200816368 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係爲在黏貼晶圓的製造時，有效地防止尤其是 以氧離子注入層爲起因所造成的表面粗糙度惡化或缺陷產 生者。 【先前技術】 就一般的黏貼晶圓之製造方法而言，在形成氧化膜（ 絕緣吴）的一^塊砂晶圓上黏貼另一^塊砂晶圓，並硏削•硏 磨該黏貼後的矽晶圓，而形成S Ο I層的方法（硏削硏磨法 )、或是在構成SOI層側的矽晶圓（活性層用晶圓）表層 部中，藉由打入氫離子等形成離子注入層後，再與支撐層 用晶圓黏貼，接著藉由熱處理，利用上述的離子注入層加 以剝離，而形成S 01層的方法（智能剝離法）係爲眾所皆 知的。 在這樣的矽晶圓中，使S 01層厚度爲薄的同時，並且 圖得其均勻性係爲相當重要的，發明者們也將滿足該等要 件之S 01晶圓製造技術揭示於專利文獻1中。 專利文獻1 :國際公開號「W0 2005/074033 A1」 【發明內容】 (發明揭示） (發明所欲解決之課題） 然而，揭示於上述之專利文獻1中的技術，雖然使薄 -5- 200816368 膜化後的膜厚均勻性達到良好，但是在薄膜化後’會造成 表面粗糙度惡化，發生缺陷的情況。 該原因係爲氧離子注入時所導入的氧離子無法形成完 整的氧化膜，在不連續的狀態下存在之情況，於其後的工 程（使氧離子注入層露出的時點），被認爲會造成表面粗 糙度惡化、缺陷產生。 關於上述之表面粗糙度惡化或缺陷產生，雖然也有利 用其次工程的氧化處理或氧化膜除去工程加以改善的情況 ，但尤其是有關缺陷，藉由熱處理工程，恐怕會更爲擴大 (用以解決課題之手段） 因此，本案發明者們爲了達到上述目的，反覆專心硏 檢的結果，因而得到以下所述的見解。 (1 )在利用硏削硏磨法製作黏貼晶圓之情況下，在 氧離子注入後，藉由對於活性層用晶圓，在氫或氬或者是 其等混合氣體的環境中施予1個小時以上之1 1 0 0 °c以上的 熱處理，而使氧離子注入層的形成係達到比較連續性的狀 態，在於其後使氧離子注入層露出的時點，與在黏貼前沒 有施予熱處理的情況相較，可以改善表面粗糙度，又也可 以抑制缺陷產生。 又在利用智能剝離法製作黏貼晶圓之情況下，同樣地 也在氧離子注入後，藉由在氫或氬或是其等混合氣體的環 境中施予1個小時以上之1 1 0 0 °c以上的熱處理，可以得到 200816368 與硏削硏磨法的情況相同之效果。 (2 )進一步’在硏削硏磨法及智能剝離法之任一者 的情況下’藉由對於薄膜化後的活性層用晶圓，在氫或氬 氣等非氧化性環境中進行1100°C以下的熱處理，可以達到 更平坦化’而且也可以藉由該熱處理，除去殘留在黏貼界 面的氧化物。 該效果係尤其是在直接黏貼沒有絕緣膜的砂晶圓之情 況下極爲有效。 本發明係爲立足於上述見解者。 換言之，本發明的要旨構成係如以下所示。 1. 一種黏貼晶圓之製造方法’其係爲由將表面上有或 沒有絕緣膜之活性層用晶圓直接與支撐層用晶圓黏貼後， 薄膜化活性層用晶圓所構成之黏貼晶圓的製造方法，其特 徵爲：使以下的工程達到時序系列性結合， 在活性層用晶圓中注入氧離子，而在活性層內形成氧 離子注入層之工程； 對於活性層用晶圓，在非氧化性環境中以1 1 〇 〇 °c以上 的溫度施予熱處理之工程； 黏貼活性層用晶圓及支撐層用晶圓之工程； 用以提升黏貼強度之熱處理工程； 硏削黏貼晶圓之活性層用晶圓的部份直至氧離子注入 層前之工程； 進一步硏磨或餽刻活性層用晶圓，而使氧離子注入層 露出之工程； 200816368 氧化處理黏貼晶圓，而在氧離子注入層的露出面形成 氧化膜之工程； 除去該氧化膜之工程；及 在非氧化性環境中以1 1 〇(TC以下的溫度施予熱處理。 2·—種黏貼晶圓之製造方法，其係爲由在表面上有或 沒有絕緣膜之活性層用晶圓中，離子注入氫或稀有氣體元 素而形成離子注入層後，將該活性層用晶圓直接與支撐層 用晶圓黏貼，接著藉由剥離熱處理，以該離子注入層作爲 界限而與活性層用晶圓的一部份剝離所構成之黏貼晶圓的 製造方法，其特徵爲：使以下的工程達到時序系列性結合 j 對於剝離後的黏貼晶圓，施予用以提升黏貼強度且除 去根據剝離所造成的損傷層之熱處理的工程； 從活性層用晶圓表層注入氧離子，而在活性層內形成 氧離子注入層之工程； 對於黏貼晶圓，在非氧化性環境中以1 1 0(TC以上的溫 度施予熱處理之工程； 硏磨或蝕刻從剝離面到氧離子注入層之活性層用晶圓 ’而使氧離子注入層露出之工程； 氧化處理黏貼晶圓，而在氧離子注入層的露出面形成 氧化膜之工程； 除去該氧化膜之工程；及 在非氧化性環境中以1 1 00 °c以下的溫度施予熱處理。 3 . —種黏貼晶圓之製造方法，其係爲由將表面上有或 -8 - 200816368 沒有絕緣膜之活性層用晶圓直接與支撐層用晶圓黏貼後， 薄膜化活性層用晶圓所構成之黏貼晶圓的製造方法，其特 徵爲：使以下的工程達到時序系列性結合， 在活性層用晶圓中注入氧離子，而在活性層內形成氧 離子注入層之工程； 對於活性層用晶圓，在非氧化性環境中以11 oot以上 的溫度施予熱處理之工程； 黏貼活性層用晶圓及支撐層用晶圓之工程； 用以提升黏貼強度之熱處理工程； 硏削黏貼晶圓之活性層用晶圓的部份直至氧離子注入 層前之工程； 進一步硏磨或触刻活性層用晶圓，而使氧離子注入層 露出之工程； 藉由氧化處理黏貼晶圓，氧化氧離子注入層之工程、 除去該氧化層之工程；及 在非氧化性環境中以11 00°c以下的溫度施予熱處理。 4. 一種黏貼晶圓之製造方法’其係爲由將表面上有或 沒有絕緣膜之活性層用晶圓直接與支撐層用晶圓黏貼後， 薄膜化活性層用晶圓所構成之黏貼晶圓的製造方法，其特 徵爲：使以下的工程達到時序系列性結合’ 在活性層用晶圓中注入氧離子’而在活性層內形成氧 離子注入層之工程； 對於活性層用晶圓，在非氧化性環境中以1100°C以上 的溫度施予熱處理之工程； -9 - 200816368 黏貼活性層用晶圓及支撐層用晶圓之工程； 用以提升黏貼強度之熱處理工程； 硏削黏貼晶圓之活性層用晶圓的部份直至氧離子注入 層前之工程； 進一步硏磨或蝕刻活性層用晶圓，而使氧離子注入層 露出之工程； 藉由氧化處理黏貼晶圓，氧化氧離子注入層之工程； 除去該氧化層之工程； 對於黏貼晶圓再次施予氧化處理之工程； 除去上述晶圓的氧化部份之工程；及 在非氧化性環境中以1 1 0 0 °c以下的溫度施予熱處理。 5 ·如申請專利範圍第i至4項中任一項之黏貼晶圓的 製造方法，其中，前述活性層用晶圓表面的絕緣膜厚度爲 5 Onm以下。 6 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之黏貼晶圓的 製造方法’其中，前述氧離子注入層之形成工程中的氧離 子劑里爲 5·0χ1016 〜5.〇xl〇17atoms/cm2。 (發明效果） 若是根據本發明的話，薄膜化後的膜厚均勻性優是不 用說的’並且可以穩定得到使表面粗糙度良好且缺陷爲少 黏貼晶圓。 【實施方式】 -10- 200816368 (用以實施發明之最佳形態） 以下，具體說明本發明。 在製作黏貼晶圓時，雖說是黏貼活性層用晶圓與支撐 層用晶圓之2塊矽晶圓，但是在本發明中，就活性層用晶 圓而言，於表面上具有絕緣膜（氧化膜）是當然的，但是 也適用在將沒有這樣的絕緣膜者直接與支撐層用晶圓的情 況。 本發明係針對這樣的黏貼晶圓之製造方法，可以有效 地阻止在絕緣膜厚度薄到5 Onm以下之情況，尤其是沒有 這樣的絕緣膜之情況下擔憂會造成的表面粗糙度惡化及缺 陷產生。 一開始，針對利用所謂的硏削硏磨法製作黏貼晶圓之 情況加以說明。 在該硏削硏磨法中，首先在活性層用晶圓中注入氧離 子’而在活性層內形成氧離子注入層。之後，於該氧離子 注入層的表面上形成氧化膜。 注入活性層用晶圓之氧離子的注入加速電壓、劑量係 沒有特別的限定，因應活性層的目標膜厚而加以適當選擇 即可。又以注入加速電壓：100〜300 keV、氧劑量：5.Ox 1016 〜5.〇xl〇17atoms/cm2 的範圍爲佳。 在本發明中，對於如此所構成之在活性層內形成氧離 子注入層的活性層用晶圓，在氫或氬等非氧化性環境中以 1 100 °C以上的溫度施予熱處理。藉此，使氧離子入層的形 態達到比較連續性的狀態，而在其後之使氧離子注入層露 -11 . 200816368 出的時點，可以大幅地改善表面粗糙度，又也可以抑制缺 陷產生。 該熱處理溫度係必須達到上述所示的1 1 〇〇°c以上。此 係當熱處理溫度未滿110 0 °c時，無法形成具有充分連續性 的氧離子注入層，只能得到與沒有進行熱處理情況下之相 同的結果。雖說是這樣，但由於當該熱處理溫度超過1 25 0 °C時，恐怕會發生滑移，因此就熱處理溫度範圍而言，以 設定在1 100〜125 (TC爲適合的。 又該熱處理係不僅適用於批次式的爐，也適用於片葉 式的燈管加熱、電阻加熱、閃光燈退火等各種加熱方式， 雖然沒有特別的限定，但是在使用批次式爐的情況下，以 施予1個小時以上，又在使用片葉式爐的情況下，以施予 1 〇秒以上的熱處理爲佳，重要的是考量生產性後，將各裝 置的熱處理時間達到最適化即可。 接著，黏貼活性層用晶圓及支撐層用晶圓。 又在該黏貼時，於其之前藉由使用氮氣、氧氣、氬氣 、稀釋氫及前述混合氣體等進行電漿處理，除去黏貼表面 的有機物，此係對於抑制以有機物爲起因所造成的氣泡缺 陷、提升成品率方面極有效果。 其後，施予用以提升黏貼強度的熱處理。在該熱處理 中的環境係沒有特別的限定，但是關於處理溫度及時間係 以1 200°c、60分鐘爲佳。 接著，硏削黏貼晶圓之活性用晶圓部份直至氧離子注 入層前。通常，該硏削係利用機械式加工加以實施。 -12- 200816368 接著，進一步硏磨或飽刻活性層用 入層露出。 就上述的薄膜化處理而言，在利用 ，以一邊供給砥粒濃度爲1質量％以下 行爲佳。就這樣的硏磨劑而言，係可以 矽）濃度爲1質量％以下的鹼性溶液。 ，以無機鹼性溶液（KOH、NaOH等） 例如以胺作爲主成分之哌嗪或伸乙基二 混合溶液等爲佳。 這樣的硏磨劑係由於使砥粒濃度爲 此根據砥粒的機械性硏磨作用幾乎沒有 溶液的化學性硏磨作用優先進行，該i Si/Si02的蝕刻比例爲高，因此可以更有 又在利用触刻處理的情況下，就f KOH溶解於只有純水（DIW)中之鹼性 °c )爲佳，再將硏削後的黏貼晶圓浸漬 該鹼性鈾刻液中的Κ Ο Η濃度係設定在 ’又添加0.1質量％程度的過氧化氫（ 〇 藉此，使Si/Si〇2的蝕刻比例達到 化膜（Si〇2 )係難以被溶損，因此當使 行蝕刻時，可以有效地只除去Si層。 如上述所示，雖然硏磨了利用硏削J 層，而使氧離子注入層露出，但是在該 晶圓，使氧離子注 硏磨處理之情況下 的硏磨劑，一邊進 舉例如砥粒（例如 又就鹼性溶液而言 、有機鹼性溶液（ 胺等）或是此等的 1質量％以下，因 ，並且使根據鹼性 險性溶液係由於使 效地硏磨S i層。 丨虫刻液而言，以將 蝕刻液（液溫：8 5 於該蝕刻液中。又 10質量％程度爲佳 H2〇2 )係爲有利的 3 00以上，由於氧 用該鹼性蝕刻液進 听殘留的一部份S i 氧離子注入層中， -13- 200816368 根據鹼性溶液的化學性硏磨係沒有作用。爲此，氧離子注 入層係幾乎沒有被硏磨。其結果爲可以使氧離子注入層均 勻性地露出。 接著，氧化處理黏貼晶圓，在氧離子注入層的露出面 形既定厚度的氧化膜。 該氧化處理係在氧化性環境中進行即可，雖然處理溫 度係沒有特別的限定，但以600〜1 000 °C的氧化性環境爲 佳。 在此，雖然針對所形成的氧化膜厚度沒有特別的限定 ，但是以100〜500nm程度爲佳。 接著，削除該氧化膜。 該氧化膜的除去係利用HF液加以洗淨亦可，或是根 據使用氫氣或Ar氣體或者是包含HF的氣體之退火加以鈾 刻亦可。 在此，上述之氧化處理及除去處理係重覆進行數次亦 可。藉此，可以維持平坦化的表面粗糙度，並且可以使活 性層更進一步的薄膜化。換言之，在使活性層的裕度變大 而圖得更進一步的薄膜化之情況下，於氧化處理而形成氧 化膜後，藉由反覆進行例如利用HF蝕刻之除去氧化膜的 工程，可以使活性層更薄膜化。 又在除去氧化膜後，將黏貼晶圓浸漬於例如有機酸與 氟酸的混合液中，對於除去附著在黏貼晶圓表面的粒子及 金屬不純物係爲有利的。 接著，在本發明中，對於薄膜化的黏貼晶圓，係在氫 -14 - 200816368 、氬氣等非氧化性環境中以1 1 00 °c以下的溫度施予熱處理 。藉由該熱處理，可以達到更進一步的平坦化，並且能夠 除去殘留在黏貼界面的氧化物。 該效果係在絕緣膜厚度薄到5 Onm以下之情況、或是 直接黏貼沒有這樣的絕緣膜之矽晶圓的情況下更爲顯著。 又雖然在使該熱處理溫度超過11 〇〇°C可以促進平坦化 ，但是當考量了活性層的膜厚均勻性及黏貼界面的殘留物 除去效果，將溫度設定爲1 10(TC以下係爲重要的。換言之 ，在超過1 1 00 °C的情況下，雖然促進了活性層的触刻，但 可能會使膜厚均勻性惡化，又當溫度變高時，使得殘留在 黏貼界面的氧化物容易朝活性層側擴散，造成局部性蝕刻 活性層，而恐怕於表面上發生凹痕狀的缺陷。因此，熱處 理溫度係限定在1 100 °C以下。雖說是這樣，但是當熱處理 溫度未滿1 000 °c時，因爲無法得到上述的效果，因此熱處 理溫度係設定在1 0 0 0 °c以上爲佳。 如此一來，可以得到膜厚均勻性優，且具有平坦化之 表面粗糙度，進一步使缺陷也少之黏貼晶圓。 其次，針對利用所謂的智能剝離法製作黏貼晶圓之情 況加以說明。 就該智能剝離法而言，首先在活性層用晶圓中，以離 子注入氫或稀有氣體元素而形成離子注入層。該離子注入 層係用來作爲之後在利用劈開而剝離活性層用晶圓之一部 份時的界限。 接著，黏貼活性層用晶圓及支撐層用晶圓。 -15- 200816368 其後，施加剝離熱處理，以上述的離子注入層作爲界 限，剝離活性層用晶圓的一部份。 該剝離熱處理係根據常法，在5 00 °C程度的溫度下進 行即可。其結果爲以離子注入層作爲界限而使黏貼晶圓全 面性完整被剝離。 接著，對於剝離後的黏貼晶圓，施予用以提升黏貼強 度且除去根據剝離的損傷層之熱處理。 該熱處理條件若是在氧化性環境中的話，雖然處理溫 度、處理時間及氧化方法都沒有特別的限定，但是要能夠 除去剝離時所產生的損傷層厚度之條件係爲必要的。例如 若損傷層爲1 〇〇nm的話，形成氧化膜的厚度係必須達到 2 0 Onm以上。 接著，從活性層用晶圓表面注入氧離子，而在活性層 內形成氧離子注入層。 該氧離子注入層的形成係採用與前述之硏削硏磨法的 情況相同加以進行即可。但是就注入條件而言，考量最終 活性層的厚度，並在加速電壓例如爲30〜50keV下進行等 ，因此必須事前決定形成氧注入層的深度。 再者，對於黏貼晶圓，在非氧化性環境中以1 1 00 °C以 上的溫度施予熱處理。 藉由該處理，可以使氧離子注入層的形態達到比較連 續的狀態，在其後之使氧離子注入層露出的時點，可以大 幅地改善表面粗糙度，又也能夠抑制缺陷產生。 針對該熱處理條件及使用爐，也是採用與前述之硏削 -16- 200816368 硏磨法的情況相同加以進行即可。 接著，雖說是硏磨或鈾刻從剝離面到氧離子注 活性層用晶圓，露出氧離子注入層後，氧化處理黏 而在氧離子注入層的露出面上形成既定厚度的氧化 於其後除去該氧化膜，但針對此等硏磨•蝕刻處理 膜形成處理及氧化膜除去處理，都與前述之硏削硏 情況相同即可。 其後，進一步在氫、氬氣等非氧化性環境中以 以下的溫度施予熱處理。 藉由該熱處理，可以達到更進一步的平坦化， 以達到除去黏貼界面中之殘留氧化物的效果係與前 0 再者，該效果係在絕緣膜厚度薄到50nm以下 、或是直接黏貼沒有這樣的絕緣膜之矽晶圓的情況 顯著。 如此一來，即使在利用智能剝離法的情況下， 穩定得到膜厚均勻性優，且具有平坦化之表面粗糙 一步使缺陷也少之黏貼晶圓。 再者，若是根據本發明的話，也能夠製作直接 晶位向不同的矽晶圓（例如11 〇結晶與1 00結晶之 是η 1結晶與1 00結晶之黏貼等）之黏貼晶圓。 (實施例） (實施例1) 入層之 貼晶圓 膜，再 、氧化 磨法之 1 1 0 0 °c 並且可 述相同 之情況 下更爲 也可以 度，進 黏貼結 黏貼或 -17- 200816368 準備2塊由利用CZ法養成、並以硼作爲 錠所切片而成之直徑：3 0 0 n m的砂晶圓，並從 晶圓表面，以加速電壓：150keV、劑 1016atoms/cm2的條件注入氧離子。其結果爲在 晶圓表面約3 00nm的深度位置，形成氧離子注 接著，在氬氣環境中施予1 2 0 0 °C、1小時 ’以注入氧離子的面作爲黏貼面，直接黏貼於 圓上。 其後，爲了強固結合黏貼界面，在氧化性 1 1 0 0 °C、2小時的熱處理。 其次，使用硏削裝置，以只硏削從黏貼晶 用晶圓的表面到既定厚度之方式，硏削黏貼晶 用晶圓。再者，在氧離子注入層的表面側上殘 晶圓的一部份（膜厚：約5 // m )。 接著，一邊供給含有砥粒（矽）濃度爲1 的砥粒之硏磨劑，一邊硏磨硏削後的黏貼晶圓 氧離子注入層露出。就硏磨劑而言，係使用砥 質量％以下之鹼性溶液。又可以確認所得到的 層係均勻地形成在黏貼晶圓面內。 其後，對於黏貼晶圓，在氧化性環境中 9 5(TC、0.5小時的濕氧化處理。其結果爲在氧 的露出面上形成150nm厚度的氧化膜。其次， 淨除去該氧化膜。 接著，在氬氣環境中施予1 1 0 (TC、1小時 摻雜物的矽 活性層用矽 量：5.0 X 離活性層用 入層。 的熱處理後 支撐層用晶 環境中進行 圓之活性層 圓的活性層 留活性層用 質量％以下 表面，而使 粒濃度爲1 氧離子注入 施予溫度： 離子注入層 利用HF洗 的熱處理， -18- 200816368 完成黏貼晶圓。 針對如此一來所得到的黏貼晶圓，使用原子間力顯微 鏡，測定表面粗糙度（RMS値）的同時，並利用剖面 TEM調查表面附近的缺陷有無。 所得到的結果係集合於第1圖及表1加以表示。 (實施例2 ) 準備2塊由利用CZ法養成、並以硼作爲摻雜物的矽 錠所切片而成之直徑：3 00nm的矽晶圓，並在作爲活性層 用晶圓的矽表面上，以加速電壓：50keV、劑量：l.Ox 1017at〇mS/cm2的條件注入氫離子。其結果爲在離活性層用 晶圓表面約45 Onm的深度位置，形成氫離子注入層。 其次，直接與支撐層用晶圓黏貼後，施予剝離熱處理 。此時之剝離熱處理條件係爲在500 °C的氮氣環境中保持 30分鐘。其結果爲在氫離子注入層上形成氫氣的氣泡，並 以該氣泡所形成的氫離子注入層作爲界面，剝離黏貼晶圓 的一部份（活性層用晶圓的一部份）。藉此形成黏貼晶圓 〇 其後，爲了除去剝離時的損傷、且強固結合黏貼界面 ，而在氧環境中進行9 5 0 °C、〇 . 5小時（濕）的熱處理。 其次，利用HF洗淨除去氧化膜後，從黏貼晶圓的剝 離面注入氧離子。此時的注入條件係設定爲加速電壓： 40keV、劑量：5.〇xl〇16at〇ms/cm2。藉此，在離黏貼晶圓 的剝離面約5 Onm的深度位置形成氧離子注入層。 -19- 200816368 再者，爲了使氧離子注入層的形成達到更連續性，在 氬氣環境中施予1 2 0 0 °c、1小時的熱處理。 接著，一邊供給砥粒濃度爲1質量％以下的硏磨劑’ 一邊硏磨黏貼晶圓的表面，而使氧離子注入層的表面露出 。該硏磨方法係與上述之實施例1的情況相同。 其後，在氧化性環境中施予溫度：9 5 0 °c、0 · 5小時的 濕氧化處理，在氧離子注入層的露出面上形成150nm厚度 的氧化膜。接著，利用HF洗淨除去該氧化膜。 其後，在氬氣環境中施予1 1 〇 〇 °C、1小時的熱處理， 完成黏貼晶圓。 針對如此一來所得到的黏貼晶圓，使用原子間力顯微 鏡，測定表面粗糙度的同時，並利用剖面TEM調查表面 附近的缺陷有無。 所得到的結果係集合於第1圖及表1加以表示。 (比較例1 ) 準備2塊由利用CZ法養成、並以硼作爲摻雜物的矽 錠所切片而成之直徑：3 0 0 nm的矽晶圓，並從活性層用矽 晶圓表面，以加速電壓·· 150keV、劑量：5.0 X 1016atoms/cm2的條件注入氧離子。 接著，在不施予熱處理的狀態下，以注入氧離子的面 作爲黏貼面，直接黏貼於支撐層用晶圓上。 其後，爲了強固結合黏貼界面，而在氧化性氣體環境 中進行1 100 °C、2小時的熱處理。 -20- 200816368 接著，與實施例1相同進行硏削•硏磨，使氧離子注 入層的表面露出。 其後，利用與實施例1相同的流程，形成氧化膜’之 後再將其除去，完成製作黏貼晶圓。 針對如此一來所得到的黏貼晶圓’使用原子間力顯微 鏡，測定表面粗糙度的同時，並利用剖面TEM調查表面 附近的缺陷有無。 所得到的結果係集合於第1圖及表1加以表示。 (比較例2 ) 利用以實施例2相同的流程，在剝離面上進行氧離子 注入，而在活性層中形成氧離子注入層。 接著，在不施予熱處理的狀態下，與實施例2相同硏 磨黏貼晶圓的表面，而使氧離子注入層露出。 其後，利用與實施例2相同的流程，形成氧化膜，其 後再將其除去，完成製作黏貼晶圓。 針對如此一來所得到的黏貼晶圓，使用原子間力顯微 鏡，測定表面粗糙度的同時，並利用剖面TEM調查表面 附近的缺陷有無。 所得到的結果係集合於第1圖及表1加以表示。 -21 - 200816368 (表1 ) 缺陷有無 實施例1 Μ J \ 實施例2 ^fnr 11 ITT J \\\ 比較例1 有 比較例2 有 由第1圖及表1可以明確得知，實施例1、2的任一 者，在與比較例1、2相較時’皆可大幅改善表面粗糙度 ，又缺陷發生也都達到沒有的狀態。 (實施例3 ) 除了在進行氧注入的活性層用晶圓上形成5nm的氧化 膜之外，其他的皆以利用與實施例1相同的流程’製作1占 貼晶圓。 其結果爲所得到的黏貼晶圓係與實施例1相同’ &胃 缺陷，且表面粗糙度也爲5〜6nm。 (實施例4 ) 除了在氫注入前，在活性層用晶圓上形成5nm @ # 膜之外，其他的皆以利用與實施例2相同的流程’ $ # @ 貼晶圓。 其結果爲所得到的黏貼晶圓係與實施例2相同’ $ # 缺陷，且表面粗糙度也爲5〜6nm。 【圖式簡單說明】 -22- 200816368 第1圖係爲顯示比較實施例1、2及比較例1、2的表 面粗糙度的圖面。 -23 -