TW200814049A - Optical recording material and cyanine compound - Google Patents

Description

200814049 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 /月係關a -種用於光學記錄媒體之光學記錄材料， 該光學記錄媒體主要藉由將資訊藉由雷射等製成資訊圖宰 =行：錄，詳細而言，本發明係關於—種用於光學記錄 之學記錄材料及適用於其之新穎花青素化合物，該 :學記=媒體具有紫外及可見光區域之波長且可利用低能

里雷射等進行高密度之光學記錄及播放。一 【先前技術】 "光子.己錄媒體—般具有記錄容量較大、以非接觸方式進 行記錄或播放等優異特徵，故廣泛普及。於WORM (術ite _e —㈣，僅寫一次型）、CD劣（Compact disc· ，可錄式光碟）、DV賊（Digital Ve副ile Di_

Ree°Fdable ’可錄式數位多功能光碟）等可寫-次型光碟 中使田射t光於έ己錄層之微小面積上，改 之性狀進行記錄，_記錄部分與未記錄部分之反射^ 的差異進行播放。 ，於光碟所代表之先學記錄媒體的光學記錄層中易形成光 子忑錄層’故使用有機系色f，尤其是花青素系化合物因 其靈敏度較高、且可適應高速化，故正進行研究。 當刖，於上述光碟中，記錄及播放所使用之半導體雷射 的波長，CD-R 為 75〇〜83〇 nm，dvd ]r^ 62〇〜6列。邡， I而亦開务有鬲畨度的6〇〇 nm以下之光碟。於例如專 文獻1 11等中報告有與該等光碟對應之五甲炔花青化合 121099.doc 200814049 物0 然而’上述五甲炔花#化合物在熱分解特性方 通二奉錄略必須熱干涉較小，作為光學記錄材：在問 適合的是分解溫度較低者及熱分解急遽者，㉟上^較 各花青素化合物並非在該方面具有充分之特性者。民告之 專利文獻1 :日本專利特開昭59-55795號公報 專利文獻2:日本專利特開平5·173282號公報 專利文獻3 ··曰本專利特開平1 1-53761號公報 專利文獻4 ·曰本專利特開平1 1-2273；31號公報 專利文獻5.曰本專利特開號公報 專利文獻6:曰本專利特開平丨卜“的”虎公報 專利文獻7:日本專利特開2000-108510號公報 專利文獻8 :日本專利特開2〇〇〇_289335號公報 專利文獻9 :曰本專利特表2〇〇1_5〇6933號公報 專利文獻ίο:日本專利特開2003_23 1359號公報 專利文獻11:日本專利特開2〇〇6·31271〇號公報 【發明内容】 發明所欲解決之問題 因此，本發明之目的在於提供一種光學記錄材料及適合 於該光學記錄材料之新穎花青素系化合物，該光學記錄材 料係含有表現適合於高速光學記錄用途之熱分解行為的花 青素系化合物而成。 解決問題之技術手段 本發明者等認為，為實現可適應高速記錄之靈敏度，熱 121099.doc 200814049 分解行為之適當化及吸收波長之適當化為有效，且進行反 覆研究，結果發現具有特4分子結構之花青素“合物可 解決上述έ果通’從而達成本發明。 本發明藉由提供-種光學記錄材料而達成上述目的，該 光學記錄材料含有至少一㈣下述通式⑴所表示之花青素 化合物。 ' [化1]

r ，環Α及❹分別獨立表示可具有取代基之苯環或变 =表^下述通式（„)、（ΙΙι)或（„·，）所表示之基團: 爲團ΙίΓ分別獨立表示氫原子、碳原子數為1〜3g之有賴 :由下述通式(11)、下述通式(in或下述通式(„、 二：基團’ R3與R4可互相連結形成環結構。γ,及Y2分別 獨立表示碳原子數為i，之有機基團或者由下述通 =之基團，x表示氯原子、㈣原子、碳原子數為μ ^基、可具有取代基之苯基、可具有取代基^基、或 亂土。Anm表示m價陰離子，爪表示]， 持為中性之係數〇 將電何保 121099.doc 200814049 [化2] S： (R7) (R5)

(ID i\V) (ir，） 二 i 代之'不虱原子、齒素原子、可被画素原子写 代之故原子數為i〜4 子數為!〜4之貌氧臭，:广或7者可:皮齒素原子取代之碳力 ή * 土 、R及r8分別獨立表示氫原子， 幽素原子或可被鹵去塔2 % R5^ 7 ,、…、，、子取代之碳原子數為1〜4之烷基: /、R可鍵結形成笑 、战不％或葱裱。於上述通式（ΙΓ)中，E，| 間之鍵結為雙鍵，E，. 子u U 原子，G!表示氧原子、硫々 子或II原子，包含E，及- 或可包含雜原子之6…/不可包含雜原子之5員与 ^ 貞¥ ’ 4等包含Ε，及G，之環可被自^ 原子、硝基、氰暮、岭甘斗、w g # ,, 元土或烷氧基取代。於上述通式（π，, 舁G ’間之鍵結為雙 子，包含Ε"及〜 反原子，G”表示碳為 雜原：二 表示可包含雜原子之5員環、可Μ 雜原子之6貝環，及9主— 121099.doc 200814049 [化3]

(ΜΙ) (式中，Ra〜Ri分別獨立表示f 工 見原子或妷原子數為1〜4之烧 基，該烷基中之亞甲基可被-〇_或 主 ' A-co-取代，Q表示直接鍵 結或可具有取代基之碳原子數 筑為1〜8之伸烷基，該伸烷基 中之亞甲基可被-0-、-S… iQ …-coo-、-〇co· 、-ΝΗ·、_C0NH_、-NHCO…务ΓΜ 斗 一 N〜CH_ 或-CH=CH-取代，Μ 表示 Fe、Co、Ni、Ti、Cu、^ ^ zn、Zr、Cr、Mo、〇s、Mn、

Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或 lr。） • 又’本發明藉由提供一種光舉 裡尤予δ己錄媒體而達成上述 的，該光學記錄媒體於基板上且 具有由上述光學記錄材料形 成之光學記錄層。 ^ ，又，本發明提供一種花青♦介入私 甘〆 /ΤΛΜΛ 2 3 4化月素化合物，其係於上述通式 (IV)中，R2、R3、R4、^及 2 八 . 及Y所表不之基團係碳原子 1〜8之烧基’X為氫原子者。 、 又’本發明提供一種花音夸介入& # ^ 裡化月言化合物，其係於上 (V)中，R2、R3、R4、V2糾主-^ ^ ^ Y及γ所表不之基團係碳原子 1〜8之烧基’X為氫原子者。該等花青素化合物為新心 I21099.doc -10- 200814049 物，尤其適合，用作光學記錄材科。 【實施方式】 以下，就本發明之較佳實施形態進行詳細說明。 首先，就由上述通式（1)所表示之 彳 上述通式（I)中，由R2、R3 4 ” 口進行說明。 * R ΥΗ2所表示之皆h 數為1〜3G之有機基團並不受特別限制，例如可狀 基 基 基 基 基 基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第:;其甲 =、戊基、異戊基、第三戊基、已基、環己基、；己 二甲：：環己基乙基、庚基、異庚基、第三庚基、正辛 、、：基、第三辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸 十一烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷 十七烷基、十八烷基等烷基；乙烯基、ι •甲基二 21基乙稀基、丙稀基、丁焊基、異丁婦基、戊烯 己烯基、庚烯基、辛稀基、癸稀基、十五稀基、γ笨 基丙烯-3_基等烯基；苯基、萘基、2_甲基苯基、η基苯 基、4-甲基苯基、心乙烤基苯基、3一異丙基苯基、心異丙 基苯基、4-丁基苯基、4-異丁基苯基、心第三丁基苯基、 心己基苯基、4-環己基苯基、心辛基苯基、4·(2_乙基己基) 苯基、扣十八烷基苯基、2,3-二甲基苯基、2,4-二甲基苯 基、2,5-二甲基苯基、2,6_二甲基苯基、3,4_二甲基苯基、 3,5-二甲基苯基、2,4-二第三丁基苯基、環己基苯基等烷 基芳基；苄基、苯乙基、2-苯基丙烷|基、二苯基甲基、 二苯基甲基、苯乙烯基、苯烯丙基等芳基烷基及該等烴基· 被醚鍵、硫醚鍵中斷者，例如，2_甲氧基乙基、甲氧基 121099.doc 200814049 丙基、”氧基丁基、2'丁氧基乙基、甲氧基乙氧基乙 基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、3-甲氧基丁基、2_苯氧基 乙基、2-曱硫基乙基、2_苯硫基乙基，進而該等基團可被 烷氧基、烯基、硝基、氰基、鹵素原子等取代。

至於不包含R3與R4鍵結形成的5〜6員多重鍵之雜環，可 列舉：咄咯啶環、咪唑啶環、吡唑啶環·、噻唑烷環、異嗓 唑烷環、噁唑啶環、異噁唑啶環、旅唆環、哌嗪環、嗎啉 環。又，至於與苯環連結形成5〜6員環結構之基團，可列 舉：-ch2-ch2-、-ch2-Ch2-ch2…韻=CH·、CH2；=CH- chh2-ch=Ch2-等烴基、該等烴基之亞甲基中i個被 ，代為0、S、顧之基團、及該等烴基之次甲基被取代為 氮原子之基圈。 於上《^^及¥2中，該等基團係碳原子數為 1〜8之烷基的花青素化合物，因其製造成本低，耐濕熱性 良好，故較好。 又，至於由X所表示之齒素原？，可列舉敗、氯、漠、 碘；至於由X所表示之碳原子數為丨〜4之烷基，可列舉：甲 基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、 異丁基等；至於苯基、f基之取代基，可列舉：函素原 子、經基、碳數為卜8之烷基、碳數為〗〜8之醚基、碳數為 1〜8之烷氧基等，取代基之數量或位置為任意。 於上述通式⑴中，至於由Anm·表示之陰離子，例如，作 為，價者’可列舉：氯陰離子、漠陰離子、峡陰離子、氣 陰離子等㈣陰離子；過氯酸陰離子、氯酸陰離子、硫氮 121099.doc •12- 200814049 酸陰離子、六氟磷酸陰 贶化銻陰離子、四·氟化硼 陰離子寺無機系陰離子；苯碏酸陰 一 /、敗^雖于、甲笨磺酸陰離 、三以續酸陰離子、二苯胺·4_磺酸陰離子、2•胺基_ 4-甲基-5.氯苯㈣陰離子、2·胺基刘基苯伽陰離子、 揭不於日本專利特開2__53799號公報之續酸陰離子等有 機石黃酸陰離子；辛基磷酸陰離子、十二院基鱗酸陰離子、 =八燒基磷酸陰離子、苯基咖陰離子、壬基苯基碟酸陰 離子、2,2，-亞甲基雙（4,6•二第三丁基苯基）腾酸陰離子等 有機鱗酸系陰離子、雙三氟甲基石黃醯亞胺陰離子 丁姐亞胺陰離.子、全氟_4_乙基環己㈣_陰離子、四 (Μ苯基）顯陰離子等，作為二價者，例如可列舉苯二 ㉖酸陰離子、萘二磺酸陰離子等。又，亦可依據需要而使 用：於具有使處於激發狀態之活性分子去激（淬滅）之功能 的净滅劑陰離子’或者環戊二烯基環中具有羧基或膦酸 基、石黃酸基等陰離子性基圓之二茂鐵、二茂釘等茂金屬化 合物陰離子等。 至於上述淬滅劑陰離子，例如可列舉由下述通式⑷、 ⑻或下述式（〇所表示者，如日本專利特開昭gw戰 公報、日本專利特開平5_43814號公報、日本專利特開平L 3〇5770號公報、日本專利特開平6-239028號公報、日本專 利特開平9-309δ86號公報、日本專利特開平9·323478號公 報、日本專利特開平1G·45767號公報、日本專利特開平U-则8號公報、日本專利特開赚168237號公報、日本 專利特㈣02.73號公報、日本專利制2_·2_61 12i099.doc 200814049 號公報、曰本專利特開2005-297407號公報、日本專利特 公平7-96334號公報、國際公開98/29257號公報等中所揭示 之陰離子。 [化4]

(式中，Μ與上述通式（III)相同，及…，表示齒素原子、 石厌原子數為1〜8之烷基、碳原子數為6〜3〇之芳基戋了 基，】表示烷基、可被齒素原子取代之芳基、二烷基胺 基、二芳基胺基、哌咬基或嗎啉基’ a&b分別獨立 〇〜4之數。又’ R12、Rl3、 14 乂 及R刀別獨立表示烷基、烷 基本基、烧氧基苯基或鹵化笨基。）

[化5]

I21099.doc -14- 200814049 至於上述通式（Η)中由R5〜R8所表示的可被鹵素原，子取代 之石反原子數為1〜4之烷基、以.及上述通式（m)中由Ra〜R^ 示之反原子數為1〜4之焼基，可列舉作為上述通式⑴中 之X而例不之基團；至於該烷基中之亞甲基被取代之基 團可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、甲氧基 氧基甲基、2-甲氧基，乙基等；至於談烧基中之亞 甲基破取代之基團，可列舉乙醯基、卜幾基乙基、乙 醯基甲基、4基丙基、2_氧代丁基、2_乙酸基乙基、^ 羰基異丙基等。 二上述通式（„)中，至於w〜R8所表示u素原子，可 列牛作為上述通式⑴中之“例示之錢；至於由r5所表 ; 取代之碳原子數為…氧基，可列 基二丁二丙丁氧:：丙氧基、丁一 丁氧 :氣甲，其 弟-丁乳基、氯甲氧基、二氯甲氧基、 甲乳基、乙氧基2_丙氧基、丁氧基、2-丁氧基、第— 丁氧基。 孔丞弟二 丁二R6r8連接形成之環結構，可列舉:環丙院環、環 成1衣％戊坑％、環己燒環、四氫口比喃環、派咬产、0广 口禾％、吡咯啶環、嗎啉環、 衣口氏 環、。密。定環、、：“ 定環…比嗓 m 矛衣—秦環、啥琳環、显喧吸产 $"唆環、咪蝴……環、J 坐 烧環等’該等環可與其他環縮合或取；f定被、異心 ，上述通式dr)及（„”）中，至 Τ主％噻唑環、吡唑 12I099.doc -15· 200814049 環、綱、異嗔唾環，環、_…各環等，至 於可包含雜原子之6員環，可列舉苯環、対環、 環、旅咬‘環、嗎琳環"比嘻環”比喃酮環、輕切等Γ 於上述通式(11，，)中，至於韻9所表示之齒素原子，可列 舉氣、m至於可被齒素原子取代之碳原子數為 Γ一之烧基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基：'

^ 丁基第一丁基、異丁基、氯甲基、二氯甲基、三氯 甲基、2-氯甲基、3_氯甲基、漠甲基、三氟甲基等、至於 可被齒素原子取代之碳原子數為^之燒氧基，可列舉甲 氧基、乙氧基、丙氧基、2·丙氧基、了氧基、孓丁氧基、 第f 丁氧基、第二丁氧基、氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯 甲虱基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、2_丁氧基、 基。 山於上述通式（m)巾’至於由q所表示的可具#取代基之 碳原子數為1〜8的伸烷基，可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙 基、甲基伸乙基、伸丁基、L甲基伸丙基、2_甲基伸丙 土 1 ’2 —曱基伸丙基、1，3-二甲基伸丙基、丨_甲基伸丁 基、2-甲基伸丁基、3_甲基伸丁基、4·甲基伸丁基、2,4_ 二曱基伸丁基、U3_二曱基伸丁基、伸戊基、伸己基、伸 庚基、伸辛基、乙烷-二基、丙烷_2,2_二基等，至於該 伸烷基中之亞甲基被_0_、各、-CO-、-COO、_0C0_、_so2_ 、-NH-、_C0NH_、-nhco-、_n=CHl=ch 取代之基 團，可列舉亞甲基氧基、伸乙基氧基、氧基亞曱基、硫代 亞曱基、羰基亞曱基 '羰氧基亞甲基、亞曱基羰氧基、磺 12I099.doc -16- 200814049 基亞甲基、胺基亞甲基、乙醯基胺基、伸乙基甲酿胺 基、乙醯亞胺基、伸乙烯基、伸丙烯基等。 至於上述通式（I)中由環A及環6所表示之苯環及萘環、 W所表示之苯基及节基、以及上述通式（m)中由q所表示 之碳原子數為1〜8之伸烷基的取代基，可列舉以下者。 ， 作為上述取代基，例如可列舉:甲基、乙基、丙基、異 丙基、環丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基、戊 _ 基、異戊基、第三戊基、環戊基、己基、2_己基、弘己 基、環己基、聯環己基、甲基環己基、庚基、2_庚基、 3-庚基、異庚基、第三庚基、正辛基、異辛基、第三辛 基、2·乙基己基、壬基、異壬基、癸基等烧基；甲氧基、 乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三 丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、第三戊氧基、己 氧基、環己氧基、庚氧基、異庚氧基、第三庚氧基、正辛 氧基、異辛氧基、第三辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、 • 癸氧基等烷氧基；曱硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、 丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、異丁硫基、戊硫基、 異戊硫基、第三戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、異 庚硫基、第三庚硫基、正辛硫基、異辛硫基、第三辛硫 基、2-乙基己硫基等烷硫基；乙烯基、卜甲基乙烯基、 甲基乙烯基、2 -丙婦基、1-甲基-3 -丙烯基、3-丁烯基、卜 甲基-3-丁烯基、異丁烯基、戊烯基、4_己烯基、環己烯 基、聯環己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、 二十烯基、二十三烯基等烯基；苄基、苯乙基、二苯甲 121099.doc -17- 200814049 基、三苯甲基、苯乙烯基、苯烯丙基等芳基烷基；苯基、 萘基等芳基；苯氧基、萘氧基等芳氧基；苯硫基、萘硫基 等芳硫基；吼啶基、嘧啶基、噠嗪基、哌啶基、吼喃基、 °比唑基、三嗓基、°比洛基、喧琳基、異唾琳基、咪嗤基、 苯并ϋ米嗤基、三嗤基、咹σ南基（furyl、furanyl)、苯并咬喃 基、噻吩基.、苯硫基、苯并苯硫·基、噻二唑基、噻唑基、 苯并噻。坐基、噁唑基、苯并噁唑基、異嗟唑基、異噁唑 基、吲哚基、2-吡咯烷酮-1-基、2-哌啶酮-1-基、2,4-二氧 基咪唑啶-3-基、2,4-二氧基噁唑啶-3-基等雜環基；氟、 氯、溴、碘等鹵素原子；乙醯基、2-氯乙醯基、丙醯基、 辛醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯基羰基（苯甲醯 基）、酞醯基、4-三氟曱基苯甲醯基、三曱基乙醯基、水揚 醯基、草醯基、十八醯基、甲氧基羰基、乙氧基幾基、第 三丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基、胺曱醯基等醯基；乙 醯氧基、苯甲醯氧基等醯氧基；胺基、乙胺基、二甲胺 基、二乙胺基、丁胺基、環戊胺基、2-乙基己胺基、十二 胺基、苯胺基、氯苯胺基、甲苯胺基、甲氧苯胺基、N-甲 基-苯胺基、二苯胺基、萘胺基、2-吼啶胺基、甲氧基羰基 胺基、苯氧基羰基胺基、乙醯胺基、苯曱醯胺基、曱醯胺 基、三甲基乙醯胺基、十二烷醯胺基、胺曱醯胺基、N，N-二曱胺基羰基胺基、N，N-二乙胺基羰基胺基、嗎啉基羰基 胺基、甲氧基羰基胺基、乙氧基獄基胺基.、第三丁氧基羰 基胺基、正十八烷氧基羰基胺基、N-甲基-曱氧基羰基胺 基、苯氧基羰基胺基.、胺磺醯腙基、N，N-二曱胺基磺醯胺 121099.doc -18- 200814049 基、甲基磺醯胺基、丁基磺醯胺基、苯基磺醯胺基等被取 代之胺基；磺醯胺基、磺醯基、羧基、氰基、磺基、經 基、硝基、巯基、三烷基矽烷基、醯亞胺基、胺甲醯基、 磺醯胺基等，該等基團可進一步被取代。又，羧基及磺基 可與無機驗或有機驗形成鹽、錯合物或複合體。 ，由 著，

、作為用於本發明之光學記錄材料中的花青素化合物 於製造成本低’莫耳吸光係數大，且本發明之效果顧 故較好的是由下述通式(IV)或(V)所表示之化合物。

[化7]

121099.doc 19 (V) 200814049 (式中’環 A、環 B ' r2、r3、r4 上述通式⑴相同。) X'An 於上述通式(iV)中，由r2、r3、r4、y】 團係碳原子數為】 之基 以^ ^ 8之烷基X為虱原子之花青素化合物， 某團係石户斥(V)中’由^^、^2所表示之 物，^Γ子數為1〜8之燒基’ 為氫原子的花青素化合 ϋ，、適合作為光學記錄材料。 。至於由上述通切)所表示之花青素化合物的較好具體 例：可列舉下述化合物I!，。再者，於以下例示中， =略陰離子之花青素陽離子表示。於本發明之花青素化 5物中，聚次甲基鏈可為共振結構。 [化8]

化合物No. 1

121099.doc -20· 200814049

化合物Να 7 Br

化合物N&.8

[化9] 化合物No. 14 化合物No. 13

化合物No. 17

121099.doc. -21 - 200814049

化合物咖.19

化合物Μα 21

化合物N沈20

化合物此.22

[化 10] 化合物24

化合物No. 23

12I099.doc •22 200814049 [4b 11] 化合物No. 31cf3q

化合物No. 32

化合物No. M

化合物Ho· 36

化合物Ho·

化合物Ho. 40

化合物No. 39

化合物No. W 121099.doc -23 - 200814049

Hb 12]

化合物No. 42

化合物Ηα 43

化合物Μα 45

上述本發明之由上述通式⑴所表示之花青素化合物並不 受其製造法限制。該花青素化合物係例如藉由將2個作為 中間體之2-曱基吲哚四級鹽衍生物與Ν,Ν1-二苯基脎等交聯 I21099.doc -24- 200814049 劑反應而獲得。又，R1基可於獲得作為中間體之2_甲 °朵四級鹽衍生物之過程中導入，亦可於以芳基肼衍生:為 起始物質，利用酮衍生物形成巧嗓 木衣時冷入，亦可使鹵甲 基苯衍生物反應於吲哚環而導 或Y可利用與芳胺軒 生物或吲哚環之ΝΗ反應的mώ ' A · - A -^ (為氣、漠、碟等鹵素 基，本基㈣:氧基甲基笨基石黃醯氧基、4_氣

氧基等俩氧基）而導人。至於獲得本發明之花青素化I 物的具體方法，例如可列舉由 口 [化13] 下蝴表不之途經。

(式中，環A、環3、汉2〜汉4、父、 ^ 通式⑴相同，崎示氯、漠或u、Y、Anm‘及p與上述 本發明之光學記錄材料含有至少一種 物。又，本發明之光學記鉢 月系化口 ^ 、彔媒肢係於基板上形成包含哕井 學记錄材料之光學記錄層而獲得者。 玖匕3。亥先 本發明之光學記錄材料的繫 上具有由該光學記錄材_2、以及於本發明的於基板 體之製造方法並不受特別限制 九子。己錄媒 般而吕，可使用濕式塗 121099.doc -25- 200814049 佈法，亦可使用墓鍍法 一 ▲鍍，Μ式塗佈法係於有 機;：谷劑中溶解本發明之筘主去 德m… 物，以及依據需要溶解 後述各種化合物，製作溶液狀光學記錄材料，以旋塗法、 贺霧法、浸潰法等將該光學記錄材料塗佈於基板上，上述 有機溶劑為：甲醇、乙醇等低級醇類；甲基溶纖劑、乙美 溶纖劑、丁基溶纖劑、二乙二醇丁_等醚醇類；丙，、J 基乙基綱、甲基異丁基酮、環己酮、二丙酮醇等酮類、乙 酸乙醋、乙酸丁，、乙酸甲氧基乙_等醋類;丙烯酸乙 醋、丙烯酸丁@旨等丙稀酸_類：、2,2,3,3_四“醇等氟化 醇類’苯、曱苯、二甲苯等煙類；二氣甲燒、二氣乙烧、 0等氯化烴时。於使用上述有機溶劑之情形時，較好 的是將其使用量設為本發明之光學記錄材料中上述花青素 化合物的含量成為0H 〇質量❹之量。 上述光學記錄層形成為薄膜，其厚度通常較適當的是 〇·〇〇1〜10 μιη，較好的是0 01〜5 μηΐ2範圍。 又，於本發明之光學記錄材料中，本發明之花青素化A 物的含量’較好的是於本發明之光學記錄材料所含有的= 形分中為H)〜剛質量％。上述光學記錄層較好的是形成為 於光學記錄層中含有50〜100質量％的上述花青素化合物， 為形成上述花青素化合物含量之光學記錄層，更好的是以 本發明之光學記錄材料所含有之固形分為基準，本發明之 光學記錄材料含有50〜1〇〇質量％之上述花青素化合物。 本發明之光學記錄材料中所含有之上述固形分，係自該 光學記錄材料中除去有機溶劑等除固形分以外之成分的成 121099.doc -26- 200814049 分，該固形分之含量.於上述光學記錄材料中敕好的是 0.01〜100質量％，更好的是01〜10質量％。 本叙明之光學記錄材料中除了本發明之花青素化合物以 外’依據需要可含有：偶氮系化合物、酞菁系化合物、氧 °右系化合物、方酸内鑌（squarylium)系化合物、吲哚化合 物、苯L浠系化合物、外吩系化合物、奠讀m)系 ,合物、克酮酸次甲基（croconic methine)系化合物、吡喃 鏽系化：物、硫代吡喃钂系化合物、三芳基甲烷系化合 物、二苯基甲烷系化合物、四氫膽驗系化合物、靛紛系化 合物、蒽醌系化合物、萘醌系化合物、二苯并吡喃系化合 物…塞嗪系化合物"丫唆系化合物…惡嗓系化合物、螺吼 2系化合物、第系化合物、若丹明系化合物等通常用於光 =錄層之化合物；聚乙烯、聚_、聚苯乙烯、聚碳酸醋 =曰類；界面活性劑；抗靜電劑；潤滑劑；阻燃劑；受 ::等自由基捕獲劑；二茂鐵衍生物等訊坑形成促進劑； 刀义放劑’抗氧化劑；交聯劑；-耐光性賦予劑等。進而，本 2明之光學記錄材料可含有芳香族竭化合物、銨化合 單重，銨化合物、雙亞銨化合物、過渡金屬髮合物等作為 為本2等之淬滅劑。於本發明之光學記錄材料中，以成 0/ .. ^ 厅3有之固形分中的0〜50質量 。乾圍内之量來使用該等各種化合物。 含=明之t學記錄物可含有二亞錢化合物。可藉由 婵Μ Μ 有效地防止本發明之光學記錄 吸光㈣㈣降低°又，於含有該亞銨化合 12!〇99.doc -27. 200814049 物之情形時的含量，軔拓Β μ丄 尺七 1子的疋於本發明之光學記錄材料所 έ有的固形分中為0〜99質 貝里/0乾闺内之量，更‘好 50〜95質量％。 日7疋 設置如此之光學記錄層 (上返丞扳之材質，若相對於宮 入（記錄）光及讀出（播放彳杏每 … 糾m 出(播放）先只際上為透明者，則無特別限 制，例如，使用聚甲基丙烯酸甲醋、聚對 醋、聚碳酸醋等樹月旨、玻璃等。又’其形狀依據用途可： 用捲帶、言支、帶、圓盤等任意形狀者。 又，於上述光學記錄層上， j使用孟、銀、I呂、鋼等， 利用蒸鍍法或濺鍍法形成反射 ' 对膜亦可利用丙烯酸系樹 脂、紫外線硬化性樹脂等形成保護層。 本發明之光學記錄材料適用於在 、扣γ隹δ己錄、播放時使用半導 體雷射之光學記錄婵體，+甘、在m 早、體尤其適用於高速記錄型CD-R、 DVD 土 R、HD、DVD-R j · τ ^ D R (Hard dlsk_Digital VersatUe Disc_

’㈣式可記錄之數位多功能光碟）、BD_R _-ray Disc，.藍光光碟）等眾所周知之單層式、雙 多層式光碟。 又θ ^ 實施例 以下，以實施例、比較例及評價 丨貝W木進一步詳細說明本 發明。然而，本發明並不受以下實施例等任何限制。 下述實施例1表示本發明之新賴化合物即化合物No i之 六氟化鎖製造例，實施例2表示本發明之新賴化合物 即化合物No· IS之六氟化磷鹽的製造例。 又’下述貫施例3表示含右奮#加 矿丁3有貝靶例1、2中獲得的化合物 I21099.doc -28- 200814049

No.丨之六氤化磷鹽、No. 13之六氡化磷鹽的光學記錄材料 之製備，以及使用該光學記錄材料之光學記錄媒體^^. 1、N 〇. 2的製造例。 於下述評價例丨及比較評價例丨中，利用在氮氣流中、 iCTC/min之升溫速度的條件下之示差熱分析測定，對實施 例1、2中獲得的化合物No. 1之六氟:化磷鹽、N〇. 13之六氟 化鱗鹽、比較化合物No.卜比較化合物N〇. 2的熱分解行

為進4于评^。將該等之結果表示於[表1 ]中。 又，於下述評價例2中，對實施例3中獲得之光學記錄媒 體測定UV光譜。將結果表示於[表2]中。 [實施例1] 加入1 ϋ宅冥耳的 双Τ〜#又，丨W水四敬鹽、^ 〇 毫莫耳的由下述⑺所表示之中間體、“毫莫耳乙酸酐及 =:莫：”，於5〇。。下檀摔4小時。加入25毫升氯仿及 ^升水，分離油層後’添加使叫莫耳之六氟化鱗酸卸 刀放於25*升水中而獲得之液 主 你八Μ 廷仃鹽父換。清洗油層 後’刀離油層，餾去溶劑。 渣進行晶析。使用显丙:jg甲醇使所獲得之殘 行減::；再結晶處理，過遽、清洗，於_下進 〆1乾燥，以產率：62·5% 六氟化鱗越。… 传目標物即化合仙1之 6.09χΐ〇·6 Μ 〇· 1之六氟化磷鹽於 10河之乙腈溶液中的ϋν吸收, 麵，ε為 1.95χ1〇5。 特隹係，Xmax為 681.0 12I099.doc -29- 200814049 [化 14]

⑴

(2) [實施例2] 加入10毫莫耳的由下述（3 )所表示之假吲哚四級鹽、1 〇 毫莫耳的由下述（4)所表示之中間體、14毫莫耳乙酸酐及 100毫莫耳吼啶，於5(rc下攪拌4小時。添加乃毫升氯仿， 分離油層後，添加使丨〗毫莫耳之六氟化磷酸鉀分散於乃毫 升水中而得獲之液體，進行鹽交換。清洗油層後，分離= 層，館去溶劑。利用12·2 g甲醇使所獲得之殘渣進行晶 析。使用異丙基甲基酮與甲醇之混合溶劑對所獲得之粗姓 晶進行再結晶處理，將所獲得之結晶於14〇。〇下進行減^ 乾燥，以產率44·3%獲得目標物即化合物n〇. 13之六氣化 鱗鹽。所獲得的化合物N。，13之六氟化鱗鹽於川·6 % 之乙腈溶液中的UV吸收特性係，入職為677 5 2·15χ1〇5。 [ib 15]

⑶

121099.doc -3〇. 200814049 砜溶劑，對實施例.2中所獲得之化合物，使用氘代氣仿溶 劑，利用H-NMR分析進行鑑定。將測定結果表示如下。 又，於[圖4、[圖2]表示1h-Nmr圖。 。 (化合物No· 1之六氟化磷鹽的結果） 8.36U4 (m，4H)，8·1(Κδ 〇2 (m，4H)，7 75 1H)，7.爪 7·61 (m，3H)，7.53147 (m; 2H)，6 92一6 86 (m，2H)5 6 78 (t 1H)，6·37:6·27 (m，2H)，3.89 (s，1H)，3 74 (s，3H)，3 57 & φ 3H)，3.34 (s5 1H)，2·11 (s，3ii)，」961 93 (m，9H) (化合物N o · 1 3之六氟化碟鹽的纟士果） 8.21-8.15 (m，4H)，7.93 (d5 4H)，7·61 (t5 2H)，7·46 (t5 a!!)， 7·39-7·30 (m，2H)，6.61 (t，1H)，617 (d，2H)，4·99_4 88 (瓜， 1H)，4·75 (d，1H)，4.64 (d5 ih)，3.72 (d，6H)，3·53·3.48 (m， 1H)，3.19-3.14 (m，1H)5 2.0D.00 (m，9H) [實施例3 ] 將化合物No. 1之六氟化磷鹽、化合物ν〇· 13之六氟化碟 _ 鹽，分別溶解於2,2,3,3-四氟丙醇中，使花青素化合物濃 度達到1.0質量％，獲得光學記錄材料作為2,2,3,3-四氟丙 醇溶液。塗佈鈦螯合物（丁-5〇 :日本曹達公司製造），進行 水解’於没置有底層（〇·〇1 gm)之直徑為12 cm之聚碳酸酉旨 ，圓盤基板上，利用旋轉塗佈法來塗佈上述光學記錄材料， 形成厚度為100 nm之光學記錄層，分別獲得光學記錄媒體 No· 1、No· 2 〇 [評價例1及比較評價例1] 對化合物No · 1之六氟化碟鹽、化合物Ν〇 · 13之六I化碟 12I099.doc 200814049 鹽、比較化合物No· 1及比較化合物No. 2，評價熱分解行 為。評價係利用在氮氣流中及 度的條件下之示差熱分析測定 之發熱峰值溫度進行評價。又 熱分解開始溫度至發熱峰值溫 度-熱分解開始溫度）進行評價。 [化 16] 空氣中、10°C/min之升溫速 而進行，熱分解溫度以DTA ，熱分解急遽性以自DTA之 度為止之溫度幅度（峰值溫 將結果表不於[表1]中。

[表1] No. 花青素化合物 熱分解溢度 CC) 熱分解急遽性 CC) 評價例Μ 化合物No. 1之六氟化鱗鹽 193.1 9.0 評價例1-2 化合物No. 13之六氟化填鹽 190.8 12.3 比較評價例1-1 比較化合物No. 1 279.8 13.6 比較評價例1-2 比較化合物No. 2 197.4 20.5 根據上述結果，可確認本發明之花青素化合物即化合物 No. 1及No. 13之六氟化磷鹽，與具有類似結構之比較化合 物Ν ο · 1、比較化合物N 〇 · 2相比，熱分解溫度低、熱分解 急遽性良好。此表示，於用作光學記錄材料之情形時，熱 干涉較小，可以說本發明之花青素化合物即化合物No. 1 及No. 13之六氟化磷鹽適用於高速記錄。 [評價例2] I21099.doc -32- 200814049 對光學記錄媒體No. 1、No. 2測定UV光譜吸收。將各記 錄媒體之Xmax強度設為1，若與對相對之相對強度值小於 〇· 15，則記錄及播放特性惡化，若超過0.50，則光學記錄 層之耐光性變差，記錄之保存穩定性變差。因此，將表現 出相對強度在適當範圍即0.15〜0.50者作為適當記錄光波長 進行評價。將結果記錄於[表2]中。 [表2] 光學記錄媒體 八max (nm) 適當記錄光波長(相對強度） 評價例Μ 光學記錄媒體 No. 1 723 635 nm (0.461), 760 nm (0.383), 770 nm (0.270)，780 nm (0.186) 評價例1_2 光學記錄媒體 No. 2 724 635 nm (0.447), 650 nm (0.494), 760 nm (0.385), 770 nm (0.263), 780 m (0.176) 由[表2]可確認，具有由本發明之光學記錄材料形成的 先學記錄層之光學記錄媒體具有適當記錄光波長，能夠進 行記錄、播放。 產業上之可利用性 根據本發明，可提供一種適用於形成光學記錄媒體之光 學記錄層的光學記錄材料。本發明之特定花青素化合物因 分解溫度低、熱分解急遽，故蓄熱性低且抑制熱干涉，適 用於形成光學記錄媒體之光學記錄層。 【圖式簡單說明】 圖1係表示實施例1中所獲得的本發明之花青素化合物 (化合物No· 1之六氣化磷鹽）的1H-NMR圖。 圖2係表示實施例2中所獲得的本發明之花青素化合物 (化合物No. 13之六氟化磷鹽·〇的1H-NMR圖。 121099.doc -33 -

Claims (1)

1. 200814049 述通式（I)所 表 [化1] 十、申請專利範圍： ί· 一種光學記綠材料， 一 八3有至少一種由下 示之花青素化合物，

   Π) (式中，環Α及環Β分別想*主 葶環，R】H 別獨立表示可具有取代基之笨環或 ^ 表不由下述通式⑴）、（η，）或⑴”）所表示之美 =、心分別獨立表示氯原子、碳輪^ 之有機基®或由下述通式（11)、下述通式（ir)或下述通式 (『f表示之基團，R3與R4可互相連結形成環結構；γ1 及丫刀別獨立表不碳原子數為卜3()之有機基團或者由下 =通式（III)所表示之基團，χ表示氫原子、鹵素原子、 石反原子數為1〜4之烷基、可具有取代基之苯基、可具有 取代基之$基、或氰基;ΑχΓ·表示m價陰離子，m表示i 或2 ’ p表示將電荷保持為中性之係數）， [化2]

   (R^ x\p/ (R?) ㈣ “" （in (ir) (於上述通式（n)中，間之鍵結為雙鍵或三鍵， 121099.doc 200814049 示碳原子，G表示碳原 別獨立表示〇或卜尺:表：广原子或氮原子’x、y、z分 原子取代之碳原早μ, 卞®素原子、可被6素 代之皆原子盤： 烷基或者可被，素原子取 =Γ1〜4之炫孰基，r6、r7及r8分別獨立表 w 素原子或可被虐素原子取代之碳原子數為 ，·之轉，^ r7可缝請萘 ；

   _|)中，E，與㈣之鍵結為雙鍵，E，表示碳二上= 不乳原子、硫原子或氮原子，包含E，及G，之環表、 含雜原子之5員環或可包含雜原子之，該等二广, 及G’之環可被鹵素原子、硝基、氰基 ：匕3 E 代·於μ、+、、s基或燒氣基取 代：於上返通式(II")中，E"與G’，間之鍵結為雙鍵，心 不奴原子，G”表示碳原子，包含E"及G 辰 < 心立长表示可幻人 雜原子之5員環、可包含雜原子之6員環，9 έ ' < &表示鹵去店 子、硝基、氰基、可被鹵素原子取代之碳原 、’、原 之烷基、可被鹵素原子取代之碳原子.力、數為1〜4 基，η表示卜5)， 文為1〜4之烷氣 [化3] 121099.doc

   200814049 (式中，Ra〜R'分別獨立表示氫原子或碳原子數為卜4之严 基，該烧基中之亞甲基可被_〇_或你取代，q表示隸 鍵結或可具有取代基之碳原子數為卜8之伸燒基， 燒基中之亞甲基可被-0〜s·、_C0_、c〇〇•、七⑺· 、-SCV、-NH-、-conh贿、 广 备 a H•或-Ch=CH- 二 iV’m 表示 Fe、C0、N 卜 Ti、Cu、Zn、ZrCrM〇、 〇s、Μη、RU、Sn、Pd、Rh、pt 或 lr)。 2.如:青求们之光學記錄材料，其中由上述通式⑴所表示 之化青素化合物係由下述通式（IV)所表示之花青素化合 物， 口 [化4]

   R4、γ】 環 B、R2、 _人上迷通式（1)相同，119_表示碳原子數為1〜4之烷基，11 1〜5之數）。 二^項1之光學記錄材料，其中由上述通式⑴所表 2化青素化合物係由下述通式(V)所表示之花青素化 (式中，環A (IV) Y2、X、Anm-及 121099.doc 200814049 [化5]

   (V) (式中，環A、環β、R2、r3、汉4】 與上述通式（I)相同）。 、、γ2、X、AnmJ 4.如請求項1至3中任一項之光學# 5. 式（1)、(IV)及（V)中，由r2、^錄，料，其中於上述 基圏係碳原子數為!〜s之烷基 t、Y及乂2所表示' 一種光學記錄媒體’其於基板上具=子° 6· 任一項之光學記錄㈣形成之由如請求項I至心 -種花青素化合物，其係於上:、公。 R3、R4、Y1 及 攻通式（iV)中，由 R2、 Υ及Υ所表示之基團係 由R 基，X為氫原子。 ' 數為1〜8之搞 7· -種花青素化合物，其係於上述 R3、R4、Y】及Y2所本 式（V)争，由R2、 …所表示之基團係碳原子叙 悉’ X為氫原子。 ’、數為1〜8之烷 J21099.doc