TW200816268A - Information processing apparatus, semiconductor manufacturing system, information processing method, and storage medium - Google Patents

Description

200816268 九、發明說明： 【电明所屬之技術領域】 本t明係關於處理自丰塞 目牛導體製造裝置獲取之值的資訊處 理裝置及其類似物。 【先前技術】 牛例而口，作為用於製造半導體元件之半導體製造裝 、…在”、、處理表置’其用於對-包括諸如半導體晶圓 之半導體的處理目標執杆一 X, ^ 仃熱處理，諸如成膜製程、氧化 製程或擴散製程。 在熱處理裝置及：7 ，、類似物中，通常，藉由控制諸如處理 溫二處理壓力或氣體流率之項目以便匹配一被稱作配方 之》又疋值（其為-用於設定處理條件的值）來執行熱處理。

舉例而言’關於此熱處理裝置，存在一使用藉由以下步 驟而獲得之估計值控制加熱器之電功率的技術：在反應爐 中配置多個溫度感應器；及使用一熱模型（數學模型），基 於諸如來自溫度感應器之輸出及供應至加熱器之電功㈣ 因素依序估計半導體晶圓之温度⑽，見JP 2002_ 25997A(例如，第π，圖1))〇根據此技術，可相對準確 地估計非接觸狀態下的半導體晶圓之溫度，且因此可精確 地控制處理溫度。 在如上所述之一熱處理裝置中，藉由在實際執行一處理 時獲取表示處理期間之狀態的值（諸如，處理溫度、處理 壓力及加熱器之電功率）且監視此等值，判斷裝置是否正 適當地操作，或者是否適當地執行了所望處理。舉例而 119782.doc 200816268 吕，當在一單一裝置中時，將使用相同配方執行多次之處 理的結果隨時間繪示於一曲線圖中，可調整熱處理裝置之 守間序列退化（time-series deterioration)或其類似 者。 J而，關於使用不同設定值執行的處理之結果，自熱處 理裝，獲取之值通常相互不同，且因此使用（例如）不同控 制圖管理獲得之關於各別設定值之值。sub，不可能同時 孤視忒等處理結果。為了監視該等處理結果，有必要切換 控制圖之顯示。因Λ，存在一問題：此等操作需要過量工 作，且監視之操作複雜。 此外，由於對不同控制圖執行管理，難以同時相互比較 處理結果之值。即使使用不同設定值獲得之值顯示於一座 才下系、先中使用不同設定值獲得之值的曲線圖亦緣示於相 互逖離之位置處，且因此存在一問題：難以相互比較此等 值。 此外通*，藉由預先為自一熱處理裝置或其類似物獲 取之值設定一臨限值或其類似值，判斷一裝置或由一裝置 執行之處理疋否正適當地操作，且判斷自該熱處理裝置或 其類似物獲取之值是否等於或大於該臨限值，或小於該臨 限值。當設定值相互不同時，自熱處理裝置或其類似物獲 取之值亦相互不同。因此，有必要預先為各別設定值設定 臨限值。因此，存在一問題··設定臨限值之過程花費工作 及時間。 此外’在習知資訊處理裝置中，難以按疊加的方式顯示 119782.doc 200816268 自半導體製造裝置獲取之μ值單位或值㈣下的值，或 者相互比較此等值。舉例而言，即使將自半導體製造裝置 獲取之㈣溫度值及該半導體製造褒置内的加熱器之電功 羊值按間早的豐加方式繪示於一曲線圖上，仍難以準確地 相互比較該等值，因為其單位及其類似物相互不同。 此外’不藉由任何處理，大體上不可能對不同單位或盆 類似物下之此等值應用多變量分析’因為即使應用了，獲 得之值亦視採用單位之方式而變化。 :此’對自半導體製造裝置獲取之值執行所謂的標準化 的。標準化㈣由轉換料值之單位使得（例 n Μ及標準差設定為指定值而將該等值轉換為不 π收、 式衫響的值之處理。藉由執行此標準化， ㈣單位表達之資訊相互比較，且可使用多變量分 刀析。通常’執行標準化使得平均值為0且標準差 =具：之’藉由計算式，，(表示狀態之值-平均值)/ 裝置：狀態的每-值執行標準化。 “ “Γ:係正常分布之情況下’此習知標準化係有效的， 二二該標準化不適合作為在資料並非正常分布 之h况下執行之處理。 舉例而言，抵 分析之情況。t對不同量測單位下之狀態值執行多變量 備過程執行，^’在多變量分析中’將標準化作為一預 時，可使得不存在單位或其類似物之影響。在彼 b子—情況：其中多數狀態值集中於一特定值之 119782.doc 200816268 附近’且僅一個值顯英从、土私 一 e 值頌者地延離該特定值。在此情況下，存 在一問題··即使一個值作為 一 勹目牛V體製造裝置獲取之值處 於正节值之乾圍中，者勃

田執仃使用標準差之上述標準化時， 作為多變量分;^斤$ 4士 I 、、’口果，亦可將該值判斷為與其他值顯 不同之值。 ' 此外，在將藉由以此方 ， 八耵不冋里測早位下之值執行护 準化而獲得之值按最Λ古^ ^ 瓦力方式繪示於一曲線圖或其類似物上 / 或者將其相互比較之情況下’對不同量測單位下之 執行標準化’使得不存在量測單位之影響。然:而，當 別值設定臨限值及其類似值時，即使在對該等臨限值及皇 類似值執行標準化時，亦獲得不同的臨限值。因此，“ 要使用不同臨限值評估藉由對不同量測單位下之 準化而獲得之值。因此’不能說狀態值之間的比較及二 似操作十分容易，且存在一問題· 一 门鴣·不此達成標準化之效 果。 如上所述，習知地，存在-問題：不能將不同單位或盆 ，似物下之值轉換為不視量測單位而定且適合於諸如多變 量分析或該等值之間的比較之資料分析之適當值。 又 【發明内容】 一種根據本發明之資訊處理裝置為一 於處理一狀態值 之育訊處理裝置，該狀態值為一關於一處理 Μ間之一狀態 之值，該處理由一用於根據一設定值斜一人 3有一半導體之 處理目標執行一處理的半導體製造裝置執行，气μ〜值為 一用於設定一處理之一條件之值，該資訊處理裝置=含為 119782.doc -10· 200816268 :設定值接收部分’其接收該設定值；—狀態值接收部 分，其接收該狀態值；一校正量計算部分，其使用一校正 函數來計算該狀態值之—校正量，該校正函數為—表二該 設定值與該校正量之間的一關係之函數；—校正部分，其 使用由該校正量計算部分計#之該校正量來校正由該狀態 值接收部分接收之該狀態值；及一輸出部分，其輸出由： 校正部分校正之該狀態值。 / 藉由此組態，分別關於使用不同設定值執行之處理的自 半導體製造裝置或其類似物獲取之狀態值可經準確地聶 加，使得經關為對於該等各別設定值而經理想地獲得^ 預測狀態值得以疊加。因此，可易於監視該等狀態值。此 外’可易於將該等狀態值相互比較。結果，可易^發現半 導體製造裝置或其類似物中之異常。 α 此外，在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一表示 該設定值之改變量與該校正量之間的關係之函數，校正量 為狀態值的基於設定值之改變量而預測之改變量，且該校 正量計算部分使用校正函數來計算對應於由該設定值^ 收部分接收之設定值相對於一預定值之一改變量之校正 量° 藉由此、组態，«使用不同設定值執行之處理的狀態值 可經準確地疊加，使得經預測為對於該等各別設定值而經 理想地獲得之狀態值得以疊加。因此，可易於監視該等： 態值。此外，可易於將該等狀態值相互比較。 此外’在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一具有 119782.doc -11 - 200816268 作為係s之用於設定該校正函數之校正矩陣之函數，該 校正矩陣為每一行中之值為狀態值之改變量之一值的矩 陣，該狀態值之該改變量的該值係料中表示所望設定值 之每一元素之值經依序改變一單位量而使該半導體製造襄 置執行一處理之情況下獲得者。 藉由此，且心 才又正函數根據實際量測的值而設定。因 此丄可設定一考慮諸如半導體製造裝置之配置狀態的實際 狀態的校正函數。因此，可準確地疊加根據不同設定值而 獲得之狀態值。 此外’在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為具有作 為一係數之半導體激造裝罢+ 、置之轉移函數的穩態增益之一函 數。 藉由此組態，獲得校正函數之係數的過程並非必要。因 此，在並不使半導體製造裝置執行一所望處理之情況下， 可設定校正函數。因此’可簡化校正函數之設定。 j外，在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一表示 叹疋值14杈正里之間的關係之函數，校正量為基於該設定 值而預測之狀態值，且該校正 .^ 十异邛分使用該校正函數 來計算對應於由該設定值接收 曰 收口P刀接收之設定值的校正 〇 可= 根據使用不同設定值執行之處理的狀態值 使得經預測為對於該等各別設定值而經 理想地獲得之狀態值得以疊加。 '' r ^ . 此，可易於監視該等狀 悲值。此外，可易於將該等狀 寺狀怨值相互比較。結果，可易 119782.doc 200816268 於發現半導體製造裝置或其類似物中之異常。 此外，在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一使用 多組設定值及對應於設定值之狀態值而獲得之函數。 藉由此組態，—校正函數根據實際量測的值而設定。因 此’可W考慮半導體製造裝置之實際狀態的校正函 數。因此，可準確地疊加根據不同設定值而獲得之狀態 值。 此外，本發明之資訊處理裝置進一步包含一校正函數產 生邠刀I使用多組没定值及對應於設定值之狀態值產生 該校正函數。 藉由此、、且悲’ 一扠正函數根據實際量測的值而設定。因 此，可e又疋-考慮半導體製造I置之實際狀態的校正函 數。因此’可準確地疊加根據不同設定值而獲得之狀能 值。 Μ 此外’在本發明之資訊處理裝置中，校正函數為一經表 達為使用^多且口又疋值及對應於設定值d態值而獲得的一 近似式之函數。 藉由此、、且L，一杈正函數根據實際量測的值而設定。因 此，可"又疋一考慮半導體製造裝置之實際狀態的校正函 數因此，可準確地疊加根據不@設定值而獲得之狀態 值。 此外，在本發明之資訊處理裝置巾，設定值為用於設定 關於半導體製造裝置内之處理目標之處理條件的值，且該 狀態值為表示在該處理目標經安置於該半導體製造裝置中 119782.doc 200816268 之位置以外的位置之處理期間的狀態之值。 藉由此組怨，基於處理期間在與處理目標經安置於半導 體製造裝置中之位置不同的—位置處之狀態，可監視半導 體製造裝置之狀態及其類似物。 此外’在本發明之資訊處理裝置中，設定值接收部分接 收多似定值，狀態值接收部分純分別對應於該多個設 定值之多個狀態值’校正量計算部分使用校正函數來計算 分別對應於該多個狀態值之多個校正量，校正部分以該多 個枚正1來;^正刀別對應於由該校正量計算部分計算之該 多個校正量之該多個狀態值，且輸出部分輸出由該校正部 分校正之該多個狀態值。 藉由此組態，可準確地疊加根據多個設定值之狀態值。 此外，在本發明之資訊處理裝置中，設定值接收部分接 收每-者充當設定值之一第一設定值及一第二設定值，狀 態值接收部分接收分別對應於該第一設定值及該第二設定 值之一第一狀態值及一第二狀態值，校正量計算部分使用 校正函數基於該第二設定值相料充當—敎值之該第一 設定值的一改變量而計算該第二狀態值之一校正量，校正 口P刀以3亥杈正里杈正該第二狀態值，且輸出部分輸出由該 杈正部分校正之該第二狀態值及該第一狀態值。 藉由此組態，足以僅校正該第二狀態值。因此，可減少 過程時間。 此外，在本發明之資訊處理裝置中，設定值為半導體製 造裝置内的溫度之設定值，且狀態值為半導體製造裝置内 119782.doc -14- 200816268 的溫度之量測值。 藉由此組態，藉由使半導體製造裝置根據不同溫度設定 執行處理而獲得之溫度的量測值可經準確地疊加以用於監 視或比較。 此外纟本發明之貧訊處理裝置中，設定值為在半導體 裝仏衣置内之預疋位置處的溫度之設定值，且狀態值為加 熱該半導體製造裝置之—内部的_加熱器之功率值。 藉由此n ’藉由使半導體製造裝置根據不同溫度設定 執4亍處理而獲得之力口敎哭^^丄方 加熱态的功率值可經準確地疊加以用於 監視或比較。 此外’根據本發明之―資訊處理裝置為—詩處理一狀 態值之資訊處理Μ，該狀態值為―關於―處理期間之— 狀態之值，該處理由一用於對一含有一半導體之處理目栌 執行一處理的半導體製造裝置執行，該資訊處理裝置: 含：-狀態值接收部分，其接收該狀態值；一標準值儲存 部分’為充當該等狀態值之標準的_值之—標準值可儲存 於其中’ fe限值儲存部分，為用於判斷該狀態值是否為 所望值之*的一臨限值可儲存於其中；一計算部分， 其計算-關於由該狀態值接收部分接收之該狀態值與該標 準值之間的—差之值與—關於該臨限值與該標準值之間: -差之值之間的一比率；及一輸出料，其輸出由該計曾 部分計算之該比率。 ^ 藉由此組態’使用臨限值及標準值，可將狀態值轉換為 比率。因Λ ’可將該等狀態值轉換為不視量測單位而定且 119782.doc -15- 200816268 適合於分析及其類似操作之值。此外，由於將該等狀態值 轉換為考慮了條件值與臨限值之間的關係之比率，所以可 使用相同的臨限值評估該等狀態值，而並不視量測單位而 疋。因此’例如，可易於分析該等狀態值。

此外，在本發明之資訊處理裝|中，&態值純部分接 收:同量測單位下之多個狀態值，計算部分計算對應於不 同量測單位下之該多個狀態值中之每一者的比率，且輸出 部分輸出由該計算部分計算之該多個比率。 別 藉由此組態，使用臨限值及標準值，可將諸如單位之量 測單位相^狀狀態值轉換為比率。因Λ，可將該等= 態值轉換為不視量測單位而定且適合於分析及其類似摔作 之值°此外’由於將該等狀態值轉換為考慮了條件值虚臨 限=之㈣關係之比率’所以可使用相同的臨限值評估不 同里測早位下之值。因此，例如，可易於分析不同 位下之狀態值。 彳干 此外’根據本發明之訊處理裝置為_用於處理一狀 態!之資訊處理裝置，該狀態值為—關於-處理期間之一 狀悲之值’该處理由一用於#f 人士 P ★ 對一含有-半導體之處理目標 執行一處理的半導體製造穿w - 入· 4衷置執仃，該資訊處理裝置包 έ · 一狀態值接收部分，苴接 Α 刀其接收不同量測單位下之多個狀 恶值；一標準值儲存部分，4 杜 為充當该等狀態值之標準的一 值之一標準值可儲存於盆一 ' ’一 5品限值儲存部分，為用於 判斷該狀態值是否為一所望 為用於 I中· i1八 所望值之—值的一臨限值可儲存於 其中，一什异部分，對於 里而早位下之該多個狀態值 119782.doc -16· 200816268 中之每一者，其計算一關於由該狀態值接收部分接收之該 狀態值與該標準值之間的一差之值與—關於該臨限值與= 標準值之間的一差之值之間的一比率；—多變量分析部 分’其使用由該計算部分計算之該多個比率執行多變量分 析；及-輸出部分，其輸出由該多變量分析部分執行之分 析的結果。 藉由此組態，冑用臨p艮值及標準m，可將諸如單位之量 ，測單位相互不同之狀態值轉換為比率。因此，可將該等狀 態值轉換為不視量測單位而定且適合於分析及其類似操作 之值。當使用經轉換的狀態值執行多變量分析時，可獲得

考慮臨限值之適當的分舶姓I 二π Μ X 的刀析、、Ό果，而不管該等狀態值是否經 正常分布。 /外，在本發明之f訊處理裝置中，由計算部分用於計 π比率之限值係在由該標準值分為兩個子範圍的該狀 態狀可能範圍中之該狀態值所屬之子範圍 精由此組態，在不滿县、丨0口 在不視里测早位而定的情況下，可使用並 同的臨限值評估該笼壯能& /、 亥4狀悲值，且可執行考慮臨限值之適當 的多變量分析。 此外，在本發明之資訊虛 署㈣、”貝Λ處理裝置中，狀態值為半導體製 媒〜⑭ 里測值或猎由在統計上處理該量測值而 獲付之一值。 藉由此組態，例如，7 1]如可易於分析該等狀態值。 此外’在本發明之資邙#

1詈内、。处里4置中，狀態值為半導體製 造裝置内的墨力之詈、目彳枯+ M 、或猎由在統計上處理該量測值而 119782.doc 200816268 獲得之一值。 藉由此組態，例如， ,.^ ^ 易於为析該等狀態值。 此外，在本發明之資訊處 導體梦造梦罟內认^ 展置中，狀態值為引入至半 V體14衣置内的氣體之流 干 理該量測值而獲得之—值。^值或藉由在統計上處 L:此如:可易於分析該等狀態值。 ，明之貧訊處理裝置中，不同量測單位下之 f K, 制、置内的溫度之量測值及半導體 1 xe装置内的壓力之量測 f 、 或糟由在統計上處理該等量 測值而獲付之值。 精由此組恶’例如，可思 了易於刀析該等狀態值。 此外’在本發明之資訊虚 貝札慝理破置中，不同量測單位下之 多個狀態值進一步白紅2丨X ：r 括引入至半導體製造裝置内的氣體之 流率之量測值或蕤山太 精由在、、充计上處理該量測值而獲得之一 值。 藉由此、n ’例如’達成可易於分析該等狀態值之效 果0 此外，根據本發明之一半導體製造系統為包含一用於對 έ有半導體之處理目標執行一處理之半導體製造裝置 及上述貝汛處理裝置之一半導體製造系統，其中該半導體 製造裝置包含：一處理狀態值獲取部分，其獲取該狀態 值；及一處理輸出部分，其輸出該狀態值。 藉由此組態，例如，可易於分析該等狀態值。 此外’在本發明之半導體製造系統中，該半導體製造裝 119782.doc -18 · 200816268 置進〆匕3 . 一處理容器，在其中對該處理目標執行一 處理；及至少-溫度偵測部分，其偵測該處理容器内之溫 度’且3亥處理狀態值獲取部分獲取一狀態值該狀態值為由 該溫度債測部分痛測之一溫度值或藉由在統計上處理該值 而獲得之一值。 藉由此組態’例如’可易於分析該半導體製造裝置之溫 度。 r 此外，在本發明之半導體製造系統中，該半導體製造裝 置進一步包含：一處理容器，在其中對該處理目標執行一 處理，及壓力谓測部分，其谓測該處理容器内之塵力， 且該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為由該 壓力制部分價測之一壓力值或藉由在統計上處理該值而 獲得之一值。 藉由此組態，例如，可易於分析壓力。 此外在本叙明之半導體製造系統中，該半導體製造裝 \ 進V包3 ·處理容器，在其中對該處理目標執行一 處理；及-氣體流率偵測部分，其偵測引入至該處理容器 内的氣體之流率，日兮走 Μ處理狀愍值獲取部分獲取一狀態 值，、=狀態值為由該氣體流率债測部分债測之一氣體流率 值或藉由在統計上處理該值而獲得之一值。 错由此組態，例如，V且认\ 可易於分析該氣體流率。 根據本發明之資訊處理裝置及其類似物，可易於監視自 半導體製造裝置或其類似物獲取之分別關於使用不同設定 值執行之處理的值。 H9782.doc -19- 200816268 此外’例如，根擔 _ 可將諸如單位之量測單：t貝訊處理裝置及其類似物， 位而定且適合於分析之值。目互不同之值轉換為不視量測單 【實施方式】

於仞看51式描述資訊處理裝置及其類似物之實 施例。在實施例中由 X 作，且0 b P ♦考數字表示之組件執行類似操 作且因此可不重複其描述。 (實施例1) 圖1為說明此實施例中 Ρ,兮电、# 之+冷體製造糸統之組態的方塊 圖。該半導體掣；皮έ Μ η ^ 、。糸、、先具備一資訊處理裝 體製造裝置200。本文φ 〇 及 +導 ^ 中，描述一實例，其中半導體製造 衷置200為用於執行句 机仃包括熱處理之處理的熱處理裝豆 中處理目標為半導 千导體阳回。然而，半導體製造裝置2〇〇可 為任何形式，只要1斟 ^ B A對3有一半導體之處理目標執行處 MU可為任何處理。更具體言之，本發明之組態 二可適用於半導體製造裝置2〇〇呈不同於熱處理裝置之形 弋的Μ’兄或者處理目標為不同於半導體晶圓之含有一半 導體之材料的情汉。女 ㈡况本文中，資訊處理裝置100及半導體 製造裝置200經相互連接，使得(例如)可經由一網路(諸 如網際網路或LAN)或-專用信號線交換資訊。 貝。孔處理裝置100具備一設定值接收部分101、一狀態值 接收部分102、一校正量計算部分1〇3、一校正部分⑽、 '一輸出部分 1〇5、一 T -r 函數儲存部分106及一指定值儲存 部分10 7。 119782.doc -20- 200816268 设定值接收部分1 0 1接收一設定值，該設定值為用於設 定該半導體製造裝置之處理條件之值。舉例而言，本文中 假定由設定值接收部分101接收之設定值為用於設定關於 半導體製造裝置200内之處理目標的處理條件之值。設定 值之特定實例包括用於設定半導體製造裝置2〇〇之處理溫 度、處理壓力、氣體流率、加熱器電功率的值。本文中， 特定地描述設定值為用於設定半導體製造裝置2〇〇内之一 或夕個半導體晶圓之溫度的值之一實例。在待在半導體製 造裝置200中之多個點處設定處理條件之情況下，設定值 接收部分101可接收用於在該多個點之部分或全部處設定 條件的一或多個設定值。舉例而言，在可在半導體製造裝 置200内之多個區域處控制溫度之情況下，可接收對於各 別區域之用於設定溫度之設定值。此外，在諸如用於執行 批夂處理（batch process)之熱處理裝置之半導體製造裝置 中。又定值接收部分1 〇 1可接收逐批不同之設定值。由設 疋值接收部分101執行之接收的實例包括自一輸入單元之 接收、自另一設備或其類似物傳輸的輸入信號之接收及自 儲存媒體或其類似物的資訊之讀出。本文中，描述設定 值接收部分ΗΠ接收自半導體製造裝置(稍後加以描述） 輸出之没疋值的一實例，但不存在對設定值接收部分 1〇1j妾收該設定值之方式的限制。至設定值接收部分101的 設定值之輸人單元可呈任何形式，諸如，數字小鍵盤、鍵 皿立二I、選單螢幕或諸如網路卡之通信設備。設定值接 收p刀101可或可不具備用於自通信設備或儲存媒體讀出 119782.doc -21 - 200816268 =的設備。舉例而言’藉由諸如數字小鍵盤或鍵 設備驅動器、用於選翠營幕之控制軟體或通信： 備之驅動益，可實施設定值接收部分。 部分_收一狀態值，其為獲取的 半導體製造裝置200之-處理期間的狀態之值。"狀能值” 在本文中指當半導體製造裝置咖正根據設定值執^處理 時所獲取之值。"獲取的關於—處理_的狀態之值" 任何值，只要其可加以獲取且可表示半導體製造裂置咖 之-處理期間的狀態便可。其特定實例包括在處理期間自 半導體製造裝置200自身或半導體製造裝置細之内部環境 獲取之量測值、❹此量測值計算的計算值及在處理期: ^半導體製造裳置·内部控制之值。狀態值之實例包括 藉由使用溫度感應器或其類似物在半導體製造寰置⑽中 之處理容器2"内之一所望的位置處量測處理期間之溫度 而獲得之值、藉由使用壓力計或其類似物量測處理壓力而 獲得之值、由瓦特言十量測的加熱器之功率值及量測值之平 句值最大i最小值及標準差。此外，狀態值可為基於 (例如）在處理期間自半導體製造裝置供應至加熱器之電壓 或電流而計算的内部加熱器之功率值。應注意，較佳地， 在由6又疋值接收部分1〇1接收之上述設定值與由狀態值接 收部分102接收之狀態值之間存在相關性。舉例而言，若 設定值為在半導體製造裝置200中之處理容器211内之一所 望位置處的設定溫度，則將在半導體製造裝置2〇〇中之處 理容器211内之一預定位置處的溫度或在處理期間自加熱 119782.doc -22- 200816268 :之輸出作為由狀態值接收部分102接收之狀態值。狀態 為—個值、可為多個值(諸如，隨時間獲取之多個值) 或可為半導體製造裝置每次執行抵次處理時獲取之值。不 存在對狀態值接收部分1〇2接收狀態值之方式的限制。舉 例而言，狀態值接收部分102可經由一通信線接收自另一 =或其類似物傳輸之狀態值，或可讀出儲存於—儲存媒 體或其類似物中之狀態值。此外，狀態值接收部分1〇2可 ^自-輸人單元（諸如’數字小鍵盤、鍵盤、滑鼠或選 早榮幕）輸入之狀態值。舉例而言，藉由諸如數字小鍵盤 =鍵盤的輸入單元之設備驅動器、用於選單螢幕之控制軟 /通信設備之驅動器或用於自儲存媒體讀出資訊之設備 ^ 。己隐卡項取器或CD驅動機）的驅動器，可實施狀能 值接收部分102。 心 /父正量計算部分103使用一校正函數來計算校正量，該 杈正函數為一表示該設定值與狀態值之校正量之間的關係 之函數。校正量指用於校正之一值。舉例而言，校正函數 為=示由設定值接收部分1G1接收之設定值之改變量與校 正里之間的關係之函數，該校正量為狀態值之基於設定值 :改變量而預測的改變量。本文中，使用校正函數，校正 讀算部分！03計算對應於由設定值接收部分⑻接收之設 疋值相對於一預定值的一改變量之校正量。本文中，預定 值：稱為指定值。指定值稍後加以描述。在此實施例中， 更具體言之’藉由將由設定值接收部分101接收之設定值 相對於-預設指定值的一改變量指派至上述校正函數，校 119782.doc -23- 200816268 —里叶异部分103計算校正量。應注意，預測的狀態值特 =也私經預测為在半導體製造裝置中根據設定值執行理想 拴制之情況下加以獲得之一理想狀態值。本文中描述之改 變量诵&社— 书才曰精由自諸如改變後的設定值或狀態值之一值減 去諸如改變前的設定值或狀態值之一值而獲得之一值。改 變量亦可劣朴 曰、σ為精由此減法而獲得之值的絕對值。此外，校正 里亦可為絕對值。稍後對校正函數詳細描述。舉例而言， f.'等杈正函數預先儲存於諸如記憶體之儲存媒體中，且當計 算校正量時將其讀出。本文中，假定校正函數储存於校i 2數儲存部分106中。指定值為用於指定由設定值接收部 二〇ι接收之设定值待轉換至的一值之預設值。舉例而 疋值了由使用者任意設定，或可由資訊處理裝置 100根據由資訊處理裝置⑽接收之設定值或狀態值設定。 牛/而σ §接收到多個設定值時，可將設定值中之一者 作為指定值，或可將該等設定值之間的任何值（諸如，中 C =值）作為指定值。使用校正函數獲得之校正量為在將設 值轉換為私疋值之情況下每一狀態值所需之校正量。更 八體"之，當使用校正量校正由狀態值接收部分102接收 之狀=時，由狀態值接收部分1〇2接收之狀態值經校正 :、、、 疋值為彳日疋值之情況下獲得之狀態值。可將指定值 預先儲存於諸如記憶體之儲存媒體中，或可適當地自諸如 上述設定值接收部分101之接收部分將其接收。本文中， 描，預先儲存於指定值儲存部分1〇7中之指定值由校正量 口十t 口Ρ刀103靖出之情況。舉例而言，校正量計算部分1 〇3 119782.doc -24- 200816268 通常可實施為-酬（微處理單元）或一記憶體。通常，校 :董計异部分収處理程序由軟體加以實施，且軟體儲 存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體 (專用電路）加以實施。 校正部分1〇4使用由校正量計算部们〇3計算之校正量來 校正A由狀態值接收部分102接收之狀態值，藉此獲取-新 的狀恶值。舉例而言，校 八 ^刀104執行自狀態值接收部 接收之狀態值減去校正量之校正。應注意，在校 正里為、纟巴對值之情況下，校 邛刀104執行最終提供與在 果义=為絕對值之情況下獲得之校正結果相同的校正結 乂舉例而言，校正部分104通常可實施為 或一記憶體。通常，校正部八 浐 ΰ刀之處理程序由軟體加以實 ::且：體儲存於諸如職(唯讀記憶體)之儲存媒體中： /思’處理程序亦可由硬體（專用電路）加以實施。 輸^部分1G5輸出由校正部分104校正之狀 中，術語,，輸出為包括在顯示t 本文 紙或其類似物上….愛幕上㉝不、使用印表機在 、 卩、在諸如記憶體之儲存媒體中g 傳輸至外部裝置之柵人仏山 仔螺體中累積及 顯示營幕或印夺趟 105可或可不包括諸如 可由鈐ψ 2 “之輸出設備。舉例而言’輸出部分105 體與該輸出… 或由輸出設備之驅動器軟 鞠出叹備之組合實施。 校正函數儲存於校正函數儲 正函數,，指儲存τ τ # 月…儲存校 儲存部分1〇6不ίΓ 資訊的狀態。對校正函數 子在限制，只要校正函數可儲存於其中便 119782.doc -25- 200816268 可。通常’校正函數儲存部分106較佳為非揮發性儲存媒 體，但亦可實施為揮發性儲存媒體。 指定值儲存於^值料部㈣7巾。對^值健存部 :107广存在限制’只要指定值可儲存於其中便可。通 $才曰定值儲存部分1()7較佳為非揮發性儲存媒體，但亦 可實施為揮發性儲存媒體。 接：來，描述半導體製造裝置2〇〇之組態。應注意，例 半‘體製&裝置2〇〇具有用於根據各種設定對處理目 ‘執仃所望處理之組態。然而，此說明書僅描述用於根據 上述収值對處理目標執行所望處理之主要組態及用於在 對處理目標執行所望處理之狀態下獲取上述狀態值之主要 組態。其他組態及其類似内容為已知技術，且因此省略其 描述。

V 半導體製造裝置200具備處理容器211。舉例而言，處理 容器211亦被稱為反應器容器或反應爐。在處理容器211 中，含有充當處理目標之半導體晶圓250,且其經受預定 的熱處理’諸如，CVD(化學氣相沈積）製程。處理容器211 由耐，絲腐料料（諸如，石英玻璃）製成。處理容器211 具有單-管結構’纟中上端及下端為打開的。使上端變窄 為小的直徑且其形成排氣部分212。舉例而言，排氣部分 2 12經由一排氣管（未圖示）連接至一真空泵（未圖示）。 /用於將處理氣體或惰性氣體引人至處理容器川中之 氣體引入部分213安置於虛王 文直孓恳理备杰211之下部中。將與氣源 連通之多個氣體供應管214插入至氣體引入部分213中。自 119782.doc -26 - 200816268 氣體引入。p分213引入之處理氣體經由處理容器211上升、 被供應至半導體晶圓250上之預定熱處理且接著自排氣部 分212被排出。 處理容器211之凸緣形下端部分215由蓋221(由諸如不銹 鋼之耐熱且抗腐蝕材料製成）打開或關閉。蓋221藉由一升 降機（未圖示）而垂直移動，藉此在提昇位置處緊閉處理容 器211之下鳊部分215，且在降低位置處打開處理容器2工工 之下端部分21 5。 用於緊固氣密性之一〇形環222安置於處理容器211之下 端部分215與蓋221之間。 在盍221之中心部分處豎直可旋轉地提供一旋轉支撐柱 223，且一旋轉台224緊固至旋轉支撐柱223之上端。 此外，用於驅動以旋轉該旋轉支撐柱223之驅動部分225 提供於蓋221下方。 在旋轉台224上，置放由石英玻璃製成之舟226(所謂的 , 半導體晶舟），可在高度方向上以預定間隔將（例如）60個半 導體晶圓250安裝於其中。在已降低蓋221之狀態下，將舟 226置放於旋轉台224上，當蓋221經提昇以緊閉處理容器 211之下端部分215時，將其完全裝載至處理容器211内， 且當在已完成處理後降低蓋22 1時，將其卸載。此外，在 一製程期間，當旋轉台224由驅動部分225旋轉時，舟226 旋轉，且因此對半導體晶圓250執行均勻的熱處理。 處理谷器211由具備一或多個加熱器231之加熱爐230包 圍，加熱器231為用於自半導體晶圓250之周邊部分加熱包 119782.doc -27- 200816268 含於處理容器211中的半導體晶圓25〇之加熱單元。沿著處 理容器211之周邊配置加熱器231。舉例而言，加熱器231 具有電阻熱產生部件，且當供應電力時產生熱。作為電阻 熱產生部件，較佳地使用在溫度上升及下降特性上優越之 石反線或其類似物。然而，不存在對加熱器23丨之結構或其 類似物之限制。本文中，展示由五個加熱器231&至23^組 成一或多個加熱器23 1之實例，但不存在對加熱器數目的 限制。沿著對準半導體晶圓25〇之方向配置加熱器231&至 231e。然而，不存在對配置加熱器231&至2316之點的限 制。 沿著處理容器211之外圓周面提供一或多個溫度偵測部 分241。本文中，描述由五個溫度偵測部分24 la至24le組 成一或多個溫度偵測部分241之實例，但不存在對溫度偵 測口P刀241之數目的限制。本文中，在垂直方向上將五個 溫度偵測部分241a至241e配置成一列，但不存在對配置溫 度偵測部分241之點的限制。溫度偵測部分241&至24卜偵 測溫度，且輸出對應於所偵測溫度的電信號。溫度偵測部 分241a至241e特定地為溫度感應器，且可具有任何結構 (諸如，熱電偶），只要藉此可偵測溫度便可。應注意，不 存在對溫度偵測部分241&至241〇之配置的限制。如稍後加 以描述，溫度偵測部分241&至2410之輸出用於預測配置於 舟226中之半導體晶圓25〇之表面溫度。 半^體製造裝置2〇〇進一步具備一處理設定值接收部分 2〇1、一控制部分2〇2、一處理狀態值獲取部分2〇3及一處 119782.doc -28- 200816268 理輸出部分204。 處理設定值接收部分20 1接收用於設定關於處理目標之 處理條件之設定值。更具體言之，由處理設定值接收部分 2〇1接收之設定值為由設定值接收部分101接收之上述設定 值。在待在半導體製造裝置200中之多個點處設定處理條 件之情況下，處理設定值接收部分201可接收用於在該多 個點之部分或全部處設定條件的一^或多個設定值。舉例而 言’在可在半導體製造裝置200内之多個區域處控制溫度 之情況下，可接收對於各別區域之用於設定溫度之設定 值。此外，在用於執行批次處理之半導體製造裝置（諸如 分批式熱處理裝置）中，處理設定值接收部分2〇丨可接收逐 批不同之設定值。本文中，如上所述，假定設定值為處理 容器2 11内之一或多個半導體晶圓之溫度的設定值。當設 定多個半導體晶圓250之溫度時，處理設定值接收部分2〇1 接收用於半導體晶圓250之各別位置的設定值。不存在對 處理没定值接收部分201接收狀態值之方式的限制。舉例 而言，處理設定值接收部分201可經由一通信線接收自另 一設備或其類似物傳輸之狀態值，或可讀出儲存於一儲存 媒體或其類似物中之狀態值。此外，處理設定值接收部分 201可接收自-輸人單元（諸如，數字小鍵盤、鍵盤、滑鼠 或選單螢幕)輸入之狀態值。本文中，描述已由處理設定 值接收部分201接收之設定值由處理輸出部分2〇4輸出至資 訊處理裝置⑽巾之設定值純部分1G1且此設定值由設定 值接收部分接收之實例。舉例而t，藉由諸如數字小 119782.doc -29- 200816268 鍵盤或鍵盤的輸入單元之設備驅動器、用於選單螢幕之控 :軟體、通信設備之驅動器或用於自儲存媒體讀出資訊之 莆（諸如，„己丨思卡續取器或CD驅動機）的驅動器，可實施 處理設定值接收部分20 1。 控制部分202根據由處理設定值接收部分2〇ι接收之設定 值控制半導體製造裝置200之操作。舉例而言，在設定值 j用於較溫度之值的情況下，控制部分2()2藉由根據由 一或多個溫度㈣部分24H貞測之溫度控制加熱器231之輸 =執行控制，使得處理容器211内之溫度匹配由設定值 °又疋之/皿度。不存在對控制部分2〇2根據設定值控制處理 容器叫内之狀態的方式之限制。舉例而言，可應用所謂 的回饋控制，其中充當控制目標之狀態由感應器或其類似 物在控制目標點處偵測，且半導體製造裝置經控制使 得谓測結果匹配設定值。本文中，描述控制部分2〇2執行 控制使得待設定設定值之一位置（諸如，處理容器川内之 處理目標或特定區)處之溫度匹配由設定值設定之溫度的 實例。本文中，特定地描述一實例，其中如上述jp 2〇〇2_ 25997A中所揭不，控制部分2〇2基於由溫度搞測部分2則 測之溫度，使用用於任# + m ' 、估计處理目標或區之溫度且儲存於一 儲存W刀或其類似物（未圖示）中的模型來估計處理容器川 内之預定處理目標或區夕、w ώ " 之/皿度，且根據此估計個別地控制 -或多個加熱器231，使得處理目標或區之溫度匹配由設 疋值B又疋之恤度。控制部分執行不同於上述的整個半 導體製造裝置200之控制，諸如，氣體流率之控制、閥之 119782.doc -30- 200816268 打開/關閉控制及舟提昇之控制，但此控制為已知技術， 且因此省略其描述。舉例而言，控制部分2〇2通常可實施 為一 MPU或一記憶體。通常，控制部分2〇2之處理程序由 幸人體加以貝％，且軟體儲存於諸如R〇M之儲存媒體中。注 意，處理程序亦可由硬體（專用電路）加以實施。 處理狀態值獲取部分203獲取一狀態值，其為關於在半 導體製造裝置200之一處理期間的狀態之值。通常，此狀 態值與上述由狀態值接收部分1〇2接收之狀態值相同。狀 態值之實例包括由温度偵測部分241偵測之溫度值（亦即， 量測值）及加熱器231之功率值。舉例而言，在基於作為藉 由溫度偵測部分偵測溫度之結果而輸出的信號對處理目標 執行預定處理之狀態下，處理狀態值獲取部分2〇3獲取為 對應於彼信號之溫度值的狀態值。此外，處理狀態值獲取 部分203可獲取為由控制部分2〇2控制的加熱器23丨之功率 值的狀態值，或可獲取為基於由瓦特計（未圖示）偵測之功 率值的加熱器231之功率值的狀態值。本文中，描述溫度 偵測部分241之輸出經一次輸入至控制部分202且溫度偵測 邛刀24 1之輸出自控制部分2〇2輸出至處理狀態值獲取部分 2〇3之h况。然而，溫度偵測部分24丨之輸出可直接由處理 狀態值獲取部分2〇3接收。此外，在此情況下，由處理狀 怨值獲取部分203接收之輸入可由處理狀態值獲取部分2〇3 I田地輸出至控制部分202。舉例而言，處理狀態值獲取 邛刀203通常可實施為一 Mpu或一記憶體。通常，處理狀 態值獲取部分2〇3之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲 119782.doc -31 · 200816268 存於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體 (專用電路）加以實施。 f 處理輸出部分204輸出由處理狀態值獲取部分2〇3獲取之 狀態值。本文中，描述處理輸出部分2〇4將由處理^態值 獲取部分203獲取之狀態值傳輸至資訊處理裝置丨附之狀 態值接收部分1G2之實例。不存在對自處理輸出部分 出狀態值至狀態值接收部分102之時序、觸發或其類似物 之限制。舉例而言，處理輸出部分2〇4並無必要在每欠處 理狀態值獲取部分2G3獲取—關於處理期間的狀態之值時 輸出-狀態值。處理輸出部分2〇4亦可在將多個值臨時累 積於一記憶體或其類似物中後輸出多個值。此外，由處理 輸出部分2〇4輸出之狀態值可累積於資訊處理裝置刚内之 儲存媒體（諸如，記憶體（未圖示））中。此外，處理輸出部 將由處理設定值接收部分2〇1接收之設定值輸出至 收部分1〇卜此外’處理輸出部分2〇4可經由可移 ^存媒體或其類似物與資訊處理裝置ι〇〇交換關於處理 資訊。本文中’術語"輸出"為包括傳輸至 或可不包括諸如通信設備之輸出設備I 二’處理輸出部分204可由輸出設備 輸出設傷之驅動器軟體與該輸出設備之組合實施。 作接Z中參：圖2中之流程圖描述資訊處理裝置1〇〇之操

Lti二 便起見’描述資訊處理裝請接收 +一體製造裝置20。或其類似物輸出之針對執行所望 H9782.doc -32- 200816268 二：設定之設定值及在使半導體製造裝置根據此設 二執仃所望處理之情況下在不同時期獲取之多個狀態值 本文中’假定多㈣11值中之每—者與獲取狀態 值時的時間資訊相關聯。 (步驟S2G1)^值接收部分1()1接收由半導體製造裝置 200或其類似物輸出之設定值。該接收的設定值至少臨時 累積於諸如記憶體（未圖示）之儲存媒體中。 (步驟S202)狀態值接收部分1〇2接收由半導體 2〇〇或其類似物輸出之多個狀能枯 询®之夕個狀怨值。該等接收的狀態值累 積於諸如記憶體（未圖示）之儲存媒體中。 (步驟S203)校正量計算部分1〇3自校正函數儲存部分ι〇6 獲取預先儲存之校正函數。 (步驟S204)；k正量計算部分1()3自指定值儲存部分旧獲 取預先儲存之指定值。 (步驟S205)校正量計算部分1〇3計算在步驟s2〇i中接收 之設定值相對於在步驟82〇4中獲取之指定值的改變量。更 具體言之’藉由自設定值減去指定值獲得改變量。 (步驟S206)藉由將在步驟S2〇5中計算之改變量指派至在 步驟S203中獲取之校正函數，計算校正量。 (步驟S207)校正部分丨〇4將丨指派至計數器κ。 (步驟S208)校正部分1〇4獲取第κ個狀態值。本文中，狀 態值接收部分102在累積於記憶體或其類似物（未圖示）中之 設定值當中獲取由半導體製造裝置細或其類似物獲取之 在時間序列次序上為第尺個值的狀態值。 119782.doc •33- 200816268 (步驟S209)校正部分1〇4以在步驟S2〇6中獲取之校正量 校正在步驟S208中獲取之狀態值。 (步驟S210)輸出部分105輸出在步驟S2〇9中校正之狀態 值。舉例而言，輸出部分105將經校正的狀態值儲存於記 憶體中、將其顯示於顯示螢幕上或將其傳輸至另一裝置。 (步驟S211)校正部分1〇4將計數器尺增加j。 (步驟S212)校正部分104判斷是否存在第尺個狀態值。若 , 存在第κ個狀態值，則程序返回至步驟S208。若不存在第 K個狀態值，則過程結束。 應注意，在圖2中之流程圖中，可在將用於一批之多個 設定值、多個指定值、一次獲取之多個狀態值及其類似值 表達為矩陣之狀恶下執行上述過程。舉例而言，在待在 半導體製造裝置200内之多個區處設定溫度之情況下，'可 將設定值及指定值表達為元素之數目與區之數目相同的矩 陣。此外，在將多個加熱器231之各別功率值或自多個溫 (度偵測部分241所獲取之溫度獲得之多健用作狀態值之 情況下’可將該等狀態值表達為元素之數目匹配加熱器 23 1之數目或溫度偵測部分241之數目的矩陣。在此情況 下，例如’步驟S205、步驟S2〇6、步驟S2〇9及其類似步驟 中之過程由矩陣操作執行。 在以上描述中，描述對作為使用—設定值執行處理之结 果而獲得之狀態值執行諸如校正之處理的情況。然而，例 如，在執行處理同時逐批改變設定值之情況下，可對關於 不同設定值而分別獲得之狀態值執行諸如校正之處理。舉 119782.doc -34- 200816268 例而言’在於步驟S2(H中可接收多個設定值且於步驟讓 中可接收對應於多個設^值之狀態值的情況下，在已遵循 上^:私圖對_ &定值執行該處理後，可判斷是否存在另 值右存在另一设定值，則程序返回至（例如）步驟 /、中如在上述流程圖中，對關於另一設定值而獲 得之狀態值重複執行諸如校正之處理。 在圖2中之流程圖中，藉由斷開電力或處理結束中斷， 結束該過程。 半導體製造系統中之半導體製造裝置2〇〇根據設定值執 行所望處理或者獲取狀態值之上述操作為已知技術，且因 此省略其描述。 接下來，描述一種用於獲取上述校正函數之方法。 本文中ms ’可為半導體製造裝置設^個處理 條件（m為1或更大的整數），且可立即自半導體製造裝置 200獲取諸如自η個量測目標位置獲取之狀態值的n個狀態 值（η為1或更大的整數）。 將用於設定m個處理條件中之第丨個處理條件之設定值記 為Xi(l S z· S m) ’且將用於設定m個處理條件之設定值記為 X，其中X = (X!、…、Xi、…、Xm)。此外，將用於指定待 將設定值X轉換為的值之指定值記為X，其中χ = (χ丨、、

Xi、…、xm)。用於指定待將設定值χ中之每一元素&轉換 為的值之指定值X中之每一元素為Xi。將經預测為在使半導 體製造裝置使用設定值Xi執行所望處理之情況下理想地獲 得之狀態值記為Q ’其中Q = (Q〗、…、Qj、··· Qn)。將經 119782.doc -35- 200816268 預測為在使半導體製造裝置使用設定值^執行所望處理之 情況下理想地獲得之狀態值記為q，其中q = (qi、...、 qj…心）。此外，分別將第j個狀態值記為Qj及^(丨$ j $ )。所望處理之Λ例包括諸如由半導體製造裝置對半導體 晶圓執行之熱處理的處理。應注意，指定值χ可為任何 值，但在設定值X可採用多個值之情況下，多個設定值χ 之最大值與最小值之間的值或在其附近之值為較佳的。

接下來，將設定值χ = (Χι、··、&、D轉換為所望 设定值SP，用於設定表達為一矩陣之校正函數。本文中， 設定值Sp = (SP1、...、Spi、…Spm)。設定值外之元素可 為相同值或不同值。設定值外可為任何值，但在設定值X 可採用多個值之情況下，多個設定值χ之最大值與最小值 之間的值或在其附近之值為較佳的。在上述指定值X之附 近的值更佳。 首先’使半導體製造裝置使用設定值Sp執行諸如熱 處理之所望處理。接著，獲取在此處理期間自半導體製造 裝置200輸出之η個狀態值。狀態值在本文中被稱為初始狀 態值。 接下來’僅將設定值Sp中之第一元素增加單位量(本文 中，增加一）’且使半導體製造裝置2〇〇使用改變的設定值 執行所望處理。應注意，雖然在本文中將該元素增加，但 亦可將該元素減少該單位量。 接著，獲取在此處理期間自半導體製造裝置2⑼輸出之打 個狀態值。藉由自η個狀態值減去初始狀態值，獲得η個狀 119782.doc -36- 200816268 「值之改變量。將n個狀態值之改變量表達為一矩陣 (aU、.··、％、...、an丨)。 按:似方式，僅將設定值Sp令之第丨個元素增加單位量 9加）’且使半導體製造褒置2GG使用改變的設 丰、了 f望處理。藉由自在此處理期間獲得之狀態值減 初始狀態值，獲取狀態值之改變量、 ani)。 依序執行此過程，直至i = m，且獲得矩陣A，其中當將 =㈣之第i個元素增加單位量時所獲得之狀態值的改 义里經设定為第丨行_之值。矩陣A可表達如下。 、 lm ·· aii .· A = aji… jm 接著 定義具有作為係數之矩陣A的下列校正函數 △Q = (Q.q): Α(Χ.χ) …〜··· aim、 ： · · 4叫 △Qj = aji • * ♦ · • t ··· % …ajm ： · ^anl ♦ · . ： ··· ani…已臟夕 VXm 在此权正函數中 ， △Q =(AQi、… 、AQj、 預測為在設定值為Χ之情況下獲得之理想狀態值q與經預 測為在設定值為指定值X之情況下獲得之理想狀態值q之間 的改變篁。扠正函數為表示在當設定值自X改變至X時改變 量AQ與經預測為根據設定值χ&χ控制半導體製造裝置 119782.doc -37- 200816268 之情況下獲得之狀態值之間的關係之函數。更具體言之， 當使用AQ作為校正量來校正使用設定值义自半導體製造裝 置200獲取之狀態值時’可將狀態值校正為待在設定值為 指定值X之情況下獲得之狀態值。 舉例而言，描述設定值為半導體製造裝置200之處理溫 度的設定值之情況。如在上述ρ ·2·25997Α中，在待根 據設定值加以控制之目標（諸如，半導體晶圓）的位置不同 於用於偵測溫度之溫度偵測部分的位置之情況下，或者在 女置於拴制目標位置處以便執行回饋控制之溫度偵測部分 的配置不同於經安置以便將狀態值輸出至外部之溫度偵測 部分的配置之情況下，在根據設定值控制的位置處之溫度 通系採用σ又疋值與狀悲值之間的不同值。此外，溫度之差 異程度視諸如溫度之設定值之因素而變化，且並非恆定 的。為了比較藉由使半導體製造裝置200使用相互不同之 一第一設定值及一第二設定值在不同時期執行所望處理而 獲得之狀態值，一方法係可以想像的，其中藉由組成在將 第二設定值疊加於第一設定值上之情況下獲得之狀態值， 藉由自基於第二設定值獲得之狀態值減去第二設定值相對 於第一設定值之改變量，將狀態值相互比較。然而，在此 情況下’設定值之改變量可能未必匹配藉由根據設定值執 行控制而獲得之狀態值的改變量，且因此可能不能將不同 的狀態值準確地相互比較。 另一方面，在此實施例中，實際上基於狀態值，獲取表 示設定值之改變量與狀態值之改變量之間的關係之校正函 119782.doc -38- 200816268 數。因此，當將設定值與充當待將設定值轉換為的一值之 才曰疋值之間的差指派至校正函數時，可獲得在一理想的情 況下之該狀態值之改變量。因此，當使用此改變量作為校 正s來校正（本文中，減）狀態值時，可獲得經預測為在設 定值為指定值之情況下獲得之一理想的狀態值。 在下文中，描述在此實施例中的半導體製造系統之特定 操作。圖3展示半導體製造系統之概念圖。本文中，例 如，假定資訊處理裝置100由一電腦1〇實施。此外，例 如，本文中假定半導體製造裝置2〇〇中之處理設定值接收 部分201、控制部分202、處理狀態值獲取部分2〇3及處理 輸出部分204由電腦20實施以用於控制，電腦2〇為半導體 製造裝置200之一部分。應注意，本文中使用之設定值及 狀態值為準備用於解釋之值，且與實際設定值或在根據該 設定值執行處理時獲得之狀態值不同。 舉例而言，本文中假定半導體製造裝置2〇〇為熱處理裝 置，且半導體製造裝置200内配置半導體晶圓之區域被分 為在垂直方向上配置的五個區“至Ze。可為半導體製造裝 置200中之處理容器21丨内之五個區〜至Ze中的每一者中之 半導體晶圓設定處理溫度，且狀態值接收部分1〇2接收對 應於为別由五個溫度貞測部分241 a至241 e债測之溫度的五 個狀態值。 本文中，為五個區Za至Ze中之半導體晶圓準備兩組不同 的溫度設定值。在兩組設定值中，將第一組中之設定值 (下文中稱為”第一設定值。記為（7〇〇、695、695、705、 119782.doc -39- 200816268 710)，且將第二組中之設定值（下文中稱為，，第二設定值，，） 記為（600、605、600、710、610)。第一設定值表示區Za 中之半導體晶圓之溫度經設定為7〇〇、區zb中之半導體 晶圓之溫度經設定為695。(：、區Zc中之半導體晶圓之溫度 經設定為695°C、區Zd中之半導體晶圓之溫度經設定為7〇5 C且區Ze中之半導體晶圓之溫度經設定為71〇ι。第二設 定值表示以類似方式設定溫度。在使用第一設定值設定各 別區中的半導體晶圓之溫度後，半導體製造裝置2〇〇在逐 批之基礎上重複地對半導體晶圓執行預定處理。接著，狀 怨值接收部分102獲取對應於分別由溫度偵測部分241&至 24 1 e在處理溫度穩定期間偵測之溫度的每批五個狀態值之 各別平均值。 本文中，首先準備校正函數。更具體言之，準備用於設 定校正函數之設定值，例如，五個區中的半導體晶圓上之 處理溫度的設定值（Spi、Sp2、Sp3、Sp4、Sp5)。接著，使 用该等值作為區Za至Ze之設定值，使半導體製造裝置2〇〇 執行熱處理。在該熱處理期間，基於分別由半導體製造裝 置200中之溫度偵測部分241&至24卜依序偵測之溫度，處 理狀態值獲取部分203依序獲取在溫度偵測部分24U至 24 le之各別位置處的處理溫度值，且計算在該等位置處的 處理溫度之平均值。在該等各別五個位置處的處理溫度之 平均值經獲得作為上文描述之初始狀態值L。舉例而言， 本文中，初始狀態值t0 = (Tqi、Tq2、t〇3、Tq4、Tq5)。 接下來，將用於設定校正函數之設定值改變為（Spl+1、 119782.doc 200816268 SP2、Sp3、Sp4、Sp5)，且以類似方式獲取在五個溫度偵測 部分24 la至241 e之各別位置處的每批處理溫度之平均值I =(Tu、T12、T13、T14、T15)。 按類似方式’將用於設定校正函數之設定值改變為 (Spi、Sp2+1、Sp3、Sp4、Sp5) ’且獲取處理溫度之平均值 Τ2 = (τ21、τ22、Τ23、Τ24、τ25)。將用於設定校正函數之 設定值改變為（Spi、SP2、补3 + 1、补4、补5)，且獲取處理 溫度之平均值 T3 = (T31、T32、T33、T34、T35)。”^ 定校正函數之設定值改變為（Spl、Sp2、Sp3、&Μ、 Sp5)，且獲取處理溫度之平均值Τ4 = (τ“、、 T44 Τ45)。將用於設定校正函數之設定值改變為（SP1、 SP2、SP3、Sp,、SP5+1)，且獲取處理溫度之平均值几= (T51、τ52、τ53、τ54、τ55)。

接著，計算Tl-T。= (an、a2i、a3i、a“、a”)，H (am、一52) ’ T3-T。= (ai3、a23、、、a43、 a53) ’ IVT。= (ai4、a24、a34、a“、 a25、a35、化、a55)，且獲得將計算結果作為行1矩陣T 矩陣A如下。 lll d12 ai3 a 14 M5 a21 a

A 22 a23 a24 a l32 a33 a34 a a4i a42 a43 a44 a .asi a52 a53 a54 l31 25 35 45 接著 定義具有作為係數的矩陣A之下列校 正函數 119782.doc -41 - 200816268 an a21 a31 a41 la51 在此校正函數中，x = (Xl、X2、X3、X4、X5)表示當實 際執行處理時的溫度之設定值，χ = (χι、&、&、〜、χ5) 表示用於指定待將設定值Χ轉換為的值之指定值，且AQ = (△Qi、AQ2、AQ3、AQ4、AQ5)表示校正量。 / ί △Q = Α(Χ - χ) △q2 ΛΟ △q4 Uq。 ai2 ai3 a22 a23 a32 a33 a42 a43 a52 a53 14 ο Λ ai5 卜- Xl^ 24 a25 X2 - x2 34 a35 X3 - X3 44 a 45 X4 - X4 54 a55 j Us- X5. 接下來’在半導體製造裝置200中設定第一設定值，且 執订熱處理。在此熱處理期間，基於分別由半導體製造裝 置200中之溫度偵測部分241&至2416依序偵測之溫度，處 理狀態值獲取部分2 〇 3依序獲取在溫度偵測部分2 4丨a至 2/le之各別位置處的處理溫度值，且計算在該等位置處的 母批處理溫度之平均值。半導體製造裝置2〇〇將第一設定 值輸出至資訊處理裝置剛。此外，在半導體製造裝置2〇〇 中處理輸出邛分204將藉由溫度偵測部分241a至241e偵 測的在五個各別位置處之處理溫度的平均值輸出至狀態值 接收部分102。對於多個批，重複此過程。 設定值接收部分101自半導體製造裝置2〇〇接收設定值。 狀態值接收部分102接收在溫度偵測部分24]^至以“之 位置處之每批處理溫度值的平均值。狀態值接收部分ι〇2 將獲取的平均值臨時儲存於—障 丁两什y 。己憶體或其類似物中。平均 值為狀態值。圖4將平均值展千泉 Α合 乃丁丁 J值展不為一曲線。在圖4中，水平 軸表示時期（本文中，批數），且垂首 景人J且工置釉表不由溫度偵測部 119782.doc -42- 200816268 分241a偵測的溫度之平均值。為了方便起見，此說明書僅 描述由一個溫度偵測部分241a偵測之處理溫度值，但對於 一批，狀態值接收部分102實際上獲取五個處理溫度值。 接下來，使用上述校正函數，計算校正量。更具體言 之，藉由將值指派至上述校正函數之乂及χ，獲得校正量 △Q。作為設定值X，指派第一設定值。作為指定值X，詳 言之，在本文中指派第二設定值。因此獲得之校正量 為（90 、 88 、 91 、 94 、 94)。 因此獲得之校正量AQ為改變量，，亦即，由溫度偵測部 分241㈣且經預測為在使用第m執行熱處理之情 況下獲得之理想處理溫度與由溫度價測部分2叫貞測且經 預測為在使用第二設定值執行熱處理之情況下獲得之理想 處：溫度之間的差。當將設定值自第一設定值轉換為第二 设定值時，藉由以校正量AQ校正使用第_設定值獲得之 處理恤度值’可獲# M制為在使用第二設定值執行熱處 理之情況下獲得之處理溫度。 對於每-批，狀態值接收部分⑽讀出為由溫度㈣部 刀24 la至241㈣測之處理溫度值的平均值之狀態值。校正 部分⑽自該等狀態值減去校正量·且將所獲得之值臨 時儲存於-記憶體或其類似物中。對㈣有批，重複此過 备'。舉例而吕，技正邱八1 η /1 Α 邛刀104自為由溫度偵測部分241 a偵 測之處理溫度值的平均值 J值之狀恶值中之母一者減去A = 9〇(度 接下來 在半導體製造裝置2〇〇中設定第二設定值，且 119782.doc -43· 200816268 ^一…、处理在此熱處理期間，基於分別由半導體製造裝 置200中之溫度偵測部分2 —至24卜依序侦測之溫度，處 理狀態值獲取部分203依序獲取在溫度偵測部分24^至 ^41e之各別位置處的處理溫度值，且計算在該等位置處的 每批處理〆皿度的平均值。為在五個各別位置處的處理溫度 平句值之狀怨值由處理輸出部分2〇4輸出至狀態值接收 部分1〇2。對於多個批，重複此過程。 &狀^值接收部分丨02獲取每一批之狀態值。將獲取的狀 先、值ε品時儲存於一記憶體或其類似物中。本文中，待將使 =第一設定值獲得之狀態值校正為經預測為在使用第二設 ^值執仃處理之情況下獲得的狀態值，使得並不校正使用 第二設定值獲取的狀態值。 輸㈣分1〇5(例如）以曲線圖的形式將由校正部分1〇4對 =使用第-設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度執 仃=校正之結果及在使用第二設定值執行熱處理之情況下 獲知之處理溫度顯示於顯示螢幕110上。 / 5展示輸出部分105之-顯示實例，且為展示由校正部 刀W對在使用第一設定值執行熱處理之情況下獲得之處 理溫度的狀態值執行的校正之結果及在使用第二設定值執 仃熱處理之情況下獲得之處理溫度的曲線圖。在圖5中， 水平軸表示時期（本文中，為批數），且垂直軸表示由溫度 偵測部分24U债測的溫度之平均值。為了方便起見，此說 以❹述由溫度㈣部分241讀測之處理溫度值及藉由 校正處理溫度而獲得之值，但對於一批，實際上存在五個 H9782.doc -44- 200816268 處理溫度值。校正部分104將在使用第一設定值執行熱處 理之情況下獲得之處理溫度值校正為經預測為在使用第二 設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度，但在使用第 二設定值執行熱處理之情況下獲得之處理溫度值並未加以 校正，因為設定值首先為第二設定值。 舉例而言，如在使用基於如JP 2〇〇2_25997A中描述之溫 度杈型估計之溫度控制在半導體製造裝置2〇〇内之預定位 置處的溫度之情況下，若在半導體製造裝置200内的根據 設定值執行控制之位置與溫度偵測部分241a偵測溫度之位 置不同，則即使執行了理想的控制，通常設定值與由溫度 偵測部分24U偵測之溫度亦並非相同的溫度。因此，如在 圖5中所示，當將經預測為由溫度偵測部分以^在一理想 狀態下於使用第一設定值控制半導體製造裝置2〇〇内之控 制目標位置處的溫度以匹配由設定值設定之溫度的情況下 偵測之溫度值記為。時，在將溫度Ta作為標準的情況下， ( 為實際上由溫度偵測部分241a在使用第一設定值執行的熱 處理期間债測之溫度值的狀態值似乎在溫度Ta之附近。此 外，當將經預測為由溫度偵測部分241a在一理想狀態下於 使用第二設定值控制半導體製造裝置200内之控制目標位 置處的溫度以匹配由設定值設定之溫度的情況下摘測之溫 度值記為Tb時，在將溫度Tb作為標準的情況下，為實際上 由溫度债測部分241&在使用第二設定值執行的熱處理期間 债測之溫度值的狀態值似乎在溫度Tb之附近。因此，藉由 檢查量測之處理溫度（狀態值）與〜及巧之間的差，可料 H9782.doc -45- 200816268 半導體製造裝置200是否正適當地操作。 馬，主思，在圖5 中，為了方便起見，展示值Ta、Tb，曰* 中之實際值。 並不可能判斷圖5 可將上述校正函數看作定義設定值之改變量盥基於〜 值預測的狀態值之改變量（本文中，為由溫μ測部^ 偵測的溫度值之改變量）之間的關係之函數。因此，美、 第一設定值與第二設定值之間的差，使用校正函數計^ 板正篁對應於圖所示之Ta_Tb之值。因&，當校正^八 1〇4藉由使用校正函數獲得之校正量來執行校正時，由二 度偵測部分24U在使用第一設定值執行的熱處理期間^ 之溫度值經校正使得將溫度Ta疊加於溫度几上。更具體言 之’為當使用兩個設定值（亦即，第一設定值及第二讯定 值）執行熱處理時獲得之處理溫度值之狀態值經校正，使 得充當其分布標準之溫度丁❹得以疊加。舉例而古，當 判斷半導體製造裝置2〇〇是否正適當地操作時，温訂^ T:用作標準溫度。因& ’當處理溫度之量測結果經疊加 使侍此等軚準值相互匹配時，使用相同的標準，可判斷獲 取的關於使用不同設定值執行之處理的狀態值是否正常。 結果，可適當地監視獲取的關於使用不同設定值執行之處 理的實際量測值，亦即，處理溫度之量測結果。實際上， 在此實例中不能指定疊加的溫度Tb，但(例如)當―：顯著 不同於處理溫度之疊加的量测結果中之其他值時，可判斷 ，應於该值之處理存在一些錯誤或者半導體製 〇

存在一些錯誤。 I 119782.doc • 46 - 200816268 lJ而σ本文令，由溫度偵測部分24 1在使用第一設 _之處理温度值的平均值經校正使 付豐加第-設定值及第二設定值之過程係可以想像的。更 具體言之，由於第一 F7 > 、， ^ ^之弟一設定值與第二設定值之間 的差為戰，因此為了使第一設定值匹配第二設定值， 值減去L ’且亦自由溫度_部分Μ在使 用第-設定值執行的處理期間偵測之處理溫度值之平均值 、、去00 C圖6展不杈正部分1〇4執行此過程之情況下的 顯示實例。 k 、而第《又疋值及第二設定值皆與由溫度债測部分 Τ在理想狀態下㈣之溫度不同，且因此在使用第一設 疋值或第二設定值作為標準的情況下不能說由溫度偵測部 分241侦測之溫度值為分布式的。因此，即使由溫度傾測 部分谓測之溫度值（亦即，狀態值）經校正使得第一設定 ，及第二設定值得以疊加，作為使用第一設定值及第二設 定值執行熱處理之結果而獲得之狀態值亦尚未得到校正， 使得各別分布中之標準溫度得到疊加。結果，使用相同的 標準’不可能判斷為獲取的關於使用不同設定值執行之處 理的處理溫度之量測結果的狀態值是否正常。舉例而言， 用於判斷使用第二設定值獲取的狀態值是否適當之諸如臨 限值之判斷標準不可用作使用第一設定值獲得的處理溫度 之量測結果之判斷標準。因此，有必要基於各別判斷標準 個別地判斷使用第一設定值獲得的處理溫度之量測結果及 使用第二設定值獲得的處理溫度之量測結果是否正常。因 119782.doc •47- 200816268 此不可此同時監視獲取的關於使用不同設定值執行之處 理的處理溫度之量測結果。 舉例而S，如在圖8中所示，在如上所述疊加在第一設 定值700 C下獲知之狀態值犮在第二設定值6〇〇它下獲得之 狀態值的情況下，以顯著分散的方式顯示自第-設定值及 第二設定值獲得之狀態值，儘f該等狀態值分布於經考慮 為對各別設定值係理想的溫度之附近，且因此難以判斷狀 態值是否正常。 / 一方面’如圖5中所示，在執行如此實施例中描述之 校正的情況下’可疊加對於不同設定值而獲得之狀態值， 使得疊加經考慮為對各別設定值係理想的溫度^結果，只 要狀態值接近正常值，則所有的狀態值可分布於一值之附 近，且因此易於判斷狀態值是否正常。 如上所述，根據此實施例，使用校正函數獲得校正量， 其為狀態值之基於設定值之改變量而預測的改變量。接 著，使用校正量校正狀態值。因&，在該等狀態值得到校 正使得在使半導體製造裝置使用各別設定值執行所望 處理之情況下獲得之理想狀態值得到疊加後，可輸出根據 各種設定值獲得之狀態值。因此，例如，以疊加方式顯示 根據不同設定值獲得之狀態值，1因此可將控制圖或其類 似物整合於一個圖中，使得可易於監視半導體製造裝置及 其類似物。此外，可簡化管理半導體製造裝置之操^， 因此可易於執行監視半導體製造裝置及其類似物之操作且 此外，可以疊加方式顯示根據不同設定值獲得之狀態值j 119782.doc -48- 200816268 且因此可易於將狀態值相互比較。 此外’在前述實施例中，校正函數之係數係基 將初始值之元素增加罝# b κ主π 卜 ^ a加早位曹之情況下獲得之狀態值而判定 的。然而，在本發明中，半導體製造裝置2〇〇之轉移函數 之穩態增益亦可用作校正函數之係數。轉移函數之… 益指在穩定狀態下輸出之改變寬度相對於輸入之改變： 之比率。此穩態增益對於控制一裝置係必要的，且經預； /

用於-待加以控制之裝置，諸如此實施例中之半導體製= 裝置200。因此，可栋矣、去 J使用表達為矩陣之穩態增益而非係數 A 〇 正函數表達 舉例而言’當將穩態增益記為〜時，可將校 如下。 △ Q=Ag(X-x) 當使用此校正函數而非之前的校正函數時，達成類似於 上文所描述之效果的效果。此外，當以此方式使用半導體 製造裝置2GG之穩態增益時，獲得校正函數之係數的上述 操作並非必要。因&，可在不使半導體製造裝置200執行 所望處理之情況下設定校正函數，使得可易於設^校正函 數0 此外’在此實施例中，亦可應用如圖7中所示之組態， 其中··在校正部分1()4與輸出部分⑼之間提供—判斷:分 1〇8 ’在判斷部分1〇8處，將一預設臨限值與一由校正部分 104枚正之值相互比較；基於比較結果，#斷部分1〇8指導 輸出部分105輸出表示半導體製造裝置2〇〇或其過程是否存 H9782.doc -49- 200816268 些錯誤之判斷結果；且回應於此 、當地輪出表示半導體製造裝置咖或曰’輸出部分1〇5 ^之資訊。應注意，此等臨限值之數目；：存在-些錯 舉例而言，可提供規定半導體製造農置二:個或多個。 上限臨限值及下限臨限值。 田知作的範圍之 圖8展示在無任何處理（諸如，藉 校正量進行的校正）之情況下輸 ^正函數獲得之 述之第-設定值及第…定值使用前述實例中描 值的處理溫度之情況。 功間獲得之狀態 在如圖8中所示之情況下，在並不 之情況下，不疊加為狀態值之處理溫声 s仃才父正 半導體製造裳置200適當地操作之下^歹'二用於判斷 值分別為用於對應於第一設定值之處理：=臨限 及用於對應於第二設定值之及 Th22。 处埋/皿度的丁112丨及 在此實施例中，詳言之，藉由使用校 量來校正在使用不同設定值執 匕“之权正 值，使得充當各別值之分布標準的理想狀態下之狀：：： 以豐加。通常，臨限值及其類似值用於#〜 "侍 狀態下之狀態值作為標準經判斷為異:：值：二最理？ 此，當狀態值經校正使得標準值得到疊加時（亦即二: 態值經校正使得wTb得到疊加時），可共同地使用= 比較之臨限值。因此’針對在使用一設定值執行的處理期 間獲付之狀悲值所設定之臨限值亦可用於其他設定值。 119782.doc -50- 200816268 "舉例而t ’在如圖9中所示之情況下，藉由以校正量執 :才父正而疊加作為狀態值之處理溫度，對於對應於第二設 疋值之處理溫度，若已將臨限值几21及η”設定為用於判 斷半導體製造裝置正適#地操作之臨限值，則在無任 何處理之情況下，臨限值T^Th22亦可用於在校正部分 104大枚正對應於第_設定值之處理溫度時所獲得之值。 因此，在此實施例中，可共同使用針對使用不同設定值 執行之處理所設定的臨限值，且因此可減少設定臨限值之 工作及時間。 ^外，在前述實例中，描述了設定值為溫度之設定值且 狀態值為由溫度偵測部分偵測之溫度值的情況。然而，本 月亦可適用於其他設定值或狀態值。舉例而言，本發明 t用於σ又疋值為溫度之設定值且狀態值為由處理狀態 值獲取部分203獲取的加熱器231之功率值的情況。 、此外，在前述實例中，描述待指派至校正函數之指定值 為第二設定值之情況。然而，指定值亦可為不同於第二設 疋值之值。在此情況下，校正部分104有必要亦藉由使用 &正函數獲得之校正量來校正在使用第二設定值執行的處 理中獲得之狀態值。 卜在勒述貝例中，描述了在使用兩個設定值執行之 處理中由溫度偵測部分241偵測的溫度值被疊加之情況。 然而，本發明亦可適用於在使用三個或三個以上設定值執 仃之處理中由溫度偵測部分24 1偵測的溫度值被疊加之情 況。 119782.doc -51 - 200816268 更具體言之，可應用一組態，其中：設定值接收部分 101接收多個設定值；狀態值接收部分102接收分別對應於 多個設定值之多個狀態值；校正量計算部分1〇3使用校正 函數來計算分別對應於多個狀態值之多個校正量；校正部 分104藉由由校正量計算部分1〇3計算之多個校正量來校正 分別對應於多個校正量之多個狀態值；且輸出部分1〇5輸 出由校正部分校正之多個狀態值。 (實施例2) 圖10為說明此實施例中之半導體製造系統之組態的方塊 圖。該半導體製造系統具備一資訊處理裝置3〇〇及半導體 製造裝置200。 半導體製造裝置200之組態與上文實施例1中一樣，且因 此省略其描述。 資訊處理裝置3〇〇具備設定值接收部分1 〇 i、狀態值接收 部分102、校正量計算部分丨〇3、校正部分丨〇4、輸出部分 1〇5、校正函數產生部分3〇1及函數產生資訊儲存部分 302 〇 設定值接收部分101、狀態值接收部分102、校正量計算 部分103、校正部分104及輸出部分1〇5之組態與上文實施 例1中一樣，且因此省略其描述。然而，在此實施例中， 才父正量計算部分103使用由校正函數產生部分301產生且表 示由設定值接收部分101接收之設定值與校正量之間的關 係之校正函數來計算對應於由設定值接收部分1〇1接收之 設定值的校正量，該校正量為基於設定值預測之狀態值。 119782.doc •52- 200816268 权正函數產生部分3()1使用多組設定值及對應於該設定 值^態值產生-校正函數。更具體言之，校正函數為表 不5又疋值與為基於設定值預測之狀態值之校正量之間的關 係之函&預測的狀態值特定地指經預測為根據設定值而 理想地獲取之狀態值。校正函數為使用多組設定值及對應 於該設定值之狀態值獲得之函數，更具體言之，一近似 式技正函數產生部分301基於多組設定值及對應於該設 定值之狀態值獲得-校正函數，其為表示設定值與校正量 之間的關係之近似式。由校正函數產生部分301產生之近 似式可為任何近似式，諸如，r次方程式㈣i或更大之整 數）、指數函數或對數函數。此外，校正函數產生部分3〇1 :使用任何演算法及其類似方法產生該近似式。基於多組 貧讯產生近似式及其類似物之過程或組態為已知技術，且 因此省略其描述。多組設定值及對應於該設定值之狀態值 (該等組由校正函數產生部分3〇1用於產生校正函數）可經準 備用於產生校正函數，或可為實際上待由校正量校正之狀 態值及用於獲得狀態值之設定值。本文中，描述校正函數 產生。P刀301使用為儲存於函數產生資訊儲存部分中的 多組：定值及對應於該設定值之狀態值之函數產生資訊產 生一校正函數之情況。舉例而言’校正函數產生部分301 通常可實施為_Mpu或一記憶體。通常，校正函數產生部 刀之處理知序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如 應之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電 路）加以實施。 电 119782.doc -53- 200816268 應注思，亦可應用下列組態’其中：提供如上文實施例 1中之校正函數儲存部分；由使用者設定之校正函數及由 其他裝置產生之校正函數而非由校正函數產生部分301產 生之校正函數累積於校正函數儲存部分中；且校正函數由 校正量計算部分103讀出並使用。 f 多組設定值及對應於該設定值之狀態值可儲存於函數產 生資訊儲存部分302中。可預先儲存該等組，或可累積由 設定值接收部分101接收之設定值及由狀態值接收部分 獲取之狀態值。在校正量計算部分1〇3執行第一過程前， 可將成組的第一設定值及狀態值儲存於函數產生資訊儲存 部分302中。或者，可將成組的由設定值接收部分丨〇1接收 之設定值及由狀態值接收部分102獲取之狀態值依序添加 至函數產生資訊儲存部分3〇2。在此情況 訊時，校正函數產生部分3〇1可再次產生一校 此权正函數替換其先前的校正函數n函數產生資訊 儲存部分302較佳為非揮發性儲存媒體，但亦可實施為揮 發性儲存媒體。 2下來，參看圖U中之流程圖描述資訊處理裝置_之 在圖U中，與圖2中相同之參考數字表示相同 應的步驟。本文中 在 ^ 理所— 4 了方便起見，描述針對執行所望處 里所权疋之設定值及在使半導體製造 值鈾；%饮疮 直200根據此設定 值執仃所望處理之情況下在不同時期獲取 ： +導體製造裝置200或其類 您值由 情況。太令士 y 别貝訊處理裝置100之 本文十，假定多個狀態值中之每 母者與獲取狀態值 119782.doc -54- 200816268 時的時間資訊相關聯。此外，例如，本文中假定多組設定 值及在使半導體製造裝置2 0 0根據彼等設定值執行所望處 理之情況下獲取之狀態值預先累積於函數產生資訊儲存: 分302中。 (步驟si ιοί)設定值接收部分1〇1接收由半導體製造裝置 2〇〇或其類似物輸出之設定值。該接收的設定值累積於諸 如記憶體（未圖示）之儲存媒體中。應注意，設定值可累積 於函數產生資訊儲存部分3〇2中。 、 (步驟S1102)狀態值接收部分1〇2接收由半導體製造裝置 200或其類似物輸出之多個狀態值。胃等接收的狀態值累 積於諸如記憶體（未圖示）之儲存媒體中。應注意，狀態值 可累積於函數產生資訊儲存部分3〇2中。 (步驟s11G3)校正函數產生部分3G1自函數產生資訊儲存 部分302讀丨多組設定值及對應於該設定值之狀態值，且 產生一校正函數。以體言《，產生在設定值與獲取值之 間的一近似式。 (步驟S1104)校正量計算部分1〇3藉由將該設定值指派至 在步驟S11G3中產生之校正函數來計算對應於在步驟s⑽ 中接收之設定值的校正量。 在以上描述中，描述對作為使用一設定值執行處理之結 果而獲得之狀態值執行諸如校正之過程的情況。然而，例 如，在執行處理同時逐批改變設定值之情況下，可對關於 不同設定值而分別獲得之狀態值執行諸如校正之過程。舉 例而言，在於步驟S1101中可接收多個設定值且於步驟 119782.doc -55- 200816268 SI 102中可接收對應於多個設定值之狀態值的情況下，在 已遵循上述流程圖對一設定值執行該過程後，可判斷是否 存在另一设定值。若存在另一設定值，則程序返回至（例 如）步驟S207,其中，如在上述流程圖中，對關於另一設 定值而獲得之狀態值重複執行諸如校正之過程。 在圖11中之流程圖中，藉由斷開電力或處理-結束中 斷，結束該過程。 接下來，描述一種用於獲取上述校正函數之方法。 f先，對於兩個或兩個以上設定值中之每一者，使半導 體製造裝置200多次執行—處理。將獲得之多個狀態值繪 八；軸表示叹疋值且y軸表示狀態值之曲線圖上，如圖U 中所不本文中，為了方便起見，描述關於來自半導體製 仏衣置200之-設定值而獲取之一狀態值的情況，亦即， 該設定值及該狀態值呈…矩陣形式的情況。然而，該設 定值及該狀態值可呈一矩陣形式，其中每一者具有多個元 素0 接下來 土；該設定值及該狀態值獲得函數y = 舉例而吕’本文中徊令 _ 、 甲假疋近似式為y = ax + b。不存在對獲 得近似式之方式的限制。 口 ： 〃 b獲彳于之近似式看作表示設定值與理想狀態值之 間的關係之函數。因此，藉由將設定值指派至近似式中之 X，可獲侍被考慮為對於一設定值係理想的狀態值。 在此實施例中，鞋 错由自狀悲值減去值y而將自半導麫贺 造裝置200獲得之邾、 曰干等體策 您值表達為相對於一理想狀態值之 119782.doc -56- 200816268 同，、、〈、而在此實施例中，基於不同設定值而獲得之狀態 值經校正為相對於每_設定值之_理想狀態值之差，且因 此使用每< &值之—理想狀態值作為標準，可比較基於 差1態值係作為半導體製㈣置勘使用—特殊設定值 執仃一處理之結果而獲得，且值y係藉由將與上述設定值 。同之叹疋值指派至近似式中之X而獲得。藉由此過 、吏用.亥近似式，可將對於不同設定值而獲得之狀態值 達為相對於基於每_設定值而預測之理想狀態值之差。 如=施例1中所描述’難以比較基於不同設定值而獲得之 狀恶值’因為其設定值與自其獲得之理想狀態值相互不 不同設定值而獲得之狀態值。 在下文中，描述此實施例中的半導體製造系統之特定操 作。該半導體製造系、統之概念圖與圖3相同，&了資訊處 理裝置300係由電腦10實施之外。舉例而言，本文中假定 半導體製造裝置200為熱處理裝置。為了方便起見，描述 將半導體製造裝置200内mZa中料導體晶圓之設定溫 度作為設定值且將加熱器23 la之輸出作為狀態值的情況。 應注意，本文中使用之設定值及狀態值為準備用於解釋之 值，且與實際設定值或當根據該設定值執行處理時獲得之 狀恶值不同。本文中，描述將加熱器23丨&之在將熱處理之 溫度設定為60(TC及700°C之情況下獲得的電功率值相互比 車父之一實例。此外，描述待經校正的狀態值及對應的設定 值用於產生校正函數之情況。更具體言之，描述由設定值 接收部分101接收之設定值及由狀態值接收部分102接收之 119782.doc -57- 200816268 狀恶值累積於函數產生資訊儲存部分302中之情況。 首先，將设定值（本文中，設定溫度）設定為6〇〇〇c，且 半‘體製造裝置2〇〇執行熱處理。半導體製造裝置2〇〇將此 口又疋值輸出至設定值接收部分1〇1。狀態值接收部分1〇2在 函數產生育訊儲存部分3〇2中累積設定值。此外，在半導 體製造裝置200中，在處理溫度穩定期間加熱器231&之電 功率由處理狀態值獲取部分2〇3以一預定時序獲取，且該 獲取的電功率值由處理輸出部分輸出至資訊處理裝置 3〇〇。資訊處理裝置300中之狀態值接收部分1〇2在一記憶 體或其類似物（未圖示）中臨時累積電功率值，且計算每一 批之平均值。獲取的電功率之平均值在本文中為狀態值。 狀恶值接收部分102在函數產生資訊儲存部分3〇2中累積與 設定溫度相關聯之狀態值。對於多個批，重複此過程。 接下來，將設定值設定為70(rc，且以一類似方式對多 批執行熱處理。與設定溫度相關聯的獲取的電功率之平均 值累積於函數產生資訊儲存部分3 〇2中。 圖13將儲存於函數產生資訊儲存部分3〇2中的加熱器 231a之功率值展示為χ軸表示處理時期（本文中，批數')且\ 軸表示加熱器231a之功率值（w)的曲線圖。 圖14將儲存於函數產生資訊儲存部分3〇2中的設定溫度 及加熱器23U之電功率展示為乂軸表示設定溫度且y軸表= 加熱器23 la之功率值的曲線圖。 接下來，校正函數產生部分301使用儲存於函數產生資 訊儲存部分302中的設定溫度及加熱器2313之電功率計算 H9782.doc -58- 200816268 表示如圖14中所示之設定溫度與電功率之間的關係之近似 本文中’假定獲得之近似式為…x + b。舉例而 吕’近似式如圖13中所展示。 接下來，藉由將設定值600指派至由校正函數產生部分 3〇1計算之近似式中之x，校正量計算部分⑻獲得校正二 y。將此校正量記為y6〇〇。 校正部分104執行自累積於函數產生資訊儲存部分302中 且在將設定值設定為喊之情況下獲得的每—電功率值 減去y6。。之校正。將此減法之結果臨時儲存於一記憶體或 其類似物（未圖示）中。 以類似方式’藉由將設定值_指派至由校正函數產生 部計算之近似式中之X，校正量計算部分1〇3獲取校 正里y7〇〇。 校正部分104執行自累積於函數產生資訊儲存部分302中 且在將設定值設定為700。。之情況下獲得的每一電功率值 = 之校正。將此減法之結果臨時儲存於—記憶體或 其頒似物（未圖示）中。 舉例而言’冑出部分105以如圖15中所示之曲線圖顯示 :校正部分104執行之校正的結果。應注意，在該曲線圖 X軸表不處理時期，且y軸表示加熱器23 “之電功率。 本文中，y = 0對應於y6〇(^y7〇〇。 广：施例中’首先’基於作為在6，C及70CTC之設定 又下藉由半導體製造裝置2〇〇執行熱處理之結果而 的加熱器23 la之雷#、玄q古 Λ〜曰、乙 a之電功率值，獲得近n接著，自作為在 119782.doc -59- 200816268 600°C及70(TC之設定溫度下藉由半導體製造裝置200執行 熱處理之結果而獲得的加熱器23 1 a之電功率值減去為藉由 將與設定溫度相同的設定溫度（亦即，6〇〇°c及700。〇指派 至近似式中之X而獲得的y之值的y6〇〇及y7〇〇，且因此將為自 半導體製造裝置200獲得之狀態值的加熱器231&之電功率 值表達為使用加熱器23 1 a之理想電功率值校正的值。藉由 此過程，可將對於不同設定溫度而獲得的加熱器231a之電 功率值表達為相對於加熱器231a之對於每一設定溫度的理 想電功率之差。結果，在此實施例中，可將基於不同設定 溫度而獲得之電功率值校正為相對於加熱器23 ^之對於每 一設定溫度的理想電功率之差，且因此使用對於每一設定 溫度之理想電功率作為標準，可比較基於不同設定溫度而 獲得之功率值。 代替使用由校正函數產生部分301基於如上所述之狀態 值產生之校正函數，亦可使用基於由半導體製造裝置2〇〇 使用兩個或兩個以上設定溫度執行的處理之結果已預先使 用如上所述之類似方法而產生之校正函數。 如上所述’根據此實施例’使用校正函數獲得為基於設 定值預測之狀態值的校正量，且使用該等校正量校正狀態 值因此在將狀悲值权正為相對於每一理想狀態值之差 後’可輸出根據各種設定值而獲得之狀態值。因此，例 如’以疊加方式顯示根據不同設定值獲得之狀態值，且因 此可將控制圖或其類似物整合於 視半導體製造裝置200及其類似 一個圖中，使得可易於監 物。此外，可簡化管理半 119782.doc -60- 200816268 導體製造裝置200之操作，且因此可易於執行監視半導體 製造裝置200及其類似物之操作。此外，可以疊加方式顯 示根據不同設定值獲得之狀態值，且因此可易於將狀能值 相互比較。 此外，在此實施例中，亦可應用如實施m中的圖7中所 示之組態，其中··在校正部分1〇4與輸出部分1〇5之間提供 判斷部分1〇8，·在判斷部分1〇8處將一預設臨限值與_由校 正部分104校正之值相互比較；基於比較結果，判斷部^ 108指導輸出部分1 05輸出表示半導體製造裝置2〇〇或其2 程是否存在-些錯誤之判斷結果；且回應於此指導，輸出 部分105適當地輸出表示半導體製造裝置2〇〇或其過程存在 -些錯誤之資訊。應注意，Λ等臨限值之數目可為一個或 多個。舉例而言’可提供規料導體製造裝置適當操作的 範圍之上限臨限值及下限臨限值。 、 在此情況下，如實施例丨中所描述，可共同使用針對不

同設定值所設定之臨限值。因此，針對在使用—設定值執 行的處理期間獲得之狀態值所設定之臨限值亦可用於其他 設定值。因此，在此實施财，可共同使用針對使用不同

設定值執行之處理所設定的臨限值，1因此可減少設定臨 限值之工作及時間。 W 描述設定值為溫度之設定值且狀 的情況。然而，本發明亦可適用 此外，在前述實例中， 態值為加熱器之電功率值 於其他設定值或狀態值。 此外’在前述實例中，描述使用兩個設定值執行的處理 119782.doc -61 - 200816268 中加熱器之電功率值被疊加的情況。然而，本發明亦可適 用於使用三個或三個以上設定值執行之處理中加熱器之電 功率值被疊加之情況。 此外’在此實施例中，使用如實施例1中之校正係數的 使用兩個或兩個以上設定值及在使半導體製造裝置使用每 一設定值多次執行一預定處理之情況下獲得之多個狀態值 產生的校正函數之係數（例如，上述情況下的7 = ax + b之 a)，可如實施例1中一樣校正狀態值。 舉例而言，在前述實例中，7〇〇°c與600〇c之間的差為 l〇〇°C，且因此可自為在設定值700。(：下獲得之狀態值的電 功率值減去作為校正量之值1〇〇 x a，使得可將為在設定值 600 C下獲得之狀悲值的電功率值與為在設定值川〇。〇下獲 得之狀態值的電功率值相互比較。 此外，在冑述實施例中，藉由將資訊處理裝置1〇〇或資 訊處理裝置3GG自半導體製造裝置200分離，可將其用作二

單一裝置。 (實施例3) 圖1 6為說明此實施例中之丰導生 At 千导體I以糸統之組悲的圖。 该半導體製造系統具備一資卢 两貝處理裴置500及一半導I#制

造裝置600。丰導，制、&壯 I 尸n 製衫置6_含有—半導體之處理目 才承執仃處理。本文中，扣 9 中描述丰導體製造裝置600為用於執 仃包括熱處理之處理的執處 執 圓之-實例…… 處理目標為半導體晶 研夕考 、由半導體製造裝置600對含有一半1

體之處理目標執行的處理 + V 了為任何處理。更具體言之，本 119782.doc -62- 200816268 發明之組態亦可適用於 理裝置之形式的nHf製絲置咖“同於熱處 *，資訊==:(r，半導體一 得（例如）可抜由〇及半導體製造裝置6〇〇相互連接，使 ^ J、、、工由一網路f畔丄_ 信號線交換資訊。诸如’網際網路或LAN)或一專用 資訊處理裳置5〇〇且# ί 儲存部分5〇2、—" /'狀態值接收部分训、一標準值 -輸出部分505。 儲存部分5°3、-計算部分5。4及 收部分5G1接收—狀態值，其為獲取的關於在 ，體製造裝置_之-處理期間的狀態之值。舉例而 二接收，，指獲取或接收輸人之操作。"狀態值"在本 ，广半導體製造裝置6⑻正執行—所望處理時獲取之 值。”獲取的關於-處理期間的狀態之值”可為任何值，只 要其可^以獲取且可表示半導體製造裝置6⑼之一處理期 ^的狀恶便可。其特^實例包括在處理期間自半導體製造 义置600自身或半導體製造裝置_之内部環境獲取之量測 值使用此篁測值計算的計算值及由半導體製造裝置_ 在處理期間於内部控制之值。此外，亦可使用藉由在統計 上處理量測值或其類似值而獲得之值。狀態值之實例包括 在處理期間半導體製造裝置6〇〇内之溫度的量測值（更具體 口之，藉由使用溫度感應器或其類似物在處理容器6 ^内 之所望的位置處量測溫度而獲得之值）、藉由使用壓力偵 測部分617或其類似物量測處理壓力（空氣壓力）而獲得之 119782.doc -63- 200816268 值、由瓦特計量測的用於加熱半導體製造裝置600之内部 的加熱器之功率值及該等量測值之平均值、最大值、最小 值及標準差。此外，狀態值可為基於（例如）處理期間自半 導體製造裝置供應至加熱器之電壓或電流而計算的内部加 熱器之功率值。由狀態值接收部分5〇1接收之狀態值可為 不同里利單位下之多個狀態值。舉例而言，本文中量測單 位扣狀恶值之單位或零點。不同量測單位下之多個狀態值 的實例包括半導體製造裝置6〇〇内的溫度之量測值、用於 加熱半導體製造裝置6〇〇之内部的加熱器之功率值及半導 體製造裝置600内的壓力（空氣壓力）之量測值。不存在對狀 心值接收邛分5〇 1接收狀態值之方式的限制。舉例而言， 狀態值接收部分501可經由一通信線接收自另一設備^其 類似物傳輸之狀態值，或可讀出儲存於一儲存媒體或其類 似物中之狀態值。此外，狀態值接收部分5〇1可接收自一、 輸入單^諸如，數字小鍵盤、鍵盤、滑鼠或選單榮幕鳩 入之狀態值。狀態值接收部分·可使接收的狀態值^ 於一記憶體或其類似物（未圖示）中。舉例而言，藉由諸如 數字小鍵盤或鍵盤的輸人單元之設備驅動器、用二選口 幕之&制軟體、通信設備之驅動器或用於自儲存媒體讀出 資訊之設備（諸如’記憶卡讀取器或⑶驅動機）的驅動器， 可實施狀態值接收部分5 〇 1。 為-充當該等狀態值之標準的值之—標準值可儲 準值儲存部分502中。充告&能# > >、‘ 兄田狀恶值之標準的值可為杠〜 值，只要當將狀態值相互比較時，苴i^ 馬任何 阻々日立比#乂柃，其可被用作標 119782.doc -64- 200816268 =準值之貝例包括目標值，其充當控制狀態值之目標 ^值可為用於設定當控制半導體製造裝置_時使用且; 田控制狀您值之目標之值的設定值、在根據所望設定適當 地&制半導體製造裝置_之情況下獲得的狀態值之 量測值或實際量測值之平均值。此外，例如，標準值^ 在使半導體製造裝置600根據所望設定執行所望處理之情 況下獲得之兩個或兩個以上狀態值的平均值、最小 大值。 標準值儲存部分502較佳為非揮發性儲存媒體，但亦可 實施為揮發性儲存媒體。 為一用於判斷狀態值是否為—所望值之值之臨限值可儲 存於臨限值儲存部503中。舉例而言，"所望值"為表示半 導體製造裝置600適當地操作或其存在一些錯誤或一所望 處理已由半導體製造裝置600適當地執行或尚未適當地執 行該所望的處理之值。臨限值之特定實例包括表示狀態值 為所望值之範圍的上限值及下限值。此外，臨限值儲存部 503可具有一充當上限值之臨限值及一充當下限值之臨限 值。通常，該等臨限值分別經設定用於不同量測單位下之 狀態值。此外，根據由半導體製造裝置6〇〇執行的處理之 處理條件而設定該等臨限值。舉例而言，”狀態值是否為 所望值之判斷"指狀態值是否等於或大於臨限值之判斷、 狀態值是否小於臨限值之判斷或狀態值是否處於由兩個臨 限值界定之範圍中之判斷。更具體言之，藉由此判斷，基 於狀態值，可判斷半導體製造裝置6〇〇是否適當地操作或 119782.doc -65- 200816268 疋否已適田地執行了所望處理。預先根據半導體製造裝置 600之.又汁、使用半導體製造裝置綱之實驗或模擬或其類 似物設定臨限i，且㉟限值«積於臨限值儲存部分503 中。在提供充當上限值及下限值之臨限值的情況下，通常 將標準值設定為其間之—值。臨限值儲存部分則較佳為 非揮發性儲存媒體，但亦可實施為揮發性儲存媒體。 。十t邛刀5 04 5十算一關於由該狀態值接收部分％ 1接收之 狀l值與;^準值之間的差之值與一關於臨限值與標準值之 間的差之值之間的比率。本文中’計算部分5〇4自標準值 儲存部分502讀出標準值且自臨限值儲存部分5()3讀出臨限 值且適當地使用此等值。，，關於狀態值與標準值之間的差 之值”通常指狀態值與標準值之間的I，但亦可為此差之 ，對值。此外，只要最終獲得的比率值不改變，則關於狀 態值與標準值之間的差之值可為藉由對狀態值與標準值之 間的差執行預定計算(諸如’以一預定值相乘)而獲得之 值。此外’必要時，亦可對狀態值與標準值之間的差執行 精細控制’例如，#由將一預定值添加至其。"關於臨限 值與標準值之間的差之值"通常指臨限值與標準值之間的 差，但亦可為此差之絕對值。此外，只要最終獲得的比率 值不改變’則關於臨限值與標準值之間的差之值可為藉由 對臨限值與標準值之間的差執行預定計算（諸如，以一曰預 ^值相乘）而獲得之值。此外，必要時，亦可對臨限值與 才示準值之間的差執行精細控制’例如，藉由將一預定值添 加至其。若由狀態值接收部分5〇1接收之狀態值為不” 119782.doc -66 - 200816268 測早位下之多個狀態值，則對於不同量測單位下之該多個 狀態值令的每一者，計算部分5〇4計算一關於由狀態值接 收部分接收之狀態值與對應⑨該狀態值之標準值之間的差 之值與一關於對應於該狀態值之臨限值與標準值之間的差 之值之間的比率。當將本文中描述之比率記為汉時，比率 R特定地由以下等式界定。 等式1 R =(狀態值-標準值）

—p限值-標準值I 應注意，'必要時，亦可按百分比或其類㈣法表達此比 率。此外，當始終將比率尺設定為一正值時，例如，當待 獲得比率之量值時，可使用以下之等式2,其中省略j等 式1中之分母的絕對值。 等式2 P—狀態值-標準值） 在提供兩個臨限值之情況下，例如，在提供用於設定上 限值及下限值以設定所望範圍之兩個臨限值的情況下，叶 算部分504自臨限值儲存部分5()3獲取為狀態值所屬之子範 圍中的值之臨限值，該子範圍屬於由標準值分為兩個子範 圍之狀態值的可能範圍且使用此臨限值以計算上述比 率。更具體言之’若狀.態值大於標準值，貝q自臨限值儲存 部分503讀出大於標準值之臨限值，且此臨限值與標準值 之間的差用於計算上述比率。若狀態值小於標準值，則自 臨限值儲存部分503讀出小於標準值之臨限值，且此臨限 119782.doc -67- 200816268 ”心準值m的差用於計算上述比率。若狀態值與標準 值相同，則可使用該等臨限值中之任一者。舉例而言，叶 弃部分504通常可實施為一卿或—記憶體。通常，計算 部分504之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如 職之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體（專用電 路）加以實施。 輸出部分5〇5輸出由計算部分5〇4計算之比率。在由狀能 值接收部分5〇1接收之狀態值為不同量測單位下之多個狀 恶值的情況下’輸出部分5G5輸出由計算部分州分別對於 ;同出量之狀態值計算的多個比率。本文中，術語 輸出為包括在顯示螢幕上顯示、使用印表機在紙或其類 似物上列印、傳輸至外部裝 ^ 置及L時儲存於諸如記憶體之 料媒體中之概念。舉例而言，輸㈣分_將由計算部 刀5 04汁异之比率以曲線圖顯示 ,,.. 、”、、貝不螢幕或類似物上。 卜，可以疊加方式將使用不 所蚌管* 測早位下之多個狀態值 口十之比率顯示於一曲線圖。 勺紅— 翰出部分505可或可不 :…顯示螢幕或印表機之輸出設備。舉例而言 錯505可由輸出設備之驅動 t 版4韻丨】出设備之驅動 幸人體與該輸出設備之組合實施。 ° 半導體製造裝置600具備處理容器 交哭d▲ 举例而δ ’處理 备益611亦被稱為反應器容器或反應 中，含有充當處理目標之半導體^处理谷器611 今篮日日0 650，且盆級庠益〜 的熱處理，諸如，CVD(化學翁ά、+ 八、、、工又預疋 由耐熱且抗腐釋(諸如，石處理容器611 央玻璃）製成。處理容器611 H9782.doc -68 - 200816268 具有單一官結構，其中上端及 、 「啤局打開的。使上端變窄 為小的直徑且其形成排氣部分612。舉例而言，排氣部分 ，由-壓力調節部分616連接至一真空泵(未圖示壓 力调節部分6 16具有（例如）用於％ r V j )用於凋即壓力之閥，且根據由控 制部分601 (稍後加以描述）執行 ； 订之控制，稭由驅動閥打開及 關閉間來調節處理容器611内之壓力。此外，處理容器6ΐι 包括用於價測處理容器611内之壓力（空氣壓力）之壓力㈣ 料⑴。壓力偵測部分617偵測壓力，且輸出對應於經债 :壓力之電信號。壓力價測部分617特定地為一壓力感應 器’且可具有任何結構，只要藉此可谓測壓力便可。 产將用於將處理氣體或惰性氣體引人至處理容器川中之 氣體引入部分613安置於處理容器611之下部中。將與氣源 連通之多個氣體供應管614插人至氣體引人部分613中。自 氣體引入部分613引入之處理氣體經由處理容器611上升、 被供應至半導體晶圓65()上之狀熱處理且接著自排氣部

分612被排出。管614具備用於偵測自氣體引入部分η〗引 入至處理容器611中之氣體的流率之氣體流率偵測部分 618。作為氣體流率偵測部分618，可使用經提供以控制常 用半‘體製造裝置中之氣體流率的質量流量控制器。通 常，質量流量控制器可^則氣體》流率，1輸出經偵測的量 測值或其類似值。 處理容器611之凸緣形下端部分615由蓋621(由諸如不銹 鋼之耐熱且抗腐蝕材料製成）打開或關閉。蓋62 i藉由一升 降機（未圖示）而垂直移動，藉此在提昇位置處緊閉處理容 119782.doc -69- 200816268 器6 1 1之下端部分6丨5，且在降低位置處打開處理容器6 1 1 之下知部分6 15。 用於緊固氣密性之一 〇形環622安置於處理容器611之下 端部分615與蓋621之間。 在蓋621之中心部分處豎直可旋轉地提供一旋轉支撐柱 623，且一旋轉台664緊固至旋轉支撐柱623之上端。 此外’用於驅動以旋轉該旋轉支撐柱623之驅動部分665 提供於蓋621下方。 在旋轉台664上，置放由石英玻璃製成之舟626(所謂的 半$體晶舟），可在高度方向上以預定間隔將（例如）6〇個半 導體晶圓650安裝於其中。在已降低蓋621之狀態下，將舟 626置放於旋轉台664上，當蓋621經提昇以緊閉處理容器 611之下端部分615時，將其完全裝載至處理容器611内， 且當在已完成處理後降低蓋621時，將其卸載。此外，在 製私期間，當旋轉台664由驅動部分665旋轉時，舟626 方疋轉且因此對半導體晶圓650執行均勻的熱處理。 處理容器6 11由具備一或多個加熱器6 3丨之加熱爐6 3 〇包 圍，加熱器631為用於自半導體晶圓65〇之周邊部分加熱包 含於處理容器611中的半導體晶圓65()之加熱單元。沿著處 理合态6 11之周邊配置加熱器〇丨。舉例而言，加熱器丄 具有電阻熱產生部件’ 1當供應電力時產生熱。作為電阻 熱產生。1M牛’較佳地使用在溫度上升及下降特性上優越之 碳線或其類似物。然而，不存在對加熱器631之結構或其 類似物之限制。本文中，展示由三個加熱器631a至63 1c組 119782.doc -70- 200816268 成一或多個加熱器63 1之實例，但不存在對加熱器之數目 的限制。沿著對準半導體晶圓650之方向配置加熱器63 ia 至631c。然而，不存在對配置加熱器631&至631(^之點的限 制。 沿著處理容器611之外圓周面提供一或多個溫度偵測部 分641。本文中，描述由三個溫度偵測部分641&至641〇組 成一或多個溫度偵測部分641之實例，但不存在對溫度偵 測部分641之數目的限制。本文中，在垂直方向上將三個 λ度彳貞測部分641 a至64 1 c配置成一列，但不存在對配置溫 度偵測部分641之點的限制。溫度偵測部分641&至641〇偵 測溫度，且輸出對應於所偵測溫度的電信號。溫度偵測部 分641a至641c特定地為溫度感應器，且可具有任何結構 (諸如，熱電偶），只要藉此可偵測溫度便可。應注意，不 存在對溫度摘測部分64 la至641c之配置的限制。如稍後加 以描述，溫度偵測部分64la至641c之輸出用於預測配置於 舟626中之半導體晶圓650之表面溫度。 半導體製造裝置600進一步具備控制部分6〇1、處理狀態 值獲取部分602及處理輸出部分6〇3。 控制部分601根據（例如）用於設定關於處理目標之處理 條件的預設設定值控制半導體製造裝置6〇〇之各種操作。 舉例而言，在已設定處理溫度之情況下，藉由根據由一或 多個溫度偵測部分641偵測之溫度對加熱器631之輸出執行 所謂的回饋控制，控制部分601執行控制，使得處理容^ 61 1内之溫度匹配由設定值設定之溫度。此外，藉由根據 119782.doc •71 - 200816268 由壓力偵測部分617偵狀壓力對壓力言周節部分616執行所 謂的回饋控制’控制部分6G1執行控制，使得處理容器6ΐι 内之壓力匹配由設定值設定之壓力。舉例而言，可將儲存 於上述標準值儲存部分5 0 2中之標準值作為用於控制之目 標值來執行此控制。控制部分6〇1執行不同於上述的整個 半導體製造裝置600之控制，諸如，氣體流率之控制、閥 之打開/關閉控制及舟提昇之控制，但此控制為已知技 c

術，且因此省略其描述。舉例而言，控制部分6〇ι通常可 實施為-MPU或一記憶體。通常，控制部分6〇ι之處理程 序由軟體加以實施，且軟體儲存於諸如r〇m之儲存媒體 中。注意，處理程序亦可由硬體（專用電路）加以實施。 處理狀態值獲取部分602獲取一狀態值，其為關於在半 導體製造裝置600之一處理期間的狀態之值。通常，此狀 恶值與上述由狀態值接收部分5〇1接收之狀態值相同。狀 恶值之實例包括由溫度偵測部分641偵測之溫度值（亦即， 溫度之量測值）及加熱器631之功率值。舉例而言，在對處 理目標執行狀處理之狀態τ，基於作為藉由溫㈣測部 分641偵測溫度之結果而輸出的信號’處理狀態值獲取部 分602獲取為對應於彼信號之溫度值的狀態值。狀態值亦 可為由壓力偵測部分617偵測之壓力值，亦即，壓力之量 測值。此外，處理狀態值獲取部分6〇2可獲取為由控制部 分601控制的加熱器631之功率值的狀態值，或可獲取為基 於由瓦特計（未圖示）偵測之功率值的加熱器63丨之功率值的 狀態值。本文中，描述溫度偵測部分641之輸出經一次輪 119782.doc -72- 200816268 入至控制部分601且溫度偵測部分641之輸出自控制部分 6〇1輸出至處理狀態值獲取部分602之情況。然而，溫度侦 測部分641之輸出可直接由處理狀態值獲取部分6〇2接收。 此外，在此情況下，由處理狀態值獲取部分6〇2接收之輸 入可由處理狀態值獲取部分602適當地輸出至控制部分 。舉例而言，處理狀態值獲取部分602通常可實施為一 卿或一記憶體。通常’處理狀態值獲取部分6〇2之處理 程序由^加以實施，且軟體儲存於諸如r〇m之儲存媒體 中。注意，處理程序亦可由硬體(專用電路)加以實施。 !理輸出部分603輸出由處理狀態值獲取部⑽獲取之 本文中，描述處理輸出部分6G3將由處理狀態值 獲取。P刀6〇2獲取之狀態值傳輸至 貝Λ處理裝置500中之狀 悲值接收部分501之實例。不存 屮壯能# = 在對自處理輸出部分603輸 出狀悲值至狀態值接收部分5〇1之 之限制。與η 寻序、觸發或其類似物 之限制。舉例而言’處理輸出部分6G3可在每 值獲取部分602獲取關於-處理 心 妝能伯 4, ]之狀怨的值時輸出一 狀心值，或可在將多個值臨時累積於 媒體後輸出多個值。或者，處理鈐=圮憶體之儲存 自資訊處理裝置500輸出狀態值之一：刀6〇3可在接收到 值。本文中，術語”輸出，，為包括 扎7後輸出一狀態 記憶體之儲存媒體中累積之概♦ ^至外部I置及在諸如 可不包括諸如通信設備之輪^。々理輸出部分6〇3可或 部分⑷可由輸出設備之驅動器二舉例而言，處理輸出 軟體與該輸出設備之組合實施。 或輪出設備之驅動器 119782.doc •73- 200816268 太=看圖17中之流程圖描述資訊處理裝置500之 雜作。本文令，盔 〜 «能射, 起見，描述相同量"位下之多 倜狀恶值（更且興士 > ’ 々"，已經自半導體製造裝置600或JL類 似物傳輸且在不同眛翻從〜1 ' m 夺4獲取的具有相同單位及 狀態值）由資訊處理| ㈠及』之夕個 衷置500接收之情況。舉古 狀態值為相同晋w留A J ^ ° ^4 ㈣Π里冽早位下之多個狀態值， 裝置600在使半慕驊制 等篮展k ^ ^ ^ 置600根據預先相同的設定執行 = :::下在不同時期獲取。本文中，假定多個狀 中母與獲取狀態值時的時間資訊相關聯。本文 值中，：’預先設定用於控制狀態值之目標值作為標準 值。此外’用於設定在主道触制 .^ 错由丰導體製造裝置000及其類似 物之處理經適當地# 者下獲得的狀態值之範圍的充 田上限值之弟一臨限值 十仏卜 田下限值之第二臨限值預先儲 存於fe限值儲存部分503中。 研# @^主W 軚準值介於第一臨 限值與弟二臨限值之間。 (步驟S 1701)狀態值接收部分 ή〇η , # ^ 刀01接收由半導體製造裝置 600或其類似物輸出之多個 鍺料， /個狀悲值。该等接收的狀態值累 積於诸如記憶體（未圖示）之儲存媒體中。 (步驟S1702)計算部分5〇4自 先儲存之標準值。 纟值術分5。2獲取預 (步驟S1703)計算部分5〇4自臨 先儲存之臨限值。本文中，’曾邱倚存# 503獲取預 月笛… 本文中5十异部分5〇4獲取第一臨限值 及弟一 6品限值。 (步驟SH04)計算部分咖们指派至計數器K。 119782.doc -74- 200816268 (步驟S1705)計算部分504獲取第£個狀態值。本文中， 狀態值接收部分501在累積於記憶體或其類似物（未圖干）中 之設定值當中獲取由半導體製造裝置_或其類似取 之在時間序列次序上為第K個值的狀態值。 (步驟S1706)計算部分遍判斷狀態值是否等於或大於標 準值。若狀態值等於或大於標準值，則程序進行至步： S 1 707。右狀態值小於標準值，則程序進行至步驟％ 11 ~。 f文：，可判斷狀態值是否大於標準值，而非判斷狀態值 是否等於或大於標準值。 (步驟S1707)藉由將在步驟S1703中獲取之第一臨限值指 派至以上等式1中之臨限值及將在步驟S1705中獲取之第^ 個狀態值及在步驟S1702中獲取之標準值分別指派至等式1 中之狀態值及標準值，計算部分5〇4計算比率尺。經計算的 比率R累積於諸如記憶體（未圖示）之儲存媒體中。 、 (步驟S1 708)計算部分504將計數器κ增加i。 狀態值。 若不存在 (步驟S1 709)校正部分5〇4判斷是否存在第尺個 若存在第κ個狀態值，則程序返回至步驟si7〇5。 第κ個狀態值，則程序繼續進行至步驟smQ。

(步驟S1710)輸出部分5〇5自一記憶體或其類似物讀出由 計算部分504計算之比率R ’且輸出比率R。舉例而言，輸 出部分505將比率R顯示於—曲線圖上。接著，過程結束。J (步驟snn)藉由將在步驟sl7〇3中獲取之第二臨限值指 派至以上等式1中之臨限值及將在步驟817〇5中獲取之第二 個狀態值及在步驟S1702中獲取之標準值分別指派至等式工 119782.doc -75- 200816268 中之狀態值及標準值，計算部分504計算比料。經計算的 比率R累積於諸如記憶體（未圖示）之儲存媒體中。 應注思’在圖17中之洁链闰山 甲之/爪耘圖中，可在將標準值、臨限 值、一次獲取之多個狀態值及其類似值表達為一矩陣之狀 態下執行上述過程。舉例而言，在將多個加熱器631之各 別功率值或基於由半導體製造裝置6⑽内的多個溫度谓測 部分⑷獲取之溫度而獲得之多個值用作狀態值之情況 / i. 下’可將該等狀態值表達為元素之數目匹配加熱器631之 數目或溫度债測部分641之數目的矩陣。在此情況下，例 t，步驟sm7、步驟S1711及其類似步驟中之過程由矩陣 操作執行。 在以上描述中，描述使用相同量測單位下之狀態值的情 況。然而’在使用不同量測單位下之狀態值的情況下，例 如，在狀態值為不同單位下之狀態值的情況下，在執行了 使用相同量測單位下之狀態值獲得比率之過程後，可使用 另-量測單位下之狀態值執行—類似過程。舉例而言，在 於步驟S17〇1中可接收不同量測單位下之狀態值的情況 下，在已遵循上述流程圖對一量測單位下之狀態值執行了 該過程後’可判斷是否存在另—量測單位下之狀態值。舉 例而言，若存在另一量測單位下之一狀態值，則程序返回 ，步驟SU02，且獲取對應於彼量測單位之一標準值及— 臨限值，且重複如流程圖中之過程。 在圖17中之流程圖中由斷開電力或處理-結束中 斷，結束該過程。 H9782.doc -76 - 200816268 半導體製造系統中之半導體製造裝置6〇〇執行所望處理 或獲取狀態值之操作為已知技術，且因此省略其描述。 在下文巾，描豸此實施例中的帛導體製造系統之且體操 作。圖18展示半導體製造系統之概念圖。舉例而言，本文 中假定資訊處理裝置500由一電腦5〇實施。此外，例如， 本文中假定半導體製造裝置6〇〇中之控制部分6〇1、處理狀 態值獲取部分602及處理輸出部分6〇3由電腦6〇實施用於控 制，電腦60為半導體製造裝置6〇〇之一部分。應注咅'，本 文中使用之設定值及狀態值為準備用於解釋之值，且與當 使半導體製造裝置600實際執行所望處理時所獲得之實= 量測值不同。 舉例而言，本文中假定半導體製造裝置6〇〇為熱處理裝 置。此外，半導體製造裝置6〇〇根據相同處理設定在逐批 之基礎上對半導體晶圓重複地執行預定處理，且對於每一 批，狀態值接收部分501獲取一第一狀態值（其為由溫度偵 測部分641a在處理溫度穩定期間偵測的溫度之平均值）及 一第二狀態值（其為由壓力偵測部分617偵測的處理容器 611内之平均壓力值）。充當第一狀態值的溫度之單位為度 (C)，且充當第二狀態值的壓力之單位為帕斯卡（py。以 此方式，第一狀態值及第二狀態值為不同量測單位（本文 中’不同單位）下之值。由處理狀態值獲取部分6〇2獲取之 第一狀態值及第二狀態值由處理輸出部分603臨時累積， 且將累積的多個第一狀態值及第二狀態值自處理輸出部分 6〇3傳輸至資訊處理裝置500。 119782.doc -77- 200816268 此外，用於控制充當第一狀態值的溫度之目標值及充當 第二狀怨值的處理容器611内之壓力的目標值預先儲存於 標準值儲存部分502中，分別作為第一狀態值之標準值及 第二狀態值之標準值。此等目標值為標準值。此外，用於 設定在半導體製造裝置600正執行一適當處理之情況下獲 得的充當第一狀態值之溫度及充當第二狀態值之處理容器 611内之壓力中的每一者之範圍的充當上限值之臨限值（在 下文中稱為’’第一臨限值”）及充當下限值之臨限值（在下文 中稱為”第二臨限值”）儲存於臨限值儲存部分5〇3中。假定 上述標準值位於第一臨限值與第二臨限值之間。 首先，使半導體製造裝置600執行一預定處理，且處理 狀態值獲取部分602在處理期間獲取溫度及壓力。處理狀 悲值獲取部分602計算每一批之平均溫度值及平均壓力 值。處理輸出部分603將經計算的平均溫度值（亦即，第一 狀態值）及經計算的平均壓力似亦，第二狀態值）臨時累 積於一記憶體或其類似物（未圖示）中。對於多個批，重複 此過程。 處理輸出部分603將累積的多個第一狀態值及第二狀離 值傳輸至資訊處理裝置·。不存在對執行傳輸之時序： 觸么：其類似物之限制。然^，本文中假定請求第一狀態 值及第_狀_值之指令係自資訊處理裝置5⑻接收，且回 f於此指令將累積的多個第_狀態值及第二狀態值傳輸至 貧訊處理裝置500。 狀怨值接收部分501接收多批的充當第-狀態值之平均 119782.doc -78- 200816268 溫度值及充當第二狀態值之平均壓力值。狀態值接收部分 501將接收的第一狀態值及第二狀態值臨時儲存於一記憶 體或其類似物中。 圖19將由狀態值接收部分501接收之第一狀態值展示為 一曲線圖。在圖19中，水平軸表示時期（本文中，為抵 數），且垂直軸表不第一狀態值，亦_，由溫度偵測部分 641a偵測的溫度之平均值。此外，Ts表示第一狀態值之標 f % 準值，TH表示第一狀態值之第一臨限值，且丁[表示第一片: 態值之第二臨限值。若第—狀態值介於第—臨限值Τη與第 二臨限值1之間，射情半導體製造|置帽已適當 行了一處理。 園將由狀態值接收部分501接收之第二狀態值展示為 一曲線圖。在圖20中，水平軸表示時期(本文中，為批 數)’且垂直軸表示第二狀態值’亦即，由壓力偵測部分 617偵測的平均壓力值。此外，ps表示第二狀態值之標準 值，pH表示第二狀態值之第一臨 值之第二臨限值。若第m入值且Pl表以二狀態 A 右弟一狀恶值介於第一臨限值ph盥第- ^限值PL之間，則判斷半 ~ 了一處理。 體“裝置600已適當地執行 ::來，計算部分5。4自標準值儲存部分5〇2及 存B 503讀出對應於第一狀態值之 錯 值丁 η與第二臨限值Tl。 S及弟一臨限 接收之第-狀態值中的每一者，葬“、接收 計算，獲得比率R。本1 + ^用以上等式1執行 本文中’將對於第-狀態值而計算的 119782.doc -79- 200816268 ㈣R記為Rl。應注意，表示以上 諸如C憶體（未圖示）之儲存媒體中。 以類似方式，計算部分5〇4自標準值儲存部分5〇2及臨限 ㈣存部分503讀出對應於第二狀態值之標準值ρ§及第一 臨限值Ph與k隸值m料由狀態值接收部分 501接收之第二狀態值中的每一者，藉由使用以上等式冰 行計算，獲得比率R。本文中，將對於第二狀態值而計算 的比率R記為r2。 輸出部分505以疊加方式顯示對於第一狀態值計算的比 率心之曲線圖及對於第二狀態值計算的比率&之曲線圖， 使4于其零點相互匹配。 舉例而言，圖21展示在資訊處理裝置之顯示榮幕51〇 上顯示疊加比料及比率〜的曲線圖之一顯示實例。在圖 ^中，水平軸表示時期（本X中，批數），且垂直抽表示比 率R。本文中，以疊加方式顯示比率心及比率&，但亦可

以非疊加方式將其顯示。 在此實例中，獲得藉由分別自不同單位下之第一狀態值 及第一狀態值減去充當用於控制的目標值之標準值而獲得 之值及藉由自分別對應於第一狀態值及第二；I犬態值之2限 值減去標準值而獲得之值，且計算其間之比率。因此，若 狀態值匹配標準值，則獲得之值（比率）始終為0。此外，若 狀態值為第一臨限值與第二臨限值之間的一值，則獲得之 值（比率）自_1變化至1。更具體言之，將第-臨限值及第二 臨限值設定為係、共同臨限值之心；！。、结果，無論在諸如 119782.doc 200816268 早位之量測單位下的差異，藉由將狀態值疊加使得桿準值 =互匹配’可易於將不同狀態值相互比較而不視單位而 夂’且使用共同臨限值’可易於監視由半導體製造裝置 6〇:執行之處理中之異常及其類似特徵。舉例而言，在前 述κ例中’無論輸出值對應於何狀態值，若輸出值大於1 或小於·卜則可判斷對應於此值之狀態值大於第—臨限值 或小於第二臨限值’因Λ ’使得可能判斷由半導體製造裝 置600執行之處理存在一些錯誤。相應地，例如，使用多 :曲線圖經整合至一個曲線圖中之控制圖，可監視是否適 當地執行了半導體製造裝置之處理。因此，可易於監視半 導體製造裝置。 本文中，在簡單地疊加圖Β中所示之第一狀態值的曲線 圖與圖20中所示之曲線圖同時忽略單位或其類似物使得其 標準值相互匹配之情況下，獲得圖22中所示之曲線圖。然 而，在此曲線圖中，狀態值具有不同的臨限值。因此，即 L 使在第二狀態值等於或小於第二狀態值之臨限值的情況 下’若第二狀態值大於第一狀態值之第一臨限值，則當使 用者不能精確地判定狀態值是否為第一狀態值或第二狀態 值時，使用者亦可能錯誤地判斷第二狀態值在正常值之範 圍外。因此，有必要細心地監視狀態值是第一狀態值或是 第二狀態值，且使用者監視之負擔增加了。因此，不可能 如在刚述實例中易於比較或監視不同量測單位下之狀態 值。 〜 在前述實例中，描述使用不同量測單位下之兩個狀態值 119782.doc -81 - 200816268 的情況，但此實施例亦可滴用於击 j a >)週用於使用不同量測單位下之 個或三個以上狀態值之情況。 ^例而言’描述以下情況：除了在前述實例中描述的充 當第一狀態值之平均溫度值及充當第二狀態值之平均壓力 值之外，使用為（例如）引人至半導體製造裝置_之處理容 器川内的處理氣體之氣體流率之平均值的第三狀態值。

首先’以類似於如上所述詩溫度及其類似物之方式的 方式’處理狀態值獲取部分6嘴取（例如）在使半導體製造 裝置_執行一預定處理之情況下處理氣體之氣體流率， 且接著计异其平均值。氣體流率之平均值充當第三狀態 值。接著’處理輸出部分6G3將第三狀態值與上述第一狀 態值及第二狀態值一起傳輸。 狀態值接收部分501接收與第一狀態值及第二狀態值一 起傳輸的充當第三狀態值之氣體流率。 圖23將由狀態值#收部分5〇1接收的充當第三狀態值之 氣體流率展示為—曲線圖。在圖23中，水平軸表示時期 (本文中批數），且垂直軸表示一批之氣體流率的平均 值、。，舉例而言，作為氣體流率值，使用藉由用於控制供應 至：導，裝置600之氣體引入部分613的氣體之流率： 質里机里控制器（MFC)而獲得之量測值。此外，A表示第 一狀恶值之標準值，知表示第三狀態值之第一臨限值，且 L表示第—狀恶值之第二臨限值。將標準值預先儲存於 ‘準值儲存部分502中，且將臨限值及Gl預先儲存於臨 限值儲存部分5G3中。若第三狀態值介於第—臨限值心與 119782.doc -82- 200816268 第-臨限值gl之間，則判斷半 執行了—處理。 體襄以置_已適當地 一以類似於用於第-狀態值及其類似值之方 异部分504自標準值儲存部分5〇2及臨…十 出對應於第三狀態值之標準值G 子部分503讀 限值GL。接著，對於 ”艮值GH與第二臨

At 、由狀悲值接收部分5 0 1接收之第一壯 態值中的每一者，藉由使 楼收之弟二狀 率R。本文中，將對4二：計算，獲得比 R。 弟二狀悲值而計算的比率R記為 輸出部分505以疊加方式將對 率R链一… 將對於第二狀態值而計算的比 半汉3顯不於如圖2 1 Φ % a 321中所不之曲線圖上，其中對於第一狀態 值而5十异的比率R及斜^： _ 子於第一狀態值而計算的比率r2經聶 加使得其零點相互匹配。 、且 舉例而言，圖 顯示疊加比率R 例。在圖24中， 軸表示比率R。 24為在資訊處理裝置5〇〇之顯示螢幕510上 1比率R2及比率Rs的曲線圖之一顯示實 水平軸表示時期（本文中，批數），且垂直 同樣在此情況下，其楚-ϋ a ^ 右弟二狀悲值匹配標準值Gs，則獲得 之值(比率)始終為〇。此外，若第三狀態值為第一臨限值 〇Η與第二臨限值Gl之間的一值，則獲得之值（比率）自-丨變 化至1 t具體a之’將第三狀態值之第一臨限值及第二 e品限值設定為係第_及第二狀態值及第三狀態值的共同臨 限值之1及-1。結果，無論在諸如單位之量測單位下的差 異’藉由將狀態值疊加使得標準值相互匹配，彳易於將不 119782.doc -83 - 200816268 同狀態值相互比較而不視單位而定，且使用共同臨限值， 易於監視藉由半導體製造裝置600之處理中之異常及其類 似特徵。 ~ 如上所述，根據此實施 <列，計# 一關於由狀態值接收部 分501接收之狀態值與標準值之間的差之值與一關於臨限 值與標準值之間的差之值之間的每一比率’且因此可將諸 如單位之量測單位相互不同之值轉換為考慮各別臨限值之 ,值’而不視單位而定。因此，自不同單位下之狀態值，可 獲得適合於諸如比較或監視之資料分析的值。因此，可易 於比較或監視不同量測單位下之狀態值。 在此實施例巾’在狀態值接收部分5〇1接收不同量測單 ::下之兩個或兩個以上狀態值之情況下，亦可應用以下組 悲.如圖25中所示提供多變量分析部分5〇6，且輸出部分 505輸出由多變量分析部分5〇6執行的多變量分析之結果， 而非由計算部分504計算的比率。 ( 乡變量分析部分506使用計算部分5〇4對不同量測單位下 之兩個或兩㈤以上&態值執行之計算結果執行多變量分 析。由多變量分析部分506執行之分析可為任何分析，諸 如，使用馬氏距離（Mahalanobis，distance)之判別分析或多 元回歸分析。多變量分析為已知技術，且因此省略其詳細 描述。舉例而言’多變量分析部分5〇6通常可實施為一 则或-記憶體。此外，多變量分析中之等式或其類似物 之育訊通常儲存於諸如記憶體之儲存媒體中。通常，多變 置分析部分506之處理程序由軟體加以實施，且軟體儲存 119782.doc -84 - 200816268 於諸如ROM之儲存媒體中。注意，處理程序亦可由硬體 (專用電路）加以實施。 如在習知實例中，在藉由使用標準差對狀態值執行標準 化而^寻之資訊用於多變量分析之情況下，當狀態值並非 為正常分布時，即使與其他值顯著不同之一狀態值實際上 處=可由狀態值採用的正常值之範圍中，作為多變量:析 / 之、、、σ果，亦可將該狀態值判斷為與其他值顯著不同之一 值，且可將該狀態值評估為一異常值。 然而’在此實施例中，考慮狀態值之臨限值而非標準差 來執仃狀悲值之標準化。因此，即使狀態值並非係正常分 布’只要與其他值顯著不同之一狀態值處於基於臨限值判 2為正常之區域中’則亦可減小作為多變量分析之結果將 “值判斷為與其他值顯著不同之可能性。藉由此修改之實 二i吏用不同單位下之狀態值’可考慮各別狀態值之臨限 值而執行適當的多變量分析。 導Hiΐ前述實施例中，藉由將資訊處理裝置自半 2體製造裝置_分離，可將其⑽—單—裝置。舉例而 :待在此：況下，資訊處理裝置5〇。可經由—儲存 收待加以處理之資料。 此外，在前述實例中，描述 流率之彳主、^ ^值為Μ度、壓力及氣體 月/，旦本發明亦可適用於其他狀態值。 同樣，在前述實施例中，藉一 理可實現每-處理（每—功能MM)之整合處 散式處理可將其實現。 《者，❹多個設備之分 H9782.doc -85- 200816268 同樣，在前述實施例中，可藉由專用硬體組態每一組 件，或者，可藉由軟體實現之組件可藉由執行一程式而加 以實現。舉例而言，藉由讀取並執行已儲存於一諸如硬碟 或半導體記憶體之儲存媒體上之軟體程式的程式執行部分 (諸如，CPU)，可實現每一組件。 本文中，實施前述實施例中的資訊處理設備之軟體可為 以下程式。具體言之，此程式為用於使電腦處理狀態值之 程式，該狀態值為一關於在一處理期間之一狀態之值，該 處理由-用⑨根據設定值對含有一半導體之處㊣目標執行 處理的半導體製造裝置執行，該設定值為一用於設定處理 條件之值，其中該程式使該電腦執行以下步驟：接收設定 值之一設定值接收步驟；接收狀態值之—狀態值接收步 驟；使用-校正函數來計算該狀態值之一校正量之校正量 計算步驟，該校正函數為一表示該設定值與該校正量之間 的一關係之函數；使用在校正量計算步驟中計算之校正量 來校正在狀態值接收步驟中接收之狀態值的校正步驟；及 輸出在校正步驟中校正之狀態值的輸出步驟。 程1匕外且實㈣施例1中的資訊處理裝置之軟體可為以下 體舌之’此程式為用於使電腦處理狀態值之程 =該1大態值為一關於在一處理期間之—狀態之值，該處 由：=據設定值對含有一半導體之處理目標執行處 件之ΓΓΓ裝置執行’該設定值為一用於設定處理條 之-設定值：该程式使該電腦執行以下步驟：接收設定值 步驟’ ·接收狀態值之—狀態值接收步驟； 119782.doc -86- 200816268 使用校正函數來計算對應於在設定值接收步驟中接收之設 定值相對於一預定值之一改變量的校正量之校正量計算步 驟，该校正函數為一表示該設定值之改變量與該校正量之 間的關係之函數，校正量為狀態值的基於設定值之改變量 預測之改釔里，使用在校正量計算步驟中計算之校正量 來校正在狀態值接收步驟中接收之狀態值的校正步驟；及 輸出在校正步驟校正之狀態值的輸出步驟。 此外’實施實施例2中的資訊處理|置之軟體可為以下 程式;具體言之’此程式為用於使電腦處理狀態值之程 式，該狀態值為-關於在一處理期間之一狀態之值， =用於根據設定值對含有一半導體之處理; :的半導體製造裝置執行，該設定值為一用於設定處理條 件之值’其中該程式使該電腦執行以下步驟：接收設定值 驟;接收狀態值之一狀態值接收步驟； ==㈣f算對應於在設定值接收步驟中接收之設 ^的Γ里 量計算步驟該校正函數為表示設定值 /、又正里之間的關係之函數’該校正量為基於設定值預則 之狀4吏用在校正量計算步驟中計算之校正量來校2 在狀悲值接收步驟中接收之狀態值的校正步驟；及輸 校正步驟中校正之狀態值的輸出步驟。 ’ 此外’實施實施例3中的次 程式。具體言之，為：裝f之軟體可為以下 式，該狀態值為-關於在_處^電月自處理狀態值之程 理由一用於對含有-半導體^期間之—狀態之值，該處 " 处理目；^執行處理的半導體 119782.doc -87. 200816268 製造農置執行，其中該程式使該電腦執行以下步驟：接收 狀態值之一狀態值接收步驟；計算關於在狀態值接收步驟 中接收之狀態值與-充當該狀態值的標準之經儲存標準值 之間的差之一值與關於用於判斷該狀態值是否為所望的值 之一經儲存臨限值與該標準值之間的差之一值之間的比率 之計算步驟；及輸出在計算步驟中計算之比率的 + 驟。 乂 此外’在此程式中，在狀態值接收步驟中，接收不同量 測單位下之多個狀態值，在計算步驟中，計算對應於不同 重測单位下之該多個狀態值中之每一者的比率，且在輸出 步驟中，輸出在該計算步驟中計算之該多個比率。 此外，該程式為用於使電腦處理狀態值之程式，該狀離 值為一關於在-處理期間之-狀態之值，該處理由二用； 對含有-半導體之處理目標執行處理的半導體製造裳置執 行，其中該程式使該電腦執行以下步驟：接收不同量測單 位下之多個狀態值之狀態值接收步驟；對於不 下之該多個狀態值中之每—者， 早位

者计异一關於在狀態值接收 步驟中接收之狀態值盥一右A /、充§ 5亥狀悲值的標準之經儲存標 準值之間的差之值盘一 /、關於用於判斷該狀態值是否為所望 值之一經儲存臨限值盥★玄辨 ^ μ W V準值之間的差之值之間的比率 之計鼻步驟；使用在計曾 二 ▲ 十"^ V驟中計鼻之多個比率執行多變 量分析之多變量分析步驟· 〃，及輸出在多變量分析步驟中執 行的分析之結果之輸出步驟。 ㈣執 此外，在此程式中，為 在叶异步驟甲用於計算一比率之臨 119782.doc -88- 200816268 限值為狀態值所屬之一子 態值之由標準值分為兩個子範圍：值」：子範圍屬於狀 在上述程式中，在於可能範圍中。 收步驟或其類似步驟中， 接收貝訊之接 可藉由硬體執行之處理、匕括由硬體執行之處理(僅 機、介面切其類似物執行之處理。驟中猎由數據 同樣’精由自飼服哭十 或藉由讀取已儲存於、、員似物下載’可執行此程式， Γηϋ 存於—預定儲存媒體（例如，光磾‘ CD-ROM)、磁碟、半 光碟（啫如 可執行此程式。導體以體或其類似物）上之程式，

執之電腦可為單一電腦或多個電 執订集中式處理或分散式處理。 T 同樣，在前述實施例中，應瞭解， 個以上通信單元（諸如 《兩個或兩 實施。 、°傳輸^ )可由—媒體實體地 i. 本發明不限於本文中所陳述 内，各種修改係可能的。 在本發明之範疇 此外，在前述實施例中’ 可為主從系統中之伺服^晉 單獨裝置或 分、接收部分、設定值接收兄下，輸出部 此 接收部分及其類似部分經由一、8俨 線接收輸入或將資料輸出至螢幕。 如上所述，根據本發明 於作為用於處理在由半…處理裝置及其類似物適合 仕由丰導體製造裝置執行的f 獲得之資訊的資訊處 過权期間 处理羞置及其類似物。詳言之 119782.doc •89· 200816268 於處理作為執行使h同設定值執行之處理之結果而獲 得之資訊的資訊處理裝置及其類似物4言之，其用作用又 於處理諸如單位之量測單位相互不同之值的資訊處 及其類似物。 、 【圖式簡單說明】 製造系統之組態的圖。 之資訊處理裝置之操作 的 圖1為說明實施例1中之半導體 圖2為說明半導體製造系統中 流程圖。

圖3為半導體製造系統之概念圖。 圖4為展示由資訊處理裝置接收之狀態值的曲線圖。 圖5為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。 圖6為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。 圖7為說明半導體製造系統之一經修改實例的圖。 圖8為展示用於說明資訊處理裝置之顯示實例的曲線 圖9為展示用於說明資訊處理裝置之顯示實例的曲線 圖。 、 圖10為說明實施例2中之半導體製造系統之組態的圖。 圖11為說明半導體製造系統中之資訊處理裝置之操作的 流程圖。 圖12為說明設定值與由資訊處理裝置接收之狀態值之間 的關係之曲線圖。 圖13為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。 圖14為說明溫度之設定值與由資訊處理裝置接收的加埶 119782.doc -90- 200816268 器之功率值之間的關係之曲線圖。 圖15為展示資訊處理裝置之一顯示實例的曲線圖。 圖16為說明實施例3中之半導體製造系統之組態的圖。 圖^為說明半導體製造系統中之f訊處縣置之操作的 圖18為半導體製造系統之概念圖。 圖19為展示半導體製造系統中 〜步狀恶值的曲線圖 圖20為展示半導體製造系統中 ^乙弟一狀恶值的曲線圖 圖21為展示資訊處理裝置之一— 、 处衣直 < 顯不實例的曲線圖。 圖22為用於說明資訊處理裝 衣罝之刼作的曲線圖。 圖23為展示半導體製造系統中之第三狀態值的曲線圖 圖“為展示資訊處理裝置之_顯示實例的曲線圖。 圖25為說明半導體製造系統 亍、元之一經修改實例的圖。 【主要元件符號說明】

10 電腦 20 電腦 50 電腦 60 電腦 100 資訊處理裝置 101 設定值接收部分 102 狀悲值接收部分 103 校正量計算部分 104 校正部分 105 輸出部分 119782.doc 200816268 106 107 108 110 200 201 202 203 204 211 212 213 214 215 221 222 223 224 225 226 230 231a 231b 231c 校正函數儲存部分 指定值儲存部分 判斷部分 顯示螢幕 半導體製造裝置 處理設定值接收部分 控制部分 處理狀態值獲取部分 處理輸出部分 處理容器 排氣部分 氣體引入部分 氣體供應管 處理容器之下端部分 蓋 0形環 旋轉支撐柱 旋轉台 驅動部分 舟 加熱爐 加熱器 加熱器 加熱器 119782.doc -92- 200816268 231d 加熱器 231e 加熱器 241a 溫度偵測部分 241b 溫度偵測部分 241c 溫度偵測部分 241d 溫度偵測部分 241e 溫度偵測部分 250 半導體晶圓 300 資訊處理裝置 301 校正函數產生部分 302 函數產生資訊儲存部分 500 貧訊處理裝置 501 狀態值接收部分 502 標準值儲存部分 503 臨限值儲存部分 504 計算部分 505 輸出部分 506 多變量分析部分 510 顯示螢幕 600 半導體製造裝置 601 控制部分 602 處理狀態值獲取部分 603 處理輸出部分 611 處理容器 119782.doc - 93 - 200816268 612 613 614 615 616 617 618 621 622 623 626 630 631a 631b 631c 641a 641b 641c 650 Gh Gl Gs Ph Pl 119782.doc 排氣部分 氣體引入部分 氣體供應管 處理容器之下端部分 壓力調節部分 壓力偵測部分 氣體流率偵測部分 蓋 0形環 旋轉支撐柱 舟 加熱爐 加熱器 加熱器 加熱器 温度偵測部分 溫度偵測部分 溫度偵測部分 半導體晶圓 第三狀態值之第一臨限值 第三狀態值之第二臨限值 第三狀態值之標準值 第二狀態值之第一臨限值 第二狀態值之第二臨限值 -94- 200816268

Ps 第二狀 Ta 濕度 Tb 溫度 Thn 對應於 Th12 對應於 Th21 對應於 TI122 對應於 TH 第一狀 Tl 第一狀 Ts 第一狀 Y600 y值 Y700 y值 Za 區 Zb 區 Zc 區 Zd 區 Ze 區 態值之標準值 第一設定值之處理溫度 第一設定值之處理溫度 第二設定值之處理溫度/臨限值 第二設定值之處理溫度/臨限值 態值之第一臨限值 態值之第二臨限值 態值之標準值 119782.doc -95-

Claims (1)

1. 200816268 十、申請專利範圍·· \一種資匕訊處理袭置，纟用於處理（Passing)-狀態值， /狀心值為關於一處理（treatment)期間之一狀態之 值A處理由一用於根據_設定值對一含有一半導體之 處理目‘執仃一處理的半導體製造裝置執行，該設定值 為'一用於設定一虛夕 yjr 處理之一條件的值，該資訊處理裝置包 含： 一設定值接收部分，其接收該設定值； -狀態值接收部分’其接收該狀態值； 一=正^十算部分’其使用-校正函數計算該狀態值 之枝正里^亥校正函數為一表示該設定值與該校正量 之間的一關係之函數； 杈正。Ρ为’其使用由該校正量計算部分計算出之該 校正量來校正由該狀態值接收部分接收之該狀態值；及 輸出部分，其輸出由該校正部分校正過之該狀態 值。 2·如請求項1之資訊處理裝置， 其中該校正函數為一表示該 又值之一改變量與該校 正置之間的一關係之函數，該校正 里馬遠狀怨值之基於 该汉疋值之該改變量而預測的一改變量，且 忒权正Ϊ計算部分使用該校正函數祖 設定值接收部分接收之該設定值 /於由。亥 至丁於一預定值的一改 變量之該校正量。 & m w & 3 ·如請求項2之資訊處理裝置，复中 衣罝，、千6亥奴正函數為具有用 119782.doc 200816268 於設定該校正函數的校正矩陣作為係數之函數，該校正 矩陣為一矩陣其中每一行之值為一狀態值之一改的 值，该狀態值之該改變量的該值係矩陣中表示所望設定 值之每一元素之值經依序改變一單位量而使該半導 造裝置執行一處理之情況下獲得者。 4. 如請求項2之資訊處理裝置，其中該校正函數為具有該 半導體製造裳置之轉移函數的穩態增益作為係數函 數。 / 5. 如請求項2之資訊處理裝置’其中該 多組該設定值及對應於該設定值之該狀態值二: 數。 6·如請求項5之資訊處理裝置’其進一步包含—校正函數 產生部分，其使用多組該設定值及對應於該設定值之兮 狀態值產生該校正函數。 人 7.如請求項5之資訊處理裝置’其中該校正函數為以一近 似式表示之函數，該近似式係使用多組該設定值及對岸 於該設定值之該狀態值而獲得者。 ^ 8 ·如請求項1之資訊處理裝置， 其中該校正函數兔一主- 一 ,表不该設定值與該校正量之間的 關係之函數，该校正吾炎 為一基於邊設定值預測之狀態 值，且 »亥权正里α十异部分使用該校正函數來計算 設定值接收部分所接收之該μ值之該校正量。 9.如請求項8之資訊處理裝置，其中該校正函數為一使用 119782.doc 200816268 夕組5亥設定值及對應於該設定值之該狀態值而獲得之函 數0 10·如凊求項9之資訊處理裝置，其進一步包含一校正函數 產生部分，其使用多組該設定值及對應於該設定值之該 狀悲值產生該校正函數。 11 ·如明求項9之資訊處理裝置，其中該校正函數為以一近 、弋表示之函數，该近似式係使用多組該設定值及對應 於該設定值之該狀態值而獲得者。 12·如請求項1之資訊處理装置， 其中該設定值為-用於設定對該半導體製造裝置内之 该處理目標之一處理之條件的值，且 該狀態值為表示在該處^里目標經安置於㉟半導體製造 裝置中之位置以外的位置之處理期間的狀態之值。 1 3 ·如請求項1之資訊處理裝置， 其中該設定值接收部分接收多個設定值， 該狀態值接收部分接收分別對應於該多個設定值之多 個狀態值， 該校正量計算部分俊用# p T，a, i 用μ权正函數來計算分別對應於 該多個狀態值之多個校正量， 該校正部分藉由由該校正量曾々 T ^ t^分计异出之該多個 校正量來校正分別對應於該多 茨夕個权正量之該多個狀態 值，且 該輸出部分輸出由該校正邮八 仅正4分权正過之該多個狀態 值0 119782.doc 200816268 14·如請求項2之資訊處理裝置， 其中該設定值接收部分接收各自充當該設定值之/第 一設定值及一第二設定值， 該狀態值接收部分接收分別對應於該第一設定值及該 第二設定值之一第一狀態值及一第二狀態值， 该杈正Ϊ计异部分使用該校正函數來基於該第二設定 值相對於充當一預定值的該第一設定值之一改變量而計 算該第二狀態值之一校正量， 該校正部分藉由該校正量來校正該第二狀態值，且 忒輸出部分輸出由該校正部分校正過之該第二狀態 值、及該第一狀態值。 1 5 ·如請求項1之資訊處理裝置， 其中该没定值為該半導體製造裝置内之溫度的一設定 值，且 该狀態值為該半導體製造裝置内之溫度的一量測值。 1 6·如請求項1之資訊處理裝置， 其中該設定值為該半導體製造裝置内之一預定位置處 之溫度的一設定值，且 該狀態值為一加熱該半導體製造裝置之一内部的加埶 器之一功率值（power value)。 1 7· —種半導體製造系統，其包含一用於對一含— 之處理目標執行一處理之半導體製造裝置及如請 之資訊處理裝置， 、項1 其中該半導體製造裝置包含·· 119782.doc 200816268 一處理設定值接收部分，其接收該設定值； -控制部分，其根據該設定值控制對該處理目標之 一處理， ’ 一處理狀悲值獲取部分，其獲取該狀態值；及 一處理輸出部分，其輪出該狀態值。 18 ·如請求項17之半導體製造系統， 其中該半導體製造裝置進一步包含： 一處理容益，在其中對該處理目標執行一處理； 至少一加熱器，其加熱該處理容器之一内部；及 至少一溫度偵測部分，其偵測該處理容器内之溫 度， ’里 該設定值為一用於設定該處理容器内之一預定位置處 的溫度之值’ 該控制部分藉由控制該至少一加熱器而控制該處理容 器内之溫度，且 該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為由 該溫度偵測部分偵測到的一溫度值。 19·如請求項18之半導體製造系統，其中該控制部分根據由 遠至少一溫度偵測部分偵測到之溫度來控制該處理容器 内之温度。 20·如請求項17之半導體製造系統， 其中该半導體製造裝置進一步包含： 一處理容器，在其中對該處理目標執行一處理；及 至少一加熱器，其加熱該處理容器之一内部， 119782.doc 200816268 該設定值為一用於設定該處理容器内之一預定位置處 的溫度之值， 藉由控制該至少一加熱器，該控制部分控制該處理容 器内之溫度，及 該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為該 至少一加熱器之一功率值。 21·如請求項20之半導體製造系統，

   其中该半導體製造裝置進一步包含至少一溫度偵測部 分，其偵測該處理容器内之溫度，且 該控制部分根據由該至少一溫度偵測部分偵測到之溫 度來控制該處理容器内之溫度。 22. 一種資訊處理方法’其用於處理一狀態值，該狀態值為 -關於-處理期間之一狀態之值，該處理由一用於根據 :設定值對—含有一半導體之處理目標執行一處理的半 導體製造裝置執行，該設定值為一用於設定—處理之一 條件的值，該資訊處理方法包含·· 一設定值接收步驟，其接收該設定值； 一狀態值接收步驟，其接收該狀態值； -权計算步驟，其使用—校正函數來計算該狀態 f之杈正里，该校正函數為一表示該設定值與該校正 量之間的一關係之函數； 枝正步驟，其使用在該校正量計算步驟中所計算出 U校1量來校正在該狀態值接收步驟中所接 狀態值；及 ^孩 119782.doc 200816268 值 輸出步驟，其輪屮太# 輸出在料正步驟中所校正之該狀 態 23·如請求項22之資訊處理方法， 其中該校正函數為一表 a 录不該设定值之一改變量盥 正量之間的一關係之函數， 文里/、垓权 數°亥权正量為該狀態值之基於 该设定值之該改變量而預測的一改變量，且 、 在該校正量計算步驟中，❹該校正函㈣ 於在該設定值接收步驟中所接收之該設定值相對於一預 定值的一改變量之該校正量。 24·如請求項22之資訊處理方法， 其中該校正函數為一表示該設定值與該校正量之間的 一關係之函數，該校正量為—基於該設定值而預測之狀 態值，且 在該校正量計算步驟中，使用該校正函數來計算對應 於在該設定值接收步驟中所接收之該設定值之該校正 量° 25. -種儲存㈣’其具有一用於使一電腦處理一狀態值之 私式，該狀態值為一關於一處理期間之一狀態之值，該 處理由用於根據一設定值對一含有一半導體之處理目 標執行一處理的半導體製造裝置執行，該設定值為一用 於設定一處理之一條件的值， 其中該程式使該電腦執行以下步驟： 一接收該設定值之設定值接收步驟； 接收該狀悲值之狀態值接收步驟； 119782.doc 200816268 一使用 校正函數計算該狀態值 量計算步驟，爷栌T T a 仅止里之权正 之門的一顯r "為一表示該設定值與該校正量 之間的關係之函數； 之该校正量 態值的校正 使用在"亥杈正量計算步驟中所計算出 來校正在該狀態值接收步财所接收之該狀 步驟；及 輸出在该校正步驟中所校正後之該狀態值的輸出 26·如請求項25之儲存媒體， $中該校正函數為一表示該設定值之一改變量與該校 間的一關係之函數，該校正量為該狀態值之基於 该设定值之該改變量而預測的一改變量，且 在忒杈正里什异步驟中，使用該校正函數來計算對應 於H定值接收步驟中所接收之該設定值相對於一預 定值的一改變量之該校正量。 27.如請求項25之儲存媒體， 其中該校正函數為一表示該設定值與該校正量之間的 一關係之函數，該校正量為一基於該設定值而預測之狀 態值，且 在忒权正ϊ計算步驟中，使用該校正函數來計算對應 於在該設定值接收步驟中所接收之該設定值之該校2 量0 種資Λ處理裝置，其用於處理（pr〇cessing)一狀態值， 該狀態值為一關於一處理（treatment)期間之一狀態之 119782.doc 200816268 值’該處理由一用认也Λ * . ;有—半導體之處理目標執行 一處理的何««置執行m處理裝置包含： ，值接收部分，其接收該狀態值； -標準值儲存部分，—為充當該狀態值 標準值可儲存於其中； +0714 -臨限值儲存部分，一為用於判斷該狀態值是否為一 所望值之值的臨限值可儲存於其中； 口十〜h ’其計算-關於由該狀態值接收部分所接 收之5亥狀您值與該禅'Ψ ^ ^ BB ,/ 旱值之間的差之值及一關於該臨限 值與該標準值之間的差之值之間的一比率；及 輸出部分’其輸出由該計算部分計算出之該比率。 2 9 ·如凊求項2 8之資訊處理裝置， 其中該狀態值接收部分接收不同量測單位 態值， 該計算部分計算對應於不同量測單位下之該多個狀態 值中之每一者的該比率，且 該輸出部分輸出由該計算部分計算出之該多個比率。 30. 如請求項29之資訊處理裝置，其中不同量測單位下之該 多個狀態值為該半導體製造裝置㈣溫度之—量測值及 該半導體製造裝置内的壓力之-量測值、或藉由在統計 上處理該等量測值而獲得之值。 31. 如請求項3〇之資訊處理裝置，其中不同量測單位下之該 多個狀態值進一步包括引入至該半導體製造裝置内的氣 體之流率（f1〇W rate)之一量測值、或藉由在統計上處理 119782.doc 200816268 該量測值而獲得之值。 32.如請求項28之資訊處理裝置，其中由該計算部分用於計 算一比率之該臨限值係在由該標準值分為兩個子範圍的 該狀態值之可能範圍中之該狀態值所屬之子範圍中之 值。 33_如清求項28之資訊處理裴置，其中該狀態值為該半導體 製造裝置㈣溫度之-量測值、或藉由在統計上處理該 量測值而獲得之一值。 34. 如請求項28之資訊處理裴置，其中該狀態值為該半導體 製造裝置内的壓力之一量測值、或藉由在統計上處理該 量測值而獲得之一值。 35. 如請求項28之資訊處理裝置，其中該狀態值為引入至該 半導體製造裝置内的氣體之流率之一量測值、或藉由^ 統計上處理該量測值而獲得之一值。 36_ —種半導體製造系統，其包含一用於對一含有一半導體 之處理目標執行一處理之半導體製造裝置及如請求項Μ 之資訊處理裝置， 其中該半導體製造裝置包含： 一處理狀態值獲取部分，其獲取該狀態值；及 一處理輸出部分，其輸出該狀態值。 37.如請求項36之半導體製造系統， 其中該半導體製造裝置進一步包含： 一處理容器，在其中對該處理目標執行一處理；及 至少一溫度偵測部分，其偵測該處理容器内之溫 119782.doc -10- 200816268 度，且 該處理狀態值獲取部分獲取—狀態值，該狀態值為由 該溫度偵測部分所偵測之溫度的一值、或藉由在統計上 處理該值而獲得的一值。 3 8·如請求項36之半導體製造系統， 其中該半導體製造裝置進一步包含： 一處理容器，在其中對該處理目標執行一處理；及 〆 一壓力偵測部分，其偵測該處理容器内之壓力，且 、 該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為由 該壓力谓測部分所偵測之壓力的一值、或藉由在統計上 處理該值而獲得的一值。 3 9.如請求項36之半導體製造系統， 其中該半導體製造裝置進一步包含： 一處理容器，在其中對該處理目標執行一處理；及 一氣體流率偵測部分，其偵測引入至該處理容器内 之氣體的流率，且 該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為由 该氣體流率偵測部分所偵測之氣體流率的一值、或藉由 在統計上處理該值而獲得的一值。 40. —種資訊處理裝置，其用於處理（pr〇cessing)一狀態值， 3狀恶值為一關於一處理（treatment)期間之一狀態之 值’該處理由一用於對一含有一半導體之處理目標執行 一處理的半導體製造裝置執行，該資訊處理裝置包含： 一狀態值接收部分，其接收不同量測單位下之多個狀 119782.doc 200816268 態值； 一標準值儲存部分，一為充當該狀態值之標準的值之 標準值可儲存於其中； 一臨限值儲存部分，一為用於判斷該狀態值是否為一 所望值之值的臨限值可儲存於其中； 一计异部分，對於不同量測單位下之該多個狀態值中 之每一者’其計算一關於由該狀態值接收部分所接收之 该狀態值與該標準值之間的差之值及一關於該臨限值與 該標準值之間的差之值之間的一比率； 一多變量分析部分，其使用由該計算部分計算之該多 個比率執行多變量分析；及 一輸出部分，其輸出由該多變量分析部分所執行之分 析的一結果。 41·如請求項4〇之資訊處理裝置，其中由該計算部分用於計 算一比率之該臨限值係在由該標準值分為兩個子範圍的 该狀態值之可能範圍中之該狀態值所屬之子範圍中之 42. 如吻求項4〇之貢訊處理裝置，其中該狀態值為該半導體 ，造裝置内的溫度之-量測值、或藉由在統計上處理該 里測值而獲得之一值。 43. 如請求項4〇之資訊處理裝置，其中該狀態值為該半導體 ^、破置内的壓力之—量測值、或藉由在統計上處理該 里測值而獲得之一值0 44. 如請求項4G之資訊處理裝置’其中該狀態值為引入至該 119782.doc -12- 200816268 半導體製造裝置内的氣體 j巩饈之，巩率之一量測值、 統計上處理該量測值而獲得之一值。 θ在 45.如請求項40之資訊處理裝置，直 客徊肋处伯4 八中不问買挪早位下之該 =、=半導體製造裝置内的溫度之-量測值及 :工=_力之—量測值，或藉由在統計 上處理戎41測值而獲得之值。 46·如請求項45之資訊處理裝 1 r小μ里須I]單位下之古女 多個狀態值進一步包括4丨 μ 體Θ 丨至料導體製造裝置内的氣 體之/瓜率之一 1測值、.蕻 忒猎由在統汁上處理該量測值而 獲得之一值。 47. 一種半導體製造系統 之處理目標執行一處 40之資訊處理裝置， ，其包含一用於對一含有一半導體 理之半導體製造裝置、及如請求項 其中該半導體製造裝置包含：

   處理狀悲值獲取部分，其獲取該狀態值；及 -處理輪出部分，其輸出該狀態值。 48·如請求項47之半導體製造系統， 其中該半導體製造裝置進一步包含： 一處理容器’在其中對該處理目標執行一處理；及 至少一溫度偵測部分，其偵測該處理容器内之溫 度，且 該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為由 該溫度偵測部分所偵測之溫度的一值、或藉由在統計上 處理該值而獲得的_值。 119782.doc -13- 200816268 49. 如請求項47之半導體製造系統， 其中該半導體製造裝置進一步包含： 一處理容器，在其中對該處理目標執行一處理；及 一壓力偵測部分，其偵測該處理容器内之壓力，且 該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為由 該壓力偵測部分所偵測之壓力的一值、或藉由在統計上 處理該值而獲得的一值。 50. 如請求項47之半導體製造系統， 其中該半導體製造裝置進一步包含： 一處理容器，在其中對該處理目標執行一處理；及 一氣體流率偵測部分，其偵測引入至該處理容器内 之氣體的流率，且 該處理狀態值獲取部分獲取一狀態值，該狀態值為由 該氣體流率偵測部分所偵測之氣體流率的一值、或藉由 在統計上處理該值而獲得的一值。 51. —種資訊處理方法，其用於處理（pr〇cessing)一狀態值， 5亥狀怨值為一關於一處理（treatment)期間之一狀態之 值，該處理由一用於對一含有一半導體之處理目標執行 一處理的半導體製造裝置執行，該資訊處理方法包含： 一狀態值接收步驟，其接收該狀態值； 一計算步驟，其計算一關於在該狀態值接收步驟中所 接收之该狀悲值與一經儲存之充當該狀態值的標準之標 準值之間的差之值及一關於一經儲存之用於判斷該狀態 值是否為一所望值之臨限值與該標準值之間的差之值之 119782.doc -14- 200816268 間的一比率；及 輸出步驟，其輸出在該計算步驟中所計算之該比 率。 52·如請求項5 1之資訊處理方法， 其中在该狀態值接收步驟中，接收不同量測單位下之 多個狀態值， 在該計算步驟中，計算對應於不同量測單位下之該多 個狀態值中之每一者的該比率，且 在該輸出步驟中，輸出在該計算步驟中所計算之該多 個比率。 53·如請求項51之資訊處理方法，其中在該計算步驟中用於 計算一比率之該臨限值係在由該標準值分為兩個子範圍 的該狀態值之可能範圍中之該狀態值所屬之子範圍中之 值。 54. —種負όίΐ處理方法，其用於處理（pr〇cessing)一狀態值， 該狀態值為一關於一處理（treatment)期間之一狀態之 值，該處理由一用於對一含有一半導體之處理目標執行 一處理的半導體製造裝置執行，該資訊處理方法包含： 一狀態值接收步驟，其接收不同量測單位下之多個狀 態值； 一計算步驟，其對於不同量測單位下之該多個狀態值 中之每一者，什异一關於在該狀態值接收步驟中所接收 之該狀態值與一經儲存之充當該狀態值的標準之標準值 之間的差之值及一關於一經儲存之用於判斷該狀態值是 119782.doc -15- 200816268 否為一所望值之臨限值與該標準值之間的差之值之間的 一比率； 一多變量分析步驟，其使用在該計算步驟中所計算之 該多個比率執行多變量分析；及 ^ 3出v驟其輸出在該多變量分析步驟中所執行之 分析的一結果。 55.如=求項54之資訊處理方法，其中在該計算步驟中用於 比率之》亥限值係在由該標準值分為兩個子範圍 的該狀態值之可能範圍中之該狀態值所屬之子範圍中之 值。 56·種儲存媒體，其具有一用於使一電腦處理㈣⑽s) 一 狀態值之程式，該狀態值為一關於一處理(加迦㈣期 間之一狀態之值，該處理由一用於對一含有一半導體之 處理目標執行一處理的半導體製造裝置執行， 其中該程式使該電腦執行以下步驟： 一狀態值接收步驟，其接收該狀態值； 一計算步驟，其計算一關於在該狀態值接收步驟中 所接收之該狀態值與一經儲存之充當該狀態值的標準之 仏準值之間的差之值及一關於一經儲存之用於判斷該狀 態值是否為一所望值之臨限值與該標準值之間的差之值 之間的一比率；及 一輸出步驟，其輪出在該計算步驟中所計算之該比 率。 57.如請求項56之儲存媒體， 119782.doc -16- 200816268 其中在該狀態值接收步驟中，接收不同量測單位下之 多個狀態值， 在該計算步驟中，計算對應於不同 個狀態值中之每一者的該比率，且 早…〇 在該輸出步驟中，輸出在該計算步驟中所計算之該多 個比率。 58·如請求項56之儲存媒體’丨中在該計算步驟中用於計算 -=率之該臨限值係在由該標準值分為兩個子範圍的該 狀態值之可能範圍中之該狀態值所屬之子範圍中之值。 59. -種儲存媒體，其具有一用於使一電腦處理（pr_ss)一 狀態值之程式，該狀態值為一關於一處理 間之一狀態之值，該處理由一用於對一含有一半導體之 處理目標執行一處理的半導體製造裝置執行， 其中該程式使該電腦執行以下步驟： 一狀態值接收步驟，其接收不同量測單位下之多個 狀態值； 一計算步驟，其對於不同量測單位下之該多個狀態 值中之母一者，計异一關於在該狀態值接收步驟中所接 收之該狀態值與一經儲存之充當該狀態值的標準之標準 值之間的差之值及一關於一經儲存之用於判斷該狀態值 是否為一所望值之臨限值與該標準值之間的差之值之間 的一比率； 一多變里分析步驟’其使用在該計算步驟中所計算 之該多個比率執行多變量分析；及 119782.doc -17- 200816268 輸出V驟’其輸出在該多變量分析步驟中所執行 之分析的一結果。 60.如請求項59之儲存媒體，其中在該計算步驟中用於計算 一比率之該臨限值係在由該標準值分為兩個子範圍的= 狀態值之可能範圍中之該狀態值所屬之子範圍中之值。 119782.doc 18-