TW200803048A - Antenna structure with antenna radome and method for rising gain thereof - Google Patents
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Description
200803048
一 三達編號：Ti2999t>A ； 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種具天線罩之天線結構及其提高 增益之方法’且特別是有關於一種具有高增益且結構簡單 之具天線罩之天線結構及其提高增益之方法。 【先前技術】 • •科來，由於無線通訊技術高速發展，無線區域網路 (Wireless LAN)或是個人無線網路（Wireless p顏）已深入 辦A至或豕庭之中。然而，將各無線網路所串聯起來的仍 以有線網路為主，如數位用路迴路（Digital Subscriber Line，DSL)等。為了將大都會間的網路加以無線化，並以 更低的成本佈建城鄉之間的骨幹（backb〇ne)網路設施，於 是提出IEEE 802· 16a的全球互通微波存取協定 (Worldwide Interoperability f〇r Microwave Access ， Φ ’其傳輸速度為70 Mbps，將比現有T1網路的1. 544
Mbps快約45倍以上，其佈建成本也較Ή低廉。 由於骨幹網路基地台的佈建，通常以長距離及點對點 的方式構成，因此必須以高指向性天線為主，以提昇等效 專向性輻射功率（Effective Isotropically Radiated Power ’ EIRP) ’利用更低的功率達成遠距離傳輸的目的， 同時較集中的輻射波束亦可以避免對鄰近區域造成干 擾。傳統高指向性天線分為碟型天線以及陣列天線兩大類 別。碟型天線雖然具有極高的指向性增益，但本身佔有極 200803048
α 三達編號：Τ#299卯A ； 大的體積，不僅架設困難也易受外界氣候的影響。 陣列天線則隨著所需天線指向性增益的增加，其陣元 數以倍數成長，天線面積大為增加，材料成本亦大幅提 昇。同時，構成天線陣列重要元件之一的饋入網路急劇複 雜化。饋入網路除了負責將每一個天線陣元的能量收集至 輸出端之外，也須確保輸出端至每一個天線陣元間之相位 無偏差。因此將造成相位準確性以及傳輸能量消耗的問 題，進而導致天線增益無法隨陣元數增加而增加。 於2002年，G. Tayeb等人提出-超顆材料小型南 增益天線”（Compact directive antennas using metamaterials 5 12th International Symposium on Antennas ’ Nice，12-14 Nov. 2002)，揭露一種具有多層 金屬網柵之超穎材料天線罩設計，利用電磁能隙技術，於 14GHz之操作頻段下，大幅降低微帶天線的半功率束徑寬 (僅約為10度左右），因此具有極高之指向性增益。然而， • 基於C=f>U的公式，當應用於操作頻段為3.5GHk5GHz 之WiMAX系統時，由於頻率大幅降低，故波長大幅增加， 是故天線罩相對應地將需要相當之厚度，天線整體體積增 加。同時，此多層金屬網栅係翻於天線輻射場之遠場 (far-fieid)，整個天線結構變大，使得實雜受到了限 制0 【發明内容】 有鑑於此’本發_目的就是錢供—種具天線罩之 200803048 . 三達編號：Τ^2999θΑ 天線結構及其提高心之方法，_ + 材料’可㈣將材質為超穎材料之天線罩^圖形之介電 之輻射場之近場，除了可集中天線結構之_ =天線結構 寬以增加天線結構之增益外， =波束之束徑 體積。 巾田成少天線結構之 根據本發明的目的，提出—種天線結 件以及天線罩。天線罩具有至少-層介^ /括轉射元 之上表面具有多個S形金屬圖形，下表面且^ Μ電材料 形金屬圖形之多個反s形金屬圖形。其中 相對應於s 與相對應之反S形金屬圖形互相耦合：隹，形金屬圖形 出之輻射波束。 木中幸㈣元件所發 根據本發明的目的，另提出-種天線姓槿 元件以及天縣。天線罩具有至少—層介電括輕射 層介電材料之上表面具有多個金屬圖形，下料，至少一 應於金屬圖形之多個反向金屬圖形。其中，具有相對 距係介於輻射元件之共振頻率之波長的〇. 〇〇2仵=形之間 之間，反向金屬圖形之間距係介於輻射元件之^捃,0.;2倍 波:的〇._倍至0.2倍之間。其中’金屬圖; 之反向金屬圖形互相耦合以集中輻射元件所發出之_射 波束。 田、 根據本發明的目的，再提出一種天線罩，包括至少— 層介電材料、多個s形金屬圖形以及多個反S形金屬圖 形。S形金屬圖形係印刷或餘刻於至少一層介電材料之上 表面。反S形金屬圖形係相對應於S形金屬圖形，並印刷 8 200803048， _ · 三達編號：T皆299#Α / 或姓刻於至少一層介電材料之下表面。其中，S形金屬圖 形與相對應之反S形金屬圖形係互相耦合以集中一輻射元 件所發出之輻射波束。 根據本發明的目的，另提出一種天線罩，包括至少一 層介電材料、多個金屬圖形以及多個反金屬圖形。金屬圖 形係印刷或蝕刻於至少一層介電材料之上表面。反金屬圖 形，係相對應於金屬圖形，並印刷或餘刻於至少一層介電 材料之下表面。其中，金屬圖形之間距係介於一輻射元件 * 之共振頻率之波長的0.002倍至0.2倍之間，反向金屬圖 形之間距係介於此輻射元件之共振頻率之波長的0. 002倍 至0. 2倍之間。金屬圖形與相對應之反向金屬圖形係互相 耦合以集中輻射元件所發出之輻射波束。 根據本發明的目的，再提出一種提高天線結構增益之 方法，係應用於天線結構，方法包括，首先，提供一輻射 元件。接著，置放天線罩於輻射元件之上以集中輻射元件 φ 所發出之輻射波束。其中，天線罩具有至少一層介電材 料，至少一層介電材料之上表面印刷或餘刻有多個S形金 屬圖形，至少一層介電材料之下表面印刷或姓刻有相對應 於S形金屬圖形之多個反S形金屬圖形。S形金屬圖形與 相對應之反S形金屬圖形係互相耦合以集中輻射元件所發 出之輻射波束。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下：
9 200803048 • 二達編號：rW2999PA ， * ； 【實施方式】 本發明係提供一種且妥綠 ^ ^ θ種^天線罩之天線結構及其提高增 用具有金屬圖形之介電材料，同時將天線罩 置放於天線結構t 將天綠罩 之声射波走之场’以集中天線結構所發出 之孝田射波束之束H增加天線結構之增益。 清茶照弟1圖，复洛-穴 線結構之示意圖4'=:本發明較佳實施例之天 線罩m。輻射元件;m包括織元件11(1以及天 以及*綠妒入，山1 0匕括輻射主體111、介質元件112 以及天線馈入^ ll3，*5j|+：i：辨Ίΐι 輻射主體111位於介質元件112上， 利用天線饋入端113餹 缺 ^ A 饋入‘唬。輻射元件110可為各種形 式之天線，亚不限定於特定型式之天線。 天線罩120之材質例如為超賴材料 (amaterails) ’其具有至少—層介電材料，本實施例 係以三層介電材料為例做說明，分別為介電材料i2i、介 電材料122及”電材料123,然並不限定於三層介電材料。 介電材料12卜123之上表面具有多個s形金屬圖形 212 218，下表面具有相對應於s形金屬圖形212〜2丨8之 夕個反S形金屬圖形222〜228。天線罩丨2〇亦可以視為由 夕個陣元130所組成。請參照第2A圖，其繪示乃依照本 發明較佳實施例之天線結構之單一陣元之正面金屬圖形 之示意圖。陣元130包括介電材料121，其上表面131具 有S形金屬圖形212。請夢照第2B圖，其繪示乃依照本發 明較佳實施例之天線結構之單一陣元之背面金屬圖形之 示思圖。陣元130包括介電材料121，其下面表133具有 200803048
^ 二達編就：TW2999PA ； 反S形金屬圖形222。 天線罩120中，S形金屬圖形212〜218之間距係介於 輻射元件110之共振頻率之波長的〇· 0〇2倍至〇.2倍之 間。反S形金屬圖形222〜228之間距係介於輻射元件11〇 之共振頻率之波長的0· 002倍至〇· 2倍之間。s形金屬圖 形212〜218與反S形金屬圖形222〜228係印刷或蝕刻於介 電材料121上，結構簡單，可採用現有之印刷電路板製程 φ (PCB)製作，大幅降低生產成本。 請參照第3A圖，其繪示乃依照本發明較佳實施例之 天線結構之上視圖。天線結構100於本實施例中以 個陣元組成為例，但並不限縮於此。於本實施例中，係以 頻率位於6· 5GHz時為例，此時，輻射元件11 〇之大小約 為13mmxl〇mm(約為〇·2倍波長），天線饋入端113位於輻 射元件11〇上。此外，陣元130之大小約為5 5mm(約為 〇· 11倍波長）x3mm(約為0·06倍波長），故當天線結構1〇〇 _ 具有1〇χ10個陣元時，接地端114之大小約為55mm(約為 Μ倍波長）x30mm(約為〇· 5倍波長）。請參照第3B圖，其 飨不乃依照本發明較佳實施例之天線結構之單一層陣元 之上表面及下表面之示意圖。天線結構1〇〇之單一層陣元 之上表面係具有多個s形金屬圖形，下表面係具有多個反 S形金屬圖形。 本發明所提供之提高天線結構增益之方法，係附加天 線罩120於輻射元件11〇以集中輻射元件11〇所發射之輻 射波束。其中，天線罩12〇係置放於輻射元件11〇所建立
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三達編號：TW2999PA
之電磁場之近場位置，利用S形金屬圖形212〜218與相對 應之反S形金屬圖形222〜228上下互相_合，藉以集中輻 $元件110所發出之輻射波束，使得輻射波束之束徑寬減 少，天線結構11〇的增益得以增加。請參照第4圖，其繪 π乃依妝本發明較佳實施例之天線結構之增益頻率響應 ^此圖中輻射元件11G係以微帶天線為例，42為單一微 線之t应頻率響應曲線，44為本發明之天線罩加微帶 於m㈣率響應曲線。由第4圖可知，單—微帶天線 i丟z具有取大增益5·〇7dBi，而本發明之天線罩加微 二具有最大增益8.侧，增加約·B 、:皿 印苓照第5圖，其繪示乃依照本發明較佳實施 |天線結構之輻射場型圖。第5 提 射： 係由第1®ι由— 口 丁尸叮扠仏之輻射％型 微帶天線線結構⑽為基準量測而得，51為單一 輻射特性。：第寸二=本發明之天線罩加微帶天線之 施例於…：【圖中可知’加上金屬天線罩之後，本實 天線之實際應用集中㈣之場型，相當適合於指向性 121〜1二上本 = 月所揭露之天線結構100，其介電材料 屬圖形，凡π屬圖形並不限於S形金屬圖形與反S形金 〇屬倍介於輻射元件110之共振頻率之波長的 形能約互_人1 之狀金屬圖形’且上下表面之金屬圖 100。此外ΛΓ皆可應用於本發明所揭露之天線結構 介電常數可=線^構100中，其中介電材料12卜123之 不相專，導磁係數亦可不相等。舉例來說，介
12 200803048 二達編號：TW2999PA 電材料121和介電材料123之導石兹係數彼此相等，但不相 等於介電材料122之導磁係數，或者介電材料i2i〜ι23之 導磁係數二者各不相等。介電材料m〜123之介電常數亦 然唯田；I電材料121〜123之介電常數及導磁係數不相等 時’ S形金屬圖形與反S形金屬_之_需要做些微的 調整’但仍介於輻射树UG之共振頻率之波長的〇. 〇〇2 倍至0· 2倍之間。
本發明、上述實施例所揭露之天線結構 、天線罩及提高 天^、口構h i之方法’係於介電材料上印刷或侧互相柄 t之金屬圖形，並將天料置放於天顧構之輻射場之近 切1木中天線結構所發出之輻射波束之束徑寬，進而增 加天=、、=構之增放。其中，金屬圖形具有結構簡單之特 ! 用現有之印刷電路板製程製作，大幅降低生產成 ί個t:’由於天線罩係置放於天線結構之近場處，使得 ^ ^ °構之體積能夠變得更小，提高實用性。 缺里=戶斤述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上， ΐ:識者用發明。本發明所屬技術領域中具有通 之更動盘—本發明之精神和範_，當可作各種 專利範圍;:::::本發明之保護範圍當視後附之申請
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β 二逹編號：1W2999PA ； 【圖式簡單說明】 第1圖繪示依照本發明較佳實施例之天線結構之示 意圖。 第2A圖繪示依照本發明較佳實施例之天線結構之單 一陣元之正面金屬圖形之示意圖。 第2B圖繪示依照本發明較佳實施例之天線結構之單 一陣元之背面金屬圖形之示意圖。 第3A圖繪示依照本發明較佳實施例之天線結構之上 視圖。 第3B圖繪乃依照本發明較佳實施例之天線結構之單 一層陣元之上表面及下表面之示意圖。 第4圖繪示依照本發明較佳實施例之天線結構之增 益頻率響應圖。 第5圖繪示依照本發明較佳實施例之天線結構之輻 射場型圖。
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. 二達S號：rW2999PA ； 【主要元件符號說明】 10 0 ·天線結構 110 :輻射元件 111 :輻射主體 112:介質元件 113 ··天線饋入端 114 :接地端 120 :天線罩 • 121〜123 :介電材料 130 :陣元 212〜128 : S形金屬圖形 222〜228 ·•反S形金屬圖形 131 :上表面 133 ··下表面 42 :單一微帶天線之增益頻率響應曲線 φ 44:本發明之天線罩加微帶天線之增益頻率響應曲線 51 :單一微帶天線之輻射特性 52 :本發明之天線罩加微帶天線之輻射特性
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Claims (1)
- 200803048 ι 二達編號：IW2999PA ： 十、申請專利範圍： L 一種天線結構5包括： <輻射元件；以及 一天線罩，具有至少一層介電材料，該至少一層介電 材料之上表面具有複數個S形金屬圖形，該至少一層介電 材料之下表面具有相對應於該些S形金屬圖形之複數個反 S形金屬圖形； 其中，該S形金屬圖形與相對應之該反S形金屬圖形 係互相搞合以集中該輪射元件所發出之輕射波束。 2. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該 S形金屬圖形之間距係介於該輻射元件之共振頻率之波長 的0. 002倍至0. 2倍之間。 3. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該 反S形金屬圖形之間距係介於該輻射元件之共振頻率之波 長的0. 002倍至0. 2倍之間。 φ 4.如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該 S形金屬圖形與該反S形金屬圖形係印刷或蝕刻於該至少 一層介電材料。 5. 如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之導磁係數係相同。 6. 如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之導磁係數係不相同。 16 200803048 • 二達編號：fW2999PA ； 7.如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，部份之該些 層介電材料之導磁係數係相同，其餘部份之該些層介電材 料之導磁係數係不相同。 8. 如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之介電常數係相同。 9. 如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中該 ® 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之介電常數係不相同。 10. 如申請專利範圍第4項所述之天線結構，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，部份之該些 層介電材料之介電常數係相同，其餘部份之該些層介電材 料之介電常數係不相同。 11. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，該天線 φ 罩之材質係為一超穎材料（metamaterials)。 12. 如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該 輻射元件係為各種形式之天線。 13. —種天線結構，包括： 一輻射元件；以及 一天線罩，具有至少一層介電材料，該至少一層介電 材料之上表面具有複數個金屬圖形，該至少一層介電材料 之下表面具有相對應於該金屬圖形之複數個反向金屬圖 形；17 200803048 二達編號：TW2999PA 其中，該金屬圖形之間距係介於該輻射一 率之波長的0· 002倍至〇· 2倍之間，該反亡疋件之共振頻 距係介於該輻射元件之共振頻率之波長的^每圖形之間 倍之間； · υ〇2倍至〇. 2 耦5以集中該輻射元件所發出之輻射波束。 ^係互相 ▲ 14.如申請專利範圍第13項所述之天 :金屬圖形與該反向金屬圖形係印刷或蝕刻；空’其中 層介電材料。 J ^至少一 15.如申請專利範圍第14項所述之天線级 :至少-層介電材料係包括二層以上介電材料：才’其中 适材料之導磁係數係相同。層介 如申請專利範圍第14項所述之天線結構，复 = —層介電材料係包括二層以上介電材料，今此^入 電材料之導軸數財相同。 趟層介 該至,Γ.如申凊專利範圍第14項所述之天線結構，其中 此層二。、層介電材料係包括二層以上介電材料，部份之該 ”電材料之導磁係數係相同，其餘部份之該些 材料之導雜_不㈣。 一 該至^8·如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中 =二一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介 電材料之介電⑽.肖。 該至小.如^請專利範圍第14項所述之天線結構，其中 € ”電材料係包括二層以上介電材料，該些層介.18 200803048 ^ 三達編號：TW2999PA :電材料之介電常數係不相同。 20. 如申請專利範圍第14項 該至少一層介電材料係包括二層以上介電Hi ’其中 些層介電材料之介+#紅〆^ # 枓’邛份之該 材料之介電常數係不㈣。 之該上層介電 21. 如申請專利範圍第13項所述之 兮 線罩之材質係為-超穎材料（met繼teHais)l構’該天 •今請專利範圍第13項所述之天線結構，复中 ,亥輻射兀件係為各種形式之天線。 /、中 23.—種天線罩，包括： 至少一層介電材料； 恭=复數個s形金屬圖形，係印刷或姓刻於該至少—芦介 龟材料之上表面；以及 ^ 複數個反s形金屬圖形，係相對應於該 形：刷或_於該至少一層介電材料之下表:，屬圖 • 其中，該S形金屬圖形與相對應之該反s形全^ R$ 係互相耦合以集中一輻射元件所發出之輻射波束金屬_ 24·如申請專利範圍第23項所述之天線罩，該天線 罩之材貝係為一超穎材料（metafflaterials)。 25·如申請專利範圍第23項所述之天線罩，其中該 S形金屬圖形之間距係介於該輻射元件之共振頻率之波長 的0· 002倍至〇· 2倍之間。 26·如申請專利範圍第23項所述之天線罩，其中該 反S形金屬圖形之間距係介於該輻射元件之共振頻率之波 19 200803048 t 二達緬航· i、W2999PA ； 長的0· 002倍至0· 2倍之間。 27. 如申請專利範圍第23項所述之天線罩，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之導磁係數係相同。 28. 如申請專利範圍第23項所述之天線罩，其中談 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之導磁係數係不相同。 29. 如申請專利範圍第23項所述之天線罩，其中該 ® 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，部份之該些 層介電材料之導磁係數係相同，其餘部份之該些層介電材 料之導磁係數係不相同。 30. 如申請專利範圍第23項所述之天線罩，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之介電常數係相同。 31. 如申請專利範圍第23項所述之天線罩，其中該 φ 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之介電常數係不相同。 32. 如申請專利範圍第23項所述之天線罩，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，部份之該些 層介電材料之介電常數係相同，其餘部份之該些層介電材 料之介電常數係不相同。 33. 如申請專利範圍第23項所述之天線罩，其中該 輻射元件係為各種形式之天線。 34. —種天線罩，包括：20 200803048 三達縮號：TW2999PA 至少一層介電材料； 料之上複彡w赃社少—層介電材 刷絲於該些金仙形，並印 甘士 …層介電材料之下表面； :中’該金屬圖形之—係介於—歸元件之共振頻 距#入##扫口 〇·2仡之間，該反向金屬圖形之間 、；丨田元件之共振頻率之波長的0.002倍至0 2 倍之間； ^ 其中，该金屬圖形與相對應之該反向金屬圖形係互相 輕合以集㈣輻射元件所發出之輻射波束。 35·如申請專利範圍第料項所述之天線罩，該天線 罩之材貝係為超穎材料（metamaterials)。 36·如申請專利範圍第34項所述之天線罩，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 _ 材料之導磁係數係相同。 37·如申請專利範圍第34項所述之天線罩，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之導磁係數係不相同。 38·如申請專利範圍第34項所述之天線罩，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，部份之該此 層介電材料之導磁係數係相同，其餘部份之該此二^ 料之導磁係數係不相同。 电材 39·如申請專利範圍第34項所述之天線罩，其中該 200803048 • .W2999PA 一 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電· 材料之介電常數係相同。 40. 如申請專利範圍第34項所述之天線罩，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，該些層介電 材料之介電常數係不相同。 41. 如申請專利範圍第34項所述之天線罩，其中該 至少一層介電材料係包括二層以上介電材料，部份之該些 層介電材料之介電常數係相同，其餘部份之該些層介電材 •料之介電常數係不相同。 42. 如申請專利範圍第34項所述之天線罩，其中該 輻射元件係為各種形式之天線。 43. —種提高天線結構增益之方法，係應用於一天線 結構，該方法包括： 提供一輻射元件；以及 置放一天線罩於該輻射元件之上以集中該輻射元件 所發出之輻射波束； _ 其中，該天線罩具有至少一層介電材料，該至少一層 介電材料之上表面印刷或蝕刻有複數個S形金屬圖形，該 至少一層介電材料之下表面印刷或蝕刻有相對應於該些S 形金屬圖形之複數個反S形金屬圖形，該8形金屬圖形與 相對應之該反S形金屬圖形係互相耦合以集中該輻射元件 所發出之輻射波束。 44. 如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 益之方法，該天線罩之材質係為一超穎材料 22 200803048 —· 1 <V2999PA - （metamaterials) 〇 45. 如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 益之方法，其中該S形金屬圖形之間距係介於該輻射元件 之共振頻率之波長的0. 002倍至0· 2倍之間。 46. 如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 益之方法，其中該反S形金屬圖形之間距係介於該輻射元 件之共振頻率之波長的0.002倍至0.2倍之間。 47. 如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 ® 益之方法，其中該至少一層介電材料係包括二層以上介電 材料，該些層介電材料之導磁係數係相同。 48. 如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 益之方法，其中該至少一層介電材料係包括二層以上介電 材料，該些層介電材料之導磁係數係不相同。 49. 如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 益之方法，其中該至少一層介電材料係包括二層以上介電 材料，部份之該些層介電材料之導磁係數係相同，其餘部 份之該些層介電材料之導磁係數係不相同。 50. 如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 益之方法，其中該至少一層介電材料係包括二層以上介電 材料，該些層介電材料之介電常數係相同。 51. 如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 益之方法，其中該至少一層介電材料係包括二層以上介電 材料，該些層介電材料之介電常數係不相同。 52. 如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 23 200803048 . 二達緬號.1W2999PA ： 益之方法，其中該至少一層介電材料係包括二層以上介電 材料，部份之該些層介電材料之介電常數係相同，其餘部 份之該些層介電材料之介電常數係不相同。 53.如申請專利範圍第43項所述之提高天線結構增 益之方法，其中該輻射元件係為各種形式之天線。
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