物半導 體基板1〇之固持器9的狀態。固持器9上保持有作為清洗對 象之複數個化合物半導體基板1()。於清洗浴⑴之底面配 置有超聲波產生部件3。 :混有酸之驗洗步驟（S6G)中進行化合物半導體基板1〇 之/月洗時如圖4所不於清洗浴槽1之内部配置特定之清洗 液7’將固持器9上所保持之化合物半導體基㈣連同固持 器9浸潰於清洗液7中。以此方式，可藉由清洗液7而清洗 化合物半導體基板10之表面。 又，此時， 生超聲波。其 亦可藉由控制部5控制超聲波產生部件3而產 結果對清洗液7施加超聲波。因此，由於清 120925.doc -27- 200818294 洗液7振動而可提高自化合物半導體基板1G去除雜質 或微粒子之效果。又，既可將清洗浴槽1配置於XY平移台 等可搖動之部件上而使該部件搖動，藉此使清洗浴槽旧 動而授拌（搖動）内部之清洗液7。或者，亦可藉由手工作業 而連同固持器9-併搖動化合物半導體基板1〇，搜掉（搖動） 清洗液7。於此情形時，與施加超聲波同#，亦可提高自 化合物半導體基板丨0去除雜質或微粒子之效果。 再者，處理裝置内之清洗液7為混有酸之鹼性溶液。 又，化合物半導體基板10亦可為化合物半導體基板20。 其次，對結束混有酸之鹼洗步驟（S60)之化合物半導體 基板10、20實施後處理步驟（S40)，即，於化合物半導體 基板10、20之表面11上使包含構成化合物半導體基板1〇、 20之元素的至少一種之化合物半導體晶體成長。因後處理 步驟（S40)與實施形態2同樣，故並不重複其說明。 如以上所說明，根據本發明之實施形態3中之化合物半 導體基板10、20之表面處理方法，其係化合物半導體基板 10、20之表面處理方法，包括如下步驟··準備化合物半導 體基板10、20之準備步驟（si〇);研磨化合物半導體基板 10、20之研磨步驟（S20);於研磨步驟（S20)後，立即使用 還原劑清洗或研磨化合物半導體基板10、20之還原劑步驟 (S50);於還原劑步驟（S50)後，使用添加有酸性離子之pH 值為8·0以上之混有酸之鹼性溶液而清洗化合物半導體基 板10、20之混有酸之鹼洗步驟（S60)。藉由研磨步驟 (S20)，降低化合物半導體基板10、20之表面粗度Rms。藉 120925.doc -28· 200818294 由還原劑步驟（S50)，抑制研磨步驟（S2〇)中之研磨劑所導 致之表面皺摺。藉由混有酸之鹼洗步驟（S6〇)，可利用混 有酸之驗性溶液去除附著於表面丨丨之異物（微粒子），並且 可利用酸性離子去除表面11之原子級凹凸。即，於混有酸 之鹼洗步驟（S60)中，可實現清洗性與防止混有酸之鹼性 溶液導致表面皺摺之並存。據此，可進一步降低化合物半 導體基板10、20之表面11之原子級凹凸，可進一步減少化 合物半導體基板10、20之表面之雜質量。 於上述化合物半導體基板10、20之表面處理方法中，較 好的是混有酸之鹼洗步驟（S60)係於混有酸之鹼性溶液中 添加氧化劑而進行。藉此，於混有酸之鹼洗步驟（S6〇) 中，可提昇降低化合物半導體基板10、20之表面之凹凸的 速度。 (實施形態4) 參照圖1A、圖1B、以及圖5 ’就本發明之實施形態4中 之化合物半導體基板之表面處理方法加以說明。藉由實施 形態4中之化合物半導體基板之表面處理方法而獲得之化 合物半導體基板與圖1A以及圖1B所示之實施形態2中之化 合物半導體基板同樣。再者，圖5係表示本發明之實施形 態4中之化合物半導體晶體之製造方法的流程圖。 詳細而言，首先’實施準備化合物半導體基板1 〇、2 〇之 準備步驟（S10)。因準備步驟（S10)與實施形態2同樣，故並 不重複其說明。 其次，實施研磨化合物半導體基板10、20之研磨步驟 120925.doc -29- 200818294 (S20)。因研磨步驟（S20)與實施形態2同樣，故並不重複其 說明。 其次，於研磨步驟後，立即實施使用還原劑研磨或清洗 化合物半導體基板10、20之還原劑步驟（S5〇)。因還原劑 步驟（S50)與實施形態3同樣，故並不重複其說明。 • 其次，於還原劑步驟（S50)後，實施稀鹼洗步驟（S70)， • 即，使用濃度為50 PPm以上〇·5%以下、且pH值為8·5以上 (， 之稀鹼性溶液，清洗化合物半導體基板10、20。於稀鹼洗 步驟（S70)中，使用稀鹼性溶液，降低化合物半導體基板 1〇、20之表面11之原子級凹凸，使藉由實施形態i中之化 合物半導體基板之檢查方法而測定之表面粗度尺㈣達到〇·2 nm以下。 稀鹼洗步驟（S70)中所使用之稀鹼性溶液之濃度為5〇 ppm以上〇·5%以下，較好的是丨〇〇 ppm以〇 以下。若使 浪度低於50 ppm，則稀鹼性溶液之清洗能力會下降。藉由 〇 設為100 ppm以上，稀鹼性溶液之清洗能力會提昇。另一 方面，右使濃度高於0.5%，則會與表面11之微粒子等產生 反應。藉由設為0.3%以下，可抑制與表面u之微粒子等產 ' 生反應。 稀鹼洗步驟（S70)中所使用之稀鹼性溶液之pH值為8.5以 上，較好的是8.7以上12.0以下，更好的是8,8以上11〇以 下右使PH值未達8.5，則難以去除附著於化合物半導體 基板、20之表面u之微粒子，藉由使pH值達到8·7以 上可更加去除附著於表面11之微粒子。藉由使ρΗ值達到 120925.doc -30 - 200818294 8·8以上，可進一步去除附著於表面丨丨之微粒子。另一方 面，藉由使pH值達到12.0以下，有降低表面皺摺之效果。 其原因在於，藉由使pH值達到ii.o以下，幾乎可停止表面 皺摺之增加。 若稀驗性溶液之濃度為5〇 ppm以上ο」。/❹（相當於5〇〇〇 ppm)以下，且pH值為8.5以上，則並無特別限定，因易於 去除表面11之微粒子，故較好的是選自由含有如下成分之

清洗液所組成之群中之至少丨種：乙基羥基胺、2·乙氧基 乙基胺、二乙醇胺、二乙醇胺、乙胺、三甲胺、二乙胺、 -甲胺、乙醇胺、Z甲基氫氧錢、四乙基氫氧化錄、以 及四甲基氫氧化錄。 稀鹼洗步驟（S70)較好的是於稀鹼性溶液中添加氧化劑 *而進行°氧化劑並無特㈣定，較好的是制例如雙氧水 等。藉由使用添加有氧化劑之稀鹼性③液清洗化合物半導 體基板1^)、20之表面U，可提昇稀驗洗步驟（s7〇)之速度。 再者^化劑之濃度並無特別限^，例如較好的是5 ppm 以上1質量％以下’更好的是50 ppm以上〇 5質量％以下。 :由」吏氧化劑之濃度達到5. ppm以上，可抑制稀驗性溶液 之-洗能力下降。藉由使氧化劑之濃度達到1#量％以 :旛可防止與表面Μ酸化物、有機物、 反應。 〃 丁 /玍土 之溫度並無特 ，可簡化進行 稀，步驟(S70)中所使用之稀鹼性溶液 別限疋’較好的是設為室溫。藉由設為室溫 化合物半導體基板1〇、2〇之表面處理之設備 120925.doc 31· 200818294 又，清洗時間並無牿則服+ t 、刷限疋，例如較好的是10秒以上 3〇時、以下。若於該範圍内實施稀驗洗步驟(s7〇)，列可削 減稀鹼性溶液之費用’實現生產性之提昇。 於稀臉洗步驟(S70)中，施加_〜2〇〇〇他之超聲波， 亦可有效錄附著於化合物半導體基㈣、Μ之表面^之 微粒子。$而，於稀驗洗步驟（請）後，較好的是實施純 ^沖洗步驟。純水沖洗步财所使用之純水較好的是溶存

¥1為100 ppb以下。進而於純水沖洗步驟後，必須以離心 乾燥等甩掉水分。 其次，對於結束稀鹼洗步驟（S7〇)之化合物半導體基板 10、20實施後處理”（_)，即，於化合物半導體基板 10、20之表面11上使含有構成化合物半導體基板1〇、2〇之 疋素之至少1種的化合物半導體晶體成長。因後處理步驟 (S40)與實施形態2同樣，故並不重複其說明。 如以上所說明，根據實施形態4中之化合物半導體基板 之表面處理方法，其係化合物半導體基板1〇、2〇之表面處 理方法’其具備如下步驟：準備化合物半導體基板丨〇、2〇 之準備步驟（S10);研磨化合物半導體基板10、20之研磨 步驟（S20);於研磨步驟（S20)後，立即使用還原劑研磨或 清洗化合物半導體基板10 ' 20之還原劑步驟（S50);於還 原劑步驟（S50)後，使用濃度為50 ppm以上0.5%以下、且 PH值為8.5以上之稀鹼性溶液，清洗化合物半導體基板 1〇、20之稀鹼洗步驟（S70)。藉由研磨步驟（S20)，而降低 化合物半導體基板10、20之表面粗度Rms。藉由還原劑步 120925.doc -32- 200818294 驟（S50)，而抑制研磨步驟（S2〇)中之研磨劑所造成之表面 皺摺。藉由稀鹼洗步驟（S70)，可利用稀鹼性溶液去除附 著於表面11之異物（微粒子）。即，於稀驗洗步驟（S7〇)中， 可使清洗性與防止稀鹼性溶液造成之表面皺摺並存，據 此，可進一步降低化合物半導體基板10、20之表面u之原 子級凹凸，進一步減少化合物半導體基板之表面之雜質 量° 於上述化合物半導體基板1〇、20之表面處理方法中，較 好的是稀驗洗步驟（S70)係於稀驗性溶液中添加氧化劑而 進行。藉此，於稀鹼洗步驟（S70)中可提昇降低化合物半 導體基板10、2〇之表面之凹凸的速度。 (實施形態5) 參照圖1A、圖1B、以及圖6，就本發明之實施形態5中 之化合物半導體基板之表面處理方法加以說明。藉由實施 形態5中之化合物半導體基板之表面處理方法所獲得之化 合物半導體基板與圖1A、圖1B所示之實施形態2中之化合 物半導體基板。再者’圖6係表示本發明之實施形態$中之 化合物半導體晶體之製造方法的流程圖。 詳細而言，首先，實施準備化合物半導體基板10、2〇之 準備步驟（S 10)。因準備步驟（S10)與實施形態2同樣，故並 不重複其說明。 其次，實施研磨化合物半導體基板1 0、20之研磨步驟 (S20)。因研磨步驟（S20)與實施形態2同樣，故並不重複其 說明。 120925.doc -33 - 200818294 其次，於研磨步驟（S20)後立即實施使用還原劑研磨或 清洗化合物半導體基板1〇、20之還原劑步驟（S5〇)。因還 原劑步驟（S50)與實施形態3同樣，故並不重複其說明。 其次，於酸洗步驟（S30)之前，實施使用添加有酸性離 子之pH值為8.0以上之混有酸之鹼性溶液而清洗化合物半 導體基板10、20之混有酸之鹼洗步驟（S6〇)。因混有酸之 鹼洗步驟（S60)與實施形態3同樣，故並不重複其說明。 其-人’亦可實施使用濃度為5〇 ppm以上〇· 5%以下、且 pH值為8.5以上之稀鹼性溶液而清洗化合物半導體基板 10、20之稀鹼洗步驟（S7〇)，來替代上述混有酸之鹼洗步 驟（S60)。因稀鹼洗步驟（S7〇)與實施形態4同樣，故並不重 複其說明。再者’亦可實施混有酸之鹼洗步驟（S6〇)以及 稀鹼洗步驟（S70)兩者之清洗步驟。 其次，實施酸洗步驟（S30)，即，使用包含稀鹽酸、稀 硫酸、稀硝酸、以及有機酸之至少丨種之酸性溶液而清洗 化合物半導體基板10、20。因酸洗步驟（S30)與實施形態2 同樣，故並不重複其說明。 其次’根據後處理步驟（S40)之方法，亦可實施使用HF 或添加有雙氧水之HF進行清洗之沖洗步驟（S8〇)。沖洗步 驟（S80)以Η原子或ρ原子使化合物半導體基板1〇、2〇之表 面11封端’而去除Si。藉此，可進一步降低半絕緣性化合 物半導體基板上與磊晶層之界面洩漏。 於沖洗步驟（S80)中，使用HF或添加有雙氧水之HF。HF 之PH值較好的是3·0〜6·5，更好的是4.0〜6.0。HF之濃度較 120925.doc -34 - 200818294 好的是〇·1%〜3°/。。雙氧水之濃度較好的是〇 〇5%〜2%。 其次，對於結束沖洗步驟（S8〇)之化合物半導體基板 10、20實施後處理步驟（840)，即，於化合物半導體基板 10、20之表面11上使含有構成化合物半導體基板1〇、2〇之 元素之至少1種的化合物半導體晶體成長，因後處理步驟 (S40)與實施形態2同樣，故並不重複其說明。 如以上所說明’本發明之實施形態5中之化合物半導體 基板10、20之表面處理方法，於酸洗步驟（S3〇)之前，進 而具備混有酸之鹼洗步驟（S60)，即，使用添加有酸性離 子之pH值為8 ·0以上之混有酸之鹼性溶液清洗化合物半導 體基板10、20。藉由於酸洗步驟（S3〇)之前實施混有酸之 鹼洗步驟（S60)，可去除於酸洗步驟（S3〇)中難以去除之存 在於化合物半導體基板1〇、2〇之表面11之異物（微粒子）、 或研磨步驟（S 2 0)中所殘存之研磨劑。藉由於混有酸之鹼 洗步驟（S60)後實施酸洗步驟（S3〇)，可進一步提昇化合物 半導體基板10、20之表面粗度Rms。 於上述化合物半導體基板1〇、20之表面處理方法，較好 的是混有酸之鹼洗步驟（S60)係於混有酸之鹼性溶液中添 加氧化劑而進行。藉此，於混有酸之鹼洗步驟（S60)中， 可提昇降低化合物半導體基板1〇、20之表面之凹凸的速 度。 於上述化合物半導體基板1〇、20之表面處理方法中，較 好的是於酸洗步驟（S30)之前進而具備稀鹼洗步驟（S7〇)， 即，使用濃度為50 ppm以上0·5%以下、且pH值為8.5以上 120925.doc -35- 200818294 之稀鹼性溶液而清洗化合物半導體基板10、2〇。藉由稀鹼 性溶液，可去除於酸洗步驟（S30)中難以去除之存在於化 合物半導體基板1G、2G之表面丨丨之異物等、或研磨步驟 (S20)中所殘存之研磨劑。因此，可使清洗性與防止表面 之原子級皺摺並存。 於上述化合物半導體基板10、2〇之表面處理方法中，較 好的是稀鹼洗步驟（S70)係於稀鹼性溶液中添加氧化劑而 f 進行。藉此，於稀鹼洗步驟（S70)中可提昇降低化合物半 導體基板之表面之凹凸的速度。 於上述化合物半導體基板1〇、2〇之表面處理方法中，較 好的疋於研磨步驟（S2〇)後，進而具備立即使用還原劑研 磨或清洗化合物半導體基板1〇、2〇之還原劑步驟（s5〇)。 藉此，可停止研磨步驟（S2〇)中之研磨劑所含有之氧化劑 即氯之作用，而抑制表面皺摺。又，因使用廉價之藥品之 還原劑，故與一直供給低溫純水之情形相比，可大幅度削 、 減能量成本。 於上述化合物半導體基板丨〇、之表面處理方法中，較 好的疋於遇原劑步驟（S5〇)中，使用pH值為8·5以上以 下之鹼性水溶液或氧化劑水溶液作為還原劑。藉此，於研 磨步驟（S20)中所使用之研磨劑中含有氯之情形時，可停 止氣之作用，進一步抑制表面皺摺。 於上述化合物半導體基板10、20之表面處理方法中，較 =子的疋於酸洗步驟（請）後，進而具備使用册或添加有雙 氧水之HF進行清洗之沖洗步驟（s8〇)。藉由以η原子或？原 120925.doc -36- 200818294 子使表面11封端，不僅可去除存在於表面U之氧，亦可去 除矽等雜質。因此，可減少表面u之原子級凹凸，並且亦 可防止矽系之汚染。據此，可減少化合物半導體基板10、 20之表面之氧原子以及si原子，可獲得用於高速裝置而线 漏較少之品質優良之元件。 [實施例1] 為確認本發明之化合物半導體基板之檢查方法的效果， 準備如下之試料，測定試料表面之表面粗度Rms以及氧濃 度。以下，就準備之試料、測定方法、以及測定結果加以 說明。 (試料1) 首先，實施準備步驟（S10)。具體而言，使用以 VB(Vertical Bridgeman，垂直布裏奇曼）法成長之摻雜有 C(碳）之GaAs單晶塊。並且，於（1〇〇)面上使該GaAs單晶塊 於<11〇>方向傾斜0.5。，實施外周倒角，使用雙頭研磨機 (浜井產業公司製造）對雙面進行研磨。藉此，準備化合物 半導體基板。 其次’實施研磨步驟（S20)。具體而言，以研磨布（R〇del 公司製造之「SUBA400」），使用添加有膠體二氧化矽（日 產化學公司製造）之研磨劑（Fujimi Inc〇rp〇rated公司製造之 「INSC研磨劑」），雙面研磨化合物半導體基板。其後， 以鹼性清洗液清洗經雙面研磨之化合物半導體基板。其 後，使用單面研磨機（不二越機械公司製造），以研磨劑 (Fujimi Incorporated公司製造之「INSEC研磨劑」），對化 120925.doc -37- 200818294 合物半導體基板進行單面研磨。 其次，實施還原劑步程（S50)。具體而言，於研磨步驟 (S20)後，立即清洗合物半導體基板，其次，以純水清洗 化合物半導體基板。 其次’貫施混有酸之驗洗步驟（S60)。使用於1%之四曱 基氫氧化銨（TMAH)水溶液中滴加鹽酸而將pH值調整為1 0 之水 >谷液’作為p Η值為8 · 0以上之混有酸之驗性溶液。並 且’將混有酸之驗性溶液作為清洗液，使用圖4所示之處 理裝置、並施加2 MHz之超聲波，去除附著於化合物半導 體基板之表面之異物。 其次，於純水沖洗步驟後，實施酸洗步驟（S3〇)。具體 而言，使用0.1 %之HC1清洗化合物半導體基板。其次，於 純水沖洗步驟後，實施沖洗步驟（S8〇)，具體而言。以 〇·1%之HF清洗化合物半導體基板後，以溶存氧量5〇卩沖之 超純水進行沖洗，以離心乾燥機實施乾燥。藉此，獲得試 料1中之化合物半導體基板。再者，根據本發明之化合物 半導體基板之表面處理方法而實施，將試料i之化合物半 導體基板製成本發明之化合物半導體基板之範圍内者。 其次，實施後處理步驟（S40)。具體而言，對於實施沖 洗步驟（S8G)後之化合物半導體基，以

Organic Chemical Vapor Deposition:有機金屬氣相成長） 裝置使之蟲晶成長而形成包含GaA1As之磊晶層。 (試料2) 試料2之化合物半導體基板基本上具有與試料丨之製造方 120925.doc -38- 200818294 法同樣之構成，僅於省略酸洗步驟（S30)以及沖洗步驟 (S80)方面不同。再者，根據本發明之化合物半導體基板 之表面處理方法而實施，將試料2之化合物半導體基板製 成本發明之化合物半導體基板之範圍内者。 (試料3) - 試料3之化合物半導體基板基本上具有與試料丨之製造方 , 法同樣之構成，僅於省略還原劑步驟（S50)、混有酸之鹼 广 洗步驟（S60)中之鹽酸之滴加、酸洗步驟（S30)、以及沖洗 步驟（S80)方面不同。再者，試料3之化合物半導體基板與 本發明之化合物半導體基板之表面處理方法不同，而製成 本發明之化合物半導體基板之範圍外者。 (試料4) 试料4之化合物半導體基板基本上具有與試料丨之製造方 法同樣之構成，僅於省略還原劑步驟（S5〇)、混有酸之鹼 洗步驟（S60)中之鹽酸之滴加、以及酸洗步驟（S3〇)方面不 V 同。再者’試料4之化合物半導體基板與本發明之化合物 半V體基板之表面處理方法不同，而製成本發明之化合物 半導體基板之範圍外者。 . (試料5) • 試料5之化合物半導體基板基本上具有與試料丨之製造方 法同樣之構成，僅於省略還原劑步驟（S5〇)、酸洗步驟 (S30)、以及沖洗步驟（S80)方面不同。再者，試料5之化合 物半導體基板與本發明之化合物半導體基板之表面處理方 法不同，而製成本發明之化合物半導體基板之範圍外者。 120925.doc -39- 200818294 (測定方法） 針對試料1〜5，以10 μιη見方之視野、1 μιη見方之視野、 0.2 μηι見方之視野分別測定表面Rms。具體而言，對沖洗 步驟（S80)後之化合物半導體基板，以AFM(Veeco公司製造 之「Dimension3000)，分別以0.38 nm之間距，每1行為5 12 個樣品，對5 12行測定表面粗度。此時，使用計時模式。 並且，根據其測定結果而求得表面粗度Rms。 針對試料1〜5，對於後處理步驟（S40)後之化合物半導體 基板與磊晶層之界面測定作為雜質之0(氧）之量。具體而 言，針對實施後處理步驟（S40)而獲得之化合物半導體晶 體，對於原本之化合物半導體基板與磊晶層之界面，使用 KAMEKA公司製造之磁場型2次離子質量分析裝置 (SIMS)，自磊晶層之表面側藉由Cs離子進行濺鍍，以分析 器計數取出之2次離子，分別測定Ο之量（單位：atoms/cm3)。 (測定結果） 測定結果示於表1以及圖7。再者，圖7係表示視野之大 小與表面粗度Rms之關係之圖。圖7中，縱軸表示化合物 半導體基板之表面粗度Rms(單位：nm)，橫軸表示所測定 之視野之大小。 [表1] 10 μηι見方之視野 Rms (nm) 1 μηι見方之視野 Rms (nm) 0.2 μιη見方之視野 Rms (nm) 界面0量 atoms/cm3 試料1 0.070 0.110 0.095 l.OxlO17 試料2 0.189 0.205 0.152 2.〇χ1017 試料3 0.166 0.378 0.375 2.0χ1018 試料4 0.153 0.332 0.316 2.0χ1018 試料5 0.304 0.342 0.261 l.OxlO18 120925.doc -40- 200818294 如表1以及圖7所示，可知以〇·2 μιη見方之視野測定之表 面粗度Rms越小’化合物半導體基板之界面之〇量越少。 另一方面，以1 μιη見方之視野以及1 〇 μιη見方之視野所測 定之表面粗度Rms與化合物半導體基板之〇量未必相關。 即，即使以1 μιη見方之視野以及1 〇 μιη見方之視野所測定 之表面粗度Rms較小，Ο量未必較少。 如以上所說明’根據實施例1，以〇 · 2 μπι見方以内之視 野所測定之表面粗度Rms較小之情形時，可確認化合物半 導體基板之表面之雜質濃度較低。 [實施例2] 為確認本發明之化合物半導體基板及其表面處理方法之 效果，準備如下之試料，測定試料表面之雜質濃度。 (實施例2中之試料之製作） 首先，實施準備步驟（S10)。具體而言，以lEC法（液封 直拉法）使用InP早晶塊。並且’將該inP單晶塊以内周刃切 片機進行切片，獲得InP單晶。對該InP單晶晶圓之外周進 行倒角，實施雙面研磨後，實施蝕刻。 其次’實施研磨步驟（S20)。具體而言，將準備步驟 (S 1 0)中所準備之化合物半導體基板貼附於陶究研磨片 上。並且，使用硬質之研磨布（R〇dei公司製造之 「SUBA600」），對化合物半導體基板進行i次研磨。並 且，以仿麂皮研磨布，使用添加有膠體二氧化石夕（扶桑化 學公司製造）氯化氰尿酸鹽（日產化學工業公司製造）、以及 有機酸鹽（關東化學公司製造）之酸性氣系研磨劑（Fujimi 120925.doc -41 - 200818294

Incorporated公司製造），對化合物半導體基板進行2次研 磨。 其次，實施酸洗步驟（S30)。具體而言，使用〇·3%之稀 硫酸作為酸性溶液。 測定如此獲得之試料之表面粗度Rms時，化咖為〇15 nm。藉此，獲得實施例2中之化合物半導體基板。 其次，實施後處理步驟（S40)。具體而言，對於酸洗步 驟（S30)後之化合物半導體基板以m〇cvd裝置使之蠢晶成 長而形成包含GaAlAs之蠢晶層。 (比較例1中之試料之製作） 比較例1基本上與實施例2之試料之製作同樣進行，僅於 並不貫施酸洗步驟（S30)而使用鹼性之2·5% TMAH水溶液 作為清洗液來進行清洗方面不同。使用Veec〇公司製造之 AFM(DimenSi〇n5000)測定如此獲得之試料之表面粗度r㈣ 時，Rms為0.25 nm。藉此，獲得比較例！中之化合物半導 體基板。 (測定方法） 後處理步驟（S40)實施後，與實施例1同樣，對各試料以 SIMS分析化合物半導體基板之表面與蠢晶成長層之界面 之氧量。 1 (測定結果） 比較例1之氧量較多為2xl0i8 at〇ms/cm3。另一方面，廢 施例2之化合物半導體基板之氧量可低於比較们為川^ atoms/cm3。 120925.doc -42- 200818294 如以上所5兒明，根據本發明之實施例2可確認，藉由具 備酸洗步驟（S30)，可使表面粗度Rmsg〇.2 nm以下。又， 可確認藉由使表面粗度Rms達到〇·2 nm以下，可降低雜質 量。 [實施例3] •為確認本發明之化合物半導體基板及其表面處理方法之 效果而準備如下之試料，測定試料表面之雜質濃度。再 者，測定方法與實施例2同樣。 f ' (實施例3中之試料之製作） 準備步驟（S 10)製作與實施例1中之試料1同樣之實施例3 之試料。其後，以次氯酸系研磨劑實施研磨步驟（S2〇) 後’立即向化合物半導體基板噴淋〇. 1 %之雙氧水作為還原 劑，實施使研磨劑之氧化劑還原之還原劑步驟（S5〇)。其 後，以1%之氨水實施混有酸之鹼洗步驟（S6〇)。 (比較例2中之試料之製作） & / 比較例2之試料並不具備還原劑步驟（S50)以及混有酸之 鹼研磨步驟（S60)，且以高濃度鹼性清洗液實施清洗。具 體而言，於比較例2中，於研磨步驟（S20)後以純水實施清 洗。並且’並不實施還原劑步驟（S50)，而以pH值為12之 1 %之四甲基氫氧化銨（TMAH)水溶液清洗化合物半導體基 板。再者，測定沖洗步驟（S80)實施後所獲得之試料之表 面粗度Rms時，Rms為0·3 5 nm。藉此，獲得比較例2中之 化合物半導體基板。 (測定結果） 120925.doc •43- 200818294 比較例2之化合物半導體基板之雜質量較多為2 x 1 〇18 atoms/cm3。另一方面，實施例3之化合物半導體基板之表 面粗度Rms為0· 1 nm，雜質量可大幅度低於比較例2為 1 x 1 017 atoms/cm3 °

如以上所說明’根據本發明之實施例3可確認，藉由具 備還原劑步驟（S50)以及混有酸之鹼洗步驟（S60)，可使表 面粗度Rms為0.2 nm以下。又，可確認藉由使表面粗度 Rms達到0.2 nm以下，可降低雜質量。 [實施例4] 為確認本發明之化合物半導體基板及其表面處理方法之 效果而準備如下之試料，測定試料表面之雜質濃度。再 者’測定方法與實施例2同樣。 (實施例4中之試料之製作） 首先，實施準備步驟⑽）。具體而言，使用以聊极 : Hydride Vapor Phase Epitaxy)^ ^ 之GaN獨立基板。纟且，對該⑽基板之外周進行倒角， 以金剛石磨輪進行平面研削。 其次，實施研磨步驟（S2〇)。且 $ ^ /、體而a ，以金剛石研磨 霄對GaN基板之表面進次研磨。兑 酸納之氧化劑之酸性膠體_…々4’以添加有次氯 旦奋、p 办體-乳切研磨液進行2次研磨。 再者，進行1次研磨以及2次研磨後， ^ 還原劑步驟（S50)。其後，& .。之雙氧水實施 傻以有錢進行清洗。 八二人，將稀驗性之溶液作為清洗液， (S70)。具體而言，使用〇 只鉍稀鹼洗步驟 .之膽鹼作為稀鹼性溶液。苴 120925.doc -44- 200818294 次，實施酸洗步驟（S30)。具體而言，使用添加有雙氧水 之0.5%之稀硫酸作為酸性溶液。 測疋如此獲付之試料之表面粗度Rms時，Rms為〇· 1。瓜。 藉此，獲得實施例4中之化合物半導體基板。 其次’實施後處理步驟（S40)。具體而言，對酸洗步驟 (S30)後之化合物半導體基板以m〇cvd使之磊晶成長而形 成包含AlGaAs之磊晶層。 (比較例3中之試料之製作） 並不實施研磨步驟（S20)後緊接之還原劑步驟（S5〇)，而 藉由與實施例4相同之稀鹼性溶液清洗比較例3之試料（實 施稀鹼洗步驟（S70))。再者，並不實施酸洗步驟（S3〇)。测 定藉此獲得之試料之表面粗度尺⑽時尺⑽為料nm。藉此， 獲得比較例3中之化合物半導體基板。 (測定結果） 比較例3之化合物半導體基板之氧量較多為5χΐ〇18 atoms/cm。另一方面，實施例4之化合物半導體基板之氧 量可低於比較例3為3xl〇17 atoms/cm3。 如以上所說明，根據本發明之實施例4可確認，藉由實 她C原切V驟（S50)、稀鹼洗步驟（S7〇)、以及酸洗步驟 ()了使表面粗度Rms為0.2 nm以下。又，可確認藉由 使表面粗度Rms達到〇2nm以下，可降低雜質量。 [實施例5 ] 為確認本發明之化合物半導體基板之表面處理方法之效 果而準備如下之試料，測定試料表面之表面粗度尺脂。再 120925.doc •45- 200818294 者，測定方法與實施例2同樣。 首先，實施準備步驟（sio)。具體而言，準備aHB(H〇dz〇ntal

Bridgeman method，水平布裏奇曼法）法使之成長之^型

GaAs基板。其次’實施研磨步驟（S2〇)。具體而言，以含 有異氰尿酸鹽之研磨劑進行研磨。其次，實施還原劑步驟 (S50)。使用〇.1 %之氫氧化2_羥基乙基三甲基銨水溶液作為 還原劑實施1分鐘研磨。其次，實施稀鹼洗步驟（S7〇)。具 體而言，使用0.5%之氫氧化2-羥基乙基三甲基銨水溶液， 實施超聲波清洗。藉此，獲得實施例5中之化合物半導體 基板。測定所獲得之化合物半導體基板之表面粗度Rms之 結果為0 · 1 5 nm。 [實施例6] 為確認本發明之化合物半導體基板之表面處理方法之效 果而準備如下之試料，測定試料表面之表面粗度Rms。再 者’測定方法與實施例2同樣。 實施例6中之試料基本上與實施例5之試料相同，僅於稀 驗洗步驟（S70)中添加〇·：[%之雙氧水而實施超聲波清洗方 面不同。其結果，測定所獲得之化合物半導體基板之表面 粗度Rms之結果為〇. 1 7 nm。 [實施例7] 為確遇本發明之化合物半導體基板之表面處理方法之效 果而準備如下之試料，測定試料表面之表面粗度Rms。再 者’测定方法與實施例2同樣。 首先’實施準備步驟（S 1〇)。具體而言，準備以LEC法成 120925.doc -46- 200818294 長之η型GaAs。其次，實施研磨步驟（S2〇)。具體而言，以 含有次氯酸鈉之研磨劑作為還原劑而進行研磨。其次，實 施還原劑步驟（S50)。具體而言，向研磨後之化合物半導 體基板喷灑0.05%之三甲基氫氧化物水溶液作為還原劑。 其次，實施混有酸之鹼洗步驟（S6〇)。具體而言，於向 1.5%之氨水溶液中添加硫酸而將1}11值調整為8 5之水溶液 中實施超聲波清洗。測定所獲得之化合物半導體基板之表 面粗度Rms之結果為o.h nm。 [實施例8] 為確認本發明之化合物半導體基板之表面處理方法之效 果而準備如下之試料，測定試料表面之表面粗度Rms。再 者，測定方法與實施例2同樣。 實施例8中之試料基本上與實施例7之試料相同，僅於混 有酸之鹼洗步驟（S60)中添加〇·2%之雙氧水實施超聲波清 洗方面不同。其結果，測定所獲得之化合物半導體基板之 表面粗度Rms之結果為0.14 nm。 應w為此夂揭示之貫施形態以及實施例之所有方面皆為 例示而並非限定性者。本發明之範圍並非上述實施形態而 藉由申請專利範圍所揭示，意圖包括與申請專利範圍均等 之意義以及範圍内之所有改變。 【圖式簡單說明】 圖1A係表示本發明之實施形態2中之一化合物半導體基 板之不意剖面圖，圖1B係表示本發明之實施形態2中之其 他化合物半導體基板之示意側視圖。 120925.doc -47- 200818294 圖2係表示本發明之實施形態2中之化合物半導體晶體之 製造方法之流程圖。 圖3係表示本發明之實施形態3中之化合物半導體晶體之 製造方法之流程圖。 圖4係表示混有酸之鹼洗步驟中所使用之處理裝置之剖 面模式圖。 圖5係表示本發明之實施形態4中之化合物半導體晶體之 製造方法之流程圖。 圖6係表示本發明之實施形態5中之化合物半導體晶體之 製造方法之流程圖。 θ 7係表示視野大小與表面粗度Rw之關係之圖。 【主要元件符號說明】 1 清洗浴槽 3 超聲波產生部件 5 控制部 7 清洗液 9 固持器 1〇、20 化合物半導體基板 11 表面 21 基板 120925.doc -48-

Claims (1)

1. 200818294 十、申請專利範圍： 1· -種化合物半導體基板之檢查方法，其係化合物半導體 基板之表面之檢查方法， 以0.4 nm以下之間距， 於〇·2 μηι以下見方之視野中 使用原子力顯微鏡測定化合4勿半導體基板之表面粗度 Rms ° 2. —種化合物半導體基板（1〇、2〇)，其中藉由如請求項丨之 化合物半導體基板之檢查方法而測定之表面粗度為 〇·2 nm以下。 3·如請求項2之化合物半導體基板（1〇、2〇)，其含有 GaAs、InP、GaN、以及inN之至少一種。 4· 一種化合物半導體基板之表面處理方法，其係用以獲得 如明求項2之化合物半導體基板（1 〇、2 〇 )之化合物半導體 基板之表面處理方法， 其具備下述步驟： 準備化合物半導體基板之步驟（S 10), 研磨上述化合物半導體基板之步驟（S2〇)， 於上述研磨步驟（S20)後，使用包含稀鹽酸、稀硫酸、 稀硝酸、以及有機酸之至少一種的酸性溶液而清洗上述 化合物半導體基板之步驟。 5·如請求項4之化合物半導體基板之表面處理方法，其中 使用上述酸性溶液進行清洗之步驟（S3〇)係於上述酸性溶 液中添加氧化劑而進行。 6·如請求項4之化合物半導體基板之表面處理方法，其中 120925.doc 200818294 於使用上述酸性溶液谁并 進仃々冼之步驟（S30)之前，進而目 備使用添加有酸性離子 而- 丁又PH值為8·〇以上之混 性溶液而清洗上述化合物 鹼 f ^ ^ 千导體基板之步驟（S60) 〇 如清求項6之化合物半導 ¥體基板之表面處理方法，苴中 使用上述混有酸之鹼性溶 ，、甲 夜進仃々洗之步驟（S60)係於上 8. 述“I之驗性溶液中添加氧化劑而進行。 如請求項4之化合物半導體基板之表面處理方法 於使用上述酸性溶液進行清洗之步驟（請）之前，^且 備使用波度為50 ppm以上05%以下、且pH值為85以上 之稀驗性溶液而彡杳μ、+、y 巧洗上迷化合物半導體基板之步驟 (S70) 〇 ^，W 9.如請求項8之化合物半導體基板之表面處理方法，其中 使用上述稀驗性溶液進行清洗之步驟（S7G)係於上述稀驗 性溶液中添加氧化劑而進行。 10·如請求項4之化合物半導體基板之表面處理方法，農中 於上述研磨步驟（S20)後，進而具備立即使用還原劑研磨 或清洗上述化合物半導體基板之步驟（S50)。 11.如請求項10之化合物半導體基板之表面處理方法，其中 於使用上述還原劑進行研磨或清洗之步驟（S5〇)中，使用 pH值為8.5以上10 0以下之鹼性水溶液或氧化劑水溶液作 為上述還原劑。 12·如請求項4之化合物半導體基板之表面處理方法，其中 於使用上述酸性溶液進行清洗之步驟（S3〇)後，進而具備 使用HF或添加有雙氧水之hf而清洗上述化合物半導體 120925.doc 200818294 基板之步驟（S80)。 13· —種化合物半導體基板之表面處理方法，其係用以獲得 汝明求項2之化合物半導體基板（ι〇、2〇)之化合物半導體 基板之表面處理方法， 其具備下述步驟： ，準備化合物半導體基板之步驟（§ 1〇)， . 研磨上述化合物半導體基板之步驟（$2〇)， ( 於上述研磨步驟（S20)後，立即使用還原劑對上述化合 物半導體基板進行研磨或清洗之步驟（s5〇)， 於使用上述還原劑進行研磨或清洗之步驟（S5〇)後，使 用添加有酸性離子之pH值為8.〇以上之混有酸之鹼性溶 液而清洗上述化合物半導體基板之步驟（S6〇)。 14 ·如明求項13之化合物半導體基板之表面處理方法，其中 使用上述混有酸之鹼性溶液進行清洗之步驟（S6〇)係於上 述混有酸之鹼性溶液中添加氧化劑而進行。 ij 15 · 一種化合物半導體基板之表面處理方法，其係用以獲得 如請求項2之化合物半導體基板（1〇、20)之化合物半導體 基板之表面處理方法， • 其具備下述步驟： • 準備化合物半導體基板之步驟（S 10)， 研磨上述化合物半導體基板之步驟（S2〇)， 於上述研磨步驟（S20)後，立即使用還原劑對上述化合 物半導體基板進行研磨或清洗之步驟（S50)， 於使用上述還原劑進行研磨或清洗之步驟（S5〇)後，使 120925.doc 200818294 用浪度為50 ppm以上〇·5%以下、且pH值為8·5以上之稀 鹼性溶液而清洗上述化合物半導體基板之步驟（S7〇)。 16·如請求項15之化合物半導體基板之表面處理方法，其中 使用上述稀鹼性溶液進行清洗之步驟 性溶液中添加氧化劑而進行。 这稀驗 17. 一種化合物半導體晶體之製造方法，其具備下述步驟： 進行如請求項4之化合物半導體基板之表面處理方法 之步驟，及 〆 後處理步驟⑽），其於進行上述表面處理方法之步驟 之後’於上述化合物半導體基板之表面上使包含構成上 述化合物半導體基板之㈣的至少—種之化合物 晶體成長。

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