TW200803003A - Dual panel type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same - Google Patents

Description

200803003 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發縣關於-觀轉置，尤其觀面板式有機電 ·增㈣機電致發光顯示裝置的亮度。 【先前技術】 ‘通常，錢電致發絲林置的發光魏從陰極發出的 . I子和讀極發㈣空穴;i人到發射層以使電子的穴結合生成 φ ;放子㈣㈣’然後激子從激發態變為基態實現。與液晶顯示裝置 (LCD)相比’錢電贿光顯*裝置無需麟統，因為激子在激 發態與基態之間的轉換能發射光線。因此，有機電致發光顯示裝 置的尺寸小於液晶顯示裝置。有機電致發光顯示裝置·有其它 優越的性能如耗能低、亮度高以及^^應速度，决。由於這些特性， 有機電致發光顯示裝置被看做是下世代消費電子產品的顯示裝 置如手尚电D舌汽車$航系統(CNS)、個人數位助理(PDA)、攝 _錄像機以及掌上型電腦。並且，由於製造有機電致發光顯示裝置 具有更少的製程，因此製造有機電致發光顯示裝置比製造液晶顯 示裝置成本更低。 、有機纽發光顯示裝置具有兩種不同的類型：主動矩陣型和 被動矩陣型。當被動矩陣型有機電致發光裝置和主動矩陣型有機 電_光裝置均具有簡單結構並由簡單製程形成時，被動矩陣型 有機電致發光顯示裝置需要相對大的功率以進行操作。此外，被 動矩陣型有機電致發光顯示裝置的顯示尺寸受到晝素互連所用的 200803003 導線的厚度和寬度的限制。並且，隨著導線數量的增加，被動矩 陣型有機電致發光顯示裝置的開口率也降低。相反，主動矩陣型 有機電致發絲7F裝置效率高，並能夠透過相對低的功率在大顯 示屏上顯示高質量的影像。 ^ 「第1圖」所TFVf知技術有機電致發光齡裝置的剖面圖。 如「第1圖」所示，有機電致發光顯示錢丨包含彼此相對且分 離的第-基板12和第二基板28。包含薄膜電晶體“T”的陣列元件 層14形成在第-基板12上。盡管圖未示，但陣列元件層μ更包 含閘極線、與閘極線交又的資料線以及與閑極線和資料線其中之 -父叉的電力線。資料線、閘極線和電力線定義晝素區域“Ρ，，。第 -電極I6位於每個晝素區域“ρ”内的陣列元件上，有機電欵 發光(EL)層18位於每個晝素區域up”内的第一電極“上，第二電 極20位於所有畫素區域“ρ”的有機電致發光層18上。更確且地 說，每個晝素區域“Ρ”的第一電極16連接每個晝素區域“ρ”的薄膜 電晶體τ”。在晝素區域τ内有機電致發光層18包含紅(R)、綠 (G)、藍(B)子有機電致發光層。 第一基板28用於作為封裝面板，並具有凹陷部份21。乾燥劑 22位於凹陷部份21内以保護有機電致發光顯示裝置i免受濕氣影 響。封裝圖案26形成在第一基板12和第二基板28之間的邊緣部 伤，用於接合苐一基板12和第二基板28。 「第2圖」所示為習知技術有機電致發光顯示裝置之等效電 200803003 路圖。如「第2圖」所示，閘極線42和與之交叉的資料線44形 成在基板32上以定義晝素區域“P，，。與資料線44相交的電力線55 與閘極線42平行且分離。 開關元件“Ts”連接閘極線42和資料線44，且位於閘極線42 與資料線44交叉處的相鄰部份。驅動元件“Td，，連接開關元件 Ts。例如「第2圖」所示，驅動元件“丁〇，，為p型薄膜電晶體。 鲁儲存電容“Cst，，形成在開關元件“Ts，，和·驅動元件“Td，，之間。驅動元 件“TD”的第二汲極63連接有機電致發光二極體“E”的第一電極(圖 未示）。驅動元件“丁D，，的第二源極66連接電力線55。 以下，將詳細描述有機電致發光顯示裝置的操作特性。當閘 極峨加_ _元件“Ts，，㈣—閘極46上時，加載在f料線44 上的電流訊號透過開關元件“Ts”變為電壓峨，並加載至驅動元件 ‘Td”的第二閘極68。因此’驅動元件“TD”被驅動，加載至有機電 • 支么光一極體E上的電流位準被確定。接著，有機電致發光二極 體‘Έ，，依照加載在其上的電流位準實現灰階。由於儲存電容“Cst” 内的訊號用於保持驅動元件“Td，，的第二間極68的訊號，因此即使 開關7G件Ts處於關職態，也可縣加載在電 電流位準，直至加載下一訊號。 體上的 —第3圖」所福習知技術—個晝素區域内的有機電致發光顯 不裝置的平面圖。如「第3圖」所示，開關元件“Ts，，、連接開關元 件“Ts”的驅動元件‘‘Td，，和儲存電容“ csf,形成在基板&上的^ 200803003 域P内。例如’基板32包含透明絕緣基板如玻璃或塑料。或著， 透過晝素區域“p” _兩似上的開關元件實現剩元件“Ts”和驅 動元件“TD”的功能。 間極線42形成在基板32上，資料線44與閑極線们相交以 定義晝素區域“p”。此外，與資料線44平行的電力線55與閑極線 42交叉。開關it件“Ts，，包含連接閘極線42的第—閘極妨、位於第 一閘極46上的第一半導.體層5〇、連接資料線44的第一源極弘 以及與第雜56分離的第—汲極如。驅動元件“Td”包含連接第 -及極60的第二閘極68、位於第二閘極紹上的第二半導體層必 連接電力線55的第：源極66以及第二祕纪。尤其是第—祕 6〇和第二酿68可她緣細齡示孔64彼此 ^此外，她妙，晴—電極36物：汲㈣。盡 &圖未不，但儲錢容“Cst”包含第—儲 絕緣材料層，第一儲存播炸^ — 乐一链存电極和 4為攙抑，第二儲存電極為部份電力 線55，絕緣材料厣伤认* ^ 巧丨切私刀 「# w層位於弟—儲存電極和第二儲存電極之間。 弟4圖j所示為有機紐發光顯 線的剖面圖。如「第4R讲…衣置/σ乐3圖」中“w” 4圖」所不，弟二半導體層62形成在美 ，閘極絕緣層“ GI，，形峨：半導體層 土 成在第二彻層62上娜 ==形 成在第二_ 68上，其包含暴 情·喊層“正”形 觸孔“C1”和第二接觸孔 第° ’日62兩端的第一接 弟一源極66和第二汲極63形成在 200803003 中間絕緣層“IL”上’並透過第—接觸 接至第二半導體層62。鈍化層67形' &和弟二接觸孔“C2”連 63上。鈍化層67還包含暴露部份成在弟—源極66和第二汲極 第-電極36透過汲極接觸孔“C3”連:極63的及極接觸孔“C3，，。 層38形成在第-電極36上，第弟—〆及極63。有機電致發光 ^ “極80形成在有機電致發光声 38上。* 一電極36和第二電極如分別為陰極和陽二= 36、有機電致發光層38和第二帝枚。 弟包極 體“E”。如果驅動元件為“Td”為：:组:了有機電致發光二極 和第二電韻分別為陰極和陽2電晶體’則第一電極36 、 另 方面，如果驅動元件為“7V， 為P型薄膜電晶體，則第一電極 、’、、、 陰極。 和罘一電極80分別為陽極和 -儲存_ 37 1 i存電極％位於第二儲存電㈣下方。 第®」一所不為白知技衡有機電致發光二極體的發射區域 的」面圖如弟5圖」所不’有機電致發光顯示裝置1的發射 區域包含基板32上的陽極36、陽極36上财穴注入層38a、空 穴注入層撕上的空穴傳輸層娜、空穴傳輸層38b i的發射層 fx射層38C上的電子傳輪層观、電子傳輸層遍上的電子 注入層38e以及電子注入層撕上的陰極8〇。空穴傳輸層勸和 電子傳輸層38d用於傳輸空穴和電子至發射層撕以提高發光效 卞此外陽極36與空穴傳輪層地之間的空穴注入層撕降低 200803003 空穴注入能量，陰極δ〇與電子傳輸層38d之間的電子注入層38e 降低電子注入的能量，以增加發光效率並降低驅動電壓。 陰極80可由詞(Ca)、雖、鎖陶、銀㈣和鐘⑽中的一 種形成。陽極36可由透明導電材料如氧化銦錫_)形成。由於陽 ， 極36為透明導電材料如可透過濺鍍沉積的氧化銦錫，因此陽極％ 下方的層如發射層38在形成陽極36峨鍍餘巾可能被破壞。 φ 為了防止在陽極的濺鍍過程中發射層38遭到破壞，陽極36未形 成在發射層38上崎發射層38形成在陽極36上。 田光仗發射層38朝向位於發射層38下方的陽極％照射時， 開口區域又到陽極％下方的陣列元件(圖耒示)的_。因此，習 知技術的有機電致發光顯示裝置為底部發射型裝置，由於降列元 件㈣了裝置關口區域岐亮度下降。此外，為了防止開口率 纟最Π匕底J發射型裝置的陣列元件的設計受到限制。並且， • 财驅動元偶p型，製程複雜，目崎低了生產率。 【發明内容】 鑒於上述問題’本發明的主要目的在於提供—種解決習知技 術的侷限與缺陷導致的—個或多__雙面板财機電致發光 顯示裝置。 β明另_目的在於提供_種頂部發射型有機電致發光裝置 以提南受度。 本么月又目的在於提供—種具有鮮製程的有機電致發光 200803003 裝置的製造方法以降低成本並增加產率。 本發明再-目的在於提供-種防止陣列元件崎梯狀高度差 處的發射層分離的有機電致發光顯示裝置及其製造方法。 本發明其它目的在於提供—概過發射層的退化和增加陰極 與驅動兀件之間的接觸特性防止陰極與_之間短路的有機電致 發光顯示裝置及其製造方法。 鲁 關於本發明之其它特徵及優點將於接下來的内容中提出，有 些於内容敘述中即可_得知，而有些可於本發明之實施例中得 —本S之目的以及其它優點，可藉由揭露之結構以及方法而 實現，也可從揭露之圖式而得知。 因此，為達上述目的，本發騎聽之—财機電致發光裝 置匕3 ·位於基板上之晝素區域内的開關元件和驅動元件，驅 動元件連接開關元件；位於開關元件和驅動元件上的外塗層；位 ⑩^外塗層上的第—接，第—接觸層由鉬和氧化銦錫其中之一 製成位於第-接觸層上的陰極，陰極透過第—接觸層連接驅動 轉；位於陰極上的發射層；以及位於發射層上的陽極。 本發明所揭露之另一種有機電致發光裝置，包含：位於基板 2之晝素區域__元件和驅動元件，‘_元件連接開關元 位於簡％件和轉讀上的外塗層；位於外塗層上的接觸 j接觸層由痛絕緣材料製成’其巾接觸層與外塗層具有接觸 〒’用於暴露部份驅就件；位於接觸層上的陰極 ’陰極透過接 200803003 以及位於發射層上的 觸孔連接驅動元件；位於陰極上的發射層 陽極。 本發明所揭露之一種有機電致發光裝置之製造方法，包含 有.形成開關s件和驅航件於基板上之畫素區域内，驅動元件 ^接開關讀’·形成外塗層於咖元件和驅動元件上；形成接觸 層於外塗層上，接觸層由師氧化銦錫二者其—製成；形成陰極

;接U陰極透過接觸層連接驅動元件；形成發射層於陰極 上，以及形成陽極於發射層上。 本發明所揭露之另—财機電致發光裝置之製造方法，包含 有：形成開關元件和驅動元件於基板上之畫素區域内，驅動元件 輕開關元件；形成外塗層於開關树和驅献件上；形成接觸 層於外塗層上，接觸層包含無機絕緣材料，其中外塗層和接觸層 具有接觀，胁暴_似_元件；職陰極於侧層上^ 極透過接麻連接驅動元件；觀㈣層贿極上；以及形成陽 極於發射層上。 本發明所揭露之又-種有機電致發光裝置之製造方法，包含 有：形成雖線和電力線於基板上，閘極線與電力線彼此分離； $成閘極絕緣層於祕線和f力線上；形成資料線㈣極絕緣層 上’資料線與.線蚊；形成關元件和_元件，開關元件 連接閘極線和資料線，驅動树連接開關元件；形成第一純化層 於開關元件和驅動元件上，驅航件包含第-閘極、與第-閘極 12 200803003 對應之第-半導體層、第一源極以及與第一源極分離之第一汲 極弟-源極和第-汲極連接第一半導體層之末端部，·形成外塗 層於第鈍化層上，钱刻第一鈍化層和外塗層以形成接觸孔，用 於暴露部份第-汲極；形成接觸層於外塗層上，接觸層透過接觸 孔連接第-祕，接觸層由師氧化銦錫二者其—製成，·形成陰 極於接簡上，陰極透過觸層連接第—汲極；職第二純化層 於陰極上；姓刻第二鈍化層以形成暴露陰極之開口；形成發射層' 於第二鈍化層上’發射層透侧口接觸陰極，·以及形成陽極於^ 射層上。 .本發明所揭露之再一種有機電致發光農置之製造方法，包含 有.形成難線和電力線於基板上，雜線與電力線分離；形成 =絕緣物_和電力線上；形成f料線於_絕緣層上， Ί、閘極線又叉’幵>成開關元件和驅動元件，開關元件連接 間極線和資料線，驅動元件連接開關元件；形成第-鈍化層於開 關元件和鶴树上，‘鶴元聽含第—雜、 = —h體層、弟-源極以及與第一源極分離之第一汲極 :第一汲極連接第一半導體層之末端部’·形成外塗層於第 鈍2層上；蝴_以形成第—接·，祕暴露部份第— 列形成接觸層於外塗層上，接觸層包含無 =層與第一接觸孔對應之部份以形成第二接觸孔购 玉，域陰極於接觸層上，陰極透過第二接觸孔連接第— 13 200803003 純化層以形成暴露陰 汲極；形成第二鈍化層於陰極上；蝕刻第

極之開口，形成發射層於第-姑作昆L θ弟一鈍化層上，發射層透過開口接觸陰 極；以及形成陽極於發射層上。 有關本發明的特徵與實作，賊合圖式作最佳實施例詳細說 明如下。 【實施方式】 以下將依照附圖詳細描述本發明之較佳實施例。 「第6圖」所福本_實_麵電致發光齡裝置的剖 面圖。如f 6圖」所不，有機電致發光顯示裝置“el，，包含連接 基板100上的陣列元件(圖未示)的陰極2〇〇、陰極2〇〇上的電子注 入層逝、電子注入層2〇2上的電子傳輪層2〇4、電子傳輪層綱 上的發射層206、發射層206上的空穴傳輸層2〇8、空穴傳輸層2〇8 上的空穴注入層210以及空穴注入層21〇上的陽極214。_214 可有透明導電材料製成’如氧化銦錫或氧化鋅錫。 緩衝層212位於空穴注入層21〇與陽極214之間以防止空穴 注入層210在透過濺鍍沉積陽極214的過程中受到損壞。緩衝層 212可為有機單分子材料和氧化物二者其中一種，其中有機單分子 材料具有結晶性’氧化物包含五氧化工郞你）。例如，有機單分 子材料可為銅苯二尹藍(〇^)，可於保持低間值電屢和高遷移性的 同時具有較薄的厚度。 由於透明導電材料形成的陽極214位於基板1〇〇上的陣列元 14 200803003 件(圖未示)上方的有機電致發光顯示裝置的層_部，因此有機電 致發光顯示裝置為頂部發射财機電致發光顯示裝置。由於光線 未被陣列元件阻擋，頂部發射型有機電致發光顯示裝置的開口區 域增加。此外’卿發射财機電致發錢示I置轉列元件的 驅動兀件可域接陰極200的N型麵電晶體。N㈣膜電晶體 的半導體層可由非㈣形成，以減少製程的次數鱗低製造成 本。此外’為了防止陰極與驅動树斷接並為陰極提供平整的表 面，外塗層232和接觸層234依次形成在驅動元件和陰極2〇〇 ^ 間。接觸層234可為金屬層或絕緣層。 「第7圖」所示為本發明實施例有機電致發光顯示裝置之陣 列基板的平面圖。如「第7圖」所示，開關元件“Ts，，和與之連接的 驅動兀件“TD”形成在基板100上的晝素區域“p，，内，開關元件“Ts，, 可為N型薄膜電晶體，包含第_閘極舰、第_半導體層ιΐ8、第 一源極122a和第一汲極i22b。此外，驅動元件“τ〇，，為N型薄膜 電晶體，包含第二閘極刚、第二半導體層12〇、第二源極12如 和第二汲極124b。更確切地說，驅動元件“τ〇，，藉由連接第二閘極 104至第一;:及極122b連接開關元件“ts，，。 閘極線106沿著第一方向形成在基板1〇〇上，並與第一閘極 102連接以向第一閘極102提供掃描訊號。資料線126形成在第二 方向以與閘極線1〇6交叉定義晝素區域“1>，，。資料線126連接至第 一源極122a以加載資料訊號至第一源極122a。此外，電力線11〇 15 200803003 在第方向延伸，且朗極線⑽平行但分離。 閘極墊108、轉墊128和電力墊ιΐ4分卿成麵極線撕、 資料線126和電力線110的末端部份。此外，閘極墊終端14〇、資 料塾終端144和電力塾終端142分別與閘極塾刚、資料塾⑶ _电力墊114連接。例如’閘極墊終端刚、資料墊終端144和電 力墊、、端I42可φ翻導電材料如氧化觸或氧化鋅錫製成。 ―儲存電容“CSf，包含從電力貪nG延伸的第—儲存電極出、 k弟-及極122b延伸的第二儲存電極既以及位於第一儲存電 極m和第二儲存電極122e電極之關絕緣細未朴換十之， 二，電極m、絕緣層和第二儲存電極i22c為順序成層 成儲存電容“Cst，，。 —陰極m作為連接第二汲極丨施的第一電極形成。盡管圖 二=射Γ未示)形成在陰極136上未示)作為發射 曰、，二電極形成。在各個開關祕“ Ts，，和驅統件“TD —半秘層118和第二半導體層12G可由非晶成。 &第-源極i22a _狀可為％，，形，第—祕⑽的形狀 二:—内的條形。當第二没極12牝為第二源極124a内的 =弟二源極124a的形狀類型環形。由於開關元件％，，和驅動 4，，的通道形狀，通道長度⑽未示)触，且通道寬 =加’嶋大化通絲度並最小化_致發光顯示裝置的 16 200803003 「第8A圖」、「第8B圖」、「第8C圖」和「第沁圖」所示分 別為有機電致發光顯示裝置沿著「第7圖」#ivnia_vnia，，、

-VUIb-VIIIb^-VlIIc.VIIIc-#n "Vind-vind^ii^^^g 8A 圖」、「第8B圖」、「第8C圖」和「第8D圖」所示，晝素區域“p”、 開關區域“S”、驅動區域“D”和儲存區域“c”、閘極區域“GA”、與 閘極區域“GA”平行的電力區域‘νΑ，，、與閘極區域“ga”垂直的資 料區域“DA”和電力區域‘VA，，定義在基板100上。 開關元件“Ts”和與之連接的,鶴元件“Td”分卿成在開關區 域“S”和驅動區域“D”内。開關元件“Ts”包含第一閘極1〇2、第一半 導體層118、第-源極122a和第-汲極122b。驅動元件“，，包含 第二閘極104、第二主動層12()a、第二祕124a和第二沒極·。 閑極線106(如「第7圖」所示)在基板！⑻上沿著第一方向形成。 電力線11G(如「第7圖」所示)在基板應上沿著第—方向形成， 且與閘極線106平行但分離。資料線126(如「第7圖」所示)形成 在與閘極線106交叉的第二方向上以定義畫素區域“p”。 在儲存區域“c”中，第一儲存電極112從電力線11〇延伸，第 二儲存電極122c從第一汲極122b延伸，閘極絕緣層116位於第 一儲存電極112與第二儲存電極122c之間。 在畫素區域“p”，包含金屬材料的第一接觸層134位於第二汲 極124b上，陰極136形成在第一接觸層134上。此外，發射層148 形成在陰極136上，緩衝層150形成在發射層148上。盡管圖未 17 200803003 示，但有機電致發光顯示裝置更包含位於陰極136和發射層148 之間以及發射層148和陽極152之間的多層結構。第一主動層池 和第一歐姆接觸層118b組成第一半導體層118，第二主動層ΐ2〇& 和第二歐姆接觸層12〇b組成第二半導體層12〇。 第一閘極102、第-半導體層118、第一源極122a和第一汲 極122b組成開關元件“Ts”。此外，第二閘極1〇4、第二半導體層 • 120、第二源極124a和第二汲極124b組成驅動元件“Td”。尤其是 • _二閘極104藉由閘極絕緣層m内的接觸孔(圖未示)連接第一沒 極122b，第二源極124a連接電力線11〇。鈍化層146形成在陰極 136上则立於晝素區域“P”之間的邊緣，這樣每個晝素區域“p”内的 發射層148彼此不接觸。 問極塾108、資料墊128和電力墊114分別形成在間極線1〇6、 資料線126和電力線110的末端部份。此外，閘極墊終端14〇、資 • 料墊終端144和電力塾終端142分別連接閘極塾1〇8、資料塾128 和電力墊114。 田發射層148沉積在基板上時，由於包含開關元件“Ts” 和驅動元件TD的陣列元件(圖未示)產生的階梯狀高度差導致電 極之間短路，或加速發射層148的熱化產生黑點。可在基板1〇〇 上形成陰極之前形成外塗層！32以在沉積發射層148之前提供平 整的表面。此外，第一接觸層134形成在外塗層132和陰極136 之間以防止陰極136脫落。 18 200803003 「第9_A八圖」、「第9B圖」、「第9C圖」、「第9D圖」和「第 所不7刀別為有機電致發光顯示裝置的製程沿著「第7圖」 的“醫線的剖面圖。「第圖」、「第_」、「第 圖」、^ 」和「請目」所掏她電致發光顯示 裝置的^沿者「第7圖」的“·贿，，線的剖面圖。「第Μ 圖」、「弟UB圖」、「繁、「莖 一、 」*11C圖」弟11D圖」和「第11Ε圖」所

示分別為有機f致發絲示裝置的製程沿著「帛7圖」的 “jnic-VIIIc”線的剖面圖。「第12A圖」、「第UB圖」、「第W圖」、 第12D圖」和g既圖」所不分別為有機電致發光顯示裝置 的製程沿著「第7圖」的“vnId_VIIId，，線的剖面圖。 如「第9A圖」、「第圖」、「第lu圖」和「第12八圖」 所示，晝素區域“P”、開關區域“S”、驅動區域“D”和儲存區域“c” 形成在基板1〇〇上。此外，閘極區域“GA”和資料區域“ da,，定義畫 素區域“P”。並且，f力1域‘冒位於朗_域“以”平行的區 域内。第-_ 102和第二酿1〇4 it過沉積圖案化的雖1}或铭 合金如錄合金（A_、鉻，、銅和鈦而分別形成在開關區域 “S”和驅動區域“D”内。在閘極區域“GA”内，連接第一閘極皿的 閘極線106(如「第7圖」所示)形成在基板100上，閘極墊1〇8形 成在閘極線106的末端部份。電力線110形成在電力區域‘VA”内， 電力墊114形成在電力線110的末端部份。從電力線n〇延伸的 第一儲存電極112形成在儲存區域“C”内。 19 200803003 接者，透過在第一閘極102、第二閘極1〇4和閘極線1〇6上沉 積無機縣轉域切_χ)錄切⑸⑽彡朗極絕緣層 後透過为別在開關區域“ s，，和驅動區域“〇，，内的問極絕緣 層116上，儿積固有非晶石夕形成第一主動層η如和第二主動層 12〇a。接著透過分別在第—主動層施和第二主動層上沉積 齡麵糾形成第—歐姆接觸腿和第二歐姆接觸層 120b， 籲弟一主動層118a和第一歐姆接觸層118b組成第-半導體層118， 第主動層12〇a和第一歐姆接觸層^施組成第二半導體層n 隨後，透過蝕刻閘極絕緣層116形成第一接觸孔‘伽”和第二接觸 ,孔“CH2”以暴露部份第二閑極104和部份第-儲存電極112。 如第9B圖」、「第1〇B圖」、「第nB圖」和「第㈣圖」 所示，第-源極122a和第一沒極⑽、第二源極12知和第二沒 極⑽、資料線U6(如「第7圖」所示)透過沉積導電金屬材料層 #如與閘極線106相同的材料分卿成在開關區域“S，，、驅動區域“D” 和資料區域“DA”内。此外’第二儲存電極既從第—沒極腿 2伸。第二閘極104藉由第一接觸孔“cm，，連接第—沒極㈣， 第二汲極i24b藉由第二接觸孔“CH2，，連接第二健存電極㈣。從 資料線126延伸的資料墊128形成在資料區域“Da”内。 接耆，移除第-源極122a和第-沒極122b之間的部份第一 歐姆接觸層118b以暴露與之對應的部份第—主動層⑽。此外， 移除第二雜124a㈣二祕咖之陳㈣二歐姆接觸層 20 200803003 12Qb以暴露與之對應的部份第二主動層〗施。暴露的第一主動層 118a和第二主動層i2Ga用於作為主動通道(圖未示）。為了減小通 道長度並增加通道寬度，第—藤122a可為“『型，第—祕㈣ 可為條形。此外’與之同時或二者擇一，第二沒極讓為圓形時 第一源極124a為環形。第一閘極1〇2、第一半導體層n8、第一 源極122a和第一汲極122b組成開關元件“Ts”。第二閘極、第 -半導體層120、第二雜124a和第二祕腿域驅動元件 ‘‘下，， ° 如「第9C圖」、「第10C圖」、「第llc圖」和「第12C圖」 所示第鈍化層130透過在開關元件“Ts”和驅動元件“Td”上沉積 無機絕緣材料形成。接著，透過在第-鈍化層130上塗附有機絕 、彖材料如苯並環細彡成外麵132。 然後透過飯刻第一鈍化層13〇和外塗層132形成第三接觸孔 • “CH3”以暴露部份第二汲極1施。此外，侧第一純化層削和 外f層132形成第四接觸孔“CH4，，、第五接觸孔“CH5”和第六接觸 孔CH6以分別暴露部份閘極墊⑽、部份電力墊114和部份資料 墊 128。 ' 一如—弟9D圖」、「第10D圖」、「第11D圖」和「第12D圖」 =不，乐一接觸層134形成在外塗層上，陰極形成在第一接觸層

I34上。例如第一接觸層134包含與外塗層132黏著特性好的金屬 材料如氧化益A 、’锡或鉑。陰極可由鈣、鋁、紹合金如鋁鈥合金、鎂、 21 200803003 銀和鐘其中之-形成。外塗層132用於作為驅航件、，，和基板 100上的階梯狀高度差的平整層，以平整陣狀件和_元件之間 的接觸孔產生的階梯狀高度差。因此，可被避免由於陣列元件之 間的間隔產生的階梯狀高度鱗致陽極之間短路這樣的缺陷。 形成第接觸層I34以提高陰極和外塗層之間的接觸特性。 在與第-接觸層134相_步财_與之相_材料分別在閑 極區域—货、電力區域‘VA，，和資料區域“da”形成第二接觸層 139、第三接觸層141和第四接觸層143。在與陰極136相同的步 驟中利用與之相同的材料分別在第二接觸層139、第三接觸層⑷ 和弟四接觸層143上形成閘極墊終端⑽、電力塾終端142和資料 墊終端144。此處，第二接觸層139位於閑極㈣8和閑極塾終端 140之間，第三接觸層141位於電力墊m和電力塾終端⑷之間， 第四接觸層143位於資料墊128和資料塾終端144之間。因此， 第二接觸層139、第三接觸層141和細接觸層143可防止間極塾 終端⑽、電力墊終端142和龍塾終端144分別從閘極塾舰、 電力墊114和資料墊128脫落。 接著透過/儿積然機絕緣材料在閘極塾終端_、電力塾終端 ⑷和資料墊終端m上形成第二鈍化層U6。侧第二純化層刚 以開放閘極墊終端14G、電力塾終端142和資料墊終端144。第二 純化層146可防止後續在每個晝素區域“P”内形成的發射層之_ 短路。 22 200803003 如「第9E圖」、「第廳圖」、「第11E圖」和「第既圖」 所不’發射層M8形成在陰極136上的第二鈍化層146開放的區 域内。電子注入層“肌，，位於陰極136上，電子傳輸層“饥，，位於 電子注入層“EIL”上，空穴傳輸層“肌”位於發射層148上，空穴 注入層“HIL，，位於空穴傳輸層“HTL，，上，緩衝層15〇位於空穴注入 層“HIL，，上。尤其是發射層148包含紅(R)、綠(G)、藍⑻子發射層 •(圖未示）。每個紅(R)、綠(G)、藍(B)子發射層位於每個晝素區域‘卞” 内。接著’陽極152透跑冗積透明導電材料如氧化銦鍚或氧化辞 錫於緩衝層150上並形成圖案而形成。經過上述製程，可製成頂 部發射型有機電致發光二極體。 第13A圖」、「第13B圖」、「第13C圖」、「第13d圖」和「第 UE圖」所不分別為有機電致發光顯示裝置的製程沿「第7圖」 的“Vllla-Vma，，線的剖面圖。「第14A圖」、「第_圖」、「第⑽ I圖」、「第MD圖」和「第HE圖」所示分別為有機電致發光顯示 袈置的製程沿「第7圖」的“νηιι>νπιΐ3,，線的剖面圖。「第15A圖」、 弟15B圖」、「第15C圖」、「第15D圖」和「第15£圖」所示分 別為有機電致發光顯示裝置的製程沿「第7圖」的“观c_vmc”線 的剖面圖。「第16A圖」、「第16B圖」、「第狀圖」、「第圖」 孝第應圖」所示分別為有機電致發光顯示裝置的製程沿「第 7圖」的“Vnid-VIIId”線的剖面圖。為了便於說明 ，本實施例中將 省略與之前所述實施例相似的元件的描述。 23 200803003 如「第13A圖」'「第14A圖」、「第15A圖」和「第16八圖」 所不，外塗層332形成在基板1〇〇上，並被侧形成第三接觸孔 “CH33”以暴露第-鈍化層13〇的與第二没極⑽對應的部份，以 及分卿絲露第-鈍化層13()制極墊⑽職的部份的第四 接觸孔“CH44”、暴露第一鈍化層13〇與電力墊114對應的部份的 第五接觸孔“CH55”和暴露第一純化層13〇與資料塾128對應的部 份的第六接觸孔“CH66”。接著，如「第13B圖」、「第14β圖」、「第 15B圖」fn「第16B圖」所示，透過沉積無機絕緣材料如氮化石夕 (SiNx)或氧化石夕(Si〇x)於外塗層332上形成第一接觸層说。並且 第一接觸層334覆蓋第三接觸孔“CH33，，、第四接觸孔“CH44,，、第 五接觸孔“CH55”和第六接觸孔“CH66,，。接著，如「第13c圖」、「第 14C圖」、「第15CII」和「第16C圖」所示，透過钮刻第一接觸 層334和第一鈍化層13〇形成與第三接觸孔“CH33，，、第四接觸孔 “CH44”、第五接觸孔“CH55”和第六接觸孔“CH66，，分別對應的第七 接觸孔“CH77，，、第八接觸孔“CH88，，、第九接觸孔“CH99，，和第十接 觸孔“CH10”。 接著如「第13D圖」、「第14D圖」、「第15D圖」和「第16D 圖」所示，於第一接觸層334上形成陰極336、閘極墊終端34〇、 電力墊終端342和資料墊終端344。例如，陰極336由鈣(Ca)、鋁 (A1)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)和鋁合金如鋁鈦合金中的其中之一 製成。陰極336透過第七接觸孔“CH77”連接第二汲極124b，閘極 24 200803003 墊終端340透過第八接觸孔“CH88”連接閘極墊i〇8，電力塾終端 342透過第九接觸孔“CH99”連接電力墊114,資料墊終端344透過 弟十接觸孔“CH10”連接資料墊128。接著，透過在陰極336、閘極 塾終知)340、電力墊終端342和資料墊終端344上沉積無機絕緣材 料形成第二鈍化層346。蝕刻第二鈍化層346以開放陰極336、閑 極墊終端340、電力墊終端342和資料墊終端344，進而防止後續 形成在母個晝素區域“P”内的發射層之間的短路。

如「第13E圖」、「第14E圖」、「第15E圖」和「第脱圖」 所示，在由第二鈍化層346開放的陰極336 ±形成發射層348。此 外’電子注入層“EIL，，位於陰極336上，電子傳輸層“etl”位於電 子注入層“趾，，上，空穴傳輪層“祖”位於發射層348上，空穴注 入層‘皿”位於空穴傳輸層“HTL，，上，缓衝層撕立於空穴注入層 “亂”上―。尤其是發射層348包含紅(R)、_、藍⑻子發射細 未不）每個紅(R)、綠(G)、藍⑻子發射層均位於每個晝素區域“p，， 内1 接著，透過沉積透明導電材料如氧化銦錫_或氧靖錫㈣ 於第二緩衝層35〇上並形成圖案而形成陽極说。 本發明^财機電致發絲轉置為了貞料射财機電致 ^光顯示裝置’這樣不透明材料製成的陰極作為底部電極，透明 ¥電材魏成的陽極作為頂部電極以提高開口率，且不受陣列元 ==°此外’開關元件和驅動元__製成的N _崎鋪程讀和產品成本，_增加電路穩定 25 200803003 性。这種有機電致發光顯示裝置包含位於陣列元件和陰極之間的 外塗層，以防止陽極之間由於_元件的_狀高度差產生短 路，並防止發射層的熱化。透過形成外塗層和陰極之間的接觸層， 可防止陰極與基板分離的缺陷。 雖然本發明以前述之實施例揭露如上.，然其並非用以限定本 發明。在不脫離本發明之精神和範圍内，所為之更動賴飾，均 屬本發明之專梅護顧。關於本發明所界定之保護翻請參考 所附之申請專利範圍。 " 【圖式簡單說明】 第1圖為習知技術有機電致發光顯示裝置之剖面圖· 第2圖為習知技術有機電致發光顯示裝置之 寻父又路圖， 第3圖為習知技術-個晝姐域内之有機電致發光顯示 之平面圖； ^ 第4圖為有機電致發光顯示裝置沿第3圖 θ M Y 1V_IV’’線的剖面 圖； 第5圖為習知技術有機電致發光齡裝置之發射區域的剖面 圖； 第6圖為本發明實施例有機電致發光顯示裝置之剖面囷· 第7圖為本發明實施例有機電致發光顯示裝置之陣列芙板的 平面圖； 第从圖、第8B圖、第8C圖和第8D圖分別為有機電致發光 26 200803003 顯示裝置沿第 7 圖的“Villa-Villa”、“VIin>VIIIb”、“VIIIc-VIIIc” 和“Vllld-VIIId”線的剖面圖； 第9A圖至第9E圖為有機電致發光顯示裝置的製程沿第7圖 中“Villa-VUIa”線的剖面圖； 第10A圖至第10E圖為有機電致發光顯示裝置的製程沿第7 一 圖中“VUIb-VIIIb”線的剖面圖； • 第11A圖至第11E圖為有機電致發光顯示裝置的製程沿第7 ⑩ 圖中“Vnic-VIIIc”線的剖面圖； 第12A圖至第12E圖為有機電致發光顯示裝置的製程沿第7 圖中“Vllld-VUId”線的剖面圖； 第13A圖至第13E圖為有機電致發光顯示裝置的製程沿第7 圖中“Vnia-VIIIa”線的剖面圖； 第14A圖至第14E圖為有機電致發光顯示裝置的製程沿第7 圖中“Vinb-VIIIb”線的剖面圖； ® 第15A圖至第15E圖為有機電致發光顯示裝置的製程沿第7 圖中“VnioVIIIc”線的剖面圖；以及 第16A圖至第16E圖為有機電致發光顯示裝置的製程沿第7 圖中“Vllld-VIIId”線的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1、EL 有機電致發光顯示裝置 12 、 第一基板 27 200803003

14 16 18、38 20 21 22 26 28 32、100 35 、 112 36 37 38a、210、HIL 38b、208、HTL 38c、148、206、348 38d、204、ETL 38e、202、EIL 42、106 44、126 46、102 50、118 陣列元件層 第一電極 有機電致發光層 第二電極 凹陷部份 乾燥劑 封裝圖案 第二基板 基板 第一儲存電極 第一電極、陽極 第二儲存電極 空穴注入層 空穴傳輸層 EML發射層 電子傳輸層 電子注入層 閘極線 資料線 第一閘極 第一半導體層 28 200803003

55、 110 56、 122a 60 、 122b 62、120 63 、 124b 64 66 、 124a 67、 146 68、 104 80 108 114 116 118a 118b 120a 120b 122c 128 130 132、232、332 電力線 第一源極 第一没極 第二半導體層 第二汲極 接觸孔 第二源極 鈍化層 第二閘極 第二電極、陰極 閘極墊 電力墊 閘極絕緣層 第一主動層. 第一歐姆接觸層 第二主動層 第二歐姆接觸層 第二儲存電極 資料墊 第一鈍化層 外塗層 29 200803003 134 > 334 136、200、336 139 140、340 141 142 、 342 143

144、344 150、212、350 152、214、352

234 346 CH10 CH99 CH88 CH77 CH6、CH66 CH5、CH55 CH4、CH44 CH3、CH33

S 第一接觸層 陰極 第二接觸層 閘極墊終端 第三接觸層 電力墊終端 第四接觸層 資料墊終端 緩衝層 陽極 接觸層 第二鈍化層 第十接觸孔 第九接觸孔 第八接觸孔 第七接觸孔 第六接觸孔 第五接觸孔 第四接觸孔 第三接觸孔 開關區域 30 200803003

D 驅動區域 C 儲存區域 GI 閘極絕緣層 a、cm 第一接觸孔 C2、CH2 第二接觸孔 IL 中間絕緣層 C3 汲極接觸孔 TD 驅動元件 Ts 開關元件‘ Cst 儲存電容 E 有機電致發光二極體 T 薄膜電晶體 P 晝素區域 R 紅子有機電致發光層 G 綠子有機電致發光層 B 藍子有機電致發光層 DA 貢料區域 VA 電力區域 GA 閘極區域 31

Claims (1)

1. 200803003 十、申請專利範圍·· 1· 一種有機電致發光裝置，包含有·· -開關元件和—驅動元件，位於—基板上之—晝素區域 内，該驅動元件連接該開關元件； 一外塗層’位於該開關元件和該驅動元件上； 一第一接觸層，位於該外塗層上，該第-接觸層由銦和氧 化銦錫其中之一製成； 陰極’位於該第-接觸層i，該陰極透過該第一接觸層 連接該驅動元件； 9 一發射層，位於該陰極上；以及 一陽極，位於該發射層上。 32 200803003 物包含五氧化二釩(v2〇5)。 7·如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光裝置，其中該有機 單分子材料具有結晶性且包含鋼笨二甲藍(CuPc)。 8.如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中該驅動 元件為一 N型薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含一第一閘極、對 應該第-閘極之-第-半導體層、—第—源極以及與該第一源 極分離之一第一汲極，該第一源極和該第一汲極連接該第一半 導體層之末端部。 9·如申請專利範圍第8項所述之有機電致發光裝置，其中該第一 汲極連接該陰極。 10. 如申請補翻第8項所述之錢電致發絲置，其中該第— 源極為“U”形’該第一;:及極為條形。 11. 如申請專機圍第8項所述之有_致發統置，射當該第 -没極雜為目料，該第狀為環形。 12. 如申請專利範圍第i項所述之有機紐發光裝置，其中更包含 連接該開關元件之—陳線和1料線以及與該閘極線和= 資料線其中之-交叉之-電力線，該閘極線與該資料線彼咕 叉以定義該晝素區域。 Π.如申請專職㈣12項所述之有機電致發光裝置，其中 極線、該㈣線和該電力線分別包含位於其末端部之: 墊、一資料墊和一電力墊。 巧極 33 200803003 14·如申麵專利範圍第12項所述 項k之有機電致發光裝置， 關兀件包含連接該閘極線之一第_ 〜開 卜 … 罘一閘極、對應該第二閘極之— 第二半導體層、連接該資料線之 ^ 罘一源極以及彼此分離之一 弟-及極’該弟二馳和該第二祕連接該第二半 端部。 曰<末 !5.如申請專稿圍第14項所述之有機電致發光裝置，其中更勺 含一儲存電容，該儲存電容包含連接該電力線之-第-儲存^ 極、連接該第二汲極之一第二儲存電極以及位於該第一儲存: 極與該第二儲存電極之間之—絕緣層。 16. 如申請細_ 1項所述之有機較發光裝置，其中該外塗 層包含一有機絕緣材料。 17. 如申#專利域第16項所述之有機電致發光裝置，其中該有 機絕緣材料包含苯並環丁稀和丙稀酸樹脂二者其一。 18. 如申4專利範®第i項所述之有機電致發光裝置，其中更包含 鈍化層’位於該關元件與該外塗層之間和該驅動树與該 外塗層之間。 ' 设如申4專利範目第丨8項所述之有機電致發光裝置，其中該純 化層包含一無機絕緣材料。 20· —種有機電致發光裝置，包含有： 一開關元件和-驅動元件，位於一基板上之—晝素區域 内，該驅動元件連接該開關元件； 34 200803003 一外塗層，位於_關元件和難動元件上； 一接觸層’位於該外塗層上，該接觸層由無舰緣材料製 成，其中該接觸層與該外塗層具有一接觸孔，用於暴露部份該 驅動7G件； 一陰極’位霞接觸層± ’該陰極透過該賴孔連接該驅 動元件； 一發射層，位於該陰極上；以及 一陽極，位於該發射層上。 21.—種有機電致發光裝置之製造方法，包含有： 形成-開關it件和-驅動元件於—基板上之—晝素區域 内，該驅動元件連接該開關元件； 形成—外塗層於該開關元件和該驅動元件上； 开/成-接觸層於該外塗層上，該接觸層由鉬(施)和氧化鋼 錫(ITO)二者其一製成； 形成-陰極於該接觸層上，該陰極透職細層連接該驅 動元件； 形成一發射層於該陰極上；以及 形成一陽極於該發射層上。 泣如申請專利侧第21項所叙有機較發絲置之製造方 法’其中該驅動元件包含一 N型薄膜電晶體，並且形成該驅動 70件的步驟包含形成n極、形成與該第 一間極對應之一 35 200803003 第半導體層以及形成一第一源極和與該第一源極分離之一 弟及極，該第-源極與該第一汲極連接該第一半導體層之末 端部。 23·如申明專利㈣第22項所述之有機電致發光裝置之製造方 法其中該弟一及極連接該陰極。 24. 如申明專利範圍第21項所述之有機電致發光裝置之製造方 法，其中更包含形成線和_f料線以及形成與該問極線 和該資料線二者其一交叉之一電力線，該問極線和該資料線連 接該驅動元件且彼此交叉定義該晝素區域。 25. 如申#專利範圍第24項所述之有機電致發光裝置之製造方 法’其中形成該開關元件的步驟包含形成連接該閘極線之一第 二閘極、形成對應該f二_之二轉體層、形成連接該 資料線之-第二源極以及形舰此分離之一第二汲極，該第二 源極和該第二汲極連接該第二半導體層之末端部。 26. 如申μ專她圍第25項所述之有機電致發絲置之製造方 法其中更包含形成一儲存電容，該儲存電容包含連接該電力 線之一第一儲存電極、連接該第二及極之一第二館存電極以及 位於該第一儲存電極和該第二儲存電極之間之一絕緣層。 27·如申請專郷圍f U賴述之錢電致發光裝置之製造方 法，其中更包含形成一電子注入層於該陰極上、形成一電子傳 輸層於該電子注人層上、械—空輯輸層於該魏層上、形 36 200803003 成—空穴注人層於該空穴傳輸層切及形成-缓衝層於該空 穴注入層上。 汉如申請專利範圍第η項所述之有機電致發光裝置之製造方 法，、中心成該閘極線、該貧料線和該電力線的步驟包含分別 形成-閘極墊、-資料塾和一電力墊於該閘極線、該資料線和 該電力線之末端部。 29. 一種有機電致發光裝置之製造方法，包含有： •形成—關元件和—鶴元件於-基板上之-晝素區域 内’該驅動元件連接該開關元件； 幵y成外塗層於該開關元件和該驅動元件上； 形成一接觸層於該外塗層上，該接觸層包含-無機絕緣材 料，其中該外塗層和該接觸層具有一接觸孔，用於暴露部份該 驅動兀件， 職-陰極峰_壯，雜概戦_孔連接該驅 I 動元件； 形成一發射層於該陰極上；以及 形成一陽極於該發射層上。 30·-財機電致發騎置之製造方法，包含有： 形成严甲 1極線和一電力線於一基板上，該閘極線與該電力 線彼此分離； 形成一閘極絕緣層於該閘極線和該電力線上； 37 200803003 形成一資料線於該閑極絕緣層上，該資料線與該閑極線交 叉’· 形成一開關元件和一驅動元株， 件該開關兀件連接該閘極線 和該資料線，該驅動元件連接該開關元件，· 一 乂成第偏匕層於該開關元件和該驅動元件上，該驅動 兀件包3第-閘極、與該第—閘極對應之―第—半導體層' 一第一源極以及與該第-源極分離之_第—没極，該第一源極 和該第-汲極連接該第—半導體層之末端部； 形成一外塗層於該第一鈍化層上； _該第-鈍化層和該外塗層以形成一接觸孔，用於暴露 部份該第一汲極； /成—接_於該外塗層上’該接觸層透過該接觸孔連接 該第及極，該接觸層由鉬和氧化銦錫二者其-製成； H陰極於該接觸層上’該陰極透過該接觸層連接該第 一没極； 开>成一第二鈍化層於該陰極上； 爛該第二鈍化相形絲露該陰極之—開口； /成發射層於該第二鈍化層上，該發射層透過該開口接 觸該陰極；以及 开> 成〜陽極於該發射層上。 Μ· -種有麵致發光裝置之製造方法，包含有： 38 200803003 形成-閘極線和-電力線於_基板上，該閘極線與該電力 線分離； 元成一閘極絕緣層於該閘極線和該電力線上； 形成-貧料線於該閘極絕緣層上，該資料線與該閘極線交 叉；

   形成-開關元件和-驅動元件，該開關元件連接該閘極線 和該資料線，該驅動元件連接該開關元件； 形成-第-鈍化層於該開關元件和該驅動元件上，該驅動 树包含-第-閘極、與該第—閘極對應之—第—半導體層、 一第極以及與該第-源極分離之—第—汲極，該第一源極 和該第-汲極連接該第-半導體層之末端部； 形成一外塗層於該第一鈍化層上； 侧該外塗層以形成-第-接觸孔，用於暴露部份該第_ 化層，

   幵>成一接觸層於該外塗層上，該接觸層包含— 料； 無機絕緣材 形成一第二 钱刻該接觸層能第-_孔對應之部細形成— 接觸孔以暴露部份該第一沒極； 形成一陰極於該接觸層上，該陰極透過該第 該第一汲極； 形成一第二鈍化層於該陰極上； 卜觸孔連接 39 200803003 蝕刻該第二鈍化層以形成暴露該陰極之一開口； 形成一發射層於該第二鈍化層上，該發射層透過該開口接 觸該陰極；以及 形成一陽極於該發射層上。