TW200816144A - Active-matrix-type light-emitting device, electronic apparatus, and pixel driving method for active-matrix-type light-emitting device - Google Patents

Description

200816144 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關主動矩陣型發光裝置，電子機器及主動 矩陣型發光裝置之畫素驅動方法，特別是，有關有效地防 止針對在具備如電激發光（EL )元件之自體發光元件的 畫素之黑顯示時的黑顯示不勻（針對在黑顯示時，不需要 的電流亦流動，經由此，發光元件則稍微發光而黑位準則 上升，對比則下降之現象）。 【先前技術】 近年來，具有高效率•薄型•低視角依存性等特徵之 電激發光（E L )元件則被注目，並活躍地進行使用其e L 元件之顯示器的開發，而EL元件係爲由加上電場於螢光 性化合物之情況而發光之自體發光型的元件，並大致區分 爲作爲發光物質層而使用硫化鋅等之無機化合物的無機 EL元件，和作爲發光物質層而使用二胺類等之有機化合 物的有機EL元件。 有機EL元件係從彩色化容易，且由較無機EL ‘元件 爲相當低的低電壓之直流電壓，進行動作等之利點，故近 年來特別期待對於攜帶終端之顯示裝置等之應用。 有機EL元件係在從正孔注入電極，朝向發光物質層 而注入正孔時之同時，從電子注入電極，朝向發光物質層 而注入電子，並經由開始再結合所注入之正孔與電子之情 況，激發構成發光中心之有機分子，並且，其被激發之有 -4- 200816144 機分子返回爲基底狀態時，呈發射螢光地所構成，隨之， 有機EL元件係可經由磬擇構~成發光物質層之螢光物質之 情況，使發光色進行變化者。 在有機EL元件中，當於陽極側的透明電極，施加正 的電壓，另一方面，於陰極的金屬電極，施加負的電壓時 ，儲存電荷，當電壓値則超過元件固有的障壁電壓或發光 臨界値電壓時，則電流開始流動，並且，產生大致比例於 其直流電流質之強度的發光，也就是，有機EL元件係與 雷射二極體或發光二極體等同樣地，可稱作電流驅動型之 自體發光元件。 有機EL顯示裝置之驅動方法係大致區分作被動矩陣 方式與主動矩陣方式，但，在被動矩陣驅動方式之中，限 制有顯示畫素數，並在壽命或消耗電力上亦有限制，隨之 ，作爲有機EL顯示裝置之驅動方式，多使用在實現大面 積•高精細度的顯示面板上有利之主動矩陣型之驅動方式 ，並主動矩陣型驅動方式之顯示器的開發則積極不斷進行 〇 在主動矩陣型驅動方式之顯示裝置之中，一方的電極 則圖案化爲點矩陣狀，並爲了獨立驅動形成於各電極上之 有機EL元件，對於各電極，形成有作爲發光控制電晶體 之聚矽薄膜電晶體（聚矽TFT )，另外，作爲爲了驅動有 機EL元件之驅動電晶體，或控制關連於資料寫入之動作 的控制電晶體，亦使用聚矽TFT。 在以下的說明中，係有將聚矽TFT單稱作「TFT」之 -5- 200816144 情況，但，對於單稱作「TFT」之情況，其材料並不侷限 於聚修之構成，例如，亦可爲非晶型矽TFT。 有機EL元件之發光色階係對於TFT的特性，受到大 的影響，而在下記的專利文獻1之中，係著眼於經由在於 藉由掃描線所驅動之T F T，照射光線時而產生之洩漏電流 (光洩漏電流）’儲存於保持電容之電荷產生變動之情況 ，再經由插入二極體之時，控制其電荷的變動。 [專利文獻1]日本特開2006-17966號公報 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 在專利文獻1之中，係將TFT之光洩漏電流作爲問 題，但，作爲在TFT產生之洩漏電流係亦有關閉時之洩 漏電流（暗電流），以及因電路動作而引起，產生之洩漏 電流，並將此等總合地進行檢討之情況則爲重要。 本發明之發明者係注目再針對在主動矩陣型發光裝置 之黑顯示時（也就是，發光控制電晶體係作爲開啓，但， 從驅動電晶體係未供給電流，結果，發光元件係維持非發 光狀態之狀態，雖然僅有一些，但仍流動有無需之電流， 而經由此，發光元件則發光，黑位準則上升，有著產生對 比下降之現象（黑顯示不勻）之情況，關於其原因，作總 合性地檢討。 其結果，了解到特別是因電路動作而引起產生，瞬時 間之大的洩漏電流，對於黑顯示不勻之發生有很大的關連 -6 - 200816144 性。 即，在使掃描線的電位變化，將發光控制 關閉移轉至開啓時，經由其發光控制電晶體之 間的寄生容量，掃描線的電位之變化成分則洩 件側，瞬時間流動大的電流，在以下的說明中 稱作「耦合電流」，而「耦合電流」係爲因藉 電晶體之寄生容量而耦合（結合）於發光元件 脈衝引起的電流。 當其耦合電流流動時，不論爲黑顯示時， 則瞬時間進行發光，而黑位準則上升，對比下 係因對於人的視覺上加上印象，故顯示畫像的 〇 即，並非依據成爲以往問題之TFT之物 之洩漏電流，而經由電路性的要因而產生的浅 爲直接關係到黑顯示時之對比下降之重要的要 本發明之發明者的檢討而了解到。 本發明係爲依據如此之考察而作爲之構成 爲不使電路構成作爲複雜化而有效果地，控制 矩陣型發光裝置之黑顯示時之對比下降情況者 [爲了解決課題之手段] (1 )本發明之主動矩陣型發光裝置係具 光π件、和驅動前述發光元件之驅動電晶體、 動電晶體一端被連接，蓄積對應於寫入資料之 電晶體，從 閘極•源極 入於發光元 ，將其電流 由發光控制 之過度性的 而發光元件 降，此現象 畫値則下降 理性的特性 漏電流，則 因，但經由 ，其目的係 針對在主動 有：備有發 和於前述驅 電荷的保持 -7- 200816144 電容器、和‘控制關於對前述保持電容器之資料寫入之動作 的至少一個控制電晶體、和介入存在於前述發光元件與前 述驅動電晶體間之發光控制電晶體的畫素電路，和控制前 述控制電晶體之開啓/關閉的第1之掃描線以及控制前述 發光控制電晶體之開啓/關閉的第2之掃描線、和將寫入 資料傳.達至前述畫素電路的資料線、和驅動前述第1及第 2之掃描線的同時，關於前述第2之掃描線的電流驅動能 力，較關於前述第1之掃描線之電流驅動能力設定爲低的 掃描線驅動電路者。 經由意圖使關於第2之掃描線的電流驅動能力降低之 情況，使發光控制電晶體之驅動脈衝的啓動波形鈍化（即 ，將對於時間之電壓的變化作爲緩慢），經由此，藉由發 光控制電晶體之寄生容量，可控制具有大峰値之電流値的 瞬時間電流（耦合電流）流動之情況者，隨之，降低針對 在黑顯示時之黑位準的上升（黑顯示不勻），無須擔心經 由對比下降之顯示畫像的畫質下降，另外，調整關於針對 在掃描線驅動電路之第2之掃描線的驅動能力之情況係爲 容易，並因無須設置特別的電路，故電路構成則無需作爲 複雜化而容易實現。 在（2 )本發明之主動矩陣型發光裝置之一型態中， 前述掃描線驅動電路乃具備各驅動前述第1及第2之掃描 線的第1及第2之輸出緩衝器，構成前述第2之輸出緩衝 器之電晶體之尺寸乃較構成前述第1之輸出緩衝器之電晶 體之尺寸爲小。 -8- 200816144 經由調整構成輸出段之緩衝器的電晶體尺寸之情況’ 意圖將關於第2之掃描線的驅動能力，設定較關於第1之 掃描線的驅動能力爲低之構成，在此，「電晶體之尺寸大 小」係不僅止於「比較1個之電晶體之尺寸的情況之大小 」，例如，針對在驅動1個之掃描線的輸出緩衝器’係並 聯地連接單位尺寸之複數之電晶體，對此，在驅動第2之 掃描線的輸出緩衝器中，亦包含只使用1個單位尺寸之電 晶體的情況，（因可當作，如將並聯連接之電晶體認爲爲 一個之電晶體，電晶體之尺寸則爲不同）。 在（3 )本發明之主動矩陣型發光裝置之其他的型態 中，構成前述第1及第2之輸出緩衝器之電晶體乃絕緣 閘型場效電晶體，構成前述第2之輸出緩衝器之電晶體之 通道電導（W/L)乃較構成前述第1之輸出緩衝器之電晶 體之通道電導（W/L)爲小。 經由構成輸出緩衝器之MOS電晶體之通道電導（閘 極寬度W/閘極長L)之情況，意圖地使關於第2之掃描 線的驅動能力，比較於關於第1之掃描線的驅動能力降低 之構成。 在（4)本發明之主動矩陣型發光裝置之其他的型態 中，前述掃描線驅動電路乃具備各驅動前述第1及第2 之掃描線的第1及第2之輸出緩衝器，於前述第2之輸出 緩衝器之輸出端，連接使關於前述第2之掃描線之電流驅 動能力，較前述第1之掃描線之電流驅動能力爲低的阻抗 者。 -9- 200816144 經由阻抗的插入而限制電流量’使關於前述第2之掃 描線之電流驅動能力，較前述第1之掃描線之電—流驅動能 力爲低之構成，而其阻抗係亦可看作爲了使第2之掃描線 的電壓變化鈍化之時間常數電路的構成要素者，而構成輸 出段之緩衝器的電晶體之尺寸係即使爲相同，如只於驅動 第2之掃描線之輸出緩衝器，介入存在阻抗，亦可只使關 於第2之掃描線的電流驅動能力下降，而亦可爲如縮小構 成輸出段之緩衝器的電晶體之尺寸，更加地插入阻抗而將 電流驅動能力作爲微調整之使用型態。 在（4 )本發明之主動矩陣型發光裝置之其他的型態 中，前述驅動電晶體乃絕緣閘型場效電晶體，改變前述第 2之掃描線之電位，將前述發光控制電晶體從關閉移轉至 開啓之時，經由前述發光控制電晶體之閘極•源極間之寄 生容量，前述第2之掃描線之電位之變化成分浅入至前述 發光元件側而產生之耦合電流的電流量，乃經由下降關於 前述第2之掃描線之電流驅動能力而減低，由此控制黑顯 示時之前述發光元件之不需要的發光。 經由電路性的要因而產生之耦合電流，則爲直接關係 到黑顯示時之對比下降之重要因素，隨之，本發明係爲將 其耦合電流之下降作爲優先解決課題的情況之構成。 在（6 )本發明之主動矩陣型發光裝置之其他的型態 中’前述發光控制電晶體與發光元件乃於基板上接近加以 配置。 爲了作爲高積體化，係有必要針對在基板上，將發光 -10- 200816144 控制電晶體與發光元件接近加以配置，而對於此情況，係 經由發光控制電晶體之寄生容-量~流動之耦合電流則不會衰 減而直接供給至發光元件，所謂黑顯示不勻之現象有相當 明顯之虞，如根據本發明，將無需設置特別的電路，即可 控制黑位準之上升，針對在高積體之主動矩陣型發光裝置 ，亦無需擔心對比下降。 在（7)本發明之主動矩陣型發光裝置之其他的型態 中’產生前述第2之掃描線之電位變化後，使該變化至收 斂的時間成爲1水平同步期間（1Η )以上地，調整關於 前述第2之掃描線之電流驅動能力者。 經由使第2之掃描線之電位變化至收斂的時間成爲1 水平同步期間（1Η )以上地（也就是，將第2之掃描線 ，看作CR時間常數電路之情況，將CR時間常數作爲呈 1 Η以上），迴避急劇之電位變化，可確實防止峰値爲大 之瞬間的親合電流之產生。 在（8 )本發明之主動矩陣型發光裝置之其他的型態 中，藉由前述第1之掃描線所驅動之前述控制電晶體乃連 接於前述保持電容器與前述驅動電晶體之共通連接點與前 述資料線間之開關電晶體，且此開關電晶體乃於1水平同 步期間（1Η )內，至少進行1次開啓/關閉動作，又，藉 由前述第2之掃描線所驅動之前述發光控制電晶體乃在1 垂直同步期間（1V )內之特定期間，至少進行1次之開 啓/關閉動作。 藉由第1掃描線所驅動之控制電晶體（開關電晶體） 11 - 200816144 係對於於1水平期間（1 Η )內，對於1水平時間， 以相當短時間（數1 0 0 n S〜數//S )進行切換之情況而 藉由減弱電流驅動能力之第2掃描線索驅動之發光控 晶體係如只在1垂直同步期間（1V )中的特定期間 開啓/關閉動作即可（也就是，不會頻反產生開啓/關 ，並且，對於其發光控制電晶體之開啓時間，和其他 體之動作時間之間，係通常設置特定的界限，隨之， 意圖若干使第2之掃描線的驅動能力下降，如有效利 界限而調整驅動時間，電路動作上的延遲係並無特別 題’另外，發光控制電晶體之情況，因如其他發光控 晶體地’未要求頻繁且高速之開啓/關閉，故在此情 亦不會特別產生問題，因而，即使作爲意圖使第2之 線的驅動能力下降，在實際的動作上，亦不會特別產 題。 在（9)本發明之主動矩陣型發光裝置之其他的 中’前述畫素電路乃經由前述資料線流動之電流，控 積於前述保持電容器之電荷，調整前述發光元件之發 階之電流程序方式之畫素電路，或經由前述資料線傳 電壓信號，控制蓄積於前述保持電容器之電荷，調整 發光元件之發光色階之電壓程序方式之畫素電路。 本發明係可適用於電壓程序方式之發光裝置，以 流程序方式之發光裝置雙方。 在（10)本發明之主動矩陣型發光裝置之其他的 中，前述畫素電路乃具備爲補償做爲前述驅動電晶體 需要 言， 制電 進行 閉） 電晶 即使 率其 有問 制電 況， 掃描 生問 型態 制蓄 光色 達之 前述 及電 型態 之絕 -12- 200816144 緣閘型場效電晶體之臨限値電壓的變動之電路構成的電壓 程序方式之畫素電路，藉由前述第1之掃描線所驅動之前 述控制電晶體乃於貧料線一端被連接，另一端乃連接於耦 合電容器之一端之寫入電晶體，或前述耦合電容器之另一 端乃連接於前述保持電容器與前述驅動電晶體之共通連接 點。 爲了可控制經由驅動電晶體之臨界値電壓的不均之驅 動電流的變動’亦減低驅動電晶體之關閉時（黑顯示時） 之洩漏電流，更加地，因控制經由耦合電流之黑位準的上 升’故確實實現所期望之位準的黑顯示。 在（1 1 )本發明之主動矩陣型發光裝置之其他的型態 中，前述發光元件乃有機電激發光元件（有機EL元件） 〇 有機EL兀件係從彩色化容易，且由較無機EL元件 爲相當低的低電壓之直流電壓，進行動作等之利點，故近 年來特別期待作爲大型顯示面板等之利用，如根據本發明 ，可實現可控制經由耦合電流之黑位準之上升的高品質之 有機EL面板者。 在（1 2 )本發明之電子機器乃搭載本發明之主動矩陣 型發光裝置者。 主動矩陣型之發光裝置係在實現大面積•高精細度的 顯示面板上爲有利，且本發明之主動矩陣型發光裝置係成 不產生對比下降地下工夫，隨之，例如，可作爲針對在電 子機器之顯示機器而使用。 -13- 200816144 在（13)本發明之電子機器之一型態中，前述主動矩 陣型發光裝置乃做爲顯示裝置，或做爲光源使用。 本發明之主動矩陣型發光裝置係例如，可作爲搭載於 攜帶終端之顯示面板，或作爲如汽車導航裝置之車載用機 器之顯示器而使用，並亦可以高精彩，作爲大畫面之顯示 面板而使用，另外，亦可作爲針對在列表機之光源而使用 者。 (1 4 )針對在本發明之主動矩陣型發光裝置的驅動方 法係將具備有發光元件、和驅動前述發光元件之驅動電晶 體、和於前述驅動電晶體一端被連接，蓄積對應於寫入資 料之電荷的保持電容器、和控制關於對前述保持電容器之 資料寫入之動作的至少一個控制電晶體、和介入存在於前 述發光元件與前述驅動電晶體間之發光控制電晶體的畫素 電路的前述控制電晶體以及前述發光控制電晶體，各別經 由第1及第2之掃描線，開啓/關閉驅動之主動矩陣型發 光裝置之畫素驅動方法，其特徵乃將關於前述第2之掃描 線之電流驅動能力，設定呈較關於前述第1之掃描線之電 流驅動能力爲低，由此，改變前述第2之掃描線之電位， 於前述發光控制電晶體從關閉移轉至開始之時，經由前述 發光控制電晶體之閘極•源極間之寄生容量，減低前述第 2之掃描線之電位之變化成分洩入前述發光元件側所產生 之耦合電流，抑制黑顯示時之前述發光元件之不需要的發 光者。 如根據本發明之畫素驅動方法，使第2之掃描線之驅 -14- 200816144 動能力降低而減低耦合電流，可有效地控制黑位準之上升 者0 【實施方式】 [爲了實施發明之最佳型態] 在關於就本發明之具體的實施型態進行說明之前，關 於就有關針對在經由本發明之發明者所作爲之主動矩陣型 畫素電路的TFT之洩漏電流之檢討結果，進行說明。 圖14 ( a )，（ b )係爲爲了關於就針對在主動矩陣 型畫素電路的TFT之洩漏電流進行說明的圖，（a)係爲 畫素電路之主要部的電路，（b )係爲爲了說明伴隨發光 元件的動作而產生之洩漏電流的種類之時間圖。 針對在圖1 4 ( a )所示之電路，Μ 1 3係爲驅動電晶體 (Ρ通道MOSTFT) ，Μ14係爲作爲開關元件之發光控制 電晶體（NMOSTFT ) ，OLED係爲作爲發光元件之有機 EL元件，發光控制電晶體（Μ 1 4 )係經由發光控制信號 (GEL )驅動開啓/關閉，而對於發光控制電晶體（Ml 4 ) 係於閘極•源極間存在有寄生容量（Cgs )，然而，VEL 以及VCT係爲畫素電源電壓。 有機EL元件（OLED )之動作狀態係如圖14 ( b )所 示，大致區分爲發光期間（時刻11〜時刻12 ) ’和非發光 期間（時刻t2〜時刻t3 )，另外，針對在時刻tl，發光控 制信號（發光控制脈衝：GEL )則從低位準啓動至高位準 ，針對在時刻t2，從高位準下降至低位準，而時刻11〜時 -15- 200816144 刻t3則相當於1垂直同步期間（1 V )。 在以下的說明中，將顯示「黑」之情況作·爲前提，即 ，針對在圖14 ( a)之電路，即使爲發光元件（OLED ) 之發光期間（時刻tl〜時刻t2 )，驅動電晶體（M13 )係 亦維持關閉，而驅動電流不流動之情況則爲理想，但，現 實上係存在有洩漏電流，而針對在圖1 4 ( a )之電路的洩 漏電流成分係可分爲3種類的成分。 其一係爲發光控制信號，針對在高位準之期間（時刻 11〜t2 )而流動之畫素電流（第1之洩漏電流），其第1 洩漏電流係爲驅動電晶體（PMOSTFT) M13之關閉時之 洩漏電流。 其他的一個係爲發光控制信號，針對在低位準之期間 (時刻t2〜t3)而流動之晝素電流（第2之洩漏電流）， 其第2洩漏電流係爲發光電晶體（NMOSTFT) M14之關 閉時之洩漏電流，一般，第1洩漏電流比較於第2洩漏電 流，電流量爲大。 另外，剩餘的一個則爲針對在發光控制信號（發光控 制脈衝：GEL )之開始時（時刻11 )，其發光控制信號（ GEL )之電壓變化成分則藉由發光控制電晶體（M14 )之 閘極•源極間容量（Cgs)，洩入於發光元件（OLED )側 ，並經由此而流動之第3洩漏電流，在本明細書中，將其 第3洩漏電流，稱作「耦合電流」，發光控制信號（GEL )則爲考慮經由藉由寄生容量（Cgs )而接合於發光元件 (OLED )之情況而產生之電流的情況之構成，以往，特 -16 - 200816144 別是對於其第3洩漏電流（耦合電流）係並未作任何考慮 〇 當考慮以上3種類之洩漏電流時，針對在圖1 4 ( a ) 之電路的總合之洩漏電流（Ileak)係可經由以下的式（1 )而表示。 11 e ak = n X I g e 1 + d X I 〇 f fp + ( 1-d) xloffn··· ( 1)，在此 ，n係爲1圖框內之發光次數，d係爲發光負荷（對於1V 期間的發光期間之比例，OSdSl) ，Igel係爲因GEL信 號之耦合引起之耦合電流，Ioffp係爲PMOSTFT (驅動電 晶體Μ 1 3 )之關閉時之洩漏電流（關閉電流）。 經由根據上述之（1 )式的洩漏電流樣品，可高精確 地模擬現實之洩漏電流之情況係從經由本發明之發明者所 作爲之實驗結果（圖1 5 ) 了解到。 圖1 5係爲重疊表示關於洩漏電流之負荷依存性，實 施依據洩漏電流之評價式之電腦模擬之結果，和流動於發 光元件之洩漏電流的實測値的圖，然而，負荷係指如上述 ，對於1 V期間之發光元件的發光期間之比例。 針對在圖1 5，標繪黑色四角之特性線係爲經由模擬 樣品之特性線，而標繪黑色圓之特性線係爲流動於發光元 件之洩漏電流之實測値，如圖示，雙方之特性線係幾乎一 致，也就是，了解到經由上述之（1 )式之洩漏電流樣品 則精確度佳地反應實際之洩漏電流質之情況。 在此，應注目的情況係爲以往，未作任何對策之第3 洩漏電流（耦合電流）之存在，而其耦合電流係雖爲瞬時 -17- 200816144 間之構成，但因峰値電流値爲大，故根據經由其耦合電流 ，發光元件則瞬時間發光之情況的黑位準之上升（對比的 下降），對於人的眼睛殘留印象，而此情況則直接關係到 顯示畫像的畫質下降。 因此，在本發明之中，係經由電路上下工夫（即，意 圖使關於第2掃描線之電流驅動能力下降.，將發光控制信 號GEL之開始/結束之電壓變化作爲緩慢之情況）降低其 耦合電流，控制經由黑位準之上升的對比下降。 接著，關於本發明之實施型態，參照圖面進行說明。 (第1實施型態） 圖1係爲表示本發明之主動矩陣型發光裝置之一例（ 電流程序方式之有機E L面板）之全體構成的電路圖。 如圖示，圖1之主動矩陣型發光裝置係具有主動矩陣 型之畫素（畫素電路）100a〜10〇d，和掃描線驅動器（掃 描線驅動電路）2 0 0，和資料線驅動器（資料線驅動電路 )3 0 0，和第1及第2掃描線（W1，W2 )，和資料線（ D L 1，D L 2 )。 畫素（畫素電路）l〇〇a〜l〇〇d係具備藉由第1掃描線 (W1 )所驅動之作爲控制電晶體之NMOSTFT ( Ml 1， M12) ’和藉由第2掃描線所驅動之作爲發光控制電晶體 (Μ 1 4 )，和有機EL元件（OLED )。 另外，掃描線驅動器200係具備位移暫存器202，和 爲了驅動第1掃描線（W1 )之輸出緩衝器（D R1 )，和爲 -18- 200816144 了驅動第2掃描線之輸出緩衝器（DR2 )。 另外’資料線驅動器3 0 0係具備爲了電流驅動資料線 (DL1，DL2)之電流生成電路302。 圖2係爲表不針對在圖1之主動矩陣型發光裝置之書 素（畫素電路）的具體的電路構成，以及針對在掃描線驅 動器之輸出緩衝器的電路構成與電晶體尺寸之電路圖，然 而，在圖2中係在圖1所示之複數之畫素之中，只描繪畫 素 1 0 0 a 〇 畫素（畫素電路）100a係具備保持電容器（Ch)， 和控制設置於其保持電容器（Ch )與資料線（DL i )之間 ，對於保持電容器（Ch )之資料寫入之動作及寫入之資料 的保持動作之控制電晶體（開關電晶體：Mil，M12 )， 和生成爲了使有機EL元件（OLED )發光之驅動電流（ IEL )之驅動電晶體（PMOSTFT ) M13，和發光控制電晶 體（NMOSTFT) M14，而驅動電晶體（M13 )，發光控制 電晶體（Ml 4 )，以及有機EL元件（OLED )係串聯連接 於畫素電源電壓（VEL，VCT )間。 另外，設置於掃描線驅動器2 00之輸出緩衝器（DR 1 ，DR2 )係各自由CMOS反相器所構成，圖2中，雖只記 載1段之反相器，但並不侷限於此之構成，亦可將複數之 反相器，作爲偶數段，或奇數段連接。 在此應注目之情況係有關爲了驅動發光控制電晶體（ Μ 1 4 )之掃描線（W2 )的電流驅動能力則比較於爲了驅動 其他控制電晶體之掃描線（W 1 )的電流驅動能力，意圖 -19- 200816144 地設定爲低之情況。 即，構成輸出緩衝器（DR2 )之電晶體（PMOSTFT ( M30 ) ，NMOSTFT ( M31 ))之尺寸係較構成輸出緩衝器 DR1 之電晶體（PMOSTFT (M20) ，NMOSTFT (M21)) 之尺寸爲小地設定，圖中，比較於輸出緩衝器.（D R 1 )而 縮小描繪輸出緩衝器（DR2 )之情況係爲爲了了解電晶體 之尺寸的不同。

具體而言，例如，構成輸出緩衝器（DR2 )之電晶體 (PMOSTFT ( M30 ) ，NMOSTFT (M31))之閘極長（L )係爲10 # m，閘極寬（W )係爲10 0 # m，對此，構成 輸出緩衝器 DR1之電晶體（PNMOSTFT ( M.20 )， NMOSTFT ( M2 1 ))之閘極長（L )係爲10 // m，閘極寬 (W )係爲400从m，也就是，構成輸出緩衝器（DR2 )之 電晶體之通道電導（W/L)係爲構成輸出緩衝器（DR12) 之電晶體的略1/4。 圖3係爲爲了說明針對在圖2之電路的耦合電流之降 低效果的圖，而對於圖3的下側係表示控制發光控制電晶 體（M14 )之開啓/關閉的發光控制信號（GEL )之2種類 的開始波形，而急劇之啓動波形（A )係爲經由如以往之 驅動的波形，對此，以特定之時間常數而開始（電壓的變 化緩慢）之波形B係爲經由低設定圖2所示之電流驅動能 力之輸出緩衝器（DR2 )，驅動掃描線W2之情況的波形 〇 對於圖3的上側係表示針對在黑顯示時，藉由發光控 -20- 200816144 制電晶體（M14 )之閘極•源極間之寄生容量Cgs (參照 圖14 ( a ))而流動之耦合電流之樣子，而耦合電流（ IEL 1 :圖中，以點線所表示）係爲對應於發光控制信號（ GEL )之開始波形A之耦合電流，其峰値係爲（IP 1 )， 相當大。 另一方面，耦合電流（IEL2 :圖中，以實線所表示） 係爲對應於發光控制信號（GEL )之開始波形B之耦合電 流，其峰値（IP0 )係比較於（IP i )，相當小。 耦合電流（IEL 1 )係雖爲瞬時間，但因其峰値電流質 (IP1 )爲大，故根據經由其耦合電流，發光元件（OLED )則瞬時間發光之黑位準之上升（對比下降），則對於人 的眼睛殘留印象，而此情況則直接關係到顯示畫像的畫質 下降。 另一方面，耦合電流（ IEL2 )係因分散於時間軸方向 而峰値（ΙΡ0 )爲低，故黑位準之上升係爲僅有，對於人 的眼睛係幾乎爲未有感覺的程度。 如此，意圖地使關於第2掃描線之電流驅動能力下降 ’並根據將發光控制信號GEL開始/結束的電壓變化作爲 緩慢之情況，可降低峰値大之瞬時間的耦合電流者，隨之 ，可控制經由黑位準之上升之對比的下降者。 然而，關於第2掃描線之電流驅動能力之下降係帶來 若干之驅動延遲，但如將驅動時間作爲適當化，並不會特 別產生問題，即，發光控制電晶體（Μ14 )係爲只在IV 期間中的特定期間，進行開啓/關閉動作，驅動頻度低之 -21 - 200816144 電晶體，另一方面，其他的控制電晶體（Μ 1 1，Μ 1 2 )係 爲在1 Η期間中，至少進行1次開啓/關閉驅-動，驅動頻度 高之電晶體，且發光控制電晶體的尺寸係比較於其他的 TFT爲大，也就是，發光控制電晶體（Μ 1 4 )係從最初未 要求其他的控制電晶體（Μ 1 1，Μ 1 2 )程度之高速開關性 能，另外，在其驅動時，係設置有某種程度之時間界限， 隨之，經由使第2掃描線（W2 )之驅動能力下降之情況 ，即使產生若干的驅動延遲，如利用其時間界限，調整驅 動時間，在驅動時亦不會產生特別的問題。 雖爲驅動第2掃描線之驅動電路DR2之驅動能力， 但當將構成緩衝器電路之TFT之飽和電流，作爲Isat，將 1水平期間，作爲T1H，將第2掃描線之配線容量，作爲 c W 2 ’將掃描線的電壓振幅，作爲A V時’呈滿足C w 2 X △ V + Isat = T1H地，設定緩衝電路之驅動能力之情況則爲理 想，另外，耦合電流係在第2掃描線信號之開始時產生之 構成則因成爲黑顯示不勻之原因，故亦可只在Pch-TFT， 呈限制驅動能力地構成電路。 另外，當發光裝置之高積體化進展時，發光元件與發 光控制電晶體則成爲漸進接近配置於基板上，此情況，當 發光控制脈衝洩入至發光元件側時，其脈衝狀之電流並未 衰減而直接流動於發光元件，黑顯示不勻則明顯化，因而 ，本發明係亦可得到可提供對於高積體化亦適合之驅動電 路的效果。 另外，如將相同尺寸之電晶體連接爲2個並連之情況 -22 - 200816144 ，亦如將其2個電晶體看作1個電晶體，實質上係成爲變 更電晶體尺寸之情況。 接著，關於圖2之畫素電路的具體動作，進行說明， 圖4係爲爲了說明針對在圖2之畫素電路的動作之時間圖 ，而針對在圖4，時刻U0〜時刻U2係爲寫入期間（經由 電流lout之保持容量Ch之電荷調整期間），時刻tl2〜時 刻tl4係爲發光期間，在發光期間中，係保持保持電容（ Ch )之兩端電壓的同時，經由驅動電晶體（Μ 1 3 )而生成 驅動電流IEL (但，對於黑顯示係驅動電晶體乃維持關閉 狀態），其驅動電流IEL則藉由開啓狀態的發光控制電晶 體（Μ14 )而供給至有機EL元件（OLED )。 針對在圖4，在時刻11 1，藉由第1掃描線（W1 )所 傳達之掃描輸入控制信號（GWRT )則成爲高位準，伴隨 此，NMOSTFT ( Ml 1，M12 )則同時作爲開啓，保持電容 (Ch )之一端則電性連接於資料線（DL1 )，同時，根據 經由電流生成電路3 〇 2所生成之電流（寫入電流）I 〇 ut， 調整保持電容器（Ch )的保持電荷，由此，作爲發光色階 之程序方式，在此係因將黑顯示作爲前提，將黑的色階作 爲程序。 接著，於時刻11 3，藉由掃描線W2，以特定的時間 常數，緩慢地開啓發光控制信號（GEL )，此時流動之驅 動電流（IEL2 )係只有耦合電流成分，並且，其耦合電流 係分散於時間軸方向，而其峰値係極小，隨之，黑位準之 上升（黑顯示不勻的程度）係幾乎不成爲問題。 -23- 200816144 針對在時刻tl 4，發光期間結束，發光控制信號（ GEL)係由-較-時刻tl4稍微之前的時間，呈從高位準移轉 至低位準，調整時間。 接著，關於針對在主動矩陣型之有機EL面板的畫素 之剖面構造與採光方式，進行說明。 圖5係爲爲了說明關於針對在主動矩陣型之有機EL 面板的畫素之剖面構造與採光方式之裝置的剖面圖，（a )係爲說明底部放射型之構造圖，（b )係爲說明前放射 型之構造圖。 針對在圖5 ( a )，圖5 ( b )，參照符號21係爲透明 之玻璃基板，參照符號22係爲透明電極（ITO )，參照符 號23係爲有機發光層（包含層積形成有機電子輸送層或 有機正孔輸送層之情況），參照符號24係爲鋁等之金屬 電極，參照符號25係爲TFT (聚矽薄膜電晶體）電路。 作爲構成TFT電路25之聚矽薄膜電晶體係將製造時 之最高溫度控制於攝氏600度以下，所謂使用「低溫聚矽 薄膜電晶體」之情況則爲理想。 有機發光層23係例如，可經由噴墨式印字方法而形 成，另外，透明電極22或金屬電極24係例如，可經由濺 鍍法而形成。 在圖5 ( a )之底部放射型構造中，藉由基板21而射 出光（EM )，對此，在圖5 ( b )之前放射型構造中，於 基板2 1之相反側方向，射出光（EM )。 圖5 ( a )之底部放射型構造之情況，如構成晝素電 -24- 200816144 路之元件數增加而TFT電路25之佔有面積則增大，唯其 部分，發光部之開口率則下降，有其發光亮度下降之情況 ，此情況，在圖5 ( b )之前放射型構造中，即使TFT電 路25之佔有面積增大，亦無需擔心開口率下降之產生， 而對於畫素電路之元件數增大成爲問題之情況，可以說是 理想爲採用圖5 ( b )之前放射型構造，但，並不侷限此 構成，而對於畫素電路之元件數增大不成爲問題之情況， φ 係亦可採用底部放射型構造者。 (第2實施型態） 圖6係爲表示本發明之主動矩陣型發光裝置之其他例 (經由連接電流限制阻抗於驅動第2掃描線之輸出緩衝器 之輸出端而使電流驅動能力下降的例）之電路構成之電路 圖，針對在圖6，對於與圖2共通的部分係附上相同之參 照符號。 • 圖6之主動矩陣型發光裝置之電路構成係與圖2所示 之電路之電路構成幾乎相同，但，在圖6中，構成2個輸 出緩衝器（DTU，DR2 )之電晶體（M20，M21，M30， M3 1)的尺寸（通道電導（W/L ))係爲相同，且，對於 輸出緩衝器（DR2)之輸出端係連接有電阻Rl〇〇。 電阻R1 〇〇係作爲電流限制阻抗而發揮機能，另外， 亦作爲CR之時間常數電路的構成要素而發揮機能，經由 適宜調整電阻R1 〇〇之阻抗値之情況，可將關於第2掃描 線（W 2 )之電流驅動能力作爲最佳化。 -25 - 200816144 經由介入存在有其電姐R1 〇〇之情況，實質上檢若經 由輸出緩衝器（DR2 )之電流驅動能力，隨之，藉由第2 掃描線（W2)而驅S力發光控制電晶體（Ml 4)時之發光控 制信號（GEL )之開始波形則鈍化，降低耦合電流，控制 黑位準之上升。 在圖6之中，將構成2個輸出緩衝器（DRl，DR2 ) 之電晶體的尺寸作爲相同，但並不侷限於此構成，例如亦 可將構成輸出緩衝器（DR2 )之電晶體的尺寸相對性縮小 ，更加地連接電阻R100，微調整關於第2掃描線（W2 ) 之電流驅動能力之情況。 作爲連接之電阻値R係當將1水平期間T1H，將第2 掃描線之配線容量作爲CW2時，呈滿足CW2xR = T1H地設 定電阻値r之情況則爲理想。 (第3實施型態） 圖7係爲表示本發明之主動矩陣型發光裝置之其他例 之全體構成的方塊圖，而在以下的說明之中，主動矩陣型 發光裝置係作爲有機EL面板。 在圖7之有機EL面板之中，作爲發光元件，使用有 機EL元件，作爲動能元件，使用聚矽薄膜電晶體（TFT )，在以下的說明中’係有將「聚矽薄膜電晶體」記載爲 「薄膜電晶體」、「TFT」或單以「電晶體」記載之情況 〇 然而，有機EL元件係形成於形成有薄膜電晶體（ -26- 200816144 TFT)之基板上，另外，有機EL元件係具有以2個電極 夾入包含發光層之有機層的構造，針對在本發明係理想爲 採用前放射型之構造。 圖7之主動矩陣型發光裝置係具有具備包含配置呈矩 陣狀之有機EL元件之畫素（畫素電路）1〇〇 a〜i〇〇f，和資 料線（DL1，DL2 )，和將複數條作爲1組之掃描線（ WL1〜WL4 )，和掃描線驅動器2〇〇，和資料線預通電電路 (Ml )之資料線驅動器300，和畫素電源配線（SL1， SL2 )。 資料線預通電電路（Μ 1 )係由具有充分之電流驅動 能力之Ν型的絕緣閘型TFT ( MOSTFT )所構成，其TFT (Μ 1 )係經由資料線預通電控制信號（NRG )而控制開 啓/關閉，汲極則連接於資料線預通電電壓（有以單以稱 爲預通電電壓），而源極則連接於資料線（DL1，DL2 ) ，另外，資料線預通電電壓（VST)係例如設定爲10V以 上。 掃描線（WL1 )係經由寫入控制信號GWRT，控制各 畫素（100a〜100f)內之寫入電晶體（在圖7中未圖示） 之開啓/關閉。 掃描線（WL2 )係經由畫素預通電控制信號（GPRE )，控制各畫素（100卜100〇內之畫素預通電電晶體（ 在圖7中未圖示）之開啓/關閉。 掃描線（WL3 )係經由補償控制信號（GINIT )，控 制各畫素（l〇〇a〜100f)內之補償電晶體（在圖7中未圖 -27- 200816144 示）之開啓/關閉。 掃描線（WL4 )係經由發光控制信號（GEL )，控制 各畫素（100 a〜100f)內之發光控制電晶體（在圖7中未 圖示）之開啓/關閉。 掃描線驅動器2 0 0係將此等4條掃描線（w L 1〜W L 4 )，以特定之時間，週期性地進行驅動。 另外，畫素電源配線（S L1 )係將爲了使有機EL元 件發光之高位準電源電壓（V E L :例如1 3 V )，供給於各 畫素，另外，畫素電源配線（S L 2 )係將低位準電源電壓 (VCT :例如接地電位），供給於各畫素。 圖8係爲表示圖7之有機EL顯示面板的要部（圖7 中，以點現圍住之X部分）之具體的電路構成例之電路 圖。 如圖示，畫素（畫素電路）1 0 0 a係經由寫入電晶體 (M2 )，和耦合電容器（Cc )，和第1及第2保持容量 (chi，ch2 )，和驅動電晶體（M6 )，和畫素預通電電 晶體（M3，M4 )，和補償電晶體（M4，M5 )，和發光控 制電晶體（M7 )，和作爲發光元件之有機EL元件（ OLED)所構成。 寫入電晶體（M2 )係由N型TFT而成，並一端則連 接於資料線（DL1)，另一端則連接於耦合電容器（cc) 之一端，閘極則連接於掃描線W L1，而其寫入電晶體（ M2 )係經由寫入控制信號（GWRT )，於資料寫入時，成 爲開啓狀態。 -28- 200816144 驅動電晶體（M6 )係由P型TFT而成’一端則連接 於畫素電源電壓（VEL ) ’閘極則連接於耦合電容器（Cc )之另一端，而其驅動電晶體（M6)係針對在有機el元 件（OLED )之發光期間而作爲開啓，並將驅動電流供給 至有機EL元件（OLED)。 耦合電容器（C〇係介入存在於寫入電晶體（M2 ) 之另一端，和驅動電晶體（M6 )之閘極之間，針對在資 料寫入期間，寫入電壓之變化成分（交流成分）則藉由其 耦合電容器（Cc )而傳達至驅動電晶體（M6 )之閘極。 第1保持容量（ch 1 )係其一端則連接於驅動電晶體 (M6 )與耦合電容器（C〇之共通連接點，另一端則連 接於畫素電源電壓（VEL )，在此，第1保持容量（chi )之另一端係取代VEL而亦可連接於接地（GND )，也 就是’弟1保1寸谷重（c h 1 )之另一端係成爲連接於安定 之直流電位者。 其第1保持容量（c h 1 )係保持寫入資料（寫入電壓 )，針對在非選擇期間，亦可作爲維持有機EL元件（ OLED )之發光，另外，其第1保持容量（chi)係亦合倂 具有安定驅動電晶體（M6 )之閘極電壓之機能。 第2保持容量（ch2 )係其一端則連接於驅動電晶體 (M2 )與親合電容器（Cc )之共通連接點，另一端則連 接於畫素電源電壓（VEL )，在此，第2保持容量（Ch2 )之另一端係取代VEL而亦可連接於接地（GND)，也 就是’第2保持容量（cm )之另一端係成爲連接於安定 200816144 之直流電位者。 其第2保持容量（c h 2 )係爲了控制經由與因寫入電 晶體（M2 )之源極•汲極容量（寄生容量）引起之資料 線（DL 1 )之卑音，或經由與其他資料線之電磁性的親合 之串音，而耦合電容器之一端的電位產生變動所設置，由 此，安定化驅動電晶體（M6 )之閘極的電位。 畫素預通電電晶體（M3 )係一端則連接於資料線 馨 D L 1，閘極則連接於掃描線（W L 2 )，而其畫素預通電電 晶體（M3 )係經由畫素預通電控制信號（GPRE )，針對 在資料線預通電期間（資料線預通電電路Μ 1開啓的期間 )被開啓，並降耦合電容器（ Cc)作爲預通電（初期化） ，而作爲其結果，耦合電容器（C c )之兩端的電位則拉升 至接近於收斂目標之電壓的位準（此點係使用圖3而進行 說明），另外，其畫素預通電電晶體（M3 )係當資料線 預通電期間結束時，在經由此，畫素（具體而言係耦合電 φ 容器C〇則從資料線DL1分開。 然而，補償電晶體（M4 )亦因貢獻於將耦合電容器 (C〇作爲預通電（初期化），故補償電晶體（M4)係 亦可兼具畫素預通電電晶體之機能。 β 另外，、補償電晶體（Μ4，Μ5 )之閘極係連接於掃描 線（WL3 )，並經由補償控制信號（GINIT )，針對在臨 界値電壓之補償期間而被開啓，而補償電晶體（Μ4，Μ5 )係作爲形成爲了使耦合電容器（Cc )之寫入電晶體（ M2 )側端之直流電位，收斂爲目標値（反映驅動電晶體 -30- 200816144 M6之臨界値之電壓値（即，加上於寫入資料之補償値（ 校正値）））之電流路徑的動作，也就是，爲了吸收驅動 電晶體（M6 )之臨界値電壓的不均，作爲使閘極電壓之 補償値（校正値）產生的動作，著顯於此情況，將電晶體 (M4，M5)稱作「補償電晶體」。 另外，如上述，補償電晶體（M4 )係亦合倂具有形 成爲了耦合電容器（Cc )之預通電（初期化）的電流路徑 之機能。 另外，發光控制電晶體（M7 )係介入存在於驅動電 晶體（M6 )與有機EL元件（OLED )之間，其閘道係連 接於掃描線（WL4 )，而其發光控制電晶體（M7 )係經 由發光控制信號（GEL )，針對在有機EL元件（OLED ) 之發光期間而被開啓，並將驅動電流供給至有機EL元件 (OLED )，使有機EL元件（OLED )發光，而因存在有 其發光控制電晶體（M7 )，故畫素（畫素電路）l〇〇a係 成爲主動矩陣型之畫素（畫素電路）。 關於爲了驅動其發光控制電晶體（M7 )之掃描線（ WL4 )之電流驅動能力係與前述之實施型態相同地，比較 於關於爲了驅動其他電晶體（M7)之掃描線（WL1〜WL3 )之電流驅動能力爲低設定，經由此，控制因耦合電流引 起之黑位準之上升。 接著，關於圖8之畫素（畫素電路）的動作，進行說 明，圖9係爲爲了說明圖8之畫素（畫素電路）之動作時 間，以及驅動電晶體之閘極電壓波形的變化圖。 -31 - 200816144 針對在圖9，各時刻tl〜時刻t2，時刻t2〜時刻t6， 時刻t6〜時刻t9，時刻t9〜時刻tlO係相當於1水平同步 期間（圖中，記載爲1Η )。 圖9之情況，時刻t2以前與時刻t9以後係爲有機EL 元件（OLED )發光之「發光期間」，另外，時刻t3〜時刻 t5之期間係爲爲了補償驅動電晶體（M6 )之臨界値電壓 不均之「補償期間」，另外，時刻t7〜時刻t8之期間係爲 從資料線（DL1 )，藉由寫入電晶體以及耦合電容器，寫 入資料之「寫入期間」。 於各水平同步期間（1 Η )之開始之後的極短期間， 資料線預通電信號（NRG )則成爲高位準，由此，資料線 預通電電路（Ml)則開啓，進行資料線的預通電。 有關圖8之畫素l〇〇a，畫素預通電控制信號（GPR]E )係於時刻t3〜t4，成爲高位準（也就是，同步於資料線 預通電期間而成爲高位準），針對在畫素預通電控制信號 (GPRE )爲高位準的期間，畫素預通電電晶體（m3 )則 開啓，畫素100a係藉由其畫素預通電電晶體（M3 )而與 資料線（DL1 )連接，由此，進行耦合電容器（Ce)之預 通電（初期化），但，畫素預通電電晶體（M3 )開啓之 情況係只在資料線（DL 1 )之預通電期間，而其期間結束 時，則馬上關閉。 另外’補償控制信號（GINIT )係針對在時刻t3〜時 刻之期間（補償期間）而成爲高位準，由此，補償電 晶體（Μ4，Μ5 )則開啓，驅動電晶體（Μ6 )則成爲二極 -32- 200816144 體連接狀態之同時’形成有連結其二極體之陽極，和耦合 電容器（Cc〇之兩端的各自之電路路徑，並且，耦合電容 器（Cc )之兩端的電位係收斂於反映驅動電晶體（M6 ) 之臨界値電壓（Vth)之電壓値（VEL-Vth)。 寫入控制信號（GWRT)係針對在時刻t7〜時刻t8之 期間而成爲高位準，由此，寫入電晶體（M2 )則開啓， 對於畫素l〇〇a係從資料線（DL1)，寫入第η號之資料 (DATAn)，由此，驅動電晶體（M6 )則開啓，另外， 寫入資料（寫入電壓）係因存在有第1保持容量器（chi )，故針對在畫素l〇〇a之非選擇期間，亦被保持。 發光控制信號（GEL )係在資料之寫入結束後之時刻 t9，而成爲高位準，由此，發光控制電晶體（M7 )則開啓 ，而從驅動電晶體（M6 )之驅動電流則供給至有機EL元 件（OLED )，並有機EL元件（OLED )則發光。 對於圖9之下側係表示有驅動電晶體（M6 )之閘極 電壓的變化之樣子，於時刻t3，畫素預通電控制信號（ GPRE)則成爲高位準，畫素預通電電晶體（M3 )則開啓 ，另外，對於其時刻t3係因補償控制信號（GINIT)亦移 轉成高位準，故補償電晶體（M4 )亦同時開啓，由此， 資料線（DL 1 )，與耦合電容器（Cc )之兩端各自則電性 連接，隨之，針對在時刻t3〜時刻t4之期間，經由資料線 (DL1 )之預通電電流，耦合電容器（Cc)係急速地進行 預通電，因而，驅動電晶體（M6 )之閘極電位係急速地 上升至資料線之預通電電壓（VST :連接於資料線預通電 -33- 200816144 電路（Μ 1 )之一端的電壓），因資料線預通電電路（Μ 1 )之電流驅動能力爲高，故可爲耦合電容器（Cc )之高| 的預通電。 當成爲時刻t4時，因畫素預通電電晶體（M3l )係作 爲關閉，故畫素1 〇〇a係從資料線（dl 1 )離開，另外， 此時，經由補償電晶體Μ 5作爲開啓之情況，驅動電晶體 之閘極•汲極間則短路，成爲二極體連接狀態。 隨之，針對在時刻t4〜時刻t7，從二極體連接狀態的 驅動電晶體（M6 )之順方向電流則直接地，供給至耦合 電容器（Cc )之驅動電晶體（M6 )側端，另外，其順方 向電流則經由開啓之補償電晶體（M4 )，亦供給至耦合 電容器（Cc )之寫入電晶體（M2 )側端，經由此，耦合 電容器（Cc )之兩端係被充電，與時間經過的同時上升， 結果，收斂於反映驅動電晶體（M6 )之臨界値電壓（vth )之電壓値（VEL_Vth)，經由預通電，驅動電晶體（M6 )之閘極電位則因成爲接近於收斂目標値之電位（VST) ，故儘速對於（VEL-Vth )之收斂，而其收斂之電壓値（ VEL-Vth )則成爲爲了補償（校正）正規之寫入電壓的補 償（校正）電壓値。 另外，對於使驅動電晶體（M6 )之閘極電壓收斂爲 (VEL-Vth)之情況，係花上某種程度之時間，但本發明 之中，畫素預通電期間後係畫素因從資料線（DL1)電性 切離，故可並行地進行對於藉由資料線（DL 1 )之其他畫 素之資料寫入，和針對在畫素1 〇〇a內部之補償動作者， -34- 200816144 並亦可跨越複數之水平同步期間而進行其補償動作者，隨 之，可確保充分之補償期間。 並且，於時刻t7，寫入資料，並其寫入資料係在時刻 t8之後亦被保持。 如表示在圖9之最下方地，發光控制信號（GEL) 係從時刻t2至時刻t7，即，跨越1水平同步期間（1 η ) 以上，其電位則緩慢地變化，而從圖9 了解到，發光控制 信號（GEL )之關閉期間係爲從t2至t9之2Η部分的期 間，成爲十分長的時間，而著眼於此點，減弱掃描線（ WL4 )之電流驅動能力，從掃描線的電位之變化開始至收 斂爲止之時間，則呈成爲1 Η以上地設定。 在此，特別是，針對在寫入期間（時刻17〜時刻18 ) ，如作爲滿足發光控制電晶體（M7 )完全關閉之條件， 針對在補償期間（時刻t3〜t5 )，即使伴隨於補償動作之 若干的電流則洩入於發光元件，亦不會產生很大的問題， 而在本發明之中，係使經由降低峰値大之耦合電流之情況 的黑顯示不勻之控制作爲優先，將畫質之下降控制在最小 限度。 在本實施型態之中，因可控制經由驅動電晶體之臨界 値電壓的不均之驅動電流的變動，故亦降低驅動電晶體之 關閉時（黑顯示不勻）之洩漏電流，更加地，因控制經由 耦合電流之黑顯示之上升，故確實地實現所期望之位準的 黑顯不。 -35- 200816144 (第4實施型態） 在本實施型態中，關於使用本發明之主動矩陣型發光 裝置之電子機器，進行說明。 然而，本發明之發光裝置係使用於行動電話，電腦， CD播放器，DVD播放器等之小型的行動電子機器特別有 效，當然並不侷限於此構成。 (1 )顯示面板 圖10係爲表示使用本發明之主動矩陣型發光裝置之 顯示面板的全體配置構成圖。 其顯示面板係具有：具有電壓程序方式畫素之主動矩 陣型有機EL元件200，和內藏位移暫存器之掃描線驅動 器210，和軟性TAB帶220，和RAM/附控制器外部類比 驅動器LSI230 。 (2 )攜帶型電腦 圖1 1係爲表示搭載圖1 0之顯示面板的攜帶型電腦之 外觀斜視圖。 針對在圖11，攜帶型電腦110 0係具備包含鍵盤1102 之主體1 104，和顯示單元1 106。 (3 )行動電話終端 圖1 2係爲表示搭載本發明之顯示面板的行動電話終 端之槪觀斜視圖，行動電話1 2 0 0係具備複數之操作鍵 -36- 200816144 1202，和揚聲器1204’和麥克風12〇6，和本發明之顯示 面板100。 (4 )數位相機 圖1 3係爲表示作爲取影裝置而使用本發明之有機el 面板之數位相機外觀與使用形態的圖。 其數位相機1 300係於框體13〇2後面，具備依據從 C CD之畫像信號而進行顯示之有機EL面板100，因此， 其有機EL面板1 00係作爲顯示被攝體之取影裝置而發揮 機能，光學透鏡及具有CCD之受光單元1 3 04則具備於框 體1 302之前面（圖的後方）。 攝影者則決定顯示於有機電激發光面板1 00知被攝體 畫像，當開放快門時，傳送從CCD之畫像信號，保存於 電路基板1 3 0 8內之記憶體，在其數位相機1 300之中，於 框體1 3 02之側面，設置有影像信號輸出端子1 3 1 2及資料 通信用輸出入端子1 3 1 4，而如圖示，因應需要，將TV顯 示器1 43 0及攜帶型電腦1440，各自連接於影像信號輸出 端子1 3 1 2及輸出入端子1 3 1 4，經由特定的操作，保存於 電路基板1 3 0 8之記憶體的畫像5虎則成爲輸出於T V顯 示器1430及攜帶型電腦1 440。 本發明係除了上述之電子機器之外，可作爲TV盒’ 取景式及監控式之錄影帶錄影影機，PDA終端，汽車導航 系統，電子筆記簿，電子計算機’文字處裡機，工作站， TV電話，POS系統終端，以及針對在附加觸碰面板之裝 -37- 200816144 置的顯示面板而使用。 另外’本發明之發光裝置係亦可作爲列表機等之光源 而使用’另外’有關本發明之畫素驅動電路係例如，可應 用於磁性阻抗RAM，電容檢測器（capacitance sensor ) ，電荷檢測器（charge sensor ) ，DNA檢測器，暗示照相 機，以及其他許多裝置等。 另外，有關本發明之畫素驅動電路係不只有機/無機 EL元件之驅動，而亦可利用於雷射二極體（ld )或發光 以上’如說明’如根據本發明，可不使電路構成作爲 複雜化，而有效率地防止針對在具備如電激發光（E L ) 元件之自體發光元件的主動矩陣型發光裝置之黑顯示時之 黑顯不不句（針對在黑顯示時，亦流動有不需要的電流， 經由此，發光元件則稍微發光而黑位準上升，對比下降之 現象）。

如根據本發明，即使將主動矩陣型發光裝置作爲高積 體化，而發光控制電晶體與發光元件則在基板上，更接近 配置，經由耦合電流之黑顯示不勻的顯示畫像的畫質下降 則亦不會成爲問題。 另外，本發明係可適用於電流程序方式/電壓程序方 式之主動矩陣型發光裝置之雙方。 對於適用本發明於可補償驅動TFT之臨界値電壓的 不均之電壓程序方式之主動矩陣型發光裝置之情況，係因 可控制經由驅動電晶體之臨界値電壓之不均的驅動電流之 -38- 200816144 變動，故亦降低驅動電晶體之關閉時（黑顯示時）之洩漏 電流，更加地，因控制經由耦合電流之黑顯示之上升，故 確實地實現"所期望之位準的黑顯示。 另外’本發明之主動矩陣型發光裝置係因無需搭載特 別的電路，故主動電路基板則特別無須擔心作爲大型化， 而亦適合於對於如攜帶終端之小型電子機器之搭載。 另外’本發明之主動矩陣型發光裝置係達到控制針對 在黑顯示時之對比下降之效果，隨之，作爲主動矩陣型發 光裝置及主動矩陣型發光裝置之畫素驅動方法而爲有用， 特別是，作爲防止針對在具備如電激發光（EL )元件之 自體發光元件的主動矩陣型發光裝置之黑顯示時之黑顯示 不勻的技術而爲有用。 【圖式簡單說明】 [圖1]係爲表示本發明之主動矩陣型發光裝置之一例 (電流程序方式之有機EL面板）之全體構成的電路圖。 [圖2]係爲表示針對在圖1之主動矩陣型發光裝置之 畫素（畫素電路）的具體的電路構成，以及針對在掃描線 驅動器之輸出緩衝器的電路構成與電晶體尺寸之電路圖。 [圖3]係爲爲了說明針對在圖2之電路的耦合電流之 降低效果的圖。 [圖4]係爲爲了說明針對在圖2之畫素電路的動作之 時間圖。

[圖5]係爲爲了說明關於針對在主動矩陣型之有機EL -39- 200816144 面板的畫素之剖面構造與採光方式之裝置的剖面圖，（a )係爲說明底部放射型之構造圖，（b〉係爲說明前放射 型之構造圖。 [圖6]係爲表示本發明之主動矩陣型發光裝置之其他 例（經由連接電流限制阻抗於驅動第2掃描線之輸出緩衝 器之輸出端而使電流驅動能力下降的例）之電路構成之電 路圖。 7]係爲表示本發明之主動矩陣型發光裝置之其他 例之全體構成的方塊圖。 [圖8]係爲表示圖7之有機EL顯示面板的要部（圖7 中’以點現圍住之X部分）之具體的電路構成例之電路 圖。 [圖9]係爲爲了說明圖8之畫素（畫素電路）之動作 時間’以及驅動電晶體之閘極電壓波形的變化圖。 [圖1〇]係爲表示使用本發明之主動矩陣型發光裝置之 顯示面板的全體配置構成圖。 [圖1 1 ]係爲表示搭載圖1 0之顯示面板的攜帶型電腦 之外觀斜視圖。 [圖12]係爲表示搭載本發明之顯示面板的行動電話終 端之槪觀斜視圖。 [Η 1 3 ]係爲表示作爲取影裝置而使用本發明之有機 EL面板之數位相機外觀與使用形態的圖。 [圖14]係爲爲了關於就針對在主動矩陣型畫素電路的 TFT之洩漏電流進行說明的圖，（a )係爲畫素電路之主 -40 - 200816144 要部的電路，（b )係爲爲了說明伴隨發光元件的動作而 產生之洩漏電流的種類之時間圖。 [圖15]係爲重疊表示關於洩漏電流之負荷依存性，實 施依據洩漏電流之評價式之電腦模擬„之結果，和流動於發 光元件之洩漏電流的實測値的圖。 【主要元件符號說明】 2 1 :玻璃基板 22 :透明電極（ITO ) 23 :有機發光層 24 :金屬電極層 25 ·· TFT 電路 100a〜100d :畫素（畫素電路） 200 :掃描線驅動器 202 :位移暫存器 3 00 :資料線驅動器 302 :電流生成回路 W1(WL1〜WL3) ··爲了驅動發光控制電晶體以外之控 制電晶體的第1掃描線 W2(WL4):爲了驅動發光控制電晶體的第2掃插線 DL1，DL2 :資料線 DR1 :爲了驅動第1掃描線之第1緩衝器 DR2 :爲了驅動第2掃描線之第2緩衝器 Μ 1 3 :驅動.電晶體 -41 - 200816144 Μ 1 4 :發光控制電晶體 OLED :有機EL元件等—發光件

Ch :保持電容器 VEL :畫素電源電壓（高位準） VCT :畫素電源電壓（低位準） GERT :寫入信號 GEL :發光控制信號（發光控制脈衝）

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Claims (1)

1. 200816144 十、申請專利範園 1. 一種主動矩陣型發光裝置，具有：備有發光元件 、和驅動前述發光元件之驅動電晶體、和於前述驅動電晶 體一端被連接，蓄積對應於寫入資料之電荷的保持電容器 、和控制關於對前述保持電容器之資料寫入之動作的至少 , 一個控制電晶體、和介入存在於前述發光元件與前述驅動 電晶體間之發光控制電晶體的畫素電路， φ 和控制前述控制電晶體之開啓/關閉的第1之掃描線 以及控制前述發光控制電晶體之開啓/關閉的第2之掃描 線、 和將寫入資料傳達至前述畫素電路的資料線、 和驅動前述第1及第2之掃描線的同時，關於前述第 2之掃描線的電流驅動能力，較關於前述第1之掃描線之 電流驅動能力設定爲低的掃描線驅動電路者。 2. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型發光裝置， φ 其中，前述掃描線驅動電路乃具備各驅動前述第1及第2 之掃描線的第1及第2之輸出緩衝器， 構成前述第2之輸出緩衝器之電晶體之尺寸乃較構成 前述第1之輸出緩衝器之電晶體之尺寸爲小。 • 3 ·如申請專利範圍第2項之主動矩陣型發光裝置， 其中，構成前述第1及第2之输出緩衝器之電晶體乃絕緣 閘型場效電晶體，構成前述第2之輸出緩衝器之電晶體之 通道電導（W/L )乃較構成前述第1之輸出緩衝器之電晶 體之通道電導（W/L)爲小。 -43-

   200816144 4.如申請專利範圍第1項之主動 其中，前述掃描線驅動電路乃具備各驅 之掃描線的第1及第2之踰出緩衝器， 緩衝器之輸出端，連接使關於前述第2 動能力，較關於前述第1之掃描線之電 阻抗者。 5 .如申請專利範圍第1項之主動 其中，前述驅動電晶體乃絕緣閘型場效 改變前述第2之掃描線之電位，將 體從關閉移轉至開啓之時，經由前述發 極·源極間之寄生容量，前述第2之掃 成分洩入至前述發光元件側而產生之耦 乃經由下降關於前述第2之掃描線之電 ’由此抑制黑顯不時之前述發光兀件之 6 ·如申請專利範圍第1項之主動 其中，前述發光控制電晶體與發光元件 以配置。 7.如申請專利範圍第1項之主動 其中，產生前述第2之掃描線之電位變 收斂的時間成爲1水平同步期間（1 Η ) 前述第2之掃描線之電流驅動能力者。 8 ·如申請專利範圍第1項之主動 其中，藉由前述第1之掃描線所驅動之 連接於前述保持電容器與前述驅動電晶 矩陣型發光裝置， 動前述第1及第2 於前述第2之輸出 之掃描線之電流驅 流驅動能力爲低的 矩陣型發光裝置， 電晶體， 前述發光控制電晶 光控制電晶體之閘 :描線之電位之變化 合電流的電流量， :流驅動能力而減低 不需要的發光。 矩陣型發光裝置， 乃於基板上接近加 矩陣型發光裝置， 丨化後，使該變化至 以上地，調整關於 f矩陣型發光裝置， :前述控制電晶體乃 1體之共通連接點與 -44 - 200816144 前述資料線間之開關電晶體，且此開關電晶體乃於1水平 同步期間（1H)內，至少進行1次開啓/關閉動作， 又，藉由前述第2之掃描線所驅動之前述發光控制電 晶體乃在1垂直同步期間（IV)內之特定期間，至少進行 1次之開啓/關閉動作。 9 ·如申請專利範圍第1項之主動矩陣型發光裝置， 其中’前述畫素電路乃經由前述資料線流動之電流，控制 蓄積於前述保持電容器之電荷，調整前述發光元件之發光 色階之電流程序方式之畫素電路，或經由前述資料線傳達 之電壓信號，控制蓄積於前述保持電容器之電荷，調整前 述發光元件之發光色階之電壓程序方式之畫素電路。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項之主動矩陣型發光裝置， 其中，前述畫素電路乃具備爲補償做爲前述驅動電晶體之 絕緣閘型場效電晶體之臨限値電壓的變動之電路構成的電 壓程序方式之畫素電路， 藉由前述第1之掃描線所驅動之前述控制電晶體乃於 資料線一端被連接，另一端乃連接於耦合電容器之一端之 寫入電晶體，或前述耦合電容器之另一端乃連接於前述保 持電容器與前述驅動電晶體之共通連接點。 1 1 ·如申請專利範圍第1〜1 0項之任一項之主動矩陣 型發光裝置，其中，前述發光元件乃有機電激發光元件（ 有機EL元件）。 1 2 · —種電子機器，其特徵乃搭載如申請專利範圍第 1〜1 1項之任一項之主動矩陣型發光裝置者。 -45- 200816144 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之電子機器，其中，前 述主動矩陣型發光裝置乃做爲顯示裝置，或做爲光源使用 〇 14· 一種主動矩陣型發光裝置之晝素驅動方法，將具 備有發光元件、和驅動前述發光元件之驅動電晶體、和於 ，前述驅動電晶體一端被連接，蓄積對應於寫入資料之電荷 的保持電容器、和控制關於對前述保持電容器之資料寫入 φ 之動作的至少一個控制電晶體、和介入存在於前述發光元 件與前述驅動電晶體間之發光控制電晶體的畫素電路的前 述控制電晶體以及前述發光控制電晶體，各別經由第1及 第2之掃描線，開啓/關閉驅動之主動矩陣型發光裝置之 畫素驅動方法，其特徵乃將關於前述第2之掃描線之電流 驅動能力，設定呈較關於前述第1之掃描線之電流驅動能 力爲低，由此，改變前述第2之掃描線之電位，於前述發 光控制電晶體從關閉移轉至開啓之時，經由前述發光控制 • 電晶體之閘極·源極間之寄生容量，減低前述第2之掃描 線之電位之變化成分洩入前述發光元件側所產生之耦合電 流，抑制黑顯示時之前述發光元件之不需要的發光者。 -46-