[go: up one dir, main page]

TW200814178A - Liquid treatment device and liquid treatment method - Google Patents

Liquid treatment device and liquid treatment method Download PDF

Info

Publication number
TW200814178A
TW200814178A TW096127069A TW96127069A TW200814178A TW 200814178 A TW200814178 A TW 200814178A TW 096127069 A TW096127069 A TW 096127069A TW 96127069 A TW96127069 A TW 96127069A TW 200814178 A TW200814178 A TW 200814178A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
substrate
cup
rotating
discharge nozzle
Prior art date
Application number
TW096127069A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI381435B (zh
Inventor
Norihiro Ito
Satoshi Kaneko
Hiromitsu Nanba
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200814178A publication Critical patent/TW200814178A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI381435B publication Critical patent/TWI381435B/zh

Links

Classifications

    • H10P72/0414
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H10P72/0448

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

200814178 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是例如有關對半導體晶圓等的基板進行所定的 液處理之液處理裝置及液處理方法。 【先前技術】 在半導體裝置的製程或平面直角顯示器(Flat Panel Display; FPD)的製程中,大多是使用對被處理基板的半 導體晶圓或玻璃基板供給處理液而來進行液處理的製程。 就如此的製程而言,例如可舉除去附著於基板的粒子或污 染(contamination)等的洗淨處理,光刻(photo lithography)工程的光阻劑液或顯像液的塗佈處理等。 就如此的液處理裝置而言,是將半導體晶圓等的基板 保持於旋轉夾盤,在使基板旋轉的狀態下對晶圓的表面或 表背面供給處理液,於晶圓的表面或表背面形成液膜而進 行處理的單片式者。 在此種的裝置中,通常處理液是被供給至晶圓的中心 ,藉由使基板旋轉來將處理液擴散至外方而形成液膜,使 處理液脫離者爲一般所進行。而且,以可將往基板的外方 甩掉的處理液引導至下方的方式,設置圍繞晶圓的外側之 杯(eup )等的構件,而使從晶圓甩掉的處理液能夠迅速 地排出。但,在如此地設置杯等時,處理液會有成爲霧氣 (mist)飛散’到達基板而形成水(watermark)或粒 子等的缺陷之虞。 -5- 200814178 可防止如此情況的技術,如揭示於日本特開平8-ΐί) 64 號公報 的技術 ,以 能夠和 旋轉支 持手段 (在 水平支 持基板的狀態下使旋轉)一體旋轉的方式,設置接受從基 板飛散至外周方向的處理液之處理液接受構件,接受處理 液,將處理液引導至外方而回收。在此特開平8-1 064號 公報中,處理液接受構件是從基板側依序具有:水平庇護 部、將處理液引導至外側下方的傾斜引導部、將處理液引 導至水平外方的水平引導部、及垂直立設的壁部,可一面 將處理液逐入狹窄的範圍而防止霧氣再附著至基板,一面 經由設置於處理接受構件的角落部的排液口來使排出至水 平外方,更經由延伸至外方的溝來排除配置於處理液接受 構件外側的間隔物內部的液體。 另一方面,一旦進行如此的液處理,則處理液會附著 於處理液接受構件,但若在該狀態下進行基板的液處理, 則恐會有附著後的處理液變成粒子而附著於基板之虞。爲 了使用簡便的手法來解消如此的不良情況,可考量適用由 噴嘴供給洗淨液至接受處理液的杯內側之技術(例如曰本 特開平9-232276號公報)。 然而,揭示於曰本特開平8- 1 064號公報的這樣處理 液接受構件,因爲與基板一起以高速旋轉,所以處理液不 僅到達處理液接受構件的內側,連外側也會到達,在記載 於曰本特開平9-232276號公報的技術中難以充分地對應 200814178 【發明內容】 (發明所欲解決的課題) 本發明的目的是在於提供一種可充分洗淨與基板一起 旋轉而接受處理液的旋轉杯之液處理裝置及液處理方法。 又,本發明的其他目的是在於提供一種記憶使如此的 液處理方法實行的程式之記憶媒體。 (用以解決課題的手段) 本發明的第1觀點,係提供一種液處理裝置,其特徵 係具備: 基板保持部,其係將基板保持於水平,且可與基板一 起旋轉; 旋轉杯,其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板, 且可與基板一起旋轉; 旋轉機構,其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉; 處理液供給機構,其係對基板供給處理液;及 洗淨液供給機構,其係對上述旋轉杯的外側部份供給 洗淨液。 本發明的第2觀點,係提供一種液處理裝置,其特徵 係具備: 基板保持部,其係將基板保持於水平,且可與基板一 起旋轉; 旋轉杯,其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板, -7- 200814178 且可與基板一起旋轉; 旋轉機構,其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉; 液吐出噴嘴,其係對基板吐出實施液處理的處理液及 洗淨液; 液供給部,其係往上述液吐出噴嘴供給處理液及洗淨 液; 噴嘴移動機構,其係使上述液吐出噴嘴移動於對基板 吐出液的第1位置與對上述旋轉杯的外側部份吐出液的第 2位置之間, 又,在使上述液吐出噴嘴位於對應於基板的位置之狀 態下,從上述液吐出噴嘴吐出處理液至基板,而對基板進 行液處理,且使上述液吐出噴嘴位於對應於上述旋轉杯的 位置之狀態下,從上述液吐出噴嘴吐出洗淨液至旋轉杯的 外側部份,而洗淨旋轉杯。 在上述第1觀點中,上述處理液供給機構可兼任上述 洗淨液供給機構。 在上述第2觀點中,更具有控制上述液供給部及上述 噴嘴移動機構的控制部,而能夠在使上述液吐出噴嘴位於 對應於基板的位置之狀態下,從上述液吐出噴嘴吐出處理 液至基板’而對基板進行液處理,且使上述液吐出噴嘴位 於對應於上述旋轉杯的位置之狀態下,從上述液吐出噴嘴 吐出洗淨液至旋轉杯的外側部份,而洗淨旋轉杯。 在上述第1或第2觀點中,可更具備排液杯,其係設 -8- 200814178 置於上述旋轉杯的外側,接住自上述旋轉杯排出的處理液 ’且具有排除所接住的處理液之排液口。又,可更具備排 氣杯,其係設成在上述排液杯的外側圍繞上述排液杯,主 要從上述旋轉杯及其周圍取入氣體成份而排氣。 又,上述旋轉杯可具有: 庇護部,其係設成可覆蓋被保持於上述基板保持部的 基板端部的上方;及 外側壁部,其係設成可連續於庇護部而覆蓋基板的外 方, 並且,上述洗淨液可被供給至上述庇護部的上面。 本發明的第3觀點,係提供一種液處理方法,係使.用 液處理裝置來對基板進行液處理之液處理方法,該液處理 裝置係具備: 基板保持部,其係將基板保持於水平,且可與基板一 起旋轉; 旋轉杯,其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板, 且可與基板一起旋轉; 旋轉機構,其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉; 液吐出噴嘴,其係對基板吐出實施液處理的處理液及 洗淨液, 其特徵爲包含: 使上述液吐出噴嘴位於對應於基板的位置,從上述液 吐出噴嘴吐出處理液至基板,而對基板進行液處理, -9 - 200814178 使上述液吐出噴嘴位於對應於上述旋轉杯的位置’從 上述液吐出噴嘴吐出洗淨液至旋轉杯的外側’而洗淨旋轉 杯。 本發明的第4觀點,係提供一種記憶媒體,係動作於 電腦上,記憶有控制液處理裝置的程式,該液處理裝置係 具備: 基板保持部,其係將基板保持於水平,且可與基板一 起旋轉; 旋轉杯,其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板, 且可與基板一起旋轉; 旋轉機構,其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉; 液吐出噴嘴,其係對基板吐出實施液處理的處理液及 洗淨液, 其特徵爲: I:述程式係於實行時以能夠實行液處理方法之方式來 使上述液處理裝置控制於電腦, 該液處理方法係包含: 使上述液吐出噴嘴位於對應於基板的位置,從上述液 吐出噴嘴吐出處理液至基板,而對基板進行液處理, 使上述液吐出噴嘴位於對應於上述旋轉杯的位置,從 上述液吐出噴嘴吐出洗淨液至旋轉杯的外側,而洗淨旋轉 杯。 若利用本發明,則由於具備對基板供給處理液的處理 -10- 200814178 液供給機構、及對上述旋轉杯的外側部份供給洗淨液的洗 淨液供給機構,因此和基板一起旋轉而於接受處理液的旋 轉杯中附著處理液的外側部份也可充分地洗淨,可有效防 止粒子附著於基板。 又,由於是在使液吐出噴嘴位於對應於基板的位置之 狀態下從液吐出噴嘴來對基板吐出處理液而對基板進行液 處理,且在使液吐出噴嘴位於對應於旋轉杯的位置之狀態 下從液吐出噴嘴來吐出洗淨液至旋轉杯的外側部份而洗淨 旋轉杯,因此可不追加噴嘴以簡便的機構連旋轉杯的外側 部份也可充分地洗淨,可有效防止粒子附著於基板。 【實施方式】 以下,參照圖面來詳細說明有關本發明的實施形態。 在此是顯示有關將本發明適用於進行半導體晶圓(以下簡 稱爲晶圓)的表背面洗淨之液處理裝置時。 圖1是表示本發明的實施形態的液處理裝置的槪略構 成剖面圖,圖2是其平面圖,圖3是表示圖1的液處理裝 置的液處理供給機構的槪略圖,圖4是擴大顯示圖1的液 處理裝置的排氣•排液部的剖面圖。 此液處理裝置1 00是在未圖示的液處理系統中組裝複 數台,具有: 底板1 ; 晶圓保持部2,其係可旋轉保持被處理基板亦即晶圓 W ; -11 - 200814178 旋轉馬達3,其係使該晶圓保持部2旋轉; 旋轉杯4 ’其係設成圍繞被保持於晶圓保持部2的晶 圓W,和晶圓保持部2 —起旋轉; 表面處理液供給噴嘴5,其係對晶圓W的表面供給處 理液; 背面處理液供給噴嘴6,其係對晶圓W的背面供給處 理液;及 排氣·排液部7,其係設置於旋轉杯4的周緣部。 並且,以能夠覆蓋排氣·排液部7的周圍及晶圓W 的上方之方式設置外箱(casing ) 8。在外箱8的上方設 有:經由設置於側部的導入口 9a導入來自液處理系統的 風扇·過濾器•單元(FFU )的氣流之氣流導入部9,而 使清淨空氣的下流(downflow)能夠被供給至保持於晶圓 保持部2的晶圓W。 晶圓保持部2是具有:設置於水平呈圓板狀的旋轉板 1 1,及連接至其背面的中心部,延伸於下方鉛直的圓筒狀 的旋轉軸1 2。在旋轉板1 1的中心部形成有連通至旋轉軸 1 2內的孔1 2a之圓形的孔1 1 a。而且,具備背面處理液供 給噴嘴6的昇降構件1 3設置成可昇降於孔1 2a及孔1 1 a 內。在旋轉板1 1設有用以保持晶圓W的外緣之保持構件 14,如圖2所示,該等是以3等間隔配置。此保持構件 1 4是在晶圓W可自旋轉板1 1少許浮起的狀態下將晶圓W 保持於水平。此保持構件1 4是具有:可保持晶圓W端面 的保持部14a、及從保持部14a延伸至旋轉板背面側中心 -12- 200814178 方向的著脫部1 4b、及使保持部1 4a轉動於垂直面內的旋 轉軸14c且藉由未圖示的汽缸機構來使著脫部14b的前端 部推起至上方,藉此保持部1 4a會轉動至外側而解除晶圓 W的保持。保持構件14是藉由未圖示的彈簧構件來使保 持部14a彈壓於保持晶圓W的方向,在不使汽缸機構作 動時,是形成藉由保持構件1 4來保持晶圓W的狀態。 旋轉軸12是經由具有2個軸承15a的軸承構件15來 可旋轉地支持於底板1。在旋轉軸1 2的下端部嵌入滑輪 (Pulley) 16,在滑輪16捲掛傳動帶17。傳動帶17也被 捲掛於安裝在馬達3的軸的滑輪1 8。然後,藉由馬達3 旋轉,而得以經由滑輪1 8、傳動帶17及滑輪1 6來使旋 轉軸1 2旋轉。 表面處理液供給噴嘴5是在保持於噴嘴保持構件22 的狀態下安裝於噴嘴臂22a的前端,從後述的處理液供給 機構85經過設置於噴嘴臂22a內的流路來供給處理液等 ,而使能夠經由設置於其內部的噴嘴孔5 a來吐出處理液 。就吐出的處理液而言’可舉晶圓洗淨用的藥液、純水等 的洗滌(rinse )液等。並且,在噴嘴保持構件22亦安裝 有吐出以IPA爲代表的乾燥溶媒之乾燥溶媒噴嘴2 1,而 使能夠經由設置於其內部的噴嘴孔2 1 a來吐出IPA等的乾 燥溶媒。從處理液供給機構85供給的純水等的洗滌液, 如後述亦被使用於旋轉杯4的外側部份的洗淨。 如圖2所示,噴嘴臂22a是設置成可藉由驅動機構 81以軸23爲中心來轉動,使噴嘴臂22a轉動,藉此表面 -13- 200814178 處理液供給噴嘴5可取得:晶圓W中心上及外周上的晶 圓洗淨位置A、及旋轉杯4上方的杯洗淨位置B、以及晶 圓W外方的退避位置C等3個位置。並且,噴嘴臂22a 可藉由汽缸機構等的昇降機構82來上下動。 如圖3所示,在噴嘴臂22a內設有流路83a,表面處 理液供給噴嘴5的噴嘴孔5a是被聯繫於流路83a的一端 。並且,在流路83a的另一端連接有配管84 a。另一方面 ,在噴嘴臂22a內亦設有流路83b,乾燥溶媒噴嘴21的 噴嘴孔21a是聯繋於流路83b的一端。並且,在流路83b 的另一端連接有配管84b。而且,在配管84a、84b中, 從處理液供給機構8 5供給所定的處理液。處理液供給機 構8 5具有:供給洗淨處理用的藥液例如酸藥液的稀氫氟 酸(DHF)之DHF供給源86、供給鹼性藥液亦即氨及過 氧化氫及水的混合物(S C 1 )之S C 1供給源8 7、供給洗滌 液例如純水(DIW )之DIW供給源88、及供給乾燥溶媒 例如IPA之IPA供給源95。從DHF供給源86、SCI供給 源87、及DIW供給源88延伸有配管89,90,91,該等 配管89,90,91會經由開閉閥92,93,94來連接至配管 8 4a。因此,藉由操作開閉閥92,93,94,可選擇性供給 氨及過氧化氫及水的混合物(SCI)、稀氫氟酸(DHF) 、純水(DIW)至表面處理液供給噴嘴5。此情況,從 DIW供給源88延伸的配管91會被連接至配管84a的最上 游側。另一方面,在IPA供給源95直接連接有從流路 83b延伸的配管84b,且在配管84中設有開閉閥96。因 -14- 200814178 此,藉由開啓開閉閥96,可將IPA供給至乾燥溶媒噴嘴 21。另外,作爲洗滌液用的純水(DIW ),如上述般亦被 使用於旋轉杯4的洗淨,因此處理液供給機構8 5亦具有 作爲旋轉杯4的洗淨液供給機構的機能。 背面處理液供給噴嘴6是設於昇降構件1 3的中心, 在其內部形成有沿著長度方向延伸的噴嘴孔6a。然後, 經由未圖示的處理液管來從噴嘴孔6a的下端供給所定的 處理液,該處理液會經由噴嘴孔6a來吐出至晶圓W的背 面。吐出的處理液,與上述表面處理液供給噴嘴5同樣可 舉洗淨用的藥液、純水等的洗滌液等。往背面處理液供給 噴嘴6供給處理液的處理液供給機構,除了 IPA的供給系 以外,可構成與上述處理液供給機構85大致同樣。在昇 降構件1 3的上端部具有支持晶圓W的晶圓支持台24。在 晶圓支持台24的上面具有用以支持晶圓W的3根晶圓支 持銷2 5 (圖示僅2根)。然後,在背面處理液供給噴嘴6 的下端經由連接構件26來連接汽缸機構27 ’藉由此汽缸 機構27來使昇降構件1 3昇降,藉此使晶圓W昇降而進 行晶圓W的載入及卸載。 如圖4所示,旋轉杯4具有:從旋轉板1 1的端部上 方延伸至內側傾斜上方之圓環狀的庇護部3 1、及從庇護 部3 1的外端部延伸至垂直下方之筒狀的外側壁部3 2 °在 外側壁部3 2與旋轉板1 1之間形成有圓環狀的間隙3 3 ’ 晶圓W與旋轉板11及旋轉杯4 一起旋轉而飛散的處理液 (霧氣)會從該間隙3 3引導至下方。 -15- 200814178 在庇護部3 1與旋轉板1 1之間,在與晶圓W大致同 高度的位置介在呈板狀的引導構件3 5。如圖5所示,在 庇護部31與引導構件35之間、引導構件35與旋轉板11 之間’用以形成分別使處理液通過的複數個開口 3 6及3 7 之複數個間隔物構件3 8及3 9會沿著周方向而配置。庇護 部3 1、引導構件3 5、旋轉板1 1、及該等之間的間隔物構 件38,39是藉由螺絲40來螺止。 引導構件3 5是設成其表背面與晶圓W的表背面大略 連續。然後,藉由馬達3來使晶圓保持部2及旋轉杯4與 晶圓W —起旋轉而從表面處理液供給噴嘴5來對晶圓W 表面的中心供給處理液時,處理液會以離心力來擴散於晶 圓W的表面,從晶圓W的周緣甩掉。從該晶圓W表面甩 掉的處理液會被引導至大略連續設置的引導構件35的表 面,而從開口 3 6排出至外方,藉由庇護部3 1及外側壁部 32來引導至下方。又,同樣地使晶圓保持部2及旋轉杯4 與晶圓W —起旋轉而從背面處理液供給噴嘴6來供給處 理液至晶圓W背面的中心時,處理液會以離心力來擴散 於晶圓W的背面,從晶圓W的周緣甩掉。從該晶圓W背 面甩掉的處理液會被引導至與晶圓W的背面大致連續設 置之引導構件3 5的背面,而從開口 3 7往外方排出,藉由 庇護部3 1及外側壁部32來引導至下方。此時,由於到達 間隔物構件38、39及外側壁部32的處理液會有離心力作 用,因此可阻止該等形成霧氣而回到內側。 又,由於引導構件3 5是如此地引導從晶圓W表面及 -16- 200814178 背面甩掉的處理液,因此從晶圓W的周緣脫離的處理液 難以亂流化,可不使處理液霧氣化來引導至旋轉杯4外。 另外,如圖2所示,在引導構件3 5中,對應於晶圓保持 構件1 4的位置,設有缺口部4 1,可迴避晶圓保持構件1 4 〇 排氣·排液部7是主要用以回收從旋轉板1 1與旋轉 杯4所圍繞的空間排出的氣體及液體者,如圖4的擴大圖 所示,具備:接受從旋轉杯4排出的處理液之呈環狀的排 液杯5 1、及於排液杯5 1的外側,以能夠圍繞排液杯51 的方式設置之呈環狀的排氣杯5 2。 如圖1及圖4所示,排液杯51是在旋轉杯4的外側 具有接近外側壁部32而垂直設置之呈筒狀的垂直壁53、 及從垂直壁5 3的下端部往內側延伸之底部5 4。垂直壁5 3 的上端是延伸至旋轉杯4的外側壁部3 2的上方,沿著庇 護部3 1來彎曲。藉此,可防止排液杯5 1內的霧氣逆流至 晶圓W側。並且,在排液杯51的內部的保持構件14的 外側位置,具有從底部54延伸至旋轉板1 1的下面附近, 沿著其周方向而設成環狀的間隔壁5 5。然後,排液杯5 1 是藉由此間隔壁5 5來分離成:接受從間隙3 3排出的處理 液之主杯部5 6、及接受從保持構件1 4的保持部1 4 a附近 部份滴下的處理液之副杯部57。底部54是藉由間隔壁55 來分成:對應於主杯56的第1部份54a、及對應於副杯 57的第2部份54b ’該等皆是傾斜成從外側往內側(旋轉 中心側)上昇。然後,第2部份54b的內側端是到達對應 -17- 200814178 於比保持構件1 4的保持部1 4a更靠內側(旋轉中心側) 的位置。間隔壁55具有當旋轉板11旋轉時,阻止藉由突 出於保持構件1 4的旋轉板1 1的下方的部份所形成的氣流 伴隨霧氣而到達晶圓W側之功能。在間隔壁5 5形成有用 以引導處理液從副杯部57到主杯部56之孔58。 在排液杯5 1的底部5 4的最外側部份設有1處的排液 口 60,在排液口 60連接排液管61。在排液管61中設有 排液切換部(皆未圖示),可按照處理液的種類來分別回 収或廢棄。另外,排液口 60可複數處設置。 排氣杯52具有:在排液杯5 1的垂直壁53的外側部 份垂直設置的外側壁64、及在保持構件1 4的內側部份垂 直且以其上端能夠接近旋轉板11的方式設置的內側壁65 、及設置於底板1上的底壁66、及從外側壁64往上方彎 曲且以能夠覆蓋旋轉杯4上方的方式設置的上側壁67。 然後,排氣杯52可從其上側壁67與旋轉杯4的庇護部 31之間呈環狀的導入口 68來主要取入旋轉杯4內及其周 圍的氣體成份而排氣。並且,在排氣杯52的下部,如圖 1所示,設有排氣口 70,在排氣口 70連接有排氣管71。 在排氣管7 1的下游側設有未圖示的吸引機構,可將旋轉 杯4的周圍予以排氣。排氣口 70是設置複數個,可按照 處理液的種類來切換使用。 如此,處理液會經由旋轉杯4來引導至排液杯5 1, 氣體成份會從導入口 68來引導至排氣杯52,且來自排液 杯5 1的排液及來自排氣杯52的排氣可獨立進行,因此可 -18- 200814178 在分離排液及排氣的狀態下引導。並且,即使霧氣從排液 杯51漏出,還是會因爲排氣杯52圍繞其周圍,所以可迅 速經由排氣口 70來排出,確實防止霧氣露出至外部。 液處理裝置100具有由電腦所構成的製程控制器101 ,液處理裝置100的各構成部會被連接至該製程控制器 1 0 1而被控制。並且,在製程控制器1 〇 1連接:工程管理 者爲了管理液處理裝置100的各構成部而進行命令的輸入 操作等之鍵盤、或由使液處理裝置1 〇〇的各構成部的操業 狀況可視化顯不的顯不器等所構成的使用者介面1 0 2。而 且,在製程控制器1 01連接記憶部1 03,該記憶部1 03儲 存有爲了藉由製程控制器1 0 1的控制來實現在液處理裝置 1 00所實行的各種處理之控制程式、或爲了按照處理條件 來使所定的處理實行於液處理裝置1 00的各構成部之控制 程式亦即處方(recipe )。處方可記憶於硬碟或半導體記 億體,或在收容於CDROM、DVD等可攜帶性的記憶媒體 的狀態下設定於記憶部103的所定位置。又,亦可從其他 的裝置,例如經由專用線路來使處方適宜傳送。然後,因 應所需,根據來自使用者介面1 〇2的指示等,從記憶部 1 03叫出任意的處方,而使實現於製程控制器1 〇 1,藉此 在製程控制器1 〇 1的控制下,進行液處理裝置1 〇〇的所望 處理。在本實施形態中,特別是藉由製程控制器1 〇 1來控 制驅動機構8 1,而進行表面處理液供給噴嘴5的位置控 制、及處理液供給機構85的液切換控制’擇一性地進行 晶圓W的洗淨處理及旋轉杯4的外側洗淨處理。 -19- 200814178 其次,參照圖6A〜圖6D來説明有關以上那樣構成的 液處理裝置1 〇〇的動作。首先,如圖6A所示,在使昇降 構件1 3上昇的狀態下,從未圖示的搬送臂來將晶圓W交 接至晶圓支持台24的支持銷25上。其次,如圖6B所示 ,使昇降構件1 3下降至可藉由保持構件1 4來保持晶圓W 的位置,藉由保持構件14來吸附晶圓W。然後,如圖6C 所示,使表面處理液供給噴嘴5從退避位置移動至晶圓洗 淨位置。 在此狀態下,如圖6D所示,——邊藉由馬達3來使保 持構件2與旋轉杯4及晶圓W —起旋轉,一邊從表面處 理液供給噴嘴5及背面處理液供給噴嘴6來供給所定的處 理液,而進行晶圓W的洗淨處理。 此晶圓洗淨處理中,是藉由表面處理液供給噴嘴5及 背面處理液供給噴嘴6來對晶圓W的表面及背面供給處 理液,其洗淨液會藉由離心力來擴散至晶圓W的外側, 從晶圓W的周緣甩掉。 此晶圓洗淨處理中,由於設成圍繞晶圓W外側的杯 是與晶圓W —起旋轉的旋轉杯4,因此從晶圓W甩掉的 處理液在撞擊旋轉杯4時離心力會作用於處理液,所以不 易發生如固定杯那樣的飛散(霧氣化)。然後,到達旋轉 杯4的處理液會被引導至下方,從間隙3 3排出至排液杯 5 1的主杯部5 6。另一方面,在旋轉板1 1的保持構件1 4 的安裝位置設有插入保持部1 4a的孔,因此處理液會從該 部份滴下至排液杯5 1的副杯部5 7。然後,如此被排液杯 -20- 200814178 5 1所接受的處理液會從排液口 6 0經由排液管6 1來排出 。並且,在排氣杯52中,從其上側壁67與旋轉杯4的庇 護部3 1之間呈環狀的導入口 6 8來主要取入旋轉杯4內及 其周圍的氣體成份,從排氣口 70經由排氣管7 1而排氣。 如此進行晶圓W的洗淨處理,一旦處理液飛散,則 在旋轉杯4中不僅內側部份連外側部份、特別是在庇護構 件3 1的上面部份會有藥液殘留,或析出鹽。這樣殘留的 藥液或析出的鹽會形成粒子而恐有附著於晶圓W之虞。 在此,旋轉杯4的內側部份,在晶圓|的洗滌( rinse)處理時某程度會被洗淨,但旋轉杯的外側部份、特 別是庇護構件3 1的上面部份,在晶圓W的洗滌處理時不 會被洗淨。 於是,本實施形態是在晶圓W的洗淨處理終了後, 如圖7所示,藉由驅動機構81來使表面處理液供給噴嘴 5過掃描(over scan)而移動至旋轉杯4的正上位置亦即 杯洗淨位置C(參照圖2),且將來自處理液供給機構85 的供給液體切換成純水(DIW )而從表面處理液供給噴嘴 5來將純水(DIW )供給至旋轉杯4的外側部份、具體而 言是庇護構件3 1的上面進行洗淨。 藉此,可極有效地除去旋轉杯4的外側部份、特別是 庇護構件31上面的殘留藥液或鹽,進而能夠有效地防止 粒子附著於晶圓W。 並且,在如此晶圓W的洗淨處理後,使利用於晶圓 W的洗淨處理之表面處理液供給噴嘴5過掃描而位於杯洗 -21 - 200814178 淨位置,在此將洗淨液亦即純水(DIW )供給至旋轉杯4 的外側部份而洗淨旋轉杯4的外側部份,因此可不追加旋 轉杯洗淨用的噴嘴以簡便的機構充分洗淨旋轉杯4的外側 部份。 此旋轉杯4的洗淨是與晶圓W的洗淨時同樣,一邊 使旋轉杯4旋轉一邊進行,但此時的旋轉數最好是比晶圓 W的洗淨處理時的旋轉數更低。藉此,可抑止洗淨液在排 氣杯51內飛散。例如,晶圓W的洗淨處理時之旋轉杯4 (晶圓W )的旋轉數爲3 00〜lOOOrpm程度,旋轉杯4的 洗淨時之旋轉數爲100〜300rpm程度。 並且,在旋轉杯4的外側分部的洗淨時,使表面處理 液供給噴嘴5位於庇護部31的內側端部,可期待洗淨液 繞進庇護部31的內側,此情況可取得更能確實洗淨旋轉 杯4的內部之效果。 另外,本發明並非限於上述實施形態,亦可實施各種 的變形。例如,上述實施形態中是使用洗淨處理被處理基 板亦即晶圓的機構(表面處理液供給噴嘴5及處理液供給 機構85)作爲旋轉杯的洗淨機構之例,但亦可分別設置 洗淨處理晶圓的機構及洗淨處理旋轉杯的機構。並且,在 上述實施形態中是舉進行晶圓的表背面洗淨之液處理裝置 爲例,但本發明並非限於此,亦可爲只進行表面的洗淨處 理之液處理裝置,且有關液處理方面並非限於洗淨處理, 亦可爲阻劑液塗佈處理或其後的顯像處理等、其他的液處 理。又,上述實施形態中是顯示有關被處理基板爲使用半 -22- 200814178 導體晶圓時,但亦可適用於以液晶表示裝置(LCD )用的 玻璃基板爲代表之平面直角顯示器(Flat Panel Display ; FPD )用的基板等、其他的基板。 [產業上的利用可能性] 本發明對於用以除去附著於半導體晶圓的粒子或污染 的洗淨裝置有效。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的一實施形態的液處理裝置的槪略 構成剖面圖。 圖2是將本發明的一實施形態的液處理裝置部份切開 顯示的槪略平面圖。 圖3是表示圖1的液處理裝置的處理液供給機構的槪 略圖。 圖4是擴大顯示圖1的液處理裝置的排氣•排液部的 剖面圖。 . 圖5是用以說明圖1的液處理裝置的旋轉杯及引導構 , 件的安裝狀態。 圖6A是用以說明本發明的一實施形態的液處理裝置 的處理動作。 圖6B是用以說明本發明的一實施形態的液處理裝置 的處理動作。 圖6C是用以說明本發明的一實施形態的液處理裝置 -23- 200814178 的處理動作。 圖6D是用以說明本發明的一實施形態的液處理裝置 的處理動作。 圖7是表示使圖1的液處理裝置的表面處理液供給噴 嘴位於杯洗淨位置來進行旋轉杯的洗淨的狀態模式圖。 【主要元件符號說明】 ⑩ 1 :底板 2 :晶圓保持部 3 :旋轉馬達 4 :旋轉杯 5:表面處理液供給噴嘴 5 a :噴嘴孔 6 :背面處理液供給噴嘴 6a :噴嘴孔 • 7:排氣·排液部 8 :外箱 9 :氣流導入部 9a :導入口 11 :旋轉板 1 1 a :孔 1 2 ·•旋轉軸 1 2 a :孔 1 3 :昇降構件 -24- 200814178 1 4 :保持構件 14a :保持部 14b :著脫部 14c :旋轉軸 1 5 :軸承構件 1 5 a :軸承 1 6 :滑輪 _ 1 7 :傳動帶 18 :滑輪 2 1 :乾燥溶媒噴嘴 2 1 a :噴嘴孔 22 :噴嘴保持構件 2 2 a :噴嘴臂 23 :軸 2 4 :晶圓支持台 ^ 25 :支持銷 81 :驅動機構 • 82 :昇降機構 _ 8 3 a :流路 8 3 b :流路 84a :配管 84b :配管 8 5 :處理液供給機構 86 : DHF供給源 200814178 87 : SCI供給源 88 : DIW供給源 89, 90, 91 :配管 92 , 93 , 94 :開閉閥 95 : IPA供給源 96 :開閉閥 100 :液處理裝置 1 0 1 :製程控制器 102 :使用者介面 103 :記憶部 A :晶圓洗淨位置 B :杯洗淨位置 C :退避位置 W :晶圓
•26-

Claims (1)

  1. 200814178 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種液處理裝置,其特徵係具備: 基板保持部,其係將基板保持於水平,且可與基板一 起旋轉; 旋轉杯,其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板’ 且可與基板一起旋轉; 旋轉機構,其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 • 旋轉; 處理液供給機構,其係對基板供給處理液;及 洗淨液供給機構,其係對上述旋轉杯的外側部份供給 洗淨液。 2. 如申請專利範圍第1項之液處理裝置,其中,上 述處理液供給機構兼任上述洗淨液供給機構。 3 .如申請專利範圍第1項之液處理裝置,其中,更 具備排液杯,其係設置於上述旋轉杯的外側,接住自上述 ^ 旋轉杯排出的處理液,且具有排除所接住的處理液之排液 □。 . 4 ·如申請專利範圍第3項之液處理裝置,其中,更 具備排氣杯,其係設成在上述排液杯的外側圍繞上述排液 杯,主要從上述旋轉杯及其周圍取入氣體成份而排氣。 5 ·如申請專利範圍第1項之液處理裝置,其中,上 述旋轉杯係具有: 庇護部,其係設成可覆蓋被保持於上述基板保持部的 基板端部的上方;及 -27- 200814178 (2) 外側壁部,其係設成可連續於庇護部而覆蓋基板的# 方, 又,上述洗淨液係被供給至上述庇護部的上面。 6. —種液處理裝置,其特徵係具備: 基板保持部,其係將基板保持於水平,且可與基板一 起旋轉; 旋轉杯,其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板, • 且可與基板一起旋轉; 旋轉機構,其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉; 液吐出噴嘴,其係對基板吐出實施液處理的處理液及 洗淨液; 液供給部,其係往上述液吐出噴嘴供給處理液及洗淨 液; 噴嘴移動機構,其係使上述液吐出噴嘴移動於對基板 ® 吐出液的第1位置與對上述旋轉杯的外側部份吐出液的第 2位置之間, . 又,在使上述液吐出噴嘴位於對應於基板的位置之狀 態下,從上述液吐出噴嘴吐出處理液至基板,而對基板進 行液處理’且使上述液吐出噴嘴位於對應於上述旋轉杯的 位置之狀態下,從上述液吐出噴嘴吐出洗淨液至旋轉杯的 外側部份,而洗淨旋轉杯。 7. 如申請專利範圍第6項之液處理裝置,其中,更 具有控制上述液供給部及上述噴嘴移動機構的控制部,而 -28- 200814178 (3) 能夠在使上述液吐出噴嘴位於對應於基板的位置之狀態下 ,從上述液吐出噴嘴吐出處理液至基板,而對基板進行液 處理,且使上述液吐出噴嘴位於對應於上述旋轉杯的位置 之狀態下,從上述液吐出噴嘴吐出洗淨液至旋轉杯的外側 部份,而洗淨旋轉杯。 8·如申請專利範圍第6項之液處理裝置,其中,更 具備排液杯,其係設置於上述旋轉杯的外側,接住自上述 ® 旋轉杯排出的處理液,且具有排除所接住的處理液之排液 □。 9 ·如申請專利範圍第8項之液處理裝置,其中,更 具備排氣杯,其係設成在上述排液杯的外側圍繞上述排液 杯,主要從上述旋轉杯及其周圍取入氣體成份而排氣。 10.如申請專利範圍第6項之液處理裝置,其中,上 述旋轉杯係具有: 庇護部,其係設成可覆蓋被保持於上述基板保持部的 • *板端部的上方;及 外側壁部,其係設成可連續於庇護部而覆蓋基板的外 . 方, . 又,上述洗淨液係被供給至上述庇護部的上面。 1 1. 一種液處理方法,係使用液處理裝置來對基板進 行液處理之液處理方法,該液處理裝置係具備: 基板保持部,其係將基板保持於水平,且可與基板一 起旋轉; 旋轉杯,其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板’ -29- (4) (4)200814178 且可與基板一起旋轉; 旋轉機構,其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉; 液吐出噴嘴,其係對基板吐出實施液處理的處理液及 洗淨液, 其特徵爲包含: 使上述液吐出噴嘴位於對應於基板的位置,從上述液 吐出噴嘴吐出處理液至基板,而對基板進行液處理, 使上述液吐出噴嘴位於對應於上述旋轉杯的位置,從 上述液吐出噴嘴吐出洗淨液至旋轉杯的外側,而诜淨旋轉 杯。 12. 一種記憶媒體,係動作於電腦上,記憶有控制液 處理裝置的程式,該液處理裝置係具備: 基板保持部,其係將基板保持於水平,且可與基板一 起旋轉; 旋轉杯,其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板, 且可與基板一起旋轉; 旋轉機構,其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉; 液吐出噴嘴,其係對基板吐出實施液處理的處理液及 洗淨液, 其特徵爲: 上述程式係於實行時以能夠實行液處理方法之方式來 使上述液處理裝置控制於電腦, -30- (5) (5)200814178
    該液處理方法係包含: 使上述液吐出噴嘴位於對應於基板的位置,從上述液 吐出噴嘴吐出處理液至基板,而對基板進行液處理, 使上述液吐出噴嘴位於對應於上述旋轉杯的位置,從 上述液吐出噴嘴吐出洗淨液至旋轉杯的外側,而洗淨旋轉 杯。 -31 -
TW096127069A 2006-07-26 2007-07-25 Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media TWI381435B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006203979 2006-07-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200814178A true TW200814178A (en) 2008-03-16
TWI381435B TWI381435B (zh) 2013-01-01

Family

ID=38981430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096127069A TWI381435B (zh) 2006-07-26 2007-07-25 Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8051862B2 (zh)
JP (1) JP4648973B2 (zh)
KR (1) KR100979979B1 (zh)
TW (1) TWI381435B (zh)
WO (1) WO2008013118A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114762088A (zh) * 2019-12-06 2022-07-15 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE450885T1 (de) * 2006-04-18 2009-12-15 Tokyo Electron Ltd Flüssigkeitsverarbeitungsvorrichtung
JP4901650B2 (ja) 2007-08-31 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5015870B2 (ja) * 2008-07-08 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、保持部材および基板処理方法
JP4949338B2 (ja) * 2008-08-06 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
DE102010028883A1 (de) * 2010-05-11 2011-11-17 Dürr Ecoclean GmbH Prozessbehälter
JP5890108B2 (ja) 2011-04-27 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス 洗浄処理方法
US9221081B1 (en) 2011-08-01 2015-12-29 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
US9228270B2 (en) 2011-08-15 2016-01-05 Novellus Systems, Inc. Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US9988734B2 (en) 2011-08-15 2018-06-05 Lam Research Corporation Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US10066311B2 (en) 2011-08-15 2018-09-04 Lam Research Corporation Multi-contact lipseals and associated electroplating methods
US8916003B2 (en) * 2011-09-23 2014-12-23 Nanya Technology Corporation Wafer scrubber
JP5829092B2 (ja) * 2011-10-13 2015-12-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
KR101344921B1 (ko) * 2012-03-28 2013-12-27 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
SG11201406133WA (en) * 2012-03-28 2014-10-30 Novellus Systems Inc Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders
US9476139B2 (en) 2012-03-30 2016-10-25 Novellus Systems, Inc. Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating
JP6051919B2 (ja) * 2012-04-11 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6148475B2 (ja) * 2013-01-25 2017-06-14 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
US9746427B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-29 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US10573507B2 (en) 2014-03-28 2020-02-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6318012B2 (ja) * 2014-06-04 2018-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
JP6961362B2 (ja) * 2017-03-03 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10998218B1 (en) * 2019-12-29 2021-05-04 Nanya Technology Corporation Wet cleaning apparatus and manufacturing method using the same
JP7557332B2 (ja) * 2020-10-09 2024-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US12074055B2 (en) * 2021-02-25 2024-08-27 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment device
KR102769321B1 (ko) * 2021-12-27 2025-02-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3102831B2 (ja) 1994-06-20 2000-10-23 大日本スクリーン製造株式会社 回転処理装置
JP3414916B2 (ja) 1996-02-27 2003-06-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および方法
JP3837017B2 (ja) 2000-12-04 2006-10-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法ならびに基板処理装置の洗浄方法
JP3894141B2 (ja) 2003-03-14 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP2005259950A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Sprout Co Ltd 基板処理装置およびその処理方法
US7467635B2 (en) * 2003-05-12 2008-12-23 Sprout Co., Ltd. Apparatus and method for substrate processing
JP2005286221A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8152933B2 (en) * 2006-10-05 2012-04-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and drain cup cleaning method
JP4940066B2 (ja) * 2006-10-23 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、洗浄方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114762088A (zh) * 2019-12-06 2022-07-15 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100979979B1 (ko) 2010-09-03
KR20080028921A (ko) 2008-04-02
US8051862B2 (en) 2011-11-08
US20100144158A1 (en) 2010-06-10
WO2008013118A1 (fr) 2008-01-31
TWI381435B (zh) 2013-01-01
JP4648973B2 (ja) 2011-03-09
JPWO2008013118A1 (ja) 2009-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI381435B (zh) Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media
TWI354344B (zh)
TWI362068B (zh)
TWI353015B (en) Liquid processing apparatus and method
TWI374485B (zh)
TWI353632B (zh)
US8043440B2 (en) Cleaning apparatus and method and computer readable medium
JP4933945B2 (ja) 液処理装置
TW201811453A (zh) 基板洗淨裝置及具備其之基板處理裝置
JP6782185B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2008021983A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP4804407B2 (ja) 液処理装置
JP4805003B2 (ja) 液処理装置
JP5667592B2 (ja) 基板処理装置
JP4884167B2 (ja) 液処理装置
JP4805051B2 (ja) 液処理装置
JP5100863B2 (ja) 液処理装置
JP2007287998A (ja) 液処理装置
JP2022145740A (ja) 液処理方法